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Patentes

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Número de publicaciónCN100425666 C
Tipo de publicaciónConcesión
Número de solicitudCN 02821254
Número de PCTPCT/US2002/031945
Fecha de publicación15 Oct 2008
Fecha de presentación24 Sep 2002
Fecha de prioridad24 Oct 2001
También publicado comoCN1575325A, DE60232356D1, EP1448736A1, EP1448736B1, US6705926, US7001253, US20030077985, US20040180612, WO2003035782A1
Número de publicación02821254.1, CN 02821254, CN 100425666 C, CN 100425666C, CN-C-100425666, CN02821254, CN02821254.1, CN100425666 C, CN100425666C, PCT/2002/31945, PCT/US/2/031945, PCT/US/2/31945, PCT/US/2002/031945, PCT/US/2002/31945, PCT/US2/031945, PCT/US2/31945, PCT/US2002/031945, PCT/US2002/31945, PCT/US2002031945, PCT/US200231945, PCT/US2031945, PCT/US231945
Inventores史蒂文·K·格鲁宾, 艾萨克·K·彻里安, 赵瑞杰
Solicitante卡伯特微电子公司
Exportar citaBiBTeX, EndNote, RefMan
Enlaces externos:  SIPO, Espacenet
含硼抛光系统及方法
CN 100425666 C
Descripción  disponible en chino
Reclamaciones(22)  disponible en chino
Citas de patentes
Patente citada Fecha de presentación Fecha de publicación Solicitante Título
JP200013675A Título no disponible
US546868213 Dic 199421 Nov 1995Nec CorporationMethod of manufacturing semiconductor device using the abrasive
WO2000028586A210 Nov 199918 May 2000Micron Technology, Inc.Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
Clasificaciones
Clasificación internacionalB24B37/24, C09K3/14, H01L21/321, C09G1/02, H01L21/304
Clasificación cooperativaB24B37/245, H01L21/3212, Y10T156/1051, C09G1/02, B24B37/24, C09K3/1463
Clasificación europeaB24B37/24, B24B37/24F, H01L21/321P2, C09K3/14D2, C09G1/02
Eventos legales
FechaCódigoEventoDescripción
2 Feb 2005C06Publication
6 Abr 2005C10Request of examination as to substance
15 Oct 2008C14Granted