CN101802975B - 在用于通过一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中的阻挡板和文氏管容纳系统的漂洗方法以及相关装置 - Google Patents

在用于通过一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中的阻挡板和文氏管容纳系统的漂洗方法以及相关装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101802975B
CN101802975B CN2008801020518A CN200880102051A CN101802975B CN 101802975 B CN101802975 B CN 101802975B CN 2008801020518 A CN2008801020518 A CN 2008801020518A CN 200880102051 A CN200880102051 A CN 200880102051A CN 101802975 B CN101802975 B CN 101802975B
Authority
CN
China
Prior art keywords
barrier plate
workpiece
plate structure
liquid
treatment chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008801020518A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101802975A (zh
Inventor
D·德科雷克
J·D·科林斯
T·A·盖斯特
A·D·罗斯
R·E·威廉森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tel Manufacturing and Engineering of America Inc
Original Assignee
FSI International Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by FSI International Inc filed Critical FSI International Inc
Publication of CN101802975A publication Critical patent/CN101802975A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101802975B publication Critical patent/CN101802975B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

一种工具,用于通过一种或多种处理材料(包括液体、气体、流化固体、分散物质、它们的组合以及类似物)来处理微电子工件。本发明提供了一种快速、高效漂洗润湿表面的方法,本发明在用于漂洗活动阻挡板结构的下表面时特别有利,该阻挡板结构例如阻挡板,它位于处理的工件的上面,以便限定在工件之上的锥形流动槽道。并不是将漂洗液体喷射至表面上(这样产生不希望的飞溅、液滴或雾),而是液体被流动性地分配(优选是在层流状态下)至与要漂洗的表面流体连通的表面上。平滑、均匀的润湿和片状流动作用导致完成漂洗,同时明显降低了产生颗粒污染的危险。

Description

在用于通过一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中的阻挡板和文氏管容纳系统的漂洗方法以及相关装置
优先权
根据35 USC 119(e),本非临时专利申请要求美国临时专利申请系列号No.60/963840的优先权,该美国临时专利申请No.60/963840的申请日为2007年8月7日,申请人为DeKraker等,标题为RINSINGMETHODOLOGIES FOR BARRIER PLATE AND VENTURICONTAINMENT SYSTEMS IN TOOLS USED TO PROCESSMICROELECTRONIC WORKPIECES WITH ONE OR MORETREATMENT FLUIDS,其中,所述临时专利申请通过参引整体结合到本文中。
技术领域
本发明涉及用于通过一种或多种处理流体(包括液体和/或气体)来处理微电子基片的工具的阻挡板、文氏管容纳策略和分配组件。特别是,本发明涉及这样的工具,它提高了对于阻挡板和/或文氏管形状容纳通路的表面的漂洗能力。
背景技术
微电子工业依赖多种不同处理来制造微电子装置。很多处理涉及一系列处理,在这些处理中,根据合适配方而使得不同种类的处理流体与工件接触。这些流体可以是液体、气体或它们的组合。在一些处理中,固体可以悬浮或溶解在液体中或者夹带在气体中。
用于处理微电子工件的新颖工具在下面的文献中介绍:受让人的共同待审美国专利申请,目前公开为美国专利公开No.US-2007/0022948-A1(下文中称为共同待审申请No.1);受让人的共同待审美国专利申请系列号No.11/376996,标题为BARRIERSTRUCTURE AND NOZZIE DEVICE FOR USE IN TOOLS USEDTO PROCESS MICROELECTRONIC WORKPIECES WITH ONEOR MORE TREATMENT FLUIDS,申请人为Collins等,申请日为2006年3月15日,代理人记录号为No.FS10166US(下文中称为共同待审申请No.2),其是PCT公开申请WO2006/107550的对应部分;以及受让人的共同待审申请系列号No.11/820709,标题为BARRIERSTRUCTURE AND NOZZLE DEVICE FOR USE IN TOOLS USEDTO PROCESS MICROELECTRONIC WORKPIECES WITH ONEOR MORE TREATMENT FLUIDS,申请人为Collins等,申请日为2007年6月20日,代理人记录号为No.FS10202/US(下文中称为共同待审申请No.3)。这些共同待审的美国专利申请以及它们的公开文件的整体通过参引结合在本文中,用于所有目的。
所述共同待审的美国专利申请的“处理部分11”优选是包括嵌套的导管特征,这些导管特征使得一个或多个导管通路能够选择地打开和关闭。例如,当结构运动相对分开时,导管通路打开和在结构之间扩大。当结构运动相对至一起时,在结构之间的导管被阻塞和减小尺寸。在优选实施例中,根据活动导管结构怎样定位,多个导管可以存在于相同空间容积中。因此,多个导管占据的容积可以只是最低限度地大于单个导管占据的容积。导管用于捕获各种处理流体,包括液体和/或气体,用于再循环、丢弃或其他处理。不同的处理流体可以在不同的独立导管中回收,以便使交叉污染最小和/或对于不同流体采用独特的捕获规程。由于导管结构的嵌套特征,导管系统也极其紧凑。
这些共同待审美国专利申请还描述了一种创新的喷雾嘴/阻挡板结构。该结构包括以多种方式来分配处理材料的能力,例如通过喷雾、中心分配和喷淋头。阻挡板结构覆盖在下面的工件上面。在优选实施例中,阻挡板结构的下表面的形状形成为使它限定了在工件上方的、锥形的流动槽道。该方法具有多个优点。锥形的流动槽道有助于促进从工件中心向外的径向流,同时最小化回流区域。锥形还有助于平滑收敛和增大接近工件的外边缘的流动流体的速度。这有助于减小液体的飞溅效应。下表面的角度还有助于使得下表面上的液体排向外周缘。锥形结构还有助于减少颗粒回流至工件上。该结构还通过更好地容纳流体而有利于化学回收效率。
尽管具有所有这些优点,但是还希望进一步改进。首先,在处理工件的过程中,阻挡板结构的下表面可能有在处理过程中和/或由于漂洗阻挡板结构而承载使用液体的液滴或薄膜。例如,受让人的共同待审申请No.3描述了一种漂洗策略,在该漂洗策略中,漂洗管被向下引导通过烟囱,从而导入处理腔室,其中烟囱提供了大致通过阻挡板结构的中心区域而排出至处理腔室中的通路。漂洗管延伸入处理腔室中,这样,它们的下端大致在与阻挡板结构的下表面相同的高度处。漂洗液体通过安装在管的端部上的喷嘴而喷射在下表面上。
尽管该策略有效地漂洗阻挡板结构,但是所形成的喷雾将在撞上阻挡板结构时产生飞溅。这能够产生液滴或雾,该液滴或雾可能导致颗粒污染。喷嘴与阻挡板结构的下表面的对齐和喷雾图形可能很难设置或保持成与阻挡板结构的几何形状匹配。管和喷嘴可以收集水气,该水气可能滴落和引起污染。管和喷嘴还可能阻塞和/或中断液体和气体流入处理腔室中。因此希望有改进的漂洗方法。
发明内容
本发明提供了一种用于通过一种或多种处理材料(包括液体、气体、流化固体、分散物质、它们的组合、以及类似物)来处理微电子工件的工具。本发明提供了一种快速、高效漂洗润湿表面的方法,本发明在用于漂洗活动阻挡板结构的下表面时特别有利,该阻挡板结构例如阻挡板,它覆盖在处理的工件上面,以便限定在工件上方的锥形流动槽道。并不是将漂洗液体喷射至表面上(这样产生不希望的飞溅、液滴或雾),而是液体被流动性地分配或灌注至与要漂洗的表面流体连通的表面上,优选是在层流状态下。平滑、均匀的润湿和片状流动作用导致完成漂洗,同时明显降低了产生颗粒污染的危险。在所示实施例中,液体通过其进行分配的孔紧邻目标表面,例如离目标表面在0.1至20mm范围内,优选是0.1至5mm范围内,甚至是1mm。
另外,本发明的实施例可以包括一种喷嘴图形,它促进了下部阻挡板结构表面的、非常全面的润湿和平滑片状流动作用,同时更少形成离散流道、滴落或可能导致污染的其它问题。在这些实施例中,喷嘴阵列包括可变间距、可变喷嘴尺寸和相对于喷嘴目标表面的可变喷嘴角度中的至少一个,优选是两个,更优选是全部三个。典型的喷嘴阵列具有在喷嘴之间的可变间距,具有两个或更多个喷嘴的复合角度相对于阵列中的一个或多个其它喷嘴不同的喷嘴。而且,本发明的实施例可以包括预先润湿策略,该预先润湿策略促进了下部阻挡板结构表面的、非常全面的润湿和平滑片状流动作用,同时更少形成离散流道、滴落或可能导致污染的其它问题。
根据本发明的一个方面,漂洗装置的方法包括以下步骤:a)提供装置,该装置包括:处理腔室,至少一个微电子工件可以在处理过程中位于该处理腔室内;以及阻挡板结构,该阻挡板结构包括下表面,当用于处理时,该下表面在工件上面和至少部分覆盖工件;以及b)使液体在一定条件下流动性地分配至阻挡板结构上,这样,液体形成薄片,然后润湿阻挡板结构的下表面。
根据本发明的另一方面,一种漂洗装置的方法包括以下步骤:a)提供装置,该装置包括:处理腔室,至少一个微电子工件可以在处理过程中位于该处理腔室内;阻挡板结构,该阻挡板结构包括下表面,当用于处理时,该下表面在工件上面和至少部分覆盖工件;以及附加表面,该附加表面与下表面流体相连;以及b)使液体流在一定条件下流动性地分配至所述附加表面上,这样,液体形成薄片,然后润湿阻挡板结构的下表面。
根据本发明的另一方面,一种用于处理至少一个微电子工件的装置包括:a)处理腔室,该至少一个微电子工件可以在处理过程中位于该处理腔室内;b)阻挡板结构,该阻挡板结构包括下表面,当用于处理时,该下表面在工件上面和至少部分覆盖工件;c)附加表面,该附加表面与阻挡板结构的下表面流体相连;以及d)多个喷嘴,这些喷嘴对准和定位成充分靠近附加表面,以便使液体流动性地分配至所述附加表面上。
根据本发明的另一方面,一种用于处理至少一个微电子工件的装置包括:a)处理腔室,该至少一个微电子工件可以在处理过程中位于该处理腔室内;b)阻挡板结构,该阻挡板结构包括下部结构,当用于处理时,该下部结构在工件上面和至少部分覆盖工件;c)文氏管形状通路,该文氏管形状通路提供进入处理腔室的出口,所述通路包括通路表面,该通路表面与阻挡板结构的下表面流体相连;以及d)至少一个喷嘴,该至少一个喷嘴定位在通路中,目的是使得液体流动性地分配至所述通路表面上。
根据本发明的另一方面,一种漂洗装置的方法包括以下步骤:a)提供装置,该装置包括:处理腔室,至少一个微电子工件可以在处理过程中位于该处理腔室内;阻挡板结构,该阻挡板结构包括下表面,当用于处理时,该下表面在工件上面和至少部分覆盖工件;以及附加表面,该附加表面与下表面流体相连;b)预先润湿阻挡板结构的下表面和可选的附加表面;以及c)在预先润湿后,使液体在一定条件下流动性地分配至所述附加表面上,这样,液体在所述附加表面上形成薄片,然后成片状流至阻挡板结构的下表面上和润湿该下表面。
附图说明
通过下面结合附图对本发明实施例的说明,将更清楚本发明的上述和其它优点以及获得这些优点的方式,并更好地理解本发明本身,在附图中:
图1是本发明的空气吸入组件在大致向下看组件的顶部时的透视图。
图2是图1的空气吸入组件在大致向上看组件的底部时的透视图。
图3是图1的空气吸入组件的剖视图。
图4是图1的空气吸入组件的顶视图。
图5是包含在图1的空气吸入组件中的顶部部件在大致向下看该顶部部件的顶部时的透视图。
图6是包含在图1的空气吸入组件中的顶部部件在大致向上看该顶部部件的底部时的透视图。
图7是包含在图1的空气吸入组件中的基部部件在大致向下看该基部部件的顶部时的透视图。
图8是包含在图1的空气吸入组件中的基部部件在大致向上看该基部部件的底部时的透视图。
图9是包含在图1的空气吸入组件中的漂洗部件在大致向下看该漂洗部件的顶部时的透视图。
图10是包含在图1的空气吸入组件中的漂洗部件在大致向上看该漂洗部件的底部时的透视图,其中可以看见喷嘴阵列。
图11是图9中所示的漂洗部件的侧视图。
图12是图1的空气吸入组件的放大剖视图,显示了夹在顶部部件和基部部件之间的漂洗部件的环形本体。
图13是图1的空气吸入组件的放大剖视图,显示了夹在顶部部件和底部垫片元件部分之间的漂洗部件的臂。
图14是用于图1的空气吸入组件中的保持夹的透视图。
图15是用于图1的空气吸入组件中的保持夹的可选透视图。
图16是用于图1的空气吸入组件中的保持夹的另一可选透视图。
图17是包括图1的空气吸入组件的工具的示意图。
图18A是图9的漂洗部件的底部的视图。
图18B是横过图18A的漂洗部件的标记截面F-F的剖视图。
图18C是横过图18B的漂洗部件的标记截面G-G的剖视图。
图18D是横过图18B的漂洗部件的标记截面H-H的剖视图。
图18E是横过图18A的漂洗部件的标记截面C-C的剖视图。
图18F是横过图18A的漂洗部件的标记截面J-J的剖视图。
图18G是横过图18F的漂洗部件的标记截面K-K的剖视图。
图18H是横过图18A的漂洗部件的标记截面D-D的剖视图。
图18I是横过图18H的漂洗部件的标记截面E-E的剖视图。
具体实施方式
下面所述的本发明实施例并不是排他或将本发明限定为下面的详细说明中所述的精确形式。而是选择和介绍了实施例,这样,本领域其它技术人员可以清楚和理解本发明的原理和实施方式。尽管本发明将在本文中特别介绍为基于流体的微电子基片清洁系统,但是本发明的原理也可以用于其它微电子处理系统。
在下面的说明中,当所述特征和它的参考标号都包含在引号中时,这是指在受让人的共同待审专利申请No.3中描述和显示的特征和参考标号。当没有使用引号时,这是指本发明的特征和参考标号,它们除了在本文中显示之外,还在附图中显示。
图1至16和18A至18I显示了具有本发明的漂洗能力的空气吸入组件10的特殊优选实施例。该特殊实施例设计成用于在受让人的共同待审专利申请No.3中描述的“阻挡板/分配部分14”。本发明的空气吸入组件10以及这里所述的支柱支承件可以代替“空气吸入凸缘338”、“喷淋头垫片382”、“支柱支承件380”、“漂洗管504”和“漂洗管喷嘴508”。如图1至16和18A至18I中所示,空气吸入组件10设计成以与“空气吸入凸缘338”和这些部件相连的方式相同的方式安装在“阻挡板102”上以及在“喷雾杆178”和“中心分配喷嘴组件518”上方。作为另一类似点,“喷淋头分配部件426”安装在空气吸入组件10上,并由支柱22以与“喷淋头分配部件426”安装在现有设计的“喷淋头垫片382”和“支柱支承件380”上相同的方式有利地固定和支承。另外,空气吸入组件10包括这样的特征,其使得合适管路能够导向空气吸入组件10自身的漂洗特征,一个或多个分配部件用于包含在所形成的阻挡板/分配部分和“阻挡板102”的抽吸元件中。
不过,与“漂洗管504”和“漂洗管喷嘴508”比较,改进的空气吸入组件10集成了提高的漂洗能力,它更有效地漂洗和润湿“阻挡板102”以及集成在组件10中的文氏管容纳系统,同时产生最少(如果有)的飞溅和液滴,该飞溅和液滴可能导致颗粒污染。作为另一可选差异,与“喷淋头垫片382”相对应的特征集成在空气吸入组件10中作为整体特征,而不是象“喷淋头垫片382”一样作为单独部件包含。
空气吸入组件10通常包括作为主要部件的顶部部件12、基部部件58和漂洗部件114,该漂洗部件114夹在顶部部件12和基部部件58之间。顶部部件12如图1至6中最好地所示。顶部部件12包括大致环形形状的本体14,该本体14具有平滑弯曲的顶表面16和大致平坦的底部18。如后面进一步所述,顶表面16有助于限定通向文氏管形状通路172的相应进口178。顶部部件12包括用于安装支柱22的孔20,该支柱22再用于帮助安装和支承“喷淋头分配部件426”。为了图示目的,显示了四个孔20用于安装四个相应的支柱22,但是需要时可以使用更多或更少数目。支柱22可以通过这些孔20而以任意合适方式固定在顶部部件12上,包括通过胶水、焊接、螺钉、贯穿螺栓或类似物。在一些实施例中,在支柱22上的外螺纹可以与形成于孔20中的相应内螺纹进行螺纹啮合。
底部18包括角形槽26,该角形槽26靠近底部18的外周边28,用于节省重量。底部18还设置有在内周边32上的环形槽口30,以便形成合适尺寸的凹穴,用于当装配空气吸入组件10的部件时将漂洗部件114夹持就位。底部18还设置有多个螺纹孔24,这些螺纹孔24提供了用于通过螺钉将顶部部件12固定在基部部件58上的固定方式。使用螺钉将方便空气吸入组件10的拆卸,用于维护和修理。当然,其它装配技术(例如胶水、焊接、螺栓、夹子、粘带、它们的组合和/或类似物)也可以使用。为了图示目的,图中显示了四对螺纹孔24,尽管需要时可以使用更多或更少数目的螺纹孔。
除了环形本体14,顶部部件12还包括顶部垫片元件部分34。顶部垫片元件部分34从本体14的一侧延伸到另一侧,并用于多个功能。首先,顶部垫片元件部分34有助于与支柱22一起安装和支承“喷淋头分配部件426”。另外,顶部垫片元件部分34的内部容积有助于限定通路176,管路、电线、光纤、传感器和其它工具元件部分可以被引导通过该通路,同时与顶部垫片元件部分34外部的文氏管通路隔离。而且,顶部垫片元件部分34还有助于限定文氏管形状通路172的进口178和顶部部分,气体能够通过该文氏管形状通路172被引入到具有良好容纳能力的处理腔室(图1-16和18A-18B中未示出)内。顶部垫片元件部分34还有助于增强和加固顶部部件12。
更具体地说,顶部垫片元件部分34包括顶部轮缘36、侧部38、40、42和44以及底部轮缘46。一个侧部44包括凹穴48,以形成用于管路连接部分的空间,该管路连接部分用于向漂洗部件114提供漂洗流体或其它流体。底部轮缘46包括槽口52。与顶部部件12的槽口30类似,槽口52的尺寸也设置成适合漂洗部件114。当顶部部件12和基部部件58固定在一起时,漂洗部件114保持在该槽口52内并夹持就位。侧部44还包括孔54(见图6),该孔54用于帮助固定保持夹158(见图3、4和14-16),如后面进一步所述。
顶部部件12可以由多种材料形成,该材料可以是亲水性和/或憎水性。在一些实施例中,优选是由憎水性材料来制造顶部部件12,例如TEFLON牌的含氟聚合物。
基部部件58如图1-3、7和8中最好地所示。基部部件58大致包括本体60、顶部凸缘72、底部凸缘78和底部垫片元件部分84。本体60包括从顶端66延伸到底端68的内壁62和外壁64。内壁62的轮廓设置为使得本体60包括在顶端66和底端68中间的增厚壁部分70。增厚壁部分70有助于提供文氏管通路172的喉部区域174。外壁64被刻面,以便有助于进入组件的硬件和用于节省重量。
顶部凸缘72从顶端66向外延伸,并为大致环形形状。顶部凸缘72包括通孔74,该通孔74与顶部部件12中的孔24匹配,用于通过螺钉25将基部部件58安装在顶部部件12上。顶部凸缘72的顶面76为大致平坦的,以与顶部部件12的底部18的轮廓匹配。在可选实施例中,顶面76和底部18可以在需要时具有不平坦的啮合轮廓。例如,可以提供槽、凸起、波纹部分或其它特征,以便有助于在装配过程中对齐。也可选择,垫圈(未示出)可以置于顶面76和底部18之间。
底部凸缘78从底端68向外延伸,并且也为大致环形形状。底部凸缘78包括通孔80,用于将空气吸入组件固定在图17中所示的阻挡板260上,该阻挡板260优选是具有对于受让人的共同待审专利申请No.3中的“阻挡板102”所述的特征。底部部件58的、靠近底端68和底部凸缘78之间的接合处的区域的形状形成为提供在本体60的内壁62和阻挡板的下表面之间的平滑过渡,从而促使流体平滑流入和流过图17中所示的处理腔室206。
底部垫片元件部分84从本体60的一侧延伸至另一侧,并用于多个功能。首先,底部垫片元件部分84通过提供用于顶部垫片元件部分34的支承件而与支柱22和顶部垫片元件部分34一起间接地有助于支承“喷淋头分配部件426”。另外,底部垫片元件部分84有助于限定通路176,管路、电线、光纤、传感器和其它工具元件部分可以被引导通过该通路。而且,底部垫片元件部分84还有助于限定文氏管形状通路172的出口180和底部部分,包括喉部区域174,气体能够通过该文氏管形状通路被引入到具有良好容纳能力的处理腔室206内。底部垫片元件部分84还有助于增强和加固基部部件58。底部垫片元件部分84还包括孔,用于容纳管路部件和安装部件,如后面进一步所述。
更具体地说,底部垫片元件部分84包括侧壁86,该侧壁86具有内侧面88、外侧面90、底面92、端壁94和顶面96。底部垫片元件部分84还包括底板104。当基部部件58和顶部部件12固定在一起时,顶面96牢固地抵靠底部轮缘46装配,以便帮助夹持漂洗部件114就位。外侧面90帮助限定文氏管形状通路172,而内侧面88帮助限定通路176。
在其中一个端壁94中的孔102提供了进、出通路176的出口,用于部件从底板104附近进入和离开通道176的底部。例如,真空管道(未示出)可以被向下引导通过通路176,然后导出至“阻挡板102”的抽吸特征,如受让人的共同待审专利申请No.3中所述。也可选择,用于将漂洗流体供给漂洗部件114的供给管线(未示出)也可以通过孔102供给,尽管更优选是如图中所示和如后面所述来安装该漂洗供给管线。
如图2、3和8中最好所示,底板104相对于底面92凹入,以便限定凹穴108。当空气吸入组件10在图17的阻挡板260上安装就位时,该凹穴108装配在分配部件上面并容纳该分配部件。因此,底板104包括孔105,该孔105装配在管路连接部分上面,该管路连接部分使得供给管线(未示出)与图17的喷雾杆280相连。孔106适合管路与中心分配喷嘴组件的连接,而孔107适合中心分配喷嘴组件安装在底板104上。孔109适用于将空气吸入组件安装在喷雾杆280上。这样的安装以及通过基部部件58的底部凸缘78中的孔80的安装有助于将空气吸入组件10牢固保持就位。槽98和99帮助定位和保持垫圈(未示出),该垫圈有助于提供在空气吸入组件和下面的阻挡板结构(例如图17中所示的阻挡板260)之间的、流体密封的密封件。
为了方便在使用漂洗液体例如DI(去离子的)水时在漂洗操作过程中均匀润湿基部部件58,希望是由亲水性材料来制造基部部件。合适的亲水性材料的一个实例可以通过以合适剂量的电离辐射(例如紫外线辐射、电子束辐射等)照射聚苯硫醚(PPS)(大致为憎水性材料)来获得。PPS通常在供给时具有浅黄颜色。合适剂量的辐射将使得PPS的颜色改变至黄棕色,而不会不合适地损害PPS的物理特性。通常,颜色变化是表面已经为亲水性的视觉指示器。可以通过将水倾倒至处理材料上以便看水是成水珠还是成片散开来进行简单的经验测试。在一些情况中,颜色变化可以观察到,但表面仍保持憎水性。材料可以通过电离能量重新处理一次或多次,直到表面变得亲水性。
漂洗部件114如图1、3、9-13和18A-18I中最好所示。漂洗部件114大致包括环形本体116,该环形本体116的尺寸设置成当顶部部件12和基部部件58夹持在一起时装配在槽口30和52内。一对臂118从环形本体116的一侧延伸到另一侧。漂洗部件114的形成结构限定了分别与装配的空气吸入组件10中的文氏管通路172和中心通路176相对应的孔124、126和128。优选是,空气吸入组件10的部件装配成有效地产生密封结构,因此,可以在合适的交界面处利用合适的垫圈材料或密封剂,这样的材料和技术自身为公知的。例如,如图12和13中所示,垫圈93和95优选是分别用于漂洗部件114、基部单元58的面76和96以及垫片元件部分84之间。
漂洗部件114包括流体分配特征,所述特征使得漂洗液体或其它流体能够被引向漂洗部件114,然后可控制地从漂洗部件114分配,以便漂洗基部部件的壁,该壁形成文氏管通路172以及阻挡板260的下表面。因此,环形本体116包括限定流体分配导管130的内部通路,该流体分配导管130希望地环绕本体116的整个周边的至少一部分延伸。优选是,各臂118还分别包括限定流体分配导管132的内部通路。在臂118的端部处,这些导管132可以与导管130开口流体连通,以便形成公共传送歧管。与各孔124和126与文氏管通路172相对应相关联,分配喷嘴的阵列136在文氏管通路172的、与臂118相对的一侧上布置在环形本体116的一部分上。各阵列136的喷嘴和(特别是)各开口的出口孔定向成将流体直接或间接分配至基部部件58的本体60的内壁62上。还优选是在各臂118上在文氏管通路172的该相对一侧上设置有分配喷嘴的附加阵列140。这些喷嘴定向成直接或间接地将流体分配至底部垫片元件部分84的外侧面90上。如图12和13中所示,漂洗部件114直接向内壁62的表面和面90提供漂洗流体;不过,它的其它部件或表面可以操作地定位在漂洗部件114和表面62、90之间。优选是,控制的流体流被供给表面62和90,如下面更详细所述。
图中所示的空气吸入组件10的实施例构造成使得臂导管132与环导管130开口流体连通。在其它实施例中,臂导管132可以独立于导管130,因此与导管130流体隔离。各臂导管132还可以独立于其它臂导管132。这使得漂洗流体能够向各导管独立地供给,这样,引向各导管的液体流速可以以最佳地适合各阵列所用于的表面的方式定制。例如,可以将比供给到阵列140高的流量的漂洗液体供给到阵列136,以便认识到,与阵列140所用于的表面进行润湿所需的液体相比,需要更多的液体来润湿阻挡板结构的下表面。
如图10中最好所示,阵列136和140只分别横跨环形本体116和臂118的一部分。在其它实施例中,可以使用更多或更少数目的喷嘴。在一个实际形式中,发现通过使用阵列136(各阵列136包括10个喷嘴,这10个喷嘴可变间隔地间隔开,中心至中心的距离在2mm至6mm之间,孔尺寸为0.79mm)和通过使用另外的阵列140(各阵列140包括10个喷嘴,这10个喷嘴可变间隔地间隔开,中心至中心的距离在2mm至6mm之间,孔尺寸为0.61mm)而获得良好的漂洗作用。
喷嘴阵列136和140可以具有各种喷嘴图形。限定喷嘴的通路可以相互平行或不平行,与垂直方向平行或不平行,可变尺寸、可变间距、它们的组合等。限定喷嘴的通路自身并不需要为线性,但重要的是喷嘴提供可控制和定向的流体流,以便获得合适的润湿结果。为了有助于促使液体平滑、均匀地润湿和成片状从阵列136和140分配,已经发现包括可变角度和可变位置喷嘴的喷嘴图形将提供更好的润湿特征。特别是,包括一个或多个倾斜角和/或发散角的喷嘴图形为优选的。如在本发明的整个申请中使用的,垂直是指作用在装配后的且可操作支承的空气吸入组件10(设置有处于操作位置的处理腔室)上的重力的正常方向。如图3中所示,例如,表面90显示为以垂直方式延伸。还有,倾斜角被认为是表面或通路相对于垂直方向的角度。发散角被认为是表面或通路相对于垂直定向的平面的角度,该垂直定向的平面将漂洗部件114(如图所示)平分成对称的两半,下文中称为“平分垂直平面”。
例如,图18A-18I显示了用于喷嘴阵列136和140的喷嘴图形的特别优选实施例,其中,相对于垂直方向131和平分垂直平面135,喷嘴图形对准多个不同的复合角度。垂直平面135经过参考线113,该参考线113如图18A中所示。图18A是漂洗部件114的底视图。
图18B-18D包括图9的漂洗部件114的三个视图,图中显示了复合角度(倾斜角和发散角)和可变间距作为这种特征包含在漂洗部件114的各臂118的所示喷嘴阵列140中。使用这种图形有助于平滑和均匀地润湿目标表面以及与目标表面相连的阻挡板结构的下表面。
图18B的剖面F-F标记视图是横过臂118的剖视图,以显示阵列140的喷嘴可以如何朝向漂洗部件114的中心以及因此将对准或与垂直方向131倾斜地朝向目标表面指向。在该视图中显示的所示倾斜角α相对于垂直方向131为4度,该倾斜角α优选是对于阵列140中的所有喷嘴都相同。
图18C和18D的剖面G-G和H-H标记视图分别是沿各臂118的长度的剖视图,以显示喷嘴相对于垂直方向和平分垂直平面135的发散角优选是怎样变化和从平分垂直平面向外发散。平分垂直平面135与各臂118的出口面垂直。图18C和18D中的视图显示了各阵列140的两个中心定位的喷嘴141和142大致具有0度倾斜角。在所示实施例中的下一对喷嘴143和145(它们位于这些中心定位的喷嘴141和142中的每个的外侧)具有15度的发散角β。在所示实施例中,随后三对外侧喷嘴146、147、149、156、157和159各自具有30度的发散角γ。图18C和18D的剖面G-G和H-H标记视图也分别显示了在所示实施例中在喷嘴出口(和进口)之间的间距也变化。图18E-18I显示了图9的漂洗部件114的5个视图,这些图显示了包含在喷嘴阵列136中的倾斜和发散喷嘴图形。图18E是剖面C-C标记视图,显示了与线C-C相关的喷嘴的角度δ。对于各阵列136,与线C-C相关的喷嘴对应于阵列136的两个中心定位的喷嘴。剖面C-C标记视图显示了各阵列136的这些喷嘴对相对于垂直方向131具有12度的倾斜角δ。尽管图18E中未示出,但是与线C-C相关的喷嘴相对于喷嘴的径向位置和平分垂直平面具有0度的发散角。图18F和18G分别是剖面J-J和K-K标记视图,分别显示了在所示实施例中的各阵列136的喷嘴对(它们与线J-J相关)的倾斜角ε和发散角ζ。在所示实施例中,各阵列136的、与线J-J相关的喷嘴对是各中心定位的喷嘴的外侧的两个喷嘴。图18F和18G显示了与剖面J-J相关的喷嘴具有13度的倾斜角ε和20度的发散角ζ。图18H和18I分别是剖面D-D和剖面E-E标记视图,分别显示了在所示实施例中的阵列136的其余喷嘴(它们与线D-D相关)的倾斜角η和发散角θ。这些喷嘴具有13度的倾斜角η和35度的发散角θ。
图18A中所示的漂洗部件114的底视图还显示了阵列136中的喷嘴相对于环形本体116的中心117的径向位置。当采用经过中心117的水平直径作为0度参考线113时,阵列136的喷嘴对与参考线113径向定位2.5度(总共分开5度)、4.7度、7.5度、12.5度和17.5度。
漂洗部件114预计主要分配作为漂洗液体的水,并可以由憎水性和/或亲水性材料来制造。在一个实施例中,漂洗部件114由聚丙烯来制造。
为了将流体引入到漂洗部件114中,供给管150和151利用保持夹158而与具有扩口配合件的管路连接部分148相连。保持夹158包括管路孔160,各管路孔160有较小端部162和较大端部164。较大端部164装配在管路连接部分148的上面,而较小端部162容纳供给管150和151。希望的是,紧固孔166包括内螺纹,以便使保持夹158能够通过孔54而牢固固定抵靠顶部垫片元件部分34的侧部44,同时对管路连接部分148具有良好的夹持作用。轮廓168提供了用于紧固硬件167(该紧固硬件167用于这里)的空间。在供给管150和151的端部处的连接设备154和155使得供给管150和151能够与未示出的上游管路连接。
DI水是合适的漂洗液体。DI水可以在需要时变冷、在周围环境供给、或者加热。已经发现使用处于周围环境温度(大约19℃至20℃)的DI水很合适。
使用双重供给管150和151用于供给漂洗液体是合适的选择。根据合适漂洗作用,一个管可以用于供给相对更高、更猛烈流量的漂洗液体,而另一管可以用于供给更低、更轻缓流量的漂洗液体。在一些实际模式中,两种流体流可以同时引入,用于甚至更大流量。在一种典型实际模式中,发现以5升每分钟的流速引导DI水通过一个管将适合较高流速,而以2升每分钟的流速通过另一管将适合较低流速。
可以使用合适的流量控制方法来调节通过各管的流动程度。在一些实际模式中,阀可以设置成打开或关闭,这样,通过特殊供给管的流动将打开或关闭。这样的优点是非常简单地实施。在这样的打开或关闭方法中,使用如图示的两个或更多个供给管将提供对漂洗流速的良好控制。在其它模式中,流量可以调节成使得流过一个或多个供给管的流量能够在合适范围内调节成任意水平,或者关闭。当实施这种方法时,通常单个供给管可以充分提供对于引向漂洗部件114的漂洗流量的良好控制。
如图所示,漂洗部件114还包括通孔144。这些通孔144提供了制造便利性,以便用于钻头进入到达部件114的另一侧,用于钻出进口孔,该进口孔提供与用于管路连接部分148的导管130的流体连通。
装配的空气吸入组件10如图1-4中最好所示,特别是图3。这些附图显示了当顶部部件12、基部部件58和漂洗部件114装配时如何形成文氏管通路172。各通路172包括:相对狭窄的喉部区域174,在该喉部区域174中通路172收缩;以及相对更宽的扩口端部178和180。在使用时,扩口端部178用作进口,一种或多种气体例如空气、清洁的干燥空气、水蒸汽、氮气、二氧化碳、氩气、异丙醇蒸气、它们的组合等可以通过该进口而被吸入到空气吸入组件10中。扩口端部180用作出口,一种或多种气体可以通过该出口而被向下排出至处理腔室中。当处理材料(该处理材料可以是液体、固体或气体)合适地容纳于腔室(该腔室需要用于引入处理气体的开口)中时,文氏管形通路172用作容纳系统。在实际应用中,通常通路172的喉部区域174是容纳边界,当气体流过通路172进入处理腔室内时,流体材料将在该容纳边界下面容纳于下面的处理腔室中。
例如,在典型处理中,可以使得组成的空气或其它气体通过文氏管形状通路172进入处理腔室。进入的空气或气体在它经过通路172的喉部区域174时进行加速。相对较高速度的空气或气体运动通过喉部区域174并进入腔室内将基本防止雾或其它处理液体往回逸出至空气吸入组件10。相反,在没有喉部收缩或足够高度的空气吸入通道中,处理腔室的雾可以逸出,从而引起问题例如污染、由于处理材料的损失而降低处理性能等。
在一个所示操作状态中,利用50cfm的进口空气来获得基本完全的雾和水蒸汽容纳。这利用3英寸的排气容积来获得。在该测试中,工件在它的夹盘上以250rpm的转速旋转,同时被喷射有在65℃的、1升每分钟的去离子水。在该所示实例中,各文氏管喉部的宽度为1.067英寸,同时各相应进口和出口具有1.44英寸的宽度。各文氏管形状通路的长度为3英寸。
图3最好地显示了漂洗部件114能够如何夹在组件10中的顶部部件12和基部部件58之间的槽口30和52内。图3还显示了漂洗部件114如何定位在顶部部件12和基部部件58之间的边界处。这使得漂洗液体能够在该边界附近分配,这样,形成文氏管通路172的、基部部件58的基本整个亲水性表面受到非常有效的漂洗作用。另外,喷嘴优选是紧邻要润湿的表面,这样,漂洗流体能够流动性地分配至这些表面上,同时最小化了飞溅或液滴,该飞溅或液滴可能导致工件污染。有利的是,在优选实施例中,喷嘴大致朝向进行润湿的表面倾斜,具有发散结构,例如如上所述,并合适地定位成非常靠近目标表面,通常离目标表面为从0.1至20mm,更优选为0.1mm至5mm,甚至1mm。这种结构促使流体平滑传送至进行润湿的表面上。分配状态选择为当流体流与目标表面接触时尽可能基本避免飞溅和雾化。在更合适的分配情况下,分配流体流倾倒至目标表面上,这样,流体流在到达接触目标表面时流动性地展开。漂洗流体可以在压力下供给,以便控制流体流向目标表面,或者可以只是由重力来促进分配(即倾倒),该供给可以基于处理腔室的几何形状和状态来进行不同地确定。流体的展开将帮助流体流润湿尽可能多的表面,例如,最希望润湿整个表面。喷嘴图形选择为在相邻流体流进行展开时使得相邻流体流最小交叠(如果有)。希望是,在流体到达文氏管形通路172的喉部区域174时实现通过发散流体流来润湿整个表面。在该阶段实现全表面覆盖有助于促使液体进一步、平滑、成片状地流至阻挡板结构的下表面上和横过该下表面(该下表面与文氏管表面流体连接)。加速通过喉部区域174的气体流进一步促进流动至阻挡板结构的下表面上的液体的展开和变薄。
当水分配至文氏管通路壁的亲水性表面上时,将观察到良好的片状流动作用和覆盖亲水性表面,同时形成非常少的飞溅或液滴。当漂洗液体离开文氏管通路运动至阻挡板的相邻亲水性下表面上时,流动的漂洗液体薄片平滑和均匀地成片状流过和覆盖阻挡板的亲水性下表面。当漂洗液体向外流向阻挡板的外周缘时,可以使用抽吸技术来收集至少一些漂洗液体,如受让人的共同待审专利申请No.3中所述。抽吸可以在漂洗时和/或在漂洗结束时进行。
作为附加优点,图3显示了漂洗液体如何被引入至在喉部区域174上方的、限定文氏管通路172的表面上。通过象这样从位于通路172中更高处的喷嘴引入液体以及通过定位成靠近通路172的壁,喷嘴结构使得对运动经过通路172的流体流的冲击最小。如果喷嘴结构偶然捕获水气,液滴将沿表面流向,而不是向下跌落至腔室中,否则工件在该腔室中可能有很大的污染危险。
由于定位在喉部区域174的上方,因此喷嘴结构在由文氏管通路提供的容纳边界的外部。这有助于保护喷嘴结构防止污染。这还使得漂洗液能够到达可能有残余化学物质的所有表面。作为附加优点,将更容易形成和实现发散流体流,该发散流体流将获得良好的表面润湿。如果喷嘴定位在喉部区域174下面,包含在发散喷嘴图形中的角度将更关键,并要求更严格的公差,以便能够有效。
一般来说,与漂洗部件114和集成在漂洗部件中的喷嘴阵列136、140相关的这些众多特征和优点使得漂洗方法与现有漂洗实际情况相比明显减少了颗粒污染。例如,在所示实际模式中,在漂洗部件114下面的文氏管通路的亲水性部分和阻挡板的亲水性下表面在引入工件之前由漂洗液体预先润湿。因为润湿液流动性地分配至这些表面上,因此将基本避免可能导致颗粒污染的飞溅和液滴。预先润湿还有助于保证这些亲水性表面完全被漂洗和均匀润湿。在引入工件之前,亲水性表面在需要时也可以被干燥,但是使得该表面润湿通常很有利和缩短循环时间。因为润湿的表面为亲水性,因此在这些表面上将不会形成离散的液滴,且工件可以在污染最小(如果有)的情况下进行装载、处理和卸载。因此,文氏管通路172和阻挡板的漂洗可以在化学处理步骤之前进行。漂洗也可以在化学处理步骤之间和/或在这些步骤过程中进行。漂洗部件114的喷嘴可以进行抽吸,以便在漂洗分配结束时吸回残留的液体,以避免滴落。
与一旦形成润湿后保持流动相比,亲水性表面的初始润湿通常需要更多漂洗液体。因此,漂洗液体的供给可以进行调节,以便考虑该效果。例如,在形成润湿后,漂洗水可以以更小流量来引入。流量可以以脉冲形式减小,例如通过打开和关闭阀。脉冲频率和持续时间可以选择为保持合适的流速型面,同时使得漂洗液体的总体消耗更低。此外,脉冲打开和关闭漂洗液体可以通过各流量脉冲的相关波动而更好地润湿和洗涤亲水性表面。
图17示意性地显示了包含图1-16和18A-18I的空气吸入组件10的示例工具200。为了图示目的,工具200为这样的类型,其中,单个工件208在任一时刻装入到工具200中,并进行一种或多种处理,在该处理中,使液体、气体和/或其它处理介质与工件208接触。例如,在微电子工业中,工具200可以称为单晶片处理工具。工件208通常包括半导体晶片或其它在处理中的微电子基片。
工具200通常包括作为主要组件的基部部分202和阻挡板/分配部分204。在实际使用中,基部部分202和阻挡板/分配部分204可将安装在框架(未示出)上,并被封闭在工具200的壳体(未示出)内。这种安装能够以任意方式来进行,例如通过螺钉、螺栓、铆钉、粘结剂、焊接、夹持、托架、它们的组合或类似物。不过希望是,该部分202和204和/或它们的部件是独立和可拆卸地安装的,以便于维修、维护、升级和/或代替。
基部部分202和阻挡板/分配部分204有助于限定处理腔室206,工件208在处理过程中位于该处理腔室206内。基部部分202和/或阻挡板/分配部分204包括使得工件208能够装载入处理腔室206内和从该处理腔室206内取出的一个或多个特征或能力。这样的特征和能力可以包括例如:可以打开或关闭以便提供合适出口的门。也可选择,作为实际中的优选模式,基部部分202和阻挡板/分配部分204可以彼此相对运动,以便提供该出口。优选是,该相对运动通过升高和降低阻挡板分配部分204同时使基部部分202保持固定在周围框架(未示出)上来进行。
基部部分202通常包括壳体207、夹盘210、马达212和后侧分配头部214。在处理腔室206内部,工件208由夹盘210支承和保持。夹盘210希望是圆柱形形状,并包括上部面216、下部面218、环形基部220、中心通孔222和在外周缘处的侧壁224。夹盘210可以是静止的,或者它可以绕中心轴线旋转。为了图示说明,图中显示了工具200的实施例,在该工具中,夹盘210由马达212可旋转地驱动,这样,工件208可以在处理过程中绕轴线旋转。在通过旋转的夹盘210而使工件208旋转的这些实施例中,该旋转有助于使得分配的处理材料均匀展开至工件208上面。马达212可以是空心轴类型,并可以通过任意合适的方式安装在工具200上。
夹盘210可以根据目前或以后开发的普通实践而以任意不同方式固定工件208。优选是,夹盘210包括边缘卡住结构(未示出),该边缘卡住结构将工件208牢固保持在可选的分配头部214(后面将介绍)的上部面215的上方,这样,在工件208和上部面215之间具有间隙。这种定位使得处理化学物质(包括漂洗水)能够分配至工件208的上部面或下部面上。
可选择地,工具200可以包括用于处理工件208的下部面209的分配结构。所示的后侧分配机构显示为大致圆形的分配头部214,一个或多个处理化学物质可以朝着工件208的下部面分配至该分配头部214中。处理化学物质通过轴228而供给后侧分配头部214,该轴228穿过夹盘210的中心孔222和马达212的中心孔232。在夹盘210旋转的实施例中,在轴228和中心孔222、232之间具有间隙,这样,当夹盘210旋转时这些部件并不接触。后侧分配头部214可以与一个或多个处理材料供给源(未示出)相连,所述处理材料根据需要来分配供给或混合。
在特别优选的实施例中,基部部分202为在受让人的共同待审专利申请No.1和2中所述和所示的“处理部分11”的形式。换句话说,本说明书的阻挡板分配部分204有利地是可以与受让人的共同待审专利申请No.1和2的“活动部件526”相连,并因此代替“分配组件554”。
阻挡板/分配部分204的优选实施例大致包括空气吸入组件10,该空气吸入组件10居中心地安装在阻挡板260上。在该位置,文氏管形状通路172提供了进入处理腔室206的出口。阻挡板260的优选实施例描述为在受让人的共同待审专利申请No.3中的“阻挡板102”。
阻挡板260为大致环形形状,具有下表面262和上表面264以及内周边266和外周边268。内周边266为大致圆形,并平滑过渡到空气吸入组件10中,以有助于促使气体平滑流过文氏管形状通路172。有利地,阻挡板260的下表面262包括一个或多个有助于收集和除去可能存在的液体的特征。作为一种策略,抽吸特征和技术可以用于液体除去,如受让人的共同待审专利申请No.3中所述,且该策略显示在图17中。环形轮缘270在靠近外周边268处从下表面262向下凸出。环形轮缘270帮助收集在下表面262上的液体,这样,这些液体可以被吸走。抽吸收集的液体有助于使得下表面262干燥,并防止从下表面不希望地滴落至下面的工件208上。液体可以通过在槽道272上拉真空来进行抽吸,在这种情况下,在轮缘270处收集的液体将通过抽吸喷嘴274而被吸入槽道272中。槽道272形成为在阻挡板260中的槽,并由盖273来密封。通过根据受让人的共同待审专利申请No.1和2的“活动支承部件526”的z轴向运动,阻挡板260相对于下面的工件208的位置可以进行控制。
优选地,至少阻挡板260的下表面262相对于工件208的下面平面沿径向向外的方向向下倾斜,以便在工件208和阻挡板260的下表面262之间建立锥形流动槽道276。槽道276的锥形结构有助于促进从工件208的中心向外的径向流动,同时最小化回流区域。锥形流动槽道276还有助于使得接近工件208外边缘的流动流体平滑收敛和增加速度。这有助于减小液体飞溅效果。下表面262的角度还有助于使得下表面262上的液体朝着环形轮缘270排出,在该处,收集的液体可以被吸走,而不是向下滴落在工件208上或滴落至用于将工件208供给处理腔室206或从处理腔室206取出的孔(未示出)中。该锥形结构还有助于减少颗粒回流至工件208上。该结构还通过更好地容纳流体而有助于化学物质的回收效率。
另外,对于该特殊实施例,大致环形的阻挡板260一方面用作处理腔室206上方的盖,以便帮助提供用于工件处理的保护性环境和帮助在处理腔室206中容纳分配的材料。不过,该大致环形的阻挡板260优选是并不密封处理腔室206,而是只紧邻其它阻挡板,从而有助于限定处理腔室206。
倾斜的下表面262可以具有各种几何形状。例如,几何形状可以是线性(锥形)、抛物线性、多项式形(polynomial)等中的一种或多种。为了图示目的,下表面262沿径向向外的方向朝向工件208大致线性收敛。
希望是,阻挡板/分配部分204包括一个或多个独立机构,用于将处理材料分配至处理腔室206中。例如,所示实施例包括至少一种、优选至少两种和更优选至少三种不同的分配能力。作为一个能力,它包括分配结构,该分配结构将一种或多种处理流体大致横过工件208的半径地向下喷射向工件208,这样,通过工件208在喷雾下面的旋转而获得完全表面收敛。在优选实施例中,该能力由分配结构来提供,该分配结构例如为安装在阻挡板260上的喷雾杆280以及空气吸入组件10。喷雾杆280的优选实施例和将该喷雾杆包含在阻挡板/分配部分中的方法在受让人的共同待审专利申请No.3中描述为“喷雾杆178”。
作为另一分配能力,包括分配结构,该分配结构将处理化学物质大致向下地分配至下面的工件208的中心上。当工件208旋转时,中心分配的材料被分布至工件表面上。在优选实施例中,该能力由安装在空气吸入组件10上的中心分配喷嘴组件282来提供。这样的喷嘴的优选实施例在受让人的共同待审专利申请No.3中描述为“中心分配喷嘴组件518”。
另外,安装和支承在支柱22和顶部垫片元件部分上的喷淋头分配部件284提供了将处理材料(通常为气体、蒸气和/或夹带材料)引入处理腔室206内的又一方式。分配喷淋头的特别优选实施例在受让人的共同待审专利申请No.3中描述为“喷淋头分配部件426”。
阻挡板/分配结构204的分配部件可以通过供给管线(未示出)与一个或多个处理材料供给源(未示出)相连。这些材料可以根据需要而分配供给或混合。可以使用多种处理材料,因为工具200在这种可以进行的处理中相当灵活。典型处理材料的仅少量试样包括气体和液体例如氮气、二氧化碳、清洁干燥的空气、水蒸汽、氩气、HF气体、水性HF、水性异丙醇或其它酒精和/或表面张力材料、去离子水、氢氧化铵的水性或其它溶液、硫酸的水性或其它溶液和/或它的干燥类型和产物母体(例如三氧化硫(SO3)、硫代硫酸(H2S2O3)、过硫酸(H2S2O5)、过二硫酸(H2S2O8)、氟硫酸(HSO3F)和氯硫酸(HSO3Cl))、硝酸的水性或其它溶液、磷酸的水性或其它溶液、盐酸的水性或其它溶液、氧化剂例如过氧化氢和/或臭氧气体、水性臭氧、表面活性剂、有机酸和溶剂、螯合剂、除氧剂、它们的组合以及类似物。
合适用于工具200中的处理和化学物质的典型实例包括在美国专利公开No.2006-0219258-A1中所述的那些,该文献的公开内容整体通过参引结合在本文中。合适用于工具200中的处理和化学物质的其它典型实例包括在以下文献中所述的那些:美国专利No.6065424,标题为“ELECTROLESS DEPOSITION OF METAL FILMS WITHSPRAY PROCESSOR”;受让人的共同待审美国专利申请系列号No.11/825508,代理人记录号为No.FSI0200/US,申请日为2007年7月6日,申请人为Jeff Butterbaugh(作为一个发明人),标题为“LIQUID AEROSOL PARTICLE REMOVAL METHOD”,要求临时申请60/819179(申请日为2006年7月7日)的优先权;受让人的共同待审美国临时专利申请No.60/930720,申请人为Jeff Butterbaugh等,申请日为2007年5月18日,代理人记录号为No.FSI0213/P1,标题为“PROCESS FOR TREATMENT OF SUBSTRATES WITHWATER VAPOR OR STEAM”;以及美国专利公开No.2006/0128133,标题为“REAGENT ACTIVATOR FOR ELECTROLESS PLATING”,这些申请和文献通过参引将它们的整个文本结合到本文中,用于所有目的。
图17示意性的显示了由空气吸入组件10提供的漂洗作用。漂洗液体从喷嘴阵列136和140流动性地分配。并不是不合适地飞溅和向下滴落至处理腔室206中,而是分配的液体流流动性地展开和合并至液体的流动薄片中,最希望是分配的流体流的交叠最小。液体薄片向下均匀地润湿文氏管通路172的壁和阻挡板260的下表面262。当漂洗液体为水时,由于润湿表面的亲水性特征,液体均匀润湿这些表面,而不会不希望地飞溅或向下滴落至处理腔室206中。流动希望是层状。来自喷嘴的漂洗液体流由箭头288和290示意表示。箭头288表示到达阻挡板260外周缘的液体如何被吸走。箭头290表示到达喷雾杆280的底侧的液体如何被吸走。
本发明的实施例可以包括预先润湿策略,该预先润湿策略促进了下部阻挡板结构表面的、非常全面的润湿和平滑片状流动作用,同时更少形成离散流道、滴落或可能导致污染的其它问题。根据该策略,阻挡板260的下表面和文氏管通路172的表面被预先润湿,以便保证这些表面的大部分在漂洗液体开始从漂洗部件114流动分配之前进行润湿。这可以在有或没有工件208存在的情况下进行,但是通常在没有工件208时进行。该预先润湿可以通过以产生足够雾来润湿表面的方式从喷雾杆280分配漂洗液体来进行。这也可以通过从润湿部件114进行润湿液体的强烈分配来进行。一旦表面被预先润湿,漂洗液体可以流动性地从漂洗部件114分配,以便在喉部区域174后面形成均匀、全面、片状的流体流,然后覆盖阻挡板结构表面。当不使用预先润湿时,在表面上流动的漂洗液体产生离散流道的危险增加。
这里所引用的专利、专利文献和公开文本整体被本文参引而结合在本文中,就象各文献都单独包含在本文中。
本领域的技术人员应当知道,在不脱离本发明的范围和精神的情况下可以对本发明进行各种变化和改变。应当知道,本发明并不是由这里所述的示例实施例和实例来不适当地限制,且这些实例和实施例只是进行示例说明,本发明的范围将只由下面所述的权利要求来限定。

Claims (7)

1.一种漂洗装置的方法,包括以下步骤:
a)提供装置,该装置包括:
处理腔室,至少一个微电子工件可以在处理过程中位于该处理腔室内;以及
阻挡板结构,该阻挡板结构包括下表面,当用于处理时,该下表面位于工件上面并至少部分地覆盖工件;以及
b)使液体流动性地分配至阻挡板结构上,这样,液体形成薄片,然后润湿阻挡板结构的下表面。
2.根据权利要求1所述的方法,其中:与阻挡板结构流体连通的附加表面接收分配的液体,并包括文氏管形状通路的、提供进入处理腔室的出口的表面。
3.根据权利要求2所述的方法,其中:所述文氏管形状通路有喉部区域,液体在该喉部区域的上游分配到所述附加表面上。
4.一种漂洗装置的方法,包括以下步骤:
a)提供装置,该装置包括:
处理腔室,至少一个微电子工件可以在处理过程中位于该处理腔室内;
阻挡板结构,该阻挡板结构包括下表面,当用于处理时,该下表面位于工件上面并至少部分地覆盖工件;以及
附加表面,该附加表面与下表面流体相连;以及
b)使液体流流动性地分配至所述附加表面上,这样,形成液体薄片,并且该液体薄片流动到阻挡板结构的下表面上并润湿该下表面。
5.一种用于处理至少一个微电子工件的装置,包括:
a)处理腔室,该处理腔室包括位于处理腔室内的工件支承件,该至少一个微电子工件可以在处理过程中位于该工件支承件上;
b)阻挡板结构,该阻挡板结构包括下表面,当用于处理时,该下表面位于工件上面并至少部分地覆盖工件,其中阻挡板结构的下表面包括朝工件支承件沿径向向外的方向倾斜的表面;
c)附加表面,该附加表面与阻挡板结构流体相连,从而液体可以从附加表面流到阻挡板结构的下表面的倾斜的表面;以及
d)多个喷嘴,这些喷嘴对准附加表面且定位成充分靠近附加表面,以便液体可以流动性地分配至所述附加表面上,从而液体可以形成薄片并润湿阻挡板结构的下表面的倾斜的表面。
6.一种用于处理至少一个微电子工件的装置,包括:
a)处理腔室,该处理腔室包括位于处理腔室内的工件支承件,该至少一个微电子工件可以在处理过程中位于该工件支承件上;
b)阻挡板结构,该阻挡板结构包括下表面,当用于处理时,该下表面位于工件上面并至少部分地覆盖工件,其中阻挡板结构的下表面包括朝工件支承件沿径向向外的方向倾斜的表面;
c)文氏管形状通路,该文氏管形状通路提供了进入处理腔室的出口,所述通路包括通路表面,该通路表面与阻挡板结构流体相连,从而液体可以从通路表面流到阻挡板结构的下表面的倾斜的表面;以及
d)至少一个喷嘴,该至少一个喷嘴定位在所述通路中,目的是使得液体可以流动性地分配至所述通路表面上,从而液体可以形成薄片并润湿阻挡板结构的下表面的倾斜的表面。
7.一种漂洗装置的方法,包括以下步骤:
a)提供装置,该装置包括:
处理腔室,至少一个微电子工件可以在处理过程中位于该处理腔室内;
阻挡板结构,该阻挡板结构包括下表面,当用于处理时,该下表面位于工件上面且至少部分地覆盖工件;以及
附加表面,该附加表面与阻挡板结构的下表面流体相连;
b)预先润湿阻挡板结构的下表面和可选的附加表面;以及
c)在预先润湿后,使液体流动性地分配至所述附加表面上,这样,液体在所述附加表面上形成薄片,然后成片状流至阻挡板结构的下表面上并润湿该下表面。
CN2008801020518A 2007-08-07 2008-07-25 在用于通过一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中的阻挡板和文氏管容纳系统的漂洗方法以及相关装置 Active CN101802975B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US96384007P 2007-08-07 2007-08-07
US60/963,840 2007-08-07
PCT/US2008/009015 WO2009020524A1 (en) 2007-08-07 2008-07-25 Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101802975A CN101802975A (zh) 2010-08-11
CN101802975B true CN101802975B (zh) 2012-10-03

Family

ID=39797508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008801020518A Active CN101802975B (zh) 2007-08-07 2008-07-25 在用于通过一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中的阻挡板和文氏管容纳系统的漂洗方法以及相关装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7913706B2 (zh)
JP (1) JP4938892B2 (zh)
KR (1) KR101060664B1 (zh)
CN (1) CN101802975B (zh)
TW (1) TWI462146B (zh)
WO (1) WO2009020524A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101316769B1 (ko) * 2005-04-01 2013-10-15 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 하나 이상의 처리 유체를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는데 이용되는 장치용 배리어 구조 및 노즐 장치
WO2008008154A2 (en) 2006-07-07 2008-01-17 Fsi International, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
WO2009020524A1 (en) 2007-08-07 2009-02-12 Fsi International, Inc. Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses
CN102017065B (zh) * 2008-05-09 2012-07-18 Fsi国际公司 使用在打开与关闭操作模式之间易于转换的处理室设计处理微电子工件的工具和方法
TWI579889B (zh) 2010-06-11 2017-04-21 東京電子Fsi股份有限公司 用於處理至少一微電子工作件之裝置及清洗一裝置之方法
US9403102B2 (en) 2012-02-13 2016-08-02 United Technologies Corporation Heat exchange system configured with a membrane contactor
KR102030749B1 (ko) * 2012-09-21 2019-10-10 세메스 주식회사 세정 장치
KR20160085845A (ko) * 2013-11-13 2016-07-18 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 마이크로전자 디바이스들 및 그 전구체를 제조하기 위하여 산성 케미스트리들을 사용할 때의 향상된 챔버 세정
US10167552B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-01 Lam Research Ag Spin chuck with rotating gas showerhead
US10141206B2 (en) 2016-02-17 2018-11-27 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and gap washing method
US10403474B2 (en) 2016-07-11 2019-09-03 Lam Research Corporation Collar, conical showerheads and/or top plates for reducing recirculation in a substrate processing system
US20190070639A1 (en) * 2017-09-07 2019-03-07 Applied Materials, Inc. Automatic cleaning machine for cleaning process kits

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003109935A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
WO2006107549A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-12 Fsi International, Inc. Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids

Family Cites Families (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3990462A (en) 1975-05-19 1976-11-09 Fluoroware Systems Corporation Substrate stripping and cleaning apparatus
US4609575A (en) 1984-07-02 1986-09-02 Fsi Corporation Method of apparatus for applying chemicals to substrates in an acid processing system
US4682615A (en) 1984-07-02 1987-07-28 Fsi Corporation Rinsing in acid processing of substrates
US4801335A (en) 1984-07-02 1989-01-31 Fsi Corporation Rinsing in acid processing of substrates
US4544446A (en) 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
AT389959B (de) 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
CH675762A5 (zh) 1988-10-03 1990-10-31 Peter Huerlimann
US5246526A (en) 1989-06-29 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Surface treatment apparatus
US5271774A (en) 1990-03-01 1993-12-21 U.S. Philips Corporation Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate
EP0611274B1 (de) 1993-02-08 1998-12-02 SEZ Semiconductor-Equipment Zubehör für die Halbleiterfertigung AG Träger für scheibenförmige Gegenstände
US5472502A (en) 1993-08-30 1995-12-05 Semiconductor Systems, Inc. Apparatus and method for spin coating wafers and the like
US5571560A (en) 1994-01-12 1996-11-05 Lin; Burn J. Proximity-dispensing high-throughput low-consumption resist coating device
JP3415670B2 (ja) 1994-03-03 2003-06-09 三菱電機株式会社 ウエハ洗浄装置
US5783025A (en) 1994-06-07 1998-07-21 Texas Instruments Incorporated Optical diebonding for semiconductor devices
TW494714B (en) 1995-04-19 2002-07-11 Tokyo Electron Ltd Method of processing substrate and apparatus for processing substrate
JP3337870B2 (ja) 1995-05-11 2002-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板洗浄装置
JPH08316190A (ja) 1995-05-18 1996-11-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TW406216B (en) 1995-05-24 2000-09-21 Tokyo Electron Ltd Apparatus for coating resist on substrate
JP3504023B2 (ja) 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
JP3983831B2 (ja) 1995-05-30 2007-09-26 シグマメルテック株式会社 基板ベーキング装置及び基板ベーキング方法
US6239038B1 (en) 1995-10-13 2001-05-29 Ziying Wen Method for chemical processing semiconductor wafers
DE69608669T2 (de) 1995-12-19 2001-03-01 Fsi International Chaska Stromloses aufbringen von metallfilmen mit sprayprozessor
JP3377909B2 (ja) 1996-02-28 2003-02-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5900059A (en) 1996-05-29 1999-05-04 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method and apparatus for fabricating semiconductor single crystal
TW346649B (en) 1996-09-24 1998-12-01 Tokyo Electron Co Ltd Method for wet etching a film
KR100277522B1 (ko) 1996-10-08 2001-01-15 이시다 아키라 기판처리장치
JPH1133506A (ja) 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
JPH10209102A (ja) 1997-01-17 1998-08-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
AT405655B (de) 1997-03-26 1999-10-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren und vorrichtung zum einseitigen bearbeiten scheibenförmiger gegenstände
TW402737B (en) 1997-05-27 2000-08-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning/drying device and method
JPH1154471A (ja) 1997-08-05 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JPH11129184A (ja) 1997-09-01 1999-05-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板搬入搬出装置
US6491764B2 (en) 1997-09-24 2002-12-10 Interuniversitair Microelektronics Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a rotating substrate
US6398975B1 (en) 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
US6260562B1 (en) 1997-10-20 2001-07-17 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus and method
US6332470B1 (en) 1997-12-30 2001-12-25 Boris Fishkin Aerosol substrate cleaner
WO1999040388A1 (en) * 1998-02-04 1999-08-12 Laserscore, Inc. System for detecting the presence and location of at least one object in a field by using a divergent radiation source and an array of opposed plural detectors which rotate together around the field
JP3333135B2 (ja) 1998-06-25 2002-10-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP2000124181A (ja) 1998-10-13 2000-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
DE19854743A1 (de) 1998-11-27 2000-06-08 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe
JP2000286267A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法
DE59900743D1 (de) 1999-04-28 2002-02-28 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung und Verfahren zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
US6221781B1 (en) 1999-05-27 2001-04-24 Fsi International, Inc. Combined process chamber with multi-positionable pedestal
AT407680B (de) 1999-06-04 2001-05-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren und vorrichtung zum trocknen von scheibenförmigen gegenständen
TW504776B (en) 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
JP4257816B2 (ja) 2000-03-16 2009-04-22 三益半導体工業株式会社 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置
US6299804B1 (en) 1999-09-16 2001-10-09 Husky Injection Molding Systems Ltd. Air cooling system for preform molding
JP4426036B2 (ja) 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6243966B1 (en) 1999-12-10 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Air amplifier with uniform output flow pattern
US6533954B2 (en) 2000-02-28 2003-03-18 Parker-Hannifin Corporation Integrated fluid injection air mixing system
US6594847B1 (en) 2000-03-28 2003-07-22 Lam Research Corporation Single wafer residue, thin film removal and clean
JP4067307B2 (ja) 2000-04-27 2008-03-26 株式会社荏原製作所 回転保持装置
US7364625B2 (en) 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
US20020063169A1 (en) 2000-06-26 2002-05-30 Applied Materials, Inc. Wafer spray configurations for a single wafer processing apparatus
US6927176B2 (en) 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
US7451774B2 (en) 2000-06-26 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US6536454B2 (en) 2000-07-07 2003-03-25 Sez Ag Device for treating a disc-shaped object
US6688784B1 (en) 2000-10-25 2004-02-10 Advanced Micro Devices, Inc. Parallel plate development with multiple holes in top plate for control of developer flow and pressure
US6705331B2 (en) 2000-11-20 2004-03-16 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus
JP4037624B2 (ja) 2001-05-21 2008-01-23 株式会社東芝 基板処理装置及び基板処理方法
JP3511514B2 (ja) * 2001-05-31 2004-03-29 エム・エフエスアイ株式会社 基板浄化処理装置、ディスペンサー、基板保持機構、基板の浄化処理用チャンバー、及びこれらを用いた基板の浄化処理方法
EP1406751A2 (en) 2001-07-13 2004-04-14 FSI International Robotic system control
US7171973B2 (en) 2001-07-16 2007-02-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP3958539B2 (ja) 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003073847A (ja) 2001-08-29 2003-03-12 Araco Corp 耐食性複層構造材の製造方法
JP2003086564A (ja) 2001-09-14 2003-03-20 Mitsubishi Electric Corp 遠心乾燥装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体製造装置
US20030070695A1 (en) 2001-10-16 2003-04-17 Applied Materials, Inc. N2 splash guard for liquid injection on the rotating substrate
JP3892792B2 (ja) 2001-11-02 2007-03-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板洗浄装置
US20040062874A1 (en) 2002-08-14 2004-04-01 Kim Yong Bae Nozzle assembly, system and method for wet processing a semiconductor wafer
US6826910B1 (en) 2002-01-28 2004-12-07 Mark Richard Easton Extreme charger with air amplifier
JP4074814B2 (ja) 2002-01-30 2008-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TWI261875B (en) 2002-01-30 2006-09-11 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and substrate processing method
US6913651B2 (en) 2002-03-22 2005-07-05 Blue29, Llc Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates
JP4570008B2 (ja) 2002-04-16 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP2004031400A (ja) 2002-06-21 2004-01-29 Sipec Corp 基板処理装置及びその処理方法
JP4005879B2 (ja) 2002-08-30 2007-11-14 株式会社東芝 現像方法、基板処理方法、及び基板処理装置
JP4146709B2 (ja) 2002-10-31 2008-09-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7584760B2 (en) 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US7531039B2 (en) 2002-09-25 2009-05-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing system
US7389783B2 (en) 2002-09-30 2008-06-24 Lam Research Corporation Proximity meniscus manifold
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
KR100493849B1 (ko) 2002-09-30 2005-06-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 건조 장치
US7051743B2 (en) 2002-10-29 2006-05-30 Yong Bae Kim Apparatus and method for cleaning surfaces of semiconductor wafers using ozone
US7022193B2 (en) 2002-10-29 2006-04-04 In Kwon Jeong Apparatus and method for treating surfaces of semiconductor wafers using ozone
US7306002B2 (en) 2003-01-04 2007-12-11 Yong Bae Kim System and method for wet cleaning a semiconductor wafer
JP2004265912A (ja) 2003-02-03 2004-09-24 Personal Creation Ltd 基板の処理装置
JP4105574B2 (ja) 2003-03-26 2008-06-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7089076B2 (en) 2003-05-16 2006-08-08 Fsi International, Inc. Scheduling multi-robot processing systems
US7827930B2 (en) 2004-01-26 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
JP4369325B2 (ja) 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
JP4409312B2 (ja) 2004-02-18 2010-02-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
US7323080B2 (en) 2004-05-04 2008-01-29 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
US7476616B2 (en) 2004-12-13 2009-01-13 Fsi International, Inc. Reagent activator for electroless plating
JP4410119B2 (ja) * 2005-02-03 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、塗布、現像装置及び洗浄方法
US8070884B2 (en) 2005-04-01 2011-12-06 Fsi International, Inc. Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance
US7309847B2 (en) 2006-01-12 2007-12-18 Carleton Life Support Systems, Inc. Ceramic oxygen generating oven
JP5194259B2 (ja) 2006-07-07 2013-05-08 ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド 液体エーロゾル式パーティクル除去方法
WO2008008154A2 (en) 2006-07-07 2008-01-17 Fsi International, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
US20080213076A1 (en) 2007-03-02 2008-09-04 Stephen Hanson Edge grip end effector
JP5199339B2 (ja) 2007-05-18 2013-05-15 ティーイーエル エフエスアイ,インコーポレイティド 水蒸気または蒸気を用いた基板の処理方法
WO2009020524A1 (en) 2007-08-07 2009-02-12 Fsi International, Inc. Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses
CN102017065B (zh) 2008-05-09 2012-07-18 Fsi国际公司 使用在打开与关闭操作模式之间易于转换的处理室设计处理微电子工件的工具和方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003109935A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
WO2006107549A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-12 Fsi International, Inc. Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids

Also Published As

Publication number Publication date
CN101802975A (zh) 2010-08-11
TW200922863A (en) 2009-06-01
KR20100045465A (ko) 2010-05-03
TWI462146B (zh) 2014-11-21
KR101060664B1 (ko) 2011-08-31
JP2010535618A (ja) 2010-11-25
JP4938892B2 (ja) 2012-05-23
US20090038647A1 (en) 2009-02-12
US7913706B2 (en) 2011-03-29
WO2009020524A1 (en) 2009-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101802975B (zh) 在用于通过一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中的阻挡板和文氏管容纳系统的漂洗方法以及相关装置
TWI548457B (zh) 用於使用一或多個處理流體加工微電子工件之工具的屏障結構及噴嘴裝置
CN102017065B (zh) 使用在打开与关闭操作模式之间易于转换的处理室设计处理微电子工件的工具和方法
CN101428256B (zh) 一种喷嘴装置及应用该喷嘴装置的半导体处理设备
US9887107B2 (en) Methodologies for rinsing tool surfaces in tools used to process microelectronic workpieces
JP2009094516A (ja) 基板支持部材、これを有する基板処理装置及びこれを用いた基板処理装置洗浄方法
KR100897547B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20230271228A1 (en) Substrate treating apparatus and cleaning nozzle used therein
JP2005166957A (ja) 基板処理法及び基板処理装置
KR20230127879A (ko) 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 세정 노즐

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant