CN101595596A - 辐射增强与去耦合 - Google Patents

Abstract

能增强入射电场以驱动电磁标签(124)工作的装置，包括谐振介电腔，该谐振介电腔从限定在两个导电表面(102，104，106)之间的单个平面延伸出来。该腔可在两层或多层上延伸，并可采用C形或S形或螺旋形。

Description

辐射增强与去耦合

技术领域

本发明涉及电磁场的局部控制，更具体地涉及但不限于，辐射控制装置的使用，其允许RF(射频)标签安装在材料上，如果不使用这种辐射控制装置，则该材料会妨碍RF标签的使用。

背景技术

RF标签广泛用于产品、特别用于商店或仓库环境中的物品的识别与跟踪。通常根据经验可知，这种标签的一个缺点是，如果将标签直接放置到金属表面上，那么标签的读取范围就会降到无法接受的程度，更典型的是，标签不能被读取或查询(interrogate)。这是因为传播波RF标签利用集成天线接收入射辐射：天线的尺寸和几何形状指定了天线在哪个频率发生谐振，由此指定了标签的工作频率(通常是866MHz或915MHz，其中860-960MHz为用于UHF(超高频)段标签的允许范围，且2.4-2.5GHz或5.8GHz用于微波段标签)。当标签放置为靠近金属表面或直接与金属表面接触时，标签的导电天线与该表面互相作用，因此其谐振特性就会降低，更典型的是，谐振特性不起作用。因此，难以通过UHF RF标签来实现诸如笼子或容器等金属物品的跟踪，这样就只能使用其他更昂贵的定位系统，如GPS。

当UHF RFID标签用在与RF波相互作用的表面(例如某些类型的玻璃)以及含水量高的表面(例如某种水或液汁含量高的木头)中的任一种时，也会遇到类似的问题。当加标签于容纳/容置水的材料(例如水瓶、饮料罐或人体等)时，也会遇到这些问题。

这个问题对无源标签尤其突出，无源标签是没有集成电源而依靠入射能量工作的标签。然而，使用电源(例如车载电池)的半无源和有源标签也会因这个问题而受到不良影响。

解决这个问题的一种方法是：在RF标签和所述表面之间放置泡沫隔离物或衬垫物(mounting)，以防止天线与所述表面相互作用。在现有系统中，为了使RF标签与所述表面物理地分离足够远，泡沫隔离物的厚度至少需要为10-15mm。很明显，这种厚度的隔离物对于很多应用而言都不实用，而且易于被意外撞击和破坏。

其他方法包括提供独特图案化的天线，其在特定环境中与特定的RF标签阻抗匹配。

发明内容

因此，本发明的第一方案提供了一种装置，其包括限定在多个导电表面之间的谐振介电腔(resonate dielectric cavity)，适于增强所述导电表面之一的边缘处的电磁场，其中所述介电腔是非平面的。

这种装置提供了用于EM标签或器件的衬垫物或启动(enabling)元件，其响应腔的开口边缘、接近第一导电层的安装位置处的增强场。

谐振腔有利地使电子器件与表面或材料去耦或隔离，否则它们会降低电子器件的性能，在某些识别标签情况中，所述表面例如是金属表面。这个性质在申请人的同时待审的申请PCT/GB2006/002327和GB0611983.8中有清楚的记载，在此引用这两份申请。这些申请描述了宽波段识别标签、特别是那些依赖于传播波的交互作用的识别标签的辐射去耦(与磁标签表现出的感应耦合相反)。因此，本发明的优选实施例涉及长波段系统标签(例如UHF波段和微波段标签，也称为远场装置)的应用。

上面提及的申请描述了去耦器，其中平面介电层限定在两个基本平行的导电层之间。在某些所述去耦器中，第一层在至少一个空缺的区域内不覆盖第二层。这就产生了一种可看作用于驻波的亚波长谐振腔的结构，且该腔的两端打开。在腔的长度基本为入射辐射波长的一半处产生驻波情形，即衬垫物作为如前述的PCT/GB2006/002327所定义的1/2波去耦器。

这个结构使得核中的电磁场的强度谐振增强：结构上的干扰使得场强比入射辐射的场强大了50或100倍。有利的是，可以产生200或甚至300或更高的增强因子(factor)。在典型地涉及极小器件的更特别的应用中，20、30或40倍的较低增强因子仍可以产生可读系统，而若无此增强，则不能产生该可读系统。场方向图为使得电场在腔的开口端最强(具有波腹)。由于腔的厚度很薄，因此随着距离腔外部的开口端越远，场强很快下降。这就产生了电场接近零的区域，该区域与场高倍增强的区域并置且超出开口端一段短距离，典型地，该距离为5mm。因此，在此区域中放置的电子器件或EM标签将暴露于高场梯度和高电势梯度，而与上面安装了标签和去耦器的表面无关。

放置在高电势梯度区域中的EM标签将经受微分电容耦合(differentialcapacitive coupling)：标签的、暴露于来自腔的高电势的部分将自行充电到一高电势，这是电容耦合的特性使然。标签的、暴露于低电势的部分同样将充电到一低电势。如果EM标签的芯片任一侧的部分处于电势不同的区域内，那么就产生了穿过芯片的电势差，在本发明的实施例中，该电势差足以驱动芯片运行。电势差的大小将取决于去耦器的尺寸和材料，也取决于EM标签的位置和方向。

典型的EPC Gen 2 RFID芯片的阈值电压为0.5V，低于该阈值电压，则无法读取芯片。假设穿过介电腔的开口端的全部电压穿过芯片，那么基于1mm厚的核和穿过开口端的电场的简单结合，此电场的大小将需要达到约250V/m。如果器件上典型的入射波振幅为2.5V/m，即与在约5m距离处工作的标准RFID读取器系统一致，那么将需要约100的增强因子。在入射振幅的增强变得不足以驱动芯片之前，电场增强更高的实施例会提供更大的读取范围。

在这种去耦器中，方便地，第二导体层的长度至少与第一导体层的长度相同。更优选地，第二导体层比第一导体层长。

优选地，标签安装或可以安装在基本位于空缺区域上方的安装位置处。在介电核层的某些边缘处电磁场也可以得到增强，因此为了方便起见，安装位置还可以位于介电核层的显示出增长电场的至少一个边缘处。

RF标签可被设计成在任何频率下工作，例如在100MHz到600GHz的范围内工作。在一优选实施例中，RF标签是一UHF(超高频)标签，例如，带有芯片和天线并且在866MHz、915MHz或954MHz下工作的标签，或者在2.4-2.5GHz或5.8GHz下工作的微波标签。

(多个)空缺区域被描述为小的、不连续的十字形或L形，更方便的是这样一种缝隙，其中，该缝隙的宽度小于所预期(intended)的工作波长。缝隙可以是导体层材料中的任何直线的或曲线的通道、凹槽或空隙。该缝隙可以选择性地填充有非导电材料、或其它介电核层材料。

因此，上述结构可以作为辐射去耦装置。第一和第二导体层之间夹有一介电核。在第一导体层含有至少两个孤立部分(island)，即通过空缺区域或缝隙隔离开的导电区域的情况下，优选地，一个或多个空缺区域为亚波长空缺区域(即，在至少一个尺寸中小于λ)，或者更优选地为将介电核暴露于空气中的亚波长宽度的缝隙。方便地，在空缺区域出现在去耦器的周边以形成单个孤立部分的情况下，或者在介电核的至少一个边缘形成空缺区域的情况下，所述空缺区域的宽度不需要达到亚波长。

需要注意的是，去耦器结构的介电核与第一导体层的厚度之和可以小于去耦器结构的总厚度的四分之一波长，因此与现有系统相比更薄更轻。介电层的选择可以允许去耦器更灵活，使之能够应用于曲面。

上述特定的去耦器的第一导体层的长度G由公式λ≈2nG确定，其中n是介电质的折射率，且λ是去耦器运行所预期的波长。很明显，这用于第一谐波(即，基波)频率，但是也可以使用其他谐振频率。

方便地，期望的是提供具有长度为G的间距的去耦器，其中长度G对应于谐波频率而不是基波谐振频率。因此，长度G可由λ≈(2nG)/N表示，其中N是整数(N＝1表示基波)。在多数实例中，期望的是使用基波频率，因为所述基波频率通常提供最强的响应，然而谐波运行虽然在性能方面不理想，但其会在以下方面提供优势：较小的覆盖区、较小的轮廓以及延长的电池寿命。

考虑到其他所述的去耦器的介电腔，第一层和第二层在一个边缘处电连接，局部地形成基本上为“C”形的部分。这就产生了可看作用于驻波的亚波长谐振腔的结构，该腔的一端闭合。在腔的长度基本为入射辐射波长的四分之一处产生驻波情形，即衬垫物作为如前述GB0611983.8所定义的1/4波去耦器。

在这样的去耦器中，可以将两个导体层看作形成了一腔结构，该腔结构包括：导电基座部分，连接至第一导电侧壁，以形成调谐导体层；以及第二导电侧壁，所述第一导电侧壁与所述第二导电侧壁相间隔开并且基本平行。

导电基座部分促使基座部分的电场达到最小值(或波节)，因此在与导电基座部分相对的腔结构的一端处，电场达到最大值(波腹)。因此，放置在此区域中的电子器件或EM标签将处于强电场区域中，这与上面安装标签和去耦器的表面无关。

方便地，从导电基座部分开始测量，第一导电侧壁的连续长度约为λ_d/4，其中λ_d是电介质材料中EM辐射在操作频率v下的波长。

上述的1/2和1/4波去耦器包括一调谐导体层和另一导体层；优选地，该另一导体层的长度至少等于该调谐导体层，更优选地，比该调谐导体层长。

两个导体层由一介电层隔离开。它们可以在一端电连接，以产生如上文定义的闭合腔1/4波去耦器，或者包括位于两个导体层之间电场强度低的区域中的导电通孔。然而，在下列区域中两个导体层之间应该基本上没有电连接：电场强度高的区域或用于开口端1/2波形式(version)的去耦器的周边、或用于1/4波(闭合端)形式的多于一个端或周边。

应当注意的是，对于要被RFID跟踪的金属体而言，去耦器的至少一个导体层可以是所述金属体的一部分。RF标签通常由与集成天线电连接的芯片组成，该集成天线的长度通常与它们的工作波长(例如，的1/3)相当。发明人发现具有非常小的且未调谐的天线的标签(即，其通常在UHF波长不能有效工作)可以与在此描述的去耦元件结合使用。通常，具有这种“短小(stunted)”的天线的标签(本领域普通技术人员知道的是，有时将其称为低Q天线)在开放空间中只有几厘米或者甚至几毫米的读取范围。然而，令人惊奇的发现是，使用安装于本发明的去耦器上的这种具有低Q天线的标签是可行的，并体现出有用的读取范围，这些读取范围接近(甚至超过)在自由空间里工作且不使用去耦器的优化商用EM标签。与常规的调谐天线相比，低Q天线的制造成本更便宜，并且可以占用更少的表面区域(即，这种标签的天线长度可以比通常可能的长度还要短)。因此，EM标签可以是低Q标签，即EM标签具有小的、非调谐的天线。方便地，所述器件将结合一低Q天线，这样一旦去耦器被抑制(deactivation)，使得低Q标签的读取范围只有几厘米或者甚至几毫米。

为了加标签于或监控逐渐小型化的产品，需要减小去耦器的尺寸。虽然上文参考的申请中所描述的去耦器可以做得“短小”，或做成低Q标签，且最大尺寸仅分别为二分之一和四分之一波长(在所预期的工作频率下)，然而仍需要进一步减小该尺寸。

在本发明的实施例中，如上文所述在腔中形成驻波，但这个腔不限于是单平面的(monoplanar)，也就是说，仅在限定于基本平行的上和下表面之间的单个平面或层(其可以是直的或弯曲的)中延伸。可替代地，腔可以延伸超出这种表面，这样腔可以以一角度弯曲或折叠。这种设置使得腔根据所预期的工作频率，具有给定的长度或尺寸，以占据较小的覆盖区，但以增加厚度为代价。因为整体厚度保持很小，且明显小于使用了“隔离物”的设置，这样的装置在绝对厚度不太关键时会具有尺寸上的优势。

优选地，腔包括两个或更多个层，其中每一个层优选为至少部分地限定在一对导电壁之间，为了方便起见，各个层相互偏移(offset)。优选地，这些层基本平行，并且这种设置有利地允许元件以叠层结构构建，其中相邻的介电层由单个导电壁或表面隔离开。

可选地，这些层不是平行的，而是彼此间以一定角度设置。这样考虑到了波纹效应(corrugated orrippled effect)。

在一些实施例中，腔限定了唯一的路径长度。这样可将腔视为由单个平面制成，但弯曲或折叠以改变其物理外形，而其拓扑不变。因此，这种实施例的腔不包括任何分支或交叉点，而且为腔限定单个唯一的长度，所述长度与产生增强的辐射频率有关。

可选地，腔可以分支，并限定许多个长度，每个长度对应增强频率。

在本说明书中，除非特别说明，当提到路径长度时，就认为去耦器的结构有统一的宽度。考虑装置的横截面就很容易理解路径长度，下面参考附图更详细地说明路径长度。

本发明的另一个方案提供了一种用于电子器件的安装元件，包括：第一介电层，设置在第一导体层和第二导体层之间；以及第二介电层，设置在所述第二导体层和一第三导体层之间，所述第一导体层和所述第三导电层在一个端电连接，从而限定了第一介电连接区域，结合所述第一介电层和所述第二介电层，其中所述安装元件适于增强所述第三导体层的开口边缘处的安装位置的电磁场。

本发明延伸到参考附图在此大致描述的方法装置和/或使用。

本发明的一个方案中的任意特征可以以任意合适的结合方式应用到本发明的其他方案。特别的，方法方案可以应用到装置方案，反之依然。

附图说明

现在将参考附图纯粹地通过实例来描述本发明的优选特征，其中：

图1a和图1b示出了两层元件。

图2示出了两层元件的具体实施例。

图3和图4示出了图2的实施例的物理特性。

图5a和图5b示出了三层元件。

图6是三层元件的具体实施例。

图7和图8示出了图6的实施例的物理特性。

图9示出了具有多种路径长度的两层元件。

图10示出了具有多种路径长度的三层元件。

图11示出了“L”形元件。

图12、图13和图14示出了三层螺旋装置的构造、电场增强特性以及芯片电压。

图15至图20类似地示出了两种可能的四层装置。

具体实施方式

图1a示出了具有形成在两层上的介电腔的四分之一波元件的横截面。所述层限定在导电板102、104和106之间，其中底部介电层110位于导电板102和104之间，上介电层112位于导电板104和106之间。在示出的去耦器的左手端，导电板102和106延伸超过板104，并通过端壁116电连接。这种设置方式使得两个介电层在该端结合。

沿进入纸面的方向看，结构沿宽度方向是一致的，其中介电和导电板在所述结构的侧面露出。

路径长度120是用于辐射波长的腔的有效长度的近似值，其在腔内形成驻波。在图1a中，示出了由三个直的部分以直角结合为“C”形而形成，然而可以理解的是，在此腔中形成的驻波不会受这种固定的(rigid)几何形状的控制。但是，可以看到，图1a的结构可看作单层去耦器，其长度大约为“A”的两倍，自行折叠了一次。

图1a的元件是四分之一波去耦器，端部118使得腔里的驻波达到与它相邻电场的最小值，其中电场的最大值相对于自由空间波值增强，由附图标记122表示。区域122可被视为，且如之前所参考的申请中描述为，导体106的空缺区域，导体106没有延伸到像导体104和102那样远。此区域作为诸如RFID标签124之类的电子器件的安装位置，此区域将经受电场增强。

图1b示出了等效的半波去耦器，其具有开口端130。

图2更详细地示出了具有图1a的常规设置的元件，其具有PETG介电核，并且具有75微米厚的铝导电板。如果我们考虑如图1a中示出的路径长度，那么可以看出图2的路径长度约为51.8mm，其对应于约805MHz谐振波的四分之一波长(对PETG的折射率约为1.8)。

图3是由图2的元件产生的吸收的绘制图。电磁场越强，吸收得越多，通过限定电磁场在谐振处达到峰值，由此图3揭示了元件的谐振频率。可以看出谐振集中于大约850MHz处。虽然这个谐振频率大于上文推导出的805MHz的理论近似值，但其证实了借助两层“折叠”结构，谐振腔的有效长度已成功地延伸超出去耦器的外部长度。

图4是图2的元件的核在851MHz处的电场强度的绘制图。可以看出，场强沿着路径长度逐渐增大，从下层的闭合端402到上层的边缘404达到最大。在此，电场相对于1V/m的自由空间入射波值以大于25的因子增强。

图5a示出了图1a的设置的扩展，其具有三个介电层和四个导电板。在此，介电层在交替端结合，从而形成了从封闭端522延伸到开口端和增强区域524的反“S”形路径长度520，其中可在开口端和增强区域524处安装一标签530。因此，图5a的元件可看成自行折叠了两次、长度是B的三倍的去耦器。图5b示出了具有开口端526的半波去耦器的等效设置。

这样对于给定的工作频率，图5a和图5b的设置形成一种元件，其是等效单层装置的总长度的三分之一，但总厚度有所增加。然而，这种三层装置仍能够具有1mm或更小数量级的厚度。

图6中示出了图5a的常规布置的具体实施例，此实施例的特征在图7和图8的绘制图中示出。与图2相同，此实施例由PETG介电核和75微米厚的铝导电板构成。

考虑到图5a中示出的近似路径长度设置，可以看出图6的路径长度大约为50mm，其对应于大约833MHz谐振波的四分之一波长(PETG的折射率约为1.8)。

从图7的绘制图可知，其与图3类似，可以看出谐振集中于约905MHz处。同样，这大于805MHz的理论值，并暗示三层结构的有效长度实际上小于上面的简单直线近似值，但证实了多层结构允许波长的谐振明显大于装置的整个尺寸。

图8是在905MHz下图6的去耦器的核中的电场强度的绘制图。同样可以看出，场强沿着路径长度逐渐增大，从下层的闭合端802的最小值穿过中间层804，再到上层的开口边缘806达到最大值。这里，产生因子约为75的电场增强。

在上述实施例中，腔虽然折叠在自己的上面，但仍具有唯一的路径长度。图9和图10示出了具有多种路径长度的实施例。

图9示出了两个介电层设置，其中介电层在结构的一个边缘结合。最上面的导电板906具有呈延伸穿过结构的宽度(沿进入纸面的方向看)形式的缝隙或空缺区域908，这使得上介电层在结构的中间的一个位置具有开口端，这与图1a的设置相反，图1a的上层在结构的边缘开口。因此，图9的设置可看成两层去耦器，其中介电腔的顶层只延伸到结构的一部分，具有由附图标记910示出的路径长度，同时还有沿着上层的剩余部分延伸的单层去耦器，且具有由附图标记912示出的路径长度。如果我们把这个结构看成有两个子腔，那么这两个子腔都会增强缝隙908附近的安装位置处的入射场强，只是频率/波长不同。

因此，这个结构可作为双频或宽带去耦器，其增强频率由通过介电腔限定的各种有效长度决定。

图10中示出了更复杂的设置。这里，三个介电层1002、1004和1006被四个导电板1012、1014、1016和1018隔离开。导电端部1020和1022在任一端包围结构的整个厚度。将下介电层和中间介电层隔离开的导电板1014没有完全延伸到端部1020和1022，这样下介电层和中间介电层在两端结合。然而，在下介电层的一部分上具有竖立的导电部分1030，其在任一侧形成闭合端。这个闭合端使得腔中的驻波对于四分之一波装置而言具有已知方式中的电场最小值，因此限定了路径长度的端部。

板1016延伸以接触端部1022，而非端部1020，这样仅在一端结合中间介电层和上介电层。板1018沿其路径的一部分上具有一缝隙1032，从而限定了开口端以及路径长度端部。

可以看出这种结构中存在三个路径长度。路径1040限定出“C”形，并沿着上介电层和下介电层延伸一部分。路径1042沿着所有三个介电层至少延伸一部分，并限定出“S”形，以及路径1044只沿着上介电层延伸。

因此，放置在缝隙1032上方的标签1050将在由上述结构的几何形状确定的多个频率下经受入射电场的增强。

在图11中，介电腔延伸到实心导电表面1102中。该腔由两个部分组成，一个部分1104垂直于该表面延伸，另一个部分1106基本上平行于该表面。这样，该设置与以直角“弯曲”的四分之一波去耦器相类似，其中放置在腔的表面开口处的装置1110在取决于腔的有效长度的频率下，经受入射辐射的电场增强。

如图5、图6和图8所示，腔折叠一次、再反向折叠于其自身上的3-层介电腔结构产生了一种可用设计。然而，还能制作横截面是螺旋状的3-层装置，该腔折叠一次，然后再同向折叠一次，这种设计在图12a和图12b中示出。后一种3-层结构与前一种3-层结构具有相同的覆盖区，但可以提供制造优势。芯片和环设置、或低Q标签由附图标记1202表示，其部分地在上导电面上方延伸，且部分地在露出的介电层或导电面的空缺区域上方延伸。为了清楚起见，在图12b中示出的芯片和环明显与上平面间隔开。实际上，芯片和环可以仅通过厚度为0.05mm数量级的薄聚酯间隔物与上平面间隔开或电绝缘。在该实例中，环设计成约12mm乘18mm。

图13示出了图12的3-层螺旋结构的横截面，其显示出在剖面上的电场大小。在前面的图4和图8中，电场的绘制图用于展示腔的场增强效应，然后，图3和图7示出了通过绘制由结构吸收的、随频率变化而变化的功率，腔以适当频率谐振：吸收的功率与场强的平方成正比，即，吸收的功率越多，场强越大。

在图13中使用了另一种可选方法，其中耦合元件包含在模型中，且如上所述基本上位于上导电面的上方。这就允许测量随频率变化而变化的、穿过芯片的电压，这是一种可论证的、更直接的装置性能的测量方法。

然后参见图13，电场最强的区域出现在腔的开口端1302。数值范围从0V/m(黑色)到170V/m(白色)，因此可以看出，当入射波振幅设定为1V/m时，场以约170的因子被增强。在腔的闭合端1304处场为零。此外，沿着环的长边(1306、1308)的区域还具有强电场区域，这证明了腔结构和环之间有耦合。该结构安装在实心金属板上，因为在板的表面(1310)上没有绘制场，因此呈白色。图14中示出了随频率变化而变化的、穿过芯片的电压的大小：曲线显示出谐振行为，且以862MHz为中心。

从图13还可以看出，高场强所在的区域存在于腔从闭合端开始遇到的第一“拐角”处，即，将腔的第一层和第二层隔离开的导电层的边缘处，且腔在此处被折叠。因此，EM装置或标签可以利用微分电容耦合，并且在区域1302以外的区域被驱动以进行工作。

为了示出介电层的层数可以是其它层数，图15a和图15b示出了四个介电层装置，其中所述层为M形。这种装置以波长为腔总长度的四倍(即，大致为装置总长度的16倍)的入射辐射发生谐振，从而在腔的开口端(图16中的附图标记1602)产生了电场大大增强的区域。需要注意的是，芯片和环穿过装置的长度延伸适当长的距离，其与图13相比，由于介电腔额外的“折叠”而减小。闭合端1604的场接近于零，并且沿着环的长边(1606、1608)也存在高电场区域。

如图17所示，从电场大小的绘制图可清晰看到的谐振产生穿过芯片的电压，示出了预期的谐振响应。

同样地，图12和图13的螺旋结构可以扩展为四层，类似于图18和图19所示。图中示出了相同期望的场特性(闭合端1904接近于零；开口端1902和环端1906、1908具有高场)。图20也绘制了穿过芯片的电压。

图16和图19也示出了折叠结构内的高电场强度的所在区域，其位于形成介电腔内部拐角的导电面的边缘，且其可作为如上所述的标签的安装位置。

要理解的是，以上纯粹地通过实例对本发明进行了描述，但可在本发明的范围内对细节进行修改。虽然图11的实施例包括彼此成直角的两个介电层，但可以理解的是，等同地，介电层也可以以其它角度(如45度或30度)或者它们的组合来设置。在此提供了安装元件上电子器件的定位的实例，但要理解的是，还存在其他可选择的能经受电场增强的定位和定向。

本说明书、(在合适的情况下)权利要求书和附图中揭示的每个特征可以独立实施，也可以适当结合地实施。

Claims (20)

1、一种装置，包括限定在多个导电表面之间的谐振介电腔，适于增强所述导电表面之一的边缘处的电磁场，其中所述介电腔是非平面的。

2、根据权利要求1所述的装置，其中所述介电腔包括限定在多个导电壁之间的两个或两个以上的介电层。

3、根据权利要求2所述的装置，其中所述层彼此偏移。

4、根据权利要求2所述的装置，其中所述层相对于彼此形成角度。

5、根据权利要求2到4中的任一项所述的装置，其中所述层在其端部结合。

6、根据前述任一项权利要求所述的装置，其中所述腔具有唯一的路径长度。

7、根据权利要求6所述的装置，其中所述介电腔的横截面基本为“C”形。

8、根据权利要求6所述的装置，其中所述介电腔的横截面基本为“S”形。

9、根据权利要求6所述的装置，其中所述介电腔的横截面基本为螺旋形。

10、根据权利要求1所述的装置，其中所述腔具有多个路径长度。

11、一种用于电子器件的安装元件，包括：第一介电层，设置在第一导体层和第二导体层之间；以及第二介电层，设置在所述第二导体层和一第三导体层之间，所述第一导体层和第三导体层在一端电连接，从而限定第一介电连接区域、结合所述第一介电层和第二介电层，其中所述安装元件适于增强所述第三导体层的开口边缘处的安装位置的电磁场。

12、根据权利要求11所述的安装元件，其中所述第一导体层和第二导体层通过与所述连接区域相对的端壁电连接。

13、根据权利要求11所述的安装元件，还包括设置在所述第三导体层和一第四导体层之间的一第三介电层，所述第二介电层和第三介电层通过与所述第一连接区域相对的第二连接区域结合。

14、根据前述任一项权利要求所述的元件或装置，包括一EM标签，所述EM标签至少部分地位于场增强的所述区域中。

15、根据权利要求14所述的元件或装置，其中所述标签与所述导体层或表面电隔离。

16、根据权利要求14或15所述的元件或装置，其中所述标签通过微分电容耦合驱动。

17、根据权利要求14、15或16所述的元件或装置，其中所述EM标签是低Q RFID标签。

18、根据前述任一项权利要求所述的元件或装置，其中所述元件或去耦器的总厚度小于λ/4、或λ/10、或λ/300、或λ/1000，其中λ是所预期的工作波长。

19、根据前述任一项权利要求所述的元件或装置，其中所述元件的总厚度为1mm或更小、或500μm或更小、或200μm或更小。

20、根据前述任一项权利要求所述的元件或装置，其中所述电磁场以大于等于50、100或200的因子增强。

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