CN104108072B - 气体添加研磨液的供应系统及其方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种气体添加研磨液的供应系统（200）及其方法，包括研磨液容器（202）、气体混合容器（204）、气体容器（206）、调节装置（208）、第一流量控制装置（210）以及第二流量控制装置（212）。本发明通过调节装置（208）将气体（207）溶入气体混合容器（204）的研磨液（203）中，以形成气体添加研磨液（203a），用以提高基板（106）表面材质的移除率，并且改善基板（106）表面的加工质量。
Description
技术领域
本发明涉及研磨液供应技术领域，尤其涉及一种气体添加研磨液的供应方法，其适用于基板的平坦化工艺。
背景技术
在半导体工艺中，例如化学机械研磨法（ChemicalMechanicalPolishing，简称CMP）的基板的平坦化工艺为广泛使用的加工方法，所述化学机械研磨法通过基板、研磨液与抛光垫之间的接触，利用在基板与抛光垫之间施以稳定负载，并且产生液动压效应，而达到移除基板的表面材质的目的。然而所述化学机械研磨法常常由于基板材质的硬度较高，致使平坦化工艺时间较为冗长，而且这种透过表面反应的机制使材质表面生成物的移除方法，必须先了解抛光垫上的反应磨料特性，使其在应用上较为复杂，导致工艺的良率受到限制。特别是平坦化工艺时间较长时，研磨液使用容易造成环境的破坏，而且目前研磨液的研发皆是朝向强腐蚀性以提高基板材料的反应程度为主，因而使得对于环境的负面影响更为明显。有鉴于此，目前仍需要发展一种新式的供应方法，以改善上述问题。
发明内容
本发明的一目的在于，提供一种气体添加研磨液的供应系统及其方法，通过将气体溶入研磨液中，用以提高基板表面材质的移除率。
本发明的一目的在于，提供一种气体添加研磨液的供应系统及其方法，通过将气体溶入研磨液中，用以改善基板表面的加工质量，并且解决基板表面的不均匀的问题。
为了达成上述目的，本发明一较佳实施例提供一种气体添加研磨液的供应系统，所述供应系统适用于一基板的平坦化工艺设备，以对所述基板进行抛光，所述供应系统包括：研磨液容器，用以存放一研磨液；气体混合容器，连接至所述研磨液容器用以接收所述研磨液；气体容器，用以存放一气体并将所述气体输送至所述气体混合容器；调节装置，连接在所述气体混合容器与所述气体容器之间，以控制所述气体容器将一预定气体流量的气体输送至所述气体混合容器；以及第一流量控制装置，与所述气体混合容器连接，当所述气体溶入所述研磨液并形成一气体添加研磨液时，所述第一流量控制装置控制所述气体混合容器，以将所述气体添加研磨液输出至所述平坦化工艺设备，以使得所述平坦化工艺设备得以利用所述供应系统对所述基板进行抛光作业。
在本发明一实施例中，根据所述第一压力值以及所述气体相对应的亨利定律常数，以计算所述气体混合容器的气体添加研磨液中所述气体的含气量。所述气体的第一压力值大于所述基板附近的第二压力值。所述供应系统还包括一连接所述气体混合容器的气体传感器，以感测所述气体混合容器的气体添加研磨液中所述气体的含气量。
在本发明一实施例中，所述气体选自于由氧、二氧化碳以及氮所组成的族群。基板为铝酸锂基板。在本发明一实施例中，所述供应系统还包括一连接在所述气体混合容器与所述研磨液容器之间的第二流量控制装置，以控制所述研磨液容器将所述研磨液输送至所述气体混合容器的速率。
本发明的另一较佳实施例提供一种气体添加研磨液的供应方法，所述供应方法适用于一基板的平坦化工艺设备，以对所述基板进行抛光，所述供应方法包括以下步骤：以一研磨液容器来存放一研磨液；以一气体混合容器来接收来自于所述研磨液容器的研磨液；以一气体容器来存放一气体，并且将所述气体输送至所述气体混合容器；以一调节装置来控制所述气体容器将一预定气体流量的气体输送至所述气体混合容器；以及当所述气体溶入所述研磨液并形成一气体添加研磨液时，以第一流量控制装置来控制所述气体混合容器，以将所述气体添加研磨液输出至所述平坦化工艺设备，以使得所述平坦化工艺设备利用所述供应系统所提供的气体添加研磨液而对所述基板进行抛光。
本发明的优点在于，本发明所揭示的一种气体添加研磨液的供应系统及其方法，通过将气体溶入研磨液中，用以提高基板表面材质的移除率，并且改善基板表面的加工质量，以解决基板表面的不均匀的问题。
附图说明
图1是根据本发明实施例的气体添加研磨液的平坦化工艺设备的局部剖视图。
图2是根据本发明实施例的气体添加研磨液的供应系统的示意图。
图3是根据本发明实施例的气体添加研磨液的供应方法的流程图。
图中的标注分别为：
100、平坦化工艺设备；102、研磨装置；104、研磨垫；
106、基板；200、供应系统；202、研磨液容器；
203、研磨液；203a、气体添加研磨液；204、气体混合容器；
206、气体容器；207、气体；208、调节装置；
210、第一流量控制装置；212、第二流量控制装置；
214、压力表；216、气体传感器；
P1、第一压力值；P2、第二压力值。
具体实施方式
下面结合附图对本发明所述气体添加研磨液的供应系统及其方法的具体实施方式做详细说明。
本发明的较佳实施例结合附图及公式与下面的说明来进行详细描述，在不同的图式中，相同的组件符号代表相同或相似的组件。
参考图1和图2，图1是根据本发明实施例的气体添加研磨液的供应系统200的平坦化工艺设备100的局部剖视图，图2是根据本发明实施例的气体添加研磨液的供应系统200的示意图。所述气体添加研磨液的供应系统200连接至平坦化工艺设备100，其中供应系统200用以将气体添加研磨液提供至平坦化工艺设备100。当研磨装置102上的研磨垫104进行一基板106的研磨作业时，所述气体添加研磨液会充满于研磨垫104与基板106之间，以使得研磨垫104可以透过所述气体添加研磨液而对基板106进行研磨作业。所述基板106可以是铝酸锂基板（LiAlO2,LAO）或是硅基板，或者本发明所述供应系统200也可以适用于半导体工艺所使用的基板上。
根据亨利定律（Henry’sLaw），本发明所述供应系统200中的气体207在液体（例如研磨液203）中的溶解度，与气体207的分压成正比，当气体207的压力增大时，则溶解度增大，即溶解度与气体207的压力之间成正比例关系，如公式E1所述。
P=K*M……………（E1）
其中P表示液体（例如研磨液203）表面上溶质（例如气体207）的分压，M表示溶解在液体中气体浓度，K表示亨利定律常数。根据上述公式E1，本发明可以通过计算研磨液203中气体207的溶解量，进而控制基板106的抛光工艺。
在图2中，所述供应系统200适用于基板106的平坦化工艺设备100中，所述供应系统200包括研磨液容器202、气体混合容器204、气体容器206、调节装置208、第一流量控制装置210以及第二流量控制装置212。
在供应系统200中，研磨液容器202用于存放研磨液203。气体混合容器204连接至研磨液容器202以接收研磨液203。气体容器206用以存放一气体207，并且将气体207输送至气体混合容器204。调节装置208连接在气体混合容器204与气体容器206之间，以控制气体容器206将一预定气体流量的气体207输送至气体混合容器204。第一流量控制装置210连接至气体混合容器204，当气体207溶入至研磨液203内而形成一气体添加研磨液203a时，所述第一流量控制装置210会控制气体混合容器204，以将气体添加研磨液203a输出至平坦化工艺设备100，以使得平坦化工艺设备100得以利用供应系统200对基板106进行抛光作业。在本发明所述供应系统200中，所述气体混合容器204用以保存气体添加研磨液203a，以使得气体添加研磨液203a在未进入平坦化工艺设备100的加工空间之前，不会让溶解在研磨液203中的气体析出而流失。
在本发明一实施例中，本发明所述供应系统200还包括第二流量控制装置212，连接在气体混合容器204与研磨液容器202之间，以控制研磨液容器202将研磨液203输送至气体混合容器204的速率，即第二流量控制装置212可以控制将研磨液203输送至气体混合容器204的流量。在本发明一较佳实施例中，第一流量控制装置210以及第二流量控制装置212为转动式流量控制器，以确保在气体混合容器204中的气体207压力（即第一压力值）的稳定性。
在本发明一实施例中，本发明所述供应系统200还包括一压力表214，连接至气体混合容器204，以显示在气体混合容器204中气体207的第一压力值P1。根据第一压力值P1以及气体207相对应的亨利定律常数，便可以计算气体混合容器204的气体添加研磨液203a中的气体207的含气量。具体来说，根据上述公式E1所述，气体207的含气量等于第一压力值P1除以气体207相对应的亨利定律常数。在本发明一较佳实施例中，气体207的第一压力值P1大于基板106附近的第二压力值P2，以使得气体207可以在到达基板106附近时快速地析出，并且同时参与平坦化工艺，以对基板106进行加工。在本发明另一实施例中，本发明所述供应系统200还包括气体传感器216，连接至气体混合容器204，以感测气体混合容器204的气体添加研磨液203a中的气体207的含气量。
本发明所述气体添加研磨液的供应系统200，通过在将研磨液203导入至平坦化工艺设备100的瞬间，由于气体混合容器204的第一压力值大于基板106附近的第二压力值P2（例如为一大气压力），因而造成气体添加研磨液203a内所含气体207失去平衡，导致大量的气体207由气体添加研磨液203a中析出，并且同时参与平坦化工艺，以对基板106进行加工。当所述气体207为平坦化工艺中基板106材料的主要反应气体时，将可有效地使得基板材料的表面立即产生化学反应层，这种反应层与原先基板材料的机械性质相比，其机械性质较差，故较易移除，因而可达到高移除率，并且可有效避免平坦化工艺所造成的表面不均匀度的问题。
在本发明一实施例中，本发明所述气体添加研磨液的供应系统200所使用的气体可以例如是氧、二氧化碳以及氮，在平坦化工艺设备100的供应系统200的实施例中，其工艺参数与相对应该参数的设定条件如下列表一所述。表一：
| 工艺参数 | 设定条件 |
| 基板材质 | 铝酸锂基板 |
| 负载 | 4.5 kg |
| 转盘转速 | 70 rpm |
| 气体添加研磨液的流率 | 30 ml/min |
| 气体添加研磨液的温度 | 55°C |
| 辅助气体 | O2、CO2 |
根据表一，本发明在使用一般的研磨液，基板的材质例如是铝酸锂基板（也可使用硅基板），施加于基板上的负载例如是4.5公斤重（kg），承载所述基板的转盘转速70转数/每分钟（rpm），所述供应系统200输送到所述转盘上抛光垫的气体添加研磨液的流率，例如是30毫升/每分钟（ml/min），所述气体添加研磨液的温度例如是55°C，本发明所使用的辅助气体例如是氧（O2）、二氧化碳（CO2）以及氮（N2）。其实施结果如下列表二所述：
表二：
| 气体条件 | 原始重量(g) | 研磨后重量(g) | 移除的重量(g) | 工艺时间(mins) | 材质移除率(nm/min) | 表面粗糙度(nm) |
| 未使用气体 | 3.5050 | 3.4838 | 0.0212 | 30 | 133.1 | 1.42 |
| O2 | 3.4993 | 3.4701 | 0.0292 | 30 | 183.3 | 0.17 |
| CO2 | 3.4914 | 3.4643 | 0.0271 | 30 | 170.1 | 0.20 |
| N2 | 3.5009 | 3.4779 | 0.0230 | 30 | 145.5 | 0.17 |
根据表二，本发明的实施结果说明氧、二氧化碳以及氮等对于铝酸锂基板为活性气体，并将导致表面反应生成，而使得材质移除率（MaterialRemovalRate，简称MRR）分别为183.3奈米/每分钟（nm/min）、170.1nm/min以及145.5nm/min，这些均大于现有技术中未使用气体时的材质移除率133.1nm/min，且与现有技术中未使用气体的情况相比，本发明使用氧、二氧化碳以及氮的材质移除率分别提高37.7%、28.8%以及9.3%。也就是说，在相同的移除基板重量的条件下，本发明使用氧、二氧化碳以及氮的气体添加研磨液的供应方法，其研磨液的消耗量均小于现有技术未使用气体的情况。如上述的实施例所示，本发明所使用的研磨液消耗量可以有效减少37.7%、28.8%以及9.3%。
另外，如表二所述，在例如30分钟的预定的工艺时间内，使用氧、二氧化碳以及氮的移除基板重量分别为0.0292g、0.0271g以及0.0230g，这些均大于现有技术中未使用气体时的移除基板重量0.0212g。因此，本发明的气体添加研磨液的供应方法，可以使得气体对铝酸锂基板的抛光工艺，具有改善基板表面材质的移除率之效果。
进一步地，根据表二所示，本发明的实施结果说明氧、二氧化碳以及氮对于铝酸锂基板为活性气体，其所得到的表面粗糙度（surfaceroughness）分别为0.17nm、0.20nm以及0.17nm，均小于现有技术中未使用气体的表面粗糙度1.42nm。换言之，本发明使用氧、二氧化碳以及氮的气体添加研磨液的供应方法，可以改善表面粗糙度高达5～8倍之多，以有效改进基板表面的加工质量。
具体来说，在本发明一实施例中，当使用氧作为辅助气体时，所述铝酸锂基板与氧的反应式如E2所述；在本发明另一实施例中，当使用二氧化碳为辅助气体时，所述铝酸锂基板与二氧化碳的反应式如E3所述。
2LiAlO2+H2O→2LiOH+Al2O3……………（E2）
4LiAlO2+9H2O+2CO2→Li2Al4(CO3)(OH)12˙3H2O+Li2CO3…（E3）
根据上述的反应式E2，由于氧的活性较高，其容易与锂（Li）与铝（Al）产生反应，因而使铝酸锂基板的表面材质解离，提高材质移除率。
图3是本发明实施例中气体添加研磨液的供应方法的流程图。所述供应系统200适用于基板106的平坦化工艺设备100，供应系统200包括研磨液容器202、气体混合容器204、气体容器206、调节装置208、第一流量控制装置210、第二流量控制装置212以及压力表214或是气体传感器216。所述供应方法包括下列步骤：
在步骤S300中，以一研磨液容器202来存放一研磨液203。
在步骤S302中，以一气体混合容器204来接收来自于研磨液容器202的研磨液203。在本发明一较佳实施例中，以一第二流量控制装置212来控制研磨液容器202将研磨液203输送至气体混合容器204的速率。
在步骤S304中，以一气体容器206来存放一气体207，并将气体207输送至气体混合容器204。
在步骤S306中，以一调节装置208来控制气体容器206而将一预定气体流量的气体207输送至气体混合容器204。
在步骤S308中，以一压力表214来显示气体混合容器204中气体207的第一压力值P1。其中根据第一压力值P1以及气体207相对应的亨利定律常数，可以以计算气体混合容器204中的气体添加研磨液203a中的气体207的含气量。气体207的第一压力值P1可以例如是大于基板106附近的第二压力值P2。在本发明另一实施例中，可以用一气体传感器216来感测气体混合容器204的气体添加研磨液203a中的气体207的含气量。
在步骤S310中，当气体207溶入研磨液203而形成一气体添加研磨液203a时，以一第一流量控制装置210来控制气体混合容器204，将气体添加研磨液203a输出至平坦化工艺设备100的速率，以使得平坦化工艺设备100利用供应系统200所提供的气体添加研磨液203a，对基板106进行抛光作业。
综上所述，本发明的气体添加研磨液的供应系统及其方法，通过将气体溶入研磨液中，以提高基板表面材质的移除率，并且改善基板表面的加工质量，以解决基板表面不均匀的问题。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种利用气体添加研磨液的供应系统，所述供应系统适用于一基板的平坦化工艺设备，以对所述基板进行抛光，所述供应系统包括：
一研磨液容器，用以存放一研磨液；
一气体混合容器，连接至所述研磨液容器，用以接收所述研磨液；
一气体容器，用以存放一气体并将所述气体输送至所述气体混合容器；
其特征在于，所述供应系统还包括：
一调节装置，连接在所述气体混合容器与所述气体容器之间，用以控制所述气体容器将一预定气体流量的所述气体输送至所述气体混合容器；以及
一第一流量控制装置，与所述气体混合容器连接，当所述气体溶入所述研磨液并形成一气体添加研磨液时，所述第一流量控制装置控制所述气体混合容器，以将所述气体添加研磨液输出至所述平坦化工艺设备，以使得所述平坦化工艺设备得以利用所述供应系统对所述基板进行抛光作业。
2.根据权利要求1所述的供应系统，其特征在于，还包括一连接至所述气体混合容器的压力表，以显示所述气体混合容器中的所述气体的一第一压力值。
3.根据权利要求1所述的供应系统，其特征在于，还包括一连接所述气体混合容器的气体传感器，以感测所述气体混合容器的所述气体添加研磨液中所述气体的含气量。
4.根据权利要求1所述的供应系统，其特征在于，所述气体选自于由氧、二氧化碳以及氮所组成的族群。
5.根据权利要求1所述的供应系统，其特征在于，还包括一连接在所述气体混合容器与所述研磨液容器之间的第二流量控制装置，以控制所述研磨液容器将所述研磨液输送至所述气体混合容器的速率。
6.一种气体添加研磨液的供应方法，所述供应方法适用于一基板的平坦化工艺设备，以对所述基板进行抛光，所述供应方法包括下列步骤：
以一研磨液容器来存放一研磨液；
以一气体混合容器来接收来自于所述研磨液容器的研磨液；
以一气体容器来存放一气体，并将所述气体输送至所述气体混合容器；
其特征在于，所述供应方法还包括以下步骤：
以一调节装置来控制所述气体容器将一预定气体流量的所述气体输送至所述气体混合容器；以及
当所述气体溶入所述研磨液并形成一气体添加研磨液时，以一第一流量控制装置来控制所述气体混合容器，以将所述气体添加研磨液输出至所述平坦化工艺设备，以使得所述平坦化工艺设备利用所述供应系统所提供的气体添加研磨液而对所述基板进行抛光。
7.根据权利要求6所述的供应方法，其特征在于，还包括步骤：以一压力表显示所述气体混合容器中所述气体的一第一压力值。
8.根据权利要求6所述的供应方法，其特征在于，还包括步骤：以一气体传感器来感测所述气体混合容器中的所述气体添加研磨液内的所述气体的含气量。
9.根据权利要求6所述的供应方法，其特征在于，所述气体为选自于氧、二氧化碳以及氮所组成的族群。
10.根据权利要求6所述的供应方法，其特征在于，还包括步骤：以一第二流量控制装置来控制所述研磨液容器将所述研磨液输送至所述气体混合容器的速率。
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| JP3311203B2 (ja) * | 1995-06-13 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、半導体ウェーハの化学的機械的ポリッシング方法 |
| KR970018240A (ko) * | 1995-09-08 | 1997-04-30 | 모리시다 요이치 | 반도체 기판의 연마방법 및 그 장치 |
| US5785581A (en) * | 1995-10-19 | 1998-07-28 | The Penn State Research Foundation | Supersonic abrasive iceblasting apparatus |
| JP3663728B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2005-06-22 | 信越半導体株式会社 | 薄板の研磨機 |
| US5885134A (en) * | 1996-04-18 | 1999-03-23 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| SG70097A1 (en) * | 1997-08-15 | 2000-01-25 | Disio Corp | Apparatus and method for machining workpieces by flushing working liquid to the tool-and-workpiece interface |
| US6019250A (en) * | 1997-10-14 | 2000-02-01 | The Boc Group, Inc. | Liquid dispensing apparatus and method |
| US5980368A (en) * | 1997-11-05 | 1999-11-09 | Aplex Group | Polishing tool having a sealed fluid chamber for support of polishing pad |
| JPH11320406A (ja) * | 1998-05-06 | 1999-11-24 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨装置における排液・排気の処理方法及び装置 |
| US6021679A (en) * | 1998-08-04 | 2000-02-08 | International Business Machines Corporation | Probe for slurry gas sampling |
| US6254458B1 (en) * | 1998-10-28 | 2001-07-03 | Nitinol Technologies, Inc. | Post processing for nitinol coated articles |
| JP3538042B2 (ja) * | 1998-11-24 | 2004-06-14 | 松下電器産業株式会社 | スラリー供給装置及びスラリー供給方法 |
| US6139680A (en) * | 1998-12-15 | 2000-10-31 | United Microelectronics Corp. | Exhaust line of chemical-mechanical polisher |
| JP3432161B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2003-08-04 | シャープ株式会社 | 研磨液供給装置 |
| JP2000277467A (ja) | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Miyagi Oki Electric Co Ltd | 化学的機械研磨法、その化学的機械研磨法を含む半導体装置の製造方法、および化学的機械研磨装置 |
| JP3316483B2 (ja) * | 1999-05-27 | 2002-08-19 | 三洋電機株式会社 | 流体の被除去物除去装置 |
| JP2000340532A (ja) | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Mitsubishi Materials Corp | 研磨用スラリー及びこれを用いた研磨方法 |
| US6623355B2 (en) * | 2000-11-07 | 2003-09-23 | Micell Technologies, Inc. | Methods, apparatus and slurries for chemical mechanical planarization |
| US6709313B2 (en) * | 2000-11-17 | 2004-03-23 | Rion Co., Ltd. | Apparatus for producing polishing solution and apparatus for feeding the same |
| JP2002170792A (ja) | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 研磨液供給装置及び研磨液供給方法、研磨装置及び研磨方法、並びに、半導体装置の製造方法 |
| WO2002062446A1 (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Mykrolis Corporation | Process for degassing an aqueous plating solution |
| TW571361B (en) | 2001-02-20 | 2004-01-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing agent and method for polishing a substrate |
| WO2002096611A1 (en) * | 2001-05-29 | 2002-12-05 | Memc Electronic Materials, S.P.A. | Method for treating an exhausted glycol-based slurry |
| KR100428787B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2004-04-28 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 저장 유니트 및 사용점에서의 혼합 유니트를 갖는슬러리 공급장치 |
| JP4510362B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2010-07-21 | 俊郎 土肥 | Ｃｍｐ装置およびｃｍｐ方法 |
| JP2003251555A (ja) | 2001-12-28 | 2003-09-09 | Ebara Corp | ポリッシング方法 |
| US7166015B2 (en) * | 2002-06-28 | 2007-01-23 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for controlling fluid material composition on a polishing pad |
| US7189146B2 (en) * | 2003-03-27 | 2007-03-13 | Asm Nutool, Inc. | Method for reduction of defects in wet processed layers |
| US6872128B1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-29 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for applying liquid to a CMP polishing pad |
| TWI340060B (en) * | 2003-11-20 | 2011-04-11 | Doi Toshiro | Polishing apparatus and method of polishing work piece |
| EP1758711B1 (en) | 2004-06-21 | 2013-08-07 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| JP2006147773A (ja) | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Ebara Corp | 研磨装置および研磨方法 |
| TWI386989B (zh) | 2005-02-25 | 2013-02-21 | Ebara Corp | 研磨裝置及研磨方法 |
| US7258599B2 (en) * | 2005-09-15 | 2007-08-21 | Fujitsu Limited | Polishing machine, workpiece supporting table pad, polishing method and manufacturing method of semiconductor device |
| JP5157908B2 (ja) | 2006-09-13 | 2013-03-06 | 旭硝子株式会社 | 半導体集積回路装置用研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2008198668A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Sony Corp | 平坦化研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
| US8297830B2 (en) * | 2009-03-04 | 2012-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry system for semiconductor fabrication |
| CN102371532B (zh) * | 2010-08-24 | 2013-12-18 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 化学机械研磨工艺的返工方法 |
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| US9586306B2 (en) * | 2012-08-13 | 2017-03-07 | Omax Corporation | Method and apparatus for monitoring particle laden pneumatic abrasive flow in an abrasive fluid jet cutting system |
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