CN102193331B

CN102193331B - 光刻设备和方法

Info

Publication number: CN102193331B
Application number: CN2011100600261A
Authority: CN
Inventors: N·坦凯特; J·J·奥腾斯; B·A·W·H·柯拿伦; R·J·伍德; G·F·尼诺; M·J·里米; J·H·W·雅各布斯; T·S·M·劳伦特; J·G·C·昆尼
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2010-03-12
Filing date: 2011-03-10
Publication date: 2013-10-23
Anticipated expiration: 2031-03-10
Also published as: US11281115B2; US9632435B2; KR20110103358A; US11630399B2; JP5933627B2; JP2016118806A; TWI457719B; TWI488009B; US20110222033A1; TW201235792A; US20220206400A1; JP6556195B2; KR101394455B1; JP2011192992A; US20110222032A1; EP2365390A3; CN102193332B; CN102193332A; KR101321410B1; SG174691A1

Abstract

本发明公开了一种光刻设备和方法。本发明公开的光刻设备包括：衬底台，配置成支撑位于衬底支撑区域上的衬底；和位于邻近衬底支撑区域的表面上的加热器和/或温度传感器。

Description

光刻设备和方法

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和一种补偿局部热负载变化的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

已经提出将光刻投影设备中的衬底浸入到具有相对高折射率的液体(例如水)中，以便充满投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一实施例中，液体是蒸馏水，但是可以使用其他液体。本发明的实施例将参考液体进行描述。然而，其它流体也可能是适合的，尤其是润湿性流体、不能压缩的流体和/或具有比空气折射率高的折射率的流体，期望是具有比水的折射率高的折射率。除气体以外的流体是尤其希望的。这样能够实现更小特征的成像，因为在液体中曝光辐射将会具有更短的波长。(液体的影响也可以被看成提高系统的有效数值孔径(NA)，并且也增加焦深)。还提出了其他浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米悬浮颗粒(例如具有最大尺寸达10nm的颗粒)的液体。这种悬浮的颗粒可以具有或不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。其他可能合适的液体包括烃，例如芳香烃、氟化烃和/或水溶液。

将衬底或衬底与衬底台浸入液体浴器(参见，例如美国专利No.US4,509,852)意味着在扫描曝光过程中需要加速大体积的液体。这需要额外的或更大功率的电动机，而液体中的湍流可能会导致不希望的或不能预期的效果。

提出来的一种布置是液体供给系统，用以通过使用液体限制系统将液体仅提供到衬底的局部区域并且在投影系统的最终元件和衬底之间(通常衬底具有比投影系统的最终元件更大的表面积)。提出来的一种用于设置上述解决方案的方法在公开号为WO99/49504的PCT专利申请出版物中公开了。如图2和3所示，液体通过至少一个入口，优选沿着衬底相对于最终元件的移动方向，供给到衬底上，并且在已经通过投影系统下面之后通过至少一个出口去除。也就是说，当衬底在所述元件下沿着-X方向扫描时，液体在元件的+X一侧供给并且在-X一侧去除。图2示意地示出所述布置，其中液体通过入口供给，并在元件的另一侧通过与低压源相连的出口去除。在图2中，虽然液体沿着衬底W相对于最终元件的移动方向供给，但这并不是必须的。可以在最终元件周围设置各种方向和数目的入口和出口，图3示出一个示例，其中在最终元件的周围在每侧上以规则的重复方式设置了四组入口和出口。液体供给和液体回收装置中的箭头表示液体的流动方向。

在图4中示意地示出了另一个具有液体局部供给系统的浸没光刻方案。液体由位于投影系统PS每一侧上的两个槽状入口供给，并由布置在入口的径向向外的位置上的多个离散的出口去除。所述入口可以布置在板上，所述板在其中心有孔，辐射束通过该孔投影。液体由位于投影系统PS的一侧上的一个槽状入口提供，而由位于投影系统PS的另一侧上的多个离散的出口去除，由此造成投影系统PS和衬底W之间的液体薄膜流。选择使用哪组入口和出口组合可以依赖于衬底W的移动方向(另外的入口和出口组合是不起作用的)。在图4中的横截面中，箭头表示流体流入入口和流出出口的方向。

在欧洲专利申请公开出版物EP1420300和美国专利申请公开出版物US2004-0136494中，公开了一种成对的或双台浸没式光刻设备的方案。这种设备设置有两个台用以支撑衬底。调平(levelling)测量在没有浸没液体的台的第一位置处进行，曝光在存在浸没液体的台的第二位置处进行。可选的是，设备仅具有一个台。

PCT专利申请公开出版物WO 2005/064405公开一种全浸湿布置，其中浸没液体是不受限制的。在这种系统中，衬底的整个顶部表面覆盖在液体中。这可以是有利的，因为衬底的整个顶部表面在基本上相同的条件下进行曝光。这对于衬底的温度控制和处理是有利的。在WO2005/064405中，液体供给系统提供液体到投影系统的最终元件和衬底之间的间隙。液体被允许泄露到衬底的其他部分。衬底台的边缘处的阻挡件防止液体溢出，使得液体可以从衬底台的顶部表面上以受控制的方式去除。虽然这样的系统改善了衬底的温度控制和处理，但仍然可能发生浸没液体的蒸发。帮助缓解这个问题的一种方法在美国专利申请公开出版物No.US 2006/0119809中有记载。设置一种构件覆盖衬底W的所有位置，并且布置成使浸没液体在所述构件和衬底和/或保持衬底的衬底台的顶部表面之间延伸。

发明内容

因为浸没式光刻设备中的衬底上存在液体，蒸发热负载可能会在与浸没液体接触的一个或多个部件(例如衬底和/或衬底台)上产生。这些热负载可能会导致热膨胀和/或收缩。这种热膨胀和/或收缩可能会导致成像误差，尤其是重叠误差。

期望，例如提供一种设备，其中热膨胀/收缩效应的发生被减小。具体地，期望提供一种系统，配置成减小使用提供浸没液体到衬底和/或衬底台的局部区域的供给系统的浸没系统中的热膨胀/收缩效应。

根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括：位于表面上的加热器和/或温度传感器。

根据本发明的一方面，提供一种衬底台，配置成支撑位于衬底支撑区域上的衬底，衬底台包括在衬底支撑区域的中心部分附近的多个加热器和/或温度传感器，所述多个加热器和/或温度传感器是细长的。

根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括：衬底台，配置成支撑位于衬底支撑区域上的衬底，并且包括加热器和/或温度传感器，所述加热器和/或温度传感器从一个边缘到相对边缘地延伸经过衬底支撑区域。

根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，其中所述表面是衬底台上配置成支撑位于衬底支撑区域上的衬底的表面，所述表面邻近衬底支撑区域或邻近传感器或邻近交换桥。

根据本发明的一方面，提供一种衬底台，配置成支撑位于衬底支撑区域上的衬底和位于邻近衬底支撑区域的表面上的加热器和/或温度传感器。

根据本发明的一方面，提供一种补偿浸没式光刻投影设备中局部热负载的方法，所述方法包括：控制加热器或使用来自温度传感器的信号以补偿局部热负载，其中加热器和/或温度传感器位于表面上。

根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，包括：位于表面上的导电涂层，和连接至涂层的加热器和/或温度传感器。

附图说明

现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：

图1示出了根据本发明一个实施例的光刻设备；

图2和3示出用于光刻投影设备中的液体供给系统；

图4示出用于光刻投影设备中的另一液体供给系统；

图5示出可用于本发明的一个实施例中的作为液体供给系统的阻挡构件的横截面；

图6示出可用于本发明的一个实施例中的另一阻挡构件的横截面；

图7示出围绕衬底边缘的衬底台的一部分的横截面；

图8示出衬底台的中心部分的平面图。

图9示出显示加热器和/或温度传感器的位置的突节板的横截面图；

图10示出在衬底支撑区域的中心部分中的加热器和/或温度传感器以及邻近衬底支撑区域的边缘的不同部分的边缘加热器的平面图；

图11示出没有边缘加热器的实施例的平面图，并且还示出可以在投影系统下面采用的衬底支撑结构的曲径路径；

图12是示出加热器和温度传感器的结构的平面示意图。

图13是示出加热器和/或温度传感器的结构的平面示意图。

图14是示出加热器和/或温度传感器的结构的平面示意图。

图15是示出加热器和温度传感器的结构的平面示意图。

图16是示出微机电系统(MEMS)加热器/传感器的结构的横截面示意图。

图17是图16中示出的传感器的操作的细节。

图18是示出基于EM温度的自调节加热器的Y轴线上的电阻随X轴线上的温度而变化的图线；

图19是示出基于EM温度的自调节加热器的结构的横截面示意图；

图20是基于EM温度的自调节加热器的布置的透视图；

图21是示出加热器和/或温度传感器可以设置在衬底台上的所在位置的平面示意图；

图22是示出加热器和/或温度传感器可以被设置所在的位置的横截面示意图；

图23是示出温度传感器的示意侧视图；

图24是示出温度传感器的示意侧视图；

图25是示出图24中的温度传感器的平面示意图；

图26是示出加热器和/或温度传感器可以被设置所在的位置的横截面示意图；

图27是示出薄膜加热器和/或温度传感器的效率的曲线图；

图28是示出可以用于沉积薄膜加热器和/或温度传感器的掩模的平面示意图；

图29是示出加热器和/或温度传感器可以被设置所在的位置的横截面示意图；

图30是示出加热器和/或温度传感器可以被设置所在的位置的横截面示意图；和

图31是示出温度传感器可以被设置的所在位置的平面示意图。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：

-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射)；

-支撑结构(例如，掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；

-衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和

-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

所述支撑结构MT保持图案形成装置MA。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，投影系统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液体或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。

如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO看成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。

所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。与源SO类似，照射器IL可以被看作或不被看作形成光刻设备的一部分。例如，照射器IL可以是光刻设备的组成部分或可以是与光刻设备分开的实体。在后一种情形中，光刻设备可以配置成允许照射器IL安装在其上。可选地，照射器IL是可分离的并且可以单独地设置(例如，由光刻设备制造商或其他供应商提供)。

所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分C之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。

可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中：

1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。

2.在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。

3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体或完全不同的使用模式。

用于在投影系统PS的最终元件和衬底之间提供液体的布置可以分成两种主要类别。它们是浴器类型布置和所谓的局部浸没系统，在浴器类型布置中，整个衬底W和(可选地)衬底台WT的一部分浸入到液体浴器中，所谓的局部浸没系统使用液体供给系统，在所述液体供给系统中，将液体仅提供到衬底的局部区域。在后一种类别中，由液体填充的空间在平面图中小于衬底的顶部表面，并且在衬底W在该区域下面移动的同时，由液体填充的区域相对于投影系统PS基本上保持静止。本发明的一个实施例涉及的另一种布置是全浸湿方案，其中液体是不受限制的。在这种布置中，基本上衬底的整个顶部表面和衬底台的全部或部分被覆盖在浸没液体中。至少覆盖衬底的液体的深度是小的。液体可以是膜，例如在衬底上的液体薄膜。图2-5中的液体供给装置的任一种可以用于这种系统中；然而，密封特征可以不存在、没有起作用、不如正常状态有效，或者以其它方式不能有效地仅将液体密封在局部区域。图2-5中示出了四种不同类型的液体局部供给系统。上面描述了图2-4中公开的液体供给系统。

已经提出另一种的布置是提供具有液体限制构件的液体供给系统，所述液体限制构件沿投影系统的最终元件和衬底台之间的空间的边界的至少一部分延伸。这种布置在图5中示出。尽管在Z方向上可能存在一些相对移动(在光轴的方向上)，所述液体限制构件相对于投影系统在XY平面内基本上是静止的。在液体限制构件和衬底的表面之间形成密封。在一个实施例中，在液体限制结构和衬底表面之间形成密封，并且所述密封可以是非接触密封，例如气体密封。在美国专利申请出版物第US 2004-0207824号中公开了这种系统。

图5示意地示出了具有阻挡构件12、IH的液体局部供给系统。所述阻挡构件12沿投影系统PS的最终元件和衬底台WT或衬底W之间的空间的边界的至少一部分延伸。(要说明的是，除非有特别的说明，在下文中提到的衬底W的表面也附加地或可选地表示衬底台WT的表面。)尽管可以在Z方向上存在一些相对移动(在光轴的方向上)，但是阻挡构件12相对于投影系统PS在XY平面内基本上是静止的。在一实施例中，密封被形成在阻挡构件12和衬底W的表面之间，并且可以是非接触密封，例如流体密封，期望是气体密封。

阻挡构件12至少部分地将液体限制在投影系统PS的最终元件和衬底W之间的空间11中。对衬底W的非接触密封16可以形成在投影系统PS的像场周围，使得液体被限制在衬底W表面和投影系统PS的最终元件之间的空间11内。该空间11至少部分地由位于投影系统PS的最终元件的下面和周围的阻挡构件12形成。液体通过液体入口13被引入到投影系统PS下面的所述空间11中和阻挡构件12内。液体可以通过液体出口13被去除。所述阻挡构件12可以延伸到略微高于投影系统PS的最终元件的位置处。液面上升到最终元件上方，以提供液体的缓冲器。在一个实施例中，所述阻挡构件12的内周的上端处的形状与投影系统PS的形状或投影系统的最终元件的形状紧密地一致，例如可以是圆形。在底部，内周与像场的形状紧密地一致，例如矩形，虽然并不是必须的。

在一个实施例中，液体被在使用时形成在阻挡构件12的底部和衬底W的表面之间的气体密封16限制在空间11中。所述气体密封由气体，例如空气或合成空气形成，但是在一个实施例中，由N₂或其他惰性气体形成。该气体密封中的气体在压力下通过入口15提供到阻挡构件12和衬底W之间的间隙。该气体通过出口14抽取。气体入口15处的过压、出口14处的真空水平和间隙的几何形状布置成使得形成向内的限制液体的高速气流16。气体作用在阻挡构件12和衬底W之间的液体上的力将液体限制在空间11内。入口/出口可以是围绕空间11的环形槽。环形槽可以是连续的或非连续的。气流16有效地将液体限制在空间11中。这种系统在美国专利申请出版物第US2004-0207824中公开。

其他的布置是可以的，并且通过下面的描述将会清楚，本发明的一个实施例可以使用任何类型的液体局部供给系统。本发明的一个实施例尤其与将任何液体局部供给系统用作液体供给系统相关。

图6示出阻挡构件12，其是液体供给系统的一部分。阻挡构件12围绕投影系统PS的最终元件的外周(例如，圆周)延伸，使得阻挡构件(有时称为密封构件)的整体形状是例如大体环形的。投影系统PS可以不是圆形的并且阻挡构件12的外边缘也可以不是圆形的，使得不需要将阻挡构件设置成环形。阻挡件具有开口，投影束可以通过所述开口离开投影系统PS的最终元件。因此，在曝光期间，投影束可以通过限制在阻挡构件的开口内的液体并照射到衬底W上。

阻挡构件12的功能是将液体至少部分地保持或限制在投影系统PS和衬底W之间的空间内，使得投影束可以通过液体。上液面仅由阻挡构件12限制。

浸没液体通过阻挡构件12提供至空间11(因此阻挡构件可以看作流体处理结构)。浸没液体的通道或流动路径通过阻挡构件12。流动路径的一部分被腔26包括。腔26具有两个侧壁28、22。液体从腔或出口24通过第一侧壁28进入腔26，然后通过第二侧壁22进入空间11。多个出口20提供液体至空间11。液体在进入空间11之前分别通过侧壁28、22中的通孔29、20。通孔20、29的位置可以是任意的。

在阻挡构件12的底部和衬底W之间提供密封。在图6中，密封装置配置成提供非接触密封并且由多个部件构成。在投影系统PS的光轴的径向外侧，设置延伸进入所述空间(但是不进入投影束的路径)的(可选的)流动控制板50，这有助于保持经过所述空间的从出20流出的浸没液体的基本上平行的流动。流动控制板50具有位于其中的通孔55，以减小对阻挡构件12相对于投影系统PS和/或衬底W的沿光轴方向的移动的阻力。

在阻挡构件12的底表面上的流动控制板50的径向外侧可以是用以从阻挡构件12和衬底W和/或衬底台WT之间抽取液体的抽取器组件70。抽取器可以作为单相或双相抽取器操作。

抽取器组件70的径向外侧可以是凹陷80。该凹陷通过入口82连接至周围气体环境。凹陷经由出口84连接至低压源。凹陷80的径向外侧可以是气刀90。抽取器、凹陷以及气刀的布置在美国专利申请出版物第US 2006/0158627号中详细地公开。

抽取器组件70包括液体去除装置或抽取器或入口，例如在美国专利申请出版物第US 2006-0038968号中公开的一种。可以使用任何类型的液体抽取器。在一个实施例中，抽取器组件或液体去除装置70包括入口，所述入口由多孔材料75覆盖。多孔材料用于将液体与气体分离以实现单液相液体抽取。在多孔材料75的下游的腔78被保持在轻微的负压下，并且填充有液体。腔78内的负压使得在多孔材料的孔内形成的弯液面防止周围气体被抽取进入抽取器组件70的腔78。然而，当多孔表面75与液体接触时，没有用于限制流动的弯液面，液体可以自由地流入到抽取器组件70的腔78。

在使用期间(例如在衬底在阻挡构件12和投影系统PS下面移动的时间期间)，提供在衬底W和阻挡构件12之间延伸的弯液面320。

虽然在图6中没有具体示出，但是液体供给系统具有用以处理液面的变化的布置。这使得可以处理在投影系统PS和阻挡构件12之间积聚的液体并且液体不会溢出。

衬底W通常位于衬底台WT内的凹陷(例如衬底支撑区域)中。为了将衬底W的宽度(例如，直径)的变化考虑在内，所述凹陷通常被制成比衬底W的最大可能尺寸大一点。因此，在衬底的边缘和衬底台WT之间存在间隙。对于用于提供液体的所有布置，在处理衬底和衬底台之间的间隙5这方面可能存在困难。这是因为，液体可以进入该间隙5。期望地，从间隙5去除液体以防止其进入到衬底下面。还期望的是，防止气体气泡从间隙5进入浸没液体。为了这个目的，可以在衬底W边缘和衬底台WT之间的间隙下面设置入口。该入口连接至负压源，使得液体和/或气体可以从间隙5去除。

图7是通过衬底台WT和衬底W的横截面示意图。间隙5存在于衬底W边缘和衬底台WT的边缘之间。间隙5位于在成像期间衬底被放置所在的凹陷的靠外侧的区域或边缘处。衬底W可以支撑在衬底台WT的衬底支撑区域上。

为了处理进入该间隙的液体，在衬底W的边缘处可以设置至少一个排液通道10、17，以去除进入间隙5的任何液体。在图7的实施例中，示出两个排液通道10、17，但是也可以仅存在一个排液通道，或存在多于两个的排液通道。

第一排液通道10的主要功能是防止气体气泡进入液体供给系统12的液体11。任何这种气泡可以有害地影响衬底W的成像。可以设置第二排液通道17以防止从间隙5进入衬底W下面的任何液体在成像之后妨碍从衬底台WT有效地释放衬底W。如现有技术中一样，衬底W由包括多个称为突节的突起物32的小突起台或突节板30保持。由小突起台30施加在衬底W和衬底台WT之间的负压确保衬底W被稳固地保持在合适位置。在小突起台30下面设置第二排液通道17减少或消除了可能由于液体进入衬底W下面而发生的问题。

第一排液通道10以负压的方式去除液体。也就是，第一排液通道10经由出口142连接至负压源。该负压源有效地去除进入排液通道的任何液体。

第一排液通道10的精确的几何结构并不重要。通常，第一排液通道10包括入口110，其将腔140与间隙5流体连通。腔140可以是例如环形的。出口142与腔140流体连通。

现在描述第二排液通道17。第二排液通道17的出口95被保持在负压下(例如0.6巴)，其比小突起台30的负压(例如0.5巴)高一点。这确保从小突起台30以及从间隙5流至出口95的气流。在一替换的实施例中，第二排液通道17可以保持在过压下。在这种情况下，存在朝向间隙5从出口95流出的气流。与毛细管压力结合，这可以用于减少或防止浸没液体进入小突起台30。

正如看到的，两个突起物91和92设置在衬底W的下面。径向靠外侧的突起物91是所谓的“浸湿密封”，并且可能具有在所述突起物91与衬底W的底表面之间通过的浸没液体。径向靠内侧的突起物92是干式密封，并且仅气体能够在所述突起物92与衬底W之间通过。

在两个突起物91和92之间的是通向腔94的通道93。腔94与连接至负压源的出口95流体连通。第二排液通道17和第一排液通道10的更详细的描述可以在美国专利申请出版物US 2008-0297744号中找到。

如果通过间隙去除气体，则这会导致间隙5内的任意液体不期望的蒸发。这进一步可能会导致局部冷却。局部冷却是不期望的，因为其可能会导致衬底台的热收缩，因此导致可能的重叠误差。

能够处理这种现象的一个方法是提供用于在衬底台WT内的热传递流体的通道。衬底台的温度可以以此方式保持恒定。附加地，正如美国专利申请出版物第US 2008-0137055号公开的那样，可以使用另一加热器以在入口附近加热。因此，在该点处产生的额外的热负载可以通过使用所述另一加热器进行补偿。

图8示出一种这样的布置。图8是衬底台WT的衬底支撑区域的平面图。入口110被示出。设置用于热传递流体的中心通道200。中心通道200遵循衬底W的位置下面的路径。中心通道200的路径使得通过通道200传递加热流体可以施加均匀的加热。进入通道200的热传递流体的温度通过第一温度传感器210检测。流出通道200的热传递流体的温度将通过第二温度传感器220被检测。在通道200内设置第三温度传感器230以检测局部位置点处的温度。可以将来自温度传感器210、220、230的数据提供给控制器，并且可以在热传递流体进入通道200之前使用用于加热热传递流体的加热器240控制热传递流体的温度。

为了处理可能由排液通道10产生的过度的冷却，可以设置加热元件250。加热元件250是邻近入口110并且围绕入口110外周(例如，圆周)延伸的单个加热元件，。

加热元件250可以位于腔140的下面或腔140的两侧，如图7所示。可以存在用于加热器250的其他合适位置。

设置第四温度传感器260。第四温度传感器260设置在入口110的附近。控制器可以使用从第四温度传感器260获得的信息来控制施加到加热元件250的功率。

虽然在图8中示出的系统减轻了一些困难，尤其是当使用局部区域液体供给系统的时候，但是入口110外周周围的冷却不一定是均匀的。因而，第四温度传感器260的位置是重要的。如果第四温度传感器260位于经受大量的局部冷却的位置上，则虽然这种冷却可以被补偿，但是入口110的其他区域可能会被加热太多。与传感器260相关的困难意味着其可以基于第二和第三温度传感器220和230之间的温度差异来更好地控制加热元件250。控制器使用这种差异作为对衬底台边缘上的热负载的度量。如果在衬底台的总的外周的一部分上施加热负载，则在整个外周上施加平衡的热负载。结果，加热元件对被加载热负载的区域补偿不足，并且干扰了未加载热负载的区域。如果例如在衬底台边缘的1/3上是1W的负载，则在整个边缘上用1W补偿。因此，局部负载的仅0.33W被补偿，而其他0.66W仍然干扰所述边缘的剩余部分。即使通过在入口110的周围设置其它的温度传感器，这个问题也不可能消除。

图8中的方案具有下面的缺点：1)加热器-传感器组合反应时间太慢(长的时间常数)。加热器和传感器粘合至衬底台WT，这导致相对高的接触电阻。2)加热器和传感器仅应用在衬底台边缘处并且没有应用至其中心(中心部分)，这提供部分解决方案。3)水调节受限于最大流量，这导致不均匀的温度分布。因为水通道的横截面小并且相当长，因此流阻高。对于高的流量，压降变得太大，这导致晶片台本身的不均匀的机械变形。高的流量还导致高的速度和高的动态力，这导致不可校正的干扰力。任何流动(不仅是具有最大流量的流动)导致不均匀的温度干扰。水从入口到出口温度降低。这种温度差异导致不均匀。显然，流量越高，dT越低。4)因为压力脉冲，水调节可以导致不可校正的动态干扰。5)水调节涉及“厚的”(10mm)衬底台WT，因此导致重的衬底台WT，这引起向上扫描-向下扫描的问题。

在一个实施例中，加热器400和/或温度传感器500位于衬底台WT的表面上。加热器400和/或温度传感器500可以位于邻近衬底支撑区域(例如在衬底支撑区域下面)的表面。一个这样的表面是突节板600的表面。

在图9中示出了一个实施例的突节板600。突节板600包括在上表面和下表面上具有突起物的板。上表面上的突起物是在使用时支撑衬底W的突节32。在下侧的突节34用于支撑位于衬底台WT的表面上的突节板600。

在图7中，突节板30被示出作为衬底台WT的组成部分，并且不存在与图9或突节34等同的突节。

在图9中，加热器400和/或温度传感器500位于形成在突节32、34之间的突节板600的表面上。加热器400和/或温度传感器500可以位于突节板600的向上的表面上和/或位于向下的表面上。

在一个实施例中，加热器400和/或温度传感器500形成为薄膜。因此，加热器400和/或温度传感器500直接连接到所述表面，而没有使用例如粘胶或焊料等粘结剂。因此，加热器400和/温度传感器500直接地结合到所述表面，例如沉积在该表面上。在一个实施例中，加热器400和/或温度传感器500由铂形成。如果突节板600由导电材料(例如SiSiC)形成，则在沉积铂加热器400和/或温度传感器500之前可以沉积绝缘层和/或结合层。一旦加热器400和/或温度传感器500已经被沉积，就有必要额外地(用另一电介质层)涂覆加热器400和/或温度传感器500，以便确保加热器400和/或温度传感器500的电隔离以及保护其免受可能另外地产生短路的潮气的影响。在一个实施例中，在加热器400和/或温度传感器500上面设置附加的绝缘层，使得热量进入所述表面。这导致引导更多热量进入主体(例如突节板600)。

通常，薄膜总共具有4个层。在衬底台的顶部(例如突节板600)上，存在结合层，然后是绝缘电介质层，然后是铂层，随后在顶部上再设置电介质层用以避免短路。为了避免铂线的电磁干扰，可以设置2个额外的屏蔽层。加热器和/或温度传感器是薄的，例如厚度低于100μm，优选低于10μm或甚至是1μm厚。

加热器400和/或温度传感器500被定位成邻近衬底支撑区域。因为它们直接地结合到所述表面，所以热量被传导至加热器400和/或温度传感器500和/或从加热器400和/或温度传感器500被迅速地传导至所述表面后面的材料。如果应用加热器400和/或温度传感器500的表面是突节板，则传递热量至衬底W/从衬底W传递热量是极快的，因为它们靠近衬底W。

图10示出多个加热器400和/或温度传感器500的一种布置的一个实施例的平面图。多个加热器400A-F和/或温度传感器500A-F是细长的。它们沿细长方向是基本上平行的，并且从一个边缘经过衬底支撑区域延伸到相对的边缘。这种布置的优点将参考下面的图11进行描述。

在放置加热器400A-F和/或温度传感器500A-F的衬底支撑区域的中心部分周围，设置有多个边缘加热器410A-L和/或温度传感器510A-L。边缘加热器410A-L和/或温度传感器510A-L围绕衬底支撑区域的边缘具有不同的尺寸。该尺寸将与位于中心部分的加热器400A-F和/或温度传感器500A-F的方向上的尺寸匹配。

多个边缘加热器设计成实现图8中的加热元件250的功能。也就是说，它们被设计用以补偿衬底W边缘周围的高的蒸发负载，如结合图7描述的那样。边缘加热器410A-L和/或温度传感器510A-L可以定位在突节板600的表面上或定位在不同的表面上。

本发明的一个实施例可以独自使用，或者与图8中示出的边缘加热器250和/或用于使热调节流体通过其中的邻近衬底支撑区域的通道230(例如图8中示出的)结合使用。附加地，本发明的一个实施例的加热器和/或温度传感器可以与通过两相流体调节的衬底台WT结合使用。在该实施例中，腔设置在衬底台WT的主体中，衬底台WT的主体填充有气相和液相的流体。这种衬底台调节系统在2009年9月28日递交的美国专利申请第US 61/246,276号中和在2009年9月28日递交的美国专利申请第US 61/246,268号中描述，这里通过参考全文并入。

本发明的实施例对于加热器和温度传感器均具有优点。衬底台WT可以包括一个或另一个或两者。加热器和温度传感器均利用薄膜加热器和/或温度传感器的快速热响应。

在图10和11中示出的加热器和/或传感器的布置具体地还涉及其他类型的加热器和/或温度传感器，不必是薄膜。

在一个实施例中，加热器和/或温度传感器不在表面上，而是被包围在衬底台WT的部件内。加热器和/或温度传感器可以嵌入在衬底台WT的顶部板内(例如，石英板)。顶部板可以包括两个段，其中加热器和/或传感器嵌入在两个段之间。

图11示出一个实施例的平面图。在图11中，没有边缘加热器410A-L和/或温度传感器510A-L。依赖于在衬底W的边缘处的衬底台WT的设计，可以不必包括边缘加热器。这种实施方式在图11中示出。

图11中还示出的是衬底台WT在投影系统PS下面采取的曲径路径700。曲径路径的一般的总体运动由线800示出。

通过对比线700和线800可以看到，虽然遵循总体路径800，然而发生了沿X方向的向前和向后的移动。在Y方向上的扫描是非常快的。结果，可以看到，衬底台WT十分缓慢地沿Y方向从衬底顶部(如图所示)向下移动至衬底底部。基于这个原因，加热器和/或温度传感器400A-F、500A-F(和边缘加热器和/或温度传感器)在X方向上是细长的。加热器和/或温度传感器在第一方向上是细长的。第一方向取向为使得给定加热器和/或温度传感器400、500在衬底W的成像期间在投影系统下面停留的时间长度比如果加热器和/或传感器的方向沿与第一方向垂直的其细长方向的情形(在这种情形中，在整个衬底成像期间其将被通过多次)长。具体地，在衬底成像期间给定的加热器和/或温度传感器在投影系统下面的时间被显著地最小化。在一个实施例中，这可以通过确保加热器和/或温度传感器的细长方向与扫描方向平行来实现。然而，其他的几何形状可能更适用于不同的扫描模式。因此，在衬底成像期间，沿顶部加热器和/或温度传感器400A/500A沿X方向步进，同时沿Y方向扫描。这导致在接收热负载的衬底顶部的区域，并且这通过顶部加热器和温度传感器的组合400A/500A感测和补偿。然后衬底沿Y方向移动以在投影系统下面移动第二加热器/温度传感器组合400B/500B，并且沿Y方向扫描。热负载集中在Y位置处，传感器/加热器组合400B/500B相应地补偿。在沿X方向步进的同时，任意热负载沿该X方向集中。在沿远离投影系统的Y轴线的位置处，将存在小的热负载。

具有细长的加热器和/或温度传感器的一个优点在于，加热器和/或温度传感器的数量可以比加热器和/或温度传感器的长宽比被形成为基本上为1的情形(即在X和Y方向上具有相同的尺寸)减少。数量减少使得控制变得容易，并且降低了系统的复杂性，尤其是降低了连接加热器和/或温度传感器的困难。参照图12可以看到，在图10和11的实施例的情况下，加热器和/或温度传感器可以在突节板600的边缘处相对容易地连接至控制器。

多个加热器和/或温度传感器沿基本上平行的方向是细长的。

图12示出单个的集成的加热器和相应的温度传感器的平面图。类似的原理可以用于仅一个加热器，或用于仅一个温度传感器。加热器和温度传感器就加热和感测相同区域的温度来说是集成的。

正如图12所示，加热器和温度传感器形成为线或导线。线或导线覆盖整个加热器和/或温度传感器的区域。这通过使得线沿着曲折路径来实现。在示出的一个实施例中，线沿着突节32之间的曲折路径，但是这并不是必须的。如图12所示，加热器的线遵循与温度传感器的线基本上平行的路径。两条线不交叉并且弯弯曲曲迂回进出于所述突节，以覆盖整个加热器的尽可能多的区域。这些线终止于电极，以允许连接至控制系统。

提供控制器。控制器尝试将测量的温度保持在给定的设定点。响应越快，可以预期的性能越好。热时间常数越低，在热负载施加时发生的净的最大温度变化越小。控制器可以基于来自传感器的反馈来控制加热器。可以基于液体处理系统12相对于衬底台WT的位置来实现前馈控制。

如图26所示，本发明的一个实施例是在衬底台WT的顶部或底部上施加一个或更多个薄膜铂传感器和/或加热器。在一个实施例中，突节板600定位在衬底台WT和衬底W之间。在一个实施例中，薄膜加热器400和/或温度传感器500被应用于突节板600的顶部。在一个实施例中，薄膜加热器400和/或温度传感器500被应用于突节板600的底部表面。在一个实施例中，薄膜加热器400和/或温度传感器500被应用于衬底台WT的底部表面。

薄膜加热器400和/或温度传感器500可以施加于定位在衬底台WT上的传感器的上表面或下表面。图26示出位于衬底台WT的表面上的传感器261。传感器261可以是例如剂量传感器、像差传感器、照射传感器、均匀度传感器或空间图像传感器。传感器261可以包括编码器栅格板，以控制衬底台WT的位置。传感器261可以包括位于其上表面的保护板262。保护板262可以由玻璃形成。一个或更多个薄膜加热器400和/或温度传感器500可以施加于保护板262的上表面和/或下表面。

图29示出光刻设备，包括衬底台WT、参考框架RF、光栅50以及传感器20。光栅50连接至衬底台WT或参考框架RF。传感器20连接至衬底台WT和参考框架RF中的另一个。图29示出光栅50连接至衬底台WT并且传感器20连接至参考框架RF的情形。

传感器20用于检测被光栅50衍射和/或反射的辐射，由此测量衬底台WT和参考框架RF之间的相对位置。这是用于光刻设备中的位置测量装置的类型，在光刻设备中光栅50和传感器20安装在相对于彼此是可移动的且其相对位置需要被测量的不同的物体上。

薄膜加热器400和/或温度传感器500可以施加于光栅50和/或传感器20的上表面或下表面。光栅50可以形成在例如石英或玻璃-陶瓷等光学透明材料板上。这种板可以称为编码器栅格板。在本说明书中，术语“光栅”50理解为意味着具有形成其上的光栅图案的编码器栅格板。

薄膜加热器400和/或温度传感器500可以直接地施加到编码器栅格板的表面。在一个实施例中，薄膜加热器400和/或温度传感器500直接地应用于编码器栅格板的暴露至浸没液体的表面。这是因为板的材料，例如石英或玻璃-陶瓷，可以具有相对低的热传导率。因此，通过将薄膜加热器400和/或温度传感器500定位在光栅50的暴露的表面上，可以比将薄膜加热器400和/或温度传感器500定位在光栅50的后侧上更迅速地校正由于热负载带来的局部温度改变。

这控制光栅50和/或传感器20的温度。光栅50和/或传感器20的温度控制有助于减小以其它方式导致重叠误差的位置误差。位置误差由光栅50和/或传感器20的表面的热变形引起。这种热变形由所述表面上的热负载引起。如果与所述表面的温度不同的液体与所述表面接触，则可以施加热负载至该表面。例如，液体可以蒸发，或在任何与所述表面热平衡的情况下，液体可能蒸发。这对于在图29中示出的光栅50可能是个问题，因为光栅50位于衬底台WT的上表面上，并且流体限制结构12位于衬底台WT的上表面上上方。在光刻设备的正常操作期间，流体限制结构12可以位于光栅50的一部分或全部上方。浸没液体可以从流体限制结构12逃逸，并且作为液滴，溅到或保留在光栅50上。当然，如果传感器20定位在衬底台WT的顶部表面上并且光栅50定位在参考框架RF上，将发生相同的问题。

光栅50可以包括栅格板和形成在栅格板的下侧上的光栅表面。这样设置的目的是为了防止光栅表面本身与浸没液体接触。

虽然在上文中描述了本发明的涉及光栅50的一个实施例，相同的优点和机制可应用于传感器20的温度控制。例如，图30示出一个实施例，其中光栅50连接至参考框架RF，传感器20连接至衬底台WT。薄膜加热器400和/或温度传感器500可以应用于传感器20的上表面或下表面。

图31示出一个实施例，其中，光刻设备可以除薄膜温度传感器500之外附加地或代替薄膜温度传感器500地包括非接触温度传感器311。非接触温度传感器311可以包括红外温度传感器。在一个实施例中，非接触温度传感器311包括红外传感器的阵列。传感器可以面对光栅50。例如，在光栅50位于衬底台WT的上表面上的实施例中，非接触温度传感器311向下面向光栅50。

非接触温度传感器311可以连接至参考框架RF，如图29和30所示，或者非接触温度传感器311可以连接至与参考框架RF不同的测量框架。

非接触温度传感器311可以包括位于衬底台WT上方的红外传感器的线。非接触温度传感器311在衬底台通过非接触温度传感器311下面的时候测量光栅50的温度。可以在对准/聚焦测量阶段、曝光阶段或衬底/衬底台交换阶段期间执行这种测量。

在一个实施例中，薄膜加热器400和/或温度传感器500被施加于测量台的表面。

不管薄膜加热器400和/或温度传感器500是否施加于突节板600、衬底台WT或传感器261的表面，可以通过多种不同的方法应用加热器400和/或温度传感器500。

加热器400和/或温度传感器500可以粘附到合适的表面。加热器400和/或温度传感器500之间的粘胶层应该尽可能薄，以便减少接触电阻。粘胶可以包括聚合物。粘胶还可以包括至少一种金属和/或碳纤维。其目的是，使得粘胶导电和/或热传导性更好。粘胶可以是压力敏感粘合剂。这意味着，当施加压力至粘胶时，粘胶层变得更薄。粘胶还可以称为粘合剂。

一种用以将薄膜加热器400和/或温度传感器500施加至表面的可选方法是，形成加热器400和/或温度传感器500的网络，作为所述表面上的涂层。该涂层可以通过使用正性光致抗蚀剂或负性抗蚀剂来形成。

在使用正性光致抗蚀剂的情形中，正性抗蚀剂的涂层被施加(例如喷射)到所述表面上。可以在正性光致抗蚀剂涂层之前施加可以由SiO₂形成的隔离层，使得隔离层处在正性光致抗蚀剂涂层和表面之间。

一旦正性光致抗蚀剂涂层已经被施加到所述表面上，则在没有施加加热器400和/或温度传感器500的网络的位置处曝光该涂层，从而硬化在那些位置上的正性光致抗蚀剂。光致抗蚀剂的剩余部分被移除，由此打开将要施加薄膜所在的间隙。可以由例如铂或钛和铂的合金形成的薄膜被施加至表面和光致抗蚀剂。经由例如超声波剥离技术剥离保留在该表面上的光致抗蚀剂，以去除薄膜的不想要的部分。结果是薄膜的网络位于想要的位置。

可以使用两步光致抗蚀剂方法，其中应用两层光致抗蚀剂。光致抗蚀剂的顶层被曝光，以便在没有施加或应用薄膜的位置处被硬化。当通过去除光致抗蚀剂的没有被硬化的部分来对光致抗蚀剂显影时，光致抗蚀剂的上层悬突于(overhang)光致抗蚀剂的下层，使得光致抗蚀剂的顶层不接触衬底W的表面。这减少了光致抗蚀剂中的缺陷。

如果使用负性光致抗蚀剂，负性光致抗蚀剂层被涂覆到表面上。这可以通过喷射来完成。在负性光致抗蚀剂层之前可以施加隔离层。在将要施加薄膜的区域中曝光光致抗蚀剂。然后去除光致抗蚀剂的这些部分。在表面上施加薄膜材料。光致抗蚀剂的剩余部分被剥离，由此留下期望的薄膜材料的图案。

将薄膜施加到所述表面上的另一种方法是，将粘合剂预施加到薄膜材料的一侧。具有预施加到一个表面的粘合剂的薄膜可以称为粘合膜。随后粘合膜被施加至表面。在粘合膜的情形中，薄膜材料可以容纳在例如聚酰亚胺等绝缘材料内。具体地，

可用作粘合膜的绝缘材料。

期望地，薄膜是直接地结合至表面，以便减小薄膜和所述表面之间的热阻。然而，期望是传导热的粘合剂可以用于将薄膜应用至所述表面。

薄膜加热器400和/或温度传感器500的材料可以是铂，或铂合金。薄膜材料可以包括铜、铝、银、金以及半导体材料中的至少一种，其可以包括金属氧化物和/或硅。在粘合膜(即，预施加粘合剂的薄膜，在绝缘外皮内的薄膜)的情形中，尤其可以使用铜。用于薄膜的材料应该是长期稳定的。

如果施加薄膜至所述表面作为涂层，则掩模可以用于提供将薄膜材料施加到表面的期望的部分。具体地，当所述一个或更多个薄膜加热器400和/或温度传感器500被施加到突节板600的表面上时，可以使用掩模。图28示出可以使用的一种掩模。图28示出表示薄膜加热器400的位置的粗线，和表示温度传感器500的位置的细线。掩模用于避免薄膜材料不期望地沉积在突节32上。

图27是表示使用一个或更多个薄膜加热器400和/或传感器500的有效性的曲线图。该曲线图包括四条线，它们示出指纹尺寸(fingerprintsize)如何作为时间的函数、依赖于用于控制系统温度的调节类型而进行变化。由长的断开节段形成的线表示没有应用温度调节的情形。实线表示热传递流体通道200(如图8所示)被用于实施温度调节的情形。点划线表示使用如图9所示的配置的薄膜调节。由短的断开节段形成的线表示理想的调节。

很明显，薄膜调节具有比在衬底台WT内的衬底支撑区域下面的热传递流体通道200内流动的热传递流体的调节更接近理论上理想的调节。

使用薄膜技术的优点在于，感测和加热线良好地连接至所述表面，这导致非常低的接触热阻。另一个优点在于，传感器和加热器都由相同的材料形成，并且多个传感器和加热器的全部布局可以在一个工艺步骤中连接。

因为热阻非常低，具有薄膜传感器和加热器的衬底台的热模拟显示，衬底台温度可以保持在mK内，这使得其具有几乎理想的台调节构思。为了处理热负载，在一个实施例中，衬底台具有位于顶部上的加热器和传感器(如在上文中参考图10和11描述的)和位于中间的水调节。在一个实施例中，衬底台WT没有水调节。这对于冷却负载占主要地位的浸没机器是可能的。为了最小化将被控制的传感器和加热器的数量，后面图10中的布局是适合的，其具有18或22个区域，每一个区域由一个传感器-加热器的组合构成。

当然，具有更多或更少的区域的其他布局也是可以使用的。因为沿X方向的扫描一行通常少于2秒，在衬底W的整个宽度上一个加热器-传感器组合是足够的。在Y方向上，可以需要更多的组合以处理更长的时间尺度，通常是10-20秒。曲径花费更长时间以沿Y方向移动。传感器-加热器组合能够在0.5秒内反应，因此Y上的场尺寸应该是有限的。提供多个边缘加热器-传感器组合(分别为12或16个区域)，以处理额外的间隙5的蒸发负载。如果这些间隙5的蒸发负载极大地减小，则边缘组合可以舍去。则布局变成如图11所示。

在一个区域内的加热器和传感器应该在该区域的整个表面上均匀地分布，例如如图12所示。

重叠性能提高，因为热冷却负载被局部地测量和校正并且在短的时间尺度内被测量和校正。

舍弃水调节是有利的，因为没有水软管，并且没有液压脉冲存在，这允许较薄的衬底台，从而导致较小的向上扫描(scan-up)向下扫描(scan-down)的问题。

使用一个或更多个薄膜加热器400和/或温度传感器400的另一优点在于，它们比其他类型的加热器或温度传感器具有更低的质量。这导致衬底台WT具有比其他情况低的质量。

本发明的一个实施例可以应用至300和450mm直径的衬底W。对于450mm直径的衬底，传感器/加热器400/500的数量将增加。中心传感器/加热器400/500在X方向上是450mm，在Y方向上仍然是50mm，这导致在Y方向上有9个传感器/加热器400/500，然而对于300mm直径的衬底，在Y方向上有6个传感器/加热器400/500。边缘传感器/加热器410/510将形成与300mm直径衬底类似的图案，这导致21或25个传感器/加热器410/510(即，300mm直径衬底可以具有18或22个传感器/加热器)。

在一个实施例中，在衬底支撑区域的中心部分内的加热器和/或温度传感器的数量对于全局温度校正可以仅为一个(例如覆盖该区域的大部分)。在另一实施例中，可以存在具有加热器和/或温度传感器的多个传感器/加热器400/500的“棋盘(check-board)”(例如每个管芯尺寸26mm×32mm上1个传感器/加热器400/500)，用于局部校正。

在一个管芯内的温度传感器和加热器线不必与管芯的取向对准。该线的长度、线宽度、突节图案以及导线连接点将决定布局。

边缘加热器和/或传感器可以在突节板600的突节的外侧或内部，或位于衬底台环上，或位于侧边缘上。

下面是本发明的多个方面：

a)集成的加热器和/或温度传感器的优化带(optimized band)：如果标准浸没罩(hood)路径将要变化，对于加热器和/或温度传感器的优化布置来说可以进行变化；

b)具有跨经台表面的加热器；

c)具有跨经台表面的传感器；

d)具有在台的整个表面上的彼此集成的传感器和加热器；

e)具有与突节集成的传感器和/或加热器；

f)具有作为薄膜的传感器和/或加热器；

g)使用与已有的晶片边缘加热器集成的传感器/加热器、两相台控制和/或内部流体调节系统；

i)在衬底支撑结构的一侧或两侧上具有多个系统；和

j)用于集成传感器和加热器的优化的布置。

加热器400和/或温度传感器500在平面上可以是任何形状。图13示出一个示例，其中加热器和/或传感器400、500包括形成曲径路径的线。加热器400和传感器500可以彼此相关(例如在图12中)。加热器400和传感器500在平面上的形状可以是基本上相同的或基本上不同的。

图14示出传感器500和/或加热器400的在平面上的另一种形状。在图14的情形中，传感器500和/或加热器400在平面上的整个形状是结合在一起以形成回路的同心圆。

图13和14的加热器/传感器400/500实施例可以由一条线形成，以便形成自调节热系统形式的加热器400和相关的传感器500，如下文具体参照图19所述的，或参照图16和17描述的微机电系统(MEMS)所述。

图15中的实施例是加热器400和传感器500是分离的线并且都形成为同心的交织的圆的一个实施例。

自调节系统是一种装置，其由于温度的局部改变而启用或停用加热器。这种加热器在除了温度的局部改变外没有任何外部输入的情况下在正确的位置和正确的时间提供期望的热补偿。通常，存在两种方式形成自调节装置：(i)具有MEMS开关的加热器，(ii)由在其电磁(EM)属性和温度之间具有高的非线性关系的自调节材料形成的加热器。

这些装置仅具有几个微米厚，并且其制造可以通过先进的直接写入或薄膜技术(尤其诸如金属和电介质沉积、光刻、湿式蚀刻和干式蚀刻、电化镀或化学镀、扩散和离子注入或其他)来实现。由于自调节装置的尺寸减小了，它们可以容易地放置在任何结构上、采用任何数量(成千量级)、采用任何几何构型或放置在任何表面上。

使用激光调节，通过去除材料、重新成形致动器或改变其材料的结晶性(如果可以的话)等方法可以修整该系统。在复杂表面的情形中，自调节系统可以首先组装在平的薄膜上，然后转移至最终的表面上。

加热器400和/或温度传感器500可以形成自调节热系统。也就是说，不需要提供控制信号给加热器400，并且不需要通过远程控制器从温度传感器500接收信号。取而代之的是，施加电压到加热器400和/或温度传感器500，其随后在不需要单独的控制器的情况下补偿局部温度变化。

一种形式的自调节热系统是基于MEMS的自调节加热器，如下面参照图16和17所述的。另一形式是基于EM-温度的自调节加热器，参照图18、19和20描述的。

MEMS加热器400是由MEMS传感器500激活和/或停用的加热器。在一个实施例中，传感器500是开关。该开关可以由具有正的热膨胀系数的材料或具有负的热膨胀系数的材料形成，或由双金属材料形成。图16示出基于MEMS的自调节加热器400和传感器500的横截面。图17示出图16中的温度传感器500的细节。

在图16中，加热器400与温度传感器500串联连接。温度传感器500是自调节开关形式。具有正或负的热膨胀系数的材料600或双金属材料操作该开关。对于构建传感器有用的材料包括硅、多晶硅或硅化合物，例如氮化硅，或金属，例如金。材料600的热膨胀和/或收缩导致开关在特定温度以上或以下断开(图17的上图)，在特定温度以下或以上开关被反过来闭合。当开关闭合时，电流流过加热器400。在一个实施例中，当加热器400连接至电源并且温度发生改变(例如在冷却期间)时，MEMS开关闭合电路。然后，电流流过加热器400并且使加热器400形成所在的表面升温。随着温度升高，开关的材料600开始变形(依赖于选择的材料而膨胀、收缩或弯曲)，直到开关断开，停止电流流过加热器400，由此停止加热。

MEMS结构的几何构型可以依赖于功能性进行变化(例如，包括过热保护，并改善开关的可制造性)。期望地，MEMS开关邻近加热器400布局或位于加热器400布局内，以便迅速地对由加热器400产生的温度改变作出反应。图14的实施例示出在图14中的实施例是基于MEMS的自调节加热器时适于定位MEMS传感器/开关的位置700。

在一个实施例中，自调节加热器可以是基于EM温度的自调节加热器。该实施例的优点是(在MEMS实施例中也存在)，在所述表面上仅需要设置一条线。

由自调节材料(例如半导体聚合物)形成的加热器400也可以用作传感器500，并且在它的EM属性响应于周围温度发生改变而使其停用或被激活时，实现开关操作。图18示出一个示例，其中自调节加热器的电阻(沿Y轴线)作为温度(沿X轴线)的函数进行变化。因此，如果电的基于EM温度的自调节加热器连接至电源(例如固定的电压)，则在温度改变的条件下(例如冷却期间)，自调节材料的电阻减小很多。这个过程允许电流流过加热器，从而使所述表面升温。热量使加热器的温度和其周围的温度升高，由此提高电阻，直到在给定温度下电流完全停止。这种情形停止了加热过程。

基于EM温度的自调节加热器的构造可以通过在表面上设置热传导和导电层800、随后设置自调节材料膜810、以及在顶上设置导电的但是类似的隔离层820来形成，如图19所示。

基于EM温度的自调节加热器在平面上可以具有任何形状。实际的加热器不需要是线形，并且可以是如图20中透视图所示的块形式。在图20中示出包括基于EM温度的自调节加热器420的加热器/温度传感器。中心电连接450是为所有基于EM温度的自调节加热器420所共用的，并且位于基于EM温度的自调节加热器420两侧的两个电极460可以用于实现电路。

由于液体蒸发带来的衬底W上的不均匀的温度可以通过自调节衬底台WT来校正。自加热装置可以设置在上或下突节板600表面上。在存在冷点(例如液滴)的情况下，较靠近这些区域的电加热器400将自激活，以通过突节的热传导来热补偿衬底。仅需要两个导线给衬底台WT提供电力。这种系统可以显著地减小衬底台WT的重量，同时由于在衬底台上面设置多个自调节加热器400可以提高其可靠性。

上面描述的是加热器400和/或温度传感器500被应用至邻近衬底W支撑区域的衬底台WT的表面。然而，本发明的一个实施例可以应用到光刻设备的任何表面，尤其是投影设备的任何表面，更具体地，应用到浸没光刻投影设备的任何表面。图21和22示出加热器和/或温度传感器400、500可以在光刻设备中放置或设置的多种不同位置。

图21是衬底台WT的平面图。已经讨论了邻近衬底支撑区域的加热器400和温度传感器500的位置。其他位置可以是任何传感器1000周围，尤其是任何传感器1000的边缘周围。这是因为，在传感器1000的边缘和衬底台WT的边缘之间可以存在间隙，所述间隙被保持在负压下以从所述间隙移除液体，从而可以观察到高的蒸发损失。传感器1000可以是例如透射图像传感器(TIS)或ILIAS传感器。另一区域可以是围绕伪衬底1100的排液通道。伪衬底1100用于在例如衬底交换期间通过将伪衬底1100定位在投影系统PS的下面来封闭流体处理系统12的底部。由此，可以在例如衬底交换期间维持流体处理系统12，这在避免在投影系统PS的最终元件上形成干燥斑点方面是有利的。在例如衬底交换期间能够保持流体处理系统12可操作的另一方法是在衬底台WT上提供交换桥1200。交换桥1200是从衬底台WT(可选地是可缩进的)延伸的表面，并在例如新的第二衬底台WT替换第一衬底台WT时提供可以在流体处理系统12下面移动的表面。在衬底台WT的顶表面和交换桥1200的顶表面之间的间隙可以设置有负压源，以便去除进入间隙的任何液体。该区域可以设置有这里描述的加热器和/或传感器，以及邻近交换桥1200的衬底台WT本身的顶表面。在例如衬底交换期间，交换桥1200与第二衬底台WT接合。交换桥1200将与衬底台WT接合所在的另一区域1300也被提供以负压源，以去除交换桥1200和衬底台WT之间的间隙间的液体。该区域1300可以设置有这里描述的加热器和/或温度传感器。

图22示出上面提到的这些区域以及流体处理系统12和投影系统PS。流体处理系统12的可以使用这里描述的加热器和/温度传感器的表面包括任何在使用期间与浸没液体接触的表面。这些包括流体处理系统12的下表面、限定在投影系统PS的最终端和衬底W之间保持液体的空间的内表面42、以及在使用时的顶表面44。顶表面44可以与浸没液体接触，并且具体地，与在流体处理系统12和投影系统PS的最终元件之间延伸的液体的弯液面接触。随着顶表面44上的弯液面的位置移动，蒸发负载可以被施加至顶表面44，使得可以有用地在此设置加热器和/或温度传感器。基于类似的原因，加热器和/或温度传感器可以设置在投影系统PS的边缘周围，投影系统PS和流体处理系统12之间的弯液面可以位于该位置处，或在该位置处可能发生飞溅。例如，加热器和/或温度传感器可以设置在投影系统PS的最终元件的外边缘周围。

上面描述的薄膜加热器400可以与测量表面上单个点的温度而不是取一部分表面上的温度平均值的温度传感器结合。例如，图23、24以及25示出温度传感器，其配置成可以根据本发明的一个实施例用来测量表面上单个点的温度。

图23示出本发明的一个实例。图23示出温度传感器500可以如何连接至通道200或连接至衬底台WT。温度传感器500所连接至的部分的附图标记为131。温度传感器500配置成测量该部分131的温度。该部分131可以例如是通道200或衬底台WT。然而，部分131可以是光刻设备的任何表面。温度传感器500位于该部分131的表面上。温度传感器500通过热传导糊浆132连接至表面。

温度传感器500可以包括热敏电阻器，或其他温度计设备。根据图23示出的结构，温度传感器500直接压在部分131上。热传导糊浆132可以设置在温度传感器500和所述部分131中间。糊浆可以是热传导粘胶。温度传感器500经由至少一个引线133连接至电组件134。电组件134从温度传感器500获取温度读数。电组件134可以是PCB。在一个实施例中，温度传感器500直接地安装在电组件134上，而不需要引线133。

图23中示出的结构的缺点在于，其可能难以将温度传感器500定位在期望测量温度的精确的位置处。这部分地是由于安装温度传感器500所在的电组件134的存在或是由于将温度传感器500连接至电组件134的引线133的存在。另一个缺点是，引线133施加压力到温度传感器500上。这会不希望地影响由温度传感器进行的温度测量。

温度传感器500可以由半导体材料形成。温度传感器500配置成测量单个位置处的温度。

图24和25示出图23中的用于将温度传感器500连接至部分131的结构的替换方式。图24示出了该结构的侧视图。图25示出该结构的平面图。

可以是热敏电阻器的温度传感器500连接至位于将要被测量温度的位置上的所述部分131。在这个位置上，所述部分131涂覆有导电涂层141。温度传感器500经由涂层141连接至电组件134。温度传感器500在部分131的表面上。温度传感器500经由涂层141连接至所述表面。在一个实施例中，温度传感器500经由涂层141和粘胶132层连接至所述表面。

期望地，导电涂层是热传导的。正如图25中最清楚地看到的，导电涂层141采取图案的形式。涂层141的图案的用途是允许导电涂层141连接至位于合适位置上的电组件134。例如，合适位置可以是对于电组件134或用于连接至电组件134的引线133存在较多空间的位置。为此，涂层141可以包括至少一个细长部分。

导电涂层141还为部分131和/或温度传感器500提供电屏蔽。以此方式，可以在没有附加的形成步骤的情况下提供电屏蔽。来自温度传感器500的测量信号可以经由可以直接连接至涂层141或间接地经由引线133连接至涂层141的电组件134读取。

温度传感器500可以直接地连接至涂层141。温度传感器500可以嵌入在涂层141内。在一个实施例中，温度传感器500经由结合层132连接至涂层141。结合层132可以由热传导粘合剂(例如粘胶)形成。结合层132可以由用于焊接的材料形成。期望地，结合层132厚度小于10μm。

间隙142可以设置在温度传感器500和涂层141之间。间隙142的目的是防止短路。涂层141由两个涂层段形成。每个涂层段用作电极以提供电力给温度传感器500和/或接收来自温度传感器500的信号。该间隙142将两个涂层段彼此分开。间隙142可以填充有电绝缘材料。

涂层的厚度小于10μm、优选小于5μm、小于3μm、或在0.2到2.0μm之间。

导电涂层141可以由例如铂、或主要是铂的合金形成。涂层141可以包括铜、铝、银和金中的至少一种。

在加热器400而不是温度传感器500的情形中，可以采用使用涂层141作为电组件134和温度传感器500之间的中间介质的相同的原理。

在一个实施例中，结合层132不存在。温度传感器500可以沉积作为涂层。在一个实施例中，涂层141和温度传感器500可以具有与上述位置互换的位置。温度传感器500可以直接地连接至部分131。

虽然以上已经参照浸没式光刻设备描述了本发明的实施例，但是这并不是必须的。其他类型的光刻设备也可能经历衬底的边缘周围的不均匀冷却(或加热)的问题。例如，在EUV设备(极紫外设备)中，可能会发生由于投影束的照射引起的加热。这会引起衬底的局部加热，与在液体局部供给系统下面的衬底边缘的通道可以产生冷却效果的方式有些相同。如果在通道200内的热传递流体在正常操作条件下相对于期望的温度给出小的负的温度偏差，则所有加热器可以启动以获得期望的温度。随后通过停止加热器可以施加局部冷却负载。在这种情形中，可以是仅在衬底边缘处的加热器的局部化太有限，加热器可以附加地或替换地放置在离开衬底支撑区域的中心不同的径向距离处。然而，在这种情形中也可以应用与上面所述相同的原理。

因此，正如看到的，本发明的一个实施例可以在多种类型的浸没式光刻设备中实现。例如，本发明的一个实施例可以在I-线光刻设备中实现。

在一个方面中，提供一种光刻设备，包括位于表面上的加热器和/或温度传感器。

在一个实施例中，该表面是选自下列部件中的至少一个的表面：配置用以支撑位于衬底支撑区域上的衬底的衬底台、流体处理系统、投影系统、光栅的表面或位置测量装置的传感器的表面和/或交换桥。

在一个实施例中，该表面是衬底台上的表面，所述衬底台配置用以支撑位于衬底支撑区域上的衬底，衬底支撑区域邻近衬底支撑区域，或邻近传感器，或邻近交换桥。

在一个实施例中，光刻设备还包括突节板以支撑衬底，其中加热器和/或温度传感器形成所在的表面是突节板的表面。

在一个实施例中，加热器和/或温度传感器形成在突节板上且在突节之间。

在一个实施例中，该表面是投影系统的最终元件的表面。

在一个实施例中，加热器和/或温度传感器是薄膜加热器和/或温度传感器。

在一个实施例中，加热器和/或温度传感器在不使用粘合剂的情况下直接结合至该表面。

在一个实施例中，加热器和/或温度传感器在平面上形成为沿曲折路径的线。

在一个实施例中，加热器和/或温度传感器由铂形成。

在一个实施例中，温度传感器连接至电组件，以间接地经由在应用温度传感器的部件上的导电涂层从通道温度传感器读取测量值。

在一方面中，提供一种光刻投影设备，包括衬底台，所述衬底台配置成支撑位于衬底支撑区域上的衬底，所述衬底台包括邻近衬底支撑区域的中心部分的多个加热器和/或温度传感器，所述多个加热器和/或温度传感器是细长的。

在一个实施例中，所述多个加热器和/或传感器沿基本上平行的方向是细长的。

在一个实施例中，所述多个加热器和/或传感器从一个边缘经过衬底支撑区域延伸到相对的边缘。

在一个实施例中，所述多个加热器沿第一方向是细长的，使得在衬底的成像期间给定的加热器和/温度传感器在投影系统下面的时间长度比加热器和/或传感器被取向成其细长方向垂直于第一方向的情况短。

在一个实施例中，第一方向使得时间的长度被最小化。

在一个实施例中，多个加热器和/或温度传感器包括薄膜。

在一个实施例中，光刻设备还包括突节板以支撑衬底，并且其中多个加热器和/或温度传感器形成在突节板的表面上。

在一个实施例中，多个加热器和/或温度传感器形成在突节板上且在突节之间。

在一个实施例中，多个加热器和/或温度传感器定位在突节板的顶部和/或底部上。

在一个实施例中，多个加热器和/或温度传感器包括在平面上的材料的线，所述线在平面上沿曲折的路径弯曲地行进。

在一个实施例中，衬底台还包括：邻近衬底支撑区域的边缘的不同部分的多个边缘加热器和/或位于衬底台内的腔，所述腔包含气相和液相的流体；和/或用于使热调节流体流过其中的邻近衬底支撑区域的通道。

在一个实施例中，衬底台包括衬底上的每个管芯对应的一个加热器和/或温度传感器。

在一个实施例中，光刻设备包括多个加热器和多个温度传感器。

在一个实施例中，多个加热器和多个温度传感器在平面上以二维栅格布局。

在一个实施例中，每个加热器与相应的温度传感器集成。

在一个实施例中，多个加热器中的每一个与多个温度传感器中相应的一个相关联。

在一个实施例中，加热器和相关联的传感器形成自调节热系统。

在一个实施例中，自调节热系统配置成由于温度的局部改变而激活或停用加热器。

在一个实施例中，加热器和相关联的传感器形成微机电系统。

在一个实施例中，相关联的传感器包括热激活开关。

在一个实施例中，加热器和相关联的传感器是自调节加热器，其具有作为温度的函数进行变化的电磁属性，使得在恒定施加的电压条件下温度的改变导致热输出的改变。

在一方面中，提供一种光刻设备，包括衬底台，所述衬底台配置成支撑位于衬底支撑区域上的衬底，并且包括加热器和/或温度传感器，所述加热器和/或温度传感器从一个边缘经过衬底支撑区域延伸到相对的边缘。

在一方面中，提供一种光刻设备，包括彼此集成的加热器和温度传感器。

在一个实施例中，加热器和温度传感器形成在表面上。

在一个实施例中，光刻设备还包括用以支撑衬底的突节板，加热器和温度传感器形成所在的所述表面由突节板的表面形成。

在一方面中，提供一种衬底台，配置成支撑位于衬底支撑区域上的衬底和位于邻近衬底支撑区域的表面上的加热器和/或温度传感器。

在一方面中，提供一种补偿浸没式光刻投影设备中的局部热负载的方法，所述方法包括：控制加热器或使用来自温度传感器的信号以补偿局部热负载，其中加热器和/或温度传感器位于表面上。

在一方面中，提供一种光刻设备，包括位于表面上的导电涂层和加热器和/或温度传感器，所述加热器和/或温度传感器连接至所述涂层。

在一个实施例中，电组件经由所述涂层电连接至加热器和/或温度传感器。

在一个实施例中，加热器和/或温度传感器通过结合层连接至所述涂层。

在一个实施例中，结合层包括粘合剂。

在一个实施例中，结合层包括用于焊接的材料。

在一个实施例中，在所述表面和加热器和/或温度传感器之间设置电绝缘间隙。

在一个实施例中，加热器和/或温度传感器嵌入在所述涂层内。

在一个实施例中，所述涂层包括铂、铜、铝、银、金以及半导体材料中的至少一种。

在一个实施例中，加热器和/或温度传感器在平面图中基本上全部在所述涂层内。

在一个实施例中，所述涂层被图案化。

在一个实施例中，所述涂层包括至少一个细长部分。

在一个实施例中，所述涂层由至少两个不同的涂层段形成。

在一个实施例中，所述涂层是电极。

在一个实施例中，所述涂层配置成提供电力给加热器和/或温度传感器、或接收来自加热器和/或温度传感器的电信号。

在一个实施例中，所述涂层的厚度小于10μm、小于5μm、小于3μm、或小于1μm。

虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs(集成电路)，但是应该理解到，这里所述的光刻设备具有制造具有微米尺度、甚至纳米尺度特征的部件的其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开的内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)。

在允许的情况下，术语“透镜”可以表示不同类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的光学部件。

尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明的实施例可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的所述计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。此外，机器可读指令可以嵌入在两个或更多个计算机程序中。所述两个或更多个计算机程序可以存储在一个或更多个不同的存储器和/或数据存储介质中。

上述的控制器可以具有任何合适的配置，用于接收、处理以及发送信号。例如，每个控制器可以包括一个或更多个用于执行计算机程序的处理器，所述计算机程序包括用于上述方法的机器可读指令。控制器还可以包括用于存储这种计算机程序的数据存储介质，和/或用以容纳这种介质的硬件。

本发明的一个或更多个实施例可以应用于任何浸没式光刻设备，具体地但不排他地，应用于上述的那些类型、不论浸没液体是否以浴器的形式提供的类型、仅衬底的局部表面区域上提供浸没液体的类型或浸没液体在衬底和/或衬底上是非限制的类型。在非限制布置中，浸没液体可以流过衬底和/或衬底台的表面，使得基本上衬底和/或衬底台的整个未覆盖表面被浸湿。在这种非限制的浸没系统中，液体供给系统可以不限制浸没液体或其可以提供一定比例的浸没液体限制，但是基本上不是完全的浸没液体限制。

这里所述的液体供给系统应该广义地解释。在特定的实施例中，其可以是将液体供给至投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间的机构或结构的组合。其可以包括一个或更多个结构的组合、一个或更多个液体入口、一个或更多个气体入口、一个或更多个气体出口、和/或将液体供给至空间的一个或更多个液体出口。在一个实施例中，所述空间的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分，或者所述空间的表面完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或者所述空间可以包围衬底和/或衬底台。液体供给系统可以任意地进一步包括一个或更多个元件，用以控制液体的位置、数量、品质、形状、流量或其他任何特征。

上面描述的内容是例证性的，而不是限定的。因而，应该认识到，本领域的技术人员在不脱离以下所附权利要求的范围的情况下，可以对上述本发明进行更改。

Claims

1.一种光刻设备，包括：

衬底台，配置成将衬底支撑在衬底支撑区域；

突节板，具有多个突节以支撑所述衬底；和

位于表面上的加热器和温度传感器，

其中，在其上形成加热器和温度传感器的所述表面是突节板的表面，所述加热器和温度传感器是形成在突节板上突节之间的薄膜加热器和温度传感器，薄膜加热器与相应的温度传感器相关联并且平行，使得薄膜加热器和温度传感器控制所述表面的相同区域的温度。

2.如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述表面替换为选自下列部件中的至少一个的表面：流体处理系统、投影系统、位置测量装置的传感器或光栅、和/或交换桥。

3.如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述表面替换为配置成支撑位于所述衬底支撑区域上的所述衬底的所述衬底台上的表面，所述表面邻近衬底支撑区域，或邻近传感器，或邻近交换桥。

4.如权利要求2所述的光刻设备，其中，所述表面是所述投影系统的最终元件的表面。

5.如权利要求1-4中任一项所述的光刻设备，其中，位于一个区域内的所述薄膜加热器和温度传感器在其区域的整个表面上均匀地分布。

6.如权利要求1-4中任一项所述的光刻设备，其中，所述薄膜加热器和温度传感器在不使用粘合剂的情况下直接结合至所述表面。

7.如权利要求1-4中任一项所述的光刻设备，其中，所述薄膜加热器和温度传感器在平面上形成为沿曲折路径的线。

8.如权利要求1-4中任一项所述的光刻设备，其中，所述薄膜加热器和温度传感器由铂形成。

9.如权利要求1-4中任一项所述的光刻设备，其中，所述温度传感器连接至电组件，以间接地经由在应用温度传感器的部件上的导电涂层从通道温度传感器读取测量值。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的光刻设备，其中，所述衬底台还包括邻近下列中的至少一个的不同部分的多个薄膜加热器：

（i）所述衬底支撑区域的边缘；

（ii）位于衬底台内的腔，所述腔包含气相和液相的流体；和

（iii）用于使热调节流体流过其中的邻近所述衬底支撑区域的通道。

11.根据权利要求1-4中任一项所述的光刻设备，其中，所述衬底台包括衬底上对应每个管芯的一个薄膜加热器和一个温度传感器。

12.根据权利要求1-4中任一项所述的光刻设备，包括多个薄膜加热器和多个温度传感器。

13.根据权利要求12所述的光刻设备，其中，所述多个薄膜加热器和多个温度传感器在平面上以二维栅格布局。

14.根据权利要求12所述的光刻设备，其中，每个薄膜加热器与相应的温度传感器集成。

15.根据权利要求12所述的光刻设备，其中，所述多个薄膜加热器中的每一个与所述多个温度传感器中的相应的一个相关联。

16.根据权利要求15所述的光刻设备，其中，所述薄膜加热器和相关联的传感器形成自调节热系统。

17.根据权利要求16所述的光刻设备，其中，所述自调节热系统配置成由于温度的局部改变而激活或停用所述薄膜加热器。

18.根据权利要求16所述的光刻设备，其中，所述薄膜加热器和相关联的温度传感器形成微机电系统。

19.根据权利要求18所述的光刻设备，其中，所述相关联的温度传感器包括热激活开关。

20.根据权利要求16所述的光刻设备，其中，所述薄膜加热器和相关联的温度传感器是自调节薄膜加热器，具有作为温度的函数进行变化的电磁属性，使得在恒定施加的电压条件下温度的改变导致热输出的改变。

21.一种补偿浸没式光刻投影设备中的局部热负载的方法，所述方法包括步骤：

使用来自薄膜温度传感器的信号并控制薄膜加热器以补偿局部热负载，其中所述薄膜加热器和薄膜温度传感器位于突节板上突节之间的表面上，所述薄膜加热器与相应的薄膜温度传感器平行并且相关联，使得薄膜加热器和薄膜温度传感器控制所述表面的相同区域的温度。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述薄膜加热器和相关联的薄膜传感器形成自调节热系统。

23.一种光刻设备，包括：

位于表面上的导电涂层，和

连接至所述导电涂层的薄膜加热器和/或温度传感器，

所述薄膜加热器与相应的温度传感器平行并且相关联，使得薄膜加热器和温度传感器控制所述表面的相同区域的温度。

24.根据权利要求23所述的光刻设备，其中，电组件经由所述导电涂层电连接至所述薄膜加热器和温度传感器。

25.根据权利要求24所述的光刻设备，其中，所述薄膜加热器和温度传感器通过结合层连接至所述导电涂层。

26.根据权利要求25所述的光刻设备，其中，所述结合层包括粘合剂。

27.根据权利要求25所述的光刻设备，其中，所述结合层包括用于焊接的材料。

28.根据权利要求23-27中任一项所述的光刻设备，其中，在所述表面和所述薄膜加热器之间和/或所述表面和所述温度传感器之间设置电绝缘间隙。

29.根据权利要求23-27中任一项所述的光刻设备，其中，所述薄膜加热器和温度传感器嵌入在所述导电涂层内。

30.根据权利要求23-27中任一项所述的光刻设备，其中，所述导电涂层包括铂、铜、铝、银、金以及半导体材料中的至少一种。

31.根据权利要求23-27中任一项所述的光刻设备，其中，所述薄膜加热器和温度传感器在平面视图中全部在所述导电涂层内。

32.根据权利要求23-27中任一项所述的光刻设备，其中，所述导电涂层被图案化。

33.根据权利要求32所述的光刻设备，其中，所述导电涂层包括至少一个细长部分。

34.根据权利要求23-27中任一项所述的光刻设备，其中，所述导电涂层由至少两个不同的涂层段形成。

35.根据权利要求23-27中任一项所述的光刻设备，其中，所述导电涂层是电极。

36.根据权利要求23-27中任一项所述的光刻设备，其中，所述导电涂层配置成提供电力给所述薄膜加热器和温度传感器、或接收来自所述薄膜加热器和温度传感器的电信号。

37.根据权利要求23-27中任一项所述的光刻设备，其中，所述导电涂层的厚度小于10μm。

38.根据权利要求37所述的光刻设备，其中，所述导电涂层的厚度小于5μm。

39.根据权利要求37所述的光刻设备，其中，所述导电涂层的厚度小于3μm。

40.根据权利要求37所述的光刻设备，其中，所述导电涂层的厚度小于1μm。