CN102844715A - 合并多个几何像素图像并生成单个调制器像素图像的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及定制专用工件,比如芯片、平板或其它通过直接写入自定义图案而在基板上生产的电子装置。定制可以按装置、按基板、按批次进行或者用于其它一些无法使用自定义掩模或掩模组的小型存储媒体。特别地,本发明涉及定制在基板上的辐射敏感层中形成的潜像,合并标准图案数据和自定义图案数据以形成用于生产定制的潜像的自定义图案。很多种基板可得益于本发明所公开的技术。
Description
相关申请
本申请涉及并要求与本发明名称相同的美国临时专利申请No.61/311,276的利益。本申请还涉及名为“修正SLM印记图像缺陷的方法和装置(Method and Device for Correcting SLM Stamp Image Imperfections)”的美国专利Nos.7,328,425、名为“在工件上形成图案的方法和设备(Methodand Apparatus for Patterning a Workpiece)”的美国专利7,405,414以及名为“半导体个性化生产的方法和装置(Method and Apparatus for Personalizationof Semiconductor)”的美国专利7,842,525。本申请还涉及名为“微光刻印刷中梯度辅助的重采样(Gradient Assisted Resampling in Micro-LithographicPrinting)”的美国专利公开2010/631595Al。本申请也涉及名为“部分相关照射的照射方法和装置(Illumination Methods and Devices for PartiallyCoherent Illumination)”的美国专利申请No.12/718,904。
技术领域
本发明涉及定制专用工件,比如芯片、平板或其它通过直接写入自定义图案而在基板上生产的电子装置。定制可以按装置、按基板、按批次进行或者用于其它一些无法使用自定义掩模或掩模组的小型存储媒体。特别地,本发明涉及定制在基板上的辐射敏感层中形成的潜像,合并标准图案数据和自定义图案数据以形成用于生产定制的潜像的自定义图案。很多种基板可得益于本发明所公开的技术。
背景技术
将自定义、个性化或独特的信息永久性地装入集成电路有时候是有用的。这种用处已导致多种一次性可编程或单次写入存储器的开发。一个例子在名为“包括各向异性的半导体薄片的单次写入存储器的二极管-熔丝存储器元件(Diode-and-Fuse Memory Elements for a Write-Once MemoryComprising an Anisotropic Semi Conductor Sheet)”的美国专利No.6,813,182中找到。该专利所描述的交叉点存储元件可以从熔丝完好状态转换成熔丝烧断状态仅一次,进而提供单次写入存储。
另一个例子在名为“半导体设备及其数据元件和制造方法(SemiConductor Device,Data Element Thereof and Method of Fabricating theSame)”的美国专利公开2010/0001330A1中找到。该申请描述了工厂编程ROM类别中的非易失性存储器(也称掩模ROM),以及现场可编程存储器。
与熔丝存储方法相相比,Micronic Laser/Micronic Mydata的开发团队以前曾提出将步进光刻机的特征与SLM结合以将来自掩模的标准数据和来自SLM的自定义数据在光学上合并。该技术领域公开的两项专利包括同样名为“半导体个性化生产的方法和设备(Method and Apparatus forPersonalization of Semiconductor)”的美国专利No.6,813,058以及No.7,842,525。
于是,有机会提供新技术将自定义、个性化或独特的信息永久性地装入集成电路。新技术可以更好地集成到产品中、更为可靠、更为灵活或更具成本效益。
发明内容
本发明涉及定制专用工件,比如集成电路、平板或其它通过直接写入自定义图案而在基板上生产的电子装置。定制可以按装置、按基板、按批次进行或者用于其它一些无法使用自定义掩模或掩模组的小型存储媒体。特别地,本发明涉及定制在基板上的辐射敏感层中形成的潜像,合并标准图案数据和自定义图案数据以形成用于生产定制的潜像的自定义图案。很多种基板可得益于本发明所公开的技术。本发明的具体各方面在权利要求书、说明书和附图中描述。
附图说明
图1示出了SLM图案生成器的总体布局。
图2示出了具有三个臂的扫描系统以及被写入在中枢相对的两侧上的一对工件。
图3示出了包括重采样至调制器栅格的通用数据通路。
图4是合并标准图案数据和自定义图案数据的数据流的高级框图。
图5示出了其上形成有多块裸片(dies)的圆形晶片和矩形基板。
图6示出了不同像素尺寸和瓦块尺寸的栅格。
图7示出了多种用于生产潜像的调制器和载置台的类型。
具体实施方式
以下详细描述是参考附图做出的。描述优选实施例是用于说明本发明,而并非用于限制权利要求所限定的保护范围。本领域的技术人员会意识到关于以下描述的多种等效变化。
图4-6公开了标准数据和自定义数据的重采样和合并,以及使用合并的数据通过直接写入装置在基板上的至少一层辐射敏感层中形成潜像。
图4是合并标准图案数据和自定义图案数据的数据流的高级框图。合并重采样部件(merging and resampling component)433在两条数据通路上接收标准图案数据401和自定义图案数据431。数据通路可以是物理上分离的或交错的,就像在单条数据总线或存储器访问通道上。所谓“数据通路”,我们指的是如何将数据送至合并重采样部件433。数据可以来自向量数据或栅格数据,并且可以储存在旋转式或非旋转式存储器上。
设计数据,通常是向量数据集,被转换成用于制造的、常见的向量格式。向量域几何处理适用于这种格式。随后,向量格式的数据演变成几何像素图,产生了我们所谓的“标准图案数据”。应用了像素域图像处理并且所述数据被重采样成用于打印的、与调制器相关的格式。
为实现生产许多相同或近似相同的面板的批量打印,反复使用之前生成的数据是有益的,以避免多次重复做同样的工作。然而,在图像格式版本演变期间,不能反复使用最终的调制器像素图,因为它含有针对正在成像的特定面板的补偿。此类补偿的例子包括对齐信息和畸变补偿。标准图案数据可以在多块面板之间通用并且可以反复使用,或者,它可能仅仅是应用了定制的基础数据。在多块板之间反复使用意味着几何图被生成一次之后相同的图被反复用于一个批次中的多块面板。这样,与几何图必须为每块面板反复生成时相比,计算量有所降低并且硬件构造变小。几何图可以在进行实际打印之前很长时间就生产出来。实际上,为了以后的使用,可以提前将多幅几何图备好并予存档。该方案也允许在打印之前对图进行检查。
可重复使用的标准图案数据本质上使面板相同,这通常是所希望的。然而,在有些使用情况中,独特性对于某些面板或者某些面板的零件是期望的,比如用于包装的基板或用于编程的存储元件。独特性的例子包括单元序列号,生产批次(或生产时间及日期),生产基板或其它生产数据。在其它一些情况中,裸片的边缘需要与裸片主面不同的图案,例如在大面积掩模中。为了这些目的,可以使用自定义图案数据的第二像素图。我们公开了标准图案数据与自定义图案数据的合并及重采样,例如在当数据正用于形成潜像时。
合并可以在不同时间进行,在重采样之前或之后。于是,合并及重采样由单个方框表示并且可以声称为一个单独的动作,因为合并及重采样的顺序取决于标准图案数据和自定义图案数据的性质。在一些使用情况中,合并可以在重采样之前完成,允许加工在线下进行,其中时间不是很要紧。随后,线上加工更接近由时间决定的,允许计算能力的优化。重采样操作使一幅输入图变成一幅输出图,这简化了重采样操作。结合的像素图可以在打印之前访问检查。
当在重采样期间进行合并时,自定义图案数据像素图可以恰好在打印之前生成,恰好在调制器像素图生成之前。在生产时间附近生成的、最近的自定义图案数据的一个例子是将精确的生产时间合并到图案去。
当在重采样之后进行合并时,可将额外的像素图合并到已有的调制器像素图中。当以需要在打印之前合并多个调制器像素图的方式分割数据流时,这可能是有益的。
在合并期间,可以检测自定义图案数据以决定在特定的区域、画面格或瓦片中是否需要定制。瓦片是根据来自调制器的要求所设置的多片调制器数据。瓦片也可以定义为具有空间范围的数据块。如果没有定制的话,可以通过完全省略合并或在标准图案数据中进行将不改变像素值的合并而使合并优化。如果没有定制的话,将有很少或没有要处理的自定义图案数据。
几何像素底图中的标准图案数据与(一幅或多幅)额外几何像素图中的自定义图案数据之间的合并可以对匹配的或很不同的像素栅格进行。首先,可以将相同且对齐的像素栅格合并。以最简单的形式,合并在多幅像素图上进行,在这些像素图中的栅格和瓦片是匹配的,也就是,像素尺寸和图的对齐是一致的。在这种情况下,合并可以在重采样之前利用简单的合并操作像素到像素地进行。下面描述备选的合并操作。
其次,可以将相同但偏移的像素栅格合并。这里,多幅像素图的栅格具有相同的像素尺寸,但是它们是偏移的,以致一幅图中的单个像素无法与另一幅图中的单个像素对应。在这种情况下,可以通过卡住(snapping)额外图的偏移使偏移移除以与底图匹配。随后,合并在重采样之前利用简单的合并操作像素到像素地进行。或者,额外图中的多个邻接像素可以被重采样以决定最终将被合并的像素值。
最后,可以合并不匹配的像素栅格。图6描述了这种合并,该图示出了不同像素尺寸及瓦片尺寸的栅格。在该图中,标准图案数据在栅格601中而自定义图案数据在栅格611中。自定义数据的3个像素613套在12个标准数据的像素605上。连接图案613覆盖开缺口的垫片(pad)603。这是对0和1(作为关闭和打开的连接)表示的自定义图案编程的简化。当像素栅格不匹配时(倾斜或偏移),图像可以通过重采样至共同的栅格和瓦片来合并。或者,可以同时重采样多个栅格并将重采样结果合并。
当像素栅格匹配时,合并可以利用简单的一到一合并运算逐像素完成。基于相关数据,可以使用不同的合并运算,比如替换、加、减、异或、与、或。替换、加和减这三种运算可以用于由浮点值或整数值表示的像素,但是由于指数标度的问题,逻辑运算很难应用于浮点值。如果像素是由整数值表示的,则可以应用任一所述合并运算。
在某些实施例中,至少两个将要合并的图案可以不仅是像素对齐的,而且是瓦片对齐的。这后面的原理是:如果数据是在瓦片中处理而瓦片没有对齐,将会有不同数量的瓦片馈入至少两条数据流。
在一示例性实施例中,至少一个将被合并的图案(例如主图案)可能在合并位置不具有任何图案,也就是,一个或者两个图案数据流可能都不具有任何用于计算出来的实际位置的数据。那样的话,可以使用来自有数据提供的数据流的数据,并且如果没有数据提供的话,将会生成归零。例如,对于稀疏的图案这种情况可能会发生,并且瓦片随后仅被储存在有数据的地方(在GPM文件中)。所以,对于示例性实施例中合并的图案,通常只是对于有合并的图案的区域才会有瓦片。尽管并没有限制合并的图案像原图案一样致密,但是鉴于有两个或更多完整的数据流要处理,这很可能对吞吐量具有一定影响。作为示例性实施方式,与没有显著吞吐量损失的主图案相比,在合并的图案中,区域覆盖的目标可以是5-10%。
可受益于自定义图案数据的工件包括:硅晶片或半导体晶片、电路板、平板显示器以及用在辊到辊生产中的柔性材料基板。图5示出了圆形晶片501和其上形成有多块裸片511、515的矩形基板。裸片被分开以形成芯片或平板基板。
本发明所公开的定制技术适用于各种环境。Micronic Laser的开发团队已发明出各种用于微平板印刷打印(microlithographic printing)的平台。图1中示出了为Sigma机器搭建的平台。图2示出了最近提出的专利申请中所描述的旋转式打印平台。转筒打印平台在其它专利申请中描述。图7示出了各种类型用于生产潜像的调节器和载置台。其中一些调节器和载置台是目前在用的,而其它的尚未开发。除所示系统外,基于扫描仪的直接写入也已描述,尤其是在Micronic Laser和ASML的协同工作中。
在下面的段落中,我们将描述两种使用2D SLM的环境,它们可能得益于本发明所公开技术的使用。
图1示出了具有xy载置台的SLM图案生成器的总体布局。要曝光的工件位于载置台112上。载置台的位置由精确定位装置控制,比如成对的干涉计113。
工件可以是集成电路或覆有抗蚀剂层或其它曝光敏感材料层的平板。在第一方向,载置台连续移动。在其它方向(通常垂直于第一方向),载置台慢慢移动或分步移动,以致印记的条纹曝光于工件上。在该实施例中,闪光命令108在脉冲准分子激光源107处被接收,该激光源生成激光脉冲。激光脉冲可在深紫外光(DUV)或极紫外光(EUV)光谱范围内。激光脉冲通过光束调节器或光束匀质器转换成照射光106。应用这里公开的技术,具有所述照射装置的连续激光器能够替代脉冲激光器,特别是带有工件追踪光学器件的激光器。
分束器105将至少一部分照射光对准SLM 104。脉冲很短,比如仅有20ns长,所以在闪光期间任何载置台的移动都是静止的。SLM 104对由图案光栅器102处理的数据流101响应。在一构造中,SLM具有2048×512块每块为16×16μm并且具有80×80nm的投影图像的反射镜。它包括具有微机械式反射镜的、类似CMOS的存储器,所述反射镜形成于每个储存节点上方半微米处。
储存节点与反射镜之间的静电力驱动反射镜。所述装置在衍射模式下工作,并且需要使反射镜偏移仅四分之一波长(62nm至248nm)以从完全打开状态变为完全关闭状态。反射镜被驱动到打开、关闭以及63个中间值以生成致密的地址栅格。所述图案由数百万个SLM芯片的图像结合到一起形成。闪光和结合以每秒1000幅印记的速率进行。为了消除结合错误及其它错误,图案利用偏移栅格和偏移字段(fields)被写入4次。此外,字段可以沿着边缘被混合。
逐一校准反射镜。对准分子光敏感的CCD摄像机置于光程中在终端镜头下面等同于图像的位置。SLM反射镜经由一系列已知电压驱动,并且其响应由摄像机测量。校准功能对每块反射镜是决定性的,用于在写入过程中实时修正灰度数据。在数据通路中,将向量格式的图案栅格化成具有灰度级的灰度图像,所述灰度级对应于四条写入道次中专用像素上的剂量水平。所述图像能够随后使用图像处理得以处理。最后的步骤是将所述图像转换成用于SLM的驱动电压。所述图像处理函数使用可编程逻辑电路实时编制。经由相关专利申请中公开的各种步骤,光栅化图案数据转换成用于驱动SLM 104的数值103。
图2示出了一个转子扫描系统,其具有三个臂以及在中枢248的两相反侧受到写入的一对工件211、212。所示出的旋转式打印机可以在工件上打印1D或2D图像。该转子扫描系统可具有数个臂,例如2、3、4、6或8个臂,从而倍增单位时间的扫描表面积。在工件与置于转子中枢处或附近的静态图像装置之间的图像经由径向臂中继。图2中示出的系统可具有100%的占空比。各转子经由60度的弧进行写入。一次只有一个臂240交替地在两个工件211和212上写入。激光能量通过偏振控制232在SLM 247和SLM 249之间切换,并且数据流也在SLM之间切换。由于激光器220和数据通路235是写入设备中最昂贵的模块之一,本实施例设计成当臂中的SLM和光学系统具有较低的占空比(分别为50%和33%)时,100%的时间都使用激光器和数据通道。这可以是例如具有三个旋转臂240A-240C的写入系统的示例。有各种所述臂及中继光学系统的替代设计。该图概念性地示出了激光器220和控制器235发送数据至两个SLM 230,其被中继232、247、249至旋转臂。该图示出了各臂如何在各SLM前移动并在工件211、212上写入一系列的同心印记。虽然图2中示出了两个工件,但是单个工件或另外的两个工件也可定位于转子下,取决于其尺寸。虽然该示例被描述为写入系统,但是中继方向可一样轻松地从工件返回到定位在激光器220所在之处以及别处的一对检测器。
在替代构造中,单个SLM可用于在工件上投射图像,例如称为“1.5DSLM”的单个2D SLM可用于在工件上投射1D图像。所谓1.5D SLM,指的是具有N×M个像素的SLM装置,其中N是一个大数字,比如1024、2048、4096、8192或16384,而M是一个小于或等于20的小得多的数字,例如是2、3、4、5、6、8、10、15或20个像素。所谓像素,指的是SLM的一块区域,该区域在数据通路中被当成一个单元并且被指定一个像素值。在一些情况中,像素可以是单个微反射镜,在其它情况中像素可能是由同一个像素值控制的一组反射镜。
所述1.5D SLM可适于沿远方向由部分相干光照射,并沿近方向由相干光分布照射,该相干光分布具有跨越一个以上像素的相干性。具体说,所述相干性可沿近方向跨越整个设备(或其受到照射的部分)。引入用于照射1.5D SLM的变像光学系统可能引起从SLM到工件的图像投射,所述投射在SLM的两轴之间具有较大放大率(通常是缩小率)差。击中工件上的图像平面中一个点的射线的足迹由此可能是沿某一方向的点并在SLM上沿另一方向散开,即导致在工件上产生1D图像。因此,经由变像光路中继来自1.5D SLM的反射元件的辐射,以致辐射沿1.5D SLM阵列的一个轴在一定程度上缩小,这可能导致在某些特定圆柱中的专用反射元件无法在图像平面上解析。例如,缩小的反射元件可以聚焦在不到10μm宽的区域内以便在工件上生成1D图像。
该技术一些特别有用的应用涉及在电子基板上写入图案,例如晶片的正面和背面;PCB;积层、中介层及柔性互联基板;以及掩模、蜡纸、模板和其它母盘。同样地,转子写入器可用于在显示器的面板、电子纸、塑料逻辑电路、光伏电池上形成图案。形成图案的步骤可通过对光阻材料进行曝光来进行,也可经由其它光的作用来进行,例如热或光化学处理:熔化、蒸发、烧蚀、热熔、激光感生图案转印、退火、热熔的和光致的蚀刻及沉积。
图3示出了通用数据通路。按顺序方式打印的、用于基于像素的曝光系统的数据是“被展平的”(所有对聚集成的一个像素有贡献的数据)并且是局部化的。表示为演变的几何像素图(GPM 121)的图案满足这些性质并且使适当的格式作为中间储存格式。
重采样处理将GPM转换成调制器像素图(MPM 123)中的调制器像素。图像处理和形态操作也可以应用在所述重采样过程中。有可能在图案的两个局部部分都应用图像处理和形态操作,比如在曝光系统的视场上,或在全部图案上。图像处理和形态操作包括但不限于,缩放、平移、旋转、畸变和调整大小。这些操作可以用于补偿曝光系统如何投射像素到掩模/基板上以及补偿掩模/基板的性质。
由于保真度的要求及重采样过程中可能的信息丢失,中间像素图(GPM121)具有比调制器像素图(MPM 123)更高的分辨率。通过在重采样过程中使用梯度信息,满足GPM121的要求所需的存储器分辨率能够显著降低。
大部分与图案相关的处理步骤在生成GPM 121期间完成。重采样主要用于处置与本地化图案相关的(形态)操作。将重采样限于与本地化图案相关的操作是有益的,因为这样可以改善用于重采样的计算量的可预测性。可预测的计算量反过来使得优化所述构造变得更容易。
将GPM 121作为中间储存器使用使曝光系统得以独立,因为生成GPM 121的处理步骤可变得通用并且独立于曝光系统。
高分辨率微光刻中对数据通路的处理要求是很有挑战性的,即便使用最新、最强大的处理硬件。通常,并行化是促使高分辨率处理和高性能计算(HPC)成功的因素。使高分辨率处理并行包括将处理分成多个小部分。使用所述数据通路的微平板印刷应用处理具有地域特性的数据,所述地域特性在坐标系内有效。一个方便划分任务的方法是坐标导向法。
根据所公开结构的处理可在称为线下和线上的两个域中描述。处理也在不同数据域中操作。在本公开中,我们将生成几何像素图121的处理称为“GPM处理”。我们将生成调制器像素图123的GPM的重采样称为“MPM处理”。在处理的第一阶段,操作是在与调制器类型及尺寸无关的几何坐标系中完成的。第二阶段适于特定调制器。它产生了瓦片,这些瓦片是根据来自调制器的要求设置的多片调制器数据。瓦片也可以定义为具有空间范围的数据块。
当讨论数据通路时,我们将图案所覆盖的区域中邻接的部分称为“瓦片”510。瓦片可完全由几何坐标描述。我们指的是在GPM处理和MPM处理中的瓦片,尽管两者之间的坐标系可能完全不同。
除了GMP121处理域和MPM123处理域,第三数据域也值得讨论。向量数据域在光栅化之前生成GMP。由此,三个不同的数据域是向量数据、合并的几何像素图(GPM)121中的像素数据以及组织成用于调制器(MPM123,调制器像素图)的像素数据。
一些特定实施例
所公开的技术包括在基板上的辐射敏感层中形成自定义潜像的方法。该方法包括在第一数据通路上接收标准数据并且在第二数据通路上接收自定义图案数据。我们打算对数据通路进行广义地解释。标准图案数据是反复用于多块裸片或一块裸片内的多个区域的图案数据,以及反复用于易于定制的批次中的多块基板的图案数据。自定义图案数据用于修改标准图案数据以生产自定义潜像。所述方法还包括将标准自定义图案数据重采样并合并以形成合并的光栅化图案数据,该图案数据代表将在辐射敏感层中形成的物理自定义潜像。基于抗蚀剂或其它应用在基板上的辐射敏感材料,潜像可以是正的或负的。在典型的设备制造过程中,潜像被显影并且移除辐射敏感层的多个部分以形成图案。该图案用于增加或去除一部分形成电子装置的材料。
该方法还可以包括使用直接写入装置从合并的光栅化图案数据在辐射敏感层中形成自定义潜像。若干直接写入装置的例子在上面给出并在图1-2中示出。此外,图5示出了很多种调制器及扫描载置台的类型,它们可以结合以生产还没有生产的直接写入装置。我们打算对直接写入装置进行广义地解释。直接写入装置与更常规的步进光刻机之间的区别是步进光刻机使用掩模或标线片,而直接写入装置使用调制器作为虚拟掩模。
所述标准图案数据和自定义图案数据可能是在对齐的或偏移的栅格上。这些类型的图案数据可以使用相同的或不同的像素尺寸。最简单的情况是当栅格对齐且重合的时候。随后,可在重采样数据之前应用像素到像素的合并。在一些例子中,必须先将标准图案数据和自定义图案数据重采样至对齐的栅格以便于合并。因此,合并和重采样的顺序取决于正在用于形成自定义潜像的特定数据。
标准图案数据和自定义图案数据能够经由独立的途径并行处理。或者,它们可以被交错处理以便于数据检索和/或重采样,随后再被合并。
可选地,重采样及合并能够实时进行。所谓实时,我们指的是如下的两个操作同时发生,将用于特定自定义潜像的数据的第二部分合并和/或重采样;已受到合并及重采样的、合并的光栅化图案数据的第一部分正在被用于形成特定自定义潜像的第一部分。实时地,一些用于写入到基板的重采样及合并与在基板上使用合并的光栅化图案数据形成部分潜像是同时进行的。
如上所述,基板可以采取多种形式。它可以是硅晶片或半导体晶片、电路板、平板显示器或用于所谓的辊到辊生产的柔性基板。
所述方法可以应用一次或多次以在基板上的一层或多层上形成图案。在潜像形成后,应用常规形成图案的工艺在基板上形成电子装置。所述方法可以通过使用这些工艺扩展以形成电子装置。
自定义数据在多种层次上是独有的。它可能针对特定基板上特定裸片,比如序列号。它可能针对特定基板,比如某层开始打印的时间。或者,它可能针对一批特定基板,比如一批控制数字。或者,自定义数据可用于大型常规设备,比如存储芯片或平板显示器,以完成图案的边缘或将邻接的面板结合到一起。
所公开的技术也可以实施为一种适合连接于数据通路及直接写入装置的控制器。所述控制器根据上述的任一方法处理标准图案数据和自定义图案数据。控制器将包括存储器和处理器,无论是常规的CPU、RISC处理器、FPGA、GPU或其它处理逻辑电路。电脑指令被处理以将标准图案数据和自定义图案数据合并重采样,并通过直接写入装置将其输出以供使用。通过与直接写入装置结合,所述控制器可以扩展成实施任一上述方法的写入系统。
所公开的技术也可实施为加载有电脑指令的非临时性储存器,比如旋转式或非旋转式存储器。所述计算机指令可适于执行上述任一方法,也可适于与硬件结合生产上述控制器或写入系统。
Claims (14)
1.一种在基板上的辐射敏感层中形成自定义潜像的方法,所述方法包括:
在第一数据通路上接收标准图案数据;
在第二数据通路上接收自定义图案数据;
将标准图案数据和自定义图案数据重采样并合并以形成合并的光栅化图案数据,所述光栅化图案数据代表将在辐射敏感层中形成的物理自定义潜像;并且
使用直接写入装置由合并的光栅化图案数据在辐射敏感层中形成自定义潜像。
2.如权利要求1所述的方法,其中,标准图案数据和自定义图案数据都是在对齐的栅格上的光栅化数据,还包括在重采样之前合并标准图案数据和自定义图案数据。
3.如权利要求1所述的方法,其中,将标准图案数据和自定义图案数据重采样至对齐的栅格之后再将它们合并。
4.如权利要求3所述的方法,还包括,使用截然不同的处理逻辑电路并行重采样标准图案数据和自定义图案数据。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法,还包括,当合并的光栅化图案数据的第一部分正在被直接写入装置使用以形成特定的自定义潜像的第一部分时,将重采样以及合并应用于特定自定义潜像图案数据的第二部分。
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,基板是硅晶片。
7.如权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,基板是半导体晶片。
8.如权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,基板是电路板。
9.如权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,基板是平板显示器。
10.如权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,基板是在辊到辊生产中使用的柔性材料。
11.如权利要求1至10中任一项所述的方法,还包括,一次或多次应用接收动作、重采样动作和形成动作,使用自定义潜像在基板上形成有图案的多层,并且使用所述形成有图案的多层形成电子装置。
12.如权利要求1至11任一项所述的方法,其中,自定义数据针对特定批次的基板。
13.如权利要求1至12任一项所述的方法,其中,自定义数据针对特定基板。
14.如权利要求1至13中任一项所述的方法,其中,自定义数据针对特定基板上的特定裸片。
Applications Claiming Priority (5)
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US61/311,276 | 2010-03-05 | ||
US13/039,206 US8539395B2 (en) | 2010-03-05 | 2011-03-02 | Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image |
US13/039,206 | 2011-03-02 | ||
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EP (1) | EP2542940B1 (zh) |
JP (1) | JP6017316B2 (zh) |
KR (1) | KR101824748B1 (zh) |
CN (1) | CN102844715B (zh) |
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US20120060131A1 (en) | 2012-03-08 |
KR20130061667A (ko) | 2013-06-11 |
EP2542940B1 (en) | 2014-11-19 |
US9235127B2 (en) | 2016-01-12 |
US9291902B2 (en) | 2016-03-22 |
EP2542940A1 (en) | 2013-01-09 |
US20140170566A1 (en) | 2014-06-19 |
US20140137055A1 (en) | 2014-05-15 |
WO2011107603A1 (en) | 2011-09-09 |
US8539395B2 (en) | 2013-09-17 |
KR101824748B1 (ko) | 2018-02-01 |
CN102844715B (zh) | 2015-12-02 |
JP6017316B2 (ja) | 2016-10-26 |
JP2013521641A (ja) | 2013-06-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |