CN102428546B - 改进基底中斜面蚀刻重复性的装置和方法 - Google Patents

Abstract

本发明披露了一种与基底斜面蚀刻相关地实施的用于改进基底中的斜面蚀刻重复性的方法。该方法包括提供光学装置并确定所述基底斜面边缘的至少一斜面边缘特征。该方法也包括从所述至少一斜面边缘特征得到至少一补偿因数，所述至少一补偿因数与斜面蚀刻工艺参数的调整有关。该方法进一步包括使用所述至少一补偿因数实施所述斜面蚀刻。

Description

改进基底中斜面蚀刻重复性的装置和方法

背景技术

在半导体产品制造中，通过连续的沉积，蚀刻，以及抛光各层来加工基底(例如，半导体晶片)以生成半导体器件。等离子体，更具体而言，增强等离子体蚀刻和沉积经常用于这些加工步骤中。

一般来说，工艺工程师力求尽可能多的使用基底上的可用面积来制造半导体器件。由于工艺限制和其他因素，通常在基底的外缘有环形区域，在此处器件的形成认为不可靠，因此通常不试图在此处形成器件。因为加工倾向于集中在基底的内部区域，所以有机和无机材料微粒的沉积往往发生在上述环形边缘区域附近。如果沉积通过连续的加工步骤没有被去除，一些沉积的材料可能会剥落并且污染等离子体加工室和/或基底本身的内部区域。这种污染通常导致较低的基底器件产量并且可高达几个百分点。

为了减小和/或最小化在这个环形边缘区域中的沉积材料剥落和较低器件产量的可能性，工艺工程师在器件成型加工步骤之间插入一个或一个以上的斜面(bevel)蚀刻步骤。在常见的斜面蚀刻步骤中，基底的器件成型区域不采用等离子体加工。相反，使用斜面蚀刻设备在基底边缘附近形成环形等离子体以便蚀刻掉一些在基底外缘处累积的材料。通过将一个或一个以上的斜面蚀刻步骤插入到器件制造过程中，抑制了在前述的环形边缘区域的累积沉积物的过度堆积。因此，在基底环形边缘区域中的一些累积沉积物会剥落的可能性大大降低，进而导致器件产量的增加。

正如大多数围绕半导体产品制造的技术领域一样，需要在斜面蚀刻领域不断创新和改善，以适应蚀刻特征尺寸的不断变小和基底的不断变大，这导致对蚀刻工艺窗口提出了更高的要求。本发明的一个目的是改进在半导体器件制造中的斜面蚀刻工艺。

附图说明

本发明在随附附图的图形中是以实例的方式说明，但并不是以限制的方式说明，在附图中类似的参考数字表示相似的元素，并且其中：

图1A和图1B所示为样品基底斜面边缘轮廓图。

图2为根据本发明的实施方式所示的斜面边缘轮廓检测装置。

图3A和图3B为根据本发明一个或一个以上实施方式所示的表征基底斜面边缘侧面轮廓的特征技术。

图4A和图4B为根据本发明的实施方式所示的另一斜面轮廓检测装置。

图5为根据本发明的实施方式所示的另一斜面边缘轮廓检测装置。

图6为根据本发明的实施方式所示的改进基底中斜面蚀刻重复性的方法。

具体实施方式

现在将根据附图中图解的本发明的一些实施方式详细描述本发明。在下面的描述中，陈述了许多特定细节以提供对于本发明的全面理解。然而，对本领域技术人员显而易见的，本发明可在没有这些特定细节的部分或全部的情况下实行。在其他情况下，对众所周知的加工步骤和/或结构未做详细描述，以免不必要地模糊本发明。

下文描述了各种实施方式，包括方法和技术。应牢记，本发明也可涉及制品，该制品包括计算机可读介质，用于执行本发明技术的实施方式的计算机可读指令存储在其上。计算机可读介质可包括，例如半导体，磁的，光磁的，光的或其他形式的用于存数计算机可读编码的计算机可读介质。进一步，本发明还可涉及实行本发明实施方式的设备。这种设备可包括专用的和/或可编程的电路，以执行与本发明实施方式有关的任务。这种设备的实例包括通用目的计算机和/或当适当程序化时的专用计算设备，以及可包括适于执行与本发明实施方式有关的各种任务的计算机/计算设备和专用/可编程电路的组合。

本发明的实施方式涉及改进基底中斜面蚀刻重复性而不管前斜面(pre-bevel)蚀刻基底的变化程度如何的方法和设备。在本发明方面，发明人认识到使改进斜面蚀刻重复性的尝试趋向复杂化的因素与前斜面蚀刻基底可能有关于斜面边缘轮廓方面的差异的事实有关。例如，参照图1A和图1B，可以看到相较于基底150朝向边缘的更为锥形化的斜面边缘轮廓，基底100有较为方形的斜面边缘轮廓。

当在基底100和基底150上实施斜面蚀刻时，如果斜面蚀刻方法保持不变，在位置102处的斜面蚀刻率小于位置152处的斜面蚀刻率，位置102在与边缘104相距d1处，位置152也在与边缘154相距d1处。这是因为围绕在基底100外缘的环形或圆环形等离子体云或其反应副产物相较于基底150的情况能够较少的穿透基底100的中心。结果，相较于从基底150的位置152去除的沉积材料量，从基底100的位置102蚀刻或去除的沉积材料较少。

实施斜面蚀刻的一个挑战是不得不处理斜面蚀刻距离的重复性。客户要求在斜面蚀刻期间，沉积在基底外缘(斜面)上的薄膜去除率在一定范围的不同工具(tool-to-tool)，以及不同晶片(wafer-to-wafer)间是一致的，或者，换句话说，符合一定的重复性标准。例如，一些客户可能要求对于在一定变化范围内的不同工具(tool-to-tool)或不同晶片(wafer-to-wafer)所有的薄膜将被清除到距离晶片顶点一定距离，以及斜面蚀刻距离。斜面蚀刻距离重复性指的是在斜面蚀刻后，后斜面蚀刻基底对于给定工具有实质相同的斜面蚀刻距离的概念。

因此，如果从基底到基底(fromsubstratetosubstrate)，所有其他的斜面蚀刻配方参数不变，基底100的后斜面蚀刻结果将显示出，相较于基底150的点152处的去除材料量，在基底100的点102处有较少的材料去除。

在本发明的一个或一个以上的实施方式中，提供了表征基底斜面边缘轮廓和/或基底厚度的光学装置。然后，使用逻辑模块中的软件和/或硬件分析斜面边缘特征，以便得到前馈信息进而调整工艺参数。使用前馈信息调整工艺参数以便补偿从基底到基底的前斜面蚀刻变化。通过适当的工艺参数调整，能获得改进的斜面蚀刻重复性。

在一个或一个以上的实施方式中，使用包括一个或一个以上光源和传感器的光学装置确定不同基底中斜面边缘变化(包括斜面边缘形状和/或尺寸变化)。然后，该斜面边缘变化可用于确定前馈修正参数以确保从基底到基底的斜面蚀刻结果中的重复性。该修正参数包括，例如，改变斜面蚀刻时间，斜面蚀刻化学因素(chemistry)，电极间隙，RF功率水平，压力，等。

在一个实施方式中，该光学装置包括摄像头，该摄像头与基底位于同一平面上并且相切地指向基底的斜面边缘以便捕捉基底斜面边缘侧面轮廓的图像。例如，可作为前斜面蚀刻准备的一部分实施该图像捕捉。如果需要，可用合适的光源照射基底斜面边缘，如LED模块或一些其它光源。然后，分析该斜面侧面轮廓以确定前馈修正参数，确保从基底到基底的斜面蚀刻重复性。

在一个或一个以上的实施方式中，该光学装置包括放置的镜子，以便让摄像头位于基底上方，与基底共面，或除了与基底共面的其它位置，以捕捉基底斜面边缘侧面轮廓的图像。在某些系统中，可能存在摄像头以协助相对于室加工中心的基底定位和/或校正机械臂。外加一个或一个以上的镜子，可使用同一摄像头以捕捉斜面边缘的侧面轮廓图像，从而确定前馈修正参数以确保从基底到基底的斜面蚀刻重复性。

在一个或一个以上的实施方式中，该光学装置包括从远程光源照射基底斜面边缘的光纤和/或从远程摄像头捕捉斜面边缘侧面轮廓图像的光纤。以这种方式使用一个或一个以上的光纤消除了定位传感器(例如，摄像头)和/或照射光源的视线要求。

在一个或一个以上的实施方式中，该光学装置包括激光光源和传感器阵列，当激光光束被斜面边缘反弹回来时，放置的传感器接收反射光束。根据在光束入射点处的锥形化的程度，该反射光束照在传感器阵列中的特定传感器上。通过确定被激活的传感器并推断出光束的反射角，可获得关于在光束入射点处的斜面边缘锥形角的信息。然后，使用这种关于斜面边缘锥形化的信息以确定前馈修正参数，确保从基底到基底的斜面蚀刻重复性。

可使用确定基底中斜面边缘变化的其他光学装置，并且由权利要求决定的所主张的本发明不局限于本文所讨论的任何特定示例。例如，可使用两个或两个以上不同颜色和/或不同偏振角的激光器，以确定在一个或一个以上实施方式中的斜面边缘锥形化(taper)。

可参照下述图形和讨论更好地理解本发明的实施方式的特征和优势。图2为根据一个或一个以上实施方式所示的斜面边缘检测装置200的俯视图，该装置包括可选的光源202和摄像头204，如图所示。放置光源202以照射基底208的斜面边缘206，允许共面的摄像头204捕捉该斜面边缘的侧面轮廓，该轮廓如图1A和1B所示。共面摄像头204相切地(tangentially)指向基底外缘，使得摄像头204能够捕捉该斜面边缘的侧面轮廓。然后，通过逻辑模块(未显示)的软件和/或硬件分析该侧面轮廓，以确定前馈补偿因数。

图3A和图3B所示为根据本发明的一个或一个以上实施方式的简单表征方法，该方法用于确定所需的前馈修正参数以便改进从基底到基底的斜面蚀刻重复性。在图3A和图3B中显示了两个不同基底300和350的两个斜面边缘302和352的侧面轮廓图像。使用模式识别软件把基底面积从非基底面积中区别出来。通过确定由基底外缘末端已知宽度W和在离基底外缘末端的距离W处确定的基底的厚度T形成的矩形框进一步处理该图像。关于图3A，显示了具有宽度W和厚度T(a)的矩形框310。在图3B中，显示了具有宽度W和厚度T(b)的矩形框360。

然后，确定斜面边缘302的填充因数(fillfactor)。填充因数(FF)的计算为矩形框310中的基底面积(A_(substrate))除以矩形框310的总面积(A_(frame))的比率。同样，通过矩形框360中划分的基底面积(A_(substrate))除以矩形框360的总面积(A_(frame))来确定斜面边缘352的填充因数。由于基底300的斜面边缘302的锥形化程度小于基底350的斜面边缘352的锥形化程度，所以与基底300的斜面边缘302有关的填充因数大于与基底350的斜面边缘352有关的填充因数。

在这种情况下，理论上认为基底350的斜面边缘352的较大程度的锥形化和圆锥形倾向于允许圆环形等离子体云周围较多的等离子体蚀刻剂朝向基底350的中心到达较深处。相反，基底300的斜面边缘302的相对不足的锥形化和更像箱子的形状倾向于允许圆环形等离子体云周围较少的等离子体蚀刻剂到达基底300的中心。因此，在所有其他参数相同的情况下，图3B中基底350上的位置354处的蚀刻速率将倾向于大于图3A中基底300上的位置304处的蚀刻速率。通过对填充因数的认知，可调整一个或一个以上的补偿因数以提高基底300上的位置304处的蚀刻速率和/或降低基底350上的位置354处的蚀刻速率，以便改进基底300和基底350之间斜面蚀刻重复性。同样，除了通过调整工艺参数来调整在位置304和354处的蚀刻速率，也可以通过调整加工时间，使得晶片300和350的蚀刻距离更具有可比性，该蚀刻距离定义为晶片顶点和在所有沉积的薄膜清楚处的晶片半径之间的长度。

应注意，图像分析的附带好处是每个基底的斜面边缘厚度(例如，T(a)和T(b))的确定。也可使用这个厚度参数来确定第二补偿因数(例如，对于电极间隙距离，RF功率，蚀刻时间，蚀刻化学因素，压力，等)，以便进一步改进基底中的斜面蚀刻重复性。

图4A和图4B所示为根据本发明的一个或一个以上实施方式的装置400，该装置获取基底斜面边缘的侧面轮廓图像，以达到得到补偿因数的目的，进而改进基底中的斜面蚀刻重复性。图4A为装置400的俯视图，而图4B为同一装置400的基底斜面边缘的直视图。

参照图4A，显示了装置400包括光源402和基底404。为了容易理解，镜子，摄像头，和附加的光源从图4A中忽略，但在图4B中清楚显示。图4A中的箭头406说明了导致图4B表现的视图方向，如果观察者的眼睛跟随箭头406的方向朝基底404的斜面边缘看去。

参照图4B，现在该视图朝向基底404的斜面边缘，基底404的定位平面在眼睛水平线上并且不在纸面。再次显示光源402。光源402照射基底404的斜面边缘，如图4A和4B所示。光源402，镜子410，镜子414，摄像头416和测量面积422在同一虚平面中(图4A中虚线420所示)。

放置在头顶上的摄像头416从光源402接收光照射。来自被照射的斜面边缘的光从镜子410,412和镜子414反射通过摄像头416接收。在这种方式下，可获取基底404斜面边缘的侧面轮廓图像。对于这种测量，光源430是关闭的。

在一个或一个以上的实施方式中，镜子414可用半透明镜来实施。在这种情况下，也可用摄像头416查看斜面边缘的上表面和/或获取该斜面的厚度。例如，可使用光源430给斜面边缘的上表面(通过从半透明镜414的反射)提供光。然后，可使用摄像头416来获取该斜面的厚度。对于这种测量，光源402是关闭的。因此，根据是光源402或430的打开，可使用摄像头406来获取斜面边缘的侧面轮廓图像或获取在斜面蚀刻完成后关于蚀刻距离的信息。

一旦获得图像，可开始分析来得到上述补偿因数。

图5所示为根据本发明的一个或一个以上的实施方式的装置502，该装置获取基底斜面边缘的侧面轮廓图像，以达到得到补偿因数，进而改进基底中的斜面蚀刻重复性的目的。放置激光光源504来反弹激光光束506离开基底510的斜面边缘508。该反射光束512照在传感器阵列520中的一个或一个以上的传感器上。有关哪个传感器接收了反射光束的信息以及有关激光光源504和传感器阵列520相对位置的信息将提供有关基底510的斜面边缘508的锥形化程度的信息。然后，可使用这个信息来得到补偿因数，进而改进从基底到基底的斜面蚀刻重复性。如果需要，对于传感器阵列520可使用具有不同波长和/或偏振的多个激光器。进一步，激光光源504和传感器阵列520的方向和位置仅是作例证的，其他的方向和位置也是可能的。

图6所示为根据本发明的一个或一个以上实施方式的方法，该方法用于获得与基底斜面边缘有关的侧面轮廓信息以及用于改进从基底到基底的斜面蚀刻重复性。在步骤602中，提供了光学装置。在步骤604中从该光学装置获得与基底斜面边缘有关的该侧面轮廓信息。在步骤606中，分析该侧面轮廓信息以生成前馈补偿数据。在步骤608中，使用该前馈补偿数据来调整工艺参数以便提供晶片中的斜面蚀刻重复性。

从上述可以看出，本发明的实施方式提供了确定基底斜面边缘的斜面形状和/或厚度，从而使前馈补偿因数的计算能够进行的方法和装置。然后使用这些补偿因数来调整一个或一个以上的斜面蚀刻工艺参数(例如斜面蚀刻时间，斜面蚀刻化学因素，电极间隙，RF功率水平，压力，等)，进而改进从基底到基底的斜面蚀刻重复性。

虽然本发明依照几个优选的实施方式来描述，但是有落在本发明的范围内的变更，交换，以及等同。虽然此处提供了各种实例，但是这些实例是说明性的并不限制本发明。例如，尽管讨论了作为一个斜面边缘特征而确定的填充因数以达到计算补偿因数的目的，但是也可使用其他特征例如斜面斜度，形状等。对于另一实例，尽管讨论了作为确定斜面边缘特征可能技术的光学摄像头和激光传感器以达到计算补偿因数的目的，但是也可使用其他技术如条纹计数。同样的，此处提供的题目是为了方便，而不能用于构成此处权利要求的范围。如果此处使用了术语“组”，这个术语具有其通常理解的数学涵义，包括零，一，或多于一。应注意，有许多实施本发明的方法和装置的替换方式。

Claims (12)

1.与基底斜面蚀刻结合实施的用于改进基底中斜面蚀刻重复性的方法，所述基底包括斜面边缘，所述方法包括：

使用第一光源，以平行于所述基底的上表面的方向提供第一光用于照射所述斜面边缘；

在所述照射所述斜面边缘的过程中获取所述斜面边缘的侧面轮廓图像；

使用所述斜面边缘的侧面轮廓图像确定所述斜面边缘的至少一斜面边缘特征；

从所述至少一斜面边缘特征得到至少一补偿因数，所述至少一补偿因数与斜面蚀刻工艺参数的调整有关；以及

使用所述至少一补偿因数实施所述斜面蚀刻,

其中所述至少一斜面边缘特征是填充因数，所述方法进一步包括将与所述斜面边缘的所述侧面轮廓图像相关联的矩形框中的基底面积除以与所述斜面边缘的所述侧面轮廓图像相关联的所述矩形框的总面积以计算所述填充因数；其中所述矩形框通过确定由基底外缘末端已知宽度W和在离基底外缘末端的距离W处确定的基底的厚度T来定义。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述获取包括使用与所述基底共面地设置的摄像头并且相切地指向所述斜面边缘以获得所述斜面边缘的所述侧面轮廓图像，所述斜面边缘设置在所述摄像头和所述第一光源之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述斜面蚀刻工艺参数是斜面蚀刻时间、斜面蚀刻化学因素、电极间的间隙、RF功率、RF频率和室压中的一个。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用一个或多个镜子来反射来自被照射的斜面边缘的光以通过摄像头接收，所述一个或多个镜子与所述基底分开，其中所述获取包括使用设置在所述基底上方的所述摄像头以获取所述斜面边缘的侧面轮廓。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括在所述获取的过程中关闭用于给所述斜面边缘的上表面提供光的第二光源。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述一个或多个镜子包括至少三个镜子。

7.改进基底中斜面蚀刻重复性的设备，所述基底包括斜面边缘，所述设备包括：

第一光源，其设置为以平行于所述基底的上表面的方向提供第一光用于照射所述斜面边缘，在所述照射所述斜面边缘的过程中获取所述斜面边缘的侧面轮廓图像，以使用所述斜面边缘的侧面轮廓图像确定斜面边缘的至少一斜面边缘特征；

逻辑模块，其从所述至少一斜面边缘特征得到至少一补偿因数，所述至少一补偿因数与斜面蚀刻工艺参数的调整有关；以及

等离子体加工室，其使用所述至少一补偿因数实施所述斜面蚀刻，

其中所述至少一斜面边缘特征是填充因数，通过将与所述斜面边缘的所述侧面轮廓图像相关联的矩形框中的基底面积除以与所述斜面边缘的所述侧面轮廓图像相关联的所述矩形框的总面积来计算所述填充因数；其中所述矩形框通过确定由基底外缘末端已知宽度W和在离基底外缘末端的距离W处确定的基底的厚度T来定义。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述获取包括使用与所述基底共面地设置的摄像头并且相切地指向所述斜面边缘以获得所述斜面边缘的所述侧面轮廓图像，所述斜面边缘设置在所述摄像头和所述第一光源之间。

9.根据权利要求7所述的设备，其中所述斜面蚀刻工艺参数是斜面蚀刻时间、斜面蚀刻化学因素、电极间的间隙、RF功率、RF频率和室压中的一个。

10.根据权利要求7所述的设备，其进一步包括使用一个或多个镜子来反射来自被照射的斜面边缘的光以通过摄像头接收，所述一个或多个镜子与所述基底分开，其中所述获取包括使用设置在所述基底上方的所述摄像头以获取所述斜面边缘的侧面轮廓。

11.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括第二光源。

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述一个或多个镜子包括至少三个镜子。