CN101233626A - 制造电子元件的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种在基底表面上制造电子元件的方法,所述电子元件包括,垂直于基底表面的至少两个电功能层,该两个电功能层是以一个位于另一个之上并且至少在表面区域F中重叠的方式设置。在连续工艺期间,该至少两个电功能层直接或间接在基底上构建。以这样的方式构建至少两个电功能层的第一电功能层,以便第一电功能层的平行于基底表面且在基底相对位移方向上的第一长度/宽度尺寸比表面区域F的在相对位移方向上且平行于该基底表面的长度/宽度尺寸长出/宽出5μm,优选长出/宽出1mm。
Description
技术领域
本发明涉及一种在基底表面上制造电子元件的方法,其中从与基底表面垂直的角度来看,该电子元件具有至少两个电功能层,该至少两个电功能层被设置为一个在另一个之上并且使它们至少在表面区域F中重叠,其中使用连续工艺在基底上直接或间接构建该至少两个电功能层,并且其中基底相对于构建单元移动。
背景技术
从WO2004/047144A2中,可以获知一个这样的方法。描述了一种有机电子元件,例如有机场效应晶体管(OFET)、具有例如这些的元件的电路以及制造方法。使用低成本印刷工艺形成该电子元件。
DE 101 26 859 A1描述了一种制造导电结构的方法、以该方式制造的有源元件,例如有机场效应晶体管(OFET)或有机发光二极管(OLED),以及具有例如这些的元件的电路。导电结构例如互连和电极是利用所有已知的印刷工艺在薄的柔性塑胶膜上通过印刷技术,具体地说,例如适合的凹版(intaglio)、凸版(relif)、平版印刷、丝网印刷或移印(tampo printing)制成的。
用于制造电子元件的连续工艺的使用允许以低成本、高工艺速率大量生产。为了获得尽可能均匀的电学值以及电子元件的功能性,必须接连地在工艺中根据预定版图以适当的位置、方向和排列,一个在另一个之上地形成单独的电功能层,由这些单独的电功能层构建电子元件。在连续工艺中为基底和/或构建单元选择的速度越高,越有可能出现相对于已经设置在基底上的另外的电功能层在电功能层的理想位置的区域中的差异。
电功能层的直接形成和同时构建优选通过印刷工艺执行。然而,可选地,电功能层还可以在其形成之后仅仅通过激光或刻蚀技术构建。在这两种情况下,由于工艺,部分电功能层区域没有形成在由版图预定的理想位置。
发明内容
现在,本发明的目的是提供一种制造电子元件的方法,即使在高工艺速率下,其也产生具有所需电特性值的功能电子元件。
关于在基底表面上制造电子元件的方法,其中从与基底表面垂直的角度看,电子元件具有至少两个电功能层,该两个电功能层设置为一个在另一个之上,并且使它们至少在表面区域F中重叠,其中使用连续工艺直接或间接构建在基底上的至少两个电功能层,并且其中基底相对于构建单元移动,实现该目的,在于
a)构建至少两个电功能层的第一电功能层,以便第一电功能层的平行于基底表面且在基底相对于构建单元的相对移动方向上的第一长度尺寸(L1)比表面区域F的在相对移动方向上且平行于基底表面的长度尺寸(LF)长出至少5μm,优选长出大于1mm,和/或在于
b)构建至少两个电功能层的第一电功能层,以便第一电功能层的平行于基底表面且垂直于基底的相对移动方向上的第一宽度尺寸(B1)相对于构建单元比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于基底表面的宽度尺寸(BF)宽出至少5μm,优选宽出大于1mm。
在这种情况下,需要与电功能层形成电接触的任何电线路或互连都被视为是不伴随各功能层的。
如果基底相对于构建单元移动,那么这意味着基底本身和/或构建单元可移动。在这种情况下,在该工艺期间仅仅基底移动而构建单元保持静止,或者在这种情况下构建单元移动而基底保持静止,否则基底和构建单元都是可动的。
由于与另一电功能层的理想定位的任何较小差异不会影响电子元件的功能性和电特性值,根据本发明的方法使得可以以非常小的努力对另一电功能层定位,意图使该另一电功能层在以这样的方式设计的第一电功能层形成之后形成,并且相对于该第一电功能层对准。因而,根据相对于表面区域F的第一电功能层的理想定位的位置,使用根据本发明的方法形成的电子元件容许(在相对移动方向上和/或垂直于相对移动方向)在第一电功能层的相对于另一电功能层的定位中与版图的差异。这允许进一步增加工艺速率并且降低有缺陷电子元件的出现几率。
在这种情况下,特别优选第一电功能层的在相对移动方向上的第一长度尺寸比表面区域F的在相对移动方向上的长度尺寸长50至500μm。该设计代表了用于电功能层的方法所需的附加间距与得到不工作或仅仅有限程度地工作的元件的几率之间的折中。
已经证明了,为了将要相对于表面区域F定位第一电功能层,从与基底表面垂直的角度看,在版图中使第一电功能层的第一面心(areacentroid)与表面区域F的面心一个位于另一个之上。结果,在根据版图的情况a)中,在相对移动方向上在前面和后面,第一电功能层从表面区域F伸出,因此,可根据版图在相对移动方向上具有与其理想位置的负和正差异地定位另一电功能层的面心。在情况b)中,根据版图,在垂直于相对移动方向,第一电功能层从从表面区域F的两边伸出,因此,可根据版图,在垂直于相对移动方向,具有与其理想位置的负和正横向差异地定位另一电功能层的面心。
如果仅仅发生情况a),那么还可以取代该情况而结合情况a)和情况b),以便这样构建至少两个电功能层的第二电功能层,以使第二电功能层的平行于基底表面且垂直于相对移动方向的第二宽度尺寸比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于基底表面的宽度尺寸宽出至少5μm,优选宽出大于1mm。这同样确保了,当第一和第二电功能层接连形成时,从垂直于相对移动方向的角度看,可以很大程度地容许基底的在基底平面上的不同定位。
在该情况下,已经证明了,为了在版图中将要相对于表面区域F定位第二电功能层,从垂直于基底表面的角度看,第二电功能层的第二面心与表面区域F的面心一个位于另一个之上。结果,在相对移动方向上,在版图中第二电功能层从表面区域F的两边伸出,因此,在相对移动方向上,可以容许印刷期间发生第二电功能层的与根据版图的理想定位的任何横向差异。
已经证明了,印刷工艺例如凹版、凸版、平版印刷、丝网印刷或移印工艺可用作连续工艺。在该情况下,应该将表达“丝网印刷”理解为同样涵盖模板印刷。
可以以高工艺速率执行例如这些的印刷方法。在该情况下,可通过印刷且在该阶段以所需形式直接在基底上形成电功能层。
同样已经证明了,激光构建方法或光刻构建方法可用作连续工艺,通常在该情况下使用表达“光刻构建方法”表示所有使用掩膜或掩蔽层的刻蚀方法。
例如这些的方法允许电功能层间接形成并且对形成在基底上的电功能层塑形,例如通过气相淀积或溅射。在该情况下,通过激光适当地移除例如气相淀积的电功能层。在相对于已经在基底上形成的电功能层定位激光期间,通常发生与理想位置的较小差异,因此这导致了形成的电功能层与版图之间的差异。
如果在电功能层的整个区域上施加光致抗蚀剂,其通过掩膜暴露,并且移除光致抗蚀剂的未被固化的区域,执行刻蚀工艺,然后移除该光致抗蚀剂,那么,掩膜定位与其理想位置的较小差异同样导致了形成的电功能层与版图之间的差异。
此外,实际上,电功能层可以印刷在例如具有抗刻蚀掩膜层的期望区域,而通过刻蚀移除电功能层的那些未印刷的区域。然后,溶解抗刻蚀掩膜层并且暴露电功能层的那些以期望形状构建并且保留在下面的区域。与当直接印刷电功能层的情形一样,在掩膜层的印刷期间同样发生与理想位置的差异。这些直接从掩膜层转印到以这样方式构建的电功能层。
此外,已经证明了,喷墨构建工艺可用作连续工艺,其中高工艺速率是可能的。在该情况下,通过喷墨印刷且在该阶段以期望形状直接在基底上形成电功能层。然而,为了以该方式构建先前形成的电功能层,喷墨工艺还可以施加掩膜层。
在连续工艺期间,优选将基底相对于构建单元的相对速率选择为在0.5至200m/min的范围内,更优选在10至100m/min的范围内。这允许以低制造成本大量制造电子元件。
在该情况下,特别优选柔性基底,特别是具有多于一层的延长塑胶膜用作基底。例如,由聚酯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯或聚酰亚胺构成的塑胶膜是适于该目的的。
已经证明了,基底的厚度可选择为6μm至200μm的范围内,优选在12μm至50μm的范围内。
当在连续工艺期间执行从卷到卷(roll to roll)的传送时,柔性基底的情况是特别有利的。在该情况下,将未涂覆的柔性基底缠绕到一个卷上,基底从卷上拖出并且经过加工机器,在该加工期间其被构建,并且最后缠绕到另一卷上,作为涂覆的基底。这允许处理长基底带,在该情况下,仅仅在新基底卷的开始处需要执行一次相对于加工机器的定位工艺。
已经证明了,至少两个电功能层均形成为厚度在1nm至100μm的范围内,优选在10nm至300nm的范围内的层。
从穿过基底的横截面看,在电子元件中,将至少两个电功能层直接设置为相互邻接。因此至少两个电功能层彼此形成直接接触。
可选地,从穿过基底的横截面看,至少一个第三电功能层可至少设置在电子元件中的至少两个电功能层之间的表面区域F中。因此,至少两个电功能层彼此不形成直接接触。
在该情况下,已经证明了,从垂直于基底表面的角度看,至少一个第三电功能层从表面区域F的所有边伸出,其中至少一个第三电功能层的平行于基底表面且在相对移动方向上的第三长度尺寸比表面区域F的在相对移动方向上且平行于基底表面的长度尺寸长出至少5μm,优选长出大于1mm,以及其中第三电功能层的平行于基底表面且垂直于相对移动方向的第三宽度尺寸比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于基底表面的宽度尺寸宽出至少5μm,优选宽出大于1mm。
优选第一电功能层为一个或多个,特别是有机的电极的形式。
在该情况下,所有类型的有机、金属有机和无计塑胶可看作导电“有机”材料。因此,旨在不在教条意义上将其限制为有机材料如包含碳的材料,并且,实际上,其同样旨在涵盖例如硅氧烷的使用。此外,该表达决不旨在限制分子量,特别对于聚合物和/或低聚物材料,并且同样在所有情况下可以使用“小分子”。
已经证明了,特别是聚苯胺或聚吡咯作为导电有机材料。
然而,对于第一电功能层来说,气相淀积或溅射的金属层同样适合作为电极层,其例如由金、银、铜、铝、铂、钛等中的至少一种构成。然后,优选通过激光或刻蚀构建这些金属层。
如果第二电功能层与第一电功能层形成直接接触,那么已经证明了第二电功能层可为电的特别是有机的绝缘层或半导体层特别是有机半导体层的形式。尤其是,已经证明了聚乙烯苯酚作为有机绝缘材料。例如,聚噻吩适合用作有机半导体材料。
如果第一和第二电功能层设置为彼此间有距离,那么已经证明了第二电功能层可以为一个或多个特别是有机的电极的形式。在该情况下,上面已经提及的用于第一电功能层的电极形式的材料同样可用作导电材料。
优选将场效应晶体管、电容器、二极管或具有至少一个过孔的元件形成为电子元件,其中该元件是特别在每种情况下具有至少一个有机电功能层。表达“过孔”表示开口,其通常垂直于基底平面,在功能层叠层中,通过过孔,在相互不形成直接接触的电功能层之间形成电连接。例如通过刻蚀工艺和使用构建层来形成过孔的工艺也可产生上述类型的偏移,在该情况下,过孔位置与根据版图的理想位置间的差异可通过根据本发明的方法补偿。
附图说明
图1a至3b旨在通过实例解释本发明。在这些图中:
图1a示出了涂覆基底的平面视图;
图1b示出了穿过图1a所示涂覆基底的A-A’截面;
图2a示出了另一涂覆基底的平面视图;
图2b示出了穿过图2a所示涂覆基底的B-B’截面;
图3a示出了又一涂覆基底的平面视图;以及
图3b示出了穿过图3a所示涂覆基底的C-C’截面。
具体实施方式
图1a示出了由PET膜构成的基底1的平面视图,其中为了在基底1的表面上制造电子元件,在该例子中是二极管,用三个电功能层2、3、4印刷基底1。从垂直于基底1的表面的角度看,电功能层2、3、4被设置为一个在另一个之上,并且至少在表面区域F中重叠。该例子中的电功能层2形成第一电功能层,其中第一电功能层的在印刷工艺期间形成的平行于基底1的表面且在基底1的相对移动方向上(由图1a中左边箭头示出)的第一长度尺寸L1比表面区域F的在印刷方向上且平行于基底1表面的长度尺寸LF长出约25μm。第一电功能层由导电材料构成,在该例子中是铜,作为电极。电功能层3形成第二电功能层,其通过由聚-3-烷基噻吩构成的第三电功能层4与第一电功能层分开。第二电功能层由银形成。这样形成第二电功能层,以便第二电功能层的平行于基底1表面且垂直于相对移动方向的第二宽度尺寸B2比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于基底1表面的宽度尺寸BF宽出约50μm。未图示出为了与第一和第二电功能层形成电接触而当然需要的导电供应线或互连。
图1a示出了根据用于电子元件的印刷版图的理想位置,其中第一电功能层相对于表面区域F定位,以便从垂直于基底1的角度看,第一电功能层的第一面心和表面区域F的面心SF一个位于另一个之上,以及第二电功能层相对于表面区域F定位,以便从垂直于基底1的角度看,第二电功能层的第二面心和表面区域F的面心SF同样是一个位于另一个之上。然而,实际上,这不是由于在构建工艺期间发生的差异的情况。
根据版图,相对于图示的理想情况,图1a中示出的层结构容许在相对移动方向上的任何差异或偏移,例如第一功能层的该差异或偏移,和/或第二功能层的在垂直于相对移动方向的任何差异或偏移。
图1b示出了穿过图1a所示的印刷基底的A-A’截面,其中可看到基底1和在上印刷的电功能层2、3、4。在该例子中,电功能层2形成第一电功能层,电功能层3形成第二电功能层,以及电功能层4形成第三电功能层。
图2a示出了由PET膜构成的另一印刷基底1的平面视图,其中为了在基底1的表面上制造电子元件,在该例子中是电容器,用三个电功能层2’、3’、4’印刷基底1。从垂直于基底1的表面的角度看,电功能层2’、3’、4’被设置为一个在另一个之上,并且至少在表面区域F中重叠。该例子中的电功能层2’形成第一电功能层,其中第一电功能层的在基底1的印刷期间平行于基底1的表面且在基底1的相对移动方向上形成(由图2a中左边箭头示出)的第一长度尺寸L1比表面区域F的在相对运动方向上且平行于基底1表面的长度尺寸LF长出约1mm。第一电功能层由导电材料构成,在该例子中是铜,作为电极。电功能层3’形成另一电功能层,其通过由电绝缘聚合物构成的第三电功能层4’与第一电功能层分开。另一电功能层为银电极的形式。
这样形成第一电功能层,以便第一电功能层的平行于基底1表面且垂直于相对移动方向的第一宽度尺寸B1比表面区域F的垂直于印刷方向且平行于基底1表面的宽度尺寸BF宽出约600μm。未图示出为了与第一和另一电功能层形成电接触而当然需要的导电供应线或互连。
图2a示出了用于电子元件的印刷版图的理想位置,其中第一电功能层相对于表面区域F定位,以便从垂直于基底1的角度看,第一电功能层的第一面心和表面区域F的面心SF是一个位于另一个之上,并且第三以及另一电功能层相对于表面区域F定位,以便从垂直于基底1的角度看,它们各自的面心和表面区域的面心SF同样是一个位于另一个之上。然而,实际上,这不是由于在构建工艺期间发生的差异的情况。根据印刷版图,相对于图示的理想情况,图2a中示出的层结构容许在相对移动方向上的任何差异或偏移,例如第一功能层的该差异或偏移,和/或在垂直于相对移动方向的第一功能层的任何差异或偏移。
图2b示出了穿过图2a所示的印刷基底1的B-B’截面,其中可看到基底1和在其上印刷的电功能层2’、3’、4’。在该例子中,电功能层2’形成第一电功能层,电功能层3’形成另一电功能层,以及电功能层4’形成第三电功能层。
图3a示出了由PET膜构成的又一印刷基底1的平面视图,其被印刷为具有两个电功能层2、3作为电子元件制造的初始阶段,在该例子中通过基底1表面上的有机场效应晶体管(OFET)作为实例。从垂直于基底1的表面的角度看,电功能层2、3被设置为一个在另一个之上,并且至少在表面区域F(以粗体印刷的线为界)中重叠。该例子中的电功能层2形成第一电功能层,其中第一电功能层的在基底1的印刷期间所形成的平行于基底1的表面且在基底1的相对移动方向上(由图3a中左边箭头示出)的第一长度尺寸L1比表面区域F的在相对移动方向上且平行于基底1表面的长度尺寸LF长出约1mm。第一电功能层由半导体材料构成,在该例子中是聚烷基噻吩。电功能层3形成另一电功能层。该另一电功能层由银形成且配置为两个梳状结构的形式,这旨在形成OFET的源和漏电极。由于该例子中的电功能层3具有不规则形状,这样限定本例子中的表面区域F,以便电功能层3的最大外部尺寸(在相对移动方向以及在与其垂直方向)预先确定表面区域F的范围,即使在以此方式限定的表面区域F内的任何点处两个电功能层之间都没有重叠。由于在用第一功能层印刷梳状结构期间的目的是完全覆盖梳状结构,在该例子中,对表面区域F的该限定是有利的。
这样形成第一电功能层,以便第一电功能层的平行于基底1表面且垂直于相对移动方向的第一宽度尺寸B1比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于基底1表面的宽度尺寸BF宽出约1mm。未图示出为了与第一和另一电功能层形成电接触而可能需要的导电供应线或互连。
图3a示出了根据用于电子元件的印刷版图的理想位置,其中第一电功能层相对于表面区域F定位,以便从垂直于基底1的角度看,第一电功能层的第一面心和表面区域F的面心SF是一个位于另一个之上,以及另一电功能层相对于表面区域F被定位,以便从垂直于基底1的角度看,其面心和表面区域F的面心SF同样是一个位于另一个之上。然而,实际上,这不是由于在印刷工艺期间发生差异的情况。根据印刷版图,相对于图示的理想情况,图3a中示出的层结构容许在相对移动方向上第一功能层的任何这样的差异或偏移和/或在垂直于相对移动方向上第一功能层的任何差异或偏移。
图3b示出了穿过图3a所示的印刷基底的C-C’截面,其中可看到,基底1和在其上印刷的电功能层2、3。在该例子中,电功能层2形成第一电功能层,以及电功能层3形成另一电功能层。
应注意,图示1a至3b仅仅通过实例解释了本发明的基本构思,并且对于本领域技术人员而言,根据全部上下文存在许多其它选择,以连续的工艺在工艺中脱离本发明的主题而允许根据本发明的方法同样也用于形成其它电子元件的电功能层。
Claims (18)
1.一种在基底(1)的表面上制造电子元件的方法,其中以与所述基底(1)的表面垂直的角度看,所述电子元件具有至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’),所述至少两个电功能层被设置为一个在另一个之上,以便它们至少在表面区域F中重叠,其中使用连续工艺直接或间接在所述基底(1)上构建所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’),并且其中所述基底(1)相对于构建单元移动,其特征在于,
a)构建所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)的第一电功能层,以便所述第一电功能层的平行于所述基底(1)表面且在所述基底(1)相对于所述构建单元相对移动方向上的第一长度尺寸(L1)比所述表面区域F的在相对移动方向上且平行于所述基底(1)表面的长度尺寸(LF)长出至少5μm,优选长出大于1mm,和/或在于
b)构建所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)的第一电功能层,以便所述第一电功能层的平行于所述基底(1)表面且垂直于所述基底(1)的相对移动方向的第一宽度尺寸(B1)相对于所述构建单元比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于所述基底(1)表面的宽度尺寸(BF)宽出至少5μm,优选宽出大于1mm。
2.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述第一电功能层的在所述相对移动方向上的所述第一长度尺寸(L1)比所述表面区域F的在所述相对移动方向上的长度尺寸(LF)长50至500μm。
3.根据权利要求1或2中任何一项的方法,其特征在于,所述第一电功能层在版图中相对于所述表面区域F被定位,以便从与所述基底(1)垂直的角度看,所述第一电功能层的第一面心与所述表面区域F的面心(SF)是一个位于另一个之上。
4.根据权利要求1至3中任何一项的方法,其特征在于,对于情况a),这样构建所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)的第二电功能层,以便所述第二电功能层的平行于所述基底(1)表面且垂直于所述相对移动方向的第二宽度尺寸(B2)比所述表面区域F的垂直于所述相对移动方向且平行于所述基底(1)表面的宽度尺寸(BF)宽出至少5μm,优选宽出大于1mm。
5.根据权利要求4的方法,其特征在于,所述第二电功能层在版图中相对于所述表面区域F定位,以便从垂直于所述基底(1)的角度看,所述第二电功能层的第二面心与所述表面区域F的面心(SF)是一个位于另一个之上。
6.根据权利要求1至5中任何一项的方法,其特征在于,印刷工艺用作所述连续工艺,例如凹版、凸版、平版印刷、丝网印刷或移印工艺、激光构建方法、光刻构建方法或喷墨构建方法。
7.根据权利要求1至6中任何一项的方法,其特征在于,在所述连续工艺期间,将所述基底(1)相对于所述构建单元的相对速率选择为在0.5至200m/min的范围内,优选在10至100m/min的范围内。
8.根据权利要求1至7中任何一项的方法,其特征在于,将柔性基底,特别是具有多于一层的拉长塑胶膜用作所述基底(1)。
9.根据权利要求8的方法,其特征在于,所述基底(1)的厚度选择为在6μm至200μm的范围内,优选在12μm至50μm范围内。
10.根据权利要求8或9的方法,其特征在于,在所述连续工艺期间卷到卷地传送所述柔性基底。
11.根据权利要求1至10中任何一项的方法,其特征在于,所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)均形成为具有厚度在1nm至100μm的范围,优选在10nm至300nm的范围内的层。
12.根据权利要求1至11中任何一项的方法,其特征在于,从穿过所述基底(1)的截面中看,在所述电子元件中直接相互邻接地设置所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)。
13.根据权利要求1至11中任何一项的方法,其特征在于,从穿过所述基底(1)的截面中看,至少在所述电子元件中的在所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)之间在所述表面区域F中设置至少一个第三电功能层。
14.根据权利要求13的方法,其特征在于,从垂直于所述基底(1)表面的角度看,所述至少一个第三电功能层从所述表面区域F的所有边伸出,其中所述至少一个第三电功能层的平行于所述基底(1)表面且在相对移动方向上的第三长度尺寸比所述表面区域F的在所述相对移动方向上且平行于所述基底(1)表面的长度尺寸(LF)长出至少5μm,优选长出大于1mm,以及其中所述第三电功能层的平行于所述基底(1)表面且垂直于所述相对移动方向的第三宽度尺寸比所述表面区域F的垂直于所述相对移动方向且平行于所述基底(1)表面的宽度尺寸(BF)宽出至少5μm,优选宽出大于1mm。
15.根据权利要求1至14中任何一项的方法,其特征在于,所述第一电功能层为一个或多个特别是有机的电极的形式。
16.根据权利要求12和15的方法,其特征在于,所述第二电功能层为电的特别是有机的、绝缘层或半导体层特别是有机半导体层的形式。
17.根据权利要求13和15的方法,其特征在于,所述第二电功能层为一个或多个特别是有机的电极的形式。
18.根据权利要求1至17中任何一项的方法,其特征在于,将场效应晶体管、电容器、二极管或包含至少一个过孔的元件形成为所述电子元件,特别地在每种情况下具有至少一个有机电功能层。
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