CN1301392A - 超小型电容器阵列 - Google Patents

超小型电容器阵列 Download PDF

Info

Publication number
CN1301392A
CN1301392A CN98813967A CN98813967A CN1301392A CN 1301392 A CN1301392 A CN 1301392A CN 98813967 A CN98813967 A CN 98813967A CN 98813967 A CN98813967 A CN 98813967A CN 1301392 A CN1301392 A CN 1301392A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive layer
capacitor
condenser
layer
midget
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN98813967A
Other languages
English (en)
Inventor
刘东航
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Avx Components Corp
Original Assignee
AVX Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AVX Corp filed Critical AVX Corp
Publication of CN1301392A publication Critical patent/CN1301392A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/0805—Capacitors only
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/43—Electric condenser making
    • Y10T29/435—Solid dielectric type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49082—Resistor making
    • Y10T29/49099—Coating resistive material on a base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Abstract

一个在超小型集成封装上具有多个电容器的电子器件。该器件在封装的一个终端侧上具有多个终端结构,以便倒置地安装到印刷电路板。各终端被很宽地隔开,以便在它们之间设置单个电容器。该器件利用薄膜制作技术形成在适宜的基底上。对于每个电容器优选地使用具有高介电常数的铅基介电材料,以便在较小的板面积上提供较大的电容值。

Description

超小型电容器阵列
本发明一般涉及安装在较大电路板上的小型电子器件。本发明尤其涉及在各种应用中所使用的超小型电容器阵列。
一段时间以来，常规工业的小型化趋势推动了各种电子器件的设计。在这方面存在着对具有特殊操作性能的日益小型化的电子器件的需求。例如，某些应用将需要很小的电容器阵列，其中的每个单个电容器具有较大的电容值。
在提供三个均至少具有560皮法电容量的电容器阵列的同时，希望器件的规定外形尺寸的长度和宽度分别不大于0.50密耳和0.55密耳。在这样小的元件上提供具有设计电容值的多个电容器是十分困难的。另外，还必需设置足够的用于器件与外部电路连接的端接结构。
本发明分析了已有技术结构中的不足，并提出一个新的电子器件。
本发明的又一个目的是提供一个超小尺寸的新的电容器阵列。
本发明的再一个目的是提供一个新的电容器阵列，其中每个单个电容器分别具有大的电容值。
本发明的另一个目的是提供一个新的薄膜电容器件。
本发明的又一个目的是提供一个制作薄膜电容器阵列的方法。
这些目的中的一些可通过倒置安装到预定表面的小型电容器件而实现。该器件包括诸如硅、玻璃或AL2O3的基底。第一导电层设置在基底上。第一导电层至少限定一个第一电容器板和邻接它的第一端接结构。另外，介电层设置在第一电容器板上。第二导电层至少限定一个第二电容器板和邻接它的第二端接结构。第二电容器板设置在与第一电容器板相对的介电层上。通常还需要提供覆盖在基底上各层的封装材料。封装材料使第一和第二端接结构露出。
介电材料的介电常数至少应当为100。通常，介电常数可大于500，而1100的介电常数用于某些典型的实施例中。介电材料可包括诸如PZT材料的铅基(lead-based)介电材料。这种介电材料的厚度可不大于约1.0μm。
第一导电层可至少包括三个第一电容器板。在这种情况下，第二导电层至少分别包括三个与第一电容器板相对的第二电容器板。第二导电层还可限定邻接各第二电容器板的相应的第二端接结构。
本发明的其它目的通过在单个封装中设置具有多个电容器件的小型电容器阵列而实现。该器件包括其上设有第一导电层的基底。第一导电层限定多个第一电容器板。多个第一电容器板上设置介电层，第二导电层限定多个设置在介电层上并与相应的第一电容器板相对的第二电容器板。第二导电层还限定与各第二电容器板邻接的相应端接结构。通常应在基底上的层上设置封装材料。该封装材料使端接结构露出。
第一导电层可至少包括三个第一电容器板。第二导电层可至少包括三个分别与第一电容器板相对的第二电容器板。
在某些示例性实施例中，基底顶面具有不大于约2750平方密耳的面积。每个电容器件可方便地设置在相应端接结构对之间。电容器件可具有较大的电容值。
第一导电层可以是连续的导电层，其中多个电容器板包括它们的集成部分。第一导电层可将普通的端接结构限定为它们的附加集成部分。
本发明进一步的目的是通过具有至少一个设置在基底上的薄膜电容器的电子器件实现的。该电子器件的电容器的电容量约等于或大于14纳法/密耳2。
在某些示例性实施例中，薄膜电容器设置在用于连接电子器件与外部电路的端接结构之间。电容器可具有厚度不大于约1.0μm的介电层。例如，介电层的厚度可约为0.8-1.0μm。PZT介电材料可利用溶胶-凝胶法施加。
本发明的其它目的可通过制作薄膜电容器阵列的方法来实现。作为开始的步骤，该方法包括提供基本上平整的基底。第一导电层施加到基底上而构成、以限定多个第一电容器板。而后，施加介电层以覆盖第一导电层的第一电容器板。接着，施加第二导电层以限定与相应的第一电容器板相对的多个第二电容器板。还可在基底的各层上施加封装材料。
通过下文对本发明元件的组合和变形、以及其制作方法的的更具体的说明，本发明的其它目的、特点和内容将更为清楚。
通过下文结合附图对说明书中实例的详细说明，整个本发明及其最佳实施例对于本领域的技术人员将变得更加清楚，其中：
图1是安装到印刷电路板上的本发明超小型电容器阵列的侧视图；
图2是沿图1中线2-2所作的超小型电容器阵列的平面图；
图3是图2电容器阵列的电路示意图；
图4是沿图2中线4-4所作的剖视图；
图5是沿图2中线5-5所作的剖视图；
图6是沿图2中线6-6所作的剖视图；
图7A-7E表示图2所示的电容器阵列的连续制作步骤；
图8A-8D表示第一变形电容器阵列的连续制作步骤；
图9A-9D表示第二变形电容器阵列的连续制作步骤；
图10是图9A-9D所示电容器阵列的电路示意图。
说明书和附图中重复使用的标号表示本发明中相同或类似的特征或元件。
本领域的技术人员都明白，这里所作的讨论只是对示例性实施例的说明，它并不将本发明的较宽的范围限定在具体的实施例结构之中。
图1表示一个表面安装在印刷电路板12的本发明的小型电容器件10。如图所示，器件10被倒置，以便其“顶部”的端接结构电连接到电路板12的电路轨迹。这个电连接一般由焊接凸起14提供，焊接凸起也用于将器件10保持在其电路板的物理位置上。
参看图2，图示实施例中的电容器件10构成一个具有多个单个电容器的集成阵列。具体地，器件10具有三个单个电容器16a、16b、和16c。每个电容器的一个板电连接到第一电极的相关终端18a、18b、和18c。每个电容器的第二板电连接到公共接地端20。由所述结构形成的等效电路在图3中示意地绘出。
在这种结构中，电容器16a、16b、和16c形成由预定介质分开的具有相对的电容器板对的薄膜电容器。这个优选实施例使用高K介质、以实现小封装中的较大电容值。例如，通常需使用介电常数约100或更大的介电材料。通常，优选使用介电常数大于大约500的介电材料，在某些示例性实施例中使用介电常数约1100的介电材料。
某些铅基介质，例如Pb(Zr,Ti)O3(称为PZT)适用于这一目的。PZT可掺杂Nb而制成PNZT材料。PZT介质各方面的情况公开在李氏的US5,625,529中，该专利在此引作参考。
每个相对电容板的上电容板22a、22b、和22c由形成在介质之上的相应导电图案构成。每个相对电容板的下电容板由位于介质之下的导电层24构成。具体地，位于每个上电容板22a、22b、和22c下面的导电层24的部分形成相应的下电容板。
可以看出，终端18a、18b、和18c构成相应上电容板22a、22b、和22c的整体伸出部。另一方面，导电层24整体地伸展到地终端20。在这样设置的结构中，终端在接近器件10的角部远远的分离开。这种分离可减小器件10安装到板12时可能发生的短路。另外，电容器本身邻接终端结构定位、而不是与它重合。这减小了器件安装期间给薄膜介质带来其它损害的应力。
尽管器件10通常具有多个较大电容量的电容器，但器件10的尺寸一般都很小。例如，器件10的长度一般小于55密耳。在一个示例性实施例中，器件10的每一侧只有40密耳。
结合图4-6可很方便的说明器件10的各层。下导电层24位于诸如硅、玻璃或AL2O3的适宜的基底26的顶表面上。具体地，在使用PZT介质的时，导电层24可以由高导电金属的金属层28和适于收集介质中氧气空穴的氧化物材料层30构成。可用于这一目的的一个适宜的氧化物材料是镧锶钴氧化物(LSCO)。
介电层32至少位于下导电层24之上的设置有上电容器板22a、22b、和22c的区域。如上所述，终端18a、18b、和18c形成上电容器板的整体伸出部。以相同方式构成上电容器板和它们的相关终端的导电层34可选择性地设置在接地终端20处的下导电层24上。
设置在基底26上的各层可用适当的封装进行保护。在本优选实施例中，封装可包括SiN等的主钝化层36。还可设置适宜聚合材料的次钝化层38。一个可用于这一目的的聚合物是苯并环丁烯(BCB)。BCB作为主钝化层的聚合物涂层的使用公开在A.J.G.Strandiord等人的“用于应力缓冲和钝化应用的感光苯并环丁烯(一个掩膜的制作处理)”(1997，电子器件和技术学会)，该文在此引作参考。如所示出的，形成的封装使器件10的各个终端露出。
图7A-7E表示制作器件10所用的步骤。先参看图7A，其中示出施加任何层之前的基底26。显然，器件10的长度和宽度基本被基底26的大小所限定。接下来，如图7B所示，下导电层24施加到基底26的顶表面。在示例性实施例中，下导电层24可以是已根据常规处理技术成形的铂金属涂层。
图7C表示覆盖在下导电层24的选择部分上的介电层32。如上所述，介电层32优选具有较大介电常数的铅基介质。根据优选工艺，使用溶胶-凝胶涂覆法施加该介质、并根据需要成形。
施加较厚涂层循环数的溶胶-凝胶法特别适合以较少涂料实现给定的涂层厚度。例如，可用1,3-丙二醇基PZT溶液合成物施加每一旋转成型循环具有0.4-0.5μm厚度的PZT薄膜。因此，要达到所需的0.8-1.0μm的厚度只需两个涂层。这是与每个涂层循环只可达到0.1μm厚度的许多常规溶胶-凝胶技术相比的。这里有关可用的溶胶-凝胶涂层处理的具体说明由Liu等人的“利用二醇基化学溶液法的铅钙钛矿的厚层沉积”(综合铁电体，1997，18期，263-274页)给出，该文在此引作参考。
参看图7D，图案化的第二导电层提供终端18a、18b和18c以及上电容器板22a、22b、和22c。如上所述，导电层34也可优选地直接与下导电层24接触。用例如溅射的典型处理技术施加的Cr/Ni加Ag、Pd层适用于这个第二导电层。
而后对形成在基底26上的各层进行封装，如图7E所示。利用诸如蚀刻对封装材料图案化、以露出终端结构。
在本发明的器件中使用具有高介电常数的介电材料、可在小的板面积上(X乘以Y)得到大的电容量。实际上，本发明的示例性实施例具有14纳法/密耳2或更大的电容量。例如，器件10的每个电容器可具有175密耳2或更小的板面积。在一个示例性实施例中，每个电容器可只具有100密耳2的板面积(X乘以Y)、同时具有560皮法或更大的电容量。
图8A-8D示出本发明变型的三电容器阵列的制造步骤。为简单起见，将不详述这个器件的制作步骤。与器件10中的步骤或元件相似的步骤或元件用增大100的参考标号表示。
另一变形的制作方法示于图9A-9B中。类似地，与器件10中的步骤或元件相似的步骤或元件用增大200的参考标号表示。在这个实施例中，任何第四个终端均可用作其它三个终端的公共终端。这一结构示于图10中。
可以看出，本发明提供了一种集成的电容器阵列，该电容器阵列同时具有阵列面积小、而每个电容器的电容量较大的优点。
上述的优选实施例利用集成电路制作技术将铁电材料集成在表面安装的电子器件中。本领域的技术人员都清楚，在不脱离本发明的前提下可以作出变化和改进。另外，不同实施例的各结构可以整体或部分地进行替换。此外，本领域中的普通技术人员都明白，以上所述仅是一种示例性的说明、它并不构成所附的权利要求书中对本发明所作的限定。

Claims (36)

1．一个用于倒置安装到预定表面的小型电容器件，所述的器件包括：
基底；
第一导电层，它设置在所述基底上，所述第一导电层至少限定一个第一电容器板和与第一电容器板邻接的第一终端结构；
介电层，它设置在所述第一电容器板上；和
第二导电层，它至少限定一个第二电容器板和与第二电容器板邻接的第二终端结构，所述第二电容器板与所述第一电容器板相对地设置在所述介电层上。
2．一个如权利要求1的小型电容器件，还包括覆盖在所述基底上的所述层上的封装材料，所述封装材料使所述第一和第二终端结构露出。
3．一个如权利要求2的小型电容器件，其特征在于，所述的介电材料具有的介电常数至少为100。
4．一个如权利要求3的小型电容器件，其特征在于，所述的介电材料包括铅基介电材料。
5．一个如权利要求4的小型电容器件，其特征在于，所述的铅基介电材料包括PZT介电材料。
6．一个如权利要求3的小型电容器件，其特征在于，所述的介电层厚度约不大于1.0μm。
7．一个如权利要求1的小型电容器件，其特征在于，所述的第一导电层至少包括三个第一电容器板，所述的第二导电层至少包括三个分别与三个第一电容器板相对的第二电容器板。
8．一个如权利要求7的小型电容器件，其特征在于，所述的第二导电层还限定与所述的各第二电容器板邻接的相应第二终端结构。
9．一个如权利要求8的小型电容器件，还包括覆盖在所述基底上的所述层上的封装材料，所述封闭材料使所述第一和第二终端结构露出。
10．一个如权利要求1的小型电容器件，其特征在于，所述的基底选自由硅、玻璃或AL2O3构成的组。
11．一个在单个封装中具有多个电容器件的小型电容器阵列，所述电容器件包括：
基底：
第一导电层，它设置在所述基底上，所述第一导电层限定多个第一电容器板；
介电层，它设置在所述多个第一电容器板上；和
第二导电层，它限定多个设置在所述介电层上、并与相应的第一电容器板相对的第二电容器板，所述第二导电层还限定与各所述第二电容器板邻接的相应终端结构。
12．一个如权利要求11的小型电容器阵列，还包括覆盖在所述基底上的所述层上的封装材料，所述封闭材料使所述的终端结构露出。
13．一个如权利要求11的小型电容器阵列，其特征在于，所述的第一导电层至少包括三个第一电容器板，所述的第二导电层至少包括三个分别与三个第一电容器板相对的第二电容器板。
14．一个如权利要求13的小型电容器阵列，其特征在于，所述基底的所述顶表面具有约不大于175平方密耳的面积。
15．一个如权利要求14的小型电容器阵列，其特征在于，所述多个电容器件中的每一个均位于相应对的所述终端结构之间。
16．一个如权利要求14的小型电容器阵列，其特征在于，所述电容器件中的每一个均至少具有约560pf的电容量。
17．一个如权利要求11的小型电容器阵列，其特征在于，所述的第一导电层是连续的导电层，其中所述多个电容器板包括它们的集成部分。
18．一个如权利要求17的小型电容器阵列，其特征在于，所述的第一导电层限定一作为其进一步集成部分的公共终端结构。
19．一个如权利要求11的小型电容器阵列，其特征在于，所述的介电材料包括介电常数至少为500的铅基介电材料。
20．一个如权利要求19的小型电容器阵列，其特征在于，所述的铅基介电材料包括PZT介电材料。
21．一个如权利要求19的小型电容器阵列，其特征在于，所述的介电层厚度约不大于1.0μm。
22．一个电子器件，它至少包括一个设置在基底上的薄膜电容器，所述电容器至少具有约14纳法/密耳2的电容量。
23．一个如权利要求22的电子器件，其特征在于，所述薄膜电容器设置在用于将所述电子器件连接到外部电路的终端之间。
24．一个如权利要求22的电子器件，其特征在于，所述电容器具有厚度约不大于1.0μm的介电层。
25．一个如权利要求24的电子器件，其特征在于，所述介电层的厚度约为0.8-1.0.μm。
26．一个如权利要求24的电子器件，其特征在于，所述介电层包括PZT介电材料。
27．一个如权利要求26的电子器件，其特征在于，所述PZT介电材料利用溶胶-凝胶法施加。
28．一种制作薄膜电容器阵列的方法，所述方法的步骤包括：
(a)提供大体平面的基底；
(b)在所述基底上施加第一导电层，形成的所述第一导电层用于限定多个第一电容器板；
(c)施加介电层以覆盖所述第一导电层的所述第一电容器板；
(d)施加第二导电层，所述第二导电层限定与所述相应第一电容器板相对的多个第二电容器板。
29．一种如权利要求28的方法，还包括步骤：
(e)施加覆盖所述基底上的所述层的封装材料。
30．一种如权利要求28的方法，其特征在于，在步骤(d)中施加所述第二导电层、以进一步限定邻接相应所述第二电容器板的多个终端结构。
31．一种如权利要求28的方法，其特征在于，在步骤(c)中用溶胶-凝胶法施加所述介电层。
32．一种如权利要求31的方法，其特征在于，所述介电层是铅基介电层。
33．一种如权利要求32的方法，其特征在于，所述介电层是PZT介电层。
34．一种如权利要求31的方法，其特征在于，所述介电层是由多个溶胶-凝胶涂层构成的。
35．一种如权利要求34的方法，其特征在于，所述涂层均具有大于约0.4密耳的厚度。
36．一种如权利要求28的方法，其特征在于，所述基底选自由硅、玻璃和AL2O3构成的组。
CN98813967A 1998-03-04 1998-10-27 超小型电容器阵列 Pending CN1301392A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/034,754 1998-03-04
US09/034,754 US6324048B1 (en) 1998-03-04 1998-03-04 Ultra-small capacitor array

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1301392A true CN1301392A (zh) 2001-06-27

Family

ID=21878383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN98813967A Pending CN1301392A (zh) 1998-03-04 1998-10-27 超小型电容器阵列

Country Status (8)

Country Link
US (3) US6324048B1 (zh)
EP (1) EP1060503A2 (zh)
JP (1) JP2002506283A (zh)
KR (1) KR20010041574A (zh)
CN (1) CN1301392A (zh)
AU (1) AU1202699A (zh)
NO (1) NO20004348L (zh)
WO (1) WO1999045572A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157513A (zh) * 2009-10-16 2011-08-17 阿维科斯公司 薄膜表面安装部件

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7301748B2 (en) 1997-04-08 2007-11-27 Anthony Anthony A Universal energy conditioning interposer with circuit architecture
US7336468B2 (en) 1997-04-08 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
US7321485B2 (en) 1997-04-08 2008-01-22 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US6965165B2 (en) 1998-12-21 2005-11-15 Mou-Shiung Lin Top layers of metal for high performance IC's
JP3386029B2 (ja) * 2000-02-09 2003-03-10 日本電気株式会社 フリップチップ型半導体装置及びその製造方法
US6515842B1 (en) 2000-03-30 2003-02-04 Avx Corporation Multiple array and method of making a multiple array
US20020171530A1 (en) * 2000-03-30 2002-11-21 Victor Company Of Japan, Limited Production method of thin film passive element formed on printed circuit board and thin film passive element produced by the method
JP2002252143A (ja) * 2000-12-21 2002-09-06 Alps Electric Co Ltd 温度補償用薄膜コンデンサ及び電子機器
AU2002305531B2 (en) * 2001-05-10 2006-12-07 Microcoating Technologies, Inc. Capacitor having improved electrodes
US7573698B2 (en) * 2002-10-03 2009-08-11 Avx Corporation Window via capacitors
US7016175B2 (en) * 2002-10-03 2006-03-21 Avx Corporation Window via capacitor
US6819543B2 (en) * 2002-12-31 2004-11-16 Intel Corporation Multilayer capacitor with multiple plates per layer
US6785118B1 (en) 2003-03-31 2004-08-31 Intel Corporation Multiple electrode capacitor
US6950300B2 (en) * 2003-05-06 2005-09-27 Marvell World Trade Ltd. Ultra low inductance multi layer ceramic capacitor
JP4093188B2 (ja) * 2003-05-27 2008-06-04 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品とその実装構造および実装方法
US7177135B2 (en) * 2003-09-23 2007-02-13 Samsung Electronics Co., Ltd. On-chip bypass capacitor and method of manufacturing the same
US7675729B2 (en) 2003-12-22 2010-03-09 X2Y Attenuators, Llc Internally shielded energy conditioner
KR100980056B1 (ko) * 2003-12-24 2010-09-03 주식회사 하이닉스반도체 비대칭 커패시터 패턴 어레이
TWI251706B (en) * 2003-12-26 2006-03-21 Display Optronics Corp M Storage capacitor having light scattering function and manufacturing process of the same
JP2008535207A (ja) 2005-03-01 2008-08-28 エックストゥーワイ アテニュエイターズ，エルエルシー 共平面導体を有する調整器
WO2006093831A2 (en) 2005-03-01 2006-09-08 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioner with tied through electrodes
US20060202250A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Thomas Hecht Storage capacitor, array of storage capacitors and memory cell array
US7548407B2 (en) * 2005-09-12 2009-06-16 Qualcomm Incorporated Capacitor structure
CN101395683A (zh) 2006-03-07 2009-03-25 X2Y衰减器有限公司 能量调节装置结构
US7687882B2 (en) * 2006-04-14 2010-03-30 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for integrated circuit having multiple dies with at least one on chip capacitor
US7573112B2 (en) * 2006-04-14 2009-08-11 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for sensor having capacitor on chip
US20080013298A1 (en) 2006-07-14 2008-01-17 Nirmal Sharma Methods and apparatus for passive attachment of components for integrated circuits
US7280343B1 (en) 2006-10-31 2007-10-09 Avx Corporation Low profile electrolytic capacitor assembly
US8093670B2 (en) 2008-07-24 2012-01-10 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for integrated circuit having on chip capacitor with eddy current reductions
US8699204B2 (en) * 2010-02-23 2014-04-15 Avx Corporation Element array and footprint layout for element array
US8629539B2 (en) 2012-01-16 2014-01-14 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US10234513B2 (en) 2012-03-20 2019-03-19 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9666788B2 (en) 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9812588B2 (en) 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
WO2014127236A1 (en) 2013-02-14 2014-08-21 Kemet Electronics Corporation One-sided capacitor foils and methods of making one-sided capacitor foils
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet
US10411498B2 (en) 2015-10-21 2019-09-10 Allegro Microsystems, Llc Apparatus and methods for extending sensor integrated circuit operation through a power disturbance
US9991331B2 (en) * 2016-09-26 2018-06-05 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for semiconductor circuit layout
US10978897B2 (en) 2018-04-02 2021-04-13 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods for suppressing undesirable voltage supply artifacts
US10991644B2 (en) 2019-08-22 2021-04-27 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a low profile
WO2021221087A1 (ja) * 2020-05-01 2021-11-04 株式会社村田製作所 半導体装置及びモジュール

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3273033A (en) 1963-08-29 1966-09-13 Litton Systems Inc Multidielectric thin film capacitors
US3268744A (en) 1964-04-16 1966-08-23 Ibm High capacitance microelectronic decoupling device with low shunt resistance at high frequencies
US3600652A (en) * 1969-01-24 1971-08-17 Allen Bradley Co Electrical capacitor
US3778689A (en) 1972-05-22 1973-12-11 Hewlett Packard Co Thin film capacitors and method for manufacture
US3821617A (en) * 1973-06-18 1974-06-28 Rca Corp Film type capacitor and method of adjustment
US4251326A (en) 1978-12-28 1981-02-17 Western Electric Company, Inc. Fabricating an RC network utilizing alpha tantalum
US4410867A (en) 1978-12-28 1983-10-18 Western Electric Company, Inc. Alpha tantalum thin film circuit device
US4439813A (en) 1981-07-21 1984-03-27 Ibm Corporation Thin film discrete decoupling capacitor
US4471405A (en) * 1981-12-28 1984-09-11 International Business Machines Corporation Thin film capacitor with a dual bottom electrode structure
US4971924A (en) 1985-05-01 1990-11-20 Texas Instruments Incorporated Metal plate capacitor and method for making the same
US4821085A (en) 1985-05-01 1989-04-11 Texas Instruments Incorporated VLSI local interconnect structure
US4801469A (en) 1986-08-07 1989-01-31 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Process for obtaining multiple sheet resistances for thin film hybrid microcircuit resistors
US5108941A (en) 1986-12-05 1992-04-28 Texas Instrument Incorporated Method of making metal-to-polysilicon capacitor
US4946710A (en) * 1987-06-02 1990-08-07 National Semiconductor Corporation Method for preparing PLZT, PZT and PLT sol-gels and fabricating ferroelectric thin films
US4788524A (en) 1987-08-27 1988-11-29 Gte Communication Systems Corporation Thick film material system
US4933208A (en) 1987-11-16 1990-06-12 Motorola, Inc. Multilayer thermoplastic substrate and method of manufacture
US5079670A (en) 1988-05-03 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Metal plate capacitor and method for making the same
US5420745A (en) 1991-09-30 1995-05-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface-mount type ceramic capacitor
US5206788A (en) * 1991-12-12 1993-04-27 Ramtron Corporation Series ferroelectric capacitor structure for monolithic integrated circuits and method
US5442585A (en) * 1992-09-11 1995-08-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Device having dielectric thin film
US5390072A (en) * 1992-09-17 1995-02-14 Research Foundation Of State University Of New York Thin film capacitors
US5288660A (en) 1993-02-01 1994-02-22 Avantek, Inc. Method for forming self-aligned t-shaped transistor electrode
US5370766A (en) 1993-08-16 1994-12-06 California Micro Devices Methods for fabrication of thin film inductors, inductor networks and integration with other passive and active devices
JPH0766325A (ja) 1993-08-26 1995-03-10 Rohm Co Ltd 合成樹脂パッケージ型電子部品の構造
JP3097441B2 (ja) * 1994-03-22 2000-10-10 三菱マテリアル株式会社 コンデンサアレイの製造方法
US5457598A (en) 1994-04-08 1995-10-10 Radford; Kenneth C. High capacitance thin film capacitor
JPH07283077A (ja) 1994-04-11 1995-10-27 Ngk Spark Plug Co Ltd 薄膜コンデンサ
US5569880A (en) 1994-12-02 1996-10-29 Avx Corporation Surface mountable electronic component and method of making same
US5625529A (en) 1995-03-28 1997-04-29 Samsung Electronics Co., Ltd. PZT thin films for ferroelectric capacitor and method for preparing the same
US5822175A (en) 1995-04-13 1998-10-13 Matsushita Electronics Corporation Encapsulated capacitor structure having a dielectric interlayer
US5880925A (en) * 1997-06-27 1999-03-09 Avx Corporation Surface mount multilayer capacitor

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157513A (zh) * 2009-10-16 2011-08-17 阿维科斯公司 薄膜表面安装部件
CN102157513B (zh) * 2009-10-16 2016-03-23 阿维科斯公司 薄膜表面安装部件
CN105845296A (zh) * 2009-10-16 2016-08-10 阿维科斯公司 薄膜表面安装部件
CN105845296B (zh) * 2009-10-16 2019-04-16 阿维科斯公司 薄膜表面安装部件

Also Published As

Publication number Publication date
NO20004348D0 (no) 2000-09-01
WO1999045572A2 (en) 1999-09-10
EP1060503A2 (en) 2000-12-20
WO1999045572A3 (en) 2000-06-22
US6324048B1 (en) 2001-11-27
US20020126438A1 (en) 2002-09-12
US6832420B2 (en) 2004-12-21
KR20010041574A (ko) 2001-05-25
US6519132B1 (en) 2003-02-11
AU1202699A (en) 1999-09-20
JP2002506283A (ja) 2002-02-26
NO20004348L (no) 2000-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1301392A (zh) 超小型电容器阵列
US6285542B1 (en) Ultra-small resistor-capacitor thin film network for inverted mounting to a surface
CN1211833C (zh) 具有无源元件的半导体器件及其制备方法
US6515842B1 (en) Multiple array and method of making a multiple array
CN1284428C (zh) 自对准同轴通路电容器
CN107689299B (zh) 薄膜陶瓷电容器
EP1876610A1 (en) Thin film capacitor and method for manufacturing same
CN1203554C (zh) 具有薄膜电路的模块
CN110853919B (zh) 多层电容器
CN1366687A (zh) 固体电解电容器
CN1283138A (zh) 改进的小型表面安装电容器及其制造方法
CN1145205C (zh) 阵列型多芯片器件及其制造方法
CN112309712B (zh) 多层陶瓷电容器
CN1744243A (zh) 积层陶瓷电容器
JP2011040571A (ja) 誘電体薄膜素子
CN1941367A (zh) 降低半导体电容的漏电流的方法与相关的装置
CN1084050C (zh) 含有带无源元件的薄膜结构的电子元件
CN1627501A (zh) 半导体器件制造方法
US10278290B2 (en) Electronic component embedded substrate
CN115692022A (zh) 多层陶瓷电子组件
JP2005243944A (ja) セラミック電子部品
US20230139075A1 (en) Multilayer capacitor
CN1645531A (zh) 电容器及其制造方法
CN113013331A (zh) 半导体结构及其制造方法
CN116364425A (zh) 多层电子组件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C01 Deemed withdrawal of patent application (patent law 1993)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication