CN101399259B - 电路装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够有效地对层叠配置在壳体构件中的多个电路基板进行树脂密封的电路装置及其制造方法。在混合集成电路装置(10)中安装有重叠在壳体构件(12)中的第一电路基板(18)和第二电路基板(20)。并且，在第一电路基板(18)的上表面配置有第一电路元件(22)，在第二电路基板(20)的上表面配置有第二电路元件。并且，在壳体构件(12)的侧壁部设置有开口部(15)，通过该开口部(15)使壳体构件(12)的内部空间与外部连通。因而，在树脂密封的工序中，能够从外部经过该开口部(15)向壳体构件(12)的内部空间注入密封树脂(11)。

Description

电路装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种电路装置及其制造方法，特别是涉及一种通过壳体构件密封形成于电路基板的上表面的混合集成电路的电路装置及其制造方法。
背景技术
参照图9说明采用了壳体构件111的混合集成电路装置150的结构。混合集成电路装置150具备如下部分：基板101，其由铝等金属构成；绝缘层102，其形成为覆盖基板101的上表面；导电图案103，其形成在绝缘层102的上表面；以及晶体管等电路元件110，其与导电图案103电连接。并且，成为由壳体构件111和密封树脂108密封电路元件110的结构。
具体地说，壳体构件111具有大致框架形状，与基板101的侧面抵接。并且，为了在基板101的上表面确保用于密封的空间，壳体构件111的上端部位于基板101的上表面的上方。并且，在基板101的上方由壳体构件111包围的空间中填充有密封树脂108，由该密封树脂108覆盖半导体元件等电路元件110。通过这种结构，即使基板101比较大，也能够通过对由壳体构件111等包围的空间填充密封树脂108，来对安装在基板101的上表面的电路元件进行树脂密封。
专利文献1：日本特开2007-036014号公报
发明内容
发明要解决的问题
在上述混合集成电路装置150中，在基板101的上表面安装有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅极双极型晶体管)等功率晶体管、对该功率晶体管进行驱动的驱动IC。并且，在安装有混合集成电路装置150的安装基板侧安装对该驱动IC进行控制的微型计算机等控制元件。因而，存在如下问题：在安装基板侧，安装对马达等负载的驱动进行控制的电路所需的面积较大。
作为提高混合集成电路装置150的安装密度的结构，考虑在壳体构件111的内部重叠地设置多个基板101、在各个基板101上安装电路元件的结构。然而，当这样将多个基板101安装到壳体构件111时，存在难以对由壳体构件111和基板101封闭的空间进行树脂密封的问题。
本发明的目的在于提供一种能够有效地对层叠配置在壳体构件中的多个电路基板进行树脂密封的电路装置及其制造方法。
用于解决问题的方案
本发明的电路装置的特征在于，具备：壳体构件；第一电路基板和第二电路基板，其被安装在上述壳体构件中并且重叠配置；第一电路元件，其被固定在上述第一电路基板的主面上；第二电路元件，其被固定在上述第二电路基板的主面上；以及密封树脂，其至少覆盖上述第一电路基板的上述主面和上述第一电路元件，其中，在上述壳体构件上设置有开口部，该开口部用向对上述壳体构件的内部空间注入上述密封树脂。
本发明的电路装置的制造方法的特征在于，具备：将在主面上固定有第一电路元件的第一电路基板安装到壳体构件中的工序；将在主面上固定有第二电路元件的第二电路基板安装到上述壳体构件中的工序；以及对由上述壳体构件、上述第一电路基板以及上述第二电路基板包围的内部空间注入密封树脂从而密封上述第一电路基板的主面和上述第一电路元件的工序，其中，在上述进行密封的工序中，从被设置在上述壳体构件上的开口部向上述内部空间注入上述密封树脂。
发明的效果
根据本发明，将壳体构件开口来设置用于向盒的内部空间注入密封树脂的开口部。由此，不需要在嵌入到盒内的第一电路基板、第二电路基板上设置用于注入树脂的开口部，因此能够不降低这些基板的安装密度地形成用于注入树脂的开口部。
并且，根据本发明，将面向开口部的壳体构件的内壁设为倾斜面。由此，从上方注入到壳体构件的开口部的液体状的密封树脂沿倾斜面平滑地填充到壳体构件的内部空间。
附图说明
图1是表示作为本发明的电路装置的一个实施例的混合集成电路装置的图，(A)是立体图，(B)是截面图。
图2是表示作为本发明的电路装置的一个实施例的混合集成电路装置的图，(A)是截面图，(B)是截面图。
图3是表示作为本发明的电路装置的一个实施例的混合集成电路装置的图，(A)是截面图，(B)是截面图。
图4是表示安装在作为本发明的电路装置的一个实施例的混合集成电路装置中的电路的框图。
图5的(A)是表示安装有作为本发明的电路装置的一个实施例的混合集成电路装置的室外机的图，(B)是表示安装有混合集成电路装置的位置的截面图。
图6是表示作为本发明的电路装置的一个实施例的混合集成电路装置的制造方法的图，(A)是截面图，(B)是截面图。
图7是表示作为本发明的电路装置的一个实施例的混合集成电路装置的制造方法的立体图。
图8是表示作为本发明的电路装置的一个实施例的混合集成电路装置的制造方法的图，(A)是截面图，(B)是截面图。
图9是表示背景技术的混合集成电路装置的截面图。
附图标记说明
10：混合集成电路装置；11：密封树脂；12：壳体构件；12A：第一侧壁部；12B：第二侧壁部；12C：第三侧壁部；12D：第四侧壁部；13：露出部；14：第一密封树脂；15：开口部；16：第二密封树脂；17：倾斜面；18：第一电路基板；20：第二电路基板；21：导电图案；22：第一电路元件；24：第二电路元件；26：空心部；28：第一引线；30：第二引线；32：安装基板；34：绝缘基板；36：绝缘层；38：导电图案；40：绝缘层；41：整流电路；42：金属细线；43：平滑电路；44：驱动IC；45：开关电路；46：马达；48：室外机；50：壳体；52：压缩机；54：冷凝机；56：风扇；58：散热片；60：安装基板。
具体实施方式
参照图1说明作为电路装置的一例的混合集成电路装置10的结构。图1的(A)是混合集成电路装置10的立体图，图1的(B)是图1的(A)的B-B′线上的截面图。
参照图1的(A)和图1的(B)，在混合集成电路装置10中，在壳体构件12中重叠地安装第一电路基板18和第二电路基板20。并且，在第一电路基板18的上表面配置有第一电路元件22(例如，功率晶体管)，在第二电路基板20的上表面配置有第二电路元件24(例如，微型计算机)。并且，在壳体构件12的内部填充密封树脂11，由该密封树脂11密封第一电路基板18的上表面、第一电路元件22、第二电路基板20以及第二电路元件24。
使环氧树脂等热固性树脂或丙烯酸树脂等热可塑性树脂并注射成形而形成壳体构件12，该壳体构件12大致呈框架状的形状。参照图1的(B)，壳体构件12的上表面和下表面成为开口部，由第二电路基板20堵住上表面的开口部，由第一电路基板18堵住下面的开口部。另外，在壳体构件12的左右端部设置有用于螺栓固定的孔部。并且，参照图1的(A)，壳体构件12主要由在纸面上左右相向的第一侧壁部12A和第二侧壁部12B、以及在纸面的上下方向上相向的第三侧壁部12C和第四侧壁部12D构成。
另外，在壳体构件12的角部设置有四个开口部15，该开口部15用于在制造工序中向内部空间注入密封树脂11。在形成密封树脂11的工序中，这些开口部15作为用于向壳体构件12的内部空间注入密封树脂11的路径而发挥功能。在后面说明该事项的细节。
第一电路基板18被安装在壳体构件12的下部的开口部，由铝(Al)、或铜(Cu)、或者以这些金属为主材料的合金构成。在此，采用两个由铝构成的金属基板作为第一电路基板18，但是也可以由一个金属基板构成第一电路基板18。参照图2的(B)说明第一电路基板18的细节。
第二电路基板20被安装在壳体构件12的上部的开口部，采用印制电路板(printed circuit board：PCB)。具体地说，采用纸苯酚基板、玻璃环氧基板等作为第二电路基板20。另外，也可以采用由陶瓷构成的基板作为第二电路基板20。并且，在第二电路基板20上，可以仅在上表面形成导电图案21，也可以在两面设置导电图案21。并且，也可以在第二电路基板20上构成三层以上的层叠的导电图案21。
第一电路元件22是与被形成在第一电路基板18的上表面的导电图案38电连接的元件。例如，采用对1安培以上的电流的进行开关的功率晶体管作为第一电路元件22。在此，作为功率晶体管，采用双极型晶体管、场效应晶体管(Field effecttransistor：FET)或绝缘栅极双极型晶体管(Insulated gate bipolartransistor：IGBT)。并且，也可以全面地采用晶体管以外的元件作为第一电路元件22，例如采用L SI、二极管等有源元件、芯片电容器、芯片电阻等无源元件。
另外，在第一电路元件22是功率晶体管等半导体元件的情况下，通过焊锡等导电性粘结材料固定其背面。并且，也可以在第一电路元件22与导电图案38之间设置由铜等金属构成的散热片。并且，经由金属细线42将形成在第一电路元件22的上表面的电极连接到导电图案38上。
并且，作为第一电路元件22采用构成整流电路的二极管、构成平滑电路的线圈、电容器、对上述的功率晶体管的控制电极施加控制信号的驱动IC、热敏电阻等。
第二电路元件24是与被形成在第二电路基板20的表面上的导电图案21电连接的元件，一般采用工作温度比上述的第一电路元件22更低的电路元件。作为具体例，例如在第二电路基板20上安装微型电脑(微型计算机)、铝电解电容器等作为第二电路元件24。并且，与第一电路元件22同样地，全面地采用有源元件和无源元件作为第二电路元件24。另外，也可以采用晶体振荡器、半导体存储器作为第二电路元件24。
另外，参照图1的(B)，作为微型计算机的LSI以被树脂密封的封装体的状态安装在第二电路基板20的上表面。然而，也可以以裸芯片的状态将微型计算机固定在形成于第二电路基板20的表面上的导电图案21上。
向壳体构件12的内部填充密封树脂11使得覆盖被固定在各电路基板上的电路元件。具体地说，将密封树脂11填充到由壳体构件12的各侧壁部、第一电路基板18以及第二电路基板20所包围的内部空间。并且，形成密封树脂11使得覆盖第二电路基板20的上表面和第二电路元件24。密封树脂11由掺入了氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)等填料的环氧树脂等树脂材料构成。这样，通过用密封树脂11覆盖第一电路元件22和第二电路元件24，来提高这些元件的耐湿性和耐振动性。
参照图1的(A)，用密封树脂11全面地覆盖壳体构件12的前面侧的开口部，并从该密封树脂11的表面向外部引出第一引线28和第二引线30。参照图2的(A)说明第一引线28和第二引线30的细节。第一引线28和第二引线30作为使设置在混合集成电路装置10的内部的电路与外部连接的连接单元而发挥功能。并且，参照图1的(A)，上述第一引线28还作为使安装在第一电路基板18上的第一电路元件22与安装在第二电路基板20上的第二电路元件24电连接的连接单元而发挥功能。另外，设置在壳体构件12上的开口部15也被密封树脂11覆盖，在图1的(A)中用虚线表示开口部15的边缘。
在本实施方式中，在壳体构件12上设置有用于向壳体构件12的内部空间注入树脂的开口部15。具体地说，为了将第一电路基板18和第二电路基板20成一体地进行树脂密封，在粘结第一电路基板18与第二电路基板20并安装到壳体构件12之后形成密封树脂11。因而，需要确保用于向壳体构件12的内部空间注入密封树脂11的开口部。另外，当除去第一电路基板18、第二电路基板20的一部分来设置该开口部时，这些电路基板的面积缩小，难以安装很多电路元件。
因此，在本实施方式中，将用于注入密封树脂11的开口部设置在壳体构件12上。具体地说，参照图1的(A)，通过将壳体构件12的第一侧壁部12A的一部分向外侧突出，在第二电路基板20的侧方形成开口部15。这样利用壳体构件12设置开口部15，不需要缩小第一电路基板18、第二电路基板20的面积，因此不会降低装置整体的安装密度。
并且，参照图1的(B)，面向开口部15的第一侧壁部12A的内壁成为下方位于比上方更内侧的倾斜面。通过这种结构，在树脂密封的工序中，从开口部15的上方注入的密封树脂11沿着倾斜面17向内侧流动，最终由密封树脂11填充壳体构件12的内部空间。该结构在面向开口部15的第二侧壁部12B的情况下也相同。另外，在本实施方式中，在壳体构件12上设置有多个开口部15，因此如果从一个开口部15向壳体构件12的内部空间注入密封树脂11，则从其它的开口部15放出内部空间的空气。因而，容易地向壳体构件12的内部空间注入树脂。
参照图2进一步说明上述混合集成电路装置10的结构。图2的(A)是表示引线的结构的混合集成电路装置10的截面图，图2的(B)是用于说明第一电路基板18的结构的截面图。
参照图2的(A)，在混合集成电路装置10中设置有第一引线28和第二引线30。
第一引线28的下端被固定在焊盘上，该焊盘由形成在第一电路基板18的上表面的导电图案38构成。通过焊锡等导电性粘结材料来粘结焊盘状的导电图案38与第一引线28的下端。并且，第一引线28贯穿密封树脂11和第二电路基板20，上端引出到外部。在此，存在如下情况：在第一引线28贯穿第二电路基板20的位置上，第一引线28与被固定在第二电路基板20的上表面的第二电路元件连接的情况和不连接的情况。作为第一引线28与第二电路元件24连接的情况，存在经由第一引线28将安装在第二电路基板20上的第二电路元件24与安装在第一电路基板18上的第一电路元件22电连接的情况。另外，作为第一引线28与第二电路元件24不连接的情况，例如考虑从外部提供的电源电流通过第一引线28的情况、或者由被设置在第一电路基板18上的变换器电路变换得到的电流通过第一引线28而提供给外部的情况。
第二引线30的下端与被设置在第二电路基板20的上表面的导电图案21连接，上端贯穿密封树脂11向上方突出。第二引线30的下端附近被插入到贯穿第二电路基板20而设置的孔部从而被固定，具有使向安装在第二电路基板20上的第二电路元件24输入输出的电信号通过的功能。在此，通过焊锡等导电性粘结材料对形成在第二电路基板20的上表面的导电图案21与第二引线30进行连接。
参照图2的(B)，在本方式中，层叠安装基板32和绝缘基板34来构成第一电路基板18。
安装基板32是厚度1.0mm～2.0mm左右的以铝(Al)为主材料的金属制的基板，上表面和下表面被阳极氧化膜(由Al2O3构成的膜)覆盖。由绝缘层36覆盖安装基板32的上表面，该绝缘层36由高填充了填料的环氧树脂等树脂材料构成。绝缘层36的厚度例如是50μm左右。并且，在绝缘层36的上表面形成厚度50μm左右的、由铜构成的导电图案38，在该导电图案38上安装第一电路元件22。
另外，除去上述的绝缘层36的一部分来设置露出部13，经由金属细线42将从该露出部13露出的安装基板32与导电图案38进行连接。这样，通过露出部13连接安装基板32与导电图案38，能够将安装基板32的电位设为固定电位(接地电位、电源电位)，能够使通过安装基板32来屏蔽来自外部的噪声的屏蔽效果更好。并且，导电图案38的一部分与安装基板32的电位相同，因此能够减少在两者之间产生的寄生容量。
通过由硅树脂构成的粘结剂，将上述结构的安装基板32的背面粘在绝缘基板34的上表面。
绝缘基板34与安装基板32同样地由铝等金属构成，形成为平面上的大小比安装基板32大。因而，绝缘基板34的端部与安装基板32的端部被分离配置。另外，绝缘基板的上表面被由聚酰亚胺树脂等树脂材料构成的绝缘层40覆盖。并且，绝缘基板34的下表面位于与壳体构件12的侧壁的下端相同的平面上。
如上所述，层叠安装基板32和绝缘基板34来构成第一电路基板18，由此能够高水平地兼顾第一电路基板18的放热性和耐压性。具体地说，如上所述，由于将安装基板32与导电图案38连接而例如连接到接地电位，因此当安装基板32的背面露出在外部时有可能引起短路。为了防止该短路而设置绝缘基板34。绝缘基板34的上表面与安装基板32的下表面通过设置在绝缘基板34的上表面的绝缘层40来绝缘。并且，安装基板32的侧面和绝缘基板34的侧面是构成各自的基板的铝等金属材料露出的面，但是通过使绝缘基板34的端部(侧面)与安装基板32的端部(侧面)分离，从而防止基板之间的侧面短路。
并且，安装基板32和绝缘基板34两者都由放热性良好的铝等金属构成，因此由第一电路元件22产生的热量经由安装基板32和绝缘基板34很好地放出到外部。
参照图3的(A)说明混合集成电路装置10的其它的形态。在此，第二电路基板20的上表面和下表面两面安装有第二电路元件24。这样，通过在第二电路基板20的下表面也设置第二电路元件24，能够在混合集成电路装置10中内置更多的电路元件。
参照图3的(B)说明另外其它的形态的混合集成电路装置10的结构。在该图所示的混合集成电路装置10中，没有将壳体构件12的内部空间成一体地进行树脂密封，而是在壳体构件12的内部形成作为没有被树脂密封的空间的空心部26。具体地说，在壳体构件12的内部空间，用第一密封树脂14密封第一电路基板18的上表面和第一电路元件22。另一方面，用与第一密封树脂14不同的第二密封树脂16覆盖第二电路基板20的上表面和第二电路元件24。在此，经由设置在壳体构件12上的开口部15向内部提供覆盖第一电路基板18的上表面的第一密封树脂14。另外，第一密封树脂14和第二密封树脂16的组成只要与上述密封树脂11相同即可。
通过在壳体构件12的内部空间设置不进行树脂密封的空心部26，能够将载置在第一电路基板18的上表面的第一电路元件22和载置在第二电路基板20上的第二电路元件24热分离，从而抑制热干扰。例如，在第一电路元件22是功率晶体管、第二电路元件24是微型计算机的情况下，通过设为上述结构来防止从功率晶体管产生的热量被传递到微型计算机而使过热的微型计算机进行误动作。
接着，参照图4说明在上述混合集成电路装置10中构建的电路的一例。在此，在第一电路基板18上形成变换器电路，在第二电路基板20上安装第二电路元件24(微型计算机)，其中，上述变换器电路包含由多个功率晶体管构成的开关电路45，第二电路元件24构成对该变换器电路进行控制的控制电路。更具体地说，在第一电路基板18上安装有整流电路41、平滑电路43、开关电路45以及驱动IC44。
被安装在混合集成电路装置10中的各电路的动作如下。首先，对安装在第二电路基板20上的第二电路元件24(微型计算机)输入与转速相应的频率的基准信号，生成分别具有120度的相位差的三相的被脉宽调制后的正弦波的控制信号。经由第一引线28(参照图2的(A))将由第二电路元件24生成的控制信号输入到第一电路基板18的驱动IC44。
被输入到第一电路基板18的控制信号通过驱动IC44升压至规定的电压之后被施加到构成开关电路45的功率晶体管(例如IGBT)的控制电极。
另一方面，从外部输入的交流电通过整流电路41被变换为直流电之后，通过平滑电路43使电压恒定并输入到开关电路45。
然后，由开关电路45生成分别具有120度的相位差的三相的、被脉宽调制后的正弦波电压(U、V、W)，并提供给马达46。结果，近似于正弦波的负载电流流过马达46，马达46以规定转速旋转。
接着，参照图5说明安装有上述结构的混合集成电路装置10的空调机(空气调节器)的室外机48的结构。
室外机48构成为在壳体50的内部主要内置有冷凝机54、风扇56、压缩机52以及混合集成电路装置10。
压缩机52具有使用马达的驱动力来压缩氨等冷却剂的功能。并且，通过压缩机52压缩的冷却剂被传送到冷凝机54，风扇56将风吹入冷凝机54，由此将冷凝机54内部的冷却剂所包含的热量放出到外部。并且，该冷却剂膨胀之后传送到室内的蒸发器来冷却室内的空气。
本方式的混合集成电路装置10具有对使压缩机52或风扇56驱动的马达的旋转进行控制的功能，被固定在设置于室外机48内部的安装基板60上。
图5的(B)示出了安装有混合集成电路装置10的结构。在此，第一引线28和第二引线30被插入安装到安装基板60。并且，安装有功率晶体管的第一电路基板18的背面与散热片58的平滑面抵接。通过将混合集成电路装置10的壳体构件12用螺栓固定在散热片58上，能够将混合集成电路装置10安装到散热片58上。在此，将铜、铝等金属一体成形而得到散热片58，与混合集成电路装置10抵接的面为平滑面，其相反面为凹凸面。通过上述结构，由作为功率晶体管的第一电路元件22产生的热量经由第一电路基板18和散热片58传递到室外机48的内部空间，最终通过风扇56的送风作用而放出到室外机48的外部。
接着，参照图6至图8说明图1示出了结构的混合集成电路装置10的制造方法。
参照图6的(A)，首先，将第一电路基板18安装到壳体构件12中，在该第一电路基板18的上表面安装有规定的混合集成电路。
在第一电路基板18的上表面预先安装规定形状的导电图案38，在导电图案38的规定的位置安装有功率晶体管等第一电路元件22并进行电连接。并且，通过焊锡等导电性粘结材料将第一引线28固定在焊盘状的导电图案38上。在此，也可以以连结有多个第一引线28的引线组的状态将第一引线28固定在导电图案38上。另外，在壳体构件12上设置有上述结构的开口部15。
将这种结构的第一电路基板18安装到壳体构件12的下部的开口部。第一电路基板18的细节如上所述，如图2的(B)所示那样，组合两个由金属构成的基板来构成。然而，也可以由一个金属基板形成第一电路基板18。
接着，参照图6的(B)，将安装有规定的第二电路元件24的第二电路基板20安装到壳体构件12中。在第二电路基板20的上表面形成规定形状的导电图案21，在该导电图案21上固定例如作为微型计算机的第二电路元件24。另外，在第二电路基板20的上表面固定与第二电路元件24连接的第二引线30。
并且，在第二电路基板20的与第一引线28对应的位置，通过钻孔加工、激光照射加工，对第二电路基板20打孔而设置贯通孔，第一引线28贯穿该贯通孔。此外，通过焊锡等接合材料来填充设置在第二电路基板20上的贯通孔与第一引线28之间的间隙。
图7示出了本工序结束后的壳体构件12的立体图。参照该图，壳体构件12由第一侧壁部12A、第二侧壁部12B、第三侧壁部12C以及第四侧壁部12D构成。并且，通过使第一侧壁部12A和第二侧壁部12B的一部分向侧方(外侧)膨胀来形成开口部15。通过该开口部15，壳体构件12的内部空间与外部连通，在之后的工序中经过开口部15向内部空间提供密封树脂。
这样使壳体构件12的侧壁部向外侧膨胀来设置开口部15，由此不需要使第二电路基板20变形来设置开口部。因而，能够保持四边形形状而不缩小面积地使用第二电路基板20，因此提高第二电路基板20的安装密度。
并且，在此，在第一侧壁部12A上设置两个开口部15，在与第一侧壁部12A相向的第二侧壁部12B上也设置两个开口部15，合计设置四个开口部15。然而，形成在壳体构件12上的开口部15的个数也可以是四个以外的个数，可以是一个，也可以是五个以上。
接着，参照图8，形成密封树脂11使得覆盖第一电路基板18的上表面和第二电路基板20的上表面。
参照图8的(A)，在本工序中，从设置在壳体构件12上的开口部15向壳体构件12的内部空间注入密封树脂11。首先，对位于壳体构件12的内部空间的第一电路基板18的上表面和第一电路元件22进行树脂密封。在本工序中使用的密封树脂11是填充了粒状的氧化铝等填料的热固性树脂或热可塑性树脂。并且，由喷嘴62提供的密封树脂11是液体状或半固态状的状态，在填充后被加热固化。
在此，经由设置在纸面上左侧的第二侧壁部12B上的开口部15，从喷嘴62向壳体构件12的内部空间提供密封树脂11。另外，在位于纸面上右侧的第一侧壁部12A上也设置开口部15，与从喷嘴62提供的密封树脂11相应的量的内部空间的空气经由设置在第一侧壁部12A上的开口部15被放出到外部。
当继续由喷嘴62提供密封树脂11时，壳体构件12的内部空间(由壳体构件12、第一电路基板18、第二电路基板20包围的空间)被密封树脂11填充。
参照图8的(B)，如果还继续提供密封树脂11，则第二电路基板20的上表面和第二电路元件24被覆盖。因而，在本工序中，通过密封树脂11使第一电路基板18的上表面、第一电路元件22、第二电路基板20的上表面以及第二电路元件24成一体地进行密封。
并且，在本工序中，参照图8的(A)，从喷嘴62提供的液状的密封树脂11首先与设置在第二侧壁部12B的内壁上的倾斜面17接触。然后，流动性良好的密封树脂11沿着倾斜面17进入到壳体构件12的内部空间。结果，经过开口部15注入的密封树脂11无缝隙地填充壳体构件12的内部空间。
通过上述工序来制造图1示出了构造的混合集成电路装置10。
在此，也可以分别对第一电路基板18的上表面和第二电路基板20的上表面进行树脂密封。即，也可以如图3的(B)所示那样，用第一密封树脂14密封第一电路基板18的上表面，用第二密封树脂16密封第二电路基板20的上表面和第二电路元件24。在这种情况下也从开口部15提供第一密封树脂14。

Claims (8)

1.一种电路装置，其特征在于，具备：
壳体构件；
第一电路基板和第二电路基板，其被安装在上述壳体构件中并且重叠配置；
第一电路元件，其被固定在上述第一电路基板的主面上；
第二电路元件，其被固定在上述第二电路基板的主面上；以及
密封树脂，其至少覆盖上述第一电路基板的上述主面和上述第一电路元件，
其中，在上述壳体构件上设置有开口部，该开口部用向对上述壳体构件的内部空间注入上述密封树脂，
并且在上述壳体构件的内部空间形成有未被上述密封树脂填充的空心部，该空心部用于隔开覆盖上述第一电路基板的上述密封树脂和上述第二电路基板。
2.根据权利要求1所述的电路装置，其特征在于，
面向上述开口部的上述壳体构件的侧壁是倾斜面。
3.根据权利要求1所述的电路装置，其特征在于，
上述密封树脂填充到上述内部空间，并且形成为还覆盖上述第二电路基板的主面和上述第二电路元件。
4.根据权利要求1所述的电路装置，其特征在于，
将壳体构件的侧壁的一部分向外侧突出，在第二电路基板的侧方形成上述开口部。
5.一种电路装置的制造方法，其特征在于，具备：
将在主面上固定有第一电路元件的第一电路基板安装到壳体构件中的工序；
将在主面上固定有第二电路元件的第二电路基板安装到上述壳体构件中的工序；以及
对由上述壳体构件、上述第一电路基板以及上述第二电路基板包围的内部空间注入密封树脂从而密封上述第一电路基板的主面和上述第一电路元件的工序，
其中，在上述进行密封的工序中，从被设置在上述壳体构件上的开口部向上述内部空间注入上述密封树脂，
在上述进行密封的工序中，在上述壳体构件的内部空间形成未被上述密封树脂填充的空心部，该空心部用于隔开覆盖上述第一电路基板的上述密封树脂和上述第二电路基板。
6.根据权利要求5所述的电路装置的制造方法，其特征在于，
在上述进行密封的工序中，利用上述密封树脂填充上述壳体构件的上述内部空间，并且利用上述密封树脂将上述第二电路基板的上表面和上述第二电路元件覆盖成一体。
7.根据权利要求5所述的电路装置的制造方法，其特征在于，
将壳体构件的侧壁的一部分向外侧突出，在第二电路基板的侧方形成上述开口部。
8.根据权利要求5所述的电路装置的制造方法，其特征在于，
在上述进行密封的工序中，从上方向设置在上述壳体构件的内壁上的倾斜部注入液状或半固态状的上述密封树脂。
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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4969388B2 (ja) * 2007-09-27 2012-07-04 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 回路モジュール
JP2009081325A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置
TW200915970A (en) * 2007-09-27 2009-04-01 Sanyo Electric Co Circuit device, circuit module and outdoor equipment
TWI402952B (zh) * 2007-09-27 2013-07-21 Sanyo Electric Co 電路裝置及其製造方法
US20100263900A1 (en) * 2009-04-20 2010-10-21 Divincenzo Gregory Reconfigurable full authority digital electronic control housing
JP5072124B2 (ja) * 2009-10-30 2012-11-14 パナソニック株式会社 回路基板および電子機器
JP5697354B2 (ja) * 2010-03-30 2015-04-08 株式会社東芝 実装基板の樹脂封止方法
JP5749468B2 (ja) * 2010-09-24 2015-07-15 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 回路装置およびその製造方法
JP5626200B2 (ja) * 2011-01-06 2014-11-19 株式会社豊田自動織機 電気部品の固定構造
JP5743922B2 (ja) * 2012-02-21 2015-07-01 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式空気流量測定装置
DE102012204004A1 (de) * 2012-03-14 2013-09-19 Zf Friedrichshafen Ag Abdeckvorrichtung für einen Kontaktierungsabschnitt einer Leiterplatte, Steuersystem für ein Mechatronikmodul und Verfahren zum Zusammenfügen eines Steuersystems
CN104285294B (zh) * 2012-05-22 2016-11-09 松下知识产权经营株式会社 半导体装置及该半导体装置的制造方法
TWM450828U (zh) * 2012-12-14 2013-04-11 Litup Technology Co Ltd 熱電分離的發光二極體模組和相關的散熱載板
DE102013002629A1 (de) * 2013-02-15 2014-08-21 HKR Seuffer Automotive GmbH & Co. KG Deckelelement und Gehäusevorrichtung zur Verwendung des Deckelelements
JP6139280B2 (ja) * 2013-06-05 2017-05-31 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
US9962781B2 (en) 2013-08-02 2018-05-08 Makita Corporation Dust collector
CN103441120B (zh) * 2013-08-22 2016-01-27 华东光电集成器件研究所 一种叠装的集成电路
US9497570B2 (en) 2014-02-06 2016-11-15 Nimbelink Corp. Embedded wireless modem
USD731491S1 (en) * 2014-02-07 2015-06-09 NimbeLink L.L.C. Embedded cellular modem
JP6448199B2 (ja) 2014-03-11 2019-01-09 日本電波工業株式会社 恒温槽付水晶発振器
DE102014007443A1 (de) * 2014-05-21 2015-11-26 Brose Fahrzeugteile Gmbh & Co. Kommanditgesellschaft, Hallstadt Elektrische Baugruppe für ein Kraftfahrzeug und Verfahren zur Montage einer solchen elektrischen Baugruppe
JP6408857B2 (ja) * 2014-10-20 2018-10-17 ローム株式会社 ゲートドライバユニットおよびパワーモジュール
US10477724B2 (en) * 2015-03-09 2019-11-12 Datalogic IP Tech, S.r.l. Efficient heat exchange systems and methods
US10615155B2 (en) * 2015-03-23 2020-04-07 Gd Midea Airconditioning Equipment Co., Ltd. Intelligent power module and manufacturing method thereof
US9652008B2 (en) * 2015-04-02 2017-05-16 Det International Holding Limited Power module
JP6645057B2 (ja) * 2015-07-17 2020-02-12 Tdk株式会社 コンバータ装置およびコンバータ装置製造方法
KR102372021B1 (ko) * 2015-10-02 2022-03-10 한온시스템 주식회사 전동식 압축기
FR3044864B1 (fr) * 2015-12-02 2018-01-12 Valeo Systemes De Controle Moteur Dispositif electrique et procede d'assemblage d'un tel dispositif electrique
DE102015224422A1 (de) * 2015-12-07 2017-06-08 Robert Bosch Gmbh Elektronische Schaltungseinheit
JP6790372B2 (ja) * 2016-02-05 2020-11-25 富士電機株式会社 半導体装置
JP6336683B2 (ja) * 2016-05-23 2018-06-06 新電元工業株式会社 プリント基板の接合方法、電子装置およびその製造方法
DE102016213694A1 (de) * 2016-07-26 2018-02-01 Zf Friedrichshafen Ag Leiterplattenanordnung
JP1578687S (zh) * 2016-11-08 2017-06-12
DE102016224083A1 (de) 2016-12-02 2018-06-07 Robert Bosch Gmbh Elektrische Baugruppe
JP6984127B2 (ja) * 2016-12-28 2021-12-17 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6765336B2 (ja) * 2017-04-06 2020-10-07 三菱電機株式会社 電力用半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置
US10057989B1 (en) * 2017-04-10 2018-08-21 Tactotek Oy Multilayer structure and related method of manufacture for electronics
US10522442B2 (en) * 2017-06-29 2019-12-31 Performance Motion Devices, Inc. Dissipating heat from an electronic device in a protective housing
USD864884S1 (en) * 2017-10-23 2019-10-29 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
KR101988562B1 (ko) * 2017-12-13 2019-06-12 현대오트론 주식회사 전자 제어 장치
JP6988454B2 (ja) * 2017-12-22 2022-01-05 株式会社デンソー 電子装置、及び電子装置を備えたモータ装置
USD877102S1 (en) * 2017-12-28 2020-03-03 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor module
USD906271S1 (en) 2018-04-13 2020-12-29 Rohm Co., Ltd. Semiconductor module
JP7077147B2 (ja) 2018-05-31 2022-05-30 株式会社東芝 電子機器
US10763193B2 (en) * 2018-10-30 2020-09-01 Hamilton Sundstrand Corporation Power control modules
CN109801900B (zh) * 2019-01-15 2021-10-29 江苏双聚智能装备制造有限公司 一种电力用逆变电路装置
US10959323B1 (en) 2019-09-06 2021-03-23 Performance Motion Devices, Inc. Over-torque protection features for mounting an electronic device to a heat dissipation object
JP6960984B2 (ja) * 2019-12-26 2021-11-05 三菱電機株式会社 電子装置及びその絶縁部材
GB2621402A (en) * 2022-08-12 2024-02-14 Edwards Ltd Pressure gauge power supply unit

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0591631A1 (en) * 1992-07-24 1994-04-13 Fuji Electric Co., Ltd. Power semiconductor device
EP1032042A2 (en) * 1999-02-22 2000-08-30 Hitachi, Ltd. Semiconductor module, power converter using the same and manufacturing method thereof

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01233795A (ja) 1988-03-15 1989-09-19 Mitsubishi Electric Corp 混成集績回路
US5105322A (en) 1990-06-29 1992-04-14 Digital Equipment Corporation Transverse positioner for read/write head
EP0516149B1 (en) 1991-05-31 1998-09-23 Denso Corporation Electronic device
US5586388A (en) 1991-05-31 1996-12-24 Nippondenso Co., Ltd. Method for producing multi-board electronic device
JP2705368B2 (ja) * 1991-05-31 1998-01-28 株式会社デンソー 電子装置
US5646827A (en) 1991-05-31 1997-07-08 Nippondenso Co., Ltd. Electronic device having a plurality of circuit boards arranged therein
JP2526183B2 (ja) * 1991-08-06 1996-08-21 株式会社三社電機製作所 電力用半導体モジュ―ル
JP2854757B2 (ja) 1992-06-17 1999-02-03 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
KR960006448B1 (ko) * 1992-08-05 1996-05-16 가와사끼 세이데쓰 가부시끼가이샤 저철손 방향성 전자강판의 제조방법
JPH07297575A (ja) 1994-04-21 1995-11-10 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール装置
US5694294A (en) 1995-01-27 1997-12-02 Hitachi, Ltd. Portable computer with fan moving air from a first space created between a keyboard and a first circuit board and a second space created between the first circuit board and a second circuit board
JP2725637B2 (ja) 1995-05-31 1998-03-11 日本電気株式会社 電子回路装置およびその製造方法
JP3396566B2 (ja) 1995-10-25 2003-04-14 三菱電機株式会社 半導体装置
DE19607226A1 (de) 1996-02-27 1997-09-04 Metabowerke Kg Akku-Ladegerät für Elektrohandwerkzeuge
US5777846A (en) 1996-05-30 1998-07-07 Northern Telecom Limited Circuit packs and circuit pack and shelf assemblies
JPH1069933A (ja) 1996-08-29 1998-03-10 Amp Japan Ltd コネクタ接続装置およびそのコンタクト保持構造
JPH10173098A (ja) * 1996-12-10 1998-06-26 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置およびその製法
JPH10229288A (ja) 1997-02-13 1998-08-25 Sansha Electric Mfg Co Ltd 電力半導体装置
JP3223835B2 (ja) * 1997-03-28 2001-10-29 三菱電機株式会社 パワー半導体装置及びその製造方法
JPH11121666A (ja) * 1997-10-20 1999-04-30 Fujitsu Ltd マルチチップモジュールの冷却装置
US6147869A (en) 1997-11-24 2000-11-14 International Rectifier Corp. Adaptable planar module
TW470873B (en) 1998-01-02 2002-01-01 Delta Electronics Inc Miniaturization of power supply system of portable computer by improving heat dissipation
US5995380A (en) 1998-05-12 1999-11-30 Lear Automotive Dearborn, Inc. Electric junction box for an automotive vehicle
JP2000228491A (ja) 1999-02-09 2000-08-15 Toshiba Corp 半導体モジュール及び電力変換装置
JP2000323878A (ja) * 1999-05-12 2000-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子機器の冷却構造
KR100319117B1 (ko) 1999-06-30 2002-01-04 김순택 플라즈마 디스플레이 패널 장치
US6166908A (en) 1999-10-01 2000-12-26 Intel Corporation Integrated circuit cartridge
US6303860B1 (en) 1999-11-30 2001-10-16 Bombardier Motor Corporation Of America Bladder insert for encapsulant displacement
JP2001189416A (ja) 1999-12-28 2001-07-10 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
JP4027558B2 (ja) 2000-03-03 2007-12-26 三菱電機株式会社 パワーモジュール
US6350949B1 (en) 2000-06-23 2002-02-26 Tyco Electronics Corp Sealed power distribution module
JP2002058134A (ja) 2000-08-09 2002-02-22 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 電子制御ユニットの搭載構造
JP4218193B2 (ja) 2000-08-24 2009-02-04 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP4151209B2 (ja) * 2000-08-29 2008-09-17 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
US6958535B2 (en) 2000-09-22 2005-10-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermal conductive substrate and semiconductor module using the same
DE10232566B4 (de) 2001-07-23 2015-11-12 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleiterbauteil
DE10239512A1 (de) 2002-08-28 2004-03-11 Minebea Co. Ltd., A Japanese Corporation Anordnung zur Unterbringung der Leistungs- und Steuerelektronik eines Elektromotors
SG104348A1 (en) 2002-11-21 2004-06-21 Inst Of Microelectronics Apparatus and method for fluid-based cooling of heat-generating devices
US6801430B1 (en) 2003-05-09 2004-10-05 Intel Corporation Actuation membrane to reduce an ambient temperature of heat generating device
PL193094B1 (pl) 2004-11-15 2007-01-31 Adb Polska Sp Urządzenie elektroniczne z płytą montażową z obwodami drukowanymi i płyta montażowa z obwodami drukowanymi
US7218517B2 (en) 2004-12-07 2007-05-15 International Business Machines Corporation Cooling apparatus for vertically stacked printed circuit boards
JP4475160B2 (ja) * 2005-04-13 2010-06-09 株式会社デンソー 電子装置の製造方法
US7589978B1 (en) 2005-04-27 2009-09-15 Flextronics Ap, Llc Air inlet diffuser
JP4769973B2 (ja) 2005-07-28 2011-09-07 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 回路装置
KR101203466B1 (ko) 2006-04-20 2012-11-21 페어차일드코리아반도체 주식회사 전력 시스템 모듈 및 그 제조 방법
US7839655B2 (en) 2006-05-22 2010-11-23 Continental Automotive Systems Us, Inc. Peg and hole press fit plastic housing
JP4325687B2 (ja) 2007-02-23 2009-09-02 株式会社デンソー 電子装置
TWI402952B (zh) 2007-09-27 2013-07-21 Sanyo Electric Co 電路裝置及其製造方法
TW200915970A (en) 2007-09-27 2009-04-01 Sanyo Electric Co Circuit device, circuit module and outdoor equipment
JP4969388B2 (ja) 2007-09-27 2012-07-04 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 回路モジュール
JP2009081325A (ja) 2007-09-27 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0591631A1 (en) * 1992-07-24 1994-04-13 Fuji Electric Co., Ltd. Power semiconductor device
EP1032042A2 (en) * 1999-02-22 2000-08-30 Hitachi, Ltd. Semiconductor module, power converter using the same and manufacturing method thereof

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Publication number Publication date
JP4934559B2 (ja) 2012-05-16
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