CN1305662A - 表面声波器件封装以及方法 - Google Patents
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Abstract
用于封装一种声波器件(10)而不会污染位于其一个面(14)上的一个有效区域(12)的方法,该方法包括以下步骤:提供具有含导电垫片(18)的一个顶部(30)的一个衬底,将所述螺栓块(20)联结到所述声波器件的所述面(14)的外围部分(22),将一个垄(26)放置到所述衬底的顶(30)以及所述导电垫片(18)的内部,对齐并连接所述螺栓块(20)至所述衬底的所述顶上的所述导电垫片(18),以在所述声波器件(10)以及所述衬底(16)之间形成电导电互连,使未充满型材料(28)在所述声波器件的外围(22)流动,并使其围绕所述互连连接,这样未充满型材料(28)停止于由所述垄(26)所确定的边界(32)处,并对所述未充满型材料(28)进行处理,从而机械性地增强并保护性地密封所述互连连接。
Description
发明领域
本发明涉及用于选频器件的封装的领域,尤其是表面声波选频器件的封装,特别是对表面声波选频器件的一种改进了的封装。
背景技术
在商业或其它应用中,表面声波(SAW)器件常常被用作RF或IF滤波器,以便提供频率选择以及其它电子功能。一个SAW器件取决于声波的生成。在一些情况下,这些声波被局限于衬底的表面。这些衬底都是压电材料。由于SAW器件内的声波通常是沿着表面传播或非常贴近表面传播,因此SAW器件一般对表面条件十分敏感。实际上,这种敏感性并不是一种化学敏感或例如是在半导体的情况下由电荷的特性本身所引起的,而是一种机械特性。例如,与SAW器件的表面相接触的外部材料可以改变该表面的弹性和惯性,因而可以改变沿所述表面传播的表面波的衰减以及传播。
由于SAW器件的这种表面敏感性,因此,当今的SAW器件一般都被封装于密封的外壳内。例如是在与半导体器件和集成电路有关的方面所广泛使用的低成本封装技术一般都不用在SAW器件上。例如,对塑料外壳的简单的传热模塑法(transfer molding)还不能使用。在传热模塑法中,处于被加热以及熔化状态下的塑料材料在压力的作用下,被迫穿过铸模内的通道,以便围绕有源器件的印模(die),从而形成一个塑料外壳。如果直接用铸模化合物来覆盖SAW的表面,则这种处理会破坏SAW器件的性能。
由于这一问题,因此,时下几乎所有的SAW器件都依赖于使用密封封装技术,以用于环境防护。常见的是具有焊料或焊接密封结构的陶瓷或金属外壳。按所需的零件部分以及封装处理的要求来说,密封封装通常成本较高。随着用于制造SAW印模本身的技术的提高,封装成本变为占总制造成本中越来越大的部分。
因此,一直存在一种需要,即需要改进了的用于封装SAW器件的装置和方法,尤其是那些允许采用低成本塑料封装技术的装置和方法。
本发明的一个优点是,可以以这样一种方式使用传统的注入或传热模塑技术将SAW器件封装于塑料内,其中所述方式能保障经封装的SAW器件的所需的电学特性。
附图的简要说明
图1是依据本发明的经封装的SAW滤波器的第一实施例的剖面图;
图2是依据本发明的经封装的SAW滤波器的第二实施例的剖面图;以及
图3是依据本发明的经封装的SAW滤波器的最佳实施例的剖面图。
最佳实施例的详细说明
在本文中,术语“表面声波(SAW)器件”是指象瑞利波滤波器、表面掠体波滤波器(surface skimming bulk wave)这样的器件或是采用声音本征模型(acoustic eigenmode)的其它器件。
本发明提供了封装SAW器件的一种封装,以及生产采用了低成本塑料封装技术的封装的一种方法。可以以这样一种方式使用传统的注入或传热模塑技术将SAW器件封装于塑料内,其中所述方式能保障经封装的SAW器件的所需的电学特性。
图1-3显示了依据本发明的SAW器件的封装实施例的侧面剖视图。在每一个实施例中,封装都包括一个声波器件10,该声波器件在其一个面14上具有一个有效区域12。有效区域12被隔离在器件10的外围部分22内,以防止受到污染。表面声波(SAW)器件在本领域内是众所周知的,且一般包括位于所述面的有效区域上的各种结构的相互交叉的电极(未示出),以便支持其上的声波。一般来说,电线路轨迹(electricaltrace)与相互交叉的电极相连,并能达到器件的外围,以方便与器件的外部电气接触,而不会对器件的有效区域内的振动产生干扰或阻尼。在本文中,不需要讨论SAW器件的电极以及线路轨迹的特定结构,这是因为本发明可被用于对具有被隔离在器件外围部分内的有效区域的SAW器件的所有类型进行封装。
SAW器件的封装包括一个衬底16,其上具有一个顶30以及若干导电垫片18、36。衬底16是从FR-4聚酰亚胺、BT-环氧树脂以及氧化铝等几组物质中的一组中选出的一种材料。在本领域内,有无数的含有位于其上的导电垫片的衬底,在这里不再对其进行讨论。但是,应当注意,选择具有与SAW器件的热膨胀系数相似的热膨胀系数,会改善SAW器件的频率-温度特性。
在本发明中,若干螺栓块(stud bump)20与声波器件10的面14电连接,且靠近声波器件10的外围22。螺栓块用于提供从SAW器件的线路轨迹到电极(未示出)之间的电连接。螺栓块20位于预定的位置,该位置与衬底16的导电垫片18的镜像位置相应。这样,在装配时,这些螺栓块被记录为导电垫片。如图所示,螺栓块20被定位在导电垫片18附近。螺栓块包括一种金属或含有金、铝、铜中的至少一种的合金,且一般来说,螺栓块被粘在使用大约25到50微米厚度的导线的引线接合器上。由于金的螺栓块具有(ⅰ)化学惰性,(ⅱ)可见于X射线的相片上,用于缺陷分析,以及(ⅲ)在后续的封装工艺中非常坚固,因此,很需要金的螺栓块。
在图1和2中,导电材料24被插入螺栓块20和导电垫片18之间。导电材料24形成了机械连接以及电连接,从而使声波器件10连接到衬底16。导电材料可以包括焊料或导电粘合剂例如是导电环氧树脂、导电硅树脂等。既可以使螺栓块浸渍于导电材料中,也可以使螺栓块被放置于导电材料中。特别是,在SAW器件连接到衬底上之前,可以将具有大约10微米厚度的导电材料直接放置到螺栓块上。或者也可以这样:在SAW器件连接到衬底上之前,可以将具有大约25到50微米厚度的导电材料直接放置到衬底的导电垫片上。最好是,导电材料包含导电的环氧树脂,例如可以从Wmerson & Cumings of Boston,MA得到的AmiconTM C-990导电环氧树脂。
在图3中,未插入粘合剂,而是将螺栓块20直接机械联结到导电垫片18上。可以利用热声焊接(thermosonic bonding)、热压焊接等来实现这种联结。可以利用标准的丝焊器来实现热声焊接。但是,除了要对SAW器件以及/或衬底进行加热以加热粘合区域25之外,还需要额外的压力和超声波能。在操作中,印模被制成块、翻转、定位,并为放置为与导电垫片相接触,并在粘合区域25处的导电垫片上被热声洗净。对于热压焊接,其工艺基本相同,但不使用超声波。
在本发明的每一个实施例中(图1-3),在衬底16的顶30上,在衬底16和声波器件10之间有一条垄(dam)26。垄26位于声波器件10的外围部分22之内,以及由螺栓块20和导电材料24形成的连接线路内。垄可以包括塑料、热塑塑料、环氧树脂类、氧化铝、玻璃或其它有机或无机材料的任意组合。另外,垄的材料可以是一种光可成像材料,以方便制造。出于成本和方便考虑,最好是,垄是本领域公知的用照相平板印刷所确定的标准的焊料掩膜材料,例如由5121 SanFernarido Road West,Los Angeles,California 90039的CibaSpecialty Chemicals制造的ProbimerTM 65M液体可光成像焊料掩膜。焊料掩膜材料可被制作到大约100微米,并保持均匀厚度,保持均匀厚度对本发明是非常重要的。实际上,垄保持有大约5微米的均匀的高度容差。
垄提供了几种具有优势的属性:(ⅰ)它完全围绕并包含了器件的有效区域,(ⅱ)它没有延伸到器件的有效区域内,(ⅲ)它允许薄膜线路轨迹从器件的有效区域内延伸到其外围部分,(ⅳ)它将衬底的顶部与器件的有效区域分开一个适当的程度(至少几个微米),以及(ⅴ)它能防止在过塑(overmolding)过程中以及任意其它时间中,外部材料的侵入。后面的需求包括在160-190℃下,在通常为500-1800 psi(1000psi是标准的)的范围内的压力下保持30秒到3分钟的情况下,2分钟是典型的,保持垄的完整性。
也可以选择,使一个导电垫片36插入垄26和衬底16的顶30之间,从而基本覆盖了由垄26所确定的边界32内侧的衬底16,以提供RF屏蔽,以及在有机衬底材料被怀疑有湿气泄露可能的情况下,提供经改良的密闭度。提供一个导电垫片36的必要性取决于SAW器件10的有效区域12是否经过玻璃钝化(涂敷有玻璃层,以保护电极),以及需要什么样的整体可靠性需求。最好是,这一个导电垫片36是电接地的。
螺栓块20、导电材料24以及垄26与声波器件10的面14以及衬底16的顶30之间有特定的关系。在本发明的第一实施例中,如图1所示,螺栓块20与导电垫片18相靠,其中螺栓块与导电垫片18相接触或几乎接触。导电材料24用于增强螺栓块20与导电垫片18之间的电连接,并为声波器件10提供一个刚性的机械装备。在这个第一实施例中,垄26不与SAW器件10的面14相靠,且声波器件的面刚好稍稍位于垄的上方一点,这样它们之间就不存在直接接触。用于SAW器件10的有效区域12的密封腔34是由衬底16的顶30以及声波器件10的面14之间的螺栓块20的高度确定的。因此,必须将螺栓块调平(高度相等),以确保垄26和SAW器件10的面14之间的最小间隙。经调平的螺栓块提供了大约10微米的高度容差。另外,以下将说明未充满型材料(underfill material)所需的最小间隙。
在本发明的第二实施例中,如图2所示,螺栓块20不与导电垫片18接触,而仅仅是靠近它。螺栓块20位于导电垫片上方一点,这样在它们之间没有直接接触。导电材料24用于提供螺栓块20与导电垫片18之间的电连接,并为声波器件10提供一个刚性的机械装备。螺栓块20实际上是“悬浮”在导电材料24内的。最好是,垄26与SAW器件10的面14相靠,以确定位于衬底16的顶30与声波器件10的面14之间的、用于SAW器件10的有效区域12的密封腔34。导电材料24的量要比第一实施例中所用的多,且必须足以补偿螺栓块20内高度的不均匀性,不论其是否已被调平,以便确保所有的螺栓块20与其相关的导电垫片18之间的良好的电连接。
特别是,垄具有大约为51微米的高度,螺栓块具有大约48微米的高度,这样,垄就能与SAW器件的面相靠,而螺栓块悬浮在导电材料内的导电垫片的上方。第二实施例具有这样的优点:垄与SAW器件的面相靠,消除了由于未充满而导致侵入密封腔的可能性。另外,第二实施例不需要象第一实施例中的那种严格的平面化。
在本发明的最佳实施例中,如图3所示,螺栓块20在粘合区25与导电垫片18机械地联结在一起。机械联结是用热声或热压焊接来实现的,这种机械联结能在螺栓块20与导电垫片18之间提供电连接,也能为声波器件10提供非常坚固的机械装备。在两种情况下,都能对印膜进行超声波清洗,或按压印膜,直到印膜与垄26相接触,或刚好位于垄26的上方一点。最好是,垄26靠在(未表现出来)或几乎靠在SAW器件10的面14上,从而在衬底16的顶30与声波器件10的面14之间,为SAW器件10的有效区域12确定了一个密封腔。最好是,将螺栓块的高度调平,以便,在所有粘合区25,提供均匀的接合力以及导电性。
在本发明中,未充满型材料28将声波器件10密封到衬底16上,其密封位置位于声波器件10与衬底16的顶30之间的声波器件10的外围部分22。垄26为未充满型材料28提供了一个边界32,允许未充满型材料28对连接线路(由20、24、18所表示)的密封,并能防止未充满型材料28污染声波器件10的面14上的有效区域12,从而提供了一个其中密封有有效区域12的密封腔34。未充满型材料为互连线路提供密封、粘结以及应力消除。最好是,未充满型材料为ZymetTMX6-82-5(由East Hanover,New Jersey的Zymet公司制造)或DexterHysolTM 4510(由California的Dexter产业公司的Hysol Division制造)。
本发明还包括用于对声波器件进行封装的一种方法,在所述声波器件的一个面上有一个有效区域,正如图1-3所示。该方法包括提供具有其上安有导电垫片的一个顶的衬底的第一步骤。所放置的导电垫片通常都是环状图案,其顶部粘有电子线路连线。且导电垫片很可能穿过是衬底。衬底的材料是从FR-4聚酰亚胺、BT-环氧树脂以及氧化铝等若干组中的一组中选出的一种材料。在本领域内,有众多的用于将导电垫片放置到衬底上的技术,因而在这里不再讨论。但是,应当注意,选取具有与SAW器件相同的热膨胀系数的衬底材料会改善SAW器件的频率-温度特性。
下一个步骤包括将光可成像有机材料的垄放置到衬底的顶部,以及放置到导电垫片位置的内部。换言之,垄位于导电垫片的环形图案内。最好是,这个步骤包括对垄进行设置,使能保持大约5微米的均匀的高度容差。最好是,这一步骤包括对垄进行设置,使其具有大约为51微米的高度。
放置垄的步骤可以包括使用塑料、热塑塑料、环氧树脂类或其它有机材料的任意组合,这些材料中的任何一种都可以是便于制造的光可成像材料。出于成本和方便考虑,最好是,放置垄的步骤包括使用用照相平板印刷所确定的标准的焊料掩膜材料,正如本领域做了解的由California 90039,Los Angeles的5121 San Fernando Road West的Ciba Specialty Chemicals制造的ProbimerTM 65M液体可光成像焊料掩膜。最好是所述放置步骤包括使所述焊料掩膜材料形成的图案下至大约100微米,并保持一个均匀的厚度,能保持均匀的厚度对本发明来说是非常重要的。实际上,垄保持了大约5微米的均匀的高度容差。焊料掩膜材料被看作是为SAW器件提供垄的性能价格比最高的装置。
也可以选择,在提供步骤中提供一个大的接地导电垫片,且放置步骤包括将垄放置到导电垫片上。一个导电垫片基本上就可以覆盖由垄所确定的边界内部的衬底,以便提供RF屏蔽,以及在有机衬底材料被怀疑有湿泄露通道时能提供改善了的密闭度。在SAW器件的有效区域经受过玻璃钝化时,使用一个导电垫片也可以是不必要的。
下一个步骤包括将若干螺栓块联结到声波器件的面的外围部分。联结螺栓块的步骤被用于提供从电子线路到SAW的电极(未示出)的电连接。这些电子线路一般都是沉积的金属薄膜。联结步骤将螺栓块联结到预定位置,该位置与衬底的导电垫片的镜像位置相应。这样,在后续的对准以及连接步骤中,用导电垫片来记录螺栓块。联结步骤是在引线接合器上实现的,它使用了大约25到50微米厚度的线。
应当注意,螺栓块的联结不是将印膜制成块的唯一方法。还有其它可行的方法。例如可以在另外一些凸起中,用电镀、化学沉积、例如是在象溅射以及聚合物印刷这样的球栅阵列(BGA)处理中所用的具有焊料沉积的镀来提供凸起。
最好是,联结步骤包括将螺栓块调平的子步骤,以便具有大约10微米的均匀的高度容差。在需要高度平坦的螺栓块的情况下,可以使用Matsushita’s Stud Bump BondingTM工艺。在美国专利5,090,119中说明了这种工艺。调平这些凸起的另一种方法包括压印操作,压印操作是由螺栓块利用所设计的用于将螺栓块夯实到特定高度的工具而实现的。在本领域内,这种方法通常被叫做“凸起以及压印”。特别是,这一步骤包括将螺栓块调平的子步骤,以便具有大约48微米的高度。
下一个步骤包括使螺栓块和与其相关的镜像导电垫片对齐,并将这些螺栓块放置于导电垫片附近。
在第一实施例中,如图1中所示,这一步骤包括将声波器件的面放置到垄的上方一点,这样它们之间就没有直接接触。这些螺栓块与导电垫片相靠,或是与导电垫片接近。
在第二实施例中,如图2所示,这一步骤包括对声波器件的面进行放置,使其与垄相靠,这一步骤还包括将螺栓块对齐,使其刚好位于导电垫片上方一点,这样它们之间就没有直接接触。
在最佳实施例中,如图3所示,这一步骤包括将声波器件的面放置于刚好位于垄上方一点,这样它们之间就没有直接接触。垄与导电垫片相靠,或位于导电垫片附近。
下一个步骤包括将声波器件连接到衬底上,以便声波器件的螺栓块以及衬底的相关导电垫片形成电的以及机械的相互连接。
在第一和第二实施例中,连接步骤都包括用导电材料覆盖螺栓块的至少一部分,所述导电材料可包括焊料或导电粘合剂,例如是导电的环氧树脂、导电硅树脂等。最好是,导电材料包括部分覆盖螺栓块的导电的环氧树脂,其厚度大约为10微米。这可利用例如是本领域所公知的Panasonic的印膜接合器等,通过将螺栓块浸入导电的环氧树脂而实现。或者也可以,这一步骤包括用导电材料涂敷衬底的导电垫片的至少一部分,其厚度大约为25到50微米。导电材料用于增强螺栓块与导电垫片之间的电接触,并为声波器件提供坚固的机械装备。
同样,在第一和第二实施例中,连接步骤都进一步包括对导电材料进行处理,以便形成在声波器件与衬底之间的固化的电导电的相互连接。最好是,这一步骤包括将导电材料加热到接近玻璃转化温度的一个温度,但导电材料的温度要比垄的光可成像的有机材料的玻璃转化温度低。更好的是,导电材料包括冲银的导电环氧树脂,例如可从Massachusetts的Emerson & Cumings of Boston得到的AmiconTMC-990导电环氧树脂。一般来说,这种环氧树脂需要在强制通风炉内进行处理,以将其加热到大约150℃,并保持大约60到90分钟。但是,应当认识到也可以成功地使用其它的导电粘合剂以及工艺,这是因为导电材料位于确定封装的密封腔的垄的外部,且并不能侵入其内部。
在本发明的方法的第一实施例中,如图1所示,在执行对齐以及定位步骤之后,放置步骤将垄放置为低于SAW器件的面。结果,声波器件的面刚好位于垄的上方一点,这样,它们之间就不存在直接接触。在执行对齐和定位步骤之后,密封腔就由螺栓块的高度确定了。因此,应当在执行对齐和定位步骤后,这样执行对螺栓块进行调平的子步骤,以便确保SAW器件的垄和面之间的最小间隙。以下,将说明未充满型材料所需的最小间隙。
在本发明的方法的第二实施例中,如图2所示,在执行了对齐以及定位步骤之后,螺栓块实际上是“悬浮”在导电材料中的,这是因为在执行对齐以及定位步骤之后,放置步骤将垄放置在距离SAW器件的面有一个高度的位置。在执行对齐以及定位步骤之后,位于SAW器件以及衬底之间的、围绕SAW器件的有效区域的一个密封腔就由垄的高度确定了。连接步骤中的导电材料量要比第一实施例中所用的多,且必须足以补偿螺栓块高度上的不均匀,以便确保所有螺栓块和其相关的导电垫片之间的良好的电连接。
在本发明的方法的最佳实施例中,如图3所示,在执行对齐以及定位步骤之后,放置步骤将垄放置为低于SAW器件的面,其中声波器件的面刚好位于垄上方一点,这样它们之间就没有直接接触。在执行对齐以及定位步骤之后,一个密封腔就由螺栓决的高度确定的。因此,应当在执行了对齐以及连接步骤之后,这样执行对螺栓块进行调平的子步骤,以便确保SAW器件的垄和面之间有一个最小间隙,或没有间隙。连接步骤包括利用热声压焊以及热压压焊中的一种,将螺栓块与其相关的导电垫片机械地或直接地连接在一起。最好在两种情况下,印膜都能被接合(超声波清洗以及按压),直到SAW器件的面与垄相靠,或几乎与垄相靠。
下一个步骤包括使未充满型材料在声波器件的外围流动,并使其围绕互连线路,这样未充满型材料在SAW器件的面以及衬底的顶之间流动,并停止在由垄所确定的边界处。大多数的未充满型材料被设计为,使其具有非常强的侵蚀流动特性,这样,一旦被发放,未充满型材料会利用表面张力,将其自身拖入SAW器件以及衬底之间的空间内。但是,在SAW器件的垄和面之间有相对较大的间隙的情况下,未充满型材料内的树脂会弄湿到密封腔内。这个问题会出现在如上所述的第一实施例中,但可通过将间隙最小化,以及通过选取具有可减轻小间隙内的受潮情况的触变特性的未充满型材料来减轻它。尤其是,通过选择比本领域中通常所用的要厚的树脂,并增加未充满型材料内的颗粒大小和密度,可以减轻这种受潮问题。最好是,未充满型材料为ZymetTM X6-82-5或DesterHysolTM4510(由California的Hysol Division of Dexter产业公司制造),且对其进行应用,使其能围绕互连线路流动,以密封这些互连连线,但不会穿过间隙,弄温声波器件的有效区域内部。
最后一个步骤包括对未充满型材料进行处理,以便机械增强以及保护性地密封互连连线,并提供一个密封封装,其内部密封有围绕有效区域的一个腔。对于Dexer HysolTM 4510,处理是这样实现的,即在强制通风炉内,对其进行处理,将其加热到大约150℃的温度,并保持大约180分钟的周期。
另外,本发明的方法还可以包括将外部电引线连接到衬底,并用封装体材料或密封剂对声波器件过塑,所述密封剂包括构成热塑塑料、热固性塑料以及环氧树脂的组中的一种,以提供使用户能依据工业标准很方便地对其进行处理的封装。这一步骤提供了一种完美的封装方案。适当选取传热模塑组合物,使其与衬底材料和印膜的那些热膨胀系数相符,或与一个适当的平均热膨胀系数相符,这将有利于SAW器件的频率-温度特性。
封装体材料或密封剂是有用的类型,是可由CA的Santa Clara的Sumitomo Plastics得到的Type 6300H环氧树脂模塑化合物。在标准的8引线SOIC(小外形集成电路)工艺中采用这种环氧树脂,其中在每平方英寸1000磅的压力以及大约175℃的温度下,用环氧树脂对声波器件以及衬底进行热传模塑,其中对所述温度进行选择,使其位于或高于环氧树脂的玻璃态转化温度,但仍低于垄的玻璃态转化温度,以防止垄的熔化。此温度和压力被保持大约2分钟的一段时间。应当理解,在这一工艺中,其它类型的标准的压铸封装(例如14引线的SOIC)也都是有用的。
这样,已经说明了SAW器件的封装以及方法,与已有技术的方法和装置相比,它们克服了特定的问题,并实现了某些优点。超越已有技术的这些改进是很重要的。这些技术使得已有的全密封封装技术的高成本、复杂性以及较高的劳动量得以克服。与此相似,在保留了耐潮湿以及耐震强度等益处的同时,还实现了减小整个滤波器的体积以及重量。
应当理解,其他人可通过使用本技术,在不脱离本发明的一般概念的情况下,能很容易地修改或使用上述实施例,因而这类使用以及修改应当被认定是包含在所公开实施例的等价意义或范围内。
应当理解,这里所用的措辞和术语仅仅是出于说明的目的,并不是对本发明的限定。因此,本发明被认为包含落入附加权利要求书的宽阔范围内的所有这种选择、修改、等价手段以及变化。
Claims (10)
1.用于在其一个面上具有一个有效区域的一种声波器件的一种封装,所述封装包括:
一个衬底,其上具有一个顶和若干导电垫片;
若干螺栓块,与所述声波器件的所述面电连接,并被安置于靠近所述声波器件的外围部分,所述螺栓块对齐并靠近所述导电垫片,并连接到所述导电垫片,以形成互连线路;
一个垄,位于衬底和所述声波器件之间的衬底的顶部,所述垄位于所述声波器件和互连线路的外围部分内;以及
一个未充满型材料,将所述声波器件密封到所述衬底上,密封位置在所述声波器件和所述衬底的顶部之间,所述垄向所述未充满型材料提供了一个边界,使得未充满型材料能密封互连线路,并能防止未充满型材料与所述声波器件的所述有效面接触,从而提供了其中密封有有效区域的一个密封腔。
2.如权利要求1的封装,还包括插入所述螺栓块和导电垫片之间的一种导电材料,所述导电材料形成机械的以及电子的相互连接,这种相互连接将所述声波器件与所述衬底顶部的若干导电垫片连在一起。
3.如权利要求2的封装,其中所述垄与所述声波器件的所述面相靠,其中所述螺栓块刚好位于所述导电垫片上方一点,这样在它们之间没有直接接触。
4.如权利要求2的封装,其中所述垄具有大约51微米的高度,且所述螺栓块具有大约48微米的一个高度。
5.如权利要求1的封装,其中所述垄具有大约5微米的一个均匀的高度容差,且所述螺栓块被调平,以便具有大约10微米的一个均匀的高度容差。
6.如权利要求1的封装,其中所述螺栓块与所述导电垫片相靠,其中所述声波器件的所述面刚好为与所述垄的上方一点,这样在它们之间就不存在直接接触。
7.如权利要求1的封装,其中所述螺栓块与所述导电垫片相靠,并被机械地联结到所述导电垫片上,其中所述声波器件的所述面与所述垄相靠。
8.如权利要求1的封装,其中一个导电垫片被插入到所述垄和所述衬底之间,所述一个导电垫片基本上覆盖了由所述垄所确定的边界的内部的衬底,从而提供了RF屏蔽以及改善了的密闭度。
9.如权利要求1的封装,其中所述衬底是从FR-4聚酰亚胺、BT-环氧树脂以及氧化铝的组中的一组中选出的一种材料。
10.如权利要求1的封装,其中所述垄包括由塑料、热塑塑料、环氧树脂类、氧化铝、玻璃、有机或无机材料以及光可成像的有机材料中的至少一组构成的一种材料。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100380616C (zh) * | 2003-03-10 | 2008-04-09 | 因芬尼昂技术股份公司 | 具有空腔的电子器件及其制造方法 |
CN100581053C (zh) * | 2004-08-11 | 2010-01-13 | 三洋电机株式会社 | 陶瓷封装件、集合基板及其制造方法 |
CN100586006C (zh) * | 2002-06-24 | 2010-01-27 | Cts公司 | 可控saw振荡器 |
CN104602450A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-05-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电路板及其制造方法和显示装置 |
CN104716103A (zh) * | 2013-12-11 | 2015-06-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有间隙的底部填充图案 |
CN106098570A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-09 | 江阴芯智联电子科技有限公司 | 空腔式塑料封装模块结构及其制造方法 |
CN108899414A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-11-27 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种表面波滤波器器件结构及其制作方法 |
CN109285815A (zh) * | 2018-09-25 | 2019-01-29 | 宜确半导体(苏州)有限公司 | 半导体器件、射频芯片和制造方法 |
CN111952199A (zh) * | 2019-05-16 | 2020-11-17 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | 空气隙型半导体器件封装结构及其制作方法 |
Families Citing this family (93)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3825475B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2006-09-27 | 株式会社 東芝 | 電子部品の製造方法 |
US7336468B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-02-26 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
US7321485B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-01-22 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
US7301748B2 (en) | 1997-04-08 | 2007-11-27 | Anthony Anthony A | Universal energy conditioning interposer with circuit architecture |
US9054094B2 (en) | 1997-04-08 | 2015-06-09 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit |
JP3652488B2 (ja) * | 1997-12-18 | 2005-05-25 | Tdk株式会社 | 樹脂パッケージの製造方法 |
KR100294910B1 (ko) | 1997-12-30 | 2001-07-12 | 이중구 | 범프그리드어레이패키지및그제조방법 |
JPH11312749A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-11-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法及びリードフレームの製造方法 |
JP3514361B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2004-03-31 | Tdk株式会社 | チップ素子及びチップ素子の製造方法 |
US6156980A (en) * | 1998-06-04 | 2000-12-05 | Delco Electronics Corp. | Flip chip on circuit board with enhanced heat dissipation and method therefor |
US6329739B1 (en) * | 1998-06-16 | 2001-12-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Surface-acoustic-wave device package and method for fabricating the same |
JP2000068327A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品の実装方法と装置 |
JP2000114918A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
WO2000026959A1 (en) * | 1998-10-30 | 2000-05-11 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacture thereof, circuit board and electronic device |
FR2786959B1 (fr) * | 1998-12-08 | 2001-05-11 | Thomson Csf | Composant a ondes de surface encapsule et procede de fabrication collective |
US6333209B1 (en) * | 1999-04-29 | 2001-12-25 | International Business Machines Corporation | One step method for curing and joining BGA solder balls |
US6448635B1 (en) * | 1999-08-30 | 2002-09-10 | Amkor Technology, Inc. | Surface acoustical wave flip chip |
IL133453A0 (en) * | 1999-12-10 | 2001-04-30 | Shellcase Ltd | Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby |
JP2001176907A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | バンプ検査装置 |
TW569424B (en) * | 2000-03-17 | 2004-01-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Module with embedded electric elements and the manufacturing method thereof |
JP3745213B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2006-02-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6809935B1 (en) * | 2000-10-10 | 2004-10-26 | Megic Corporation | Thermally compliant PCB substrate for the application of chip scale packages |
JP3613167B2 (ja) * | 2000-10-12 | 2005-01-26 | 株式会社村田製作所 | パッド電極の接続状態の検査方法 |
KR20020029990A (ko) * | 2000-10-16 | 2002-04-22 | 윤종용 | 실장리드가 구비된 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그제조방법 |
JP3418373B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2003-06-23 | エヌ・アール・エス・テクノロジー株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
US6550664B2 (en) * | 2000-12-09 | 2003-04-22 | Agilent Technologies, Inc. | Mounting film bulk acoustic resonators in microwave packages using flip chip bonding technology |
FR2819104B1 (fr) * | 2000-12-29 | 2003-11-07 | St Microelectronics Sa | Boitier semi-conducteur optique a support transparent |
US20080296572A1 (en) * | 2000-12-29 | 2008-12-04 | Stmicroelectronics Sa | Optical semiconductor device with sealing spacer |
JP4568440B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2010-10-27 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | フリップチップ型半導体素子および半導体装置 |
JP2002344284A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-11-29 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、および、これを搭載した通信装置 |
JP3974346B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-09-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP3520414B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2004-04-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置およびその製造方法、通信装置 |
US20030054583A1 (en) * | 2001-09-20 | 2003-03-20 | Eastman Kodak Company | Method for producing an image sensor assembly |
DE10153211A1 (de) * | 2001-10-31 | 2003-01-30 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil und Systemträger sowie Verfahren zur Herstellung derselben |
DE10157361A1 (de) * | 2001-11-23 | 2003-03-13 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
KR100431180B1 (ko) | 2001-12-07 | 2004-05-12 | 삼성전기주식회사 | 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법 |
KR100431181B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-05-12 | 삼성전기주식회사 | 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법 |
KR100431182B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-05-12 | 삼성전기주식회사 | 표면 탄성파 필터 칩 패키지 및 그 제조방법 |
JP2003249840A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-09-05 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP4012751B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2007-11-21 | 株式会社リコー | 半導体装置、画像読取ユニット及び画像形成装置 |
JP4179038B2 (ja) * | 2002-06-03 | 2008-11-12 | 株式会社村田製作所 | 表面弾性波装置 |
DE10226033A1 (de) * | 2002-06-12 | 2003-12-24 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
DE10246101B4 (de) * | 2002-10-02 | 2005-12-01 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für einen Chip mit einer mikromechanischen Struktur |
US7033664B2 (en) | 2002-10-22 | 2006-04-25 | Tessera Technologies Hungary Kft | Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby |
US6800946B2 (en) * | 2002-12-23 | 2004-10-05 | Motorola, Inc | Selective underfill for flip chips and flip-chip assemblies |
US20040197284A1 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-07 | Frederic Auguste | Cosmetic composition comprising a volatile fatty phase |
JP4641141B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2011-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、tcp型半導体装置、tcp用テープキャリア、プリント配線基板 |
US20050011672A1 (en) * | 2003-07-17 | 2005-01-20 | Alawani Ashish D. | Overmolded MCM with increased surface mount component reliability |
US7239023B2 (en) * | 2003-09-24 | 2007-07-03 | Tai-Saw Technology Co., Ltd. | Package assembly for electronic device |
US7112524B2 (en) * | 2003-09-29 | 2006-09-26 | Phoenix Precision Technology Corporation | Substrate for pre-soldering material and fabrication method thereof |
TW200520123A (en) * | 2003-10-07 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for mounting semiconductor chip and semiconductor chip-mounted board |
JP2005167969A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-23 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波素子および弾性波素子の製造方法 |
CN1890854A (zh) | 2003-12-22 | 2007-01-03 | X2Y艾泰钮埃特有限责任公司 | 内屏蔽式能量调节装置 |
US7141782B2 (en) * | 2004-05-24 | 2006-11-28 | Exquisite Optical Technology, Ltd. | Image sensor with protective package structure for sensing area |
TWI272683B (en) * | 2004-05-24 | 2007-02-01 | Sanyo Electric Co | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4683897B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2011-05-18 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 加速度センサチップパッケージ及びその製造方法 |
US7259499B2 (en) | 2004-12-23 | 2007-08-21 | Askew Andy R | Piezoelectric bimorph actuator and method of manufacturing thereof |
US7817397B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-10-19 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioner with tied through electrodes |
GB2439862A (en) | 2005-03-01 | 2008-01-09 | X2Y Attenuators Llc | Conditioner with coplanar conductors |
US20060238274A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Ycl Electronics Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
US7038321B1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-05-02 | Delphi Technologies, Inc. | Method of attaching a flip chip device and circuit assembly formed thereby |
US7112914B1 (en) * | 2005-06-09 | 2006-09-26 | Eta Sa Manufacture Horlogere Suisse | Piezoelectric resonator and assembly comprising the same enclosed in a case |
US20090289350A1 (en) * | 2005-09-29 | 2009-11-26 | Nec Corporation | Semiconductor package, substrate, electronic device using such semiconductor package or substrate, and method for correcting warping of semiconductor package |
EP1991996A1 (en) | 2006-03-07 | 2008-11-19 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Energy conditioner structures |
JP2007251070A (ja) * | 2006-03-18 | 2007-09-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US8022554B2 (en) | 2006-06-15 | 2011-09-20 | Sitime Corporation | Stacked die package for MEMS resonator system |
US7871865B2 (en) * | 2007-01-24 | 2011-01-18 | Analog Devices, Inc. | Stress free package and laminate-based isolator package |
WO2009090896A1 (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品 |
WO2010109703A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 日本電気株式会社 | 電子装置、基板および電子装置の製造方法 |
JP5493767B2 (ja) * | 2009-11-25 | 2014-05-14 | 大日本印刷株式会社 | センサーユニットおよびその製造方法 |
US8368187B2 (en) * | 2010-02-03 | 2013-02-05 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming air gap adjacent to stress sensitive region of the die |
JP5620698B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-11-05 | 株式会社テラプローブ | 半導体構成体及び半導体構成体の製造方法 |
FR2977369B1 (fr) * | 2011-06-30 | 2013-06-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'hybridation flip-chip pour la formation de cavites hermetiques et systemes obtenus par un tel procede |
US9202714B2 (en) * | 2012-04-24 | 2015-12-01 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming semiconductor device packages |
US9263377B2 (en) * | 2012-11-08 | 2016-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | POP structures with dams encircling air gaps and methods for forming the same |
US9497861B2 (en) | 2012-12-06 | 2016-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and apparatus for package with interposers |
US8994176B2 (en) * | 2012-12-13 | 2015-03-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and apparatus for package with interposers |
JP2014203861A (ja) * | 2013-04-02 | 2014-10-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
WO2015039771A1 (en) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | Abb Technology Ag | Method for ultrasonic welding with particles trapping |
JP6422296B2 (ja) * | 2014-10-09 | 2018-11-14 | 新日本無線株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
US9754914B1 (en) * | 2016-05-10 | 2017-09-05 | Rosemount Aerospace Inc. | Method to provide die attach stress relief using gold stud bumps |
JP6934322B2 (ja) * | 2017-05-26 | 2021-09-15 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品 |
DE102017212796A1 (de) * | 2017-07-26 | 2019-01-31 | Robert Bosch Gmbh | Elektrische Baugruppe |
US10811279B2 (en) * | 2017-08-29 | 2020-10-20 | Ciena Corporation | Flip-chip high speed components with underfill |
US10989887B2 (en) | 2017-09-06 | 2021-04-27 | Agency For Science, Technology And Research | Photonic integrated circuit package and method of forming the same |
US20190157222A1 (en) * | 2017-11-20 | 2019-05-23 | Nxp Usa, Inc. | Package with isolation structure |
CN109004083A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-14 | 付伟 | 带有单围堰及焊锡的芯片封装结构及其制作方法 |
JP7142604B2 (ja) * | 2019-05-15 | 2022-09-27 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
US11244876B2 (en) | 2019-10-09 | 2022-02-08 | Microchip Technology Inc. | Packaged semiconductor die with micro-cavity |
US11557491B2 (en) | 2019-10-31 | 2023-01-17 | Nxp B.V. | Selective underfill assembly and method therefor |
US20220404318A1 (en) * | 2019-11-15 | 2022-12-22 | Qorvo Us, Inc. | Preventing epoxy bleed-out for biosensor devices |
US11855608B2 (en) * | 2020-04-06 | 2023-12-26 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | Systems and methods for packaging an acoustic device in an integrated circuit (IC) |
US11963291B2 (en) | 2022-04-21 | 2024-04-16 | Nxp B.V. | Efficient wave guide transition between package and PCB using solder wall |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4831507B1 (zh) * | 1969-07-10 | 1973-09-29 | ||
US4191905A (en) * | 1977-06-17 | 1980-03-04 | Citizen Watch Company Limited | Sealed housings for a subminiature piezoelectric vibrator |
JPS5925486B2 (ja) * | 1977-11-15 | 1984-06-18 | シチズン時計株式会社 | 圧電振動子の容器 |
US4405875A (en) * | 1980-07-24 | 1983-09-20 | Kiyoshi Nagai | Hermetically sealed flat-type piezo-electric oscillator assembly |
US4604644A (en) * | 1985-01-28 | 1986-08-05 | International Business Machines Corporation | Solder interconnection structure for joining semiconductor devices to substrates that have improved fatigue life, and process for making |
US4661192A (en) * | 1985-08-22 | 1987-04-28 | Motorola, Inc. | Low cost integrated circuit bonding process |
JPS6297418A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-06 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置のパツケ−ジ方法 |
JPS62109420A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
JPS62173814A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子搭載ユニツト |
JPS62173813A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
JPS6437132U (zh) * | 1987-08-31 | 1989-03-06 | ||
US5014111A (en) * | 1987-12-08 | 1991-05-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrical contact bump and a package provided with the same |
JPH02170611A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JPH02186662A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子パッケージ |
US5095240A (en) * | 1989-11-13 | 1992-03-10 | X-Cyte, Inc. | Inductively coupled saw device and method for making the same |
JP2673993B2 (ja) * | 1990-07-02 | 1997-11-05 | 日本無線株式会社 | 表面弾性波装置 |
US5120678A (en) * | 1990-11-05 | 1992-06-09 | Motorola Inc. | Electrical component package comprising polymer-reinforced solder bump interconnection |
JPH04170811A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイス |
US5438305A (en) * | 1991-08-12 | 1995-08-01 | Hitachi, Ltd. | High frequency module including a flexible substrate |
JP3207222B2 (ja) * | 1991-08-29 | 2001-09-10 | 株式会社東芝 | 電子部品装置 |
JPH0590872A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面弾性波素子 |
JPH0590882A (ja) * | 1991-09-28 | 1993-04-09 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP2562661Y2 (ja) * | 1992-10-13 | 1998-02-16 | 株式会社村田製作所 | 圧電素子の実装構造 |
JP3222220B2 (ja) * | 1992-10-19 | 2001-10-22 | 株式会社村田製作所 | チップ型圧電共振子の製造方法 |
US5459368A (en) * | 1993-08-06 | 1995-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device mounted module |
JP3328102B2 (ja) * | 1995-05-08 | 2002-09-24 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP3825475B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2006-09-27 | 株式会社 東芝 | 電子部品の製造方法 |
JPH09162688A (ja) * | 1995-12-11 | 1997-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2973940B2 (ja) * | 1996-09-20 | 1999-11-08 | 日本電気株式会社 | 素子の樹脂封止構造 |
-
1998
- 1998-04-08 US US09/057,144 patent/US5969461A/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-11 EP EP99912420A patent/EP1076930A4/en not_active Withdrawn
- 1999-03-11 CN CN99807200A patent/CN1305662A/zh active Pending
- 1999-03-11 KR KR1020007011122A patent/KR20010042496A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-03-11 WO PCT/US1999/005317 patent/WO1999052209A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-03-11 JP JP2000542851A patent/JP2002510929A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100586006C (zh) * | 2002-06-24 | 2010-01-27 | Cts公司 | 可控saw振荡器 |
CN100380616C (zh) * | 2003-03-10 | 2008-04-09 | 因芬尼昂技术股份公司 | 具有空腔的电子器件及其制造方法 |
CN100581053C (zh) * | 2004-08-11 | 2010-01-13 | 三洋电机株式会社 | 陶瓷封装件、集合基板及其制造方法 |
CN104716103A (zh) * | 2013-12-11 | 2015-06-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有间隙的底部填充图案 |
CN104716103B (zh) * | 2013-12-11 | 2018-06-19 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有间隙的底部填充图案 |
CN104602450A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-05-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电路板及其制造方法和显示装置 |
US10178771B2 (en) | 2014-12-31 | 2019-01-08 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Circuit board, manufacturing method thereof and display apparatus |
CN106098570A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-11-09 | 江阴芯智联电子科技有限公司 | 空腔式塑料封装模块结构及其制造方法 |
CN106098570B (zh) * | 2016-06-23 | 2019-01-01 | 江阴芯智联电子科技有限公司 | 空腔式塑料封装模块结构及其制造方法 |
CN108899414A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-11-27 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种表面波滤波器器件结构及其制作方法 |
CN109285815A (zh) * | 2018-09-25 | 2019-01-29 | 宜确半导体(苏州)有限公司 | 半导体器件、射频芯片和制造方法 |
CN111952199A (zh) * | 2019-05-16 | 2020-11-17 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | 空气隙型半导体器件封装结构及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5969461A (en) | 1999-10-19 |
JP2002510929A (ja) | 2002-04-09 |
EP1076930A1 (en) | 2001-02-21 |
EP1076930A4 (en) | 2001-11-14 |
WO1999052209A1 (en) | 1999-10-14 |
KR20010042496A (ko) | 2001-05-25 |
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