CN1196178C - 处理物体的方法 - Google Patents

处理物体的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1196178C
CN1196178C CNB98810556XA CN98810556A CN1196178C CN 1196178 C CN1196178 C CN 1196178C CN B98810556X A CNB98810556X A CN B98810556XA CN 98810556 A CN98810556 A CN 98810556A CN 1196178 C CN1196178 C CN 1196178C
Authority
CN
China
Prior art keywords
ozone
mixture
gas
liquid
pressurizing vessel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB98810556XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1277594A (zh
Inventor
史蒂文·L·纳尔逊
库尔特·K·克里斯坦森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tel Manufacturing and Engineering of America Inc
Original Assignee
FSI International Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by FSI International Inc filed Critical FSI International Inc
Publication of CN1277594A publication Critical patent/CN1277594A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1196178C publication Critical patent/CN1196178C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/72—Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation
    • C02F1/78—Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation with ozone
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2201/00—Apparatus for treatment of water, waste water or sewage
    • C02F2201/78—Details relating to ozone treatment devices
    • C02F2201/782—Ozone generators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S210/00—Liquid purification or separation
    • Y10S210/90—Ultra pure water, e.g. conductivity water
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S261/00—Gas and liquid contact apparatus
    • Y10S261/42—Ozonizers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S261/00—Gas and liquid contact apparatus
    • Y10S261/65—Vaporizers

Abstract

本发明提供一种处理物体的方法，包括以下步骤：将至少一个待处理的物体放置于一个容器中；提供一种含有溶解于含水液体中的臭氧的混合物，所述混合物是通过包括将臭氧加压溶解于一含水液体中的步骤的方法而制备的；以及将所述的混合物喷射到用于处理待处理物体的容器中。

Description

处理物体的方法
                      技术领域
本发明涉及一种处理物体的方法。更具体地说，本发明涉及在一容器中采用含有溶解于含水液体中的臭氧的混合物处理待处理物体的方法，所述混合物是通过包括将臭氧加压溶解于一含水液体中的步骤的方法而制备的。
                      背景技术
臭氧由于其出色的氧化活性早就被认为是一种特别有用的化学用品。事实上，臭氧是已知的氧化性化学物质的第四强，其氧化电位为2.07伏特。由于这一性质，臭氧和/或含有臭氧的流体混合物能从表面除去多种污染物，如氰化物、酚、铁、锰以及清洁剂等。另外，臭氧和/或含有臭氧的流体混合物能氧化表面。具体地，在半导体工业中，臭氧水用于“清洗”即氧化正在处理中的硅晶片表面。另外，臭氧也可用于抑制、降低和/或消除各种水溶液系统中的生物量、霉菌、植物霉(mildew)、藻类、真菌类、细菌生长和水垢的积累。当用于这种方式时，比起氯化作用来，臭氧化作用的优点是产生更少量的可能有害的残余物，氯化作用在水溶液系统中留有不希望的氯化残余物。
由于这些广泛的性能，臭氧在许多不同的过程中都有应用。例如，臭氧被用作处理饮用水的杀菌剂。另外，在酿洒工业中，臭氧用于灭菌，在污水处理工业中，它用于进行臭味控制。最后，臭氧水在半导体工业中具有广泛应用，例如，臭氧用于对处理中的硅晶片进行清洗和表面修整。另外，如美国专利US 5378317所述，臭氧水可用于从硅晶片表面除去有机物质，如光致抗蚀剂。再者，在半导体工业中臭氧水用于在硅晶片表面形成薄的、钝化的氧化层。
在这些应用中使用臭氧水具有许多优点。首先，由于臭氧水是在使用点产生的，它不含污染物如颗粒和金属，这些物质通常存在于桶装或罐装的化学物质中。臭氧水也比其它氧化性化学物质便宜，另外由于臭氧水自然分解，使用臭氧水不存在处理问题。但是在各种应用中臭氧的效果却因它在水溶液中低的溶解度及短的半衰期(大约10分钟)而受到不利影响。即在水溶液中不仅难以溶解臭氧，而且溶解以后，也难以将臭氧保持在溶液中。
虽然已知几种增加水溶液中臭氧溶解量的方法，但是每种现有技术方法均有局限性，使得它们不足以用于某些应用中。例如，在常压下使臭氧直接鼓泡进入水中为一种在水溶液中溶解臭氧的方法。但由于在大量臭氧被溶入溶液中之前/或在臭氧水被用于处理表面之前臭氧气泡会冒出，因此这种技术不能优化臭氧溶解量。
另外，已公开的欧洲专利申请EP 0430904A1公开了一种生产臭氧水的方法，其中包括在一个确定体积的容器内使含有臭氧的气体与小水滴接触的步骤。但由于这种方法限制了含有臭氧的气体和水的接触，因此它不是最佳的。也就是说，当容器中充满水时，含有臭氧的气体与小水滴之间的接触时间被缩短了，导致只有少量的臭氧被溶解到溶液中。另外，该申请没有给出一种保持溶液中的臭氧直到溶液被输送到使用点的方法。因此，在输送过程中，溶液中溶解的大量臭氧可能会冒泡逸出，从而失去混合方法的好处。
最后，还提出了几种利用冷却来增加水溶液中的臭氧溶解量的方法。例如，美国专利US 5186841公开了一种在压降至少为35psi(241.3千帕)时，向水溶液物流中注入臭氧来制备臭氧水的方法。然后臭氧化物流与第二股物流混合，该第二股物流优选为在冷却水系统内循环的水溶液的一部分。迫使所形成的物流以每秒2.13米(7英尺)的速度流过一段足以使70％的臭氧被吸收的距离。另外，美国专利US 4172786公开了一种通过向循环部分冷却水的侧线物流管路中注入含有臭氧的气体来增加水溶液中的臭氧溶解量的方法。然后将注入臭氧的水在塔下水池中与冷却水混合，从而得到臭氧水。最后，美国专利US 5464480公开了一种利用臭氧水除去半导体晶片上的有机物质的方法。具体地，该专利指出，适用于所公开的方法的高浓度臭氧水可以通过将臭氧与水在大约为1-15℃的温度下混合得到。
虽然美国专利US 5186841、US 4172786和US 5464480所公开的系统宣称增加了水中的臭氧溶解量，但更可能的是许多臭氧冒泡进入大气中和/或转化成氧气，而不是溶解在水中。因此，这些系统需要使用大量的臭氧，相应地使它们费用较高。另外，这些专利没有公开在使用点优化臭氧浓度的方法，因此，即使因为冷却溶液而增加了臭氧溶解量，在使用点臭氧也可能从溶液中冒泡逸出。
因此，需要一种有效的方法来增加水溶液中溶解的臭氧量并且保持到使用点，这样不仅减少了臭氧使用量，而且对确定的应用提供了足够的臭氧水溶液。
                       发明内容
按照本发明，在阅读本发明时，对本领域熟练技术人员来说很明显地可以看到上述目的以及其它目的可以由本发明达到，本发明提出一种增加液体中的溶解气体量并且在使用点优化保留在溶液中的溶解气体量的方法和系统。更具体地，本发明的一个目的是提供一种增加水溶液中臭氧溶解量，并进一步在输送到使用点时保持溶液中溶解的臭氧的方法和系统。按照这种方式，本发明提供一种特别有效的生产和应用高浓度臭氧水的方法和系统。
通常该方法包括向加压容器中引入所要溶解的气流，在容器中气体与一定量的液体接触并溶于其中。在压力下使溶解的气体与液体混合，致使相对于常压下的溶解量来说，溶解的气体量增加了。然后将得到的含有液体和溶解气体的混合物通过加压管路输送到使用点，从而保持溶液中增加的溶解气体量。
在使用点，混合物进行控制分配。即混合物在足够温和的条件下进行分配，从而使分配后的混合物在与底物接触时仍含有过饱和量的溶解气体。优选地，混合物的分配条件应使所输送的混合物体积具有相对较小的表面积/体积比。因为表面积/体积比较小，溶解气体扩散逸出液体的量受到限制，这样就能使液体中增加的溶解气体浓度保持到使用点。相反，当表面积/体积比相对较大时，溶解气体会更快地扩散逸出溶液。因此使所要输送的混合物体积具有较大的表面积/体积比的分配方法也会导致所输送的量在使用点具有降低了的溶解气体浓度。
有几种适用于本发明的受控分配方法。例如，在使用点可以使混合物进行受控雾化。具体地，可以使混合物在一定条件下雾化，从而使所形成的液滴的平均尺寸相对于传统雾化法得到的液滴尺寸大(即表面积/体积比较小)。也就是说，传统雾化法通常产生细雾，即表面积/体积比相对较大的小液滴。因此溶解气体将更快地会扩散逸出溶液，导致在使用点溶解气体浓度降低。相反，在本发明的方法和系统中所应用的受控雾化产生表面积/体积比较小的大液滴，因此限制了在溶液中发生的扩散量，将溶液中增加的溶解气体浓度保持到使用点。可以通过多种机理实现受控雾化。例如，在优选的实施方案中，可以使混合物与第二股混合物流或者惰性气流如氮气按一定方式“温和”碰撞，形成所希望的液滴尺寸。
在使用点利用一个扇形结构输送混合物也能实现受控分配。当按这种方式进行受控分配时，扇形喷嘴将混合物流破碎成混合物薄片或大液滴，从而使输送的混合物体积具有所希望的较小的表面积/体积比。
适用于本发明的另一个受控分配方法的例子包括将混合物作为稳态物流温和地分配。在本发明的这种实施方案中，混合物可以直接分配到使用点，如硅晶片表面，或者可以将混合物温和地分配到合适尺寸的容器中，即容器的开放表面积较小，但体积较大。也就是说，通过将混合物温和地分配到合适尺寸的容器中，从而形成所希望的表面积/体积比，简单地达到所希望的较小的表面积/体积比。
在优选的实施方案中，在本发明的方法和系统中所应用的液体为氟化液体、硫酸、盐酸、氢氟酸、水、超纯去离子水或它们的混合物。更优选地，所应用的液体为水或超纯去离子水。另外本发明的方法和系统可应用于多种清洗气体，包括氯化氢、氮、二氧化碳、氧、氟化氢、氢氧化铵、臭氧或它们的混合物，但不局限于这些气体。在特别优选的实施方案中，应用该方法和系统增加超纯去离子水中的臭氧气体溶解量。
由于本发明的方法和系统具有增加并保持液体中溶解的清洗气体量的能力，因此所得到的混合物在处理各种表面时将会特别有用。具体地，利用本发明的方法和/或系统制备的臭氧水可以从处理过程中的硅晶片表面有效清洗，即氧化和/或除去有机污染物和/或光致抗蚀剂物质。有关这一点，本发明还提供了一种利用清洗气体处理表面的方法。具体地，该方法包括在加压容器中制备含有溶解于液体中的清洗气体的混合物，并通过加压管路将混合物输送到出口的步骤。然后在足够温和的条件下通过出口分配混合物，从而在混合物与底物接触时，使分配的混合物中含有过饱和的溶解气体量。
本发明所提供的系统通常包括加压容器和与加压容器相连的出口，该出口用于在足够温和的条件下分配含有液体和溶解气体的混合物流，从而使分配的混合物相对于传统方法生产并分配的混合物来说，含有增加的溶解气体量。在一个优选的实施方案中，出口为一个喷射柱，该喷射柱包括至少一个位于处理容器(如浸湿槽)中适合点的固定孔，从而可以将混合物流温和地分配到其中。优选地，处理容器的尺寸能使分配的混合物具有小的表面积/体积比，从而使扩散逸出液体的气体最少。在第二个优选的实施方案中，出口为一个喷射柱，该喷射柱包括一个位于离使用点适当距离的固定孔，从而可以将稳态混合物流温合地分配到使用点上。在第三个实施方案中，喷射柱可以包括许多组沿着喷射柱至少一个表面按适当间隔分布的一个或多个固定孔，从而通过与至少一股第二种流体物流碰撞而实现混合物流雾化。第二种流体物流优选可以是气体物流或第二股混合物流。最后，在第四个优选的实施方案中，出口可以是一个喷射柱，该喷射柱包括多个沿着至少一个表面分布的扇形结构，扇形结构能够有效地将混合物流破碎成具有所希望的较小表面积/体积比的薄片和/或大液滴。
优选地，系统进一步包括与加压容器操作相连的液体传感器、响应液传感器的液体源、能够向加压容器输送大致连续的气体进料的气源、与加压容器流体连通的加压液体出口管路、以及使未溶解的气体排出加压容器的加压气体出口管路。另外在优选的实施方案中，加压力气体出口管路可以用于限制流出加压容器的未溶解气体的流量，从而保持加压容器内的压力，并有助于推动由加压液体出口管路流出加压容器的混合物。在优选的实施方案中，加压容器还包含一些流动障碍物，从而有效地增加气体在加压容器中的停留时间。例如，加压容器可以包含一些填料如氟化聚合物、石英、兰宝石或它们的混合物或档板。
这里所应用的术语“水溶液”指的是任何以水包括纯水作为溶剂的流体混合物。术语“过饱和”指的是液体中含有的溶解组分量比相同温度及压力下的同一组分的饱和溶液中还要多。这里所应用的术语“臭氧化”指的是使臭氧溶解在给定的液体中。这里所应用的术语“超纯去离子水”指的是分别经过滤、反渗透、以及UV灭菌处理除去颗粒、金属以及有机物的水。术语“受控分配”或“控制分配”指的是在足够温和的条件下分配混合物的方法，从而使混合物与底物接触时，分配的混合物中含有过饱和量的溶解气体。优选地，术语“受控分配”或“控制分配”指的是使输送的混合物体积具有足够小的表面积/体积比，从而保持溶液中增加的溶解气体量直到输送到使用点的分配方法。当用于气源时应用的术语“大致连续的供料”指的是能够由适当的前体产生气体的气源或如气罐、钢瓶及类似物的气源，相对于间歇过程而言，用于稳态过程。最后，术语“连续过程”指的是在开车后及停车前能够在基本上稳定的条件下，通过供应进料物质并排出出料物质进行操作的过程。
                       附图说明
参照下面结合附图对本发明实施方案的描述，本发明的上述及其它优点、以及它们的实现方式，将变得更明显，并且会更容易理解发明本身，其中：
图1是按照本发明的能够生产溶有气体的液体的代表性系统的简图。
图2是适合用作图1所示系统出口的喷嘴侧视图。
图3是沿图2的A-A线放大的截面剖视图。
图4是适用于图1所示系统出口的代表性受控分配系统简图。
图5是在不同时间间隔时，作用于硅晶片表面上的臭氧浓度对所产生的氧化层的厚度的效果曲线图。
                     具体实施方式
下文所描述的本发明的实施方案并不穷尽或使本发明局限于下文详细说明中所公开的本发明的具体形式。选择并描述这些实施方案是为了使本领域的熟练技术人员能够意识到并理解本发明的原理和实施方法。
本发明为制备溶有气体的液体的一种改进。申请人已经发现，通过将气体引入盛有液体的加压容器；通过加压管路将所形成的混合物输送到使用点；并在使用点使混合物进行受控分配，液体中的溶解气体量不仅高于常压下液体中的溶解气体量，而且在使用点处大部分增加了的溶解气体量仍存在于溶液中。
下面参照图1，图中所示的系统1体现了本发明的原理。如图所示，系统1适用于制备臭氧水，但本发明的原理可适用于任何液/气溶液。系统1通常包括具有内部容积30的加压容器2，其中液体31主体与气体32接触。接触的结果使气体32溶于液体31中。液体31通过位于加压容器2顶部的液体进口33供给加压容器2，气体32通过设置在加压容器2底部的鼓泡器34进入加压容器2。这样，气体32向上穿过加压容器2，而液体31通常向下流动。气体32和液体31的这种逆流使气体32和液体31之间具有相对较长的接触时间，因此有利于气体31溶解在液体31中。
为了进一步增加气体32与液体31之间的接触时间，加压容器2的内部容积30中可以包含一些传统的流动障碍物(图中未画出)。即加压容器2的内部容积30中可以包含一些填料和/或档板，足以增加气体32和液体31之间的接触时间。适用于本发明的填料的例子包括石英、兰宝石、氟化聚合物或它们的混合物，但不局限于这些物质。例如，根据压力，气体32可以在大约2秒内流过1米高的容器2。但在相同高度的容器2中，流动障碍物可使这一停留时间增加至少两倍。即高度为1米并且填充了流动障碍物的容器2的停留时间为大约5-10秒。
申请人的发明是以亨利定律为基础的，至少部分是以亨利定律为基础的，亨利定律指出当其它所有条件保持恒定时，液气相界面间的压力增加时，液体中的气体量增加。换句话说，在加压液体中能溶解的气体量要大于在低压下在相同液体中能溶解的气体量。而加压容器2中更高的压力将导致溶解于溶液中的臭氧量增加，加压容器2的压力通常因可能会涉及危险的化学物质的生产方法运行时所要考虑的安全问题而受到限制。因此优选的是加压容器2的压力保持在大约1.1至大约10大气压的水平上。进一步优选的是，加压容器2的压力保持在大约2至大约5大气压的水平上。最优选的是，加压容器2的压力为大约2至大约3大气压。
本发明的方法和系统可以很容易地适用于腐蚀性的液体和/或气体。因此已知臭氧水是腐蚀性的，则加压容器2和设置在加压容器2内部容积30内的其它流动障碍物优选由耐腐蚀性化学物质破坏作用的材料，例如聚四氟乙烯(工业上可以得到的是来自E.I.DuPontdeNemours & Co.，Wilmington，DE的商标为Teflon R PTEF)制成。
加压容器2通过液体管路35与液体源4相连，液体管路向加压容器2供应所需要的液体。在优选的实施方案中，液体源4通过液体管路35向加压容器2供应超纯去离子水。任选地，液体管路35可以包括液体压力调节器20和液体压力表21用来控制流入加压容器2的液体31的压力。优选利用对液体传感器3有响应的液体阀22进一步控制从液体源4流入加压容器2的流量。液体传感器3设置在加压容器2上，从而液体传感器3能够检测加压容器2中的液体31的量。按这种方式，可以响应液体传感器3的信号控制从液体源4到加压容器2的液体输送。
对实施本发明来说，从液体源4到加压容器2的液体流量并不严格，可以设为任何适宜的值。大体上讲，液体的流量范围可以为1升/分-25升/分。另外，尽管在图1所示的优选结构中，液体源4在加压容器2的顶部与加压容器2相连，但液体源4可以在所需要的任何其它位置或多个位置与加压容器2相连。但在加压容器2顶部连接通常是优选的，因为这种连接有利于气体32和液体31之间的逆流接触。
进一步优选的是液体源4和加压容器2之间存在压差，以确保液体31流动保持所希望的方向，即流入加压容器2。但并不需要较大的压差。例如，如果加压容器2为2.5大气压，则从液体源4流出的液体31的压力为2.6大气压就足够了。另外优选的是在气源10与加压容器2之间存在压差，以确保气体32流动保持所希望的方向，即流入加压容器2。同样，大的压差也是不需要的，即如果加压容器2为2.5大气压，则从气源10流出的气体32的压力为2.6大气压就足够了。
通过加压气体管路18将臭氧供给加压容器2。由于臭氧具有相对较短的半衰期，优选的是从臭氧发生器5按需供应。但任何能够保持大致连续的臭氧流的臭氧源都可以应用。在图示实施方案中，臭氧发生器5是用电从氧产生臭氧的。氧通过管路36由氧气设备10供给臭氧发生器5。管路36包括前体供应压力调节器15、前体供应压力表11、前体供应二通阀12和前体供应质量流量控制器13。设置这些设备是为了控制氧气流量，但是这些设备以及它们的结构对实施本发明来说都不是很关键的。冷却介质14，优选为水，通过冷却介质阀16供给臭氧发生器5。冷却介质14流经臭氧发生器5，由冷却介质排放管38排出。
从气源5产生的臭氧通过加压气体管路18供给加压容器2。已知臭氧气体是腐蚀性的，加压气体管路18优选由抗臭氧腐蚀作用的材料制造。例如，加压气体管路18可以由不锈钢、石英或氟化聚合物如工业上可以得到的来自E.I.DuPont deNemours & Co.，Wilmington的Teflon R PFA或Teflon R PTFE制成。另外由于臭氧在湿环境中腐蚀性更强，因此优选的是在接近加压容器2的某一点，如图1中标记的点37(此处水分可能累积)，加压气体管路18由抗湿臭氧的材料如氟化聚合物(即Teflon RPFA或Teflon R PTFE)制成。
气体单向阀19可以设置在加压气体管路18中，以确保通过系统的臭氧流集中在一个方向，即流向加压容器2。能够确保单向流动的任何类型的阀门均可使用，例如球阀及止推阀(socket valve)均适用于加压气体单向阀19。另外，加压气体二通阀20可以设置在加压管路18中，作为另一种控制来自臭氧发生器5的臭氧流量的方法。最后，加压气体管路18可进一步包括气体过滤器21，用来除去臭氧气体中的颗粒。可以使用任何类型的过滤器，唯一的要求是过滤材料必须耐臭氧腐蚀。适用于本发明系统中的过滤器的例子包括疏水性膜过滤器，如工业上可由Pall Ultrafine Filtration Company，East Hills，NY得到的。
尽管在图1所示的优选结构中，加压气体管路18在容器底部与加压容器2相连，但加压气体管路18可以在其它所希望的任何位置与加压容器2相连。但通常优选的是加压气体管路18连接在加压容器2的底部，这样能够使液体31和气体32的逆流接触最大化。另外，如图1所示，臭氧气体优选鼓泡进入加压容器2。即臭氧气流可以通过鼓泡器34引入。尽管使臭氧鼓泡进入加压容器2是优选的，但臭氧也可以通过其它方式如稳态物流引入加压容器2，如通过由抗臭氧材料如石英或兰宝石材制成的玻璃元件(frit)引入。
除了两个进入加压容器2的入口管路(即液体管路35和加压气体管路18)以外，优选在加压容器2上设置两个出口管路。具体地，优选在加压容器2上设置加压气体出口管路39和加压液体出口管路6。
加压气体出口管路39连接到加压容器2上，从而使未溶解的气体能从加压容器2中排出。加压气体出口管路39优选包含有气体反压调节器7，从而使加压容器2内的压力保持在上文所述的希望的范围内。任选地加压气体出口管路39可以包括气体压力表23、排气系统25，及气体过滤器24，其中排气系统25含有能使臭氧转化成氧的臭氧催化剂，从而确保没有臭氧气体排出系统，而气体过滤器24可以阻止来自排气系统25的杂质反向流动。这些设备，尽管是希望的，但对实施本发明来说并不关键。
设置在加压容器2上的第二个出口管路优选为加压液体出口管路6，从而使一定量的含有一定量溶解气体的液体能够从加压容器2中排出。如图1所示，液/气混合物优选从加压液体出口管路6通过出口40进行分配，出口40优选含有一个或多个固定孔，所述孔的尺寸能够使加压液体出口管路6中的液体/溶解气体混合物的压力保持为所希望的值，直到液体通过出口40进行分配。在优选的实施方案中，出口40为带有许多固定孔的喷射柱，这些孔沿着柱的至少一个表面按适当的间隔分布，从而完成所希望的分配和表面处理。对实施本发明来说孔的形状并不关键，因此孔可以是方形、矩形、椭圆形或圆形的。在优选的实施方案中，出口40包含多个直径为大约0.02至0.05英寸(即大约0.51至1.27mm)的环形的固定孔。
加压气体出口39的结构有助于推动混合物通过加压液体出口管路6流出加压容器2。具体地，要限制从加压气体出口管路39排出的未溶解气体流量，足以维持加压容器2的反压。这一反压有助于推动混合物通过加压液体排放管路6排出加压容器2。如图所示，反压调节器7用来限制通过加压气体出口管路39的气体物流，但如果需要的话，可以使用任何一种适合的流量限制元件。随着这一反压的增大，不再需要机械泵从加压容器2向使用点输送混合物，因此降低了系统1的成本和复杂性。
另外，可以调节通过加压气体出口管路39的气体流量，从而有助于调节通过加压液体出口管路6的混合物流量。例如，当通过加压气体出口管路39的气体流量受到限制时，加压容器2的反压增大，则混合物的推动力也增大。因此，通过加压气体出口管路39的流量限制越大，通过加压液体出口管路6的混合物流量也就越大。相反通过加压气体出口管路39的流量限制越小，通过加压液体出口管路6的混合物流量也就越小。
加压液体出口管路6可以进一步包括液体排放管线26，通过该管线可以采出相对较小的混合物流量，从而即使在出口40不需要混合物时，系统1也能够连续操作。另外，排放管线26提供了一个适宜的位置来安装臭氧浓度传感器27，利用该传感器可以监测混合物中的臭氧浓度。
通过排放管线26的流量优选保持在可以使系统1持续操作的流量，但应为足够低的流量，从而不浪费过多的水和臭氧。例如，对一个系统来说，其中进入加压容器2的臭氧流量是1.0-25.0l/min，通过排放管线26的适宜流量为0.2-1.0l/min。优选地，通过排放管线26的流量保持为大约0.4l/m至大约0.6l/m的恒定值。另外，除了浓度感应器27以外，排放管线26还包括固定孔28，用来限制通过臭氧浓度传感器27的臭氧水流量。另外，如果应用了排放管线26，则在排放管线26上具有排放口29是优选的。
下面参照图2和3，图中给出了适合用作图1所示的本发明出口40喷射柱200的优选实施方案的侧视图。通常构造喷射柱200是为了在一定条件下控制雾化臭氧水物流，从而形成相对较大的物流液滴，然后与处理表面接触。通过按这种方法使臭氧水物流进行受控雾化，使更多的的臭氧保留在溶液中，从而更有效地处理表面。也就是说，通过受控雾化产生的液滴中臭氧过饱和。
根据物流碰撞原理温和地雾化臭氧水物流，喷射柱200能够实现这种雾化。更具体地，一股臭氧水物流和一股或多股其它物流(可以是另一股臭氧水物流、一股不反应的气流，如N2和/或一些其它流体)可以在一定条件下相互碰撞，从而形成相对较大的液滴。
另外，喷射柱200利用多个扇形机构也能够实现臭氧水的受控分配。也就是说，扇形机构的操作能够将臭氧水物流破碎成薄片和/或相对较大的液滴分配到处理表面上。最后，喷射柱200能够控制分配臭氧水形成一股稳态物流，即可以使一股臭氧水物流由三个孔240中的一个孔240流出，而不与其它流体物流发生碰撞。
如图所示，喷射柱200包括装配法兰210和喷嘴220。装配法兰210连接到图1所示的系统1上。装配法兰210包括混合物入口212，用来接收本发明系统所制备的臭氧水，而气体入口214用于接收来自适合气源的雾化气。在优选的实施方案中，雾化气为惰性气体，如氮气。另外，装配法兰210包括螺母216，用于将装配法兰210固定到容器盖218(图中画出了一部分)上，容器中装有要用臭氧水处理的物件。
喷嘴220包括许多按三个一组、即三个一套排列的固定孔240，这些孔沿喷嘴220的长度分布。每三个孔的排列应使由三个孔中的两个或多个孔喷出的物流(至少一股为臭氧水)能够相互碰撞，从而使臭氧水物流雾化。也就是说，在三个一组的孔中，孔的方向优选是相对的，其设置方式应使从一个或多个孔喷出的臭氧水物流发生碰撞，致使物流被破碎成大液滴。另外臭氧水可以从三个孔中的一个孔喷出，并且不与第二股流体物流碰撞，从而能够输送稳态混合物流。喷嘴220进一步包括许多沿喷嘴220长度分布的扇形224。在本发明系统的一个实施方案中，扇形224用作另一种将臭氧水物流破碎成薄片或大液滴的物流碰撞元件。
喷嘴220进一步包括多个内部纵向通道，这些通道使雾化气入口214和混合物入口212与多个固定孔240流体连通。具体地，纵向通道228、232和234通过相应与每个三孔组相连的出口通道242、244、246与固定孔240流体连通。类似地，纵向通道230通过相应的出口通道238与每个扇形224流体连通。因此，例如通过任何一个纵向通道228、232和234输送的流体通过出口通道242、244和246进行输送，从相应的固定孔240喷出，并且进行碰撞以实现臭氧水的受控雾化。按照类似的方式，通过纵向通道230输送的流体通过出口通道238进行输送，并通过扇形224进行分配，从而将臭氧水物流破碎成薄片或大液滴。
下面参照图4，图中所示的是适用于图1所示出口40的浸湿槽400的示意图，正如下文所述，它进行另一种形式的受控分配。如图所示，加压液体出口管路6与出口40流体连通，而出口40与容器450流体连通。容器450具有合适的尺寸，从而能够放入一块或多块要清洗的硅晶片460。容器450优选应具有合适的尺寸，从而当混合物受控分配进入容器450时，能够达到所希望的较小的表面积/体积比。
晶片460由支座462支撑，其支撑方式应使硅晶片460至少有一个表面可以与通过出口40引入容器450的臭氧水接触。容器450优选还包括出口470，以防止臭氧水溢出容器450。通过出口470的臭氧水流量由阀门472控制。通过出口470排出容器450的臭氧可以简单地进行分配，或者也可以通过循环回路(图中未画出)循环回到系统中。
在操作过程中，臭氧水在足够温和(即非湍流)的条件下，通过出口40控制分配进入容器450，从而大部分臭氧溶解量保持在溶液中。使臭氧水流入容器450中，直到进入的量足以覆盖硅晶片460的至少一个表面。此时，出口470上的阀门472被打开，并且调节通过出口470的臭氧水流量使之等于通过出口40进入容器450的流量。按这种方式，提供了一种清洗硅晶片表面的连续方法。
在不受任何理论束缚的情况下，申请人认为在溶液中保持如此高的臭氧百分比浓度的能力是由于一个或多个因素：(a)由受控分配产生的输送混合物的表面积/体积比，(b)从混合物由喷射柱200分配至雾化后的混合物到达使用点即处理表面所耗费的时间，和/或(c)被分配的混合物流的流量。
关于表面积/体积比，例如，臭氧扩散逸出所分配的混合物体积的能力部分取决于混合物/大气界面的表面积。对于较大的表面积/体积比，即相对于体积来说表面积较大的较小液滴或容器，臭氧有很多机会从液滴或容器表面扩散逸出，从而损失掉。另一方面，对较小的表面积/体积比，即相对于体积来说表面积较小的较大液滴或容器，臭氧不容易从液滴或容器表面扩散逸出。在实际效果中，更多的臭氧被截留在尺寸较大的液滴(或表面积/体积比较小的容器)中，并且保留下来进行表面处理。
这样，在实施本发明的过程中，优选将混合物在足够温和的条件下进行分配，其分配方式应使所分配的混合物体积具有较小的表面积/体积比。也就是说，如果混合物利用扇形结构进行雾化或分配，则优选的是所形成的液滴平均直径至少为0.5mm，优选为大约0.5mm至大约5mm，进一步优选为1mm至3mm。平均液滴尺寸可以利用本领域普通技术人员已知的任何适合的方法确定。例如，可以在闪光灯照射时，肉眼观察液滴来确定液滴尺寸。另外，如果混合物被分配到处理容器中，如用于处理硅晶片的浸湿槽法，或以稳态物流直接分配到使用点，优选的是在层流状态下分配混合物，优选的流量为大约1升/分至大约20升/分。如果要将混合物分配到处理容器中，则进一步优选的是容器的表面积/体积比为大约0.01至大约0.1。
关于从混合物由喷射柱200分配至混合物到达使用点所耗费的时间，通常，当这一时间间隔变长时，更多的臭氧会从混合物中逸出。因此为了进一步使在使用点保留在混合物中的臭氧量最大，优选的是使喷射柱200与表面间的距离尽可能接近。因此进一步优选的是，从混合物被分配的那一刻至混合物到达使用点的那一刻，所耗费的时间为大约0.01秒至5秒。更优选的是所耗费的时间少于2秒。
关于被分配的物流的流量，优选的是将被分配的混合物流在层流状态下供给喷射柱200。通常当混合物作为湍流物流输送时，臭氧可以更容易地从混合物中扩散出来，因此在层流状态下输送物流进一步增大了保留在分配的混合物中的臭氧量。
下面将参照下列实施例进一步描述本发明。
实施例1
进行本实验是为了表明不同分配技术对在使用点保留在臭氧水溶液中的臭氧量的影响。当下列参数变化时，评估其对分配方法效率的影响：雾化气压力、喷嘴设计形式以及通过喷嘴的混合物流量。
通过从加压容器中采出一个侧线臭氧水物流、并应用工业上可行的传感器测量溶解臭氧浓度来测定初始的臭氧浓度。第二个传感器用来测定液体通过喷射柱分配后的溶解臭氧浓度，通过收集液体并将液体用漏斗倒入传感器中进行测定。保留在溶液中的臭氧百分比浓度通过公式[O3最终]/[O3初始]×100来计算，其中符号[O3]代表在水中溶解的臭氧浓度。
使用上文所述的喷射柱，使雾化气流与臭氧水物流碰撞实现雾化。采用了两套对比方法；一套表示臭氧水以稳态物流输送(“没有雾化”)，一套表示“传统”雾化(即利用在高压下供应的雾化气体进行雾化，具体在20psi和40psi(137.9千帕和275.8千帕)下雾化)。然后利用在4psi和6psi(27.6千帕和41.4千帕)的压力下供应的雾化气体使臭氧水进行受控雾化，针对该臭氧水进行实验。
应用传统雾化形成大约0.1mm的液滴。另外如下表1所示，传统雾化导致在分配前存在于溶液中的臭氧损失了92％。相反，应用受控雾化，可以观察到直径大约为1.0mm的液滴，并且有50-61％的臭氧保留在溶液中。另外，在22℃下以1000cc/min的流量输送稳态的臭氧水物流(即在不与雾化气碰撞的情况下，通过喷嘴的一个固定孔输送)，结果有67％的溶解臭氧保留在溶液中。
进行另一个实验，用来评估应用上文所述的扇形机构控制分配臭氧水的效率。也就是说，应用上文所述的喷射柱，使臭氧水物流流过所述的扇形机构，致使臭氧水物流被破碎成薄片和/或大液滴。正如表1所示，应用扇形雾化臭氧水产生的液滴直径为大约1.0mm，并且有相对高百分比的臭氧保留在溶液中。
最后，进行实验来评估应用两股臭氧水物流碰撞控制分配臭氧水的效率。也就是说，使用上文所述的喷射柱，通过8或75个直径为大约0.022英寸(0.056厘米)至大约0.028英寸(0.071厘米)的固定孔，使两股臭氧水物流碰撞。当两股物流的流量均为2.0升/分时，发现有48％的臭氧保留在溶液中。当两股臭氧水物流在碰撞之前流量较高时，可以观察到所有液滴的直径均较小。结果溶液中保留的臭氧量也较少。本实验的结果也示于下表1中。
                                      表1
        条件 初始浓度 分配后浓度 ％保留量   O3水压力
  1000cc/min 无雾化60℃  8.3ppm   2.1ppm   25％ 20psi(137.9kPa)
  1000cc/min 无雾化40℃  8.7ppm   5.3ppm   60％ 20psi(137.9kPa)
  1000cc/min 无雾化22℃  7.9ppm   5.3ppm   67％ 20psi(137.9kPa)
  1600cc/min 高压雾化(40psi，275.8kPa)22℃  7.8ppm   0.6ppm   8％ 20psi(137.9kPa)
  1600cc/min 低压雾化(20psi，137.9kPa)22℃  7.5ppm   1.2ppm   16％ 20psi(137.9kPa)
  1600cc/min 6psi(41.4kPa)雾化22℃  7.6ppm   3.8ppm   50％ 20psi(137.9kPa)
  1600cc/min 4psi(27.6kPa)雾化22℃  7.8ppm   4.4ppm   57％ 20 psi(137.9kPa)
  1600cc/min 4psi(27.6kPa)雾化22℃  8.0ppm   4.9ppm   61％ 20psi(137.9kPa)
   扇形喷射2.0l/min 22℃   8.2ppm   5.4ppm     75％   20psi(137.9kPa)
   扇形喷射1.5l/min 22℃   8.5ppm   6.6ppm     76％   20psi(137.9kPa)
   扇形喷射1.0l/min 22℃   7.2ppm   7.0ppm     82％   20psi(137.9kPa)
   碰撞物流，75个孔，2L/min 22℃   50.0ppm   24.0ppm     48％   30psi(206.9kPa)
   碰撞物流，8个孔，2L/min 22℃   50.0ppm   17.3ppm     35％   30psi(206.9kPa)
   碰撞物流，75个孔，10L/min 22℃   50.0ppm   7.6ppm     15％   30psi(206.9kPa)
总之，在20psi(137.9千帕)或更高的雾化压力下，在高流量(例如1600cc/min)下分配混合物会使保留在溶液中的臭氧大幅度减少。相反，应用低流量(例如1000cc/min)和/或低压雾化手段，可以有增加的臭氧溶解量保留在混合物中。另外，当应用扇形喷射法分配混合物时，有高达82％的溶解臭氧保留在溶液中。
实施例2
进行本实验是为了表明增加了的臭氧浓度对硅表面氧化的影响。在本实验中，分配技术和其它所有参数均保持恒定，只改变加压容器的压力。随着压力变化，在水中溶解的臭氧浓度发生变化，从而使完全氧化硅表面所需的时间发生变化。
具体地，当臭氧发生器设置为低功率并保持加压容器的压力为0psi(0千帕)时，产生1.0ppm的臭氧水；当臭氧发生器设置为高功率并保持加压容器的压力为0psi(0千帕)时，产生10.0ppm的臭氧水；以及当臭氧发生器设置为高功率并保持加压容器的压力为25psi(172.4千帕)时，产生50.0ppm的臭氧水；然后将臭氧水分配到硅晶片表面上。
如图5所示，应用10.0ppm的臭氧水时，完全氧化晶片表面需要10分钟。相反，50.0ppm的臭氧水完全氧化硅晶片表面需要2分钟。因此可以断定，臭氧浓度增加5倍，完全氧化硅晶片表面所需的时间相应减小5倍。
对本领域的熟练技术人员来说，在深入思考本说明书或根据此处所公开的本发明的实施方式的基础上，本发明的其它实施方式将是很明显的。在不偏离由后附权利要求书所给出的本发明的实际范围和精神实质的情况下，本领域的熟练技术人员可以对本申请所描述的原理和实施方案进行各种省略、调整和变化。

Claims (9)

1、一种处理物体的方法，包括以下步骤：
将至少一个待处理的物体放置于一个容器中；
提供一种含有溶解于含水液体中的臭氧的混合物，所述混合物是通过包括将臭氧加压溶解于一含水液体中的步骤的方法而制备的；以及
将所述的混合物喷射到用于处理待处理物体的容器中。
2、根据权利要求1的处理物体的方法，其中所述的混合物还含有选自硫酸、盐酸、氢氟酸、氟化液体或它们的混合物的组分。
3、根据权利要求1的处理物体的方法，其中所述的待处理的物体是一个处理过程中的硅晶片的表面。
4、根据权利要求3的处理物体的方法，其中所述的表面含有光致抗蚀剂材料。
5、根据权利要求3的处理物体的方法，其中所述的表面含有有机污染物。
6、根据权利要求1的处理物体的方法，其中所述的混合物处于1.1-10大气压的压力下。
7、根据权利要求1的处理物体的方法，其中所述的混合物还包含选自硫酸、盐酸、氢氟酸、氟化液体或它们的混合物的组分，并且所述的待处理的物体含有选自光致抗蚀剂材料、有机污染物或它们的混合物的材料。
8、根据权利要求3的处理物体的方法，其中包括除去硅晶片表面上至少一部分材料的步骤。
9、根据权利要求3的处理物体的方法，其中所述硅晶片表面含有可氧化的材料，并且所述的方法包括氧化所述材料的步骤。
CNB98810556XA 1997-10-29 1998-10-27 处理物体的方法 Expired - Fee Related CN1196178C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/960,277 US5971368A (en) 1997-10-29 1997-10-29 System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized
US08/960,277 1997-10-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1277594A CN1277594A (zh) 2000-12-20
CN1196178C true CN1196178C (zh) 2005-04-06

Family

ID=25503008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB98810556XA Expired - Fee Related CN1196178C (zh) 1997-10-29 1998-10-27 处理物体的方法

Country Status (7)

Country Link
US (3) US5971368A (zh)
EP (1) EP1027291B1 (zh)
JP (1) JP2001520935A (zh)
KR (1) KR100550368B1 (zh)
CN (1) CN1196178C (zh)
DE (1) DE69805836T2 (zh)
WO (1) WO1999021798A1 (zh)

Families Citing this family (106)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7264680B2 (en) * 1997-05-09 2007-09-04 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece using ozone
US6240933B1 (en) 1997-05-09 2001-06-05 Semitool, Inc. Methods for cleaning semiconductor surfaces
US7404863B2 (en) * 1997-05-09 2008-07-29 Semitool, Inc. Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone
US20050034745A1 (en) * 1997-05-09 2005-02-17 Semitool, Inc. Processing a workpiece with ozone and a halogenated additive
US6869487B1 (en) * 1997-05-09 2005-03-22 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US20050215063A1 (en) * 1997-05-09 2005-09-29 Bergman Eric J System and methods for etching a silicon wafer using HF and ozone
US6701941B1 (en) 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece
US7163588B2 (en) * 1997-05-09 2007-01-16 Semitool, Inc. Processing a workpiece using water, a base, and ozone
US7416611B2 (en) * 1997-05-09 2008-08-26 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece with gases
US20020157686A1 (en) * 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US7378355B2 (en) * 1997-05-09 2008-05-27 Semitool, Inc. System and methods for polishing a wafer
US5971368A (en) * 1997-10-29 1999-10-26 Fsi International, Inc. System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized
US6675233B1 (en) * 1998-03-26 2004-01-06 O2 Micro International Limited Audio controller for portable electronic devices
US6080531A (en) * 1998-03-30 2000-06-27 Fsi International, Inc. Organic removal process
US6235641B1 (en) 1998-10-30 2001-05-22 Fsi International Inc. Method and system to control the concentration of dissolved gas in a liquid
CA2253689A1 (en) * 1998-11-09 2000-05-09 Ted Szylowiec Method and apparatus for concentrating a gas using a single stage adsorption zone
US6568900B2 (en) 1999-02-01 2003-05-27 Fantom Technologies Inc. Pressure swing contactor for the treatment of a liquid with a gas
US6406551B1 (en) 1999-05-14 2002-06-18 Fsi International, Inc. Method for treating a substrate with heat sensitive agents
JP3333149B2 (ja) * 1999-07-05 2002-10-07 アルプス電気株式会社 ガス溶解水製造装置およびガス溶解水製造方法ならびに洗浄装置
JP2001035827A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Memc Kk 高濃度オゾン水、同オゾン水の調製方法、および同オゾン水を使用した洗浄方法
US6196526B1 (en) * 1999-08-03 2001-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Mechanical wet air generator
US6464868B1 (en) * 1999-09-14 2002-10-15 Amos Korin Method and system for controlling biofilm
US6982006B1 (en) 1999-10-19 2006-01-03 Boyers David G Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution
US6743301B2 (en) 1999-12-24 2004-06-01 mFSI Ltd. Substrate treatment process and apparatus
JP3741253B2 (ja) * 1999-12-24 2006-02-01 富士通株式会社 薬品製造装置
US7364625B2 (en) * 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
US6451660B1 (en) * 2000-06-09 2002-09-17 Agere Systems Guardian Corp. Method of forming bipolar transistors comprising a native oxide layer formed on a substrate by rinsing the substrate in ozonated water
US6440871B1 (en) 2000-08-16 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Gas assisted method for applying resist stripper and gas-resist stripper combinations
US6686297B1 (en) * 2000-08-17 2004-02-03 Georg Gogg Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus to be used therefore
KR200211673Y1 (ko) * 2000-08-18 2001-01-15 김세함 오존수 제조장치
US6805791B2 (en) * 2000-09-01 2004-10-19 Applied Science And Technology, Inc. Ozonated water flow and concentration control apparatus
AU2002210680A1 (en) * 2000-10-17 2002-04-29 Bioquell Medical Limited Decontamination of medical equipment
US7156111B2 (en) * 2001-07-16 2007-01-02 Akrion Technologies, Inc Megasonic cleaning using supersaturated cleaning solution
AU2002337876A1 (en) 2001-10-15 2003-04-28 United States Filter Corporation Apparatus for fluid purification and methods of manufacture and use thereof
US20030087532A1 (en) * 2001-11-01 2003-05-08 Biao Wu Integrated process for etching and cleaning oxide surfaces during the manufacture of microelectronic devices
US20040154641A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-12 P.C.T. Systems, Inc. Substrate processing apparatus and method
DE10228997A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-22 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale System und Verfahren zum Verringern der chemischen Reaktivität von Wasser und anderen Chemikalien, die bei der Herstellung integrierter Schaltungen verwendet werden
KR100466865B1 (ko) * 2002-10-10 2005-01-24 송재윤 초임계 상태를 이용한 기체 용해수 제조장치
US6936179B2 (en) * 2003-04-15 2005-08-30 Dewald Jack J. Method and apparatus for adding oxygen to drinking water
JP2004327826A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Toshiba Corp 基板処理装置
US20050000549A1 (en) * 2003-07-03 2005-01-06 Oikari James R. Wafer processing using gaseous antistatic agent during drying phase to control charge build-up
US7537644B2 (en) 2003-10-24 2009-05-26 Gastran Systems Method for degassing a liquid
CA2543773C (en) 2003-10-24 2012-06-12 Cleveland Gas Systems Llc Spinning impingement multiphase contacting device
US20070034565A1 (en) * 2003-10-24 2007-02-15 Gastran Systems Method for treating a contaminated fluid
US8377279B2 (en) 2003-11-13 2013-02-19 Siemens Industry, Inc. Water treatment system and method
US20050103717A1 (en) 2003-11-13 2005-05-19 United States Filter Corporation Water treatment system and method
US7862700B2 (en) 2003-11-13 2011-01-04 Siemens Water Technologies Holding Corp. Water treatment system and method
US7563351B2 (en) 2003-11-13 2009-07-21 Siemens Water Technologies Holding Corp. Water treatment system and method
US7083733B2 (en) * 2003-11-13 2006-08-01 Usfilter Corporation Water treatment system and method
US7846340B2 (en) 2003-11-13 2010-12-07 Siemens Water Technologies Corp. Water treatment system and method
JP2005161284A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Nittetu Chemical Engineering Ltd 定濃度オゾン水の供給方法
US7502114B2 (en) * 2004-03-12 2009-03-10 Mks Instruments, Inc. Ozone concentration sensor
US20120228396A1 (en) * 2004-05-25 2012-09-13 Gregory Scott Osborn System and Method for Optimizing the Dissolution of a Gas in a Liquid
US9315402B2 (en) 2004-05-25 2016-04-19 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Systems and methods for wastewater treatment
US9340438B2 (en) 2004-05-25 2016-05-17 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Systems and methods for delivering dissolved gases into force-main and gravity sewers
US9248415B2 (en) * 2004-05-25 2016-02-02 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Systems and methods for maximizing dissolved gas concentration of a single species of gas from a mixture of multiple gases
WO2006010109A2 (en) * 2004-07-08 2006-01-26 Akrion Technologies, Inc. Method and apparatus for creating ozonated process solutions having high ozone concentration
WO2006017108A2 (en) * 2004-07-09 2006-02-16 Akrion, Llc System and method for pre-gate cleaning of substrates
SG120172A1 (en) * 2004-08-10 2006-03-28 Beng Lai Koh Mixing apparatus
TWI324528B (en) * 2004-08-20 2010-05-11 Huei Tarng Liou Ozone on-line injection, reuse, and destruction system
US7839289B2 (en) * 2004-08-26 2010-11-23 Avante International Technology, Inc. Object monitoring, locating, and tracking system and method employing RFID devices
EP1794783A1 (en) * 2004-09-17 2007-06-13 FSI International, Inc. Using ozone to process wafer like objects
CA2595065A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-08 The Administrators Of The Tulane Educational Fund Nebulizing treatment method
US7476616B2 (en) * 2004-12-13 2009-01-13 Fsi International, Inc. Reagent activator for electroless plating
TW200624387A (en) * 2005-01-07 2006-07-16 Wen Wang High speed centrifugal type ozone water generating method and system
CA2600300C (en) * 2005-03-18 2010-11-09 Tersano Inc. Ozonated water dispenser
KR100625320B1 (ko) * 2005-03-18 2006-09-20 세메스 주식회사 기판 세정 설비의 기능수 공급 장치
EP1885655B1 (en) 2005-06-01 2014-12-17 Evoqua Water Technologies LLC Water treatment process by intermittent sanitization
US20070062372A1 (en) * 2005-09-20 2007-03-22 Ravi Jain Method of producing a mixture of ozone and high pressure carbon dioxide
EP2495296B1 (en) * 2005-10-05 2014-04-09 Lion Corporation Ozone treatment method
CN101900956A (zh) 2005-11-23 2010-12-01 Fsi国际公司 从基材上除去材料的方法
TWI262827B (en) * 2005-12-13 2006-10-01 Ind Tech Res Inst Cleaning device and method of bubble reaction
CN101421054B (zh) * 2006-02-10 2012-10-17 坦能公司 电化学活化的阳极电解液和阴极电解液液体
US20080067069A1 (en) 2006-06-22 2008-03-20 Siemens Water Technologies Corp. Low scale potential water treatment
US7744760B2 (en) 2006-09-20 2010-06-29 Siemens Water Technologies Corp. Method and apparatus for desalination
US20080083427A1 (en) * 2006-10-09 2008-04-10 Semitool, Inc. Post etch residue removal from substrates
US7819984B2 (en) 2007-05-18 2010-10-26 Fsi International, Inc. Process for treatment of substrates with water vapor or steam
US8029726B2 (en) * 2007-05-22 2011-10-04 .Vapex Technologies, Inc. Disinfection methods for surfaces and enclosed spaces
BRPI0819884A2 (pt) 2007-11-30 2016-05-10 Siemens Water Tech Corp método para tratamento de água salgada, sistema de tratamento de água e dispositivo de separação acionado eletricamente
TWM352764U (en) * 2008-06-19 2009-03-11 Scientech Corp Constant temperature gas/liquid mixture generating system for using in wafer drying process
US8002247B2 (en) * 2008-08-22 2011-08-23 Air Products And Chemicals, Inc. Cross purge valve and container assembly
CN101642071B (zh) * 2009-08-31 2011-07-20 四川大学 水体总溶解气体过饱和生成及其对鱼类影响研究的装置
US8567767B2 (en) 2010-05-03 2013-10-29 Apiqe Inc Apparatuses, systems and methods for efficient solubilization of carbon dioxide in water using high energy impact
US9309103B2 (en) 2010-05-03 2016-04-12 Cgp Water Systems, Llc Water dispenser system
US8709165B2 (en) 2010-12-03 2014-04-29 Lam Research Ag Method and apparatus for surface treatment using inorganic acid and ozone
EP2723481B1 (en) 2011-06-23 2019-05-01 Apiqe Inc. Flow compensator
WO2012178179A2 (en) 2011-06-23 2012-12-27 Apiqe Inc. Disposable filter cartridge for water dispenser
US9117759B2 (en) * 2011-08-10 2015-08-25 Micron Technology, Inc. Methods of forming bulb-shaped trenches in silicon
EP2748113B1 (en) 2011-08-25 2018-08-08 Electrolytic Ozone Inc. Apparatus for producing and delivering ozonated water
CN102641668B (zh) * 2012-02-09 2017-02-15 孙乔良 多气源多功能变相式高能水瞬间制取机组
CN102826645B (zh) * 2012-09-27 2013-12-04 东莞日之泉蒸馏水有限公司 一种碱性饮用水的臭氧投加工艺
US8871108B2 (en) 2013-01-22 2014-10-28 Tel Fsi, Inc. Process for removing carbon material from substrates
US9613845B2 (en) * 2014-01-17 2017-04-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion de-taping
CN103771027A (zh) * 2014-01-21 2014-05-07 上海和辉光电有限公司 臭氧水水箱
CN103880230B (zh) * 2014-03-26 2015-04-08 西安热工研究院有限公司 一种火电厂热力系统分段氧化处理系统及处理方法
CA2947145C (en) * 2014-04-28 2022-07-05 Blueingreen Llc Systems and methods for dissolving a gas into a liquid
CN104189931B (zh) * 2014-08-22 2017-02-22 四川乐山伟业机电有限责任公司 一种利用臭氧雾杀菌消毒的方法
JP2016064386A (ja) * 2014-09-18 2016-04-28 株式会社荏原製作所 ガス溶解水製造装置および製造方法
US10077418B2 (en) 2015-04-15 2018-09-18 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Method for improved rate and control of beverage carbonation with automatic shut-off
CN107308835B (zh) * 2017-08-22 2020-11-24 依格安顾问(香港)有限公司 高压雾化臭氧水的制造装置及方法
US10858271B2 (en) * 2018-03-28 2020-12-08 L'Air Liquide, SociétéAnonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Claude Methods for producing high-concentration of dissolved ozone in liquid media
US11434153B2 (en) * 2018-03-28 2022-09-06 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés George Claude Separation of ozone oxidation in liquid media into three unit operations for process optimization
US11084744B2 (en) * 2018-03-28 2021-08-10 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Method for mixing gas-free liquid oxidant with process liquid
US11035836B2 (en) 2018-07-31 2021-06-15 Saudi Arabian Oil Company Methods of generating and corrosion testing aqueous gas streams prepared from aqueous acid and salt precursor solutions
JP7412200B2 (ja) * 2020-02-06 2024-01-12 株式会社荏原製作所 ガス溶解液製造装置
JP2022188425A (ja) 2021-06-09 2022-12-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US932898A (en) * 1909-02-26 1909-08-31 James F Place Art or process of producing ozone.
US1149254A (en) * 1912-02-28 1915-08-10 Horace Dumars Apparatus for producing ozone and separating gases.
US2812861A (en) * 1954-02-09 1957-11-12 Maryland Lab Inc Means for ozone treatment of liquids
US2876188A (en) * 1955-03-21 1959-03-03 Air Reduction Ozone manufacture
GB1269202A (en) * 1968-02-14 1972-04-06 Fordath Ltd Improvements in the production of cores for use in the production of metal castings
US3555783A (en) * 1969-11-20 1971-01-19 Environmental Service Inc Process and apparatus for treating liquids and gases
US3653182A (en) * 1970-01-21 1972-04-04 Lewis Hall Sr M Water conditioning method and apparatus
US4393013A (en) * 1970-05-20 1983-07-12 J. C. Schumacher Company Vapor mass flow control system
US3650151A (en) * 1970-11-18 1972-03-21 Tylan Corp Fluid flow measuring system
US3935041A (en) 1971-10-18 1976-01-27 Chemcut Corporation Method for treatment fluid application and removal
US3890176A (en) 1972-08-18 1975-06-17 Gen Electric Method for removing photoresist from substrate
US4105725A (en) * 1972-11-21 1978-08-08 Liquid Carbonic Canada Ltd. Saturated liquid/vapor generating and dispensing
US4051886A (en) * 1973-08-27 1977-10-04 Liquid Carbonic Canada Ltd. Saturated liquid/vapor generating and dispensing
US3921002A (en) * 1974-04-22 1975-11-18 Martin Marietta Corp Ozone generator
JPS5275181A (en) * 1975-12-13 1977-06-23 Sony Corp Formation of oxide film
GB1545559A (en) * 1976-09-09 1979-05-10 Portals Water Treatment Ltd Aeration in a flotation process
US4172786A (en) * 1978-09-29 1979-10-30 Nasa Ozonation of cooling tower waters
US4276243A (en) * 1978-12-08 1981-06-30 Western Electric Company, Inc. Vapor delivery control system and method
US4220460A (en) * 1979-02-05 1980-09-02 Western Electric Company, Inc. Vapor delivery system and method
US4483826A (en) * 1980-08-12 1984-11-20 Phillips Petroleum Company Combination reaction vessel and aspirator-mixer
US4491551A (en) * 1981-12-02 1985-01-01 Johnson Dennis E J Method and device for in-line mass dispersion transfer of a gas flow into a liquid flow
EP0086019B2 (de) * 1982-02-09 1989-11-29 BBC Brown Boveri AG Vorrichtung zur Begasung einer Flüssigkeit und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung
JPS60114393A (ja) * 1983-11-22 1985-06-20 Samuson Eng Kk 廃水処理装置
GB8407857D0 (en) * 1984-03-27 1984-05-02 Mann R Separation of gaseous mixture
US4540531A (en) * 1984-05-04 1985-09-10 Ashland Oil, Inc. Vapor generator and its use in generating vapors in a pressurized gas
US5407426A (en) * 1991-02-14 1995-04-18 Wayne State University Method and apparatus for delivering oxygen into blood
DE3501175A1 (de) * 1985-01-16 1986-07-17 Franz-Josef Dipl.-Ing. 4791 Lichtenau Damann Verfahren und vorrichtung zur mischung und loesung von gas in fluessigkeit
US4632789A (en) * 1985-01-31 1986-12-30 Reid Philip L Gas humidification apparatus
JPS62221426A (ja) * 1986-03-20 1987-09-29 Ishimori Seisakusho:Kk 流動体接触装置
US5221423A (en) 1986-05-20 1993-06-22 Fujitsu Limited Process for cleaning surface of semiconductor substrate
US4885047A (en) 1986-08-11 1989-12-05 Fusion Systems Corporation Apparatus for photoresist stripping
US4749640A (en) 1986-09-02 1988-06-07 Monsanto Company Integrated circuit manufacturing process
JPH06182366A (ja) * 1986-12-29 1994-07-05 Katsumi Takao 冷凍物の解凍処理装置
US4817652A (en) 1987-03-26 1989-04-04 Regents Of The University Of Minnesota System for surface and fluid cleaning
US4874509A (en) * 1987-04-24 1989-10-17 Donald Bullock Oxidation saturation device
JPH01130785A (ja) * 1987-11-18 1989-05-23 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd オゾン水殺菌装置
JPH01257103A (ja) * 1988-04-05 1989-10-13 Amatani Seisakusho:Kk オゾン濃縮装置
US5181985A (en) 1988-06-01 1993-01-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers
JPH01306787A (ja) * 1988-06-06 1989-12-11 Sanden Corp オゾン含有氷の製造方法
EP0363098B1 (en) 1988-10-03 1995-04-05 Canon Kabushiki Kaisha Temperature controlling device
US4973379A (en) 1988-12-21 1990-11-27 Board Of Regents, The University Of Texas System Method of aerosol jet etching
US4898679A (en) * 1989-02-01 1990-02-06 Seymour Siegel Method and apparatus for obtaining ozone saturated water
JPH0644098Y2 (ja) * 1989-02-27 1994-11-14 黒谷 信子 半導体ウェハーの洗浄用バブラー
US5068040A (en) 1989-04-03 1991-11-26 Hughes Aircraft Company Dense phase gas photochemical process for substrate treatment
US4900336A (en) * 1989-04-03 1990-02-13 Arrowhead Industrial Water, Inc. Method of preferentially removing oxygen from ozonated water
US5278104A (en) * 1989-07-25 1994-01-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor wafer carrier having a dust cover
JPH0389995A (ja) * 1989-09-01 1991-04-15 Sapporo Breweries Ltd オゾン水製造装置
JP2684575B2 (ja) * 1989-11-10 1997-12-03 ペルメレック電極株式会社 高濃度オゾン水の製造方法及び装置
JPH03154691A (ja) * 1989-11-10 1991-07-02 Permelec Electrode Ltd 高濃度オゾン水の製造方法及び装置
EP0428983A3 (en) 1989-11-13 1991-12-11 Applied Materials, Inc. Particle removal from surfaces by pressure change
AT394707B (de) * 1990-02-14 1992-06-10 Schmidding Wilh Gmbh & Co Verfahren und vorrichtung zur herstellung von ozonhaeltigen loesungen und gasen
US5087323A (en) 1990-07-12 1992-02-11 Idaho Research Foundation, Inc. Fine line pattern formation by aerosol centrifuge etching technique
US5118322A (en) 1990-07-31 1992-06-02 Eric Wasinger Ozone decolorization of garments
US5071485A (en) 1990-09-11 1991-12-10 Fusion Systems Corporation Method for photoresist stripping using reverse flow
US5378317A (en) * 1990-10-09 1995-01-03 Chlorine Engineers Corp., Ltd. Method for removing organic film
US5082518A (en) * 1990-10-29 1992-01-21 Submicron Systems, Inc. Sparger plate for ozone gas diffusion
US5261966A (en) 1991-01-28 1993-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns
US5569180A (en) * 1991-02-14 1996-10-29 Wayne State University Method for delivering a gas-supersaturated fluid to a gas-depleted site and use thereof
US6344489B1 (en) * 1991-02-14 2002-02-05 Wayne State University Stabilized gas-enriched and gas-supersaturated liquids
US5242468A (en) 1991-03-19 1993-09-07 Startec Ventures, Inc. Manufacture of high precision electronic components with ultra-high purity liquids
JP2785082B2 (ja) * 1991-05-24 1998-08-13 正照 新村 オゾン溶融方法およびその装置
JP3261683B2 (ja) 1991-05-31 2002-03-04 忠弘 大見 半導体の洗浄方法及び洗浄装置
US5186841A (en) * 1991-11-05 1993-02-16 Praxair Technology Inc. Cooling water ozonation system
JPH05152203A (ja) 1991-11-29 1993-06-18 Chlorine Eng Corp Ltd 基板処理方法および処理装置
GB9126491D0 (en) * 1991-12-13 1992-02-12 Boc Group Plc Treatment of water
EP0567860B2 (en) 1992-04-28 2003-01-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha System and microorganism removing method
KR940012061A (ko) 1992-11-27 1994-06-22 가나이 쯔또무 유기물제거방법 및 그 방법을 이용하기 위한 유기물제거장치
JP2749495B2 (ja) * 1993-03-15 1998-05-13 長廣 仁蔵 高濃度オゾン水製造方法及び高濃度オゾン水製造装置
JPH06277476A (ja) * 1993-03-26 1994-10-04 Permelec Electrode Ltd オゾン水製造方法
US5447640A (en) * 1993-06-28 1995-09-05 Permelec Electrode Ltd. Method and apparatus for sterilization of and treatment with ozonized water
US5460705A (en) * 1993-07-13 1995-10-24 Lynntech, Inc. Method and apparatus for electrochemical production of ozone
US5464480A (en) 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
JP3142195B2 (ja) 1993-07-20 2001-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 薬液供給装置
JPH0747377A (ja) * 1993-08-06 1995-02-21 Permelec Electrode Ltd オゾン水処理方法及び装置
EP0640933A3 (de) 1993-08-23 1995-09-13 Gim Ges Fuer Innovation Und Ma Verfahren und Anordnung zur Mustererkennung.
JP3344019B2 (ja) 1993-08-26 2002-11-11 大日本インキ化学工業株式会社 高品質農作物の生産方法
US6315942B1 (en) * 1993-11-15 2001-11-13 Wayne State University System for delivery of gas-enriched fluids
FR2715395B1 (fr) * 1994-01-26 1997-02-07 Anjou Rech Unite de traitement d'eau par ozonation, et installation de production d'eau ozonee correspondante
JP2743823B2 (ja) 1994-03-25 1998-04-22 日本電気株式会社 半導体基板のウエット処理方法
JP3320549B2 (ja) 1994-04-26 2002-09-03 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 被膜除去方法および被膜除去剤
JP2760418B2 (ja) * 1994-07-29 1998-05-28 住友シチックス株式会社 半導体ウエーハの洗浄液及びこれを用いた半導体ウエーハの洗浄方法
DE4432738A1 (de) 1994-09-14 1996-03-21 Siemens Ag Verfahren zum naßchemischen Entfernen von Kontaminationen auf Halbleiterkristalloberflächen
US5565149A (en) 1995-03-15 1996-10-15 Permea, Inc. Control of dissolved gases in liquids
US5756054A (en) * 1995-06-07 1998-05-26 Primex Technologies Inc. Ozone generator with enhanced output
US5714203A (en) 1995-08-23 1998-02-03 Ictop Entwicklungs Gmbh Procedure for the drying of silicon
JPH0969509A (ja) 1995-09-01 1997-03-11 Matsushita Electron Corp 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法
US5624734A (en) * 1996-02-21 1997-04-29 Rees; Darci L. Continuous process and apparatus for generation of ozone for industrial application with cryogenic refrigeration
US5897832A (en) * 1996-04-30 1999-04-27 Porter; Brooks S. Cleaning method utilizing ozonated water and apparatus for producing ozonated water
EP0867924B1 (en) 1997-02-14 2011-08-31 Imec Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface
JP2001520575A (ja) * 1997-04-16 2001-10-30 ウェイン ステイト ユニヴァーシティ ガス過飽和流体の送出用の系及び装置
JPH10326793A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5971368A (en) * 1997-10-29 1999-10-26 Fsi International, Inc. System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized
US6080531A (en) * 1998-03-30 2000-06-27 Fsi International, Inc. Organic removal process
ATE259681T1 (de) 1998-04-16 2004-03-15 Semitool Inc Verfahren und gerät zur behandlung eines werkstückes, wie ein halbleiterwafer

Also Published As

Publication number Publication date
US6648307B2 (en) 2003-11-18
JP2001520935A (ja) 2001-11-06
US5971368A (en) 1999-10-26
WO1999021798A1 (en) 1999-05-06
DE69805836T2 (de) 2003-01-16
DE69805836D1 (de) 2002-07-11
EP1027291B1 (en) 2002-06-05
KR100550368B1 (ko) 2006-02-09
CN1277594A (zh) 2000-12-20
US20030042631A1 (en) 2003-03-06
EP1027291A1 (en) 2000-08-16
US6488271B1 (en) 2002-12-03
KR20010031585A (ko) 2001-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1196178C (zh) 处理物体的方法
CN1079580C (zh) 在液体中处理半导体片的方法和装置
EP0741670B1 (fr) Unite de traitement d'eau par ozonation comprenant une installation de production d'eau ozonee
US5433866A (en) System and method for treating water
EP2540677B1 (en) Contact reaction tower with internal circulation ozone used in industrial wastewater advanced treatment
CN101468285A (zh) 挥发性有机气体污染的处理装置
JP2013522021A (ja) ガス捕集型気液反応装置とこれを利用した水処理装置並びにガス浄化装置
WO2001051187A1 (fr) Appareil de traitement d'ozone
US8016271B2 (en) Gaseous effluent treatment apparatus
JP2004188246A (ja) オゾン水製造システム
CN1326601C (zh) 气体溶解装置
CN1309095A (zh) 溶解有气体的清洗水用配水管路
CN112892182A (zh) 用中空纤维膜作为填料的喷淋塔及其烟气处理系统
CN111422971A (zh) 一种喷淋式催化臭氧氧化反应系统
JP5200224B2 (ja) 水処理装置
CN106608673B (zh) 一种利用气液冲击混合反应系统降低废水中可溶性杂质含量的方法
JPH0312283A (ja) 溶存オゾン水中のオゾン除去方法及び除去装置
JP4201567B2 (ja) マイナスイオン発生装置
CN220589538U (zh) 工具排气系统
CN218202409U (zh) 除沫曝气池系统
CN212127673U (zh) 一种喷淋式催化臭氧氧化反应系统
RU2036853C1 (ru) Способ аэрирования жидкости
JPH07178387A (ja) 脱ガス処理方法及びこの方法で使用する脱炭酸塔
KR101972934B1 (ko) 반도체 또는 실리콘 제조 공정에서 생성되는 모노실란에 의한 배관 막힘 및 화재를 방지하는 장치
JPS629998Y2 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee