CN100403450C - 具有自组装聚合物薄膜的内存装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

具有多位内存单元的内存装置及制造方法使用自组装以在触片上提供聚合物内存单元到晶体管数组。使用自组装使聚合物内存单元位于晶体管数组的触片的精确位置。聚合物内存单元根据特定域值上的电流改变电阻值。内存单元随时间保持电阻系数值。

Description

具有自组装聚合物薄膜的内存装置及其制造方法
技术领域
本发明是关于电子内存装置，尤其关于一种具有聚合物制成的内存装置。
背景技术
目前，计算机系统一般都是基于对二元资料的操作。其中逻辑值1是通过高电压电平(近似Vcc，一般约为3.3或5伏特)来表示，逻辑值0是通过低电压电平(近似Vss一般约为0伏特或接地)来表示。传统的随机存储内存单元，例如动态随机存储内存(DRAM)，是将一电容单元充电至一高电压电平以存储逻辑1，且对该电容放电至一低电压电平来存储逻辑0。而在动态随机存储内存进行读取时，是通过将电容单元上所检测到的电压和高电压电平Vcc与低电压电平Vss之间的一参考电压进行比较，且根据所比较的结果而锁存高电压Vcc或低电压Vss的电平。同样，将多个输入输出数据线设置在近似高电压电平Vcc或低电压电平Vss时，动态随机存储单元中读出的资料即可输出至动态随机存储内存之外部及其外围设备。
对内存存储容量需求的不断增长，即会要求每个动态随机存储内存芯片可以存储更多的位数(Bit)。动态随机存储内存芯片的位数，可以通过增加动态随机存储单元的集成度(即单位芯片面积上所占有的动态随机存储单元数)，或动态随机存储单元的容量(即每一动态随机存储单元所能存储的位数)来得到提高。要提升动态随机存储单元的集成度，是需要研发更高端的电路设计及制造工艺，以将更小的动态随机存储单元集成为更高密度的矩阵。这将会耗时之外，还需要花费昂贵的光刻(photolithographic)工艺和光刻设备。此外，随着动态随机存储单元不断的变小，且其矩阵密度也不断增加，则会对其物理组件，如每个电容所能存储的电荷数，产生更多的限制。
对于易失性存储内存(Volatile Memory)如动态随机存储内存与非易失性存储内存(Non-volatile Memory)如闪存(Flash Memory)而言，其都可通过在每内存单元的储存多个位数(bit)的方式提高内存元件的储存容量。其中一方法为，将多于传统的两个电压电平存储在同一内存单元内，且每一电压电平即表示一个不同的数据值。例如，在一内存单元内，可将所存储的资料看作是四个可得到的电压电平中的一个：用0伏电压电平来表示一个两位的逻辑字“00”，用近似1伏的电压电平来代表一个逻辑字“01”，用近似2伏的电压电平来表示一个逻辑“10”，以及用近似3伏的电压电平来表示一个逻辑“11”。通过这种方式，一个最高位(MSB)与一个最低位(LSB)可以存储在同一个内存单元中。其中电压电平的确切值及其数量可根据需要进行设计。
而存有多个值的内存，会在实际执行中产生一系列的问题。例如Murotani等人(1977 IEEE International Solid State Circuit Conference，Digest of Technical Papers，pp.74-75，1977)已提出一种四级电压的储存装置。其中一最高位(MSB)与一最低位(LSB)可存储在同一个内存单元中，并以作为电容电压的功函数。该最高位(MSB)是通过检测到所存储的电压，并将其与一大致为Vcc一半的参考电压做比较而获得的。在检测出最高位(MSB)后，最低位(LSB)则是将所存储的电压与Vcc一半正负偏移三分之一Vcc后的电压做比较。该三分之一Vcc的偏移正负号取决于最高位(1，0)。
但为了获得较强的感测信号，该存储电容需要有较高的电容值。这也就不可避免会占用芯片的大量的面积，另一方面，为获得比较高的电容值，也必须使用具有较高的介电常数的材料，或者可能需结合上述二者。
因此，有必要提供一种性能良好的芯片，其在有效使用芯片面积下而可储存多个值。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种易于制造且提高芯片存储密度的多位内存单元。
为解决上述技术问题，本发明提供内存单元的制造方法。该方法包括形成一第一电极；通过自组装在该第一电极上形成内存元件，其中该内存元件包括一仅附着于第一电极并在电场的作用下具有多个可选的电阻值的聚合物；以及在该内存元件上形成一第二电极。
本发明还提供一种内存装置。该内存装置包括一可寻址的晶体管数组；一覆盖该晶体管数组的介电层；若干个触片，该触片穿过该介电层连接至该晶体管数组，且至少部分触片暴露于该介电层外；形成于该部分暴露的触片上的内存元件，且该内存元件仅形成在触片上，而非在该介电层上；以及一与每个内存元件接触的公共电极。
本发明还提供一种内存元件的制造方法。该方法包括形成一晶体管数组；在该晶体管数组上形成一介电层；形成导电触片与该晶体管数组相接触并穿过该介电层；在该触片上通过自组装形成具有多个可选的电阻值的内存元件；以及在该内存元件上形成与各内存元件相连的一公共电极。
附图说明
图1是本发明的内存芯片的示意图；
图2是图1中内存芯片一部分的剖面图；
图3是图2所示的内存矩阵的侧视图；
图4是在图3所示的导电插塞上形成阻隔层后的结构示意图；
图5是在图4所示的阻隔层上形成粘着层的示意图；
图6是通过自组装方法在图5所示的触片上形成聚合物内存元件的结构示意图；
图7是在图6所示的内存元件上形成公共电极的示意图；
图8是该自组装方法的示意图；和
图9是本发明另一实施例通过自组装方法形成的导电路径示意图。
具体实施方式
本发明提出且解决关于形成内存单元及内存装置之问题，包括提供可增加蕊片存储密度且易于制造的多位内存单元。
本发明的内存装置包括一可寻址的晶体管数组，一覆盖该晶体管数组的介电层和若干个触片。该触片穿过该介电层连接至该晶体管数组。若干个内存元件(memory element)通过自组装形成于触片上。这些内存元件包括一种可根据外加电场而变化其电阻值的材料。根据变化的外加电场，其电阻值可以设定于若干个固定值之一。该若干的电阻值相应于每一内存单元的相应多位值。该内存元件材料可以为共轭聚合物(conjugated polymer)，phtalocyanine和卟啉。通过形成该内存装置的自组装方法可提供有效且精致方法以产生一具有多位内存单元(memory cells)的高紧凑内存元件。
现有的动态随机存储内存芯片中，将表示“0”或“1”的电荷存储在半导体晶元的电容里。该电荷是藉由控制一场效应晶体管的源极与电容一端相连而注入到电容里的，该场效应晶体管的漏极可选择性与一电源Vss相连，而该电容的另一端是与一公用接地端相连。此类组件的结构和操作也为业界所习知。该电容，场效应晶体管及其相互连接都是通过昂贵的光刻方法形成的。
下面将结合附图对本发明作进一步的详细说明。
本发明的内存装置10包括若干个动态随机存储单元12。每个动态随机存储单元12具有一晶体管14和一内存元件16。在本实施例中，如图所示共有16个动态随机存储单元12。可以理解的是，该动态随机存储单元12的数量不应以本实施例为限。该内存装置10还包括一行译码器18与一列译码器20，用于寻址各个存储单元12。
本发明的内存装置10还包括一信号地址操作区22(RGA block)，是在直接内存存取(DMA)操作时接收登入地址信号。它可以确定该登入地址信号的目的地址，并在内存单元12中产生存储资料的动态随机存储地址。
每个内存元件16一端与一公共电极38相联，而另一端与在内存单元12中的一晶体管14相联。
图1所示的为该内存装置的电路示意图。应当说明的是，该电路示意图仅是举例来说明本发明，其它类似电路设计也应在本发明的保护范围之内。在本实施例中，由电容组成的内存元件系以多位电阻内存元件取代。
图2所示为沿图1线III-III所得的部分内存芯片的剖面示意图，且其并未画出内存元件16。
如图所示，一场效应晶体管形成于一p型硅基底22上。且在该基底22上面及其内部形成有晶体管矩阵。应当注意的是，在图2中，该晶体管并没有画出于基底22上，仅画出了触片或导电插塞27。该导电插塞27从介电层33延伸至凹陷部32。一般而言，该导电插塞27可以选用任何适合的导电材料，例如铝或铜。在本实施例中，该导电插塞27为铝制得的。在该导电插塞27的顶部形成一阻隔层30。该阻隔层30包括有一材料可用于防止该导电插塞27与形成于该阻隔层30上的粘着层间的相互作用。
该公共电极38覆盖于该内存单元12上。而在图1中为清楚说明下述之结构，在该内存单元12上未画出该公共电极38。
下面请参照图3，图3为形成有晶体管和晶体管数组的基底22的剖面图。各个晶体管的源极和漏极24，26形成于门电极28的两侧。如图所示之触片25，29，27延伸至晶体管不同组件上。一门介电层，例如氧化硅，系标示为31。该导电插塞27从漏极26延伸至该介电层33的一凹陷部32开口。习用形成该晶体管数组之方法系可应用在此。
如图4所示，该阻隔层30形成于导电插塞27的顶部。该阻隔层30用于防止该导电插塞27与该粘着层或后续沉积于该粘着层上之聚合材料间的相互作用。在本实施例中，该导电插塞27由铝制成。而该阻隔层30可由钨(tungsten)制成，或其它可用于阻隔层30的合适材料也应落落予本发明保护范围内，然而该阻隔层30必须为导体。
该阻隔层30一般是用蒸镀方法形成，且其厚度大约为100而在某些实施例中，可在该阻隔层30上再形成一薄粘着层39，如图5所示。该粘着层39材料的选择应使即将沉积于该粘着层的分子薄膜附着于该粘着层39上但却不附着于介电层33上。例如，假定该导电插塞27是由铝制成，该绝缘层30是由钨制成，该粘着层39选由铜制成则比较适合沉积如聚甲基苯基乙炔(polymethylphenylacetylene)，cupperphtalocyanine，等多种分子薄膜。因此，该粘着层39材料的选择应根据具体需要并由所沈积的分子薄膜材料而定。通过自组装方法可以使该聚合物分子薄膜仅附着于该粘着层39而不会附着于该介电层33。这使得内存元件精确定位在连接晶体管数组的触片上。
本发明是通过自组装的方式在该粘着层39上形成分子薄膜，如此所形成的分子薄膜可根据电场或电流的作用而使其具有阻值可选的属性。当将该分子薄膜设定在具一特定阻值的状态下时，该内存元件便将长时间保持该状态，直至该阻值消失为止。
本发明为使该分子薄膜以自组装的方式形成于该粘着层39上，本实施例中则将内存矩阵或内存装置放置在一体积相对较大的腔室内或带有液态单体的小腔室内。或在该大腔室内，也可放置气态单体。该内存单元或内存装置需要在一定的温度下，例如接近室温，且在腔室内保持一段时间，例如三小时。当然，根据所选用的不同材料，该温度和保持时间要相应的改变调整。
在本发明的实施例中，该聚合物分子薄膜可以使用多种材料形成，该聚合物一般为共轭聚合物(conjugated polymer)。本实施例中，该聚合物分子薄膜的材料为phtalocyanine。而在其它实施例中，该聚合物分子薄膜的材料也可以为聚合卟啉(porphyrin)。这些材料已经被揭露于本申请的发明人之一的一篇文章中(“Structural Instability of One-dimensionalSystems as a Physical Principal Underlying the Functioning of MolecularElectronic Devices”)，关于该聚合物分子薄膜的材料详细细节可以参考这篇文献。
如图8所示，为了将聚合物形成于该粘着层上，本发明采用自组装的方法将内存装置或内存单元置于盛有气态单体的一较大体积的腔室50内。该腔室50内也盛有一部份小体积的液态单体52。在本发明的实施例中，该单体为甲基苯基乙炔(methylphenylacetylene)。通过聚合反应，在气体与固体的接口上会形成一共轭聚合物的薄膜。通过此方法，可以将聚合物薄膜形成在一粗糙表面上，如在本实施例中的晶体管数组的触片上。
本实施例中单体选用甲基苯基乙炔，所以形成的共轭聚合物薄膜为聚甲基苯基乙炔。其厚度大约为1000该薄膜只需将内存装置或内存单元在室温下置于该腔室50内约3小时后即可形成，该薄膜35系如图6所示。
在另一实施例中，该聚合物薄膜35也可以用cupperphtalocyanine制得。选用cupperphtalocyanine时，气态单体可以选用四苯甲腈(tetracyanobenzene)。
应当指出的是，该聚合物薄膜和单体仅仅是举例来说明本发明，本领域的技术人员所熟悉的类似材料应落入本发明的保护范围之内，而不应以本实施例为限。例如该共轭聚合物也可以为聚对二甲苯(polyparaphenylene)，polyphenylvenyene，聚苯胺(polyaniline)，聚噻吩(polythiophene)或聚吡咯(polypyrrole)。
如图7所示，在通过自组装方法形成于触片上形成聚合物后，一公共电极形成于各触片上。该公共电极38可以为任何适合的导电材料，例如铝，钨，金，铜等。该公共电极可以用例如蒸镀方式形成。
当该本发明的内存形成之后，通过外加一定的电场或电流可以获得不同的电阻。例如，通过写入相应的电流，可使内存单元具有不同的阻值，例如将300欧姆的电阻值对应“00”值，400欧姆对应“01”值，650欧姆对应“11”值。不同的电阻值可以通过对内存单元提供不同的写入电流来获得。
该自组装方法除了可以用来制造内存装置，也可以用来形成具可逆程控阻的连接垫或连接路径。如图9所示，一硅基底60可通过刻蚀形成一悬垂部62。该悬垂部62可以通过现有各向异性的化学刻蚀或离子束加工形成。再在该悬垂部62上形成若干个相互分离的聚合物薄膜层64作为导电路径。通过该方法可以避免使用复杂且昂贵的光刻方法。本发明之上述方法通过外加电场或写入电流实现该导电路径的接通和断开，以使该导电路径具有多个可选的电阻值，实现同一芯片上不同组件间的互联。
本发明的内存元件可通过自组装方法快速形成，可以在现有的晶体管数组上形成多位内存单元。这可以有效地增加内存元件的位数(Bit)存储密度。该自组装方法也可以使内存单元之聚合物精确的定位于晶体管数组的触片上。

Claims (35)

1.一种内存装置，其包括：
一可寻址的晶体管数组；
一覆盖该晶体管数组的介电层；
若干个触片，该触片穿过该介电层而与该晶体管数组连接，且至少部分触片暴露于该介电层外；
形成在该部分外露触片上的多个内存元件，且该内存单元仅形成在触片上，而非在该介电层上；以及
一与每一内存元件接触的公共电极。
2.如权利要求1所述的内存装置，其特征在于该触片包括一第一传导性材料，该第一传导性材料与该晶体管数组相接触并穿过该介电层。
3.如权利要求2所述的内存装置，其特征在于该内存元件包括一阻值可变的材料，该材料根据外加电场的变化而相应改变其阻值。
4.如权利要求3所述的内存装置，其特征在于该阻值可变的材料可被设定且维持在至少三个不同的电阻值之其中之一。
5.如权利要求4所述的内存装置，其特征在于该阻值可变的材料具有仅粘附触片而不粘附介电层的属性。
6.如权利要求4所述的内存装置，其特征在于该阻值可变的材料为共轭聚合物。
7.如权利要求6所述的内存装置，其特征在于该共轭聚合物至少为聚对二甲苯，polyphenylvenyene，聚苯胺，聚噻吩或聚吡咯之一。
8.如权利要求4所述的内存装置，其特征在于该阻值可变的材料为polymeric phtalocyanine。
9.如权利要求4所述的内存装置，其特征在于该阻值可变的材料为聚合卟啉。
10.如权利要求3所述的内存装置，其特征在于该触片包括一导电插塞，一置于该导电插塞顶部的阻隔层，以及一位于该阻隔层上的粘着层，其中该导电插塞从晶体管向介电层的顶部延伸。
11.如权利要求10所述的内存装置，其特征在于该导电插塞由铝制成。
12.如权利要求11所述的内存装置，其特征在于该阻隔层由钨制成。
13.如权利要求12所述的内存装置，其特征在于该粘着层由铜或铜合金制成。
14.如权利要求13所述的内存装置，其特征在于该阻值可变的材料为共轭聚合物。
15.如权利要求13所述的内存装置，其特征在于该阻值可变的材料为polymeric phtalocyanine。
16.如权利要求13所述的内存装置，其特征在于该阻值可变的材料为聚合卟啉。
17.如权利要求13所述的内存装置，其特征在于该阻值可变的材料为共轭聚合物，polymeric phtalocyanine，及聚合卟啉中的至少一种。
18.如权利要求17所述的内存装置，其特征在于该公共电极是由铝制成。
19.一种制造内存装置的方法，该方法包括：
形成一晶体管数组；
在该晶体管数组上覆盖一介电层；
形成导电触片，该导电触片穿过该介电层并与该晶体管数组相接触；
在该导电触片上通过自组装形成具有多个阻值可选的内存元件；以及，
在该内存元件上形成与各内存元件相连的一公共电极。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于形成内存元件的步骤包括沉积一第一材料，使该第一材料仅粘附于该导电触片但未粘附于该介电层。
21.如权利要求20所述的方法，其特征在于该第一材料为共轭聚合物。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于该共轭聚合物至少为聚对二甲苯，polyphenylvenyene，聚苯胺，聚噻吩或聚吡咯之一。
23.如权利要求20所述的方法，其特征在于该第一材料为polymericphtalocyanine。
24.如权利要求20所述的方法，其特征在于该第一材料为聚合卟啉。
25.如权利要求19所述的方法，其特征在于形成触片的步骤包括形成一导电插塞，使该插塞的底部与晶体管相连，而在该导电插塞的顶部形成一阻隔层，以及在该阻隔层上形成一粘着层。
26.如权利要求25所述的方法，其特征在于形成内存元件的步骤包括将该内存元件设置在内容有液态单体的腔室内。
27.如权利要求26所述的方法，其特征在于形成内存元件的步骤复包括将该内存元件设置在内容有气态单体的腔室内。
28.如权利要求27所述的方法，其特征在于该液态和气态单体为甲基苯乙炔，该内存元件由甲基苯乙炔的共轭聚合物形成。
29.如权利要求27所述的方法，其特征在于该液态和气态单体为四苯甲腈，该内存元件由cupperphtalocyanine形成。
30.一种制造内存单元的方法包括：
形成一第一电极；
在该第一电极上以自组装的方式形成一内存元件，其中该内存元件包括一仅附着于第一电极并在电场的作用下具有多个阻值可选的聚合物；以及
在该内存元件上形成一第二电极。
31.如权利要求30所述的方法，其特征在于该聚合物为共轭聚合物。
32.如权利要求31所述的方法，其特征在于该聚合物为聚对二甲苯，polyphenylvenyene，聚苯胺，聚噻吩或聚吡咯之一。
33.如权利要求30所述的方法，其特征在于该聚合物为polymericphtalocyanine。
34.如权利要求33所述的方法，其特征在于该polymericphtalocyanine为cupperphtalocyanine。
35.如权利要求30所述的方法，其特征在于该聚合物为聚合卟啉。
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Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6727192B2 (en) 2001-03-01 2004-04-27 Micron Technology, Inc. Methods of metal doping a chalcogenide material
US6818481B2 (en) 2001-03-07 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Method to manufacture a buried electrode PCRAM cell
US6734455B2 (en) 2001-03-15 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Agglomeration elimination for metal sputter deposition of chalcogenides
EP1388179A1 (en) 2001-05-07 2004-02-11 Advanced Micro Devices, Inc. Switching element having memory effect
WO2002091385A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory cell
US6627944B2 (en) 2001-05-07 2003-09-30 Advanced Micro Devices, Inc. Floating gate memory device using composite molecular material
US6781868B2 (en) 2001-05-07 2004-08-24 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory device
JP4886160B2 (ja) * 2001-05-07 2012-02-29 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド セルフアセンブリによるポリマーフィルムを用いた記憶装置およびその製造方法
US6844608B2 (en) 2001-05-07 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Inc. Reversible field-programmable electric interconnects
US7102150B2 (en) 2001-05-11 2006-09-05 Harshfield Steven T PCRAM memory cell and method of making same
US6838720B2 (en) * 2001-08-13 2005-01-04 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active passive layers
US6806526B2 (en) 2001-08-13 2004-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6858481B2 (en) * 2001-08-13 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active and passive layers
US6768157B2 (en) 2001-08-13 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
EP1434232B1 (en) 2001-08-13 2007-09-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory cell
US6737312B2 (en) 2001-08-27 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method of fabricating dual PCRAM cells sharing a common electrode
US6881623B2 (en) 2001-08-29 2005-04-19 Micron Technology, Inc. Method of forming chalcogenide comprising devices, method of forming a programmable memory cell of memory circuitry, and a chalcogenide comprising device
US6955940B2 (en) 2001-08-29 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Method of forming chalcogenide comprising devices
US6646902B2 (en) 2001-08-30 2003-11-11 Micron Technology, Inc. Method of retaining memory state in a programmable conductor RAM
US6709958B2 (en) * 2001-08-30 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Integrated circuit device and fabrication using metal-doped chalcogenide materials
US6815818B2 (en) 2001-11-19 2004-11-09 Micron Technology, Inc. Electrode structure for use in an integrated circuit
US6791859B2 (en) 2001-11-20 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Complementary bit PCRAM sense amplifier and method of operation
US20030143782A1 (en) 2002-01-31 2003-07-31 Gilton Terry L. Methods of forming germanium selenide comprising devices and methods of forming silver selenide comprising structures
US6791885B2 (en) 2002-02-19 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Programmable conductor random access memory and method for sensing same
US6847535B2 (en) 2002-02-20 2005-01-25 Micron Technology, Inc. Removable programmable conductor memory card and associated read/write device and method of operation
US6809362B2 (en) 2002-02-20 2004-10-26 Micron Technology, Inc. Multiple data state memory cell
US7151273B2 (en) 2002-02-20 2006-12-19 Micron Technology, Inc. Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory
US6849868B2 (en) 2002-03-14 2005-02-01 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for resistance variable material cells
US6751114B2 (en) 2002-03-28 2004-06-15 Micron Technology, Inc. Method for programming a memory cell
US6864500B2 (en) * 2002-04-10 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Programmable conductor memory cell structure
US6731528B2 (en) * 2002-05-03 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Dual write cycle programmable conductor memory system and method of operation
US6890790B2 (en) 2002-06-06 2005-05-10 Micron Technology, Inc. Co-sputter deposition of metal-doped chalcogenides
US6825135B2 (en) 2002-06-06 2004-11-30 Micron Technology, Inc. Elimination of dendrite formation during metal/chalcogenide glass deposition
US6864521B2 (en) 2002-08-29 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Method to control silver concentration in a resistance variable memory element
US6831019B1 (en) 2002-08-29 2004-12-14 Micron Technology, Inc. Plasma etching methods and methods of forming memory devices comprising a chalcogenide comprising layer received operably proximate conductive electrodes
US7364644B2 (en) 2002-08-29 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Silver selenide film stoichiometry and morphology control in sputter deposition
US6867996B2 (en) * 2002-08-29 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Single-polarity programmable resistance-variable memory element
US7012276B2 (en) * 2002-09-17 2006-03-14 Advanced Micro Devices, Inc. Organic thin film Zener diodes
US6903394B2 (en) * 2002-11-27 2005-06-07 Micron Technology, Inc. CMOS imager with improved color response
US7220985B2 (en) * 2002-12-09 2007-05-22 Spansion, Llc Self aligned memory element and wordline
US7482621B2 (en) * 2003-02-03 2009-01-27 The Regents Of The University Of California Rewritable nano-surface organic electrical bistable devices
EP1606215B1 (en) * 2003-02-25 2008-12-17 Yeda Research And Development Co., Ltd. Nanoscopic structure and devices using the same
US6813178B2 (en) * 2003-03-12 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Chalcogenide glass constant current device, and its method of fabrication and operation
US7022579B2 (en) 2003-03-14 2006-04-04 Micron Technology, Inc. Method for filling via with metal
US20070042154A1 (en) * 2003-04-08 2007-02-22 Seagate Technology Llc Self-assembled monolayer enhanced DLC coatings
US7050327B2 (en) 2003-04-10 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Differential negative resistance memory
US7049153B2 (en) * 2003-04-23 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Polymer-based ferroelectric memory
US6921912B2 (en) * 2003-06-03 2005-07-26 Micron Technology, Inc. Diode/superionic conductor/polymer memory structure
US6787458B1 (en) * 2003-07-07 2004-09-07 Advanced Micro Devices, Inc. Polymer memory device formed in via opening
US7259039B2 (en) * 2003-07-09 2007-08-21 Spansion Llc Memory device and methods of using and making the device
US7274035B2 (en) * 2003-09-03 2007-09-25 The Regents Of The University Of California Memory devices based on electric field programmable films
US7317521B2 (en) 2003-09-18 2008-01-08 Micron Technology, Inc. Particle detection method
US6852586B1 (en) * 2003-10-01 2005-02-08 Advanced Micro Devices, Inc. Self assembly of conducting polymer for formation of polymer memory cell
WO2005086627A2 (en) * 2003-12-03 2005-09-22 The Regents Of The University Of California Three-terminal electrical bistable devices
US20050162895A1 (en) * 2004-01-28 2005-07-28 Kuhr Werner G. Molecular memory arrays and devices
US6956761B2 (en) * 2004-03-10 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Method to manufacture polymer memory with copper ion switching species
US7583551B2 (en) 2004-03-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Power management control and controlling memory refresh operations
US20050212022A1 (en) * 2004-03-24 2005-09-29 Greer Edward C Memory cell having an electric field programmable storage element, and method of operating same
US7608855B2 (en) * 2004-04-02 2009-10-27 Spansion Llc Polymer dielectrics for memory element array interconnect
EP1748866B1 (en) * 2004-04-29 2011-03-09 Zettacore, Inc. Molecular memory and processing systems and methods therefor
US7750341B2 (en) * 2004-05-17 2010-07-06 The Regents Of The University Of California Bistable nanoparticle-polymer composite for use in memory devices
US7554111B2 (en) * 2004-05-20 2009-06-30 The Regents Of The University Of California Nanoparticle-polymer bistable devices
US7326950B2 (en) 2004-07-19 2008-02-05 Micron Technology, Inc. Memory device with switching glass layer
US7354793B2 (en) 2004-08-12 2008-04-08 Micron Technology, Inc. Method of forming a PCRAM device incorporating a resistance-variable chalocogenide element
US7365411B2 (en) 2004-08-12 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Resistance variable memory with temperature tolerant materials
WO2006043611A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CA2587051A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-11 The Regents Of The University Of California Organic-complex thin film for nonvolatile memory applications
US7876596B2 (en) 2004-11-08 2011-01-25 Waseda University Memory element and method for manufacturing same
US7374174B2 (en) 2004-12-22 2008-05-20 Micron Technology, Inc. Small electrode for resistance variable devices
US20060131555A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Micron Technology, Inc. Resistance variable devices with controllable channels
US7317200B2 (en) 2005-02-23 2008-01-08 Micron Technology, Inc. SnSe-based limited reprogrammable cell
US7427770B2 (en) 2005-04-22 2008-09-23 Micron Technology, Inc. Memory array for increased bit density
US7709289B2 (en) 2005-04-22 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Memory elements having patterned electrodes and method of forming the same
US20070009821A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-11 Charlotte Cutler Devices containing multi-bit data
US7274034B2 (en) 2005-08-01 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Resistance variable memory device with sputtered metal-chalcogenide region and method of fabrication
US7332735B2 (en) 2005-08-02 2008-02-19 Micron Technology, Inc. Phase change memory cell and method of formation
US7579615B2 (en) 2005-08-09 2009-08-25 Micron Technology, Inc. Access transistor for memory device
KR101369864B1 (ko) * 2005-08-12 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그 제조방법
US7251154B2 (en) 2005-08-15 2007-07-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing a cross-point memory array using a variable resistance memory cell and capacitance
KR100630437B1 (ko) * 2005-08-31 2006-10-02 삼성전자주식회사 비휘발성 유기물 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR100691928B1 (ko) * 2005-09-16 2007-03-09 삼성전자주식회사 엠보싱 구조물에 의해 형성된 메모리 활성 영역을 포함하는유기 메모리 소자
KR100814031B1 (ko) * 2006-01-13 2008-03-17 한국과학기술원 폴리머 메모리 소자 및 이의 제조 방법
US20070196673A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Seagate Technology Llc Lubricative and protective thin film
US7605410B2 (en) * 2006-02-23 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN100415508C (zh) * 2006-05-30 2008-09-03 浙江大学 一种高阻隔性自组装多层复合薄膜的制备方法
US7560723B2 (en) 2006-08-29 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Enhanced memory density resistance variable memory cells, arrays, devices and systems including the same, and methods of fabrication
KR100836759B1 (ko) * 2006-10-04 2008-06-10 삼성전자주식회사 유기 메모리 소자 및 그 형성 방법
US8283724B2 (en) 2007-02-26 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8467236B2 (en) 2008-08-01 2013-06-18 Boise State University Continuously variable resistor
US8483643B2 (en) 2009-01-29 2013-07-09 Panasonic Corporation Harmonic rejection mixer
FR2957925B1 (fr) * 2010-03-29 2012-04-13 Centre Nat Rech Scient Polymeres organometalliques monocouches, et procede de synthese

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63293729A (ja) * 1987-05-27 1988-11-30 Ricoh Co Ltd 強誘電性高分子光メモリ−
US4860254A (en) * 1986-01-31 1989-08-22 Bayer Aktiengesellschaft Non-volatile electronic memory
US5734605A (en) * 1996-09-10 1998-03-31 Motorola, Inc. Multi-layer magnetic tunneling junction memory cells
DE19640239A1 (de) * 1996-09-30 1998-04-02 Siemens Ag Speicherzelle mit Polymerkondensator
US6064589A (en) * 1998-02-02 2000-05-16 Walker; Darryl G. Double gate DRAM memory cell

Family Cites Families (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5012598B1 (zh) 1970-04-02 1975-05-13
US3810127A (en) 1970-06-23 1974-05-07 Intel Corp Programmable circuit {13 {11 the method of programming thereof and the devices so programmed
JPS5589980A (en) 1978-11-27 1980-07-08 Nec Corp Semiconductor memory unit
US4267558A (en) 1979-01-05 1981-05-12 Texas Instruments Incorporated Electrically erasable memory with self-limiting erase
US4371883A (en) 1980-03-14 1983-02-01 The Johns Hopkins University Current controlled bistable electrical organic thin film switching device
US4652894A (en) 1980-03-14 1987-03-24 The Johns Hopkins University Electrical organic thin film switching device switching between detectably different oxidation states
JPS5864068A (ja) 1981-10-14 1983-04-16 Agency Of Ind Science & Technol 不揮発性半導体メモリの書き込み方法
US4677742A (en) 1983-01-18 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Electronic matrix arrays and method for making the same
GB2160049B (en) 1984-05-28 1987-06-03 Suwa Seikosha Kk A non-volatile memory circuit
JPH0630394B2 (ja) * 1984-10-31 1994-04-20 株式会社日立製作所 接合素子の製造方法
US5034192A (en) 1984-11-23 1991-07-23 Massachusetts Institute Of Technology Molecule-based microelectronic devices
US4631562A (en) 1985-05-31 1986-12-23 Rca Corporation Zener diode structure
US4727514A (en) 1986-02-11 1988-02-23 Texas Instruments Incorporated Programmable memory with memory cells programmed by addressing
US4834911A (en) 1986-08-25 1989-05-30 Electro-Organic Company Intrinsically conductive and semiconductive polymers, products formed with such polymers and methods of forming same
EP0268370B1 (en) 1986-10-13 1995-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Switching device
AU2485788A (en) * 1987-07-28 1989-03-01 Maxdem, Inc. Electrically settable resistance device
JPH01100788A (ja) 1987-10-13 1989-04-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US4839700A (en) 1987-12-16 1989-06-13 California Institute Of Technology Solid-state non-volatile electronically programmable reversible variable resistance device
US5440518A (en) 1991-06-12 1995-08-08 Hazani; Emanuel Non-volatile memory circuits, architecture and methods
US5136212A (en) 1988-02-18 1992-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device, electron generator employing said electron emitting device, and method for driving said generator
US5208301A (en) * 1988-05-13 1993-05-04 Ohio State University Research Foundation Sulfonated polyaniline compositions, ammonium salts thereof, process for their preparation and uses thereof
US5196912A (en) 1988-10-28 1993-03-23 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element
US5892244A (en) 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
JP2636035B2 (ja) 1989-02-27 1997-07-30 松下電器産業株式会社 強誘電性液晶組成物および強誘電性液晶表示装置
EP0418504B1 (en) 1989-07-25 1995-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic semiconductor memory device having a MISFET structure and its control method
US5206525A (en) 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
US5552627A (en) 1990-04-12 1996-09-03 Actel Corporation Electrically programmable antifuse incorporating dielectric and amorphous silicon interlayers
US5272101A (en) 1990-04-12 1993-12-21 Actel Corporation Electrically programmable antifuse and fabrication processes
US5130380A (en) 1990-05-29 1992-07-14 Carew Evan B Conductive polymers
JPH0770731B2 (ja) 1990-11-22 1995-07-31 松下電器産業株式会社 電気可塑性素子
US5245543A (en) 1990-12-21 1993-09-14 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for integrated circuit design
US5296716A (en) 1991-01-18 1994-03-22 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
FR2672158B1 (fr) 1991-01-24 1993-04-09 Commissariat Energie Atomique Capteur pour la detection d'especes chimiques ou de photons utilisant un transistor a effet de champ.
JP3224829B2 (ja) 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
GB9117680D0 (en) 1991-08-16 1991-10-02 Philips Electronic Associated Electronic matrix array devices
JP3454821B2 (ja) 1991-08-19 2003-10-06 エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド 電気的に消去可能な、直接重ね書き可能なマルチビット単セルメモリ素子およびそれらから作製したアレイ
US5563081A (en) 1992-03-23 1996-10-08 Rohm Co., Inc. Method for making a nonvolatile memory device utilizing a field effect transistor having a ferroelectric gate film
JP2822791B2 (ja) 1992-06-30 1998-11-11 日本電気株式会社 半導体装置
RU2071126C1 (ru) 1992-08-27 1996-12-27 Кригер Юрий Генрихович Запоминающий элемент
US6559469B1 (en) * 1992-10-23 2003-05-06 Symetrix Corporation Ferroelectric and high dielectric constant transistors
US5579199A (en) 1992-11-26 1996-11-26 Sharp Kabushiki Kaisha Non-volatile memory device and a method for producing the same
US5581111A (en) 1993-07-07 1996-12-03 Actel Corporation Dielectric-polysilicon-dielectric antifuse for field programmable logic applications
US5818749A (en) 1993-08-20 1998-10-06 Micron Technology, Inc. Integrated circuit memory device
JPH07106440A (ja) 1993-10-04 1995-04-21 Hitachi Ltd 不揮発性半導体記憶装置及びそれを用いた応用システム
JP3467858B2 (ja) 1993-11-02 2003-11-17 ソニー株式会社 光電変換素子
US5446299A (en) * 1994-04-29 1995-08-29 International Business Machines Corporation Semiconductor random access memory cell on silicon-on-insulator with dual control gates
JP4278721B2 (ja) 1994-09-30 2009-06-17 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 高い逆降伏電圧を有するツェナーダイオード
JPH08222648A (ja) 1995-02-14 1996-08-30 Canon Inc 記憶装置
US5572472A (en) 1995-04-14 1996-11-05 Delco Electronics Corporation Integrated zener-zap nonvolatile memory cell with programming and pretest capability
NO952545D0 (no) 1995-06-23 1995-06-23 Opticon As Fremgangsmåte til skriving av data i et optisk minne
US5691935A (en) 1995-07-13 1997-11-25 Douglass; Barry G. Memory element and method of operation thereof
US5849403A (en) 1995-09-13 1998-12-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic thin film device
DE69515876T2 (de) 1995-11-06 2000-08-17 St Microelectronics Srl Leistungsbauelement in MOS-Technologie mit niedrigem Ausgangswiderstand und geringer Kapazität und dessen Herstellungsverfahren
KR100275853B1 (ko) * 1996-03-08 2001-02-01 가나이 쓰도무 반도체장치 및 그 제조방법
US5761115A (en) 1996-05-30 1998-06-02 Axon Technologies Corporation Programmable metallization cell structure and method of making same
JP3349638B2 (ja) 1996-11-15 2002-11-25 シャープ株式会社 表示装置を駆動する方法および回路
KR100604960B1 (ko) 1997-03-28 2006-07-26 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 불휘발성 반도체 기억장치 및 그 제조방법 및 반도체 장치 및 그 제조방법
NO972803D0 (no) 1997-06-17 1997-06-17 Opticom As Elektrisk adresserbar logisk innretning, fremgangsmåte til elektrisk adressering av samme og anvendelse av innretning og fremgangsmåte
IL121312A (en) 1997-07-14 2001-09-13 Technion Res & Dev Foundation Microelectronic components, their manufacture and electronic networks containing them
JP3569112B2 (ja) * 1997-07-17 2004-09-22 株式会社東芝 半導体集積回路およびその製造方法
NO304956B1 (no) 1997-07-22 1999-03-08 Opticom As Elektrodeanordning uten og med et funksjonselement, samt en elektrodeinnretning dannet av elektrodeanordninger med funksjonselement og anvendelser derav
US6969866B1 (en) * 1997-10-01 2005-11-29 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with improved contacts
SG77608A1 (en) 1997-10-03 2001-01-16 Inst Data Storage Improvements relating to optical memories using electron trapping material
US6346741B1 (en) * 1997-11-20 2002-02-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and structures for chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors and method of fabricating FeRAM capacitors using same
KR100371102B1 (ko) 1997-12-04 2003-02-06 엑손 테크놀로지스 코포레이션 프로그램형 표면하 군집 금속화 구조체 및 그 제조 방법
US6693318B1 (en) * 1997-12-18 2004-02-17 Infineon Technologies North America Reduced diffusion of a mobile specie from a metal oxide ceramic
US6350643B1 (en) * 1997-12-18 2002-02-26 Advanced Technology Materials, Inc. Reduced degradation of metal oxide ceramic due to diffusion of a mobile specie therefrom
NO306529B1 (no) 1998-01-16 1999-11-15 Opticom As Transistor
AU739848B2 (en) 1998-01-28 2001-10-18 Thin Film Electronics Asa A method for generation of electrical conducting or semiconducting structures in three dimensions and methods for erasure of the same structures
JPH11312393A (ja) 1998-02-19 1999-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体メモリ装置の書き込み回路
US6093614A (en) * 1998-03-04 2000-07-25 Siemens Aktiengesellschaft Memory cell structure and fabrication
US6509601B1 (en) * 1998-07-31 2003-01-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device having capacitor protection layer and method for manufacturing the same
US6487106B1 (en) 1999-01-12 2002-11-26 Arizona Board Of Regents Programmable microelectronic devices and method of forming and programming same
US6635914B2 (en) 2000-09-08 2003-10-21 Axon Technologies Corp. Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same
JP4658329B2 (ja) 1999-02-12 2011-03-23 ボード オブ トラスティーズ，オブ ミシガン ステイト ユニバーシティ 帯電粒子を収容するナノカプセル、その用法及び形成法
US6459095B1 (en) 1999-03-29 2002-10-01 Hewlett-Packard Company Chemically synthesized and assembled electronics devices
US6128214A (en) 1999-03-29 2000-10-03 Hewlett-Packard Molecular wire crossbar memory
FR2792761B1 (fr) 1999-04-21 2003-05-23 St Microelectronics Sa Dispositif de programmation d'une memoire non volatile electriquement programmable
US6047953A (en) 1999-04-27 2000-04-11 Jacob, Jr.; Eugene W. Diaphragm compression restrainer
US7042755B1 (en) * 1999-07-01 2006-05-09 The Regents Of The University Of California High density non-volatile memory device
JP4491870B2 (ja) 1999-10-27 2010-06-30 ソニー株式会社 不揮発性メモリの駆動方法
US6384427B1 (en) 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
DE19959904C2 (de) 1999-12-11 2002-03-14 Edward William Schlag Verfahren und Vorrichtung zum Steuern eines elektrischen Stromes durch Biomoleküle
US6272038B1 (en) * 2000-01-14 2001-08-07 North Carolina State University High-density non-volatile memory devices incorporating thiol-derivatized porphyrin trimers
US7194085B2 (en) 2000-03-22 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
NO315728B1 (no) 2000-03-22 2003-10-13 Thin Film Electronics Asa Multidimensjonal adresseringsarkitektur for elektroniske innretninger
US6449184B2 (en) 2000-06-19 2002-09-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory
US6403397B1 (en) 2000-06-28 2002-06-11 Agere Systems Guardian Corp. Process for fabricating organic semiconductor device involving selective patterning
US7025277B2 (en) 2000-09-25 2006-04-11 The Trustees Of Princeton University Smart card composed of organic processing elements
NO20005980L (no) * 2000-11-27 2002-05-28 Thin Film Electronics Ab Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmåte ved dens fremstilling
US6569705B2 (en) * 2000-12-21 2003-05-27 Intel Corporation Metal structure for a phase-change memory device
JP4667594B2 (ja) 2000-12-25 2011-04-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜磁性体記憶装置
JP2002230982A (ja) 2001-02-01 2002-08-16 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置
US6407953B1 (en) * 2001-02-02 2002-06-18 Matrix Semiconductor, Inc. Memory array organization and related test method particularly well suited for integrated circuits having write-once memory arrays
US6919633B2 (en) 2001-03-07 2005-07-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multi-section foldable memory device
EP1388179A1 (en) 2001-05-07 2004-02-11 Advanced Micro Devices, Inc. Switching element having memory effect
JP4886160B2 (ja) 2001-05-07 2012-02-29 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド セルフアセンブリによるポリマーフィルムを用いた記憶装置およびその製造方法
US6627944B2 (en) 2001-05-07 2003-09-30 Advanced Micro Devices, Inc. Floating gate memory device using composite molecular material
US6844608B2 (en) 2001-05-07 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Inc. Reversible field-programmable electric interconnects
WO2002091385A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory cell
US6781868B2 (en) 2001-05-07 2004-08-24 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory device
US6436762B1 (en) * 2001-05-14 2002-08-20 Taiwan Semiconductor Manufactoring Company Method for improving bit line to capacitor electrical failures on DRAM circuits using a wet etch-back to improve the bit-line-to-capacitor overlay margins
US6656763B1 (en) * 2003-03-10 2003-12-02 Advanced Micro Devices, Inc. Spin on polymers for organic memory devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4860254A (en) * 1986-01-31 1989-08-22 Bayer Aktiengesellschaft Non-volatile electronic memory
JPS63293729A (ja) * 1987-05-27 1988-11-30 Ricoh Co Ltd 強誘電性高分子光メモリ−
US5734605A (en) * 1996-09-10 1998-03-31 Motorola, Inc. Multi-layer magnetic tunneling junction memory cells
DE19640239A1 (de) * 1996-09-30 1998-04-02 Siemens Ag Speicherzelle mit Polymerkondensator
US6064589A (en) * 1998-02-02 2000-05-16 Walker; Darryl G. Double gate DRAM memory cell

Also Published As

Publication number Publication date
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