CN1295311C - 电子部件清洗液 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种新的电子部件清洗液，该清洗液可以抑制硅或除硅以外的金属的腐蚀，并且可以有效清除附着在电子部件表面上的细尘或有机物质，而且不容易产生白色浑浊。本发明提供的电子部件清洗溶液的特征为包含阴离子表面活性剂、氢氧化物、金属腐蚀抑制剂、水和由式(I)代表的非离子型表面活性剂和/或由式(II)代表的非离子型表面活性剂，其中EO是氧乙烯基，PO是氧丙烯基。x和y以及a和b是正数，其中x/(x+y)和a/(a+b)均在0.05～0.5的范围内，z和c是正整数。R是从由化合价为1～4的基团代表的醇或胺的羟基除去氢原子后的残基。所述式(I)和式(II)是：HO-((EO)x-(PO)y)z-H (I)R-[((EO)a-(PO)b)c-H]m (II)
Description
技术领域
[引用发明1]日本特开第2001-288496号公报
[引用发明2]日本特开第2001-214199号公报
本发明涉及一种电子部件清洗液。
背景技术
由具有碱性的氢氧化物、过氧化氢和水形成的混合溶液通常已知用作清洗液，该清洗液用于清洗电子部件如采用玻璃基板的液晶显示器或采用硅基板的集成电路装置。其中，氢氧化铵、过氧化氢和水的混合溶液已经被广泛使用，这是因为它在除去基板上的颗粒状污染物方面表现优异。然而，当使用含有所述过氧化氢的碱性水溶液时，存在因过氧化氢而使电子部件的表面上除硅以外的金属受到腐蚀的问题，或在不含过氧化氢的碱性氢氧化物水溶液中硅受到腐蚀的问题。
因此，作为解决上述问题的清洗液，即作为可以抑制硅和除硅以外的金属的腐蚀并且还具有优异清洗效果的清洗液，我们已经提出了一种含有氢氧化物、水、金属腐蚀抑制剂和阴离子表面活性剂等的清洗液(引用发明1)。并且，我们还提出了一种进一步包含水溶性有机化合物的清洗液，以抑制所述清洗液的白色浑浊(引用发明2)。
发明内容
本发明的目的是提供一种新的电子部件清洗液，该清洗液可以抑制硅或除硅以外的金属的腐蚀，并且可以有效清除附着在电子部件表面上的细尘或有机物质，而且不容易产生白色浑浊。
此后，作为进一步检验的结果，本发明人发现可以使用阴离子表面活性剂而不是水溶性有机化合物来实现相当的或更显著的防止溶液出现白色浑浊的效果，因此得到了本发明。
也就是说，本发明提供了一种包含阴离子表面活性剂、氢氧化物、水、金属腐蚀抑制剂和非离子型表面活性剂的电子部件清洗液(下文称为本发明的清洗液)，以及使用本发明的清洗液来清洗电子部件的方法。
具体实施方式
本发明的清洗液的特征为包含阴离子表面活性剂。
作为阴离子表面活性剂，可以使用所有已知的阴离子表面活性剂。其中，优选使用具有阴离子官能团的表面活性剂。
所述阴离子官能团表示在水中呈阴离子性的基团。具体地可以例举形成磺酸的基团(下文称为磺酸基)、形成硫酸酯的基团(下文称为硫酸酯基)、形成磷酸酯的基团(下文称为磷酸酯基)和形成羧酸的基团(下文称为羧基)等。
具有磺酸基的阴离子表面活性剂具体地可以例举具有一个阴离子官能团的化合物，例如烷基苯磺酸、二烷基琥珀酸酯磺酸和烷基苯氧基乙氧基乙基磺酸等或其盐；具有至少两个阴离子官能团的化合物，例如亚烷基二磺酸、丙炔二磺酸、萘磺酸甲醛缩合物、萘二磺酸甲醛缩合物、苯酚磺酸甲醛缩合物、苯酚二磺酸甲醛缩合物、苯基苯酚磺酸甲醛缩合物和苯基苯酚二磺酸甲醛缩合物等或其盐；以及具有至少两个阴离子官能团并且还具有醚键的化合物例如烷基二苯基醚二磺酸等或其盐。
所述盐可以例举钠盐、钙盐、铵盐、三乙醇胺盐、二钠盐、二钙盐、二铵盐和二(三乙醇胺)盐等。
其中，优选烷基二苯基醚二磺酸或其盐，例如，优选十二烷基二苯基醚二磺酸二钠盐、十二烷基二苯基醚二磺酸二铵盐、十二烷基二苯基醚二磺酸二铵盐或十二烷基二苯基醚二磺酸二(三乙醇胺)盐。
具有硫酸酯基的阴离子表面活性剂具体地可以例举甲基牛磺酸类，例如烷基甲基牛磺酸、酰甲基牛磺酸、脂肪酸甲基牛磺酸；以及具有一个阴离子官能团的化合物，例如聚氧化烯基烷基苯基醚硫酸酯、聚氧化烯基烷基醚硫酸酯、聚氧化烯基多环苯基醚硫酸酯和聚氧化烯基芳基醚硫酸酯等；或其盐。
所述盐可以例举钠盐、钙盐、铵盐和三乙醇胺盐等。
具有磷酸酯基的阴离子表面活性剂具体可以例举具有至少一个阴离子官能团并且还具有醚键的化合物，例如聚氧化烯基烷基醚磷酸和聚氧化烯基烷基苯基醚磷酸等或其盐；具有至少两个阴离子官能团并且还具有醚键的化合物，例如烷基二苯基醚二磷酸等或其盐。
所述盐可以例举钠盐、钙盐、铵盐、三乙醇胺盐、二钠盐、二钙盐、二铵盐和二(三乙醇胺)盐等。
具有羧酸基的阴离子表面活性剂具体可以例举肌氨酸型化合物，例如酰基肌氨酸和脂肪酸肌氨酸等；脂肪酸型化合物，例如棕榈油、油酸或其盐；以及具有至少两个阴离子官能团并且还具有醚键的化合物，具体可以例举诸如烷基二苯基醚二羧酸等化合物或其盐。
所述盐可以例举钠盐、钙盐、铵盐、三乙醇胺盐、二钠盐、二钙盐、二铵盐和二(三乙醇胺)盐等。
在分子结构中具有至少两个不同的阴离子官能团的阴离子表面活性剂具体可以例举诸如烷基磺基琥珀酸、聚氧化烯基烷基磺基琥珀酸、单烷基琥珀酸酯磺酸等化合物或其盐，所述化合物是具有磺酸基和羧酸基的阴离子表面活性剂。
本发明的清洗液可以包含至少两种类型的所述阴离子表面活性剂。
对于本发明的清洗液，优选使用具有磺酸基和/或硫酸酯基的阴离子表面活性剂，更优选使用具有至少两个阴离子官能团的阴离子表面活性剂。此外，在所得清洗液的保存稳定性方面，特别优选在分子结构中具有至少两个阴离子官能团并且还具有醚键的阴离子表面活性剂。
本发明清洗液通常包含0.001重量％至10重量％的阴离子表面活性剂，优选该含量为0.001重量％至1重量％，更优选为0.001重量％至0.5重量％。
当所述阴离子表面活性剂的量小于0.001重量％时，如果加热清洗液超过60℃，往往难以得到防止出现白色浑浊的效果。当所述阴离子表面活性剂的量大于10重量％时，将增加形成气泡的可能性，这使得在使用时难以对其进行操作。
本发明的清洗液中所包含的氢氧化物可以例举无机和有机氢氧化物等。无机氢氧化物具体可以例举氢氧化铵、氢氧化钾和氢氧化钠等，有机氢氧化物具体可以例举四甲基氢氧化铵和胆碱等。
本发明清洗液可以包含至少两种类型的所述氢氧化物。
其中，在防止电子部件上的金属污染方面，优选使用氢氧化铵或四甲基氢氧化铵。
本发明的清洗液通常包含0.01重量％至31重量％的所述氢氧化物，优选该含量为0.05重量％至10重量％，更优选为0.1重量％至5.0重量％。在本发明的清洗液中，当所述氢氧化物的量小于0.01重量％时，清洗效果往往变差，同时当所述氢氧化物的量大于31重量％时，往往更难于制备本发明的清洗液。
在本发明的清洗液中所包含的金属腐蚀抑制剂是分子中具有选自氮、氧、磷和硫原子中至少一种原子的有机化合物，并且可以例举在分子中具有至少一个巯基的化合物；在分子中具有至少一个唑(azole)基团的化合物；在分子中具有至少两个羟基的化合物；在分子中包含至少一个羟基和羧基的化合物；包含至少一个巯基的化合物，并且该包含至少一个巯基的化合物是其中包含至少两个碳的脂肪醇化合物，而且连接至巯基的碳毗邻于连接至羟基的碳。
具体地，在分子中具有至少一个巯基的化合物可以例举硫代乙酸、硫代苯甲酸、2-硫代乙二醇、硫代甘油、半胱氨酸等；在分子中包含至少一个唑基团的化合物可以例举苯并三唑、甲苯并三唑(tortriazole)、4-甲基咪唑、1-羟基苯并三唑、5-羟甲基-4-甲基咪唑、3-氨基三唑等；在分子中具有至少两个羟基的化合物可以例举邻苯二酚、间苯二酚、氢醌、连苯三酚等；在分子包含至少一个羟基和羧基的化合物可以例举没食子酸、丹宁酸等；对于作为包含至少两个碳的脂肪醇化合物、分子中包含至少一个巯基且连接至巯基的碳毗邻于连接至羟基的碳的化合物，可以例举2-硫代乙二醇、硫代甘油等。
本发明的清洗液可以包含至少两种类型的所述金属腐蚀抑制剂。
本发明的清洗液中所包含的金属腐蚀抑制剂根据暴露至电子部件表面上的待清洗的金属的类型而适当地选择。
例如，当待清洗的金属是钨时，优选本发明的清洗液包含至少一种选自由以下化合物组成的组中的化合物：分子中具有至少一个巯基的化合物、分子中包含至少两个羟基的化合物和分子中具有至少一个羟基和羧基的化合物。
此外，当待清洗的金属是铜时，优选本发明的清洗液包含至少一种选自以下化合物组成的组中的化合物：分子中包含至少一个唑基团的化合物和分子中包含至少一个巯基的化合物，所述的在分子中包含至少一个巯基的化合物化合物是脂肪醇化合物，其中包含至少两个碳，并且连接至巯基的碳毗邻于连接至羟基的碳。
根据待清洗金属的类型，本发明的清洗液中可以包含多种类型的金属腐蚀抑制剂。
本发明的清洗液通常包含0.0001重量％至5重量％的金属腐蚀抑制剂，优选该含量为0.001重量％至1重量％。在本发明的清洗液中，当所述金属腐蚀抑制剂的量小于0.0001重量％时，往往难以显示出抑制金属腐蚀的效果，当超过5重量％时，在清洗液中的溶解度往往变差。
本发明的清洗液包含非离子型表面活性剂。对于所述非离子型表面活性剂，通常包括式(I)和/或(II)代表的非离子型表面活性剂：
HO-((EO)x-(PO)y)z-H (I)
R-[((EO)a-(PO)b)c-H]m (II)
(EO是氧乙烯基，PO是氧丙烯基。x和y，以及a和b是正数，其中x/(x+y)和a/(a+b)分别为0.05至0.5，z和c是正整数。R是以下单价基团
R1O (1)
H2NR1NH (2)
H2NR1O (3)，
以下二价基团
OR1O (4)
HNR1O (6)
HNR1NH (7)
以下的三价基团
和
以下的四价基团
R1是具有1～20个碳原子的烃基，并且可以具有羟基和/或烷基作为取代基，m是对应于R化合价的1至4的整数。)。
在式(I)和(II)中，氧乙烯基用-CH2-CH2-O-表示，氧丙烯基用-CH(CH3)-CH2-O-或-CH2-CH(CH3)-O-表示。
在式(I)和(II)中，x和y，以及a和b是正数，其中x/(x+y)和a/(a+b)分别是0.05至0.5，z和c是正整数。
当x/(x+y)和a/(a+b)分别小于0.05时，在调节清洗液时溶解性变得不足，而如果超过0.5，溶液的气泡除去性能变得不足。本发明的清洗液可以包含具有不同的x/(x+y)值和/或a/(a+b)值的至少两种化合物。
由式(I)中((EO)x-(PO)y)z和式(II)中((EO)a-(PO)b)c代表的氧乙烯基和氧丙烯基的聚合物部分可以是嵌段共聚物、无规共聚物、或具有嵌段特性的无规共聚物。其中，优选嵌段共聚物。
R代表单价、二价、三价或四价基团；R1是具有1～20个碳原子的烃基，其可以具有羟基和/或烷基作为取代基。
所述烃基具体地例举烷基、如甲基、乙基、丙基和丁基等；亚烷基，例如亚甲基、亚乙基、三亚甲基和亚丙基等；烯基，例如乙烯基和烯丙基等；苯基等。
R代表的单价至四价基团更具体地可以例举其中从醇或胺的羟基除去氢原子的残基。
作为醇或胺，单价基团代表的化合物可以例举2-乙基己醇、月桂醇、十六烷醇(cetyle alcohol)、油醇(oleil alcolhol)、十三烷醇、牛脂脂肪醇和椰子油醇和单乙醇胺等；二价基团代表的化合物可以例举乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、1，2-丁二醇、1，3-丁二醇、2，3-丁二醇、1，4-丁二醇、2-甲基-1，2-丙二醇、2-甲基-1，3-丙二醇和二乙醇胺等；三价基团代表的化合物可以例举丙三醇、三羟甲基乙烷和三羟甲基丙烷等；四价基团代表的化合物可以例举季戊四醇、山梨糖醇、三乙醇胺、乙二胺和丙二胺等。
式(II)中，m是对应于R化合价的1至4的整数。
对于式(I)中的非离子型表面活性剂和/或式(II)中的非离子型表面活性剂，氧丙烯的总平均分子量通常是500至5000，优选900至3500，更优选1500至3500。
如果平均分子量小于500，则清洗能力变得不足，同时，如果多于5000，在调节时溶解性往往变差。
式(I)代表的非离子型表面活性剂具体可以例举聚氧乙烯聚氧丙烯缩合物和聚氧丙烯聚氧乙烯缩合物等。
式(II)代表的非离子型表面活性剂具体可以例举聚氧乙烯聚氧丙烯2-乙基己基醚、聚氧乙烯聚氧丙烯月桂基醚、聚氧乙烯聚氧丙烯硬脂基醚、丙三醇加成的聚氧乙烯聚氧丙烯缩合物和乙二胺加成的聚氧乙烯聚氧丙烯缩合物等。
本发明的清洗液可以包含至少两种非离子型表面活性剂，可以分别包含式(I)代表的非离子型表面活性剂和式(II)代表的非离子型表面活性剂，或同时包含二者。
本发明的清洗液通常包含0.0001重量％至10重量％的式(I)或(II)代表的非离子型表面活性剂，优选该含量为0.001重量％至1.0重量％，更优选为0.001重量％至0.1重量％。
当非离子型表面活性剂的量小于0.0001重量％时，对硅的腐蚀易于增加；同时，当多于10重量％时，由于溶液的发泡性能变强，因此难以处理。
本发明的清洗液可以包含还原剂，以改善由金属腐蚀抑制剂所致的效果。
在本发明的清洗液中所包含的还原剂可以例举肼、羟胺、脂肪族饱和单羧酸型、醛型和其衍生物型、包含活性双键或多重键的化合物以及硼烷碱性化合物的胺衍生物。
肼及其衍生物用下式(III)代表：
(R1、R2、R3和R4各自独立地是氢原子、具有1～6个碳原子的烷基、具有6～10个碳原子的环烷基、具有2～6个碳原子的烯基、具有2～6个碳原子的炔基、羧基、具有1～6个碳原子的烷基氨基或具有羟基取代基的烷基)。
由式(III)代表的肼及其衍生物具体可以例举肼、甲肼、1，1-二甲肼和羟基乙醇等；此外其盐为例如硫酸肼、碳酸肼、甲苯基肼盐酸盐(tolilylhydrazin hydrochloric acid salt)。
羟胺及其衍生物由式(IV)代表：
(R1、R2和R3各自独立地是氢原子、具有1～6个碳原子的烷基、具有6～10个碳原子的环烷基、具有2～6个碳原子的烯基、具有2～6个碳原子的炔基、羧基、具有1～6个碳原子的烷基氨基或具有羟基取代基的烷基)。
由式(IV)代表的肼及其衍生物具体可以例举羟胺、N-甲基羟胺、N，N-二甲基羟胺和N，N-二乙基羟胺等；此外可以例举其盐，例如盐酸羟胺盐和硫酸羟胺等。
脂肪族饱和单羧酸型及其衍生物具体可以例举甲酸、乙酸、丙酸、丁酸和戊酸等；此外可以例举其盐，例如甲酸铵、甲酸钠、甲酸钾、乙酸铵、乙酸钠和乙酸钾等。
醛型及其衍生物具体可以例举甲醛、乙醛、苯甲醛和羟基苯甲醛等。
包含活性双键或多重键的化合物具体可以例举2-丁炔-1，4-二醇、2-丁炔-1-醇、3-丁炔-1-醇、L-抗坏血酸、异抗坏血酸和尿酸等。
硼烷碱性化合物的胺衍生物可以例举二甲胺甲硼烷等。
当本发明的清洗液中包含硼烷碱性化合物的胺衍生物时，本发明的清洗液中还原剂的量通常是0.01重量％至20重量％，优选0.1重量％至10重量％。当浓度小于0.01重量％时，易于降低对金属的抑制腐蚀效果，当多于20重量％时，生产成本趋于增加。
本发明的清洗液通过将水与少量的各种成分混合而获得。组合次序或方法没有特别限制，可以应用各种已知方法。
本发明的清洗液即使是在至少60℃的高温下也难以产生白色浑浊，并且还可以长时间使用。
本发明的清洗液的使用温度通常为10至80℃，优选40至80℃，更优选60至80℃。
作为用本发明的清洗液清洗电子部件的方法，可以例举以下方法：将本发明的清洗液调节至所述温度范围并将电子部件浸入的方法；或通过旋转电子部件将加热至所述温度范围的本发明的清洗液喷雾在相应的电子部件的表面上的方法。并且在此情况下，其中可以伴随物理清洗法，例如辐照超声波或与旋转或左右振荡的刷子接触。
本发明的清洗液具有优异的清洗效果以及对金属的抑制腐蚀作用，所述金属是例如硅，如单晶硅、无定形晶硅和多晶硅等；或除硅以外的金属，例如钨或铜，该清洗液优选用于清洗电子部件，例如液晶显示器和使用硅基板的集成电路设备等。
在下文中，将通过实施例更详细地描述本发明，但是不限于此。
实施例1
将清洗液组合成表1所述的组合物(下文称为‘本发明的清洗液1’)。将本发明的清洗液1加热至提供良好清洗效果的40℃和65℃，当加热溶液时用肉眼观察溶液是否呈白色浑浊状态。如果清洗液是透明的，表示为O，如果它是白色浑浊的，表示为X。结果见表1。
[表1]
| 清洗过程的温度 | 40℃ | 65℃ | |||||
| 在清洗过程的温度下的小时数 | 0小时 | 1小时 | 2小时 | 0小时 | 1小时 | 2小时 | |
| 本发明的清洗液1 | 氨0.3重量％表面活性剂A 0.1重量％表面活性剂B 0.1重量％硫代甘油0.1重量％水余量 | O | O | O | O | O | O |
表面活性剂A：乙二胺加成的聚氧乙烯聚氧丙烯缩合物。由式(II)表示的一种非离子型表面活性剂，其中氧乙烯基的平均分子量是2500～3000，a/(a+b)＝0.4，并且R是从乙二胺除去氢原子后得到的残基。
表面活性剂B：十二烷基二苯基醚二磺酸铵。一种阴离子表面活性剂。
实施例2
将清洗液调节成表2所述的组合物(下文分别称为本发明的‘清洗液1’和‘对比清洗液1’)。用硅晶片作为被清洗材料，所述硅晶片用已知的旋涂法在其表面上附着了平均粒径为0.6μm的聚苯乙烯胶乳水性分散液，并且用被调节至40℃或65℃的本发明的清洗液1和调节被至65℃的对比清洗液1，以加温的溶液进行清洗。测量清洗前和清洗后的附着颗粒数，计算颗粒除去率，并且用肉眼观察清洗液是否处于白色浑浊状态。另外，清洗前在附着有聚苯乙烯胶乳的硅晶片上粒径至少为0.1μm的颗粒的数量是3000～2800颗粒/片。
此外，作为被清洗的材料，使用在硅基板上形成10000的热氧化膜后形成厚度为1000的多晶硅膜的测试片(A)，和在硅基板上形成厚度为1000的多晶硅后形成厚度为10000的钨膜的测试片(B)，并浸入在表2所述的清洗液中，检查对于多晶硅和钨的腐蚀。清洗条件和结果如表2所示。
[表2]
| 组合物 | 清洗温度 | 存在/不存在白色浑浊 | 颗粒除去率(％) | (A)的腐蚀速率(/分钟) | (B)的腐蚀速率(/分钟) | |
| 本发明的清洗液1 | 氨0.3重量％表面活性剂A0.1重量％表面活性剂B0.1重量％硫代甘油0.1重量％水余量 | 40℃ | 不存在 | 71.9 | 0.2 | 3.4 |
| 本发明的清洗液1 | 氨0.3重量％表面活性剂A0.1重量％表面活性剂B0.1重量％硫代甘油0.1重量％水余量 | 65℃ | 不存在 | 92.3 | 0.2 | 4.8 |
| 对比清洗液1 | 氨0.3重量％水余量 | 65℃ | 不存在 | 无法测量 | 32.4 | 11.1 |
表面活性剂A：乙二胺加成的聚氧乙烯聚氧丙烯缩合物。由式(II)表示的一种非离子型表面活性剂，其中氧乙烯基的平均分子量是2500～3000，a/(a+b)＝0.4，并且R是从乙二胺除去氢原子后得到的残基。
表面活性剂B：十二烷基二苯基醚二磺酸铵。一种阴离子表面活性剂。
[本发明的效果]
本发明可以提供一种新的电子部件清洗液，该清洗液可以抑制硅或除硅以外的金属的腐蚀，并且可以有效清除附着在电子部件表面上的细尘或有机物质，而且不容易产生白色浑浊。此外，由于不出现白色浑浊，本发明的电子部件清洗液在高温下可长时间稳定，因此在工业上是有利的。
Claims (9)
1.一种电子部件清洗液，其特征在于包含阴离子表面活性剂、氢氧化物、金属腐蚀抑制剂、水和由式(I)代表的非离子型表面活性剂和/或由式(II)代表的非离子型表面活性剂：
HO-((EO)x-(PO)y)z-H (I)
R-[((EO)a-(PO)b)c-H]m (II)
其中，EO是氧乙烯基，PO是氧丙烯基，x和y以及a和b是正数，而且x/(x+y)和a/(a+b)均在0.05～0.5的范围内，z和c是正整数，R是以下单价基团
R1-O- (1)
H2N-R1-NH- (2)
H2N-R1-O- (3)，
以下二价基团
-O-R1-O- (4)
-HN-R1-O- (6)
-HN-R1-NH- (7)
以下的三价基团
以下的四价基团
R1是具有1～20个碳原子的烃基，并且选择性地具有羟基和/或烷基作为取代基，m是对应于R化合价的1至4的整数；
所述阴离子表面活性剂选自十二烷基二苯基醚二磺酸二钠盐、十二烷基二苯基醚二磺酸二铵盐、十二烷基二苯基醚二磺酸二铵盐或十二烷基二苯基醚二磺酸二(三乙醇胺)盐。
2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于还包含还原剂。
3.如权利要求1或2所述的清洗液，其特征在于所述氢氧化物是有机氢氧化物或无机氢氧化物。
4.如权利要求1或2所述的清洗液，其特征在于所述氢氧化物浓度是0.01重量％至31重量％。
5.如权利要求1或2所述的清洗液，其特征在于所述金属腐蚀抑制剂是在分子中具有选自氮、氧、磷和硫原子中的至少一种原子的有机化合物。
6.如权利要求5所述的清洗液，其特征在于所述在分子中具有选自氮、氧、磷和硫原子中的至少一种原子的有机化合物是下列化合物之一：
(1)分子中具有至少一个巯基的化合物，
(2)分子中包含至少一个唑基团的化合物，
(3)分子中具有至少两个羟基的化合物，
(4)分子中包含至少一个羟基和羧基的化合物，和
(5)包含至少一个巯基的化合物，且该化合物是脂肪醇化合物，其中包含至少两个碳，并且连接至巯基的碳毗邻于连接至羟基的碳。
7.一种清洗电子部件的方法，其特征在于使用如权利要求1～6任一项所述的清洗液。
8.一种清洗电子部件的方法，所述部件的表面上暴露有钨，其特征在于使用如权利要求1或2所述的清洗液，其中所述金属腐蚀抑制剂是至少一种选自由以下化合物组成的组中的化合物：分子中具有至少一个巯基的化合物，该化合物选自硫代乙酸、硫代苯甲酸、2-硫代乙二醇、硫代甘油或半胱氨酸；分子中包含至少两个羟基的化合物，该化合物选自邻苯二酚、间苯二酚、氢醌或连苯三酚；和分子中具有至少一个羟基和羧基的化合物，该化合物选自没食子酸或丹宁酸。
9.一种清洗电子部件的方法，所述部件的表面上暴露有铜，其特征在于使用如权利要求1或2所述的清洗液，其中所述金属腐蚀抑制剂是至少一种选自由以下化合物组成的组中的化合物：分子中包含至少一个唑基团的化合物，该化合物选自苯并三唑、甲苯并三唑、4-甲基咪唑、1-羟基苯并三唑、5-羟甲基-4-甲基咪唑或3-氨基三唑；和分子中包含至少一个巯基的化合物，该化合物选自2-硫代乙二醇或硫代甘油。
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|---|---|---|---|---|
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| KR20070090808A (ko) * | 2006-03-03 | 2007-09-06 | 멧쿠 가부시키가이샤 | 표면 처리제 및 이를 이용한 피막 형성 방법 |
| JP4963948B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2012-06-27 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| JP2009008768A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Kobe Steel Ltd | 表示装置の製造方法 |
| CN104031609B (zh) * | 2008-07-11 | 2016-08-03 | 霓达哈斯股份有限公司 | 研磨组合物 |
| CN101629299B (zh) * | 2008-07-16 | 2011-03-30 | 宝山钢铁股份有限公司 | 用于二次冷轧材的电镀脱脂剂 |
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| KR101110294B1 (ko) * | 2009-07-21 | 2012-02-16 | 주식회사 인실리코텍 | 기판용 세정액 조성물 및 이를 이용한 기판의 세정방법 |
| CN102575360B (zh) * | 2009-10-02 | 2014-01-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法 |
| CN102936538A (zh) * | 2012-01-06 | 2013-02-20 | 东莞市洛加斯润滑油有限公司 | 高效水基清洗剂 |
| KR101895621B1 (ko) * | 2012-07-19 | 2018-09-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물 |
| KR102434147B1 (ko) | 2016-10-06 | 2022-08-19 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 반도체 기판상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 제형 |
| CN116262888B (zh) * | 2021-12-13 | 2024-03-08 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种等离子刻蚀清洗后中和清洗剂 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001214199A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-07 | Sumitomo Chem Co Ltd | 電子部品洗浄液 |
| JP2001288496A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-10-16 | Sumitomo Chem Co Ltd | 電子部品洗浄液 |
| WO2002065538A2 (en) * | 2001-02-12 | 2002-08-22 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (cmp) cleaning composition |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH636121A5 (de) | 1977-03-18 | 1983-05-13 | Schaefer Chemisches Inst Ag | Metall-ionen-, phosphat- und enzym-freies reiniger-konzentrat. |
| DE4124246A1 (de) * | 1991-07-22 | 1993-01-28 | Henkel Kgaa | Reinigungsmittel fuer elektronische und elektrische baugruppen |
| JPH0543897A (ja) | 1991-07-25 | 1993-02-23 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | アルカリ洗浄剤用組成物 |
| JP4516176B2 (ja) * | 1999-04-20 | 2010-08-04 | 関東化学株式会社 | 電子材料用基板洗浄液 |
| US7348300B2 (en) * | 1999-05-04 | 2008-03-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and processes for their manufacture |
| JP2001207199A (ja) | 2000-01-28 | 2001-07-31 | Three Bond Co Ltd | 水系ブレーキ洗浄剤 |
| TWI243204B (en) | 2000-02-04 | 2005-11-11 | Sumitomo Chemical Co | Electronic parts cleaning solution |
| JP2001214200A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-07 | Sumitomo Chem Co Ltd | 電子部品洗浄液 |
| EP1310989B1 (en) | 2000-06-16 | 2005-12-14 | Kao Corporation | Detergent composition |
| US6310019B1 (en) * | 2000-07-05 | 2001-10-30 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Cleaning agent for a semi-conductor substrate |
| JP2003109930A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法 |
| US20030171239A1 (en) * | 2002-01-28 | 2003-09-11 | Patel Bakul P. | Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology |
| JP4252758B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2009-04-08 | 関東化学株式会社 | フォトレジスト残渣除去液組成物 |
| US6936543B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-08-30 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants |
| US6974777B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-12-13 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions for low-k dielectric materials |
| TW200427827A (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Sumitomo Chemical Co | Metal polishing composition |
| JP4290486B2 (ja) | 2003-06-18 | 2009-07-08 | 出光興産株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| US7189226B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-03-13 | Synergetics, Inc. | Coaxial illuminated laser endoscopic probe and active numerical aperture control |
| KR100593668B1 (ko) * | 2004-01-20 | 2006-06-28 | 삼성전자주식회사 | 세정액 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 세정방법 |
| JP4440689B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-03-24 | 東友ファインケム株式会社 | レジスト剥離剤組成物 |
-
2004
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Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2001214199A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-07 | Sumitomo Chem Co Ltd | 電子部品洗浄液 |
| JP2001288496A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-10-16 | Sumitomo Chem Co Ltd | 電子部品洗浄液 |
| WO2002065538A2 (en) * | 2001-02-12 | 2002-08-22 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (cmp) cleaning composition |
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