CN1230837C - 导电聚合物组合物、正温度系数器件以及含有该器件的电路 - Google Patents
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Abstract
一种导电聚合物组合物,它含有含重均分子量为至少50,000的第一结晶聚合物、重均分子量为至多10,000的第二结晶聚合物和粒状导电填料的聚合物混合物,它具有良好的可加工性并在20℃呈现低电阻率和良好的正温度系数(PTC)行为。
Description
发明背景
发明领域
本发明涉及一种表现正温度系数(PTC)的电阻行为的导电聚合物组合物。所述组合物可用于PTC器件中。
发明前言
众所周知,表现PTC(正温度系数电阻)行为的导电聚合物可用于电气器件如电路保护器件。这类组合物包含一种聚合物组分和分散在其中的粒状导电填料如炭黑或金属。填料在组合物中的用量与类型取决于各种应用所需的电阻率以及聚合物组分的性质。适用于电路保护器件的组合物在室温下具有低电阻率,例如,小于100Ω-cm,且一般都包含较多的导电填料。
具有低电阻率的组合物适用于响应室温和/或电流条件变化的电路保护器件。在正常条件下,在电路中与负载串联的电路保护器件保持在低温、低电阻状态。但暴露在过电流或过热条件下时,该器件的电阻就升高,从而有效地切断电路中流到负载上的电流。对于许多应用,希望该器件的电阻尽可能低,以便在正常工作期间使对电路电阻的影响最小化。虽然低阻器件可以用改变尺寸的办法制成,例如,使电极间的距离非常小或使器件的面积非常大,但优选小器件,因为它们在电路板上占据空间较少且一般具有理想的热性能。实现小器件最普通的技术是采用具有低电阻率的组合物。
导电聚合物组合物的电阻率能通过加入较多的导电填料来减少,但这种方法会影响组合物的可加工性,例如,因粘度增加。而且,加入导电填料一般会减小PTC异常大小,即组合物的电阻率响应于温度上升而增加的范围,通常是在一个较小的温度范围内。所要求的PTC异常取决于所施电压及应用。
据日本专利公开出版物No.172001/1996(特开平08-172001)公开,要用金属颗粒和涂布了金属的颗粒作为导电颗粒,因为当用炭黑作导电颗粒时,难以获得体积电阻率至多为1Ω-cm并有良好PTC异常现象的导电材料。但是,必须增加导电颗粒的用量以降低电阻率。当导电颗粒用量增加时,不可能得到足够的PTC异常,且因组合物不良的流动性而使组合物难以模塑。实际上,所得到的体积电阻率会受到限制。
日本专利公开出版物No.6309/1981(特开昭56-6309)公开了一种包含分散在绝缘基体中的导电颗粒的温度传感器。所述绝缘基体包含一种加入到烃类蜡中的铝皂。但是这种温度传感器并未表现足够的PTC行为。
日本专利公开出版物168005/1999(特开平11-168005)公开了一种包含导电组合物的有机PTC热敏电阻,所述导电组合物包含热塑性聚合物基体、低分子量有机化合物和导电颗粒。该出版物叙述了用烃、脂肪酸、脂肪酸酯、脂肪酸酰胺、脂族胺和高级醇作为低分子量有机化合物,但未叙述聚合物用作低分子量有机化合物。这种导电组合物的加工性不良且没有良好的PTC异常。
迄今,已通过在基体中,如在聚合物中,加入大量导电颗粒如炭黑和金属粉末获得了具有低体积电阻率的导电组合物。但未能获得具有满意PTC异常的导电组合物。
发明概述
本发明的目的是提供一种在高温下具有良好流动性并在20℃具有低电阻率并呈现良好PTC异常的导电组合物。
在第一方面,本发明提供一种具有正温度系数(PTC)电阻行为并包含下列组分的导电聚合物组合物:
(1)聚合物混合物,它包含:
(i)至少50体积%重均分子量至少为50,000的第一结晶聚合物,和
(ii)至多50体积%重均分子量至多为10,000的第二结晶聚合物;以及
(2)分散在聚合物混合物中的粒状导电填料。
在第二方面,本发明提供一种PTC器件,它包含:
(A)包含本发明第一方面的组合物的PTC元件(例如:层状PTC元件);以及
(B)两个电极,它们能连接到电源上使电流通过该PTC元件。
在第三方面,本发明提供一种电路,它包含:
(I)本发明第二方面的PTC器件;
(II)电源;以及
(III)与器件和电源串联的负载。
发明详述
本发明的导电聚合物组合物包含一种聚合物混合物,该混合物包含第一结晶聚合物、第二结晶聚合物和粒状导电填料,并表现出正温度系数(PTC)的电阻行为。
所述聚合物混合物包含第一结晶聚合物和第二结晶聚合物。优选聚合物混合物的量以导电聚合物组合物总体积为基础计为20-90体积%,更优选20-70体积%,尤其30-70体积%。
所述第一结晶聚合物的重均分子量为至少50,000。第一结晶聚合物重均分子量的下限为50,000,优选100,000。第一结晶聚合物重均分子量的上限一般为10,000,000,例如3,000,000,优选1,000,000,更优选600,000。
第一结晶聚合物的结晶度可为至少10%,优选至少20%,更优选至少30%,尤其至少40%,例如,50-98%。
第一结晶聚合物一般是热塑性树脂。优选第一结晶聚合物是包含得自至少一种选自烯烃或烯烃衍生物的单体的结构单元的聚合物,例如,乙烯的均聚物或共聚物。适用的第一结晶聚合物的实例包括一种或多种烯烃的聚合物,如高密度聚乙烯;至少一种烯烃和至少一种可与之共聚的单体的共聚物,如乙烯/丙烯酸、乙烯/丙烯酸乙酯、乙烯/醋酸乙烯酯和乙烯/丙烯酸丁酯共聚物;可熔体成型的含氟聚合物,如聚偏氟乙烯和乙烯/四氟乙烯共聚物;以及两种或多种上述聚合物的共混物。
第一结晶聚合物的用量是以聚合物混合物为基础计的至少50体积%,例如,至少60体积%,特别至少70体积%,尤其至少80体积%。
所述第二结晶聚合物的重均分子量为至多10,000。优选第二结晶聚合物重均分子量的下限为500,优选800,更优选1000,特别为2000。其上限为10,000,优选9,000,更优选8,000。
优选第二结晶聚合物熔点(Tm2)的下限为60℃,更优选90℃,最优选100℃,例如,105℃,特别是110℃,更特别115℃,尤其120℃,更尤其125℃。优选第二结晶聚合物熔点(Tm2)的上限为200℃,更优更优选180℃,尤其140℃。
第二结晶聚合物的结晶度可至少为20%,优选至少50%。第二结晶聚合物结晶度的下限可以是60%,特别是70%,尤其80%。其上限不受限制,可以是98%,特别是95%,尤其是92%。
第二结晶聚合物有至少一种衍生自含有碳-碳双键的单体的重复单元。第二结晶聚合物可以通过至少一种选自烯烃或烯烃衍生物的单体的聚合而合成。优选第二结晶聚合物是一种烯烃如乙烯或丙烯的均聚物或共聚物(例如,聚乙烯,聚丙烯或乙烯/丙烯酸乙酯共聚物)。
第二聚合物含量的上限是以聚合物混合物为基础计的50体积%,例如,40体积%,特别是30体积%,尤其是20体积%。第二聚合物含量的下限可以是2体积%,特别是5体积%,尤其是10体积%。
聚合物混合物的结晶度可为至少20%,一般至少40%,例如,至少60%,特别至少70%,尤其至少80%。
优选第一与第二结晶聚合物的熔点之差至多为50℃,更优选至多30℃,特别是至多20℃。
第一和第二结晶聚合物的重均分子量都用凝胶渗透色谱法(GPC)测定(用聚苯乙烯为标样)。
聚合物(即第一与第二结晶聚合物和聚合物混合物)的结晶度通常用DSC(差示扫描量热法)测定。如果结晶度无法用DSC测量,例如,如果结晶度的数值很低,则结晶度可以用其它方法测量,例如,X-射线衍射法。
聚合物的熔点是指DSC测得的熔融峰温度。
导电聚合物组合物包含粒状导电填料。粒状导电填料包括炭黑、石墨、其它碳素材料、金属、金属氧化物、导电陶瓷、导电聚合物和它们的组合。碳素材料的实例有炭黑、石墨、玻璃碳和碳珠。金属的实例有金、银、铜、镍、铝和它们的合金。金属氧化物的实例有ITO(铟-锡氧化物)、锂-锰复合氧化物、五氧化二钒、氧化锡和钛酸钾。导电陶瓷的实例有碳化物(例如,碳化钨、碳化钛和它们的复合物)、硼酸钛和氮化钛。导电聚合物的实例有聚乙炔、聚芘、聚苯胺、聚亚苯基和多并苯。
优选粒状导电填料的量是以导电聚合物组合物总体积为基础计的10-80体积%,更优选30-80体积%,特别是30-70体积%。
导电聚合物组合物可以包含其它组分,如抗氧剂、惰性填料、非导电填料、交联剂如辐照交联剂(常称为辐照促进剂(prorads)或交联促进剂,例如三烯丙基异氰脲酸酯)、稳定剂、分散剂、偶联剂、酸清除剂(例如,CaCO3)、阻燃剂、电弧抑制剂、着色剂或其它聚合物。这些组分一般占组合物总体积的至多20体积%,例如,至多10体积%。
优选导电聚合物组合物在熔点(即第一结晶聚合物的熔点(Tm1))下的体积电阻率(ρm)与导电聚合物组合物在20℃的体积电阻率(ρ20)之比(ρm/ρ20)至少为50,例如,至少100,特别至少300,尤其至少1,000。
导电聚合物组合物的体积电阻率(ρ20,在20℃的体积电阻率)一般为至多100Ω-Cm,例如,至多10Ω-cm,特别是至多1Ω-cm,更特别是至多0.5Ω-cm,尤其至多0.25Ω-cm,更尤其至多0.15Ω-cm。组合物的体积电阻率(ρ20)取决于应用和所需电器件类型。如所优选的那样,当将组合物用于电路保护器件时,则组合物应有较低的电阻率。
本发明的导电聚合物组合物和PTC器件可按如下所述进行制备:
将第一结晶聚合物、第二结晶聚合物和粒状导电填料装入混合设备并在高温下捏合以获得熔融混合物(即导电聚合物组合物)。捏合温度是高于第一与第二结晶聚合物熔点的温度,一般为120℃-250℃。混合设备可以是挤出机,如单螺杆挤出机或双螺杆挤出机,或另一类混合设备,如BanburyTM混炼机或BrabenderTM混炼机。
然后将熔融混合物成型为聚合物片材。这很容易用下述方法实现:挤过一个片材口模或使熔体混合物压延,即让熔融混合物在两辊或两板之间通过以薄化为片材。压延片材的厚度取决于两板或两辊之间的距离以及辊的旋转速度。一般地说,聚合物片材的厚度为0.025-3.8mm,优选0.051-2.5mm。聚合物片材可具有任意宽度。宽度取决于口模形状或材料体积与压延速度,通常为0.10-0.45m,例如,0.15-0.31m。
层合制品的成形方法是在聚合物片材的至少一面,优选在两面,粘贴金属箔。当将这种层合制品切割成电器件时,金属箔层起电极作用。金属箔的厚度一般至多为0.13mm,优选至多0.076mm,特别是至多0.051mm,例如,0.025mm。金属箔的宽度一般与聚合物片材的大致相同,但对某些应用,希望以两或更多条窄带的形式粘贴金属箔,每一条的宽度都比聚合物片材的小得多。适用的金属箔包括镍、铜、黄铜、铝、钼以及合金,或在同一层或不同层中包含两种或多种上述材料的箔。金属箔可以有至少一面是电镀的,优选电镀镍或铜。对于某些应用,可以用例如喷涂或刷涂等方法在聚合物片材上涂布粘合剂组合物(即连接层)之后再与金属箔接触。层合制品可以卷绕在卷轴上或裁割成独立的片,以便进一步加工或储存。层合制品的厚度一般为0.076-4.1mm。
当层合制品包含两片金属箔时,可用来构成电器件,特别是电路保护器件。这种器件可以从层合制品上切取。在这种应用中,术语“切取”用来包括从层合制品上分出器件的任何方法。
其它金属导线,例如,线状或带状导线,可以连接在箔电极上,从而电连接进电路中。此外,可以采用控制器件热输出的元件,例如一个或多个导热终端。这类终端的形式可以是金属板,如钢板、铜板、黄铜板或散热片,它们或者直接连接在电极上,或者通过焊接或导电粘合剂之类的中间层连接在电极上。对于某些应用,优选这类器件直接连接在电路板上。
为提高器件的电稳定性,通常最好让器件经受各种加工技术,例如,交联和/或热处理。交联可以用化学手段或辐照手段,例如利用电子束或Co60辐照源来实现。组合物的交联程度取决于所需的应用,但一般小于200兆拉德(Mrad)当量,优选显著小于,即为1-20兆拉德,优选1-15兆拉德,对于低电压(例如,低于60伏)电路保护应用,特别优选2-10兆拉德。一般将器件交联到至少2兆拉德当量。
本发明的器件优选是电路保护器件,它们一般在20℃的电阻小于10Ω,优选小于5Ω,特别小于2Ω,更特别小于1Ω,尤其小于0.5Ω,更尤其小于0.1Ω,最尤其小于0.05Ω。因为由本发明的方法制备的层合制品包含具有低电阻率的导电聚合物组合物,因此可用来生产电阻很低的如0.001-0.100Ω的器件。
本发明的导电聚合物组合物可用来作过电流保护器件(电路保护器件)、PTC热敏电阻、温度传感器等。
本发明的导电聚合物组合物具有低熔体粘度并表现出良好的PTC异常,即使填充了大量粒状导电填料使组合物在常温(例如,20℃)下获得降低的体积电阻率也仍是如此。本发明的导电聚合物组合物具有良好的可加工性,因此PTC器件的厚度可较小,而导电聚合物组合物层和电极层的层合速度可较高。此外,这种PTC器件在导电聚合物组合物层与电极层之间具有良好的粘结性。本发明给出尺寸小、重量轻和电阻低的PTC器件。
本发明的器件常用在包含电源(例如DC或AC电源)、负载、一个或多个电阻器和所述器件的电路中。为了将本发明的器件连接到电路中的其它元件上,可以有必要在金属箔电极上另外连接一根或多根金属导线,例如,线状或带状的导线。此外,还可采用控制该器件热输出的元件,即一个或多个导热终端。这类终端可以取金属板的形式,例如,钢板、铜板或黄铜板,或散热片的形式,它们或者直接连接在电极上,或者通过诸如焊接或导电粘合剂之类的中间层连接在电极上。
本发明用下列实施例与对比实施例加以说明,其中,构成导电聚合物组合物的组分的用量以体积计(体积%)。
20℃体积电阻率ρ20与熔点ρm处体积电阻率的测量
测量试片的电阻,然后按以下公式计算体积电阻率(ρ):
(体积电阻率)=[(试片电阻)×(电极面积)]
÷[(试片厚度)-(电极箔厚度)×2]
测定第一结晶聚合物在20℃的体积电阻率(ρ20)与在熔点的体积电阻率(ρm)。
实施例1-5和对比实施例1-3
将配方(用体积%表示)如表1和2所示的原料按75%的装料量装进一个配备有滚刀(R60B)的60毫升Labo P1astomill50C150(Toyo Seiki Seisakusyo Kabushiki Kaisha)中,并在210℃以40rpm转速捏合15min。然后用压机制备厚度约0.5mm的片材。在210℃将表面粗糙的镍箔(Fukuda Kinzoku Hakufun KogyoKabushiki Kaisha制造)热压在片材两面上,并模冲成直径为6.35mm的圆盘。辐照该圆盘(用γ射线:7兆拉德)使之交联。让该圆盘经受一个热循环以稳定电阻值。然后测量试片(即圆盘)在20℃的电阻、厚度和电阻随试片温度的变化。将在原料捏合终点施加到LaboP1astimill上的扭矩作为最终扭矩。结果示于表1和2。
表1
实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 实施例5 | |
第一结晶聚合物 | 44.8 | 50.4 | 48.0 | 50.4 | 44.8 |
第二结晶聚合物(a) | 11.2 | 5.6 | 12.0 | ||
第二结晶聚合物(b) | 11.2 | ||||
第二结晶聚合物(c) | 5.6 | ||||
石蜡 | |||||
炭黑 | 44.0 | 44.0 | 40.0 | 44.0 | 44.0 |
总计(体积%) | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
最终扭矩(kg-m) | 4.19 | 4.71 | 3.16 | 4.58 | 3.79 |
γ射线辐照后 | |||||
在20℃的体积电阻率(ρ20) | 0.15 | 0.21 | 0.22 | 0.21 | 0.12 |
在熔点的体积电阻率(ρm) | 715 | 484 | 3298 | 503 | 352 |
体积电阻率之比(ρm/ρ20) | 4767 | 2420 | 14990 | 2395 | 2933 |
体积比(第一聚合物/第二聚合物) | 80/20 | 90/10 | 80/20 | 90/10 | 80/20 |
表2
对比实施例1 | 对比实施例2 | 对比实施例3 | |
第一结晶聚合物 | 43.2 | 65.0 | 60.0 |
第二结晶聚合物(a) | |||
第二结晶聚合物(b) | |||
第二结晶聚合物(c) | |||
石蜡 | 10.8 | ||
炭黑 | 46.0 | 35.0 | 40.0 |
总计(体积%) | 100 | 100 | 100 |
最终扭矩(kg-m) | 4.88 | 3.17 | 4.18 |
γ射线辐照后 | |||
在20℃的体积电阻率(ρ20) | 0.23 | 0.58 | 0.27 |
在熔点的体积电阻率(ρm) | 34.08 | 79800 | 7415 |
体积电阻率之比(ρm/ρ20) | 148 | 137586 | 27463 |
体积比(第一聚合物/石蜡) | 80/20 | - | - |
所用原料如下。除非另有说明,所有重均分子量均由GPC测量,所有结晶度和熔点均由DSC测量。
第一结晶聚合物:重均分子量约350,000,结晶度为80%,熔点为137℃和密度为0.96g/cm3的高密度聚乙烯。
第二结晶聚合物(a):重均分子量约8,000,结晶度为84%,熔点为127℃和密度为0.97g/cm3的聚乙烯。
第二结晶聚合物(b):重均分子量约4,000,结晶度为90%,熔点为126℃和密度为0.98g/cm3的聚乙烯。
第二结晶聚合物(c):重均分子量约900,结晶度为83%,熔点为116℃和密度为0.95g/cm3的聚乙烯。
石蜡:平均分子量(由气相色谱测定)为361,结晶度为71%,熔点为55℃和密度为0.902g/cm3的石蜡。
炭黑:DBP值为80cm3/100g,碘吸收数为34mg/g和pH值为7的炉黑。
实施例与对比实施例的结果如下所示。
实施例1和对比实施例1
虽然实施例1所用的炭黑量少于对比实施例1,但实施例1得到的在20℃的体积电阻率比对比实施例1的低。实施例1的最终扭矩比对比实施例1的低,使得实施例1比对比实施例1有更好的可加工性。实施例1的体积电阻率之比(ρm/ρ20)大于对比实施例1的。
实施例2-4和对比实施例1
虽然在实施例2-4和对比实施例1之间20℃的体积电阻率几乎都相同,但对比实施例1需要更大量的炭黑,捏合时要有更大的最终扭矩,且得到的体积电阻率之比(ρm/ρ20)不如实施例2-4的。
实施例3和对比实施例2
虽然在实施例3和对比实施例2之间,捏合的最终扭矩几乎相同,但实施例3得到的20℃的体积电阻率小于对比实施例2的体积电阻率的一半,且给出足够的体系电阻率之比(ρm/ρ20),因此本发明的改进是显而易见的。
实施例3和对比实施例3
实施例3和对比实施例3用相同量的炭黑。但是在实施例3中因加入第二结晶聚合物而改善了捏合的最终扭矩,并给出足够的20℃的体积电阻率和足够的体积电阻率之比(ρm/ρ20)。
实施例1和对比实施例3
虽然实施例1用44体积%的炭黑,但最终扭矩小,因此加工性能良好。实施例1的最终扭矩与炭黑用量为40体积%的对比实施例3的几乎相同。此外,实施例1的ρ20比对比实施例3的好。
Claims (15)
1.一种导电聚合物组合物,它表现出正温度系数的电阻行为,并包含
(1)聚合物混合物,包含:
(i)50-98体积%重均分子量为50,000至10,000,000的第一结晶聚合物,和
(ii)2-50体积%重均分子量为500至10,000的第二结晶聚合物;以及
(2)分散在聚合物混合物中的粒状导电填料。
2.按照权利要求1的组合物,其中,所述粒状导电填料占导电聚合物组合物的30体积%-80体积%。
3.按照权利要求1的组合物,它在20℃的体积电阻率至多为1.0Ω-cm。
4.按照权利要求1的组合物,其中,导电聚合物组合物在熔点处的体积电阻率ρm与导电聚合物组合物在20℃的体积电阻率ρ20之比ρm/ρ20至少为50。
5.按照权利要求1的组合物,其中,第一结晶聚合物的结晶度为至少20%。
6.按照权利要求1的组合物,其中,第二结晶聚合物的结晶度为至少50%。
7.按照权利要求1的组合物,其中,第一结晶聚合物是包含得自至少一种选自烯烃或烯烃衍生物的单体的结构单元的聚合物。
8.按照权利要求7的组合物,其中所述聚合物是一种乙烯的均聚物或共聚物。
9.按照权利要求1的组合物,其中第二结晶聚合物是一种乙烯的均聚物或共聚物。
10.按照权利要求1的组合物,其中第一与第二结晶聚合物的熔点之差至多为50℃。
11.按照权利要求1的组合物,其中,粒状导电填料包含炭黑、石墨、其它碳素材料、金属、金属氧化物、导电陶瓷、导电聚合物或它们的组合。
12.一种正温度系数器件,包含:
(A)包含权利要求1的导电聚合物组合物的正温度系数元件,以及
(B)两个电极,它们能连接到电源上使电流通过该正温度系数元件。
13.按照权利要求12的器件,其中,所述聚合物组合物已交联。
14.按照权利要求12的器件,它在20℃的电阻至多为1.0Ω。
15.一种电路,包含
(I)正温度系数器件,包含:
(A)包含权利要求1的导电聚合物组合物的正温度系数元件,以及
(B)两个电极,它们能连接到电源上使电流通过该正温度系数元件;
(II)电源;以及
(III)与所述器件和电源串联的负载。
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