CN103097488A - 荧光体及发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种荧光体，其被从蓝色光到近紫外光的波长区的激发光高效率地激发可发出绿色的荧光，相对于激发光的波长变动的发光强度的变化小，而且容易制造。本发明的荧光体具有用以下通式（A）表示的化学结构。A（M1-a-xEuaMnx）L（Si1-bGeb）2O7……（A）。A为选自Li、Na及K中的一种以上的元素，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn及Mn中的一种以上的元素，L为选自Ga、Al、Sc、Y、La、Gd及Lu中的一种以上的元素，a为满足0.001≤a≤0.3的数，b为满足0≤b≤0.5的数，x为满足0≤x≤0.2的数。

Description

荧光体及发光装置
技术领域
本发明涉及荧光体及具备该荧光体的发光装置。
背景技术
近年来，随着发光二极管（LED）的发光效率的提高，采用LED的发光装置在普及、扩大。特别是，具备LED和对来自该LED的发光进行波长转换的荧光体的发光装置具有可进行高效率化、小型化及薄型化、节电化、且能以白色或灯泡颜色等满足用途的任意颜色发光等特长。因此期待着此种发光装置在户内外用的照明器具、液晶显示器、便携式电话或便携式信息终端等的背光用光源、室内外广告等中采用的显示装置、车载用光源等中的应用，一直在进行开发。
作为发白色光的发光装置的构成，提出了多种构成。其中，具备蓝色LED和黄色荧光体的发光装置（例如参照专利文献1）最为普及。在该发光装置中利用蓝色和黄色具有补色关系这一点，通过将从蓝色LED发出的蓝色光的一部分通过黄色荧光体转换为黄色光，可从发光装置发出包含蓝色光和黄色光的仿真白色光。
但是，这样的发仿真白色光的发光装置的发光效率尽管高，但是该仿真白色光因不含或只稍微含有绿色光及红色光，因而有现色性低的问题。
作为发白色光的发光装置，还提出了具备蓝色LED和绿色荧光体及红色荧光体的发光装置（例如参照专利文献2），具备近紫外LED和蓝色荧光体、绿色荧光体及红色荧光体的发光装置（例如参照专利文献3）等。从这些发光装置，可发出包含蓝色光、绿色光及红色光的比较接近自然光的白色光。
专利文献2中公开了一种光致发光的荧光体，其作为绿色荧光体，通过吸收蓝色发光，可发出在530～570nm具有峰值、至少下摆搭接到700nm为止的发光光谱，形成石榴石结构，同时含有铈。
专利文献3中公开了作为绿色荧光体，用通式Eus（Si、A1）6-s（O、N）8表示的、具有主相为β铝硅氧氮（SiAlON）晶体结构的荧光体。该通式中的s为0.011以上且0.019以下的数。
但是，在专利文献2中公开的绿色荧光体中，由于成为发光中心的离子为Ce3+，所以为了使该绿色荧光体的发光强度稳定，而将激发光的波长范围限定在440～460nm的范围。因此，该绿色荧光体只在与蓝色LED一同使用时有效，例如在与近紫外LED一同使用时，有绿色荧光体的发光强度不能充分提高的问题。另外，即使在该绿色荧光体与蓝色LED一同使用的情况下，因蓝色LED的制造批次的差异而使蓝色LED的发光波长产生波动，或因蓝色LED的温度上升而使发光波长变动，因此也有该绿色荧光体的发光强度容易产生大的变动的问题。所以，从发光装置发出的白色光的光束或色度也容易变动。
专利文献3中公开的绿色荧光体经由将原料在氮气氛中在1820℃～2200℃的高温下进行烧结的工序来制造。因此有需要用于高温加热的制造设备、而且制造工序非常繁杂、制造成本高的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第3700502号公报
专利文献2：日本专利第4148245号公报
专利文献3：日本专利第4104013号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是鉴于上述事由而完成的，其目的在于提供一种荧光体及具备该荧光体的发光装置，所述荧光体被从蓝色光到近紫外光的波长区的激发光高效率地激发，可发绿色的荧光，相对于激发光的波长变动的发光强度的变化小，而且容易制造。
用于解决课题的手段
本发明的荧光体具有用以下通式（A）表示的化学结构。
A（M1-a-xEuaMnx）L（Si1-bGeb）2O7……（A）
（A为选自Li、Na及K中的一种以上的元素，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的一种以上的元素，L为选自Ga、Al、Sc、Y、La、Gd及Lu中的一种以上的元素，a为满足0.001≤a≤0.3的数，b为满足0≤b≤0.5的数，x为满足0≤x≤0.2的数。）
在本发明中，优选所述通式（A）中的x满足x＝0。在此种情况下，本发明的荧光体具有用下述通式（1）表示的化学结构。
A（M1-aEua）L（Si1-bGeb）2O7……（1）
（A为选自Li、Na及K中的一种以上的元素，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn及Mn中的一种以上的元素，L为选自Ga、Al、Sc、Y、La、Gd及Lu中的一种以上的元素，a为满足0.001≤a≤0.3的数，b为满足0≤b≤0.5的数。）
在本发明中，优选所述通式（A）中的x满足0＜x≤0.2。
在本发明中，优选所述通式（A）中的A含有Li。
在本发明中，优选所述通式（A）中的A含有Na。
在本发明中，优选所述通式（A）中的A至少包含二种元素。
在本发明中，优选所述通式（A）中的M含有Ba。
在本发明中，优选所述通式（A）中的M至少包含二种元素。
在本发明中，优选所述通式（A）中的L含有Sc。还优选所述通式（A）中的L进一步含有Y。
本发明的荧光体优选具有用下述通式（2）表示的组成。
A1 1-yA2 yBa1-aEuaScSi2O7……（2）
（A1及A2为选自Li、Na及K中的元素，A1和A2相互不同。y为满足0＜y＜1的数，a为满足0.00l≤a≤0.3的数。）
本发明的荧光体优选具有用下述通式（3）表示的组成。
NaBa1-aEuaScSi2O7……（3）
（a为满足0.00l≤a≤0.3的数。）
本发明的荧光体还优选具有用下述通式（4）表示的组成。
NaBa1-aEuaSc1-zYzSi2O7……（4）
（z为满足0＜z＜1的数，a为满足0.00l≤a≤0.3的数。）
本发明的荧光体还优选具有用下述通式（5）表示的组成。
NaM1 pM2 qEuaScSi2O7……（5）
（M1及M2为选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的元素，M1和M2相互不同。a为满足0.00l≤a≤0.3的数，p为满足0＜p＜1的数，q为满足0＜q＜1的数，p、q及a满足p+q+a＝1。）
本发明的荧光体还优选具有用下述通式（6）表示的组成。
A（M3 1-a-xEuaMnx）L（Si1-bGeb）2O7……（6）
（A为选自Li、Na及K中的一种以上的元素，M3为选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的一种以上的元素，L为选自Ga、Al、Sc、Y、La、Gd及Lu中的一种以上的元素，a为满足0.00l≤a≤0.3的数，b为满足0≤b≤0.5的数，x为满足0.01≤x≤0.1的数。）
本发明的发光装置具备可发出主发光峰值在350nm～470nm的范围的光的发光元件、和通过吸收从所述发光元件发出的光而发光的波长转换部件，所述波长转换部件具备所述荧光体。
发明效果
本发明的荧光体被从蓝色光到近紫外光的波长区的激发光高效率地激发而发出绿色的荧光，相对于激发光的波长变动的发光强度的变化小，而且容易制造。
本发明的发光装置通过具备所述荧光体，发挥高的发光效率和波长转换效率。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的发光装置的部分断开的分解立体图。
图2是所述发光装置的剖视图。
图3是表示所述发光装置具备的波长转换部件的内部结构的示意图。
图4是表示本发明的实施例1的荧光体的荧光发光光谱的曲线图。
图5是表示本发明的实施例1的荧光体的激发光谱的曲线图。
图6是表示有关按实施例7～11得到的荧光体的粒子的通过粉末X射线衍射测定得到的衍射强度曲线、以及NaBaScSi2O7的通过模拟得到的衍射强度曲线的曲线图。
图7是表示有关按实施例12、13得到的荧光体的粒子的通过粉末X射线衍射测定得到的衍射强度曲线、以及NaBaScSi2O7的通过模拟得到的衍射强度曲线的曲线图。
图8是表示有关按实施例14得到的荧光体的粒子的通过粉末X射线衍射测定得到的衍射强度曲线、以及NaBaScSi2O7的通过模拟得到的衍射强度曲线的曲线图。
图9是表示有关按实施例15～18得到的荧光体的粒子的通过粉末X射线衍射测定得到的衍射强度曲线、以及NaBaScSi2O7的通过模拟得到的衍射强度曲线的曲线图。
图10是表示有关按实施例19～22得到的荧光体的粒子的通过粉末X射线衍射测定得到的衍射强度曲线、以及NaBaScSi2O7的通过模拟得到的衍射强度曲线的曲线图。
图11是表示有关按实施例23～25得到的荧光体的粒子的通过粉末X射线衍射测定得到的衍射强度曲线、以及NaBaScSi2O7的通过模拟得到的衍射强度曲线的曲线图。
图12是表示有关按实施例12得到的荧光体的粒子的激发光谱和发光光谱的测定结果的曲线图。
图13是表示有关实施例7～11的发光光谱中的发光峰值波长下的发光强度的曲线图。
图14是表示有关实施例15～18的发光光谱中的发光峰值波长下的发光强度的曲线图。
图15是表示有关实施例19～22的发光光谱中的发光峰值波长下的发光强度的曲线图。
图16是表示有关实施例23～25的发光光谱中的发光峰值波长下的发光强度的曲线图。
图17是表示有关按实施例7～11得到的荧光体的粒子的激发光谱和发光光谱的测定结果的曲线图。
图18是表示有关按实施例28～31得到的荧光体的粒子的激发光谱和发光光谱的测定结果的曲线图。
图19是表示有关按实施例32～35得到的荧光体的粒子的激发光谱和发光光谱的测定结果的曲线图。
具体实施方式
[荧光体]
本实施方式的荧光体具有用下述通式（A）表示的化学结构。
A（M1-a-xEuaMnx）L（Si1-bGeb）2O7……（A）
A为选自Li、Na及K中的一种以上的元素，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的一种以上的元素，L为选自Ga、Al、Sc、Y、La、Gd及Lu中的一种以上的元素，a为满足0.001≤a≤0.3的数，b为满足0≤b≤0.5的数，x为满足0≤x≤0.2的数。
用后述的通式（1）～（6）表示的组成全部为用通式（A）表示的组成的下位概念，因此，具有用通式（1）～（6）表示的组成的荧光体，全部包含在具有用通式（A）表示的化学结构的荧光体内。
再有，在通式（A）中，A∶（M1-a-xEuaMnx）∶L∶（Si1-bGeb）∶O的组成比（摩尔比）为1∶1∶1∶2∶7，但因晶体结构内的部分的缺陷、杂质的混入和其它理由，当然有时荧光体中的组成比不能准确地达到如上所述。可是，即使荧光体的组成比不与1∶1∶1∶2∶7完全一致，在基于技术常识认为组成比实质上为1∶1∶1∶2∶7的情况下，该荧光体就包含在本发明的范围。
在通式（A）中，在x＝0时，本实施方式的荧光体具有用下述通式（1）表示的化学结构。
A（M1-aEua）L（Si1-bGeb）2O7……（1）
A为选自Li、Na及K中的一种以上的元素，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的一种以上的元素，L为选自Ga、Al、Sc、Y、La、Gd及Lu中的一种以上的元素，a为满足0.001≤a≤0.3的数，b为满足0≤b≤0.5的数。
该荧光体是被2价的铕离子激活的硅酸盐系的荧光体。在具有如此的组成的荧光体的晶体中，成为发光中心的离子为2价的铕离子Eu2+。该Eu2+通过在晶体中的金属元素M的2价的离子所占的部位的一部分上与该M置换而在晶体中固溶。通过具有如此的晶体结构，荧光体高效率地吸收从近紫外光到蓝色光的波长区的、特别是350～470nm的范围的波长区的激发光，并被激发，高效率地发出与激发光波长相比长波长的荧光。
在通式（A）及通式（1）中，如上所述，A为选自Li、Na、K中的一种以上的碱金属元素。A可以只包含Li、Na、K中的一种元素，也可以包含二种以上的元素。在A包含二种以上的元素时，只要A中的二种以上的各元素的比例为适宜的比例就可以。
特别是通式（A）及通式（1）中的A，优选一定包含Li。也就是说，优选A只包含Li，或A包含Li和Na及K中的至少一方。在此种情况下，容易将Eu2+离子在晶体中的金属元素M的2价的离子所占的部位选择性地与该金属元素M的2价的离子置换，因此荧光体的发光效率特别高。特别是优选A中的Li的比例为1～100mol%。
通式（A）及通式（1）中的A优选一定包含Na。也就是说，优选A只包含Na，或A包含Na和Li及K中的至少一方。在此种情况下，荧光体的结晶性更加提高。
通式（A）及通式（1）中的A优选至少包含二种元素。也就是说，优选A包含Na、Li及K中的至少二种。在此种情况下，通过调整构成比，能够在几nm的范围调整发光峰值波长。
在通式（A）及通式（1）中，如上所述，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的一种以上的金属元素。M可以只包含Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的一种元素，也可以包含二种以上的元素。在M包含二种以上的元素时，只要M中的二种以上的各元素的比例为适宜的比例就可以。在晶体中金属元素M如前所述为2价的离子。
特别是通式（A）及通式（1）中的M优选一定包含Ba。也就是说，优选M只包含Ba，或M包含Ba和Mg、Ca、Sr及Zn中的至少一种。在此种情况下，荧光体的结晶性更加提高。
通式（A）及通式（1）中的M也优选至少包含二种元素。也就是说，优选M包含Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的至少二种。在此种情况下，通过调整构成比，能够在几nm的范围调整发光峰值波长。
在通式（A）及通式（1）中，a是表示相对于金属元素M的Eu的摩尔比的数，如上所述，是满足0.001≤a≤0.3的数。通过该a的值在0.001以上，晶体中的2价的铕离子的浓度充分提高，另外，通过该a的值在0.3以下，可抑制浓度消光，由此荧光体的发光强度充分提高。为了更加减低浓度消光，a的值特别优选为0.2以下。也就是说，如果a是满足0.001≤a≤0.2的数，则荧光体的发光强度特别提高。另外，优选a为满足0.01≤a≤0.1的数。
在通式（A）及通式（1）中，如上所述，L为选自Ga、A1、Sc、Y、La、Gd及Lu中的一种以上的金属元素。L可以只包含Ga、A1、Sc、Y、La、Gd及Lu中的一种元素，也可以包含二种以上的元素。在L包含二种以上的元素时，只要L中的二种以上的各元素的比例为适宜的比例就可以。晶体中金属元素L为3价的离子。
特别是优选通式（A）及通式（1）中的L一定含有Sc。也就是说，优选L只包含Sc，或L包含Sc和Ga、Al、Y、La、Gd、Lu中的至少一种。在此种情况下，荧光体的结晶性更加提高。
特别是优选通式（A）及通式（1）中的L含有Sc、进一步含有Y。也就是说，优选L只包含Sc及Y，或L包含Sc及Y、以及Ga、A1、La、Gd、Lu中的至少一种。在此种情况下，通过调整构成比，能够在几nm的范围调整发光峰值波长。
如通式（A）及通式（1）中所示，晶体中的Si的一部分也可以用Ge置换。在通式（A）及通式（1）中，b为表示相对于Si的Ge的摩尔比（置换比率）的数，如上所述为满足0≤b≤0.5的数。通过该b的值在0.5以下，可维持荧光体的高的发光效率。
下面对荧光体的制造方法的一个例子进行说明。首先，通过混合多种原料调制混合物。调整原料的配合比率使混合物中的金属元素与用通式（A）或通式（1）表示的组成一致。
例如，在通式（1）中的A为Na、M为Ba、L为Sc、b＝0时，也就是说，在制造具有NaBaScSi2O7∶Eu2+的组成的荧光体时，作为原料，例如可采用Na2CO3、BaCO3、Eu2O3、Sc2O3及SiO2的粉末。调整这些原料的配合比，使混合物中的Na、Ba、Sc、Si及Eu的摩尔比与荧光体的组成一致。
接着，准备由氧化铝或石英等材质形成的容器，在该容器内装入混合物。接着对该容器内的混合物在非氧化性气体气氛中在1000～1300℃的温度下进行烧结。该非氧化性气体气氛例如优选为氢/氮混合气体气氛等弱还原性气体气氛。也可以在如此烧结混合物之前，预先在大气气氛中对混合物进行假烧结，在此种情况下荧光体的结晶性特别提高。在假烧结混合物的情况下，该假烧结时的烧结温度优选为主烧结时（接续假烧结的所述非氧化性气体气氛中的烧结时）的烧结温度以下。
这样，本实施方式的荧光体可经过在非氧化性气体气氛中、在1000～1300℃这样的比较低的温度下烧结原料的工序来制造。因此，不需要用于高温加热的制造设备，而且制造工序简便，所以本实施方式的荧光体容易制造。
接着，将通过烧结混合物而得到的烧结体破碎及粉碎，然后通过水洗或酸洗净，将不要的成分除去。由此，可得到具有作为目的的组成的荧光体的粉末。
本实施方式的荧光体适用于具备LED等发光元件的发光装置。发光元件没有特别的限定，但优选是发出主发光峰值在350nm～470nm的范围的光的发光元件。作为如此的发光元件的优选的一个例子，可列举出氮化物半导体LED。氮化物半导体LED中的氮化物半导体，例如为具有InXGayA1zN（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、x+y+z＝1）的组成的化合物半导体。作为该氮化物半导体的重要的具体例子，可列举出A1N、GaN、A1GaN、InGaN等。
在氮化物半导体LED发紫色光或近紫外色光时，氮化物半导体LED的发光波长为410nm以下，如果发光波长为365nm～410nm的范围，则氮化物半导体LED以特别高的效率发光。在氮化物半导体LED发蓝色光时，如果氮化物半导体LED的发光波长在420nm～480nm的范围，则氮化物半导体LED以特别高的效率发光。所以，通过在具备如此的氮化物半导体LED的发光装置中应用本实施方式的荧光体，发光装置的发光效率格外提高。
下面对有关本实施方式的荧光体的更具体的方式进行说明。
在第一方式中，荧光体具有下式（2）所示的组成。
A1 1-yA2 yBa1-aEuaScSi2O7……（2）
在该第一方式中，A1及A2为选自Li、Na、K中的元素，A1和A2相互不同。作为A1特别列举Na。作为A2特别列举K或Li。
在式（2）中，y是表示相对于A1及A2的合计的A2的摩尔比的值。该y只要是满足0＜y＜1的数就可以。在A1为Na、A2为K时，优选y满足0.05≤y≤0.7。在A1为Na、A2为Li时，优选y满足0.3≤y≤0.7。
在第二方式中，荧光体具有下式（3）所示的组成。
NaBa1-aEuaScSi2O7……（3）
在第三方式中，荧光体具有下式（4）所示的组成。
NaBa1-aEuaSc1-zYzSi2O7……（4）
在式（4）中，z表示相对于Sc和Y的合计的Y的摩尔比。该z只要是满足0＜z＜1的数就可以。特别是优选z满足0.05≤z≤0.5，优选z满足0.05＜z＜0.3。
在第四方式中，荧光体具有下式（5）所示的组成。
NaM1 pM2 qEuaScSi2O7……（5）
在该第四方式中，M1及M2为选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn中的元素，M1和M2相互不同。作为M1特别是可列举Ba。作为M2特别是可列举Sr或Ca。
在式（5）中，p为表示相对于M1、M2及Eu的合计的M1的摩尔比的值，q为表示相对于M1、M2及Eu的合计的M2的摩尔比的值。p满足0＜p＜1，q满足0＜q＜1，另外p、q及a满足p+q+a＝1。在M1为Ba、M2为Sr时，优选q满足0.1≤q≤0.3。在M1为Ba、M2为Ca时，优选q满足0＜q＜0.1。
在第五方式中，荧光体在通式（A）中具有0＜x≤0.2的组成。在此种情况下，荧光体具有用以下通式（6）表示的、且x满足0＜x≤0.2的组成。
A（M1-a-xEuaMnx）L（Si1-bGeb）2O7……（6）
在该第五方式中，A为选自Li、Na及K中的一种以上的元素，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的一种以上的元素，L为选自Ga、Al、Sc、Y、La、Gd及Lu中的一种以上的元素。
在式（6）中，x为表示相对于M、Eu及Mn的合计的Mn的摩尔比的值。更优选x满足0.01≤x≤0.2，进一步优选为0.01≤x≤0.1的范围，特别优选为0.01≤x≤0.07的范围。
在第一～第五方式中，荧光体高效率地吸收从近紫外光到蓝色光的波长区、特别是350～470nm的范围的波长区的激发光，并被激发，高效率地发出与激发光的波长相比长波长的荧光。这些方式中的荧光体的发光光谱在绿色区具有强的发光峰值，荧光体的发光色为绿色。
另外，在第五方式中，荧光体的发光光谱在红色区也具有发光峰值。认为这是因为采用了Mn作为共激活剂。该红色区的发光峰值的强度与绿色区的发光峰值相比较小。这样，在第五方式中主要的发光峰值显现在红色区，所以荧光体的发光色为绿色，另外，在红色区还显示比较小的发光峰值，因此，具备该荧光体的发光装置的现色性格外提高。
[发光装置]
对本实施方式的发光装置进行说明。如图1、2所示，该发光装置1具备发光元件即LED芯片10、安装基板20、光学部件60、封装部50及波长转换部件（颜色转换部件）70。如后述，波长转换部件（颜色转换部件）70具备由本实施方式的荧光体形成的荧光体粒子。
LED芯片10被安装在安装基板20上。安装基板20的形状是平面视为矩形板状。在面向安装基板20的厚度方向的第一表面上形成向LED芯片10供电用的一对导体图案23，进而在该第一表面上安装有LED芯片10。LED芯片10和导体图案23通过键合丝14电连接。光学部件60为圆顶状的部件，被粘接在安装基板20的第一表面上。在该光学部件60与安装基板20之间收纳有LED芯片10。该光学部件60具有控制从LED芯片10放射的光的取向的功能。封装部50由透光性的封装材料形成。封装部50被填充在由光学部件60和安装基板20围住的空间内。通过该封装部50封装LED芯片10及多根（本实施方式中为2根）键合丝14。波长转换部件70以包围光学部件60的方式形成圆顶状。如果LED芯片10发光，就通过从LED芯片10放射的光（激发光）激发波长转换部件70中的荧光体粒子71，放射与激发光相比长波长的荧光（由与LED芯片10的发光色不同的颜色的光构成的转换光）。充实有空气等气体的空隙80介于光学部件60与波长转换部件70之间。在安装基板20的第一表面上形成有包围光学部件60的外周的环状的堰部27。堰部27以从第一表面上突出的方式形成。因此，在将光学部件60粘接在安装基板20上时，即使密封材料从由光学部件60和安装基板20围住的空间溢出，该密封材料也被堰部27堵住。
优选LED芯片10的主发光峰值在350nm～470nm的范围。作为如此的LED芯片10，可列举出放射蓝色光的GaN系的蓝色LED芯片或放射近紫外光的近紫外LED芯片。
对于GaN系的蓝色LED芯片，作为晶体生长用基板，可采用与蓝宝石基板相比晶格常数或晶体结构接近GaN且具有导电性的n形的SiC基板。在该SiC基板上，可形成例如具有双异质结构的发光部。发光部例如能以GaN系化合物半导体材料等作为原料，用外延生长法（例如MOVPE法等）等形成。该LED芯片10在与其安装基板20的第一表面对置的表面上具备阴极电极，在与其相反的一侧的表面上具备阳极电极。该阴极电极及阳极电极例如可由Ni膜与Au膜的层叠膜构成。阴极电极及阳极电极的材料没有特别的限制，只要是可得到良好欧姆特性的材料就可以，例如也可以是A1等。
LED芯片10的结构并不限定于上述结构。例如，通过在晶体生长用基板上利用外延生长形成发光部等后，将支持发光部的Si基板等支持基板粘接在发光部上，然后再将晶体生长用基板除去，也可以形成LED芯片10。
安装基板20由矩形板状的传热板21和布线基板22构成。传热板21由导热性材料形成。在该传热板21上安装LED芯片10。布线基板22例如为矩形板状的挠性印刷布线板。布线基板22例如经由聚烯烃系的粘接薄板29粘接在传热板21上。在布线基板22的中央部，形成有使传热板21中的LED芯片10的安装位置露出的矩形状的窗孔24。在该窗孔24的内侧，LED芯片10经由后述的辅助支架部件30被安装在传热板21上。所以，在LED芯片10中发生的热不会经由布线基板22传热给辅助支架部件30及传热板21。
布线基板22具备由聚酰亚胺薄膜构成的绝缘性基材221、和形成在该绝缘性基材221上的用于向LED芯片10供电的一对导体图案23。另外，布线基板22具备保护层26，该保护层26被覆各导体图案23，同时被覆绝缘性基材221上的没有形成导体图案23的部位。保护层26例如由具有光反射性的白色系的保护膜（树脂）形成。在此种情况下，即使从LED芯片10朝布线基板22放射光，通过用保护层26来反射光，可抑制布线基板22中的光的吸收。由此，提高从LED芯片10向外部取出光的效率，提高发光装置的光输出。再有，各导体图案23形成比绝缘性基材221的外周形状的一半稍小的外周形状。绝缘性基材221也可以由FR4基板、FR5基板、纸酚醛树脂基板等形成。
各导体图案23各具有两个平面视为矩形状的端子部231。该端子部231位于布线基板22的窗孔24的附近，键合丝14被连接在该端子部231上。各导体图案23还各具有一个平面视为圆形状的外部连接用电极部232。该外部连接用电极部232位于布线基板22的外周附近。导体图案23例如可由Cu膜与Ni膜与Au膜的层叠膜构成。
保护层26被图案加工成各导体图案23从该保护层26中部分地露出。在布线基板22的窗孔24的附近，各导体图案23中的端子部231从保护层26中露出。另外，在布线基板22的外周附近，各导体图案23中的外部连接用电极部232从保护层26中露出。
LED芯片10如上所述经由辅助支架部件30搭载在传热板21上。辅助支架部件30对起因于LED芯片10与传热板21的线膨胀率之差而作用于LED芯片10的应力进行缓和。辅助支架部件30形成尺寸比LED芯片10的芯片尺寸大的矩形板状。
辅助支架部件30不仅具有缓和上述应力的功能，而且还具有导热功能，可使LED芯片10中发生的热向比传热板21中的LED芯片10的芯片尺寸宽的范围传导。在本实施方式中的发光装置1中，LED芯片10经由辅助支架部件30搭载在传热板21上，因此可经由辅助支架部件30及传热板21高效率地将LED芯片10中发生的热散热，同时可对起因于LED芯片10与传热板21的线膨胀率之差而作用于LED芯片10的应力进行缓和。
辅助支架部件30例如由导热率比较高的、且具有绝缘性的A1N形成。
LED芯片10的阴极电极重叠在辅助支架部件30上，该阴极电极经由与阴极电极连接的电极图案（未图示）及由金属丝（例如金丝、铝丝等）构成的键合丝14，与两个导体图案23中的一方电连接。LED芯片10经由键合丝14与未连接在阴极电极上的导体图案23电连接。
在LED芯片10与辅助支架部件30的接合中，例如可采用SnPb、AuSn、SnAgCu等软钎料或银浆料等。特别是，优选采用AuSn、SnAgCu等无铅软钎料。辅助支架部件30由Cu形成，在LED芯片10与辅助支架部件30的接合采用AuSn的情况下，优选对辅助支架部件30及LED芯片10中相互接合的一面预先实施形成由Au或Ag构成的金属层的预处理。在辅助支架部件30与传热板21的接合中，例如优选采用AuSn、SnAgCu等无铅软钎料。在辅助支架部件30与传热板21的接合采用AuSn的情况下，优选对传热板21中的与辅助支架部件30接合的一面预先实施形成由Au或Ag构成的金属层的预处理。
辅助支架部件30的材料并不局限于A1N，只要是线膨胀率比较接近晶体生长用基板的材料即6H-SiC、且导热率比较高的材料就可以。例如，作为辅助支架部件30的材料，也可以采用复合SiC、Si、Cu、CuW等。再有，辅助支架部件30由于具有上述导热功能，因此希望传热板21中的与LED芯片10对置的一面的面积远大于LED芯片10中的与传热板21对置的一面的面积。
在本实施方式中的发光装置1中，与从面向传热板21的厚度方向的LED芯片10侧的表面开始到面向保护层26的厚度方向的LED芯片10侧的表面为止的尺寸相比，从传热板21的所述表面开始到面向辅助支架部件30的厚度方向的LED芯片10侧的表面为止的尺寸更大。以形成如此的位置关系的方式设定辅助支架部件30的厚度尺寸。因此，可抑制从LED芯片10放射的光，通过布线基板22的窗孔24的内侧被布线基板22吸收。由此，从LED芯片10向外部取出光的效率更加提高，发光装置的光输出更加提高。
再有，也可以在面向辅助支架部件30的厚度方向的LED芯片10侧的表面上的配置LED芯片10的位置的周围，形成用于反射从LED芯片10放射的光的反射膜。在此种情况下，可防止从LED芯片10放射的光被辅助支架部件30吸收。由此，从LED芯片10向外部取出光的效率更加提高，发光装置的光输出更加提高。反射膜例如可由Ni膜与Ag膜的层叠膜构成。
作为用于形成上述封装部50的材料即封装材料，可列举出硅树脂。并不局限于硅树脂，例如，也可以采用丙烯酸树脂或玻璃等。
光学部件60由具有透光性的材料（例如硅树脂、玻璃等）形成。特别是如果光学部件60由硅树脂形成，则可减低光学部件60与封装部50的折射率差及线膨胀率差。
光学部件60的光出射面602（面向与LED芯片10相反一侧的表面）形成凸曲面状，以使从光入射面601（面向LED芯片10侧的表面）入射在光学部件60内的光，在光出射面602与空隙80的边界处不发生全反射。以与LED芯片10光轴一致的方式配置光学部件60。所以，从LED芯片10放射并入射在光学部件60的光入射面601的光，容易在光出射面602与空隙层80的边界处不发生全反射地达到波长转换部件70，因此来自发光装置的发光的总光束增大。再有，光学部件60不论位置如何，都沿着法线方向以厚度一样的方式形成。
波长转换部件70中，其光入射面701（面向LED芯片10侧的表面）形成沿着光学部件60的光出射面602的形状。所以，不论光学部件60的光出射面602的位置如何，法线方向上的光学部件60的光出射面602与波长转换部件70之间的距离都为大致固定值。波长转换部件70不论位置如何，都以沿着法线方向的厚度一样的方式成形。波长转换部件70例如通过粘结剂（例如硅树脂、环氧树脂等）等粘接在安装基板20上。
从LED芯片10放射的光从光入射面701入射到波长转换部件70内，通过波长转换部件70的光出射面（与LED芯片10相反一侧的表面）702，向波长转换部件70外射出。在光通过波长转换部件70中时，该光的一部分被波长转换部件70中的荧光体粒子进行了波长转换。由此，可从发光装置1发出对应于从LED芯片10放射的光与波长转换部件70中的荧光体粒子的种类的组合的颜色的光。
波长转换部件70如图3所示，具备透光性介质72和分散在该透光性介质72中的多个荧光体粒子71。该荧光体粒子71的至少一部分由本实施方式的荧光体形成。
波长转换部件70中，作为荧光体粒子71，也可以在含有由本实施方式的荧光体形成的荧光体粒子的同时，含有除了由本实施方式的荧光体形成的荧光体粒子以外的荧光体粒子。
在发光装置1发白色光的情况下，在发光装置1中的LED芯片10是发蓝色光的蓝色LED芯片时，例如波长转换部件70中作为荧光体粒子71，不仅含有由本实施方式的荧光体形成的绿色荧光体粒子，还含有红色荧光体粒子。在此种情况下，从波长转换部件70放射出从LED芯片10不经波长转换而放射的蓝色光、和被波长转换部件70中的红色荧光体粒子及绿色荧光体粒子进行了波长转换的光。由此，从发光装置1放射出白色光。作为构成此时的红色荧光体粒子的荧光体，可列举出具有（Ca、Sr）2Si5N8∶Eu2+、（Ca、Sr）AlSiN3∶Eu2+、CaS∶Eu2+等组成的荧光体。也可以与由本实施方式的荧光体形成的绿色荧光体粒子一同，并用除其以外的绿色荧光体粒子。作为构成此时的由除本实施方式的荧光体以外的荧光体形成的绿色荧光体粒子的荧光体，可列举出具有（Ba、Sr）2SiO4∶Eu2+、Y3Al5O12∶Ce3+、（Ba、Sr、Ca）Si2O2N2∶Eu2+、（Ca、Mg）3Sc2Si3O12∶Ce3+、CaSc2O4∶Ce3+等组成的荧光体。用于从发光装置1射出白色光的荧光体粒子71的选定方法并不局限于所述的例子。例如波长转换部件70也可以含有由本实施方式的荧光体形成的绿色荧光体、和黄色荧光体粒子及橙色荧光体粒子。
在发光装置1发白色光的情况下，在发光装置1中的LED芯片10为放射紫外光的紫外LED芯片时，波长转换部件70中作为荧光体粒子71，例如在含有由本实施方式的荧光体形成的绿色荧光体粒子的同时，还含有红色荧光体粒子及蓝色荧光体粒子。作为构成此时的红色荧光体粒子的荧光体，可列举出具有La2O2S∶Eu3+、（Ca、Sr）2Si5N8∶Eu2+、（Ca、Sr）AlSiN3：Eu2+等组成的荧光体。作为构成蓝色荧光体粒子的荧光体，可列举出具有BaMgAl10O17∶Eu2+、（Sr、Ca、Ba）10（PO4）6Cl2∶Eu2+、Sr3MgSi2O8∶Eu2+等组成的荧光体。也可以与由本实施方式的荧光体形成的绿色荧光体粒子一同并用除其以外的绿色荧光体粒子。作为构成此时的由除本实施方式的荧光体以外的荧光体形成的绿色荧光体粒子的荧光体，可列举出具有（Ba、Sr）2SiO4∶Eu2+、BaMgAl10O17∶Eu2+、Mn2+、（Ba、Sr、Ca）Si2O2N2∶Eu2+等组成的荧光体。
荧光体粒子71的粒径没有特别的限制，但是在荧光体粒子71的平均粒径大时，荧光体粒子71中的缺陷密度减小，发光时的能量损失减少，发光效率提高。因此，从提高发光效率的观点出发，荧光体粒子71的平均粒径优选为1μm以上，更优选为5μm以上。该平均粒径为用激光衍射散射粒度分布测定装置测定的值。
为了对荧光体粒子71与透光性介质72的界面处的激发光或荧光的反射进行抑制，也可以对荧光体粒子71实施涂敷等适宜的表面处理。
透光性介质72的折射率优选接近荧光体粒子71的折射率，但也并不局限于此。作为透光性介质72的材质，可列举出具有硅氧烷键的硅化合物或玻璃等。这些材质由于耐热性及耐光性（相对于蓝色～紫外线等短波长的光的耐久性）优良，因此可对由从荧光体粒子71的激发光即蓝色光到紫外光的波长区的光导致的透光性介质72的劣化进行抑制。作为硅化合物的例子，可列举出通过用公知的聚合方法（氢硅化等的加聚、自由基聚合等）对硅树脂、有机硅氧烷的水解缩聚物、有机硅氧烷的缩聚物等进行交联而生成的复合树脂。作为透光性介质72，例如也可以采用丙烯酸树脂、或将有机成分和无机成分以nm级或分子级混合、结合而形成的有机无机混杂材料等。
波长转换部件70中的荧光体粒子71的含量，可根据荧光体粒子71及透光性介质72的种类、波长转换部件70的尺寸、波长转换部件70所要求的波长转换性能等适宜决定，例如为5质量%～30质量%的范围。
如果对该波长转换部件70照射荧光体粒子71的激发光，则荧光体粒子71吸收激发光，发出与激发光相比长波长的荧光。由此，在光透过波长转换部件70时，该光的波长被荧光体粒子71转换。
实施例
[实施例1]
按以下合成了具有通式（1）中的A为Na、M为Ba、L为Sc、a为0.01、b为0的组成的荧光体（NaBaScSi2O7∶Eu2+）。
首先，称量Na2CO3、BaCO3、Eu2O3、Sc2O3及SiO2的各粉末，以1.0∶1.98∶0.01∶1.0∶4.0的摩尔比配合，用球磨机将其混合，得到混合粉末。
将该混合粉末装入氧化铝制坩埚，在大气中在1100℃下加热12小时，进行假烧结。将通过该假烧结而形成的烧结体粉碎，再将由此得到的粉体装入氧化铝坩埚，在氢浓度5%的氢/氩混合气体气氛下，在1110℃下加热12小时，进行主烧结。将通过该主烧结而形成的烧结体粉碎，得到荧光体的粒子。
[实施例2～6]
在实施例1中，通过变更用于制作荧光体的原料组成，制作了具有表1所示组成的荧光体。作为在实施例1没有使用的原料，采用Li化合物即Li2CO3、Sr化合物即SrCO3、Y化合物即Y2O3及Ge化合物即GeO2。
[评价]
对从按实施例1～6得到的荧光体发出的荧光发光光谱进行了测定。作为测定装置，采用日本分光株式会社制造的分光荧光光度计FP-6500，将照射向荧光体的激发光的波长规定为450nm。其结果是，按实施例1～6得到的荧光体的发光光谱的峰值波长为表1所示的值，这些发光光谱是以峰值波长为中心的宽阔的光谱。从这些荧光体发出的荧光的颜色为绿色。图4示出按实施例1得到的荧光体的发光光谱。
表1中示出从按实施例1～6得到的荧光体发出的荧光的发光强度。该发光强度为上述发光光谱的峰值波长的强度，是将按实施例1得到的荧光体的发光强度的值作为100而标准化的值（相对发光强度）。
采用上述装置同时对按实施例1～6得到的荧光体的激发光谱进行了测定。将监视波长作为上述发光光谱中的峰值波长。其结果是，这些荧光体的激发光谱的波形从近紫外区到蓝色区比较平坦，因此，确认在从近紫外区到蓝色区的范围中，即使激发光的波长发生变动，发光强度的变动也小。图5中示出按实施例1得到的荧光体的激发光谱。
表1
[实施例7～35]
作为含有Li的原料准备Li2CO3粉末，作为含有Na的原料准备Na2CO3粉末，作为含有K的原料准备K2CO3粉末，作为含有Ba的原料准备BaCO3粉末，作为含有Ca的原料准备CaCO3，作为含有Sr的原料准备SrCO3粉末，作为含有Mn的原料准备MnCO3粉末，作为含有Eu的原料准备Eu2O3粉末，作为含有Sc的原料准备Sc2O3，作为含有Y的原料准备Y2O3粉末，作为含有Si的原料准备SiO2粉末。
通过配合、混合这些原料调制混合物。此时，在实施例7～11中，以Na、Ba、Eu、Sc及Si的摩尔比达到1∶（1－a）∶a∶1∶2的摩尔比的方式配合原料。在实施例12、13中，以Na、Ba、Sr、Eu、Sc及Si的摩尔比达到1∶p∶q∶a∶1∶2的方式配合原料。在实施例14中，以Na、Ba、Ca、Eu、Sc及Si的摩尔比达到1∶p∶q∶a∶1∶2的方式配合原料。在实施例15～18中，以Na、Ba、Eu、Sc、Y及Si的摩尔比达到1∶（1－a）∶a∶（1－z）∶z∶2的方式配合原料。在实施例19～22中，以Na、K、Ba、Eu、Sc及Si的摩尔比达到（1－y）∶y∶（1－a）∶a∶1∶2的方式配合原料。在实施例23～27中，以Na、Li、Ba、Eu、Sc及Si的摩尔比达到（1－y）∶y∶（1－a）∶a∶1∶2的方式配合原料。在实施例28～31中，以Na、Ba、Eu、Mn、Sc及Si的摩尔比达到1∶（0.93－x）∶0.07∶x∶1∶2的方式配合原料。在实施例32～35中，以Li、Na、Ba、Mn、Eu、Sc及Si的摩尔比达到0.7∶0.3∶（0.93－x）∶0.07∶x∶1∶2的方式配合原料。
表2及表3中示出各实施例中的金属元素的具体的摩尔比以及a、p、q、y及z的值。
表2
Figure BDA00002892901600201
表3
a x y z p q
实施例7 0.01 - - - - -
实施例8 0.03 - - - - -
实施例9 0.05 - - - - -
实施例10 0.07 - - - - -
实施例11 0.1 - - - - -
实施例12 0.01 - - - 0.89 0.1
实施例13 0.01 - - - 0.69 0.3
实施例14 0.01 - - - 0.89 0.1
实施例15 0.01 - - 0.05 - -
实施例16 0.01 - - 0.1 - -
实施例17 0.01 - - 0.3 - -
实施例18 0.01 - - 0.5 - -
实施例19 0.01 - 0.05 - - -
实施例20 0.01 - 0.1 - - -
实施例21 0.01 - 0.3 - - -
实施例22 0.01 - 0.5 - - -
实施例23 0.01 - 0.05 - - -
实施例24 0.01 - 0.3 - - -
实施例25 0.01 - 0.7 - - -
实施例26 0.07 - 0.3 - - -
实施例27 0.07 - 0.7 - - -
实施例28 0.07 0.01 - - - -
实施例29 0.07 0.03 - - - -
实施例30 0.07 0.05 - - - -
实施例31 0.07 0.07 - - - -
实施例32 0.07 0.01 - - - -
实施例33 0.07 0.03 - - - -
实施例34 0.07 0.05 - - - -
实施例35 0.07 0.07 - - - -
将该混合物装入氧化铝制的坩埚，在大气中在1100℃下加热12小时，进行假烧结。将通过该假烧结而形成的烧结体粉碎，将由此得到的粉体装入氧化铝坩埚，在氢浓度5%的氢/氩混合气体气氛下，在1110℃下加热12小时进行主烧结。将通过该主烧结而形成的烧结体粉碎，得到荧光体的粒子。
[X射线衍射测定]
对按实施例7～25得到的荧光体的粒子进行了利用CuKα射线的粉末X射线衍射测定。实施例7～11的结果见图6，实施例12、13的结果见图7，实施例14的结果见图8，实施例15～18的结果见图9，实施例19～22的结果见图10，实施例23～25的结果见图11。另外，为了参考，图7～11中一并示出NaBaScSi2O7的通过模拟得到的衍射强度曲线。
[发光特性评价]
对按实施例7～27得到的荧光体的粒子，测定了激发光谱和发光光谱。作为测定装置，采用日本分光株式会社制造的分光荧光光度计FP-6500。
在测定发光光谱时，将激发光的波长规定为450nm。在测定激发光谱时，将监视波长设定为在各实施例中发光光谱的发光强度达到最大值的波长。
此结果是，在按任一实施例得到的荧光体的粒子中，发光光谱中的峰值波长都在500nm附近，从这些荧光体的粒子发出的荧光的颜色为绿色。另外，在按任一实施例得到的荧光体的粒子中，激发光谱的波形从近紫外区到蓝色区都是比较平坦的，因此，确认在从近紫外区到蓝色区的范围内，即使激发光的波长发生变动，发光强度的变动也小。
图12示出按实施例27得到的荧光体的粒子的发光光谱（实线）及激发光谱（虚线）。图12中的发光强度是将峰值波长中的发光强度作为100而标准化的值（相对发光强度）。
下表4及图13示出实施例7～11的发光光谱中的发光峰值波长下的发光强度。发光强度是将按实施例7得到的荧光体的发光强度的值作为100而标准化的值（相对发光强度）。
表4
Figure BDA00002892901600221
下表5示出实施例7、12～14的发光光谱中的发光峰值波长下的发光强度。发光强度为将按实施例7得到的荧光体的发光强度的值作为100而标准化的值（相对发光强度）。
表5
下表6及图14示出实施例7、15～18的发光光谱中的发光峰值波长下的发光强度。发光强度为将按实施例7得到的荧光体的发光强度的值作为100而标准化的值（相对发光强度）。
表6
Figure BDA00002892901600232
下表7及图15示出实施例7、19～22的发光光谱中的发光峰值波长下的发光强度。发光强度为将按实施例7得到的荧光体的发光强度的值作为100而标准化的值（相对发光强度）。
表7
Figure BDA00002892901600233
图16示出实施例7、23～25的发光光谱中的发光峰值波长下的发光强度。发光强度为将按实施例7得到的荧光体的发光强度的值作为100而标准化的值（相对发光强度）。
下表8示出实施例10、26、27的发光光谱中的发光峰值波长下的发光强度。发光强度为将按实施例10得到的荧光体的发光强度的值作为100而标准化的值（相对发光强度）。
表8
Figure BDA00002892901600241
再有，实施例9为与实施例6相同的组成，但实施例9时的发光强度提高。实施例9的发光强度的测定结果的再现性高，因此判断为实施例9时的测定结果的可靠性更高。
对从按实施例7～11以及实施例28～35得到的荧光体发出的荧光发光光谱进行了测定。作为测定装置，采用日本分光株式会社制造的分光荧光光度计FP-6500，将照射在荧光体上的激发光的波长规定为450nm。
此外，采用上述装置同时测定了按实施例7～11得到的荧光体的激发光谱。将监视波长作为各荧光体的发光光谱中的峰值波长。其结果是，这些荧光体的激发光谱的波形从近紫外区到蓝色区比较平坦，因此，确认在从近紫外域到蓝色区的范围，即使激发光的波长发生变动，发光强度的变动也小。
图17示出有关按实施例7～11得到的荧光体的粒子的发光光谱（实线）及激发光谱（虚线）。此外，图18示出有关按实施例28～31得到的荧光体的粒子的发光光谱（实线）及激发光谱（虚线）。此外，图19示出有关按实施例32～35得到的荧光体的粒子的发光光谱（实线）及激发光谱（虚线）。
根据这些结果，按实施例7～11以及实施例28～31得到的荧光体的粒子中的发光光谱中的峰值波长在500nm附近，从这些荧光体的粒子发出的荧光的颜色为绿色。另外，这些荧光体的粒子中的激发光谱的波形从近紫外域到蓝色区比较平坦，因此，确认在从近紫外域到蓝色区的范围，即使激发光的波长发生变动，发光强度的变动也小。
另外，在按实施例28～31得到的荧光体的粒子的发光光谱中，在610nm附近的红色区的波长区，发现比较小的峰值。所以，通过采用实施例28～31的荧光体，能够期待发光装置的现色性的提高。
下表9示出按实施例7～11及实施例28～35得到的荧光体的发光光谱中的发光峰值波长下的发光强度。发光强度为将按实施例7得到的荧光体的发光强度的值作为100而标准化的值（相对发光强度）。
此外，表9中还一并示出有关按实施例28～35得到的荧光体的、红色区的最大峰值的强度相对于发光光谱中的绿色区的最大峰值的强度的比。
表9
Figure BDA00002892901600251
符号说明
1－发光装置
70－波长转换部件

Claims (16)

1.一种荧光体，其具有用以下通式（A）表示的化学结构，
A（M1-a-xEuaMnx）L（Si1-bGeb）2O7     （A）
A为选自Li、Na及K中的一种以上的元素，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的一种以上的元素，L为选自Ga、Al、Sc、Y、La、Gd及Lu中的一种以上的元素，a为满足0.001≤a≤0.3的数，b为满足0≤b≤0.5的数，x为满足0≤x≤0.2的数。
2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述通式（A）中的x满足x＝0。
3.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述通式（A）中的x满足0＜x≤0.2。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体，其中，所述通式（A）中的A含有Li。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的荧光体，其中，所述通式（A）中的A含有Na。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的荧光体，其中，所述通式（A）中的A至少包含二种元素。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的荧光体，其中，所述通式（A）中的M含有Ba。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的荧光体，其中，所述通式（A）中的M至少包含二种元素。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的荧光体，其中，所述通式（A）中的L含有Sc。
10.根据权利要求9所述的荧光体，其中，所述通式（A）中的L进一步含有Y。
11.根据权利要求1、2或4所述的荧光体，其中，所述荧光体具有用下述通式（2）表示的组成，
A1 1-yA2 yBa1-aEuaScSi2O7    （2）
A1及A2为选自Li、Na及K中的元素，A1和A2相互不同，y为满足0＜y＜1的数，a为满足0.00l≤a≤0.3的数。
12.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，所述荧光体具有用下述通式（3）表示的组成，
NaBa1-aEuaScSi2O7     （3）
a为满足0.00l≤a≤0.3的数。
13.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，所述荧光体具有用下述通式（4）表示的组成，
NaBa1-aEuaSc1-zYzSi2O7     （4）
z为满足0＜z＜1的数，a为满足0.00l≤a≤0.3的数。
14.根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，所述荧光体具有用下述通式（5）表示的组成，
NaM1 pM2 qEuaScSi2O7    （5）
M1及M2为选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的元素，M1和M2相互不同，a为满足0.00l≤a≤0.3的数，p为满足0＜p＜1的数，q为满足0＜q＜1的数，p、q及a满足p+q+a＝1。
15.根据权利要求3所述的荧光体，其中，所述荧光体具有用下述通式（6）表示的组成，
A（M3 1-a-xEuaMnx）L（Si1-bGeb）2O7     （6）
A为选自Li、Na及K中的一种以上的元素，M为选自Mg、Ca、Sr、Ba及Zn中的一种以上的元素，L为选自Ga、Al、Sc、Y、La、Gd及Lu中的一种以上的元素，a为满足0.00l≤a≤0.3的数，b为满足0≤b≤0.5的数，x为满足0.01≤x≤0.2的数。
16.一种发光装置，其具备发出主发光峰值在350nm～470nm的范围的光的发光元件、和通过吸收从所述发光元件发出的光而发光的波长转换部件，所述波长转换部件具备权利要求1～15中任一项所述的荧光体。
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