CN102869914B - 具有高显色指数的高效率基于led的照明模块 - Google Patents

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Abstract

一种照明模块(100)包括具有内表面区域(104、106、110)的光混合空腔(109)和窗(108)，所述内表面区域(104、106、110)和窗(108)与LED(102)物理分离。用第一波长转换材料涂覆窗(108)的一部分，用第二波长转换材料涂覆内表面区域(104、106、110)的一部分。可以用LuAG:Ce涂覆窗(108)。也可以用峰值发射波长在615-655nm之间的第三波长转换材料来涂覆窗(108)，其中，在相同CCT下从窗(108)发射的光的光谱响应在黑体辐射体的20％内。LED(102)可以发射由光混合空腔(109)以大于130lm/W的颜色转换效率比转换的光，其中光混合空腔(109)包括峰值发射波长在508-528纳米之间和615-655纳米之间的两个光致发光材料。

Description

具有高显色指数的高效率基于LED的照明模块
相关申请的交叉参考
本申请要求2010年3月4日递交美国专利申请No.12/717,880的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
所描述的实施例涉及包括发光二极管(LED)的照明模块。
背景技术
显色指数(CRI)是与理想或自然光源相比光源忠实再现不同对象颜色能力的量化度量。CRI系统由国际照明协会(CIE)管理。CIE选择15个测试颜色样本来对白光源的颜色特性进行分级。前八个测试颜色样本是相对低的饱和色，并且均匀地分布在完整色调范围上。采用这八个样本来计算一般显色指数Ra。简单地将一般显色指数Ra计算为前八个显示指数值R1-R8的平均。其他7个样本提供与光源的显色特性有关的补充信息；前四个样本集中于高饱和，后三个样本代表公知对象。
通过将光源的光谱响应分别与每个测试颜色样本的光谱响应相比较，计算特定相关色温(CCT)的一组显色指数值R1-R15。计算包括：获取被测波长范围上任何数目的等间隔波长下测试颜色样本的光谱功率分布与被测光源的光谱功率分布之间的差值ΔEj。基于这些差值，每个特定显色指数值计算如下：
R i = Σ j = 1 N 100 - 4.6 ΔE j N - - - ( 1 )
与各个CRI指数相关联的测试颜色样本被设计为，使得特定理想或自然光源对于每个指数应当实现CRI值100。例如，在5,000开氏温度以下，将黑体辐射体视为理想光源。因此，5,000开氏温度以下的黑体辐射体对于每个特定CRI值具有100的CRI。白炽灯具有接近100的CRI等级，这是因为可以将白炽灯构造成非常接近黑体辐射体。光谱功率分布有限的光源(例如，弧光灯或发光二极管(LED))典型地呈现极低CRI值。通常，由于实现高CRI值的照明源在可见光谱上提供了有色对象的逼真显色，因此这种照明源是令人期待的。合并了LED并具有高CRI值的光源是令人期待的。
发明内容
一种照明模块，包括：光混合空腔，具有与至少一个发光二极管(LED)物理分离的内表面区域，并且被配置为将从LED发射的光引导至输出窗，输出窗与LED物理分离并且置于LED的上方。用第一波长转换材料涂覆输出窗的一部分，并且用第二波长转换材料涂覆内表面区域的一部分。输出窗上的波长转换材料可以包括掺杂铈的镥铝石榴石(LuAG:Ce)。输出窗上的波长转换材料还包括峰值发射波长在615到655之间的波长转换材料，其中，在相同CCT下从输出窗发射的光的光谱响应在黑体辐射体的20％内，更具体地在15％内，对于λ＝500nm至λ＝650nm，测量CCT为max((test(λ)-Blackbody(λ))/Blackbody(λ))。LED可以发射第一彩色光，光混合空腔以大于130lm/W的颜色转换效率比将第一彩色光转换成的第二彩色光，颜色转换效率比被测量为模块输出的光通量除以LED的辐射输出功率，其中，光混合空腔包括峰值发射波长在508到528纳米之间的第一光致发光材料和峰值发射波长在615到655纳米之间的第二光致发光材料。
此外，在以下详细描述中描述其他细节和实施例以及技术。该发明内容的目的不在于限定本发明。本发明由权利要求来限定。
附图说明
其中相似数字表示相似组件的附图示出了本发明的实施例。
图1示出了相关色温(CCT)为3,000开氏温度的黑体辐射体的光谱响应与峰值发射接近450纳米的示例性LED的光谱响应。
图2示出了LED和若干光致发光材料的发射光谱。
图3示出了关于图2讨论的LED的发射光谱和三个磷光体的激发光谱。
图4示出了发光二极管(LED)照明设备的实施例的透视图。
图5示出了LED照明设备的组件的分解图。
图6示出了LED照明设备的实施例的透视截面图。
图7A示出了2,700开氏温度下黑体辐射体的仿真发射光谱以及基准照明模块和高CRI照明模块的测量发射光谱。
图7B针对图7A的基准和高CRI照明模块比较每个特定CRI值。
图8A示出了3,000开氏温度下黑体辐射体的仿真发射光谱以及基准照明模块和高CRI照明模块的测量发射光谱。
图8B针对图8A的基准和高CRI照明模块比较每个特定CRI值。
图9A示出了4,000开氏温度下黑体辐射体的仿真发射光谱以及基准照明模块和高CRI照明模块的测量发射光谱。
图9B针对图9A的基准和高CRI照明模块比较每个特定CRI值。
图10示出了一组波长范围上针对多个照明模块的测量光谱与黑体曲线的最大百分比偏离。
图11示出了针对具有三个磷光体的高效高CRI照明模块以及具有两个磷光体的基准照明模块的颜色转换效率和CRI的提高。
图12A示出了两个不同目标CCT下三组高效高CRI模块的颜色转换效率。
图12B示出了两个不同目标CCT下另外三组高效高CRI模块的颜色转换效率。
具体实施方式
现在详细参考背景示例和本发明的一些实施例，在附图中示出了本发明的示例。
图1示出了相关色温(CCT)为3,000开氏温度的黑体辐射体的光谱响应。如上所述，在5,000开氏温度以下，对于黑体辐射体将各个CRI指数值设计为100。因此，设计在5,000开氏温度以下的CCT处呈现高CRI值的照明模块的方法在于：在感兴趣的波长范围(例如，可见光谱)上设计该模块，以便发射光谱功率分布与黑体辐射体的光谱功率分布几乎匹配的光。图1还示出了峰值发射接近450纳米的示例性LED的光谱响应。可以选择峰值发射在380到490纳米之间的LED作为基于LED的照明模块中的光的来源，这是因为该峰值波长范围中LED的辐射效率。然而，如图1所示，LED的光谱响应非常窄，随着黑体辐射体的光谱响应大幅变化，并且CRI极低。
为了实现来自基于LED的照明模块的高CRI值的光输出，将LED的窄带发射的一部分转换成各种较高波长，以更接近地仿真黑体辐射体的光谱响应。图2示出了LED和若干光致发光材料的发射光谱，如本专利文献中所述，当LED与若干光致发光材料相结合时，它们的发射光谱几乎与3,000开氏温度处的黑体辐射体的光谱响应匹配。示例性光致发光材料中的每一个具有特有的化学成分，例如特定磷光体。尽管可以混合不同的磷光体，对于本专利文献而言，光致发光材料是仅一个不同的化学化合物，而不是混合物。可以用于针对每个CRI指数R1-R15获得高CRI值的高效照明模块的示例磷光体包括以下磷光体，例如：CaAlSiN3:Eu、SrAlSiN3:Eu、CaAlSiN3:Eu、Ba3Si6O12N2:Eu、Ba2SiO4:Eu、Sr2SiO4:Eu、Ca2SiO4:Eu、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Ca3Mg2Si3O12:Ce、CaSc2O4:Ce、CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca5(PO4)3Cl:Eu、Ba5(PO4)3Cl:Eu、Cs2CaP2O7、Cs2SrP2O7、SrGa2S4:Eu、Lu3Al5O12:Ce、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu、Sr8Mg(SiO4)4Cl2:Eu、La3Si6N11:Ce、Y3Al5O12:Ce、Y3Ga5O12:Ce、Gd3Al5O12:Ce、Gd3Ga5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、Tb3Ga5O12:Ce和Lu3Ga5O12:Ce。
图2示出了由MitsubishiChemicalCorporation(日本)制造的红光发射CaAlSiN3:Eu磷光体的光谱响应，该光谱响应被设计为在接近650纳米处呈现峰值发射。图2还示出了由Merck(德国)制造的LuAG:Ce磷光体的发射光谱，该发射光谱被设计为在接近518纳米处呈现峰值发射。图2还示出了由PhosphorTechnologyLtd(英国)制造的Y3Al5O12:Ce(YAG)磷光体的发射光谱，该发射光谱被设计为在接近555纳米处呈现峰值发射。这些特定的磷光体是示例性的，并且还可以采用或者备选地采用许多其他磷光体。在本示例中，针对面对各种照明环境下出现的环境条件的温度稳定性、长期可靠性以及耐久性，来选择这些磷光体。为了获得对于每个CRI指数R1-R15具有高CRI值的有效率的照明模块，可以采用峰值发射波长在618到655纳米之间的红发光磷光体。为了补偿通过使用红光发射磷光体而创建的波长范围在460到525之间的光谱响应的缺陷，可以采用峰值发射波长在508到528之间的绿光发射磷光体。这样，能够在500到650纳米之间的波长范围中获得光谱响应在黑体辐射体的发射光谱的20％内的照明模块。在其他示例中，能够在500到650纳米之间的波长范围内获得光谱响应在黑体辐射体的发射光谱的10％内的照明模块。在其他示例中，能够在500到650纳米之间的波长范围内获得光谱响应在黑体辐射体的发射光谱的10％内的照明模块。此外，以这种方式构建的照明模块可以呈现大于130lm/W的颜色转换效率比，如下所述。此外，可以采用峰值发射在545到565纳米之间的波长范围中的黄光发射磷光体。在一些示例中，通过按照重量为55到90份之间的绿磷光体、5到25份之间的红磷光体、以及5到35份之间的黄磷光体，来混合绿光发射磷光体、红光发射磷光体以及黄光发射磷光体，从而获得高效高CRI的照明模块。通常，选择至少三种光致发光材料，使得这些光致发光材料的峰值发射波长中的每一个彼此间隔至少35纳米，并且彼此间隔不超过150纳米。例如，采用峰值发射波长间距在505纳米到655纳米之间的至少三个磷光体来对从LED发射的光的一部分进行转换，以产生具有高CRI值的颜色转换光。通过选择峰值发射波长以这种方式间隔的三个磷光体，颜色转换的光更接近黑体辐射体的光谱响应。
除了实现具有高CRI值的颜色转换以外，以高效率进行颜色转换也是令人期待的。选择激发光谱紧密地匹配LED的发射光谱的磷光体提高了颜色转换效率。图3示出了关于图2讨论的三种磷光体的激发光谱。示例性品蓝LED的发射光谱落在LuAG和YAG磷光体的激发光谱内。换言之，这些磷光体有效率地转换品蓝光。如果激发源是红光，则三个磷光体中的每一个应当呈现非常小的响应，因此颜色转换效率非常低。在一个示例中，从基于LED的照明模块的LED发射的光的发射光谱的峰值中，选择激发光谱的峰值在100纳米内的至少两个磷光体。在另一示例中，从基于LED的照明模块的LED发射的光的光谱的峰值中，选择激发光谱的峰值在50纳米内的至少两个磷光体。
图4示出了发光二极管(LED)照明设备100的实施例的透视图。例如，可以使用照明模块100作为框架照明模块、街道照明模块、墙面照明模块、重点照明模块、方位照明模块或任何其他期望的照明模块。图5是示出了LED照明设备100的组件的分解图。应当理解，本文所定义的LED照明设备不是LED，而是LED光源或固定装置或者LED光源或固定装置的组件部分。LED照明设备100包括一个或多个LED管芯，或者封装的LED，以及附着有LED管芯或封装的LED的安装板。图6示出了LED照明设备100的实施例的透视截面图。
参照图5，LED照明设备100包括一个或多个固态发光元件，例如，在安装板104上安装的发光二极管(LED)102。安装板104附着至安装基部101，并通过安装板固定环103(例如，使用适合的紧固件、紧固特征或紧固粘合剂)固定在适当位置。由LED102布局的安装板104以及安装板固定环103共同包括光源子组件115。光源子组件115可操作以使用LED102将电能转换成光。
LED照明设备100还可以包括光转换子组件116，并且可选地包括底部反射体插入件106和侧壁插入件107，光转换子组件116包括空腔主体105和输出窗108，底部反射体插入件106置于安装板104上，侧壁插入件107置于空腔主体105内。输出窗108可以以晶体形式(蓝宝石)或陶瓷形式(氧化铝)由包括散射微粒的丙烯酸材料制造，例如，由TiO2、ZnO或BaSO4制成，或者由AlO2制成，或是在整个可见光谱上具有低吸收率的其他材料。输出窗108被固定到空腔主体105的顶部。空腔主体105或侧壁插入件107(如果使用的话)包括内侧壁110，如图6所示。所述内侧壁110应当是高反射的，例如这可以通过抛光空腔主体105的内部(可以是铝)，或者使用包含二氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)和硫酸钡(BaSO4)微粒或者这些微粒的组合的反射涂层来实现。在使用侧壁插入件107的情况下，可以通过由反射材料(例如，Alanod(德国公司)生产的)制造侧壁插入件来实现内侧壁110的高反射率。类似地，底部反射体插入件106(如果使用的话)可以由Alanod生产的来制造。
当将空腔主体105安装在光源子组件115上时，空腔主体105的内侧壁110(或者侧壁插入件107，如果使用的话)、安装板104的顶部(或者底部反射体插入件106，如果使用的话)以及输出窗108在LED照明设备100中封闭限定了光混合空腔109的容积，如图6所示。在光混合空腔109内，反射来自LED102的一部分光，直到该光通过输出窗108出射。可选地可以置于安装板104上的底部反射体插入件106包括孔，使得每个LED102的发光部分不会受到底部反射体插入件106的阻碍。
为了执行颜色转换，将从光源子组件115发射的光引导至光混合空腔109，以进行颜色转换和颜色混合。在一个实施例中，光转换子组件116包括涂覆内侧壁110、输出窗108和安装板104的顶部(或底部反射体插入件106，如果使用的话)中的一个或多个的至少一部分的多波长转换材料。对于本专利文献，波长转换材料是执行颜色转换功能(例如，吸收一个峰值波长的光并且在另一峰值波长下发射光)的任何单个化学化合物或不同化学成分的混合物。作为示例，可以利用一个或多个波长转换材料110A来涂覆侧壁插入件107的内侧壁110的一部分，而同时可以利用一个或多个不同的波长转换材料108B来涂覆输出窗108的一部分，如图6所示。如果需要，波长转换材料110A和108B可以包括多于一种类型的波长转换材料，这些波长转换材料可以混合在一起、彼此分层、或者涂覆在不同区域中，或者上述任何组合。如果需要，可以将散射微粒(例如，TiO2、ZnO和/或BaSO4微粒)混合到波长转换材料层中。
在从输出窗108射出之前在光混合空腔109内反射的光具有混合光并且提供从LED照明设备100发射的光的更均匀分布的效果。因此，波长转换材料的光致转换特性与光混合空腔109内光的组合相结合获得输出窗108输出的均匀分布颜色转换光。通过调整波长转换材料的化学特性光混合空腔109上涂层的几何特性，可以指定输出窗108输出的光的特定颜色特性，例如，颜色点、色温以及显色指数(CRI)。
在该实施例中，LED102可以发射UV到蓝光范围内不同峰值发射波长的光。当与磷光体(或其波长转换装置)相结合使用时，照明设备100的输出光具有CRI值高的期望颜色，例如，磷光体可以在输出窗108中或者在输出窗108上，被涂覆于光混合空腔109的侧壁，被涂覆于安装板104的顶部(或者底部反射体插入件106，如果使用的话)，或者被涂覆于空腔内放置的其他组件(未示出)。对照明设备的颜色点的调整可以通过更换侧壁插入件107和/或输出窗108来完成，类似地可以利用一个或多个波长转换材料来涂覆或浸渍侧壁插入件107和/或输出窗108。对颜色点的调整可以通过以下来完成：选择对空腔加以限定的侧壁的形状和高度，选择空腔中的哪部分将被磷光体覆盖或不被磷光体覆盖，以及优化磷光体的厚度和密度。
在第一示例中，将目标CCT为2700开氏温度的两个照明模块100的性能相比较。基准照明模块包括被选择用于在440到460纳米之间的品蓝范围中进行发射的9个LED以及被选择用于在460到490纳米之间的蓝色范围中进行发射的1个LED。峰值发射在接近650纳米的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体覆盖侧壁插入件107的一部分。将磷光体按照的2-6％范围的体积比例混合在硅粘合剂中，以60-120微米范围的厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。在一个示例中，将磷光体按照4％的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似90微米的厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。此外，然后将黄光发射Y3Al5O12:Ce磷光体按照体积的50-80％范围的比例混合在硅粘合剂中，以90-130微米范围的厚度均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。在一个示例中，在一个示例中，将磷光体按照体积的70％的比例混合在硅粘合剂中，以近似110微米的厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。可选地，一些量的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体可以与黄光发射Y3Al5O12:Ce磷光体相混合。
高CRI照明模块包括被选择用于在440到460纳米之间的品蓝范围中进行发射的7个LED以及被选择用于在460到490纳米之间的蓝色范围中进行发射的3个LED。峰值发射在接近650纳米的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体覆盖侧壁插入件107的一部分。将磷光体按照体积的2-6％范围的比例混合在硅粘合剂中，以60-120微米范围厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。在一个示例中，将磷光体按照4％的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似90微米厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。此外，对重量近似10-25份的YAG、5-15份的(SrCa)AlSiN3:Eu、和60-80份的LuAG:Ce的范围的磷光体混合物进行装配。环境条件以及每个磷光体的条件影响针对磷光体的任何特定组合而获得的结果。在一个示例中，可以对包括重量近似17份的YAG、11份的(SrCa)AlSiN3:Eu、和72份的LuAG:Ce的磷光体的混合物进行装配。然后将该混合物按照硅50-80％范围的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似90-130微米厚度均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。在一个示例中，将该混合物按照75％的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似110微米厚度均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。
图7A示出了2,700开氏温度下黑体辐射体的仿真发射光谱以及该示例中基准照明模块和高CRI照明模块的测量发射光谱。在该图中，在640纳米处归一化了黑体辐射体的发射光谱。与生成的光谱相比，在500纳米至650纳米范围内高CRI照明模块的光谱响应比基准照明模块更近似于黑体辐射体。更具体地，使用以下公式
max | Test ( λ ) - Blackbody ( λ ) | Blackbody ( λ ) λ = 500 nm λ = 650 nm - - - ( 2 )
在500到650纳米之间的波长范围中，基准照明模块的光谱响应在黑体辐射体的发射光谱的48％内，在相同波长范围中，高CRI照明模块在黑体辐射体的发射光谱的14％内。
图7B针对两个照明模块比较每个特定CRI值，并且提高了每个CRI值。具体地，在该示例中，将与深红显色有关的R9从27分值提高到97分值。总之，针对目标CCT为2,700开氏温度的模块，以如上所述方式构造的高CRI照明模块发射Ra＞95、R9＞95、CRI值R10-R14的平均值＞95、并且R15＞95的光。
在第二示例中，将目标CCT为3,000开氏温度的两个照明模块100的性能相比较。基准照明模块包括被选择用于在品蓝范围中进行发射的9个LED以及被选择用于在蓝色范围中进行发射的1个LED。峰值发射在接近630纳米的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体覆盖侧壁插入件107的一部分。将磷光体按照2-6％范围的体积比例混合在硅粘合剂中，以60-120微米范围厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。在一个示例中，将磷光体按照4％的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似90微米厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。此外，然后将黄光发射Y3Al5O12:Ce磷光体按照硅50-80％范围的体积比例混合在硅粘合剂中，以90-130微米范围厚度均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。在一个示例中，将磷光体按照70％的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似110微米厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。可选地，一些量的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体也可以与黄光发射Y3Al5O12:Ce磷光体相混合。
高CRI照明模块包括被选择用于在440到460纳米之间的品蓝范围中进行发射的7个LED以及被选择用于在460到490纳米之间的蓝色范围中进行发射的3个LED。峰值发射在接近650纳米的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体覆盖侧壁插入件107的一部分。将磷光体按照体积的2-6％范围的比例混合在硅粘合剂中，以60-120微米范围厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。在一个示例中，将磷光体按照4％的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似90微米厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。此外，对重量近似为10-25份的YAG、5-15份的(SrCa)AlSiN3:Eu、和60-80份的LuAG:Ce的范围的磷光体混合物进行装配。环境条件以及每个磷光体的条件影响针对磷光体的任何特定组合而获得的结果。在一个示例中，可以对包括重量近似17份的YAG、11份的(SrCa)AlSiN3:Eu、和72份的LuAG:Ce的磷光体的混合物进行装配。然后将该混合物按照硅50-80％范围的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似90-130微米厚度均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。在一个示例中，将该混合物按照70％的容积比例混合在硅粘合剂中，以近似110微米厚度均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。
图8A示出了3,000开氏温度下黑体辐射体的仿真发射光谱以及基准照明模块和高CRI照明模块的测量发射光谱。在该图中，在640纳米处归一化了黑体辐射体的发射光谱。在500纳米至650纳米范围内高CRI照明模块的光谱响应比基准照明模块更近似于黑体辐射体。更具体地，使用方程(2)的公式，在500到650纳米之间的波长范围中，基准照明模块的光谱响应在黑体辐射体的发射光谱的49％内，在相同波长范围中，高CRI照明模块在黑体辐射体的发射光谱的12％内。
图8B针对两个照明模块比较每个特定CRI值，并且提高了每个CRI值。具体地，在该示例中，将R9从16分值提高到98分值。总之，针对目标CCT为3,000开氏温度的模块，以如上所述方式构造的高CRI照明模块发射Ra＞95、R9＞90、CRI值R10-R14的平均值＞95、并且R15＞95的光。
在第三示例中，将目标CCT为4,000开氏温度的两个照明模块100的性能相比较。基准照明模块包括被选择用于在品蓝范围中进行发射的7个LED以及被选择用于在蓝色范围中进行发射的3个LED。峰值发射在接近630纳米的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体覆盖侧壁插入件107的一部分。将磷光体按照2-6％范围的体积比例混合在硅粘合剂中，以60-120微米范围厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。在一个示例中，将磷光体按照4％的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似90微米厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。此外，然后将黄光发射Y3Al5O12:Ce磷光体按照50-80％范围的硅体积比例混合在硅粘合剂中，以90-130微米范围厚度均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。在一个示例中，将磷光体按照65％的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似110微米厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。可选地，一些量的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体也可以与黄光发射Y3Al5O12:Ce磷光体相混合。
高CRI照明模块包括被选择用于在品蓝范围中进行发射的7个LED以及被选择用于在蓝色范围中进行发射的3个LED。峰值发射在接近650纳米的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体覆盖侧壁插入件107的一部分。将磷光体按照2-6％范围的体积比例混合在硅粘合剂中，以60-120微米范围厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。在一个示例中，将磷光体按照4％的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似90微米厚度均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。此外，对重量近似10-25份的YAG、5-15份的(SrCa)AlSiN3:Eu、和60-80份的LuAG:Ce的范围的磷光体混合物进行装配。环境条件以及每个磷光体的条件影响针对磷光体的任何特定组合而获得的结果。在一个示例中，可以对包括重量近似17份的YAG、11份的(SrCa)AlSiN3:Eu、和72份的LuAG:Ce的磷光体的混合物进行装配。然后将该混合物按照50-80％范围的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似90-130微米厚度均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。在一个示例中，将该混合物按照70％的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似110微米厚度均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。
图9A示出了4,000开氏温度下黑体辐射体的仿真发射光谱以及基准照明模块和高CRI照明模块的测量发射光谱。在该图中，在635纳米处归一化了黑体辐射体的发射光谱。在500纳米至650纳米范围内高CRI照明模块的光谱响应比基准照明模块更近似于黑体辐射体。更具体地，使用方程(2)的公式，在500到650纳米之间的波长范围中，基准照明模块的光谱响应在黑体辐射体的发射光谱的57％内，在相同波长范围中，高CRI照明模块在黑体辐射体的发射光谱的19％内。
图9B针对两个照明模块比较每个特定CRI值，并且提高了每个CRI值。具体地，在该示例中，将R9从22分值提高到90分值。总之，针对目标CCT为4,000开氏温度的模块，以如上所述方式构造的高CRI照明模块发射Ra＞95、R9＞85、CRI值R10-R14的平均值＞95、并且R15＞95的光。
图10概述了从450到750纳米的一组波长范围上图7-9的测量光谱与每个相应黑体曲线的百分比偏离。基于在该组波长范围的对应波长范围内评价的方程(2)的公式来计算每个百分比偏离值。例如，目标CCT为3,000开氏温度的高CRI照明模块的测量光谱(见图8)在500-525纳米波长范围中呈现了与3,000开氏温度的黑体曲线的最大百分比偏离9％，此外，在500-650纳米波长范围中，最大百分比偏离为12％，如所示，这出现在625-650纳米波长范围中。
在另一实施例中，实现了照明模块100，照明模块100达到大于80的一般CRI值Ra，而同时保持大于130lm/W的颜色转换效率比。对于本专利文献，将颜色转换效率比定义为以流明为单位测量的照明模块的光度输出与以瓦为单位测量的LED的光输出的辐射功率之比。颜色转换效率的该定义集中在照明模块的颜色转换过程的效率。
在第一示例中，将目标CCT为3,000开氏温度的两个照明模块100的性能相比较，以示出一般CRI性能和改进的颜色转换效率。基准照明模块和高效高CRI照明模块均包括选择用于在品蓝范围中进行发射的10个LED。选择品蓝LED是因为它们比发射较长波长的LED呈现更高的辐射效率。此外，LED制造中的当前趋势在于进一步提高较短波长LED的辐射效率，例如，波长范围在440到460纳米之间的LED。
采用三个磷光体的高效率、高CRI照明模块包括峰值辐射在近似618纳米处并且覆盖侧壁插入件107的一部分的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体。将该磷光体按照2-6％范围的体积比例混合在硅粘合剂中，均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。在一个示例中，将磷光体按照4％的体积比例混合在硅粘合剂中，均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。此外，对重量近似5-15份的YAG、5-15份的(SrCa)AlSiN3:Eu、和70-95份的LuAG的范围的磷光体混合物进行装配。环境条件以及每个磷光体的条件影响针对磷光体的任何特定组合而获得的结果。在一个示例中，可以对包括重量近似8份的YAG、8份的(SrCa)AlSiN3:Eu、和84份的LuAG的磷光体的混合物进行装配。然后将该混合物按照50-80％范围的硅体积比例混合在硅粘合剂中，以近似90-130微米厚度均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。在一个示例中，将该混合物按照70％的体积比例混合在硅粘合剂中，以近似110微米厚度均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。采用峰值发射在近似618微米处的(SrCa)AlSiN3:Eu的原因在于与具有较高峰值发射波长的红磷光体相比其相对高的颜色转换效率。另一方面，采用两个磷光体的基准照明模块包括峰值辐射在近似630纳米处并且覆盖侧壁插入件107的一部分的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体。将该磷光体按照2-6％范围的体积比例混合在硅粘合剂中，均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。在一个示例中，将磷光体按照4％的体积比例混合在硅粘合剂中，均匀地涂覆在侧壁插入件107上，并且固化。此外，峰值辐射在近似555纳米处的YAG磷光体按照50-80％范围的体积比例混合在硅粘合剂中，均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。在一个示例中，将该磷光体按照的70％的硅体积比例混合在硅粘合剂中，均匀地涂覆在输出窗108上，并且固化。
图11示出了颜色转换效率和CRI的提高。两个磷光体基准照明模块发射一般CRI为78并且颜色转换效率比为136的光。三个磷光体、高效高CRI照明模块实现了81的CRI和141的颜色转换效率比。在将基准模块与如上所述构造的高效高CRI模块(但目标CCT为4,000)相比较中示出了类似的改进。在这种情况下，基准模块发射一般CRI为74并且颜色转换效率比为146的光。高效高CRI照明模块实现了CRI为81和颜色转换效率比为158。获得了CRI和颜色转换效率这两方面的预想不到改进。这些改进是预想不到的，这是因为典型地在光混合空腔中使用大量磷光体导致再吸收的增加，以及减小了颜色转换效率的相关损失。然而，如本专利文献中所述，通过仔细选择磷光体，磷光体的比值以及磷光体在光混合空腔中的位置，可以高效地去除这些损失。
图12A示出了以如上所述方式构造的三组两个高效高CRI模块的颜色转换效率。通过将光发射到光混合空腔109中的LED的个数来区分每组模块。第一组包括4个LED，第二组包括7个LED，第三组包括10个LED。在每组内，一个模块呈现3,000开氏温度的目标CRI，另一组呈现4,000开氏温度的目标CRI。每组内的两个模块呈现至少80的一般CRI。图12A示出了能够实现大于140的颜色转换效率比的每个模块。因此，对于将光发射到光混合空腔109中的LED的范围，获得类似的颜色转换效率。
图12B示出了另外三组两个高效率、高CRI模块的颜色转换效率。这些模块按照关于图12A讨论的方式来构造，然而，用峰值发射在接近630纳米处的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体(红630)来涂覆这三个模块的侧壁插入件的一部分，而不是用峰值在接近618纳米处的红光发射(SrCa)AlSiN3:Eu磷光体(红618)来涂覆。图12B示出了能够实现大于130的颜色转换效率比的每个模块。尽管在侧壁上使用红630而不使用红618获得较低颜色转换效率比，通常也存在CRI的增加。这样，可以设计具有更高CRI值的高效率模块。
虽然为了指导目的如上所述特定的具体实施例，但是该专利文献的教导具有普遍的适用性并不局限于上述特定实施例。例如，尽管关于峰值发射在UV至蓝光范围的LED来描述LED102，但是LED102可以通过直接发射或者通过磷光体转换发射不同或相同的颜色，例如，在对LED涂覆磷光体层作为LED峰值的一部分的情况。因此，照明设备100可以使用有色LED102(例如，红、绿、蓝、琥珀、或品红)的任何组合，或者LED102可以均产生相同颜色光或者可以均产生白光。在所描述的实施例中，出于示例性目的描述特定磷光体，但是可以采用各自峰值发射在上述范围中的任何数目的磷光体。例如，可以从以下化学公式表示的集合中选择磷光体：Y3Al5O12:Ce(也被称作YAG:Ce，或简单地YAG)(Y，Gd)3Al5O12:Ce、CaS:Eu，SrS:Eu、SrGa2S4:Eu、Ca3(Sc，Mg)2Si3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Ca3Sc2O4:Ce、Ba3Si6O12N2:Eu、(Sr，Ca)AlSiN3:Eu、CaAlSiN3:Eu。此外，在所描述的实施例中，出于示例性目的描述了磷光体的特定比值，但是可以改变这些比值以产生类似结果。例如，比值可以调整20％，并且仍实现在本专利文献中描述的显色和效率性能。在所描述的实施例中，出于示例性目的描述结合硅粘合剂和膜厚度的磷光体的特定百分比。可以改变这些百分比和厚度，以产生类似结果。相应地，可以在不背离权利要求中所述的本发明的范围的情况下可以做出对所述实施例的各种修改、改进和各种特征的组合。

Claims (25)

1.一种用于照明的装置，包括：
至少一个发光二极管LED(102)，可操作于发射第一彩色光，所述第一彩色光由峰值波长在380纳米和490纳米之间的发射光谱来表征；以及
主光混合空腔(109)，可操作于以大于130lm/W的颜色转换效率比将第一彩色光转换成第二彩色光，所述颜色转换转换效率比被测量为光通量输出除以至少一个LED(102)的辐射输出功率，其中，主光混合空腔(109)的与至少一个LED(102)物理分离的一部分包括峰值发射波长在508到528纳米之间的第一光致发光材料和峰值发射波长在615到655纳米之间的第二光致发光材料。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，主光混合空腔(109)包括峰值发射波长在545到565纳米之间的第三光致发光材料。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，将第一、第二和第三光致发光材料按照重量的比例混合在一起，其中，所述比例是第一材料在55到90份之间、第二材料在5份到25份之间，并且第三材料在5份到35份之间。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，第一光致发光材料是掺杂了铈的镥铝石榴石(LuAG：Ce)，第二光致发光材料是(SrCa)AlSiN3：Eu，并且第三光致发光材料是掺杂了铈的钇氧化铝Y3Al5O12：Ce。
5.根据权利要求2所述的装置，其中，对主光混合空腔(109)的输出窗(108)涂覆第一、第二和第三光致发光材料。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，主光混合空腔(109)还包括：
侧壁插入件(107)，其中，侧壁插入件(107)包括第一、第二和第三光致发光材料中的至少一个。
7.根据权利要求2所述的装置，其中，第一和第二光致发光材料的激发光谱的峰值在光源子组件(115)的峰值发射波长的50纳米内。
8.根据权利要求2所述的装置，其中，第二彩色光的一般显色指数(CRI)值大于80。
9.根据权利要求2所述的装置，其中，第二彩色光的显色指数(CRI)值R9大于85。
10.一种用于照明的装置，包括：
第一发光二极管LED(102)，安装至安装板(104)的上表面；以及
主光混合空腔(109)，具有与第一LED(102)物理分离的内表面区域，并且被配置为将从第一LED(102)发射的光引导至输出窗(108)，其中，输出窗(108)与第一LED(102)物理分离并且置于第一LED(102)的上方，其中，用第一波长转换材料涂覆输出窗(108)的第一部分，并且用第二波长转换材料涂覆主光混合空腔(109)的内表面区域的第一部分，其中，第一波长转换材料包括掺杂铈的镥铝石榴石LuAG：Ce；
主光混合空腔的颜色转换效率比大于130lm/W，所述颜色转换转换效率比被测量为光通量输出除以至少一个LED(102)的辐射输出功率，其中第一波长转换材料包括峰值发射波长在615到655纳米之间的第一光致发光材料和峰值发射波长在545到565纳米之间的第二光致发光材料，其中，LuAG：Ce具有508到528纳米之间的峰值发射波长。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，LuAG：Ce、第一光致发光材料、和第二光致发光材料按照重量的比例混合在一起，其中，所述比例是LuAG：Ce在55到90份之间、第一光致发光材料是5份到25份之间，并且第二光致发光材料在5份到35份之间。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，第一光致发光材料是(SrCa)AlSiN3：Eu，并且第二光致发光材料是掺杂铈的钇氧化铝Y3Al5O12：Ce。
13.根据权利要求10所述的装置，其中，第一LED(102)可操作于发射由峰值波长在440纳米到460纳米之间的发射光谱来表征的光。
14.根据权利要求10所述的装置，其中，第二波长转换材料包括峰值发射波长在615到655纳米之间的(SrCa)AlSiN3：Eu。
15.根据权利要求10所述的装置，其中，从输出窗(108)发射的光在目标相关色温CCT的70开氏度内，其中，目标CCT取自以下构成的组：2,700K、3,000K和4,000K。
16.根据权利要求10所述的装置，其中，该装置是照明模块(100)，并且照明模块(100)取自以下构成的组：柜架照明模块、街道照明模块、墙面照明模块、重点照明模块、和方位照明模块。
17.根据权利要求10所述的装置，其中，光散射微粒与第一波长转换材料相混合。
18.根据权利要求10所述的装置，其中，第一LED(102)可操作于发射由峰值波长在460纳米到490纳米之间的发射光谱表征的光。
19.根据权利要求18所述的装置，其中，第二波长转换材料包括峰值发射波长在615到655纳米之间的(SrCa)AlSiN3：Eu。
20.根据权利要求19所述的装置，其中，从输出窗(108)发射的光具有95或更高的显色指数值Ra，85或更高的显色指数值R9、95或更高的平均显色指数值R10-14、以及95或更高的显色指数值R15。
21.一种用于照明的装置，包括：
主光混合空腔(109)，具有与第一发光二极管LED(102)物理分离的内表面区域，并且被配置为将从第一LED(102)发射的光引导至输出窗(108)，其中输出窗(108)与第一LED(102)物理分离并且置于第一LED(102)的上方，其中用第一波长转换材料涂覆输出窗(108)的第一部分，第一波长转换材料包括峰值发射波长在615到655之间的第一光致发光材料以及掺杂铈的镥铝石榴石LuAG：Ce，并被配置为从输出窗(108)发射的光的光谱响应在相同色温的黑体辐射体的20％内，对于λ＝500nm至λ＝650nm，所述相同色温被测量为max((apparatus(λ)-Blackbody(λ))/Blackbody(λ))。
22.根据权利要求21所述的装置，其中，第一波长转换材料包括峰值发射波长在545到565纳米之间的第二光致发光材料。
23.根据权利要求22所述的装置，其中，LuAG：Ce、第一光致发光材料、和第二光致发光材料按照重量的比例混合在一起，其中，所述比例是LuAG：Ce在55到90份之间、第一光致发光材料在5份到25份之间，并且第二光致发光材料在5份到35份之间。
24.根据权利要求22所述的装置，其中，第一光致发光材料是(SrCa)AlSiN3：Eu，并且第二光致发光材料是掺杂铈的钇氧化铝Y3Al5O12：Ce。
25.根据权利要求21所述的装置，其中，从输出窗(108)发射的光具有80或更大的显色指数Ra。
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US (4) US8104908B2 (zh)
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WO (1) WO2011109150A1 (zh)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080151143A1 (en) * 2006-10-19 2008-06-26 Intematix Corporation Light emitting diode based backlighting for color liquid crystal displays
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
US20110220920A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Brian Thomas Collins Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices
US8643038B2 (en) * 2010-03-09 2014-02-04 Cree, Inc. Warm white LEDs having high color rendering index values and related luminophoric mediums
JP2013004481A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Sharp Corp 発光装置、車両用前照灯、及び照明装置
US20130094179A1 (en) * 2011-10-13 2013-04-18 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices with multiple remote wavelength conversion components
JP6041885B2 (ja) * 2011-10-14 2016-12-14 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 遠隔蛍光式ｌｅｄ装置のためのレンズ組立体
IN2014CN03099A (zh) * 2011-10-26 2015-07-03 Koninkl Philips Nv
CN104011456A (zh) * 2011-12-19 2014-08-27 皇家飞利浦有限公司 利用远程荧光体和粉光led的光源
WO2013123128A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved emission efficiency and photoluminescence wavelength conversion components therefor
WO2013144834A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with wavelength converting side coat
EP3240052A1 (en) 2012-04-26 2017-11-01 Intematix Corporation Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion
DE112013002990T5 (de) * 2012-06-13 2015-03-19 Innotec Corp. Beleuchtete Zubehöreinheit
RU2015105357A (ru) 2012-07-18 2016-09-10 Конинклейке Филипс Н.В. Источник белого света на основе сид с настраиваемой коррелированной цветовой температурой со смесительной камерой и окном выхода с удаленным люминофором
KR20150035742A (ko) * 2012-07-20 2015-04-07 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 발광 장치, 파장 변환 부재, 형광체 조성물 및 형광체 혼합물
TWI563690B (en) * 2012-07-20 2016-12-21 Mitsubishi Eng Plastics Corp A wavelength conversion member and application thereof
JP2014170895A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Mitsubishi Chemicals Corp 波長変換部材及びこれを用いた発光装置
JP2014130998A (ja) * 2012-07-20 2014-07-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、波長変換部材、蛍光体組成物、及び蛍光体混合物
US9612002B2 (en) 2012-10-18 2017-04-04 GE Lighting Solutions, LLC LED lamp with Nd-glass bulb
US8845380B2 (en) * 2012-12-17 2014-09-30 Xicato, Inc. Automated color tuning of an LED based illumination device
US8870617B2 (en) 2013-01-03 2014-10-28 Xicato, Inc. Color tuning of a multi-color LED based illumination device
JP2014139998A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
US8916896B2 (en) * 2013-02-22 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved performance
EP2959215A4 (en) * 2013-02-25 2017-02-01 Rensselaer Polytechnic Institute Low luminance lighting
JP6045727B2 (ja) * 2013-03-11 2016-12-14 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 調光可能な発光装置
CN103186025B (zh) * 2013-03-19 2015-04-29 海信集团有限公司 光源装置、光源产生方法及包含光源装置的激光投影机
CN104347606B (zh) * 2013-08-09 2017-03-01 启耀光电股份有限公司 发光二极管封装结构及光源模块
US9927111B2 (en) 2013-09-17 2018-03-27 Xicato, Inc. LED based illumination device with integrated output window
USD744964S1 (en) * 2013-10-18 2015-12-08 Osram Gmbh LED lighting module
US9902320B2 (en) 2013-11-21 2018-02-27 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent color changing dome map lamp
US20150184813A1 (en) * 2013-12-31 2015-07-02 Xicato, Inc. Efficient led-based illumination modules with high color rendering index
US9784422B2 (en) * 2014-02-27 2017-10-10 Abl Ip Holding Llc Self-centering hyperbolic trim
USD744963S1 (en) * 2014-04-01 2015-12-08 Xicato, Inc. LED module
KR101601531B1 (ko) * 2014-11-07 2016-03-10 주식회사 지엘비젼 조명장치
JP2016219519A (ja) * 2015-05-18 2016-12-22 サンケン電気株式会社 発光装置
US20160341372A1 (en) * 2015-05-22 2016-11-24 Stcube, Inc. Led lamp capable of freely converting color temperature and method for converting color temperature using the same
JP6640852B2 (ja) 2015-06-24 2020-02-05 株式会社東芝 白色光源システム
CN107710425B (zh) 2015-06-24 2020-01-17 株式会社东芝 白色光源系统
ITUB20153566A1 (it) * 2015-09-11 2017-03-11 Clay Paky Spa Modulo di illuminazione a led e gruppo di illuminazione avente moduli di illuminazione a led
JP6712768B2 (ja) * 2015-09-28 2020-06-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置及び照明装置
JP6555111B2 (ja) * 2015-12-09 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 ハイブリッド蛍光体の製造方法及びハイブリッド蛍光体
US10197226B2 (en) * 2016-01-28 2019-02-05 Ecosense Lighting Inc Illuminating with a multizone mixing cup
WO2017131706A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 Ecosense Lighting Inc Methods for generating tunable white light with high color rendering
US11047534B2 (en) 2016-01-28 2021-06-29 EcoSense Lighting, Inc. Multizone mixing cup illumination system
US10492264B2 (en) 2016-01-28 2019-11-26 EcoSense Lighting, Inc. Lighting systems for providing tunable white light with functional diode emissions
WO2017131715A1 (en) 2016-01-28 2017-08-03 Ecosense Lighting Inc. Methods for generating melatonin-response-tuned white light with high color rendering
CN109642718B (zh) * 2016-01-28 2020-10-16 生态照明公司 利用多区融合杯的照明
JPWO2017175858A1 (ja) * 2016-04-08 2019-02-21 富士フイルム株式会社 面状光源、バックライトユニット及び液晶表示装置
WO2017200097A1 (ja) 2016-05-20 2017-11-23 株式会社 東芝 白色光源
FR3053434B1 (fr) * 2016-06-30 2019-06-28 Valeo Vision Module d'emission de lumiere blanche a spectre enrichi
CN106871009A (zh) * 2017-01-18 2017-06-20 北京工业大学 一种路灯
CN108345161B (zh) * 2017-01-22 2021-02-26 深圳光峰科技股份有限公司 一种光转换元件、光源系统及显示装置
JP7004892B2 (ja) * 2017-04-11 2022-01-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10446722B2 (en) 2017-09-29 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device
JP6773018B2 (ja) * 2017-12-26 2020-10-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE112018006831T5 (de) 2018-01-11 2020-09-17 Ecosense Lighting Inc. Vielkanalsysteme zum bereitstellen von einstellbarem licht mit hoher farbwiedergabe und biologischen wirkungen
US10991855B2 (en) 2018-04-16 2021-04-27 Lextar Electronics Corporation White light emitting device
US10779369B2 (en) 2018-10-04 2020-09-15 Electronic Theatre Controls, Inc. Light fixture with LEDs of multiple different wavelengths
US20220022381A1 (en) * 2018-11-09 2022-01-27 Ying Li Lighting device for horticulture
US11202920B2 (en) * 2018-12-07 2021-12-21 Ledvance Llc Luminaire for enhanced color rendition and wellness
JP6623434B1 (ja) * 2019-03-13 2019-12-25 済南通▲べい▼灯具有限公司 安全カンテラ
JP6870707B2 (ja) * 2019-07-11 2021-05-12 日亜化学工業株式会社 ハイブリッド蛍光体の製造方法及びハイブリッド蛍光体
CN113025305B (zh) * 2019-12-09 2023-07-14 上海航空电器有限公司 高折射率包边宽谱发射复合荧光体及其制备方法

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3593055A (en) 1969-04-16 1971-07-13 Bell Telephone Labor Inc Electro-luminescent device
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1993152B1 (de) 1996-06-26 2014-05-21 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5966393A (en) 1996-12-13 1999-10-12 The Regents Of The University Of California Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications
JP4271747B2 (ja) 1997-07-07 2009-06-03 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源
US5962971A (en) 1997-08-29 1999-10-05 Chen; Hsing LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights
US6340824B1 (en) 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
US5982092A (en) 1997-10-06 1999-11-09 Chen; Hsing Light Emitting Diode planar light source with blue light or ultraviolet ray-emitting luminescent crystal with optional UV filter
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6469322B1 (en) 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
US6255670B1 (en) 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
US6068383A (en) 1998-03-02 2000-05-30 Robertson; Roger Phosphorous fluorescent light assembly excited by light emitting diodes
US6220725B1 (en) 1998-03-30 2001-04-24 Eastman Kodak Company Integrating cavity light source
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
CN1227749C (zh) 1998-09-28 2005-11-16 皇家菲利浦电子有限公司 照明系统
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
US6680569B2 (en) 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
TW455908B (en) 1999-04-20 2001-09-21 Koninkl Philips Electronics Nv Lighting system
US6504301B1 (en) 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
DE60021911T3 (de) 1999-11-18 2016-04-14 Philips Lighting North America Corp., N. D. Ges. D. Staates Delaware Systeme und Verfahren zur Erzeugung und Modulierung von Beleuchtungsbedingungen
EP1104799A1 (en) 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US6621211B1 (en) 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
JP2004505172A (ja) 2000-07-28 2004-02-19 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 波長変換のためのルミネセンス変換ベースの発光ダイオード及び蛍光体
JP2002076434A (ja) 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
DE10105800B4 (de) 2001-02-07 2017-08-31 Osram Gmbh Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
CN100468791C (zh) 2002-08-30 2009-03-11 吉尔科有限公司 具有改良效率的镀膜led
KR100499129B1 (ko) * 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US6765237B1 (en) 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
JP5456233B2 (ja) 2003-06-24 2014-03-26 ジーイー ライティング ソリューションズ エルエルシー Ｌｅｄチップによる白色光発生のためのフルスペクトル蛍光体混合物
TW200512949A (en) 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
US7250715B2 (en) 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
EP1566426B1 (en) 2004-02-23 2015-12-02 Philips Lumileds Lighting Company LLC Phosphor converted light emitting device
US7453195B2 (en) 2004-08-02 2008-11-18 Lumination Llc White lamps with enhanced color contrast
US20070241657A1 (en) 2004-08-02 2007-10-18 Lumination, Llc White light apparatus with enhanced color contrast
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
US7601276B2 (en) * 2004-08-04 2009-10-13 Intematix Corporation Two-phase silicate-based yellow phosphor
US8278816B2 (en) * 2004-09-30 2012-10-02 Global Tungsten & Powders Corp. High CRI electroluminescent lamp
JP2006127798A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 照明装置および液晶表示装置
CN100547815C (zh) * 2004-12-24 2009-10-07 株式会社东芝 白色led、背光和液晶显示器
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US7350933B2 (en) * 2005-05-23 2008-04-01 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor converted light source
EP1894257A1 (en) * 2005-06-23 2008-03-05 Rensselaer Polytechnic Institute Package design for producing white light with short-wavelength leds and down-conversion materials
JP2007081234A (ja) 2005-09-15 2007-03-29 Toyoda Gosei Co Ltd 照明装置
US7543959B2 (en) 2005-10-11 2009-06-09 Philips Lumiled Lighting Company, Llc Illumination system with optical concentrator and wavelength converting element
US7213940B1 (en) * 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
TWI396814B (zh) 2005-12-22 2013-05-21 克里公司 照明裝置
KR20080089486A (ko) * 2006-01-16 2008-10-06 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. Ｅｕ-포함 인광체 물질을 갖는 발광 소자
WO2007080555A1 (en) * 2006-01-16 2007-07-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor converted light emitting device
JP4822919B2 (ja) * 2006-04-26 2011-11-24 シャープ株式会社 発光装置および車両用ヘッドランプ
EP2021688B1 (en) 2006-05-05 2016-04-27 Cree, Inc. Lighting device
KR101726149B1 (ko) 2006-06-02 2017-04-26 코닌클리케 필립스 엔.브이. 유색 광 및 백색 광을 발생시키는 조명 장치
US8080828B2 (en) 2006-06-09 2011-12-20 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED with window layer and phosphor layer
US7902560B2 (en) 2006-12-15 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Tunable white point light source using a wavelength converting element
KR100793463B1 (ko) * 2006-12-29 2008-01-14 주식회사 포스포 실리케이트계 형광체, 그 제조방법 및 이를 이용한발광장치
JP2008218998A (ja) 2007-02-09 2008-09-18 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
TW200848783A (en) * 2007-02-15 2008-12-16 Lamina Lighting Inc High color rendering index white LED light system using multi-wavelength pump sources and mixed phosphors
WO2008142638A1 (en) * 2007-05-24 2008-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color-tunable illumination system
US8785906B2 (en) * 2007-05-30 2014-07-22 Eastman Kodak Company Lamp with controllable spectrum
ES2379129T3 (es) * 2007-06-04 2012-04-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sistema de iluminación con ajuste de color, lámpara y luminaria
US7494246B2 (en) 2007-06-06 2009-02-24 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Thin luminaire for general lighting applications
DE102007037875A1 (de) * 2007-08-10 2009-02-12 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierende Vorrichtung
US7984999B2 (en) 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
US9086213B2 (en) * 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
CN101925772B (zh) * 2008-01-22 2016-09-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有led和包括发光材料的透射支架的照明器件
CN101231244A (zh) * 2008-02-15 2008-07-30 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 高功率发光二极管诱导荧光检测微流控生化分析仪
JP5464500B2 (ja) * 2008-02-27 2014-04-09 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ Ｌｅｄ及び１つ以上の透過窓を備える照明装置
CN101280893A (zh) * 2008-05-28 2008-10-08 上海飞锐光电科技有限公司 Led红、绿、蓝三色光的双通道合色系统
US8220971B2 (en) * 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
CN102405538A (zh) 2009-08-26 2012-04-04 三菱化学株式会社 白色半导体发光装置
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index

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