CN101349876B - 光刻装置和器件制造方法 - Google Patents
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- 238000007654 immersion Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 86
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 3
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- -1 as prime Substances 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001915 proofreading effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Abstract
本发明提供了一种光刻投射装置,包括:用于提供辐射投射光束的辐射系统;用于支撑构图部件的支撑结构,所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图;用于保持基底的基底台;用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统;和液体供给系统,所述液体供给系统用于向由所述投射系统的最终元件的表面和所述基底的表面限定的空间提供浸没液体;所述光刻投射装置还包括当所述基底从所述投射系统下移开时,用于保持所述最终元件的所述表面与液体接触的装置。另外提供了一种器件制造方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种光刻投射装置,包括:
用于提供辐射投射光束的辐射系统;
用于支撑构图部件的支撑结构,所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图;
用于保持基底的基底台;
用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统。
用于向所述投射系统的最终元件和所述基底之间的空间提供浸没液体的液体供给系统。
背景技术
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案截面的部件,其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致;本文中也使用术语“光阀”。一般地,所述图案与在靶部中形成的器件如集成电路或者其它器件的特殊功能层相对应(见下文)。这种构图部件的示例包括:
·掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型,以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射可根据掩模上的图案选择透射式(在透射掩模的情况下)或者反射式(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下,支撑结构一般是一个掩模台,它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置,并且如果需要该台会相对光束移动。
·程控反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光,而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器,从反射的光束中滤除所述非衍射光,只保留衍射光;按照这种方式,光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一实施例是利用微小反射镜的矩阵排列,通过使用适当的局部电场,或者通过使用压电致动器装置,使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者,反射镜是矩阵可寻址的,由此寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到非寻址反射镜上;按照这种方式,根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中,构图部件可包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO98/38597和WO98/33096中获得,这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中,所述支撑结构可以是框架或者工作台,例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
·程控LCD阵列,例如由美国专利US5,229,872给出的这种结构,它在这里引入作为参照。如上所述,在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台,例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见,本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模台为例;可是,在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图部件。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下,构图部件可产生对应于IC一个单独层的电路图案,该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的靶部上(例如包括一个或者多个芯片)。一般的,单一的晶片将包含相邻靶部的整个网络,该相邻靶部由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中,有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是,通过将全部掩模图案一次曝光在靶部上而辐射每一靶部;这种装置通常称作晶片分档器。另一种装置(通常称作步进一扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部;因为一般来说,投影系统有一个放大系数M(通常<1),因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从从例如美国专利US6,046,729中获得,该文献这里作为参考引入。
在用光刻投影装置的制造方法中,(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前,可以对基底可进行各种处理,如涂底漆,涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后,可以对基底进行其它的处理,如曝光后烘烤(PEB),显影,硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础,对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理,如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层,那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终,在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开,单个器件可以安装在载体上,与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型集成电路片制造:半导体加工实践入门(Microchip Fabrication:A Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版,Mc Graw Hill Publishing Co.,1997,ISBN0-07-067250-4)中获得,这里作为参考引入。
为了简单起见,投影系统在下文称为“透镜”;可是,该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统,包括例如折射光学装置,反射光学装置,和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件,该操作部件用于引导、整形或者控制辐射投射光束,这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“透镜”。另外,光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中,可以并行使用这些附加台,或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤,而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置,这里作为参考引入。
已经提出了将光刻投射装置中的基底浸没在一种具有比较高折射率的液体中,比如水,以使其填充投射系统最终元件和基底之间的空间。这样做的目的是由于曝光射线在液体中具有更短的波长,从而能够对更小的特征成像。(也可以将液体的作用看作提高系统的有效数值孔径NA并且也提高了景深)。
然而,将基底或基底及基底台浸入在液体槽中(参见例如US4,509,852,在这里全部引入作为参考)意味着在扫描曝光过程中必定要加速大量液体。这就需要附加的或更强劲的马达,并且液体中的紊流会导致不良和不可预知的影响。
一种提出的解决方案是对于液体供给系统仅在基底的局部区域及投射系统最终元件与基底之间(通常基底比投射系统的最终元件具有更大的表面积)提供液体。一种已经提出的适于这种方案的方法在WO99/49504中公开,在这里全部引入作为参考。如图9和10所示,液体由至少一个注水口IN供给到基底上,优选沿基底相对于最终元件的运动方向,并且在投射系统下面通过后由至少一个排水口OUT排出。也就是说,当沿-X方向扫描在元件下方的基底时,液体在元件的+X侧供给并且在-X侧吸收。图9示出液体通过注水口IN供给并且由连接到低压源的排水口OUT在元件的另一侧吸收的示意性的装置。在图9的示例中,液体沿基底相对于最终元件的运动方向供给,尽管并不需要是这种情况。围绕最终元件放置的各种定位和数量的入口和出口都是可以接受的,一个环绕最终元件以规则方式提供的四组入口两侧都带有出口的例子示于图10中。
使用这种以及其它用于仅将液体提供给基底局部的装置,基底自身起到了在投射系统最终元件与基底之间的空间容纳液体供给系统的液体的作用。如果移开基底(例如在交换基底的过程中)并且不进行其它测量,液体将从液体供给系统中跑出。很明显,要避免这种情况。在基底移动之前可以将液体从空间中清除。但是,由于当液体供给系统腾空液体后,剩余液体不可避免地会残留下来并且变干,所以曝光过程中浸没在液体中的投射系统的元件上会留下干燥斑点。显然,这对于投射系统的持续高性能是有害的。同样,在用液体重新填充空间时,很难避免气泡的形成。用液体填充空间也将花费时间并且会减少生产时间。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种可以进行浸没光刻并且可以避免或减少在交换基底的过程中从液体供给系统中清除液体的光刻投射装置。
依据本发明,本文开始段落中描述的光刻装置可以实现该目的和其它目的,其特征在于所述装置还包括当所述基底从所述投射系统下面移开时,用于保持所述最终元件与液体接触的装置。
这样就可以避免干燥投射系统最终元件上的标记。这种解决方案对于仅向基底的局部区域提供浸没液体的局部区域液体供给系统是理想的。有一种设置可以包括射流以在基底交换过程中向最终元件上没射液体。另一种设置是在所述液体供给系统与所述投射系统相对的一侧上提供一个可定位的遮光构件,这样,可以将所述浸没液体限制在所述液体供给系统中以及限制在所述投射系统与所述遮光构件之间。
采用这样的设置,在基底曝光之后遮光构件可以在液体供给系统下面移动,从而容纳液体。然后,基底从基底台移开,而没有损失液体供给系统的液体,这是因为遮光构件取代了基底的位置并且其尺寸等于或大于局部区域使得没有液体可以从液体供给系统与遮光构件之间溢出。
在一个实施例中,遮光构件为所述基底台的一个表面。采用这样的设置,基底台在曝光后移动到基底可被移去的位置,也可以移动到遮光构件位于液体供给系统之上的位置。密封如气体密封,也可以用于密封沿所述空间的至少一部分边界延伸的密封构件,以容纳所述液体,并为曝光过程中所述投射光束通过并到达基底形成孔径,该密封能够保持在液体供给系统与遮光构件之间的密封作用。该遮光构件堵住孔径。或者,遮光构件可以相对于密封构件抬高以邻接密封构件并且密封因而不起作用。
在一个可选实施例中,遮光构件可以与装置的其余部分分离。遮光构件也可以相对于装置的其余部分移动。也就是说,该遮光构件比较小,也许形状象盘子,并且不是永久地安装于装置的其它组成部分。在该实施例中,由于遮光构件位于液体供给系统之上并且不依赖于基底台,曝光后基底台可以完全地离开液体供给系统。在该实施例中,优选在曝光过程中由基底台支撑遮光构件,并且为了这个目的遮光构件和/或基底台具有可释放地将遮光构件保持到基底台上的装置。同样,提供用于可释放地将遮光构件附着于液体供给系统的装置。用于可释放地附着的装置或用于可释放地保持的装置包括用于产生附着或保持所需的力的磁装置。或者,这些装置包括用于将遮光构件吸到基底台和/或液体供给系统的真空出口。就用于可释放地附着的装置来说,可以利用在曝光过程中密封液体供给系统与基底之间用于密封的气体密封以提供将遮光构件附着于液体供给系统的力。
在另一个实施例中,液体供给系统包括用于将液体从所述空间清除的装置,以及一个用于在所述空间提供冲洗(flushing)的气体入口。由于液体污染物或许在装置长期关闭期间常常需要这样。这样,液体可以从所述空间清除并且所述空间会被气体冲洗。然后遮光构件附着于所述孔径以保扩透镜。
依据本发明的又一方面,还提供一种器件制造方法,包括以下步骤:
提供一至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基底;
利用辐射系统提供辐射投射光束;
利用构图部件来伎投射光束的横截面具有图案;
提供至少部分地填充在投射步骤中使用的投射系统最终元件与所述基底之间的间隙的浸没液体;
在具有该层辐射敏感材料的靶部上投射带图案的辐射光束;
将所述基底从所述投射系统下移开;
其特征在于,在所述基底已经从所述投时系统下移开后,保持所述最终元件与液体的接触。
在本申请中,本发明的装置具体用于制造IC,但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如,它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解,在这种可替换的用途范围中,在说明书中任何术语“划线板”,“晶片”或者“芯片”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”,“基底”和“靶部”代替。
在本文件中,使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射,包括紫外辐射(例如具有365,248,193,157或者126mm的波长)。
附图说明
现在仅通过举例的方式,参照附图描述本发明的实施方案,其中:
图1表示依据本发明一实施例的光刻投射装置:
图2表示本发明第一实施例的贮液器;
图3表示本发明第一实施例的贮液器和基底台;
图4表示本发明第二实施例的贮液器、基底台和遮光构件;
图5表示本发明第二实施例的贮液器、基底台和遮光构件;
图6表示本发明第二实施例的贮液器、基底台和遮光构件的另一种配置;
图7表示本发明第三实施例;
图8表示第三实施例的另一种形式;
图9表示依据本发明的一个实施例的另一种液体供给系统:
图10表示图9中系统的平面图。
在图中相应的附图标记表示相应的部件。
具体实施方式
实施例1
图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的一光刻投影装置。该装置包括:
辐射系统Ex,IL,用于提供辐射投射光束PB(例如UV辐射),在这种具体例子中,该辐射系统还包括一辐射源LA;
第一目标台(掩模台)MT,设有用于保持掩模MA(例如划线板)的掩模保持器,并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置连接;
第二目标台(基底台)WT,设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器,并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置连接;
投射系统(“透镜”)PL,(例如反射镜组),用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个电路小片(die))上。
如这里指出的,该装置属于透射型(例如具有透射掩模)。可是,一般来说,它还可以是例如反射型(例如具有反射掩模)。另外,该装置可以利用其它种类的构图部件,如上述涉及的程控反射镜阵列型。
辐射源LA(例如产生激光或放电等离子源)产生辐射光束。该光束直接或横穿过如扩束器Ex的调节装置后,再照射到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置AM,用于设定光束强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外,它一般包括各种其它组件,如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式,照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀度和强度分布。
应该注意,图1中的辐射源LA可以置于光刻投射装置的壳体中(例如当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况),但也可以远离光刻投射装置,其产生的辐射光束被(例如通过合适的定向反射镜的帮助)引导至该装置中;当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。横向穿过掩模MA后,光束PB通过透镜PL,该透镜将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置(和干涉测量装置IF)的辅助下,基底台WT可以精确地移动,例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似的,例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间,可以使用第一定位装置将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地,用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位),可以实现目标台MT、WT的移动。可是,在晶片分档器中(与步进一扫描装置相对),掩模台MT可与短冲程致动装置连接,或者固定。
所示的装置可以按照二种不同模式使用:
1.在步进模式中,掩模台MT基本保持不动,整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动,以使不同的靶部C能够由光束PB照射。
2.在扫描模式中,基本为相同的情况,但是所给的靶部C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是,掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向,例如y方向”)以速度v移动,以使投射光束PB扫描整个掩模图像;同时,基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V=Mv同时移动,其中M是透镜PL的放大率(通常M=1/4或1/5)。在这种方式中,可以曝光相当大的靶部C,而没有牺牲分辨率。
图2示出在投射系统PL与位于基底台WT上的基底W之间的贮液器10。贮液器10充满了通过入口/出口输送管13提供的具有比较高折射率的液体11,例如水。液体具有使投射光束的辐射在液体中比在空气或真空中具有更短的波长,可以分辨更小的特征的作用。众所周知,投射系统的分辨极限,特别地,由投射束的波长和系统的数值孔径确定。液体的存在也可以看作提高了有效数值孔径。另外,对于确定的数值孔径,液体对增加景深有效。
贮液器10在投射透镜PL像场周围形成对基底W形成优选的非接触式的密封,从而限制液体填充朝向投射系统PL的基底主表面与投射系统PL的最终元件之间的空间。贮液器由放置在投射透镜PL最终元件下方并环绕该元件的密封构件12形成。这样,液体供给系统仅在基底的局部区域上提供液体。密封构件12形成用于用液体填充投射系统最终元件与基底之间空间的液体供给系统的一部分。液体进入投射透镜下方并在密封构件12之内的空间。密封构件12在投射透镜底部元件之上略微延伸,并且液体上涨到最终元件之上以提供液体缓冲区。密封构件12具有在其上端严密符合投射系统或其最终元件的形状的内边缘,可以是例如圆形。在底部内边缘严密符合像场的形状,例如矩形,尽管并不必需这样。投射光束穿过该孔径。
通过密封器件16将液体11封闭在贮液器10中。如图2所示,密封器件为非接触密封,即气体密封。气体密封由气体形成,如空气或合成空气形成,在压力下,经由入口15提供给密封构件12与基底W之间的间隙,并由第一出口14排出。设置在气体入口15的过压、第一出口14的真空程度以及间隙的几何形状,从而具有向内的朝向装置光轴的高速空气流封闭液体11。如使用倒可密封一样,一些液体很可能溢出,例如从第一出口14上面。
图9和图10也表示了由入口IN、出口OUT、基底W和投射透镜PL的最终元件限定的贮液器。如同图2的液体供给系统,包括入口IN和出口OUT的图9和图10中表示的液体供给系统将液体供给到投射系统最终元件与基底主表面的局部区域之间的空间。
从图2和9中可以看出,在曝光的过程中,基底W提供贮液器的底壁从而将液体容纳在投射系统PL与基底W之间的空间中。
图3示出依据本发明第一实施例的基底台WT,该基底台WT可用于消除一旦基底W完成成像并被从基底台WT上卸下前从贮液器中腾空液体的必要性。遮光构件100(也称为盖板、边缘密封构件、间隙密封装置或构件或者中间板)为此目的设置。遮光构件100是不同于基底表面的一个表面,在这里是基底台WT的一个基本上与基底W的上部主表面共面并且紧紧邻接基底W的边缘的上部主表面(如图所示)。遮光构件100的面积要足够大,这样,如果基底台移动使投射系统PL和密封构件12位于遮光构件100之上(如图中虚线所示),遮光构件堵住密封构件12的整个孔径以防止液体从孔径中溢出。在该位置,可以用常见的基底处理装置将基底W从基底台WT移开。如果基底W的边缘接近遮光构件100的边缘(即当基底放置在突起台或卡盘上或者将基底W保持在基底台WT上的任何装置时,基底W与遮光构件100的边缘之间的间隙比较小),当基底边缘在密封构件12的孔径下面移动时,将不会有急剧的液体流失。基底台WT可以向投射系统抬高以堵住所述孔径,这样,密封装置16就不起作用。
实施例2
本发明第二实施例示于图4中,该实施例相对于第一实施例的改进在于:为了将基底W从基底台WT上移除并且在基底台WT上放置新的基底,该实施例允许基底台WT完全离开投射系统PL和密封构件12。这样,该装置可与例如双级(dual stage)机构一同使用。
在第二实施例中,遮光构件150为主横截面面积大于局部面积或密封构件12的孔径的面积的盘状形式。遮光构件150的形状可以是任何形状,只要它覆盖孔径。遮光构件150不是基底,而且可以相对于基底台WT和密封构件12两者移动并通过任何装置附着于密封构件12,下面将描述两个例子。
在基底W成像之后,移动基底台WT使遮光构件150位于密封构件12的孔径下面。基底W与基底台WT顶表面之间的间隙以及基底台WT顶表面与遮光构件150顶表面之间的间隙很小,这样,来自贮液器10的液体在通过间隙的同时没有灾难性的流失。基底W、基底W与遮光构件150之间的基底台WT和遮光构件150的顶(主)表面(如图所示)设置成基本上共面。一旦遮光构件150位于投射系统PL下面,遮光构件150附着于密封构件12的底部以覆盖所述孔径。然后,密封构件12沿Z方向(光轴方向)离开基底台WT,或者基底台WT降低离开密封构件12。接着,基底台WT移动到更换基底W的位置。一旦新的基底装在基底台WT上并且任何必需的对准或其它测量(例如水准测量)完成(例如在双级机构中),基底台WT就移动到遮光构件150可以重新定位在基底台WT上的位置,然后基底台WT移动,使基底W位于投射系统PL下面,这样,可以开始曝光。
当然,在光刻投射装置中的某个物体上而不是基底台WT上提供遮光构件150也是可以的。例如,可以在机器人臂上提供遮光构件,该机器人臂在曝光后移动从而将遮光构件定位在投射系统下面。
遮光构件150的位置会随时间漂移,这样,用于对准中心或至少保持遮光构件的位置轨迹的装置是有用的。可以是在基底台WT上遮光构件放置区域上的机械或光学或电子或其它类型的传感器和/或在液体供给装置(例如密封构件12)上的这样的传感器。对于这样的系统,优选石英遮光构件,特别是对于以193nm曝光的装置。可选择地或可附加地,提供应用来自遮光构件500上的标记的反射信号的透镜传感器和探测器,该信号通过分束器耦合到探测器。这样的系统可以在基底台WT移动的同时使用,从而提高产量。可选择地或可附加地,通过基底台WT上的光学传感器测量遮光构件的位置。这里,在遮光构件150的底侧或顶侧上运用一标记(例如对于辐射波长的透射图案),然后,当投射系统PL曝光该标记的同时,可由基底台WT上的传感器测量遮光构件150的位置。该标记对来自投射系统(或另一个辐射源)的辐射是透射的,并且在基底台WT上的透射像传感器(TIS)或斑点传感器继而可用于测量当遮光构件附着于液体供给系统时遮光构件的偏移。根据设计在遮光构件上的标记,可以使用在基底台WT上已有的透射像传感器(TIS)或斑点传感器。这样,该装置可以通过规律地感应位置,例如,每个循环或者也许仅每十个或上百个循环或在认为必要的时候,保留遮光构件随时间的位置漂移的记录。于是,可以做任何必要的调整。
另外,四方单元传感器(quad cell sensor)可以固定在遮光构件150的中心。吸收(或透射)斑点位于反射镜区的中心,这样,当使用后遮光构件150位于基底台WT上时,可以测量其位置。四方单元传感器由在一个矩形中的四个光敏单元组成。当光束在中心时,四个单元的输出相等。如果传感器漂移到一侧该侧单元的输出相对于其它侧单元的输出增大。因此,任何从优选位置的偏差在一下次遮光构件150附着于液体供给系统时可以得到校正。
另一种不涉及复杂的位置感测的遮光构件150的对中方法是提供当由液体供给系统拾起时具有能够自我对中的形状的遮光构件150。一个合适的例子是比所需更厚的遮光构件150,其具有位于液体供给系统的孔径中的圆锥状边缘。
图5示出一种将遮光构件150附着于密封构件12底侧的方法。该方法有效地利用了密封构件12的密封16。当遮光构件150位于孔径的下面时,出口14加电压而且入口15不加电压。出口14处的真空足够吸引遮光构件150以使之夹紧于密封构件12的底部从而密封孔径。当遮光构件150放回到基底台WT上时,密封16可以重新激活以正常运转,并且基底台WT移动到曝光位置。遮光构件150利用通过管155连接到真空源的真空出口157保持在基底台WT上。为了避免或减少浸没液体在遮光构件150下面的渗漏,环绕真空出口157设置一(环形)通道158。通道158通过管159连接到真空源,这样,任何液体都能被由真空引起的穿过通道158的气流清除。在通道158中具有气流是有益的,甚至是当遮光构件150在适当的位置时。为了这个目的,在某个表面上开一个管156,例如基底台WT的上表面,并且连接到通道158,该管156可以设置在基本上与通到真空源的管159相对的一侧。在第二实施例中,在遮光构件150处于覆盖孔径位置的同时密封16不必起作用,但优选密封16起作用。
另一个用于将遮光构件150保持在基底台WT上的装置和用于将遮光构件150附着于密封构件12的装置示于图6中。在该实施例中,遮光构件150由铁磁材料(或制作一个部件中部分使用铁磁材料)制成,这样,放置在密封构件12和基底台WT上的磁铁160、170(优选电磁体以易于安装和拆卸)可以用于将遮光构件150保持在分别抵住密封构件12和基底台WT的位置。通过保持密封16起作用,可以使液体流失减到最少。图5的实施例中描述的通道158和管156、159的设置也可以用于图6的实施例中以减少或减轻在遮光构件150下面的液体渗漏。
遮光构件150应当总是由基底台WT和密封构件12中的至少一个保持,从而使遮光构件总是受到控制。
如图6中进一步示出的,希望在基底交换过程中从贮液器10中清除液体11。这是通过从出口14或出口管13排出液体,然后用通过另一个气体入口17提供的气体冲洗该空间来完成。这么做是为了维护并且在进行该过程之后需要清洗透镜。
当然,图5和6中的特征可以组合。
实施例3
除下面描述的之外,第三实施例与第二实施例相同。第三实施例示于图7中,与第二实施例不同之处在于:遮光构件150放置在密封构件12里面。与第二实施例相似之处在于:遮光构件与基底台WT分离。遮光构件150通过密封装置12中的通道250,在投射系统PL下面移动,从而可以从任何静止位置移动到堵住孔径的位置。
遮光构件150也可以与密封装置12分离,并且在需要的时候用机器人臂移动到密封装置12中,例如,或者遮光构件可以具有一系列图8中示出的叶片300。叶片300象照相机的快门一样工作,该叶片可以移动使其不遮住孔径,但是,当移动多个叶片以令暇在孔径中心时,这些叶片堵住孔径。
以上是针对密封构件的不同局部区域解决方案描述了本发明。但是,上述发明同样可以应用于任何其它类型的液体供给系统,例如欧洲专利申请No.03254078.3或03256643.2中公开的液体供给系统,在这里全部作为参考引入,或者应用于图9和10中示出的变形中。例如,在遮光构件150可以相对于基底台WT和投射系PL两者移动的情况下,用于将遮光构件附着于入口IN和出口OUT之下的装置可设置在形成入口IN和出口OUT的构件上,或者设置在一个分离结构上。另外或者作为替代,出口OUT的真空可用于将遮光构件吸到入口IN和出口OUT,从而密封孔径。使用非平面的遮光构件,例如具有突出边沿的遮光构件会较为理想,使得可以容纳所有来自不同入口和出口的液滴。任何用于产生力的系统可以用作用于附着的装置,包括低压、磁装置、机械装置、静电装置等。
以上已描述本发明的具体实施例,可以理解本发明除上述之外,可以采用其他方式进行实施,本说明无意限制本发明。
Claims (16)
1.一种光刻投射装置,包括:
用于提供辐射投射光束的辐射系统;
用于支撑构图部件的支撑结构,所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图;
用于保持基底的基底台;
用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统;和
液体供给系统,所述液体供给系统用于向由所述投射系统的最终元件的表面和所述基底的表面限定的空间提供浸没液体;
其中,所述光刻投射装置还包括当所述基底从所述投射系统下移开时,用于保持所述最终元件的所述表面与液体接触的装置;
其中所述用于保持所述最终元件与液体接触的装置包括一个在所述液体供给系统相对所述投射系统的一侧上的可定位的遮光构件,这样,可以将所述浸没液体限制在所述液体供给系统中以及限制在所述投射系统与所述遮光构件之间。
2.如权利要求1所述的光刻投射装置,其中所述遮光构件是所述基底台的表面。
3.如权利要求1所述的光刻投射装置,其中所述遮光构件是与所述光刻投射装置的其余部分分开的。
4.如权利要求3所述的光刻投射装置,其中所述遮光构件和/或所述基底台具有可释放地将所述遮光构件保持在所述基底台上的装置。
5.如权利要求3或4所述的光刻投射装置,还包括可释放地将所述遮光构件附着于所述液体供给系统的装置。
6.如权利要求5所述的光刻投射装置,其中所述用于可释放地保持的装置和/或用于可释放地附着的装置包括磁性装置。
7.如权利要求5所述的光刻投射装置,其中所述用于可释放地保持的装置和/或用于可释放地附着的装置包括用于将所述遮光构件吸到所述基底台和/或所述液体供给系统的真空出口。
8.如权利要求7所述的光刻投射装置,其中所述液体供给系统包括沿容纳所述液体的所述空间的至少一部分边界延伸的密封构件,并且包括密封所述密封构件与所述基底之间低压源,所述低压源形成所述用于可释放地附着装置的至少一部分。
9.如权利要求1-4中任何一个所述的光刻投射装置,其中,在装载位置,所述遮光构件具有与面对所述最终元件的所述基底表面大致共面的主表面。
10.如权利要求1-4中任何一个所述的光刻投射装置,其中所述遮光构件包括用于导引所述遮光构件的标记。
11.如权利要求10所述的光刻投射装置,还包括利用所述标记测量所述遮光构件位置的传感器。
12.如权利要求1-4中任何一个所述的光刻投射装置,其中液体供给系统包括沿最终元件与基底台之间的所述空间的至少一部分边界延伸的密封构件,并且当所述遮光构件限制所述液体时,所述遮光构件定位于所述密封构件中。
13.如权利要求1-4中任何一个所述的光刻投射装置,其中所述液体供给系统包括将液体从所述空间清除的装置,以及在所述空间中提供冲洗气体的气体入口。
14.如权利要求1所述的光刻投射装置,其中在所述投射系统的所述最终元件和所述基底之间只有液体。
15.一种器件制造方法,包括以下步骤:
提供一至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基底;
利用辐射系统提供辐射投射光束;
利用构图部件来使投射光束的横截面具有图案;
提供至少部分填充由投射系统的最终元件的表面与基底的表面限定的空间的浸没液体;
使用所述投射系统将带图案的辐射光束投射在所述辐射敏感材料层的靶部上;
将所述基底从投射系统下移开;
其中,在所述基底从所述投射系统下移开后,保持所述最终元件的表面与液体的接触;
其中通过在所述液体供给系统与所述投射系统相对的一侧上设置遮光构件,保持所述最终元件与所述浸没液体接触,这样,所述浸没液体限制在所述液体供给系统中以及限制在所述投射系统与所述遮光构件之间。
16.如权利要求15所述的方法,其中在提供液体到所述空间中时,在所述投射系统的所述最终元件和所述基底之间只有液体。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02257822.3 | 2002-11-12 | ||
EP02257822 | 2002-11-12 | ||
EP03253636 | 2003-06-09 | ||
EP03253636.9 | 2003-06-09 | ||
EP03254059.3 | 2003-06-26 | ||
EP03254059 | 2003-06-26 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2003101209444A Division CN100451832C (zh) | 2002-11-12 | 2003-11-11 | 光刻装置和器件制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101349876A CN101349876A (zh) | 2009-01-21 |
CN101349876B true CN101349876B (zh) | 2010-12-01 |
Family
ID=32864917
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008101689660A Expired - Lifetime CN101382738B (zh) | 2002-11-12 | 2003-11-11 | 光刻投射装置 |
CN2008101689675A Expired - Lifetime CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2003-11-11 | 光刻投射装置 |
CN2009100021115A Expired - Lifetime CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2003-11-11 | 光刻装置和器件制造方法 |
CN2008102134965A Expired - Lifetime CN101349876B (zh) | 2002-11-12 | 2003-11-11 | 光刻装置和器件制造方法 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008101689660A Expired - Lifetime CN101382738B (zh) | 2002-11-12 | 2003-11-11 | 光刻投射装置 |
CN2008101689675A Expired - Lifetime CN101424881B (zh) | 2002-11-12 | 2003-11-11 | 光刻投射装置 |
CN2009100021115A Expired - Lifetime CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2003-11-11 | 光刻装置和器件制造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7081943B2 (zh) |
CN (4) | CN101382738B (zh) |
Families Citing this family (347)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100588124B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
KR101085372B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2011-11-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
AU2003289271A1 (en) * | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device |
EP1571697A4 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-04 | Nikon Corp | EXPOSURE SYSTEM AND DEVICE PRODUCTION METHOD |
US7948604B2 (en) * | 2002-12-10 | 2011-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4352874B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE10257766A1 (de) * | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
CN1717776A (zh) * | 2002-12-10 | 2006-01-04 | 株式会社尼康 | 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置 |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
WO2004053953A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4364805B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2009-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上にスポットを照射する方法及び装置 |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
TW200500813A (en) * | 2003-02-26 | 2005-01-01 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method, and method of producing device |
KR101181688B1 (ko) | 2003-03-25 | 2012-09-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP4902201B2 (ja) | 2003-04-07 | 2012-03-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
KR101177331B1 (ko) * | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
JP4650413B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-16 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
JP4656057B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
EP2921905B1 (en) * | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
SG2012050829A (en) | 2003-04-10 | 2015-07-30 | Nippon Kogaku Kk | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
SG185136A1 (en) * | 2003-04-11 | 2012-11-29 | Nikon Corp | Cleanup method for optics in immersion lithography |
KR101225884B1 (ko) | 2003-04-11 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
WO2004092830A2 (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
WO2004095135A2 (en) | 2003-04-17 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2004102646A1 (ja) * | 2003-05-15 | 2004-11-25 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TW200509205A (en) * | 2003-05-23 | 2005-03-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure method and device-manufacturing method |
TWI470671B (zh) | 2003-05-23 | 2015-01-21 | 尼康股份有限公司 | Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101728664B1 (ko) | 2003-05-28 | 2017-05-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
TWI347741B (en) * | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101940892B1 (ko) * | 2003-06-13 | 2019-01-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
KR101289979B1 (ko) | 2003-06-19 | 2013-07-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1975721A1 (en) * | 2003-06-30 | 2008-10-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7236232B2 (en) * | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
EP2853943B1 (en) * | 2003-07-08 | 2016-11-16 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
WO2005006417A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN102944981A (zh) * | 2003-07-09 | 2013-02-27 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法 |
EP2264532B1 (en) | 2003-07-09 | 2012-10-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
SG109000A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1500982A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1650787A4 (en) * | 2003-07-25 | 2007-09-19 | Nikon Corp | INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
EP2264534B1 (en) | 2003-07-28 | 2013-07-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101613384B1 (ko) | 2003-08-21 | 2016-04-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US8149381B2 (en) | 2003-08-26 | 2012-04-03 | Nikon Corporation | Optical element and exposure apparatus |
TW200513805A (en) | 2003-08-26 | 2005-04-16 | Nippon Kogaku Kk | Optical device and exposure apparatus |
EP2261740B1 (en) | 2003-08-29 | 2014-07-09 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG145780A1 (en) * | 2003-08-29 | 2008-09-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device fabricating method |
JP4517367B2 (ja) * | 2003-09-03 | 2010-08-04 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20170070264A (ko) | 2003-09-03 | 2017-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
WO2005029559A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4438747B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-03-24 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法 |
US7158211B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW201809911A (zh) * | 2003-09-29 | 2018-03-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法 |
WO2005031824A1 (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-07 | Nikon Corporation | 投影露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法 |
EP1519231B1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN1860585B (zh) * | 2003-09-29 | 2010-04-28 | 株式会社尼康 | 液浸型透镜系统和投影曝光装置 |
JP2005136364A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
KR101319109B1 (ko) * | 2003-10-08 | 2013-10-17 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
WO2005036623A1 (ja) | 2003-10-08 | 2005-04-21 | Zao Nikon Co., Ltd. | 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
TWI598934B (zh) | 2003-10-09 | 2017-09-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005041276A1 (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
WO2005043607A1 (ja) | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI440981B (zh) | 2003-12-03 | 2014-06-11 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
KR101941351B1 (ko) | 2003-12-15 | 2019-01-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
US20070081133A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-12 | Niikon Corporation | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method |
KR101111363B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2012-04-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영노광장치 및 스테이지 장치, 그리고 노광방법 |
US7460206B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE602004027162D1 (de) * | 2004-01-05 | 2010-06-24 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
JP4843503B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
WO2005071717A1 (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP1713114B1 (en) * | 2004-02-03 | 2018-09-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2005076325A1 (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及び方法、位置制御方法並びにデバイス製造方法 |
EP3208658B1 (en) * | 2004-02-04 | 2018-06-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005076323A1 (ja) | 2004-02-10 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法 |
US20070030467A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-02-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
WO2005081291A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
US20080038675A1 (en) * | 2004-02-20 | 2008-02-14 | Nikon Corporation | Exposure Method, Exposure Apparatus, Exposure System and Device Manufacturing Method |
JP5076497B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
DE102004013886A1 (de) | 2004-03-16 | 2005-10-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Mehrfachbelichtung, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage und Projektionssystem |
CN1950929B (zh) * | 2004-03-25 | 2011-05-25 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及组件制造方法 |
KR101851511B1 (ko) | 2004-03-25 | 2018-04-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US20070247640A1 (en) * | 2004-03-30 | 2007-10-25 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus, Exposure Method and Device Manufacturing Method, and Surface Shape Detection Unit |
US7034917B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4677986B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2011-04-27 | 株式会社ニコン | ノズル部材、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005111722A2 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-24 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7616383B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1768169B9 (en) * | 2004-06-04 | 2013-03-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device producing method |
US20070103661A1 (en) * | 2004-06-04 | 2007-05-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
WO2005119368A2 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
EP1780786A4 (en) * | 2004-06-07 | 2009-11-25 | Nikon Corp | STAGE DEVICE, EXPOSURE DEVICE AND EXPOSURE METHOD |
CN103605262B (zh) | 2004-06-09 | 2016-06-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置及其维护方法、以及元件制造方法 |
EP2637061B1 (en) * | 2004-06-09 | 2018-07-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device |
US20070139628A1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-06-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8373843B2 (en) * | 2004-06-10 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
WO2005122220A1 (ja) | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2005122221A1 (ja) | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US20070222959A1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-09-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8508713B2 (en) * | 2004-06-10 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8717533B2 (en) * | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP4543767B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-09-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7481867B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
EP3462241A1 (en) * | 2004-06-21 | 2019-04-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device |
JP5119666B2 (ja) | 2004-06-21 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体除去方法、及びデバイス製造方法 |
US8698998B2 (en) * | 2004-06-21 | 2014-04-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006006562A1 (ja) * | 2004-07-12 | 2006-01-19 | Nikon Corporation | 露光条件の決定方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4894515B2 (ja) | 2004-07-12 | 2012-03-14 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、及び液体検出方法 |
JPWO2006009064A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2008-05-01 | 株式会社ニコン | 光学部材の支持方法及び支持構造、光学装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7161663B2 (en) * | 2004-07-22 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
KR101230712B1 (ko) | 2004-08-03 | 2013-02-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
TW200615716A (en) * | 2004-08-05 | 2006-05-16 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
US7304715B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4983257B2 (ja) * | 2004-08-18 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法 |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060044533A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Asmlholding N.V. | System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system |
CN101015039B (zh) * | 2004-09-17 | 2010-09-01 | 尼康股份有限公司 | 曝光用基板、曝光方法及元件制造方法 |
SG155927A1 (en) * | 2004-09-17 | 2009-10-29 | Nikon Corp | Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TWI417940B (zh) * | 2004-09-17 | 2013-12-01 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7522261B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7355674B2 (en) * | 2004-09-28 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
US7894040B2 (en) | 2004-10-05 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7209213B2 (en) * | 2004-10-07 | 2007-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1806771A4 (en) * | 2004-10-08 | 2008-06-18 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
US7852456B2 (en) * | 2004-10-13 | 2010-12-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
WO2006041086A1 (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-20 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
EP3046135B1 (en) * | 2004-10-15 | 2017-09-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP4625673B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2011-02-02 | 株式会社東芝 | 露光方法及び露光装置 |
US7379155B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4665712B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2011-04-06 | 株式会社ニコン | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
US20070242248A1 (en) * | 2004-10-26 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device |
CN100533662C (zh) * | 2004-11-01 | 2009-08-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
EP1816671A4 (en) | 2004-11-11 | 2010-01-13 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SUBSTRATE |
US7251013B2 (en) | 2004-11-12 | 2007-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7583357B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7423720B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7414699B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411657B2 (en) * | 2004-11-17 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7230681B2 (en) * | 2004-11-18 | 2007-06-12 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for immersion lithography |
TWI393170B (zh) | 2004-11-18 | 2013-04-11 | 尼康股份有限公司 | A position measuring method, a position control method, a measuring method, a loading method, an exposure method, an exposure apparatus, and a device manufacturing method |
US20070285634A1 (en) * | 2004-11-19 | 2007-12-13 | Nikon Corporation | Maintenance Method, Exposure Method, Exposure Apparatus, And Method For Producing Device |
US7145630B2 (en) * | 2004-11-23 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080123067A1 (en) * | 2004-11-25 | 2008-05-29 | Nikon Corporation | Movable Body System, Exposure Apparatus, And Device Manufacturing Method |
US7161654B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080106718A1 (en) * | 2004-12-02 | 2008-05-08 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method |
TW200632576A (en) * | 2004-12-02 | 2006-09-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device |
US7256121B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Contact resistance reduction by new barrier stack process |
US7446850B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101559621B1 (ko) * | 2004-12-06 | 2015-10-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
WO2006062074A1 (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | 基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
US7248334B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Sensor shield |
US7196770B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Prewetting of substrate before immersion exposure |
WO2006062096A1 (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7365827B2 (en) * | 2004-12-08 | 2008-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4752473B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US7352440B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
KR101771334B1 (ko) | 2004-12-15 | 2017-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7880860B2 (en) * | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7491661B2 (en) * | 2004-12-28 | 2009-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, top coat material and substrate |
US7405805B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060147821A1 (en) | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7450217B2 (en) * | 2005-01-12 | 2008-11-11 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124359A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20070095270A (ko) * | 2005-01-18 | 2007-09-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체 제거 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101440617B1 (ko) | 2005-01-31 | 2014-09-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8692973B2 (en) * | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4565271B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2010-10-20 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
CN102360170B (zh) | 2005-02-10 | 2014-03-12 | Asml荷兰有限公司 | 浸没液体、曝光装置及曝光方法 |
US20070258068A1 (en) * | 2005-02-17 | 2007-11-08 | Hiroto Horikawa | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method |
US7224431B2 (en) * | 2005-02-22 | 2007-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8018573B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7378025B2 (en) * | 2005-02-22 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7282701B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
US7428038B2 (en) | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
US7238624B2 (en) * | 2005-03-01 | 2007-07-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for manufacturing semiconductor devices using a vacuum chamber |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7684010B2 (en) * | 2005-03-09 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing |
EP1879217A4 (en) * | 2005-03-18 | 2010-06-09 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND EXPOSURE APPARATUS EVALUATION METHOD |
JP4844186B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-12-28 | 株式会社ニコン | プレート部材、基板保持装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7330238B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-02-12 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method |
EP1865539A4 (en) * | 2005-03-30 | 2011-09-07 | Nikon Corp | METHOD FOR DETERMINING EXPOSURE CONDITIONS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND DEVICE PRODUCTION APPARATUS |
EP1865540A4 (en) * | 2005-03-30 | 2010-03-17 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE PRODUCTION METHOD |
KR20070115863A (ko) * | 2005-03-31 | 2007-12-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
TW200644079A (en) * | 2005-03-31 | 2006-12-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and device production method |
US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1720069A2 (en) | 2005-04-07 | 2006-11-08 | Carl Zeiss SMT AG | Method of manufacturing a projection-optical system |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7291850B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101555707B1 (ko) | 2005-04-18 | 2015-09-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US20060232753A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
KR101344142B1 (ko) | 2005-04-25 | 2013-12-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
WO2006118108A1 (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Nikon Corporation | 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、及び膜の評価方法 |
WO2006118189A1 (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
EP2527921A3 (en) * | 2005-04-28 | 2017-10-18 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
US7317507B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7268357B2 (en) * | 2005-05-16 | 2007-09-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography apparatus and method |
JP2006339448A (ja) | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Canon Inc | 受光ユニットを有する露光装置 |
WO2006137410A1 (ja) | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
US20070085989A1 (en) * | 2005-06-21 | 2007-04-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method |
JP4708876B2 (ja) * | 2005-06-21 | 2011-06-22 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置 |
US7751027B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7652746B2 (en) * | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7924416B2 (en) * | 2005-06-22 | 2011-04-12 | Nikon Corporation | Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2007000995A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Nikon Corporation | 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
US7834974B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7474379B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20080204682A1 (en) * | 2005-06-28 | 2008-08-28 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7468779B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1898448A4 (en) * | 2005-06-29 | 2011-06-29 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE |
JP2007012375A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Toyota Motor Corp | 燃料電池、燃料電池用電極触媒層の製造方法、及び燃料電池の運転方法 |
US8179517B2 (en) * | 2005-06-30 | 2012-05-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method, maintenance method for exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7351348B2 (en) * | 2005-08-10 | 2008-04-01 | International Business Machines Corporation | Evaporation control using coating |
US7535644B2 (en) * | 2005-08-12 | 2009-05-19 | Asml Netherlands B.V. | Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US8054445B2 (en) * | 2005-08-16 | 2011-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7580112B2 (en) * | 2005-08-25 | 2009-08-25 | Nikon Corporation | Containment system for immersion fluid in an immersion lithography apparatus |
US7751026B2 (en) * | 2005-08-25 | 2010-07-06 | Nikon Corporation | Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography |
US8070145B2 (en) * | 2005-08-26 | 2011-12-06 | Nikon Corporation | Holding unit, assembly system, sputtering unit, and processing method and processing unit |
US7812926B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-10-12 | Nikon Corporation | Optical element, exposure apparatus based on the use of the same, exposure method, and method for producing microdevice |
US8111374B2 (en) * | 2005-09-09 | 2012-02-07 | Nikon Corporation | Analysis method, exposure method, and device manufacturing method |
CN101258581B (zh) * | 2005-09-09 | 2011-05-11 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法以及设备制造方法 |
US20070070323A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
US7357768B2 (en) * | 2005-09-22 | 2008-04-15 | William Marshall | Recliner exerciser |
US7411658B2 (en) * | 2005-10-06 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4125315B2 (ja) * | 2005-10-11 | 2008-07-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7929109B2 (en) | 2005-10-20 | 2011-04-19 | Nikon Corporation | Apparatus and method for recovering liquid droplets in immersion lithography |
US20070127135A1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US20070127002A1 (en) * | 2005-11-09 | 2007-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
WO2007055199A1 (ja) | 2005-11-09 | 2007-05-18 | Nikon Corporation | 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2007055237A1 (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-18 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7864292B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7804577B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7656501B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7803516B2 (en) * | 2005-11-21 | 2010-09-28 | Nikon Corporation | Exposure method, device manufacturing method using the same, exposure apparatus, and substrate processing method and apparatus |
US7633073B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7773195B2 (en) * | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
US8125610B2 (en) * | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
US20070124987A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Brown Jeffrey K | Electronic pest control apparatus |
US7782442B2 (en) * | 2005-12-06 | 2010-08-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method |
KR100768849B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-10-22 | 엘지전자 주식회사 | 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법 |
EP1970944A4 (en) | 2005-12-06 | 2010-04-28 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, OPTICAL PROJECTION SYSTEM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
US7420194B2 (en) | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
US7839483B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system |
KR20080088579A (ko) | 2005-12-28 | 2008-10-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
US8411271B2 (en) * | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2801864B8 (en) * | 2006-01-19 | 2015-11-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US7848516B2 (en) * | 2006-01-20 | 2010-12-07 | Chiou-Haun Lee | Diffused symmetric encryption/decryption method with asymmetric keys |
KR20080103564A (ko) | 2006-02-16 | 2008-11-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
EP1990828A4 (en) | 2006-02-16 | 2010-09-15 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND METHOD FOR PRODUCING COMPONENTS |
EP1986223A4 (en) | 2006-02-16 | 2010-08-25 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
WO2007094407A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US8134681B2 (en) * | 2006-02-17 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium |
CN101980085B (zh) * | 2006-02-21 | 2012-11-07 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及组件制造方法 |
US8908145B2 (en) * | 2006-02-21 | 2014-12-09 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
JP5177674B2 (ja) | 2006-02-21 | 2013-04-03 | 株式会社ニコン | 測定装置及び方法、パターン形成装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
US7893047B2 (en) * | 2006-03-03 | 2011-02-22 | Arch Chemicals, Inc. | Biocide composition comprising pyrithione and pyrrole derivatives |
US8045134B2 (en) * | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
EP1995768A4 (en) * | 2006-03-13 | 2013-02-06 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP2007266504A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Canon Inc | 露光装置 |
JPWO2007119821A1 (ja) * | 2006-04-14 | 2009-08-27 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US9477158B2 (en) | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006021797A1 (de) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
US8477283B2 (en) * | 2006-05-10 | 2013-07-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7969548B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
WO2007139017A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Nikon Corporation | 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2008026593A1 (fr) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition, procédé de fabrication de dispositif, procédé de nettoyage et élément de nettoyage |
KR101529845B1 (ko) | 2006-08-31 | 2015-06-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI442191B (zh) | 2006-08-31 | 2014-06-21 | 尼康股份有限公司 | Mobile body drive system and moving body driving method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, component manufacturing method, and method of determining |
SG174737A1 (en) | 2006-08-31 | 2011-10-28 | Nikon Corp | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
TW201809913A (zh) | 2006-09-01 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
TWI622084B (zh) | 2006-09-01 | 2018-04-21 | Nikon Corp | Mobile body driving method, moving body driving system, pattern forming method and device, exposure method and device, component manufacturing method, and correction method |
US7872730B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
SG143137A1 (en) | 2006-11-13 | 2008-06-27 | Asml Netherlands Bv | Conduit system for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, pump, and method for substantially reducing vibrations in a conduit system |
US7843548B2 (en) * | 2006-11-13 | 2010-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Conduit system for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, pump, and method for substantially reducing vibrations in a conduit system |
JP5055971B2 (ja) * | 2006-11-16 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7973910B2 (en) | 2006-11-17 | 2011-07-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus and exposure apparatus |
US8045135B2 (en) * | 2006-11-22 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method |
US8013975B2 (en) * | 2006-12-01 | 2011-09-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8040490B2 (en) * | 2006-12-01 | 2011-10-18 | Nikon Corporation | Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US20080156356A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9632425B2 (en) | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
US7791709B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support and lithographic process |
JP2008147577A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8654305B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US8237911B2 (en) * | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
US7900641B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US7866330B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8011377B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US8947629B2 (en) * | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
WO2008146819A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Nikon Corporation | 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法 |
US8164736B2 (en) * | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
US8953141B2 (en) * | 2007-12-21 | 2015-02-10 | Asml Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method with asymmetric acceleration profile of substrate table to maintain meniscus of immersion liquid |
KR101448152B1 (ko) * | 2008-03-26 | 2014-10-07 | 삼성전자주식회사 | 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서 |
EP2128703A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
NL2003363A (en) * | 2008-09-10 | 2010-03-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US8384875B2 (en) * | 2008-09-29 | 2013-02-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
NL2004547A (en) * | 2009-05-14 | 2010-11-18 | Asml Netherlands Bv | An immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US20100294742A1 (en) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Enrico Magni | Modifications to Surface Topography of Proximity Head |
JP5016705B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2012-09-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体ハンドリング構造 |
NL2005207A (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN102870383A (zh) * | 2010-02-19 | 2013-01-09 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 基板支撑结构、夹持准备单元、以及光刻系统 |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
NL2008979A (en) | 2011-07-11 | 2013-01-14 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2008980A (en) | 2011-07-11 | 2013-01-14 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2009139A (en) | 2011-08-05 | 2013-02-06 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
JP6332948B2 (ja) | 2013-11-28 | 2018-05-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびそれを用いたデバイスの製造方法 |
CN104950585B (zh) * | 2014-03-25 | 2017-06-27 | 上海微电子装备有限公司 | 一种浸液限制机构 |
CN105022234B (zh) * | 2015-07-14 | 2017-05-17 | 浙江大学 | 基于多次曝光的跨尺度微结构制造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5563682A (en) * | 1994-07-29 | 1996-10-08 | Orc Manufacturing Co., Ltd. | Exposing apparatus with mask alignment system and method of aligning, exposing and transferring work |
Family Cites Families (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE224448C (zh) | ||||
DE242880C (zh) | ||||
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
ATE1462T1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-15 | Werner W. Dr. Tabarelli | Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe. |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4390273A (en) * | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
DD206607A1 (de) | 1982-06-16 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
US5121256A (en) | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
WO1998009278A1 (en) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
EP1039511A4 (en) | 1997-12-12 | 2005-03-02 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS |
AU2747999A (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
JP2001272604A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置 |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) * | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
US6897941B2 (en) | 2001-11-07 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
DE10229818A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
WO2004019128A2 (en) | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US7310071B2 (en) * | 2002-10-18 | 2007-12-18 | Kopin Corporation | Instrument panel with active display |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
AU2003302831A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device |
EP1429190B1 (en) * | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
RU2230075C1 (ru) | 2002-12-10 | 2004-06-10 | Открытое акционерное общество "Пластполимер" | Способ получения перфторированных сополимеров с функциональными сульфонилфторидными группами |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
AU2003289271A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
KR101085372B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-11-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1571697A4 (en) | 2002-12-10 | 2007-07-04 | Nikon Corp | EXPOSURE SYSTEM AND DEVICE PRODUCTION METHOD |
KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
WO2004053953A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN1717776A (zh) | 2002-12-10 | 2006-01-04 | 株式会社尼康 | 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置 |
WO2004055803A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
EP1732075A3 (en) | 2002-12-19 | 2007-02-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
JP4364805B2 (ja) | 2002-12-19 | 2009-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上にスポットを照射する方法及び装置 |
US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
KR101177331B1 (ko) | 2003-04-09 | 2012-08-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
SG2012050829A (en) | 2003-04-10 | 2015-07-30 | Nippon Kogaku Kk | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
WO2004092830A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Liquid jet and recovery system for immersion lithography |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005191393A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
-
2003
- 2003-11-11 CN CN2008101689660A patent/CN101382738B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-11 CN CN2008101689675A patent/CN101424881B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-11 CN CN2009100021115A patent/CN101470360B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-11 CN CN2008102134965A patent/CN101349876B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-12 US US10/705,805 patent/US7081943B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5563682A (en) * | 1994-07-29 | 1996-10-08 | Orc Manufacturing Co., Ltd. | Exposing apparatus with mask alignment system and method of aligning, exposing and transferring work |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
同上. |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101349876A (zh) | 2009-01-21 |
CN101470360B (zh) | 2013-07-24 |
CN101470360A (zh) | 2009-07-01 |
US7081943B2 (en) | 2006-07-25 |
US20040165159A1 (en) | 2004-08-26 |
CN101382738B (zh) | 2011-01-12 |
CN101424881A (zh) | 2009-05-06 |
CN101424881B (zh) | 2011-11-30 |
CN101382738A (zh) | 2009-03-11 |
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Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101349876B (zh) | 光刻装置和器件制造方法 | |
CN100451832C (zh) | 光刻装置和器件制造方法 | |
US11016394B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
CN1573567B (zh) | 光刻装置和器件制造方法 | |
CN101872129B (zh) | 光刻装置和器件制造方法 | |
EP1420300B1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
CN102147574B (zh) | 光刻装置和器件制造方法 | |
US20190258174A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure | |
US9477159B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
CN101281377B (zh) | 光刻装置及器件制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20101201 |