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Patentes

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Número de publicaciónCN1139105 C
Tipo de publicaciónConcesión
Número de solicitudCN 99126726
Fecha de publicación18 Feb 2004
Fecha de presentación11 Dic 1999
Fecha de prioridad26 Jun 1992
También publicado comoCN1076864C, CN1087750A, CN1108225C, CN1128193A, CN1214450C, CN1216404C, CN1284742A, CN1350322A, CN1414604A, CN1414615A, CN1921069A, CN1921069B, US5858473, US5897799, US5968383, US6002101, US6440785, US6991975, US7985635, US20060194377
Número de publicación99126726.5, CN 1139105 C, CN 1139105C, CN 99126726, CN-C-1139105, CN1139105 C, CN1139105C, CN99126726, CN99126726.5
Inventores山崎舜平, 张宏勇, , 石原浩朗
Solicitante株式会社半导体能源研究所
Exportar citaBiBTeX, EndNote, RefMan
Enlaces externos:  SIPO, Espacenet
半导体层激光退火的方法
CN 1139105 C
Descripción  disponible en chino
Reclamaciones(16)  disponible en chino
Citada por
Patente citante Fecha de presentación Fecha de publicación Solicitante Título
CN101201414B6 Nov 200710 Ago 2011株式会社液晶先端技术开发中心光学装置和结晶装置
US783060624 Jul 20099 Nov 2010Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd.Optical device and crystallization device
Clasificaciones
Clasificación internacionalB23K26/00, B23K101/40, H01L21/00, H01L21/02, H01L21/322, H01S3/09, G02F1/35, H01L21/324, B23K26/067, G02F1/00, B23K26/06, G02B27/09, H01S5/024, H01S3/097, C23C14/58, C23C16/56, G02B13/00, H01S3/00, H01L21/20, H01L21/265, H01L21/26, H01L21/268
Clasificación cooperativaH01L21/2026, C23C16/56, H01L21/84, C23C14/58, G02B27/09, H01L21/2022, C23C14/5813, H01L21/26513, H01L27/1285, H01L21/268, G02B27/0966
Clasificación europeaH01L27/12T, G02B27/09S2L2, G02B27/09, C23C14/58B2, C23C14/58, C23C16/56, H01L21/268, H01L21/265A2, H01L21/20D2
Eventos legales
FechaCódigoEventoDescripción
13 Dic 2000C10Request of examination as to substance
21 Feb 2001C06Publication
18 Feb 2004C14Granted
21 Ago 2013C17Cessation of patent right