CN100439558C - 铜合金溅射靶、其制造方法以及半导体元件布线 - Google Patents

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Abstract

一种铜合金溅射靶，其特征在于，含有大于等于0.01小于0.5wt%的从Al或Sn选出的至少一种元素，Mn或Si总量为0.25wtppm及以下。提供一种半导体元件的布线材，特别是能形成在铜电镀时面电阻小，不凝聚，稳定均匀的种层，且溅射成膜特性出色的铜合金溅射靶、同靶的制造方法以及用同靶形成的半导体元件布线。

Description

铜合金溅射靶、其制造方法以及半导体元件布线
技术领域
本发明涉及半导体元件的布线材，特别是能形成在铜电镀时不凝聚、稳定均匀的种层，且溅射成膜特性出色的铜合金溅射靶、该靶的制造方法以及由该靶形成的半导体元件布线。
背景技术
以前是使用Al作为半导体元件的布线材料(比电阻3.1μΩ·cm的程度)，不过，随着布线的精细化，电阻更低的铜布线(比电阻1.7μΩ·cm的程度)已经实用化了。
作为现在的铜布线形成工艺，大多是在接触孔或布线槽的凹部形成Ta/TaN等扩散阻挡层之后再电镀铜。为了进行该电镀，作为基础层(种层)，一般是把铜或铜合金溅射成膜。
通常，把纯度4N(去掉气体成分)的程度的电解铜作为粗金属，采用湿式或干式高纯度化工艺来制造5N～6N的纯度的高纯度铜，将其用作溅射靶。在该场合，对于半导体布线宽度到0.18μm为止的铜布线不会有特别的问题。
可是，对于铜布线宽度为0.13μm以下，例如90nm或65nm，纵横尺寸比超过8的超精细布线，种层的厚度变为100nm以下的极薄膜，在用6N纯铜靶形成种层的场合，就会产生凝聚，不能形成良好的种层，因此可以考虑使之含有0.5～4.0wt％的Al或Sn来防止这种情况。
像这样基础层的均匀形成很重要，在基础层凝聚了的场合，由电镀形成铜膜时，就不能形成均匀的膜。例如，在布线中就会形成空隙、希罗克斯电阻合金(ヒロックス)、断线等缺陷。
还有，即使没有残留上述空隙等缺陷，由于该部分形成了不均匀的铜的电沉积组织，因而也会产生电迁移抗性降低的问题。
为了解决该问题，在铜电镀时形成稳定均匀的种层很重要，为形成溅射成膜特性好的种层，需要最适合的溅射靶。使之含有0.5～4.0wt％的上述Al或Sn就能防止凝聚，对于此目的非常有效。
可是，另一方面，也存在溅射膜的面电阻变大的缺点。随用途的不同，面电阻变大有时也会造成问题，在重视其目的即导电性的场合不一定有效。
鉴于这种情况，也尝试在形成了溅射膜之后，进行热处理，形成析出物而减小面电阻。可是，因为Al等固溶限大，所以形成析出物减小面电阻实际上很困难。还有，对膜进行热处理这一点也存在工序复杂化和对设备的热影响的问题。
还有，有人提出，通过热处理使Al在布线膜表面扩散，从而使铜布线的电阻下降，使抗氧化性提高(例如参照日本特开平6-177117号)，不过，对种层实施这样的处理的话，就会在种层表面形成Al氧化膜，作为电镀基础层，导电性就会下降，因而不合适。
此前有人提出，作为铜布线材，在铜里添加若干元素，使电迁移(EM)抗性、抗蚀性、附着强度等提高(例如参照日本特开平5-311424号公报和日本特开平1-248538号公报)。还有人提出纯铜靶或其中添加0.04～0.15wt％的Ti的靶(例如参照日本特开平10-60633号公报)。
并且，在这些提案中提出，为了添加元素的均匀分散而进行快速冷却，或者为了防止铸锭中的添加元素的偏析、铸造时的气孔、铸锭的结晶粒的粗大化而进行连续铸造。
可是，高纯度铜或其中添加微量的金属，虽然具有比电阻低的优点，不过，存在电迁移的问题、工艺上的抗氧化性的问题，未必是良好的材料。
特别是，由于最近纵横尺寸比更高了(纵横尺寸比为4以上)，因而要求具有充分的抗电迁移和抗氧化性。
鉴于以上情况，有人提出，作为布线材，把在铜中添加了Al或Sn(以及Ti、Zr等各种元素)的铜合金用作靶(例如参照特开平10-60633号公报)。可是，它们不能不损坏铜的低电阻特性而提高抗EM性、抗SM性及抗氧化性，不能用于采用上述铜电镀进行的精细铜布线工艺中的种层形成(例如参照特开平6-177117号公报)。
还有人提出，Sn0.5wt％对于降低Cu的粒界扩散和提高EM特性是有效的(例如参照C.H.Hu，K.L.Lee，D.Gupta，and P.Blauner(IBM)著[Electromigration and deffusion in pure Cu and Cu(Sn)alloy，Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.427，1996]Materials research Society)。可是，它不能解决在Ta和TaN等阻挡层上的种层的问题。
根据以上情况，现有技术中半导体元件的布线材不是很完善，特别是不能获得在铜电镀时能形成导电性高、稳定均匀的种层的铜合金。
发明内容
本发明的课题是提供一种半导体元件的布线材，特别是能形成在铜电镀时所需的导电性极为良好，还不凝聚、稳定均匀的种层，且溅射成膜特性出色的铜合金溅射靶、该靶的制造方法以及用该靶形成的半导体元件布线。
为了解决上述课题，本发明者们进行了深刻研究，结果认识到，添加恰当量的金属元素就能获得能防止铜电镀时的空隙、希罗克斯电阻合金、断线等缺陷的产生，比电阻低，且具有抗电迁移和抗氧化性，能形成稳定均匀的种层的铜合金溅射靶、该靶的制造方法以及用该靶形成的半导体元件布线。
本发明根据这种认识而提供：
1.一种铜合金溅射靶，其特征在于，含有大于等于0.01wt％小于0.5wt％的从Al或Sn选出的至少一种元素，且含有总量为0.25wtppm及以下的Mn或Si的任意一方或双方。
2.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，含有从Al或Sn选出的至少一种元素0.05～0.2wt％，且含有总量为0.25wtppm及以下的Mn或Si。
3.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，含有总量为1.0wtppm及以下的从Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In、As选择的1种或2种及以上。
4.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，含有总量为0.5wtppm及以下的从Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In、As选择的1种或2种及以上。
5.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，含有总量为0.3wtppm及以下的从Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In、As选择的1种或2种及以上。
6.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，除气体成分以外的不可避免的杂质为10wtppm及以下。
7.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，除气体成分以外的不可避免的杂质为1wtppm及以下。
8.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，Na、K分别为0.05wtppm及以下，U、Th分别为1wtppb及以下，氧为5wtppm及以下，氮为2wtppm及以下，碳为2wtppm及以下。
9.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，Na、K分别为0.02wtppm及以下，U、Th分别为0.5wtppb及以下，氧为1wtppm及以下，氮为1wtppm及以下，碳为1wtppm及以下。
10.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，平均结晶粒径为100μm及以下，平均粒径的偏差为±20％及以内。
11.一种半导体元件布线，由具有以下特征的铜合金溅射靶的溅射膜构成：含有大于等于0.01wt％小于0.5wt％的从Al或Sn选出的至少一种元素，且含有总量为0.25wtppm及以下的Mn或Si的任意一方或双方。
12.根据权利要求11记载的半导体元件布线，其特征在于，形成为半导体元件布线的种层。
13.根据权利要求12记载的半导体元件布线，其特征在于，在Ta、Ta合金或它们的氮化物的阻挡膜上形成为种层。
14.权利要求1～10中的任意一项记载的铜合金溅射靶的制造方法，其特征在于，制作添加元素的母合金，将其溶解在铜或低浓度母合金的熔融金属中，制成铸锭，把该铸锭加工成靶。
15.根据权利要求14记载的的铜合金溅射靶的制造方法，其特征在于，制作固溶限及以内的母合金。
16.一种半导体元件布线，由具有以下特征的铜合金溅射靶的溅射膜构成：含有大于等于0.01wt％小于0.5wt％的从Al或Sn选出的至少一种元素，且含有总量为0.25wtppm及以下的Mn或Si的任意一方或双方，并且还含有总量为1.0wtppm及以下的从Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In、As选择的1种或2种及以上。
17.根据权利要求16记载的半导体元件布线，其特征在于，形成为半导体元件布线的种层。
18.根据权利要求17记载的半导体元件布线，其特征在于，在Ta、Ta合金或它们的氮化物的阻挡膜上形成为种层。
具有实施方式
本发明的铜合金溅射靶含有0.01～0.5(不到)wt％、优选的是0.05～0.2wt％的从Al或Sn中选取的至少一种元素，Mn或Si总量为0.25wtppm及以下。
这样，特别是在铜电镀时就能有效防止镀敷时的凝聚，提高对阻挡膜的濡湿性。还能保持面电阻较小，能形成抗氧化性富余、稳定均匀的种层。还有，溅射成膜特性也出色，作为半导体元件的布线材很有用。
在以不到0.05wt％来制造合金的场合，组成的偏差变大，防止凝聚的效果就会降低，而如果是0.5wt％以上的话，溅射膜的面电阻就会变大，难以获得符合本发明的目的的靶。还有，在铜合金制造工序的溶解时，随Al、Sn的增加，氧含有量也会增大，这是其问题。
含有Mn和Si能提高抗氧化性。可是，Mn、Si自身没有防止凝聚的效果，而且超过0.25wtppm的话就会使面电阻增大，因而必须为0.25wtppm及以下。特别是，因为Mn、Si作为溶解原料容易从Al、Sn混入，所以Mn和Si的成分管理很重要。
上述本发明的铜合金溅射靶可以含有总量0.5wtppm及以下、优选的是0.3wtppm及以下的从Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In、As中选择的1种或2种及以上。
这些成分元素能提高抗氧化性。可是，和Mn、Si一样，超过0.5wtppm的话就会使面电阻增大，还会使Al、Sn的防止凝聚的作用显著下降，即对阻挡膜的濡湿性显著下降，因而即便在添加的场合也必须为0.5wtppm及以下。特别优选的添加量是总量0.3wtppm及以下。
本发明的铜合金溅射靶要使除气体成分以外的不可避免的杂质为10wtppm及以下，优选的是1wtppm及以下。这些杂质会增大面电阻，使Al、Sn的防止凝聚的作用下降，即对阻挡膜的濡湿性下降，因而必须严格限制。
还有，要使杂质Na、K分别为0.05wtppm及以下，优选的是0.02wtppm及以下，U、Th分别为1wtppb及以下，优选的是0.5wtppb及以下，氧为5wtppm及以下，优选的是1wtppm及以下，氮为2wtppm及以下，优选的是1wtppm及以下，碳为2wtppm及以下，优选的是1wtppm及以下。作为杂质的碱金属元素Na、K和放射性元素U、Th即使是微量也会对半导体特性带来不良影响，因而优选的是取上述范围。
还有，上述本发明的铜合金溅射靶所含的气体成分氧、氮、碳在结晶粒界形成夹杂物，成为粒子产生的原因，特别是造成溅射寿命中的突发性的粒子产生，这是其问题，因而优选的是极力使其降低。
还有，氧使种层上形成氧化铜(Cu2O)的话，电镀时该部分就会溶解，这是其问题。这样，由镀敷液侵蚀种层表面的话，电场就会微小地变动，不能形成均匀的镀敷膜，这是其问题。因此，必须把氧等气体成分限制在上述范围内。
还有，优选的是，上述本发明的铜合金溅射靶要使平均结晶粒径为100μm及以下，平均粒径的偏差为±20％以内。
这样控制靶的组织，就能贯穿溅射寿命而提高膜的均匀性(膜厚均匀性)，就能提高膜组成的均匀性。特别是，晶片尺寸超过300mm的话，膜的均匀性就更重要。
再有，上述本发明的铜合金溅射靶对于半导体元件布线的制造，特别是半导体布线的种层的形成很有用，尤其最适合于Ta、Ta合金或它们的氮化物的阻挡膜上的种层形成。
在本发明的铜合金溅射靶的制造中，特别成问题的是添加元素Sn和Al的添加量极低，因而在铜合金铸锭的制造阶段，组成上就会产生偏差。
特别是由于Sn、Al一类熔点低、比重小的元素添加在铜的熔融金属中时，容易引起蒸散或飞散。还有，由于比重小，因而在铸锭中偏析就会变大等，这是其问题。还有，来自Sn或Al添加元素的杂质的混入也多，难以制造高质量的铜合金靶，这是其问题。
如果鉴于这种情况而提高溶解温度，充分搅拌熔融金属，就能使作为杂质的大量的Si、Mn降低，不过，添加元素自身也会减少，不合适。即便估算减少量而增多添加量，熔融金属温度的管理也很难，而且溶解作业变动原因多，恰当的调整很困难。
因而，本发明要制造熔点高达约800℃的固溶限内的单相的母合金，将其溶解在铜或低浓度母合金的熔融金属中，制成铸锭。因为熔点高，所以还能有效减少氧等杂质。测量该母合金的添加元素浓度，将其溶融添加在纯铜或该低浓度铜母合金中，就能制造稳定的低浓度铜合金铸锭。
具体而言，准备纯度6N及以上的高纯度铜和上述铜母合金，采用水冷铜制坩埚的冷坩埚溶解法在高真空气氛下将其溶解，获得高纯度的合金。铜母合金的添加元素的量必须进行充分的管理。作为溶解方法，此外也可以使用高纯度的石墨坩埚。
在溶解时，为了减少与熔融金属接触所造成的污染，在坩埚底部设置纯度6N的铜板很有效。
把合金化了的熔融金属快速地在高真空气氛下铸入水冷铜铸模中，获得铸锭。通过控制该铸锭的组织，例如结晶粒径就能提高溅射特性。
制造成的铸锭除去表面层，经过热锻造、热轧、冷轧、热处理工序，制成靶材。该靶材再通过机械加工制成规定的形状，与底板接合而获得靶制品。
实施例和比较例
其次，根据实施例来说明本发明。以下表示的实施例是为了使人容易理解，并不是由该例加以限制。即，基于本发明的技术思想的变形和其他实施例，当然包括在本发明中。
(实施例1～10)
调整纯度6N及以上的高纯度铜和铜母合金(Al、Sn、Mn、Si和其他添加元素)，采用水冷铜制坩埚的冷坩埚溶解法在高真空气氛下将其溶解，获得高纯度的合金。表1表示调整好的实施例1～10的合金组成。
为了在本溶解时减少与熔融金属接触所造成的污染，在坩埚底部设置了纯度6N的铜板。把合金化了的熔融金属在高真空气氛下铸入水冷铜铸模中，获得铸锭。
其次，除去制造成的铸锭表面层，制成φ160×60t之后，在400℃下进行热锻造，制成φ200。此后，在400℃下进行热轧，轧至φ270×20t，再通过冷轧而轧至φ360×10t。
其次，在400～600℃下进行1小时热处理后，对整个靶进行速冻，制成靶材。通过机械加工将其加工成直径13英寸、厚7mm的靶，再采用扩散接合使其与Al合金制底板接合，制成溅射靶组装体。
平均粒径的测量按照JIS H0501，采用切断法，在平面方向在同心圆状的17点，在板厚方向在表面、中央、背面3点，共计以17×3＝51点测量了靶。
使用这样获得的靶，在8英寸的TaN/Ta/Si基板上形成了100nm厚的溅射膜。用高分辨率SEM观察了该溅射膜的凝聚程度。还有，在Si基板上进行溅射成膜，直到约500nm厚，测量了膜的均匀性。
关于以上的结果，与靶的成分组成一起，氧含有量、平均结晶粒径、凝聚性、膜厚均匀性(3σ(％))如表1所示。
在本发明中，氧含有量低，而且平均结晶粒度为100μm及以下，平均粒径的偏差为±20％及以内。
并且凝聚得以抑制，完全不凝聚或凝聚性极低。还可以看出，能获得膜厚均匀性出色、能形成稳定均匀的种层的铜合金溅射靶。这样就能用该靶获得出色的半导体元件布线。
(比较例1～8)
在与实施例同样的制造条件、同样的合金成分，但偏离本发明的范围的材料的情况下，不使用母合金，改变了粒径和偏差的情况下，分别制成铜合金靶。
该条件同样如表1所示。使用这样获得的靶，在8英寸的TaN/Ta/Si基板上形成了100nm厚的溅射膜。
用高分辨率SEM观察了该溅射膜的凝聚程度。还有，在Si基板上进行溅射成膜，直到约500nm厚，测量了膜的均匀性。
关于以上的比较例1-8的结果，与靶的成分组成一起，氧含有量、平均结晶粒径、凝聚性、膜厚均匀性(3σ(％))同样如表1所示。
比较例1中，Al为0.008wt％，防止凝聚的效果低，凝聚性变强了。比较例2中，Al超过了0.50wt％，而且Si多了，再结晶温度也高，防止凝聚的效果低。还有，如比较例3所示，Si高(超过0.25ppm)的话，防止凝聚的效果就会下降。
比较例4中，凝聚性低，但氧含有量高，且粒径的偏差大，因而膜厚的均匀性变差了。
比较例5中，Sn含有量不到0.02wt％，因而防止凝聚的效果低，呈现强凝聚性。反过来，比较例6中，Sn含有量超过0.5wt％，同时Mn多了，再结晶温度也高，凝聚性很强。如比较例7所示，Mn的含有量高的话，防止凝聚的效果就会下降。
还有，比较例8中，凝聚性低，但粒径的偏差大，膜厚的均匀性变差了。
(实施例11-1～11-5)
其次，为了调查母合金的制作和对目标组成的偏离，在真空气氛中，采用冷坩埚溶解法制造了母合金。把该母合金(铜)的铝含有量取为作为固溶限内的4.632wt％。该母合金的液相线温度约1060℃。
其次，在真空气氛中，采用冷坩埚溶解法在1400℃的程度溶解6N级的高纯度铜，再按0.106wt％来添加上述母合金，熔融金属温度变为约1150～1400℃之后，进行铸造，制成铸造铸锭。还有，用同样的方法制作铸锭共计5次。
并且采用ICP发光分析法分析了这些铸锭的铝量。其结果如表2所示。
表2
  目标组成   母合金组成(浓度)   对目标组成偏离
  实施例11-1   0.106wt％   4.632wt％   1.33％
  实施例11-2   0.106wt％   4.632wt％   -4.36％
  实施例11-3   0.106wt％   4.632wt％   -3.97％
  实施例11-4   0.106wt％   4.632wt％   -0.26％
  实施例11-5   0.106wt％   4.632wt％   1.98％
  比较例9-1   0.106wt％   -   -9.30％
  比较例9-2   0.106wt％   -   -6.36％
  比较例9-3   0.106wt％   -   2.33％
  比较例9-4   0.106wt％   -   -11.23％
  比较例10-1   0.106wt％   31.33wt％   6.39％
  比较例10-2   0.106wt％   31.33wt％   -4.36％
  比较例10-3   0.106wt％   31.33wt％   -7.39％
  比较例10-4   0.106wt％   31.33wt％   -15.45％
(比较例9-1～9-4)
在真空气氛中，采用冷坩埚溶解法在1400℃的程度溶解6N级的高纯度铜，再按0.106wt％来添加上述母合金，熔融金属温度变为约1150～1400℃之后，进行铸造，制成铸造铸锭。还有，用同样的方法制作铸锭共计4次。
并且采用ICP发光分析法分析了这些铸锭的铝量。其结果同样如表2所示。
(比较例10-1～10-4)
在真空气氛中，采用冷坩埚溶解法制成母合金。把该母合金(铜)的铝含有量取为超过固溶限的31.33wt％。该母合金的液相线温度约800℃。
其次，在真空气氛中，采用冷坩埚溶解法在1400℃的程度溶解6N级的高纯度铜，再按0.106wt％来添加上述母合金，熔融金属温度变为约1150～1400℃之后，进行铸造，制成铸造铸锭。还有，用同样的方法制作铸锭共计4次。
并且采用ICP发光分析法分析了这些铸锭的铝量。其结果同样如表2所示。
从上述表2可知，在实施例11-1～11-5的场合，都对目标组成的偏离(偏差)少，在5％以内。另一方面，在不使用母合金而直接添加了合金元素的比较例9-1～9-4和使用了超过固溶限的母合金的比较例10-1～10-4中，对目标组成的偏离(偏差)大，远远超过了5％。在不使用这样适当的母合金的场合，制造的稳定性极差。
特别是可以看出，作为母合金，需要800℃及以上，优选的是1000℃的程度的熔点(液相线温度)，而且单相合金(铝或锡的固溶限内的组成范围)合适。
发明效果
本发明具有能获得半导体元件的布线材，特别是能形成在铜电镀时面电阻小且不凝聚、稳定均匀的种层，溅射成膜特性出色的铜合金溅射靶、该靶的制造方法以及由该靶形成的半导体元件布线的出色的效果。

Claims (18)

1.一种铜合金溅射靶，其特征在于，含有大于等于0.01wt％小于0.5wt％的从Al或Sn选出的至少一种元素，且含有总量为0.25wtppm及以下的Mn或Si的任意一方或双方。
2.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，含有从Al或Sn选出的至少一种元素0.05～0.2wt％，且含有总量为0.25wtppm及以下的Mn或Si。
3.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，含有总量为1.0wtppm及以下的从Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In、As选择的1种或2种及以上。
4.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，含有总量为0.5wtppm及以下的从Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In、As选择的1种或2种及以上。
5.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，含有总量为0.3wtppm及以下的从Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In、As选择的1种或2种及以上。
6.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，除气体成分以外的不可避免的杂质为10wtppm及以下。
7.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，除气体成分以外的不可避免的杂质为1wtppm及以下。
8.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，Na、K分别为0.05wtppm及以下，U、Th分别为1wtppb及以下，氧为5wtppm及以下，氮为2wtppm及以下，碳为2wtppm及以下。
9.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，Na、K分别为0.02wtppm及以下，U、Th分别为0.5wtppb及以下，氧为1wtppm及以下，氮为1wtppm及以下，碳为1wtppm及以下。
10.根据权利要求1记载的铜合金溅射靶，其特征在于，平均结晶粒径为100μm及以下，平均粒径的偏差为±20％及以内。
11.一种半导体元件布线，由具有以下特征的铜合金溅射靶的溅射膜构成：含有大于等于0.01wt％小于0.5wt％的从Al或Sn选出的至少一种元素，且含有总量为0.25wtppm及以下的Mn或Si的任意一方或双方。
12.根据权利要求11记载的半导体元件布线，其特征在于，形成为半导体元件布线的种层。
13.根据权利要求12记载的半导体元件布线，其特征在于，在Ta、Ta合金或它们的氮化物的阻挡膜上形成为种层。
14.权利要求1～10中的任意一项记载的铜合金溅射靶的制造方法，其特征在于，制作添加元素的母合金，将其溶解在铜或低浓度母合金的熔融金属中，制成铸锭，把该铸锭加工成靶。
15.根据权利要求14记载的的铜合金溅射靶的制造方法，其特征在于，制作固溶限及以内的母合金。
16.一种半导体元件布线，由具有以下特征的铜合金溅射靶的溅射膜构成：含有大于等于0.01wt％小于0.5wt％的从Al或Sn选出的至少一种元素，且含有总量为0.25wtppm及以下的Mn或Si的任意一方或双方，并且还含有总量为1.0wtppm及以下的从Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In、As选择的1种或2种及以上。
17.根据权利要求16记载的半导体元件布线，其特征在于，形成为半导体元件布线的种层。
18.根据权利要求17记载的半导体元件布线，其特征在于，在Ta、Ta合金或它们的氮化物的阻挡膜上形成为种层。
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