CN104040022A - 用于将涂层施涂到成卷形式的基底的方法 - Google Patents

用于将涂层施涂到成卷形式的基底的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104040022A
CN104040022A CN201280053711.4A CN201280053711A CN104040022A CN 104040022 A CN104040022 A CN 104040022A CN 201280053711 A CN201280053711 A CN 201280053711A CN 104040022 A CN104040022 A CN 104040022A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
major surfaces
coating
chad
edge surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280053711.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104040022B (zh
Inventor
比尔·H·道奇
小大卫·K·西纳德尔
马特哈津·昂
阿尔廷·马尔格哈里安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
3M Innovative Properties Co
Original Assignee
3M Innovative Properties Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 3M Innovative Properties Co filed Critical 3M Innovative Properties Co
Publication of CN104040022A publication Critical patent/CN104040022A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104040022B publication Critical patent/CN104040022B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/403Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45555Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/401Oxides containing silicon
    • C23C16/402Silicon dioxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/405Oxides of refractory metals or yttrium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/407Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth

Abstract

本发明公开了一种用于将涂层施涂到成卷形式的基底的方法,所述基底包括第一边缘面和第二边缘面,所述第二边缘面与所述第一边缘面相对,所述基底还具有第一主表面和第二主表面,所述第二主表面与所述第一边缘面相对,所述第一主表面和所述第二主表面在所述第一边缘面和所述第二边缘面之间延伸,所述方法包括将涂层施涂到成卷形式的基底的至少一个边缘面以及任选地一个或两个主表面的至少一部分。本发明还公开了根据前述方法制备的成卷形式的制品。

Description

用于将涂层施涂到成卷形式的基底的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2011年10月31日提交的美国临时申请序列号61/553,564的优先权,其公开内容全文以引用方式并入本文。
技术领域
本公开涉及用于将涂层施涂到成卷形式的基底的方法,并且更具体地涉及使用原子层沉积将涂层施涂到成卷的基底的至少一个边缘面。
背景技术
以成卷形式提供的产品(如粘合带的卷)通常通过将液体组合物施涂(如通过施涂)到未成卷的基底的主表面而制备,至少部分地固化或干燥在基底上的组合物,并且然后将支承固化或干燥的组合物的基底卷绕到圆柱形芯体或芯轴上,以便产生施涂产品的卷。通过在垂直于主表面的方向上切穿成卷的基底,可以将卷随后切割成宽度更小的卷。
然而,一些施涂方法并非意图将液体施涂到基底上,而是将气相材料施涂到基底。一种此类示例性气相施涂工艺是原子层沉积(ALD)。原子层沉积最初为在制造薄膜电致发光(TFEL)平板显示器中使用而开发。对ALD的关注已经在过去几年显著增加,主要集中在制造微电子器件中有用的硅基基底(如晶片)上,这是由于这种方法能够在原子水平上控制这些膜的成分和厚度来生产非常薄、适形的膜。
ALD另外已经用于施涂在牙科复合材料中存在的填料颗粒,如在国际专利公布No.WO2009/045752(Kalgutkar等人)中所述。最近,ALD已经用于施涂分立的基底片(美国专利No.6,713,177B2,George等人),用于施涂纤维基底(美国专利公布No.2009/0137043,Parsons等人),以及使用连续的卷到卷幅材处理系统(美国专利公布No.2010/0189900,Dickey等人)。
发明内容
在一个方面,本公开以方法为特色,更具体地提供用于处理基底的方法,甚至更具体地提供用于将涂层施涂到成卷形式的基底的方法,基底包括:第一边缘面,以及与所述第一边缘面相对的第二边缘面,其中所述基底包括第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面,第一主表面和第二主表面在第一边缘面和第二边缘面之间延伸,以及将涂层施涂到成卷形式的基底的至少一个边缘面。在一些示例性实施例中,该方法包括将涂层施涂到成卷形式的至少一个边缘面和一个主表面的至少一部分。
在一些示例性实施例中,施涂涂层是使用原子层沉积、分子层沉积或它们的组合执行的。在某些示例性实施例中,施涂涂层包括逐步原子层沉积涂层,其中所述逐步原子层沉积涂层包括反复传输两种或更多种反应性气体穿过成卷形式的基底,以在成卷形式的基底的至少一个边缘面和一个主表面的至少一部分上引起两种或更多种自限制反应。
在任何前述方法的另外的示例性实施例中,将涂层施涂到第一主表面和第二主表面中的每一个的至少一部分。在一些示例性实施例中,将涂层施涂到第一主表面或第二主表面中的一个的至少一部分。在某些此类示例性实施例中,将涂层施涂到整个第一主表面和两个边缘面。在其它的此类示例性实施例中,将涂层施涂到整个第二主表面和两个边缘面。
在任何前述方法的某些示例性实施例中,基底还包括多个穿孔,多个穿孔中的每一个具有内周边壁,内周边壁在第一主表面和第二主表面之间延伸。在一些此类示例性实施例中,多个穿孔中的至少一个包括孔屑,孔屑附接到多个穿孔中的至少一个的内周边壁。在一些此类示例性实施例中,多个穿孔中的每一个包括孔屑,孔屑附接到多个穿孔中的每一个的对应内周边壁。在任何前述此类方法的另外的示例性实施例中,每个孔屑包括暴露的边缘周边,并且进一步地,其中将涂层施涂到至少一个孔屑的暴露的边缘周边。在另外的此类示例性实施例中,将涂层施涂到每个孔屑的暴露的边缘周边。
在前述方法的另外的示例性实施例中,将涂层施涂到多个穿孔中的至少一个的内周边壁的至少一部分。在一些此类示例性实施例中,将涂层施涂到多个穿孔中的至少一个的整个内周边壁。在另外的此类示例性实施例中,将涂层施涂到多个穿孔中的每一个的整个内周边壁。
在任何前述方法中,基底可包括柔性膜、纤维网或它们的组合。在一些示例性实施例中,基底是微孔的。在某些示例性实施例中,基底还包括(共)聚合物。
在任何前述方法中,涂层可包括无机材料。任选地,无机材料包括至少一种铝、硅、钛、锡、锌、或它们的组合的氧化物。
在另一方面,根据任何的前述方法制备成卷形式的制品。
已总结了本公开的示例性实施例的多个方面和优势。以上发明内容并非意图描述本公开的每个图示实施例或每种实施方式。另外的特征和优点在如下实施例中公开。随后的附图和具体实施方式使用本文所公开的原理来更具体地举例说明某些优选实施例。
附图说明
结合附图来考虑本发明以下各个实施例的详细描述可以更完全地理解本发明,其中:
图1为示出在本公开一些示例性实施例中可用的用于将涂层施涂到成卷形式的基底的示例性设备和方法的横截面侧视图。
图2A为示出根据本公开一些示例性实施例的成卷形式的示例性制品的透视图,该制品在基底的至少一个边缘面和一个主表面的至少一部分上具有涂层。
图2B为示出根据本公开其它示例性实施例的成卷形式的示例性制品的透视图,该制品在基底至少一个边缘面上具有涂层,该制品包括至少一个衬片。
图3为示出根据本公开其它示例性实施例的成卷形式的示例性制品的顶部详细透视图,该制品在基底的至少一个边缘面和一个主表面的至少一部分上具有涂层,该基底还包括多个穿孔以及任选地至少一个孔屑,该孔屑附接到至少一个穿孔的内周边壁。
虽然可不按比例绘制的以上附图示出了本发明的多个实施例,但还可以想到其它的实施例,如在具体实施方式中所述。在所有情况下,本公开都通过示例性实施例的表示而非通过表述限制来描述当前公开的发明。应当理解,本领域的技术人员可以设计出许多其它的修改形式和实施例,这些修改形式和实施例也在本发明的精神和范围之内。
具体实施方式
如本说明书所用,由端点表述的数值范围包括归入该范围内的所有数值(如1到5包括1,1.5,2,2.75,3,3.8,4,和5等)。
除非另外指明,否则在所有情况下,本说明书和实施例中所使用的所有表达数量或成分、性质测量等的数值均应理解成由术语“约”所修饰。因此,除非有相反的说明,否则上述说明书和所附实施例列表中所述的数值参数可以根据本领域技术人员利用本发明的教导内容寻求获得的所需性质而有所变化。在最低程度上说,每一个数值参数并不旨在限制等同原则在受权利要求书保护的实施例的范围内的应用,至少应该根据所报告的数值的有效数位和通过惯常的四舍五入法来解释每一个数值参数。
对于以下给出定义的术语,除非基于以下术语表中使用的术语的修改形式的具体引用,在权利要求中或在说明书中的其它地方提供了不同的定义,否则整个说明书、包括权利要求都应该以这些定义为准:
术语表
词语“一个”和“所述”与“至少一个”可互换地使用,以表示所述元件中的一个或多个。
术语“层”是指在基底上或铺盖基底的任何材料或材料组合。
用于描述各层位置的取向词语,例如“上方”、“之上”、“覆盖”、“最上方”、“铺盖”、“下面的”等,是指相对于水平设置的、向上面向的基底的层的相对位置。不旨在包围基底和层的基底、层或制品,在制造期间或之后,在空间中应该具有任何具体取向。
术语“涂层”是指施涂到并且粘附到下面的基底的材料的相对薄层。
相对于多层结构的基底或另一层而描述层位置的术语“罩面层”或“包覆的”意指描述的层在基底或另一层上方或铺盖基底,但不必与基底或其它层邻近或邻接。
术语“(共)聚合物”包括均聚物和共聚物以及可以在可混溶的共混物中形成的均聚物或共聚物,如通过共挤出或通过包括如酯交换反应在内的反应形成。术语“共聚物”包括无规聚合物和嵌段共聚物两者。
术语“无孔的”意指基底基本上不含孔。
术语“多孔的”意指基底包含开口(即“孔”),这些开口足够让至少气体可穿过开口和基底。
术语“微孔的”意指基底包含孔,该孔的内部横截面的中值尺寸(“中值孔尺寸”,如,就圆柱形孔而言的直径)为不大于1,000微米,使得气体可以穿过孔内的基底。优选的微孔基底包括孔,该孔的中值孔尺寸为0.01至1,000微米(包括端值在内)、更优选0.1至100微米(包括端值在内)、甚至更优选0.2至20微米(包括端值在内)、以及最优选0.3至3微米或甚至1微米(包括端值在内)。如本说明书全文所用,使用ASTM标准F316-03中所述的泡点压力测量方法可确定中值孔尺寸。
参照在涂层沉积之前的基底的术语“非陶瓷的”意指基底基本上不包括无机金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物或其它陶瓷材料。优选的“非陶瓷的”基底完全不含陶瓷材料,并且更优选地基本上由纤维有机材料(如聚合纤维、天然纤维、碳纤维等)组成,甚至更优选地只由有机材料组成。
参照基底的术语“可压缩材料”广义地是指在应用通常用于将牙科制品放置和/或设置在牙齿结构上的压力时体积显著减少的材料。通常用于将牙科制品放置和/或设置在牙齿结构上的力一般为在0.5到5磅力的范围内,如施涂到面积为0.106平方厘米(0.0164平方英寸)的键合基底。这对应于在0.2到2.0兆帕的范围内的计算的压力。压缩体积/初始体积的比率(即,压缩率)将根据所用的可压缩材料而变化。在一些实施例中,压缩率通常为最多0.9、最多0.7、或最多0.5。在一些实施例中,压缩率为至少0.001、至少0.01、或至少0.1。
术语“孔屑”是指当一个或多个穿孔(如孔)例如通过冲压通过基底的主表面形成所产生的基底片段。完全冲压的穿孔或孔一般产生从穿孔去除的孔屑,从而形成基底孔屑的集合(如五彩碎屑)。不完全冲压的穿孔或孔一般导致仍保持附接到基底的孔屑,例如其中孔屑的暴露的边缘周边的一个或多个部分仍通过基底的主表面附接到孔或穿孔的内周长壁。
现在将具体参照附图描述本发明的各种示例性实施例。在不脱离本公开精神和范围的前提下,本公开的示例性实施例可进行各种修改和更改。因此,应当理解,本发明的实施例不应限于以下所述的示例性实施例,但应受控于权利要求书及其任何等同物中示出的限制。
用于将涂层施涂到成卷形式的基底的设备
现在参见图1,示出了用于将涂层施涂到成卷形式的基底的示例性设备的横截面侧视图。示出的设备20适于与本公开结合的间歇工艺,并且具有包括入口24和出口26的主体22。入口24和出口26在成卷形式的基底30的相对侧上,并且基底被定位,使得在D1方向上入口24处引入的反应性气体在穿过成卷的基底30时发生化学反应,以在D2方向上一路前进到出口26。在所描绘的实施例中,成卷的基底30的外周边的一部分由双面法兰32a、32a’、32b和32b’便利地保持,但技术人员将认识到可使用其它手段将成卷的基底30保持在设备20的主体22中。
虽然为了进行示意性的说明而在图1中示出间歇工艺,但应当理解,可以使用连续工艺。例如,可以将基底30的卷传送(如通过传送带,在附图中未示出)到用于将涂层施涂到成卷形式的基底的腔室(如反应器)中。此外,虽然为了进行示意性的说明而在图1中示出单个成卷的基底30,但应当理解,可以处理不止一个成卷形式的基底,例如通过在它们的横向边缘面上堆叠多个基底卷。
用于将涂层施涂到成卷形式的基底的方法
再次参见图1,本公开的特点是用于处理成卷形式的基底30的方法,更具体地用于将涂层25施涂到成卷形式的基底30的方法,该方法包括提供成卷形式的基底30,该基底30包括第一边缘面30a和与所述第一边缘面相对的第二边缘面30b,其中基底30包括第一主表面28a和与所述第一主表面28a相对的第二主表面(在图1中未示出;参见在图2A中的28b),第一主表面28a和第二主表面28b在第一边缘面30a和第二边缘面30b之间延伸,并且将涂层25施涂到成卷形式的基底30的至少一个边缘面30a。在一些示例性实施例中,该方法包括将涂层25施涂到成卷形式的基底30的至少一个边缘面30a和至少一个主表面(28a和/或28b)的至少一部分。
在前述示例性实施例中的任何者中,可以将涂层25施涂到第一主表面28a和第二主表面28b中的至少一个的仅一部分。例如,这可通过控制对反应性气体的成卷的基底30的暴露时间、或通过控制在惰性载气中的反应性气体的浓度而实现,以使得随着反应性气体通过第一边缘面30并且横跨成卷的基底30的第一主表面28a和第二主表面28b,会发生自限制表面反应。此类自限制表面反应可仅用于施涂或处理从第一边缘面30a延伸的第一主表面28a和第二主表面28b中的至少一个的该部分,并且保留从第二边缘面30b延伸的第一主表面28a和第二主表面28b中的至少一个的该部分未处理或未施涂。
现在转向图2A,其为透视图,示出示例性制品(如粘合带),该制品包括成卷形式的基底30,该基底具有涂层25,将该涂层施涂到成卷形式的基底30的两个边缘面(30a和30b)以及整个第一主表面和第二主表面(28a和28b)。
现在参见图2B,其为透视图,示出根据本公开其它示例性实施例的另一个示例性制品(如粘合带),该制品包括具有在成卷的基底30’的至少一个边缘面30a上的涂层25的成卷形式的另一个基底30’,该制品包括至少一个衬片(27a和/或27b)。如在图2B中示出,两个衬片,其中一个衬片27a邻近第一主表面28a定位并且紧紧地粘附到第一主表面28a,以及另一个衬片27b邻近第二主表面28b定位并且紧紧地粘附到第二主表面28b,这两个衬片可有利地用于选择性地将涂层25施涂到仅第一边缘面30a,并且任选地另外施涂到第二边缘面30b(在附图中未示出),而不需要将涂层25施涂到第一或第二主表面(25a和25b)。
在附图中没有示出的其它示例性实施例中,涂层25被施涂到整个第一主表面28a和两个边缘面(30a和/或30b)。在前述方法中的任何者的其它示例性实施例中,涂层25被施涂到整个第二主表面28b和两个边缘面(30a和/或30b)。
在附图中没有示出的某些可选示例性实施例中,涂层25可以被施涂到成卷形式的基底30’的整个第一主表面28a和两个边缘面(30a和30b)。在附图中没有示出的其它可选示例性实施例中,将涂层施涂到成卷形式的基底30’的整个第二主表面28b和两个边缘面(30a和30b)。
在使用至少一个衬片(27a和/或27b)的前述示例性实施例中的任何者中,可以使用如以上示例且以下进一步描述的自限制表面反应将涂层25施涂到第一主表面28a或第二主表面28b中的仅至少一个或这两者的一部分。作为另外一种选择,可以选择第一衬片27a和/或第二衬片27b,这些衬片仅横跨第一主表面28a和/或第二主表面的一部分延伸。虽然在附图中没有示出,但根据前述公开的这种实施例在本领域技术人员的水平内。
现在转向图3,其为顶部详细透视图,示出示例性制品(如粘合带),该制品包括成卷形式的另一个基底30”,该基底30’在基底30的至少一个边缘面(30a和/或30b)和一个主表面(28a和/或28b)的至少一部分上具有涂层25,基底30”还包括多个穿孔31以及任选地至少一个孔屑29,该孔屑29附接到在第一主表面28a和第二主表面28b之间延伸的穿孔31中的至少一个的内周边壁35。
在图3中示出的具体示例性制品中,涂层25被施涂到两个边缘面(30a和30b)、整个第一主表面和第二主表面(28a和28b),孔屑(29)包括孔屑的暴露边缘,以及成卷形式的基底30”的穿孔31的内周边壁35。
在一些此类示例性实施例中,多个穿孔31中的至少一个包括孔屑29,该孔屑29附接到多个穿孔31中的至少一个的内周边壁35。在一些此类示例性实施例中,多个穿孔31中的每一个包括孔屑29,该孔屑29附接到多个穿孔31中的每一个的对应内周边壁35。在前述这种方法中的任何者的另外的示例性实施例中,每个孔屑29包括暴露的边缘周边33,并且涂层25被施涂到至少一个孔屑29的暴露的边缘周边33。在另外的此类示例性实施例中,涂层25被施涂到每个孔屑29的暴露的边缘周边33。
在前述方法的另外的示例性实施例中,涂层25被施涂到多个穿孔31中的至少一个的内周边壁35的至少一部分。在一些此类示例性实施例中,涂层25被施涂到多个穿孔31中的至少一个的整个内周边壁35。在另外的此类示例性实施例中,涂层25被施涂到多个穿孔31中的每一个的整个内周边壁35。
多个穿孔31和相应的多个孔屑29可具有任何形状,例如三角形、圆形、矩形、方形、多边形等等,如由图3所示。多个穿孔31和多个孔屑29可以采用任何工艺创建,例如通过采用模具(未示出)进行冲压,该模具被成形用于匹配穿孔31和相应的孔屑29的所需形状。
各种施涂方法可用于将涂层25施涂到成卷的基底30(或30’或30”)。在一些示例性实施例中,将涂层25施涂到基底30(或30’或30”)是使用原子层沉积、分子层沉积或它们的组合执行的。一个特别有用的方法是逐步原子层沉积(ALD),如例如在PCT国际公布No.WO2011/037831(Dodge)和No.WO2011/037798(Dodge)中所述。
与其它技术相比,ALD施涂法提供用于将涂层25施涂到成卷的基底30(或30’或30”)的优点。首先,该方法使用一系列的顺序自限制表面化学反应以构建涂层,从而允许对最终厚度的精确控制。第二,该方法利用能够渗透和施涂多孔材料和结构的反应性气体。例如,两种或更多种反应性气体可反复传输通过成卷的基底,以引起在成卷的基底表面上的两种或更多种自限制反应。具有优异适形能力和大体均匀厚度的纳米级涂层是可能的,因为沉积是非定向的,并且不需要在沉积设备和基底之间的视线。最后,ALD可用于沉积多种化学上各种不同材料的涂层。
在不损坏基底的任何可用的温度下,可以将涂层施涂到本公开的制品。在一些实施例中,如在约300℃或更低、约200℃或更低、约70℃或更低、或甚至约60℃或更低的温度下执行该方法。
在本公开的一些可用实施例中,基底是多孔的聚合物基底,更优选是微孔聚合物基底,甚至更优选是微孔纤维基底网。在这种实施例中,通常方便的是在低于多孔聚合物基底的熔融温度的温度下进行处理,以便不引起基底或孔的热畸变。例如,如果对于基底的结构完整性可取,则本公开的方法可在如低于300℃、低于250℃、低于200℃、低于150℃、低于100℃、低于约70℃或更低、或甚至低于约60℃或更低的温度下操作。
当在具有入口和出口的反应器中制备根据本发明的制品时,可以(并且有时是便利的)设置至少第二基底的至少一部分,使得第二基底也将入口与出口分离。已经表明,使用该方法可同时地成功处理三个或更多个基底。
基底可在间歇工艺中加以处理,或基底可在分步和反复排序的工艺中加以处理,或其可在连续运动的工艺中加以处理,其中成卷形式的基底被传送(如通过传送带)到配置用于处理成卷的基底的反应器的处理区中。在一些示例性实施例中,本公开的方法可包括处理当卷静止时成卷形式的基底的至少一个边缘面。作为另外一种选择,当卷通过合适的输送设备输送时可处理基底的至少一个边缘面。在任一场景下,基于与例如处理的所需程度、成卷的基底尺寸和/或基底的组合物有关的多种因素,可选择要处理的边缘面之间的间隙和反应器入口以及对处理的边缘面的暴露时间。
该方法的一种适宜的变型形式是在间歇式反应器中执行所述工艺,使得将反应器本身结合到旨在提供给最终消费者的产品中。例如,反应器可以是过滤器主体的形式,且过滤器主体和具有原位施涂的涂层的多孔非陶瓷基底均可以是销售给最终使用者的过滤器的一部分。在一些实施例中,可在串联或并联流动途径中同时处理多个过滤器。
在某些示例性实施例中,施涂涂层包括逐步原子层沉积涂层,其中所述逐步原子层沉积涂层包括反复传输两种或更多种反应性气体穿过成卷形式的基底,以在成卷形式的基底的至少一个边缘面和一个主表面的至少一部分上引起两种或更多种自限制反应。对自限制顺次涂层的应用的有用论述可见于例如美国专利No.6,713,177、No.6,913,827、和No.6,613,383。
熟悉ALD反应领域的人员可根据当前方法容易确定第一反应性气体和第二反应性气体中哪一个是自限制反应的合适选择,以便产生以上讨论的涂层。例如,如果需要含铝化合物,则可将三甲基铝或三异丁基铝气体用作两种反应性气体之一。当所需的含铝化合物为氧化铝时,重复中的另一种反应性气体可以是水蒸气或臭氧。当所需的含铝化合物为氮化铝时,重复中的另一种反应性气体可以是氨或氮/氢等离子体。当所需的含铝化合物为硫化铝时,重复中的另一种反应性气体可以是硫化氢。
同样,如果作为铝化合物的替代,硅化合物在涂层中是理想的,则两种反应性气体中的一种可以(如)是四甲基硅烷或四氯化硅。上文并入的参考文献对取决于所需最终结果的合适的反应性气体给出了进一步的指导。
虽然所述方法的单个反复可构造可适于一些目的的分子单层,但所述方法的许多可用的实施例将重复所述执行步骤至少8、10、20或更多次反复。每次重复会增加涂层厚度。因此,在一些实施例中,选择重复次数以在多孔非陶瓷基底中实现预定的孔隙率或平均内部孔径。在一些实施例中,通过控制执行的重复次数,涂层可用于可控制地减小多孔非陶瓷基底的孔隙率(如,以控制基底的表观孔尺寸),以实现所需的孔隙率(如,所需的平均内部孔径)。例如,涂层可将多孔非陶瓷基底的孔隙率减小5%或更多、25%或更多、或甚至50%或更多。相似地,如果基底包含孔,则涂层可将平均内部孔径减小5nm或更多。
在一些应用中,应用该方法的目的是在基底的内表面上实现亲水性。在这些应用中,重复该步骤,直到实现目标表面能,例如(如)72达因/厘米(亲水性的一种常用定义)。此外,还可能有利的是,多孔非陶瓷基底最靠近出口的外表面也具有大于72达因/厘米的表面能,并且在这些情况下,应重复执行步骤直到实现该目标。在一些特别的实施例中,可能有利的是使内表面亲水,但最靠近出口的多孔非陶瓷基底的外表面是疏水的(如,小于72达因/厘米)。
在许多便利的实施例中,一旦将涂层施涂到所需表面上,基底就适于其最终用途。然而,有时可用的是在涂层上执行第二操作。这可在反应器内或在另一个便利的设备中完成。例如,甚至在已经处理基底的边缘表面中的一个或两个或甚至主表面的情况下,如再现亲水性,则基底的外主表面中的一个或两个可随后以最终尺寸的涂层来处理,以使主表面中的一个或两个再现亲水性。这一技术可用来制备(如)只应通过气体和水蒸气而不通过液态水的气管内导管的排气过滤器。
可执行的另一种二次操作是将化学部分接枝到涂层上。例如,这样一种技术的讨论可见于美国专利申请公开No.2010/0075131和No.2010/0075560,所述技术可以外推以为具有根据本公开涂层的多孔(共)聚合物基底提供接枝配体基团,如,选自聚乙烯亚胺配体基团和双胍配体基团。通过辐射能或粒子能进行接枝的步骤也可用于附接其它可用的配体,例如硅烷、诸如抗体的生物活性部分、螯合剂和催化涂层。
材料
不同材料在实施上述方法中是可用的。此类材料可广义地分类为包括基底和涂层。
基底
在上述方法中的任何者中,基底可包括刚性载体、柔性膜、纤维网或它们的组合。
合适的刚性载体包括但不限于玻璃、木材、金属、处理金属(诸如包括汽车和船舶表面的那些)、(共)聚合物材料和诸如纤维增强(共)聚合物材料的复合材料。
可用的柔性膜包括但不限于:纸、聚施涂牛皮纸、超级砑光或玻璃纸牛皮纸;(共)聚合物例如聚(丙烯)、双轴取向聚丙烯、聚(乙烯)、聚(乙烯氯乙烯)、聚碳酸酯、聚(四氟乙烯)、聚酯[例如聚(对苯甲酸乙二醇酯)]、聚(乙烯萘二甲酸酯)、聚酰胺诸如杜邦的KAPTONTM、乙酸纤维素和乙基纤维素。
此外,合适的基底可由(刚性或柔性)金属、金属箔片、金属化(共)聚合物膜或陶瓷片材料制成。基底也可采取布料背衬的形式,如由合成纤维或这些共混物的线形成的织造物。
结合本公开,基底的物理拓扑并不重要。取决于最终用途,基底可以是平坦的、褶皱的、管状的、多孔的,以薄中空纤维、单纤维或作为筒式纤维盒或任何其它可用的构造的形式。
在一些示例性实施例中,基底可被表面处理(如,电晕或火焰处理)或以(如)底漆或印刷接收层施涂。在某些示例性实施例中,可使用多层基底。
在一些示例性实施例中,基底是多孔的,更优选是微孔的。在某些示例性实施例中,基底还包括(共)聚合物。当微孔(共)聚合物基底采用前述方法时,使用已经利用诱导相分离技术呈现多孔的基底可能是便利的,所述技术为例如热致相分离(TIPS)、蒸气诱导相分离(VIPS)或在美国专利申请公开No.7,842,214中讨论的诱导相分离的共浇铸法。
下面向普通技术人员推荐形成与本公开一起使用的源自(共)聚合物材料的多孔基底的其它方式。例如,可以使用针刺非织造物例如缝编或水刺纤网,以及纺粘法非织造物例如熔喷或纺粘纤网。对于其他应用,非聚合物非陶瓷材料例如天然织物、碳纤维、烧结金属或玻璃可能是合适的。
在当前的优选实施例中,成卷的基底30是多孔的非织造纤维网,其包括通过使用标准的熔喷纤维形成工艺制造的(共)聚合物材料。此类工艺在美国专利申请公布No.2006/0096911(Brey等人)中有所描述。吹塑的微纤维一般由熔化的(共)聚合物形成,该(共)聚合物进入并且流过模具,该流动在模具腔中横跨模具宽度分布。(共)聚合物通过一系列的孔口以原丝离开。在一个实施例中,加热的空气流流经空气歧管和气刀组件,气刀组件邻近形成模具出口的一系列聚合物孔口。调节加热空气的温度和速度,以将(共)聚合物原丝细化至所需的纤维直径。纤维然后可在该湍流空气流中朝向旋转表面输送,这里它们被收集以形成网。
作为另外一种选择,非织造材料可使用在本领域中已知的多个其它制造方法中的任意方法制作。例如,纤维可以静电纺纱或纺粘。作为进一步的替代,纤维可向下拉延以形成短纤维网、卷曲、然后切割成更短的长度,以处理成非制造纤维网。
非织造材料可特别适合作为用于牙科复合材料的成卷的基底,因为它们是允许树脂在整个非织造材料本体中渗透的高度开放的结构。非织造物也可以宽泛的有效纤维直径(EFD)范围制造,如由Davies,C.N.在“The Separation of Airborne Dust and Particles,”Institution ofMechanical Engineers,London Proceedings1B,1952(“气载粉尘和粒子的分离”,英国机械工程师协会,伦敦论文集1B,1952年)中给出的方法确定。有利地,EFD可用于调节复合材料的密度、纹理和处理特性。在一些实施例中,非织造物具有至少0.1微米、至少0.5微米、至少1.0微米、至少2微米或至少2.5微米的平均EFD。在一些实施例中,非织造物具有最多20微米、最多15微米、最多10微米、最多8微米或最多6微米的平均EFD。
非织造垫或纤维可由任意多种聚合物材料制成,包括热塑性聚氨酯、聚丁烯、聚酯、聚烯烃(如聚乙烯和聚丙烯)、聚酯、苯乙烯类共聚物、尼龙、以及它们的组合。在牙科复合材料应用中,发现聚丙烯特别有利,因为其抵制最可硬化的牙科复合材料的吸收,并且提供相对高程度的压缩率。
虽然微孔非织造(共)聚合物材料当前优选,但基底也可由其它微孔材料制成。例如,基底可以是泡沫(例如纤维素泡沫、玻璃泡沫、聚合物泡沫以及它们的组合)或海绵。作为另外一种选择,微孔非织造材料可包括玻璃纤维(如玻璃棉)、陶瓷纤维、棉纤维、纤维素纤维、织造垫、纱罩以及它们的组合。
下面向普通技术人员推荐形成与本公开一起使用的源自聚合物材料的多孔基底的其它方式。例如,可以使用针刺非织造物例如缝编或水刺纤网,以及纺粘法非织造物例如熔喷或纺粘纤网。对于其他应用,非聚合物非陶瓷材料例如天然织物、碳纤维、烧结金属或玻璃可能是合适的。
涂层
在任何前述方法中,涂层优选包括通过反应性气体的化学反应形成的无机材料。任选地,无机材料包括至少一种铝、硅、钛、锡、锌、或它们的组合的氧化物。在一个当前优选的实施例中,ALD用于沉积使用二元反应的共形铝氧化物(Al2O3)涂层,该二元反应为2Al(CH3)3+3H2O→Al2O3+6CH4。这可分成以下的两个表面半反应:
AlOH*+Al(CH3)3→AlOAl(CH3)2*+CH4 (1)
AlCH3*+H2O→AlOH*+CH4 (2)
在以上的反应(1)和(2)中,星号表示表面物质。在反应(1)中,Al(CH3)3与羟基(OH*)物质反应,从而沉积铝并且使表面甲基化。反应(1)在基本上所有的羟基物质已经与Al(CH3)3反应之后停止。然后,在反应(2)中,H2O与AlCH3*物质反应,并且沉积氧气,以及使表面再羟基化。反应(2)在基本上所有的甲基物质已经与H2O反应之后停止。因为每个反应是自限制的,所以沉积发生受原子层控制。
在一些实施例中,涂层具有至少0.5纳米、至少1纳米、至少2纳米、至少3纳米或至少4纳米的厚度。在一些实施例中,涂层具有最多100纳米、更优选50纳米、最多20纳米、最多15纳米、最多10纳米或最多8纳米的厚度。在ALD中的涂层生长可使用任何已知的方法监视和记录,包括石英晶体微量天平的使用。
使用ALD能够被施涂的材料包括二元材料,即形式为Qx Ry的材料,其中Q和R表示不同的原子,并且x和y被选择以提供静电中性材料。合适的二元材料包括多种无机氧化物(例如二氧化硅和金属氧化物,例如氧化锆、氧化铝、二氧化硅、氧化硼、氧化钇、氧化锌、氧化镁、二氧化钛等)、无机氮化物(例如氮化硅、AlN和BN)、无机硫化物(例如硫化镓、二硫化钨和硫化钼)以及无机磷化物。此外,各种金属涂层也是可以的,包括钴、钯、铂、锌、铼、钼、锑、硒、铊、铬、铂、钌、铱、锗、钨、以及它们的组合和合金。
自限制表面反应也可用于生长有机聚合物膜或涂层。这种类型的生长通常描述为分子层沉积(MLD),因为分子片段在每个反应周期期间沉积。MLD方法已经被开发用于诸如聚酰胺的聚合物的生长,其使用二羧酸和二胺作为反应物。也可使用已知的MLD方法,其涉及异双官能团和开环前体。此外在George等人的Accounts of Chemical Research(2009)42,498(2009)(化学研究评述)中描述了涉及MLD的细节。
其它沉积也可用于将涂层沉积到成卷的基底上。例如,逐层聚电解质涂层可用于制备具有精确控制厚度的涂层。该方法涉及从水性溶液中沉积交替的阳离子和阴离子聚电解质层,以递增构建表面涂层。涉及逐层聚电解质涂层的另外的细节提供在美国专利申请公布No.2010/080841(Porbeni等人)中。
可通过原子层控制生长技术施涂的涂层是优选的。可容易地以此方式施涂的涂层包括二元材料,即具有Qx Ry形式的材料,其中Q和R表示不同的原子,x和y为反映静电中性材料的数值。合适的二元材料包括多种无机氧化物(例如二氧化硅和金属氧化物,例如氧化锆、氧化铝、二氧化硅、氧化硼、氧化钇、氧化锌、氧化镁、TiO2等)、无机氮化物(例如氮化硅、AlN和BN)、无机硫化物(例如硫化镓、二硫化钨和硫化钼)、以及无机磷化物。此外,多种金属涂层是可用的,包括钴、钯、铂、锌、铼、钼、锑、硒、铊、铬、铂、钌、铱、锗和钨。
对自限制性顺次涂层的应用的有用论述可见于例如美国专利No.6,713,177、No.6,913,827、和No.6,613,383。
熟悉ALD反应领域的人员可易于确定第一反应性气体和第二反应性气体中哪一种才是自限制性反应的合适选择,以便形成以上讨论的涂层。例如,如果需要含铝化合物,则可将三甲基铝或三异丁基铝气体用作两种反应性气体中的一种。当所需的含铝化合物为氧化铝时,重复中的另一种反应性气体可以是水蒸气或臭氧。当所需的含铝化合物为氮化铝时,重复中的另一种反应性气体可以是氨或氮/氢等离子体。当所需的含铝化合物为硫化铝时,重复中的另一种反应性气体可以是硫化氢。
同样,如果作为铝化合物的替代,硅化合物在涂层中是理想的,则两种反应性气体之一可以是(如)四甲基硅烷或四氯化硅。上文并入的参考文献对合适的反应性气体给出了进一步的指导,具体取决于所需的最终结果。
虽然采用所讨论的反应性气体的单次重复可沉积可能合适于某些目的分子层,但该方法的许多可用的实施例将重复执行步骤至少8次、10次、20次或更多次。每次重复会增加涂层厚度。因此,在一些实施例中,选择重复次数以在多孔非陶瓷基底中实现预定的孔隙率或平均内部孔径。在一些实施例中,通过控制执行的重复次数,可将涂层用于可控制地减小多孔非陶瓷基底的孔隙率(如,控制基底的表观孔径),以实现所需的孔隙率(如,所需的平均内部孔径)。例如,涂层可将多孔非陶瓷基底的孔隙率减小5%或更多、25%或更多、或甚至50%或更多。相似地,如果基底包含孔,则涂层可将平均内部孔径减小5nm或更多。
在一些应用中,利用该方法的目的是实现对基底主表面或多孔基底内表面的亲水性。在这些应用中,重复该步骤,直到实现目标表面能,例如(如)72达因/厘米(亲水性的一种常用定义)。此外,还可能有利的是,最靠近出口的基底主表面具有大于72达因/厘米的表面能也是理想的,并且在这些情况下,应重复执行步骤直到实现该目标。相比之下,在一些特别的实施例中,使基底内表面亲水、而使最靠近出口的外表面保留疏水性是理想的(如,小于72达因/厘米)。
成卷形式的制品
在另一方面,根据任何前述方法制备成卷形式的制品。在多种当前优选实施例中,本公开的成卷的基底可以是粘合带的卷,该粘合带包括背衬层和设置在背衬层主表面上的粘合剂涂层。粘合带卷还可包括设置在第二主表面上的防粘涂层或粘附性低的背胶层。
作为另外一种选择,粘合带卷可包括至少一个衬片(在图2B中的27a和/或27b),这种衬片可具有在基底主表面上设置的防粘涂层,与背衬层的粘合剂施涂主表面接触。又如,粘合带卷可包括防粘衬片,这种衬片包括在其主表面中的每一个的至少一部分上设置的防粘涂层和在防粘涂层之一上沉积的粘合剂涂层。
合适的背衬层的例子包括但不限于玻璃纸、醋酸酯、纤维、聚酯、乙烯基树脂、聚乙烯、聚丙烯(包括如单轴取向的聚丙烯和双轴取向的聚丙烯)、聚四氟乙烯、聚氟乙烯、聚氨酯、聚酰亚胺、纸材(如聚涂层牛皮纸以及超级砑光或玻璃牛皮纸)、织造网(如棉、聚酯、尼龙和玻璃)、非织造网、箔(如铝、铅、铜、不锈钢和黄铜箔带)以及它们的组合。
合适的防粘衬片基底的例子包括纸材和聚合物膜。合适的防粘涂层组合物的例子包括但不限于硅氧烷、氟碳化合物和聚烯烃,包括(如)聚乙烯和聚丙烯。背衬层和当存在时的防粘衬片也可包括增强剂,这种增强剂包括但不限于纤维、原丝(如玻璃纤维原丝)、和饱和剂(如合成橡胶胶乳饱和的纸衬背)。可使用本公开的方法处理的通用类型粘合带包括掩模胶带、电气胶带、胶带、原丝胶带、医疗胶带、转移胶带、等等。
意料不到的结果和优点
本公开的示例性实施例具有胜于其它基底涂层方法的优点。与大多数先前的施涂方法相比之下,在一些示例性实施例中,本公开的方法提供这样的能力,即,可选择性地将涂层25施涂到至少一个(或两个)边缘面(30a和30b)、至少第一主表面和第二主表面(28a和28b)中的至少一个的至少一部分(或整体)、包括暴露的孔屑(29)的任何孔屑(29)、和成卷形式的基底30(或30’或30”)的任何穿孔31的内周边壁35。
此外,与先前公开的片材施涂工艺或先前公开的卷到卷网施涂工艺相比,使用用于将涂层施涂到成卷形式的基底的当前公开的方法存在其它显著优点。这些优点包括,在一些实施例中,选择性地表面处理第一主表面和第二主表面(28a和28b)中的至少一个的仅一部分,表面处理新形成的孔屑冲切边缘和/或在网中的穿孔,并且在制造组装工艺之前避免逐出部分冲切孔屑的可能性(没有退绕/回绕步骤)。
在一些实施例中,除了非织造网的全部初始内部表面和外部表面之外,这些优点还包括在非织造纤维网已经转变之后表面处理在非织造纤维网中的新冲切孔屑和/或穿孔的能力,从而使整个成卷的基底制品或网得到改进的表面特性。另一个优点是当前公开方法的能力,即,施涂所有这些表面,而不需要通过退绕和回绕基底作为网来重新暴露基底表面,从而减少在制造组装工艺之前不经意逐出部分冲切孔屑的可能性。当基底仍保持卷的形式时,通过将改进表面处理的属性选择性地赋予到基底上,孔屑和任何附接组件被逐出的能力被消除,因为不存在在当前公开方法中执行的基底的退绕或回绕。
此外,如上所述,在本公开的示例性方法中,涂层可以是聚合物(有机)或陶瓷(无机物)。具体参照用作可重新定位牙科复合材料的临时载体,例如,将无机涂层施涂到微孔非织造纤维网的步骤可提供一个或多个令人惊讶的技术优点。第一,在聚合物纤维表面处存在的无机材料显著改变纤维的表面化学。无机涂层的存在量足以增强成卷的基底的润湿行为。对于薄层沉积,改进的程度也可通过控制层厚度来调控。
此外,原子层沉积是定量的沉积,因此提供层厚度的精确控制,其优于常规的方法,例如物理气相沉积或溅射。具有调控的润湿行为可有助于确保纤维通过可硬化的组件(或树脂)基本均匀地施涂。增强的可润湿性也可有利于非织造材料中树脂的吸收和/或饱和。所有的这些因素可积极地影响粘合剂组件的键合强度和键合可预测性。
第二,无机涂层可提供用于诸如硅烷处理(或硅烷化)进一步表面改性特征的化学。有利地,硅烷化表面可允许在基底和随后施涂的粘合剂之间进行化学粘合。不同于先前已知的粘合剂组件,这些组件允许在成卷的基底和粘合剂之间进行机械粘合和化学粘合两者。这可显著增强粘合强度和粘合可靠性。提供的牙科复合材料的独特特征是共价键合不仅发生在树脂和无机涂层之间的接触面处,还发生在无机涂层和非织造材料纤维之间的接触面处。硅烷处理的进一步选择和优点在美国专利申请公布No.2012/0070794(Tzou等人)中有所描述。
第三,无机涂层用作在树脂和非织造材料纤维之间的化学阻隔。这在此是特别显著的,其中非织造垫是聚合物型,并且具有包含低聚物、添加剂、稳定剂或能够浸出聚合物的其它小分子的潜能。通过基本上均匀施涂纤维,在存在树脂或溶剂的情况下,无机涂层可尽可能减少或防止这些可提取组分离开纤维。此外,涂层也可用作诸如氧气的某些气体的阻隔,这些气体可扩散出非织造纤维并且抑制树脂的聚合反应。溶剂提取研究表明,与具有未施涂聚丙烯纤维的粘合剂组件相比,具有施涂聚丙烯纤维的粘合剂组件显示了减小的质量损失(参见实例)。
第四,以薄的共形层施涂成卷的基底的一个或多个主表面的步骤也可减少在总体复合材料中的回弹水平。相对于牙齿矫正的粘合剂应用,这可特别有益,其中一般应使回弹最小化。低回弹是可取的,不仅尽可能准确地表述器具的进出处方,还缓解回弹时由空气进入复合材料导致的组合物中的空隙或气穴的风险。令人惊讶的是,观察到在4到8纳米厚度范围内的共形氧化铝施涂的非织造材料,与等同的未施涂材料相比,这种材料不仅显示优异的可润湿性和阻隔性,还减少回弹。
最后,在非织造基底材料的至少一个主表面上应用无机涂层可提供对粘合剂组件的本体机械性能进行改性的便利机制。例如,ALD涂层可用于硬化非织造基底的纤维,从而硬化基底。作为另外一种选择,这些涂层可用于精确地改变基底的渗透性或回弹水平,当适形基底材料被压缩并且然后允许松弛时可发生回弹。这些方面中的每一个表示显著本体属性,可调节这种属性,从而使粘合剂得—到最佳处理。
本公开的示例性实施例已在上文中进行描述,且进一步通过以下实例在下文中进行说明,这不应当解读为以任何方式对本公开范围施加限制。相反,应当清楚地理解,可以采取多种其它实施例、修改形式及其等同物,本领域的技术人员在阅读本文的说明之后,在不脱离本发明的精神和/或所附权利要求书的范围的前提下,这些其它实施例、修改形式及其等同物将显而易见。
实例
以下实例旨在说明在本公开范围内的示例性实施例。虽然阐述本发明广义范围的数值范围和参数是近似值,但在具体实例中所列出的数值则是尽可能精确地加以记录。然而,任何数值都固有地含有一定的误差,这些误差不可避免地由其各自的试验测定中存在的标准偏差引起。最低程度上说,每个数值参数并不旨在限制等同原则在权利要求书保护范围内的应用,至少应该根据所记录的数值的有效数位和通过惯常的四舍五入法来解释每个数值参数。
示例性ALD涂层设备和程序
使用三个直径为6英寸(15.24cm)的双面法兰(以ConFlat DoubleSide Flange(600-400-D CF)(ConFlat双面法兰)从新罕布什尔州威尔顿的金博尔物理公司(Kimball Physics Inc.(Wilton,NH))商购获得)构造大致如图1所示的反应器。在此法兰层叠件要作为上游侧的一面连接一个直径为6英寸(15.24cm)的ConFlat Double Side Flange(600DXSP12)(ConFlat双面法兰)(得自金博尔物理公司(Kimball Physics Inc.),其具有一个1/8"(0.32cm)的NPT侧孔)。该侧孔用于连接Baratron(10托)压力计(从马萨诸塞州安多弗的MKS仪器公司(MKS Instruments ofAndover,MA)商购获得),以使得可以监控工艺过程中的排出压力(在材料之前)。在此元件层叠件的每一端用直径为6英寸(15.24cm)的从金博尔物理公司(Kimball Physics Inc.)商购获得的ConFlat Zero-LengthReducer Flange(600×275-150-0-T1)(ConFlat零长度异径法兰)封上。在此层叠件的接合中的每个处,使用合适大小的铜垫圈,以便形成良好的真空密封。
对于该元件的叠堆,首先将直径为2.75"(7cm)的ConFlat DoubleSide Flanges(275-150-D CF)(ConFlat双面法兰)附接到入口侧,然后附接具有一个1/8"(0.32cm)NPT Side Hole(275DXSP12)(NPT侧孔)的直径为2.75"(7cm)的ConFlat Double Side Flanges(ConFlat双面法兰),并且进一步再附接直径为2.75"(7cm)的ConFlat Solid/Blank(ConFlat实心/盲板)法兰。1/8"(0.32cm)NPT Side Hole(NPT侧孔)用于引入反应性气体,如以下讨论将描述的。
将25ISO到275的CF Reducer(QF25X275)(CF减压器)附接到该元件叠堆的出口侧,接着附接具有1/8"(0.32cm)NPT Side Hole(275DXSP12)(NPT侧孔)的直径为2.75"(7cm)的ConFlat Double SideFlanges(ConFlat双面法兰),其然后接着附接ConFlat Double Side GateValve(ConFlat双面闸阀),其然后附接具有1/8"(0.32cm)NPT Side Hole(275DXSP12)(NPT侧孔)的另一个直径为2.75"(7cm)的ConFlat DoubleSide Flanges(ConFlat双面法兰)。接着是25ISO到275CF Reducer(QF25X275)(CF减压器),其然后经由柔性不锈钢真空软管连接到XDS-5Scroll(旋涡式)泵(配备有吹扫能力)。
附接到第一ConFlat Double Side Flange(275DXSP12)(ConFlat双面法兰)(在闸阀之前)的第一1/8"(0.32cm)NPT Side Hole(NPT侧孔)的是用于排气反应器压力读出的MKS Baratron(10托)压力计、具有旁通采样的SRS PPR300Residual Gas Analyzer(残余气体分析仪),以及与针型阀内嵌式连接的低真空/旁通管线。该旁通管线设置允许气体围绕闸阀流动,以用于减少泵送,但也发现作为二次泵送管线允许在表面处理期间更大的反应器压力是有用的。第二ConFlat Double SideFlange(275DXSP12)(ConFlat双面法兰)(接着闸阀)的1/8"(0.32cm)NPT Side Hole(NPT侧孔)用作用于包含以上讨论的针型阀的带阀低真空/旁通管线的再入端口。
设置用于反应性气体的入口,使直径为2.75"(7cm)的ConFlatDouble Side Flanges(ConFlat双面法兰)中的1/8"NPT侧孔位于入口侧上,如上所述。该入口管线从气体歧管送入,吹扫气体(工艺氮气(N2))以及第一反应性气体和第二反应性气体两者均在气体歧管中流动。此外,设计歧管,以使得吹扫气体管线首先进入到歧管、接着进入用于第一反应性气体和第二反应性气体的入口管线中。这允许在歧管中的工艺氮气(N2)保持气体连续正向流出歧管,以确保没有任何反应性气体回流到其它反应性气体的供应管线中。
为进一步避免第一反应性气体和第二反应性气体入口管的不慎交叉污染,将用于第一反应性气体的管线引导通过常闭阀,而将用于第二反应性气体的管线引导通过常开阀。将这些控制端口的两个阀门设置为由同一开关一前一后地启动,以确保两条管不会同时向反应器添加前体气体。
通过配有SS Metering Bellows-Sealed Valve(SS计量波纹管式密封阀)类型的管道针型阀的单独的阀门调节系统对管线中的每一个的开与关进行二次控制,以精确地控制前体气体中的每一个的流速。在这些计量阀中的每一个的上游是流量控制阀,其可用作316L VIM/VARUHP Diaphragm-Sealed Valve(隔膜密封阀)从俄亥俄州梭伦的世伟洛克公司(Swagelok Company of Solon,OH.)商购获得。这些流量控制阀中的每一个的上游是形式为300mL容量的不锈钢泡罩的反应性气体供应罐,其可以目录号Z527068从密苏里州圣路易斯的西格玛-奥德里奇公司(Sigma-Aldrich,of St.Louis,MO.)商购获得。
如上所述的该反应器/设备配备有各种不同的带加热器、加热胶带和常规类型的筒式加热器,以控制反应器的温度及其气体供应。
虽然本说明书详细描述了某些示例性实施例,但应当理解,本领域的技术人员在理解上述内容时,可以轻易设想这些实施例的更改形式、变型形式和等同形式。因此,应当理解,本发明不应不当地受限于以上示出的示例性实施例。此外,本文引用的所有出版物、公布的专利申请和公布的专利均以引用方式全文并入本文,正如具体而单独地指出各个单独的出版物或专利以引用方式并入本文的程度相同。已经描述了多种示例性实施例。这些实施例和其它实施例属于以下列出的公开的实施例的范围内。

Claims (20)

1.一种方法,该方法包括:
提供成卷形式的基底,所述基底包括:
第一边缘面;和
第二边缘面,所述第二边缘面与所述第一边缘面相对,
其中所述基底包括第一主表面和第二主表面,所述第二主表面与所述第一主表面相对,所述第一主表面和所述第二主表面在所述第一边缘面和所述第二边缘面之间延伸,以及
将涂层施涂到所述成卷形式的基底的至少一个边缘面以及任选地一个主表面的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的方法,其中施涂所述涂层是使用原子层沉积、分子层沉积或它们的组合执行的。
3.根据权利要求2所述的方法,其中施涂所述涂层包括逐步原子层沉积所述涂层,其中所述逐步原子层沉积所述涂层包括反复传输两种或更多种反应性气体穿过所述成卷形式的基底,以在所述成卷形式的基底的至少一个边缘面上引起两种或更多种自限制反应。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中将所述涂层施涂到所述第一主表面或所述第二主表面中的一个的至少一部分。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中将所述涂层施涂到所述第一主表面和所述第二主表面中的每一个的至少一部分。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中将所述涂层施涂到整个第一主表面和两个边缘面。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中将所述涂层施涂到整个第二主表面和两个边缘面。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述基底还包括多个穿孔,所述多个穿孔中的每一个具有在所述第一主表面和所述第二主表面之间延伸的内周边壁。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述多个穿孔中的至少一个包括孔屑,所述孔屑附接到所述多个穿孔中的至少一个的内周边壁。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述多个穿孔中的每一个包括孔屑,所述孔屑附接到所述多个穿孔中的每一个的相应的内周边壁。
11.根据权利要求10所述的方法,其中每个孔屑包括暴露的边缘周边,并且进一步地,其中将所述涂层施涂到至少一个孔屑的暴露的边缘周边。
12.根据权利要求11所述的方法,其中将所述涂层施涂到每个孔屑的暴露的边缘周边。
13.根据权利要求8-12中任一项所述的方法,其中将所述涂层施涂到所述多个穿孔中的至少一个的内周边壁的至少一部分。
14.根据权利要求13所述的方法,其中将所述涂层施涂到所述多个穿孔中的至少一个的整个内周边壁。
15.根据权利要求14所述的方法,其中将所述涂层施涂到所述多个穿孔中的每一个的整个内周边壁。
16.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述基底包括柔性膜、纤维网或它们的组合。
17.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述基底是微孔的。
18.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述基底还包括(共)聚合物。
19.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述涂层包含无机材料,任选地,其中所述无机材料包括至少一种铝、硅、钛、锡、锌、或它们的组合的氧化物。
20.一种成卷形式的制品,其根据前述权利要求中任一项的方法制备。
CN201280053711.4A 2011-10-31 2012-10-26 用于将涂层施涂到成卷形式的基底的方法 Expired - Fee Related CN104040022B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161553564P 2011-10-31 2011-10-31
US61/553,564 2011-10-31
PCT/US2012/062117 WO2013066749A1 (en) 2011-10-31 2012-10-26 Methods for applying a coating to a substrate in rolled form

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104040022A true CN104040022A (zh) 2014-09-10
CN104040022B CN104040022B (zh) 2017-02-22

Family

ID=48192648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280053711.4A Expired - Fee Related CN104040022B (zh) 2011-10-31 2012-10-26 用于将涂层施涂到成卷形式的基底的方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9243322B2 (zh)
EP (1) EP2773793B1 (zh)
JP (1) JP6231483B2 (zh)
KR (1) KR101985043B1 (zh)
CN (1) CN104040022B (zh)
BR (1) BR112014010116A8 (zh)
WO (1) WO2013066749A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019010696A1 (en) * 2017-07-14 2019-01-17 General Electric Company METHOD FOR DEPOSITION LAYERED BY GAS PHASE MOLECULAR LAYER ON A MICROPOROUS SUPPORT

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11326255B2 (en) * 2013-02-07 2022-05-10 Uchicago Argonne, Llc ALD reactor for coating porous substrates
CN105378148B (zh) 2013-07-16 2018-03-27 3M创新有限公司 膜的卷处理
JP5906507B1 (ja) * 2015-02-27 2016-04-20 株式会社昭和真空 多層膜被覆樹脂基板およびその製造方法
US20210061662A1 (en) * 2018-01-11 2021-03-04 Yangchuan Xing A method of forming conformable nanoscale coatings on substrates
US11111578B1 (en) 2020-02-13 2021-09-07 Uchicago Argonne, Llc Atomic layer deposition of fluoride thin films
US11901169B2 (en) 2022-02-14 2024-02-13 Uchicago Argonne, Llc Barrier coatings

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1514864A (zh) * 2001-03-14 2004-07-21 3M 防止胶带卷的端面发粘的方法
US20100112345A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-06 Marco Sieber Protective coating for adhesive tape rolls
WO2011037798A1 (en) * 2009-09-22 2011-03-31 3M Innovative Properties Company Method of applying atomic layer deposition coatings onto porous non-ceramic substrates

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58207050A (ja) * 1982-05-27 1983-12-02 Canon Inc 円筒状電子写真感光体
JPH03136026A (ja) * 1989-10-23 1991-06-10 Mitsubishi Electric Corp 色温度情報記録カメラおよび色温度情報記録方法
US5687523A (en) * 1994-08-26 1997-11-18 E-Z Taping System, Inc. Drywall tape
JP3608838B2 (ja) * 1995-03-28 2005-01-12 アネルバ株式会社 薄膜形成装置および薄膜形成方法
JPH10165861A (ja) * 1996-12-09 1998-06-23 Hitachi Telecom Technol Ltd 塗装用マスキングテープ及びその作成装置
JPH11216368A (ja) * 1998-01-29 1999-08-10 Nippon Steel Corp 金属製触媒コンバーターおよびその製造方法
US6613383B1 (en) 1999-06-21 2003-09-02 Regents Of The University Of Colorado Atomic layer controlled deposition on particle surfaces
US6713177B2 (en) 2000-06-21 2004-03-30 Regents Of The University Of Colorado Insulating and functionalizing fine metal-containing particles with conformal ultra-thin films
FR2818291B1 (fr) 2000-12-19 2003-11-07 Snecma Moteurs Densification de substrats poreux creux par infiltration chimique en phase vapeur
JP2005133165A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Masahito Yonezawa 帯状基板の処理装置及び処理方法
US20050172897A1 (en) 2004-02-09 2005-08-11 Frank Jansen Barrier layer process and arrangement
US7115304B2 (en) 2004-02-19 2006-10-03 Nanosolar, Inc. High throughput surface treatment on coiled flexible substrates
KR200367014Y1 (ko) 2004-08-13 2004-11-11 김철호 알루미늄 증착 테이프
US20060096911A1 (en) 2004-11-08 2006-05-11 Brey Larry A Particle-containing fibrous web
JP4655663B2 (ja) 2005-02-21 2011-03-23 コニカミノルタオプト株式会社 塗布層を有するロール状フィルムの製造方法、ロール状光学フィルム、偏光板、液晶表示装置
JP4912635B2 (ja) * 2005-08-01 2012-04-11 リンテック株式会社 貼着部材および光学部品の貼着方法
KR101065312B1 (ko) 2005-09-28 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 원자층 증착 장치
ES2361661T3 (es) 2006-03-26 2011-06-21 Lotus Applied Technology, Llc Dispositivo y procedimiento de deposición de capas atómicas y método de revestimiento de substratos flexibles.
US20070281089A1 (en) 2006-06-05 2007-12-06 General Electric Company Systems and methods for roll-to-roll atomic layer deposition on continuously fed objects
US7842214B2 (en) 2007-03-28 2010-11-30 3M Innovative Properties Company Process for forming microporous membranes
WO2008131152A2 (en) 2007-04-23 2008-10-30 3M Innovative Properties Company Fibrous articles with one or more polyelectrolyte layers thereon and methods for making the same
GB0716653D0 (en) 2007-08-25 2007-10-03 Eastman Kodak Co Method of reducing dye fade
US20110229838A1 (en) 2007-10-01 2011-09-22 Kalgutkar Rajdeep S Orthodontic composition with polymeric fillers
KR100928222B1 (ko) * 2007-10-31 2009-11-24 한국전기연구원 가이드 롤러가 구비된 장선 증착 장치
WO2009070574A2 (en) 2007-11-27 2009-06-04 North Carolina State University Methods for modification of polymers, fibers and textile media
WO2010033794A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 3M Innovative Properties Company Ligand graft functionalized substrates
US8534591B2 (en) * 2009-08-31 2013-09-17 E I Du Pont De Nemours And Company Apparatus and method for loading a film cassette for gaseous vapor deposition
US20120070794A1 (en) 2010-09-16 2012-03-22 3M Innovative Properties Company Functionalized adhesive coated orthodontic appliances
US20140017637A1 (en) 2011-03-24 2014-01-16 3M Iinnovative Properties Company Dental adhesive comprising a coated polymeric component

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1514864A (zh) * 2001-03-14 2004-07-21 3M 防止胶带卷的端面发粘的方法
US20100112345A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-06 Marco Sieber Protective coating for adhesive tape rolls
WO2011037798A1 (en) * 2009-09-22 2011-03-31 3M Innovative Properties Company Method of applying atomic layer deposition coatings onto porous non-ceramic substrates

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019010696A1 (en) * 2017-07-14 2019-01-17 General Electric Company METHOD FOR DEPOSITION LAYERED BY GAS PHASE MOLECULAR LAYER ON A MICROPOROUS SUPPORT

Also Published As

Publication number Publication date
BR112014010116A2 (pt) 2017-06-13
KR101985043B1 (ko) 2019-05-31
US20140272432A1 (en) 2014-09-18
JP6231483B2 (ja) 2017-11-15
JP2014535006A (ja) 2014-12-25
KR20140096325A (ko) 2014-08-05
US9243322B2 (en) 2016-01-26
EP2773793A4 (en) 2015-03-25
BR112014010116A8 (pt) 2017-06-20
CN104040022B (zh) 2017-02-22
EP2773793A1 (en) 2014-09-10
WO2013066749A1 (en) 2013-05-10
EP2773793B1 (en) 2017-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104040022A (zh) 用于将涂层施涂到成卷形式的基底的方法
US11369904B2 (en) Filter media including adhesives and/or oleophobic properties
KR101720821B1 (ko) 컨포멀 층을 갖는 다공성 기재를 포함하는 물품
Zhong et al. Oriented two-dimensional zeolitic imidazolate framework-L membranes and their gas permeation properties
US7923068B2 (en) Fabrication of composite materials using atomic layer deposition
TW201325704A (zh) 分離膜及分離膜元件
TW201318690A (zh) 分離膜、分離膜元件及分離膜之製造方法
US20100080841A1 (en) Fibrous articles with one or more polyelectrolyte layers thereon and methods for making the same
WO2018183481A1 (en) Filter media including adhesives and/or oleophobic properties
AU2018374052A1 (en) Flexible barrier membrane and method for producing the flexible barrier membrane
CN104208949B (zh) 用于滤膜整合的涂有银的织物
Do et al. Facile fabrication of extreme-wettability contrast surfaces for efficient water harvesting using hydrophilic and hydrophobic silica nanoparticles
KR20210118869A (ko) 복합막
Yang Membrane modification by CVD polymers
JP4300497B2 (ja) 水酸アパタイト皮膜の製造方法
Elam et al. Spatially controlled atomic layer deposition in porous membranes
Nikkola Polymer hybrid thin-film composites with tailored permeability and anti-fouling performance

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170222

Termination date: 20211026