CN101404242A - 清洗基片的方法与装置 - Google Patents

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Abstract

使用激光束清洗基片的方法与装置中，内室设在处理室中以界定出其中生成激光诱导冲击波的空间。所述激光束聚焦在位于所述内室中的激光焦点上，由此绕所述激光焦点生成所述激光诱导等离子冲击波。所述等离子冲击波从所述内室的内表面反射，并且经由所述内室的下部辐照在所述基片上。从而，辐照在所述基片上的所述等离子冲击波的强度得以增大，由此有效去除所述基片上的杂质。

Description

清洗基片的方法与装置
技术领域
本实施例主要涉及一种清洗基片的方法与装置。本实施例尤其涉及一种使用激光诱导冲击波去除基片上杂质的清洗基片的方法，以及进行该方法的装置。
技术背景
集成电路、平板显示装置等半导体器件一般经由多种工艺而制得。例如，在半导体基片或玻璃基片上进行一系列的单元工艺，诸如沉积工艺、蚀刻工艺、以及清洗工艺等。具体的，可进行该清洗工艺以从基片上去除杂质。
第2002-0170892号以及第2003-0106881号美国专利提前公开中描述了基片清洗装置的例子。
现有的清洗基片的装置包括生成激光束的激光器、将该激光束指向该基片上方之激光焦点上的反射镜、以及使该激光束聚焦在该激光焦点上的聚焦透镜等。
然而，该激光焦点周围生成的激光诱导等离子冲击波会与放置该基片的腔室的内表面、放置在该腔室中的元件、以及该基片碰撞。由此，可能会损坏该腔室的内表面以及该元件。此外，由于等离子冲击波在全方向上进行辐照，会使能量效率有所降低，并且对整个基片表面进行清洗工艺所需的时间有所增加。
发明内容
本发明的实施例提供了一种清洗基片的方法，其能够增进能量效率以及防止激光诱导等离子冲击波对腔室造成的损坏。
此外，本发明的实施例提供了一种清洗基片的装置，其能够增进能量效率以及防止激光诱导冲击波对腔室造成的损坏。
根据本发明的一方面，一种清洗基片的方法包括生成激光束；将所述激光束聚焦在激光焦点上以生成等离子冲击波，所述激光焦点位于所述基片的上方；聚集所述等离子冲击波；将所述经聚集的等离子冲击波辐照在所述基片上以从所述基片去除杂质。
根据本发明的一些实施例，所述基片由设在处理室中的基片支撑部进行支撑，并且所述激光焦点位于所述处理室中设在基片支撑部上方的内室中。
根据本发明的一些实施例，所述等离子冲击波通过从所述内室的内表面反射而聚集，并且经由所述内室的下部辐照在所述基片上。
根据本发明的一些实施例，将处理气体供给入所述内室。
根据本发明的一些实施例，移动所述基片以清洗所述基片的整个上表面。
根据本发明另一方面，一种清洗基片的装置包括处理室；设在所述处理室中以支撑所述基片的基片支撑部；光束辐照器，其生成激光束并且将所述激光束聚焦在激光焦点上以生成等离子冲击波，所述激光焦点位于所述基片支撑部的上方；及设在所述处理室中位于所述基片支撑部上方的内室，所述内室界定出所述激光焦点位于其中的空间、且具有下部开口以将所述等离子冲击波辐照在所述基片上以从所述基片去除杂质。
根据本发明的一些实施例，所述光束辐照器包括生成所述激光束的激光器；至少一个反射所述激光束的反射镜；及聚焦透镜，其将由所述反射镜反射的所述激光束聚焦在所述激光焦点上。
根据本发明的一些实施例，所述反射镜是可移动的。
根据本发明的一些实施例，所述内室由不锈钢构成。
根据本发明的一些实施例，对所述内室的内表面镀金以反射所述等离子冲击波。
根据本发明的一些实施例，所述内室具有透明窗以传输所述激光束。
根据本发明的一些实施例，所述透明窗由石英或玻璃构成，并且其厚度为约1～约5mm。
根据本发明的一些实施例，所述装置还包括供气部，其连接至所述内室以将处理气体供入所述内室。
根据本发明的一些实施例，所述装置还包括设在供气管上的流控制阀，所述供气管连接所述内室与所述供气部以控制所述处理气体的流速。
根据本发明的一些实施例，所述装置还包括冲击波辐照器，其与所述内室的下部开口连通、并且将所述等离子冲击波辐照在所述基片上。
根据本发明的一些实施例，所述冲击波辐照器包括与所述内室的下部开口连通的冲击波辐照管；及控制阀，其设在所述冲击波辐照管上以控制经由所述冲击波辐照管传输的所述等离子冲击波的强度。
根据本发明的一些实施例，所述装置还包括驱动部，其连接至所述基片支撑部以旋转所述基片支撑部，并在水平方向上及垂直方向上移动所述基片支撑部。
根据本发明的一些实施例，所述装置还包括真空抽吸器，其从所述处理室去除所述杂质。
根据本发明的一些实施例，所述装置还包括聚光镜，其设在所述内室中以将所述等离子冲击波朝向所述基片反射。
根据本发明的实施例，由于该等离子冲击波由该内室的内表面反射，因此，辐照在所述基片上的所述等离子冲击波的强度得以增大，由此基片的清洗效率得以改进。此外，能量效率得以改进，并且由该等离子冲击波对处理室的内表面以及该处理室中的元件造成的损坏得以减少。
附图说明
结合附图，参考下文的详细描述，可清楚地了解本发明的实施例，其中：
图1为示出根据本发明实施例的基片清洗装置的示意剖视图；
图2为示出图1所示内室的示意剖视图；
图3为示出使用图1及2所示基片清洗装置从基片去除杂质的基片清洗方法的流程图。
具体实施方式
参见示出本发明实施例的附图，下文将更详细地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式实现，并且不应解释为受在此提出之实施例的限制。相反，提出这些实施例是为了达成充分及完整公开，并且使本技术领域的技术人员完全了解本发明的范围。这些附图中，为清楚起见，可能放大了层及区域的尺寸及相对尺寸。
应理解，当将元件或层称为在另一元件或层“上”、与另一元件或层“连接”之时，其可为直接在另一元件或层上、与其它元件或层直接连接，或者存在居于其间的元件或层。与此相反，当将元件称为“直接在另一元件或层上”、与另一元件或层“直接连接”之时，并不存在居于其间的元件或层。整份说明书中相同标号是指相同的元件。如本文中所使用的，用语“及/或”包括一或多个相关的所列项目的任何或所有组合。
应理解，尽管本文中使用第一、第二、第三等来描述多个元件、组件、区域、层及/或部分，但这些元件、组件、区域、层及/或部分并非受到这些用语的限制。这些用语仅用于使一个元件、组件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区别开来。由此，下文所称之第一元件、组件、区域、层或部分可称为第二元件、组件、区域、层及/或部分，而不脱离本发明的教导。
与空间相关的表述，如“下(lower)”、“上(upper)”等，在本文中的使用是为了容易地表述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。应理解，这些与空间相关的表述除图中所示方位之外，还意欲涵盖该设备在使用或工作中的不同方位。例如，若图中的该设备翻转，描述为“在其它元件或部件之下”、“在其它元件或部件下方”的元件则会确定为“在其它元件或部件上方”。由此，该示范性的表述“在...下方”可同时涵盖“在...上方”与“在...下方”两者。该设备可为另外的朝向(旋转90度或其它朝向)，并且本文中所使用的这些与空间相关的表述亦作相应的解释。
本文中所使用的表述仅用于描述特定的实施例，并且并不意欲限制本发明。如本文中所述的，单数形式的冠词意欲包括复数形式，除非其上下文明示。还应理解，当本说明书中使用表述“包括”之时，明确说明了存在有所描述的部件、整体、步骤、操作、元件及/或组件，但并不排除存在或附加有一个或多个其它部件、整体、步骤、操作、元件、组件及/或它们的组合。
除非另行详细说明，本文所使用的所有术语(包括科技术语)的意思与本技术领域的技术人员所通常理解的一致。还应理解，诸如一般字典中所定义的术语应解释为与相关技术领域中的意思一致，并且不应解释为理想化的或过度刻板的含义，除非在文中另有明确定义。
本发明的实施例，本文中是参照本发明的理想化实施例(以及中间结构)的示意剖视图来描述的。照此，预期会产生例如因制造工艺及/或公差而造成形状上的变化。由此，本发明的实施例不应解释为将其限制成本文所示的特定区域形状，还应包括例如，因制造而导致的形状偏差。图中所示的区域的本质是示意性的，并且其形状并不意欲示出部件区域的精确形状，也不意欲限制本发明的范围。
图1为示出根据本发明实施例的基片清洗装置的示意剖视图。
参见图1，根据本发明实施例的基片清洗装置100包括处理室110、基片支撑部200、光束辐照器300、内室400以及冲击波辐照器500。
处理室110包括用于清洗基片120的空间。例如，处理室110可为其中具有空间的长方形平行六面体(parallelepiped)形状。或者，处理室110可为多种其中具有空间的形状。
基片支撑部200可设置成支撑基片120。例如，基片支撑部200可支撑基片120的边缘部。
基片支撑部200包括旋转夹盘(spin chuck)210、设在旋转夹盘210上以支撑基片120的边缘部的多个支撑销220、以及用于旋转及移动旋转夹盘210的驱动部230。
旋转夹盘210的尺寸等于或大于基片120的尺寸。此外，旋转夹盘210通过驱动杆212连接至驱动部230。
支撑销220可设在旋转夹盘210的上表面的边缘部，以支撑基片120的边缘部。根据本发明的另一实施例，可将多个支架(未示)设在旋转夹盘210的边缘部，以支撑基片120的边缘部。
驱动部230使旋转夹盘210旋转。即，可通过旋转夹盘210的旋转来使受支撑的基片120旋转。此外，驱动部230可移动旋转夹盘210。例如，驱动部230可在水平与垂直方向上移动旋转夹盘210以调节基片120的位置。具体的，驱动部230在垂直方向上移动旋转夹盘210以调节激光焦点350与基片120之间的距离，并且还可以在水平方向上移动旋转夹盘210以使等离子冲击波辐照至基片120的整个上表面上。
光束辐照器300包括激光器305、第一反射镜320、第二反射镜330、以及聚焦透镜340。
激光器305可设在处理室110的外侧。或者，激光器305可设在处理室110中。
激光器305用于生成激光束310，所述激光束310被聚焦至位于基片120上方的激光焦点350上。例如，由激光器305生成的激光束310包括高能量的脉冲波。激光束310的脉宽为约1～约100ns，且输出能量为约0.1～10J/脉冲。可通过聚焦透镜340将激光束310聚焦在激光焦点350上，由此生成等离子冲击波360。例如，激光器305可为Nd:YAG激光器，或者CO2激光器。
使用第一反射镜320与第二反射镜330将激光束310导向至聚焦透镜340上。
第一反射镜320可设在处理室110外的激光器305旁边。由第一反射镜320反射的激光束310被导向至第二反射镜330上，然后由第二反射镜330反射的激光束310被导向至聚焦透镜340之上。
同时，处理室110具有第一透明窗114以传输激光束310。例如，第一透明窗114可设在处理室110的下面板112处。
第一反射镜320与第二反射镜330可移动地设置，以改变激光焦点350的位置。同时，光束辐照器300还包括多种光学元件，并且本发明的范围并不受第一反射镜320与第二反射镜330的限制。
聚焦透镜340用于将激光束310聚焦在激光焦点350上。即，由第二反射镜330反射的激光束310被导向聚焦透镜340上，然后被聚焦至激光焦点350上。
聚焦至激光焦点350上的激光束310因气体颗粒的分解而在激光焦点350周围形成等离子冲击波，并且该等离子冲击波在全方向上从激光焦点350传播。该等离子冲击波的一部分辐照至该基片上，由此可去除该基片上的杂质，例如，颗粒、有机杂质等。此外，该等离子冲击波辐照至处理室110的内表面上以及设在处理室110中的元件上，由此，可能损坏处理室110与元件。
根据本发明的一些实施例，内室400可设在处理室110内以封闭该等离子冲击波，并且以界定其中定位有激光焦点350的空间410。内室400具有第二透明窗430以传递激光束310。例如，经过聚焦透镜340的激光束310经由第二透明窗430被导向至激光焦点350上。
通过内室400的内表面420对从激光焦点350辐照的该等离子冲击波进行反射，并且经由内室400的下部将该经反射的等离子冲击波的一部分辐照至基片120上。由此，增加了辐照至基片120上的该等离子冲击波的强度。
冲击波辐照器500连接至内室400的下部以将该等离子冲击波辐照至基片120上。冲击波辐照器500可为圆柱形。具体的，内室400可有下部开口，并且该等离子冲击波经由该下部开口和冲击波辐照器500辐照至基片120上。
从而，该等离子冲击波聚集在内室400中，并且所聚集的已增加强度的等离子冲击波辐照至基片120上。由此，可从基片120有效去除杂质，并且可改善激光束310的能量效率。
根据本发明的另一实施例，尽管图中未示，在内室110中可设置聚光镜以对从激光焦点350朝向基片120辐射的该等离子冲击波中的一部分进行反射。该聚光镜可设在激光焦点350的上方。例如，该聚光镜可为半球形的形状或者圆锥形的形状。此外，该聚光镜可由不锈钢构成，可对该聚光镜的表面镀金。
图2为示出图1所示内室的示意剖视图。
参见图2，内室400设在处理室110中位于基片支撑部200的上方以将等离子冲击波355辐照至基片120上。具体的，内室400围绕激光焦点350。即，内室400界定出激光焦点350位于其中的空间410，并且部分地封闭等离子冲击波355以防止该从激光焦点350辐射出的等离子冲击波355损坏处理室110的内表面以及处理室110内的元件。
内室400可由不锈钢构成。具体的，可对内室400的内表面420镀金以在不被等离子冲击波355损坏的情况下反射等离子冲击波355。
内室400可具有第二透明窗430以传递穿过聚焦透镜340的激光束310。第二透明窗430可由石英或玻璃构成，并且其厚度为约1～约5mm以减少激光束310的损失。
供气部440可连接至内室400以将处理气体供给至内室400。
供气部440可通过供气管442连接至内室400，并且可通过设在供气管442上的流控制阀444来控制供入内室400的该处理气体的流速。
该处理气体的例子包括氩气、氮气、氦气、氖气之类的惰性气体，或者氧、臭氧、氟、氯之类的反应气体。此外，惰性气体与反应气体的气体混合物可用作该处理气体。具体的，该惰性气体可用于去除基片120上的颗粒，并且该反应气体可用于去除基片120上的有机杂质。
冲击波辐照器500可连接至内室400的下部。冲击波辐照器500设在基片120附近，并且可包括将等离子冲击波355辐照至基片120上的冲击波辐照管510和对该辐照至基片120上的等离子冲击波360的强度进行控制的控制阀520。冲击波辐照管510与内室400的该下部开口连通，并且等离子冲击波360经由该下部开口以及冲击波辐照管510辐照至基片120上。
冲击波辐照管510可由与内室400相同的材料构成。例如，冲击波辐照管510可由不锈钢构成，可对冲击波辐照管510的内表面镀金以将等离子冲击波360传输至基片120上。
控制阀520可设在冲击波辐照管510上以调节冲击波辐照管510开口角度。即，通过控制阀520调节等离子冲击波360所穿过之通道的截面积，并且由此调节辐照至基片120上的等离子冲击波360的强度。
如前所述，由于从激光焦点350辐照的等离子冲击波355从内室400的内表面420反射，因此辐照至基片120上的等离子冲击波360的强度得以增加。由此，可容易地去除基片120上的杂质。此外，由于等离子冲击波355被反射，可防止处理室110的内表面以及处理室110内的元件被等离子冲击波355损坏。
同时，在等离子冲击波360辐照至基片120上的时候，可通过驱动部230旋转或移动基片120。由此，可合适地对基片120的整个上表面进行该清洗工艺。
此外，基片清洗装置100还包括第二供气部600以及真空抽吸器700。第二供气部600将惰性气体供给至基片120上以去除基片120上的杂质，并且真空抽吸器700用于去除从基片120分离的杂质，以及从处理室110去除惰性气体以及处理气体。真空抽吸器700包括真空泵、真空管、压力控制阀等。
如图2所示，尽管第二供气部600与真空抽吸器700设在基片120上被等离子冲击波360辐照到的一部分的附近，第二供气部600与真空抽吸器700可连接至处理室110。或者，可仅将真空抽吸器700连接至处理室110，而不连接第二供气部600。
图3为示出使用图1及2所示基片清洗装置从基片去除杂质的基片清洗方法的流程图。
参见图3，步骤S100中，将半导体基片或玻璃基片之类的基片120装载在处理室110中的基片支撑部200上。通过驱动部230调节基片120与冲击波辐照器500之间的距离。
步骤S200中，由激光器305生成激光束310。通过第一反光镜320与第二反光镜330将激光束310导向至聚焦透镜340上。
步骤S300中，通过将激光束310聚焦在激光焦点350上而生成等离子冲击波355。具体的，通过聚焦透镜340将激光束310聚焦在位于内室400中的该激光焦点上，由此在激光焦点350周围生成等离子冲击波355。此时，将惰性气体或反应气体之类的处理气体供给入内室400，可通过该处理气体有效生成等离子冲击波355。
步骤S400中，聚集辐照在基片120上的等离子冲击波360。具体的，从激光焦点350辐射的等离子冲击波355从内室400的内表面420反射，并且由此增加了辐照至基片120上的等离子冲击波360的强度。
根据本发明的另一实施例，可通过设在激光焦点350上方的半球形或圆锥形聚光镜反射从激光焦点350辐射的等离子冲击波355。
该经聚集的等离子冲击波360辐照至基片120上，由此去除基片120的杂质。等离子冲击波360可经由冲击波辐照器500辐照，并且驱动部230使基片120在水平方向上移动以清洗基片120的整个上表面。此外，驱动部230旋转基片120以清洗基片120的整个上表面。
此外，在清洗基片120的表面的同时，将惰性气体供给至基片120上，并且通过真空抽吸器700从处理室110去除从基片120分离的杂质。
根据如上所述的本发明实施例，通过将激光束聚焦在激光焦点而生成等离子冲击波。该激光焦点位于内室中，所述内室位于支撑基片的基片支撑部的上方，并且冲击波辐照器连接至该内室的下部。该等离子冲击波从该内室的内表面反射，然后经由该冲击波辐照器而辐照在该基片上。
由此，可增加该辐照在该基片上的等离子冲击波的强度，由此改进该基片的清洗效率。此外，由于该等离子冲击波由该内室的内表面反射，因此，能量效率得以改进，由该等离子冲击波对处理室的内表面以及该处理室中的元件造成的损坏得以减少。
尽管业已对本发明的实施例作出说明，应当理解的是，本发明并不限于这些实施例，而本技术领域中技术人员可在本发明的由所附权利要求书所限定的范围及精神之内作出修改。

Claims (19)

1、一种清洗基片的方法，所述方法包括：
生成激光束；
将所述激光束聚焦在激光焦点上以生成等离子冲击波，所述激光焦点位于所述基片的上方；
聚集所述等离子冲击波；及
将所述经聚集的等离子冲击波辐照在所述基片上以从所述基片去除杂质。
2、如权利要求1所述的方法，其中所述基片由设在处理室中的基片支撑部进行支撑，并且所述激光焦点位于所述处理室中设在所述基片支撑部上方的内室中。
3、如权利要求2所述的方法，其中所述等离子冲击波通过从所述内室的内表面反射而聚集，并且经由所述内室的下部辐照在所述基片上。
4、如权利要求2所述的方法，其中将处理气体供给入所述内室。
5、如权利要求1所述的方法，还包括移动所述基片以清洗所述基片的整个上表面。
6、一种清洗基片的装置，所述装置包括：
处理室；
设在所述处理室中以支撑所述基片的基片支撑部；
光束辐照器，其生成激光束并且将所述激光束聚焦在激光焦点上以生成等离子冲击波，所述激光焦点位于所述基片支撑部的上方；及
设在所述处理室中位于所述基片支撑部上方的内室，所述内室界定出所述激光焦点位于其中的空间、且具有下部开口以将所述等离子冲击波辐照在所述基片上以从所述基片去除杂质。
7、如权利要求6所述的装置，其中所述光束辐照器包括：
生成所述激光束的激光器；
至少一个反射所述激光束的反射镜；及
聚焦透镜，其将由所述反射镜反射的所述激光束聚焦在所述激光焦点上。
8、如权利要求7所述的装置，其中所述反射镜是可移动的。
9、如权利要求6所述的装置，其中所述内室由不锈钢构成。
10、如权利要求9所述的装置，其中对所述内室的内表面镀金以反射所述等离子冲击波。
11、如权利要求6所述的装置，其中所述内室具有透明窗以传输所述激光束。
12、如权利要求11所述的装置，其中所述透明窗由石英或玻璃构成，并且其厚度为约1～约5mm。
13、如权利要求6所述的装置，还包括供气部，其连接至所述内室以将处理气体供入所述内室。
14、如权利要求13所述的装置，还包括设在供气管上的流控制阀，所述供气管连接所述内室与所述供气部以控制所述处理气体的流速。
15、如权利要求6所述的装置，还包括冲击波辐照器，其与所述内室的下部开口连通、并且将所述等离子冲击波辐照在所述基片上。
16、如权利要求15所述的装置，其中所述冲击波辐照器包括：
与所述内室的下部开口连通的冲击波辐照管；及
控制阀，其设在所述冲击波辐照管上以控制经由所述冲击波辐照管传输的所述等离子冲击波的强度。
17、如权利要求6所述的装置，还包括驱动部，其连接至所述基片支撑部以旋转所述基片支撑部，并在水平方向上及垂直方向上移动所述基片支撑部。
18、如权利要求6所述的装置，还包括真空抽吸器，其从所述处理室去除所述杂质。
19、如权利要求6所述的装置，还包括聚光镜，其设在所述内室中以将所述等离子冲击波朝向所述基片反射。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102009051A (zh) * 2010-10-15 2011-04-13 王治国 溶胶-凝胶膜面激光清洗设备及其清洗方法
CN102989720A (zh) * 2012-10-16 2013-03-27 江苏大学 一种激光辅助清除基体表面纳米颗粒的方法和装置
CN104191086A (zh) * 2014-08-18 2014-12-10 北京京东方专用显示科技有限公司 光线加工装置
CN104475401A (zh) * 2014-11-29 2015-04-01 陈磊 用于磁元件的自动双面清洁装置
CN104694979A (zh) * 2015-04-07 2015-06-10 盐城市电子设备厂有限公司 电解锰阴极板激光清洗方法
CN107243486A (zh) * 2017-06-27 2017-10-13 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 一种用于激光清洗的抽烟除尘装置
CN107774625A (zh) * 2017-11-21 2018-03-09 山东省科学院激光研究所 制动盘清洗装置及方法
CN112296023A (zh) * 2019-07-31 2021-02-02 台湾积体电路制造股份有限公司 微粒移除工具及方法
CN113172048A (zh) * 2021-04-28 2021-07-27 浙江工业大学 一种同步检测脉冲激光诱导冲击波颗粒去除方法及装置
CN113198801A (zh) * 2021-04-30 2021-08-03 浙江工业大学 一种空间约束双束激光诱导冲击波清洗微纳米颗粒方法
CN115446037A (zh) * 2022-09-26 2022-12-09 北京百慕合金有限责任公司 一种真空炉内附着物快速处理方法及处理系统
CN115488074A (zh) * 2022-09-29 2022-12-20 西安微电子技术研究所 一种管壳封装植球植柱前处理方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010062082A1 (de) * 2010-11-29 2012-05-31 4Jet Sales + Service Gmbh Reinigen von Oberflächen in Vakuumapparaturen mittels Laser
US9145332B2 (en) * 2012-08-16 2015-09-29 Infineon Technologies Ag Etching apparatus and method
US9790090B2 (en) * 2013-02-13 2017-10-17 Lawrence Livermore National Security, Llc Laser-induced gas plasma machining
KR101412430B1 (ko) * 2013-04-09 2014-06-25 주식회사 아이엠티 레이저 유기 충격파를 이용한 건식 세정 장치 및 방법
KR101708412B1 (ko) * 2013-10-21 2017-03-09 에이피시스템 주식회사 열처리 장치
JP6283197B2 (ja) * 2013-10-24 2018-02-21 独立行政法人国立高等専門学校機構 除菌、殺菌又は減菌装置及び除菌、殺菌又は減菌方法
CN103614541B (zh) * 2013-10-31 2015-08-19 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 针对工件表面的激光冲击强化装置及激光冲击强化处理方法
CN107799413A (zh) * 2016-08-30 2018-03-13 上海新昇半导体科技有限公司 刻蚀方法、刻蚀装置及半导体晶圆分割方法
CN109821823B (zh) * 2019-04-08 2021-11-02 哈尔滨工业大学 一种co2激光/纳秒脉冲激光复合清洗方法
KR102391973B1 (ko) * 2019-10-21 2022-04-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN114602884B (zh) * 2022-03-15 2022-12-13 广东四会实力连杆有限公司 一种发动机连杆激光超声波复合清洗装置及方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6343324A (ja) 1986-08-09 1988-02-24 Anelva Corp プラズマシヤワ−装置
US5097525A (en) * 1988-03-04 1992-03-17 Heraeus Lasersonics, Inc. Optical transmission device
US5531857A (en) * 1988-07-08 1996-07-02 Cauldron Limited Partnership Removal of surface contaminants by irradiation from a high energy source
US5780806A (en) * 1995-07-25 1998-07-14 Lockheed Idaho Technologies Company Laser ablation system, and method of decontaminating surfaces
GB9601208D0 (en) * 1996-01-22 1996-03-20 Council Cent Lab Res Councils Formation and destruction of dust particle agglomerates
US5892886A (en) * 1996-02-02 1999-04-06 Micron Technology, Inc. Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes
DE19749981A1 (de) * 1997-11-12 1999-05-20 Laser & Med Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Abtragung von Oberflächenverunreinigungen von metallischen, mineralischen, organischen Untergründen durch Einsatz eines Lasers
US6178973B1 (en) * 1998-07-28 2001-01-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for ozone generation and surface treatment
JP3621587B2 (ja) 1998-08-20 2005-02-16 島田理化工業株式会社 洗浄装置および洗浄方法
JP2001230239A (ja) 2000-02-15 2001-08-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
KR100463212B1 (ko) * 2001-05-19 2004-12-23 주식회사 아이엠티 건식 표면 클리닝 장치
US6635845B2 (en) * 2001-05-19 2003-10-21 Imt Co., Ltd. Dry surface cleaning apparatus using a laser
KR100348701B1 (ko) * 2001-12-07 2002-08-13 주식회사 아이엠티 건식 표면 클리닝 장치
JP2003303800A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Sony Corp 表面洗浄装置および表面洗浄方法
US20060092536A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Fuji Photo Film Co., Ltd Transfer method, apparatus and method of inspecting master disk
KR100489853B1 (ko) 2004-11-24 2005-05-17 주식회사 아이엠티 충격파를 이용한 건식 표면 클리닝 장치

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102009051A (zh) * 2010-10-15 2011-04-13 王治国 溶胶-凝胶膜面激光清洗设备及其清洗方法
CN102009051B (zh) * 2010-10-15 2012-02-29 电子科技大学 溶胶-凝胶膜面激光清洗设备及其清洗方法
CN102989720A (zh) * 2012-10-16 2013-03-27 江苏大学 一种激光辅助清除基体表面纳米颗粒的方法和装置
CN104191086A (zh) * 2014-08-18 2014-12-10 北京京东方专用显示科技有限公司 光线加工装置
CN104475401A (zh) * 2014-11-29 2015-04-01 陈磊 用于磁元件的自动双面清洁装置
CN104694979A (zh) * 2015-04-07 2015-06-10 盐城市电子设备厂有限公司 电解锰阴极板激光清洗方法
CN107243486A (zh) * 2017-06-27 2017-10-13 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 一种用于激光清洗的抽烟除尘装置
CN107774625A (zh) * 2017-11-21 2018-03-09 山东省科学院激光研究所 制动盘清洗装置及方法
CN112296023A (zh) * 2019-07-31 2021-02-02 台湾积体电路制造股份有限公司 微粒移除工具及方法
US11145427B2 (en) 2019-07-31 2021-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Tool and method for particle removal
CN112296023B (zh) * 2019-07-31 2022-04-08 台湾积体电路制造股份有限公司 微粒移除工具及方法
CN113172048A (zh) * 2021-04-28 2021-07-27 浙江工业大学 一种同步检测脉冲激光诱导冲击波颗粒去除方法及装置
CN113198801A (zh) * 2021-04-30 2021-08-03 浙江工业大学 一种空间约束双束激光诱导冲击波清洗微纳米颗粒方法
CN115446037A (zh) * 2022-09-26 2022-12-09 北京百慕合金有限责任公司 一种真空炉内附着物快速处理方法及处理系统
CN115446037B (zh) * 2022-09-26 2024-01-02 北京百慕合金有限责任公司 一种真空炉内附着物快速处理方法及处理系统
CN115488074A (zh) * 2022-09-29 2022-12-20 西安微电子技术研究所 一种管壳封装植球植柱前处理方法
CN115488074B (zh) * 2022-09-29 2023-11-03 西安微电子技术研究所 一种管壳封装植球植柱前处理方法

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