CN101048880A - 包括腔及热沉的固体金属块半导体发光器件安装基板和封装，以及其封装方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于半导体发光器件的安装基板包括具有第一和第二相对金属面的固体金属块。第一金属面包括腔，其被配置以将至少一个半导体发光器件安装在其中，并且将由安装在其中的至少一个半导体发光器件发射的光反射离开该腔。第二金属面在其中包括热沉片。一个或多个半导体发光器件安装在该腔中。还可以在该封装中提供反射涂层、导电迹线、绝缘层、基座、通孔、透镜、柔性膜、光学元件、磷光体、集成电路和/或光耦合介质。还可以提供相关封装方法。

Description

包括腔及热沉的固体金属块半导体发光器件安装基板和封装，以及其封装方法
技术领域
本发明涉及半导体发光器件及其制造方法，并且更具体地说涉及用于半导体发光器件的封装和封装方法。
背景技术
半导体发光器件，例如发光二极管(LED)或激光二极管，在许多应用中被广泛使用。正如本领域的技术人员所熟知的，半导体发光器件包括一个或多个半导体层，其被配置用于在其通电时发射相干和/或非相干光。还已知，半导体发光器件通常被封装以提供外部的电连接、散热、透镜或波导、环境保护和/或其他功能。
例如，已知为半导体发光器件提供由两部分组成的封装，其中半导体发光器件安装在包含氧化铝、氮化铝和/或其它材料的基板上，其在其上包括电迹线，以为半导体发光器件提供外部连接。可以包含镀银的铜的第二基板例如使用粘结剂安装在第一基板上，围绕半导体发光器件。透镜可以安置在半导体发光器件之上的第二基板上。如上所述的具有由两部分组成的封装的发光二极管在Loh的于2004年3月4日公开的题为Power Surface Mount Light EmittingDie Package的申请序列号US 2004/0041222 A1中被描述，其被赋予本发明的受让人，在此并入其公开的全部内容作为参考。
发明内容
本发明的一些实施例提供用于半导体发光器件的安装基板，其包括具有第一和第二相对金属面的固体金属块。第一金属面在其中包括腔，其被配置以将至少一个半导体发光器件安装在其中并且将由安装在其中的至少一个半导体发光器件发射的光反射离开该腔。第二金属面在其中包括多个热沉片(heat sink fin)。
在一些实施例中，反射涂层设置在该腔中。在其他实施例中，第一和第二导电迹线设置在该腔中，其被配置以连接到安装在该腔中的至少一个半导体发光器件。在另外的实施例中，绝缘层设置在第一金属面上，并且导电层设置在绝缘层上，其被构图以提供在该腔中的反射涂层和在该腔中的第一和第二导电迹线。固体金属块可以是具有氧化铝绝缘层的固体铝块。在其他实施例中，固体金属块是具有陶瓷绝缘层的固体钢块。
在本发明的另外的实施例中，第一金属面在其中包括基座，并且该腔在该基座中。在另外的实施例中，固体金属块在其中包括通孔，其从第一面延伸到第二面。该通孔在其中包括导电通路，其电连接到第一或第二导电迹线。
在本发明的一些实施例中，半导体发光器件安装在该腔中。在其他实施例中，透镜跨越该腔延伸。在另外的实施例中，当该腔在基座中时，所述透镜跨越该基座以及跨越该腔延伸。在另外的实施例中，在其中包括光学元件的柔性膜设置在第一金属面上，其中该光学元件跨越该腔延伸或者跨越基座以及跨越该腔延伸。因此，可以提供半导体发光器件封装。
根据本发明的多个元件还可以提供磷光体。在一些实施例中，包括磷光体的涂层设置在透镜或光学元件的内和/或外表面上。在其他实施例中，该透镜或光学元件包括散布在其中的磷光体。在另外的实施例中，磷光体涂层设置在半导体发光器件本身上。还可以提供这些实施例的组合。
集成电路也可以设置在固体金属块上，其电连接到第一和第二迹线。该集成电路可以是发光器件驱动器集成电路。最后，光耦合介质可以设置在该腔中并且至少部分地围绕该发光器件。
本发明的其他实施例提供用于半导体发光器件阵列的安装基板。在这些实施例中，第一金属面在其中包括多个腔，其相应的一个被配置以将至少一个半导体发光器件安装在其中，并且将由安装在其中的该至少一个半导体发光器件发射的光反射离开该相应腔。第二金属面包括多个热沉片。反射涂层、导电迹线、绝缘层、基座、通孔、透镜、柔性膜、光学元件、磷光体、集成电路和/或光耦合介质也可以根据以上描述的实施例中的任何一个来设置，以提供半导体发光器件封装。另外，所述腔可以在第一面中彼此均匀地和/或不均匀地间隔开。
半导体发光器件可以根据本发明的一些实施例通过下述来封装：制造在其第一面中包括一个或多个腔以及在其第二面中包括多个热沉片的固体金属块，在第一面上形成绝缘层，形成导电层并且将半导体发光器件安装在至少其中一个腔中。基座、通孔、透镜、柔性膜、光学元件、磷光体、集成电路和/或光耦合介质可以根据以上描述的实施例中的任何一个来设置。
附图说明
图1A-1H是根据本发明的多个实施例的用于半导体发光器件的安装基板的侧截面图。
图2是可以执行以制造根据本发明的多个实施例的用于半导体发光器件的安装基板的步骤的流程图。
图3A和3B是根据本发明的多个实施例的半导体发光器件封装的顶透视图和底透视图。
图4是根据本发明的多个实施例的封装的半导体发光器件的分解透视图。
图5是根据本发明的多个实施例的封装的半导体发光器件的组装透视图。
图6A-6H是根据本发明的多个实施例的可以与半导体发光器件一起使用的透射式光学元件的截面图。
图7是根据本发明的其他实施例的半导体发光器件封装的截面图。
图8是根据本发明的实施例的可用于制造光学元件的模塑装置的示意图。
图9和10是可以执行以封装根据本发明的多个实施例的半导体发光器件的步骤的流程图。
图11A和11B，12A和12B，以及13A和13B是根据本发明的多个实施例在中间制造步骤期间半导体发光器件封装的截面图。
图14是根据本发明的多个实施例的半导体发光器件封装及其制造方法的分解截面图。
图15-25是根据本发明的多个实施例的半导体发光器件封装的截面图。
图26是根据本发明的多个实施例的半导体发光器件封装的透视图。
图27是根据本发明的多个实施例的封装的半导体发光器件的侧截面图。
图28是图27的透视图。
图29是根据本发明的其他实施例的封装的半导体发光器件的侧截面图。
图30是可以执行以封装根据本发明的多个实施例的半导体发光器件的步骤的流程图。
具体实施方式
现在将在下文参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明不应当被解释为限制这里所列出的实施例。更确切地说，这些实施例被提供使得本公开将是全面和完整的，并且将本发明的范围完全传达给本领域技术人员。在图中，为了清楚起见夸大了层和区域的厚度。类似的数字始终表示类似的元件。正如在此所使用的，术语“和/或”包括相关列举的项的一个或多个的任何和所有组合并且可以缩写为“/”。
这里使用的术语只是描述具体实施例的目的，并不意味着限制本发明。如这里使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”还意味着包括复数形式，除非上下文另外清楚地说明了。还将理解的是，当用在该说明书中时，术语“包括”和/或“包含”规定存在所述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或者增加一个或者多个其它特征、区域、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合。
将理解的是，当称元件，例如层或区域在另一个元件“上面”或者延伸到其“上面”时，它可以直接在另一个元件上面或者直接延伸到另一个元件上面或者还可以存在插入元件。相比之下，当称元件“直接”在另一个元件“之上”或者“直接”延伸到另一个元件“之上”时，则不存在插入元件。还将理解的是，当称元件“连接”或者“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或者耦接到另一元件或者可以存在插入元件。相比之下，当称元件“直接连接”或者“直接耦接”到另一元件时，则不存在插入元件。
将理解的是，尽管这里可以使用术语第一、第二等等描述多个元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应当受到这些术语的限制。仅仅使用这些术语来区分一个元件、部件、区域、层或者部分和另一个区域、层或者部分。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，可以将下面所述的第一元件、部件、区域、层或者部分称做第二元件、部件、区域、层或者部分。
而且，相对术语，例如这里可以使用“下”、“基底”、或者“水平”、和“上”、“顶部”、或者“垂直”来描述图中所示的一个元件和另一元件的关系。将理解的是，相对术语意味着除了图中所描述的方向之外还包括器件的不同方向。例如，如果图中的器件翻转，那么描述为在其它元件的“下”侧上的元件将定向为其它元件的“上”侧上。因此，根据图的具体方向，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的方向。类似地，如果其中一个图中的器件翻转，描述为在其它元件“下面”或者“下方”的元件将定向为在其它元件的“上面”。因此，示例性术语“下面”或者“下方”可以包括上面和下面的方向。
这里参考截面图描述本发明的实施例，这些截面图是本发明的理想实施例的示意性表示。因而，例如，预期会出现因制造技术和/或容差导致的图示的形状的变化。因此，本发明的实施例不应当解释为局限于这里所示的区域的具体形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏离。例如，被示为或者描述为平坦的区域一般可以具有粗糙的和/或非线性的特征。另外，所示的尖锐的角一般可以是圆形的。因此，图中所示的区域实际上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，也不旨在限制本发明的范围。
除非另外限定，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)与本发明所述领域的普通技术人员通常所理解的具有相同的意义。还将理解的是，例如通常在字典中限定的那些术语应当解释为具有和它们在相关领域的上下文中的意义一致的意义，并且将不以理想化的或者太正式的意义来解释，除非这里明确如此限定。
图1A-1H是根据本发明的多个实施例的用于半导体发光器件的安装基板的侧截面图。参考图1A，根据本发明的多个实施例的用于半导体发光器件的安装基板包括在其第一金属面100a中具有腔110的固体金属块100，其被配置用于在其中安装半导体发光器件，并且将由安装在其中的至少一个半导体发光器件发射的光反射离开该腔110。在一些实施例中，固体金属块100是固体铝块或固体钢块。腔110可以通过机械加工、模压、刻蚀和/或其他常规技术来形成。腔110的尺寸和形状可以被配置以增强或优化从安装在该腔110中的半导体发光器件被反射离开该腔110的光的量和/或方向。例如，可以提供倾斜侧壁110a和或半椭圆形截面轮廓，以便将由安装在其中的至少一个半导体发光器件发射的光反射离开该腔110。还可以在腔侧壁和/或底面(floor)上提供另外的反射层，这将在下面描述。
仍参考图1A，固体金属块100的第二金属面100b在其中包括多个热沉片190。这些热沉片190的数目、间距和/或几何形状可以因期望的热耗散而改变，这是本领域技术人员公知的。而且，这些热沉片不一定是均匀隔开的，不一定是直的，不一定截面是矩形的，并且可以使用本领域技术人员公知的技术被设置成热沉翼柱(heatsink fin post)的一维细长阵列和/或二维阵列。每个片本身可以在其上包括一个或多个突出片。在一些实施例中，金属块100可以是大约6mm×大约9mm并且大约2mm厚的铝或钢的矩形固体金属块，并且腔110可以是大约1.2mm深，具有直径为大约2.5mm的圆形底面，具有任何简单或复杂形状的侧壁110a以获得期望的辐射图案。然而，块100可以具有其他多边形和/或椭圆形形状。而且，在一些实施例中，可以提供12热沉片190的阵列，其中这些热沉片具有2mm的宽度，5mm的间距和9mm的深度。然而，可以提供热沉片190的多种其他结构。例如，可以在aavid.com的网页上发现多种热沉设计轮廓。
图1B示出根据本发明的其他实施例的安装基板。如图1B所示，电绝缘涂层120设置在固体金属块100的表面上。该绝缘涂层120可以如图1B所示设置在固体金属块的整个暴露表面上，包括热沉片190，或不包括热沉片190，或者仅在固体金属块的暴露表面的较小部分上。在一些实施例中，如将在下面描述的，绝缘涂层120包括氧化铝(Al2O3)的薄层，其在固体金属块100是铝的实施例中可以例如通过固体金属块100的阳极氧化来形成。在其他实施例中，绝缘涂层120包括在固体钢块100上的陶瓷涂层。在一些实施例中，该涂层120足够厚以提供电绝缘体，但被保持足够薄以便不过度地增加通过那里的导热路径。
包括氧化铝的薄绝缘涂层120的铝的固体金属块100可以使用由Texas，Corpus Christi的IRC Advanced Film Division of TTElectronics销售的基板来提供，名称为AnothermTM，其例如在题为Thick Film Application Specific Capabilities and InsulatedAluminum Substrates(2002)的小册子中被描述，其都可在irctt.com的网页上得到。另外，具有陶瓷绝缘涂层120的钢固体金属块100可以使用由Kansas，Leavenworth的Heatron Inc.销售的基板来提供，名称为ELPOR，其例如在heatron.com的网页上可得到的题为Metal Core PCBs for LED Light Engines的小册子中被描述。根据这里描述的实施例中的任何一个，腔110和热沉片190可以设置在这些固体金属块中。在本发明的其他实施例中，具有绝缘涂层120的其他固体金属块100可以在其第一金属面100a中设有至少一个腔110，以及在其第二金属面100b中设有多个热沉片190。
现在参考图1C，第一和第二间隔开的导电迹线130a、130b设置在腔110中的绝缘涂层120上。该第一和第二间隔开的导电迹线130a、130b被配置以连接到安装在腔110中的半导体发光器件。如图1C所示，在一些实施例中，该第一和第二间隔开的导电迹线130a和130b可以从腔110延伸到固体金属块100的第一面100a上。当绝缘涂层120仅设置在固体金属块100的一部分上时，其可以设置在该第一和第二间隔开的迹线130a和130b与固体金属块100之间，以由此使该第一和第二金属迹线130a和130b与固体金属块100绝缘。
图1D示出本发明的其他实施例，其中该第一和第二间隔开的导电迹线130a′、130b′从腔110延伸到第一面100a，围绕金属块的至少一侧100c，并延伸到与第一面100a相对的金属块的第二面100b上。由此，可以提供背面接触。
在本发明的一些实施例中，第一和第二间隔开的导电迹线130a、130b和/或130a′、130b′包括金属，并且在一些实施例中，包括诸如银的反射金属。由此，在本发明的一些实施例中，导电层设置在绝缘层120上，其被构图以提供在腔110中的反射涂层以及第一和第二导电迹线130a、130b，其被配置以连接到安装在腔110中的至少一个半导体发光器件。
在其他实施例中，如图1E所示，一个或多个分开的反射层132a、132b可以设置在间隔开的导电迹线130a′、130b′上和/或在腔110中。在这些实施例中，导电迹线130a′、130b′可以包括铜，并且反射层132a、132b可以包括银。相比之下，在图1C和/或1D的实施例中，导电迹线可以包括银以提供集成的反射器。
在另外的实施例中，不必提供单独的反射器层。更确切地说，包括侧壁110a的腔110的表面可以提供足够的反射率。由此，腔110在几何形状上被配置以反射由安装在其中的至少一个半导体发光器件发射的光，例如通过提供倾斜侧壁110a、反射式倾斜侧壁110a和/或在倾斜侧壁110a上和/或在腔110的底面上的反射涂层132a和/或132b，以便该腔的尺寸和/或侧壁几何形状用于将由安装在腔110中的至少一个半导体发光器件发射的光反射离开该腔110。可以通过在腔110中添加反射涂层132a和/或132b来提供或增强反射。
在本发明的另外的实施例中，如图1F所示，可以通过提供第一和/或第二通孔140a和/或140b来提供背面接触，其可以通过机械加工、刻蚀和/或其他常规技术形成在固体金属块100中。另外，如图1F所示，绝缘涂层120延伸到通孔140a和140b中。第一和第二导电通路142a、142b设置在第一和第二通孔140a、140b中，并且借助通孔140a、140b中的绝缘涂层120与固体金属块100绝缘。
在图1F中，通孔140a和140b以及导电通路142a和142b从腔110延伸到第二面100b。通孔140a、140b可以与第一和第二面100a、100b正交和/或相对于第一和第二面100a、100b倾斜。第一和第二间隔开的导电迹线130a′、130b′可以设置在腔110中，并且电连接到相应的第一和第二导电通路142a、142b。在第二面100b上，也可以提供第三和第四间隔开的导电迹线130c、130d，其电连接到相应的第一和第二导电通路142a、142b。在一些实施例中可以提供焊料掩模层以隔离第二面100b上的第三和第四导电迹线130c、130d，以便于电路板组装。焊料掩模层是本领域技术人员公知的，并且不必在这里进一步描述。如图1F所示，热沉片190可以设置在固体金属块100的中央和/或边缘处，即邻近腔110和/或从腔110偏移。
在图1F的实施例中，第一和第二通孔140a、140b以及第一和第二导电通路142a、142b从腔110延伸到第二面100b。在图1G的实施例中，第一和第二通孔140a′、140b′以及第一和第二导电通路142a′、142b′在腔110外面从第一面100a延伸到第二面100b。通孔140a′、140b′可以与第一和第二面100a、100b正交和/或相对于第一和第二面100a、100b倾斜。第一和第二间隔开的导电迹线130a″、130b″从腔110延伸到第一面100a上的相应的第一和第二导电通路142a′、142b′。第三和第四迹线130c′、130d′设置在第二面100b上，其电连接到相应的第一和第二导电通路142a′、142b′。如图1G所示，热沉片190可以设置在固体金属块100的中央和/或边缘处，即邻近腔110和/或从腔110偏移。
图1H示出结合图1D描述的本发明的实施例，并且这些实施例进一步包括安装在腔中且连接到第一和第二间隔开的电迹线130a′、130b′的半导体发光器件150。另外，图1H示出，在其他实施例中，透镜170跨越腔延伸。在另外的实施例中，在半导体发光器件150和透镜170之间提供密封剂160。密封剂160可以包括透明环氧树脂并且能够增强从半导体发光器件150到透镜170的光耦合。这里还可以将密封剂160称为光耦合介质。在一些实施例中，透镜保持器180设置在固体金属块100上，以跨越腔110固定透镜170。在其他实施例中，可以不使用透镜保持器180。
半导体发光器件150可以包括发光二极管、激光二极管和/或其他器件，其可以包括一个或多个半导体层，其可包括硅、碳化硅、氮化镓和/或其他半导体材料、可包括蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓的衬底或其他微电子衬底、和一个或多个可包括金属和/或其他导电层的接触层。半导体发光器件的设计和制造是本领域技术人员公知的。
例如，发光器件150可以是在碳化硅衬底上制造的氮化镓基LED或激光器，例如由North Carolina，Durham的Cree，Inc.制造并出售的那些器件。例如，本发明可以适于与如在美国专利号Nos.6,201,262，6,187,606，6,120,600，5,912,477，5,739,554，5,631,190，5,604,135，5,523,589，5,416,342，5,393,993，5,338,944，5,210,051，5,027,168，5,027,168，4,966,862和/或4,918,497中描述的LED和/或激光器一起使用，在此并入其公开的全部内容作为参考。其他适当的LED和/或激光器在下述中被描述：在2003年1月9日公开的题为Group III Nitride Based LightEmitting Diode Structures With a Quantum Well and Superlattice，Group III Nitride Based Quantum Well Structures and Group IIINitride Based Superlattice Structures的美国专利公开号No.US2003/0006418 A1，以及已公开的题为Light Emitting DiodesIncluding Modifications for Light Extraction andManufacturing Methods Therefor的美国专利公开号No.US2002/0123164 A1。此外，涂有磷光体的LED也可适于用在本发明的实施例中，例如在2004年3月25日公开的题为Phosphor-CoatedLight Emitting Diodes Including Tapered Sidewalls，andFabrication Methods Therefor的美国专利申请号No.US2004/0056260 A1中描述的那些，在此并入其公开的全部内容作为参考。
这些LED和/或激光器可以被配置以工作使得通过衬底进行发光。在这样的实施例中，衬底可以被构图以便增强器件的光输出，其例如在上述美国专利公开号No.US 2002/0123164 A1中被描述。
本领域技术人员应当理解，尽管图1A-1H的实施例被示为单独的实施例，但是图1A-1H的多个元件可以一起使用以提供元件的多种组合和/或子组合。由此，例如，可以在任何一个所示实施例中使用反射层132a、132b，并且可以在任何一个所示实施例中使用半导体发光器件150、透镜170、密封剂160和/或透镜保持器180。因此，本发明不应局限于图1A-1H中所示的单独的实施例。
图2是可以执行以封装根据本发明的多个实施例的半导体发光器件的步骤的流程图。参考图2，如在块210所示，提供在其面中包括腔例如腔110的固体块，例如图1A-1H的铝或钢块100，其被配置以将半导体发光器件安装在其中并且将由安装在其中的至少一个半导体发光器件发射的光反射离开该腔110。块100还在其中包括在其第二面100b上的多个热沉片190。如上所述，该腔可以通过机械加工、模压、刻蚀和/或其他常规技术来提供。热沉片190也可以借助这些和/或其他技术来提供。另外，在其他实施例中，固体金属块也可以包含第一和第二间隔开的通孔，例如通孔140a、140b和/或140a′、140b′，其延伸通过其中，并且其可以通过机械加工、刻蚀和/或其他常规技术来制造。
再次参考图2，在块220处，绝缘涂层形成在固体金属块的表面的至少一些上。在一些实施例中，固体铝块被氧化。在其他实施例中，陶瓷涂层设置在固体钢块上。可以提供其他绝缘涂层和其他固体金属块。在一些实施例中，涂敷固体金属块的整个暴露表面。另外，当提供通孔时，也可以涂敷这些通孔的内表面。在其他实施例中，例如通过在不希望被涂敷的那些部分上提供掩蔽层来仅涂敷部分金属块。铝的氧化是本领域技术人员公知的，并且可以例如使用阳极氧化工艺和/或其他氧化工艺来执行，以在铝上提供Al2O3的薄层。钢上陶瓷涂层也是本领域技术人员公知的，并且不必在此进一步描述。
仍参考图2，在块230处，第一和第二间隔开的导电迹线，例如迹线130a、130b和/或130a′、130b′，根据结构被制作在第一面上的腔中、侧上和/或第二面上，这在上面被描述。另外，在一些实施例中，导电通路，例如通路142a、142b和/或142a′、142b′可以制作在通孔中。导电通路和/或反射器层可以在导电迹线之前、同时和/或之后来制作。涂有绝缘层的固体金属块上的导电迹线的制作是公知的以提供具有铝、钢和/或其他芯(core)的电路板状结构，并且因此不必在此详细描述。
最后，在块240处，执行其他操作以将半导体器件、透镜、柔性膜密封剂和/或保持器安装在基板上，如在此所描述的。还应当注意，在一些替换实施方式中，图2的块中标注的功能/作用可以不以流程图中标注的次序发生。例如，接连示出的两个块实际上可以基本上同时执行，或者这些块有时可以以相反的次序来执行，这取决于所涉及的功能/作用。
图3A和3B分别是根据本发明的实施例的封装的顶透视图和底透视图，其可以对应于图1D的截面图。图3A和3B示出固体金属块100，腔110，片190，缠绕在固体金属块周围的第一和第二间隔开的导电迹线130a′、130b′，和安装在腔110中的半导体发光器件150。绝缘涂层120可以是透明的并且没有被示出。在这些和/或任何其他实施例中，第二绝缘层和/或焊料掩模可以设置在第一和/或第二间隔开的导电迹线上。
图4示出本发明的其他实施例的分解透视图，其可以对应于图1H。如图4所示，固体金属块100包括在其中的腔110，和在其上的多个间隔开的电迹线。在图4中，示出了第一电迹线130a′。然而，可以提供多个第二电迹线330a′、330b′和330c′而不是单独的第二电迹线，以连接到多个半导体发光器件150′，其可以安装在腔110中，以提供例如用于白色光源的红、绿和蓝色半导体发光器件。示出了密封剂160和透镜保持器180。透镜保持器180的其他结构可以提供隆起(ridge)和/或其他用于将透镜170安装在固体金属块100上的常规安装手段。还应当理解，可以在透镜保持器180中使用环氧树脂或其他粘结剂。在本发明的一些实施例中透镜保持器180还可以提供另外的顶部散热性能。图5示出了图4的组装封装。
因此，本发明的一些实施例使用固体金属块作为用于半导体发光器件的安装基板并且包括一个或多个集成腔和多个集成热沉片。铝或钢具有充足的热导率以在提供集成片时用作有效热沉。另外，材料成本和制造成本可以低。而且，生长高质量绝缘氧化物和/或提供陶瓷涂层的能力允许形成所需的电迹线而对热阻没有严重影响，因为阳极氧化或其他涂层的厚度可以被精确控制。该绝缘层还可以被选择性地构图，其可以允许将另一电镀金属添加到基板，例如仅在腔侧壁上电镀银，以提高光学性能。
在固体金属块中形成光学腔和热沉片，而不是单独的反射杯和单独的热沉的能力，能够降低组装成本，因为可以减少用于封装的元件总数。另外，反射器(腔)位置相对于固体金属块固定的事实也可以降低组装复杂性。最后，集成热沉片能够增强热效率。本发明的实施例可尤其用于高功率半导体发光器件，例如高功率LED和/或激光二极管。
根据本发明的实施例可以使用的固体金属块安装基板的其他实施例在于2003年9月9日提交的被赋予本发明的受让人的题为SolidMetal Block Mounting Substrates for Semiconductor LightEmitting Devices，and Oxidizing Methods For Fabricating Same的申请序列号No.10/659,108中被描述，在此并入其公开的全部内容作为参考。
通常期望在发光器件中并入磷光体，以增强特定频带的发射辐射和/或将至少一些辐射变换到另一频带。磷光体可以使用多种常规技术包括在发光器件中。在一种技术中，磷光体被涂敷在器件的塑料外壳的内侧和/或外侧。在其他技术中，例如使用电泳沉积将磷光体涂敷在半导体发光器件本身上。在另外的实施例中，可以将在其中包含磷光体的例如环氧树脂的材料的小滴置于塑料外壳内部、半导体发光器件上和/或该器件和外壳之间。采用磷光体涂层的LED例如在美国专利6,252,254；6,069,440；5,858,278；5,813,753；5,277,840；和5,959,316中被描述。
现在将描述在透镜上提供包括磷光体的涂层的本发明的一些实施例。在其他实施例中，该透镜包括散布在其中的磷光体。
图6A-6H是根据本发明的多个实施例的透射式光学元件的截面图。这些光学元件可用于封装半导体发光器件，这也将在下面描述。
如图6A所示，根据本发明的一些实施例的透射式光学元件包括包含透明塑料的透镜170。如这里使用的，术语“透明的”表示来自半导体发光器件的光辐射可以通过该材料而没有被全部吸收或全部反射。透镜170包括散布在其中的磷光体610。如本领域技术人员公知的，透镜170可以包括聚碳酸酯材料和/或其他用于制造透射式光学元件的常规塑料材料。另外，磷光体610可以包括包含掺杂铈的YAG的任何常规磷光体和/或其他常规磷光体。在一些特定实施例中，该磷光体包括掺杂铈的钇铝石榴石(YAG:Ce)。在其他实施例中，可以使用纳米磷光体。磷光体是本领域技术人员公知的并且不必在此进一步描述。
在图6A中，磷光体610均匀散布在透镜170内。相比之下，在图6B中，磷光体620非均匀地散布在透镜170中。可以形成磷光体620的多种图案，例如，以便当被照射时提供较高强度和/或不同颜色的区域和/或在透镜170上提供多种标记(indicia)。在图6A-6B中，透镜110是圆顶形透镜。如这里所使用的，术语“圆顶”和“圆顶形”指的是具有一般为弓形的表面轮廓的结构，包括规则的半球状结构以及其他一般为弓形的没有形成规则半球的结构，其在形状上是偏心的和/或具有其他特征、结构和/或表面。
现在参考图6C，一个或多个涂层630可以设置在透镜170的外侧上。该涂层可以是保护涂层、偏振涂层、具有标记的涂层和/或任何其他本领域技术人员公知的用于光学元件的常规涂层。在图6D中，一个或多个内涂层640设置在透镜170的内表面上。还可以使用任何常规涂层或涂层的组合。
另外，本发明的其他实施例提供用于透镜170的内和外涂层，其包括在其中均匀分布的磷光体610和/或非均匀分布的磷光体620。通过提供内和外涂层，可以提供与磷光体的改善的折射率匹配(index matching)。由此，根据本发明的一些实施例可以注模三层。本发明的其他实施例可以在外壳内使用折射率匹配介质，例如液体和/或固体凝胶，以促进折射率匹配。使用内层和外层可以减少因折射率匹配问题而在包含磷光体的层中被捕获的光子的数量。
图6E描述了本发明的其他实施例，其中透明内芯650设置在透镜170内部。在一些实施例中，还如图6E所示，透明内芯650填充透镜170，以提供半球状光学元件。透明内芯650可以是均匀透明的和/或可以在其中包括半透明和/或不透明区。透明内芯650可以包括玻璃、塑料和/或其他光耦合介质。
图6F示出本发明的其他实施例，其中包含磷光体的透镜170与半导体发光器件150相结合，其被配置以发射光662进入和通过透明内芯650以及通过透镜170，以从透镜170出现。
图6G是本发明的其他实施例的截面图。如图6G所示，提供安装基板100，以便发光器件150在安装基板100和透明内芯650之间。还如图6G所示，安装基板100在其中包括腔110并且发光器件150至少部分地在腔110中。还提供热沉片190。
图6H示出本发明的另外的实施例。在这些实施例中，腔110可以被密封剂680填充，例如环氧树脂和/或其他光耦合介质(例如硅)。密封剂680可以增强从发光器件150到透明内芯650的光耦合。还提供热沉片190。
本领域技术人员应当理解，尽管图6A-6H的实施例被示为单独的实施例，但是图6A-6H的各个元件可以以元件的多种组合和子组合来一起使用。由此，例如，可以一起使用内和外涂层640和630的组合、均匀分布的磷光体610和非均匀分布的磷光体620、发光器件150、安装基板100、腔110、内芯650和密封剂680。另外，图6A-6H的实施例可以与这里公开的任何其他实施例组合。
图7是根据本发明的其他实施例的发光器件的截面图。如图7所示，这些实施例包括可由光学透明材料制成的、被装载有磷光体和/或其他化学制品的透镜170。内芯650可以由例如塑料或玻璃的光学透明材料制成并且可以被安置在包括热沉片190的安装基板100中的包含封装的腔110上。透镜170和内芯650形成用于发光二极管150的复合透镜。
图8是用于形成根据本发明的多个实施例的透射式光学元件的装置的示意方框图。特别地，图8示出可用于形成根据本发明的多个实施例的透射式光学元件的注模装置。如图8所示，注模装置包括漏斗810或其他存储装置，其中提供透明塑料和/或磷光体添加剂850。透明塑料和/或磷光体添加剂可以以小球、粉末和/或固体形式来提供。可以包括其他添加剂，例如溶剂、粘合剂等，其是本领域技术人员公知的。注射器820可以包括加热器和螺旋机械装置，其用于熔化透明塑料和磷光体添加剂和/或将这些材料保持在熔化状态，以提供包括透明塑料和磷光体添加剂的熔化液体。注射器820通过喷嘴830将熔化液体注入铸模840中。铸模840在其中包括适当的通道860，其可用于限定光学元件的形状，例如圆顶或小键盘键(keypad key)。光学元件的注模是本领域技术人员公知的并且例如在美国专利4,826,424；5,110,278；5,882,553；5,968,422；6,156,242和6,383,417中被描述，并且在此不必进一步详细描述。还应当理解，也可以使用铸造技术，其中包括透明塑料和磷光体添加剂的熔化液体设置在阴模中，其然后被耦接到阳模(或反之亦然)以铸造光学元件。光学元件的铸造例如在美国专利4,107,238；4,042,552；4,141,941；4,562,018；5,143,660；5,374,668；5,753,730和6,391,231中被描述，并且在此不必进一步详细描述。
图9是可用于封装根据本发明的多个实施例的半导体发光器件的步骤的流程图。如图9所示，在块910处，铸模，例如图8的铸模840，被填充了包括透明塑料和磷光体添加剂的熔化液体。在块920处，使熔化液体固化以形成具有散布于其中的磷光体的光学元件。然后该光学元件从铸模移除并被跨越固体金属块中的腔安装。
图10是可以执行以封装根据本发明的实施例的半导体发光器件的步骤的流程图。如图10所示，在块1010处，使用注模、铸造和/或其他常规技术模塑透镜，例如圆顶形透镜170，其包括包含散布于其中的磷光体的透明塑料。在块1020处，形成芯，例如图6E的芯650。应当理解，在一些实施例中，芯650被设置或形成在透镜170内部，而在其他实施例中，通过形成透明芯650并且利用包括透明塑料和磷光体添加剂的熔化液体填充包括透明芯650的铸模，块1020先于块1010，以在透明芯周围形成透镜170。
仍参考图10，半导体发光器件，例如器件150，被置于安装基板例如安装基板100的反射腔110中。在块1040处，密封剂，例如图6H的密封剂680，被施加到安装基板100、发光器件150和/或芯650。最后，在块1050处，使用环氧树脂、搭扣配合和/或其他常规安装技术将透镜或外壳联接到安装基板。
可以期望内芯650填充整个透镜，以便降低或最小化可以使用的密封剂680的量。如本领域技术人员公知的，密封剂680可以具有与安装基板100和/或内芯650不同的热膨胀系数。通过降低或最小化在块1040处使用的密封剂680的量，可以降低或最小化这些热失配的影响。
还应当注意，在一些替换实施方式中，图9和/或10的块中标注的功能/作用可以不以流程图中标注的次序发生。例如，接连示出的两个块实际上可以基本上同时执行，或者这些块有时可以以相反的次序来执行，这取决于所涉及的功能/作用。
因此，本发明的一些实施例可以使用模塑或铸造技术形成复合光学元件，例如透镜。在一些实施例中，可以使用注模将散布于模塑材料中的磷光层安置在内或外表面上，其后在剩余容积中完成模塑或铸造工艺，以形成所需的光学元件。在一些实施例中，这些光学元件可以变换在透镜后面的蓝色发光二极管，以产生白光外观。
本发明的其他实施例可以使用磷光体以均匀地散布光和/或以期望图案散布光。例如，常规发光器件可以以“蝙蝠翅状的”辐射图案发射光，其中较大光强度被以偏轴角提供，例如与同轴(0°)相比偏轴大约40°中的角度，或者被提供在各侧处(例如，大于大约40°的角度)。其他发光二极管可以提供“朗伯(Lambertian)”辐射图案，其中最大强度集中在中心区域至偏轴大约40°并且然后以较大角度快速减弱。另外的常规器件可以提供侧发射辐射图案，其中最大光强度被以大角度例如自轴90°提供，并且以接近轴的较小角快速下降。相比之下，本发明的一些实施例可以降低或消除从发光器件输出的光的角关系辐射图案，例如相关色温(CCT)的角关系。由此，在一些实施例中来自透镜的所有表面的光强度和x，y色度值/坐标可以保持相对恒定。这在用于照明应用时可以是有利的，例如其中不希望有聚光灯效应的房间。
根据本发明的一些实施例，如上所述的注模工艺可以允许形成具有多个特征的单个光学元件，例如透镜化(lensing)和白色变换。另外，通过使用两个模塑或铸造技术，根据一些实施例，能够将磷光层定形为其期望结构，以降低或最小化色温与视角的角关系。
包括散布于其中的磷光体的透镜的其他实施例在于2003年9月9日提交的被赋予本发明的受让人的题为Transmissive OpticalElements Including Transparent Plastic Shell Having a PhosphorDispersed Therein，and Methods of Fabricating Same的申请序列号No.10/659,240中被描述，在此并入其公开的全部内容作为参考。
在本发明的其他实施例中，包括磷光体的涂层设置在半导体发光器件150本身上。特别地，可以期望提供用于LED的磷光体，例如以提供固体照明。在一个实例中，用于固体白色照明的LED可以产生在例如大约380nm到大约480nm的范围内的短波长的高辐射通量输出。可以提供一个或多个磷光体，其中LED的短波长、高能量光子输出用于部分地或整体地激发磷光体，以由此降频变换LED输出的一些或全部以产生白光外观。
作为一个具体实例，从LED输出的在大约390nm的紫外线可以结合红、绿和蓝色磷光体来使用，以产生白光外观。作为另一个具体实例，从LED输出的在大约470nm的蓝光可用于激发黄色磷光体，以通过传输一些470nm蓝色输出以及在部分LED输出被磷光体吸收时产生的一些二次黄色发射来产生白光外观。
磷光体可以使用多种常规技术包括在半导体发光器件中。在一种技术中，磷光体被涂覆在LED的塑料外壳的内侧和/或外侧。在其他技术中，磷光体例如使用电泳沉积被涂覆在半导体发光器件本身上。在另外的技术中，在其中包含磷光体的诸如环氧树脂的材料的小滴可以被置于塑料外壳内部，半导体发光器件上和/或该器件和外壳之间。这种技术可以称为“圆顶封装(glob top)”。该磷光体涂层还可以并入折射率匹配材料和/或可以提供单独的折射率匹配材料。
另外，如上所述，公开的美国专利申请号No.US 2004/0056260 A1描述了一种发光二极管，其包括具有第一和第二相对面的衬底和在第一和第二相对面之间的以与第二面成斜角朝向第一面延伸的侧壁。共形的磷光层设置在倾斜侧壁上。该倾斜侧壁可以允许比常规正交侧壁更均匀的磷光体涂层。
根据本发明的其他实施例，通过下述来制造半导体发光器件：将包括悬浮在溶剂中的磷光体颗粒的悬浮液安置在半导体发光器件的发光表面的至少一部分上，并且蒸发至少一些溶剂以使磷光体颗粒沉积在发光表面的至少一部分上。包括磷光体颗粒的涂层由此形成在发光表面的至少一部分上。
如这里使用的，“悬浮液”表示两相固体-液体系统，其中固体颗粒与液体(“溶剂”)混合但不溶解(“悬浮”)于该液体中。而且，如这里使用的，“溶液”表示单相液体系统，其中固体颗粒溶解在液体(“溶剂”)中。
图11A是根据本发明的多个实施例在中间制造步骤期间半导体发光器件封装的截面图。如图11A所示，包括悬浮在溶剂1124中的磷光体颗粒1122的悬浮液1120被安置在半导体发光器件150的发光表面150a的至少一部分上。如这里所使用的，“光”指的是由半导体发光元件150发射的任何辐射，可见的和/或不可见的(例如紫外线)。然后蒸发至少一些溶剂1124，如由连接图11A和11B的箭头所示，以使磷光体颗粒1122沉积在发光表面150a的至少该部分上，并且在其上形成包括磷光体颗粒1122的涂层1130。在一些实施例中，在执行图11A的安置的同时和/或在执行蒸发的同时搅动包括悬浮在溶剂1124中的磷光体颗粒1122的悬浮液1120。此外，如图11B所示，可以执行蒸发以使磷光体颗粒122均匀地沉积在发光表面150a的至少该部分上，以由此形成磷光体颗粒1122的均匀涂层1130。在一些实施例中，磷光体颗粒1122均匀地沉积在整个发光表面150a上。另外，在一些实施例中，基本上全部溶剂1124可以被蒸发。例如，在一些实施例中，可以蒸发该溶剂的至少大约80％。在一些实施例中，基本全部的溶剂1124被蒸发以使磷光体颗粒1122均匀地沉积在整个发光表面150a上。
在本发明的一些实施例中，溶剂1124包括甲基乙基酮(MEK)、乙醇、甲苯、醋酸戊酯和/或其他常规溶剂。另外，在其他实施例中，磷光体颗粒1122可以尺寸为大约3-4μm，并且大约0.2gm的这些磷光体颗粒1122可以混合到大约5cc的MEK溶剂1124中，以提供悬浮液1120。悬浮液1120可以通过点眼器吸管(eyedropperpipette)来配制，并且蒸发可以在室温下或在高于或低于室温的温度下进行，例如在大约60℃和/或在大约100℃。
磷光体也是本领域技术人员公知的。如这里使用的，磷光体颗粒1122可以是掺杂铈的钇铝石榴石(YAG:Ce)和/或其他常规磷光体并且可以使用常规混合技术混合在溶剂1124中，以由此提供包括磷光体颗粒1122的悬浮液1120。在一些实施例中，磷光体被配置以变换从发光表面150a发射的至少一些光使得从半导体发光器件出现的光表现为白光。
图12A是本发明的其他实施例的截面图。如图12A所示，提供安装基板100，并且半导体发光器件150安装在其中的腔110中。还提供热沉片190。包括悬浮在溶剂1124中的磷光体颗粒1122的悬浮液1120被安置在腔110中。由此，腔110可用于限制悬浮液1120并由此提供悬浮液1120的被控制的量和几何形状。
现在参考图12B，执行蒸发，以由此蒸发至少一些溶剂1124以使磷光体颗粒1122沉积在发光表面150a的至少一部分上，并形成包括磷光体颗粒1122的涂层1130。
图13A和13B示出了本发明的其他实施例。如图13A所示，在这些实施例中，腔110包括腔底面110b，并且半导体发光器件150安装在腔底面110b上。另外，半导体发光器件150远离腔底面110b突出。在一些实施例中，半导体发光器件150的发光表面150a包括远离腔底面110b的面150b，和在该面150b和腔底面110b之间延伸的侧壁150c。如图13B所示，执行蒸发以蒸发至少一些溶剂1124，以使磷光体颗粒1122均匀地沉积在发光表面150a的至少一部分上并由此形成包括磷光体颗粒1122的均匀厚度的涂层1130。还如图13B所示，在一些实施例中，该涂层可以在该面150b上和在侧壁150c上是均匀的厚度。在一些实施例中，该涂层1130可以在发光元件150以外在底面110b上均匀地延伸。在其他实施例中，涂层1130还可以至少部分地延伸到腔110的侧壁110a上。
在本发明的其他实施例中，可以将粘合剂添加到悬浮液1120，以便在蒸发时，磷光体颗粒1122和粘合剂沉积在发光表面150a的至少该部分上，并在其上形成包括磷光体颗粒1122和粘合剂的涂层。在一些实施例中，诸如乙基纤维素和/或硝酸纤维素的纤维素材料可以用作粘合剂。另外，在其他实施例中，至少一些粘合剂可以与溶剂一起蒸发。
在本发明的其他实施例中，悬浮液1120包括悬浮在溶剂1124中的磷光体颗粒1122和光散射颗粒，并且其中至少一些溶剂1124被蒸发以使磷光体颗粒1122和光散射颗粒沉积在发光器件150的至少一部分上，并形成包括磷光体颗粒1122和光散射颗粒的涂层1130。在一些实施例中，光散射颗粒可以包括SiO2(玻璃)颗粒。在一些实施例中，通过选择散射颗粒的尺寸，蓝光可以被有效地散射以使发射源(对于白色应用)更均匀(更特别地，任意的)。
还应当理解，根据本发明的多个实施例，还可以提供图11A-13B的实施例的组合和子组合。另外，根据本发明的多个实施例，还可以提供图11A-13B与其他图中的任何一个或全部的实施例的组合和子组合。通过从悬浮液蒸发溶剂来涂覆半导体发光器件的其他实施例在于2004年9月21日提交的被赋予本发明的受让人的题为Methods of Coating Semiconductor Light Emitting Elements byEvaporating Solvent From a Suspension的申请序列号No.10/946,587中被描述，在此并入其公开的全部内容作为参考。通过在半导体发光器件上涂覆包括透明硅氧烷和磷光体的可构图的膜来涂覆半导体发光器件的其他实施例在于2004年9月23日提交的被赋予本发明的受让人的题为Semiconductor Light Emitting DevicesIncluding Patternable Films Comprising Transparent Siliconeand Phosphor，and Methods of Manufacturing Same的申请序列号No.10/947,704中被描述，在此并入其公开的全部内容作为参考。
本发明的其他实施例在第一金属面上提供在其中包括光学元件的柔性膜，其中该光学元件跨越腔延伸。在一些实施例中，该光学元件是透镜。在其他实施例中，该光学元件可以包括磷光体涂层和/或可以包括散布于其中的磷光体。
图14是根据本发明的多个实施例的半导体发光器件封装及其组装方法的分解截面图。参考图14，这些半导体发光器件封装包括固体金属块100，其具有在其中包括腔110的第一面100a，和在其中包括多个热沉片190的第二面100b。在其中包括光学元件1430的柔性膜1420设置在第一面100a上，并且半导体发光器件150设置在金属块100和柔性膜1120之间，并被配置以通过该光学元件发射光662。附着元件1450可用于使柔性膜1420和固体金属块100彼此附着。
仍参考图14，柔性膜1420可以提供盖片，其可以由例如常规室温硫化(RTV)硅酮橡胶的柔性材料制成。可以使用其他硅氧烷基和/或柔性材料。由于由柔性材料制成，在操作期间柔性膜1420可以随着其膨胀和收缩而符合固体金属块100。另外，柔性膜1420可以借助简单的低成本技术来制造，例如传递模塑法、注模法和/或其他本领域技术人员公知的常规技术。
如上所述，柔性膜1420在其中包括光学元件1430。该光学元件可以包括透镜、棱镜、光发射增强和/或变换元件，例如磷光体、光散射元件和/或其他光学元件。还可以提供一个或多个光学元件1430，这将在下面被详细描述。另外，如图14所示，光耦合介质1470，例如光耦合凝胶和/或其他折射率匹配材料，在一些实施例中可以被设置在光学元件1430和半导体发光器件150之间。
仍参考图14，附着元件1450可以被具体体现为粘接剂，其可以被安置在固体金属块100的外围周围、柔性膜1420的外围周围和/或在其被选择的部分处，例如在其角落处。在其他实施例中，固体金属块100可以被模压在柔性膜1420周围，以提供附着元件1450。可以使用其他常规附着技术。
图14还示出组装或封装根据本发明的多个实施例的半导体发光器件的方法。如图14所示，半导体发光元件150安装在固体金属块100的第一面100a中的腔110中，该固体金属块100在其第二面100b上包括片190。在其中包括光学元件1430的柔性膜1420例如使用附着元件1450被附着到第一面100a，以便在操作中，半导体发光器件150通过该光学元件1430发射光662。在一些实施例中，光耦合介质1470被安置在半导体发光器件150和光学元件1430之间。
图15是根据本发明的其他实施例的图14的封装的半导体发光器件的截面图。柔性膜1420延伸到面100a上，超过腔110。光学元件1430叠置在腔110上，并且半导体发光器件150在腔110中，并被配置以通过光学元件1430发射光662。在图15中，光学元件1430包括凹透镜。在一些实施例中，光耦合介质1470被设置在光学元件1430和半导体发光器件150之间的腔110中。在一些实施例中，光耦合介质1470填充腔110。
图16是本发明的其他实施例的截面图。如图16所示，在柔性膜1420中包括两个光学元件1430和1630。第一光学元件1430包括透镜并且第二光学元件1630包括棱镜。来自半导体发光器件150的光经过棱镜以及透镜1430。还可以提供光耦合介质1470。在一些实施例中，光耦合介质1470填充腔110。光耦合介质1470可以与棱镜1630具有足够的折射率差，以便棱镜1630可以降低遮蔽(shadowing)。如图16所示，半导体发光器件150包括朝向柔性膜1420延伸的导线1650，并且棱镜1630被配置以借助从半导体发光器件150发射的光的导线1650来降低遮蔽。由此可以提供更均匀的光发射，并且降低了导线1650的遮蔽。应当理解，术语“导线”在这里是一般意义上的使用以包含用于半导体发光器件150的任何电连接。
图17是本发明的其他实施例的截面图。如图17所示，磷光体1710被设置在透镜1430和半导体发光器件150之间的柔性膜1320上。磷光体410可以包括掺杂铈的钇铝石榴石(YAG)和/或其他常规磷光体。在一些实施例中，该磷光体包括掺杂铈的钇铝石榴石(YAG:Ce)。在其他实施例中，可以使用纳米磷光体。磷光体是本领域技术人员公知的并且不必在此进一步描述。还可以提供光耦合介质1470，其可以填充腔110。
图18示出本发明的另外的实施例。在这些实施例中，透镜1430包括邻近半导体发光器件150的凹形内表面1430a，并且磷光体1710包括在该凹形内表面1430a上的共形磷光层。还可以提供光耦合介质1470，其可以填充腔110。
图19是其他实施例的截面图。如图19所示，叠置在腔110上的柔性膜1420的至少一部分1420d对于所述光是透明的。另外，延伸到面100a上超过腔110的柔性膜1420的至少一部分1420c对于所述光是不透明的，如由柔性膜1420的带点部分1420c所示的。不透明区1420c可以降低或防止光线的跳动，并由此潜在地形成更期望的光图案。还可以提供光耦合介质1470，其可以填充腔110。
图20是本发明的其他实施例的截面图，其中柔性膜1420可以由多种材料制造。如图20所示，叠置在腔110上的柔性膜1420的至少一部分1420d包括第一材料，并且延伸到面100a上超过腔110的柔性膜1420的至少一部分1420c包括第二材料。在一些实施例中，两种或更多种材料可用在柔性膜1420中，以为柔性膜1420的该部分提供不同特性，通过其发射光以及通过其不发射光。在其他实施例中，多种材料可用于其他目的。例如，非柔性和/或柔性塑料透镜可以被附着到柔性膜。例如，这种具有多种材料的柔性膜1420可以使用常规的多种模塑技术来制造。在一些实施例中，被模塑的第一材料可以不被完全固化，以便提供令人满意的接合，其附着到随后被模塑的第二材料。在其他实施例中，相同的材料可用于光学元件和柔性膜，其中光学元件被形成并且然后在光学元件周围形成柔性膜。还可以提供光耦合介质1470，其可以填充腔110。
图21是本发明的其他实施例的截面图。在这些实施例中，半导体发光元件150包括朝向腔110中的柔性膜1420延伸并接触该柔性膜的导线1650。柔性膜1420包括透明导体2110，其可以包括氧化铟锡(ITO)和/或其他常规透明导体。透明导体2110在腔110中延伸并电连接到该导线。由此可以提供借助导线1650降低的遮蔽。另外，可以减少或消除至金属块100的线接合，以及潜在的随之产生的光畸变。还可以提供光耦合介质1470，其可以填充腔110。
图22是本发明的其他实施例的截面图。如图22所示，光学元件1430包括叠置在腔110上并远离腔110突出的透镜。柔性膜1420进一步包括在透镜1430和发光元件150之间的突出元件2230，其朝向腔110突出。如图22所示，在突出元件2230上提供共形的磷光层1710。通过紧接着透镜1430设置突出元件2230，可以取代该器件中的光耦合介质1470。由此图22的配置可以提供与发光元件150相距期望距离的更均匀的磷光体涂层，以便提供更均匀的照明。光耦合介质1470可以填充腔110。
图23和24示出根据本发明的多个实施例的包括多个半导体发光器件和/或多个光学元件的封装。例如，如图23所示，光学元件1430是第一光学元件，并且半导体发光器件150是第一半导体发光器件。柔性膜1420还在其中包括第二光学元件1430′，其与第一光学元件1430间隔开，并且该器件进一步包括在衬底100和柔性膜1420之间并被配置以通过第二光学元件1430′发射光的第二半导体发光器件150′。另外，还可以提供第三光学元件1430″和第三半导体发光器件150″。光学元件1430、1430′和1430″可以是相同的和/或彼此不同，并且半导体发光器件150、150′和150″可以是相同的和/或彼此不同。另外，在图23的实施例中，腔110是第一腔，并且第二和第三腔110′、110″分别被提供用于第二和第三半导体发光器件150′、150″。腔110、110′和110″可以是相同的和/或可以具有彼此不同的结构。还可以提供光耦合介质1470，其可以填充该一个或多个腔。应当理解，在其他实施例中，可以提供更大或更小数目的半导体发光器件和/或腔。
还如图23中所示，磷光体1710可以是第一磷光层，并且第二和/或第三磷光层1710′和1710″可以分别设置在第二光学元件1430′和第二半导体发光器件150′之间，以及第三光学元件1430″和第三半导体发光器件150″之间的柔性膜1420上。磷光层1710、1710′、1710″可以是相同的，可以是不同的和/或可以被除去。特别地，在本发明的一些实施例中，第一磷光层1710和第一半导体发光器件150被配置以产生红光，第二磷光层1710′和第二半导体发光器件150′被配置以产生蓝光，以及第三磷光层1710″和第三半导体发光器件150″被配置以产生绿光。在一些实施例中，由此可以提供能够发射白光的红、绿、蓝(RGB)发光元件。
图24是本发明的其他实施例的截面图。在这些实施例中，单个腔2400分别被提供用于第一、第二和第三半导体发光器件150、150′和150″。还可以提供光耦合介质1470，其可以填充腔2400。应当理解，在其他实施例中，可以提供更大或更小数目的半导体发光器件和/或腔。
图25是本发明的另外的实施例的截面图。在图25中，光学元件2530包括具有散布于其中的磷光体的透镜。包括散布于其中的磷光体的透镜的多个实施例在上面被描述并且不必再重复。在本发明的另外实施例中，光散射元件可以被具体体现为如图25所示的透镜，和/或被设置为如例如图22中所示的分离层，除了或代替磷光体。
图26是根据本发明的其他实施例的半导体发光器件封装的透视图。
本领域技术人员应当理解，已经结合图14-26单独描述了本发明的多个实施例。然而，图14-26的实施例的组合和子组合可以根据本发明的多个实施例来提供，并且还可以与根据这里描述的其他图中的任何一个的实施例相组合。
图27是根据本发明的多个实施例的半导体发光器件封装的截面图。如图27所示，固体金属块100包括在其第一金属面100a中的多个腔110，和在其第二金属面100b中的多个热沉片190。绝缘层120设置在第一金属面100a上。导电层130设置在绝缘层上，并且被构图以提供在腔110中的反射涂层2730a，和在腔110中的第一2730b和第2730c导电迹线，其被配置以连接到安装在腔中的至少一个半导体发光器件150。如图27所示，这些迹线可以提供半导体发光器件之间的串联连接。然而，还可以提供并联和/或串联/并联或反并联连接。应当理解，在其他实施例中，可以提供更大或更小数目的半导体发光器件和/或腔。
仍参考图27，在其中包括例如透镜的光学元件1430的柔性膜1420被设置在第一金属面100a上，其中相应的光学元件1430跨越相应的腔110延伸。如上面广泛描述的，可以提供柔性膜1420和光学元件1430的多个实施例。另外，如上面广泛描述的，磷光体可以被集成。在其他实施例中，代替包含光学元件1430的柔性膜1420，还可以提供分立透镜170。在一些实施例中，导体130连接到在固体金属块110上的集成电路2710，例如发光器件驱动器集成电路。在一些实施例中，图27的半导体发光封装可以被配置以提供用于常规电灯泡的插入式替代品。
图28是根据图27的实施例的透视图。如图28所示，借助导电层130被连接的腔110的阵列可以被设置在固体金属块100的第一面100a上。在图28中，示出了腔的均匀间隔的10％10阵列和柔性膜1420上的相应的光学元件1430的10％10阵列。然而，可以提供更多或更少的阵列，并且这些阵列可以是圆形的、随意隔开的和/或其他结构。另外，可以在腔110和光学元件1430的阵列的一些或所有部分中提供非均匀的间距。更特别地，均匀间距可以促进均匀光输出，而非均匀间距可以被提供用于补偿热沉片190跨越固体金属块100的多个部分的散热能力的变化。
还应当理解，图27和28的实施例可以与这里描述的其他实施例中的任何一个组合成多种组合和子组合。
图29是本发明的其他实施例的侧截面图。在这些实施例中，第一金属面100a在其中进一步包括多个基座2900，并且该多个腔110中的相应一个位于该多个基座2900中的相应一个中。为了清楚起见，绝缘层120和导电层130未在图29中示出。在其他实施例中，多个腔110还可以设置在给定的基座2900中。在图29的实施例中，柔性膜1420′包括多个光学元件1430′，例如透镜，其相应的一个跨越相应基座2900以及跨越相应腔110延伸。应当理解，在其他实施例中，可以提供更大或更小数目的半导体发光器件和/或腔。
通过提供根据本发明的一些实施例的基座2900，发光器件150可以被安置得更接近光学元件1430′的径向中心，以由此允许增强发射的均匀性。还应当理解，图29的实施例可以被提供有分立的光学元件，例如透镜，其相应的一个跨越相应的基座2900和腔110，并且图29的实施例可以与上述其他实施例的任何组合或子组合相组合。
图30是可以执行以封装根据本发明的多个实施例的半导体发光器件的步骤的流程图。图30的方法可用于封装一个或多个半导体发光器件，以提供在前面图中的任何一个中描述的结构。
如图30所示，在块3010处，如上面广泛描述的，制造包括腔和热沉片的固体金属块。在块3020处，如在上面广泛描述的，绝缘层形成在固体金属块的至少一部分上，例如在其第一金属面上。在块3030处，导电层形成在绝缘层上。该导电层可以被构图以提供在这些腔中的反射涂层，和在第一面上的延伸到这些腔中的第一和第二导电迹线，如上面广泛描述的。在块3040处，至少一个半导体发光器件安装在相应腔中，并且电连接到该相应腔中的第一和第二导电迹线，如上面广泛描述的。在块3050处，可以添加光耦合介质，如上所述。在块3060处，透镜、光学元件和/或柔性膜被安置在第一面上，如上面广泛描述的。在其他实施例中，还可以提供通孔、反射器层和/或其他在上面广泛描述的结构。
还应当注意，在一些替换实施方式中，图30的块中标注的功能/作用可以不以流程图中标注的次序发生。例如，接连示出的两个块实际上可以基本上同时执行，或者这些块有时可以以相反的次序来执行，这取决于所涉及的功能/作用。
现在将提供本发明的各个实施例的附加讨论。本发明的实施例可以提供在固体金属块上的三维顶面和背面布局，以由此提供所有都在一个块中的集成反射腔和集成热沉。该集成的光学腔可以便于对准和易于制造。该集成热沉可以增强热效率。根据本发明的一些实施例，通过采用三维顶面布局以形成用于LED的反射器，可以消除对单独封装LED、将该封装安装到热沉并添加所需的驱动电子线路的需要。由此，“集成反射器热沉上芯片”可以被提供作为单独的部件。由此可以提供高光效率和高热效率。添加驱动电路能够为可能仅需要源电压和最终的发光体外壳的功能性发光体提供完整的解决方案。
可以提供任何形状或密度器件。例如，可以期望具有高流明强度(每平方毫米的流明)，或者可以期望通过分配腔布局来增强或优化热效率。高密度实施例可以具有四个高功率LED，例如由Cree，Inc.(本发明的受让人)所销售的，名称为XB900，以提供2％2阵列，而分配热方案可以具有100个较低功率的LED，例如由Cree，Inc.(本发明的受让人)所销售的，名称为XB290，以提供10％10阵列，以获得相同的流明输出。XB900和XB290器件在题为CreeOptoelectronics LED Product Line(公开物CPR3AX，Rev.D，2001-2002)的产品小册子中被描述。也可以使用在该产品小册子中描述的其他器件，例如XT290、XT230和/或来自其他制造商的其他器件。
如上所述，光学腔可以被凹进或者可以被提供作为基座中的光学腔。导电层可以提供管芯附着焊盘和线接合焊盘。单独的迹线可以被提供用于红、绿或蓝色LED，或者所有的LED可以被串联或并联连接。
本发明的实施例可以提供能够取代标准MR16或其他照明器具的结构。在一些实施例中，6.4瓦输入可以提供大约2.4瓦的光功率和4瓦的热耗散。
在图和说明书中，已经公开了本发明的实施例，并且尽管采用了特定术语，但是它们仅是一般和描述性意义上的使用并且不用于限制的目的，本发明的范围在下面的权利要求中被阐明。

Claims (88)

1.一种用于半导体发光器件的安装基板，包括：
包含第一和第二相对金属面的固体金属块；
第一金属面在其中包括腔，其被配置以将至少一个半导体发光器件安装在其中并且将由安装在其中的至少一个半导体发光器件发射的光反射离开该腔；以及
第二金属面在其中包括多个热沉片。
2.根据权利要求1的安装基板，进一步包括在腔中的反射涂层。
3.根据权利要求1的安装基板，进一步包括在腔中的第一和第二导电迹线，其被配置以连接到安装在该腔中的至少一个半导体发光器件。
4.根据权利要求1的安装基板，进一步包括：
在第一金属面上的绝缘层；以及
在绝缘层上的导电层，其被构图以提供在该腔中的反射涂层和在该腔中的第一和第二导电迹线，其被配置以连接到安装在该腔中的至少一个半导体发光器件。
5.根据权利要求4的安装基板，其中固体金属块包括固体铝块并且其中绝缘层包括氧化铝。
6.根据权利要求4的安装基板，其中固体金属块包括固体钢块并且其中绝缘层包括陶瓷。
7.根据权利要求1的安装基板，其中第一金属面在其中进一步包括基座并且其中该腔在该基座中。
8.根据权利要求3的安装基板，其中固体金属块在其中包括通孔，其从第一面延伸到第二面，并且其中该通孔在其中包括导电通路，其电连接到第一或第二导电迹线。
9.根据权利要求1的结合安装在腔中的至少一个半导体发光器件的安装基板。
10.根据权利要求9的进一步结合跨越腔延伸的透镜的安装基板。
11.根据权利要求7的结合安装在基座中的腔中的至少一个半导体发光器件的安装基板。
12.根据权利要求11的进一步结合跨越基座以及跨越腔延伸的透镜的安装基板。
13.根据权利要求9的进一步结合在第一金属面上的柔性膜的安装基板，该柔性膜在其中包括光学元件，其中该光学元件跨越腔延伸。
14.根据权利要求11的进一步结合在第一金属面上的柔性膜的安装基板，该柔性膜在其中包括光学元件，其中该光学元件跨越基座以及跨越腔延伸。
15.根据权利要求13的安装基板，其中该光学元件包括透镜。
16.根据权利要求14的安装基板，其中该光学元件包括透镜。
17.根据权利要求10的进一步结合在透镜上包括磷光体的涂层的安装基板。
18.根据权利要求12的进一步结合在透镜上包括磷光体的涂层的安装基板。
19.根据权利要求13的进一步结合在光学元件上包括磷光体的涂层的安装基板。
20.根据权利要求14的进一步结合在光学元件上包括磷光体的涂层的安装基板。
21.根据权利要求10的安装基板，其中该透镜包括散布于其中的磷光体。
22.根据权利要求12的安装基板，其中该透镜包括散布于其中的磷光体。
23.根据权利要求13的安装基板，其中该光学元件包括散布于其中的磷光体。
24.根据权利要求14的安装基板，其中该光学元件包括散布于其中的磷光体。
25.根据权利要求9的进一步结合在该至少一个半导体发光器件上包括磷光体的涂层的安装基板。
26.根据权利要求11的进一步结合在该至少一个半导体发光器件上包括磷光体的涂层的安装基板。
27.根据权利要求3的安装基板，进一步包括在固体金属块上的集成电路，其电连接到第一和第二迹线。
28.根据权利要求3的安装基板，进一步包括在固体金属块上的半导体发光器件驱动器集成电路，其电连接到第一和第二迹线。
29.根据权利要求9的安装基板，其中该至少一个半导体发光器件包括至少一个发光二极管。
30.根据权利要求9的结合在该腔中的至少部分地围绕发光器件的光耦合介质的安装基板。
31.一种用于半导体发光器件的安装基板，包括：
包含第一和第二相对金属面的固体金属块；
第一金属面在其中包括多个腔，其相应的一个被配置以将至少一个半导体发光器件安装在其中，并且将由安装在其中的该至少一个半导体发光器件发射的光反射离开该相应腔；以及
第二金属面在其中包括多个热沉片。
32.根据权利要求31的安装基板，进一步包括在该多个腔中的反射涂层。
33.根据权利要求31的安装基板，进一步包括在第一面上的第一和第二导电迹线，其延伸到该多个腔中并被配置以连接到安装在该相应腔中的至少一个半导体发光器件。
34.根据权利要求31的安装基板，进一步包括：
在第一金属面上的绝缘层；以及
在绝缘层上的导电层，其被构图以提供在该多个腔中的反射涂层和在第一面上的第一和第二导电迹线，其延伸到该多个腔中并被配置以连接到安装在该腔中的至少一个半导体发光器件。
35.根据权利要求34的安装基板，其中固体金属块包括固体铝块并且其中绝缘层包括氧化铝。
36.根据权利要求34的安装基板，其中固体金属块包括固体钢块并且其中绝缘层包括陶瓷。
37.根据权利要求31的安装基板，其中第一金属面在其中进一步包括多个基座并且其中该多个腔中的相应一个在该多个基座中的相应一个中。
38.根据权利要求33的安装基板，其中固体金属块在其中包括通孔，其从第一面延伸到第二面，并且其中该通孔在其中包括导电通路，其电连接到第一或第二导电迹线。
39.根据权利要求31的结合安装在相应腔中的至少一个半导体发光器件的安装基板。
40.根据权利要求39的进一步结合多个透镜的安装基板，该多个透镜中的相应一个跨越所述腔中的相应一个延伸。
41.根据权利要求37的结合安装在相应基座中的相应腔中的至少一个半导体发光器件的安装基板。
42.根据权利要求41的进一步结合多个透镜的安装基板，该多个透镜中的相应一个跨越所述基座中的相应一个以及跨越所述腔中的相应一个延伸。
43.根据权利要求39的进一步结合在第一金属面上的柔性膜的安装基板，该柔性膜在其中包括多个光学元件，其中相应的光学元件跨越相应的腔延伸。
44.根据权利要求41的进一步结合在第一金属面上的柔性膜的安装基板，该柔性膜在其中包括多个光学元件，其中相应的光学元件跨越相应的基座以及跨越相应的腔延伸。
45.根据权利要求43的安装基板，其中该光学元件包括透镜。
46.根据权利要求44的安装基板，其中该光学元件包括透镜。
47.根据权利要求40的进一步结合在透镜上包括磷光体的涂层的安装基板。
48.根据权利要求42的进一步结合在透镜上包括磷光体的涂层的安装基板。
49.根据权利要求43的进一步结合在光学元件上包括磷光体的涂层的安装基板。
50.根据权利要求44的进一步结合在光学元件上包括磷光体的涂层的安装基板。
51.根据权利要求40的安装基板，其中所述透镜包括散布于其中的磷光体。
52.根据权利要求42的安装基板，其中所述透镜包括散布于其中的磷光体。
53.根据权利要求43的安装基板，其中所述光学元件包括散布于其中的磷光体。
54.根据权利要求44的安装基板，其中所述光学元件包括散布于其中的磷光体。
55.根据权利要求39的进一步结合在半导体发光器件上包括磷光体的涂层的安装基板。
56.根据权利要求41的进一步结合在半导体发光器件上包括磷光体的涂层的安装基板。
57.根据权利要求33的安装基板，进一步包括在固体金属块上的集成电路，其电连接到第一和第二迹线。
58.根据权利要求33的安装基板，进一步包括在固体金属块上的半导体发光器件驱动器集成电路，其电连接到第一和第二迹线。
59.根据权利要求39的安装基板，其中所述半导体发光器件包括发光二极管。
60.根据权利要求39的结合在所述腔中的至少部分地围绕发光器件的光耦合介质的安装基板。
61.根据权利要求31的安装基板，其中该多个腔在第一面中彼此均匀地和/或非均匀地间隔开。
62.一种半导体发光器件封装方法，包括：
制造包含第一和第二相对金属面的固体金属块，第一金属面在其中包括多个腔，其相应的一个被配置以将至少一个半导体发光器件安装在其中，并且将由安装在其中的该至少一个半导体发光器件发射的光反射离开该相应腔，以及第二金属面在其中包括多个热沉片；
在第一金属面上形成绝缘层；
在绝缘层上形成导电层，其被构图以提供在该多个腔中的反射涂层和在第一面上的第一和第二导电迹线，其延伸到该多个腔中并被配置以连接到安装在所述腔中的多个半导体发光器件；以及
将至少一个半导体发光器件安装在相应腔中，并且电连接到该相应腔中的第一和第二导电迹线。
63.根据权利要求62的方法，其中在安装之前：
在该多个腔中制作反射涂层。
64.根据权利要求62的方法，其中第一金属面在其中进一步包括多个基座并且其中该多个腔中的相应一个在该多个基座中的相应一个中。
65.根据权利要求62的方法，其中固体金属块在其中包括通孔，其从第一面延伸到第二面，该方法进一步包括：
在通孔中形成导电通路，其电连接到第一或第二导电迹线。
66.根据权利要求62的方法，其中在安装之前：
跨越所述腔中的相应一个安置相应透镜。
67.根据权利要求64的方法，其中在安装之前：
跨越所述基座中的相应一个以及跨越所述腔中的相应一个安置相应透镜。
68.根据权利要求62的方法，其中在安装之前：
将在其中包括多个光学元件的柔性膜安置在第一金属面上，其中相应的光学元件跨越相应的腔延伸。
69.根据权利要求64的方法，其中在安装之前：
将在其中包括多个光学元件的柔性膜安置在第一金属面上，其中相应的光学元件跨越相应的基座以及跨越相应的腔延伸。
70.根据权利要求66的方法，进一步包括：
利用磷光体涂覆透镜。
71.根据权利要求67的方法，进一步包括：
利用磷光体涂覆透镜。
72.根据权利要求68的方法，进一步包括：
利用磷光体涂覆透镜。
73.根据权利要求69的方法，进一步包括：
利用磷光体涂覆透镜。
74.根据权利要求62的方法，进一步包括：
利用磷光体涂覆半导体发光器件。
75.根据权利要求62的方法，进一步包括：
将集成电路电连接到第一和第二迹线。
76.根据权利要求62的方法，进一步包括：
将半导体发光器件驱动器集成电路电连接到第一和第二迹线。
77.根据权利要求62的方法，进一步包括：
将光耦合介质安置在所述腔中，至少部分地围绕发光器件。
78.一种半导体发光器件封装，包括：
包含第一和第二相对金属面的固体金属块，第一金属面在其中包括多个腔，其相应的一个被配置以将至少一个半导体发光器件安装在其中，并且将由安装在其中的该至少一个半导体发光器件发射的光反射离开该相应腔，以及第二金属面在其中包括多个热沉片；
在第一金属面上的绝缘层；
在相应腔中的至少一个半导体发光器件；以及
在绝缘层上的导电层，其被构图以提供在该多个腔中的反射涂层和在第一面上的第一和第二导电迹线，其延伸到该多个腔中并且其电连接到安装在该相应腔中的该至少一个半导体发光器件。
79.根据权利要求78的封装，进一步包括：
在该多个腔中的反射涂层。
80.根据权利要求78的封装，其中第一金属面在其中进一步包括多个基座并且其中该多个腔中的相应一个在该多个基座中的相应一个中。
81.根据权利要求78的封装，其中固体金属块在其中包括通孔，其从第一面延伸到第二面，该封装进一步包括：
在该通孔中的导电通路，其电连接到第一或第二导电迹线。
82.根据权利要求78的封装，进一步包括：
多个透镜，其相应的一个跨越所述腔中的相应一个延伸。
83.根据权利要求80的封装，进一步包括：
多个透镜，其相应的一个跨越所述基座中的相应一个以及跨越所述腔中的相应一个延伸。
84.根据权利要求78的封装，进一步包括：
在第一金属面上的柔性膜，其在其中包括多个光学元件，其中相应的光学元件跨越相应的腔延伸。
85.根据权利要求80的封装，进一步包括：
在第一金属面上的柔性膜，其在其中包括多个光学元件，其中相应的光学元件跨越相应的基座以及跨越相应的腔延伸。
86.根据权利要求78的封装，进一步包括：
在固体金属块上的集成电路，其电连接到第一和第二迹线。
87.根据权利要求78的封装，进一步包括：
在固体金属块上的半导体发光器件驱动器集成电路，其电连接到第一和第二迹线。
88.根据权利要求78的封装，进一步包括：
在所述腔中的至少部分地围绕发光器件的光耦合介质。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101958393A (zh) * 2010-08-06 2011-01-26 敬俊 一种发光半导体模块结构及其制作方法
CN102032475A (zh) * 2009-08-23 2011-04-27 彭云滔 一种组合式大功率led灯
CN101552311B (zh) * 2008-04-03 2011-11-30 良峰塑胶机械股份有限公司 发光元件的封装制程
CN102537761A (zh) * 2010-12-15 2012-07-04 奇美电子股份有限公司 直下式发光二极管光源
CN102610586A (zh) * 2011-01-19 2012-07-25 旭德科技股份有限公司 封装载板
CN102646774A (zh) * 2011-02-18 2012-08-22 奇力光电科技股份有限公司 发光二极管元件及其制作方法
CN102683545A (zh) * 2011-03-16 2012-09-19 隆达电子股份有限公司 提升散热效率的光源模块及其嵌入式封装结构
CN102969307A (zh) * 2011-08-29 2013-03-13 新世纪光电股份有限公司 发光二极管结构及其制造方法
CN103931002A (zh) * 2011-01-31 2014-07-16 克里公司 用于倒装芯片安装的水平led的反射安装衬底
CN104081545A (zh) * 2011-12-01 2014-10-01 夸克星有限责任公司 固态照明装置及其制造方法
CN104134740A (zh) * 2014-07-15 2014-11-05 华南理工大学 一种结构一体化的led封装结构
CN104776349A (zh) * 2014-01-14 2015-07-15 索尼公司 发光装置、显示装置和照明装置
CN106300006A (zh) * 2016-10-13 2017-01-04 中国科学院半导体研究所 一种用于激光器芯片阵列封装的热沉
CN110416382A (zh) * 2015-07-21 2019-11-05 福建天电光电有限公司 Led光源的封装方法
CN112420903A (zh) * 2021-01-22 2021-02-26 山东元旭光电股份有限公司 一种发光器件的封装结构

Families Citing this family (283)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7837348B2 (en) 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
US7819549B2 (en) * 2004-05-05 2010-10-26 Rensselaer Polytechnic Institute High efficiency light source using solid-state emitter and down-conversion material
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7473933B2 (en) * 2004-10-29 2009-01-06 Ledengin, Inc. (Cayman) High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement
US7772609B2 (en) * 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
US7670872B2 (en) * 2004-10-29 2010-03-02 LED Engin, Inc. (Cayman) Method of manufacturing ceramic LED packages
US8816369B2 (en) * 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US8324641B2 (en) 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
JP5038147B2 (ja) * 2004-11-18 2012-10-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光体、及び前記発光体を製造する方法
KR100580753B1 (ko) * 2004-12-17 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9412926B2 (en) * 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
US7980743B2 (en) * 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
KR101266130B1 (ko) * 2005-06-23 2013-05-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 단파장 ｌｅｄ들 및 다운-컨버젼 물질들로 백색광을생성하기 위한 패키지 설계
US20060292747A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Loh Ban P Top-surface-mount power light emitter with integral heat sink
KR100653605B1 (ko) * 2005-11-15 2006-12-06 삼성전자주식회사 메탈 코어 히트싱크를 구비하는 반도체 칩 패키지와 그를포함하는 반도체 모듈
EP1979954B1 (en) * 2006-01-24 2015-03-18 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Light-emitting device
KR101210090B1 (ko) * 2006-03-03 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8033692B2 (en) 2006-05-23 2011-10-11 Cree, Inc. Lighting device
WO2007141827A1 (ja) 2006-05-30 2007-12-13 Fujikura Ltd. 発光素子実装用基板、光源、照明装置、表示装置、交通信号機、及び発光素子実装用基板の製造方法
TWI418054B (zh) * 2006-08-08 2013-12-01 Lg Electronics Inc 發光裝置封裝與製造此封裝之方法
EP2056364A4 (en) * 2006-08-11 2013-07-24 Mitsubishi Chem Corp LIGHTING APPARATUS
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US7686469B2 (en) 2006-09-30 2010-03-30 Ruud Lighting, Inc. LED lighting fixture
US9028087B2 (en) 2006-09-30 2015-05-12 Cree, Inc. LED light fixture
US9243794B2 (en) 2006-09-30 2016-01-26 Cree, Inc. LED light fixture with fluid flow to and from the heat sink
US20090086491A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Ruud Lighting, Inc. Aerodynamic LED Floodlight Fixture
US7952262B2 (en) * 2006-09-30 2011-05-31 Ruud Lighting, Inc. Modular LED unit incorporating interconnected heat sinks configured to mount and hold adjacent LED modules
US8497560B2 (en) * 2006-10-06 2013-07-30 Industrial Technology Research Institute LED package and method of assembling the same
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US20080121911A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
CN100433391C (zh) * 2006-11-30 2008-11-12 何永祥 一种采用多孔金属材料作为散热装置的大功率发光二极管
DE102006062066A1 (de) * 2006-12-29 2008-07-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Linsenanordnung und LED-Anzeigevorrichtung
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US20080283864A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Letoquin Ronan P Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices
TW200847469A (en) * 2007-05-23 2008-12-01 Tysun Inc Substrates of curved surface for light emitting diodes
KR100888228B1 (ko) * 2007-06-22 2009-03-12 (주)웨이브닉스이에스피 금속베이스 광소자 패키지 모듈 및 그 제조방법
US20090039382A1 (en) * 2007-08-10 2009-02-12 Iintematix Technology Center Corp. Light emitting diode package structure
US7810956B2 (en) * 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
US20090059594A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-05 Ming-Feng Lin Heat dissipating apparatus for automotive LED lamp
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US20090121244A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Steven Lo LED packaging structure and production method thereof
US9640737B2 (en) 2011-01-31 2017-05-02 Cree, Inc. Horizontal light emitting diodes including phosphor particles
US9660153B2 (en) 2007-11-14 2017-05-23 Cree, Inc. Gap engineering for flip-chip mounted horizontal LEDs
US9754926B2 (en) 2011-01-31 2017-09-05 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
TWI389294B (zh) * 2008-03-07 2013-03-11 Harvatek Corp A package structure for manufacturing a light emitting diode chip which reduces the luminous efficiency of a phosphor due to high temperature and a method of manufacturing the same
TW200941761A (en) * 2008-03-27 2009-10-01 Liung Feng Ind Co Ltd Packaging process of a light emitting component
US8008682B2 (en) * 2008-04-04 2011-08-30 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co. Ltd. Alumina substrate and method of making an alumina substrate
KR100992778B1 (ko) * 2008-05-23 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US7868340B2 (en) * 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
CN101598312A (zh) * 2008-06-06 2009-12-09 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管结构
US20100006873A1 (en) * 2008-06-25 2010-01-14 Soraa, Inc. HIGHLY POLARIZED WHITE LIGHT SOURCE BY COMBINING BLUE LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN WITH YELLOW LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN
TW201000819A (en) * 2008-06-30 2010-01-01 Create Electronic Optical Co Ltd LED illumination device
US7728399B2 (en) * 2008-07-22 2010-06-01 National Semiconductor Corporation Molded optical package with fiber coupling feature
US8981629B2 (en) * 2008-08-26 2015-03-17 Albeo Technologies, Inc. Methods of integrating LED chips with heat sinks, and LED-based lighting assemblies made thereby
US9076951B2 (en) 2008-08-26 2015-07-07 Albeo Technologies, Inc. Methods of integrating LED chips with heat sinks, and LED-based lighting assemblies made thereby
JP4881358B2 (ja) 2008-08-28 2012-02-22 株式会社東芝 発光装置
TW201011936A (en) * 2008-09-05 2010-03-16 Advanced Optoelectronic Tech Light emitting device and fabrication thereof
US8188486B2 (en) * 2008-09-16 2012-05-29 Osram Sylvania Inc. Optical disk for lighting module
US9252336B2 (en) * 2008-09-26 2016-02-02 Bridgelux, Inc. Multi-cup LED assembly
US8075165B2 (en) 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
US8853712B2 (en) 2008-11-18 2014-10-07 Cree, Inc. High efficacy semiconductor light emitting devices employing remote phosphor configurations
WO2010059748A1 (en) * 2008-11-18 2010-05-27 Ringdale, Inc. Led light source assembly with heat sink and heat conductive glass cover
US9052416B2 (en) 2008-11-18 2015-06-09 Cree, Inc. Ultra-high efficacy semiconductor light emitting devices
US8004172B2 (en) 2008-11-18 2011-08-23 Cree, Inc. Semiconductor light emitting apparatus including elongated hollow wavelength conversion tubes and methods of assembling same
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
JP2010171270A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Denka Agsp Kk 発光素子搭載基板および発光素子搭載基板の製造方法
KR101063997B1 (ko) 2009-02-18 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8089085B2 (en) * 2009-02-26 2012-01-03 Bridgelux, Inc. Heat sink base for LEDS
KR100984126B1 (ko) * 2009-03-30 2010-09-28 서울대학교산학협력단 발광소자 코팅 방법, 광커플러 및 광커플러 제조 방법
US8384097B2 (en) 2009-04-08 2013-02-26 Ledengin, Inc. Package for multiple light emitting diodes
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
TWI480962B (zh) * 2009-04-09 2015-04-11 Lextar Electronics Corp 發光二極體封裝以及發光二極體晶圓級封裝製程
US8348460B2 (en) 2009-05-01 2013-01-08 Abl Ip Holding Llc Lighting apparatus with several light units arranged in a heatsink
JP2010267826A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Rohm Co Ltd Ｌｅｄ照明装置および液晶表示装置
US8791499B1 (en) 2009-05-27 2014-07-29 Soraa, Inc. GaN containing optical devices and method with ESD stability
KR101027422B1 (ko) * 2009-06-08 2011-04-11 주식회사 이그잭스 엘이디 어레이 기판
KR101172709B1 (ko) 2009-06-24 2012-08-09 주식회사 이그잭스 엘이디 어레이 기판 및 이의 제조방법
US8530990B2 (en) 2009-07-20 2013-09-10 Sunpower Corporation Optoelectronic device with heat spreader unit
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
JP5936810B2 (ja) * 2009-09-11 2016-06-22 ローム株式会社 発光装置
US8207554B2 (en) * 2009-09-11 2012-06-26 Soraa, Inc. System and method for LED packaging
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
KR101125296B1 (ko) * 2009-10-21 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 라이트 유닛
US8575642B1 (en) 2009-10-30 2013-11-05 Soraa, Inc. Optical devices having reflection mode wavelength material
US8502257B2 (en) 2009-11-05 2013-08-06 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode package
US8304644B2 (en) 2009-11-20 2012-11-06 Sunpower Corporation Device and method for solar power generation
US8809671B2 (en) 2009-12-08 2014-08-19 Sunpower Corporation Optoelectronic device with bypass diode
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
US8399267B2 (en) * 2009-12-26 2013-03-19 Achrolux Inc Methods for packaging light emitting devices and related microelectronic devices
TW201124068A (en) * 2009-12-29 2011-07-01 Ying-Tong Chen Heat dissipating unit having antioxidant nano-film and its method of depositing antioxidant nano-film.
CA2786119A1 (en) * 2009-12-30 2011-07-07 Lumenpulse Lighting Inc. High powered light emitting diode lighting unit
US8283776B2 (en) * 2010-01-26 2012-10-09 Qualcomm Incorporated Microfabricated pillar fins for thermal management
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US20110186874A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 Soraa, Inc. White Light Apparatus and Method
US9024517B2 (en) 2010-03-03 2015-05-05 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration utilizing red emitters
US9310030B2 (en) 2010-03-03 2016-04-12 Cree, Inc. Non-uniform diffuser to scatter light into uniform emission pattern
US9500325B2 (en) * 2010-03-03 2016-11-22 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features
US20110227102A1 (en) * 2010-03-03 2011-09-22 Cree, Inc. High efficacy led lamp with remote phosphor and diffuser configuration
US9316361B2 (en) 2010-03-03 2016-04-19 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration
US10359151B2 (en) * 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US9625105B2 (en) * 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US8882284B2 (en) 2010-03-03 2014-11-11 Cree, Inc. LED lamp or bulb with remote phosphor and diffuser configuration with enhanced scattering properties
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US9057511B2 (en) 2010-03-03 2015-06-16 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US8562161B2 (en) 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
US9062830B2 (en) * 2010-03-03 2015-06-23 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US8931933B2 (en) * 2010-03-03 2015-01-13 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
CN102194961A (zh) * 2010-03-04 2011-09-21 展晶科技(深圳)有限公司 半导体发光组件封装结构
US9991427B2 (en) * 2010-03-08 2018-06-05 Cree, Inc. Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices
US8552438B2 (en) 2010-03-25 2013-10-08 Micron Technology, Inc. Multi-lens solid state lighting devices
JP2011204888A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Panasonic Corp 発光装置及びそれを用いたバックライトモジュール
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
JP5522462B2 (ja) * 2010-04-20 2014-06-18 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
WO2011133973A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Cree, Inc. Light emitting device array assemblies and related methods
US9911882B2 (en) 2010-06-24 2018-03-06 Sunpower Corporation Passive flow accelerator
WO2012001938A1 (ja) * 2010-06-28 2012-01-05 パナソニック株式会社 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
JP2012015148A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄ照明装置
US8604404B1 (en) 2010-07-01 2013-12-10 Sunpower Corporation Thermal tracking for solar systems
JP2012015466A (ja) * 2010-07-05 2012-01-19 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
CN102315371A (zh) 2010-07-05 2012-01-11 松下电工株式会社 发光装置
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
US8563849B2 (en) 2010-08-03 2013-10-22 Sunpower Corporation Diode and heat spreader for solar module
US8336539B2 (en) 2010-08-03 2012-12-25 Sunpower Corporation Opposing row linear concentrator architecture
US9897346B2 (en) 2010-08-03 2018-02-20 Sunpower Corporation Opposing row linear concentrator architecture
US20140055989A1 (en) * 2010-08-10 2014-02-27 Relume Technologies, Inc. L.e.d. light emitting assembly with composite heat sink
US8937324B2 (en) * 2010-08-30 2015-01-20 Bridgelux, Inc. Light-emitting device array with individual cells
US9373606B2 (en) 2010-08-30 2016-06-21 Bridgelux, Inc. Light-emitting device array with individual cells
DE102010045783A1 (de) * 2010-09-17 2012-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Trägersubstrat für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement
WO2012039168A1 (ja) * 2010-09-21 2012-03-29 日本電気株式会社 蛍光体発光装置
JP2012069589A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Toshiba Corp 発光装置
US8803452B2 (en) 2010-10-08 2014-08-12 Soraa, Inc. High intensity light source
JP5320374B2 (ja) * 2010-11-09 2013-10-23 株式会社東芝 発光装置の製造方法
US8896235B1 (en) 2010-11-17 2014-11-25 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
US8541951B1 (en) 2010-11-17 2013-09-24 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
US9246037B2 (en) 2010-12-03 2016-01-26 Sunpower Corporation Folded fin heat sink
KR101883839B1 (ko) * 2010-12-07 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
US8893713B2 (en) 2010-12-22 2014-11-25 Sunpower Corporation Locating connectors and methods for mounting solar hardware
US8839784B2 (en) 2010-12-22 2014-09-23 Sunpower Corporation Locating connectors and methods for mounting solar hardware
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
TW201227920A (en) * 2010-12-31 2012-07-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd LED package substrate and fabrication method thereof
KR20120082192A (ko) * 2011-01-13 2012-07-23 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지
US9068701B2 (en) 2012-01-26 2015-06-30 Cree, Inc. Lamp structure with remote LED light source
US9234655B2 (en) 2011-02-07 2016-01-12 Cree, Inc. Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements
US10036544B1 (en) 2011-02-11 2018-07-31 Soraa, Inc. Illumination source with reduced weight
US8643257B2 (en) * 2011-02-11 2014-02-04 Soraa, Inc. Illumination source with reduced inner core size
US8618742B2 (en) * 2011-02-11 2013-12-31 Soraa, Inc. Illumination source and manufacturing methods
US8525396B2 (en) * 2011-02-11 2013-09-03 Soraa, Inc. Illumination source with direct die placement
US8324835B2 (en) * 2011-02-11 2012-12-04 Soraa, Inc. Modular LED lamp and manufacturing methods
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
CN102683538B (zh) * 2011-03-06 2016-06-08 维亚甘有限公司 发光二极管封装和制造方法
US10147853B2 (en) * 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
DE102011006643A1 (de) * 2011-04-01 2012-10-04 Osram Ag Optisches Element und Leuchtvorrichtung
DE102011017580B4 (de) 2011-04-27 2023-04-06 Zumtobel Lighting Gmbh Leuchte
TWI435030B (zh) * 2011-05-06 2014-04-21 Univ Nat Central 高指向性光源裝置
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
TW201250953A (en) * 2011-06-13 2012-12-16 Lextar Electronics Corp Thermal conductive package unit ans frame structure thereof
JP5828068B2 (ja) * 2011-06-17 2015-12-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄユニット
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
US8480267B2 (en) * 2011-06-28 2013-07-09 Osram Sylvania Inc. LED lighting apparatus, systems and methods of manufacture
US9038421B2 (en) 2011-07-01 2015-05-26 Sunpower Corporation Glass-bending apparatus and method
US9845943B2 (en) * 2011-07-22 2017-12-19 Guardian Glass, LLC Heat management subsystems for LED lighting systems, LED lighting systems including heat management subsystems, and/or methods of making the same
JP2013030598A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 発熱デバイス
KR101880058B1 (ko) * 2011-08-30 2018-07-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 장치
US9488324B2 (en) 2011-09-02 2016-11-08 Soraa, Inc. Accessories for LED lamp systems
US9109760B2 (en) 2011-09-02 2015-08-18 Soraa, Inc. Accessories for LED lamps
US20130069218A1 (en) * 2011-09-20 2013-03-21 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd. High density package interconnect with copper heat spreader and method of making the same
US8796535B2 (en) 2011-09-30 2014-08-05 Sunpower Corporation Thermal tracking for solar systems
US8884517B1 (en) 2011-10-17 2014-11-11 Soraa, Inc. Illumination sources with thermally-isolated electronics
CN102347438B (zh) * 2011-10-29 2013-06-05 华南师范大学 用金刚石粉-铜粉复合材料散热的发光二极管照明装置
CN102403418A (zh) * 2011-11-09 2012-04-04 东莞勤上光电股份有限公司 一种大功率led的散热结构的制作方法
US20130126922A1 (en) * 2011-11-21 2013-05-23 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Light emitting diode incorporating light converting material
US8617927B1 (en) 2011-11-29 2013-12-31 Hrl Laboratories, Llc Method of mounting electronic chips
WO2013085024A1 (ja) * 2011-12-07 2013-06-13 株式会社神戸製鋼所 Ｌｅｄ照明用ヒートシンク及びその製造方法
CN104066319B (zh) 2011-12-14 2017-09-05 万斯创新公司 水产养殖照明装置和方法
US9035168B2 (en) 2011-12-21 2015-05-19 Sunpower Corporation Support for solar energy collectors
US8528366B2 (en) 2011-12-22 2013-09-10 Sunpower Corporation Heat-regulating glass bending apparatus and method
US9151477B2 (en) 2012-02-03 2015-10-06 Cree, Inc. Lighting device and method of installing light emitter
US9151457B2 (en) 2012-02-03 2015-10-06 Cree, Inc. Lighting device and method of installing light emitter
JP5992695B2 (ja) * 2012-02-29 2016-09-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイ及び車両用灯具
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
US10054274B2 (en) 2012-03-23 2018-08-21 Cree, Inc. Direct attach ceiling-mounted solid state downlights
US9310038B2 (en) 2012-03-23 2016-04-12 Cree, Inc. LED fixture with integrated driver circuitry
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
US8746947B2 (en) * 2012-03-27 2014-06-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module, LCD device and light source of backlight module
US9397611B2 (en) 2012-03-27 2016-07-19 Sunpower Corporation Photovoltaic systems with local maximum power point tracking prevention and methods for operating same
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
US8985794B1 (en) 2012-04-17 2015-03-24 Soraa, Inc. Providing remote blue phosphors in an LED lamp
US9496197B1 (en) 2012-04-20 2016-11-15 Hrl Laboratories, Llc Near junction cooling for GaN devices
DE102012104035A1 (de) * 2012-05-08 2013-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und derart hergestelltes Halbleiterbauelement
US10436422B1 (en) 2012-05-14 2019-10-08 Soraa, Inc. Multi-function active accessories for LED lamps
US9310052B1 (en) 2012-09-28 2016-04-12 Soraa, Inc. Compact lens for high intensity light source
US9995439B1 (en) 2012-05-14 2018-06-12 Soraa, Inc. Glare reduced compact lens for high intensity light source
US9360190B1 (en) 2012-05-14 2016-06-07 Soraa, Inc. Compact lens for high intensity light source
US10468565B2 (en) 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces
US9818919B2 (en) 2012-06-11 2017-11-14 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
US9887327B2 (en) 2012-06-11 2018-02-06 Cree, Inc. LED package with encapsulant having curved and planar surfaces
US10424702B2 (en) 2012-06-11 2019-09-24 Cree, Inc. Compact LED package with reflectivity layer
CN104379987B (zh) * 2012-08-02 2017-07-28 日亚化学工业株式会社 波长转换装置
FI20125933A (fi) * 2012-09-08 2014-03-09 Lumichip Ltd LED-chip-on-board-komponentti ja -valaistusmoduuli
US8636198B1 (en) 2012-09-28 2014-01-28 Sunpower Corporation Methods and structures for forming and improving solder joint thickness and planarity control features for solar cells
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US9215764B1 (en) 2012-11-09 2015-12-15 Soraa, Inc. High-temperature ultra-low ripple multi-stage LED driver and LED control circuits
TWM450831U (zh) * 2012-11-23 2013-04-11 Helio Optoelectronics Corp 具有散熱單元之高亮度發光二極體燈具結構
TWM450828U (zh) * 2012-12-14 2013-04-11 Litup Technology Co Ltd 熱電分離的發光二極體模組和相關的散熱載板
US9602807B2 (en) 2012-12-19 2017-03-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Single frequency time of flight de-aliasing
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
TWI573245B (zh) * 2012-12-24 2017-03-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體燈條
US9565782B2 (en) 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
US9267661B1 (en) 2013-03-01 2016-02-23 Soraa, Inc. Apportioning optical projection paths in an LED lamp
US9435525B1 (en) 2013-03-08 2016-09-06 Soraa, Inc. Multi-part heat exchanger for LED lamps
WO2014160470A2 (en) * 2013-03-13 2014-10-02 Albeo Technologies, Inc. Methods of integrating led chips with heat sinks, and led-based lighting assemblies made thereby
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
US9470395B2 (en) 2013-03-15 2016-10-18 Abl Ip Holding Llc Optic for a light source
WO2014175062A1 (ja) * 2013-04-24 2014-10-30 富士電機株式会社 パワー半導体モジュールおよびその製造方法、電力変換器
JP2016518030A (ja) * 2013-04-29 2016-06-20 アーベーベー・テクノロジー・アーゲー パワー半導体装置のモジュール配列
US10079160B1 (en) 2013-06-21 2018-09-18 Hrl Laboratories, Llc Surface mount package for semiconductor devices with embedded heat spreaders
KR20150001268A (ko) * 2013-06-27 2015-01-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
JP5846176B2 (ja) * 2013-09-25 2016-01-20 岩崎電気株式会社 ランプ
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
CN104157775A (zh) * 2014-06-17 2014-11-19 京东方光科技有限公司 一种led照明装置及封装方法
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US9554562B2 (en) 2014-08-07 2017-01-31 Once Innovations, Inc. Lighting system and control for experimenting in aquaculture
TWI623117B (zh) * 2014-08-20 2018-05-01 鴻海精密工業股份有限公司 Led封裝結構
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
US10495268B1 (en) * 2014-10-31 2019-12-03 The Regents Of The University Of California High intensity solid state white emitter which is laser driven and uses single crystal, ceramic or polycrystalline phosphors
US9337124B1 (en) 2014-11-04 2016-05-10 Hrl Laboratories, Llc Method of integration of wafer level heat spreaders and backside interconnects on microelectronics wafers
EP3224874B1 (en) 2014-11-26 2019-04-24 LedEngin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
DE102015000063A1 (de) * 2015-01-12 2016-07-14 Micronas Gmbh IC-Gehäuse
US9869450B2 (en) 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
CN107210582B (zh) * 2015-02-16 2020-04-03 三菱电机株式会社 半导体激光光源装置、半导体激光光源系统及影像显示装置
JP6458991B2 (ja) * 2015-02-23 2019-01-30 東芝ライテック株式会社 車両用照明装置および車両用灯具
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
US9385083B1 (en) 2015-05-22 2016-07-05 Hrl Laboratories, Llc Wafer-level die to package and die to die interconnects suspended over integrated heat sinks
FR3036918B1 (fr) * 2015-05-29 2018-08-10 Thales Carte electronique et procede de fabrication associe
US10629513B2 (en) * 2015-06-04 2020-04-21 Eaton Intelligent Power Limited Ceramic plated materials for electrical isolation and thermal transfer
US10012354B2 (en) 2015-06-26 2018-07-03 Cree, Inc. Adjustable retrofit LED troffer
EP3116039B1 (en) * 2015-07-06 2019-10-16 LG Electronics Inc. Light source module, fabrication method therefor, and lighting device including the same
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
EP3125008A1 (en) * 2015-07-29 2017-02-01 CCS Technology Inc. Method to manufacture optoelectronic modules
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
US10026672B1 (en) 2015-10-21 2018-07-17 Hrl Laboratories, Llc Recursive metal embedded chip assembly
US9508652B1 (en) 2015-11-24 2016-11-29 Hrl Laboratories, Llc Direct IC-to-package wafer level packaging with integrated thermal heat spreaders
WO2017131719A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 Ecosense Lighting Inc. Zoned optical cup
US11044895B2 (en) 2016-05-11 2021-06-29 Signify North America Corporation System and method for promoting survival rate in larvae
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
US10193018B2 (en) * 2016-12-29 2019-01-29 Intel Corporation Compact low power head-mounted display with light emitting diodes that exhibit a desired beam angle
KR102369188B1 (ko) * 2017-07-26 2022-03-02 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
TWI688118B (zh) * 2017-09-29 2020-03-11 李宜臻 金屬陶瓷複合料帶結構及其製造方法與使用其之發光二極體
US10062822B1 (en) * 2017-12-01 2018-08-28 Lite-On Singapore Pte. Ltd. Light-emitting diode package structure with an improved structure, light-emitting device using the same, and method of making the same
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
WO2020095481A1 (ja) * 2018-11-08 2020-05-14 京セラ株式会社 発光素子収納用基板および発光装置
US11145689B2 (en) * 2018-11-29 2021-10-12 Creeled, Inc. Indicia for light emitting diode chips
US10950562B1 (en) 2018-11-30 2021-03-16 Hrl Laboratories, Llc Impedance-matched through-wafer transition using integrated heat-spreader technology
KR102112327B1 (ko) * 2018-12-04 2020-05-18 주식회사 엠디엠 입체 구조물의 표면에 회로 패턴을 형성하는 방법
JP7460898B2 (ja) * 2020-04-24 2024-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2021258006A1 (en) * 2020-06-18 2021-12-23 Myotek Industries Multi-injection molded optical grade silicone lens and method for producing incorporating a glow in the dark phosphor material
CN113054042B (zh) * 2021-03-15 2022-07-08 河南城建学院 一种具有衬底结构的光电子半导体器件
US20220329048A1 (en) * 2021-04-09 2022-10-13 Lawrence Livermore National Security, Llc System and method for laser diode array having integrated microchannel cooling
WO2022251021A1 (en) * 2021-05-28 2022-12-01 Corning Incorporated Substrates for led display heat dissipation
US20230142729A1 (en) * 2021-11-08 2023-05-11 Analog Devices, Inc. Integrated device package with an integrated heat sink

Family Cites Families (218)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4042552A (en) * 1972-09-19 1977-08-16 Warner-Lambert Company Composition for hydrophilic lens blank and method of casting
US4107238A (en) * 1976-01-22 1978-08-15 Exxon Research & Engineering Co. Graft copolymerization process
US4141941A (en) * 1977-09-21 1979-02-27 American Optical Corporation Contact lens casting method
US4561004A (en) * 1979-10-26 1985-12-24 Texas Instruments High density, electrically erasable, floating gate memory cell
US4562018A (en) 1985-01-28 1985-12-31 Neefe Charles W Method of casting optical surfaces on lens blanks
US4650922A (en) * 1985-03-11 1987-03-17 Texas Instruments Incorporated Thermally matched mounting substrate
US4826424A (en) * 1985-09-25 1989-05-02 Canon Kabushiki Kaisha Lens barrel made by injection molding
US5753730A (en) * 1986-12-15 1998-05-19 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Plastic lenses having a high-refractive index, process for the preparation thereof and casting polymerization process for preparing sulfur-containing urethane resin lens and lens prepared thereby
US4794048A (en) 1987-05-04 1988-12-27 Allied-Signal Inc. Ceramic coated metal substrates for electronic applications
US4935665A (en) * 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
JPH01100175U (zh) * 1987-12-24 1989-07-05
DE68916070T2 (de) * 1988-03-16 1994-10-13 Mitsubishi Rayon Co Phosphorpastenzusammensetzungen und damit erhaltene Überzüge.
CN1046741A (zh) 1988-04-30 1990-11-07 三井东圧化学株式会社 以多硫化物为基础的树脂，含有该树脂的塑料透镜以及制造该种透镜的方法
EP0561481B1 (en) * 1988-11-02 1997-01-08 Btg International Limited Contact lens cast moulding and packaging
US4918497A (en) * 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) * 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
KR910003735B1 (ko) * 1988-12-17 1991-06-10 삼성전자 주식회사 발광장치
US5024966A (en) * 1988-12-21 1991-06-18 At&T Bell Laboratories Method of forming a silicon-based semiconductor optical device mount
JPH02229057A (ja) * 1989-03-01 1990-09-11 Ricoh Co Ltd Ｌｅｄアレイヘッド
US5087949A (en) * 1989-06-27 1992-02-11 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with diagonal faces
US4966862A (en) * 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
NL9000161A (nl) 1990-01-23 1991-08-16 Koninkl Philips Electronics Nv Halfgeleiderinrichting bevattende een drager en werkwijze voor het vervaardigen van de drager.
US5210051A (en) * 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5110278A (en) * 1990-11-30 1992-05-05 Pilkington Visioncare, Inc. Injection molding apparatus for producing a toric lens casting mold arbor
US5166815A (en) * 1991-02-28 1992-11-24 Novatel Communications, Ltd. Liquid crystal display and reflective diffuser therefor including a reflection cavity section and an illumination cavity section
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung
DE9207549U1 (zh) * 1992-06-04 1992-08-20 Taiwan Liton Electronic Co., Ltd., Taipeh/T'ai-Pei, Tw
JP3316252B2 (ja) * 1993-04-27 2002-08-19 三洋電機株式会社 光プリントヘッド
JP3315196B2 (ja) * 1993-05-24 2002-08-19 株式会社リコー Ｌｅｄプリントヘッド
JPH06334167A (ja) * 1993-05-26 1994-12-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体素子集積回路装置
US5416342A (en) * 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5338944A (en) * 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5393993A (en) * 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
US5604135A (en) * 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) * 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) * 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
JPH08156325A (ja) * 1994-12-08 1996-06-18 Koudenshi Kogyo Kenkyusho:Kk ダイナミック駆動式ｌｅｄプリントヘッド
US5739554A (en) * 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
JPH0950728A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Fuji Polymertech Kk 照光式スイッチ
DK0989539T3 (da) 1995-12-29 2002-10-07 Cree Inc Pixel med LEDs, der har øvre kontakter i et plan, og displays omfattende samme
JP2947156B2 (ja) * 1996-02-29 1999-09-13 双葉電子工業株式会社 蛍光体の製造方法
JP3264615B2 (ja) 1996-02-29 2002-03-11 ホーヤ株式会社 プラスチックレンズの射出成形方法
JPH09293904A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄパッケージ
KR20040111701A (ko) * 1996-06-26 2004-12-31 지멘스 악티엔게젤샤프트 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5857767A (en) * 1996-09-23 1999-01-12 Relume Corporation Thermal management system for L.E.D. arrays
JPH1098215A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード装置
US5851063A (en) 1996-10-28 1998-12-22 General Electric Company Light-emitting diode white light source
JPH10145476A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Casio Comput Co Ltd 表示部及び操作部付き電子機器
US5857797A (en) * 1996-12-17 1999-01-12 H.C. Miller Company Loose leaf binder including an exterior picture frame
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US5882553A (en) * 1997-06-09 1999-03-16 Guide Corporation Multi-color lens assembly injection molding process and apparatus
US5968422A (en) * 1997-06-30 1999-10-19 Bausch & Lomb Incorporated Injection molding process for rotationally asymmetric contact lens surfaces
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JP3065286B2 (ja) * 1997-09-24 2000-07-17 日本電気株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
JPH11163419A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Rohm Co Ltd 発光装置
US6105177A (en) * 1997-12-26 2000-08-22 Paulson Manufacturing Corp. Protective goggles
JP3241338B2 (ja) 1998-01-26 2001-12-25 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP3541709B2 (ja) 1998-02-17 2004-07-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP3490906B2 (ja) 1998-09-22 2004-01-26 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
ES2299260T5 (es) 1998-09-28 2011-12-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sistema de iluminación.
US6404125B1 (en) * 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6391231B1 (en) * 1998-11-23 2002-05-21 Younger Mfg. Co. Method for side-fill lens casting
US6177688B1 (en) * 1998-11-24 2001-01-23 North Carolina State University Pendeoepitaxial gallium nitride semiconductor layers on silcon carbide substrates
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP3667125B2 (ja) 1998-12-07 2005-07-06 日亜化学工業株式会社 光半導体装置とその製造方法
JP3613041B2 (ja) 1998-12-16 2005-01-26 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US6373188B1 (en) * 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
US6329676B1 (en) 1999-03-01 2001-12-11 Toru Takayama Flat panel solid state light source
JP2000353826A (ja) 1999-06-09 2000-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置および光照射装置
JP2000353827A (ja) 1999-06-09 2000-12-19 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
EP1059667A3 (en) 1999-06-09 2007-07-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US6504301B1 (en) * 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
US6824294B2 (en) 1999-09-24 2004-11-30 Cao Group, Inc. Light for use in activating light-activated materials, the light having a plurality of chips mounted in a gross well of a heat sink, and a dome covering the chips
US6783362B2 (en) * 1999-09-24 2004-08-31 Cao Group, Inc. Dental curing light using primary and secondary heat sink combination
JP2001144334A (ja) 1999-11-17 2001-05-25 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体装置及び形成方法
JP3685057B2 (ja) 1999-12-08 2005-08-17 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄランプ及びその製造方法
JP2003516558A (ja) 1999-12-09 2003-05-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光ダイオード光源を具えた表示システム
DE10006738C2 (de) * 2000-02-15 2002-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung
JP4406490B2 (ja) * 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
US6522065B1 (en) * 2000-03-27 2003-02-18 General Electric Company Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device
US6517218B2 (en) * 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
ATE268533T1 (de) 2000-04-17 2004-06-15 Nagravision Sa System und methode für sichere datenübertragung
GB2361581A (en) * 2000-04-20 2001-10-24 Lite On Electronics Inc A light emitting diode device
TW528169U (en) * 2000-05-04 2003-04-11 Koninkl Philips Electronics Nv Assembly of a display device and an illumination system
JP4695819B2 (ja) 2000-05-29 2011-06-08 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング Ｌｅｄをベースとする白色発光照明ユニット
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP4386693B2 (ja) 2000-05-31 2009-12-16 パナソニック株式会社 Ｌｅｄランプおよびランプユニット
US6737801B2 (en) 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
JP3589187B2 (ja) 2000-07-31 2004-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の形成方法
US6355524B1 (en) * 2000-08-15 2002-03-12 Mosel Vitelic, Inc. Nonvolatile memory structures and fabrication methods
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
TW521409B (en) * 2000-10-06 2003-02-21 Shing Chen Package of LED
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP3636079B2 (ja) 2001-01-26 2005-04-06 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体と発光装置
GB2371629A (en) 2001-01-30 2002-07-31 Mark Johnson Light diffuser of foamed polymer
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
JP4066608B2 (ja) 2001-03-16 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及びその製造方法
JP2002278674A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Polymatech Co Ltd リサイクル性の高いキートップ付キーパッドおよびその分離方法
US6874910B2 (en) * 2001-04-12 2005-04-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using LED, and method of producing same
JP3891115B2 (ja) * 2001-04-17 2007-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3940596B2 (ja) 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
JP3736679B2 (ja) 2001-07-18 2006-01-18 日立エーアイシー株式会社 プリント配線板
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
TW552726B (en) 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
US20030032212A1 (en) * 2001-08-07 2003-02-13 Bily Wang LED focusing cup in a stacked substrate
JP2003051620A (ja) 2001-08-08 2003-02-21 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
EP3078899B1 (en) * 2001-08-09 2020-02-12 Everlight Electronics Co., Ltd Led illuminator and card type led illuminating light source
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
JP4014377B2 (ja) * 2001-09-03 2007-11-28 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプ
JP3645207B2 (ja) 2001-09-03 2005-05-11 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP4122743B2 (ja) 2001-09-19 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置
US20050073846A1 (en) * 2001-09-27 2005-04-07 Kenji Takine Lightemitting device and method of manufacturing the same
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
US6498355B1 (en) 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US6531328B1 (en) * 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
KR100671990B1 (ko) 2001-10-25 2007-01-24 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 복합박막 보유기판, 투명도전성막 보유기판 및 면발광체
JP4108318B2 (ja) 2001-11-13 2008-06-25 シチズン電子株式会社 発光装置
US6734465B1 (en) * 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
JP2003163378A (ja) 2001-11-26 2003-06-06 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US20030128313A1 (en) * 2001-12-14 2003-07-10 Eastman Kodak Company Light diffusion material with color temperature correction
EP2420872A3 (en) 2001-12-14 2012-05-02 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Uniform illumination system
KR100439402B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
US6480389B1 (en) 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
JP2003234509A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US20030153861A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-14 Royer George R. Wound treatment bandage
JP2003243718A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP4269709B2 (ja) 2002-02-19 2009-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US6639356B2 (en) * 2002-03-28 2003-10-28 Unity Opto Technology Co., Ltd. Heat dissipating light emitting diode
JP4023723B2 (ja) 2002-04-05 2007-12-19 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオード
AU2003215839A1 (en) 2002-04-25 2003-11-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Compact lighting system and display device
US8100552B2 (en) * 2002-07-12 2012-01-24 Yechezkal Evan Spero Multiple light-source illuminating system
EP1535299B1 (en) * 2002-07-16 2009-11-18 odelo GmbH White led headlight
DE10233050B4 (de) * 2002-07-19 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle auf LED-Basis für die Erzeugung von Licht unter Ausnutzung des Farbmischprinzips
US6599768B1 (en) * 2002-08-20 2003-07-29 United Epitaxy Co., Ltd. Surface mounting method for high power light emitting diode
WO2004021461A2 (en) * 2002-08-30 2004-03-11 Gelcore Llc Phosphor-coated led with improved efficiency
US20040041757A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-04 Ming-Hsiang Yang Light emitting diode display module with high heat-dispersion and the substrate thereof
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
WO2004027884A1 (en) * 2002-09-19 2004-04-01 Cree, Inc. Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor
US6744077B2 (en) * 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
US6686609B1 (en) * 2002-10-01 2004-02-03 Ultrastar Limited Package structure of surface mounting led and method of manufacturing the same
US6747310B2 (en) * 2002-10-07 2004-06-08 Actrans System Inc. Flash memory cells with separated self-aligned select and erase gates, and process of fabrication
US6958860B2 (en) * 2002-10-07 2005-10-25 Eastman Kodak Company Voided polymer film containing layered particulates
TW563264B (en) * 2002-10-11 2003-11-21 Highlink Technology Corp Base of optoelectronic device
JP4294295B2 (ja) 2002-11-06 2009-07-08 株式会社小糸製作所 車両用前照灯
US20040095738A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Der-Ming Juang Base plate for a light emitting diode chip
US6917057B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Gelcore Llc Layered phosphor coatings for LED devices
US7091653B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
US6885033B2 (en) * 2003-03-10 2005-04-26 Cree, Inc. Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same
JP4110524B2 (ja) 2003-03-20 2008-07-02 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
US7157745B2 (en) * 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
CN100511732C (zh) * 2003-06-18 2009-07-08 丰田合成株式会社 发光器件
KR101001040B1 (ko) 2003-06-30 2010-12-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시모듈과 그의 구동장치
JP2005056653A (ja) 2003-08-01 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd 光源装置
TWI233697B (en) 2003-08-28 2005-06-01 Genesis Photonics Inc AlInGaN light-emitting diode with wide spectrum and solid-state white light device
US6921927B2 (en) 2003-08-28 2005-07-26 Agilent Technologies, Inc. System and method for enhanced LED thermal conductivity
US7482638B2 (en) * 2003-08-29 2009-01-27 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package for a semiconductor light emitting device
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US7029935B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
CN1601768A (zh) * 2003-09-22 2005-03-30 福建省苍乐电子企业有限公司 一种发光二极管结构
JP4458804B2 (ja) 2003-10-17 2010-04-28 シチズン電子株式会社 白色ｌｅｄ
US6841804B1 (en) 2003-10-27 2005-01-11 Formosa Epitaxy Incorporation Device of white light-emitting diode
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US7252408B2 (en) * 2004-07-19 2007-08-07 Lamina Ceramics, Inc. LED array package with internal feedback and control
KR100638611B1 (ko) * 2004-08-12 2006-10-26 삼성전기주식회사 다중 렌즈 발광 다이오드
US7737459B2 (en) 2004-09-22 2010-06-15 Cree, Inc. High output group III nitride light emitting diodes
JP4922555B2 (ja) * 2004-09-24 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ装置
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US20060124953A1 (en) 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
US7322732B2 (en) * 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US8288942B2 (en) 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
US8125137B2 (en) * 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
TWI256737B (en) 2005-05-19 2006-06-11 Pi-Fu Yang One-block light-emitting device and manufacturing method thereof
EP1964104A4 (en) 2005-12-21 2012-01-11 Cree Inc SHIELD AND LIGHTING PROCEDURE
CN101460779A (zh) 2005-12-21 2009-06-17 科锐Led照明技术公司 照明装置
US7768192B2 (en) 2005-12-21 2010-08-03 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US7213940B1 (en) * 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
US7614759B2 (en) 2005-12-22 2009-11-10 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
US8264138B2 (en) 2006-01-20 2012-09-11 Cree, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
EP1977630A4 (en) 2006-01-25 2012-02-15 Cree Inc CIRCUIT FOR LIGHTING DEVICE AND METHOD OF LIGHTING
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
EP2052589A4 (en) 2006-04-18 2012-09-19 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD
US7997745B2 (en) 2006-04-20 2011-08-16 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2007130536A2 (en) 2006-05-05 2007-11-15 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
US8033692B2 (en) 2006-05-23 2011-10-11 Cree, Inc. Lighting device
JP2009538531A (ja) 2006-05-23 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置、および、製造方法
WO2007139894A2 (en) 2006-05-26 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
US8596819B2 (en) 2006-05-31 2013-12-03 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
CN101454613A (zh) 2006-05-31 2009-06-10 科锐Led照明科技公司 具有颜色控制的照明装置及其照明方法
KR101548743B1 (ko) 2006-05-31 2015-08-31 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
EP3624560A1 (en) 2006-08-23 2020-03-18 IDEAL Industries Lighting LLC Lighting device and lighting method
EP2066968B1 (en) 2006-09-18 2016-04-27 Cree, Inc. Lighting devices, lighting assemblies, fixtures and methods using same
US8827507B2 (en) 2006-09-21 2014-09-09 Cree, Inc. Lighting assemblies, methods of installing same, and methods of replacing lights
EP2074665A2 (en) 2006-10-12 2009-07-01 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making same
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7901111B2 (en) 2006-11-30 2011-03-08 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008073794A1 (en) 2006-12-07 2008-06-19 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
KR101499269B1 (ko) 2007-02-22 2015-03-09 크리, 인코포레이티드 발광 장치, 발광 방법, 광 필터 및 광 필터링 방법
US7824070B2 (en) 2007-03-22 2010-11-02 Cree, Inc. LED lighting fixture
WO2008137977A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
TWI422785B (zh) 2007-05-08 2014-01-11 Cree Inc 照明裝置及照明方法
WO2008137983A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008137974A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
CN101711325B (zh) 2007-05-08 2013-07-10 科锐公司 照明装置和照明方法
US8403531B2 (en) 2007-05-30 2013-03-26 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
WO2009049019A1 (en) 2007-10-10 2009-04-16 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
US8350461B2 (en) 2008-03-28 2013-01-08 Cree, Inc. Apparatus and methods for combining light emitters

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101552311B (zh) * 2008-04-03 2011-11-30 良峰塑胶机械股份有限公司 发光元件的封装制程
CN102032475A (zh) * 2009-08-23 2011-04-27 彭云滔 一种组合式大功率led灯
CN101958393A (zh) * 2010-08-06 2011-01-26 敬俊 一种发光半导体模块结构及其制作方法
CN102537761A (zh) * 2010-12-15 2012-07-04 奇美电子股份有限公司 直下式发光二极管光源
CN102610586A (zh) * 2011-01-19 2012-07-25 旭德科技股份有限公司 封装载板
CN102610586B (zh) * 2011-01-19 2015-09-02 旭德科技股份有限公司 封装载板
CN103931002A (zh) * 2011-01-31 2014-07-16 克里公司 用于倒装芯片安装的水平led的反射安装衬底
CN102646774A (zh) * 2011-02-18 2012-08-22 奇力光电科技股份有限公司 发光二极管元件及其制作方法
CN102683545A (zh) * 2011-03-16 2012-09-19 隆达电子股份有限公司 提升散热效率的光源模块及其嵌入式封装结构
TWI464929B (zh) * 2011-03-16 2014-12-11 Lextar Electronics Corp 提昇散熱效率之光源模組及其嵌入式封裝結構
CN102969307A (zh) * 2011-08-29 2013-03-13 新世纪光电股份有限公司 发光二极管结构及其制造方法
CN102969307B (zh) * 2011-08-29 2015-10-28 新世纪光电股份有限公司 发光二极管结构及其制造方法
CN104081545A (zh) * 2011-12-01 2014-10-01 夸克星有限责任公司 固态照明装置及其制造方法
CN104776349A (zh) * 2014-01-14 2015-07-15 索尼公司 发光装置、显示装置和照明装置
CN104776349B (zh) * 2014-01-14 2019-02-19 索尼公司 发光装置、显示装置和照明装置
CN104134740A (zh) * 2014-07-15 2014-11-05 华南理工大学 一种结构一体化的led封装结构
CN104134740B (zh) * 2014-07-15 2017-01-25 华南理工大学 一种结构一体化的led封装结构
CN110416382A (zh) * 2015-07-21 2019-11-05 福建天电光电有限公司 Led光源的封装方法
CN110416382B (zh) * 2015-07-21 2023-03-31 福建天电光电有限公司 Led光源的封装方法
CN106300006A (zh) * 2016-10-13 2017-01-04 中国科学院半导体研究所 一种用于激光器芯片阵列封装的热沉
CN112420903A (zh) * 2021-01-22 2021-02-26 山东元旭光电股份有限公司 一种发光器件的封装结构
CN112420903B (zh) * 2021-01-22 2022-04-29 山东元旭光电股份有限公司 一种发光器件的封装结构

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070070183A (ko) 2007-07-03
US8598606B2 (en) 2013-12-03
EP2151873A3 (en) 2010-03-24
WO2006046981A2 (en) 2006-05-04
US20110210360A1 (en) 2011-09-01
TW201424046A (zh) 2014-06-16
TW200618341A (en) 2006-06-01
JP2012089870A (ja) 2012-05-10
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