CN1154421A - 脉冲化直流电源的电弧控制和开关元件的保护 - Google Patents

Abstract

一种直流溅镀工艺应用脉冲化直流电压，在多数情况下，反向偏压脉冲部分将减少或消除飞弧的源。如果机械飞弧检测器(30)检测到所加电压连续两个周期落入飞弧的特征范围，则将所加电源中断一段期间，并加上反向偏压。过压检测和箝位电路(36)，如果连续两个周期超过过压阈值，则中断供电。

Description

脉冲化直流电源的电弧控制和 开关元件的保护

本发明涉及薄膜的喷镀，特别涉及活性溅镀工艺，在这种工艺中，靶材料的原子从导电性靶上释放，以形成喷镀到基底表面的镀膜。这种工艺可以用于，例如，活性溅镀工艺，在电气零件上形成介电绝缘层，或在机械零件上形成耐磨层。

本发明还特别涉及一种改进了的直流(dc)溅镀工艺，在这种方法中，消除了积聚在导电性靶上的介电镀膜材料，从而避免了产生飞弧的主要原因。

在我们早些时候的European Publisbed Npplication(欧洲发表的申请书)EP 0 692 550 A1中，已对活性溅镀以及与直流溅镀有关的问题作了详尽的描述。

溅镀是一种真空喷镀过程，在该过程中，溅镀靶受到离子(一般为离子化的惰性气体)的轰击，通过动量转换机械地释放靶材料的原子，然后，靶材料镀到附近的基底上。

在活性溅镀工艺中，把活性气体引入喷镀室，被释放的靶材料与活性气体反应，形成镀膜材料。例如，靶材料可以是铝，可以引入氧作为活性气体，以产生氧化铝镀膜。含碳的气体，如乙炔可用来作为活性气体以产生碳化物镀膜，如SiC、WC等。可以引入N₂，以产生氮化物镀膜，如TiN。在任一种情况下，导电靶的原子和活性气体在喷镀室的等离子区中发生反应，产生作为镀膜的化合物。在典型的例子中，从铝靶释放的铝原子进入氩和氧的等离子区，产生氧化铝的喷镀。

直流溅镀是一个随机过程，把绝缘镀膜材料喷镀到所有可达到的表面上。这就是说，绝缘材料不仅复盖在有关制品上，也复盖在喷镀室内其它表面上，其中包括靶。这样，在喷镀氧化铝的活性溅镀过程中，Al₂O₃分子也落在铝靶的表面上。绝缘物在靶上的这种喷镀造成一些严重的问题，其中包括降低溅镀速率、并易于产生飞弧。

由于大气中的气体、水滴、杂质和其它污染物的存在，即使在传统的直流溅镀中也会产生靶的污染。这些污染物的每一种都可能是飞弧的源，这些污染物的存在随着时间的推移还会使喷镀速率由于靶上有效溅镀面积的减少而降低，因此，这些问题要求经常清除靶的表面。

知道这个问题的存在已有一段时间了，但其原因还不十分清楚。解决这些问题的办法，如活性溅镀中的电弧控制还不能令人满意。

标准的方法是检测飞弧的存在，然后，切断电流。这样做控制了飞弧，但对继续复盖靶的绝缘镀膜却毫无作用。

早期解决飞弧的一种盲目尝试是，周期性地切断直流电源与产生溅镀的等离子发生器之间的电流。在这儿，就是用关闭直流电源来消除早期飞弧。这就是说，以固定占空比的单极性脉冲功率给靶供电。这样作允许只有部分电荷跨过介电喷镀在靶上建立起来，故使飞弧的出现可能减少，还可以使该镀层产生少量的再溅镀，因而确有好作用。但是，这种系统只是减小了靶上绝缘喷镀的速率，而不能消除这种喷镀。

以前提出的另一种系统叫作低能小单元电弧抑制电路。在该系统中，电子开关以大约2KHz的频率循环，切断通往靶的电流。这实际上是使靶上的电压反向至正几伏，从等离子区中把一些电子拉到该绝缘镀层的前表面上。这就中和掉该镀层前表面上的离子，使跨过该镀层建立起来的电压放电，因而大大减少了电介质击穿和飞弧的发生。另外，绝缘层前表面的放电使表面电位降至接近于靶的电位。电介质镀层的放电还使等离子区中的氩离子与绝缘电介质材料碰撞，使喷镀材料的分子产生某种再溅镀，因而降低了在靶上的喷镀速率。

但是，这种方法并不能使喷镀化合物的分子像靶材料的原子一样有效地进行再溅镀，因此，总的说来，该方法在活性溅镀过程中并没有有效地消除靶上的镀层。

为了进行溅镀，不同的材料要求给靶施加不同的电压。例如，由于金原子比铝原子重得多，因而需要能量高得多的离子使其从靶上释放出来。一般说来，在使用铝靶的工艺中，需要施加约-450伏的电压；而在使用金靶的同样工艺中，所加电压必须为约-700伏。

由于氧化铝(Al₂O₃)分子比铝原子重得多，人们可以理解使氩离子具有足以产生再溅镀镀膜的能量需要更高的电压。对其它材料当然也是如此。

解决此问题的另一种方法是使用2个溅镀靶，一个作为阴极，另一个作为阳极。所施加的电压周期性地反向，使得溅镀先从一个靶产生，然后从另一个靶产生。这种方法还使所喷镀绝缘材料上的电荷改变符号，因而减小了飞弧的可能，同时还能使靶上的部分绝缘材料再溅镀掉。但这种装置需要多个靶，可能会笨重、昂贵，因而不便于使用。另外，由于换向需要一定时间，因而这种装置具有喷镀速率低的缺点。

以前这些使用单极性脉冲供电或交替循环靶的方法，在降低在靶上再喷镀绝缘膜的电压强度方面有一定程度的作用，但在消除和防止再喷镀方面还不十分有效。这些方法中没有一个能从一开始，即绝缘层有积聚机会之前就将其溅镀掉，并且这些技术中没有一个能有效地消除或停止绝缘膜在靶上再喷镀而同时保持高喷镀速率。

在我们早些时候发表的EPC申请书EP 0 692 550 A1揭示的方法中，活性直流(dc)溅镀是通过在等离子室中把一电位加到一导电靶上，使靶材料从靶上溅镀出去，与一种被引入等离子室的活性气体反应而执行的。从电源给溅镀靶加一电平合适的直流电压，例如-500伏，靶作为阴极，等离子室中的一个导电表面接地，作为阳极。把出现在等离子室中的惰性气体，如氩电离，产生等离子区，如氩离子和自由电子。电子被拉到阳极中，正的氩离子向阴极，也就是向导电靶方向加速。氩离子撞击靶材料的原子，通过动量转换使其从靶上释放。氩离子从带负电荷的靶上拾取电子并移动，返回等离子区。被释放的靶原子进入等离子区并与引入等离子室的活性气体反应。活性气体例如可以是氧、氮、硼烷、乙炔、氨、硅烷、砷化氢或各种其它气体。反应产物喷镀在位于等离子区附近的基底上。基底可以是掩蔽的半导体晶片，化合物Al₂O₃、SiO₂、或其它绝缘物或电介质就喷镀在其表面。在某些工艺中，基底可以是铝头、防磨板、阀轴或其它要喷镀耐磨镀层(如WC和TiN)的机械零件。

在高密盘的制造中，可用非活性溅镀向母盘上喷镀一导电层，以进行以后的电镀。

正如前面所说的，活性溅镀工艺的反应产物是随机喷镀的，它不仅复盖工件基底，也复盖了其它表面，其中包括喷镀室壁和溅镀靶。绝缘镀层的积聚会诱发飞弧，还减小了溅镀靶的可用面积，因而随着时间的推移，会降低溅镀速率。

在EPC 0 692 550 A1申请书描述的方法中，通过直流电压电平的反向偏压脉冲、周期性地中断加到靶上的直流供电，该电压电平相对阳极为正。反向偏压脉冲最好比地电位高50至300伏，脉冲频率为40-250KHz，脉宽1至3μsec，这形成了低占空比(大约为10％或更低)脉冲。反向偏压使绝缘材料上的电荷改变符号。这种积聚作用好像一只电容器，导电靶作为电容器的一块板，导电的等离子区为另一块板。所加反向电压的时间(如2μsec)足以使镀层的等离子区侧面高达-300伏的容性电荷的极性反向。

然后，当再加正常的或负的溅镀电压时，等离子区中的氩离子优先向反向带电的介电材料加速。由于有了附加的电位差，这些离子向更高的能量加速。因此，镀层的分子从靶上再溅出来。这一过程还能使靶的有效溅镀面积保持尽可能大。

无论是用于活性溅镀或传统溅镀，这种优选的溅镀方法还都从靶的表面清除其它绝缘污染物。

尽管上面描述的优选溅镀方法在脉冲化直流供电方面已取得了重大有益的成果，但还可能出现一些该项技术没有解决的其它问题。例如，粒子和电弧对靶表面的损坏会造成机械电弧增加，也就是说，当加上反向偏压时，持续飞弧问题不能马上自行消除。另外，电压极高的条件可能存在，例如，如果气体太少不足以支持等离子区时。在多数情况下，飞弧或过压将在所加脉冲化电压的一个周期内自行消除。但是，在反向偏压不能解决这一问题的情况下，就需要采取一些附加步骤，防止工件、等离子室或电源被损坏。遗憾的是，没有一种现有的系统能够与反向偏压脉冲化电源共同操作，还能够检测持续电弧(顽固电弧或多触发电弧)或过压条件、并对其作出反应。

本发明的目标之一是，以检测和处理飞弧或过压条件并避免以往工艺中的问题的方式，来强化溅镀或等离子室的其它操作。

本发明的另一个目的是，在检测机械飞弧和过压条件并自动采取步骤终止飞弧和过压条件的情况下，进行溅镀操作。

本发明还有一个目的是，防止机械飞弧和过压损坏等离子区的电源部件。

根据本发明的一个方面，脉冲化直流溅镀过程通过从等离子室中的一个导电靶上溅射靶材料来进行。一直流电压加在靶和等离子室中的一个阳极之间，使存在于等离子室中惰性气体的离子撞击靶。惰性气体离子将靶材料的原子溅射出去。直流电源给靶加一预定速率脉冲波形。脉冲波形的每个周期包括一个预定电压电平(如-300至-700伏)和第一脉冲宽度的负压脉冲部分、和一个预定第二脉冲宽度的相对于阳极为正的电压电平(如+50至+300伏)。

可包括一组或一串稳压二极管的过压检测电路，检测所加的电压是否超过预定的负压电平。正常情况下，过压条件可在一个周期内通过反向偏压脉冲的作用而自行消除。但是，如果过压条件持续两个连续周期，将使电源电压中断某一预定期间。稳压二极管串还把任何电压过冲箝位到最高电平上，以保护电源中的开关晶体管。

还连续对所加电压进行机械飞弧条件的监测。为了做到这一点，在每个周期的负脉冲部分脉冲宽度的约80％的窗口内，对所加电压进行查询。一般情况下，等离子区将产生几百伏的电压降，而产生飞弧时电压降非常小，一般为几伏到二十伏左右。因此，在窗品期间内，对所加电压进行监测，以确定该电压是否在是飞弧特征的低压范围内。如果连续两个周期存在低压条件，则将直流电源中断一定期间(从几微秒到几毫秒)，以消除电弧。

也可以是，当过压或飞弧条件连续存在1个、3个或其它数量的周期时，开始中断。

使用这种技术时，溅镀过程避免了与飞弧有关的问题，如电弧对基底的损坏和溅射镀膜有颗粒。该技术还能防止对等离子室、电源和脉冲装置的损坏。同一元件既检测过压条件，又箝位任何过压，以保护设备。本发明的这种改进，检测并处理各类情况，以提高基底镀层的质量水平。

通过下面应该连同附图一起阅读的、对优选实施例的描述，本发明的上述及其它许多目的、特征和优点将更为明显。

图1为根据本发明的实施例，带有机械电弧和过压检测的溅镀电源电路图；

图2为在检测出机械飞弧或过压的条件下，用来中断电源的本实施例控制电路的电路图；

图3A至3E为用来解释本实施例操作的波形图。

参照附图并从图1开始，脉冲化的直流溅镀装置使用一个直流等离子电源10给等离子室负载12供直流功率。这种类型的等离子室是众所熟知的，例如，在这里列为参考的、标题为“优选的从导电靶溅镀绝缘层(Preferential Sputteing of Insulators from Canductice Tasgets)、”已发表的EPC 0 695 550 A1申请书中，详细描述了相同的装置。本例中，直流电源有一个正端14和一个负端16，以选定的直流电压(如300伏到700伏)供电。与电源10相连的是反向脉冲发生器18，此处所示包括一个反向偏压源20、作为开关的FET 22、和使开关FET 22动作的控制电路24。在上述专利申请书中，对该反向脉冲发生器的操作也作了描述。

机械电弧检测电路26与等离子室负载12的输入端连接，以检测是飞弧特征的电压条件。也就是说，在等离子条件下，跨过等离子区的电压降大约为几百伏。但是，飞弧条件表现为跨过等离子区的短路，并且出现几伏到100伏左右的电压降。为了检测低压条件，该电路包括一串电阻，28a至28e，用作分压器28，该电路与电压比较器30的一个输入端连接，比较器30的另一个输入端与参考电源32(此处为一分压器)连接。比较器30的输出提供给光发射器34(此处，表示为一个LED)。

过压检测和箝位电路36也与等离子室负载12的输入端连接，包括一串串联的稳压二极管38，二极管串的一端与直流电源的正端连接，另一端与过压光发射器(此处，表示为LED 44)、电容器40、保护限压稳压二极管42和一个电阻连接。选择稳压二极管38，使它们的反向击穿电压之和等于预定的过压阈值。另一种限压技术可用来代替隐压二极管，如MOV。电容器40、稳压二极管42和LED 44与用作任何极高电压变化范围的汇流条(curreut sink)的直流电源负极(负条)连接。每当负载12输入端上的电压超过该阈值时，电流将经过二极管串38和LED 44而流动，以发出过压条件的信号。此外，稳压二极管38把任何电压峰值都箝位到该过压阈值上，从而保护脉冲发生器18、电源10、以及等离子室和等离子室内要镀膜的基底。

图2更详细地示出脉冲化直流电源的控制电路。系统时钟电路46包括一个可调电压斜坡源或发生器48、一个参考电压源50和一个比较器52，比较器52的输出产生时钟信号SYS CLOCK。从斜坡发生器48发出的斜坡信号馈给占空比较器54的输入端，比较器54的另一个输入端与一参考电压分压器56连接。该比较器54的输出提供一个脉冲信号DUTY CYCLE，该信号控制脉冲化直流电源周期的正脉冲部分和负脉冲部分的脉冲宽度。此处所示的斜坡发生器48和参考电压分压器56是以传统(模拟)元件实现的，但需要理解的是，可以数字地实现、并可通过软件进行调整。脉冲信号SYS CLOCK和DUTY CYCLE提供给开关控制电路60或脉冲发生器的输入端。该电路产生一个加到电源控制电路62上的脉冲信号并确定脉冲化直流电源的正脉冲部分和负脉冲部分，例如，如图3A所示。控制电路24将受控的门电压提供给开关晶体管22(图1)。

响应于机械飞弧的电路也示于图2。图中，机械电弧接收器66包括一个光学上与光发射器34耦合的光传感器，实际上这两个元件可以装在一起作为一个光隔离装置。接收器66的输出通向电弧检测电路68的一个输入端。信号RAMP和参考电平提供给定时比较器72。给比较器72加偏置，以便当脉冲化直流电源周期的负脉冲部分的某一预定部分(如80％)已过去时，比较器72提供控制窗口脉冲80％CLOCK。80％CLOCK控制窗口脉冲馈给电弧检测电路68的另一个输入端。如果在控制窗口出现的期间内、出现在等离子室负载12上的所加电压大于预定的负阈值，则电弧检测电路68的输出变成高(电平)。电弧检测输出加到电弧故障计数电路70。时钟信号SYS CLOCK加到计数电路70的时钟输入端。如果电弧检测输出连续两个周期保持高。则将信号提供给计时电路74。当电弧故障计数器70的输出为高时，计时电路74动作，并产生一个禁止信号SD，馈给开关控制电路60和电源控制电路62，其作用是，当连续两个电源周期检测出飞弧时，使脉冲化直流电源中断一段期间，如200微秒。参考图3B和3D可解释这一点。

如图3B所示，在正常的、稳定的条件期间内，对每个负向脉冲部分，所加的电压出现一负的过冲，然后上升，直至下一个连续的反向偏压(正)脉冲。在这种情况下，负脉冲部分总是超过几百伏，这是典型的等离子条件。但是，如果要发生飞弧，在所加电压的负脉冲部分期间内出现的电压电平会低得多。实际上，出现在等离子室12中的电弧表现为低阻或短路，因而跨过等离子室出现小的电压降。

现在，还参考图3D、3E，机械电弧检测电路34、接收器66、以及有关的逻辑电路和定时电路68至74，在出现控制窗口脉冲80％CLOCK(图3E)期间内，对所加电源(图3D)取样。如果此时所加电压在是电弧特征的范围内，即大于阈电压-Varc，则光发射器34亮，并与接收器66在光学上连通。如果此事仅在一个周期发生，则脉冲化直流供电继续正常进行。在多数情况下，反向偏压脉冲将解决所有问题，因而不需要中断对等离子室的供电。图3D中所示的第二和第三周期就代表了这一点。如果只有一次单一飞弧，则电弧故障计数器70复位，并且输出保持低。阈电压-Varc可以是50伏、100伏或其它合适的数值。

但是，如果连续两个周期在脉冲80％CLOCK期间存在飞弧，如图3D的第四、第五周期所示，则电弧故障计数器输出高电平，使计时电路74动作，禁止控制电路60和电源控制电路62(例如，图1中的24)。这一动作有效地使供电关闭一预定期间(最好是几百微秒)，并且在这段期间内加反向偏压，以迅速消除电弧。此后，脉冲化直流供电可恢复正常，加到等离子室上。

本实施例中，当连续两个周期出现飞弧时，直流电源关闭。如果愿意，还可以把电路安排为要求一个周期、连续三个周期、五个周期中的三个周期或其它出现飞弧的方案。

现在回到图2，过压接收器76光学上耦合到过压发射器LED 44上。接收器76的一个输出端与过压故障计数电路78的一个输入端连接，时钟信号SYS CLOCK加到该电路的时钟输入端上。过压故障计数器78的输出端与过压故障计时电路80的一个输入端连接，每当所加电源的连续两个周期存在过压条件时，过压故障计时电路80将一中断信号提供给开关控制电路60(例如图1中的24)和供电电路62。计时电路中断信号一般持续200微秒。本实施例中，如果在连续2个时钟信号SYS CLOCK出现的每一个以后，过压故障计数器从过压接收器76收到一个过压信号，过压故障计数器则变高，而在所有其它条件下将保持低。

过压检测和保护装置的操作可参考图3C进行解释。如前所述，所加电压每个周期的负压脉冲部分开始时，出现一个负压过冲，示于图3C的第一个周期，并以类似的方式示于图3B。根据操作条件和所涉及的等离子工艺的不同，所加电压可在约-50到-4000伏的范围内，而允许的过冲可能是误电压的很大一部分。但是在有些条件下，等离子区可能不再存在或表现异常，并且等离子区负载12可能呈现为无限大阻抗。这可能会造成激励振荡条件。在这种情况下，如图3C第二、三周期所示，可能会发生电压变化范围大大超过允许的范围。在这种情况下，稳压二极管串38可选择为具有约-4至几千伏的过压阈Vov。当出现在跨过负载12上的所加电压超过该阈值Vov时，过压发射器34变亮，并且过压接收器76给过压故障计数器78发送一个高电平。如果仅仅一个单一周期存在过压条件，控制电路60(图1，24)继续正常开关，并且在多数情况下过压问题将自行消除。但是，如果过压条件连续存在二个周期，则计时器电路80给开关控制电路60(图1中的24)和电源控制62发出禁止指令SD，使电源中断刚好是上述预定的期间。电源可交替中断并在中断期间加反向偏压。在此实施例中，如果过压条件连续存在二个周期，还是将电源关闭，脉冲发生器也将保持关闭。在其它可能的实施例中，也可以使用其它方案，如一个周期、连续三个周期或五个周期中的三个周期。

正如机械飞弧的检测和保护那样，在计时电路80所确定的中断期间后，控制电路24(例如，图2中的60)还是恢复正常操作，并等待连续两个周期过压变化范围或连续两个周期飞弧的出现。

Claims (9)

1.一种脉冲化直流溅镀工艺，其中，靶材料从等离子室中的一个导电靶上溅射出去，溅射的材料喷镀在等离子室中的基底上，在该工艺中，所述靶和所述等离子室中的一个阳极之间所加的直流电压使存在于所述等离子室中惰性气体的离子撞击靶，将所述靶材料的原子溅射出去，所加的电压具有预定脉冲频率的脉冲波形，脉冲的每个周期包括一个相对于所述阳极为预定负电平和预定第一脉冲宽度的负电压部分、和一个具有预定第二脉冲宽度的相对于所述阳极为正的反向电压电平；该工艺的特征在于，自动对所述靶和阳极之间所加电压进行过压监测，如果连续在预定的多个周期中、在所述负电压部分期间内，所述所加电压超过预定的负过压阈，则自动中断所加直流电压；该工艺的特征还在于，在每个所述负脉冲部分的期间中、在预定的窗口时间间隔内，对所述靶和阳极之间的所加电压进行飞弧监测，如果连续在预定的多个周期中、在所述窗口时间间隔内，所述所加电压在是飞弧电压特征的范围内，则自动中断所述所加直流电压。

2.根据权利要求1中所述的脉冲化直流溅镀工艺，其特征还在于，对所加电压进行过压监测的步骤包括，当所述所加电压达到或超过所述过压阈值时，将所述所加电压箝位到过压阈值上。

3.根据权利要求1和2中所述的脉冲化直流溅镀工艺，其特征还在于，针对过压检测所加电压的步骤中，所述预定的多个周期为连续两个周期。

4.根据权利要求1、2或3中所述的脉冲化直流溅镀工艺的特征还在于，针对飞弧检测所加电压的所述步骤中，所述预定的多个周期为连续两个周期。

5.一种用来直流溅射的直流等离子装置，其中，一等离子室内装有一个阳极、一个基底和一个靶，靶材料从所述靶上溅射出去、喷镀在所述基底上；在这种直流等离子装置中，一脉冲化直流电源(10)以预定电平给所述靶提供所加负电压，该负电压在所述等离子室中引起惰性气体离子的等离子区，离子以足够的能量撞击所述靶，使靶材料从所述靶上释放出来，从而使靶材料本身喷镀在基底上；该装置包括周期性反向偏压电路(18、24)，用来以预定脉冲持续时间的脉冲时间间隔把所述预定电平的所述负电压加到所述靶上，并在所述负电压出现之间把相对于所述阳极为正电压的脉冲加到所述靶上，这样，所述负电压和正电压的相邻脉冲就确定了一个具有预定脉冲频率的周期；该装置的特征在于，过压保护装置(36)监测所述靶和阳极之间的所加电压，如果连续在预定的多个周期中，在所述负电压部分的期间内，所述所加电压超过预定的负过压阈，则自动中断所述直流电压；该装置的特征还在于，电弧消除装置(26、28、30、32、34)在每个所述负脉冲部分的期间中、在预定的窗口时间间隔内，对所述靶和阳极之间的所加电压进行电弧监测，如果连续在确定的多个周期中，在所述窗口时间间隔内，所述所加电压在是电弧特征的电压范围内，则所述电弧消除装置自动中断所述直流电压，并将反向偏压加到所述靶上一段延长了的期间。

6.根据权利要求5中所述的直流等离子装置，其特征还在于，所述过压保护装置包括一个在所述所加电压达到或超过所述过压阈值时，把所述所加电压箝位到所述过压值上的箝位电路(42)。

7.根据权利要求6中所述的直流等离子装置，其特征还在于，所述过压保护方法包括连接在所述脉冲化直流电源输出端之间、一组串联的稳压二极管(38)。

8.根据权利要求6或7中所述的直流等离子装置，其特征在于，所述过压保护装置包括一个光发射器(44)，将其连接在所述一组稳压二极管(38)和汇流条(current sink)之间；还包括一个光学上与所述发射器(44)耦合的光接收器(76)；和一个电路装置(78、80)，当所述光接收器对所述多个连续周期指示过压时，所述光接收器使电路装置(78、80)动作，以中断所述直流供电。

9.根据权利要求5-8中的任何一项所述的直流等离子装置，其特征在于，所述电弧消除装置包括：一个具有输出端和输入端的电压比较器(30)，其输入端与所述直流电源的输出端和参考电压源(32)连接；一个被所述比较器(30)的输出所驱动的光发射器(34)；一个光学上与所述发射器(34)耦合的光接收器(66)；一个用来在每个周期的每个所述负脉冲部分的预定窗口时间间隔内，产生窗口信号的窗口计时器(72)；一个与所述光接收器和窗口计时器(72)连接的，用来检测在所述预定的多个周期中、在所述窗口时间间隔内，所述特征电压是否存在的逻辑电路(68-74)；和一个与所述逻辑电路(68-74)连接的中断装置(60、62)，用来在所述预定的多个周期中、在所述窗口时间间隔内，存在所述特征电压时，中断所述直流供电。

Images