CN102608754A - 微机电装置的扩散阻挡层 - Google Patents

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CN102608754A CN2012100655964A CN201210065596A CN102608754A CN 102608754 A CN102608754 A CN 102608754A CN 2012100655964 A CN2012100655964 A CN 2012100655964A CN 201210065596 A CN201210065596 A CN 201210065596A CN 102608754 A CN102608754 A CN 102608754A
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唐明华
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Abstract

本发明提供一种制造干涉式调制器的方法，其包含：沉积硅层；将扩散阻挡层沉积于所述硅层上；将包括金属的金属层沉积于所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述硅层的任何部分与所述金属层的任何部分混合；及利用能够蚀刻所述硅而不是硅与所述金属的合金的蚀刻剂蚀刻所述硅层。

Description

微机电装置的扩散阻挡层
本申请是下述申请的分案申请：
发明名称：微机电装置的扩散阻挡层
申请号：200680040120.8
申请日：2006-10-19
技术领域
无
背景技术
微机电系统(MEMS)包含微机械元件、激活器和电子元件。可使用沉积、蚀刻和/或其它蚀刻掉衬底和/或已沉积材料层的部分或者添加层以形成电装置和机电装置的微加工工艺来产生微机械元件。一种类型的MEMS装置称为干涉式调制器。如本文所使用，术语干涉式调制器或干涉式光调制器指的是一种使用光学干涉原理选择性地吸收且/或反射光的装置。在某些实施例中，干涉式调制器可包括一对导电板，其中之一或两者可能整体或部分透明且/或具有反射性，且能够在施加适当电信号时进行相对运动。在特定实施例中，一个板可包括沉积在衬底上的固定层，且另一个板可包括通过气隙与固定层分离的金属薄膜。如本文更详细描述，一个板相对于另一个板的位置可改变入射在干涉式调制器上的光的光学干涉。这些装置具有广范围的应用，且在此项技术中，利用且/或修改这些类型装置的特性使得其特征可被发掘用于改进现有产品和创建尚未开发的新产品，将是有益的。
发明内容
本文所揭示的一个实施例包括MEMS装置，所述MEMS装置包含机械膜，其中所述膜包括第一金属层、第二金属层及定位在所述第一金属层与所述第二金属层之间的扩散阻挡层，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制第一金属层的任何部分与第二金属层的任何部分混合。
本文所揭示的另一实施例包括实质上抑制MEMS装置机械膜中的第一金属层的任何部分与第二金属层的任何部分混合的方法，其包含将扩散阻挡层定位在所述第一与第二金属层之间。
本文所揭示的另一实施例包括制造MEMS装置的方法，其包括沉积第一金属层，将扩散阻挡层沉积在所述第一金属层上，将第二金属层沉积在所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述第一金属层的任何部分与所述第二金属层的任何部分混合，及在第一金属层、扩散阻挡层及第二金属层中蚀刻相同图案。
本文所揭示的另一实施例包括MEMS装置，其具有通过上述工艺所产生的机械膜。
本文所揭示的另一实施例包括干涉式调制器，其包含可移动反射层，所述可移动反射层包括镜、邻近于所述镜的机械层(所述机械层适合于为所述镜提供机械支撑)及在所述镜与所述机械层之间的扩散阻挡，其中所述扩散阻挡适合于实质上抑制镜的任何部分与机械层的任何部分混合。
本文所揭示的另一实施例包括干涉式调制器，所述干涉式调制器包含可移动反射层，所述可移动反射层包括用于反射光的反射构件、用于为所述反射构件提供机械支撑的机械支撑构件及用于防止在所述反射构件与所述机械支撑构件之间的扩散的扩散阻挡构件。
本文所揭示的另一实施例包括制造干涉式调制器的方法，所述方法包括沉积第一金属层，将扩散阻挡层沉积在所述第一金属层上，将第二金属层沉积在所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述第一金属层的任何部分与所述第二金属层的任何部分混合，及在第二金属层、扩散阻挡层及第一金属层中蚀刻相同图案。
本文所揭示的另一实施例包括通过上述工艺所产生的干涉式调制器。
本文所揭示的另一实施例包括制造MEMS装置中的具有所要张应力的可移动电极的方法，其包括确定可移动电极的所要张应力或张应力范围，形成包含具有张应力的材料的一个或一个以上层，及形成包含具有压缩应力的邻近于张应力材料的材料的一个或一个以上层，藉此张应力与压缩应力的组合提供可移动电极的所要张应力或张应力范围。
本文所揭示的另一实施例包括通过上述工艺所产生的MEMS装置可移动电极。
本文所揭示的另一实施例包括激活MEMS结构的方法，其包含向MEMS结构中的机械膜施加电场使得所述机械膜响应于所述电场而移动，其中机械膜包括第一材料层、第二材料层及定位在所述第一层与所述第二层之间的扩散阻挡层，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述第一层的任何部分与所述第二层的任何部分混合。
附图说明
图1是描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分的等角视图，其中第一干涉式调制器的可移动反射层处于松弛位置，且第二干涉式调制器的可移动反射层处于激活位置。
图2是说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例的系统框图。
图3是图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动镜位置对所施加电压的图。
图4是可用于驱动干涉式调制器显示器的一组行和列电压的说明。
图5A说明图2的3x3干涉式调制器显示器中的显示数据的示范性帧。
图5B说明可用于写入图5A的帧的行及列信号的示范性时序图。
图6A和6B是说明包括多个干涉式调制器的视觉显示装置的实施例的系统框图。
图7A是图1的装置的横截面。
图7B是干涉式调制器的替代实施例的横截面。
图7C是干涉式调制器的另一替代实施例的横截面。
图7D是干涉式调制器的又一替代实施例的横截面。
图7E是干涉式调制器的额外替代实施例的横截面。
图8为在释放蚀刻前干涉式调制器的横截面。
图9A为在释放前含有扩散阻挡层的干涉式调制器的横截面。
图9B为释放蚀刻后含有扩散阻挡层的干涉式调制器的横截面。
图10为说明具有扩散阻挡层的MEMS结构的工艺的流程图。
图11为说明用于定制复合MEMS结构中的张应力的工艺的流程图。
图12为具有Al/Cr可移动反射层的干涉式调制器的工艺侧的显微图。
图13A为具有Al/SiO2/Cr可移动反射层的干涉式调制器的工艺侧的显微图。
图13B为图13A的干涉式调制器的玻璃侧的显微图。
图14A为处于未激活状态下的图13A及13B的干涉式调制器的显微图。
图14B为处于激活状态下的图13A及13B的干涉式调制器的显微图。
图15A为放大50倍的具有Al/SiO2/Cr可移动反射层的另一干涉式调制器的显微图。
图15B为放大200倍的图15A的干涉式调制器的显微图。
图16A为处于未激活状态下的图15A及15B的干涉式调制器的显微图。
图16B为处于激活状态下的图15A及15B的干涉式调制器的显微图。
图17为图15A及15B的干涉式调制器的作为电压的函数的光学响应的曲线图。
图18A为在释放蚀刻前具有Al/SiO2/Cr可移动反射层的另一干涉式调制器的显微图。
图18B为在释放蚀刻后图18A的干涉式调制器的显微图。
具体实施方式
以下详细描述针对本发明的某些特定实施例。然而，本发明可以许多不同方式实施。在本描述内容中参看了附图，附图中所有相同部分用相同标号表示。如从以下描述中将了解，所述实施例可实施在经配置以显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是图画的图像的任何装置中。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手提式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP3播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)。具有与本文中描述的装置类似的结构的MEMS装置也可用于例如电子切换装置的非显示器应用中。
在许多MEMS装置中，形成具有彼此邻近的金属层的结构。所述邻近层可存在独特的问题，例如在其界面处金属发生混合而产生金属合金。所述合金可改变结构的物理特征。另外，合金可使制造复杂化，因为其并不会以与纯金属响应于蚀刻剂的方式相同的方式响应于蚀刻剂。相应地，在本文所述的一些实施例中，将扩散阻挡层用于防止金属内扩，且因而用于扩大及改进复合金属层在MEMS装置中的利用。在所说明的实施例中，扩散阻挡处于干涉式调制器中的机械层与反射层之间，尤其是处于铬机械层与铝反射层之间。
图1中说明包括干涉式MEMS显示元件的一个干涉式调制器显示器的实施例。在这些装置中，像素处于明亮状态或黑暗状态。在明亮(“接通”或“开启”)状态下，显示元件将入射可见光的大部分反射到用户。当在黑暗(“断开”或“关闭”)状态下时，显示元件将极少的入射可见光反射到用户。依据实施例而定，可颠倒“接通”和“断开”状态的光反射性质。MEMS像素可经配置而主要在选定的颜色处反射，从而允许除了黑白显示以外的彩色显示。
图1是描述视觉显示器的一系列像素中的两个相邻像素的等角视图，其中每一像素包括MEMS干涉式调制器。在一些实施例中，干涉式调制器显示器包括这些干涉式调制器的一行/列阵列。每一干涉式调制器包含一对反射层，其定位成彼此相距可变且可控制的距离以形成具有至少一个可变尺寸的谐振光学腔。在一个实施例中，可在两个位置之间移动所述反射层之一。在第一位置(本文中称为松弛位置)中，可移动反射层定位成距固定部分反射层相对较大的距离。在第二位置(本文中称为激活位置)中，可移动反射层定位成更紧密邻近所述部分反射层。视可移动反射层的位置而定，从所述两个层反射的入射光相长地或相消地进行干涉，从而为每一像素产生全反射状态或非反射状态。
图1中像素阵列的所描绘部分包含两个相邻干涉式调制器12a和12b。在左侧干涉式调制器12a中，说明可移动反射层14a处于距包含部分反射层的光学堆叠16a预定距离处的松弛位置中。在右侧干涉式调制器12b中，说明可移动反射层14b处于邻近于光学堆叠16b的激活位置中。
如本文所引用的光学堆叠16a和16b(统称为光学堆叠16)通常包括若干熔合层(fusedlayer)，所述熔合层可包含例如氧化铟锡(ITO)的电极层、例如铬的部分反射层和透明电介质。因此，光学堆叠16是导电的、部分透明且部分反射的，且可通过(例如)将上述层的一者或一者以上沉积到透明衬底20上来制造。部分反射层可由例如各种金属、半导体和电介质等部分反射的多种材料形成。部分反射层可由一个或一个以上材料层形成，且所述层的每一者可由单一材料或材料的组合形成。
在一些实施例中，光学堆叠的层经图案化成为多个平行条带，且如下文中进一步描述，可在显示装置中形成行电极。可移动反射层14a、14b可形成为沉积金属层(一层或多层)的一系列平行条带(与行电极16a、16b垂直)，所述金属层沉积在柱18和沉积于柱18之间的介入牺牲材料的顶部上。当蚀刻去除牺牲材料时，可移动反射层14a、14b通过所界定的间隙19而与光学堆叠16a、16b分离。例如铝的高度导电且反射的材料可用于反射层14，且这些条带可在显示装置中形成列电极。
在不施加电压的情况下，腔19保留在可移动反射层14a与光学堆叠16a之间，其中可移动反射层14a处于机械松弛状态，如图1中像素12a所说明。然而，当将电位差施加到选定的行和列时，形成在相应像素处的行电极与列电极的交叉处的电容器变得带电，且静电力将所述电极拉在一起。如果电压足够高，那么可移动反射层14变形且被迫抵靠光学堆叠16。光学堆叠16内的介电层(在此图中未图示)可防止短路并控制层14与16之间的分离距离，如图1中右侧的像素12b所说明。不管所施加的电位差的极性如何，表现均相同。以此方式，可控制反射像素状态对非反射像素状态的行/列激活在许多方面类似于常规LCD和其它显示技术中所使用的行/列激活。
图2到5B说明在显示器应用中使用干涉式调制器阵列的一个示范性工艺和系统。
图2是说明可并入有本发明各方面的电子装置的一个实施例的系统框图。在所述示范性实施例中，所述电子装置包含处理器21，其可为任何通用单芯片或多芯片微处理器(例如ARM、Pentium
Figure BDA0000142841240000061
、Pentium II
Figure BDA0000142841240000062
、Pentium III
Figure BDA0000142841240000063
、Pentium IV
Figure BDA0000142841240000064
、Pentium
Figure BDA0000142841240000065
Pro、8051、MIPS
Figure BDA0000142841240000066
、Power PC、ALPHA
Figure BDA0000142841240000068
)，或任何专用微处理器(例如数字信号处理器、微控制器或可编程门阵列)。如此项技术中常规的做法，处理器21可经配置以执行一个或一个以上软件模块。除了执行操作系统外，所述处理器可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序，包含网络浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。
在一个实施例中，处理器21还经配置以与阵列驱动器22连通。在一个实施例中，所述阵列驱动器22包含将信号提供到显示器阵列或面板30的行驱动器电路24和列驱动器电路26。在图2中以线1-1展示图1中说明的阵列的横截面。对于MEMS干涉式调制器来说，行/列激活协议可利用图3中说明的这些装置的滞后性质。可能需要(例如)10伏的电位差来促使可移动层从松弛状态变形为激活状态。然而，当电压从所述值减小时，可移动层在电压降回10伏以下时维持其状态。在图3的示范性实施例中，可移动层直到电压降到2伏以下时才完全松弛。因此，在图3中说明的实例中存在约3到7V的电压范围，其中存在所施加电压的窗口，在所述窗口内装置在松弛状态或激活状态中均是稳定的。此窗口在本文中称为“滞后窗口”或“稳定窗口”。对于具有图3的滞后特性的显示器阵列来说，可设计行/列激活协议使得在行选通期间，已选通行中待激活的像素暴露于约10伏的电压差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的电压差。在选通之后，所述像素暴露于约5伏的稳态电压差使得其维持在行选通使其所处的任何状态中。在此实例中，每一像素在被写入之后经历3-7伏的“稳定窗口”内的电位差。此特征使图1中说明的像素设计在相同的施加电压条件下在激活或松弛预存在状态下均是稳定的。因为干涉式调制器的每一像素(不论处于激活还是松弛状态)本质上是由固定反射层和移动反射层形成的电容器，所以可在滞后窗口内的一电压下维持此稳定状态而几乎无功率消耗。本质上，如果所施加的电压是固定的，那么没有电流流入像素中。
在典型应用中，可通过根据第一行中所需组的激活像素确认所述组列电极来产生显示帧。接着将行脉冲施加到行1电极，从而激活对应于所确认的列线的像素。接着改变所述组已确认列电极以对应于第二行中所需组的激活像素。接着将脉冲施加到行2电极，从而根据已确认的列电极而激活行2中的适当像素。行1像素不受行2脉冲影响，且维持在其在行1脉冲期间被设定的状态中。可以连续方式对整个系列的行重复此过程以产生帧。通常，通过以每秒某一所需数目的帧的速度连续地重复此过程来用新的显示数据刷新且/或更新所述帧。用于驱动像素阵列的行和列电极以产生显示帧的广泛种类的协议也是众所周知的且可结合本发明使用。
图4、5A和5B说明用于在图2的3×3阵列上形成显示帧的一个可能的激活协议。图4说明可用于使像素展示出图3的滞后曲线的一组可能的列和行电压电平。在图4实施例中，激活像素涉及将适当列设定为-Vbias，且将适当行设定为+ΔV，其分别可对应于-5伏和+5伏。松弛像素是通过将适当列设定为+Vbias，且将适当行设定为相同的+ΔV，从而在像素上产生零伏电位差而实现的。在行电压维持在零伏的那些行中，不管列处于+Vbias还是-Vbias，像素在任何其最初所处的状态中均是稳定的。同样如图4中所说明，将了解，可使用具有与上述电压的极性相反的极性的电压，例如，激活像素可涉及将适当列设定为+Vbias，且将适当行设定为-ΔV。在此实施例中，释放像素是通过将适当列设定为-Vbias，且将适当行设定为相同的-ΔV，从而在像素上产生零伏电位差而实现的。
图5B是展示施加到图2的3×3阵列的一系列行和列信号的时序图，所述系列的行和列信号将产生图5A中说明的显示器布置，其中被激活像素为非反射的。在对图5A中说明的帧进行写入之前，像素可处于任何状态，且在本实例中所有行均处于0伏，且所有列均处于+5伏。在这些所施加的电压的情况下，所有像素在其既有的激活或松弛状态中均是稳定的。
在图5A的帧中，像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)和(3，3)被激活。为了实现此目的，在行1的“线时间(line time)”期间，将列1和2设定为-5伏，且将列3设定为+5伏。因为所有像素均保留在3-7伏的稳定窗口中，所以这并不改变任何像素的状态。接着用从0升到5伏且返回零的脉冲选通行1。这激活了(1，1)和(1，2)像素且松弛了(1，3)像素。阵列中其它像素均不受影响。为了视需要设定行2，将列2设定为-5伏，且将列1和3设定为+5伏。施加到行2的相同选通接着将激活像素(2，2)且松弛像素(2，1)和(2，3)。同样，阵列中其它像素均不受影响。通过将列2和3设定为-5伏且将列1设定为+5伏来类似地设定行3。行3选通设定行3像素，如图5A中所示。在对帧进行写入之后，行电位为零，且列电位可维持在+5或-5伏，且接着显示器在图5A的布置中是稳定的。将了解，可将相同程序用于数十或数百个行和列的阵列。还将应了解，用于执行行和列激活的电压的时序、序列和电平可在上文所概述的一般原理内广泛变化，且上文的实例仅为示范性的，且任何激活电压方法均可与本文描述的系统和方法一起使用。
图6A和6B是说明显示装置40的实施例的系统框图。显示装置40可为(例如)蜂窝式电话或移动电话。然而，显示装置40的相同组件或其稍微变化形式也说明例如电视和便携式媒体播放器的各种类型的显示装置。
显示装置40包含外壳41、显示器30、天线43、扬声器44、输入装置48和麦克风46。外壳41通常由所属领域的技术人员众所周知的多种制造工艺的任一者形成，所述工艺包含注射模制和真空成形。另外，外壳41可由多种材料的任一者制成，所述材料包含(但不限于)塑料、金属、玻璃、橡胶和陶瓷，或其组合。在一个实施例中，外壳41包含可去除部分(未图示)，所述可去除部分可与其它具有不同颜色或含有不同标记、图画或符号的可去除部分互换。
如本文中所描述，示范性显示装置40的显示器30可为包含双稳态显示器(bi-stabledisplay)在内的多种显示器的任一者。在其它实施例中，如所属领域的技术人员众所周知，显示器30包含例如如上所述的等离子、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD的平板显示器，或例如CRT或其它电子管装置的非平板显示器。然而，出于描述本实施例的目的，如本文中所描述，显示器30包含干涉式调制器显示器。
图6B中示意说明示范性显示装置40的一个实施例的组件。所说明的示范性显示装置40包含外壳41且可包含至少部分封围在所述外壳41中的额外组件。举例来说，在一个实施例中，示范性显示装置40包含网络接口27，所述网络接口27包含耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以调节信号(例如，对信号进行滤波)。调节硬件52连接到扬声器45和麦克风46。处理器21也连接到输入装置48和驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28且耦合到阵列驱动器22，所述阵列驱动器22进而耦合到显示器阵列30。根据特定示范性显示装置40设计的要求，电源50将功率提供到所有组件。
网络接口27包含天线43和收发器47使得示范性显示装置40可经由网络与一个或一个以上装置通信。在一个实施例中，网络接口27也可具有某些处理能力以减轻对处理器21的要求。天线43是所属领域的技术人员已知的用于传输和接收信号的任何天线。在一个实施例中，所述天线根据IEEE 802.11标准(包含IEEE 802.11(a)、(b)或(g))来传输和接收RF信号。在另一实施例中，所述天线根据BLUETOOTH标准来传输和接收RF信号。在蜂窝式电话的情况下，所述天线经设计以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用于在无线手机网络内通信的已知信号。收发器47预处理从天线43接收到的信号，使得处理器21可接收所述信号并进一步对所述信号进行处理。收发器47还处理从处理器21接收到的信号使得可经由天线43从示范性显示装置40传输所述信号。
在一替代实施例中，收发器47可由接收器代替。在又一替代实施例中，网络接口27可由可存储或产生待发送到处理器21的图像数据的图像源代替。举例来说，所述图像源可为含有图像数据的数字视频光盘(DVD)或硬盘驱动器，或产生图像数据的软件模块。
处理器21实质上控制示范性显示装置40的全部操作。处理器21接收例如来自网络接口27或图像源的压缩图像数据的数据，并将所述数据处理成原始图像数据或处理成易被处理成原始图像数据的格式。处理器21接着将已处理的数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以供存储。原始数据通常是指识别图像内每一位置处的图像特性的信息。举例来说，这些图像特性可包含颜色、饱和度和灰度级。
在一个实施例中，处理器21包含微控制器、CPU或逻辑单元以控制示范性显示装置40的操作。调节硬件52通常包含放大器和滤波器，以用于将信号传输到扬声器45，且用于从麦克风46接收信号。调节硬件52可为示范性显示装置40内的离散组件，或可并入在处理器21或其它组件内。
驱动器控制器29直接从处理器21或从帧缓冲器28取得由处理器21产生的原始图像数据，并适当地重新格式化所述原始图像数据以供高速传输到阵列驱动器22。具体来说，驱动器控制器29将原始图像数据重新格式化为具有类似光栅的格式的数据流，使得其具有适于在显示器阵列30上进行扫描的时间次序。接着，驱动器控制器29将已格式化的信息发送到阵列驱动器22。尽管驱动器控制器29(例如LCD控制器)通常与系统处理器21关联而作为独立的集成电路(IC)，但可以许多方式实施这些控制器。其可作为硬件嵌入处理器21中，作为软件嵌入处理器21中，或与阵列驱动器22完全集成在硬件中。
通常，阵列驱动器22从驱动器控制器29接收已格式化的信息且将视频数据重新格式化为一组平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到来自显示器的x-y像素矩阵的数百且有时数千个引线。
在一个实施例中，驱动器控制器29、阵列驱动器22和显示器阵列30适用于本文描述的任意类型的显示器。举例来说，在一个实施例中，驱动器控制器29是常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(例如，干涉式调制器控制器)。在另一实施例中，阵列驱动器22是常规驱动器或双稳态显示器驱动器(例如，干涉式调制器显示器)。在一个实施例中，驱动器控制器29与阵列驱动器22集成。此实施例在例如蜂窝式电话、手表和其它小面积显示器的高度集成系统中是普遍的。在又一实施例中，显示器阵列30是典型的显示器阵列或双稳态显示器阵列(例如，包含干涉式调制器阵列的显示器)。
输入装置48允许用户控制示范性显示装置40的操作。在一个实施例中，输入装置48包含例如QWERTY键盘或电话键区的键区、按钮、开关、触敏屏幕、压敏或热敏薄膜。在一个实施例中，麦克风46是用于示范性显示装置40的输入装置。当使用麦克风46将数据输入到所述装置时，用户可提供声音命令以便控制示范性显示装置40的操作。
电源50可包含此项技术中众所周知的多种能量存储装置。举例来说，在一个实施例中，电源50是例如镍镉电池或锂离子电池的可再充电电池。在另一实施例中，电源50是可再生能源、电容器或太阳能电池，包含塑料太阳能电池和太阳能电池涂料。在另一实施例中，电源50经配置以从壁式插座接收功率。
在某些实施方案中，如上文中所描述，控制可编程性驻存在驱动器控制器中，所述驱动器控制器可位于电子显示器系统中的若干位置中。在某些情况下，控制可编程性驻存在阵列驱动器22中。所属领域的技术人员将了解，上述优化可实施在任何数目的硬件和/或软件组件中且可以各种配置实施。
根据上文陈述的原理操作的干涉式调制器的结构的细节可大大不同。例如，图7A-7E说明了可移动反射层14及其支撑结构的五个不同实施例。图7A为图1的实施例的横截面，其中金属材料条带14沉积在垂直延伸的支撑件18上。在图7B中，可移动反射层14仅在角落处在系链(tether)32上附接到支撑件18。在图7C中，可移动反射层14从可包含柔性金属的可变形层34悬置。所述可变形层34直接或间接连接到围绕可变形层34周边的衬底20。本文将所述连接称为支撑件或柱18。图7D中所示的实施例具有支撑件18，所述支撑件18包括可变形层34搁置于其上的支撑柱插塞42。可移动反射层14如在图7A-7C中所示仍悬置于腔上，但可变形层34未通过填充在可变形层34与光学堆叠16之间的孔而形成支撑柱。而是，支撑柱18由平坦化材料形成，所述材料用于形成支撑柱插塞42。图7E中所示的实施例基于图7D中所展示的实施例，但还可适合于与图7A-7C所示的任一实施例以及未展示的额外实施例一起工作。在图7E中所展示的实施例中，已使用额外的金属层或其它导电材料来形成总线结构44。这允许信号沿干涉式调制器的后部路由，从而消除了原本必须形成在衬底20上的许多电极。
在例如图7A-7E中所示的那些实施例的实施例中，干涉式调制器充当直接观看装置，其中从透明衬底20的前侧观看图像，所述侧与上面布置有调制器的一侧相对。在这些实施例中，反射层14以光学方式遮蔽在反射层的与衬底20相对侧的干涉式调制器的部分，其包含可变形层34。这允许对遮蔽区域进行配置和操作而不会消极地影响图像质量。这种遮蔽允许实现图7E中的总线结构44，所述总线结构44提供使调制器的光学性质与调制器的机电性质(例如，寻址与由所述寻址导致的移动)分离的能力。这种可分离的调制器结构允许选择用于调制器的机电方面和光学方面的结构设计和材料且使其彼此独立而发挥作用。此外，图7C-7E中所示的实施例具有源自反射层14的光学性质与调制器的机械性质脱离的额外益处，所述益处由可变形层34执行。这允许用于反射层14的结构设计和材料在光学性质方面得以优化，且用于可变形层34的结构设计和材料在期望的机械性质方面得以优化。
可使用制造MEMS装置的技术中已知的任何合适的制造技术来制造上述干涉式调制器。例如，可将构成干涉式调制器的各种材料层顺序沉积在透明衬底上，同时在沉积步骤之间进行适当图案化及蚀刻步骤。因为干涉式调制器中的材料彼此邻近地沉积，所以材料之间可发生相互作用。在一些情况下，所述相互作用对最终装置的制造及/或属性具有负面影响。例如，归因于两层的相互作用的合金或化合物的形成可造成不完全蚀刻，因为所用的蚀刻剂也许不能有效移除所述合金或化合物。另外，不当的合金或化合物的形成可改变所述层的物理特征，例如，改变张应力。
在一些实施例中，在干涉式调制器制造期间可沉积多个层，而在沉积步骤间无任何蚀刻步骤。例如，上述可移动反射层可由具有两个或两个以上层的复合结构组成。在一个实施例中，一个层提供高反射特征，而第二个层提供对于反射层的机械支撑。所述层的组成及厚度确定了在可移动反射层中出现的张应力。如果张应力太低，那么在松弛状态下时可移动反射层可下陷且可能在激活后无法完全回弹。如果张应力太高，可移动反射层可能不激活或可在制造期间分层或弯折。所述层的组成及厚度还影响可移动反射层的坚固性。
图8中描述了一个利用复合可移动反射层的干涉式调制器设计。在制造期间，将氧化铟锡(ITO)层154沉积于透明衬底152上。为透明导体的ITO 154提供导电板，使得可将电压施加于干涉式调制器中的可移动反射层与所述板之间。在一个实施例中，ITO厚度为约
Figure BDA0000142841240000111
接着沉积铬层150。在一个实施例中，铬150相对较薄(例如优选在约
Figure BDA0000142841240000112
与
Figure BDA0000142841240000113
之间，在一实施例中为
Figure BDA0000142841240000114
)，从而允许其充当部分反射体。或者，可将铬层150沉积于衬底152上，接着沉积ITO层154。接着，沉积介电层156/158。介电层可由一个或一个以上氧化物组成。在一些实施例中，介电层156/158可为复合层。例如，可沉积相对较厚的SiO2层156(例如优选在
Figure BDA0000142841240000115
与
Figure BDA0000142841240000116
之间，在一个实施例中为约
Figure BDA0000142841240000117
)，接着沉积Al2O3薄层158(例如优选在约
Figure BDA0000142841240000118
与之间，在一个实施例中为
Figure BDA00001428412400001110
)以保护SiO2 156。在一些实施例中，可使用三个或三个以上氧化物层(例如Al2O3-SiO2-Al2O3)。氧化物层156/158在可移动反射层与铬150之间提供绝缘层。所述层的厚度确定了干涉式调制器的干涉属性，尤其当其处于激活状态时。介电子层还可用于充当在图案化或移除牺牲层(下文描述)期间的蚀刻终止层或充当电荷捕集层。上述所述层对应于上文关于图1及图7A-7E所述的光学堆叠16。所述层可经图案化及蚀刻以形成干涉式调制器显示器中的所述行。
在下一步骤中，沉积牺牲层160(例如优选在约
Figure BDA00001428412400001111
与
Figure BDA00001428412400001112
之间，在一个实施例中为约
Figure BDA00001428412400001113
)。牺牲层提供可易于蚀刻掉而不影响其它材料的间隙填充材料。在一实施例中，牺牲层160为钼。用于牺牲层的合适材料的其它实例包括多晶硅、非晶硅或光致抗蚀剂。在最后的制造步骤中，会将牺牲层160蚀刻掉以在可移动反射层与介电层或堆叠156、158之间产生气隙。对牺牲层160的图案化及蚀刻可用于在层中产生孔及沟槽以形成将支撑可移动反射层的柱及轨条。可施加平坦材料162以填充孔并形成柱。最后，形成可移动反射层164/166。在一个实施例中，形成可移动反射层14。在一个实施例中，可移动反射层14包括反射层164与支撑反射层164的机械层166。在一个实施例中，反射层164为铝层(例如厚度优选在约
Figure BDA0000142841240000121
与约之间，在一个实施例中为约
Figure BDA0000142841240000123
)，且机械层166为镍层(例如优选在约
Figure BDA0000142841240000125
与约
Figure BDA0000142841240000126
之间，在一个实施例中为约
Figure BDA0000142841240000127
)。在一些实施例中，在镍层166顶部添加额外的铝层以提供对在图案化期间所使用的光致抗蚀剂的较好粘着性。可移动反射层14可经图案化及蚀刻以形成干涉式调制器显示器中的所述列。
在蚀刻掉图8中所描绘的结构中的牺牲层160后，得到类似于图7A中所描绘的干涉式调制器。在一些实施例中，可在添加其它层之前将暗掩模层添加到透明衬底152。暗掩模层可经图案化以减少来自所述结构的部分(例如柱或轨条)的反射。在一些实施例中，暗掩模层包括MoCr层及氧化物层。所属领域的技术人员应了解，可将除了本文所提及的步骤以外的图案化及蚀刻步骤用于形成干涉式调制器。此外，应了解干涉式调制器的其它结构是可能的，如(例如)图7B-7E中所描绘。
如上所述，在一些实施例中，可移动反射层由反射层164及机械层166组成。在一个实施例中，机械层166经选择以具有高于反射层164的杨氏模数(Young′s modulus)，从而增强复合可移动反射层14的机械属性。例如，镍具有高于铝的杨氏模数。然而，镍通常不用于一般在MEMS及液晶显示器(LCD)制造设施中所使用的铸造工艺中。相应地，在干涉式调制器中使用镍增加了基于干涉式调制器的显示器的大规模生产的开支。用于机械支撑的镍的替代物为铬，其也具有高于铝的杨氏模数。铬为典型铸造工艺中所使用的标准材料。然而，在将铬沉积于铝层上的期间，铬及铝混合而在其界面处形成合金。可归因于例如贾凡尼效应(因电位差引起的原子扩散)、热迁移(例如在热沉积工艺期间)及电迁移(例如由施加电场引起的迁移)的效应而发生在铝与铬之间以及其它金属材料之间的合金形成。在制造期间，合金的形成可产生诸多问题。例如，合金可对用于蚀刻两种单独金属的蚀刻剂不敏感。在Al-Cr的情况下，无论用于蚀刻铬的CR14还是用于蚀刻铝的PAN均不能有效地完全蚀刻Al-Cr合金。另外，合金的形成可以不期望的方式改变复合结构的机械属性。
相应地，本文提供了安置于两层之间以防止两层之间的实质性扩散的扩散阻挡。例如，阻挡可定位于干涉式调制器阵列可移动反射层14中的反射层及机械支撑层之间。在一些实施例中，防止其间的扩散的所述层中的一或两者为金属性的。如图9A中所描绘，上文关于图8所述的制造可经改变，以使得将一额外扩散阻挡层170沉积于可移动反射层14中金属反射层164与金属机械支撑层166之间。图9B描绘了已通过释放蚀刻移除牺牲层160后所得的干涉式调制器结构。扩散阻挡层170在干涉式调制器的操作期间保持为可移动反射层14的部分。
在一些实施例中，扩散阻挡层包括碳化物、氮化物、氧化物或硼化物。合适材料的非限制性实例包括二氧化硅、氧化铝、Si3N4、氮化钛、氮化钽、碳化硅、碳化钛、硅酸铝及TiB2。在其它实施例中，扩散阻挡层包括金属或金属合金。非限制性实例包括钛、钨、钛-钨合金、硅及钽。可用此项技术中已知的任何合适的技术(例如物理气相沉积、化学气相沉积或溶胶凝胶处理)沉积扩散阻挡层。扩散阻挡层的厚度可为适于实质上抑制在所述层的任一侧上的材料的相互扩散的任何厚度。在一个实施例中，厚度优选大于约
Figure BDA0000142841240000131
更优选在约30埃与约100埃之间。在处理期间，可将对扩散阻挡材料有效的蚀刻剂用于适当图案化含有扩散阻挡的结构。例如，当使用二氧化硅时，可使用PAD蚀刻剂。当含有扩散阻挡层的复合结构需要经图案化时，可用一系列蚀刻剂达到此目的。例如，可顺序地将CR14、PAD及PAN用作蚀刻剂来图案化及蚀刻含有铝/二氧化硅/铬的可移动反射层。在每一蚀刻步骤期间，下伏材料充当蚀刻上方材料的蚀刻终止层。因此，例如，当用CR14蚀刻铬时，下伏的二氧化硅充当蚀刻铬的蚀刻终止层。
当扩散阻挡层为绝缘体时，金属反射层164或金属机械支撑层166可连接于用于驱动干涉式调制器阵列的引线。例如，施加在金属机械支撑层166与ITO 154层之间的电压可用于引起整个可移动反射层14向介电堆叠156、158塌陷。或者，可将电压施加于金属反射层164与ITO 154层之间。
因此，在一实施例中，提供一用于制造MEMS结构的方法，所述MEMS结构具有至少两个金属层，所述金属层之间包括一扩散阻挡层。图10描绘所述方法的一流程图。在框200处，沉积第一金属层。例如，第一金属层可为在干涉式调制器制造期间沉积于牺牲层上的铝。在框202处，将扩散阻挡层沉积于第一金属层顶部。在框204处，将第二金属层沉积于扩散阻挡层顶部。接着图案化及蚀刻所述三个层。在一实施例中，使用三种不同蚀刻剂，且顺序蚀刻所述三个层。例如，在框206处，可用第一蚀刻剂蚀刻第二金属层。接着，在框208处，可用第二蚀刻剂蚀刻扩散阻挡层。最后，在框210处，可用第三蚀刻剂蚀刻第一金属层。在蚀刻期间可将相同的图案施加至所有三个层。例如，可将单个光致抗蚀剂层施加于第二金属层，接着暴露至单个图案。在使所述光致抗蚀剂显影后进行顺序蚀刻会使得在所有三个层上蚀刻出相同的图案。在第二金属层经蚀刻后，其还可在蚀刻扩散阻挡层期间充当硬掩模。类似地，在扩散阻挡经蚀刻后，其可在蚀刻第一金属层期间充当硬掩模。视特定实施例而定，可将步骤添加至本文呈现的流程图中所描绘的所述步骤或移除一些步骤。另外，视应用而定，可重新排列步骤的次序。
尽管上文已描述将扩散阻挡层用于铝及铬之间，应了解其可有利地用于任何两种有可能在其界面处混合的材料之间。例如，除铬以外有可能与铝混合的材料的非限制性实例包括钛、铜、铁、硅、锰、镁、锂、银、金、镍、钽及钨。
还应了解，本文所述的扩散阻挡层可用于不同于上述干涉式调制器可移动反射层的MEMS结构中。一般来说，所述种扩散阻挡层可用于MEMS装置中的任何两个金属层之间。例如，MEMS装置中的许多机械膜可能需要复合层，例如在上述可移动反射层中。使用扩散阻挡层扩大了可用于复合机械膜中的金属数目。当需要复合结构且个别材料具有独立属性十分重要时，所述阻挡层可尤其有用，例如在一种材料要求某些光学属性且其它材料要求某些机械及/或电属性的情况下。
还应了解在一些实施例中，如(例如)上文所述，扩散阻挡层可在MEMS制造期间充当蚀刻终止层。除了在铝/二氧化硅/铬可移动反射层中充当铬的蚀刻终止层外，本文所述的扩散阻挡层还可在制造干涉式调制器期间沉积于一牺牲层与所述可移动反射层之间。所述实例中的扩散阻挡层防止牺牲层材料(例如钼)与可移动反射层中的邻近材料(例如铝)之间的相互扩散，因而在蚀刻可移动反射层中的所述邻近材料期间保护牺牲层。
在一些实施例中，提供如上所述的具有两个金属层并且所述金属层之间具有扩散阻挡层的复合MEMS结构。在一些实施例中，所有三种材料的厚度经选择以将复合结构的所要物理属性最佳化。可考虑的物理属性包括(但不限于)光学属性、电属性、热属性及机械属性。例如，可能需要机械膜具有特定张应力，以使得其具有某些所要机械属性以及可经受住制造工艺。本文所述的金属层的实例增加了张应力，而本文所述的以主要压缩应力为特征且具有较高弹性模数的扩散阻挡材料使张应力减小。因此，在一些实施例中，提供一获得MEMS装置中的具有所要张应力的机械膜的方法。
图11描绘一种所述方法的流程图。在框248处，基于机械膜的特定应用而预先确定所要张应力或张应力范围。在框250处，至少部分基于机械膜的所要的预定总张应力而选择具有张应力的第一材料的厚度(例如金属材料)。在框252处，至少部分基于机械膜的所要的预定总张应力而选择具有压缩应力的第二材料的厚度(例如扩散阻挡材料)。接着，在框254处，形成所述第一材料层。最后，在框256处，邻近于所述第一材料形成所述第二材料层。第一材料中的张应力与第二材料中的压缩应力的组合产生机械膜的组合张应力。应了解可添加具有张应力或压缩应力的额外层。例如，当压缩应力材料还充当扩散阻挡时，可如上所述包括三个层。
在一些实施例中，提供由铝-二氧化硅-铬复合结构组成的干涉式调制器可移动反射层。在一些实施例中，二氧化硅的厚度优选为至少约15埃，更优选在约30埃与约100埃之间。在一些实施例中，铝层的厚度优选在约200埃与约2000埃之间，更优选在约800埃与约1200埃之间。在一些实施例中，铬层的厚度优选在约80埃与约1000埃之间，更优选在约100埃与约500埃之间。
实例
实例1-残余应力的测量
将若干含有不同厚度的铝及铬(具有及不具有二氧化硅扩散阻挡)的薄膜堆叠沉积于p型硅监控晶片上。在沉积之前和之后使用激光反射率来测量硅晶片的曲率。将所述曲率用于Stoney方程式来提供对薄膜堆叠中的残余应力的测量。用MRC 693溅镀系统沉积薄膜堆叠。表1列出所制造的各种薄膜堆叠及所得残余应力。为了进行比较，测出标称薄膜堆叠具有在约250与300MPa之间的平均残余应力。
表1.Al/Cr薄膜堆叠的残余应力
Figure BDA0000142841240000152
可看出较厚铬薄膜增加了薄膜堆叠的张应力。此外，单独的试验显示
Figure BDA0000142841240000153
铝薄膜的残余应力为10MPa，且二氧化硅薄膜为-123MPa。因此，所述试验证实可将对二氧化硅及铬厚度的调整用来定制含有Al/SiO2/Cr的机械层的残余应力。在一实施例中干涉式调制器中的可移动反射层的优选张应力在约100MPa与约500MPa之间，更优选在约300MPa与约500MPa之间，且最优选为约350MPa。
实例2-含有扩散阻挡的干涉式调制器的制造
将实例1中所述的薄膜堆叠用于制造干涉式调制器阵列中的可移动反射层。在沉积光学堆叠、钼牺牲层及沉积平坦化材料之后用MRC 693溅镀系统将薄膜堆叠沉积于1.1.4+单色玻璃晶片上。顺序地使用CR14、PAD及PAN蚀刻剂来图案化及蚀刻可移动反射层薄膜堆叠。在没有二氧化硅的堆叠中，不使用PAD蚀刻剂。在具有120秒填充时间及300秒停留时间的2个循环中用干式XeF2释放蚀刻来移除钼牺牲层。表2显示在每一晶片上所使用的可移动反射层蚀刻剂。
表2.干涉式调制器可移动反射层蚀刻剂
Figure BDA0000142841240000161
对不具有二氧化硅扩散阻挡的含有铝及铬的干涉式调制器的蚀刻是不成功的。图12描绘工艺侧的晶片111-6的显微图。大的圆形图案300显示试图形成蚀刻孔(用于在释放蚀刻期间使XeF2进入)的蚀刻是不完全的。另外，可移动反射层中的用以形成列的切口302未经良好地界定。不完全蚀刻归因于在处理期间形成AlCr合金，从而因为CR14仅对纯铬有效而非对AlCr合金有效而使得顺序蚀刻不完全。
相反地，在铝及铬层之间包括二氧化硅薄膜改进了蚀刻。当包括
Figure BDA0000142841240000162
的二氧化硅时，改进了蚀刻；然而，需要较高的铬蚀刻时间(约为正常的两倍)，且对晶片111-10的蚀刻未成功。图13A描绘工艺侧的晶片111-8的显微图，其证实蚀刻孔300及列切口302的良好形成。图13B为玻璃侧的晶片111-8的显微图。可移动反射层中似乎存在一些下陷，如在一些干涉式调制器中所观察到的从所期望的绿色(像素304)色移成蓝色(像素306)。图14A及14B比较了在施加10V激活电位之前及之后的晶片111-8，显示观察到从亮状态至暗状态的变化。然而，在移除所施加的电位后可移动反射层未回弹，从而显示高的静摩擦或不足的张应力。
通过使用
Figure BDA0000142841240000163
的二氧化硅层，结果可得以进一步改进。晶片103-4的蚀刻非常成功。图15A及15B为放大50倍(图14A)及200倍(图14B)的从玻璃侧描绘晶片103-4的显微图。图16A及16B比较了在施加8V激活电位之前及之后的晶片103-4，显示观测到从亮状态至暗状态的变化。此外，在移除8V激活电位后，可移动反射层回弹，显示存在较低的静摩擦。图17描绘作为晶片103-4的所测量电位的函数的光学响应。尽管未观察到显著的滞后，所述响应是对称和一致的。
在晶片71-7中，铬的厚度显著增加。图18A为在释放蚀刻前的所述晶片的显微图。所述显微图显示了对可移动反射层的良好蚀刻，具有充分界定的蚀刻孔及列切口。然而在施加XeF2释放蚀刻后，可移动反射层破裂及塌陷，如图18B中的显微图中所描绘。因此，增加太多张应力导致晶片损坏。尽管不受缚于任何特定理论，但相信进一步优化张应力(例如通过优化二氧化硅及铬厚度)会有可能提供改进的滞后特征而不导致损坏可移动反射层。
尽管已参考实施例及实例对本发明进行了描述，但应理解可在不脱离本发明精神的情况下进行各种修改。因此，本发明仅受所附权利要求书所限制。

Claims (7)

1.一种制造干涉式调制器的方法，其包含：
沉积硅层；
将扩散阻挡层沉积于所述硅层上；
将包括金属的金属层沉积于所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述硅层的任何部分与所述金属层的任何部分混合；及
利用能够蚀刻所述硅而不是硅与所述金属的合金的蚀刻剂蚀刻所述硅层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述扩散阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述扩散阻挡层包含二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属包括铝。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅层包括非结晶硅。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻剂包括XeF2。
7.一种通过根据权利要求1所述的方法所产生的干涉式调制器。
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US (3) US7630114B2 (zh)
EP (1) EP1941316A2 (zh)
JP (2) JP2009513372A (zh)
KR (1) KR20080072872A (zh)
CN (2) CN102608754A (zh)
TW (1) TW200720183A (zh)
WO (1) WO2007053308A2 (zh)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI289708B (en) 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
US7342705B2 (en) 2004-02-03 2008-03-11 Idc, Llc Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US7636151B2 (en) * 2006-01-06 2009-12-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing residual stress test structures
US7382515B2 (en) 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7529015B2 (en) * 2006-06-29 2009-05-05 Texas Instruments Incorporated Hidden micromirror support structure
JP2010510530A (ja) 2006-10-06 2010-04-02 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 照明装置に統合される光学損失構造
EP1943551A2 (en) 2006-10-06 2008-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light guide
US7706042B2 (en) 2006-12-20 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and interconnects for same
US8236579B2 (en) * 2007-03-14 2012-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and systems for lithography alignment
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US7625825B2 (en) * 2007-06-14 2009-12-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of patterning mechanical layer for MEMS structures
US8068268B2 (en) 2007-07-03 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having improved uniformity and methods for making them
US8072402B2 (en) * 2007-08-29 2011-12-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical modulator with broadband reflection characteristics
US8068710B2 (en) * 2007-12-07 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Decoupled holographic film and diffuser
US7863079B2 (en) 2008-02-05 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device
DE102008042350A1 (de) * 2008-09-25 2010-04-01 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7719754B2 (en) * 2008-09-30 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Multi-thickness layers for MEMS and mask-saving sequence for same
US20110169724A1 (en) * 2010-01-08 2011-07-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric pixel with patterned mechanical layer
MX2012012033A (es) 2010-04-16 2013-05-20 Flex Lighting Ii Llc Dispositivo de iluminacion que comprende una guia de luz a base de pelicula.
EP2558776B1 (en) 2010-04-16 2022-09-14 Azumo, Inc. Front illumination device comprising a film-based lightguide
JP5779852B2 (ja) * 2010-08-25 2015-09-16 セイコーエプソン株式会社 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置
JP5707780B2 (ja) 2010-08-25 2015-04-30 セイコーエプソン株式会社 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置
US9057872B2 (en) * 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
TW201241364A (en) * 2011-03-17 2012-10-16 Rambus Inc Lighting assembly with adjustable light output
US20120242638A1 (en) * 2011-03-24 2012-09-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric spacer for display devices
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
FR2986901B1 (fr) * 2012-02-15 2015-07-03 Commissariat Energie Atomique Substrat microelectronique comprenant une couche de materiau organique enterree
US9181086B1 (en) 2012-10-01 2015-11-10 The Research Foundation For The State University Of New York Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof
US10726231B2 (en) 2012-11-28 2020-07-28 Invensense, Inc. Integrated piezoelectric microelectromechanical ultrasound transducer (PMUT) on integrated circuit (IC) for fingerprint sensing
US9511994B2 (en) 2012-11-28 2016-12-06 Invensense, Inc. Aluminum nitride (AlN) devices with infrared absorption structural layer
US10497747B2 (en) 2012-11-28 2019-12-03 Invensense, Inc. Integrated piezoelectric microelectromechanical ultrasound transducer (PMUT) on integrated circuit (IC) for fingerprint sensing
US9114977B2 (en) * 2012-11-28 2015-08-25 Invensense, Inc. MEMS device and process for RF and low resistance applications
US9548377B2 (en) * 2013-09-16 2017-01-17 Texas Instruments Incorporated Thermal treatment for reducing transistor performance variation in ferroelectric memories
US20160232858A1 (en) * 2015-02-11 2016-08-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Creep resistant reflective structure in mems display
AU2016257777B2 (en) * 2015-05-05 2021-02-25 The University Of Western Australia Microelectromechanical systems (MEMS) and methods
TWI716511B (zh) 2015-12-19 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 用於鎢原子層沉積製程作為成核層之正形非晶矽
US10480066B2 (en) 2015-12-19 2019-11-19 Applied Materials, Inc. Metal deposition methods
US10192775B2 (en) 2016-03-17 2019-01-29 Applied Materials, Inc. Methods for gapfill in high aspect ratio structures
WO2018020331A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, input/output device, and semiconductor device
CN108122790B (zh) 2016-11-29 2020-12-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体装置及其制造方法
US11623246B2 (en) 2018-02-26 2023-04-11 Invensense, Inc. Piezoelectric micromachined ultrasound transducer device with piezoelectric barrier layer
CN109300880A (zh) * 2018-09-26 2019-02-01 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种传感器中电容结构的制备方法、传感器
US11133178B2 (en) 2019-09-20 2021-09-28 Applied Materials, Inc. Seamless gapfill with dielectric ALD films
US11101128B1 (en) * 2020-03-12 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Methods for gapfill in substrates

Family Cites Families (296)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US808780A (en) * 1904-07-25 1906-01-02 James R Robinson Baling-press.
US2534846A (en) 1946-06-20 1950-12-19 Emi Ltd Color filter
DE1288651B (de) 1963-06-28 1969-02-06 Siemens Ag Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
US3616312A (en) 1966-04-15 1971-10-26 Ionics Hydrazine manufacture
FR1603131A (zh) 1968-07-05 1971-03-22
US3653741A (en) 1970-02-16 1972-04-04 Alvin M Marks Electro-optical dipolar material
US3813265A (en) 1970-02-16 1974-05-28 A Marks Electro-optical dipolar material
US3728030A (en) 1970-06-22 1973-04-17 Cary Instruments Polarization interferometer
US3725868A (en) 1970-10-19 1973-04-03 Burroughs Corp Small reconfigurable processor for a variety of data processing applications
DE2336930A1 (de) 1973-07-20 1975-02-06 Battelle Institut E V Infrarot-modulator (ii.)
US4099854A (en) 1976-10-12 1978-07-11 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption
US4196396A (en) 1976-10-15 1980-04-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Interferometer apparatus using electro-optic material with feedback
US4389096A (en) 1977-12-27 1983-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus of liquid crystal valve projection type
US4445050A (en) 1981-12-15 1984-04-24 Marks Alvin M Device for conversion of light power to electric power
US4663083A (en) 1978-05-26 1987-05-05 Marks Alvin M Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics
US4228437A (en) 1979-06-26 1980-10-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror
NL8001281A (nl) 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
DE3012253A1 (de) 1980-03-28 1981-10-15 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung
US4377324A (en) 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4441791A (en) 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
FR2506026A1 (fr) 1981-05-18 1982-11-19 Radant Etudes Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence
NL8103377A (nl) 1981-07-16 1983-02-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
US4571603A (en) 1981-11-03 1986-02-18 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror electrostatic printer
NL8200354A (nl) 1982-02-01 1983-09-01 Philips Nv Passieve weergeefinrichting.
US4500171A (en) 1982-06-02 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Process for plastic LCD fill hole sealing
US4482213A (en) 1982-11-23 1984-11-13 Texas Instruments Incorporated Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs
US4710732A (en) 1984-07-31 1987-12-01 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4566935A (en) 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4596992A (en) 1984-08-31 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Linear spatial light modulator and printer
US4662746A (en) 1985-10-30 1987-05-05 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5096279A (en) 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5061049A (en) 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4615595A (en) 1984-10-10 1986-10-07 Texas Instruments Incorporated Frame addressed spatial light modulator
US4617608A (en) 1984-12-28 1986-10-14 At&T Bell Laboratories Variable gap device and method of manufacture
US5172262A (en) 1985-10-30 1992-12-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
GB2186708B (en) 1985-11-26 1990-07-11 Sharp Kk A variable interferometric device and a process for the production of the same
GB8610129D0 (en) 1986-04-25 1986-05-29 Secr Defence Electro-optical device
US4748366A (en) 1986-09-02 1988-05-31 Taylor George W Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects
US4786128A (en) 1986-12-02 1988-11-22 Quantum Diagnostics, Ltd. Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction
NL8701138A (nl) 1987-05-13 1988-12-01 Philips Nv Electroscopische beeldweergeefinrichting.
DE3716485C1 (de) 1987-05-16 1988-11-24 Heraeus Gmbh W C Xenon-Kurzbogen-Entladungslampe
US4900136A (en) 1987-08-11 1990-02-13 North American Philips Corporation Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel
US4956619A (en) 1988-02-19 1990-09-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US4856863A (en) 1988-06-22 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Optical fiber interconnection network including spatial light modulator
US5028939A (en) 1988-08-23 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator system
JP2700903B2 (ja) * 1988-09-30 1998-01-21 シャープ株式会社 液晶表示装置
US5030319A (en) 1988-12-27 1991-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of oxide etching with condensed plasma reaction product
US4982184A (en) 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US5162787A (en) 1989-02-27 1992-11-10 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface
US5206629A (en) 1989-02-27 1993-04-27 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and memory for digitized video display
US5170156A (en) 1989-02-27 1992-12-08 Texas Instruments Incorporated Multi-frequency two dimensional display system
US5214420A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator projection system with random polarity light
US5079544A (en) 1989-02-27 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Standard independent digitized video system
US5192946A (en) 1989-02-27 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Digitized color video display system
US5272473A (en) 1989-02-27 1993-12-21 Texas Instruments Incorporated Reduced-speckle display system
US5214419A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Planarized true three dimensional display
US5287096A (en) 1989-02-27 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Variable luminosity display system
US4900395A (en) 1989-04-07 1990-02-13 Fsi International, Inc. HF gas etching of wafers in an acid processor
US5022745A (en) 1989-09-07 1991-06-11 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror
US4954789A (en) 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5381253A (en) * 1991-11-14 1995-01-10 Board Of Regents Of University Of Colorado Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation
US5124834A (en) 1989-11-16 1992-06-23 General Electric Company Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same
US5037173A (en) 1989-11-22 1991-08-06 Texas Instruments Incorporated Optical interconnection network
US5500635A (en) * 1990-02-20 1996-03-19 Mott; Jonathan C. Products incorporating piezoelectric material
CH682523A5 (fr) 1990-04-20 1993-09-30 Suisse Electronique Microtech Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel.
GB9012099D0 (en) 1990-05-31 1990-07-18 Kodak Ltd Optical article for multicolour imaging
DE69113150T2 (de) 1990-06-29 1996-04-04 Texas Instruments Inc Deformierbare Spiegelvorrichtung mit aktualisiertem Raster.
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5099353A (en) 1990-06-29 1992-03-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5216537A (en) 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5142405A (en) 1990-06-29 1992-08-25 Texas Instruments Incorporated Bistable dmd addressing circuit and method
US5018256A (en) 1990-06-29 1991-05-28 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5153771A (en) 1990-07-18 1992-10-06 Northrop Corporation Coherent light modulation and detector
US5192395A (en) 1990-10-12 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of making a digital flexure beam accelerometer
US5526688A (en) 1990-10-12 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Digital flexure beam accelerometer and method
US5044736A (en) 1990-11-06 1991-09-03 Motorola, Inc. Configurable optical filter or display
US5602671A (en) * 1990-11-13 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Low surface energy passivation layer for micromechanical devices
FR2669466B1 (fr) 1990-11-16 1997-11-07 Michel Haond Procede de gravure de couches de circuit integre a profondeur fixee et circuit integre correspondant.
US5233459A (en) 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
US5136669A (en) 1991-03-15 1992-08-04 Sperry Marine Inc. Variable ratio fiber optic coupler optical signal processing element
CA2063744C (en) 1991-04-01 2002-10-08 Paul M. Urbanus Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system
US5142414A (en) 1991-04-22 1992-08-25 Koehler Dale R Electrically actuatable temporal tristimulus-color device
US5226099A (en) 1991-04-26 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror shutter device
FR2679057B1 (fr) 1991-07-11 1995-10-20 Morin Francois Structure d'ecran a cristal liquide, a matrice active et a haute definition.
US5179274A (en) 1991-07-12 1993-01-12 Texas Instruments Incorporated Method for controlling operation of optical systems and devices
US5168406A (en) 1991-07-31 1992-12-01 Texas Instruments Incorporated Color deformable mirror device and method for manufacture
US5254980A (en) 1991-09-06 1993-10-19 Texas Instruments Incorporated DMD display system controller
US5233385A (en) 1991-12-18 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated White light enhanced color field sequential projection
US5233456A (en) 1991-12-20 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated Resonant mirror and method of manufacture
US5228013A (en) 1992-01-10 1993-07-13 Bik Russell J Clock-painting device and method for indicating the time-of-day with a non-traditional, now analog artistic panel of digital electronic visual displays
US5296950A (en) 1992-01-31 1994-03-22 Texas Instruments Incorporated Optical signal free-space conversion board
US5231532A (en) 1992-02-05 1993-07-27 Texas Instruments Incorporated Switchable resonant filter for optical radiation
US5212582A (en) 1992-03-04 1993-05-18 Texas Instruments Incorporated Electrostatically controlled beam steering device and method
DE69310974T2 (de) 1992-03-25 1997-11-06 Texas Instruments Inc Eingebautes optisches Eichsystem
US5312513A (en) * 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
WO1993021663A1 (en) * 1992-04-08 1993-10-28 Georgia Tech Research Corporation Process for lift-off of thin film materials from a growth substrate
US5311360A (en) 1992-04-28 1994-05-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for modulating a light beam
TW245772B (zh) * 1992-05-19 1995-04-21 Akzo Nv
JPH0651250A (ja) * 1992-05-20 1994-02-25 Texas Instr Inc <Ti> モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ
US5820770A (en) 1992-07-21 1998-10-13 Seagate Technology, Inc. Thin film magnetic head including vias formed in alumina layer and process for making the same
US5818095A (en) * 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
US5345328A (en) 1992-08-12 1994-09-06 Sandia Corporation Tandem resonator reflectance modulator
US5293272A (en) 1992-08-24 1994-03-08 Physical Optics Corporation High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating
US5327286A (en) 1992-08-31 1994-07-05 Texas Instruments Incorporated Real time optical correlation system
US5325116A (en) 1992-09-18 1994-06-28 Texas Instruments Incorporated Device for writing to and reading from optical storage media
US5433219A (en) * 1992-09-23 1995-07-18 Spery; Nanette S. Receptive condom assembly
US5296775A (en) 1992-09-24 1994-03-22 International Business Machines Corporation Cooling microfan arrangements and process
US5312512A (en) 1992-10-23 1994-05-17 Ncr Corporation Global planarization using SOG and CMP
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5559358A (en) 1993-05-25 1996-09-24 Honeywell Inc. Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom
US6199874B1 (en) * 1993-05-26 2001-03-13 Cornell Research Foundation Inc. Microelectromechanical accelerometer for automotive applications
US6149190A (en) 1993-05-26 2000-11-21 Kionix, Inc. Micromechanical accelerometer for automotive applications
US5324683A (en) 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
US5489952A (en) * 1993-07-14 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and device for multi-format television
US5673139A (en) 1993-07-19 1997-09-30 Medcom, Inc. Microelectromechanical television scanning device and method for making the same
US5526172A (en) 1993-07-27 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same
US5629790A (en) 1993-10-18 1997-05-13 Neukermans; Armand P. Micromachined torsional scanner
US5497197A (en) * 1993-11-04 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated System and method for packaging data into video processor
US5517347A (en) 1993-12-01 1996-05-14 Texas Instruments Incorporated Direct view deformable mirror device
US5583688A (en) 1993-12-21 1996-12-10 Texas Instruments Incorporated Multi-level digital micromirror device
US5500761A (en) * 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
JPH07253594A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Fujitsu Ltd 表示装置
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US7460291B2 (en) 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US7852545B2 (en) 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US6040937A (en) * 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5497172A (en) * 1994-06-13 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing
US5499062A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Texas Instruments Incorporated Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory
US5636052A (en) 1994-07-29 1997-06-03 Lucent Technologies Inc. Direct view display based on a micromechanical modulation
US5703710A (en) 1994-09-09 1997-12-30 Deacon Research Method for manipulating optical energy using poled structure
DE4437259C1 (de) 1994-10-18 1995-10-19 Siemens Ag Mikromechanisches Relais
US5650881A (en) 1994-11-02 1997-07-22 Texas Instruments Incorporated Support post architecture for micromechanical devices
US5610624A (en) * 1994-11-30 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect
US5726480A (en) * 1995-01-27 1998-03-10 The Regents Of The University Of California Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same
US5610438A (en) * 1995-03-08 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Micro-mechanical device with non-evaporable getter
US5698771A (en) * 1995-03-30 1997-12-16 The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration Varying potential silicon carbide gas sensor
US5535047A (en) 1995-04-18 1996-07-09 Texas Instruments Incorporated Active yoke hidden hinge digital micromirror device
US5784190A (en) 1995-04-27 1998-07-21 John M. Baker Electro-micro-mechanical shutters on transparent substrates
JPH08335707A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Nippondenso Co Ltd 半導体力学量センサ及びその製造方法
US6046840A (en) 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
US5661591A (en) 1995-09-29 1997-08-26 Texas Instruments Incorporated Optical switch having an analog beam for steering light
US5740150A (en) 1995-11-24 1998-04-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Galvanomirror and optical disk drive using the same
US5771321A (en) 1996-01-04 1998-06-23 Massachusetts Institute Of Technology Micromechanical optical switch and flat panel display
US5751469A (en) 1996-02-01 1998-05-12 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for an improved micromechanical modulator
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
US5753418A (en) 1996-09-03 1998-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd 0.3 Micron aperture width patterning process
US5884083A (en) * 1996-09-20 1999-03-16 Royce; Robert Computer system to compile non-incremental computer source code to execute within an incremental type computer system
US5786927A (en) 1997-03-12 1998-07-28 Lucent Technologies Inc. Gas-damped micromechanical structure
US5768009A (en) 1997-04-18 1998-06-16 E-Beam Light valve target comprising electrostatically-repelled micro-mirrors
US6104525A (en) * 1997-04-29 2000-08-15 Daewoo Electronics Co., Ltd. Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof
DE69806846T2 (de) * 1997-05-08 2002-12-12 Texas Instruments Inc Verbesserungen für räumliche Lichtmodulatoren
US5808780A (en) 1997-06-09 1998-09-15 Texas Instruments Incorporated Non-contacting micromechanical optical switch
US5867302A (en) * 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
US6031653A (en) * 1997-08-28 2000-02-29 California Institute Of Technology Low-cost thin-metal-film interference filters
AT410043B (de) * 1997-09-30 2003-01-27 Sez Ag Verfahren zum planarisieren von halbleitersubstraten
JP2001522072A (ja) * 1997-10-31 2001-11-13 テーウー エレクトロニクス カンパニー リミテッド 薄膜型光路調節装置の製造方法
US6028690A (en) * 1997-11-26 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio
US6180428B1 (en) * 1997-12-12 2001-01-30 Xerox Corporation Monolithic scanning light emitting devices using micromachining
US6438149B1 (en) * 1998-06-26 2002-08-20 Coretek, Inc. Microelectromechanically tunable, confocal, vertical cavity surface emitting laser and fabry-perot filter
US6016693A (en) * 1998-02-09 2000-01-25 The Regents Of The University Of California Microfabrication of cantilevers using sacrificial templates
US6195196B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
US5943158A (en) 1998-05-05 1999-08-24 Lucent Technologies Inc. Micro-mechanical, anti-reflection, switched optical modulator array and fabrication method
US6147790A (en) 1998-06-02 2000-11-14 Texas Instruments Incorporated Spring-ring micromechanical device
US6295154B1 (en) 1998-06-05 2001-09-25 Texas Instruments Incorporated Optical switching apparatus
KR100290895B1 (ko) * 1998-06-30 2001-07-12 김영환 반도체 소자의 커패시터 구조 및 이의 제조 방법
DE29914623U1 (de) * 1998-08-25 2000-04-20 Epcos Ag Gehäuse für elektrische Bauelemente
US6288824B1 (en) 1998-11-03 2001-09-11 Alex Kastalsky Display device based on grating electromechanical shutter
US6194323B1 (en) * 1998-12-16 2001-02-27 Lucent Technologies Inc. Deep sub-micron metal etch with in-situ hard mask etch
US6335831B2 (en) * 1998-12-18 2002-01-01 Eastman Kodak Company Multilevel mechanical grating device
US6358021B1 (en) 1998-12-29 2002-03-19 Honeywell International Inc. Electrostatic actuators for active surfaces
US6215221B1 (en) 1998-12-29 2001-04-10 Honeywell International Inc. Electrostatic/pneumatic actuators for active surfaces
JP4787412B2 (ja) * 1999-03-30 2011-10-05 シチズンホールディングス株式会社 薄膜基板の形成方法およびその方法によって形成された薄膜基板
US6446486B1 (en) 1999-04-26 2002-09-10 Sandia Corporation Micromachine friction test apparatus
JP3592136B2 (ja) * 1999-06-04 2004-11-24 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドおよびその製造方法と微小電気機械装置の製造方法
US6201633B1 (en) * 1999-06-07 2001-03-13 Xerox Corporation Micro-electromechanical based bistable color display sheets
US6229683B1 (en) 1999-06-30 2001-05-08 Mcnc High voltage micromachined electrostatic switch
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6351329B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-26 Lucent Technologies Inc. Optical attenuator
US6741383B2 (en) 2000-08-11 2004-05-25 Reflectivity, Inc. Deflectable micromirrors with stopping mechanisms
US6960305B2 (en) * 1999-10-26 2005-11-01 Reflectivity, Inc Methods for forming and releasing microelectromechanical structures
US20010040675A1 (en) 2000-01-28 2001-11-15 True Randall J. Method for forming a micromechanical device
US20020071169A1 (en) 2000-02-01 2002-06-13 Bowers John Edward Micro-electro-mechanical-system (MEMS) mirror device
US6407851B1 (en) 2000-08-01 2002-06-18 Mohammed N. Islam Micromechanical optical switch
DE10006035A1 (de) 2000-02-10 2001-08-16 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Bauelement
US6836366B1 (en) 2000-03-03 2004-12-28 Axsun Technologies, Inc. Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same
US6473274B1 (en) 2000-06-28 2002-10-29 Texas Instruments Incorporated Symmetrical microactuator structure for use in mass data storage devices, or the like
JP4164992B2 (ja) * 2000-07-05 2008-10-15 ソニー株式会社 陰極線管及びその製造方法
CA2352729A1 (en) * 2000-07-13 2002-01-13 Creoscitex Corporation Ltd. Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof
US6456420B1 (en) 2000-07-27 2002-09-24 Mcnc Microelectromechanical elevating structures
US6853129B1 (en) * 2000-07-28 2005-02-08 Candescent Technologies Corporation Protected substrate structure for a field emission display device
US6795605B1 (en) * 2000-08-01 2004-09-21 Cheetah Omni, Llc Micromechanical optical switch
US6867897B2 (en) 2003-01-29 2005-03-15 Reflectivity, Inc Micromirrors and off-diagonal hinge structures for micromirror arrays in projection displays
US6635919B1 (en) 2000-08-17 2003-10-21 Texas Instruments Incorporated High Q-large tuning range micro-electro mechanical system (MEMS) varactor for broadband applications
US6466354B1 (en) * 2000-09-19 2002-10-15 Silicon Light Machines Method and apparatus for interferometric modulation of light
US6522801B1 (en) * 2000-10-10 2003-02-18 Agere Systems Inc. Micro-electro-optical mechanical device having an implanted dopant included therein and a method of manufacture therefor
US6775048B1 (en) 2000-10-31 2004-08-10 Microsoft Corporation Microelectrical mechanical structure (MEMS) optical modulator and optical display system
US6859218B1 (en) * 2000-11-07 2005-02-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic display devices and methods
US6433917B1 (en) 2000-11-22 2002-08-13 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
US6647171B1 (en) 2000-12-01 2003-11-11 Corning Incorporated MEMS optical switch actuator
US6906847B2 (en) 2000-12-07 2005-06-14 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
US7196599B2 (en) 2000-12-11 2007-03-27 Dabbaj Rad H Electrostatic device
US6418006B1 (en) 2000-12-20 2002-07-09 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Wide tuning range variable MEMs capacitor
US6625047B2 (en) 2000-12-31 2003-09-23 Texas Instruments Incorporated Micromechanical memory element
WO2002058089A1 (en) 2001-01-19 2002-07-25 Massachusetts Institute Of Technology Bistable actuation techniques, mechanisms, and applications
JP2002219696A (ja) * 2001-01-26 2002-08-06 Matsushita Electric Works Ltd 半導体マイクロアクチュエータ
WO2002061488A1 (en) 2001-01-30 2002-08-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Variable mirror and information apparatus comprising variable mirror
US6480320B2 (en) 2001-02-07 2002-11-12 Transparent Optical, Inc. Microelectromechanical mirror and mirror array
US6768403B2 (en) 2002-03-12 2004-07-27 Hrl Laboratories, Llc Torsion spring for electro-mechanical switches and a cantilever-type RF micro-electromechanical switch incorporating the torsion spring
US6399492B1 (en) * 2001-03-15 2002-06-04 Micron Technology, Inc. Ruthenium silicide processing methods
US6661561B2 (en) 2001-03-26 2003-12-09 Creo Inc. High frequency deformable mirror device
US6657832B2 (en) 2001-04-26 2003-12-02 Texas Instruments Incorporated Mechanically assisted restoring force support for micromachined membranes
FR2824643B1 (fr) 2001-05-10 2003-10-31 Jean Pierre Lazzari Dispositif de modulation de lumiere
JP2002344111A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Toshiba Corp 平面表示装置用基板または半導体素子の製造方法
US6639724B2 (en) * 2001-06-05 2003-10-28 Lucent Technologies Inc. Device having a barrier layer located therein and a method of manufacture therefor
US7005314B2 (en) * 2001-06-27 2006-02-28 Intel Corporation Sacrificial layer technique to make gaps in MEMS applications
US6617082B2 (en) * 2001-06-29 2003-09-09 Intel Corporation Microelectromechanical system mask
JP3740444B2 (ja) 2001-07-11 2006-02-01 キヤノン株式会社 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体
JP4032216B2 (ja) * 2001-07-12 2008-01-16 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置
KR100452112B1 (ko) * 2001-07-18 2004-10-12 한국과학기술원 정전 구동기
US7057251B2 (en) * 2001-07-20 2006-06-06 Reflectivity, Inc MEMS device made of transition metal-dielectric oxide materials
US6717488B2 (en) 2001-09-13 2004-04-06 Nth Tech Corporation Resonator with a member having an embedded charge and a method of making thereof
WO2003028059A1 (en) 2001-09-21 2003-04-03 Hrl Laboratories, Llc Mems switches and methods of making same
US6508561B1 (en) * 2001-10-17 2003-01-21 Analog Devices, Inc. Optical mirror coatings for high-temperature diffusion barriers and mirror shaping
AU2002363529A1 (en) * 2001-11-09 2003-05-19 Coventor, Incorporated Micro-scale interconnect device with internal heat spreader and method for fabricating same
US6717496B2 (en) 2001-11-13 2004-04-06 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Electromagnetic energy controlled low actuation voltage microelectromechanical switch
JP2003181976A (ja) * 2001-12-19 2003-07-03 Omron Corp 積層体、開閉器、検出装置、接合部、配線、静電アクチュエータ、キャパシタ、計測装置及び無線機
JP3893421B2 (ja) 2001-12-27 2007-03-14 富士フイルム株式会社 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置
US7106491B2 (en) 2001-12-28 2006-09-12 Texas Instruments Incorporated Split beam micromirror
US6791735B2 (en) * 2002-01-09 2004-09-14 The Regents Of The University Of California Differentially-driven MEMS spatial light modulator
US6794119B2 (en) * 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6643053B2 (en) 2002-02-20 2003-11-04 The Regents Of The University Of California Piecewise linear spatial phase modulator using dual-mode micromirror arrays for temporal and diffractive fourier optics
US6965468B2 (en) 2003-07-03 2005-11-15 Reflectivity, Inc Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array
US7027200B2 (en) * 2002-03-22 2006-04-11 Reflectivity, Inc Etching method used in fabrications of microstructures
US7029829B2 (en) * 2002-04-18 2006-04-18 The Regents Of The University Of Michigan Low temperature method for forming a microcavity on a substrate and article having same
US6954297B2 (en) 2002-04-30 2005-10-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid
US20030202264A1 (en) 2002-04-30 2003-10-30 Weber Timothy L. Micro-mirror device
JP3801099B2 (ja) 2002-06-04 2006-07-26 株式会社デンソー チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置
US6852454B2 (en) * 2002-06-18 2005-02-08 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-tiered lithographic template and method of formation and use
US7071289B2 (en) * 2002-07-11 2006-07-04 The University Of Connecticut Polymers comprising thieno [3,4-b]thiophene and methods of making and using the same
JP2004066379A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 Denso Corp マイクロ構造体の製造方法
US6822798B2 (en) 2002-08-09 2004-11-23 Optron Systems, Inc. Tunable optical filter
US6674033B1 (en) * 2002-08-21 2004-01-06 Ming-Shan Wang Press button type safety switch
JP2004103969A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd 導電性パターン基板の製造方法
TW544787B (en) * 2002-09-18 2003-08-01 Promos Technologies Inc Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer
FR2845200A1 (fr) * 2002-09-26 2004-04-02 Memscap Procede de fabrication d'un composant electronique incluant une structure micro-electromecanique
US6825968B2 (en) 2002-10-11 2004-11-30 Exajoule, Llc Micromirror systems with electrodes configured for sequential mirror attraction
JP2004137519A (ja) * 2002-10-15 2004-05-13 Nagase & Co Ltd エッチング液管理方法およびエッチング液管理装置
JP4347654B2 (ja) 2002-10-16 2009-10-21 オリンパス株式会社 可変形状反射鏡及びその製造方法
US6666561B1 (en) 2002-10-28 2003-12-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Continuously variable analog micro-mirror device
US6927891B1 (en) * 2002-12-23 2005-08-09 Silicon Light Machines Corporation Tilt-able grating plane for improved crosstalk in 1×N blaze switches
TWI289708B (en) * 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
US7002719B2 (en) 2003-01-15 2006-02-21 Lucent Technologies Inc. Mirror for an integrated device
US6903487B2 (en) 2003-02-14 2005-06-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device with increased mirror tilt
US6975459B2 (en) * 2003-03-12 2005-12-13 Massachusetts Institute Of Technology Micro-actuated adaptive diffractive composites
JP2004279561A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
US6987432B2 (en) * 2003-04-16 2006-01-17 Robert Bosch Gmbh Temperature compensation for silicon MEMS resonator
TWI224235B (en) 2003-04-21 2004-11-21 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW594360B (en) 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW567355B (en) * 2003-04-21 2003-12-21 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US6829132B2 (en) * 2003-04-30 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control of micro-electromechanical device
US7072093B2 (en) 2003-04-30 2006-07-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical interference pixel display with charge control
JP2004347753A (ja) * 2003-05-21 2004-12-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 形状可変ミラー素子及び形状可変ミラー素子の製造方法並びに形状可変ミラーユニット並びに光ピックアップ
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TWI224205B (en) * 2003-05-30 2004-11-21 Asian Pacific Microsystems Optical signal processing device and fabrication method thereof
US7173314B2 (en) * 2003-08-13 2007-02-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI305599B (en) * 2003-08-15 2009-01-21 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference display panel and method thereof
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TW593127B (en) * 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US6982820B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
US6967757B1 (en) 2003-11-24 2005-11-22 Sandia Corporation Microelectromechanical mirrors and electrically-programmable diffraction gratings based on two-stage actuation
TWI235345B (en) * 2004-01-20 2005-07-01 Prime View Int Co Ltd A structure of an optical interference display unit
JP2005211997A (ja) * 2004-01-27 2005-08-11 Nikon Corp シリコン型、シリコン型の製造方法、成形型の製造方法及び微細構造物の製造方法
US7119945B2 (en) 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
US6999228B2 (en) 2004-03-05 2006-02-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro mirror device with adjacently suspended spring and method for the same
JP4390194B2 (ja) 2004-03-19 2009-12-24 株式会社リコー 偏向ミラー、偏向ミラー製造方法、光書込装置及び画像形成装置
JP2005286431A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Sharp Corp 携帯機器
US7075700B2 (en) 2004-06-25 2006-07-11 The Boeing Company Mirror actuator position sensor systems and methods
US7273693B2 (en) * 2004-07-30 2007-09-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for forming a planar mirror using a sacrificial oxide
US7082684B2 (en) * 2004-08-04 2006-08-01 Palo Alto Research Center Incorporated Intermetallic spring structure
US20060066932A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Clarence Chui Method of selective etching using etch stop layer
US20060176487A1 (en) * 2004-09-27 2006-08-10 William Cummings Process control monitors for interferometric modulators
US7369296B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
US7161730B2 (en) * 2004-09-27 2007-01-09 Idc, Llc System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display
US7199916B2 (en) 2004-12-07 2007-04-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator device
US7710371B2 (en) * 2004-12-16 2010-05-04 Xerox Corporation Variable volume between flexible structure and support surface
KR20080019708A (ko) * 2005-06-14 2008-03-04 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 단락에 대한 방사원 보호 방법
EP2495212A3 (en) * 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
KR101423321B1 (ko) 2005-07-22 2014-07-30 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 지지 구조물들을 가지는 전자기계 장치들 및 그 제조방법들
EP1910216A1 (en) 2005-07-22 2008-04-16 QUALCOMM Incorporated Support structure for mems device and methods therefor

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