CN101207179A - 存储器单元及其制造方法 - Google Patents

存储器单元及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101207179A
CN101207179A CNA2007101537432A CN200710153743A CN101207179A CN 101207179 A CN101207179 A CN 101207179A CN A2007101537432 A CNA2007101537432 A CN A2007101537432A CN 200710153743 A CN200710153743 A CN 200710153743A CN 101207179 A CN101207179 A CN 101207179A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electric resistance
resistance structure
hydrogen
memory cell
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101537432A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101207179B (zh
Inventor
西格弗里德·F·卡格
格哈德·I·梅杰
约翰尼斯·G·贝德诺尔兹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Core Usa Second LLC
GlobalFoundries Inc
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of CN101207179A publication Critical patent/CN101207179A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101207179B publication Critical patent/CN101207179B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/24Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/041Modification of the switching material, e.g. post-treatment, doping
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881Switching materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881Switching materials
    • H10N70/883Oxides or nitrides
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881Switching materials
    • H10N70/883Oxides or nitrides
    • H10N70/8833Binary metal oxides, e.g. TaOx
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881Switching materials
    • H10N70/883Oxides or nitrides
    • H10N70/8836Complex metal oxides, e.g. perovskites, spinels
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C13/00Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Abstract

本发明涉及一种存储器单元(10),包括:电阻结构(1),和连接至电阻结构(1)的至少两个电极(2),其中:电阻结构(1)包括氢,和电阻结构(1)包括显示出至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料。

Description

存储器单元及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种可编程电阻存储器单元,以及制造这种存储器单元的方法和含有这种存储器单元的非易失性存储器装置。
背景技术
对于存储器装置和各种其它应用,使用双稳装置或电路。例如,对于在存储器中存储一个比特的信息,可以使用在至少两个不同和不变的状态之间可转换的双稳装置。当将逻辑“1”写入到装置中,装置被驱动为两个不变的状态中的一个;当将逻辑“0”写入到装置中,或擦除逻辑“1”,装置被驱动为两个不同的状态中的另一个。每个状态保持直到进行将信息写入到装置中或在装置中擦除信息的下一个步骤。
闪可擦除可编程只读存储器(FEPROM,也称为闪存)用在半导体装置中并提供快速块(block)擦除操作。典型地,闪存一般每个存储器单元仅使用一个晶体管,而对于已知的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)每个存储器单元使用两个晶体管。这样,闪存在半导体装置上占有更少的空间和比生产EEPROM更加便宜。然而,半导体装置的进一步节省空间的部件和生产这种装置的有成本效益的制造技术的发展在继续。
为此,已经研究了对于半导体装置应用使用具有双稳电阻的材料。材料的电阻状态可以通过将合适的电信号施加到材料而被可逆地改变。这些电信号应该大于给定的阈值VT并长于给定的时间t。材料的电阻状态可以通过施加另一个信号被读出或分析,如果该信号远小于VT,则它们对导电状态是非破坏性的。
过渡金属氧化物是可以被调节(conditioned)以使得它们能够显示出期望的双稳电阻的一种类型的材料。已经公开了基于过渡金属氧化物的非易失性二端子存储器装置。这种装置至少包括一个存储器单元,其包括被提供为与过渡金属氧化物层接触的至少两个电极的布置。依赖于施加到所述电极之一的电脉冲的极性,该电极相对于所述另一个电极,过渡金属氧化物的电阻在至少两个不同和不变的状态之间可逆地转换。这种装置的实例在US6815744中给出。
为在电阻状态之间进行转换,过渡金属氧化物受到的调节工艺包括使过渡金属氧化物受到充分长的持续时间的合适的电信号,这经由施加到与过渡金属氧化物层接触的电极来进行,如上所述。调节工艺在过渡金属氧化物中产生能在两个或更多电阻状态之间可逆地转换的狭窄的导电区域。
上述装置的某些缺点与调节工艺有关系。这是因为,不仅调节工艺是耗时的,而且结合在这种装置中的每个单元都需要该工艺。此外,由调节工艺产生的狭窄的导电区域产生在电介质材料中的任意位置,即导电路径的位置不能由精确的工艺参数控制。这就导致可以观测到这种装置的电性能的大的变化,否则它们在名义上是相等的。用于转换这种装置电阻状态的相当长的响应时间归因于某些所述的缺点,所述响应时间典型地在100ns至10μs的范围内。
因此,期望提供一种减轻和/或消除与已知可编程电阻存储器单元有关的缺点的可编程电阻存储器单元。
发明内容
根据本发明的第一方面的实施例,提供了一种存储器单元包括:电阻结构,以及连接到电阻结构的至少两个电极,其中:电阻结构包括氢,和电阻结构包括显示出至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料。为了初始化调节工艺以使得在电阻结构中形成狭窄的导电区域,比如例如电脉冲的电信号施加到所述至少两个电极之一,该电极相对于两个电极的该另一个。因为电阻结构由于包括具有含有氢的结构成分的材料而包括氢,即它固有地含有氢,和/或在沉积中或之后用包括氢的气体处理,在这种情况电阻结构的材料不需要从开始就固有地含有氢,所以前面提及的施加到电极的电信号也能引起电阻结构中的氢的离子化。氢离子的迁移有助于加速调节工艺及与先前提出的装置相比调节工艺相关联的电化学反应具有减少的持续时间。不仅调节工艺所花的时间减少,而且与此相关联的非均匀性降低了。这样,可以制造具有更低的统计离散(statistical spread)的运行特性且比先前提出的存储器单元具有增加的可靠性的存储器单元。此外,在本发明的实施例中,当电信号施加到电极以引起电阻转换时,氢离子的迁移也导致与先前提出的装置相比降低的电阻转换的响应时间。
优选地,至少一个电极对氢是基本不渗透的。因为在电极界面的氢离子浓度促进电阻转化相关联的固态电化学,在下文称为电化学反应,所以优选地在本发明的实施例中至少一个电极对氢是基本不渗透的。以这种方式,氢离子聚集在电极界面而不是迁移到电极中。这就有助于与先前提出的装置相比具有减少的持续时间的电阻转换相关联的电化学反应。
期望地,至少一个电极对氢是基本化学惰性的。这个特征相关联的优点是氢离子聚集在电极界面,以有助于与电阻转换相关联的电化学反应,而不是与电极反应。后面的特征也是不期望的,因为它可以引起电极的腐蚀。
优选地,至少一个电极包括下列之一:铂(Pt)、铱(Ir)、铑(Rd)、钌(Ru)、铼(Re)、锇(Os)和至少包括这些元素之一的合金。由这些材料制成的电极便于氢离子在电极界面的聚集和/或也具有形成氢化物和氢氧化物的降低的趋势。
期望地,电阻结构包括一种材料,其包括下列之一:电介质材料、半导体和金属。在文中,选择的材料是一种能支持电化学反应的材料,在该电化学反应中氢离子的迁移起到作用,即有助于具有降低的持续时间的这种电化学反应。此外,在本发明的上下文中,选择的材料显示出具有至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值的性能。
优选地,电阻结构包括氢掺杂的材料。这个特征提供以下优点,因为氢依靠例如非共价结合和/或非化学计量包含的弱的结合力而存在于材料中,所以,与氢是材料的结构成分的固有部分的情况相比,它能更好地支持与电阻转换相关联的电化学反应。在前者的情况,氢的迁移取决于是否产生了空位供氢占据。
期望地,电阻结构包括过渡金属氧化物。当电阻结构包括过渡金属氧化物时,氢离子的迁移提供加速调节工艺和/或电阻结构的电阻状态的转换。
优选地,电阻结构包括具有传导氢能力的聚合物。这个特征相关联的优点是:容易制造、聚合物的柔性以及与后端(back-end of the line)相容。
根据本发明的第二方面的实施例,提供了包括根据本发明的第一方面的实施例的至少一个存储器单元的非易失性存储器装置。如上所述的存储器单元的有利的特征和性能也由结合这种存储器单元的非易失性存储器装置显示出来。
对应的方法方面也被提供且因此根据本发明的第三方面的实施例,提供了制造存储器单元的方法,其包括:提供包括氢并包括显示出至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料的电阻结构,以及将至少两个电极连接至电阻结构。
任何装置的特征可以应用到本发明的方法方面,反之亦然。本发明的一个方面的特征可以应用到本发明的另一个方面。任何公开的实施例可以与示出的/描述的一个或几个其它实施例结合。这对于一个或更多实施例的特征也是可能的。
附图说明
现将通过例举作出对附图的参考,其中:
图1示意性地示出本发明的第一方面的实施例,以及
图2示意性地示出本发明的第三方面的实施例。
具体实施方式
在本说明书内,相同的标号或符号用于表示相同的部分等。
图1示意性地示出了根据本发明的实施例的记忆单元10。如从图1可以看到的,提供了电阻结构1,至少两个电极2连接至该电阻结构。在现在的情况,电极2被显示通过直接接触而连接至电阻结构1,但也可以是在电极2和电阻结构1之间提供至少一连接层,比如,例如帮助电极2和电阻结构1之间电接触的粘结层。电阻结构1的材料被选择以使得显示出至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值。电阻结构1由于包括具有含有氢的结构成分的和/或在沉积中或之后用含有氢的气体处理(例如退火处理)的材料而包括氢。电介质材料3,比如例如氧化硅(SiO2)形成于存储器单元10周围。
此后以电阻结构1的材料是氢掺杂的过渡金属层氧化物作为参考,尤其是包括间隙氢的过渡金属氧化物。在这点上,合适的过渡金属氧化物的实例在下面提供。当然,本发明不限于此和在下面描述的其它材料也可以用于电阻结构1。
为了初始化调节工艺以使得狭窄的导电区域形成在电阻结构1中,比如例如电脉冲的电信号施加到至少两个电极2之一,该电极相对于两个电极2中的另一个。这引起过渡金属氧化物层中的氢的离子化。氢离子的迁移有助于加速调节工艺,且与先前提出的装置相比,与调节工艺相关联的电化学反应具有降低的持续时间。
当电阻结构1的电阻转换通过施加电信号到至少两个电极2中的一个而被初始化时,该电极相对于两个电极2中的该另一个,过渡金属氧化物中的氢离子的空间分布被改变。具体地,氢离子被从施加正的电信号的电极2排斥到两个电极2的另一个的界面,这里它们促进了与转换过程相关联的电化学反应。在这点上,过渡金属氧化物中的氢离子迁移有助于这种电化学反应具有降低的持续时间,且这样本发明的实施例的响应时间比先前提出的装置更低。
因为在电极界面的氢离子浓度促进与电阻转换相关联的电化学反应,所以在本发明的实施例中的电极2包括基本上对氢不渗透的材料。这样,氢离子聚集在电极界面而不是迁移到电极2中。此外,按照对氢是化学惰性的考虑来选择电极的材料。这样,聚集在电极界面的氢离子有助于与电阻转换相关联的电化学反应,而不是与电极2反应。对于电极2的材料,可以选择下列之一:铂(Pt)、铱(Ir)、铑(Rd)、钌(Ru)、铼(Re)、锇(Os)和至少包括这些元素之一的合金。当然,本发明的实施例不限于为电极使用这些材料,实际上可以使用任何对氢基本不渗透和/或化学惰性的材料。
在本发明的实施例中,按照具有至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值考虑来选择电阻结构1的材料。在这点上,可以对于电阻结构1选择广泛范围的材料。例如,电阻结构1的材料可以选自下面的组:电介质材料、半导体和金属。在本文中,选择的材料是一种能支持电化学反应的材料,其中氢离子迁移起到作用,即有助于这种电化学反应具有降低的持续时间。电阻结构1可以由氢掺杂材料制成,即通过非共价结合和/或材料中氢的非化学计量包含。
按照显示出基本大于10-8cm2/VS的氢离子迁移率值考虑而为电阻结构1选择的过渡金属氧化物的实例为,例如,受主掺杂钛酸锶(SrTiO3)、锆酸锶(SrZrO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钡(BaZrO3)。至于锆酸钡,可以选择Ba(Zr1-XMX)O3-δ,其中M=铟(In)、钪(Sc)、钇(Y)或镓(Ga),X=0至0.5,δ=0至0.5。例如,也可以选择钇(Y)或钕(Nd)掺杂的锆酸钙(CaZrO3)。可以选择稀土掺杂的蜡膏,比如钡蜡膏,Ba(Ce1-XMX)O3-δ,其中M=钇(Y)、镱(Yb)、钕(Nd)、钐(Sm),X=0至0.8,δ=0至0.5,或锶蜡膏,Sr(Ce1-XYbX)O3-δ,这里Yb=镱,X=0至0.8,δ=0至0.5。电阻结构1的其它实例是氧化锂(Li2O)。
或者,对于电阻结构1的材料,可以选择传导氢能力的聚合物。在这点和为实例的原因,聚合物可以包括下列中的一个:NaphionTM和聚乙烯氧化物(PEO,poly-ethylene-oxide)。
本发明也延伸至包括至少一个根据本发明的和如上所述的存储器单元10的非易失性存储器装置。
现在以图2作参考,图2示意性地示出根据本发明的实施例的方法。根据本发明的实施例的方法始于步骤1,在步骤S1中,形成包括氢和显示至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料的电阻结构1。在步骤S2后该方法被完成,这里至少两个电极2形成以连接至电阻结构1。根据本发明的实施例的方法不限于进行一次,即在步骤S2完成之后,工艺可以循环回到方法的开始且步骤S1和S2反复地进行,因此生产根据本发明的实施例的多层的存储器单元。任何步骤S1或S2能平行地进行或没有保持顺序的严格次序。对技术人员已知的任何合适的技术能用于任何这些步骤。参考图2描述的方法能用对应于根据如上所述的本发明的实施例的存储器单元的特征的进一步的步骤来补充。
虽然已经参考电阻结构1和至少两个电极2的堆叠布置对本发明的实施例作了描述,但是本发明不限于此且任何合适的布置落入本发明的范围内,例如,电阻结构1和电极2平行于x面布置。
本发明的实施例有利地可适用于有多于两个不变电阻状态的材料。
以上仅仅以实例的方式描述了本发明,且可以在本发明的范围内作出细节的修改。
在说明书以及权利要求和附图(如果合适)中公开的每个特征可以被独立地或以任何合适的结合被提供。

Claims (10)

1.一种存储器单元(10),包括:
电阻结构(1),以及
连接至所述电阻结构(1)的至少两个电极(2),
其中:
所述电阻结构(1)包括氢,和
所述电阻结构(1)包括显示出至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料。
2.如权利要求1所述的存储器单元(10),其中所述电极(2)的至少一个是对氢基本不渗透的。
3.如权利要求1或2所述的存储器单元(10),其中所述电极(2)的至少一个是对氢基本化学惰性的。
4.如权利要求1、2或3所述的存储器单元(10),其中所述电极(2)的至少一个包括下列之一:铂(Pt)、铱(Ir)、铑(Rd)、钌(Ru)、铼(Re)、锇(Os)和至少包括这些元素之一的合金。
5.如任何前述权利要求所述的存储器单元(10),其中所述电阻结构(1)包括包含下列之一的材料:电介质材料、半导体和金属。
6.如任何前述权利要求所述的存储器单元(10),其中所述电阻结构(1)包括氢掺杂材料。
7.如任何前述权利要求所述的存储器单元(10),其中所述电阻结构(1)包括过渡金属氧化物。
8.如权利要求1至6中的任何一个所述的存储器单元(10),其中所述电阻结构(1)包括聚合物。
9.一种非易失性存储器装置,包括至少一个如前述权利要求所要求的存储器单元(10)。
10.一种制造存储器单元(10)的方法,包括步骤:
提供包括氢的和包括显示出至少10-8cm2/VS的氢离子迁移率值的材料的电阻结构(S1),和
将至少两个电极连接至所述电阻结构(S2)。
CN2007101537432A 2006-12-19 2007-09-14 存储器单元及其制造方法 Expired - Fee Related CN101207179B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06126497 2006-12-19
EP06126497.4 2006-12-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101207179A true CN101207179A (zh) 2008-06-25
CN101207179B CN101207179B (zh) 2012-05-23

Family

ID=39543289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101537432A Expired - Fee Related CN101207179B (zh) 2006-12-19 2007-09-14 存储器单元及其制造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7872901B2 (zh)
CN (1) CN101207179B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113488589A (zh) * 2021-06-28 2021-10-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021108367A1 (en) * 2019-11-27 2021-06-03 Quantram Corporation Systems and methods for data storage

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4839700A (en) * 1987-12-16 1989-06-13 California Institute Of Technology Solid-state non-volatile electronically programmable reversible variable resistance device
JP2000132560A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 中国語テレテキスト処理方法及び装置
WO2000049659A1 (en) * 1999-02-17 2000-08-24 International Business Machines Corporation Microelectronic device for storing information and method thereof
US7085771B2 (en) * 2002-05-17 2006-08-01 Verity, Inc System and method for automatically discovering a hierarchy of concepts from a corpus of documents
US7221017B2 (en) * 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide-conductor nanolaminates
US6611449B1 (en) * 2002-09-24 2003-08-26 Infineon Technologies Aktiengesellschaft Contact for memory cells
US7834339B2 (en) * 2006-12-19 2010-11-16 International Business Machines Corporation Programmable-resistance memory cell

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113488589A (zh) * 2021-06-28 2021-10-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板
CN113488589B (zh) * 2021-06-28 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 忆阻器件、忆阻器件制作方法及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US7872901B2 (en) 2011-01-18
CN101207179B (zh) 2012-05-23
US20080152932A1 (en) 2008-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11765914B2 (en) Multi-layered conductive metal oxide structures and methods for facilitating enhanced performance characteristics of two-terminal memory cells
US9734902B2 (en) Resistive memory device with ramp-up/ramp-down program/erase pulse
US8686388B2 (en) Non-volatile resistive sense memory with improved switching
US9378817B2 (en) Variable resistance nonvolatile memory element writing method and variable resistance nonvolatile memory device
US8264864B2 (en) Memory device with band gap control
US7723714B2 (en) Programmable-resistance memory cell
CN102782846B (zh) 非易失性存储元件和具有其的非易失性存储装置
KR20070111840A (ko) 산소결핍 금속산화물을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그제조방법
US8787066B2 (en) Method for forming resistive switching memory elements with improved switching behavior
US9281029B2 (en) Non-volatile memory having 3D array architecture with bit line voltage control and methods thereof
US20130286714A1 (en) Data write method for writing data to nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device
CN100580970C (zh) 存储单元及其制造方法
CN102915762A (zh) 阻变存储单元的编程方法
CN101207179B (zh) 存储器单元及其制造方法
CN109791791B (zh) 非易失性存储装置、以及驱动方法
US9001553B1 (en) Resistive devices and methods of operation thereof
KR101307253B1 (ko) 저항변화기록소자의 정보기록방법, 저항변화기록소자의제조방법 및 이를 이용한 저항변화기록소자
JP2014229905A (ja) 不揮発性メモリ半導体デバイスおよびその製造方法
US20150171095A1 (en) Memory Arrays for Both Good Data Retention and Low Power Operation
CN102184744B (zh) 具有场增强排列的存储器装置及其制造方法
Medeiros-Ribeiro et al. Progress in CMOS-memristor integration
US9305641B2 (en) Resistance change memory and forming method of the resistance change device
US9679640B1 (en) Multi-level reversible resistance-switching memory
US20090242900A1 (en) Memory device and method of manufacturing the same
CN101042935B (zh) 存储单元、存储器及向存储单元写数据的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171128

Address after: Grand Cayman, Cayman Islands

Patentee after: GLOBALFOUNDRIES INC.

Address before: American New York

Patentee before: Core USA second LLC

Effective date of registration: 20171128

Address after: American New York

Patentee after: Core USA second LLC

Address before: New York grams of Armand

Patentee before: International Business Machines Corp.

TR01 Transfer of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120523

Termination date: 20180914

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee