CN103777417B - 复合透明导体及其形成方法 - Google Patents

复合透明导体及其形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103777417B
CN103777417B CN201410024659.0A CN201410024659A CN103777417B CN 103777417 B CN103777417 B CN 103777417B CN 201410024659 A CN201410024659 A CN 201410024659A CN 103777417 B CN103777417 B CN 103777417B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transparent conductors
composite transparent
nano
transmitting medium
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410024659.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103777417A (zh
Inventor
大卫·琼斯
弗络瑞恩·普舍尼茨卡
希娜·关
迈克尔·A·斯贝德
杰弗瑞·沃克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
British Virgin Islands Shangtiancai Innovative Materials Technology Co ltd
Original Assignee
Cam Holding Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=39620244&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN103777417(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Cam Holding Corp filed Critical Cam Holding Corp
Publication of CN103777417A publication Critical patent/CN103777417A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103777417B publication Critical patent/CN103777417B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/413—Nanosized electrodes, e.g. nanowire electrodes comprising one or a plurality of nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • H05K3/247—Finish coating of conductors by using conductive pastes, inks or powders
    • H05K3/249—Finish coating of conductors by using conductive pastes, inks or powders comprising carbon particles as main constituent
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/097—Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108—Transparent
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0242—Shape of an individual particle
    • H05K2201/026—Nanotubes or nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

描述了复合透明导体，其包括基于金属纳米线或者金属纳米管的第一传导介质以及基于不同类型纳米结构或连续传导膜的第二传导介质。

Description

复合透明导体及其形成方法
技术领域
本公开涉及基于传导纳米结构的复合透明导体及其形成方法。
背景技术
透明导体指的是光学透明的薄传导膜。它们被广泛用作平板电色显示——例如液晶显示器、等离子显示器、触摸屏、电致发光器件以及薄膜太阳能电池——的透明电极，成为防静电层以及电磁波屏蔽层。
常规的透明导体包括真空沉积的金属氧化物，例如铟锡氧化物(ITO)。然而，由于它们需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，因此金属氧化物薄膜的造价高昂。金属氧化物膜也是脆弱的，即使在遇到例如弯曲的较小物理应力时也易于受到破坏。
传导聚合物也被用作光学透明导电体。不过，与金属氧化膜相比，它们一般具有较低的传导值和较高的光吸收(特别是在可见光波长)，并且缺乏化学和长期稳定性。
传导纳米结构由于其亚微米尺寸而能够形成光学透明传导薄膜。同时待审并且共有的第11/504,822、11/871,767以及11/871,721号美国专利申请描述了由例如金属纳米线的网状各向异性传导纳米结构形成的透明导体。与ITO薄膜类似，基于透明导体的纳米结构特别适于作为能够耦合到在例如平板显示器以及触摸屏的电色显示器中的薄膜晶体管的电极。此外，基于纳米结构的透明导体也适用于用作彩色滤光片和偏光器(如偏光片)等上的覆层。上述同时待审的申请也通过引用而全部并入本文。
需要提供低成本和高性能的基于纳米结构的透明导体，以满足对高性能显示系统的不断增长的需求。
发明内容
本文描述了复合透明导体及其应用。
一个实施例描述了一种复合透明导体，包括：含有多个金属纳米线或者多个金属纳米管的第一传导介质；以及耦合到第一传导介质的第二传导介质，第二传导介质包括第二类型的纳米结构或者连续传导膜。
另一个实施例描述了一种器件，包括复合透明导体，其含有：包括多个金属纳米线或多个纳米管的第一传导介质；和耦合到第一传导介质的第二传导介质，第二传导介质是连续传导膜。
进一步的实施例描述了一种液晶显示单元，包括：第一电极；和第二电极，其中第一电极和第二电极之间的垂直距离定义了单元间隙；其中第一电极是包括第一传导介质和第二传导介质的复合透明导体，并且其中，第一传导介质包括具有单元间隙级别的筛孔尺寸的金属纳米线或金属纳米管；并且其中，第二传导介质是连续传导膜或者具有单元间隙大约1/5至1/100筛孔尺寸的纳米结构的传导网络。
附图简要描述
在附图中，相同的标号表示相似的元件或动作。附图中元件的尺寸和相对位置未必按比例绘制。例如，各种元件的形状和角度并未按比例绘制，并且有些元件被任意地放大和放置以提高附图的易读性。此外，所绘制的元件的具体形状并非旨在传达关于该具体元件的实际形状的任何信息，选择其仅为了在图中易于辨别。
图1显示了处于上述电渗透水平的金属纳米线膜。
图2A显示了低于电渗透水平的金属纳米线膜。
图2B显示了一种复合透明导体，其包括低于电渗透水平并且与连续传导膜相结合的金属纳米线。
图2C显示了一种复合透明导体，其包括低于电渗透水平并且与第二类各向异性纳米结构形成的传导膜相结合的金属纳米线。
图3A显示了位于相邻金属纳米线之间的非均匀电场。
图3B显示了存在连续传导膜时的均匀电场。
图4A－4C显示了基于金属纳米线和碳纳米管的复合透明导体的实施例。
图5显示了一种复合透明导体，其具有尺寸上不同的两种类型的金属纳米线。
图6A－6B显示了基于金属纳米线和金属氧化膜的复合透明导体的实施例。
图6C示意性地显示了一对并联电阻。
图7A－7B显示了基于金属纳米线和传导聚合物膜的复合透明导体的实施例。
图8示意性地示出了位于两个透明电极之间的液晶材料；
图9显示了结合有复合透明导体的器件。
具体实施方式
一般来说，复合透明导体是由至少两种透明传导介质形成的传导膜。更具体地说，复合透明导体包括作为第一传导介质的各向异性金属纳米结构(如本文所述)，和耦合到第一传导介质的第二传导介质。第二传导介质通常是一种具有第二类型传导纳米结构的传导网络，或者是由传导聚合物或者金属氧化物形成的连续传导膜。
复合透明导体的电学和光学特性取决于例如几何形状、电导率、光学性质、传导介质组成成分的分布与负荷水平等多种因素。
在某些实施例中，复合透明导体是多个离散的传导膜的叠层结构。在另外的实施例中，复合透明导体是内聚结构，其中两种或多种类型的传导介质(如两种或多种类型的传导纳米结构)完全整合为一体。无论结构如何配置，复合透明导体所显示的性能均超过了传导介质组成部分的单纯相加效应，即使传导介质组成部分经过了慎重选择。
传导的纳米结构
在某些实施例中，复合透明导体包括至少两种类型的纳米结构，其中一种为各向异性金属纳米结构。在本文中，“纳米结构”或者“传导纳米结构”通常是指纳米尺寸的结构，其至少一个维度小于500nm，更优选小于250nm、100nm、50nm或者25nm。
纳米结构可以是任何形状或者几何结构。在某些实施例中，纳米结构是各向同性形成的(即长宽比＝1)。典型的各向同性纳米结构包括纳米颗粒。在优选的实施例中，纳米结构是各项异性形成的(即长宽比≠1)。在本文中，长宽比指的是纳米结构的长度和宽度(或者直径)之间的比例。各向异性的纳米结构通常沿其长度方向具有纵轴。如本文所定义的，示范性的各向异性纳米结构包括纳米线和纳米管。
纳米结构可以是实心的或者空心的。实心的纳米结构包括，例如纳米颗粒和纳米线。“纳米线”指的是实心的各向异性纳米结构，如本文所定义的。典型地，每个纳米线具有大于10，优选大于50，更优选大于100的长宽比(长度:直径)。典型地，纳米线的长度大于500nm，或者大于1μm，或者大于10μm。
空心的纳米结构包括，例如，纳米管。“纳米管”指的是空心的各向异性纳米结构，如本文所定义的。典型地，纳米管具有大于10，优选大于50，更优选大于100的长宽比(长度:直径)。典型地，纳米管的长度大于500nm，或者大于1μm，或者大于10μm。
纳米结构可以由任何传导材料形成。最典型地，传导材料是金属性的。金属性材料可以是金属单质(如过渡金属)或金属化合物(如金属氧化物)。金属性材料也可以是金属合金或者包括两种或者更多种金属的双金属材料。适当的金属包括但不限于银、金、铜、镍、镀金的银、铂和钯。传导材料也可以是非金属性的，例如碳或者石墨(碳的一种同素异形体)。
如上所述，各向异性的金属纳米结构在复合透明导体中用作第一传导介质。各向异性的金属纳米结构的优选类型包括金属纳米线。金属纳米线是由金属、合金、电镀金属或金属氧化物形成的纳米线。适当的金属纳米线包括但不限于银纳米线、金纳米线，铜纳米线、镍纳米线、镀金的银纳米线、铂纳米线和钯纳米线。同时待审并共有的第11/766,552、11/504,822、11/871,767以及11/871,721号美国专利申请描述了制备金属纳米线(如银纳米线)的方法以及基于金属纳米线的透明导体的形成和构图方法，其描述通过参考全部并入本文。
另一种应用到第一传导介质中的各向异性的金属纳米结构的优选类型包括金属纳米管。同时待审并共有的2008年2月26日提交的第61/031,643号美国专利申请描述了金属纳米管(如金纳米管)的制备方法以及基于金属纳米管的透明导体的形成和构图方法，其描述通过参考全部并入本文。
正如本文中将更详细描述的，各向异性的金属纳米结构，例如纳米线和纳米管能够与由不同类型的传导纳米结构所形成的第二传导介质相结合。第二传导介质可以是以下任何纳米结构，包括但是不限于，碳纳米管、与形成第一传导介质的金属纳米线(或纳米管)不同的金属纳米线(或纳米管)、传导纳米颗粒和类似物。
在一些特定的实施例中，形成第二传导介质的传导纳米结构是碳纳米管。碳纳米管也是各向异性的传导纳米结构。更具体地，“碳纳米管”指的是石墨片卷成的筒或管。每个石墨片包括sp2杂化的碳原子。碳纳米管可以采用单壁或多壁结构，或二者混合的形式。单壁碳纳米管(SWNT)由单个卷起的石墨片形成。多壁碳纳米管(MWNT)是两个或更多个同轴排列的彼此嵌套的SWNT。众所周知，SWNT和MWNT二者都显示出金属和传导特性。
碳纳米管通常是具有高长宽比的刚性结构。SWNT和MWNT的长度通常完全超过1μm并且直径范围为1nm左右(对于SWNT)到50nm左右(对于MWNT)。典型地，碳纳米管的长宽比范围是10－100,000左右。更典型地，长宽比范围是1,000－10,000左右。SWNT可从Sigma－Aldrich(St.Louis,MO)商用获取。
碳纳米管可选择地进行表面处理以防止聚合。例如，可在表面上结合亲水的功能基团以实现在水性介质中的较好分散。Peng H.等人的Sidewall Carboxylic AcidFunctionalization of Single-Walled Carbon Nanotubes(单壁碳纳米管的侧壁羧酸功能化)，J.Am.Chem.Soc.125,15174-15182,2003以及Liu J.等人的Fullerene Pipes(富勒烯管),Science,280,1253-1256,1998中描述了多种表面处理方法。
在进一步的实施例中，传导纳米结构是包括金属性纳米颗粒的传导纳米颗粒，例如银、金、铜和镍纳米颗粒，以及金属氧化物纳米颗粒，例如氧化铟锡和掺杂的氧化锌纳米颗粒。非金属传导纳米颗粒包括炭黑、石墨片和类似物。这些传导纳米颗粒在本领域是公知的。
传导纳米结构能够从一个纳米结构到另一个通过连续的物理接触以及电荷隧穿来实现电传导性。
第一传导介质
金属纳米线或者金属纳米管形成第一传导介质。适当的金属纳米线是由金属、合金、电镀金属或金属氧化物形成的纳米线。适当的金属纳米线包括但不限于银纳米线、金纳米线、铜纳米线、镍纳米线，镀金的银纳米线、铂纳米线和钯纳米线。适当的金属纳米管包括金纳米管以及在同时待审的第61/031,643号美国临时申请中所描述的纳米管。
在不同的实施例中，金属纳米线长约5－100μm并且直径(或截面)约5－100nm。在某些实施例中，金属纳米线长约5－30μm并且直径约20－80nm。在优选的实施例中，金属纳米线(如银纳米线)长约20μm并且直径约50nm。
适当的金属纳米管具有与金属纳米线相似的尺寸。对于纳米管来说，直径指的是纳米管的外径。
纳米结构通过渗透过程来形成传导网络。当通过互联的纳米结构形成传导路径时，就建立起了渗透传导。必须存在足够的纳米结构以达到电渗透阈值并实现传导。因此，电渗透阈值是与纳米结构的载荷密度或者浓度相关联的一个临界值，处于阈值之上可获得长程连接。典型地，载荷密度指的是每单位面积的纳米结构的数量，其可使用“数量/μm2”来表征。
正如同时在审的第11/504,822号美国专利申请所述，纳米结构的长宽比(长度:直径)越高，那么获得渗透传导所需要的纳米结构就越少。对于各向异性的纳米结构，例如纳米线，电渗透阈值或者载荷密度与纳米线的长度2是反向相关的。同时待审且共有的申请11/871053，其全文通过引用并入本文，详细描述了纳米线的尺寸/形状与渗透阈值处的表面载荷密度之间的理论和经验关系。
图1示意性示出了在高于电渗透阈值时由纳米线20所形成的传导网络10。传导路径由互联的纳米线形成(例如路径可通过相连的纳米线从网络的一端追踪到另一端)。因此，可穿过纳米线网络10承载电流。
在本文中，“传导网络”或者“网络”是指由超过电渗透阈值的传导纳米结构所形成的互联网络。典型地，传导网络的表面电阻(或者“薄层电阻”)不高于108欧姆/平方(也称为)。优选地，表面电阻不高于或者典型地，由金属纳米线形成的传导网络的表面电阻的范围为从到从到到从到或从到或到从到或从到
同样如图1中所示，成网络的纳米线定出了线间的空间30。在高于上述渗透阈值时，线间空间的尺寸(也称为“网筛尺寸”)网络传导性相关联。典型地，较小的网筛尺寸意味着纳米线的分布更为密集，从而对应于更高的传导性。
网筛尺寸还可被用作表面载荷水平的指示器。例如，对于给定长度的纳米线，表面载荷越低，网筛尺寸越大。当网筛尺寸大于某一阈值时，纳米线会彼此相隔过远，以致于不可能形成渗透并且线间的空间将成为有效的绝缘体。图2A显示了薄膜12，其中纳米线20以不饱和密度形成完整的网络。线间的空间30成为绝缘体。换言之，由于与图1中相比纳米线的密度较低，所以网筛尺寸扩大并破坏纳米线之间的传导性。
作为填料的第二传导介质
在复合透明导体中，即使金属纳米线的载荷水平低于电渗透阈值，在存在第二传导介质的情况下也能够获得传导性。虽然在多个实施例中第一传导介质的金属纳米线能够渗透或者不渗透，第二传导介质的存在在复合透明导体中提供了意料之外的或者增加效果的性质。
在一些实施例中，第二传导介质包括与形成第一传导介质的金属纳米线的材料、尺寸、几何形状或者结构不同的纳米结构。例如，第二传导介质可包括但不限于碳纳米管、金属纳米管、纳米颗粒以及不同尺寸或者材料的金属纳米线。
在另一些实施例中，第二传导介质可以是连续的传导膜。在本文中，“连续的传导”是指穿过一个薄层(如穿过表面或者在平面内)的不间断并且均匀的传导路径，其中通过传导介质的连续物理接触来建立电传导。连续传导膜的例子包括但是不限于溅射或者沉积的金属氧化物膜、传导聚合物膜以及类似物。
在一个方面，第二传导介质用于填充到纳米线膜的线间的空间中。图2B显示了复合透明导体34，其中连续导体膜40加入到图2A的纳米线20中。连续传导膜填充了绝缘的空间30并且有效消除了网筛尺寸。
图2C显示了另一个复合透明导体44，其中也存在多个第二类型的各向异性纳米结构48。各向异性纳米结构48被显示为具有比纳米线20高得多的长宽比。正如所示，由于较长的纳米结构48而产生的更有效的传导性，所以有效减小了线间的空间30。
如图2B和2C所示，即使第一传导介质并非必须达到电渗透阈值，纳米线和第二传导介质的综合效果也实现了传导。
在进一步的方面，填补了线间的空间的第二传导介质也适于在所给的透明导体中平衡电势的分布。另外，当两个电极相互分开并被施加电势时，在两个电极之间的空间中就建立了电场。使用复合透明导体作为电极适于增强电场的均匀性。图3A示出了在顶部传导膜50和底部传导膜54之间的电场线。传导膜50和54二者都仅基于纳米线。顶部传导膜50包括分布在顶部衬底50b上的纳米线50a(示于截面图中)。类似地，底部传导膜54包括分布在底部衬底54b上的纳米线54a(示于截面图中)。电场(示意性地由线58表示)，例如，从纳米线50a开始到54a结束。由于每个电极中纳米线之间存在线间空间(如62和66)，因此线58在相反的线附近聚集。图3B示出了第二传导介质，例如，连续膜分别填充到线间的空间62和66中。因此，由线78所表示的电场更加均匀地分布。
高传导金属纳米线作为第一传导介质通常承受复合透明导体中大部分的电流。第二传导介质，虽然没有载流的负担，但是可形成填充在金属纳米线之间的空间中的传导层。为了实现本说明书的目的，第二传导介质形成了具有不高于108欧姆/平方(也称为)的表面电阻(或者“薄层电阻”)的传导层。优选地，表面电阻不高于 或者典型地，连续导体膜的薄层电阻的范围为从到从到到从到或从到或到从到或从到
在多个实施例中，由第二传导介质形成的传导层是光学透明的，如本文所定义的。进一步，第二传导介质的存在可导致光散射的全面减少。金属纳米线是反射结构，其能够由于光的散射和反射而导致去极化。去极化是降低透明传导膜中对比度的主要因素之一，该透明传导膜典型地处于显示器件(如平板显示器)的光路中。较低的对比度倾向于对显示器件的成像质量产生不利影响。请参见，例如同时待审的第61/031,643号美国临时申请。在仅由纳米线形成的透明传导膜中，纳米线的数量减少可能会导致光散射的降低，但是可能是以传导的损失为代价的。根据本实施例的复合膜，由于第二传导介质所提供的辅助传导性，允许在使用较少纳米线的情况下获得降低的反射，而无需引起传导率的降低。
此外，通过选择适当材料(如较小反射或者非反射)、特定尺寸(如具有更小的直径或产生较低的光散射的截面的纳米结构)、特定几何结构(如比相同外径的纳米线散射光更少的纳米管)的纳米结构，可能能够自定义具有优化光学特性的复合透明导体。
典型地，在多个实施例中，由第二传导介质形成的传导层大约100nm到200nm厚，或者50nm到100nm厚，或者150nm到200nm厚。
复合透明导体
因此，复合透明导体包括作为第一传导介质的金属纳米线和耦合到第一传导介质的第二传导介质。在本文中，“耦合”是指两个传导介质之间的紧邻联接，且包括物理接触、电接触等等。
复合物中相结合的传导介质提供了意料不到的贡献或者提供了比单个传导介质之和更好的性质。正如在此将更加细致描述的，复合透明导体的协同改进包括，但是不限于，在复合透明导体中更平衡的电势，复合透明导体所形成的两个电极之间更均匀的电场，更高的传导性、更好的耐用性、更高的对比度等等。另外，在将纳米线与慎重选择的第二传导介质相结合时，会降低整体的制造成本而不影响复合透明导体的标准性能。
下面的具体实施例描述了基于金属纳米线作为第一传导介质和多种第二传导介质的复合透明导体。
1.碳纳米管膜作为第二传导介质
在另一个实施例中，复合透明导体包括多个结合了第二传导介质的金属纳米线，其中第二传导介质是由碳纳米管(CNT)形成的连续传导膜。
图4A显示了包括在衬底152上形成的纳米线层144和下面的CNT层148的复合透明导体140。CNT形成了纳米线层下面的传导膜。图4B显示了具有组成膜(constituent film)的相反排布的复合透明导体150，其中纳米线层144在CNT层148下面。在图4A和4B二者中，多个组成膜可以顺序沉积。可选地，纳米线和CNT也可以同时共同沉积并且形成完全整合为一体的传导膜。图4C显示了具有传导层164的复合透明导体160，传导层164中纳米线168和CNT172完全整合为一体以提供凝结结构(cohesive structure)。
图4A－4C中所示的复合膜提供了长程连接，其依赖于高传导性金属纳米线的互补性质来承载电流，以及传导CNT膜的填充效应。因为在给定的负载水平下，与金属纳米线(对于银纳米线，比重约为10.5g/cm3)相比，CNT具有低得多的比重(约1.7－1.9g/cm3)，因此CNT能够形成具有与金属纳米线相比较小的网筛尺寸的传导膜。因此，当连接到电源时，具有CNT层的复合透明导体能够提高复合膜的电势均匀性
此外，CNT是黑色的并且具有非常狭窄的尺寸(即，它们的直径或截面区域通常小于2nm)，这是减少光散射和改善对比度所需的条件。因此，基于CNT和金属纳米线的组合传导介质降低了在给定电导率下的整体反射。
另外，基于CNT和纳米线的复合膜特别适合作为通道接触。在本文中，“通道”是指在两个导体之间的连接，通常穿过介电层。如前所述，由于碳纳米管比金属纳米管的比重低得多，因此CNT比相同重量的金属纳米线的每单位面积的载荷密度大得多。这可以有利地应用到通道接触，其在限定的面积(约5－10微米)内负责支撑高电流密度。较大密度的CNT能够有效承载额外的电流并且防止对金属纳米线的潜在损坏。
在一些实施例中，第三传导介质可以进一步结合到复合透明导体中。在本文中，“第二类型的纳米结构”以及“第三类型的纳米结构”具体是指彼此不同、以及与形成第一传导介质的金属纳米线或者金属纳米管至少在一个方面不同的纳米结构，例如在纳米结构的材料、尺寸、形状、几何结构等方面。
适当的第三传导介质包括诸如传导颗粒的传导纳米结构，材料、尺寸、或几何结构与第一传导介质的金属纳米线不同的传导纳米结构。例如，传导纳米颗粒可以是金属性纳米颗粒、金属氧化物纳米颗粒、炭黑以及它们的组合。传导纳米结构可以是不同金属的纳米线、纳米管、或者具有较高长宽比或较小截面的纳米线。分布在整个复合透明导体的第三类型的传导纳米结构可以补充CNT的填充效应，并有助于在复合透明导体中提供更平衡的电势。
典型地，基于金属纳米线(如银纳米线)和CNT膜的结合的复合透明导体具有至少50％、至少60％、至少70％、或者至少80％、或者至少90％、或者至少95％(使用空气作为参考)的透光率。
典型地，基于金属纳米线(如银纳米线)和CNT膜的结合的复合透明导体具有范围内的薄层电阻，取决于复合透明导体的最终应用。更典型地，薄层电阻的范围从到从到到从到或从到或到从到或从到
在优选的实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)和CNT膜的结合的复合透明导体具有大于85％的透光率以及低于的薄层电阻。在其它实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)和CNT膜的结合的复合透明导体具有大于95％的透光率以及低于的薄层电阻。在其它的实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)和CNT膜的结合的复合透明导体具有大于90％的透光率以及低于的薄层电阻。在其它的实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)和CNT膜的结合的复合透明导体具有大于85％的透光率以及低于的薄层电阻。
2.其它类型的纳米结构作为第二传导介质
不同于CNT的纳米结构也适于作为第二传导介质。在某些实施例中，传导纳米结构是与形成第一传导介质的金属纳米线不同材料或者尺寸的金属纳米线。例如，由反射较低的金属形成的纳米线或者具有反射较低氧化外壳的纳米线可用来减少光散射，而不影响复合透明导体的整体传导性。进一步，与第一传导介质的金属纳米线相比具有较小直径(即截面积)的纳米线也能够降低光散射。
图5显示了复合透明导体170，包括作为第一传导介质的第一类型的纳米线174以及第二类型的纳米线178。第二类型的纳米线178具有比第一类型的纳米线174小得多的直径。结果，第二传导介质不仅通过填充线间的空间182而有利于复合透明导体的传导，而且由于它们的小尺寸而基本不会对光散射产生贡献。
在多个其它实施例中，第二类型的纳米结构可以是金属纳米管、传导纳米颗粒(如炭黑以及金属或者金属氧化物纳米颗粒)等等。
3.金属氧化物膜作为第二传导介质
在一个实施例中，复合透明导体包括结合了第二传导介质的多个金属纳米线，其中第二传导介质是传导金属氧化物膜。例如铟锡氧化物(ITO)的传导金属氧化物在本领域是公知的。溅射的ITO薄膜已应用于使用透明导体的器件。然而，由于它们的脆性以及对应力的低耐受性，ITO膜的应用受到了限制。即使ITO膜中微小的破裂也能导致电导率的迅速损失。
基于金属纳米线的膜与ITO膜的结合提供了具有协同优势的复合膜。图6A示出的复合膜186包括在衬底110(如玻璃)上的ITO膜188、以及在ITO膜188的顶部设置的纳米线膜192、包括纳米线194的纳米线膜192。
在一个实施例中，纳米线194的载荷密度低于电渗透阈值。然而，可以通过纳米线与下方ITO膜188的结合而在复合膜186中建立表面传导率。如前所述，ITO膜能够填充在纳米线之间的任何绝缘空隙中。
图6B显示了具有基于纳米线的膜和ITO膜的可替换布置的复合膜196。正如所示，首先在衬底110上沉积纳米线膜192。ITO膜188溅射在纳米线膜192的顶部。如图6A中所示，纳米线194不必形成自身的传导网络。然而，通过纳米线与上方ITO膜188的结合，能够在复合膜196中建立面内传导。
正如所示，整个复合膜的传导率，包括表面和面内传导率，可优于单独任意组成膜(即基于纳米线的膜和ITO膜)的电导率。有利地，组成膜彼此配合以协同提供比组成膜的简单附加效应更高的性能。例如，由于存在连续的ITO膜，因此当连接到电压源时，复合膜具有比仅基于纳米线(同样参见图2B)的透明导体更均匀的电势。另一方面，在复合膜中纳米线允许某些角度的弯曲并且不会导致传导性的损失。例如，纳米线可以在ITO膜体内弥补少量的破裂并且保持传导性，因此在复合膜内避免受到物理应力时潜在的失效。
另外，由于纳米线的高传导性，复合膜的传导性与相同厚度的纯ITO膜相比高得多。因此可能制造出这样的复合膜，其具有比纯ITO膜薄的ITO膜作为组成部分，而能够达到与较厚的纯ITO膜相同的传导水平。ITO膜厚度的降低能够直接导致制造成本的降低，并且产生较不容易断裂的ITO膜。
另外，虽然图6A和6B的组成膜被排列为类似于两个平行的电阻，但是很明显复合膜的电阻可低于平行电阻(仍参考实施例4)的预期电阻率。图6C示意性地显示了两个平行电阻198(电阻率为R1)和199(电阻率为R2)。正如所知，一对平行电阻的整体电阻率R是：
R＝(R1×R2)/(R1+R2)
实施例4测量了由电阻率为的ITO膜和电阻率约为的基于纳米线的膜所形成的复合膜。如果这两个组成膜仅是平行电阻，则整体电阻率可能约为然而，可看到复合膜的电阻率范围是大约其显著低于作为平行电阻的ITO膜和纳米膜的预期电阻率。
可选地，在给定的传导水平下复合膜比单独的基于纳米线的膜的反射低。正如所讨论的，在仅由纳米线形成的透明传导膜中，纳米线数量的降低可导致在透明导体中光散射的降低，但是可能以电导的损失为代价。由于ITO膜提供的补偿连接性，根据本实施例的复合膜可通过使用较少的纳米线来减少光散射，而不必引起电阻率的降低。
可使用其它金属氧化物膜替代图6A和6B的ITO膜。示例性的金属氧化物膜包括掺杂氧化锌膜、掺氟氧化锡膜、掺铝氧化锌膜、Zn2SnO4、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、(Ga2In)2O3、Zn2In2O5、ln4Sn3O12等等。Crawford,G.P.,Flexible Flat Panel Display(柔性平板显示器，John Wiley and Sons,2005)。
典型地，基于金属纳米线(如银纳米线)与金属氧化物膜的结合的复合透明导体具有至少50％、至少60％、至少70％、或者至少80％、或者至少85％、或者至少90％或者至少95％(使用空气作为参考)的透光率。
典型地，基于金属纳米线(如银纳米线)与金属氧化物膜的结合的复合透明导体具有范围为的薄层电阻，取决于复合透明导体的终端应用。更典型地，薄层电阻的范围为从到从到到从到或从到或到从到或从到
在优选的实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)与金属氧化物膜的结合的复合透明导体具有高于85％的透光率和低于的薄层电阻。在其它实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)与金属氧化物膜的结合的复合透明导体具有高于95％的透光率和低于的薄层电阻。在其它实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)与金属氧化物膜的结合的复合透明导体具有高于90％的透光率和低于的薄层电阻。在其它实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)与金属氧化物膜的结合的复合透明导体具有高于85％的透光率和低于的薄层电阻。
4.传导聚合物膜作为第二传导介质
在另一个实施例中，复合透明导体包括结合了第二传导介质的多个金属纳米线，其中第二传导介质是连续聚合物膜。
由于电子在连续重叠轨道的整个共轭骨架中离域，所以某些聚合物是传导的。例如，由交替的碳－碳单键、碳－碳双键形成的聚合物可提供电子可以占据的重叠p轨道的连续路径。
有机传导聚合物普通种类包括，并且限制为，聚(乙炔)、聚(吡咯)、聚(噻吩)、聚(苯胺)、聚(芴)、聚(3-烷基噻吩)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(也称为PEDOT)、四硫富瓦烯、聚萘、聚对苯撑，聚(对苯硫醚)和聚(对苯乙炔)。
虽然仅传导聚合物膜通常是非传导的，或者物理强度未强大到能够在显示器件中作为透明导体，但是传导聚合物膜能够结合到或者掺入金属纳米线以形成复合透明导体。复合透明导体可依赖金属纳米线作为主要的载流介质并且以传导聚合物膜作为填料来均衡电场。此外，金属纳米线也能够巩固和加强传导聚合物膜的机械性能。
可选地，传导聚合物膜也可以调整组成膜的吸收特性。
图7A显示了复合膜200，其包括衬底110(如玻璃的)上的传导聚合物膜204和设置在传导聚合物膜204顶部的纳米膜220。
图7B显示了复合膜230，其具有基于纳米线的膜和传导聚合物膜的可选排列。如图所示，衬底110上首先沉积纳米线膜220。传导聚合物膜104沉积在纳米线膜220的顶部。与图6A类似，纳米线224不一定形成自身的传导网络。然而，通过纳米线和上面的传导聚合物膜204的结合，可以在复合膜230内建立面内电导率。
在可选的实施例中，金属纳米线首先在衬底上沉积并形成传导网络。传导聚合物膜可以使用金属纳米线网络作为电极而原位形成。能够原位形成的适当的传导聚合物的例子是聚吡咯。更具体地说，使用基于纳米线的传导网络作为电极(即阳极)，吡咯单体可以电化学聚合并在传导网络上形成覆层。传导聚合物膜也可以根据本领域所公知的技术在存在氧化剂的情况下以化学方法形成。所获得的复合透明导体的结构特点是纳米线嵌入传导聚合物膜中。
典型地，基于金属纳米线(如银纳米线)和传导聚合物膜的结合的复合透明导体具有至少50％、至少60％、至少70％、或至少80％、或至少85％、或至少90％、或至少95％的透光率(以空气作为参考)。
典型地，基于金属纳米线(如银纳米线)和传导聚合物膜的结合的复合透明导体具有范围内的薄层电阻，取决于复合透明导体的终端应用。更典型地，薄层电阻的范围从到从到到从到或从到或到从到或从到
在优选的实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)和传导聚合物膜的结合的复合透明导体具有大于85％的透光率以及低于的薄层电阻。在其它实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)和传导聚合物膜的结合的复合透明导体具有大于95％的透光率以及低于的薄层电阻。在其它的实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)和传导聚合物膜的结合的复合透明导体具有大于90％的透光率以及低于的薄层电阻。在其它的实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)和传导聚合物膜的结合的复合透明导体具有大于85％的透光率以及低于的薄层电阻。
电学和光学性质
如此处所讨论的，与单个传导介质之和相比，复合透明导体中的结合传导介质提供了意料不到的贡献或提高的性质。复合透明导体的这些协同改进包括，但不限于，更均匀的电势(当连接到电源时)、更高的传导性、更好的耐受性、更高的对比度等等。
典型地，基于金属纳米线(如银纳米线)和第二传导介质的结合的复合透明导体具有至少50％、至少60％、至少70％、或至少80％、或至少85％、或至少90％、或至少95％的透光率(以空气作为参考)。雾度是一种光散射指数。它是指从入射光分离并在传输中散射的光量的百分比(即穿透性雾度)。与主要为介质特性的透光性不同，雾度通常是生产关注点，并且通常是由表面粗糙度以及介质中嵌入的颗粒或者成分的异质所引起的。在多个实施例中，透明导体的雾度不超过10％、不超过8％、不超过5％、不超过3％或者不超过1％。
典型地，基于金属纳米线(如银纳米线)和第二传导介质的结合的复合透明导体具有范围内的薄层电阻，取决于复合透明导体的终端应用。更典型地，薄层电阻的范围从到从到到从到或从到或到从到或从到
在优选的实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)和第二传导介质的结合的复合透明导体具有大于85％的透光率以及低于的薄层电阻。在其它实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)和第二传导介质的结合的复合透明导体具有大于95％的透光率以及低于的薄层电阻。在其它的实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)和第二传导介质的结合的复合透明导体具有大于90％的透光率以及低于的薄层电阻。在其它的实施例中，基于金属纳米线(如银纳米线)和第二传导介质的结合的复合透明导体具有大于85％的透光率以及低于的薄层电阻。
此处所描述的复合透明导体可具有适于在平板显示器中作为电极的电学和光学性质。在平板显示器中用于透明电极的典型薄层电阻范围是约并且层的透光率高于87％(当使用玻璃作为参考)或者高于95％(当使用空气作为参考)。
此外，当作为电极时，复合透明导体提供在液晶显示器(LCD)中特别有利的均匀电场。图8示意性示出了LCD结构250，其中像素电极254和计数电极260间隔约3－5μm，也被称为“单元间隙”。液晶单元270设置在两个电极之间。简单地说，当限制在单元中的液晶分子根据两个电极之间所产生的电场而改变它们的形态时，LCD工作。
使用仅由纳米线形成的透明传导电极，在期望的传导性和透光性水平上，纳米线之间的空间可能与液晶单元间隙(即“单元间隙”)相当。因此，可能并非单元中所有的液晶分子都被相同的电场(大小和方向二者)驱动，从而在单元的光学特性中产生不期望的局部非均匀性。
然而，采用复合透明导体作为电极能够有效降低或消除纳米线间的空间。典型地，纳米线间的网筛尺寸应小于液晶单元间隙的1/5。更典型地，网筛尺寸应小于单元间隙的1/10或者1/100。第二传导介质的存在允许在整个液晶单元中提供均匀的电场，导致液晶分子的统一取向以及因此产生的相同光学响应。
如图所示，如果LCD单元中的电极仅包括纳米线，则提供单元间隙1/5－1/100的网筛尺寸的表面载荷水平将导致较差的光学性能，包括高雾度以及低对比度。然而，当使用复合透明导体作为电极时，第一传导介质的金属纳米线(或金属纳米管)可具有单元间隙量级的网筛尺寸，而第二传导介质将网筛尺寸有效降低到单元间隙的约1/5－1/100，或者消除了网筛尺寸，如连续传导膜的情况。当电极的光学性能提高时，所获得的LCD单元将具有改善的单元性能。
因此，一个实施例为液晶单元提供第一电极；以及第二电极，其中第一电极和第二电极之间的垂直距离限定了单元间隙；其中第一电极是包括第一传导介质和第二传导介质的复合透明导体，并且其中，第一传导介质包括具有单元间隙量级的网筛尺寸的金属纳米线或者金属纳米管；并且其中第二传导介质是连续传导膜或者具有单元间隙约1/5到1/100的网筛尺寸的纳米结构的传导网络。
典型地，单元间隙约为3－5μm。在一些实施例中，纳米结构的传导网络具有约1/5到1/10，或者约1/10到1/100的单元间隙的网筛尺寸。
以上所述的任何复合透明导体都可以用来作为液晶单元的第一电极。例如，在多个实施例中，第一传导介质可以是金属纳米线(如银纳米线)或者金属纳米管(如金纳米管)。在优选的实施例中，金属纳米线或者金属纳米管的直径(纳米管的外径)为20－80nm并且长度为5－30μm。
第二传导介质可包括碳纳米管、与第一传导介质的金属纳米线不同的金属纳米线、或者与第一传导介质的金属纳米管不同的金属纳米管的传导网络。
可选地，第二传导介质可以是例如金属氧化物膜(如ITO膜)或者传导聚合物膜(如PEDOT膜)的连续传导膜。
在进一步的实施例中，第二电极也可以是如本文所描述的复合透明导体。
在某些实施例中，第一电极具有80－95％的透光率。
如前所述，可以设计复合透明导体来降低与金属纳米线典型相关的散射的不良水平。因为第二传导介质是载流体，因此需要较少的纳米线来获得给定的传导性。此外，此处描述的第二传导介质典型地是无反射的、低反射的，或者包括具有低散射截面的纳米结构；因此，由于存在较少的纳米线，整体散射降低。
附加层
在进一步的实施例中，可以沉积惰性涂料层来稳定和保护复合透明导体。涂料层也能提供良好的光学性质，例如防眩光和防反射性能，其有助于进一步降低纳米颗粒的反射。
因此，涂料层可以是硬涂料层、防反射层、保护膜和阻挡层等中的一个或多个，同时待审的第11/871767和11/504822号申请中对其进行了广泛讨论。
适当的硬涂料层的例子包括例如聚丙烯酸类、环氧类、聚氨酯类、聚硅烷类、聚硅氧烷类、聚(硅氧烷-丙烯酸)类等的合成聚合物。适用于防眩光的材料在本技术领域内是公知的，包括但不限于，硅氧烷、聚苯乙烯/PMMA共混物、漆(例如醋酸丁酯/硝化纤维素/蜡/醇酸树脂)、聚噻吩、聚吡咯、聚氨酯、硝化纤维素和丙烯酸酯，它们所有都可以包括光散射材料，如胶体和气相二氧化硅。保护膜的例子包括但是不限于：聚酯、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、丙烯酸树脂、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯、三醋酸酯(TAC)、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛、金属离子交联乙烯-甲基丙烯酸共聚物、聚氨酯、玻璃纸、聚烯烃或类似物；特别优选的是PET、PC、PMMA或者TAC。
构图
本文描述的复合透明导体可根据它们的终端应用而进行构图。本领域所公知的任何方法以及在共有并同时待审的美国专利申请11/504,822，11/871,767中所描述的构图方法都可以用来对复合透明导体进行构图。
复合透明导体的应用
本文描述的复合透明导体可以在多种器件中用作功能膜，例如透明电极、偏光片、彩色滤光器，所述器件包括目前使用金属氧化物膜(如ITO)的所有器件。图9示意性示出了器件280，其包括外壳288中的复合透明导体284。复合透明导体可以是第一传导介质(即多个金属纳米线)和第二传导介质(即连续传导膜)的上述配置或者结合中的任何一个。
合适的器件的例子包括例如LCD的平板显示器、等离子显示器(PDP)、彩色平板显示器的彩色滤光器的覆层、触摸屏、电磁干扰、电磁屏蔽、功能性玻璃(如用于电致变色窗户)、包括EL灯和光电池的光电子器件、以及类似物。另外，本文的透明导体可以用于柔性器件，例如柔性显示器和触摸屏。参见同时待审的第11/871,767号申请。
示例
示例1
银纳米线的合成
通过在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的存在下将溶解在乙二醇中的硝酸银还原来合成银纳米线。这种方法例如在Y.Sun,B.Gates,B.Mayers,&Y.Xia,"Crystalline silvernanowires by soft solution processing",Nanolett,(2002),2(2)165-168中进行了描述。通过离心或者其它公知的方法能够选择性分离均匀的银纳米线。
可选地，能够通过向上述反应混合物中直接加入适当的离子添加剂(如四丁基氯化铵)而合成均匀的银纳米线。这样制备的银纳米线可直接使用而不需尺寸选择的单独步骤。这种合成在以本申请的受让人Cambrios Technologies Corporation的名义申请的第60/815627号美国临时申请中进行了更详细地描述，其应用整体结合到本文中。
在下面的例子中使用了宽度为70nm到80nm并且长度约8μm－25μm的银纳米线。典型地，长宽比较大的线(即较长的和较细的)能够获得较好的光学性能(较高透光和较低雾度)。
示例2
复合透明导体的制备
在沉积在衬底或者例如ITO膜的连续传导膜、以及传导聚合物膜上之前，能够将金属纳米线配制成墨水组合物。
能够将ITO膜直接溅射在衬底上，然后沉积纳米线层。可选地，能够将纳米线层首先沉积在衬底上，然后在纳米线层上直接溅射ITO膜。
如果第二传导介质包括碳纳米管，能够将碳纳米管与金属纳米线配制成相同的墨水组合物，用于沉积。可选地，能够将碳纳米管配制为单独的墨水组合物，用于在沉积金属纳米线之前或者之后用于进行系列沉积。
典型地，墨水组合物包括有助于使纳米结构分散和/或使纳米结构在衬底上固定的试剂。这些试剂包括表面活性剂、粘度调节剂以及类似物。配制墨水组合物的详细描述可以在同时待审的第11/504822号美国专利申请中找到，其在此以参考的方式整体并入本文中。
按重量计算，用于沉积金属纳米线的典型墨水组合物包括从0.0025％至0.1％的表面活性剂(例如，对于FSO-100，优选范围是从0.0025％到0.05％)、从0.02％至4％的粘度调节剂(例如，对于羟丙基甲基纤维素或HPMC，优选范围是从0.02％到0.5％)、从94.5％到99.0％的溶剂以及从0.05％至1.4％的金属纳米线。适当的表面活性剂的代表性例子包括FSN、FSO、FSH、Triton(x100,x114,x45),Dynol(604,607),正十二烷基b-D-麦芽糖苷以及Novek。合适的粘度调节剂的例子包括羟丙基甲基纤维素(HPMC)、甲基纤维素、黄原胶、聚乙烯醇、羧甲基纤维素、羟乙基纤维素。合适的溶剂的例子包括水和异丙醇。
能够基于期望的纳米线浓度来制备墨水合成物，该纳米线浓度是形成在衬底上的最终传导膜的载荷密度的指数。
衬底可以是其上沉积了纳米线的任何材料。衬底可以是刚性或者柔性的。优选地，衬底也是光学透明的，即材料在可见光区域(400－700nm)内透光率至少是80％。
刚性衬底的例子包括玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸类树脂和类似物。特别是，可以使用例如无碱玻璃(如硼硅酸盐)、低碱玻璃和零膨胀玻璃-陶瓷的特种玻璃。特种玻璃特别适用于包括液晶显示器(LCD)在内的薄面板显示系统。
柔性衬底的例子包括但不限于：聚酯(如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘酸酯和聚碳酸酯)、聚烯烃(如直链的、支链的和环状的聚烯烃)、聚乙烯(如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇缩乙醛、聚苯乙烯、聚丙烯酸以及类似物)、纤维素酯基底(如三醋酸纤维素、醋酸纤维素)、如聚醚砜的聚砜、聚酰亚胺、聚硅氧烷以及其它常规聚合物膜。
墨水组合物可按照例如在同时待审的第11/504822号美国专利申请中描述的方法而沉积在衬底上。
作为特定的例子，首先制备了银纳米线的水分散体，即墨水组合物。银纳米线的宽度为约35nm到45nm并且长度为约10μm。按重量计算，墨水组合物包括0.2％的银纳米线、0.4％的HPMC、以及0.025％的Triton×100。之后将墨水以500rpm的速度在玻璃上旋涂60秒，然后在50℃下后烘烤90秒并且在180°下后烘烤90秒。涂覆的膜具有约20欧姆/平方的电阻率，具有96％的透光率(以玻璃作为对照)以及3.3％的雾度。
本领域技术人员可以理解，可以使用其它沉积技术，如用窄沟道计量的沉淀流动、模具流动、在斜面上的流动、缝隙涂覆、照相凹版式涂覆、微凹版涂覆、涂边(beadcoating)、浸渍涂覆、槽模涂覆(slot die coating)或者类似方法。也可以使用打印技术将墨水组合物直接打印到具有或者不具有图案的衬底上。例如，可以使用喷墨打印、柔版印刷以及丝网印刷。
还应当理解，流体的粘度和剪切行为以及纳米线之间的相互作用可能会影响所沉积纳米线的分布和互连性。
示例3
透明导体的光学和电学性能评价
对根据本文描述的方法所制备的复合透明导体进行评估从而确定它们的光学和电学性能。
根据ASTM D1003中的方法来获得光传输数据。使用BYK Gardner Hazeguard Plus来测量雾度。使用Fluke 175True RMS万用表或者非接触电阻计，Delcom型717B电导监测器，来测量表面电阻。更典型的设备是用于测量电阻的4探针测量系统(如KeithleyInstruments)。
纳米线的互连性以及衬底上的覆盖区也能够在光学或者扫描电子显微镜中观察到。
示例4
复合透明导体的电阻评价
在玻璃衬底上首先溅射ITO膜。ITO膜约在ITO膜上涂覆银纳米线。银纳米线是基于墨水合成物的，该墨水合成物制备约薄层电阻的传导膜。
如果仅仅将复合透明导体看作一对并联电阻的话，薄层电阻将具有约的预期值。然而，所得到的复合膜显示出在50－范围内的薄层电阻，其比预期值的传导性高大约100％。因此，复合传导介质表现出比单个传导介质的简单附加效应更好的传导性。
本说明书所引用的和/或在申请数据表中列出的所有上述美国专利、美国专利申请公开、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利公开通过引用而全部并入本文。
由上述内容可知，尽管在此为了达到说明的目的，本文已对本发明的具体实施方案进行了描述，但在不脱离本发明的精神和范围的情况下可进行各种修改。因此，本发明仅由权利要求限定。

Claims (17)

1.一种复合透明导体，包括：
包含多个金属纳米线或者多个金属纳米管的第一传导介质；以及
通过物理接触或电接触耦合到所述第一传导介质的第二传导介质，所述第二传导介质包括第二类型的纳米结构，
其中，所述复合透明导体具有叠层结构，所述复合透明导体包括至少两种透明传导介质形成的传导膜，所述复合透明导体为多个离散的所述传导膜的叠层结构，并且所述第一传导介质和所述第二传导介质形成为单独的层，其中所述第二传导介质包括第二类型纳米结构的传导网络。
2.根据权利要求1所述的复合透明导体，其中所述第一传导介质设置在所述第二传导介质的顶部。
3.根据权利要求1所述的复合透明导体，其中所述第一传导介质位于所述第二传导介质之下。
4.根据权利要求1所述的复合透明导体，其中所述第一传导介质和所述第二传导介质电耦合。
5.根据权利要求1所述的复合透明导体，具有高于85％的透光性以及低于1000Ω/的薄层电阻。
6.根据权利要求1所述的复合透明导体，其中所述金属纳米线是银纳米线。
7.根据权利要求1所述的复合透明导体，其中所述第二类型纳米结构的传导网络包括碳纳米管。
8.根据权利要求7所述的复合透明导体，其中所述金属纳米线设置在碳纳米管的传导网络的顶部。
9.根据权利要求7所述的复合透明导体，其中碳纳米管的传导网络设置在金属纳米线层的顶部。
10.根据权利要求1所述的复合透明导体，进一步包括第三类型的传导纳米结构。
11.根据权利要求10所述的复合透明导体，其中所述第三类型的传导纳米结构是金属纳米颗粒、金属氧化物纳米颗粒、金属纳米线、炭黑或它们的组合。
12.根据权利要求1所述的复合透明导体，其中所述金属纳米线是银纳米线。
13.根据权利要求1所述的复合透明导体，具有高于85％的透光性以及低于的薄层电阻。
14.根据权利要求1所述的复合透明导体，其中所述第二类型的纳米结构的传导网络包括金属纳米管。
15.根据权利要求1所述的复合透明导体，其中所述金属纳米管是金纳米管。
16.根据权利要求1所述的复合透明导体，其中所述第二类型的纳米结构的传导网络包括纳米颗粒。
17.根据权利要求16所述的复合透明导体，其中所述纳米颗粒是金属纳米颗粒、金属氧化物纳米颗粒、炭黑、石墨片或它们的组合。
CN201410024659.0A 2007-04-20 2008-04-18 复合透明导体及其形成方法 Active CN103777417B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US91323107P 2007-04-20 2007-04-20
US60/913,231 2007-04-20
CN200880012842.1A CN101689568B (zh) 2007-04-20 2008-04-18 复合透明导体及其形成方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880012842.1A Division CN101689568B (zh) 2007-04-20 2008-04-18 复合透明导体及其形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103777417A CN103777417A (zh) 2014-05-07
CN103777417B true CN103777417B (zh) 2017-01-18

Family

ID=39620244

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410024659.0A Active CN103777417B (zh) 2007-04-20 2008-04-18 复合透明导体及其形成方法
CN200880012842.1A Active CN101689568B (zh) 2007-04-20 2008-04-18 复合透明导体及其形成方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200880012842.1A Active CN101689568B (zh) 2007-04-20 2008-04-18 复合透明导体及其形成方法

Country Status (9)

Country Link
US (4) US8018563B2 (zh)
EP (2) EP2477229B1 (zh)
JP (2) JP6098860B2 (zh)
KR (1) KR101456838B1 (zh)
CN (2) CN103777417B (zh)
HK (1) HK1134860A1 (zh)
SG (1) SG156218A1 (zh)
TW (2) TWI556456B (zh)
WO (1) WO2008131304A1 (zh)

Families Citing this family (261)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2006279590A1 (en) 2005-08-12 2007-02-22 Cambrios Technologies Corporation Nanowires-based transparent conductors
US8454721B2 (en) 2006-06-21 2013-06-04 Cambrios Technologies Corporation Methods of controlling nanostructure formations and shapes
US8018568B2 (en) 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
TWI426531B (zh) 2006-10-12 2014-02-11 Cambrios Technologies Corp 以奈米線為主之透明導體及其應用
JP6017110B2 (ja) 2007-05-29 2016-11-09 ティーピーケイ ホールディング カンパニー リミテッド 粒子含有表面とその関連方法
KR20090023803A (ko) * 2007-09-03 2009-03-06 삼성전자주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP5221088B2 (ja) * 2007-09-12 2013-06-26 株式会社クラレ 透明導電膜およびその製造方法
JP2011515510A (ja) * 2008-02-26 2011-05-19 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 導電性特徴をスクリーン印刷するための方法および組成物
US10105875B2 (en) 2008-08-21 2018-10-23 Cam Holding Corporation Enhanced surfaces, coatings, and related methods
KR20100029633A (ko) * 2008-09-08 2010-03-17 삼성전자주식회사 능동형 반투과 소자를 구비하는 디스플레이 장치
JP2010087105A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 太陽電池
JP5189449B2 (ja) * 2008-09-30 2013-04-24 富士フイルム株式会社 金属ナノワイヤー含有組成物、及び透明導電体
JP5306760B2 (ja) * 2008-09-30 2013-10-02 富士フイルム株式会社 透明導電体、タッチパネル、及び太陽電池パネル
US20100101832A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Compound magnetic nanowires for tco replacement
US20100101830A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Magnetic nanoparticles for tco replacement
US20100101829A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Steven Verhaverbeke Magnetic nanowires for tco replacement
US20110180133A1 (en) * 2008-10-24 2011-07-28 Applied Materials, Inc. Enhanced Silicon-TCO Interface in Thin Film Silicon Solar Cells Using Nickel Nanowires
KR20100045675A (ko) * 2008-10-24 2010-05-04 삼성전자주식회사 표시 장치
US8642118B2 (en) 2009-01-16 2014-02-04 Konica Minolta Holdings, Inc. Pattern electrode manufacturing method and pattern electrode
JP2012521566A (ja) * 2009-03-18 2012-09-13 バイヤー・マテリアルサイエンス・アーゲー ウエハレベル光学システム
JP5625256B2 (ja) * 2009-04-02 2014-11-19 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5584991B2 (ja) * 2009-04-02 2014-09-10 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102387880B (zh) * 2009-04-10 2014-07-02 住友化学株式会社 金属复合体及其组合物
WO2010117075A1 (ja) * 2009-04-10 2010-10-14 住友化学株式会社 金属複合体及びその組成物
KR101009442B1 (ko) * 2009-04-15 2011-01-19 한국과학기술연구원 전도성 구조체를 이용한 전도성필름 제조방법 및 전도성필름
GB0908300D0 (en) 2009-05-14 2009-06-24 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester films
CN101963681B (zh) * 2009-07-24 2012-06-20 清华大学 偏光元件
TWI543873B (zh) * 2009-08-24 2016-08-01 坎畢歐科技公司 用於改良由金屬奈米結構所製得透明導體之濁度的金屬奈米結構純化
WO2011031483A2 (en) * 2009-08-25 2011-03-17 Cambrios Technologies Corporation Methods for controlling metal nanostructures morphology
JP5391932B2 (ja) * 2009-08-31 2014-01-15 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI420540B (zh) 2009-09-14 2013-12-21 Ind Tech Res Inst 藉由光能或熱能成形之導電材料、導電材料之製備方法以及導電組合物
KR101587124B1 (ko) * 2009-09-23 2016-01-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US8917377B2 (en) 2009-10-22 2014-12-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Active lenses, stereoscopic image display apparatuses including active lenses and methods of operating the same
KR101632315B1 (ko) * 2009-10-22 2016-06-21 삼성전자주식회사 능동 렌즈 및 이를 채용한 입체 영상 디스플레이 장치
KR101611422B1 (ko) * 2009-11-17 2016-04-12 삼성전자주식회사 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법
WO2011065213A1 (ja) * 2009-11-27 2011-06-03 コニカミノルタホールディングス株式会社 分散液、透明電極、および有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI480896B (zh) * 2009-12-04 2015-04-11 Cambrios Technologies Corp 具有增加濁度之以奈米結構為主之透明導體及包含其之裝置
JP6095054B2 (ja) * 2010-01-15 2017-03-15 シーエーエム ホールディング コーポレーション 低曇価透明導体
WO2011091263A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Fullerene-doped nanostructures and methods therefor
JP2013518438A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ 接続されたナノ構造体及びそのための方法
CN102834472B (zh) * 2010-02-05 2015-04-22 凯博瑞奥斯技术公司 光敏墨组合物和透明导体以及它们的使用方法
AU2011220397B2 (en) * 2010-02-27 2015-09-03 Nuovo Film Suzhou China Inc. Structures with surface-embedded additives and related manufacturing methods
US8518472B2 (en) * 2010-03-04 2013-08-27 Guardian Industries Corp. Large-area transparent conductive coatings including doped carbon nanotubes and nanowire composites, and methods of making the same
KR101778738B1 (ko) 2010-03-23 2017-09-14 챔프 그레이트 인터내셔널 코포레이션 나노구조 투광 전도체들의 에칭 패터닝
KR20130109090A (ko) * 2010-06-11 2013-10-07 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 힘 측정을 갖는 포지셔널 터치 센서
TWI416544B (zh) * 2010-06-23 2013-11-21 Nat Univ Tsing Hua 複合電極及其製作方法、矽太陽能電池電極及矽太陽能電池
US10306758B2 (en) * 2010-07-16 2019-05-28 Atmel Corporation Enhanced conductors
FR2962852A1 (fr) * 2010-07-19 2012-01-20 Saint Gobain Electrode transparente pour cellule photovoltaique a haut rendement
KR101119269B1 (ko) * 2010-07-26 2012-03-16 삼성전기주식회사 터치패널용 투명도전막 및 그 제조방법
US9112166B2 (en) 2010-07-30 2015-08-18 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior Univerity Conductive films
KR101658154B1 (ko) * 2010-07-30 2016-10-04 엘지디스플레이 주식회사 광전소자 및 그의 제조방법
KR101489161B1 (ko) * 2010-07-30 2015-02-06 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
KR101820327B1 (ko) 2010-08-07 2018-01-19 티피케이 홀딩 컴퍼니 리미티드 표면 매립 첨가제를 가진 디바이스 콤포넌트 및 이와 관련된 제조 방법
US20120061625A1 (en) * 2010-09-09 2012-03-15 Eckert Karissa L Transparent conductive films, compositions, articles, and methods
US9281415B2 (en) 2010-09-10 2016-03-08 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Pressure sensing apparatuses and methods
CN103109391B (zh) 2010-09-24 2016-07-20 加利福尼亚大学董事会 纳米线-聚合物复合材料电极
JP5664119B2 (ja) * 2010-10-25 2015-02-04 ソニー株式会社 透明導電膜、透明導電膜の製造方法、光電変換装置および電子機器
KR20120044545A (ko) * 2010-10-28 2012-05-08 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자
US20120111614A1 (en) * 2010-11-10 2012-05-10 Free James J Integrated composite structure and electrical circuit utilizing carbon fiber as structural materials and as electric conductor
GB201019212D0 (en) 2010-11-12 2010-12-29 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester film
BR112013014066A2 (pt) * 2010-12-07 2016-09-13 Rhodia Operations nanoestruturas eletricamente condutoras, método para fazer essas nanoestruturas, películas de polímeros eletricamente condutores contendo tais nanoestruturas e dispositivos eletrônicos que contêm tais películas
US8763525B2 (en) * 2010-12-15 2014-07-01 Carestream Health, Inc. Gravure printing of transparent conductive films containing networks of metal nanoparticles
WO2012081992A2 (en) * 2010-12-15 2012-06-21 Condalign As Method for forming uv-curable conductive compositions and a domposition thus formed
WO2012083082A1 (en) 2010-12-15 2012-06-21 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
EP2465966A1 (en) * 2010-12-15 2012-06-20 Innovation & Infinity Global Corp. Transparent conductive structure and method of making the same
CN102569432B (zh) * 2010-12-17 2014-12-10 国家纳米科学中心 一种透明电极材料及其制备方法
KR20120071149A (ko) * 2010-12-22 2012-07-02 엘지전자 주식회사 박막 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
US20120273455A1 (en) * 2011-04-29 2012-11-01 Clean Energy Labs, Llc Methods for aligned transfer of thin membranes to substrates
US9575598B2 (en) 2010-12-27 2017-02-21 Tsinghua University Inputting fingertip sleeve
JP2012146430A (ja) * 2011-01-11 2012-08-02 Innovation & Infinity Global Corp 混合ナノ粒子を利用した透明導電構造及びその製造方法
KR101795419B1 (ko) * 2011-01-26 2017-11-13 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
US20120196053A1 (en) * 2011-01-28 2012-08-02 Coull Richard Methods for creating an electrically conductive transparent structure
WO2012112818A2 (en) * 2011-02-16 2012-08-23 The Regents Of The University Of California Interpenetrating networks of crystalline carbon and nano-scale electroactive materials
CN103493151A (zh) 2011-02-23 2014-01-01 迪睿合电子材料有限公司 透明导电膜、信息输入装置及电子设备
US10494720B2 (en) 2011-02-28 2019-12-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Metallic nanofiber ink, substantially transparent conductor, and fabrication method
KR102032108B1 (ko) 2011-02-28 2019-10-15 엔티에이치 디그리 테크놀로지스 월드와이드 인코포레이티드 금속성 나노섬유 잉크, 실질적으로 투명한 전도체, 및 제조 방법
WO2012132828A1 (ja) * 2011-03-29 2012-10-04 住友化学株式会社 有機光電変換素子の製造方法
WO2012137923A1 (ja) * 2011-04-07 2012-10-11 日本写真印刷株式会社 グラフェンを主成分とする透明導電膜を備えた転写シートとその製造方法、透明導電物
KR101927562B1 (ko) * 2011-04-15 2018-12-10 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 전자 디스플레이를 위한 투명 전극
CN102208547B (zh) * 2011-04-18 2013-11-20 电子科技大学 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
CN102201549B (zh) * 2011-04-18 2013-08-14 电子科技大学 一种柔性发光器件用基板及其制备方法
CN102195006A (zh) * 2011-04-26 2011-09-21 福州大学 基于azo/石墨烯/azo结构的柔性电极及其制备
US9175183B2 (en) * 2011-05-23 2015-11-03 Carestream Health, Inc. Transparent conductive films, methods, and articles
US8974900B2 (en) * 2011-05-23 2015-03-10 Carestream Health, Inc. Transparent conductive film with hardcoat layer
TWI427644B (zh) * 2011-06-13 2014-02-21 Univ Nat Yunlin Sci & Tech 透明導電膜結構之製造方法
JP5866492B2 (ja) * 2011-06-14 2016-02-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池およびその製造方法
EP2727165A4 (en) * 2011-06-28 2015-08-05 Innova Dynamics Inc TRANSPARENT CONDUCTORS INCORPORATING ADDITIVES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME
CN103889595B (zh) * 2011-07-01 2016-06-22 凯博瑞奥斯技术公司 导电膜的涂覆中各向异性的减小
KR101327069B1 (ko) * 2011-07-28 2013-11-07 엘지이노텍 주식회사 전극 구조체 및 전극 제조 방법
US20140267107A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Sinovia Technologies Photoactive Transparent Conductive Films
US20130039806A1 (en) * 2011-08-12 2013-02-14 Jeffrey Blinn Nanowire purification methods, compositions, and articles
CN104040642B (zh) 2011-08-24 2016-11-16 宸鸿科技控股有限公司 图案化透明导体和相关制备方法
KR101953180B1 (ko) * 2011-08-26 2019-02-28 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 나노구조화된 투명 도전성 옥사이드 전기변색 소자
KR20130030903A (ko) * 2011-09-20 2013-03-28 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP5646424B2 (ja) 2011-09-27 2014-12-24 株式会社東芝 透明電極積層体
JP5583097B2 (ja) * 2011-09-27 2014-09-03 株式会社東芝 透明電極積層体
KR101331112B1 (ko) * 2011-09-28 2013-11-19 (주)바이오니아 탄소나노튜브 및 금속산화물으로 이루어진 나노복합체 및 이의 제조방법
EP2800994A4 (en) 2011-10-13 2015-10-07 Univ California SOLVENT-PROCESSED NANOPARTICLE-COMPOSITE FILM AS A TRANSPARENT CONDUCTOR FOR OPTOELECTRONIC DEVICES
WO2013056155A2 (en) 2011-10-13 2013-04-18 Cambrios Technologies Corporation Opto-electrical devices incorporating metal nanowires
IN2014CN04515A (zh) * 2011-12-05 2015-09-11 Koninkl Philips Nv
CN104040641A (zh) * 2011-12-07 2014-09-10 杜克大学 铜镍合金纳米导线的合成及其在透明导电膜中的应用
KR20130070729A (ko) * 2011-12-20 2013-06-28 제일모직주식회사 메탈나노와이어 및 탄소나노튜브를 포함하는 적층형 투명전극.
JP6162717B2 (ja) 2011-12-21 2017-07-12 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 銀ナノワイヤベースの透明な導電性コーティングのレーザーパターニング
US9668333B2 (en) 2011-12-22 2017-05-30 3M Innovative Properties Company Electrically conductive article with high optical transmission
WO2013096350A1 (en) 2011-12-22 2013-06-27 3M Innovative Properties Company Carbon coated articles and methods for making the same
CN103213350B (zh) * 2012-01-18 2015-07-08 国家纳米科学中心 一种透明导电薄膜及其制备方法
US9917255B2 (en) * 2012-02-03 2018-03-13 Northwestern University Methods of making composite of graphene oxide and nanostructures
US9524806B2 (en) * 2012-02-07 2016-12-20 Purdue Research Foundation Hybrid transparent conducting materials
GB201203511D0 (en) * 2012-02-29 2012-04-11 Ibm Position sensing apparatus
KR101324281B1 (ko) * 2012-03-15 2013-11-01 인하대학교 산학협력단 고유연성을 가지는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드를 기반으로 하는 투명전도성 필름
DE102012102319A1 (de) 2012-03-20 2013-09-26 Rent A Scientist Gmbh Nichtlineare Nanodrähte
US9490048B2 (en) * 2012-03-29 2016-11-08 Cam Holding Corporation Electrical contacts in layered structures
US10483104B2 (en) 2012-03-30 2019-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for producing stacked electrode and method for producing photoelectric conversion device
JP5836866B2 (ja) 2012-03-30 2015-12-24 株式会社東芝 炭素電極とその製造方法およびそれを用いた光電変換素子
JP2013211212A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Toshiba Corp 積層電極とその製造方法およびそれ用いた光電変換素子
TW201342102A (zh) * 2012-04-06 2013-10-16 Cambrios Technologies Corp 減少光學堆疊之漫反射之系統及方法
FR2989485B1 (fr) * 2012-04-11 2016-02-05 Commissariat Energie Atomique Capteur tactile et procede de fabrication d'un tel capteur
CN102616033A (zh) * 2012-04-13 2012-08-01 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种快速制备高透光性导电图案的方法
CN104303238B (zh) 2012-04-26 2016-11-09 国立大学法人大阪大学 透明导电性墨以及透明导电图案形成方法
KR101388682B1 (ko) * 2012-04-30 2014-04-24 한국교통대학교산학협력단 은 나노와이어 및 그라핀을 이용한 하이브리드 전극 및 이의 제조방법
TWI450821B (zh) * 2012-05-03 2014-09-01 Taiwan Textile Res Inst 具可撓性的透明電極及其製造方法
US20130309613A1 (en) * 2012-05-16 2013-11-21 Corning Incorporated Liquid Based Films
US9086523B2 (en) * 2012-05-29 2015-07-21 The Boeing Company Nanotube signal transmission system
US9655252B2 (en) * 2012-06-01 2017-05-16 Suzhou Nuofei Nano Science And Technology Co., Ltd. Low haze transparent conductive electrodes and method of making the same
US20140014171A1 (en) 2012-06-15 2014-01-16 Purdue Research Foundation High optical transparent two-dimensional electronic conducting system and process for generating same
US9920207B2 (en) 2012-06-22 2018-03-20 C3Nano Inc. Metal nanostructured networks and transparent conductive material
US10029916B2 (en) 2012-06-22 2018-07-24 C3Nano Inc. Metal nanowire networks and transparent conductive material
TWI585032B (zh) * 2012-06-28 2017-06-01 無限科技全球公司 用於製造奈米結構的方法
WO2014015284A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 The Regents Of The University Of California High efficiency organic light emitting devices
KR101431705B1 (ko) * 2012-08-29 2014-08-20 (주)탑나노시스 나노와이어-탄소나노튜브 하이브리드 필름 및 이의 제조 방법
US20140060726A1 (en) * 2012-09-05 2014-03-06 Bluestone Global Tech Limited Methods for transferring graphene films and the like between substrates
AU2013323179B2 (en) 2012-09-27 2018-02-15 Rhodia Operations Process for making silver nanostructures and copolymer useful in such process
KR20140046923A (ko) * 2012-10-11 2014-04-21 제일모직주식회사 투명 도전체, 이를 제조하기 위한 조성물 및 이를 포함하는 광학표시 장치
KR101991964B1 (ko) * 2012-11-07 2019-06-21 삼성에스디아이 주식회사 코어-쉘 구조를 갖는 나노와이어의 제조방법
KR20140058895A (ko) * 2012-11-07 2014-05-15 삼성정밀화학 주식회사 전도성 고분자를 포함하는 복합체 전극 및 그 제조 방법
CN104919540B (zh) * 2012-11-08 2017-05-10 阿尔卑斯电气株式会社 导电体及其制造方法
KR101486636B1 (ko) * 2012-12-06 2015-01-29 세종대학교산학협력단 광투과 복합필름 및 이의 제조방법
CN104838449B (zh) 2012-12-07 2018-06-15 3M创新有限公司 导电制品
CN103151394A (zh) * 2012-12-14 2013-06-12 广东志成冠军集团有限公司 薄膜太阳能电池及其制作方法
CN103078036B (zh) * 2013-01-17 2015-11-18 北京工业大学 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法
KR101364531B1 (ko) * 2013-01-21 2014-02-19 덕산하이메탈(주) 나노 물질층을 포함하는 투명 전극 및 그 제조 방법
KR20150113050A (ko) 2013-01-22 2015-10-07 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 Ｅｓｄ 보호를 위한 고 열적 안정성을 갖는 나노구조체 투명 도전체들
KR102153428B1 (ko) 2013-02-20 2020-09-08 도오쿄 인스티튜드 오브 테크놀로지 도전성 나노와이어 네트워크 및 이것을 이용한 도전성 기판 및 투명전극, 그리고 그들의 제조 방법
DE102013002855A1 (de) 2013-02-20 2014-08-21 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Formulierungen aus gewaschenen Silberdrähten und PEDOT
US9530531B2 (en) 2013-02-21 2016-12-27 Nanotek Instruments, Inc. Process for producing highly conducting and transparent films from graphene oxide-metal nanowire hybrid materials
US10468152B2 (en) 2013-02-21 2019-11-05 Global Graphene Group, Inc. Highly conducting and transparent film and process for producing same
US10020807B2 (en) 2013-02-26 2018-07-10 C3Nano Inc. Fused metal nanostructured networks, fusing solutions with reducing agents and methods for forming metal networks
JP2014165094A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Nippon Zeon Co Ltd 導電性フィルム、タッチパネル、太陽電池用電極、および太陽電池
US20140262443A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Cambrios Technologies Corporation Hybrid patterned nanostructure transparent conductors
US20140272199A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Yi-Jun Lin Ultrasonic spray coating of conducting and transparent films from combined graphene and conductive nano filaments
US8871296B2 (en) * 2013-03-14 2014-10-28 Nanotek Instruments, Inc. Method for producing conducting and transparent films from combined graphene and conductive nano filaments
JP5450863B2 (ja) * 2013-03-27 2014-03-26 富士フイルム株式会社 導電層形成用分散物及び透明導電体
JP6147542B2 (ja) * 2013-04-01 2017-06-14 株式会社東芝 透明導電フィルムおよび電気素子
US9368248B2 (en) 2013-04-05 2016-06-14 Nuovo Film, Inc. Transparent conductive electrodes comprising metal nanowires, their structure design, and method of making such structures
US9477128B2 (en) * 2013-04-19 2016-10-25 Board Of Regents, The University Of Texas System Graphene/metal nanowire hybrid transparent conductive films
CN104168009B (zh) * 2013-05-17 2018-03-23 光宝电子(广州)有限公司 发光型触控开关装置及发光型触控开关模组
CN103242630B (zh) * 2013-05-20 2015-05-06 嘉兴学院 一种聚对苯二甲酸乙二酯(pet)基电磁屏蔽复合材料及其制备方法
WO2015005204A1 (ja) * 2013-07-08 2015-01-15 東洋紡株式会社 導電性ペースト
TW201502653A (zh) * 2013-07-10 2015-01-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 液晶顯示裝置
KR20150019820A (ko) * 2013-08-16 2015-02-25 일진엘이디(주) 나노와이어를 이용한 질화물 반도체 발광소자
CN103426991A (zh) * 2013-08-23 2013-12-04 厦门大学 金属纳米丝透明欧姆电极的压印方法
JP6308737B2 (ja) 2013-08-26 2018-04-11 デクセリアルズ株式会社 金属ナノワイヤー、分散液、透明導電膜、情報入力装置、及び、電子機器
KR101524069B1 (ko) * 2013-09-16 2015-06-10 덕산하이메탈(주) 나노 물질층을 포함하는 적층형 투명 전극
US9663400B2 (en) * 2013-11-08 2017-05-30 Corning Incorporated Scratch-resistant liquid based coatings for glass
KR102065110B1 (ko) 2013-11-12 2020-02-11 삼성전자주식회사 플렉서블 그래핀 스위칭 소자
US11274223B2 (en) * 2013-11-22 2022-03-15 C3 Nano, Inc. Transparent conductive coatings based on metal nanowires and polymer binders, solution processing thereof, and patterning approaches
US9674947B2 (en) * 2013-12-04 2017-06-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Transparent conductor, method for preparing the same, and optical display including the same
KR101514325B1 (ko) * 2013-12-10 2015-04-22 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 전기 방사 방법을 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR102162426B1 (ko) * 2013-12-11 2020-10-07 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 이의 제조 방법
WO2015090395A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Transparente nanodrahtelektrode mit funktionaler organischer schicht
EP3907368A1 (en) * 2013-12-24 2021-11-10 View, Inc. Obscuring bus bars in electrochromic glass structures
US10884311B2 (en) 2013-12-24 2021-01-05 View, Inc. Obscuring bus bars in electrochromic glass structures
US11906868B2 (en) 2013-12-24 2024-02-20 View, Inc. Obscuring bus bars in electrochromic glass structures
JP6327870B2 (ja) 2014-01-29 2018-05-23 デクセリアルズ株式会社 金属ナノワイヤー、透明導電膜及びその製造方法、分散液、情報入力装置、並びに、電子機器
JP6383807B2 (ja) * 2014-01-31 2018-08-29 シーエーエム ホールディング コーポレーション 金属ナノ構造体再結合層を含むタンデム型有機光起電力装置
JP6586665B2 (ja) * 2014-01-31 2019-10-09 日本ゼオン株式会社 透明導電膜、色素増感太陽電池用光電極及びタッチパネル並びに色素増感太陽電池
JP6441576B2 (ja) 2014-02-03 2018-12-19 デクセリアルズ株式会社 透明導電膜及びその製造方法、情報入力装置、並びに、電子機器
KR101586902B1 (ko) * 2014-04-09 2016-01-19 인트리 주식회사 나노구조의 패턴을 구비한 광투과성 도전체 및 그 제조방법
US11343911B1 (en) 2014-04-11 2022-05-24 C3 Nano, Inc. Formable transparent conductive films with metal nanowires
GB2526311B (en) * 2014-05-20 2019-06-19 M Solv Ltd Manufacturing a conductive nanowire layer
CN104009141B (zh) * 2014-05-24 2017-10-13 北京工业大学 碳纳米管银纳米线复合电流扩展层发光二极管及其制作方法
JP2016027464A (ja) * 2014-05-30 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 入力装置、情報処理装置
CN104020887A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏
TWI486969B (zh) * 2014-06-11 2015-06-01 Nat Univ Tsing Hua 複合導電材料的製作方法及其導電薄膜
KR101536526B1 (ko) * 2014-06-17 2015-07-15 한양대학교 산학협력단 미세 구조체를 갖는 기판 및 그 제조 방법
US9801287B2 (en) 2014-07-09 2017-10-24 Cam Holding Corporation Electrical contacts in layered structures
EP2977993A1 (en) 2014-07-25 2016-01-27 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Formulations comprising metal nanowires and pedot
US9183968B1 (en) 2014-07-31 2015-11-10 C3Nano Inc. Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks
WO2016019422A1 (en) * 2014-08-07 2016-02-11 Flinders Partners Pty Ltd Transparent electrode materials and methods for forming same
US9927667B2 (en) 2014-08-11 2018-03-27 Sci Engineered Materials, Inc. Display having a transparent conductive oxide layer comprising metal doped zinc oxide applied by sputtering
US11111396B2 (en) * 2014-10-17 2021-09-07 C3 Nano, Inc. Transparent films with control of light hue using nanoscale colorants
CN104505149A (zh) * 2014-11-19 2015-04-08 东北师范大学 一种叠层透明电极及其制备方法
CN105304209B (zh) * 2014-11-27 2017-02-22 中国科学院金属研究所 一种在彩色滤光片上制备透明导电薄膜的方法
JP6369788B2 (ja) 2014-11-27 2018-08-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 エレクトロニクス用構造体
CN104393194A (zh) * 2014-12-10 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性电极、其制作方法、电子皮肤及柔性显示装置
KR20170097680A (ko) * 2014-12-16 2017-08-28 솔베이(소시에떼아노님) 금속 나노와이어를 포함하는 투명 전도체, 및 그 형성 방법
CN104503162A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 深圳市华星光电技术有限公司 具有触控功能的显示面板及其制造方法和复合电极
KR20160084715A (ko) * 2015-01-06 2016-07-14 연세대학교 산학협력단 투명전극 및 그의 제조방법
TWI684999B (zh) * 2015-01-14 2020-02-11 日商東洋紡股份有限公司 導電性膜
CN104681645B (zh) * 2015-01-23 2016-09-21 华南师范大学 一种基于金属网格和金属纳米线制备复合透明导电电极的方法
KR102320382B1 (ko) 2015-01-28 2021-11-02 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR102347960B1 (ko) * 2015-02-03 2022-01-05 삼성전자주식회사 도전체 및 그 제조 방법
TWI564071B (zh) * 2015-02-09 2017-01-01 國立中山大學 結合材料粒子於石墨烯－半導體基材表面之光化學方法及半導體結構
KR101881195B1 (ko) * 2015-04-01 2018-07-23 성균관대학교산학협력단 나노 복합체를 이용한 변형률 감지센서 및 이의 제조방법
KR101701601B1 (ko) * 2015-04-09 2017-02-02 희성전자 주식회사 자기장을 이용한 전기 방사 장치 및 이를 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR101689740B1 (ko) * 2015-04-09 2016-12-26 울산과학기술원 드럼 컬렉터를 이용한 전기 방사 장치 및 이를 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR101676760B1 (ko) * 2015-04-09 2016-11-16 울산과학기술원 전기장을 이용한 전기 방사 장치 및 이를 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR101701603B1 (ko) * 2015-04-09 2017-02-02 희성전자 주식회사 전기 방사 장치 및 이를 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR102335116B1 (ko) * 2015-04-13 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이의 제조 방법
CN107615399A (zh) * 2015-04-21 2018-01-19 峡谷科技股份有限公司 透明导电膜
WO2016178671A1 (en) * 2015-05-05 2016-11-10 Nano-C, Inc. Carbon nanotube based hybrid films for mechanical reinforcement of multilayered, transparent-conductive, laminar stacks
US10081020B2 (en) 2015-06-12 2018-09-25 Dow Global Technologies Llc Hydrothermal method for manufacturing filtered silver nanowires
US10376898B2 (en) 2015-06-12 2019-08-13 Dow Global Technologies Llc Method for manufacturing high aspect ratio silver nanowires
CN105118836B (zh) * 2015-07-29 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 具有导电平坦层的阵列基板及其制备方法
KR20170018718A (ko) * 2015-08-10 2017-02-20 삼성전자주식회사 비정질 합금을 이용한 투명 전극 및 그 제조 방법
US10564780B2 (en) 2015-08-21 2020-02-18 3M Innovative Properties Company Transparent conductors including metal traces and methods of making same
CN105093638A (zh) * 2015-09-02 2015-11-25 深圳市华科创智技术有限公司 Pdlc智能膜的制备方法及pdlc智能膜
EP3159897A1 (en) 2015-10-20 2017-04-26 Solvay SA Composition for forming transparent conductor and transparentconductor made therefrom
CN106611627A (zh) * 2015-10-23 2017-05-03 苏州汉纳材料科技有限公司 高质量碳纳米管透明导电膜及其制备方法与应用
CN105810305B (zh) * 2015-10-23 2017-11-24 苏州汉纳材料科技有限公司 柔性CNTs/金属纳米线复合透明导电膜、其制备方法与应用
KR102581899B1 (ko) * 2015-11-04 2023-09-21 삼성전자주식회사 투명 전극 및 이를 포함하는 소자
US10147512B2 (en) 2015-12-09 2018-12-04 C3Nano Inc. Methods for synthesizing silver nanoplates and noble metal coated silver nanoplates and their use in transparent films for control of light hue
US9857930B2 (en) 2015-12-16 2018-01-02 3M Innovative Properties Company Transparent conductive component with interconnect circuit tab comprising cured organic polymeric material
CN105575477B (zh) * 2016-01-27 2017-11-28 深圳先进技术研究院 一种提高银纳米线柔性透明导电膜导电性的方法
ES2632247B1 (es) * 2016-03-11 2020-06-03 Garcia Guerrero Jorge Cable inteligente de fibra óptica y fibras de nanotubos de carbono
KR102277621B1 (ko) * 2016-03-14 2021-07-15 유니티카 가부시끼가이샤 나노와이어 및 그의 제조 방법, 나노와이어 분산액, 및 투명 도전막
KR102004025B1 (ko) * 2016-03-15 2019-07-25 삼성에스디아이 주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN107293591B (zh) * 2016-04-11 2020-03-31 华邦电子股份有限公司 印刷线路、薄膜晶体管及其制造方法
US20180004318A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 Khaled Ahmed Flexible sensor
CN106205876A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 福建农林大学 一种柔性纤维素基透明导电材料的制备方法
KR20180044618A (ko) * 2016-10-24 2018-05-03 현대자동차주식회사 투명 전극 필름 및 이를 포함하는 터치 패널
CN106526991A (zh) * 2016-12-02 2017-03-22 深圳市华星光电技术有限公司 电极制作方法及液晶显示面板
EP3340252A1 (en) 2016-12-22 2018-06-27 Solvay SA Electrode assembly
EP3340253A1 (en) 2016-12-22 2018-06-27 Solvay SA Uv-resistant electrode assembly
CN108630708A (zh) * 2017-03-15 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 导电基板及其制作方法、显示装置
CN108621753A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 凯姆控股有限公司 平面加热结构
JP6978227B2 (ja) * 2017-05-31 2021-12-08 日東電工株式会社 調光フィルム
CN111093492B (zh) * 2017-09-05 2023-01-03 首尔大学校产学协力团 生物电极及其形成方法
JP6782211B2 (ja) 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
KR101987387B1 (ko) * 2017-09-27 2019-06-10 한국화학연구원 광소결 전도성 전극 및 이의 제조방법
CN109822996A (zh) * 2017-11-23 2019-05-31 宸美（厦门）光电有限公司 电控变色车用玻璃
CN108336191B (zh) * 2017-12-08 2019-08-02 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管芯片及制备方法
DE102018200659B4 (de) * 2018-01-16 2020-11-05 Continental Automotive Gmbh Mehrfachschichtanordnung für eine flächig ausgestaltete schaltbare Verglasung, Verglasung und Fahrzeug
TW201940323A (zh) * 2018-03-09 2019-10-16 日商大日本印刷股份有限公司 導電性膜、感測器、觸控面板及影像顯示裝置
KR102003427B1 (ko) * 2018-03-28 2019-07-24 전북대학교산학협력단 섬유기반 접힘 투명 전극을 이용한 유연 액정 필름 및 이의 제조방법
CN108717944B (zh) 2018-05-30 2021-01-08 京东方科技集团股份有限公司 导电膜及其制备方法及显示装置
CN110676341B (zh) * 2018-07-03 2021-06-25 清华大学 半导体结构、光电器件、光探测器及光探测仪
CN108598288A (zh) * 2018-07-10 2018-09-28 上海大学 一种复合多功能oled电极及其制备方法
CN108693597A (zh) * 2018-08-01 2018-10-23 京东方科技集团股份有限公司 导光结构及其制造方法、背光模组、液晶显示装置
TWI684519B (zh) * 2018-08-20 2020-02-11 郭明智 複合導電材料
KR101996833B1 (ko) * 2018-09-21 2019-10-01 현대자동차 주식회사 투명 전극 필름 및 이를 포함하는 터치 패널
CN110083279A (zh) * 2019-05-07 2019-08-02 业成科技（成都）有限公司 透明导电材料、触控结构及触控装置
CN110333793B (zh) * 2019-05-09 2022-12-09 业成科技（成都）有限公司 可挠触控结构
CN110201440B (zh) * 2019-05-23 2023-04-21 中色科技股份有限公司 一种板式过滤机换纸涨缩轴涨缩方法
CN110429202A (zh) * 2019-07-18 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled显示面板、制作方法及智能穿戴设备
CN111112862A (zh) * 2019-12-16 2020-05-08 顾氏纳米科技（浙江）有限公司 一种化学焊接银纳米线的方法
US11947233B2 (en) 2019-12-30 2024-04-02 Sage Electrochromics, Inc. Controlled randomization of electrochromic ablation patterns
CN113650373B (zh) * 2020-05-12 2023-09-08 京东方科技集团股份有限公司 一种触控层及其制备方法，以及触控装置
CN115699220A (zh) * 2020-08-19 2023-02-03 东洋纺株式会社 透明导电性薄膜
CN114694877A (zh) * 2020-12-28 2022-07-01 乐凯华光印刷科技有限公司 一种纳米银线复合透明导电膜
JP2022122545A (ja) * 2021-02-10 2022-08-23 日東電工株式会社 透明導電性フィルム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1442872A (zh) * 2003-04-17 2003-09-17 上海交通大学 多层纳米透明导电膜及其制备方法
JP2005302695A (ja) * 2004-03-18 2005-10-27 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池
WO2007022226A2 (en) * 2005-08-12 2007-02-22 Cambrios Technologies Corporation Nanowires-based transparent conductors
CN1938791A (zh) * 2004-09-13 2007-03-28 住友金属矿山株式会社 透明导电膜及其制造方法、以及透明导电性基材、发光装置

Family Cites Families (221)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2426318A (en) 1945-11-15 1947-08-26 Stanolind Oil & Gas Co Inhibiting corrosion
US3164308A (en) 1961-02-28 1965-01-05 Marcovitch Isaac Containers for liquified fuel gas
EP0100670B1 (en) 1982-07-30 1986-12-03 Mishima Paper Co. Ltd Conductive film for packaging
FR2537898A1 (fr) 1982-12-21 1984-06-22 Univ Paris Procede de reduction de composes metalliques par les polyols, et poudres metalliques obtenues par ce procede
DE3479793D1 (en) 1983-08-01 1989-10-26 Allied Signal Inc Oriented film laminates of polyamides and ethylene vinyl alcohol
US4523976A (en) 1984-07-02 1985-06-18 Motorola, Inc. Method for forming semiconductor devices
US4780371A (en) 1986-02-24 1988-10-25 International Business Machines Corporation Electrically conductive composition and use thereof
JPS63229061A (ja) 1987-03-18 1988-09-22 テルモ株式会社 膜型人工肺とその製造方法
DE3870012D1 (de) 1987-04-03 1992-05-21 Ciba Geigy Ag Antistatische und elektrisch leitende polymere und formmassen.
JP2547765B2 (ja) * 1987-04-07 1996-10-23 株式会社日立製作所 電子機器用電磁波シ−ルド構造体
US5292784A (en) 1989-05-23 1994-03-08 Ganns Financial Group, Inc., Dba Glare Tech Industries Incorporated Anti-glare coating for reflective-transmissive surfaces and method
US5063125A (en) 1989-12-29 1991-11-05 Xerox Corporation Electrically conductive layer for electrical devices
US5716663A (en) 1990-02-09 1998-02-10 Toranaga Technologies Multilayer printed circuit
CA2038785C (en) 1990-03-27 1998-09-29 Atsushi Oyamatsu Magneto-optical recording medium
US5225244A (en) 1990-12-17 1993-07-06 Allied-Signal Inc. Polymeric anti-reflection coatings and coated articles
US5165985A (en) 1991-06-28 1992-11-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making a flexible, transparent film for electrostatic shielding
US5198267A (en) 1991-09-20 1993-03-30 Allied-Signal Inc. Fluoropolymer blend anti-reflection coatings and coated articles
US5270364A (en) 1991-09-24 1993-12-14 Chomerics, Inc. Corrosion resistant metallic fillers and compositions containing same
WO1993012186A1 (en) 1991-12-16 1993-06-24 Peter Graham Ibbotson Antiglare and/or reflection formulation
EP0554220A1 (de) 1992-01-29 1993-08-04 Ciba-Geigy Ag Charge-Transfer Komplexe mit Ferrocenen, deren Herstellung und deren Verwendung
ATE145420T1 (de) 1992-07-15 1996-12-15 Ciba Geigy Ag Beschichtetes material, dessen herstellung und verwendung
EP0588759A1 (de) 1992-08-20 1994-03-23 Ciba-Geigy Ag Dithiopentacenderivate, deren Herstellung und deren Verwendung als Elektronenakzeptoren in Charge-Transfer Komplexen
KR100214428B1 (ko) 1993-06-30 1999-08-02 후지무라 마사지카, 아키모토 유미 적외선차단재와 그것에 사용하는 적외선차단분말
US5415815A (en) 1993-07-14 1995-05-16 Bruno; Art Film for glare reduction
US5460701A (en) 1993-07-27 1995-10-24 Nanophase Technologies Corporation Method of making nanostructured materials
EP0653763A1 (en) 1993-11-17 1995-05-17 SOPHIA SYSTEMS Co., Ltd. Ultraviolet hardenable, solventless conductive polymeric material
US5759230A (en) 1995-11-30 1998-06-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Nanostructured metallic powders and films via an alcoholic solvent process
US5897945A (en) 1996-02-26 1999-04-27 President And Fellows Of Harvard College Metal oxide nanorods
JP2984595B2 (ja) 1996-03-01 1999-11-29 キヤノン株式会社 光起電力素子
IT1282387B1 (it) 1996-04-30 1998-03-20 Videocolor Spa Rivestimento antistatico,antiabbagliante,per una superficie a riflessione-trasmissione
US5820957A (en) 1996-05-06 1998-10-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Anti-reflective films and methods
JPH1017325A (ja) 1996-07-03 1998-01-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化インジウム粉末及びその製造方法
JPH1046382A (ja) 1996-07-26 1998-02-17 Mitsubishi Materials Corp 微細金属繊維の製造方法及び該繊維を用いた導電性塗料
US6202471B1 (en) 1997-10-10 2001-03-20 Nanomaterials Research Corporation Low-cost multilaminate sensors
US5851507A (en) 1996-09-03 1998-12-22 Nanomaterials Research Corporation Integrated thermal process for the continuous synthesis of nanoscale powders
US6933331B2 (en) 1998-05-22 2005-08-23 Nanoproducts Corporation Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants
US6344271B1 (en) 1998-11-06 2002-02-05 Nanoenergy Corporation Materials and products using nanostructured non-stoichiometric substances
US5952040A (en) 1996-10-11 1999-09-14 Nanomaterials Research Corporation Passive electronic components from nano-precision engineered materials
US5905000A (en) 1996-09-03 1999-05-18 Nanomaterials Research Corporation Nanostructured ion conducting solid electrolytes
US5788738A (en) 1996-09-03 1998-08-04 Nanomaterials Research Corporation Method of producing nanoscale powders by quenching of vapors
US5731119A (en) 1996-11-12 1998-03-24 Eastman Kodak Company Imaging element comprising an electrically conductive layer containing acicular metal oxide particles and a transparent magnetic recording layer
US5719016A (en) 1996-11-12 1998-02-17 Eastman Kodak Company Imaging elements comprising an electrically conductive layer containing acicular metal-containing particles
JP3398587B2 (ja) 1996-12-10 2003-04-21 タキロン株式会社 成形可能な制電性樹脂成形品
US6379745B1 (en) 1997-02-20 2002-04-30 Parelec, Inc. Low temperature method and compositions for producing electrical conductors
US6001163A (en) 1997-04-17 1999-12-14 Sdc Coatings, Inc. Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate
US6045925A (en) 1997-08-05 2000-04-04 Kansas State University Research Foundation Encapsulated nanometer magnetic particles
TW505685B (en) 1997-09-05 2002-10-11 Mitsubishi Materials Corp Transparent conductive film and composition for forming same
US6514453B2 (en) 1997-10-21 2003-02-04 Nanoproducts Corporation Thermal sensors prepared from nanostructureed powders
JP2972702B2 (ja) 1998-03-17 1999-11-08 静岡日本電気株式会社 ペン入力型携帯情報端末機
US5867945A (en) 1998-06-04 1999-02-09 Scafidi; Stephen J. Self-cleaning gutter
US6416818B1 (en) 1998-08-17 2002-07-09 Nanophase Technologies Corporation Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor
US6294401B1 (en) 1998-08-19 2001-09-25 Massachusetts Institute Of Technology Nanoparticle-based electrical, chemical, and mechanical structures and methods of making same
US6241451B1 (en) 1998-09-08 2001-06-05 Knight Manufacturing Corp. Distributor apparatus for spreading materials
US6541539B1 (en) 1998-11-04 2003-04-01 President And Fellows Of Harvard College Hierarchically ordered porous oxides
US6855202B2 (en) 2001-11-30 2005-02-15 The Regents Of The University Of California Shaped nanocrystal particles and methods for making the same
US6274412B1 (en) 1998-12-21 2001-08-14 Parelec, Inc. Material and method for printing high conductivity electrical conductors and other components on thin film transistor arrays
US6265466B1 (en) 1999-02-12 2001-07-24 Eikos, Inc. Electromagnetic shielding composite comprising nanotubes
JP3909791B2 (ja) 1999-04-19 2007-04-25 共同印刷株式会社 透明導電膜の転写方法
US6342097B1 (en) 1999-04-23 2002-01-29 Sdc Coatings, Inc. Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate with a matched refractive index and controlled tintability
US6881604B2 (en) 1999-05-25 2005-04-19 Forskarpatent I Uppsala Ab Method for manufacturing nanostructured thin film electrodes
AU6203400A (en) 1999-06-30 2001-01-31 Penn State Research Foundation, The Electrofluidic assembly of devices and components for micro- and nano-scale integration
DE60044972D1 (de) 1999-07-02 2010-10-28 Harvard College Nanoskopischen draht enthaltende anordnung, logisc
JP4358936B2 (ja) * 1999-07-15 2009-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、ゴーグル型表示装置、表示装置の作製方法及びゴーグル型表示装置の作製方法
JP3882419B2 (ja) 1999-09-20 2007-02-14 旭硝子株式会社 導電膜形成用塗布液およびその用途
EP1089113B1 (en) 1999-09-28 2010-03-03 Kyodo Printing Co., Ltd. Transfer body and method using the same
AU774305B2 (en) 1999-10-20 2004-06-24 Igm Group Bv Photoinitiator formulations
JP2002083518A (ja) 1999-11-25 2002-03-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電性基材とその製造方法並びにこの透明導電性基材が適用された表示装置、および透明導電層形成用塗液とその製造方法
NL1016815C2 (nl) 1999-12-15 2002-05-14 Ciba Sc Holding Ag Oximester-fotoinitiatoren.
WO2001044132A1 (fr) 1999-12-17 2001-06-21 Asahi Glass Company, Limited Composition de dispersion de particules ultrafines, composition de couche de liaison intercouche pour verre feuillete, couche de liaison intercouche, et verre feuillete
JP2001205600A (ja) 2000-01-27 2001-07-31 Canon Inc 微細構造体及びその製造方法
CA2404296A1 (en) 2000-03-22 2001-09-27 University Of Massachusetts Nanocylinder arrays
FR2807052B1 (fr) 2000-04-03 2003-08-15 Clariant France Sa Compositions silico-acryliques, leur procede de preparation et leur utilisation
US6773823B2 (en) 2000-04-07 2004-08-10 University Of New Orleans Research And Technology Foundation, Inc. Sequential synthesis of core-shell nanoparticles using reverse micelles
JP2001291431A (ja) 2000-04-10 2001-10-19 Jsr Corp 異方導電性シート用組成物、異方導電性シート、その製造方法および異方導電性シートを用いた接点構造
JP4077596B2 (ja) 2000-05-31 2008-04-16 中島工業株式会社 低反射層を有する転写材及びこれを用いた成型品の製造方法
AU2001271638A1 (en) 2000-06-30 2002-01-14 Microcoating Technologies, Inc. Polymer coatings
JP4788852B2 (ja) 2000-07-25 2011-10-05 住友金属鉱山株式会社 透明導電性基材とその製造方法およびこの製造方法に用いられる透明コート層形成用塗布液と透明導電性基材が適用された表示装置
DE60130581T2 (de) 2000-08-15 2008-06-19 Hammerhead Design And Development, Inc. Magenzugangsport
US20030185990A1 (en) 2000-09-25 2003-10-02 Klaus Bittner Method for pretreating and coating metal surfaces prior to forming, with a paint-like coating and use of substrates so coated
GB0025016D0 (en) 2000-10-12 2000-11-29 Micromass Ltd Method nad apparatus for mass spectrometry
US6537667B2 (en) 2000-11-21 2003-03-25 Nissan Chemical Industries, Ltd. Electro-conductive oxide particle and process for its production
ATE394707T1 (de) 2000-12-04 2008-05-15 Ciba Holding Inc Oniumsalze und ihre verwendung als latente säuren
EP2397576A1 (en) 2000-12-12 2011-12-21 Konica Corporation Layer forming method, product comprising the layer, optical film, dielectric-coated electrode and plasma discharge apparatus
US6744425B2 (en) 2000-12-26 2004-06-01 Bridgestone Corporation Transparent electroconductive film
US6444495B1 (en) 2001-01-11 2002-09-03 Honeywell International, Inc. Dielectric films for narrow gap-fill applications
JP3560333B2 (ja) 2001-03-08 2004-09-02 独立行政法人 科学技術振興機構 金属ナノワイヤー及びその製造方法
CA2442310A1 (en) 2001-03-26 2002-10-03 Eikos, Inc. Coatings containing carbon nanotubes
US6882051B2 (en) 2001-03-30 2005-04-19 The Regents Of The University Of California Nanowires, nanostructures and devices fabricated therefrom
JP2002322558A (ja) 2001-04-25 2002-11-08 Konica Corp 薄膜形成方法、光学フィルム、偏光板及び画像表示装置
US7147687B2 (en) 2001-05-25 2006-12-12 Nanosphere, Inc. Non-alloying core shell nanoparticles
US7238472B2 (en) 2001-05-25 2007-07-03 Nanosphere, Inc. Non-alloying core shell nanoparticles
US6697881B2 (en) 2001-05-29 2004-02-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for efficient format, read, write, and initial copy processing involving sparse logical units
US20030148380A1 (en) 2001-06-05 2003-08-07 Belcher Angela M. Molecular recognition of materials
US20050164515A9 (en) 2001-06-05 2005-07-28 Belcher Angela M. Biological control of nanoparticle nucleation, shape and crystal phase
CA2450014A1 (en) 2001-06-08 2002-12-19 Eikos, Inc. Nanocomposite dielectrics
US6706402B2 (en) 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US6835591B2 (en) 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
WO2003013199A2 (en) 2001-07-27 2003-02-13 Eikos, Inc. Conformal coatings comprising carbon nanotubes
US6934001B2 (en) 2001-08-13 2005-08-23 Sharp Laboratories Of America, Inc. Structure and method for supporting a flexible substrate
KR100438408B1 (ko) 2001-08-16 2004-07-02 한국과학기술원 금속간의 치환 반응을 이용한 코어-쉘 구조 및 혼합된합금 구조의 금속 나노 입자의 제조 방법과 그 응용
JP2004042012A (ja) * 2001-10-26 2004-02-12 Nec Corp 分離装置、分析システム、分離方法および分離装置の製造方法
ITTO20020033A1 (it) 2002-01-11 2003-07-11 Fiat Ricerche Dispositivo elettro-luminescente.
WO2003068674A1 (fr) 2002-02-15 2003-08-21 Japan Science And Technology Agency Structure de fils nanometriques en metal noble et leur procede de production
EP1339082A1 (en) 2002-02-25 2003-08-27 Asahi Glass Company Ltd. Impact-resistant film for flat display panel, and flat display panel
JP4556204B2 (ja) 2003-02-06 2010-10-06 三菱マテリアル株式会社 金属ナノ繊維含有組成物およびその用途
US6872645B2 (en) 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US6946410B2 (en) 2002-04-05 2005-09-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for providing nano-structures of uniform length
WO2004034421A2 (en) 2002-05-10 2004-04-22 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method for electric field assisted deposition of films of nanoparticles
TWI360098B (en) * 2002-05-17 2012-03-11 Semiconductor Energy Lab Display apparatus and driving method thereof
AU2003229333A1 (en) 2002-05-21 2003-12-12 Eikos, Inc. Method for patterning carbon nanotube coating and carbon nanotube wiring
ATE450581T1 (de) 2002-06-13 2009-12-15 Nanopowders Ind Ltd Ein verfahren zur herstellung von transparenten und leitfähigen nano-beschichtungen und nano- pulverbeschichtungen
JP3606855B2 (ja) * 2002-06-28 2005-01-05 ドン ウン インターナショナル カンパニー リミテッド 炭素ナノ粒子の製造方法
JP3842177B2 (ja) 2002-07-03 2006-11-08 独立行政法人科学技術振興機構 貴金属ナノチューブ及びその製造方法
JP2004035962A (ja) 2002-07-04 2004-02-05 Toyota Motor Corp 金属ナノチューブの製造法
JP2004055298A (ja) 2002-07-18 2004-02-19 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 透明導電性被膜形成用塗布液、および透明導電性被膜付基材、表示装置
JP4134313B2 (ja) 2002-07-24 2008-08-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 導電性粉末の製造方法
JP4266732B2 (ja) 2002-08-30 2009-05-20 キヤノン株式会社 積層型回折光学素子
JP2006517186A (ja) 2002-09-04 2006-07-20 ボード オブ リージェンツ ユニバーシティ オブ テキサス システム 二機能性の生体材料の組成物、方法、および使用
AU2003279708A1 (en) * 2002-09-05 2004-03-29 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
AU2003268487A1 (en) 2002-09-05 2004-03-29 Nanosys, Inc. Nanocomposites
US7572393B2 (en) * 2002-09-05 2009-08-11 Nanosys Inc. Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
JP4134314B2 (ja) 2002-09-13 2008-08-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 導電性粉末の製造方法
US20050064508A1 (en) 2003-09-22 2005-03-24 Semzyme Peptide mediated synthesis of metallic and magnetic materials
US7067867B2 (en) 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7135728B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7051945B2 (en) 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US7560160B2 (en) 2002-11-25 2009-07-14 Materials Modification, Inc. Multifunctional particulate material, fluid, and composition
US6949931B2 (en) 2002-11-26 2005-09-27 Honeywell International Inc. Nanotube sensor
JP3972093B2 (ja) 2002-12-04 2007-09-05 独立行政法人物質・材料研究機構 β−Ｇａ２Ｏ３ナノウイスカーとその製造方法
US20040265550A1 (en) * 2002-12-06 2004-12-30 Glatkowski Paul J. Optically transparent nanostructured electrical conductors
JP4341005B2 (ja) 2002-12-17 2009-10-07 三菱マテリアル株式会社 金属ナノワイヤー含有組成物および電磁波遮蔽フィルター
JP2004196981A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Toyobo Co Ltd 表面導電性樹脂成形体
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
KR100502821B1 (ko) 2002-12-26 2005-07-22 이호영 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원
JP2007112133A (ja) 2003-01-30 2007-05-10 Takiron Co Ltd 導電性成形体
JP2004230690A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Takiron Co Ltd 制電性透明樹脂板
US20060257638A1 (en) 2003-01-30 2006-11-16 Glatkowski Paul J Articles with dispersed conductive coatings
JP4471346B2 (ja) 2003-01-31 2010-06-02 タキロン株式会社 電磁波シールド体
JP2004241228A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Toin Gakuen プラスチックフィルム電極及びそれを用いた光電池
JP2004253326A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Toyobo Co Ltd 導電性フイルム
JP2004256702A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Toyobo Co Ltd 導電性塗料
US7029514B1 (en) 2003-03-17 2006-04-18 University Of Rochester Core-shell magnetic nanoparticles and nanocomposite materials formed therefrom
US7521851B2 (en) * 2003-03-24 2009-04-21 Zhidan L Tolt Electron emitting composite based on regulated nano-structures and a cold electron source using the composite
US6916842B2 (en) 2003-03-24 2005-07-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Production of 5-methyl-n-(methyl aryl)-2-pyrrolidone, 5-methyl-n-(methyl cycloalkyl)-2-pyrrolidone and 5-methyl-n-alkyl-2-pyrrolidone by reductive amination of levulinic acid esters with cyano compounds
US6936761B2 (en) 2003-03-29 2005-08-30 Nanosolar, Inc. Transparent electrode, optoelectronic apparatus and devices
TW200503611A (en) 2003-04-28 2005-01-16 Takiron Co Electromagnetic wave shielding light diffusion sheet
TWI250202B (en) 2003-05-13 2006-03-01 Eternal Chemical Co Ltd Process and slurry for chemical mechanical polishing
US7033416B2 (en) 2003-05-22 2006-04-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Low temperature synthesis of metallic nanoparticles
EP1631992A2 (en) * 2003-06-12 2006-03-08 Patterning Technologies Limited Transparent conducting structures and methods of production thereof
CN100395283C (zh) 2003-07-04 2008-06-18 日东电工株式会社 导电纤维素基薄膜
AU2004265938B2 (en) 2003-08-04 2009-07-02 Nanosys, Inc. System and process for producing nanowire composites and electronic substrates therefrom
KR100861899B1 (ko) 2003-09-05 2008-10-09 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 금속 미립자, 그것을 함유하는 조성물 및 금속 미립자 제조방법
US7416993B2 (en) 2003-09-08 2008-08-26 Nantero, Inc. Patterned nanowire articles on a substrate and methods of making the same
US7062848B2 (en) 2003-09-18 2006-06-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printable compositions having anisometric nanostructures for use in printed electronics
US7067328B2 (en) 2003-09-25 2006-06-27 Nanosys, Inc. Methods, devices and compositions for depositing and orienting nanostructures
JP2005103723A (ja) 2003-10-01 2005-04-21 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 金属ナノワイヤーの単結晶化方法及び装置
US6982206B1 (en) 2003-10-02 2006-01-03 Lsi Logic Corporation Mechanism for improving the structural integrity of low-k films
KR100570206B1 (ko) 2003-10-15 2006-04-12 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물
EP1682568A4 (en) 2003-10-15 2009-10-28 Univ Texas MULTIFUNCTIONAL BIOLOGICAL MATERIALS AS EQUIPMENT FOR ELECTRONIC, OPTICAL, MAGNETIC, SEMI-ENDING AND BIOTECHNOLOGICAL APPLICATIONS
KR100570634B1 (ko) 2003-10-16 2006-04-12 한국전자통신연구원 탄소나노튜브와 금속분말 혼성 복합에 의해 제조된 전자파차폐재
WO2005040460A1 (ja) 2003-10-24 2005-05-06 Kyoto University 金属ナノチューブ製造装置および金属ナノチューブの製造方法
US6896739B1 (en) 2003-12-03 2005-05-24 For Your Ease Only, Inc. Anti-tarnish aqueous treatment
EP1541528A1 (en) * 2003-12-08 2005-06-15 Institut Jozef Stefan Quasi-one-dimensional polymers based on the metal-chalcogen-halogen system
JP2005181392A (ja) 2003-12-16 2005-07-07 Canon Inc 光学系
JP4807933B2 (ja) * 2003-12-17 2011-11-02 株式会社アルバック 透明導電膜の形成方法及び透明電極
US20070158642A1 (en) 2003-12-19 2007-07-12 Regents Of The University Of California Active electronic devices with nanowire composite components
TWI243004B (en) 2003-12-31 2005-11-01 Ind Tech Res Inst Method for manufacturing low-temperature highly conductive layer and its structure
US7923109B2 (en) 2004-01-05 2011-04-12 Board Of Regents, The University Of Texas System Inorganic nanowires
US20050165120A1 (en) 2004-01-22 2005-07-28 Ashavani Kumar Process for phase transfer of hydrophobic nanoparticles
KR100625999B1 (ko) 2004-02-26 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 도너 시트, 상기 도너 시트의 제조방법, 상기 도너 시트를이용한 박막 트랜지스터의 제조방법, 및 상기 도너 시트를이용한 평판 표시장치의 제조방법
JP2005239481A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nagoya Institute Of Technology 金属内包カーボンナノチューブ凝集体、その製造方法、金属内包カーボンナノチューブ、金属ナノワイヤおよびその製造方法
US7381579B2 (en) 2004-02-26 2008-06-03 Samsung Sdi Co., Ltd. Donor sheet, method of manufacturing the same, method of manufacturing TFT using the donor sheet, and method of manufacturing flat panel display device using the donor sheet
JP2005277405A (ja) 2004-02-27 2005-10-06 Takiron Co Ltd 画像表示装置用透光性ノイズ防止成形体
JP2005311330A (ja) 2004-03-22 2005-11-04 Takiron Co Ltd 電波吸収体
JP2005281357A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Koyo Sangyo Co Ltd 導電性塗料
JP2005335054A (ja) 2004-04-27 2005-12-08 Japan Science & Technology Agency 金属ナノワイヤー及びその製造方法
JP4491776B2 (ja) 2004-04-28 2010-06-30 三菱マテリアル株式会社 導電性ペースト等の製造方法
JP4524745B2 (ja) 2004-04-28 2010-08-18 三菱マテリアル株式会社 金属ナノワイヤー含有導電性材料およびその用途
JP2006049843A (ja) 2004-06-29 2006-02-16 Takiron Co Ltd 画像表示装置用制電性成形体
KR101125491B1 (ko) 2004-07-08 2012-03-21 다이닛뽄도료가부시키가이샤 금속 미립자의 제조 방법, 및 그것에 의해 제조된 금속미립자, 그리고 그것을 함유하여 이루어지는 조성물,광흡수재, 응용품
US7255796B2 (en) 2004-07-08 2007-08-14 General Electric Company Method of preventing hydrogen sulfide odor generation in an aqueous medium
JP2006035773A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Takiron Co Ltd 粘接着性導電成形体
JP2006035771A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Takiron Co Ltd 導電層転写シート
JP4257429B2 (ja) 2004-09-13 2009-04-22 国立大学法人東北大学 原子の拡散を制御することによる金属ナノワイヤの製造方法およびこの方法により製造する金属ナノワイヤ
JP4372654B2 (ja) 2004-09-30 2009-11-25 住友大阪セメント株式会社 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法
US20060070559A1 (en) 2004-09-30 2006-04-06 Incredible Technologies, Inc. Unitary currency/credit card unit
JP4372653B2 (ja) 2004-09-30 2009-11-25 住友大阪セメント株式会社 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法
US7270694B2 (en) 2004-10-05 2007-09-18 Xerox Corporation Stabilized silver nanoparticles and their use
WO2006124055A2 (en) * 2004-10-12 2006-11-23 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
JP2006111675A (ja) 2004-10-13 2006-04-27 Mitsubishi Materials Corp 金属ナノロッド配向組成物およびその用途
JP2006128233A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Hitachi Ltd 半導体材料および電界効果トランジスタとそれらの製造方法
JP2006133528A (ja) 2004-11-05 2006-05-25 Takiron Co Ltd 制電性光拡散シート
KR100661116B1 (ko) * 2004-11-22 2006-12-22 가부시키가이샤후지쿠라 전극, 광전 변환 소자 및 색소 증감 태양 전지
US7349045B2 (en) 2004-11-24 2008-03-25 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Displacement-designed color filter structure and method of forming the same
CN1842741B (zh) 2004-12-03 2010-11-24 东京应化工业株式会社 化学放大型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂层层叠体、光致抗蚀剂组合物的制造方法、光致抗蚀图案的制造方法以及连接端子的制造方法
JP4665499B2 (ja) 2004-12-10 2011-04-06 三菱マテリアル株式会社 金属微粒子とその製造方法とその含有組成物ならびにその用途
JP2006171336A (ja) 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
TWI246103B (en) * 2004-12-22 2005-12-21 Powertip Technology Corp Carbon nanotube substrate structure and the manufacturing method thereof
WO2007061428A2 (en) 2004-12-27 2007-05-31 The Regents Of The University Of California Components and devices formed using nanoscale materials and methods of production
JP2008076416A (ja) 2004-12-27 2008-04-03 Sharp Corp 表示パネルの駆動装置、表示パネル及びそれを備えた表示装置並びに表示パネルの駆動方法
US20060172282A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-03 Naik Rajesh R Peptide templates for nanoparticle synthesis obtained through PCR-driven phage display method
JP4821951B2 (ja) 2005-02-23 2011-11-24 三菱マテリアル株式会社 ワイヤー状の金微粒子と、その製造方法および含有組成物ならびに用途
US20100127241A1 (en) * 2005-02-25 2010-05-27 The Regents Of The University Of California Electronic Devices with Carbon Nanotube Components
JP2006239790A (ja) 2005-03-01 2006-09-14 Tohoku Univ 金属ナノワイヤ作製法および金属ナノワイヤ
US7489432B2 (en) 2005-03-25 2009-02-10 Ricoh Company, Ltd. Electrochromic display device and display apparatus
JP2006272876A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Takiron Co Ltd 導電体
JP2006310353A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Takiron Co Ltd 電波吸収体
US7902639B2 (en) 2005-05-13 2011-03-08 Siluria Technologies, Inc. Printable electric circuits, electronic components and method of forming the same
KR100686796B1 (ko) 2005-05-17 2007-02-26 삼성에스디아이 주식회사 전자파 차단층을 구비한 전지 외장재 및 이를 이용한파우치형 이차 전지
KR100720101B1 (ko) * 2005-08-09 2007-05-18 삼성전자주식회사 나노구조의 다기능성 오믹층을 사용한 탑에미트형 질화물계발광소자 및 그 제조방법
JP4974332B2 (ja) 2005-09-07 2012-07-11 一般財団法人電力中央研究所 ナノ構造体およびその製造方法
US7341944B2 (en) 2005-09-15 2008-03-11 Honda Motor Co., Ltd Methods for synthesis of metal nanowires
JP2007091859A (ja) 2005-09-28 2007-04-12 Koyo Sangyo Co Ltd 導電性塗料
JP2007105822A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 National Institute For Materials Science 原子スケール金属ワイヤもしくは金属ナノクラスター、およびこれらの製造方法
GB2434692A (en) * 2005-12-29 2007-08-01 Univ Surrey Photovoltaic or electroluminescent devices with active region comprising a composite polymer and carbon nanotube material.
US7507449B2 (en) * 2006-05-30 2009-03-24 Industrial Technology Research Institute Displays with low driving voltage and anisotropic particles
US20100029036A1 (en) * 2006-06-12 2010-02-04 Robinson Matthew R Thin-film devices formed from solid group iiia particles
US7630041B2 (en) * 2006-06-23 2009-12-08 Tsinghua University Liquid crystal cell assembly for liquid crystal display
WO2008127313A2 (en) * 2006-11-17 2008-10-23 The Regents Of The University Of California Electrically conducting and optically transparent nanowire networks
JP2009057518A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Institute Of Physical & Chemical Research 異方性フィルムおよび異方性フィルムの製造方法
CN102365753A (zh) * 2008-10-30 2012-02-29 纳米太阳能公司 混合型透明导电电极

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1442872A (zh) * 2003-04-17 2003-09-17 上海交通大学 多层纳米透明导电膜及其制备方法
JP2005302695A (ja) * 2004-03-18 2005-10-27 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池
CN1938791A (zh) * 2004-09-13 2007-03-28 住友金属矿山株式会社 透明导电膜及其制造方法、以及透明导电性基材、发光装置
WO2007022226A2 (en) * 2005-08-12 2007-02-22 Cambrios Technologies Corporation Nanowires-based transparent conductors

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008131304A1 (en) 2008-10-30
US20120033367A1 (en) 2012-02-09
KR20100017128A (ko) 2010-02-16
US20080259262A1 (en) 2008-10-23
US10244637B2 (en) 2019-03-26
EP2147466B1 (en) 2014-03-12
JP2010525526A (ja) 2010-07-22
EP2147466A1 (en) 2010-01-27
CN101689568B (zh) 2014-02-26
US20090321364A1 (en) 2009-12-31
JP2015135831A (ja) 2015-07-27
KR101456838B1 (ko) 2014-11-04
EP2477229A3 (en) 2012-09-19
CN101689568A (zh) 2010-03-31
TWI487125B (zh) 2015-06-01
TWI556456B (zh) 2016-11-01
TW200924203A (en) 2009-06-01
TW201543701A (zh) 2015-11-16
SG156218A1 (zh) 2009-11-26
CN103777417A (zh) 2014-05-07
US20190191569A1 (en) 2019-06-20
EP2477229A2 (en) 2012-07-18
US8018563B2 (en) 2011-09-13
EP2477229B1 (en) 2021-06-23
JP6098860B2 (ja) 2017-03-22
JP6181698B2 (ja) 2017-08-16
HK1134860A1 (zh) 2010-05-14
EP2147466B9 (en) 2014-07-16
US11224130B2 (en) 2022-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103777417B (zh) 复合透明导体及其形成方法
JP6180468B2 (ja) 層状透明導電体を形成するための流体分散体、及び層状透明導電体の製造方法
Nguyen et al. Advances in flexible metallic transparent electrodes
JP2020125483A (ja) ナノスケール着色剤を使用して明るい色相が制御される透明フィルム
Cai et al. Inkjet-printed metal oxide nanoparticles on elastomer for strain-adaptive transmissive electrochromic energy storage systems
Yu et al. All-solution-processed molybdenum oxide-encapsulated silver nanowire flexible transparent conductors with improved conductivity and adhesion
US11904389B2 (en) Scalable electrically conductive nanowires bundle-ring-network for deformable transparent conductor
CN106661354A (zh) 用于制备导电透明层的包含银纳米线及结晶纤维素的纤维的组合物
Zou et al. Cellulose wrapped silver nanowire film with enhanced stability for transparent wearable heating and electromagnetic interference shielding
Chen et al. Annealing-free solution-processed silver nanowire-polymer composite transparent electrodes and flexible device applications
Kumar et al. A review on the electrically conductive transparent polymer composites: Materials and applications
van Deelen et al. Highly improved transparent conductors by combination of TCOs and metallic grids
Zhu Emerging Materials for Transparent Conductive Electrodes and Their Applications in Photovoltaics

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20160928

Address after: Virgin Islands

Applicant after: CAM HOLDING Corp.

Address before: Island of Eden, Republic of Seychelles

Applicant before: Guanwei International Co.,Ltd.

Effective date of registration: 20160928

Address after: Island of Eden, Republic of Seychelles

Applicant after: Guanwei International Co.,Ltd.

Address before: California, USA

Applicant before: CAMBRIOS TECHNOLOGIES Corp.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Virgin Islands

Patentee after: British Virgin Islands Shangtiancai Innovative Materials Technology Co.,Ltd.

Address before: Virgin Islands

Patentee before: CAM HOLDING Corp.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20140507

Assignee: NUOVO FILM SUZHOU CHINA Inc.

Assignor: British Virgin Islands Shangtiancai Innovative Materials Technology Co.,Ltd.

Contract record no.: 2018990000341

Denomination of invention: Composite transparent conductors and methods of forming the same

Granted publication date: 20170118

License type: Exclusive License

Record date: 20181210

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract