CN100520589C - 光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种在湿浸式光刻技术中使用的凸块板，其在周边部分的凸块密度比中间部分的凸块密度高，这样当在周边部分施加高压力差时，凸块的压缩基本上仍与中间部分的相同。

Description

光刻设备和器件制造方法

技术领域

本申请涉及光刻设备和器件制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案施加到基底的靶部分上的机器。例如在集成电路(IC)的制造中可以使用光刻设备。在那种情况中，构图部件，例如掩模，可以被用来形成对应于IC单独层的电路图案，且可以将该图案在具有辐射敏感材料(光刻胶)层的基底(例如硅晶片)的靶部(例如部分由一个或几个管芯组成的)上形成图像。通常，单个基底会含有被依次曝光的邻近靶部的网状物。已知的光刻设备包括所谓的步进器，其通过一次曝光靶部上的整个图案来辐射每个靶部；所谓的扫描器，其通过在指定的方向(扫描方向)经过投影光束扫描图案来辐射每个靶部，同时平行或不平行这个方向来同步地扫描该基底。

已经有建议将光刻投影设备中的基底浸入到具有相对高的折射率的液体中，例如水，以便于填充投影系统的最后元件与基底之间的空间。由于在液体里曝光辐射会具有较短的波长，由此该建议可以实现小特征的成像。(液体的影响也可以被认为是增加系统的NA效果和增加焦点的深度)。还建议了其它的浸液，包含带有固体颗粒(例如石英)悬浮其中的水。

然而，将基底或基底和基底台浸在液体浴中(参见例如US4,509,852，在此结合整个内容作为参考)意味着在扫描曝光期间必须增加有大量的液体。在液体里需要额外的或更大功率的马达和湍流，可能会导致不希望的和不可预测的影响。

建议的解决办法之一是对于液体供应系统仅在基底的局部上在投影系统的最后元件和使用液体限制系统的基底之间提供液体(该基底通常比投影系统的最后元件具有大的表面积)。一种该种设置方法的建议已经在WO99/49504中公开，在此结合其全文作为参考。如附图5和6所示，通过在基底上的至少一个入口IN供应液体，优选沿着相对于最后元件基底的移动方向，并在已通过投影系统后由至少一个出口OUT排除。也就是说，当在元件下沿-X方向扫描基底时，在元件的+X面供应液体并在-X面接收液体。图5示意性的示出通过入口IN供应液体和通过在元件的另一面由连接低压源的出口OUT接收的配置。在图5的说明中沿着相对于最后元件的基底的移动方向供应液体，尽管这种说明并不需要。可以绕着最后元件进行入口和出口的不同方向和数量的定位，图6中所示的一个实例，其中带有出口的四套入口绕着最后元件以规则图案提供每一侧上。

另一个已经提出的解决办法是提供带有密封件的液体供应系统，其密封件沿着在投影系统的最后元件和基底台之间的空间边缘的至少一部分延伸。XY平面中的密封件相对于投影系统基本上是静止的，尽管可能有一些在Z方向上(以光学轴的方向)的相对移动。在密封件和基底表面之间形成密封。优选的密封是无接触密封例如气密封。如参见欧洲专利申请03252955.4公开的系统，在此结合其整个内容作为参考。附图7示出了进一步的解决办法。

欧洲专利申请03257072.3公开了两或双工作台湿浸式光刻设备的构思。所述设备具有用于支撑基底的两个工作台。在第一位置的工作台实施水准测量，不用浸液，在第二位置的工作台实施曝光，其此存在浸液。可选择的，该设备也可以仅有一个工作台。

在传统的光刻设备中，由于在基底上和在基底下部分抽空的空间中气体环境的压力差通常使得该基底被夹到小凸起或凸块板。带有凸起的板在对应于基底周长的真空壁内的空间上分布有一组凸起(凸起或者凸块)。基底被搁在凸块上和任意的真空壁上，其可能制造的比凸起还低以便于控制基底下面空间中的气体泄漏，如美国专利6,232,615所述的，在此引入作为参考。凸块板的主要优点是凸块顶部的整个面积相对于基底的面积非常小，这样使得基底背面的污染颗粒进入到基底和凸块之间的机会相对小并且由此使基底变形的机会也相对小了。因此，当夹紧力是静电力而不是压力差时也可能使用凸块。

在使用高折射率液体，例如水的光刻设备中，代替空气或除了空气之外，在投影透镜的最后元件和基底和凸块板之间的区域里，需要能产生不同压力的真空系统来处理浸液的泄漏，该液体绕着基底的边缘。解决该问题的一个办法是绕着基底的周边提供额外的真空泵来处理泄漏的液体。结果使得基底两侧的压力差增大反过来导致基底的变形。

发明内容

由此，需要提供一种光刻设备，其中可以将高折射率液体提供在最后元件和基底之间的空间中，并且可以减小该基底的变形。

根据本发明的一个方面，提供一种光刻设备包括：

—用于提供辐射投影光束的照射系统；

—用于支撑构图部件的支撑结构，该构图部件用于给投影光束在其横断面赋予图案；

—用于固定基底的基底台，所述基底台包括凸块板和在固定在所述凸块板上的基底两侧建立压力差的真空系统，所述压力差在所述基底的周边部分比其中间部分大；

—用于将图案化光束投影到基底的靶部上的投影系统；和

—用于将高折射率液体提供到所述投影系统的最后元件和固定于基底台内的基底之间空间的液体供应系统；

—其中所述凸块板上的凸块密度在所述的周边部分比在所述的中间部分高。

本发明人确定基底的变形是由于增加负载时具有更高压力差的区域的凸块压缩更大导致的。在不同的负载下，基底本身和基底台也可以有不同的压缩量。通过增加更高的压力差区域的凸块密度，在那个区域的每个凸块上单位面积的负载减少，因此其压缩量减小。由此，使凸块压缩更均匀并减少基底的变形。优选，周边部分的凸块密度与中间部分的凸块密度的比率基本上等于使用的这些设备的那些部分中的压力差的比率。

在特殊优选的实施例里，周边和中间部分的凸块基本上全是相同额定尺寸，但是它们在周边部分的间隔减小以至于单位面积的数量增加。以这种方式，利用已知的生产技术能获得更精确均衡的凸块压缩。可选择的，可以在周边部分增加凸块的横截面。只要在可允许范围内有足够数量的凸块保证凸块之间的基底的弯曲，甚至可能同时改变这些凸块的尺寸和间隙。在一些情况中，也可以增加外部区域的凸块高度以便于将它们压缩到与例如中间凸块的相同高度。

优选的，周边部分基本是从基底外周边的向内部延伸的环形区域。在本发明的具体实施例里，环形区域的宽度范围为凸块板半径的5％—20％。

在优选实施例里，将一个或多个气体入口设置在节板中间部分下面的空间中，以便于在基底的下面从中间到外部有恒定的气体流。所述的气流帮助阻止水进入到基底下面的空间。

同样优选的，凸块板具有分离周边部分和中间部分的直立壁。该直立壁帮助在中间和周边部分保持不同的压力差，但是可以不与凸块的高度相同，以便于一些气体从中间部分泄漏到周边部分。

根据本发明的另一方面，提供一种器件制造方法，包括以下步骤：

—提供基底；

—利用照射系统提供辐射投影光束；

—应用构图部件来给投影光束在其横截面赋予图案；

—提供高折射率液体到所述投影系统的最后元件和所述基底之间的空间中；和

—将图案化的辐射光束投影到基底的靶部上；

—其中，所述基底通过它两侧的压力差被固定在凸块板上，所述压力差在所述基底的周边部分比它的中间部分大，并且所述凸块板上凸块的密度在周边部分比在所述中间部分高。

本发明的又一个方面提供一种在光刻投影设备中使用的凸块板，其中将高折射率液体提供到在投影系统的最后元件和固定在该基底台上的基底之间的空间中，其中凸块板的周边部分的凸块密度比其中间部分的凸块密度高。

可以将本发明应用到任何的湿浸式光刻设备中，特别是，但并不限制为，上面提及的那些类型。

尽管可以具体参考本说明书中关于制造IC中光刻设备的使用，但应该理解这里所描述的光刻设备还可以有其它应用，例如，用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器、液晶显示板(LCD)、薄膜磁头等的引导和检测图案等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别可以由更普通的术语“基底”和“靶部”代替。在曝光前或后可以加工在此提及的基底，例如使用轨迹器(一种工具，典型地将抗蚀层施加在基底上并显影该曝光抗蚀层)或计量学或检查工具。在使用中，本说明书可以使用这种或者其它的基底加工工具。另外，可以不止一次地加工基底，例如为了形成多层IC，以至于在此使用的术语基底也可以指已经包含多个已加工层的基底。

在此应用的术语“辐射”和“光束”包含电磁辐射的全部类型，包含紫外(UV)辐射(例如具有365,248,193,157或126nm的波长)。

在此应用的术语“构图部件”应该广泛地解释为涉及用来传递例如在横截面上带有图案的投影光束，例如在基底的靶部形成图案的装置。应该注意到由投影光束所传递的图案并不完全对应于基底靶部的所需图案。通常，传递到投影光束的图案会对应于在装置中的于靶部所形成的特殊功能层，如集成电路。

构图部件可以是透射的或反射的。构图部件的实例包括掩模，编程反射镜阵列，和可编程LCD面板。掩模在光刻领域是公知的，且包含的掩模类型如二进制，相—移转换，和相移衰减，以及各种混合的掩模类型。编程反射镜阵列的实例使用小反射镜的矩阵设置，每个反射镜能单独地倾斜以便在不同方向反射入射的辐射光束；以这种方式，将反射光图案化。在构图部件的每个实例中，支持结构可以是框架或台，例如，可以将构图部件如所需的固定或移动并且保证该构图部件在所需的位置，例如相对于投影系统。可以将任何在此使用的术语“中间掩模版”或“掩模”认为与最通常的术语“构图部件”是同义的。

应该将在此使用的术语“投影系统”广泛地解释为包含各种类型的投影系统，包含折射光学系统，反射光学系统，和反折射光学系统，作为用于曝光辐射的适当的实例，或为例如用于浸液或真空使用的其它因素。可以将在此使用的任何术语“透镜”理解为与更普通的术语“投影系统”是同义的。

照射系统同样包含各种类型的光学部件，包含折射，反射，和用于导向，成型，或控制辐射的投影光束的半反半折射光学部件，和所述也可以称为以下，可选择地或单一的，如“透镜”的元件。

光刻设备可以是具有两(双个工作台)或多个基底台(和/或两个或多个掩模台)的类型。在如“多工作台”机器里，可以平行地使用额外的工作台，或在一个或多个台上实施准备步骤同时曝光一个或多个其它的工作台。

附图说明

现在仅用实例的方式描述发明的实施例，参见所附的示意图，其中相应的参考标记表示对应的部分，且其中：

—图1描述了一种根据本发明实施例的光刻设备；

—图2描述了图1的设备的液体储存器；

—图3是图1的设备的液体储存器的部分放大图；

—图4描述图1设备的部分基底台，示出凸块板在的基底台的安装；

—图5到7描述可选择的先有技术液体供应系统。

具体事实方式

图1示意的描述根据本发明的具体实施例的光刻设备。该设备包括：

—用于提供辐射(例如UV辐射或DUV辐射)的投影光束PB的照射系统(照射装置)IL。

—用于支撑构图部件(例如掩膜)MA的第一支撑结构(例如掩膜台)MT，其连接到用于相对于物件PL准确定位构图部件的第一定位装置PM；

—用于固定基底(例如带有抗蚀剂涂层的晶片)W的基底台(例如晶片台)WT，其连接到用于相对于PL零件准确定位基底的第二定位装置PW；和

—投影系统(例如折射投影透镜)PL，用于将由构图部件MA所传递到投影光束PB的构图成像在基底W的靶部C上(如包括一个或者多个管芯)。

这里所描述的，该设备是透射类型(例如应用透射掩模)。可选择的，该设备可以是反射类型(例如应用如上所述的可编程反射镜阵列类型)。

照射装置IL收到来自于辐射源SO的辐射光束。该辐射源和该光刻设备可以是独立的单元，例如辐射源是受激准分子激光器。在这种情况中，不能将辐射源认为是形成光刻设备的一部分并且借助于包括如合适的定向反射镜和/或光束扩展器的光束输送系统BD的帮助，辐射光束可以从辐射源SO传输到照射装置IL。在其它的情况中，辐射源可以是该设备整体的一部分，如该辐射源是汞灯。该辐射源SO和照射装置IL，如需要，与光束输送系统BD一起，可以称为辐射系统。

照射装置IL可以包括用于调整光束角强度分布的调整装置AM。通常，可以调整照射装置射光孔平面的强度分布的至少外和/或内径向范围(通常分别称作σ—外和σ—内)。此外，该照射装置IL通常包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。该照射装置提供调制后的辐射光束，称为投影光束PB，在其横截面具有理想的均匀性和强度分布。

投影光束PB入射到固定到掩模台MT上的掩模MA上。横穿掩模MA后，投影光束PB通过透镜PL，其聚集光束到基底W的靶部C上。借助第二定位装置PW和定位传感器IF(如干涉测量装置)的帮助，基底台WT能准确地移动，例如以便于在光束PB的路径中定位不同的靶部C。相似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和其它定位传感器(其在图1中没有明确描述)将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。通常，借助长行程模块(粗定位)和短行程模块(精细定位)可以实现目标台MT和WT的移动，其形成了定位装置PM和PW的部分。然而，在步进器(如与扫描仪相对)的情况中，掩模台MT可以仅与短行程致动装置连接，或固定。利用掩模对准标记M1，M2和基底对准标记P1，P2，可以对准掩模MA和基底W。

所描述的装置可以以下面优选的模式来使用：

1、在步进模式中，掩膜台MT和基底台WT基本保持静止，同时整个掩模图像被一次投射(即单静态曝光)到靶部C上。然后基底台WT沿X和/或Y方向移动，以使不同的靶部C能够曝光。在步进模式中，曝光域的最大尺寸限制靶部C在单静态曝光里成像的尺寸。

2、在扫描模式中，在扫描掩模台MT和基底台WT的同时将由投影光束传递的构图投影到靶部C上(即单动态曝光)。基底台WT相对于掩模台MT移动的速度和方向由投影系统PL的(缩小-)放大率和图像翻转特性来决定。在步进模式中，曝光区的最大尺寸限制单动态曝光中靶部(非扫描方向)的宽度，而扫描运动的长度决定该靶部的高度(扫描方向)。。

3、另一种模式，带有固定可编程构图部件的掩模台MT基本上保持静止，且在移动或扫描基底台WT的同时将传递构图的投影光束投影到靶部C上。。在这种模式中，通常在每个基底台WT的移动之后或在扫描过程的逐次脉冲辐射之间应用脉冲辐射源和需要更新的可编程构图部件。这种模式的操作可以容易地应用到利用可编程构图部件的无掩膜光刻中，例如上述提到的可编程反射镜阵列类型。

也可以利用上述模式的结合和/或变化或利用完全不同的模式。

图2示出在投影系统和基底台之间的液体存储器10。将液体存储器10填充相对高折射率如水的液体11，通过入口/出口管道13来提供。液体具有这样的影响，即投影光束的辐射波长在水中比在空气中或真空中的波长短，使得更小的特征能被分辨。尤其是，公知的，通过投影光束的波长和系统的数值孔径可以确定投影系统的分辨极限。液体的存在也可以认为是增加有效数值的孔径。而且，对于固定的数值孔径，液体对增加区域的深度是有效的。

绕着投影系统的成像区域的基板，该存储器10形成无接触密封，以至于液体被限制为填充在基底表面和投影系统的最后元件之间的空间中。通过位于投影系统PL的最后元件的下面和周围的密封件12形成该存储器。将液体引入到投影系统的下部空间和密封件12内。密封件12延伸到投影系统的最后元件上方一些，液体水平面就升高超过最后元件，以至于需要液体缓冲器。密封件12具有内部周边，其上端近似符合投影系统的台阶或其最后元件且可以是圆形。在底部，内部周边近似地符合成像区的形状，如矩形的，尽管这并不必要。

通过密封件12的底部和基底W的表面之间的气体密封16来将液体限制到该存储器中。只要在压力下通过入口15到达密封件12和基底之间的间隙并通过第一出口14排出，就可以形成由气体如大气或合成气体但优选是氮气或其它惰性气体形成的气体密封。设置气体入口15上的过压力，在第一出口14上的真空水平和间隙的几何形状，使得存在限制液体的向内流的高速气流。其将在图3中更详细地描述。

通过两个环形的槽18，19形成气体密封，环形槽通过绕着槽间隔的一系列小的导管分别连接第一入口15和第一出口14。可以在每个出口和入口内在密封件里提供大的环行孔来形成总管。通过用作气体轴承，气体密封也可以有效地支持密封件12。

在气体入口15的外侧上的间隙G1，优选小并且长以便于对向外的气体流提供阻挡，但不是必要的。在入口15的半径处的间隙G2是较大的保证绕着密封件有足够的气体分布，由绕着该密封件的大量的小洞形成入口15。通过选择间隙G3来控制通过密封件的气体流。间隙G4更大以提供好的真空分布，以与入口15相同的方式形成大量小孔的出口14。间隙G5小以便阻挡气体/氧气扩散到空间的液体中，以阻挡大量的液体进入和干扰真空且为了保证毛细管的作用该间隙G5总是充满液体。

因此气体密封是毛细管力拉着液体进入到间隙中和气流将液体带出之间的平衡。当从G5到G4的间隙变大时，毛细管力降低并且气流增加以至于液体界限将处于所述区域中并且稳定，即使基底在投影系统PL下面移动也是如此。

G2处的入口和在G4处的出口之间的压力差以及间隙G3的尺寸和几何形状可以确定通过密封16的气体流，并且根据具体的实施例可以来确定。然而，如果间隙G3的长度是短的，并且G2处的绝对压力是G4处的2倍时，可以获得优势，在该情况下，气体的速度将是气体中声音的速度并且不会再高。由此将获得稳定的气流。

也可以使用排气系统通过减少入口气体压力并允许液体进入间隙G4来除去系统中的液体并由真空系统来吸除，其能容易的设置以处理液体，以及用于形成密封的气体。也可以通过控制气体密封的压力来确保液体流通过间隙G5，这样当基底移动不干扰在投影系统下面的空间中的液体温度时，通过摩擦来加热该间隙中的液体。

应该选择绕着气体入口和出口的密封件形状以便提供便于减少湍流和振动程度的层流。同时，设置气体流，以便于在液体分界面的气体流方向的改变尽可能的大以便提供最大的力来限制该液体。

液体供应系统在该存储器10中循环液体以便于给存储器10提供新鲜的液体。

气体密封16能够产生足够大的力以支撑密封件12。实际上，是有必要朝着基底偏斜密封件12的，以使密封件12支撑的有效重量更高。密封件12在任何情况下都会被固定在XY平面内(垂直于光轴)在相对于和位于投影系统下的基本静止的位置，但是与投影系统分离。密封件12在Z方向能够自由移动。

图4更详细地示出基底夹紧装置。注意到图中仅示出部分基底。基底W位于凸块(或小凸起)板20上，该板又位于晶片台WT的平坦表面上。该凸块板20在其上表面上具有多个凸起21，24，称为凸块或小凸起。凸块可以有范围在25—200μm的高度并且它们的上表面的直径在0.5-0.05mm的范围内。同时可以有多如10,000个凸块，凸块的整个面积对比于基底本身是小的，这样如果污染物如灰尘，颗粒粘附到基底的底部，在凸块和基底之间进入颗粒的机会就小并且因此使基底变形的机会也就小了。在凸块板20的下表面上提供对应设置的凸块22，25，以便于在反射镜阵列MB(基底台WT的上部)和凸块板20之间有灰尘颗粒的情况下也可以获得相同的效果。凸块板的下侧上的凸块与那些在上表面的凸块优选有相同的尺寸和间隔，但是这不是必要的。

在适当的位置紧紧夹住基底，通过连接到基底台WT内的真空通道VP(仅示出一个)的真空系统VS来部分地排空基底下面的空间。凸块板20内的孔26使该凸块板上面和下面的压力相等。提供绕着基底边缘的壁27—它优选比防止基底变形的凸块稍短，因此允许所控制的泄漏进入到基底下面的空间。

在湿浸式设备里，由于需要基底的边缘密封到基底台，一些浸液11必然会进入到基底下面的空间。液体的量将根据所使用的液体供应系统的类型而变化。具有局部的或“喷头”型的系统，只有当基底的边缘在投影透镜下时会泄漏，例如在管芯边缘的曝光过程中，而浴槽型设备泄漏是恒定的。然而，必须除去泄漏液体并且由此真空系统必须能接收一定量的液体。优选减少基底周边附近的压力(增加真空)至低于有效夹紧所需的，以便于保证迅速去除泄漏液体并防止泄露的浸液朝基底台中间移动。

因此，定位真空通道V并安装真空系统VS以便于基底下周边部分PP的压力例如在大气下在0.6-0.3巴范围内，同时中间区域MP的压力更高，例如在大气下0.5-0.25巴范围内，基底上的空间是大气下。为帮助保持压力差，壁23把中间和周边部分分开。如外壁27，壁23优选不能与基底或基底支架接触，但是保持狭窄缝隙。还可以提供恒定的气体流例如以5—10ms^-1速率从中间部分到周边部分，以防止浸液的液滴朝着基底中间移动。气体流可以由气体入口28来提供，其可以简单的连接到设备周围的大气。为了防止过高的气体流速度，优选使用大量的小入口或，如果使用几个更大的入口，在通向大气的路径中提供流量限制器。

然而，如果凸块是均匀分布的，那么周边部分和中间部分的压力差将意味着施加在这些凸块上的力会不同。这样会导致这些凸块被压缩不同的量，以及基底和基底台的局部压缩的变化，导致晶片高度的变化。利用0.5巴等级的夹紧压力和3mm等级的凸块节距，可压缩这些凸块大约80nm，这样这些凸块上负载的20％的变化量将导致很大的高度变化。因此，在本发明中，这些凸块的密度在夹紧压力较高的区域增加，使得这些凸块的压缩更均匀。在该实施例中，凸块24，25在周边部分的间隔比在中间部分的凸块21，22的间隔低，这样每个凸块上的负载恒定。所述间隔可以以半径或周向方向或两者的方向上变化。

周边区域的宽度将根据真空设置，但是可以在凸块板半径的5％—20％的范围内，其通常基本上与基底的半径相等。通常周边部分将以各种方式绕着凸块板延伸，但是如果不希望有泄漏的地方，这里周边部分也可以被省略。

同时虽然已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解实践发明可以除如描述的另外的方式。上述描述并不限制本发明。

Claims (18)

1.一种用在光刻投影设备中的凸块板，其中将高折射率液体供应到投影系统和固定于基底台上的基底之间的空间，其特征在于：所述凸块板在周边部分中的凸块的横截面面积比中间部分中的大。

2.根据权利要求1的凸块板，其中在所述周边部分内的凸块密度与在所述中间部分的凸块密度的比率基本上与设备中使用的周边部分和中间部分上的压力差的比率相等。

3.根据权利要求1或2的凸块板，其中所述的周边部分基本是从基底的外周边向内的延伸的环形区域。

4.根据权利要求3的凸块板，其中所述环形区域的宽度在凸块板的半径的5％～20％的范围内。

5.根据权利要求1或2的凸块板，其中所述凸块板具有直立的壁以便把周边部分和中间部分分开。

6.根据权利要求1或2的凸块板，其中凸块密度在周边部分内基本是恒定的。

7.根据权利要求1或2的凸块板，其中凸块密度在中间部分内基本是恒定的。

8.一种光刻设备包括：

用于支撑构图部件的支撑结构，该构图部件用于给辐射光束在其横断面赋予图案；

用于将已构图光束投影到基底的靶部上的投影系统；

用于固定基底的基底台，所述基底台包括凸块板和真空系统，真空系统用于在固定在所述凸块板上的基底两侧产生压力差，所述压力差在所述基底的周边部分比在其中间部分大；和

用于将高折射率液体供应到所述投影系统与基底和/或所述基底台之间的液体供应系统；

其中所述凸块板在周边部分中的凸块的横截面面积比中间部分中的大。

9.根据权利要求8的光刻设备，其中在所述周边部分内的凸块密度与在所述中间部分的凸块密度的比率基本上与设备中使用的周边部分和中间部分上的压力差的比率相等。

10.根据权利要求8或9的光刻设备，其中所述的周边部分基本是从基底的外周边向内延伸的环形区域。

11.根据权利要求8或9的光刻设备，其中所述凸块板具有直立的壁以便把周边部分和中间部分分开。

12.根据权利要求8或9的光刻设备，其中凸块密度在周边部分内基本是恒定的。

13.根据权利要求8或9的光刻设备，其中凸块密度在中间部分内基本是恒定的。

14.一种器件制造方法，包括：

提供基底；

提供辐射投影光束；

利用构图部件来给投影光束在其横截面赋予图案；

将高折射率的液体提供到投影系统和所述基底之间的空间；和

将已构图的辐射光束投影到基底的靶部上；

其中，所述基底由它两侧的压力差固定在凸块板上，所述压力差在所述基底的周边部分比在其中间部分大，并且所述凸块板在周边部分中的凸块的横截面面积比中间部分中的大。

15.根据权利要求14的方法，其中在所述周边部分内的凸块密度与在所述中间部分的凸块密度的比率基本上与周边部分和中间部分上的压力差的比率相等。

16.根据权利要求14或15的方法，其中所述凸块板具有直立的壁以便把周边部分和中间部分分开。

17.根据权利要求14或15的方法，其中凸块密度在周边部分内基本是恒定的。

18.根据权利要求14或15的方法，其中凸块密度在中间部分内基本是恒定的。

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