CN101137911A - 使用温度可调的卡盘设备来测试半导体晶片的方法和装置 - Google Patents

使用温度可调的卡盘设备来测试半导体晶片的方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101137911A
CN101137911A CNA2006800019567A CN200680001956A CN101137911A CN 101137911 A CN101137911 A CN 101137911A CN A2006800019567 A CNA2006800019567 A CN A2006800019567A CN 200680001956 A CN200680001956 A CN 200680001956A CN 101137911 A CN101137911 A CN 101137911A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
power
semiconductor wafer
fluid
equipment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800019567A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101137911B (zh
Inventor
埃里希·赖廷格
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ERS electronic GmbH
Original Assignee
埃里希·赖廷格
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=36274039&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN101137911(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 埃里希·赖廷格 filed Critical 埃里希·赖廷格
Publication of CN101137911A publication Critical patent/CN101137911A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101137911B publication Critical patent/CN101137911B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Abstract

本发明提供了一种使用温度可调夹紧设备(1)来测试半导体晶片(5)的方法，包括如下步骤：使用具有预定加热功率(PW)的电加热设备(HE)和具有预定冷却能力(PK)的冷却设备(11a，11b，11c)，将夹紧设备的温度控制到预定测量温度，其中将流体(F)通过冷却设备(11a，11b，11c)以达到冷却目的，所述加热功率(PW)实质上大于预定测试功率(PT)；将半导体晶片(5)的背面(R)放置在温度可调夹紧设备(1)的支持面(AF)上；将探测卡(7’，7’a)放置在半导体晶片(5)的正面；通过使用其上放置的探测卡(7’，7’a)的探针(91，92)，从测试装置(TV)将测试功率(PT)施加到半导体晶片(5)的正面(O)的芯片区(CH)中，对半导体晶片(5)进行测试；记录测试期间流体(F)的温度升高，流体(F)的温度升高反映了测试功率(PT)；以及考虑到测试期间记录的流体(F)的温度升高，在冷却能力(PK)实质上恒定不变的情况下，减小测试期间的加热功率(PW)。本发明还提供了一种相应的装置。

Description

使用温度可调的卡盘设备来测试半导体晶片的方法和装置
技术领域
本发明涉及使用温度可调的卡盘设备(下文中称作夹紧设备)来测试半导体晶片的方法和装置。
背景技术
众所周知，典型地在-60℃到+400℃之间的温度范围中执行对半导体晶片的试验测量。为达到温度控制的目的，将半导体晶片放置在根据所需温度来冷却和/或加热的探测器检验台或夹紧设备上。
在这种情况下，首先有必要留心半导体晶片的温度不会下降到周围气体介质的露点以下，否则半导体晶片表面上发生水汽凝结或结冰，从而妨碍试验测量或使测试测量无法进行。
其次，在使用高芯片功率进行试验测量的情况下，出现的问题在于，在电流流动的区域中，由于半导体晶片与夹紧设备之间的传热电阻有限，导致散热延迟，所以对半导体晶片的正面局部加热到高于与夹紧设备相接触的背面的温度。典型地，在电功率高于100W的情况下，半导体晶片的正面与夹紧设备的支持面之间的局部温度差达到大约90K。这种温度差破坏了试验测量，而试验测量用于规定半导体晶片中集成的电路的等温电特性。同时，在相对较高的功率下，可能将芯片加热到高于最大允许温度，这会产生电气故障的风险。
图2示出了US5010296公开的使用温度可调夹紧设备来测试半导体晶片的装置的示意横截面图。
在图2中，附图标记6’表示温度可调的夹紧设备。夹紧设备6’与驱动设备7’连接，驱动设备7’可以产生在垂直方向和平面上的移动。探测卡12’放置在夹紧设备6’之上，具有例如细针形式的探头1’，探头1’用于与半导体晶片30’上的集成电路接触，并在其上执行电测量。
附图标记13’表示测试设备，使用测试设备13’，可以根据预定测试程序对探头1’进行驱动。类似地，控制设备7’也可以由测试设备13’驱动，以将半导体晶片30’的特定集成电路与探头1’连接。
气体输送设备8’与气体供应设备10’连接，并设置在夹紧设备6’的一侧。
在夹紧设备6’的相对侧，设置有与吸气设备11’连接的吸气管线设备9’。气体输送设备8’与吸气管线设备9’具有相对平坦的横截面形状，以便可以将气体均匀地喷射到半导体晶片30’的整个表面。该己知半导体晶片测试装置中的气体喷射用于将外部影响或探头1’的影响所导致的沉积在半导体晶片表面上的污染颗粒带走。
在Elektronik，Produktion und Prüftechik [Electronics，Productionand Testing Technology]，1982年7/8月,485-487页，Positionieren undKontaktieren von Wafern [Positioning and making contact with wafers]中公开了用于测试半导体晶片的探测卡的结构。
EP 0 438 957 B1公开了一种半导体-半导体晶片的测试装置，其中大量温度传感器装配到夹紧设备上，对夹紧表面上的相应温度分布进行记录。
EP O 511 928 B1公开了一种具有大量迷宫式通道的夹紧设备，通过迷宫式通道引导用于对夹紧设备进行温度控制的流体。由于迷宫式结构，所以实现了较高的冷却能力和均匀的温度分布。
US 5 977 785公开了一种使用温度可调夹紧设备来测试半导体晶片的方法和装置，其中夹紧设备具有基于流体的加热/冷却设备，在测试期间记录待测试芯片的温度，并基于记录结果来执行对加热/冷却设备的控制的漂移校正。US 5 977 785提及了作为可选加热设备的电阻和电感性电加热设备。
US 5 084 671公开了另一种使用温度可调夹紧设备来测试半导体晶片的方法和装置，其中夹紧设备具有基于流体的冷却设备和电加热设备。
发明内容
本发明的目的是说明一种使用温度可调夹紧设备来测试半导体晶片的方法和装置，该方法和装置允许对半导体晶片进行调节。
相比于己知解决方案，根据本发明并具有权利要求1的特征的方法和根据权利要求7的相应装置的优点在于，即使在高电功率情况下，半导体晶片的正面与卡盘的支持面之间也只出现非常低的温差。
本发明基于的思想是，使用具有预定加热功率的加热设备和具有预定冷却能力的冷却设备，将夹紧设备的温度控制到预定测量温度，所述加热功率实质上大于预定测试功率。在通过从测试装置外加测试功率对半导体晶片进行测试期间，在冷却能力实质上恒定不变的情况下，使加热功率下降测试期间的测试功率的量。
这具有的优点在于，作为对测试功率供应的反应，温度可调夹紧设备的响应非常快速。
本发明相关主题的有利发展和改进将在从属权利要求中提出。
附图说明
本发明的典型实施例在附图中示出，并在以下描述中得到更加详细的解释。
图1示出了根据本发明、使用温度可调夹紧设备来测试半导体晶片的装置的实施例的示意图；以及
图2示出了US 5 010 296公开的使用探测卡来测试半导体晶片的装置的示意横截面图。
在附图中，相同的附图标记表示相同或功能相同的组成部分。
具体实施方式
图1示出了根据本发明、使用温度可调夹紧设备来测试半导体晶片的装置的实施例的示意图。
在图1中，附图标记1表示可以沿垂直方向并在平面内移动的温度可调夹紧设备。
夹紧设备1具有上部区1a，上部区a具有真空凹槽50。在夹紧设备1的上部区1a上，存在半导体晶片5，半导体晶片5的背面R与夹紧设备1的支持面AF相接触。
在夹紧设备1的中部区1b中有电加热设备HE，设置用于通过提供电功率PW来对夹紧设备1加热。
最后，在夹紧设备1的下部区1c中有迷宫式冷却通道系统11c，在输入11a处向迷宫式冷却通道系统11c提供输入温度Tin的预冷却流体F，并在出口11b处从迷宫式冷却通道系统11c中排出升高温度Tout的流体F。采用未示出的温度控制系统，在夹紧设备1的外部，使流体F达到预定所需的温度。
半导体晶片5的上面是盘状的探测设备7’，探测设备7’具有梯形区7’a，从梯形区7’a将探针91和92放置在半导体晶片5的正面O上的芯片区CH上。
采用测试设备TV，经由探针91和92向芯片区CH传输电测试序列，一定量的功率PT输送到芯片区CH中，从而导致对半导体芯片5的局部加热，为了按照所需来执行等温试验测量，必须将其冷却。
在根据本发明的本实施例中，设置了多个温度记录设备TS1到TS6。第一温度记录设备TS1位于探测设备7’上，具有红外温度计IR，红外温度计IR包括IR光学波导120和评估电路121。
评估设备121采用IR光电导体(未示出)和连接到下游的放大器，直接记录芯片区CH中的温度。
第二温度记录设备TS2位于夹紧设备1的上部区1a中，第三温度记录设备TS3位于夹紧设备1的中部区1b中，第四温度记录设备TS4位于夹紧设备1的下部区1c中，第五温度记录设备TS5位于流体F的入口11a处，第六温度记录设备TS6位于流体F的出口11b处。使用温度记录设备TS2到TS4，尤其可以确定夹紧设备1是否处于热平衡状态。
在执行试验测量之前，放置半导体晶片5和探针91和92，使用具有预定加热功率PW的加热设备HE和具有预定冷却能力的冷却设备11a、11b和11c，将夹紧设备1的温度控制到预定测量温度，例如，-20℃，加热功率PW远大于预定测试功率PT，例如PW＝1kW，PT＝200W。
然后通过使用其上放置的探测卡7’的探针91和92，从测试装置TV将测试功率PT施加到半导体晶片5的正面O的芯片区CH中，来执行半导体晶片5的测试。
根据本实施例，因为流体温度的升高也反映了测试功率PT，所以考虑到来自第二和第三温度记录设备TS5和TS6的信号，预定要从加热功率PW中减去的测试功率PT，其中第二和第三温度记录设备TS5和TS6分别记录在测试期间为进行冷却而由冷却设备11a、11b和11c向夹紧设备1提供的流体F的输入温度Tin和输出温度Tout。
此外，可以考虑到来自在测试期间无任何接触地直接记录芯片区CH的温度的第一温度记录设备TS1的信号，预定要从加热功率PW中减去的测试功率PT。
本发明不限于气态干燥空气，而原则上可以应用于任何所需的流体。

Claims (12)

1.一种使用温度可调夹紧设备(1)来测试半导体晶片(5)的方法，包括如下步骤：
使用具有预定加热功率(PW)的电加热设备(HE)和具有预定冷却能力(PK)的冷却设备(11a，11b，11c)，将夹紧设备(1)的温度控制到预定测量温度，其中将流体(F)通过冷却设备(11a，11b，11c)以达到冷却目的，所述加热功率(PW)实质上大于预定测试功率(PT)；
将半导体晶片(5)的背面(R)放置在温度可调夹紧设备(1)的支持面(AF)上；
将探测卡(7’，7’a)放置在半导体晶片(5)的正面(O)上；
通过使用其上放置的探测卡(7’，7’a)的探针(91，92)，从测试装置(TV)将测试功率(PT)施加到半导体晶片(5)的正面(O)的芯片区(CH)中，对半导体晶片(5)进行测试；
记录测试期间流体(F)的温度升高，流体(F)的温度升高反映了测试功率(PT)；以及
考虑到测试期间记录的流体(F)的温度升高，在冷却能力(PK)实质上恒定不变的情况下，减小测试期间的加热功率(PW)。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，考虑到来自第二和第三温度记录设备(TS5，TS6)的信号，记录流体(F)的温度升高，第二和第三温度记录设备(TS5，TS6)记录在测试期间为进行冷却而由冷却设备(11a、11b，11c)向夹紧设备(1)提供的流体(F)的输入温度(Tin)和输出温度(Tout)。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，考虑到利用来自第一温度记录设备(TS1)的信号而记录的芯片区(CH)的温度升高，减小加热功率(PW)，第一温度记录设备(TS1)在测试期间无任何接触地记录芯片区CH的温度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一温度记录设备(TS1)包括红外温度计(120，121)。
5.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，夹紧设备(1)具有上部区(1a)、中部区(1b)和下部区(1c)，上部区(1a)具有与半导体晶片(5)的背面(R)相接触的支持表面(AF)，中部区(1b)具有加热设备(HE)，下部区(1c)具有冷却设备(11a，11b，11c)。
6.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，测试功率(PT)在一到几百瓦特的数量级上，加热功率(PW)在一到几千瓦特的数量级上。
7.一种使用温度可调夹紧设备(1)来测试半导体晶片(5)的装置，包括：
温度控制设备，用于使用具有预定加热功率(PW)的电加热设备(HE)和具有预定冷却能力(PK)的冷却设备(11a，11b，11c)，将夹紧设备的温度控制到预定测量温度，其中将流体(F)通过冷却设备(11a，11b，11c)以达到冷却目的，所述加热功率(PW)实质上大于预定测试功率(PT)；
测试装置(TV)，用于通过使用探测卡(7’，7’a)的探针(91，92)，将测试功率(PT)施加到半导体晶片(5)的正面(O)的芯片区(CH)中，对半导体晶片(5)进行测试；以及
温度记录设备(T5，T6)，用于记录测试期间流体(F)的温度升高，流体(F)的温度升高反映了测试功率(PT)；
温度控制设备配置为考虑到测试期间记录的流体(F)的温度升高，在冷却能力(PK)实质上恒定不变的情况下，减小测试期间的加热功率(PW)。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，考虑到来自第二和第三温度记录设备(TS5，TS6)的信号，由第二和第三温度记录设备(TS5，TS6)记录流体的温度升高，第二和第三温度记录设备(TS5，TS6)记录在测试期间为进行冷却而提供给夹紧设备(1)的流体(F)的输入温度(Tin)和输出温度(Tout)。
9.根据权利要求7或8所述的装置，其特征在于，考虑到利用来自第一温度记录设备(TS1)的信号而记录的芯片区(CH)的温度升高，减小加热功率(PW)，第一温度记录设备(TS1)在测试期间无任何接触地记录芯片区CH的温度。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，第一温度记录设备(TS1)包括红外温度计(120，121)。
11.根据前述权利要求7到10之一所述的装置，其特征在于，夹紧设备(1)具有上部区(1a)、中部区(1b)和下部区(1c)，上部区(1a)具有与半导体晶片(5)的背面(R)相接触的支持表面(AF)，中部区(1b)具有加热设备(HE)，下部区(1c)具有冷却设备(11a，11b，11c)。
12.根据前述权利要求7到11之一所述的装置，其特征在于，测试功率(PT)在一到几百瓦特的数量级上，加热功率(PW)在一到几千瓦特的数量级上。
CN2006800019567A 2005-01-10 2006-01-10 使用温度可调的卡盘设备来测试半导体晶片的方法和装置 Active CN101137911B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005001163.2 2005-01-10
DE102005001163A DE102005001163B3 (de) 2005-01-10 2005-01-10 Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterwafern mittels einer temperierbaren Aufspanneinrichtung
PCT/EP2006/000142 WO2006072598A1 (de) 2005-01-10 2006-01-10 Verfahren und vorrichtung zum testen von halbleiterwafern mittels einer temperierbaren aufspanneinrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101137911A true CN101137911A (zh) 2008-03-05
CN101137911B CN101137911B (zh) 2011-06-08

Family

ID=36274039

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800019567A Active CN101137911B (zh) 2005-01-10 2006-01-10 使用温度可调的卡盘设备来测试半导体晶片的方法和装置

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7271604B2 (zh)
EP (1) EP1844342B1 (zh)
JP (1) JP4825812B2 (zh)
KR (1) KR101185536B1 (zh)
CN (1) CN101137911B (zh)
DE (1) DE102005001163B3 (zh)
ES (1) ES2821736T3 (zh)
RU (1) RU2407023C2 (zh)
TW (1) TWI371590B (zh)
WO (1) WO2006072598A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102171807A (zh) * 2008-08-13 2011-08-31 Ers电子有限公司 用于热加工塑料片,特别是成型晶片的方法和设备
CN107110910A (zh) * 2014-11-28 2017-08-29 泰克元有限公司 用于测试电子部件的分选机
CN110346609A (zh) * 2018-04-03 2019-10-18 爱思开海力士有限公司 晶片卡紧装置和包括其的晶片测试设备
CN110780133A (zh) * 2014-11-28 2020-02-11 泰克元有限公司 用于测试电子部件的分选机
CN112345119A (zh) * 2020-09-25 2021-02-09 华东光电集成器件研究所 一种半导体晶圆温度标定系统
TWI827329B (zh) * 2021-10-29 2023-12-21 致茂電子股份有限公司 探針冷卻系統、冷卻方法及具備該系統之電子元件測試設備

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6002263A (en) * 1997-06-06 1999-12-14 Cascade Microtech, Inc. Probe station having inner and outer shielding
US6838890B2 (en) * 2000-02-25 2005-01-04 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US6965226B2 (en) 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US6951846B2 (en) * 2002-03-07 2005-10-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Artemisinins with improved stability and bioavailability for therapeutic drug development and application
DE10216786C5 (de) * 2002-04-15 2009-10-15 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
US6861856B2 (en) * 2002-12-13 2005-03-01 Cascade Microtech, Inc. Guarded tub enclosure
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US7250626B2 (en) 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US20070294047A1 (en) * 2005-06-11 2007-12-20 Leonard Hayden Calibration system
JP2007088203A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Tokyo Electron Ltd ウエハ検査装置およびウエハ検査方法、ならびにコンピュータプログラム
JP4525571B2 (ja) * 2005-11-24 2010-08-18 住友電気工業株式会社 ウェハ保持体およびそれを搭載したヒータユニット、ウェハプローバ
DE102006038457B4 (de) * 2006-08-16 2014-05-22 Cascade Microtech, Inc. Verfahren und Vorrichtung zum Temperieren elektronischer Bauelemente
KR101492408B1 (ko) 2007-10-10 2015-02-12 캐스캐이드 마이크로텍 드레스덴 게엠베하 소정의 열 조건 하에서의 시험 기판의 시험 방법과 열적으로 조절가능한 탐침기
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
KR101015600B1 (ko) * 2008-12-19 2011-02-17 세크론 주식회사 프로브 스테이션용 스테이지 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼검사 장치
JP5640894B2 (ja) * 2011-05-26 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置
US8814424B1 (en) * 2011-09-30 2014-08-26 Emc Corporation Power measurement transducer
US8814425B1 (en) * 2011-09-30 2014-08-26 Emc Corporation Power measurement transducer
US8602641B2 (en) * 2011-10-26 2013-12-10 Temptronic Corporation Environmental test system and method with in-situ temperature sensing of device under test (DUT)
KR101942027B1 (ko) 2012-03-28 2019-04-11 삼성전자 주식회사 디바이스의 온도 예측 방법
CN103645350B (zh) * 2013-12-09 2017-01-11 致茂电子(苏州)有限公司 具有扇形转盘传输设备的检测机台
JP7078838B2 (ja) * 2017-12-01 2022-06-01 東京エレクトロン株式会社 プローバ
TWI684014B (zh) * 2018-01-18 2020-02-01 謝德風 模組化多點測試裝置
DE102019005093A1 (de) * 2019-07-22 2021-01-28 Att Advanced Temperature Test Systems Gmbh Verfahren zur temperatursteuerung bzw. -regelung eines chucks für einen wafer, eine temperiereinrichtung zum temperieren eines chucks sowie ein wafertestsystem zum testen eines wafers
CN113075429A (zh) * 2020-01-03 2021-07-06 迪科特测试科技(苏州)有限公司 探测卡、探测系统及探测方法
US11493551B2 (en) 2020-06-22 2022-11-08 Advantest Test Solutions, Inc. Integrated test cell using active thermal interposer (ATI) with parallel socket actuation
US11549981B2 (en) 2020-10-01 2023-01-10 Advantest Test Solutions, Inc. Thermal solution for massively parallel testing
US11821913B2 (en) 2020-11-02 2023-11-21 Advantest Test Solutions, Inc. Shielded socket and carrier for high-volume test of semiconductor devices
US11808812B2 (en) 2020-11-02 2023-11-07 Advantest Test Solutions, Inc. Passive carrier-based device delivery for slot-based high-volume semiconductor test system
US20220155364A1 (en) * 2020-11-19 2022-05-19 Advantest Test Solutions, Inc. Wafer scale active thermal interposer for device testing
US11609266B2 (en) 2020-12-04 2023-03-21 Advantest Test Solutions, Inc. Active thermal interposer device
US11573262B2 (en) 2020-12-31 2023-02-07 Advantest Test Solutions, Inc. Multi-input multi-zone thermal control for device testing
US11754619B2 (en) * 2021-01-11 2023-09-12 Star Technologies, Inc. Probing apparatus with temperature-adjusting mechanism
US11587640B2 (en) 2021-03-08 2023-02-21 Advantest Test Solutions, Inc. Carrier based high volume system level testing of devices with pop structures
RU2756337C1 (ru) * 2021-03-19 2021-09-29 Общество с ограниченной ответственностью «Остек-Электро» Устройство температурно-вакуумного воздействия
KR20220146304A (ko) 2021-04-23 2022-11-01 삼성전자주식회사 전원변환부를 갖는 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 시스템
US11656273B1 (en) 2021-11-05 2023-05-23 Advantest Test Solutions, Inc. High current device testing apparatus and systems

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4791364A (en) 1985-08-20 1988-12-13 Thermonics Incorporated Thermal fixture for testing integrated circuits
DE3536098A1 (de) 1985-10-09 1987-04-09 Siemens Ag Einrichtung zum ueberwachen der temperatur eines elektrischen bauelements
US4845426A (en) 1987-05-20 1989-07-04 Signatone Corporation Temperature conditioner for tests of unpackaged semiconductors
US5084671A (en) * 1987-09-02 1992-01-28 Tokyo Electron Limited Electric probing-test machine having a cooling system
JPH03184355A (ja) * 1989-12-13 1991-08-12 Mitsubishi Electric Corp ウエハプローバ
US5001423A (en) * 1990-01-24 1991-03-19 International Business Machines Corporation Dry interface thermal chuck temperature control system for semiconductor wafer testing
US5124639A (en) 1990-11-20 1992-06-23 Motorola, Inc. Probe card apparatus having a heating element and process for using the same
US5088006A (en) * 1991-04-25 1992-02-11 International Business Machines Corporation Liquid film interface cooling system for semiconductor wafer processing
US5166607A (en) * 1991-05-31 1992-11-24 Vlsi Technology, Inc. Method and apparatus to heat the surface of a semiconductor die in a device during burn-in while withdrawing heat from device leads
US5775416A (en) 1995-11-17 1998-07-07 Cvc Products, Inc. Temperature controlled chuck for vacuum processing
US5977785A (en) * 1996-05-28 1999-11-02 Burward-Hoy; Trevor Method and apparatus for rapidly varying the operating temperature of a semiconductor device in a testing environment
US6476627B1 (en) 1996-10-21 2002-11-05 Delta Design, Inc. Method and apparatus for temperature control of a device during testing
WO1998046059A1 (en) * 1997-04-04 1998-10-15 Unisys Corporation Temperature control system for an electronic device
US6366105B1 (en) 1997-04-21 2002-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Electrical test apparatus with gas purge
US6111421A (en) * 1997-10-20 2000-08-29 Tokyo Electron Limited Probe method and apparatus for inspecting an object
JP2970628B2 (ja) * 1997-11-07 1999-11-02 日本電気株式会社 高低温プローバおよびウエハ測定方法
US6415858B1 (en) 1997-12-31 2002-07-09 Temptronic Corporation Temperature control system for a workpiece chuck
US6091060A (en) * 1997-12-31 2000-07-18 Temptronic Corporation Power and control system for a workpiece chuck
US6866094B2 (en) * 1997-12-31 2005-03-15 Temptronic Corporation Temperature-controlled chuck with recovery of circulating temperature control fluid
DE19983379B4 (de) 1998-07-14 2011-08-18 Delta Design, Inc., Calif. Temperaturregelung elektronischer Bauelemente unter Verwendung von Leistungsfolgerückkopplung
JP2000180502A (ja) * 1998-12-10 2000-06-30 Advantest Corp 電子部品試験装置
US6583638B2 (en) 1999-01-26 2003-06-24 Trio-Tech International Temperature-controlled semiconductor wafer chuck system
DE60010890T2 (de) 1999-07-15 2005-05-19 Delta Design, Inc., Poway Gerät und verfahren zur temperaturkontrolle von integrierten schaltungen während der prüfung
US6552561B2 (en) 2000-07-10 2003-04-22 Temptronic Corporation Apparatus and method for controlling temperature in a device under test using integrated temperature sensitive diode
JP2002043381A (ja) 2000-07-19 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd ウエハ温度制御装置
US6798223B2 (en) 2000-07-28 2004-09-28 Hei, Inc. Test methods, systems, and probes for high-frequency wireless-communications devices
US6636062B2 (en) 2001-04-10 2003-10-21 Delta Design, Inc. Temperature control device for an electronic component
AU2002259063A1 (en) 2001-09-27 2003-04-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for temperature control of a device during testing
JP2005340719A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ステージ機構

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102171807A (zh) * 2008-08-13 2011-08-31 Ers电子有限公司 用于热加工塑料片,特别是成型晶片的方法和设备
CN102171807B (zh) * 2008-08-13 2014-10-15 Ers电子有限公司 用于热加工塑料片,特别是成型晶片的方法和设备
CN107110910A (zh) * 2014-11-28 2017-08-29 泰克元有限公司 用于测试电子部件的分选机
CN110780133A (zh) * 2014-11-28 2020-02-11 泰克元有限公司 用于测试电子部件的分选机
CN110780133B (zh) * 2014-11-28 2022-01-04 泰克元有限公司 用于测试电子部件的分选机
CN110346609A (zh) * 2018-04-03 2019-10-18 爱思开海力士有限公司 晶片卡紧装置和包括其的晶片测试设备
CN112345119A (zh) * 2020-09-25 2021-02-09 华东光电集成器件研究所 一种半导体晶圆温度标定系统
TWI827329B (zh) * 2021-10-29 2023-12-21 致茂電子股份有限公司 探針冷卻系統、冷卻方法及具備該系統之電子元件測試設備

Also Published As

Publication number Publication date
RU2407023C2 (ru) 2010-12-20
US7271604B2 (en) 2007-09-18
US20060158207A1 (en) 2006-07-20
ES2821736T3 (es) 2021-04-27
JP2008527701A (ja) 2008-07-24
TW200628818A (en) 2006-08-16
EP1844342A1 (de) 2007-10-17
WO2006072598A8 (de) 2007-09-07
CN101137911B (zh) 2011-06-08
KR101185536B1 (ko) 2012-09-24
EP1844342B1 (de) 2020-07-01
JP4825812B2 (ja) 2011-11-30
WO2006072598A1 (de) 2006-07-13
TWI371590B (en) 2012-09-01
RU2007125378A (ru) 2009-02-20
KR20070110840A (ko) 2007-11-20
DE102005001163B3 (de) 2006-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101137911B (zh) 使用温度可调的卡盘设备来测试半导体晶片的方法和装置
US20060114012A1 (en) Method and apparatus for testing semiconductor wafers by means of a probe card
US6091062A (en) Method and apparatus for temperature control of a semiconductor electrical-test contractor assembly
US6549026B1 (en) Apparatus and method for temperature control of IC device during test
US6552561B2 (en) Apparatus and method for controlling temperature in a device under test using integrated temperature sensitive diode
US7554350B2 (en) Burn-in system with heating blocks accommodated in cooling blocks
US6744270B2 (en) Temperature-controlled thermal platform for automated testing
KR100858153B1 (ko) 프로버 및 탐침 접촉 방법
JP4122009B2 (ja) 電子機械的サブアセンブリ、および電子装置を熱交換部材に熱結合する方法
CN101248361A (zh) 电子器件测试装置与电子测试装置中的温度控制方法
JP2001210683A (ja) プローバのチャック機構
US6545494B1 (en) Apparatus and method for controlling temperature in a wafer using integrated temperature sensitive diode
JP4514787B2 (ja) 電子部品試験装置および電子部品試験装置における温度制御方法
US20080246499A1 (en) System and method for the electrical contacting of semiconductor devices
EP1196790B1 (en) Apparatus and method for temperature control of ic device during test
US20080211486A1 (en) Auto-handler comprising pushers each including peltier device
JP2001013201A (ja) Ｉｃデバイスの試験方法及び試験装置
JP2005347612A (ja) ウェハトレイ及びウェハバーンインユニット、それを用いたウェハレベルバーンイン装置並びに半導体ウェハの温度制御方法
JP2000028641A (ja) プローブカード
JP7333498B2 (ja) プローバの冷却システム
KR102659795B1 (ko) 검사 시스템 및 검사 방법
JP2005101387A (ja) ウェハバーンイン装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ERS ELECTRONICS CO., LTD. APPLICANT ADDRESS

Free format text: FORMER OWNER: ERICH REITINGER APPLICANT ADDRESS

Effective date: 20081128

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20081128

Address after: Bavaria, Germany

Applicant after: ERS Electronic GmbH

Address before: Munich, Germany

Applicant before: Reitinger Erich

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ERS ELECTRONICS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: ERICH REITINGER

Effective date: 20081128

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant