CN103474577A - 有机器件结构及其制造方法 - Google Patents

有机器件结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103474577A
CN103474577A CN201310317603XA CN201310317603A CN103474577A CN 103474577 A CN103474577 A CN 103474577A CN 201310317603X A CN201310317603X A CN 201310317603XA CN 201310317603 A CN201310317603 A CN 201310317603A CN 103474577 A CN103474577 A CN 103474577A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
organic layer
organic
light
band
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310317603XA
Other languages
English (en)
Inventor
M－H·M·陆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Universal Display Corp
Original Assignee
Universal Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Universal Display Corp filed Critical Universal Display Corp
Publication of CN103474577A publication Critical patent/CN103474577A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Abstract

提供了一种可具有混合有机层的有机发光器件。提供了一种制造该有机发光器件的方法。对第一有机材料进行溶液沉积，从而在第一电极之上形成图案化的有机层。用非溶液处理的方法将第二有机材料沉积在第一有机层之上并与第一有机层进行物理接触，从而形成第二有机层。第二有机层在第一有机层之上形成一个覆盖层。然后将第二电极沉积在第二有机层之上。

Description

有机器件结构及其制造方法
本申请是申请日为2003年11月12日、申请号为200380103287.0、发明名称为“有机器件结构及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。
本申请与同时申请的下述专利申请相关：No.10/295,802，代理案件编号10052/3301，和No.10/295,808，代理案件编号10052/3501，所述各专利申请的全部内容引入本文作为参考。
发明领域
本发明涉及有机发光器件(OLED)，更具体地说涉及具有混合的有机层的有机器件，以及该器件的制造方法。
背景技术
出于许多原因，使用有机材料的光-电器件越来越合乎人们的需要。用于制造该器件的许多材料都比较便宜，因此有机光-电器件比无机器件更具有潜在的价格优势。此外，有机材料的内在性质，例如柔性，可使其非常适用于某些特殊应用，例如在柔性基底上进行制造的应用中。有机光-电器件的例子包括有机发光器件(OLED)、有机光敏晶体管、有机光电池和有机光检测器。对于OLED而言，有机材料可能比常规材料具有性能优越性。例如，通常可借助适当的掺杂剂容易地调整有机发射层的发光波长。
本文中所用的术语“有机”包括可用于制造有机光-电器件的聚合材料和小分子有机材料。“小分子”指非聚合物的任何有机材料，而且“小分子”实际上也可能非常大。某些情况下小分子可包括重复单元。例如，使用长链烷基作为取代基的分子也不排除在“小分子”类之外。小分子还可结合在聚合物中，例如作为聚合物主链上的连接基团，或作为主链的一部分。小分子还可作为枝状体(dendrimer)的核心部分，其由一系列构架在核心上的化学外壳组成。枝状体的核心部分可为小分子的荧光或磷光发射体。枝状体可为“小分子”，而且人们认为目前用于OLED领域的所有枝状体均为小分子。
OLED使用有机薄膜，向器件施加电压时该有机薄膜能发光。在诸如平板显示器、照明和逆光应用中，OLED技术越来越引起人们的兴趣。美国专利No.5,844,363、No.6,303,238和No.5,707,745中公开了若干种OLED材料和构造，其全部内容引入本文作为参考。
OLED器件通常(但不总是)是要透过至少一个电极发光，因此可将一个或多个透明电极用于有机光-电器件中。例如，可将诸如铟锡氧化物(ITO)的透明电极材料用作底电极。还可使用，例如美国专利No.5,703,436和No.5,707,745中公开的透明顶电极，该专利的全部内容引入本文作为参考。对于只意图透过底电极进行发光的器件，顶电极不需要为透明的，其可由具有高电导率的厚反射金属层组成。类似地，对于只意图透过顶电极进行发光的器件，底电极可为不透明和/或反射性的。当电极不需要为透明时，使用较厚的层可提供更好的导电性，使用反射性电极，由于其将光反射向透明电极，因此可提高透过另一个电极的发射光。还可制造完全透明的器件，此时两个电极都为透明的。还可制造侧面发光的OLED，这种器件中，一个或两个电极可为不透明或反射性的。
本文中所用的“顶”指离基底最远，而“底”指离基底最近。例如，对于具有两个电极的器件，底电极为最接近基底的电极；其通常是制造出来的第一个电极。底电极具有两个表面，底表面与基底最接近，顶表面远离基底。若将第一层描述为“放置在第二层之上”，则第一层远离基底放置。除非特殊指出第一层与第二层为“物理接触”，否则在第一和第二层之间还可有其它层。例如，阴极可被描述为“放置在阳极之上”，即使在二者之间还有各种有机层。
OLED的一个主要目的是实现图案化的、全色的平板显示器，其中红、绿和蓝色像素被沉积而形成图案。由于使用汽相沉积体系将掩模用于大面积基底，例如直径大于0.5米的基底上有困难，因此人们认为使用可溶液处理的材料进行喷墨印刷，从而对显示器进行图案化可带来显著的优越性。人们认为喷墨印刷技术特别适于对用在OLED(其中该OLED具有聚合物-基发射层)中的可溶液处理的聚合物进行图案化。但是，要选择适当的用于此聚合物-基体系中的材料，通常要受到下列实际情况的限制：必须对用作载体介质的溶液进行选择，以避免其下面的层被溶解。通常选择使用PEDOT:PSS层，用以提供空穴注入和空穴传输功能。PEDOT:PSS可溶于水，但不溶于用来处理聚合物基发射层的某种有机溶剂。结果，可将溶液处理法用于将聚合物基的层沉积在PEDOT:PSS上，而不使PEDOT:PSS溶解。
高效OLED，特别是高效电致磷光OLED通常需要具有若干个层，每个层从事独立的功能。这表明非常希望可以从许多种材料中自由选择材料用作各个层。例如，对于高效电致磷光OLED，通常希望阳极层和发射层之间具有两个空穴传输层。第一空穴传输层直接与阳极层接触，主要发挥其平整特性以及其更有利的空穴注射特性。该层可被称作空穴注射层(HIL)。第二空穴传输层(HTL)可与发射层直接接触，其通常选择为具有高空穴传导率。该层还可具有附加功能：至少部分阻挡电子和/或激子。
人们希望具有一种这样的器件：其中通过使可溶液处理的材料形成图案而沉积出图案化的发射层，将该图案化的发射层与用其它方法沉积出的发射层结合使用，这样图案化发射层的材料就可从宽范围的材料中进行选择，而不受其溶解性限制，而用其它方法沉积的发射层还可包括不适合用溶液处理法进行沉积的材料。这样就获得了一种能够发射宽谱带的光的器件。
发明概述
提供了一种可具有混合的有机层的有机发光器件。提供了一种制造该有机发光器件的方法。对第一有机材料进行溶液沉积，从而在第一电极之上形成图案化的有机层。用非溶液处理的方法将第二有机材料沉积在第一有机层之上并与第一有机层进行物理接触，从而形成第二有机层。第二有机层在第一有机层之上形成一个覆盖层。然后将第二电极沉积在第二有机层之上。
特别地，本发明的实施方案在于：在全色有机发光显示器中沉积第一有机层，该层包括可溶液处理的发射材料，之后用不同于溶液处理法的方法在第一有机层之上沉积第二有机层。
更具体地说，本发明的实施方案在于：在全色有机发光器件中结合使用溶液处理法和其它沉积技术。
本发明实施方案的目的是提供一种使用寿命得到改善的有机发光器件的制造方法。这种改善的使用寿命对电致磷光器件来说可能是独一无二的，因为电致磷光器件中改进的效能可在效能和使用寿命之间实现一个实际有利的权衡，该有利性要单独归功于磷光材料的非常高的效能。
附图简述
图1显示了具有分离的电子传输层、空穴传输层和发射层以及其它层的有机发光器件。
图2显示了不具有分离的电子传输层的反相(inverted)有机发光器件。
图3显示了具有溶液-沉积的第一有机层，且该第一层与第二有机层为物理接触的有机发光器件。
发明详述
通常，OLED包括至少一个放置在阳极和阴极之间且与阳极和阴极进行电连接的有机层。施加电流时，阳极将空穴注入到有机层中，阴极将电子注入到有机层中。注入的空穴和电子各自向相反电荷的电极迁移。当电子和空穴定位在同一个分子上时，则形成了“激子”，其为具有激发能量态的定域电子-空穴对。当激子通过光电发射机理衰减时则发光。一些情况下，激子可定域在激基缔合物或激基复合物上。也可能出现非发射性机理，例如热弛豫现象，但通常认为其是不希望的。
例如，美国专利No.4,769,292中所公开的，最初的OLED使用从单重态(“荧光”)发光的发射分子，该专利的全部内容引入本文作为参考。荧光的发射通常出现在小于10纳秒的期间内。
新近，具有从三重态(“磷光”)发光的发射材料的OLED已被证明。Baldo等人的“Highly Efficient Phosphorescent Emission fromOrganic Electroluminescent Devices”，Nature，vol.395，151-154，1998；(“Baldo-I”)和Baldo等人的“Very high-efficiency greenorganic light-emitting devices based onelectrophosphorescence”，Appl.Phys.Lett.，vol.75，No.3，4-6(1999)(“Baldo-II”)，其全部内容引入本文作为参考。磷光还可称作“禁阻”跃迁，因为该跃迁需要改变自旋状态，而量子力学表明这种跃迁是不利的。结果，磷光通常在超过至少10纳秒的期间内出现，而且通常大于100纳秒。如果磷光的天然发射寿命过长，三重态可能按照非发射机理衰变，进而不会发光。非常低的温度下，在含有杂原子和非共享电子对的分子里也常常能观察到有机磷光，2,2’-二吡啶就是这种分子。非发射衰变机理通常依赖于温度，因此在液氮温度下显示出磷光的材料可能在室温下不显示磷光。但是，如Baldo所论述的，可通过选择在室温下发磷光的磷光化合物来处理该问题。
通常，人们认为在OLED中按照约3:1的比例产生激子，即，约75％的三重态和25％的单重态。参见Adachi等人的“Nearly100％Internal Phosphorescent Efficiency In An Organic Light EmittingDevice”，J.Appl.Phys.，90，5048(2001)，其全部内容引入本文作为参考。许多情况下，单重态激子通过“系间窜跃”可容易地将能量转移至三重激发态，而三重态激子可能不容易将能量转移至单重激发态。结果，对于磷光OLED，100％的内量子效率在理论上是可能的。在荧光器件中，三重态激子的能量通常损失在将器件加热了的非辐射衰变过程中，结果使内量子效率要低得多。使用从三重激发态发光的磷光材料的OLED在例如，美国专利No.6,303,238中有所公开，其全部内容引入本文作为参考。
在产生磷光之前可能要从三重激发态跃迁至产生发射衰变的中间的非三重态。例如，与镧系元素配位的有机分子通常在定域在镧系金属上的激发态发出磷光。但是，这种材料并不会直接从三重激发态发出磷光，而是从以镧系金属离子为中心的原子激发态发光。铕的二酮化物络合物说明了一组这种类型的物质。
通过将有机分子非常接近地限制(优选通过键合)高原子序数的原子上可使从三重态发出的磷光相对于荧光有所增强。此现象称作重原子效应，其是通过已知的自旋轨道耦合机理产生的。从有机金属分子，例如三(2-苯基吡啶)铱(III)的激发的金属-配体电荷转移(MLCT)状态可观察到这种磷光性跃迁。
图1显示了有机发光器件100。该图并不必须按比例绘制。器件100可包括基底110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155和阴极160。阴极160为具有第一导电层162和第二导电层164的化合物阴极。器件100可通过依次沉积所述各层进行制造。
基底110可为能提供希望的结构性质的任何适当基底。基底110可为柔性或刚性。基底110可为透明、半透明或不透明的。塑料和玻璃为优选的刚性基底材料的例子。塑料和金属箔为优选的柔性基底材料的例子。为了有助于制造电路，基底110可为半导体材料。例如，基底110可为硅片，在其上面制造电路，其能控制随后沉积在基底上的OLED。也可使用其它基底。可对基底110的材料和厚度进行选择以获得希望的结构和光学性质。
阳极115可为任何导电性能足以将空穴传输至有机层的适当的阳极。阳极115的材料优选具有大于约4eV(“高功函材料”)的功函。优选的阳极材料包括导电金属氧化物，例如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AlZnO)和金属。阳极115(和基底110)可具有足够的透明度以生成一个底部发射器件。优选的透明基底和阳极组合为可商购获得的沉积在玻璃或塑料(基底)上的ITO(阳极)。柔性和透明基底-阳极的组合在美国专利No.5,844,363中有所公开，其全部内容引入本文作为参考。阳极115可为不透明和/或反射性的。对于一些顶部发射器件来说，反射性阳极115可能是优选的，其用来增加从器件顶部发射的光的量。可对阳极115的材料和厚度进行选择，以获得希望的导电性和光学性质。阳极115为透明时，对于特定的材料可能具有一个厚度范围，厚度足够大则提供希望的导电性，而厚度足够小则提供希望的透明度。也可使用其它阳极材料和结构。
空穴传输层125可包括能传输空穴的材料。空穴传输层130可为固有的(未掺杂的)或掺杂的。掺杂作用可用来提高导电性。α-NPD和TPD是固有空穴传输层的例子。p-掺杂的空穴传输层的一个例子是按照50:1的摩尔比掺杂了F4-TCNQ的m-MTDATA，参见Forrest等人在美国专利申请No.10/173,682中所公开的内容，其全部内容引入本文作为参考。也可使用其它空穴传输层。
发射层135可包括在电流通过阳极115和阴极160之间时能发光的有机材料。虽然也可使用荧光发射材料，但优选发射层135含有磷光发射材料。优选使用磷光材料是因为这种材料具有更高的发光效能。发射层135还可包括能传输电子和/或空穴的主体(host)材料，并掺杂有能捕获电子、空穴和/或激子的发射材料，从而激子通过光电发射机理从发射材料中衰减。发射层135可包括结合了传输和发射性质的单一材料。无论发射材料是掺杂剂还是主要成分，发射层135都可包括其它材料，例如对发射材料的发射进行调协的掺杂剂。发射层135可包括多种发射材料，其结合起来能发射希望的光谱带的光。磷光发射材料的例子包括Ir(ppy)3。荧光发射材料的例子包括DCM和DMQA。主体材料的例子包括Alq3、CBP和mCP。发射和主体材料的例子公开在Thompson等人的美国专利No.6,303,238中，其全部内容引入本文作为参考。发射材料可按照许多种方式包括在发射层135中。例如，可将发射小分子结合在聚合物中。也可使用其它发射层材料和结构。
电子传输层140可包括能够传输电子的材料。电子传输层140可为固有的(未掺杂的)或掺杂的。掺杂作用可用来提高导电性。Alq3是固有电子传输层的例子。n-掺杂的电子传输层的例子是按照1:1的摩尔比掺杂了Li的BPhen，参见Forrest等人在美国专利申请No.10/173,682中所公开的内容，其全部内容引入本文作为参考。还可使用其它电子传输层。
可对电子传输层的电荷携载(charge carrying)组分进行选择，从而使电子能够有效地从阴极注入到电子传输层的LUMO(最低空分子轨道)能级中。“电荷携载组分”的材料形成了实际上传输电子的LUMO。该组分可为基底材料，或为掺杂剂。有机材料的LUMO能级的特征通常在于该材料的电子亲和势，而阴极的相对电子注入效能通常以阴极材料的功函为特征。这说明电子传输层和相邻阴极的优选性质可用ETL的电荷携载组分的电子亲和势以及阴极材料的功函进行表示。尤其，为了获得高电子注入效能，阴极材料的功函与电子传输层中电荷携载组分的电子亲和势相比，优选不高出约0.75eV，更优选不高出约0.5eV。最优选，电子传输层中电荷携载组分的电子亲和势大于阴极材料的功函。同样的观点可用于被注入了电子的任何层。
阴极160可为本领域已知的任何适当材料或材料的组合，以使阴极160能够传导电子并将它们注入到器件100的有机层中。阴极160可为透明或不透明的，而且可为反射性的。金属和金属氧化物为适当的阴极材料的例子。阴极160可为单层，或者可具有化合物结构。图1显示了具有薄金属层162和较厚导电金属氧化物层164的化合物阴极160。在化合物阴极中，较厚层164的优选材料包括ITO、IZO和其它本领域已知的材料。美国专利No.5,703,436和No.5,707,745(其全部内容引入本文作为参考)公开了包括化合物阴极的阴极的例子，该化合物阴极具有例如Mg:Ag的金属薄层，其上覆盖了透明、导电、溅射沉积的ITO层。对于阴极160中与下面的有机层接触的部分，无论其是否为单层阴极160，化合物阴极的薄金属层162或一些其它部分均优选由功函低于约4eV(“低功函材料”)的材料制成。还可使用其它阴极材料及结构。
阻挡层可用于减少电荷载体(电子或空穴)和/或离开发射层的激子的数量。电子阻挡层130可沉积在发射层135和空穴传输层125之间，用以阻挡电子沿空穴传输层125的方向离开发射层135。同样，空穴阻挡层140可放置在发射层135和电子传输层145之间，用以阻挡空穴沿电子传输层140的方向离开发射层135。阻挡层还可用于阻挡激子散射出发射层。阻挡层理论及阻挡层的使用在Forrest等人的美国专利No.6,097,147和美国专利申请No.10/173,682中进行了详细描述，其全部内容引入本文作为参考。
通常，注入层由下述材料构成：可使电荷载体由一个层，例如电极或有机层到相邻有机层的注入得到改善的材料。注入层还可进行电荷传输功能。在器件100中，空穴注入层120可为改善空穴由阳极115到空穴传输层125的注入的任何层。CuPc是可用作来自ITO阳极115和其它阳极的空穴注入层的材料实例。在器件100中，电子注入层150可为使对电子传输层145的电子注入得到改善的任何层。LiF/Al是可用作电子注入层的材料的例子，该电子注入层是从相邻层注入到电子传输层中的层。其它材料或材料的组合也可用作注入层。取决于特定器件的构造，注入层放置的位置可不同于器件100中所示的位置。Lu等人在系列号为No.09/931,948的美国专利申请中提供了更多注入层的例子，其全部内容引入本文作为参考。空穴注入层可包括溶液沉积材料，例如旋涂聚合物，如，PEDOT:PSS，或者其可为汽相沉积的小分子材料，例如，CuPc或MTDATA。
空穴注入层(HIL)可使阳极表面平整化或湿润化，从而提供从阳极到空穴注入材料的有效的空穴注入。空穴注入层还可具有电荷携载组分，该电荷携载组分具有有利于与HIL的一个面上的相邻阳极层以及HIL的相反面上的空穴传输层相匹配的HOMO(最高空分子轨道)能级，如本文描述相对电离电势(IP)能时所作的定义。“电荷携载组分”的材料形成了实际上传输空穴的HOMO。该组分可为HIL的基底材料，或为掺杂剂。使用掺杂的HIL可对掺杂剂的电学性质进行选择，并可对主体的形态性质进行选择，例如选择润湿性、柔软性、刚性等。HIL材料的优选性质为，能使空穴有效地从阳极注入到HIL材料中。尤其，HIL的电荷携载组分优选为其IP与阳极材料的IP相比不高出约0.7eV。更优选，电荷携载组分的IP与阳极材料相比不高出约0.5eV。同样的观点可用于被注入了空穴的任何层中。HIL材料与通常用在OLED的空穴传输层中的传统空穴传输材料的进一步区别在于：该HIL材料可以具有基本上小于传统空穴传输材料的空穴传导性的空穴传导性。本发明的HIL厚度可足够厚，以帮助平整或润湿阳极层表面。例如，对于非常平滑的阳极表面小至10nm的HIL厚度也可接受。但是，由于阳极表面趋向于非常粗糙，因此在一些情况下希望HIL的厚度高达50nm。
保护层可用于在随后的制造过程中保护下面的层。例如，用于制造金属或金属氧化物顶电极的过程可能损坏有机层，而保护层可用于减小或消除这种损坏。在器件100中，保护层155可在制造阴极160的过程中减小对下面有机层的损坏。优选，对于可传输(器件100中的电子)的载体类型，保护层具有高载体迁移率，从而其不会显著增大器件100的操作电压。CuPc、BCP和各种金属酞菁是可用在保护层中的材料的例子。还可使用其它材料或材料的组合。保护层155的厚度优选足够厚，从而在沉积有机保护层160后的制造过程中对下面的层产生的损坏很小或没有，但也不能太厚以免显著增大器件100的操作电压。可对保护层155进行掺杂以提高导电性。例如，CuPc或BCP保护层160可掺杂Li。在Lu等人的系列号为No.09/931,948的美国专利申请中可找到对保护层的更详细描述，其全部内容引入本文作为参考。
图2显示了反相OLED200。该器件包括基底210、阴极215、发射层220、空穴传输层225和阳极230。器件200可通过按所述顺序沉积各层来制造。由于最常见的OLED构造是阴极放置在阳极之上，而器件200却是阴极215放置在阳极230之下，因此器件200可称作“反相”OLED。与所述器件100相类似的材料可用在器件200的相应层中。图2提供了一个怎样从器件100中删除一些层的例子。
通过非限制性实施例提供了图1和2中所示的简单的层状结构，而且应理解为本发明的实施方案可与各种其它结构结合使用。所述的具体材料和结构为示范性质，还可使用其它材料和结构。根据设计、效能和成本因素，可将以不同方式描述的各种层结合起来而获得功能性OLED，或者完全删除所述层。还可包括其它未具体说明的层。可使用与具体说明的那些材料不同的其它材料。虽然本文中提供的许多实施例都将各层描述为包括单一材料，但应该理解为可以使用组合材料，例如主体和掺杂剂的混合物，或更广泛的混合物。而且，所述层可具有各种亚层。本文中对不同层的命名并非意图进行严格限制。例如，在器件200中，空穴传输层225将空穴传输和注入到发射层220中，因此可被描述为空穴传输层或空穴注入层。一个实施方案中，OLED可被描述为具有放置在阴极和阳极之间的“有机层”。该有机层可包括一个单层，或还可进一步包括为所述不同有机材料的多个层，例如，参考图1和2。
还可使用未具体描述的结构和材料，例如Friend等人在美国专利No.5,247,190中公开的包括聚合材料的OLED(PLED)，该文献的全部内容引入本文作为参考。根据其它实施例，还可使用具有单一有机层的OLED。OLED可为叠层结构，例如Forrest等人在美国专利No.5,707,745中所作的描述，其全部内容引入本文作为参考。OLED结构可脱离图1和2中所示的简单的层状结构。例如，基底可包括有角度的反射性表面，用以改善输出-耦合，例如Forrest等人在美国专利No.6,091,195中描述的台式结构，和/或Bulovic等人在美国专利No.5,834,893中描述的纹孔结构，其全部内容引入本文作为参考。
除非另外说明，各个实施方案的任何层都可用任何适当的方法进行沉积。对于有机层，优选的方法包括热蒸发、喷墨，如美国专利No.6,013,982和No.6,087,196中的描述，其全部内容引入本文作为参考，有机汽相沉积法(OVPD)，如Forrest等人在美国专利No.6,337,102中的描述，其全部内容引入本文作为参考，以及通过有机汽相喷印(OVJP)进行沉积，如美国专利申请No.10/233,470中的描述，其全部内容引入本文作为参考。其它适当的沉积方法包括旋涂和其它溶液基处理方法。溶液基的处理方法优选在氮气或惰性气氛下进行。对于其它层，优选的方法包括热蒸发。优选的图案化方法包括通过掩模进行沉积的冷焊法，如美国专利No.6,294,398和No.6,468,819中所作的描述，其全部内容引入本文作为参考，以及与一些沉积方法，如喷墨和OVJD相联合的图案化方法。还可使用其它方法。可对欲沉积的材料进行变型，以使其与特定的沉积方法相适合。例如，诸如支链或直链，并优选含有至少3个碳原子的烷基和芳基取代基可用在小分子中，以提高其经受溶液处理的能力。可使用具有20或更多个碳原子的取代基，并优选为3-20个碳原子。具有不对称结构的材料与具有对称结构的材料相比具有更好的溶液处理性，因为不对称材料可能具有更小的重结晶趋势。枝状体取代基可用于提高小分子经受溶液处理的能力。
根据本发明实施方案制造的器件可结合在各种消费产品中，包括平板显示器、计算机监测器、电视、广告牌、室内或室外照明的灯和/或信号灯、警告牌、全透明显示器、柔性显示器、激光打印机、电话、手机、个人数字助理装置(PDA)、膝上型计算机、数码摄像机、可携式摄像机、探视器、微显示器、车辆、大面积屏壁、电影院或体育场屏幕或标记。可使用各种调节机制来控制根据本发明制造的器件，包括无源矩阵和有源矩阵。许多器件意图用于适合人的温度范围内，例如18℃-30℃，更优选在室温(20-25℃)下。
本文中描述的材料和结构可应用在非OLED器件中。例如，其它光电器件，如有机太阳能电池和有机光检测器中可以使用该材料和结构。更通常，有机器件，如有机晶体管中可以使用该材料和结构。
图3显示了本发明的一个实施方案，其中图案化的发射层被溶液沉积在空穴传输层之上，并与其进行物理接触。在基底310之上制造器件300。基底310之上涂覆有阳极320。基底和阳极层可选自于任何适当的材料。然后将空穴传输层330和未掺杂的发射主体材料层340按上述顺序沉积在阳极320之上。
然后用溶液处理法将还包括发射区域351和352的图案化发射层沉积在层340之上，并与其进行物理接触。然后用非溶液处理的方法沉积另外的发射层360，从而在包括发射区域351和352的图案化发射层之上形成一个覆盖层，并与其进行物理接触。发射层360包括放置在阴极383下面的有源区域353，操作该器件时，其就是层360的发光区域。任何适当的材料都可用于发射层360。例如，发射层360可通过诸如热汽相沉积的方法进行沉积。通过分别沉积包括红、绿和蓝色发射材料的区域351、352和360可制造全色显示器。
通过溶液沉积一些发射区域，如区域351和352，之后用其它技术覆盖沉积另一个发射层，如层360，可获得许多由溶液处理和第二种技术所带来的优越性。例如，喷墨印刷可用于沉积区域351和352，从而以相对廉价的技术获得良好的用以形成图案的溶解。然后可通过非-溶液基技术，例如热汽相沉积或有机汽相沉积法覆盖沉积层360。从而可使层360避免任何由溶液基技术带来的不利性。但是，可保留与一些溶液基方法相关的廉价图案化过程。通过选择材料从而使层360只在不存在区域351和352的地方发光，则可对层360有效进行图案化，即使该层是被覆盖沉积也可以。因此，不使用遮光板或其它与非-溶液基方法相关的图案化技术就可以沉积层360。
在许多器件中，有利的是对至少一种发射材料进行汽相处理。尤其，人们认为由于蓝光发射材料的宽带隙和/或磷光材料中激子的长寿命，因此导致磷光发射材料、蓝光发射材料，且尤其是发蓝光的磷光材料对由溶液处理所引入的杂质特别敏感。在一个实施方案中，通过非-溶液基的方法可将发射红和绿光的磷光材料沉积进入图案化区域内，之后再通过非-溶液基的方法覆盖沉积蓝色磷光材料。在另一个实施方案中，通过溶液处理可将发射红和绿光的荧光材料沉积进入图案化区域内，之后再通过非-溶液基的方法覆盖沉积蓝色荧光材料。在另一个实施方案中，可通过溶液基处理方法沉积荧光发射材料，之后通过非-溶液基的方法覆盖沉积磷光材料。通过使用非溶液处理法沉积发射层360，可使层360避免由溶液处理法带来的不利性。还可使用未具体说明的其它实施方案。
然后将电子传输层370沉积在发射层360之上，并将阴极381、382和383沉积在电子传输层370之上。可将任何适当的材料和沉积技术应用于基底310、阳极320、空穴传输层330、电子传输层370和阴极380中。在一个实施方案中，除区域351和352之外的所有有机层均通过非-溶液基的方法，例如汽相沉积法进行沉积。在另一个实施方案中，可用溶液沉积多个层。
在图3的实施方案中，可能希望选择一种主体材料用于层340和351、352和360，这些层的空穴迁移率显著高于电子迁移率。这种材料中，在层340顶部和区域351、352和360附近会发生大部分的重新组合和激子形成，在此处发射掺杂剂非常可能发生浓缩。此外，还可能希望使用捕获电荷载体和/或激子的发射掺杂剂，从而使载体和激子不会逃逸进入其它层中，或进入未含有足够发射掺杂剂的层340和区域351、352和360的部分中。
图3的实施方案中描述的方法并不限于图3所讨论的具体层。例如，还可包括未具体描述的层，所描述的层也可被删除，而且可以改变各层的顺序。
在单一器件中可多次使用本文中描述的溶液处理方法，且其可以结合使用。例如，可制造空穴注入层和空穴传输层，之后溶液沉积图案化的发射层，随后再热汽相沉积其它的发射层，如参考图3所作的描述。
本文中所用的“可溶液处理的”意指能够以溶液或悬浮体形式被溶解、分散或传输到液体介质中，和/或从液体介质中沉积出来。
应该理解，本文中描述的各种实施方案只是用作示例，其并不意图限制发明范围。例如，本文中描述的许多材料和结构均可在不偏离本发明范围的情况下被其它材料和结构替代。应该理解，关于本发明为什么有效的各种理论并不意图有限制性。例如，关于电荷传输的理论并不意图有限制性。
材料定义：
本文中所用的缩写指下列材料：
CBP：4,4’-N,N-二咔唑-联苯
m-MTDATA：4,4’,4’’-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺
Alq3：三(8-羟基喹啉)铝
Bphen：4,7-二苯基-1,10-菲咯啉
n-BPhen：n-掺杂BPhen(掺杂了锂)
F4-TCNQ：四氟-四氰基-醌二甲烷(quinodimethane)
p-MTDATA：p-掺杂的m-MTDATA(掺杂了F4-TCNQ)
Ir(ppy)3：三(2-苯基吡啶)铱
Ir(ppz)3：三(1-苯基吡唑(pyrazoloto),N,C(2’))铱(III)
BCP：2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉
TAZ：3-苯基-4-(1’-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑
CuPc：铜酞菁
ITO：铟锡氧化物
NPD：萘基-苯基-二胺
TPD：N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺
BAlq：双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚铝(III)
mCP：1,3-N,N-二咔唑-苯
DCM：4-(二氰基亚乙基)-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基-2-甲基)-4H-吡喃
DMQA：N,N’-二甲基喹吖酮
PEDOT:PSS：聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)和聚苯乙烯磺酸酯(PSS)的水分散体
虽然本发明就特别的实施例和优选实施方案进行了描述，但应该理解，本发明并不限于这些实施例和实施方案。因此，所要求的本发明包括对本领域熟练技术人员来说显而易见的、本文中所述的特定实施例和优选实施方案的变型。

Claims (21)

1.一种有机发光器件，其包括：
底电极；
放置在底电极之上的图案化的第一有机层，该层包括能发射第一光谱带光的第一区域；
放置在第一有机层之上并与第一有机层进行物理接触的第二有机层，第二有机层被放置在底电极之上，第二有机层能够发射第二光谱带的光；和
放置在第二有机层之上的顶电极。
2.权利要求1的器件，其中图案化的第一有机层进一步包括第二区域，其中该第二区域能够发射第三光谱带的光。
3.权利要求2的器件，其中所述第一、第二和第三光谱带的光各自不同。
4.权利要求2的器件，其中第一光谱带的光为红光。
5.权利要求2的器件，其中第二光谱带的光为蓝光。
6.权利要求2的器件，其中第三光谱带的光为绿光。
7.权利要求1的器件，其中第一有机层通过溶液处理法进行沉积。
8.权利要求7的器件，其中溶液处理法通过喷墨法进行。
9.权利要求1的器件，其中第二有机层通过热汽相沉积作用进行沉积。
10.权利要求1的器件，其中顶电极包括铟锡氧化物。
11.权利要求1的器件，其中顶和底电极与有机层进行电连接。
12.权利要求1的器件，其中第一有机层为空穴传输层，并且第二有机层为发射层。
13.权利要求1的器件，其中第二有机层为发射层，其包括纯净的发射材料的层。
14.权利要求1的器件，进一步包括放置在底电极和第一有机层之间的第三有机层。
15.权利要求14的器件，其中第三有机层为空穴传输层，并且第一有机层为发射层。
16.权利要求14的器件，其中第三有机层为空穴注射层，并且第一有机层为发射层。
17.权利要求14的器件，其中第三有机层为电子阻挡层，并且第一有机层为发射层。
18.权利要求14的器件，进一步包括放置在底电极和第三有机层之间的第四有机层。
19.权利要求18的器件，其中第四有机层为空穴传输层，并且第三有机层为电子阻挡层。
20.一种制造有机发光器件的方法，包括：
在基底之上沉积底电极；
在底电极之上沉积图案化的第一有机层，第一区域能够发射第一光谱带的光；
在第一有机层之上沉积第二有机层，并与第一有机层进行物理接触，该第二有机层放置在底电极之上，该第二有机层能够发射第二光谱带的光；和
在第二有机层之上沉积顶电极。
21.一种制造有机发光器件的方法，包括：
在基底之上沉积底电极；
在底电极之上沉积图案化的第一有机层，其中第一区域包括两个区域，第一个区域能够发射第一光谱带的光，第二个区域能够发射第三光谱带的光；
在第一有机层和底电极之上沉积第二有机层，该第二有机层能够发射第二光谱带的光；和
在第二有机层之上沉积顶电极。
CN201310317603XA 2002-11-15 2003-11-12 有机器件结构及其制造方法 Pending CN103474577A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/295,322 2002-11-15
US10/295,322 US6891326B2 (en) 2002-11-15 2002-11-15 Structure and method of fabricating organic devices

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2003801032870A Division CN1711653A (zh) 2002-11-15 2003-11-12 有机器件结构及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103474577A true CN103474577A (zh) 2013-12-25

Family

ID=32297166

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310317603XA Pending CN103474577A (zh) 2002-11-15 2003-11-12 有机器件结构及其制造方法
CNA2003801032870A Pending CN1711653A (zh) 2002-11-15 2003-11-12 有机器件结构及其制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2003801032870A Pending CN1711653A (zh) 2002-11-15 2003-11-12 有机器件结构及其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6891326B2 (zh)
EP (1) EP1561250A2 (zh)
JP (1) JP4896402B2 (zh)
KR (1) KR101166924B1 (zh)
CN (2) CN103474577A (zh)
AU (1) AU2003299558A1 (zh)
WO (1) WO2004047196A2 (zh)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7098060B2 (en) * 2002-09-06 2006-08-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods for producing full-color organic electroluminescent devices
US6982179B2 (en) * 2002-11-15 2006-01-03 University Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
US20040096570A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Michael Weaver Structure and method of fabricating organic devices
DE10261609B4 (de) * 2002-12-20 2007-05-03 Novaled Ag Lichtemittierende Anordnung
CN1574214A (zh) * 2003-06-03 2005-02-02 国际商业机器公司 用于制造电子器件的基于熔化的图案化工艺
DE10333232A1 (de) * 2003-07-21 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Organisches Elektrolumineszenzelement
DE10339772B4 (de) * 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
KR100543003B1 (ko) 2003-09-15 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7179543B2 (en) * 2003-10-06 2007-02-20 The Trustees Of Princeton University Doping of organic opto-electronic devices to extend reliability
US20050100657A1 (en) * 2003-11-10 2005-05-12 Macpherson Charles D. Organic material with a region including a guest material and organic electronic devices incorporating the same
US20060284556A1 (en) * 2003-11-12 2006-12-21 Tremel James D Electronic devices and a method for encapsulating electronic devices
US20060283546A1 (en) * 2003-11-12 2006-12-21 Tremel James D Method for encapsulating electronic devices and a sealing assembly for the electronic devices
US20050238803A1 (en) * 2003-11-12 2005-10-27 Tremel James D Method for adhering getter material to a surface for use in electronic devices
KR20050050487A (ko) * 2003-11-25 2005-05-31 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기 전계 발광 소자
KR100659530B1 (ko) * 2003-11-26 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계발광소자
KR100608403B1 (ko) * 2004-03-24 2006-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
US7722947B2 (en) * 2004-06-02 2010-05-25 Thomson Licensing Organic light-emitting diode comprising a doped organic layer
KR100669757B1 (ko) 2004-11-12 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US7268006B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a guest material within a layer and a process for forming the same
US20060220529A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Ivan Pawlenko Large scale transportable illuminated display
ATE502395T1 (de) * 2005-07-14 2011-04-15 Koninkl Philips Electronics Nv Elektrolumineszente lichtquelle
US20070096640A1 (en) * 2005-08-19 2007-05-03 Gang Yu Methods for producing full color organic electroluminescent devices
JP2007080917A (ja) * 2005-09-12 2007-03-29 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ装置及びその製造方法、並びに有機装置及びその製造方法
US7514861B2 (en) * 2005-11-24 2009-04-07 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Organic electro-luminescent device
US8173995B2 (en) 2005-12-23 2012-05-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device
JP4775118B2 (ja) * 2006-06-01 2011-09-21 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5061184B2 (ja) * 2006-06-05 2012-10-31 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機発光ダイオードの形成方法、およびその方法によって製造されたデバイス
JP2008027722A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
TWI378740B (en) * 2006-10-04 2012-12-01 Ritdisplay Corp Full-color organic light emitting diode display panel and method thereof
US20080166566A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-10 Shiva Prakash Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process
US20080286566A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Shiva Prakash Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process
KR100858824B1 (ko) * 2007-05-31 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
US8053770B2 (en) * 2008-10-14 2011-11-08 Universal Display Corporation Emissive layer patterning for OLED
US8476844B2 (en) * 2008-11-21 2013-07-02 B/E Aerospace, Inc. Light emitting diode (LED) lighting system providing precise color control
US8288187B2 (en) * 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
KR20110110589A (ko) * 2010-04-01 2011-10-07 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
CN102810638B (zh) * 2011-05-30 2016-04-13 海洋王照明科技股份有限公司 一种p型掺杂聚合物太阳能电池及其制备方法
CN102842593B (zh) * 2011-06-22 2016-02-10 海洋王照明科技股份有限公司 聚合物太阳能电池及其制备方法
JP6235475B2 (ja) * 2011-10-28 2017-11-22 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 構造化された陰極を備える透明ｏｌｅｄデバイス及びかかるｏｌｅｄデバイスの製造方法
FR2999018B1 (fr) 2012-11-30 2016-01-22 Commissariat Energie Atomique Ecran d'affichage a diodes electroluminescentes organiques
CN103715367B (zh) * 2013-12-24 2016-03-30 合肥京东方光电科技有限公司 有机发光二极管及电子设备
EP3002797B1 (en) * 2014-09-30 2020-04-29 Novaled GmbH A light emitting organic device and an active OLED display
KR102369676B1 (ko) 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1212114A (zh) * 1996-11-25 1999-03-24 精工爱普生株式会社 有机电致发光元件及其制造方法和有机电致发光显示装置
CN1228618A (zh) * 1998-03-10 1999-09-15 陈兴 全彩色有机发光二极管及其制造方法
JP2000036386A (ja) * 1998-07-16 2000-02-02 Alps Electric Co Ltd 白色発光エレクトロルミネッセンス素子
JP2000208254A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ表示装置
WO2002015645A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5424560A (en) * 1994-05-31 1995-06-13 Motorola, Inc. Integrated multicolor organic led array
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5693428A (en) * 1995-02-06 1997-12-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JP4477150B2 (ja) * 1996-01-17 2010-06-09 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機薄膜ｅｌ素子
JP3508805B2 (ja) * 1996-06-06 2004-03-22 出光興産株式会社 多色発光装置およびその製造方法
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP3287344B2 (ja) * 1998-10-09 2002-06-04 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
WO2001074121A1 (fr) 2000-03-31 2001-10-04 Seiko Epson Corporation Dispositif electroluminescent organique et procede de fabrication
JP4712232B2 (ja) * 2000-07-17 2011-06-29 富士フイルム株式会社 発光素子及びアゾール化合物
JP2002175887A (ja) 2000-12-07 2002-06-21 Denso Corp 有機ｅｌ素子
EP1374320B1 (en) * 2001-03-14 2020-05-06 The Trustees Of Princeton University Materials and devices for blue phosphorescence based organic light emitting diodes
JP4599746B2 (ja) * 2001-04-04 2010-12-15 ソニー株式会社 多結晶性半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1212114A (zh) * 1996-11-25 1999-03-24 精工爱普生株式会社 有机电致发光元件及其制造方法和有机电致发光显示装置
CN1228618A (zh) * 1998-03-10 1999-09-15 陈兴 全彩色有机发光二极管及其制造方法
JP2000036386A (ja) * 1998-07-16 2000-02-02 Alps Electric Co Ltd 白色発光エレクトロルミネッセンス素子
JP2000208254A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ表示装置
WO2002015645A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006506791A (ja) 2006-02-23
EP1561250A2 (en) 2005-08-10
US20040095064A1 (en) 2004-05-20
AU2003299558A1 (en) 2004-06-15
KR20050074591A (ko) 2005-07-18
JP4896402B2 (ja) 2012-03-14
WO2004047196A3 (en) 2004-12-29
KR101166924B1 (ko) 2012-07-19
WO2004047196A2 (en) 2004-06-03
CN1711653A (zh) 2005-12-21
US6891326B2 (en) 2005-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102222782B (zh) 有机器件结构及其制造方法
CN103474577A (zh) 有机器件结构及其制造方法
CN101156257B (zh) 利用到三重态的直接注入的oled
JP5738690B2 (ja) 電気リン光に基づく高効率有機発光デバイス
EP2142559B1 (en) Organometallic compounds having host and dopant functionalities
CN101461075B (zh) 具有磷光体-敏化荧光发射层的有机发光器件
US20070103066A1 (en) Stacked OLEDs with a reflective conductive layer
US8330351B2 (en) Multiple dopant emissive layer OLEDs
US20040096570A1 (en) Structure and method of fabricating organic devices
US20060251921A1 (en) OLEDs utilizing direct injection to the triplet state
US7710017B2 (en) Organic light emitting device having a transparent microcavity

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20131225

RJ01 Rejection of invention patent application after publication