CN102460751A - 固态照明设备 - Google Patents

固态照明设备 Download PDF

Info

Publication number
CN102460751A
CN102460751A CN2010800304863A CN201080030486A CN102460751A CN 102460751 A CN102460751 A CN 102460751A CN 2010800304863 A CN2010800304863 A CN 2010800304863A CN 201080030486 A CN201080030486 A CN 201080030486A CN 102460751 A CN102460751 A CN 102460751A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrical lead
light emission
encapsulation
body construction
lateral wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800304863A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102460751B (zh
Inventor
C·P·胡塞尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kerui Led Co
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of CN102460751A publication Critical patent/CN102460751A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102460751B publication Critical patent/CN102460751B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12032Schottky diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making

Abstract

一种光发射封装包括至少一个固态发射器、引线框架、以及包围引线框架的一部分的本体结构。至少一个孔隙限定于电引线中以限定多个电引线段,并且空隙的至少一部分布置于封装的外侧壁的外侧。凹陷可限定于外侧壁中以接收电引线的弯曲部分。本体结构腔室可由底部以及由过渡壁部分所分开的侧壁部分和端壁部分所界定,过渡壁部分包括弯曲或分段的上缘,并且不同的壁部分以不用的倾斜角度布置。

Description

固态照明设备
技术领域
本发明涉及固态光发射器,其包括用于固态光发射器的封装以及结合有该封装的设备。
背景技术
固态光源可用来提供白色LED光(例如,察觉为白色或接近白色),如作为白炽灯的潜在替代品已经研究的。白色LED灯的典型示例包括由氮化镓(GaN)制成的涂覆有磷光体比如YAG的蓝色发光二极管芯片的封装。在这种LED灯中,蓝色发光二极管芯片产生大约450纳米波长的发射并且磷光体在接收到这个发射时产生峰值波长为大约550纳米的黄色荧光。从蓝色LED芯片发射的一部分蓝光穿过磷光体,同时从蓝色LED芯片发射的一部分蓝光由磷光体吸收,磷光体就被激励并且发射黄光。蓝光的被传递穿过磷光体的部分与由磷光体发射的黄光相混合。观察者将蓝色和黄色光线的混合察觉为白光。作为磷光体转变的白光的替代,红色、蓝色和绿色(RGB)固态发射器可组合地操作以产生察觉为白色的光线。
固态照明设备可包括例如有机或无机发光二极管(“LED”)或激光器。如上所述的封装的示例在美国专利申请公开No.2005/0269587、No.2004/0126913以及No.2004/0079957中公开,这些申请共同地转让给本发明的同一受让人。
已知将固态光源比如半导体光发射设备安装于封装中,封装可为由这种光源发出的光提供保护、颜色增强、聚焦以及其他用途。光发射模具封装的一个示例在美国专利No.7,456,499中公开,其包括至少一个光发射设备、模塑本体、包括多个引线的引线框架、散热器以及透镜,该专利共同地转让给本发明的同一受让人。模塑本体形成于引线框架的部分周围并且在设备的顶侧上限定开口,开口包围用于至少一个LED设备的安装垫。
尽管市场中有各种固态发光封装可用,但是仍然需要适合于固态照明器具的改进封装,以增强光线输出性能,增强热性能,提高设备可靠性以及促进生产的容易性。
发明内容
本发明涉及固态光发射器,包括用于固态光发射器的封装和具有该发射器的设备,以及用于形成固态光发射器设备的方法。
在一个方面,本发明涉及一种适合与至少一个固态发射器一起使用的光发射封装,该封装包括:(A)限定至少一个电引线的引线框架;以及(B)包围引线框架的至少一部分的本体结构,该本体结构限定至少一个外侧壁;其中所述至少一个电引线的第一电引线包括多个延伸穿过所述至少一个外侧壁的第一电引线段,其中每个第一电引线段沿着所述至少一个外侧壁由至少一个第一孔隙与每个其他第一电引线段分开,并且所述至少一个第一孔隙的至少一部分布置于所述至少一个外壁的外侧。
在另一个方面,本发明涉及一种适合与至少一个固态发射器一起使用的光发射封装,该封装包括:(A)限定至少一个电引线的引线框架;以及(B)包围引线框架的至少一部分的本体结构,该本体结构限定至少一个外侧壁;其中所述至少一个电引线延伸穿过所述至少一个外侧壁;并且其中所述至少一个外侧壁限定至少一个布置为接收所述至少一个电引线的弯曲部分的凹陷。
在又一个方面,本发明涉及一种制造适合与至少一个固态发射器一起使用的光发射封装的方法,该方法包括:(A)形成本体结构以(i)包围限定至少一个电引线的引线框架的至少一部分,和(ii)形成限定至少一个凹陷的至少一个外侧壁;以及(B)弯曲所述至少一个电引线以将所述至少一个电引线的至少一部分定位于所述至少一个凹陷内。这种弯曲可在本体结构形成之后执行。
本发明的又一个方面涉及一种制造适合与至少一个固态发射器一起使用的光发射封装的方法,该方法包括:(A)在引线框架中限定至少一个第一孔隙以产生多个与第一电引线相联系的第一电引线段;(B)形成本体结构以(i)包围引线框架的至少一部分以及(ii)形成至少一个外侧壁,其中在本体结构的所述形成时,每个第一电引线段沿着所述至少一个外侧壁由至少一个第一孔隙与每个其他第一电引线段分开,并且所述至少一个第一孔隙的至少一部分布置于所述至少一个外壁的外侧;以及(C)弯曲所述多个第一电引线段。这种弯曲可在本体结构形成之后执行。
本发明的再一个方面涉及一种光发射封装,其包括:(A)至少一个固态发射器;(B)与所述至少一个固态发射器热连通的散热器元件;(C)引线框架,其限定与所述至少一个固态发射器电连通的多个电引线;以及(D)本体结构,其包围引线框架的至少一部分并且布置为保持散热器元件,其中本体结构限定腔室,并且所述至少一个固态发射器布置于该腔室内;其中腔室由底部、侧壁部分、端壁部分以及过渡壁部分界定;其中过渡壁部分布置于每个相应的侧壁部分与端壁部分之间;并且其中每个侧壁部分和每个端壁部分包括基本上直的上缘,并且每个过渡壁部分包括从侧壁部分的上缘过渡至端壁部分的上缘的弯曲或分段的上缘。
在又一个方面,任何前述方面可组合以获得另外的优点。
本发明的其他方面、特点和实施例从随后的公开和所附权利要求中将更完全地显现。
附图说明
图1是示出根据本发明一个实施例的固态光发射封装的顶部、侧部以及端部的透视图。
图2是示出图1的固态光发射封装的底部、侧部以及端部的透视图。
图3是图1-2的固态光发射封装的顶面图。
图4是图1-3的固态光发射封装的侧视图。
图5是图1-4的固态光发射封装的底面图。
图6是图1-5的固态光发射封装的端视图。
图7是在完成图1-6的固态光发射封装的制造之前的封装子组件的顶面图。
图8A是图7的封装子组件的本体部分的简化示意性横截图,示出其侧壁或端壁部分的角度。
图8B是图7的封装子组件的本体部分的简化示意性横截图,示出其过渡壁部分的角度。
图9是图7的子组件的侧面横截图。
图10是示出图1-6的固态光发射封装的引线框架和散热器的顶部、侧部和端部以及图7-8的封装子组件的透视图。
图11是图10的引线框架和散热器的侧视图。
图12A是根据一个实施例并且可与如这里所公开的固态光发射封装一起使用的散热器的示意性横截图。
图12B是根据另一个实施例并且可与如这里所公开的固态光发射封装一起使用的散热器的示意性横截图。
图12C是根据本发明一个实施例的固态光发射封装的一部分的横截图,示出与图12A中所示实施例相类似的散热器。
图13是根据本发明另一个实施例的固态光发射封装的顶面图,为了示图的清楚性,封装在反射腔中缺少密封剂。
图14A是与图13的封装相类似的固态光发射封装的顶面图,但是在反射腔中包括密封剂。
图14B是示出图14A的固态光发射封装的顶部、侧部和端部的透视图。
具体实施方式
本发明现在将参照示出本发明实施例的附图在下文中更完全地描述。然而,本发明能以很多不同形式具体化并且不应当解释为限制于这里所阐明的具体实施例。相反,这些实施例提供来给本领域技术人员表达本发明的范围。在附图中,层和区域的尺寸和相对尺寸为了清楚的缘故可以放大。
将理解到,在比如层、区域或基片之类的元件被称作在另一个元件上或延伸到另一个元件上时,其能直接在另一个元件上或直接延伸到其上,或者可以存在中间元件。相反,在元件被称作直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上时,不存在中间元件。还将理解到,在元件被称作“连接”或“结合”至另一个元件时,其可直接连接或结合至另一个元件,或者可存在中间元件。相反,在元件被称作直接地连接或直接地结合至另一个元件时,不存在中间元件。
将理解到,虽然术语“第一”和“第二”在这里用来描述各种区域、层和/或部分,但是这些区域、层和/或部分应当不受到这些术语的限制。这些术语仅用来将一个区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分开。因而,在不脱离本发明的教导之下,下面讨论的第一区域、层或部分可称为第二区域、层或部分,并且类似地,第二区域、层或部分可称为第一区域、层或部分。
而且,相对的术语,比如“下”或“底”以及“上”或“顶”,可在此用来描述如图中所示的一个或多个元件与其他元件的关系。将理解到,相对术语将涵盖设备的除了附图中所示方位以外的不同方位。例如,如果附图中的设备颠倒,描述为位于其他元件“下”侧上的元件那么将定位于所述其他元件的“上”侧上。根据附图的具体方位,示例性术语“下”因此能涵盖“下”和“上”两个方位。类似地,如果一个附图中的设备颠倒,描述为在其他元件“下面”或在其他元件“之下”的元件那么将定位于所述其他元件的“上面”。术语“下面”或“之下”因此能涵盖上面和下面这两个方位。
除非另外限定,这里所使用的术语(包含科技术语)应当解释为具有如本发明所属技术领域的技术人员所共同理解到的相同意义。还将理解到,这里所使用的术语应当解释为具有与它们在本说明书和相关技术的内容中的意义相一致的意义,并且不应当以理想化或过度的形式解释,除非这里特意地如此限定。
如这里所使用的,术语固态光发射器或固态光发射设备可包括发光二极管、激光器二极管和/或其他半导体设备,这些半导体设备包括一个或多个可包括硅、碳化硅、氮化镓和/或其他半导体材料的半导体层、可包括刚玉、硅、碳化硅和/或其他微电子基片的基片、以及一个或多个可包括金属和/或其他传导材料的接触层。
根据本发明实施例的固态光发射设备可包括在碳化硅基片上制造的III-V氮化物(例如,氮化镓)基的LED或激光器,比如由北卡罗来纳州Durham的Cree公司制造和销售的那些设备。这种LED和/或激光器可构造为操作以使得光发射出现为穿过处于所谓“倒装”方位的基片。
固态光发射器可单独地或组合地使用,可选地与一种或多种发光材料(例如,磷光体、闪烁器、发光墨)和/或过滤器一起使用,以产生期望察觉颜色的光线(包括可察觉为白色的颜色的组合)。LED设备中包括发光(也称为“产生光的”)材料可通过将这种材料添加至密封剂、将这种材料添加至透镜或通过直接涂覆到LED上来实现。其他材料,比如扩散剂和/或指数匹配材料可包含于这种密封剂中。
现在参照图1-6,根据本发明某些实施例的固态光发射器封装100包括本体结构10,本体结构10限定包括六个固态发射器12A-12F的本体腔室(优选地是反射性的以构成反射腔)20。每个发射器12A-12F布置于沿着反射腔20的底部布置的散热器70的上表面71上(即,在其上面或与之相邻),并且每个发射器12A-12F布置为使用引线接合31、32与第一电导线51和第二电导线61电连通。在一个实施例中,发射器12A-12F可安装在布置于发射器12A-12F与散热器70之间的可选子装配台(未示出)上。散热器30经由本体部分19A、19B与电引线51、52分开(并且优选地与之电绝缘),并且适合于将热传导远离发射器12A-12F至散热器70的下表面72以便由此散热。布置于第一电引线51上并且具有相联系的引线接合33的静电放电保护设备9(例如,齐纳二极管,或替代地,陶瓷电容器、瞬时电压抑制(TVS)二极管、多层变阻器和/或肖特基二极管)也布置为与发射器12A-12F电连通。电引线51、61延伸穿过布置于本体结构10的相反端部处的外侧壁15、16,引线接头部分56、66在从封装100的中心部分向外的方向上延伸远离外侧壁15、16,以使得引线接头部分56、66将焊接或以其它方式连接至电源和散热器(未示出)以允许发射器12A-12F的操作。
本体结构10包括上表面11、下表面13以及外侧壁15-18。上表面11限定角部槽口1,并且下表面13可期望地包括包含散热器70的凹陷2,散热器的下表面72和下突起72A暴露。在一个实施例中,本体结构10具有基本上相等的长度和宽度(例如,如由外侧壁15-18表示的),以使得本体结构10具有方形足迹。在另一个实施例中,本体结构的长度和宽度可以不相等,因此本体结构具有矩形足迹,或本体结构10能以其他形状(例如,圆形)形成,包括与规则多边形(例如,八边形)相一致的足迹,或不构成规则多边形的其他形状的足迹。本体结构10优选地形成于引线框架50(限定电引线51、61)和散热器70周围(如图6中所示),并且本体结构10围住引线框架50的至少一部分并且布置为保持散热器元件70。散热器70的突起部分73、74可沿着本体结构10的侧壁17、18暴露。本体结构10可有利地使用优选地电绝缘的热塑料和/或热固性材料使用模塑工艺比如注塑形成。期望使用包含聚合物的材料来形成本体结构10,并且这种材料可选地被增强(例如,具有纤维、陶瓷或复合物)。本体结构的颜色可以是白色或明亮的以最小化封装100的黑暗外观。在某些实施例中,陶瓷和/或合成材料可用来代替聚合物来形成本体结构10。作为注塑的替代方案,可使用其他类型的模塑和/或成形工艺(例如,烧结)。本体结构10可包括上部10A和下部10B(例如,如可分别形成于上部和下部模具部分(未示出)中的)。反射腔20可形成为上部模具中的中心突起的颠倒物。
参照图3和图7,反射腔20从下面由底部(包括触点51、61的部分、本体部分19A、19B以及散热器70的上表面71)界定,并且沿着边缘由侧壁部分21A、21B、端壁部分22A、22B以及过渡壁部分24A-24D界定。过渡壁部分24A-24D布置于每个相应的侧壁部分21A、21B与端壁部分22A、22B之间。每个侧壁部分21A、21B和每个端壁部分22A、22B优选地包括基本上直的上缘,并且每个过渡壁部分24A-24D优选地包括从侧壁部分21A、21B的上缘过渡至端壁部分22A、22B的上缘的弯曲或分段的上缘。每个过渡壁部分24A-24D优选地相对于与反射腔的底部垂直的平面以比每个侧壁部分21A、21B和每个端壁部分22A、22B更大的平均角度倾斜。例如,图8A提供本体部分的简化示意性横截图,示出其侧壁部分或端壁部分相对于与本体腔室的底部垂直的平面的角度θ。类似地,图8B提供本体部分的简化示意性横截图,示出过渡壁部分相对于与本体腔室的底部垂直的平面的角度
Figure BPA00001496816300071
在一个实施例中,每个侧壁部分和每个端壁部分以至少大约20度,更优选地至少大约30度;最优选地至少大约40°的角度θ倾斜。在进一步的实施例中,角度θ可以是至少大约45°,或至少大约50°。在一个实施例中,每个过渡壁部分以至少大约30°,更优选地至少大约40度;最优选地至少大约50°的角度
Figure BPA00001496816300072
倾斜。在进一步的实施例中,角度
Figure BPA00001496816300073
可以是至少大约55°,或至少大约60°。侧壁部分21A、21B、端壁部分22A、22B以及过渡壁部分24A、24D的这种角度比固态发射器设备中通常使用的角度更大。虽然侧壁/端壁部分和过渡壁部分在图8A-8B中示出为从腔室的底部至封装的上缘成角,在替代实施例中,这些壁部分的任何一个或多个(或全部)可以具有分段的和/或弯曲的横截面,也就是,从封装的底部延伸至上缘的壁沿着其至少一部分是非线性的。如果这种壁是弯曲的或分段的,那么上面提到的倾斜角度可对应于弯曲的或分段的壁的平均角度,或这种壁的端点之间的角度。使用交替角度的侧壁部分21A、21B/端壁部分22A、22B以及过渡壁部分24A-24D使得反射腔室20的正面区域能相对于方形上表面11最大化,同时提供期望的扩散输出光束特性,尤其是在多个发射器布置于腔室20中时。
如前面所示的,本体结构10优选地形成于引线框架50和散热器70周围。参照图10-11,引线框架50包括第一电引线51和第二电引线61。每个电引线51、61包括中间端58、68、以及延伸远离发射器封装的中心点并且终止于远端59、69的引线接头部分56、66。每个电引线51、61限定至少一个用来分开多个电引线段51A-51B、61A-62B的孔隙52、62。在一个实施例中,每个电引线51、61可包括多个用来分开超过两个(例如,三个或多个)电引线段的孔隙。每个孔隙52、62的一部分优选地由本体结构的本体材料填充,每个孔隙52、62的另一部分布置于本体结构10的侧壁15、16的外侧,以使得各个电引线段51A-51B、61A-61B沿着本体结构10的外侧壁15、16由孔隙52、62与相应的电引线段51A-51B、61A-61B分开。每个电引线51、61包括第一弯头53、63,弯曲部分54、64(优选地基本上垂直于延伸穿过中间端部58、68的平面),以及过渡至每个电引线接头部分56、66的第二弯头55、65。每个孔隙52、62优选地至少延伸入每个第一弯头53、63。每个孔隙52、62提供多个好处。首先,每个孔隙52、62的中间部分由本体材料填充,并且因而用来促进电引线51、61在本体结构10内的可靠保持。第二,每个孔隙52、62用来减少经受弯曲以形成第一弯头53、63的引线材料(例如,金属)的量。这降低了形成第一弯头53、63所需的弯曲力的大小,这是在本体结构10形成于电引线51、61周围之后,在第一弯头53、63形成于每个电引线51、61中时特别期望的。弯曲优选地充分地执行以将每个电引线51、61的至少一部分定位于凹陷5、6中。
继续参照图10-11,散热器70包括上表面71和下表面72,下表面包括向下延伸的中心突起72A。散热器70沿着上表面71的端部限定上部突起73、74,这种上部突起73、74延伸穿过本体结构10的侧壁(如图1、2和4中所示)并且沿着其顶端暴露。散热器70的侧壁75还限定突起76、77,其促进散热器70由本体结构20的可靠保持(如图9中所示),并且还减少沿着本体结构10和散热器70之间的界面泄漏的可能性(例如,焊料在发射器封装100制造期间的泄漏,或布置于腔室20中的密封剂(未示出)在发射器封装100操作期间的泄漏)。沿着散热器70的侧壁75的这种突起76、77的数量、尺寸、形状和方位(例如,向上或向下成角度)可改变。
引线框架50可由第一平状金属片或其他传导性材料冲压。散热器70可由第二平状金属片或其他传导性材料冲压,第二片材优选地比第一片材要厚以使得所得到的散热器70能具有比电引线51、61显著要大的平均厚度。相对于电引线51、61的平均厚度,散热器70的平均厚度优选地是其至少两倍厚度,并且更优选地是其至少大约2.5倍厚度。多个引线框架可限定于单个第一片材中,并且多个散热器可限定于第二片材中,并且本体结构材料可形成于这种第一和第二片材周围以同时形成多个发射器封装子组件(例如,比如图8-9中所示的各个子组件)。弯头53、54、63、64可在本体结构形成之后限定于每个封装子组件的电引线51、61中。多个发射器封装子组件可通过在侧壁17、18和引线接头部分56、66的远端59、69附近切割而分离为各个封装子组件。这种切割沿着每个发射器封装100的侧壁17、18暴露散热器突起73、74的顶端。
参照图2、4和5,凹陷5、6优选地在本体结构10的外侧壁15、16中限定于引线51、61延伸穿过外侧壁15、16的位置附近(例如,在下面)。这种凹陷5、6优选地布置为接收每个电引线51、61的弯曲部分(或弯曲部分的至少一部分厚度)。每个凹陷5、6具有相对于对应外侧壁15、16的深度,并且每个凹陷5、6的深度优选地至少与电引线51、61的平均厚度一样大。凹陷5、6提供多个好处。首先,凹陷5、6消除了紧邻地布置于第一弯头53、63下面的材料的存在,从而降低当在引线框架50(包括电引线51、61)保持于本体结构10中之后形成第一弯头53、63时施加至本体结构10的应力。第二,凹陷5、6使得每个第一弯头53、63能具有更紧凑的弯曲半径并且减少或消除弯曲部分54、64相对于侧壁15、16的向外延伸(优选地基本上垂直于本体下表面13和电引线接头部分56、66),从而减少光发射封装100的有效足迹。发射器封装100的有效足迹的减少使得这种封装100能以更高的密度安装于底层基片(未示出)上,并且可选地与具有减小孔间隔的朗伯反射器或扩散器重叠(例如在背光显示设备比如LCD显示器内),从而增强发光性能,比如通过使得能具有更高的通量密度和/或更大的发光均匀性。
参照图12A,在一个实施例中,用于与固态发射器封装(例如,封装100)集成并一起使用的散热器170可包括上表面171、下表面172、下部突起部分172A、以及从侧壁175向外延伸的弯曲侧向突起176、177。图12C中的照片示出具有类似弯曲侧向突起的散热器的横截面。参照图12B,在另一个实施例中,散热器270可包括上表面271、下表面272、下部突起部分272A、以及从侧壁275向外且向上延伸的向上成角的侧向突起276、277。向下成角的侧向突起可用于类似的实施例中(未示出)。可使用前述侧向突起的任何组合。侧向突起可通过任何适合的制造方法形成,包括冲压、挤压、研磨等。在进一步的实施例中,侧向突起可由散热器的侧壁中的凹陷(未示出)替代或补充以提供类似的密封用途,并且这种凹陷可通过类似的方法形成。
图13示出与在上文描述的封装100类似的固态发射器封装300的顶面图照片。为了便于观察,这种封装300没有密封剂、扩散器和/或透镜材料(如不然的话可保持于腔室内以覆盖/保护发射器和引线接合,并且可选地与由发射器发射的光线相互作用),但是将理解到,如这里所公开的发射器封装可期望地包括密封剂、扩散器和/或透镜材料,可选地包括至少一个发光体(lumiphor)以便与由发射器发射的光线相互作用并且响应地发射不同波长的光线。根据本实施例的封装300就引线接合的布局(例如,静电放电设备的引线接合可延伸至第二触点,而不是接触用于发射器的引线接合)而言,以及就限定于电引线中的孔隙的尺寸而言,与根据前述实施例的封装100不同。与限定于电引线51、61中的孔隙52、62相比,图13中示出的孔隙更大。
图14A-14B示出与图13所示的封装300类似的固态光发射封装300A,但是封装300A包括布置于腔室(其包括发射器)内的密封剂材料399,并且布置于封装300中的引线接合布置与前述实施例中所示的引线接合布置不同。
如这里所述的一个或多个固态发射器封装可集成入不同类型的照明装置中,包括LCD显示器和用于其的背光。在一个实施例中,一种外壳包括封闭的空间以及如这里所述的至少一个固态发射器封装或照明设备,其中在将电流供应至电源线时,所述至少一个照明设备照亮封闭空间的至少一部分。在另一个实施例中,一种结构包括表面以及至少一个如这里所公开的固态发射器封装或照明设备,其中在将电流供应至电源线时,照明设备照亮表面的至少一部分。在另一个实施例中,如这里所公开的固态发射器封装或照明设备可用来照亮包括以下中的至少一个的区域:游泳池、房间、仓库、指示器、道路、车辆、路标、广告牌、轮船、玩具、电子设备、家用或工业电器、船只以及飞机、运动场、树木、窗户、庭院以及路灯柱。
虽然本发明在此已经参照本发明的具体方面、特点和示例性实施例进行描述,但是将明白到,本发明的用途并未因而受到限制,而是延伸并且涵盖众多其他的变化、变型以及替代实施例,如基于这里的公开将给予本发明所属领域的技术人员所暗示的。相应地,如下文中声明的发明将宽泛地构造和解释为包括落入其精神和范围内的所有这种变化、变型和替代实施例。

Claims (45)

1.一种适于与至少一个固态发射器一起使用的光发射封装,该封装包括:
限定至少一个电引线的引线框架;以及
包围引线框架的至少一部分的本体结构,该本体结构限定至少一个外侧壁;
其中所述至少一个电引线中的第一电引线包括多个延伸穿过所述至少一个外侧壁的第一电引线段,其中每个第一电引线段与每个其他第一电引线段沿着所述至少一个外侧壁由至少一个第一孔隙分开,并且所述至少一个第一孔隙的至少一部分布置于所述至少一个外壁的外侧。
2.根据权利要求1的光发射封装,其中所述至少一个第一孔隙包括多个第一孔隙。
3.根据权利要求1的光发射封装,其中所述至少一个第一孔隙的所述至少一部分由本体结构内的本体材料填充。
4.根据权利要求1的光发射封装,其中所述至少一个电引线包括第二电引线,并且第二电引线包括多个延伸穿过所述至少一个外侧壁的第二电引线段,其中每个第二电引线段与每个其他第二电引线段沿着外侧壁由至少一个第二孔隙分开,并且所述至少一个第二孔隙的至少一部分布置于所述至少一个外壁的外侧。
5.根据权利要求4的光发射封装,其中第一电引线延伸穿过所述至少一个外侧壁中的第一外侧壁,并且第二电引线延伸穿过所述至少一个外侧壁中的第二外侧壁。
6.根据权利要求1的光发射封装,其中所述至少一个电引线包括弯曲部分。
7.根据权利要求6的光发射封装,其中所述至少一个外侧壁限定至少一个凹陷,所述凹陷布置为接收所述至少一个电引线的弯曲部分。
8.根据权利要求7的光发射封装,其中所述至少一个电引线包括在从封装的中心部分向外的方向上延伸远离所述至少一个外侧壁的远端部分。
9.根据权利要求1的光发射封装,还包括适于将热从至少一个固态发射器传导走的散热器元件,其中该散热器元件由本体结构保持。
10.根据权利要求9的光发射封装,其中散热器元件具有比引线框架的平均厚度实质上更大的平均厚度。
11.根据权利要求9的光发射封装,其中本体结构通过模塑形成以包围引线框架的至少一部分并且接触散热器元件。
12.根据权利要求9的光发射封装,其中散热器元件与所述至少一个电引线电绝缘。
13.根据权利要求1的光发射封装,其中本体结构限定腔室,并且光发射封装还包括布置于该腔室内的至少一个固态发射器。
14.根据权利要求13的光发射封装,其包括与所述至少一个固态发射器电连通的静电放电保护设备。
15.根据权利要求13的光发射封装,还包括子安装台,其中所述至少一个固态发射器安装至子安装台。
16.一种照明装置,其包括至少一个根据权利要求1的光发射封装。
17.一种适于与至少一个固态发射器一起使用的光发射封装,该封装包括:
限定至少一个电引线的引线框架;以及
包围引线框架的至少一部分的本体结构,该本体结构限定至少一个外侧壁;
其中所述至少一个电引线延伸穿过所述至少一个外侧壁;并且
其中所述至少一个外侧壁限定至少一个凹陷,所述凹陷布置为接收所述至少一个电引线的弯曲部分。
18.根据权利要求17的光发射封装,其中所述至少一个电引线包括延伸穿过所述至少一个外侧壁中的第一外侧壁的第一电引线,并且包括延伸穿过所述至少一个外侧壁中的第二外侧壁的第二电引线。
19.根据权利要求17的光发射封装,其中所述至少一个凹陷包括相对于所述至少一个外侧壁的深度,并且所述至少一个凹陷的深度至少与所述至少一个电引线的平均厚度一样大。
20.根据权利要求17的光发射封装,其中所述至少一个电引线包括在从封装的中心部分向外的方向上延伸远离所述至少一个外侧壁的远端部分。
21.根据权利要求17的光发射封装,其中:
所述至少一个电引线中的第一电引线包括多个延伸穿过所述至少一个外侧壁的第一电引线段,其中每个第一电引线段与每个其他第一电引线段沿着所述至少一个外侧壁由至少一个第一孔隙分开,并且所述至少一个第一孔隙的至少一部分布置于所述至少一个外壁的外侧。
22.根据权利要求17的光发射封装,还包括适于将热从至少一个固态发射器传导走的散热器元件,其中该散热器元件由本体结构保持。
23.根据权利要求22的光发射封装,其中散热器元件具有比引线框架的平均厚度实质上更大的平均厚度。
24.根据权利要求22的光发射封装,其中本体结构通过模塑形成以包围引线框架的至少一部分并且接触散热器元件。
25.根据权利要求22的光发射封装,其中散热器元件与所述多个电引线电绝缘。
26.根据权利要求17的光发射封装,其中本体结构限定腔室,并且光发射封装还包括布置于该腔室内的至少一个固态发射器。
27.根据权利要求26的光发射封装,其包括与所述至少一个固态发射器电连通的静电放电保护设备。
28.根据权利要求26的光发射封装,还包括子安装台,其中所述至少一个固态发射器安装至子安装台。
29.一种照明装置,其包括至少一个根据权利要求17的光发射封装。
30.一种制造光发射封装的方法,所述光发射封装适于与至少一个固态发射器一起使用,该方法包括:
形成本体结构以(i)包围限定至少一个电引线的引线框架的至少一部分,以及(ii)形成限定至少一个凹陷的至少一个外侧壁;以及
弯曲所述至少一个电引线以将所述至少一个电引线的至少一部分定位于所述至少一个凹陷内。
31.根据权利要求30的方法,还包括在引线框架中限定至少一个第一孔隙以产生多个第一电引线段,其中在形成本体结构时,每个第一电引线段与每个其他第一电引线段沿着所述至少一个外侧壁由所述至少一个第一孔隙分开,并且所述至少一个第一孔隙的至少一部分布置于所述至少一个外壁的外侧。
32.根据权利要求30的方法,其中所述形成本体结构还包括将散热器保持在本体结构的一部分内。
33.根据权利要求30的方法,其中所述形成本体结构包括模塑。
34.根据权利要求30的方法,其中所述弯曲所述至少一个电引线在所述形成本体结构之后执行。
35.一种制造光发射封装的方法,所述光发射封装适于与至少一个固态发射器一起使用,该方法包括:
在引线框架中限定至少一个第一孔隙以产生与第一电引线相联系的多个第一电引线段;
形成本体结构以(i)包围引线框架的至少一部分以及(ii)形成至少一个外侧壁,其中在所述形成本体结构时,每个第一电引线段与每个其他第一电引线段沿着所述至少一个外侧壁由所述至少一个第一孔隙分开,并且所述至少一个第一孔隙的至少一部分布置于所述至少一个外壁的外侧;以及
弯曲所述多个第一电引线段。
36.根据权利要求35的方法,其中所述形成本体结构还包括将散热器保持在本体结构的一部分内。
37.根据权利要求35的方法,其中所述形成本体结构包括模塑。
38.根据权利要求35的方法,其中所述弯曲所述多个第一电引线在所述形成本体结构之后执行。
39.根据权利要求35的方法,其中所述形成所述至少一个外侧壁包括在所述至少一个外壁中限定至少一个凹陷,并且所述弯曲所述多个第一电引线被充分地执行以将第一电引线的至少一部分定位于所述至少一个凹陷中。
40.一种光发射封装,其包括:
至少一个固态发射器;
与所述至少一个固态发射器热连通的散热器元件;
引线框架,其限定与所述至少一个固态发射器电连通的多个电引线;以及
本体结构,其包围引线框架的至少一部分并且布置为保持散热器元件,其中本体结构限定腔室,并且所述至少一个固态发射器布置于该腔室内;
其中腔室由底部、侧壁部分、端壁部分以及过渡壁部分界定;
其中过渡壁部分布置于每个相应的侧壁部分与端壁部分之间;并且
其中每个侧壁部分和每个端壁部分包括实质上直的上缘,并且每个过渡壁部分包括从侧壁部分的上缘过渡至端壁部分的上缘的弯曲或分段的上缘。
41.根据权利要求40的光发射封装,其中,相对于与底部垂直的平面,每个过渡壁部分以比每个侧壁部分和每个端壁部分更大的平均角度倾斜。
42.根据权利要求40的光发射封装,其中每个侧壁部分和每个端壁部分相对于与底部垂直的平面以至少大约40°的角度倾斜。
43.根据权利要求40的光发射封装,其中每个过渡壁部分包括相对于与底部垂直的平面以至少大约50度的角度倾斜的至少一段。
44.根据权利要求40的光发射封装,其中本体结构具有实质上相等的长度和宽度。
45.根据权利要求40的光发射封装,其中所述至少一个固态发射器包括多个固态发射器。
CN201080030486.3A 2009-06-05 2010-05-19 固态照明设备 Active CN102460751B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/479,318 2009-06-05
US12/479,318 US7923739B2 (en) 2009-06-05 2009-06-05 Solid state lighting device
PCT/US2010/035379 WO2010141215A2 (en) 2009-06-05 2010-05-19 Solid state lighting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102460751A true CN102460751A (zh) 2012-05-16
CN102460751B CN102460751B (zh) 2015-07-08

Family

ID=42221958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080030486.3A Active CN102460751B (zh) 2009-06-05 2010-05-19 固态照明设备

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7923739B2 (zh)
EP (1) EP2438631B1 (zh)
JP (1) JP2012529176A (zh)
KR (1) KR20120015362A (zh)
CN (1) CN102460751B (zh)
WO (1) WO2010141215A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103325924A (zh) * 2013-06-06 2013-09-25 成卓 一种大可视角度平滑图像led灯
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008048259A1 (de) * 2008-09-22 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauteil
US8598602B2 (en) * 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
US7923739B2 (en) 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8610156B2 (en) 2009-03-10 2013-12-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8860043B2 (en) * 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
US7932532B2 (en) * 2009-08-04 2011-04-26 Cree, Inc. Solid state lighting device with improved heatsink
US9743521B2 (en) * 2009-09-17 2017-08-22 Philips Lighting Holding B.V. Light-source module and light-emitting device
KR101039930B1 (ko) * 2009-10-23 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8648359B2 (en) * 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
US8269244B2 (en) * 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
US8530909B2 (en) 2010-12-27 2013-09-10 Micron Technology, Inc. Array assemblies with high voltage solid state lighting dies
KR101725221B1 (ko) * 2011-01-20 2017-04-11 삼성전자 주식회사 발광 다이오드 패키지용 몰드 구조체
TW201251140A (en) 2011-01-31 2012-12-16 Cree Inc High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion
KR101812761B1 (ko) * 2011-03-02 2017-12-28 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지
TW201251132A (en) * 2011-05-03 2012-12-16 Cree Inc Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
US8901578B2 (en) * 2011-05-10 2014-12-02 Rohm Co., Ltd. LED module having LED chips as light source
KR101212654B1 (ko) * 2011-05-20 2012-12-14 (주)라이타이저코리아 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조 방법
JP5893868B2 (ja) 2011-08-12 2016-03-23 シャープ株式会社 発光装置
WO2013036481A2 (en) 2011-09-06 2013-03-14 Cree, Inc. Light emitter packages and devices having improved wire bonding and related methods
US8575645B2 (en) * 2011-11-22 2013-11-05 GEM Weltronics TWN Corporation Thin multi-layer LED array engine
TW201330332A (zh) * 2012-01-02 2013-07-16 Lextar Electronics Corp 固態發光元件及其固態發光封裝體
US20130256704A1 (en) * 2012-03-29 2013-10-03 Yuchun Hsiao LED, Backlight Module, and LCD Device
CN103367344B (zh) * 2012-04-11 2016-04-27 光宝电子(广州)有限公司 连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条
KR101957884B1 (ko) * 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
JP2014127560A (ja) * 2012-12-26 2014-07-07 Kyocera Connector Products Corp 半導体発光素子用ホルダ、半導体発光素子モジュール、照明器具、及び半導体発光素子用ホルダの製造方法
US10142018B2 (en) * 2013-03-06 2018-11-27 Cree, Inc. Visible light communication via solid state lighting devices
KR102332218B1 (ko) * 2015-03-18 2021-11-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 이를 구비한 카메라 모듈
US9831143B2 (en) * 2015-09-01 2017-11-28 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Air cavity package
KR102522590B1 (ko) * 2016-03-25 2023-04-17 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR102509053B1 (ko) * 2016-03-25 2023-03-17 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 조명 장치
EP3223322B1 (en) * 2016-03-25 2019-05-01 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
KR102522811B1 (ko) * 2016-03-25 2023-04-18 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 조명 장치
US10199303B1 (en) 2017-08-07 2019-02-05 Nxp Usa, Inc. Molded air cavity packages and methods for the production thereof
JP6822442B2 (ja) * 2018-03-01 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
CN113545171A (zh) * 2018-12-05 2021-10-22 亮锐有限责任公司 照明模块的载体基座模块
CN109494260B (zh) * 2018-12-28 2024-04-05 山东省半导体研究所 一种oj芯片大功率瞬态抑制保护二极管及其制作方法
US20230387356A1 (en) * 2022-05-31 2023-11-30 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with lead frame structures for flip-chip mounting of light-emitting diode chips

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070262328A1 (en) * 2006-05-10 2007-11-15 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and a method for producing the same
JP2007335762A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2008091792A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置
CN201054361Y (zh) * 2007-05-11 2008-04-30 凯鼎科技股份有限公司 发光二极管
JP2008147611A (ja) * 2006-11-13 2008-06-26 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
EP1756879B1 (en) * 2004-06-04 2009-01-07 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
CN101432896A (zh) * 2006-04-27 2009-05-13 克里公司 用于半导体发光器件封装的子基板和包括其的半导体发光器件封装

Family Cites Families (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US34861A (en) 1862-04-01 Improved washing-machine
US4679118A (en) 1984-08-07 1987-07-07 Aavid Engineering, Inc. Electronic chip-carrier heat sinks
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
JP3154368B2 (ja) 1994-02-25 2001-04-09 新東工業株式会社 ガス硬化式鋳型造型装置
AU2231795A (en) * 1994-04-14 1995-11-10 Olin Corporation Electronic package having improved wire bonding capability
US5523589A (en) 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
JP3255646B2 (ja) 1997-02-10 2002-02-12 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH10308536A (ja) * 1997-05-06 1998-11-17 Mitsubishi Cable Ind Ltd Ledライン光源
DE19755734A1 (de) 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
US6335548B1 (en) 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
CA2396499A1 (en) 1999-12-24 2001-07-05 Gedib Ingenieurburo Und Innovationsberatung Compressing device for performing compression operations on shaped bodies made of grainy materials
US6877780B2 (en) 2000-06-23 2005-04-12 Breeze-Torca Products, Llc Clamp for joining tubular bodies
JP4926337B2 (ja) 2000-06-28 2012-05-09 アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 光源
JP3718131B2 (ja) 2001-03-16 2005-11-16 松下電器産業株式会社 高周波モジュールおよびその製造方法
JP4066608B2 (ja) * 2001-03-16 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及びその製造方法
DE10117889A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US6949771B2 (en) 2001-04-25 2005-09-27 Agilent Technologies, Inc. Light source
US7384419B2 (en) * 2002-08-26 2008-06-10 Biolase Technology, Inc. Tapered fused waveguide for delivering treatment electromagnetic radiation toward a target surfaced
US6498355B1 (en) 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US6936855B1 (en) 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
JP4211359B2 (ja) 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
KR101007164B1 (ko) 2003-03-14 2011-01-12 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 장치
JP4645071B2 (ja) 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
USD511329S1 (en) 2003-07-09 2005-11-08 Nichia Corporation Light emitting diode
JP4062334B2 (ja) 2003-08-26 2008-03-19 住友電気工業株式会社 発光ダイオード
JP4654577B2 (ja) 2003-12-22 2011-03-23 パナソニック電工株式会社 光電変換素子実装用セラミックス基板
JP4325412B2 (ja) 2004-01-21 2009-09-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US7791061B2 (en) 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
US7402842B2 (en) * 2004-08-09 2008-07-22 M/A-Com, Inc. Light emitting diode package
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
JP5192811B2 (ja) 2004-09-10 2013-05-08 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ
JP2006093470A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Toshiba Corp リードフレーム、発光装置、発光装置の製造方法
EP1825524A4 (en) * 2004-12-16 2010-06-16 Seoul Semiconductor Co Ltd CONNECTION GRID COMPRISING A THERMAL DISSIPATOR SUPPORT RING, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING USING THE SAME, AND LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING MADE THEREBY
US7224047B2 (en) 2004-12-18 2007-05-29 Lsi Corporation Semiconductor device package with reduced leakage
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US7777247B2 (en) 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
WO2006095949A1 (en) 2005-03-11 2006-09-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Led package having an array of light emitting cells coupled in series
KR100591687B1 (ko) 2005-05-06 2006-06-22 럭스피아 주식회사 칼라게멋을 향상한 멀티-칩 발광다이오드 패키지 및 이를채용한 백라이트 유닛
KR101186644B1 (ko) * 2005-06-27 2012-09-28 서울반도체 주식회사 직렬접속된 발광셀 어레이를 갖는 발광다이오드 칩을탑재한 발광다이오드 패키지
EP1899435A4 (en) 2005-07-01 2010-06-02 Lamina Lighting Inc LIGHTING DEVICE WITH WHITE LIGHT EMITTING DIODES AND DIODE ARRANGEMENTS AND METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING THEM
US7550319B2 (en) 2005-09-01 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof
JP2007073836A (ja) 2005-09-08 2007-03-22 Sharp Corp 光結合素子、光結合素子の製造方法及び光結合素子を搭載した電子機器
KR100616695B1 (ko) 2005-10-04 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드 패키지
JP4700469B2 (ja) 2005-10-17 2011-06-15 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR101241650B1 (ko) 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
US7943946B2 (en) 2005-11-21 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
KR100780176B1 (ko) 2005-11-25 2007-11-27 삼성전기주식회사 측면 방출 발광다이오드 패키지
USD573113S1 (en) 2005-12-09 2008-07-15 Nichia Corporation Light emitting diode
US7400049B2 (en) 2006-02-16 2008-07-15 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with heat sink
JP4952233B2 (ja) 2006-04-19 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 半導体装置
JP2008001954A (ja) 2006-06-23 2008-01-10 Toyota Central Res & Dev Lab Inc セミソリッド鋳造用アルミニウム合金及びアルミニウム合金鋳物の製造方法
KR100904152B1 (ko) * 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
KR100854328B1 (ko) 2006-07-07 2008-08-28 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
TW200807745A (en) 2006-07-28 2008-02-01 Delta Electronics Inc Light-emitting heat-dissipating device and packaging method thereof
CN101501873A (zh) 2006-08-11 2009-08-05 E.I.内穆尔杜邦公司 Led器件和液晶显示器背板
USD566055S1 (en) 2006-09-21 2008-04-08 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting diode (LED)
US7852015B1 (en) 2006-10-11 2010-12-14 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Solid state lighting system and maintenance method therein
USD580375S1 (en) 2006-10-12 2008-11-11 Semi-Photonics Co., Ltd. Lead frame for a two-pin light emitting diode device
JP2008103480A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
TW200845423A (en) 2006-12-04 2008-11-16 Alps Electric Co Ltd Light emitting device and projector
USD594827S1 (en) 2006-12-07 2009-06-23 Cree, Inc. Lamp package
KR100845856B1 (ko) 2006-12-21 2008-07-14 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR20070000130U (ko) 2007-01-08 2007-01-26 김성우 공기 이송관이 장착된 에어간판
JP2008172125A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Citizen Electronics Co Ltd チップ型led発光装置及びその製造方法
TW200843130A (en) 2007-04-17 2008-11-01 Wen Lin Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same
KR100901618B1 (ko) 2007-04-19 2009-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 제조방법
US20080258130A1 (en) 2007-04-23 2008-10-23 Bergmann Michael J Beveled LED Chip with Transparent Substrate
USD573114S1 (en) 2007-05-04 2008-07-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light-emitting diode
US7878683B2 (en) 2007-05-07 2011-02-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED-based lighting fixtures for surface illumination with improved heat dissipation and manufacturability
JP4341693B2 (ja) 2007-05-16 2009-10-07 ウシオ電機株式会社 Led素子およびその製造方法
US8436371B2 (en) 2007-05-24 2013-05-07 Cree, Inc. Microscale optoelectronic device packages
US7566159B2 (en) 2007-05-31 2009-07-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Side-emitting LED package with improved heat dissipation
KR20090003378A (ko) * 2007-06-05 2009-01-12 주식회사 루멘스 발광 다이오드 패키지
US20090008662A1 (en) 2007-07-05 2009-01-08 Ian Ashdown Lighting device package
JP5453713B2 (ja) * 2007-07-06 2014-03-26 日亜化学工業株式会社 半導体装置およびその形成方法
US8354992B2 (en) 2007-07-13 2013-01-15 Tte Indianapolis Appearance improvement for zone backlit LCD displays
USD580891S1 (en) 2007-07-20 2008-11-18 Alti-Electronics Co. Ltd. Light emitting diode
JP5574110B2 (ja) 2007-07-23 2014-08-20 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. 照明装置のためのプラスチック構成要素
TWM331086U (en) 2007-10-17 2008-04-21 Tai Sol Electronics Co Ltd Combination of LED and heat conduction device
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US8746943B2 (en) 2007-11-08 2014-06-10 Innovations In Optics, Inc. LED backlighting system with closed loop control
TW200928203A (en) 2007-12-24 2009-07-01 Guei-Fang Chen LED illuminating device capable of quickly dissipating heat and its manufacturing method
USD597971S1 (en) 2008-03-13 2009-08-11 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
USD597968S1 (en) 2008-03-13 2009-08-11 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
USD595400S1 (en) * 2008-04-21 2009-06-30 Minka Lighting, Inc. Ceiling fan
JP2010034262A (ja) 2008-07-29 2010-02-12 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
USD608307S1 (en) 2008-08-28 2010-01-19 Cree, Inc. Light emitting diode
USD621798S1 (en) 2008-08-29 2010-08-17 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. Light-emitting diode substrate
US20100059783A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Harry Chandra Light Emitting Chip Package With Metal Leads For Enhanced Heat Dissipation
TW201013969A (en) 2008-09-16 2010-04-01 Upec Electronics Corp Package structure of light-emitting diode
USD595675S1 (en) 2008-09-24 2009-07-07 Harvatek Corporation Light emitting diode
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
USD648686S1 (en) 2010-04-30 2011-11-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
USD641719S1 (en) 2009-06-05 2011-07-19 Cree, Inc. Light emitting diode
US7923739B2 (en) 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US8598602B2 (en) 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
USD621799S1 (en) 2009-01-12 2010-08-17 Cree, Inc. Light emitting diode
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20100181582A1 (en) 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
JP4640514B2 (ja) 2009-02-27 2011-03-02 東芝ライテック株式会社 発光モジュール
CN101510581B (zh) 2009-03-19 2011-06-29 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管及其相关背光模块
EP3573432A3 (en) 2009-05-28 2020-02-12 Lynk Labs, Inc. Multi-voltage and multi-brigthness led lighting devices and methods of using
US9111778B2 (en) 2009-06-05 2015-08-18 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods
US8860043B2 (en) 2009-06-05 2014-10-14 Cree, Inc. Light emitting device packages, systems and methods
US8686445B1 (en) 2009-06-05 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods
USD648687S1 (en) 2009-06-05 2011-11-15 Cree, Inc. Light emitting device package
US8476812B2 (en) 2009-07-07 2013-07-02 Cree, Inc. Solid state lighting device with improved heatsink
US7932532B2 (en) 2009-08-04 2011-04-26 Cree, Inc. Solid state lighting device with improved heatsink
USD634716S1 (en) 2009-08-06 2011-03-22 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting diode illumination device
TWM376909U (en) 2009-09-28 2010-03-21 Fu Sheng Ind Co Ltd Frame structure for light emitting diodes
KR101114150B1 (ko) 2009-10-19 2012-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
USD632659S1 (en) 2009-11-11 2011-02-15 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode lamp
USD627310S1 (en) 2009-11-27 2010-11-16 Lite-On Technology Corp. Package of a light emitting diode
USD622680S1 (en) 2009-12-04 2010-08-31 Silitek Electronic (Guangzhou) Go., Ltd. Package of a light emitting diode
USD626095S1 (en) 2009-12-11 2010-10-26 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
USD634286S1 (en) 2010-02-10 2011-03-15 Lextar Electronics Corporation Lead frame
USD634284S1 (en) 2010-02-10 2011-03-15 Lextar Electronics Corporation Lead frame
USD634285S1 (en) 2010-02-10 2011-03-15 Lextar Electronics Corporation Lead frame
USD632267S1 (en) 2010-02-12 2011-02-08 Lextar Electronics Corp. Light emitting diode packaging carrier
TWM383822U (en) 2010-02-12 2010-07-01 Bi Chi Corp Light emitting diode base structure of free-bending swan neck
USD658599S1 (en) 2010-03-26 2012-05-01 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting diode module
USD628541S1 (en) 2010-06-14 2010-12-07 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
US8269244B2 (en) 2010-06-28 2012-09-18 Cree, Inc. LED package with efficient, isolated thermal path
US8648359B2 (en) 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
USD643819S1 (en) 2010-07-16 2011-08-23 Cree, Inc. Package for light emitting diode (LED) lighting
USD646687S1 (en) * 2010-08-12 2011-10-11 Compal Electronics, Inc. Touch key
USD679842S1 (en) 2011-01-03 2013-04-09 Cree, Inc. High brightness LED package
US8610140B2 (en) 2010-12-15 2013-12-17 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods
CN103348496A (zh) 2011-02-07 2013-10-09 克利公司 用于发光二极管(led)发光的部件和方法
TW201251132A (en) 2011-05-03 2012-12-16 Cree Inc Light emitting diode (LED) packages, systems, devices and related methods

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1756879B1 (en) * 2004-06-04 2009-01-07 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
CN101432896A (zh) * 2006-04-27 2009-05-13 克里公司 用于半导体发光器件封装的子基板和包括其的半导体发光器件封装
US20070262328A1 (en) * 2006-05-10 2007-11-15 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and a method for producing the same
JP2007335762A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2008091792A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置
JP2008147611A (ja) * 2006-11-13 2008-06-26 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
CN201054361Y (zh) * 2007-05-11 2008-04-30 凯鼎科技股份有限公司 发光二极管

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
CN103325924A (zh) * 2013-06-06 2013-09-25 成卓 一种大可视角度平滑图像led灯

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120015362A (ko) 2012-02-21
EP2438631A2 (en) 2012-04-11
EP2438631A4 (en) 2013-12-25
US7923739B2 (en) 2011-04-12
US20110180827A1 (en) 2011-07-28
US20100133554A1 (en) 2010-06-03
US8866166B2 (en) 2014-10-21
WO2010141215A2 (en) 2010-12-09
US20140027801A1 (en) 2014-01-30
EP2438631B1 (en) 2019-04-10
CN102460751B (zh) 2015-07-08
WO2010141215A3 (en) 2011-03-03
US8497522B2 (en) 2013-07-30
JP2012529176A (ja) 2012-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102460751B (zh) 固态照明设备
KR101111256B1 (ko) Led 리드 프레임 패키지, 이를 이용한 led 패키지 및 상기 led 패키지의 제조 방법
KR101251821B1 (ko) 발광 소자 패키지
US8890297B2 (en) Light emitting device package
KR101193990B1 (ko) 투명 열 전도성 층을 구비한 발광 디바이스
JP5290368B2 (ja) ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子およびその製造方法、led照明装置、光源
US9897789B2 (en) Light emitting device package and lighting device having the same
CN101939854A (zh) 具有高效率荧光结构的光发射器件
CN108172678A (zh) 照明包装件
JP2005033211A (ja) 色変換用の個別離散波長変換層を用いた発光ダイオード
US10707189B2 (en) Light-emitting device
US10529901B2 (en) Light emitting diode package and method for fabricating the same
KR101575366B1 (ko) 발광소자 패키지
US10193033B2 (en) Light emitting device
CN107565009A (zh) Led模块
JP4221649B2 (ja) 波長変換素子並びにその製造方法
KR101518459B1 (ko) Led 패키지
JP2010016108A (ja) 発光装置
KR101338704B1 (ko) 발광장치
US11710809B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the light-emitting device
KR101916282B1 (ko) 발광 소자
KR20180117570A (ko) 서브 발광 영역을 갖는 조명용 led 모듈
KR20100042066A (ko) 발광소자 패키지
KR20180075041A (ko) 서브 발광 영역을 갖는 조명용 led 모듈
JP2016139833A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210601

Address after: California, USA

Patentee after: Kerui led Co.

Address before: North Carolina, USA

Patentee before: Cree

TR01 Transfer of patent right