CN100521086C - 形成含有金属的材料和电容器电极的方法以及电容器结构 - Google Patents

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Abstract

本发明包括一种用来形成一种用于半导体结构的含有金属的物质的方法。提供一半导体基底，并靠近基底提供金属有机母体。该母体被暴露在还原气体中，使金属从母体中释放出来，之后被释放出来的金属沉积在半导体基底上。本发明还包括电容器结构以及用于形成电容器结构的方法。

Description

形成含有金属的材料和电容器电极的方法以及电容器结构
技术领域
本发明涉及形成含有金属的材料的方法，如电容器电极。本法明还涉及电容器结构。
背景技术
电容器结构被用在众多的半导体结构中，例如存储器阵列。一个典型的存储器阵列是动态随机存取存储器(DRAM)阵列，阵列的单独DRAM单元包括一个电容器器和一个晶体管。
电容器结构包括一个第一导电电容器电极和一个第二导电电容器电极，二者之间用介电材料隔开。在所有成分中适于用作电容器电极的是金属，如铂、铑、铱、钌等。通过将金属有机母体材料暴露在一个氧化的气体中(例如O2、O3和/或N2O)将母体分解并释放出金属而使得金属沉积。释放出来的金属沉积在基底上形成一层金属薄膜，该金属薄膜最后结合到电容器器件上作为电容器电极。
在氧化金属有机母体过程中有一个难题，结合在半导体基底上的材料被暴露在氧化气体中，它们自身在金属有机母体的降解过程中也会被氧化或者以其它方式被降解。因此，希望能有另外一种不同于氧化金属有机母体的在半导体基底上形成金属材料的方法，
发明内容
一方面，本发明包括一种用来形成一种用于半导体结构的含有金属的物质的方法。提供一半导体基底，并靠近基底提供金属有机母体。该母体被暴露在还原气体中使金属从母体中释放出来，之后被释放出来的金属沉积在半导体基底上。
另一方面，本发明包括一个形成用于半导体结构的含有金属的物质的实施例，其中含有金属的母体被暴露在氨气中将金属从母体中释放出来，随后释放出的金属被沉积在半导体基底上。
另一方面，本发明包括一种用于形成电容器电极的方法，其中含有金属的母体被暴露在还原气体中将含有金属的物质沉积出来，最后将其与电容器结构结合，作为电容器电极。
本发明还包括电容器结构。
附图说明
下面将结合附图描述本发明的优选实施例。
附图是一个半导体晶片片段的示意性横截面视图，用以举例说明本发明的一个实施例。
具体实施方式
本发明的一个实施例用图中的半导体晶片片段10来描述。片段10包括一个基底12，基底可包括例如单晶硅。为了阐明下文的权利要求，术语“半导电的基底”和“半导体基底”其含义是指包括半导电的材料的任何结构，包括但不限于块状半导电的材料，例如半导电晶片(包括单独的和与其他材料组合构成的)，和半导电的材料层(单独的和与在包括其他材料的组件中)。名词“基底”是指任何支撑结构，包括但不限于如上所述的半导体基底。
一种介电材料14形成在基底12上，介电材料由例如硼磷硅盐玻璃(BPSG)和/或二氧化硅组成。一个开孔穿过介电材料14延伸到基底12，在基底12内形成一个扩散区16，位于所述开孔的底部。扩散区16既可以作为n型导电掺杂也可作为p型导电掺杂。扩散区16可以被视为是典型的由基底12支持的电节点的实施例。
一系列导电的材料成形于材料14的开孔中，并在扩散区上方延伸。所述导电材料包括材料18，为导电掺杂的硅，例如n型或者p型掺杂的多晶硅。所述导电材料还可以包括一个金属硅化物层20和一个包括金属或者金属氮化物的层22。显然，除如附图标记18、20和22所示之外，其他导电性的材料也可以作为选择之一。例如材料18可以被导电性的金属插入物所代替，例如钛插入物或者钨插入物。在另外的实施例中，金属硅化物层被设置在扩散区16和含硅层18之间，典型的金属硅化物包括硅化钛或者硅化钨。层18、20和22可以用常规的方法形成。
在特殊的实施例中，层22可以包含以下成分：氮化钛、氮化钨、氮化钽、钛元素、钽元素、钨元素，或者由它们组成或者基本由它们中的一种或者更多组成；层20可以包含硅化钛或者硅化钨，或者由它们组成或者基本由它们组成。薄膜20和22的功能是作为扩散和/或氧化阻挡层。
一种含有金属的物质24形成于导电层22上，在所示的实施例中其与层22物理接触。根据本发明所述方法，通过将金属有机母体暴露在还原气体中将金属从母体中释放出来，随后释放出来的金属被沉积，从而形成物质24。在所示的实施例中，物质24被图形化成矩形块。上述结果可以这样得到，例如，通过光刻处理和当释放出的金属沉积后的一个适当的蚀刻。适当的光刻处理和蚀刻条件对于本领域普通技术人员来说是公知的。
物质24可以包含钌、铑、铱、钴、钯、镍或者铂，基本由它们组成或者由它们中的一种或者多种组成。在特殊的实施例中，物质24含有或者基本由钌组成，通过将三碳酰基环己二烯钌母体暴露在由氨(NH3)、二原子氢(H2)、或者等离子体激活氢粒子中的一种或多种组成的还原气体中形成物质24。在某些实施例中还原气体由或者基本由氨(NH3)、二原子氢(H2)、或者等离子体激活氢粒子中的一种或多种组成。在一个典型的实施例中，三碳酰基环己二烯钌母体被暴露在温度为210℃的氨气中，压力为4托，持续120秒，沉积物质24的厚度大约为450
Figure C02816057D0008094251QIETU
。
在现有的方法中，含有金属的物质形成于一层上的方法同前面谈到的形成薄膜22的方法一样，都是将金属有机材料暴露在氧化气体中。然而，在现有技术的过程中存在这样一个问题，氧化气体能氧化层22中的多种成分，从而降低了其传导率。例如，如果层22中含有钛、钽或者钨，将该层暴露在氧化气体中能形成钛、钽或者钨的氧化物。这样的氧化物却是电绝缘的，因此，期望得到的层22的导电特性受到了损害，在某些例子中甚至完全丧失，这使得随后由层22形成元件变得不可能了。相反，在本发明的实施例中利用还原气体就能避免薄膜22中的材料被氧化，因此能够在形成物质24的过程中保持期望的导电特性。利用本发明所述方法中的还原气体还有另外一个好处，就是许多金属有机母体材料含有氧，在化学降解母体材料的过程中能被释放出来。被释放出来的氧能氧化基底材料。但是，利用还原气体能在其与基底材料发生有害反应之前将氧基本清除。例如，在本发明的一个实施例中，NH3能被用来将氧基本清除。
在此之前还原气体没有被应用在半导体结构中形成导电物质的原因是，除非母体被暴露在氧化气体中，否则来自金属有机母体的碳将沉积到由母体形成的导电金属物质上。在本发明的一个方面上，认识到，在特殊的半导体构成应用中相对于与半导体元件有关的材料的氧化而言，碳结合问题并非重要。例如，在如附图所示的实施例中，人们更关心的是保持薄膜22的导电特性，对从物质24上消除碳并不是很关心。因此利用还原气体来形成物质24相对于用氧化气体来说是更好的选择，甚至这样会使得碳在物质24中的结合相对于利用氧化气体时会增加增加。然而，一项对将三碳酰基环己二烯钌母体暴露在氨中形成的物质24的分析表明，非常少的碳结合于其上。因此，在本发明的一个特殊的实施例中，层22的氧化可以被避免，碳结合在物质24上也可以避免。这是本发明的一个优选实施例，但可以理解的是本法明还包括在物质24上出现碳结合情况的实施例。
在特殊的实施例中，物质24包括由一个或者更多母体形成的多种金属组成。多种金属包括以下的一种或更多：钌、铑、铱、钴、钯、镍、铂。在本发明的某些方面，期望得到的是物质24不仅仅由铂组成。然而，在上述这些方面，物质24包括与其它金属相结合的铂。因此，希望得到的是由至少一种母体形成的物质24包括除铂之外的某种金属；但是这样则至少一个母体被用来与其它包括铂的母体结合使用。
形成物质24之后，在物质24上提供一层介电材料26。介电材料26包括二氧化硅和/或氮化硅。另外，或可选的，介电材料26包括所谓的高介电常数材料，例如，五氧化二钽(Ta2O5)。
形成介电材料26之后，在介电材料26上形成一个第二电容器电极28。电容器电极28包括金属和/或导电性掺杂的硅。如果电极28包括金属，利用一个如上文所述的用来形成物质24的还原气体即可形成电极28。可选择的，电极28还可以通过将一金属有机母体暴露在氧化气体中来形成。在本发明的优选实施例中，介电材料26含有高介电常数材料，并且电极28是通过将金属有机母体暴露在氧化气体中得到的。该氧化气体能弥补氧化物缺陷，否则其将继续存在于高介电常数材料中。例如，如果高介电常数材料包括Ta2O5，由于材料中钽的总量超过了氧的总量，所以该区域的材料是富钽材料(也就是说钽的含量比化学数量关系Ta2O5中应存在的高)。上述富钽区域缺少期望的高介电常数材料的电绝缘特性。将富钽区域暴露在氧化气体中能使该区域转化为Ta2O5，并因此提高该区域相关的电绝缘特性。
第二电容器电极28包括钌、铑、铱、钴、钯、镍、或者铂，由它们组成或者基本由它们组成；可以包括与在物质24中采用的金属完全相同的金属，或者与物质24中采用的不同的金属。在一个特殊的优选实施例中，物质24通过将金属有机母体暴露在还原气体中而形成，并将构成第一电容器电极；通过将同样的金属有机母体或者一个不同的金属有机母体暴露在氧化气体中得到物质28，并作为第二电容器电极。
如图所示物质24、26、28共同确定了至少部分电容器结构。这样的电容器结构可以被用在各种半导体元件中，例如DRAM单元。在该电容器结构被应用在DRAM单元的实施例中，通常具有采用扩散区16作为源极区或者漏极区的晶体管门，并通过扩散区16与物质24电连接。在这样的实施例中，物质24作为电容器结构的存储节点。

Claims (34)

1、一种用来形成用于半导体结构的含有金属的物质的方法，包括：
提供一半导体基底；
靠近基底提供一个或者更多个金属有机母体，上述一个或者更多个母体中至少有一个不含铂；
将至少一个所述母体暴露于还原气体以使金属从所述至少一个母体中释放出来；和
将被释放出来的金属沉积在半导体基底上，从而在半导体基底上形成含有金属的物质；其中基底包括一个由氮化钛(TiN)、元素钛、氮化钨(WN)、元素钨、氮化钽和元素钽中一种或者更多组成的上表面；并且，在形成含有金属的物质时上表面被暴露在还原气体中；和
将所述含有金属的物质图形化成矩形的块。
2、如权利要求1所述的方法，其中含有金属的物质与基底的上表面物理上靠接。
3、如权利要求1所述的方法，其中上表面由TiN组成。
4、如权利要求1所述的方法，其中上表面由元素Ti组成。
5、如权利要求1所述的方法，其中上表面由WN组成。
6、如权利要求1所述的方法，其中上表面由元素W组成。
7、如权利要求1所述的方法，其中上表面由TaN组成。
8、如权利要求1所述的方法，其中上表面由元素Ta组成。
9、如权利要求1所述的方法，其中还原气体包括NH3。
10、如权利要求1所述的方法，其中还原气体包括等离子活性氢气。
11、如权利要求1所述的方法，其中还原气体包括H2。
12、一种形成电容器的方法，包括：
提供一半导体基底，该基底包括由它支撑的电节点；
与节点电接触的电互连，该电互连包括导电掺杂的硅；
在电互连上形成一层导电材料，该导电材料包括氮化钛(TiN)、氮化钨(WN)、氮化钽、元素钽、元素钛和元素钨中一种或者更多；
靠近导电材料提供一金属有机母体，该金属母体包括钌、铑、铱、钴、钯、铂和镍中的一种或者更多；
将母体暴露于还原气体，以将金属从母体中释放出来，释放出来的金属基本由钌、铑、铱、钴、钯、铂和镍中的一种或者更多种组成；
将释放出来的金属沉积在导电材料上以形成第一电容器电极；
在第一电容器电极上形成一介电材料；和
在介电材料上形成第二电容器电极；第二电容器电极包括金属；并且形成第二电容器电极包括将含有金属的母体暴露在氧化气体中。
13、如权利要求12所述的方法，其中母体中含有钌，并且释放出来的金属基本由钌组成。
14、如权利要求12所述的方法，其中母体中含有铑，并且释放出来的金属基本由铑组成。
15、如权利要求12所述的方法，其中母体中含有铱，并且释放出来的金属基本由铱组成。
16、如权利要求12所述的方法，其中母体中含有钴，并且释放出来的金属基本由钴组成。
17、如权利要求12所述的方法，其中母体中含有钯，并且释放出来的金属基本由钯组成。
18、如权利要求12所述的方法，其中母体中含有铂，并且释放出来的金属基本由铂组成。
19、如权利要求12所述的方法，其中母体中含有镍，并且释放出来的金属基本由镍组成。
20、如权利要求12所述的方法，其中母体中含有三碳酰基环己二烯钌。
21、如权利要求12所述的方法，其中还原气体包括NH3。
22、如权利要求12所述的方法，其中还原气体包括等离子体活性氢。
23、如权利要求12所述的方法，其中还原气体包括H2。
24、一种形成电容器的方法，包括：
提供一半导体基底，该基底包括由它支撑的电节点；
形成与节点电接触的电互连，电互连包括导电掺杂的硅；
在电互连上形成导电材料，该导电材料包括氮化钛(TiN)、氮化钨(WN)、氮化钽(TaN)、元素钽、元素钛和元素钨中一种或者更多；
提供一与导电材料靠近的金属有机母体；
将母体暴露于还原气体，以将金属从母体中释放出来；
将释放出来的金属沉积在导电材料上以形成第一电容器电极；
在第一电容器电极上形成一介电材料；和
在介电材料上形成一第二电容器电极；第二电容器电极包括金属；其中介电材料中包括一种氧化物；并且形成第二电容器电极包括将含有金属的母体暴露在氧化气体中。
25、如权利要求24所述的方法，其中的介电材料包括Ta2O5；并且形成第二电容器电极包括将含有金属的母体暴露于N2O、O2、和O3中的一种或更多中。
26、如权利要求24所述的方法，其中导电材料由TiN组成，并且被沉积的释放出来的金属与导电材料物理接触。
27、如权利要求24所述的方法，其中导电材料由元素Ti组成，并且被沉积的释放出来的金属与导电材料物理接触。
28、如权利要求24所述的方法，其中导电材料由WN组成，并且被沉积的释放出来的金属与导电材料物理接触。
29、如权利要求24所述的方法，其中导电材料由元素W组成，并且被沉积的释放出来的金属与导电材料物理接触。
30、如权利要求24所述的方法，其中导电材料由TaN组成，并且被沉积的释放出来的金属与导电材料物理接触。
31、如权利要求24所述的方法，其中导电材料由元素Ta组成，并且被沉积的释放出来的金属与导电材料物理接触。
32、如权利要求24所述的方法，其中介电材料包括高介电常数材料。
33、如权利要求24所述的方法，其中介电材料包括Ta2O5。
34、一种形成电容器的方法，包括
提供支持导电材料的半导体基底；
提供与导电材料靠近的金属有机母体；
将母体暴露在还原气体中，用来将金属从母体其中释放；
将释放出来的金属沉积在导电材料上形成第一电容器电极；
在第一电容器电极上形成一介电材料；
在介电材料上形成第二电容器电极；和
其中第二电容器电极含有金属；介电材料含有一氧化物；并且形成第二电容器电极包括将含有金属的母体暴露于氧化气体。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390849B1 (ko) * 2001-06-30 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 하프늄산화막을 구비하는 캐패시터의 제조 방법
KR100408726B1 (ko) * 2001-12-10 2003-12-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 캐패시터 형성방법
JP2005314713A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude ルテニウム膜またはルテニウム酸化物膜の製造方法
KR100587686B1 (ko) * 2004-07-15 2006-06-08 삼성전자주식회사 질화 티타늄막 형성방법 및 이를 이용한 커패시터 제조방법
US7720213B2 (en) 2004-12-30 2010-05-18 Alcatel Lucent Parameter dependent ring tones
US7713876B2 (en) * 2005-09-28 2010-05-11 Tokyo Electron Limited Method for integrating a ruthenium layer with bulk copper in copper metallization
JP5248508B2 (ja) * 2006-09-22 2013-07-31 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ルテニウム含有膜の堆積方法
JP5313171B2 (ja) 2007-02-21 2013-10-09 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ルテニウムベースの膜を基板上に形成するための方法
WO2011106072A2 (en) 2010-02-23 2011-09-01 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Use of ruthenium tetroxide as a precursor and reactant for thin film depositions
WO2016111833A1 (en) 2015-01-09 2016-07-14 Applied Materials, Inc. Direct deposition of nickel silicide nanowire

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5248636A (en) * 1987-07-16 1993-09-28 Texas Instruments Incorporated Processing method using both a remotely generated plasma and an in-situ plasma with UV irradiation
US5130172A (en) * 1988-10-21 1992-07-14 The Regents Of The University Of California Low temperature organometallic deposition of metals
US5314727A (en) * 1992-07-28 1994-05-24 Minnesota Mining & Mfg. Co./Regents Of The University Of Minnesota Chemical vapor deposition of iron, ruthenium, and osmium
US5403620A (en) * 1992-10-13 1995-04-04 Regents Of The University Of California Catalysis in organometallic CVD of thin metal films
KR100320364B1 (ko) * 1993-03-23 2002-04-22 가와사키 마이크로 엘렉트로닉스 가부시키가이샤 금속배선및그의형성방법
US5392189A (en) * 1993-04-02 1995-02-21 Micron Semiconductor, Inc. Capacitor compatible with high dielectric constant materials having two independent insulative layers and the method for forming same
KR100362751B1 (ko) * 1994-01-19 2003-02-11 소니 가부시끼 가이샤 반도체소자의콘택트홀및그형성방법
US5668040A (en) 1995-03-20 1997-09-16 Lg Semicon Co., Ltd. Method for forming a semiconductor device electrode which also serves as a diffusion barrier
US5874364A (en) * 1995-03-27 1999-02-23 Fujitsu Limited Thin film deposition method, capacitor device and method for fabricating the same, and semiconductor device and method for fabricating the same
US5783716A (en) * 1996-06-28 1998-07-21 Advanced Technology Materials, Inc. Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum
US5817175A (en) * 1995-07-25 1998-10-06 Micron Technology, Inc. Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organometallic precursor compounds
US6313035B1 (en) * 1996-05-31 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition using organometallic precursors
US5856236A (en) 1996-06-14 1999-01-05 Micron Technology, Inc. Method of depositing a smooth conformal aluminum film on a refractory metal nitride layer
JPH1079483A (ja) 1996-09-04 1998-03-24 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法
JPH10209392A (ja) * 1997-01-22 1998-08-07 Sony Corp 半導体メモリセル用キャパシタの電極及び半導体メモリセル用キャパシタ、並びに、それらの作製方法
JP3027946B2 (ja) * 1997-01-24 2000-04-04 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6211034B1 (en) * 1997-04-14 2001-04-03 Texas Instruments Incorporated Metal patterning with adhesive hardmask layer
US6074943A (en) * 1997-04-16 2000-06-13 Texas Instruments Incorporated Sidewalls for guiding the via etch
US6182712B1 (en) * 1997-07-21 2001-02-06 Inhale Therapeutic Systems Power filling apparatus and methods for their use
US6143191A (en) * 1997-11-10 2000-11-07 Advanced Technology Materials, Inc. Method for etch fabrication of iridium-based electrode structures
US6162172A (en) * 1998-01-30 2000-12-19 Edwards Lifesciences Corporation Methods and apparatus for retracting tissue
DE19808069A1 (de) * 1998-02-26 1999-09-02 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Fixieren einer Rotorwicklung
US6165834A (en) * 1998-05-07 2000-12-26 Micron Technology, Inc. Method of forming capacitors, method of processing dielectric layers, method of forming a DRAM cell
US6286668B1 (en) * 1998-05-19 2001-09-11 Allen Moses Flat article carrying case and storage system utilizing the same
US6271131B1 (en) * 1998-08-26 2001-08-07 Micron Technology, Inc. Methods for forming rhodium-containing layers such as platinum-rhodium barrier layers
US6074945A (en) * 1998-08-27 2000-06-13 Micron Technology, Inc. Methods for preparing ruthenium metal films
US6541067B1 (en) * 1998-08-27 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Solvated ruthenium precursors for direct liquid injection of ruthenium and ruthenium oxide and method of using same
US6197628B1 (en) * 1998-08-27 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same
US6063705A (en) * 1998-08-27 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Precursor chemistries for chemical vapor deposition of ruthenium and ruthenium oxide
US6284655B1 (en) * 1998-09-03 2001-09-04 Micron Technology, Inc. Method for producing low carbon/oxygen conductive layers
US6323081B1 (en) * 1998-09-03 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Diffusion barrier layers and methods of forming same
US6187673B1 (en) * 1998-09-03 2001-02-13 Micron Technology, Inc. Small grain size, conformal aluminum interconnects and method for their formation
US6821845B1 (en) * 1998-10-14 2004-11-23 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR100272172B1 (ko) * 1998-10-16 2000-11-15 윤종용 반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법
US6358790B1 (en) 1999-01-13 2002-03-19 Agere Systems Guardian Corp. Method of making a capacitor
US6158610A (en) * 1999-02-22 2000-12-12 Kolvek; Scott Fenton Two component fluid draining pan
JP2000314348A (ja) * 1999-05-06 2000-11-14 Nippon Walbro:Kk ロータリ絞り弁式気化器
KR20020035620A (ko) * 1999-09-28 2002-05-11 시메트릭스 코포레이션 배리어층을 갖는 집적회로와 그 제조방법
US6294425B1 (en) * 1999-10-14 2001-09-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming integrated circuit capacitors by electroplating electrodes from seed layers
US6576546B2 (en) * 1999-12-22 2003-06-10 Texas Instruments Incorporated Method of enhancing adhesion of a conductive barrier layer to an underlying conductive plug and contact for ferroelectric applications
US6984591B1 (en) * 2000-04-20 2006-01-10 International Business Machines Corporation Precursor source mixtures
JP2001308288A (ja) * 2000-04-27 2001-11-02 Sharp Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP3826672B2 (ja) * 2000-05-12 2006-09-27 トヨタ自動車株式会社 アクセルの全閉位置の学習制御装置およびその方法
US6429127B1 (en) * 2000-06-08 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Methods for forming rough ruthenium-containing layers and structures/methods using same
US7405158B2 (en) * 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
AU2001295850A1 (en) 2000-09-28 2002-04-08 Nanocyte Inc. Methods, compositions and devices utilizing stinging cells/capsules for delivering a therapeutic or a cosmetic agent into a tissue
KR20020036916A (ko) * 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
US6524867B2 (en) * 2000-12-28 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Method for forming platinum-rhodium stack as an oxygen barrier
US6492261B2 (en) * 2000-12-30 2002-12-10 Intel Corporation Focused ion beam metal deposition
US6464779B1 (en) * 2001-01-19 2002-10-15 Novellus Systems, Inc. Copper atomic layer chemical vapor desposition
JP2002222932A (ja) * 2001-01-24 2002-08-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US6518610B2 (en) * 2001-02-20 2003-02-11 Micron Technology, Inc. Rhodium-rich oxygen barriers
US20030029715A1 (en) * 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US6696368B2 (en) * 2001-07-31 2004-02-24 Micron Technology, Inc. Titanium boronitride layer for high aspect ratio semiconductor devices
US6780753B2 (en) * 2002-05-31 2004-08-24 Applied Materials Inc. Airgap for semiconductor devices
US7476618B2 (en) * 2004-10-26 2009-01-13 Asm Japan K.K. Selective formation of metal layers in an integrated circuit
US7429402B2 (en) * 2004-12-10 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition
US20060128160A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Yoo Woo S Photoresist strip using solvent vapor
US7459392B2 (en) * 2005-03-31 2008-12-02 Intel Corporation Noble metal barrier and seed layer for semiconductors
US20060261441A1 (en) * 2005-05-23 2006-11-23 Micron Technology, Inc. Process for forming a low carbon, low resistance metal film during the manufacture of a semiconductor device and systems including same

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