CA2067784C - Procede et dispositif d'encapsulation hermetique de composants electroniques - Google Patents

Procede et dispositif d'encapsulation hermetique de composants electroniques Download PDF

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Abstract

Selon un mode de réalisation de l'invention, les composants électroniques discrets ou intégrés, sont encapsulés chacun dans un boitier, par exemple plastique; les boitiers sont ensuite montés sur une cane de circuit imprimé, par exemple époxy. L'en- semble composants et carte est recouvert d'une première couche relativement épaisse, constituée par un composé organique et as- surant une fonction de nivellement, puis d'une couche telle qu'un composè métallique minéral, ayant pour fonction d'assurer l'herméticité de l'ensemble.

Description

~':'v~ WO 92/03902 PCZ'/FR91/00688 PROCEDE ET DISPOSITIF D'ENCAPSULATION
HERMÉTIQUE DE COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES.
La présente invention a pour objet un dispositif assurant une encapsulation de composants électroniques, encapsu-lation qui soit hermétique c'est-à-dire qui ne laisse pas passer les gaz et, tout particulièrement, pas la vapeur d'eau.
En effet, ainsi qu'il est connu, le problème de la suppression ou, à défaut, de la Limitation de l'humidité dans l'atmosphère entourant les composants électroniques est un problème aigu.
On sait que le contaminant ayant le rôle le plus 1G important et le plus néfaste sur le plan de la fiabilité d'un' composant discret ou d'un circuit intégré est la teneur en eau de l'ambiance environnante. En effet, l'humidité est notamment susceptible de corroder les plots de connexion des circuits ;
elle permet également aux ions de se solublliser, ce qui renforce la corrosion. Ces effets sont très sensibles sur les circuits intégrés et, ce, que d'autant plus que l'échelle d'intégration est plus élevée, c'est-à-dire que les plots de connexion sont plus petits.
Pour les applications à environnement sévère et hautes performances, telles que les applications mllitaires ou spatiales, il est connu d'utlliaer des boitiers de composants dont l'embase est en céramique at le capot en métal, scellé
hermétiquement sur ~1'embase, un dégazage avant fermeture du , capot étant en outre en général prévu, Un inconvénient de cette solution est son prix de revient, qui est tris élevé.
On connaît par allleurs des boitiers d'encapsulation en matériau plastique, dont le coût est beaucoup plus bas mais qui présentent l'inconvénient de n'être pas hermétiques.

e
2 PCI/FR91 /OOQ.
~a~'~,~ ~ ~~~
La présente invention a pour objet une encapsulation de composants électroniques qui soit à la fois hermétique, simple de mise en oeuvre et peu onéreuse.
A cet effet, les composants (tels que pastilles de semiconducteur) sont recouverts - d'une première couche d'un matériau organique, relativement épaisse, qui nivelle sensiblement les reliefs et adoucit les angles du composant ;
- d'une deuxième couche d'un matériau minéral, qui peut être beaucoup plus fine, qui assure l'herméticité de l'ensemble .
Ce procédé s'applique aux composants pris individuellement comme aux composants (éventuellement déjà encapsulés) montés sur ûne carte de circuit imprimé : il est alors appliqué à
l'ensemble carte et composants, De la sorte, les pastilles peuvent ëtre montées aisément sur la carte par l'intermédiaire de leurs boitiers et, ce, de toute façon connue, à l'aide de matériaux (boïtiers et carte imprimée) peu onéreux ; l'herméticité est assurée par la deuxiéme couche et l'ensemble est d'un coût relativement faible d'une part, du fait du choix des matériaux (boitiers et/ou carte imprimée) et, d'autre part, du fait que cette technique est' directement applicable à toute carte portant un circuit électronique, sans nécessiter la réimplantation des composants, en vue par exemple de ménager un espace pour des moyens assurant l'étanchéité.
D'autres objets, particularités et résultats de l'invention ressortiront de la description suivante, donnée à
titre d'exemple non limitatif et illustrée par les dessins annexés, qui représentent - la figure 1, un mode de réalisation du dispositif selon l'invention ;
- la figure 2, les différentes étapes d'un mode de réalisation du procédé selon l'invention.

~. WO 92/03902 ~~~$ ~~~~ ~' PCT/FR91/00688
3 Sur ces différentes figures, d'une part les mêmes rëférences se rapportent aux mëmes éléments et, d'autre part, l'échelle réelle n'est pas respectée pour la clarté de l'exposé.
La figure 1 représente donc un mode de réalisation du dispositif selon l'invention et sera décrite en relation avec la figure 2, qui illustre les différentes étapes de sa fabrication.
Dans ce mode de réalisation, des composants électroni-ques, tels que des pastilles semiconductrices formant des composants discrets ou des circuits intégrés, sont classiquement jp encapsulés dans les boïtiers (étape 21, figure 2) mais l'herméticité étant assurée par ailleurs, les boitiers de composant n'ont pas eux-mémes à ëtre hermétiques ; on peut ainsi utlliser n'importe quel type de boitier, par exemple des boitiers plastiques dont on sait Que le coût est très nettement inférieur à . celui des boîtiers céramiques. Selon l'invention également, on peut utiliser soit des boîtiers destinés à ëtre montés à plat, de tels boitiers étant repérés 10 sur la figure 1, soit des boïtiers munis de pattes (ou broches) de connexion, boitlers repérés 11 sur la figure 1, avec des pattes 12, destinées à traverser la carte de circuit imprimé sur laquelle ils sont montés.
Dans une deuxième étape, repérée 22 sur la figure 2, on procède également classiquement au montage des boîtiers précédents sur un substrat (ou carte) de circuit imprimé, repéré ' 2g 50 sur la figure 1. Selon l'invention et comme précédemment, ü
est possible d'utlliser n'importe quel type de circuit imprimé, céramique ou époxy, simple couche ou multicouche, simple face ou double face, et dont la taille n'est pas limitée. Sur la figure, on a représenté par exemple une carte multicouche comportant. une pluralité de plans de connexion internes, repérés 52, et double face, les composants 10 et/ou 11 étant disposés à
la foie aur la face supérieure (53) et sur la face inférieure (54) de la carte 50. En outre, le substrat de circuit imprimé 50 WO 92/03902 PCT/FR91/00~"
t.v"~ '°~~ '~ 4 comporte des trous métallisés 51 pour ceux des boîtiers (11) qui comportent des pattes de connexion ( 12) .
L'étape suivante (23 sur la figure 2) consiste à
déposer sur sensiblement l'ensemble du circuit imprimé et des boitiers 10 et 11 une première couche 30, constituée par un composé organique. A titre d'exemple, un matériau connu sous le nom de PARYLENE produit par Ia Société UNION CARBIDE
convient. Un vernis, silicone, époxy ou acrylique, convient également. Sa fonction est de sensiblement planer la surface sur laquelle sera déposée la couche suivante ; on entend ici par planer, réaliser un certain adoucissement des angles ainsi qu'un certain nivellement de la surface et un colmatage des interstices (notamment entre composants 10 ou 11 et surface du circuit imprimé 50) ; pour former une surface sensiblement uniforme facilitant le dépôt ~ de la couche suivante et autorisant pour cette dernière, . une épaisseur très faible sans risque de craquelures. A cet effet, cette première couche a de préférence une épaisseur relativement importante (typiquement quelques dizaines de microns) .
L'étape suivante (24 sur la figure 2) consiste à
déposer sur sensiblement l'ensemble de la couèhe 30 une deuxième couche, repérée 4U, d'un matériau minéral hermétique.
Cette couche peut être constituée typiquement par un composé
métallique et peut être très fine (typiquement quelques microns) grâce à la présence de la première couche. Le prix de revient du dépôt d'une couche telle que 40 étant plus élevé que celui de la couche 30, ceci constitue un avantage. A titre d'exemple, un oxyde métallique (d'aluminium, de silicium, de zirconium, de titane ou d'étain par exemple) ou un nitrure métallique (nitrure 3p de slllcium par exemple) conviennent. Cette couche peut être obtenue soit par dépôt direct du composé métallique, soit par dépôt du métal qui est ensuite oxydé et/ou nitruré, par tout .
moyen connu. Par ailleurs, dans le cas oû le matériau choisi pour réaliser la couche 40 est conducteur de l'électricité, le i ' ~ ~' WO 92/03902 PCT/F1t91 /00688 ~ > ~, a- ~'7""~ ev ,~, ~,.,.:a J ~
matériau de la couche 30 devra en outre âtre isolant électriquement.
Dans une variante de réalisation (non représentée), on dépose, sur la couche minérale 40, une troisième couche de protection mécanique : en effet, si la couche 40 est très mince, il peut être préférable de la protéger contre les chocs ou les rayures. A titre d'exemple, cette troisième couche peut âtre constituée par une couche mince (typiquement de 5 à 10 Etm environ) de PARYLENE.
Selon une autre variante, on dépose, toujours sur la couche 40, une troisième couche d'un matériau organique tel que le PARYLENE, puis une quatrième couche de matériau minéral tel que celui constituant la couche 40 (Si02 par exemple) ; les deuxième-quatrième couches forment alors une structure de type sandwich qui présente une tenue mécanique renforcée.
Il est à noter que la présence de la première couche 30 sous la couche 40 permet de plus de dégager facilement en tant que besoin les parties ainsi recouvertes et qui ne devraient pas l'être, tels que éléments réglables ou , commutateurs. En outre, elle permet, par usinage local aw laser par exemple, de réaliser des trous ponctuels permettant l'application d'une pointe de test, sans compromettre l'étanchéité de l'ensemble de la carte.
' Le procédé décrit ci-dessus est utilisable de la mëme manière pour réaliser l'herméticité d' in boîtier seul, non monté
sur une carte de circuit imprimé : seule l'étape 22 de la figure 2 est alors supprimée.
L'in'térêt en est notamment la réparation d'une carte :
dans ce cas, le ou les boîtiers hors service peuvent ëtre remplacés par des boîtiers en plastique par exemple, recouverts des deux couches décrites précédemment avant leur montage sur la carte.

WO 92/03902 PCT/FR91 /00~ . ~:
~~~~~..srJ ~.J~~

Le procédé selon l'invention est, de la même manière, applicable également pour réaliser la protection hermétique d'un composant individuel, monté ou non sur une carte de circuit imprimé. Dans le deuxième cas, les étapes 21 et 22 de la figure 2 sont supprimées et le composant est directement enrobé des deux couches visées aux étapes 23 et 24, respectivement. Dans le premier cas, l'étape 21 de la figure 2 est supprimée : les composants sont montés sur le circuit imprimé puis recouverts des deux couches précédentes, organique puis minérale.

Il apparait ainsi que l'invention permet notamment de réaliser l'herméticité des deux faces de n'importe quel circuit monté sur un circuit imprimé, sans nécessiter de modification de celui-ci, d'implantation ou de matériau notamment. Elle permet également une réparation locale sans destruction de l'hermé- ' ticité du reste du circuit porté par la carte, le ou les composants de remplacement étant également rendus hermétiques par la même méthode. En outre, les couches ainsi déposées étant peu épaisses par rapport à l'épaisseur du circuit lui-même, 2G elles ne forment pas un obstacle à l'évacuation de la chaleur engendrée par le fonctionnement des composants. Enfin, ces différentes couches étant transparentes sous faible épaisseur, les marquages des circuits sont visibles à travers les couches et ll n'est pas nécessaire de les reproduire sur la couche extérieure.

Claims (13)

REVENDICATIONS
1. Procédé d'encapsulation hermétique d'au moins un composant électronique, caractérisé par le fait qu'ü comporte :
- une première étape de dépôt sur le composant d'une première couche en un matériau organique, dont l'épaisseur permet de sensiblement planer la surface sur laquelle sera déposée une deuxième couche ;
- une deuxième étape de dépôt de la deuxième couche sur la première couche, en un matériau minéral hermétique.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'il comporte en outre, avant la première étape, une première étape supplémentaire d'encapsulation des composants chacun dans un boitier.
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'il comporte en outre, avant la première étape, une première étape supplémentaire d'encapsulation des composants chacun dans un boitier, puis une deuxième étape supplémentaire de montage des boitiers sur une carte de circuit imprimé et que les première et deuxième couches sont déposées sensiblement sur l'ensemble de la carte et des boitiers.
4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que la première couche est en outre électriquement isolante.
5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que la deuxième couche est un composé
métallique.
6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé par le fait que la deuxième couche comporte un oxyde et/ou un nitrure métallique.
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé par le fait que la deuxième couche est obtenue par dépôt d'un métal puis oxydation et/ou nitruration du métal.
8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait qu'il comporte en outre, après la deuxième étape, une troisième étape de dépôt sur la deuxième couche d'une troisième couche de protection mécanique.
9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait qu'il comporte en outre, après la deuxième étape, une troisième étape de dépôt sur la deuxième couche d'une troisième couche d'un matériau organique puis d'une quatrième couche d'un matériau minéral.
10. Dispositif d'encapsulation hermétique de composants électroniques, comportant des boîtiers enfermant chacun des composants et une carte de circuit imprimé sur laquelle sont montés les boîtiers, le dispositif étant caractérisé par le fait qu'il comporte en outre :
- une première couche d'un matériau organique, recouvrant sensiblement l'ensemble de la carte et des boîtiers ;
- une deuxièmes couche hermétique d'un matériau minéral, recouvrant la première couche.
11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé
par le fait que la première couche d'enrobage est constituée de PARYLENE ou de vernis.
12. Dispositif selon l'une des revendications 10 ou 11, caractérisé par le fait que la deuxième couche d'enrobage comporte un oxyde d'aluminium, de silicium, de zirconium, de titane ou d'étain.
13. Dispositif selon l'une des revendications 10 ou 11, caractérisé par le fait que la deuxième couche d'enrobage comporte du nitrure de silicium.
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