CN1146843C - 有源矩阵型显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明以提供一种在有机半导体膜的周边形成厚的绝缘膜从而抑制寄生电容等并且在绝缘膜的上层形成的对置电极中不发生断裂的有源矩阵型显示装置为目的，在有源矩阵型显示装置(1)中，首先，通过沿数据线(sig)和扫描线(gate)设置由抗蚀剂膜构成的堤层(bank)，在该堤层(bank)的上层侧层叠薄膜发光元件(40)的对置电极(op)，抑制了寄生于数据线(sig)上的电容。此外，在堤层(bank)中形成中断部分(off)。由于该中断部分(off)是没有起因于堤层(bank)的大的台阶差的平坦部分，故在该部分中对置电极(op)不会断裂。在利用喷射法形成有机半导体膜(43)时用堤层(bank)拦住从喷射头喷出的液状的材料。

Description

有源矩阵型显示装置
技术领域
本发明涉及这样一种有源矩阵型显示装置，其中由薄膜晶体管(以下称为TFT)对利用驱动电流流过有机半导体膜而发光的EL(场致发光)元件或LED(发光二极管)元件等薄膜发光元件进行驱动控制。
背景技术
已提出了使用EL元件或LED元件等的电流控制型发光元件的有源矩阵型显示装置。由于该类型的显示装置中使用的发光元件都是自身发光的，故与液晶显示装置不同，不需要背照光源，并且具有视野角依存性少等的优点。
图13示出使用了这样的电荷注入型的有机薄膜EL元件的有源矩阵型显示装置的框图。在该图中示出的有源矩阵型显示装置1A中，在透明基板10上构成了多条扫描线gate、在与该扫描线gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线sig、与该数据线sig并列的多条共同供电线com和由数据线sig和扫描线gate形成的多个象素7。相对于数据线sig和扫描线gate，构成了数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4。在各自的象素7中，构成了通过扫描线gate被供给扫描信号的导通控制电路50和基于通过该导通控制电路50从数据线sig被供给的图象信号而发光的薄膜发光元件40。在这里示出的例子中，导通控制电路50由通过扫描线gate在栅电极上接受扫描信号的第1TFT20、保持通过该第1TFT20从数据线sig供给的图象信号的保持电容cap和在栅电极上接受由该保持电容cap保持的图象信号的第2TFT30构成。第2TFT30和薄膜发光元件40以串联方式连接在下面详细地叙述的对置电极op与共同供电线com之间。该薄膜发光元件40在第2TFT30成为导通状态时因驱动电流从共同供电线com流入而发光，同时该发光状态由保持电容cap而保持预定的期间。
在这样的结构的有源矩阵型显示装置1A中，如图14和图15(A)、(B)中所示，在哪一个象素7中都利用岛状的半导体膜形成了第1TFT20和第2TFT30。第1TFT20的栅电极21作为扫描线gate的一部分而构成。数据线sig通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第1TFT20的源·漏区的一方上，漏电极22导电性地连接到其另一方上。漏电极22朝向第2TFT30的形成区域而延伸，第2TFT30的栅电极31通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到该延伸部分上。中继电极35通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第2TFT30的源·漏区的一方上，薄膜发光元件40的象素电极41通过第2层间绝缘膜52的接触孔导电性地连接到该中继电极35上。
从图14和图15(B)、(C)中可知，在每个象素7中独立地形成了象素电极41。在象素电极41的上层侧，按下述顺序层叠了有机半导体膜43和对置电极op。虽然在每个象素7中独立地形成了有机半导体膜43，但有时也越过多个象素7将其形成为条状。从图13可知，对置电极op不仅在构成了象素7的显示部11中形成，而且也在透明基板10的大致整个面上形成。
再有，在图14和图15(A)中，共同供电线com通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第2TFT30的源·漏区的另一方上。共同供电线com的延伸部分39相对于第2TFT30的栅电极31的延伸部分36，将第1层间绝缘膜51作为电介质膜夹住而对置，构成了保持电容cap。
但是，在上述的有源矩阵型显示装置1A中，与象素电极41的对置的对置电极op与液晶有源矩阵型显示装置不同，由于在相同的透明基板10上在与数据线sig之间只有第2层间绝缘膜52，故大的电容寄生于数据线sig上，数据侧驱动电路3的负载较大。
因此，本发明者提出了，如图13、图14和图16(A)、(B)、(C)所示，在对置电极op与数据线sig等之间设置厚的绝缘膜(堤层bank/附加了以宽的间距朝向左下方向的斜线的区域)以减少寄生于数据线sig上的电容的方案。同时，提出了，通过用该绝缘膜(堤层bank)来包围有机半导体膜43的形成区域，在由喷射头喷出的液状的材料(喷出液)形成有机半导体膜43时用堤层bank来拦住喷出液以防止喷出液向侧方溢出的方案。但是，如果采用这样的结构，则起因于厚的堤层bank的存在而形成大的台阶差bb，在该堤层bank的上层形成的对置电极op在上述的台阶差bb的部分处容易断裂。如果在这样的台阶差bb处在对置电极op中产生断裂，则该部分的对置电极op与周围的对置电极op成为绝缘状态，从而发生显示的点缺陷或线缺陷。此外，如果沿覆盖数据侧驱动电路3及扫描侧驱动电路4的表面的堤层bank外周在对置电极op中引起断裂，则在显示部11的对置电极op与端子12之间成为完全的绝缘状态，完全不能进行显示。
因此，本发明的课题在于提供这样一种有源矩阵型显示装置，该显示装置中，即使在有机半导体膜的周边形成厚的绝缘膜从而抑制了寄生电容，在该厚的绝缘膜的上层上形成的对置电极中也不发生断裂等。
发明内容
为了解决上述课题，在本发明中，在下述的有源矩阵型显示装置中，在基板上具有多条扫描线、在与该扫描线的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线以及由被该数据线和上述扫描线形成的多个象素构成的显示部，该象素的每一个具备薄膜发光元件，该薄膜发光元件具备包含通过上述扫描线在栅电极上接受扫描信号的TFT的导通控制电路、在每个象素中形成的象素电极、在该象素电极的上层侧层叠的有机半导体膜和在该有机半导体膜的上层侧至少在上述显示部的整个面上形成的对置电极，上述薄膜发光元件基于通过上述导通控制电路从上述数据线被供给的图象信号而发光，该有源矩阵型显示装置的特征在于：由在上述对置电极的下层侧比上述有机半导体膜形成得厚的绝缘膜来划分上述有机半导体膜的形成区域，同时，该绝缘膜具备使各个象素的对置电极部分相互间通过没有起因于该绝缘膜的台阶差的平坦部分连接起来的中断部分。
在本发明中，由于对置电极至少在显示部的整个面上形成，处于与数据线对置的状态，故在原有状态下大的电容寄生于数据线上。而在本发明中，由于使厚的绝缘膜介入到数据线与对置电极之间，故可防止电容寄生于数据线上。其结果，由于可降低数据侧驱动电路的负载，故可谋求低功耗化或显示工作的高速化。此外，如果形成厚的绝缘膜，则该绝缘膜形成大的台阶差，存在在其上层侧形成的对置电极中发生断裂的担心，但在本发明中，在厚的绝缘膜的预定位置上构成中断部分，使该部分变得平坦。因而，由于每个区域的对置电极通过在平坦部分中形成的部分导电性地连接，故例如即使由于因绝缘膜引起的台阶差的缘故该部分中发生断裂，也可通过与绝缘膜的中断部分相当的平坦部分可靠地进行导电性连接，故不发生对置基板的断裂那样的不良情况。因此，在有源矩阵型显示装置中，由于即使在有机半导体膜的周边形成厚的绝缘膜从而抑制了寄生电容等，在绝缘膜的上层形成的对置电极中也不发生断裂，故可提高有源矩阵型显示装置的显示质量和可靠性。
在本发明中，上述导通控制电路具备在栅电极上接受上述扫描信号的第1TFT和通过该第1TFT其栅电极连接到上述数据线上的第2TFT，该第2TFT和上述薄膜发光元件最好以串联方式连接在对上述数据线和扫描线来说是另外构成的驱动电流供给用的共同供电线与上述对置电极之间。即，虽然可用1个TFT和保持电容来构成导通控制电路，但从提高显示品位的观点来看，最好用2个TFT和保持电容来构成各象素的导通控制电路。
在本发明中，最好将上述绝缘膜作为在利用喷射法在被该绝缘膜划分的区域内形成上述有机半导体膜时防止喷出液溢出的堤层来利用，为此，上述绝缘膜的膜厚最好在1μm以上。
在本发明中，在通过沿上述数据线和上述扫描线形成了上述绝缘膜来包围上述有机半导体膜的形成区域的周边的情况下，在上述数据线的延伸方向上与相邻的象素之间、上述扫描线的延伸方向上与相邻的象素之间或在在这两者的方向上与相邻的象素之间部分区域中构成上述中断部分。
与上述形态不同，有时上述绝缘膜沿上述数据线以条状延伸，在该情况下，也可在该延伸方向的至少一个端部上构成上述中断部分。
在本发明中，在上述象素电极的形成区域中的与上述导通控制电路形成区域重叠的区域最好被上述绝缘膜覆盖。即，最好只在上述象素电极的形成区域中的没有形成上述导通控制电路的平坦部分中对上述厚的绝缘膜进行开口，只在其内侧形成有机半导体膜。如果以这种方式来构成，则可防止因有机半导体膜的膜厚的离散性引起的显示不均。再有，即使形成了象素电极，在与导通控制电路重叠的区域中，例如驱动电流在与对置电极之间流动，有机半导体膜发光，该光也被导通控制电路遮住，对显示没有贡献。在这样的对显示没有贡献的部分中流过有机半导体膜的驱动电流从显示这方面来看可以说是无效电流。因此，在本发明中，在迄今为止应流过这样的无效电流的部分中形成上述的厚的绝缘膜，防止驱动电流在该处流动。其结果，由于可减小流过共同供电线的电流，故如果使共同供电线的宽度相应地变窄，则作为其结果，可增加发光面积，可提高亮度、对比度等的显示性能。
在本发明中，在上述显示部的周围具有通过上述数据线供给数据信号的数据侧驱动电路和通过上述扫描线供给扫描信号的扫描侧驱动电路，在该扫描侧驱动电路和上述数据侧驱动电路的上层侧也形成了上述绝缘膜，同时该绝缘膜最好在与上述扫描侧驱动电路的形成区域和上述数据侧驱动电路的形成区域之间部分位置上具备中断部分，该中断部分通过没有起因于该绝缘膜的台阶差的平坦部分使在上述显示部一侧的对置电极与基板外周一侧的对置电极连接起来。如果以这种方式来构成，则即使沿覆盖数据侧驱动电路及扫描侧驱动电路的绝缘膜的外周对置电极中发生断裂，显示部一侧的对置电极和基板外周一侧的对置电极也通过没有起因于该绝缘膜的台阶差的平坦部分连接起来，可确保显示部一侧的对置电极与基板外周一侧的对置电极之间的导电性连接。
在本发明中，在由抗蚀剂膜等的有机材料构成上述绝缘膜的情况下，可容易地形成厚膜。与此不同，在由无机材料构成上述绝缘膜的情况下，即使处于与有机半导体膜接触的状态下，也可防止有机半导体膜的变质。
附图说明
图1是示意性地示出与本发明的实施形态1有关的有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。
图2是抽出图1中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图。
图3(A)、(B)、(C)分别是图2的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。
图4是示意性地示出与本发明的实施形态1的变形例1有关的有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。
图5是抽出图4中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图。
图6(A)、(B)、(C)分别是图5的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。
图7是示意性地示出与本发明的实施形态1的变形例2有关的有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。
图8是抽出图7中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图。
图9(A)、(B)、(C)分别是图8的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。
图10是示意性地示出与本发明的实施形态2有关的有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。
图11是抽出图10中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图。
图12(A)、(B)、(C)分别是图11的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。
图13是示意性地示出与以往和本发明的比较例有关的有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。
图14是抽出图13中示出的有源矩阵型显示装置中被构成的象素的1个而示出的平面图。
图15(A)、(B)、(C)分别是图14的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。
图16(A)、(B)、(C)分别是图14的另一A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。
[符号的说明]
1    有源矩阵型显示装置
2    显示部
3    数据侧驱动电路
4    扫描侧驱动电路
7    象素
10   透明基板
12   端子
20   第1TFT
21   第1TFT的栅电极
30   第2TFT
31   第2TFT的栅电极
40   发光元件
41   象素电极
43   有机半导体
bank 堤层(绝缘膜)
cap  保持电容
com  共同供电线
gate 扫描线
op   对置电极
sig  数据线
off  堤层的中断部分
具体实施方式
参照附图说明本发明的实施形态。再有，在以下的说明中，对于与图13至图16已说明的要素相同的部分，附以相同的符号。
[实施形态1]
(整体结构)
图1是示意性地示出有源矩阵型显示装置的整体布局的框图，图2是抽出其中被构成的象素的1个而示出的平面图，图3(A)、(B)、(C)分别是图2的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。
在图1中示出的有源矩阵型显示装置1中，作为其基体的透明基板10的中央部分成为显示部11。在透明基板10的外周部分中，在数据线sig的端部构成了输出图象信号的数据侧驱动电路3，在扫描线gate的端部构成了输出扫描信号的扫描侧驱动电路4。在这些驱动电路3、4中，由N型的TFT和P型的TFT构成互补型TFT，该互补型TFT构成了移位寄存器电路、电平移动电路、模拟开关电路等。在显示部11中，与液晶有源矩阵型显示装置的有源矩阵基板相同，在透明基板10上构成了多条扫描线gate、在与该扫描线gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线sig以及由数据线sig和扫描线gate形成的多个象素7。
在各自的象素7中，构成了通过扫描线gate被供给扫描信号的导通控制电路50和基于通过该导通控制电路50从数据线sig被供给的图象信号而发光的薄膜发光元件40。在这里示出的例子中，导通控制电路50由通过扫描线gate在栅电极上接受扫描信号的第1TFT20、保持通过该第1TFT20从数据线sig被供给的图象信号的保持电容cap和在栅电极上接受由该保持电容cap保持的图象信号的第2TFT30构成。第2TFT30和薄膜发光元件40以串联方式连接在下面将详细叙述的对置电极op与共同供电线com之间。
在这样的结构的有源矩阵型显示装置1中，如图2和图3(A)、(B)中所示，在哪一个象素7中都利用岛状的半导体膜(硅膜)形成了第1TFT20和第2TFT30。
第1TFT20的栅电极21作为扫描线gate的一部分而构成。数据线sig通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第1TFT20的源·漏区的一方上，漏电极22导电性地连接到其另一方上。漏电极22朝向第2TFT30的形成区域而延伸，第2TFT30的栅电极31通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到该延伸部分上。
与数据线sig同时形成的中继电极35通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第2TFT30的源·漏区的一方上，薄膜发光元件40的由ITO膜构成的透明的象素电极41通过第2层间绝缘膜52的接触孔导电性地连接到该中继电极35上。
从图2和图3(B)、(C)中可知，在每个象素7中独立地形成了象素电极41。在象素电极41的上层侧，按下述顺序层叠了由聚苯撑乙烯撑(PPV)等构成的有机半导体膜43和由含有锂的铝或钙等金属膜构成的对置电极op，构成了薄膜发光元件40。虽然在每个象素7中形成了有机半导体膜43，但有时也越过多个象素7将其形成为条状。对置电极op在显示部11整体中和在除了透明基板10的形成了端子12部分的周围之外的区域中形成。该端子12包含了连接到与对置电极op同时形成的布线(未图示)上的对置电极op的端子。
再有，作为薄膜发光元件40，也可采用设置了空穴注入层来提高发光效率(空穴注入率)的结构、设置了电子注入层来提高发光效率(电子注入率)的结构、形成了空穴注入层和电子注入层这两者的结构。
再有，在图2和图3(A)中，共同供电线com通过第1层间绝缘膜51的接触孔导电性地连接到第2TFT30的源·漏区的另一方上。共同供电线com的延伸部分39相对于第2TFT30的栅电极31的延伸部分36，将第1层间绝缘膜51作为电介质膜夹住而对置，构成了保持电容cap。
这样，在有源矩阵型显示装置1中，如果被扫描信号选择的第1TFT20变成导通状态，则将来自数据线sig的图象信号通过第1TFT20施加到第2TFT30的栅电极31上，同时图象信号通过第1TFT20写入到保持电容cap中。其结果，如果第2TFT30变成导通状态，则分别将对置电极op和象素电极41作为负极和正极施加电压，在施加电压超过阈值电压的区域中，流过有机半导体膜43的电流(驱动电流)急剧增大。因而，发光元件40作为场致发光元件或LED元件而发光，发光元件40的光被对置电极op反射，透过透明的象素电极41和透明基板10而射出。由于进行这样的发光用的驱动电流流过由对置电极op、有机半导体膜43、象素电极41、第2TFT30和共同供电线com构成的电流路径，故如果第2TFT30变成关断状态，则电流不流动。但是，因为即使第1TFT20变成关断状态，第2TFT30的栅电极也由于保持电容cap而保持于与图象信号相当的电位，故第2TFT30仍处于原来的导通状态。因此，驱动电流继续流过发光元件40，该象素仍处于原来的点亮状态。该状态维持到将新的图象数据写入到保持电容cap中、第2TFT30变成关断状态为止。
(堤层的结构)
在以这种方式构成的有源矩阵型显示装置1中，在本形态中，为了防止大的电容寄生于数据线sig上，如图1、图2和图3(A)、(B)、(C)中所示，沿数据线sig和扫描线gate，设置了由抗蚀剂膜或聚酰亚胺膜构成的厚的绝缘膜(堤层bank/附加了以宽的间距朝向左下方向的斜线的区域)，在该堤层bank的上层侧形成了对置电极op。因此，由于在数据线sig与对置电极op之间介入第2层间绝缘膜52和厚的堤层bank，故寄生于数据线sig上的电容极小。因此，可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
此外，如图1中所示，在透明基板10的周边区域(显示部11的外侧区域)中都形成了堤层bank(对形成区域附以斜线)。因而，数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4也被堤层bank所覆盖。对置电极op必须至少在显示部11中形成，但没有必要在驱动电路区域中形成。但是，由于对置电极op通常用掩模溅射法来形成，故对准精度较差，有时对置电极op与驱动电路重叠。而在本形态中，即使对置电极op与这些驱动电路的形成区域处于重叠状态，在驱动电路的布线层与对置电极op之间也介入了堤层bank。因此，由于可防止电容寄生于驱动电路3、4上，故可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
再有，在本形态中，在象素电极41的形成区域中，堤层bank也在与导通控制电路50的中继电极35重叠的区域中形成。因此，在与中继电极35重叠的区域中不形成有机半导体膜43。即，由于有机半导体膜43只在象素电极41的形成区域的平坦部分上形成，故以恒定的膜厚形成有机半导体膜43，不会引起显示的不均。此外，如果在与中继电极35重叠的区域中没有堤层bank，则即使在该部分中驱动电流流过与对置电极op之间，有机半导体膜43也发光。但是，该光被夹在中继电极35与对置电极op之间，不向外射出，对显示没有贡献。在这样的对显示没有贡献的部分中流动的驱动电流从显示这方面来看，可以说是无效电流。而在本形态中，由于在迄今为止应流过这样的无效电流的部分中形成堤层bank，防止驱动电流在该处流动，故可防止无用的电流流过共同供电线com。因此，共同供电线com的宽度可相应地变窄。作为其结果，可增加发光面积，可提高亮度、对比度等的显示性能。
再有，在本形态中，由于沿数据线sig和扫描线gate形成了堤层bank，故哪一个象素7都被厚的堤层bank所包围。因此，在原有状态下，各象素7的对置电极op越过堤层bank与邻接的象素7的对置电极op连接。而在本形态中，在堤层bank中，在数据线sig的延伸方向上与相邻的象素7之间部分区域上形成了中断部分off。此外，在堤层bank中，也在扫描线gate的延伸方向上与相邻的象素7之间部分区域上形成了中断部分off。再有，在堤层bank中，在数据线sig和扫描线gate的各延伸方向的端部的每一端部处形成了中断部分off。
由于在这样的中断部分off中没有厚的堤层bank，故是没有起因于堤层bank的大的台阶差的平坦部分，在该部分中被形成的对置电极op不会发生断裂。因而，各象素7的对置电极op通过没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分可靠地连接。因此，即使在象素7的周围形成厚的绝缘膜(堤层bank)从而抑制了寄生电容，在该厚的绝缘膜(堤层bank)的上层上形成的对置电极op中也不发生断裂。
而且，在扫描侧驱动电路4和数据侧驱动电路3的上层侧形成的堤层bank在与扫描侧驱动电路4的形成区域和数据侧驱动电路3的形成区域之间部分位置上形成了中断部分off。因此，显示部11的一侧的对置电极op与基板外周一侧的对置电极op通过堤层bank的中断部分off连接，该中断部分off也是没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分。因而，由于在该中断部分off中被形成的对置电极op不会断裂，故显示部11的一侧的对置电极op与基板外周一侧的对置电极op通过堤层bank的中断部分off可靠地连接，以布线方式连接到该基板外周一侧的对置电极op的端子12与显示部11的对置电极op可靠地连接。
再有，如果用黑色的抗蚀剂来形成堤层bank，则堤层bank起到作为黑色矩阵的功能，提高了对比度等显示的品位。即，在与本形态有关的有源矩阵型显示装置1中，由于对置电极op在透明基板10的表面一侧在象素7的整个面上形成，故在对置电极op处的反射光使对比度下降。而如果用黑色的抗蚀剂来构成担当防止寄生电容的功能的堤层bank，则由于堤层bank也起到作为黑色矩阵的功能，遮住来自对置电极op的反射光，故可提高对比度。
(有源矩阵型显示装置的制造方法)
由于以这种方式形成的堤层bank以包围有机半导体膜43的形成区域的方式来构成，故在有源矩阵型显示装置的制造工序中，在由喷射头喷出的液状的材料(喷出液)形成有机半导体膜43时拦住喷出液以防止喷出液向侧方溢出。再有，在以下说明的有源矩阵型显示装置1的制造方法中，由于到在透明基板10上制造第1TFT20和第2TFT30为止的工序与制造有源矩阵型液晶显示装置1的有源矩阵基板的工序大致相同，故参照图3(A)、(B)、(C)简单地说明其概略。
首先，对于透明基板10，根据需要，将TEOS(四乙基氧硅烷)或氧气等作为原料气体，利用等离子CVD法形成由厚度约为2000～5000埃的氧化硅膜构成的基底保护膜(未图示)，之后利用等离子CVD法在基底保护膜的表面上形成由厚度约为300～700埃的非晶态的硅膜构成的半导体膜。其次，对由非晶态的硅膜构成的半导体膜进行激光退火或固相生长法等结晶化工序，使半导体膜结晶化成为多晶硅膜。
其次，对半导体膜进行图形刻蚀，作成岛状的半导体膜，将TEOS(四乙基氧硅烷)或氧气等作为原料气体，利用等离子CVD法在其表面上形成由厚度约为600～1500埃的氧化硅膜或氮化膜构成的栅绝缘膜57。
其次，利用溅射法形成由铝、钽、钼、钛、钨等的金属膜构成的导电膜，之后进行图形刻蚀，形成栅电极21、31和栅电极31的延伸部分36(栅电极形成工序)。在该工序中也形成扫描线gate。
在该状态下，注入高浓度的磷离子，相对于栅电极21、31以自对准的方式形成源·漏区。再有，未导入杂质的部分成为沟道区。
其次，在形成了第1层间绝缘膜51之后，形成各接触孔，其次，形成数据线sig、漏电极22、共同供电线com、共同供电线com的延伸部分39和中继电极35。其结果，形成第1TFT20、第2TFT30和保持电容cap。
其次，形成第2层间绝缘膜52，在该层间绝缘膜中，在与中继电极35部分区域处形成接触孔。其次，在第2层间绝缘膜52的整个表面上形成了ITO膜之后，进行图形刻蚀，在每个象素7中形成通过接触孔与第2TFT30的源·漏区导电性地连接的象素电极41。
其次，在第2层间绝缘膜52的表面一侧形成了抗蚀剂层，之后进行图形刻蚀以便沿扫描线gate和数据线sig留下该抗蚀剂，形成堤层bank。此外，在堤层bank的预定部分中形成中断部分off。此时，使沿数据线sig留下的抗蚀剂部分的宽度较宽，以便覆盖共同供电线com。其结果，应形成发光元件40的有机半导体膜43的区域被堤层bank所包围。
其次，利用喷射法在被堤层bank划分成矩阵状的区域内形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43。为此，相对于堤层bank的内侧区域，从喷射头喷出构成有机半导体膜43用的液状的材料(前体)，将其固定在堤层bank的内侧区域中，形成有机半导体膜43。在此，由于堤层bank由抗蚀剂构成，故是憎水性的。与此不同，由于有机半导体膜43的前体使用亲水性的溶剂，故即使例如在划分有机半导体膜43的形成区域的堤层bank中有中断部分off，由于这样的中断部分off较窄，故有机半导体膜43的涂敷区域也被堤层bank可靠地确定，不会溢出到邻接的象素7中。因此，能只在预定的区域内形成有机半导体膜43等。在该工序中，从喷射头喷出的前体由于表面张力的影响鼓起约2μm至约4μm的厚度，故堤层bank的厚度必须是约1μm至约3μm。再有，固定后的有机半导体膜43的厚度是约0.05μm至约0.2μm。再有，如果由堤层bank构成的隔壁的高度是1μm以上，即使堤层bank不是憎水性的，堤层bank也能充分起到作为隔壁的功能。如果预先形成这样的厚的堤层bank，则即使在使用涂敷法来代替喷射法形成有机半导体膜43的情况下也能确定该形成区域。
其后，在透明基板10的大致整个面上形成对置电极op。
按照这样的制造方法，由于能利用喷射法在预定的区域内形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43，故能以高的生产率制造全彩色的有源矩阵型显示装置1。
再有，在图1中示出的数据侧驱动电路3及扫描侧驱动电路4中也形成TFT，但这些TFT是利用在上述的象素7中形成TFT的工序的全部或一部分而进行的。因此，构成驱动电路的TFT也是在与象素7的TFT相同的层间形成的。此外，关于上述第1TFT20和第2TFT30，两者是N型、两者是P型、一者是N型另一者是P型这样的情况的任一种都是可以的，但由于即使是这样的任一种的组合，也能利用众所周知的方法来形成TFT，故省略其说明。
[实施形态1的变形例1]
图4是示意性地示出有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。图5是抽出其中被构成的象素的1个而示出的平面图，图6(A)、(B)、(C)分别是图5的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。再有，由于本形态与实施形态1的基本结构相同，故在各图中对于共同的部分附以相同的符号，省略其详细的说明。
如图4、图5和图6(A)、(B)、(C)中所示，在本形态的有源矩阵型显示装置1中，也沿数据线sig和扫描线gate设置了由抗蚀剂膜构成的厚的绝缘膜(堤层bank/以宽的间距附加了朝向左下方向的斜线的区域)，在该堤层bank的上层侧形成了对置电极op。因此，由于在数据线sig与对置电极op之间介入了第2层间绝缘膜52和厚的堤层bank，故寄生于数据线sig上的电容极小。因此，可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
此外，在透明基板10的周边区域(显示部11的外侧区域)中也形成堤层bank(对形成区域附以斜线)。因而数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4都被堤层bank覆盖。因此，即使对置电极op与这些驱动电路的形成区域处于重叠状态，在驱动电路的布线层与对置电极op之间也介入了堤层bank。因此，由于可防止电容寄生于驱动电路3、4上，故可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
再有，在本形态中，由于在象素电极41的形成区域中，堤层bank也在与导通控制电路50的中继电极35重叠的区域中形成，故可防止无用的无效电流流过。因此，共同供电线com的宽度可相应地变窄。
此外，在本形态中，由于沿数据线sig和扫描线gate形成了堤层bank，故任一个象素7都被堤层bank所包围。因此，由于能利用喷射法在预定的区域内形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43，故能以高的生产率制造全彩色的有源矩阵型显示装置1。
而且，在堤层bank中，在扫描线gate的延伸方向上与相邻的象素7之间部分区域上形成了中断部分off。此外，在堤层bank中，在数据线sig和扫描线gate的各延伸方向的端部的每一端部处形成了中断部分off。再有，在扫描侧驱动电路4和数据侧驱动电路3的上层一侧形成的堤层bank在与扫描侧驱动电路4的形成区域和数据侧驱动电路3的形成区域之间部分位置上形成了中断部分off。因而，对置电极op通过没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分(中断部分off)可靠地连接，不会断裂。
[实施形态1的变形例2]
图7是示意性地示出有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。图8是抽出其中被构成的象素的1个而示出的平面图，图9(A)、(B)、(C)分别是图8的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。再有，由于本形态与实施形态1的基本结构相同，故在各图中对于共同的部分附以相同的符号，省略其详细的说明。
如图7、图8和图9(A)、(B)、(C)中所示，在本形态的有源矩阵型显示装置1中，也沿数据线sig和扫描线gate设置了由抗蚀剂膜构成的厚的绝缘膜(堤层bank/以宽的间距附加了朝向左下方向的斜线的区域)，在该堤层bank的上层侧形成了对置电极op。因此，由于在数据线sig与对置电极op之间介入了第2层间绝缘膜52和厚的堤层bank，故寄生于数据线sig上的电容极小。因此，可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
此外，在透明基板10的周边区域(显示部11的外侧区域)中也形成堤层bank(对形成区域附以斜线。)。因而数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4都被堤层bank覆盖。因此，即使对置电极op与这些驱动电路的形成区域处于重叠状态，在驱动电路的布线层与对置电极op之间也介入了堤层bank。因此，由于可防止电容寄生于驱动电路3、4上，故可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
再有，在本形态中，由于在象素电极41的形成区域中，堤层bank也在与导通控制电路50的中继电极35重叠的区域中形成，故可防止无用的无效电流流过。因此，共同供电线com的宽度可相应地变窄。
此外，在本形态中，由于沿数据线sig和扫描线gate形成了堤层bank，故任一个象素7都被堤层bank所包围。因此，由于能利用喷射法在预定的区域内形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43，故能以高的生产率制造全彩色的有源矩阵型显示装置1。
而且，在堤层bank中，在数据线sig的延伸方向上与相邻的象素7之间部分区域上形成了中断部分off。此外，在堤层bank中，在数据线sig和扫描线gate的各延伸方向的端部的每一端部处形成了中断部分off。再有，在扫描侧驱动电路4和数据侧驱动电路3的上层侧形成的堤层bank在与扫描侧驱动电路4的形成区域和数据侧驱动电路3的形成区域之间部分位置上形成了中断部分off。因而，对置电极op通过没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分(中断部分off)可靠地连接，不会断裂。
[实施形态2]
图10是示意性地示出有源矩阵型显示装置的整体布局的框图。图11是抽出其中被构成的象素的1个而示出的平面图，图12(A)、(B)、(C)分别是图11的A-A’剖面图、B-B’剖面图和C-C’剖面图。再有，由于本形态与实施形态1的基本结构相同，故在各图中对于共同的部分附以相同的符号，省略其详细的说明。
如图10、图11和图12(A)、(B)、(C)中所示，在本形态的有源矩阵型显示装置1中，沿数据线sig以条状形成由抗蚀剂膜构成的厚的绝缘膜(堤层bank/以宽的间距附加了朝向左下方向的斜线的区域)，在该堤层bank的上层侧形成了对置电极op。因此，由于在数据线sig与对置电极op之间介入了第2层间绝缘膜52和厚的堤层bank，故寄生于数据线sig上的电容极小。因此，可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
此外，在透明基板10的周边区域(显示部11的外侧区域)中也形成堤层bank(对形成区域附以斜线)。因而，由于数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4都被堤层bank覆盖，故即使对置电极op与这些驱动电路的形成区域处于重叠状态，在驱动电路的布线层与对置电极op之间也介入了堤层bank。因此，由于可防止电容寄生于驱动电路3、4上，故可降低驱动电路3、4的负载，可谋求低功耗化或显示工作的高速化。
此外，在本形态中，由于沿数据线sig形成了堤层bank，故在被堤层bank划分成条状的区域内能利用喷射法以条状形成对应于R、G、B的各有机半导体膜43，故能以高的生产率制造全彩色的有源矩阵型显示装置1。
而且，在堤层bank中，在数据线sig的延伸方向的端部处形成了中断部分off。因而，各象素7的对置电极op在扫描线gate的延伸方向上越过厚的堤层bank连接到邻接的象素7的对置电极op上。尽管如此，在数据线sig的延伸方向上，各象素7的对置电极op在数据线sig的端部通过中断部分off(没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分)与在扫描线gate的延伸方向上邻接的象素7的列连接。因此，可以说各象素7的对置电极op通过没有起因于堤层bank的台阶差的平坦部分与其它象素7的对置电极op连接，任一个象素7的对置电极op都不会成为断裂状态。
[其它实施形态]
再有，关于堤层bank(绝缘膜)，在由抗蚀剂膜、聚酰亚胺膜等的有机材料构成的情况下，能容易地形成厚膜，但在由用CVD法或SOG法成膜的氧化硅膜或氮化硅膜等的无机材料构成堤层bank绝缘膜的情况下，即使处于与有机半导体膜43接触的状态下，也可防止有机半导体膜43的变质。
此外，关于保持电容cap，除了在与共同供电线com之间形成的结构之外，也可在与扫描线gate并列地形成的电容线之间形成。
发明的利用可能性
如以上已说明的那样，在与本发明有关的有源矩阵型显示装置中，由于使厚的绝缘膜介入到数据线与对置电极之间，故可防止电容寄生于数据线上。因此，由于可降低数据侧驱动电路的负载，故可谋求低功耗化或显示工作的高速化。此外，在厚的绝缘膜的预定的位置上构成中断部分，使该部分变得平坦。因而，由于每个区域的对置电极通过在平坦部分中形成的部分进行导电性连接，故例如即使由于起因于绝缘膜的台阶差，该部分中发生断裂，也可通过与绝缘膜的中断部分相当的平坦部分可靠地进行导电性连接。因此，由于即使在有机半导体膜的周边形成厚的绝缘膜从而抑制了寄生电容，在绝缘膜的上层上形成的对置电极中也不发生断裂，故可提高有源矩阵型显示装置的显示质量和可靠性。

Claims (13)

1.一种有源矩阵型显示装置，包括：
基板；
位于所述基板上的显示区域，上述显示区域包括多个扫描线和多个数据线，上述扫描线和上述数据线形成多个像素，每一个上述像素具备薄膜发光元件，该薄膜发光元件包括：
晶体管，来自上述扫描线中相应一个扫描线的扫描信号提供给上述晶体管的栅电极，上述晶体管覆盖有层间绝缘膜；
置于上述层间绝缘膜上的像素电极；
对置电极，上述对置电极至少形成在上述显示区域上；和
置于上述像素电极和上述对置电极之间的有机半导体膜，上述有机半导体膜由置于上述层间绝缘膜和上述对置电极之间的堤层来定界，
上述堤层具有中断部分，以及
相邻像素的各个对置电极部分通过上述中断部分彼此连接。
2.如权利要求1中所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：
上述薄膜发光元件包括导通控制电路，上述导通控制电路具备在栅电极上接受上述扫描信号的第1晶体管和通过该第1晶体管其栅电极连接到上述数据线上的第2晶体管，
该第2晶体管和上述薄膜发光元件以串联方式连接在对上述数据线和扫描线来说是另外构成的驱动电流供给用的共同供电线与上述对置电极之间。
3.如权利要求1所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：
上述堤层用于在通过喷射法涂敷有机半导体用的液体材料时防止上述液体材料因喷射而扩散。
4.如权利要求1所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：
至少上述堤层的一部分具有1μm或1μm以上的厚度。
5.如权利要求1所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：
通过沿上述数据线和上述扫描线形成了上述堤层来包围上述有机半导体膜的形成区域的周边，同时该堤层在上述数据线和上述扫描线的各延伸方向上与相邻的象素之间部分区域上具备上述中断部分。
6.如权利要求2所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：
通过沿上述数据线和上述扫描线形成了上述堤层来包围上述有机半导体膜的形成区域的周边，同时该堤层在上述数据线和上述扫描线的各延伸方向上与相邻的象素之间部分区域上具备上述中断部分。
7.如权利要求1至4的任一项中所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：
通过沿上述数据线和上述扫描线形成了上述绝缘膜来包围上述有机半导体膜的形成区域的周边，同时该绝缘膜在上述扫描线的延伸方向上与相邻的象素之间部分区域上具备上述中断部分。
8.如权利要求1至4的任一项中所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：
通过沿上述数据线和上述扫描线形成了上述绝缘膜来包围上述有机半导体膜的形成区域的周边，同时该绝缘膜在上述数据线的延伸方向上与相邻的象素之间部分区域上具备上述中断部分。
9.如权利要求1至4的任一项中所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：
沿上述数据线以条状形成上述绝缘膜，该绝缘膜在该形成方向的至少一个端部上具备上述中断部分。
10.如权利要求1至6的任一项中所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：
用上述绝缘膜来覆盖上述象素电极的形成区域中的与上述导通控制电路的形成区域重叠的区域。
11.如权利要求1至6的任一项中所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：
在上述显示部的周围具有通过上述数据线供给数据信号的数据侧驱动电路和通过上述扫描线供给扫描信号的扫描侧驱动电路，在该扫描侧驱动电路和上述数据侧驱动电路的上层侧也形成了上述绝缘膜，同时该绝缘膜在与上述扫描侧驱动电路的形成区域和上述数据侧驱动电路的形成区域之间部分位置上具备中断部分，该中断部分通过没有起因于该绝缘膜的台阶差的平坦部分使在上述显示部一例的对置电极与基板外周一侧的对置电极连接起来。
12.如权利要求1至6的任一项中所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：
上述绝缘膜由有机材料构成。
13.如权利要求1至6的任一项中所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：
上述绝缘膜由无机材料构成。
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