CN1394276A - 微机电系统(mems)用的电互联的晶粒生长 - Google Patents

微机电系统(mems)用的电互联的晶粒生长 Download PDF

Info

Publication number
CN1394276A
CN1394276A CN01803369A CN01803369A CN1394276A CN 1394276 A CN1394276 A CN 1394276A CN 01803369 A CN01803369 A CN 01803369A CN 01803369 A CN01803369 A CN 01803369A CN 1394276 A CN1394276 A CN 1394276A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensor
grain growth
layer
depression
interconnected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN01803369A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1151367C (zh
Inventor
马克·G·罗莫
小斯坦利·E·鲁德
马克·A·卢茨
弗雷德·C·西特勒
阿德里安·C·托伊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rosemount Inc
Original Assignee
Rosemount Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rosemount Inc filed Critical Rosemount Inc
Publication of CN1394276A publication Critical patent/CN1394276A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1151367C publication Critical patent/CN1151367C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0075Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0006Interconnects

Abstract

一种单独的联接,通过在将MEMS设备(10)焊接在一起之后在该设备(10)中由导电晶粒生长材料(16)晶粒生长而生长互联来形成。用于电接触的晶粒生长的材料被沉积在设备(10)的第一层(12)与第二层(14)之间形成的凹穴(18)中。

Description

微机电系统(MEMS)用的电互联的晶粒生长
技术领域
本发明涉及微机电系统。具体地说,本发明涉及这种系统中的电连接。微机电系统(MEMS)是一种小型设备,它提供一定的电性能和机械性能,一般是成批制造的。MEMS在很多电子设备中都有广泛的应用。举例的MEMS包括加速度、压力、流量、位移、距离、传感器和阀、泵以及光学元件促动器。MEMS传感器的一个特定用途是用于压力传感。
背景技术
在航空或工业流体传感器应用中,在传感器制造过程中所用的传感元件、金属膜和连接会受到流体(介质)的腐蚀。腐蚀性流体可以包括在航天或静止的涡轮发动机中的气体、酸、碱、油、石化产品、食品等。
最好将传感元件放在传感器主体的各层之间,各种互联最好也位于这些层之间,并被密封,从而不使腐蚀流体与传感元件及互联相接触。
在采用MEMS(微机电系统)技术制造的小型设备中,困难之处在于,在传感体主体的各层之间提供电互联。这对于用MEMS技术制造传感器来说是确实存在的。采用MEMS焊接技术,需要在精确对准和极小间隙的条件下使传感器主体的各平展层结合在一起,在各层之间没有不规则或突起。机械突出的互联会在焊接过程中与所述的平展表面接触,并使其分开。因此可能导致焊接缺陷或泄漏。
在焊接各层的过程中,需要避免互联之间的机械接触。但是为了在互联处实现电路,就需要互联的机械连接。这两种MEMS过程的需要互相冲突。
发明内容
在把MEMS设备焊接在一起之后,通过该设备内的导电晶粒生长材料的晶粒生长而生长出互联,从而形成孤立的联接。在这种设备的第一层与第二层之间形成的凹穴中,沉积用于电触点的晶粒生长的材料。一方面,在组装的时候,材料沉积物是相对平整的,不会影响凹穴边缘之间的焊接。在组装第一层和第二层之后,使该沉积物被加热,并通过选择性沉积在凹穴内的导电膜或导线的晶粒生长而生长为电互联形式。
附图说明
图1是本发明MEMS设备的截面图;
图2表示供能环路的工业变送器的典型工业环境;
图3表示带有晶粒生长互联的传感器实施例的局部截面主视图;
图4表示图3所示传感器沿图3的4-4线的截面俯视图;
图5表示两个带凹槽的层之间的焊接实施例的截面图;
图6表示带凹槽的层与平展层之间的焊接实施例的截面图;
图7表示包含隔离层的焊接实施例的截面图;
图8表示具有不同凹槽深度的层之间的焊接实施例的截面图;
图9表示一种晶粒生长互联的实施例,其中晶粒生长材料被沉积在两个面对的互联区上;
图10表示一种晶粒生长互联的实施例,其中晶粒生长材料被沉积在两个面对的互联区之一上,并且一个台面与所述各互联区对准;
图11表示一种晶粒生长互联的实施例,其中晶粒生长材料被沉积在两个面对的互联区上,并且两个台面与所述各互联区对准;
图12表示晶一种粒生长互联的实施例,其中生长材料的供给设在层内的凹陷处;
图13表示一种类似材料的各层之间焊接的实施例,无任何插入的焊接材料;
图14表示一种类似材料的各层之间的反应性焊接的实施例;
图15表示一种薄膜或烧结焊料焊接的实施例;
图16表示一种阳极焊接的实施例;
图17表示一种电容压力传感器实施例的俯视图;
图18表示图17电容压力传感器的侧视图;
图19表示图17传感器沿图17中的19-19线的截面图;
图20表示压力变送器用的压力传感模块;
图21表示压力变送器用的压力传感模块的截面图。
具体实施方式
图1是本发明部分MEMS设备10的简化截面图。MEMS设备10包括上层12和下层14。通过本发明的电连接16使所述各层12和14电耦接在一起。作为这里所详细解释的,电连接16是通过晶粒生长过程形成的,用以将所述的层12和14电耦接在一起。一般地说,本发明可用于提供两个平面基板之间的连接,所述的连接言垂直方向(即基板的第三维)延伸。例如,电连接16可以桥接两个层12和14之间的间隙18。这种技术可以用在各种类型的MEMS设备中,例如压力、加速度、流量传感器等。以下本说明书的大部分都特别涉及采用如图1所示之连接16的压力传感器。但是,本发明不限于这种特定的应用。这种压力传感器可以有许多应用,例如工业过程的监视或其它装置中其它压力的监视。
在图2中,以标号20表示工业压力传感器的典型环境。在图1中,过程变量变送器,如过程流体管线23中的流量计22、在槽罐28附近的变送器24、26、36和过程管线31中的积分孔板流量计30都与控制系统32电连接。控制系统32控制通向压力变换器38的电流,所述压力变换器38对控制阀40进行控制。可将过程变量变送器构成用以监视与处理工厂中的流体,如泥浆、液体、蒸汽和化学气体、纸浆、石油、气体、药品、食品和其他流体处理产物相关的一个或多个过程变量。所监视的过程变量可以是压力、温度、流量、液位、pH值、电导率、浑浊度、密度、浓度、化学组成或流体的其他性质。过程变量变送器包括一个或多个在该变送器内部或变送器外部的传感器,这取决于处理工厂的安装需要。
过程变量变送器产生一个或多个代表所监测的过程变量的变送器输出。所述变送器的输出被设定为用于通过通信总线34长距离传送至控制器或指示器。在典型的流体处理工厂中,通信总线34可以是一个给变送器供能的4-20mA电流环路,或者它可以是对控制器、控制系统或读出设备的域总线(fieldbus)连接、HART协议通信,或者光纤连接。在由2线环供能的变送器中,能量必须保持为低值,以在爆炸性气氛中给出固有的安全度。
图3-4中示出一个传感器300。传感器300是采用通常用于半导体制造技术制造的超小型或MEMS传感器,这种技术比如掩膜、蚀刻、镀覆和焊接。传感器300包含第一层302,它在焊接区306被焊接至第二层304。所述各层302和304由电绝缘材料形成,比如由蓝宝石、尖晶石、各种陶瓷、玻璃、纳米颗粒制成的材料、绝缘硅以及其它具有低磁滞并能与传感器300的外部接触的所要处理的流体或隔离流体相兼容的材料。使层302和304之间形成的凹穴308与传感器外侧的处理流体或隔离流体隔离。传感器300可以是各种类型的传感器。在一个特定的实施例中,传感器300为压力传感器,该压力传感器包括由导电层形成的导电板。
第一导电膜310被选择性地沉积在凹穴308中的第一层302上,以限定一个或多个用于传感器300的导电体轨迹(trace)。第二导电膜312沉积在凹穴308中的第二层上,用以再限定一个或多个用于传感器300的导电体轨迹(trace)。第一导电膜310至少包含第一互联区314。第二导电膜312至少包含第二互联区316。所述第一和第二互联区314和316隔着凹穴308彼此面对。
传感器300包含传感元件318,它沉积在凹穴308中,并与第一导电膜310电耦合。根据被监测的流体参数类型,传感元件318可以有多种形式,有些情况下,可以用与第一导电膜310相同的材料来形成,或者成为第一导电膜310整体形成的一个部分。传感元件318可以包含沉积在第二层304或第二导电膜312上的部分。
在传感器300中,导电晶粒生长材料320被选择性地沉积在互联区314和316中的一个或两个上。晶粒生长材料320被沉积为足够薄的层,从而不会越过互联间隙而形成机械接触。这样,可使所述的层302、304在306被焊接在一起,而不会有来自晶粒生长材料320的机械干扰。在完成焊接306之后,晶粒生长材料320在预定的条件下生长,从而在第一和第二互联区314、316之间形成电互联322。晶粒生长材料通常是钽,或钽合金,它在焊接步骤之后被加热至预定高温时会生长金属晶粒。金属晶粒的生长桥接互联间隙,并形成如图3的标号322所示的电互联。
图5-8表示所述层302、304的可替换形状,它们可以用于使各层分开,并在传感器300中形成所需的凹穴308。
在图5中,第一层302和第二层304都有一个凹槽,它们共同形成凹穴308。将层302和304沿中心面350焊接在一起。图5所示布局的优点在于,对于某些应用来说,可使层302和304形成一样的。
在图6中,第一层302具有凹槽,但第二层304基本是平板。在图6中,使层302和304沿着面352焊接在一起,这个面与凹穴的一侧对准。图6所示布局的优点在于:两个层中只有一个需要凹槽,该凹槽形成凹穴308,这样减少了制作的步骤。
在图7中,传感器包含隔离层303,沿着面354和356将该层焊接在第一层和第二层302和304之间。隔离层303给出至少形成部分凹穴308的厚度。图7所示布局的优点在于凹穴308的厚度,换句话说,可以很容易的通过选择具有理想厚度的隔离层,调整基本上为平的层302与304之间的间距。
当对晶粒生长金属的平层或型面高度不大的层加热时,就发生晶粒生长,因而改变了形状,并沿接触垫的表面横向生长。针对传感器选择所述晶粒生长材料,以使晶粒生长材料在不会熔化或损坏已组装之传感器的温度下生长。所述材料最好是金属、金属合金、非金属导电材料或其他能提供晶粒生长的材料,包括多晶硅。可以是包括少量其他元素的钽的沉积物,只要该沉积物能生长即可。
导电晶粒生长材料可以是钽或钽合金。在取钽的情况下,相信由于钽生出从接触垫向外突出的晶粒或晶体而发生所述的生长。在已经发生了足够的生长之后,在接触垫之间形成钽的桥接,成为接触垫之间的钽欧姆连接。如果凹穴间距过宽,则可使所述间隙保持足够小,从而可以通过使用一个或多个延伸进凹穴的相对的台面(见图10和11)而利用导电晶粒生长材料的生长来完成。(台面是指从表面升高的特征,可以具有一个平的顶部表面。)至少部分导电晶粒生长材料沉积在一个层上或台面上。导电晶粒生长材料可以沉积在一个或两个层上,可以使用或不使用台面,这取决于凹穴中的间隙。在各层已被组装并且各层之间的焊接至少已经部分完成之后,加热压力传感器,进行导电晶粒生长材料的生长,以形成互联。
使传感器被冷却,则在各传感器的基板组装和焊接之后已经形成的传感器通道内部存在固体金属,即欧姆接触。这种延迟的电互联过程避免了不需要的机械接触,所说的机械接触在将各基板直接焊接在彼此之上时会影响各基板的近距离接触。
在图8中,在每个层302和304中形成凹槽,但是所说的凹槽深度不同。所述各层沿着与凹穴308的中心线偏移的面358结合。图8所示布局的优点在于:可以通过调整层302中凹槽的蚀刻而精细地调整凹槽的深度,同时可将层304中凹槽被蚀刻至标准的所需深度。
图9-12表示用于提供所需量的晶粒生长材料和用于提供晶粒生长所需间距以桥接间隙的示例布局。
图9中,在第一层372上沉积第一导电膜370,在第二层376上沉积第二导电膜374。第一导电膜370隔着凹穴375与第二导电膜374面对。晶粒生长材料的第一沉积物380沉积在第一导电膜370上。晶粒生长材料的第二沉积物382沉积在第二导电膜374上。当层372、376互相焊接时,不使沉积物380、382互相机械接触。在将层372、376焊接在一起之后,再对利用各种条件,使晶粒生长材料沉积物380、382生长晶粒,而形成机械接触和欧姆接触,并完成电互联384。
在图10中,在第一层392上沉积第一导电膜390,在第二层396上沉积第二导电膜394。第一导电膜390隔着凹穴398与第二导电膜394面对。第一层392包括与第一导电膜390对准的台面395。该台面395使第一导电膜390突出伸入凹穴398中,减少了导电膜390、394之间的间隙。晶粒生长材料的沉积物399沉积在第一导电膜390上。当使层392、396互相焊接时,不使沉积物399与导电膜394机械接触。在将层392、396焊接在一起之后,再利用各种条件,使晶粒生长材料沉积物399生长晶粒,而在导电膜390、394之间形成机械接触和欧姆接触,并完成电互联。
图11中,在第一层402上沉积第一导电膜400,在第二层406上沉积第二导电膜404。第一导电膜400隔着凹穴408与第二导电膜404面对。第一层402包含在部分第一导电膜400之上的台面405。该台面405使第一互联区突出伸入凹穴408,减少了导电膜400、404之间的间隙。第二层406也包含在第二导电膜404之上的台面407。晶粒生长材料的第一沉积物412沉积在第一导电膜400上。晶粒生长材料的第二沉积物414沉积在第二导电膜404上。当使层402、406互相焊接时,不使沉积物412、414彼此机械接触。在将层402、406焊接在一起之后,利用各种条件,使晶粒生长材料沉积物412、414生长晶粒,而在导电膜400、404之间形成机械接触和欧姆接触,并完成电互联。
图12中,在第一层422上沉积第一导电膜420,在第二层426上沉积第二导电膜424。第一导电膜420隔着凹穴428与第二导电膜424面对。第二导电膜424环绕着层426中的凹陷430。晶粒生长材料的第一沉积物432沉积在该凹陷中。当使层422、426互相焊接时,不使沉积物432与第一导电膜420机械接触。在将层422、426焊接在一起之后,利用各种条件,使晶粒生长材料沉积物432生长晶粒,而在导电膜420、424之间形成机械接触和欧姆接触,并完成电互联。可使第二导电膜424如图所示那样在凹陷430上方被开孔,或者可以换成沉积在凹陷430的壁上。在凹陷430中提供额外量的晶粒生长材料沉积物432,这种凹陷430能够生长的晶粒的尺寸加大,也使能够用晶粒生长材料桥接的间隙的尺寸加大。
图13-16表示图3中的层302、304之间的焊接区306处能够制成的各种焊接。
在图13中,使第一层440沿着面444被焊接在相同或类似材料的第二层442上,无需使用任何焊接材料。在表面444的焊接可以是熔融焊接,或者是采用镜面抛光的表面直接焊接或接触焊接。可以采用公知的焊接技术,利用比如蓝宝石、尖晶石、刚玉、石英玻璃、硅和其他脆性绝缘材料进行这些焊接。
在图14中,利用中间焊接层450将第一层446焊接在第二层448上,给出一种反应性焊接。层450可以是任何焊接材料,但是层446、448可以由氧化铝陶瓷制成,焊接层450可以由铂制成。这可能需要在层446和448上使用中间粘合层。
在图15中,利用中间焊接层458将第一层454焊接在第二层458上。层454、456可以由单晶蓝宝石形成,可以在层454、456之间由薄膜焊料或烧结焊接形成中间焊接层458。
在图16中,利用阳极焊接468将第一层464焊接在第二层466上。所说的层464最好由硼硅酸盐玻璃(“Pyrex”)形成,而层466最好由硅形成。
可以按照需要将图5-16所示的各种替换彼此结合,以满足特定传感器应用的要求。图3中示意性显示的传感元件318可以是压力传感元件。生长的互联结构特别用于电容压力传感器,其中在凹穴的两个相对的侧面上有容性电极。传感元件318也可以包含温度传感元件如铂电阻温度计,光学传感器如光二极管,辐射传感器如微波天线元件,或者离子传感元件、磁性传感元件如霍耳(Hall)效应器件或其他公知的传感元件。
图17-18分别表示电容传感器480实施例的主视图和侧视图。图17中用虚线和点线示出传感器480的内部特征。传感器480包括第一层482和第二层484,它们焊接在一起,以在层之间形成内部凹穴485(图19所示)。在第一层482上沉积第一导电膜486,在第二层484上沉积第二导电膜488。第一和第二导电膜486、488具有隔着凹穴485彼此相对的相应第一和第二互联区490、492。
电容压力传感元件的第一部分494沉积在第一层482上的凹穴485上,与第一导电膜486电耦接。电容压力传感元件的部分494由与导电膜486同样的材料制成。电容压力传感元件的第二部分498沉积在第二层484上的凹穴485上,与第二导电膜486电耦接。第二部分498也由与导电膜488同样的材料形成。电容压力传感元件的第一和第二部分494、498包含容性电极或板,它们间隔开,并隔着凹穴485互相面对。当把压力加在传感器480的外表面上时,两层482、485中的一层或两层偏移,以移动板并改变电极或板之间的间距或间隙,于是作为压力的函数改变电极之间的电容量。
导电颗粒生长材料496被选择性沉积在互联区490、492中的至少一个上,在预定的条件下生长,以便在第一和第二互联区490、492之间形成电互联。
导电膜486包括露出于外部的焊接垫部分500、502,从而可将导线或线圈焊接在它们上,用于将传感器连接至电传感电路。
将凹穴485抽空,然后用玻璃料504密封,从而给出一种压力传感器,这是一种绝对压力传感器。在层486中形成的多条穿通导线从凹穴485内延伸至电容压力传感器480的外表面上的电接触垫500、502。在标号490、492、496处的电互联将第一容性电极498连接至穿通导线和接触垫500。
传感器480具有长条形状,从包含第一和第二容性电极494、498的第一端延伸至包含穿通导线的第二端延伸的。传感器480主体包含用于通过一个壁(未示出)安装该传感器的第一和第二端部之间的中央区。将被加压的流体加给第一端部,可在第二端部实现电连接。所述的壁将加压的流体与电连接分开。
图19示出电容压力传感器480沿图17中的线19-19的截面图。图19中的水平标尺已经失真,为的是更好地显示电容压力传感器480的特征。从图19中可以看出,互联区492沉积在台面506上,减少了要由晶粒生长材料桥接的间隙。
在图20中,压力传感模块180用于图2所示的压力变送器36。所述组件180包括两个MEMS传感器182、184。每个传感器182、184都具有围绕着中央通道或凹穴的氧化铝整体形成的梁,所述凹穴具有传感膜,它面对基本上由钽形成的沉积物所互联的各层。在传感器182、184中,传感膜处于邻近封闭端的通道内,所述传感膜的电参数随压力变化,并具有从所述通道延伸并伸出该间隙的导线。用密封物填充该导线周围的间隙。隔离杯198具有开口200,对封闭端和相对隔离端之间的梁的外表面密封。传感器182和184如图所示那样被连接到测量电路板191,这个测量电路板对与所加给的压力相关的传送电路板193提供电输出。可将传输电路193构造成与双线压力控制电路195耦合。示例性的环路195包括符合HART或域总线(Fieldbus)标准的电路。在有些实施例中,电路193和191可以完全由来自环路195的能量来供能。
在图21中,传感模块210如图所示那样包含具有隔离隔膜212,它对隔离杯216的边缘214密封。隔离隔膜212将处理流体218与隔离流体分开,该隔离流体密封在由隔离杯216和所述隔离隔膜封闭的空间内。传感器222像上面所述的那样构成,并被对隔离杯216中的开口224密封。隔离隔膜212和隔离流体220将压力耦合至传感器222,同时将该传感器与处理流体218隔离。隔离杯216具有传感器222,该传感器穿过被密封的开口224,并且使传感器222上的电连接226与加压的处理流体218和加压的隔离流体220隔离,其中隔离流体通常是硅油。所述隔离杯可以包括背板228,该板的温度膨胀系数与传感器222的温度膨胀系数非常匹配。可以将一块材料230压入隔离杯216中,材料230的温度膨胀系数用于部分地补偿隔离流体220的温度膨胀系数,以限制由于温度变化所导致的隔离隔膜212不需要有的移动。在块230和传感器222之间设有小间隙,它被用隔离流体220填充。
尽管已经按照优选实施例描述了本发明,但是本领域的技术人员可以理解,可以在形式上和细节上作出多种改变,而不致脱离本发明的精神和范围。例如,传感器的导线可以穿通多个通道而非一个通道。在使用多个通道的情况下,第一个用于密封间隙的可以被导电焊料或铜焊密封物所代替。也可以在凹穴中的台面或边缘面对侧上的互联导线的横向生长各种互联。可以用某些材料进行阳极焊接,来代替直接焊接。同时使用阳极焊接和直接焊接,利用这些方法可以省去各层之间的中间焊接材料。本申请用的术语“接触焊接”包括直接焊接和阳极焊接。导电颗粒生长材料包括钽和其他金属,以及多晶硅、导电氮化物陶瓷、导电金属氧化物、硅化物和多种II-IV族化合物。术语“晶粒生长”在本领域是公知的,它与晶粒边界的表面能所驱动的生长过程有关。1993年10月26日的名为《Physical Metallurgy Principles》一书第251-269页,以及1990年1月9日的名为《Introduction to Ceramics》一书第448-461页都给出晶粒生长的示例解释;这里将它们引为参考文献。

Claims (19)

1.一种微机电系统(MEMS)传感器,包括:
第一和第二层,它们焊接在一起并在各层之间形成凹穴;
第一和第二导电膜,它们沉积所述第一和第二层上,所述第一和第二导电膜具有隔着凹穴彼此面对的第一和第二互联区;
传感元件,沉积在所述凹穴中,并所述与第一导电膜电耦接;
导电晶粒生长材料,选择性地沉积在至少一个互联区上,并在预定的条件下生长,从而在所述第一和第二互联区之间形成电互联。
2.如权利要求1所述的传感器,其中,至少所述的一层包含形成至少部分凹穴的凹槽。
3.如权利要求1所述的传感器,其中,所述导电晶粒生长材料包括钽。
4.如权利要求1所述的传感器,其中,还包括焊接在所述第一层和第二层之间的隔离层,它至少形成部分凹穴。
5.如权利要求1所述的传感器,其中,所述第一和第二层当中的至少一个包含与第一和第二互联区之一对准的台面。
6.如权利要求1所述的传感器,其中,所述第一和第二层当中的至少一个包含与第一和第二互联区之一对准的凹陷,其中晶粒生长材料的供给沉积在所述凹陷中。
7.如权利要求1所述的传感器,其中,所述传感元件包括压力传感元件。
8.如权利要求7所述的传感器,其中,所述压力传感器包括电容压力传感元件。
9.如权利要求8所述的传感器,其中,还包括由与导电膜相同材料制成的电容压力传感器。
10.如权利要求9所述的传感器,其中,所述电容压力传感元件包含沉积在所述第一层上的第一容性电极和沉积在所述第二层上的第二容性电极,第一和第二容性电极隔着所述凹穴被彼此分开,用以监测所述第一和第二层之间的偏移。
11.如权利要求10所述的传感器,其中,所述第一和第二导电膜之一包含多条穿通导线,它们从所述凹穴内延伸至电容压力传感器外表面上的电接触垫。
12.如权利要求11所述的传感器,其中,所述电互联将第一容性电极与第二层上的穿通导线连接起来。
13.一种压力变送器,其中,包括如权利要求1所述的MEMS传感器。
14.如权利要求13所述的压力变送器,其中,还包括将压力耦合至所述MEMS传感器的处理流体隔离器。
15.如权利要求1所述的传感器,其中,所述晶粒生长材料包括金属。
16.一种制造传感器的方法,其中,包括如下步骤:
形成传感器主体的第一和第二层,其中第一层和第二层当中至少一个包含凹槽部分;
至少在所述第一层上沉积导电膜;
在第二层上沉积导线;
在所述导线或所述导电膜中的至少一个上沉积导电晶粒生长材料;
将所述第一和第二层焊接在一起,其中部分导线与部分导电膜在导电晶粒生长材料的沉积物处对准,并彼此分开;
加热导电晶粒生长材料,以在所述导电膜与导线之间的空间内生长出互联。
17.如权利要求16所述的方法,其中,还包括在所述第一和第二层当中至少一个内形成台面,所述台面与所述导电晶粒生长材料的沉积物对准的步骤。
18.一种微机电系统(MEMS),其中,它包括:
由至少第一和第二层结合在一起形成的主体,该主体在所述第一和第二层彼此面对的两面之间形成凹穴;
在一个所述面对的面上沉积的第一导体;
在另一个所述面对的面上沉积的第二导体;
至少放置在一个导体上的导电晶粒生长材料沉积物,它在预定条件下生长晶粒,在导体之间形成互联。
19.如权利要求18所述的设备,其中,所述设备被加热,实现导电晶粒生长材料的生长,形成互联。
CNB018033695A 2000-01-06 2001-01-05 微机电系统(mems)用的电互联的晶粒生长 Expired - Fee Related CN1151367C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17479800P 2000-01-06 2000-01-06
US60/174,798 2000-01-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1394276A true CN1394276A (zh) 2003-01-29
CN1151367C CN1151367C (zh) 2004-05-26

Family

ID=22637570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB018033695A Expired - Fee Related CN1151367C (zh) 2000-01-06 2001-01-05 微机电系统(mems)用的电互联的晶粒生长

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6516671B2 (zh)
EP (1) EP1244900B1 (zh)
JP (1) JP3620795B2 (zh)
CN (1) CN1151367C (zh)
AU (1) AU2629901A (zh)
DE (1) DE60108217T2 (zh)
WO (1) WO2001050106A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102099664A (zh) * 2008-03-26 2011-06-15 皮埃尔·邦纳特 用于能够利用人的呼吸控制设备的微电机系统检测器的方法和系统

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040099061A1 (en) * 1997-12-22 2004-05-27 Mks Instruments Pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures
US8701015B2 (en) * 2008-03-26 2014-04-15 Pierre Bonnat Method and system for providing a user interface that enables control of a device via respiratory and/or tactual input
US7739061B2 (en) * 1999-02-12 2010-06-15 Pierre Bonnat Method and system for controlling a user interface of a device using human breath
US10216259B2 (en) * 2000-02-14 2019-02-26 Pierre Bonnat Method and system for processing signals that control a device using human breath
US9116544B2 (en) * 2008-03-26 2015-08-25 Pierre Bonnat Method and system for interfacing with an electronic device via respiratory and/or tactual input
US20130060355A9 (en) * 2000-02-14 2013-03-07 Pierre Bonnat Method And System For Processing Signals For A MEMS Detector That Enables Control Of A Device Using Human Breath
JP3814164B2 (ja) * 2000-06-28 2006-08-23 ウエスチングハウス・エヤー・ブレーキ・テクノロジーズ・コーポレイション 鉄道車両用の段階解除弁及びブレーキ圧力の段階解除を行うために鉄道車両のブレーキを制御する方法
US6471853B1 (en) 2000-11-22 2002-10-29 Pti Technologies, Inc. Prognostic health monitoring of fluidic systems using MEMS technology
GB0122165D0 (en) * 2001-09-13 2001-10-31 Randox Lab Ltd Method of sealing electrodes
US6940636B2 (en) * 2001-09-20 2005-09-06 Analog Devices, Inc. Optical switching apparatus and method of assembling same
US6893574B2 (en) * 2001-10-23 2005-05-17 Analog Devices Inc MEMS capping method and apparatus
US20050029109A1 (en) * 2002-05-07 2005-02-10 Gang Zhang Method of electrochemically fabricating multilayer structures having improved interlayer adhesion
US20050045585A1 (en) * 2002-05-07 2005-03-03 Gang Zhang Method of electrochemically fabricating multilayer structures having improved interlayer adhesion
US7618712B2 (en) * 2002-09-23 2009-11-17 Siemens Energy, Inc. Apparatus and method of detecting wear in an abradable coating system
US8151623B2 (en) 2002-09-23 2012-04-10 Siemens Energy, Inc. Sensor for quantifying widening reduction wear on a surface
US7582359B2 (en) * 2002-09-23 2009-09-01 Siemens Energy, Inc. Apparatus and method of monitoring operating parameters of a gas turbine
US6964882B2 (en) * 2002-09-27 2005-11-15 Analog Devices, Inc. Fabricating complex micro-electromechanical systems using a flip bonding technique
US6933163B2 (en) * 2002-09-27 2005-08-23 Analog Devices, Inc. Fabricating integrated micro-electromechanical systems using an intermediate electrode layer
US20040063237A1 (en) * 2002-09-27 2004-04-01 Chang-Han Yun Fabricating complex micro-electromechanical systems using a dummy handling substrate
US6936160B2 (en) * 2002-10-28 2005-08-30 Pti Technologies, Inc. Wireless MEMS sensing device
EP1415698A1 (en) * 2002-10-28 2004-05-06 PTI Technologies, Inc. Filter device using microelectromechanical system (MEMS) sensing devices
US6927098B2 (en) 2003-05-07 2005-08-09 Honeywell International Inc. Methods and apparatus for attaching MEMS devices to housing
US7037805B2 (en) 2003-05-07 2006-05-02 Honeywell International Inc. Methods and apparatus for attaching a die to a substrate
JP3997991B2 (ja) 2004-01-14 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 電子装置
US8742944B2 (en) * 2004-06-21 2014-06-03 Siemens Energy, Inc. Apparatus and method of monitoring operating parameters of a gas turbine
US7201057B2 (en) * 2004-09-30 2007-04-10 Mks Instruments, Inc. High-temperature reduced size manometer
US7137301B2 (en) * 2004-10-07 2006-11-21 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for forming a reference pressure within a chamber of a capacitance sensor
US7141447B2 (en) * 2004-10-07 2006-11-28 Mks Instruments, Inc. Method of forming a seal between a housing and a diaphragm of a capacitance sensor
US7185545B2 (en) * 2004-12-29 2007-03-06 General Electric Company Instrumentation and method for monitoring change in electric potential to detect crack growth
US7691723B2 (en) * 2005-01-07 2010-04-06 Honeywell International Inc. Bonding system having stress control
US7204150B2 (en) * 2005-01-14 2007-04-17 Mks Instruments, Inc. Turbo sump for use with capacitive pressure sensor
US7527997B2 (en) * 2005-04-08 2009-05-05 The Research Foundation Of State University Of New York MEMS structure with anodically bonded silicon-on-insulator substrate
US20070170528A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Aaron Partridge Wafer encapsulated microelectromechanical structure and method of manufacturing same
US7624642B2 (en) * 2007-09-20 2009-12-01 Rosemount Inc. Differential pressure sensor isolation in a process fluid pressure transmitter
US8571813B2 (en) * 2010-03-16 2013-10-29 Siemens Energy, Inc. Fiber optic sensor system for detecting surface wear
US9010191B2 (en) 2011-12-22 2015-04-21 Rosemount Inc. Pressure sensor module for sub-sea applications
AU2013230135B2 (en) 2012-03-06 2015-09-24 Rosemount Inc. Remote seal pressure measurement system for subsea use
US9442031B2 (en) 2013-06-28 2016-09-13 Rosemount Inc. High integrity process fluid pressure probe
WO2015006977A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Rosemount Inc. Pressure transmitter having an isolation assembly with a two-piece isolator plug
US9459170B2 (en) 2013-09-26 2016-10-04 Rosemount Inc. Process fluid pressure sensing assembly for pressure transmitters subjected to high working pressure
US9234776B2 (en) 2013-09-26 2016-01-12 Rosemount Inc. Multivariable process fluid transmitter for high pressure applications
US10260980B2 (en) 2013-09-27 2019-04-16 Rosemount Inc. Pressure sensor with mineral insulated cable
US9222815B2 (en) 2013-12-30 2015-12-29 Rosemount Inc. Wafer style insertable magnetic flowmeter with collapsible petals
US10107700B2 (en) 2014-03-24 2018-10-23 Rosemount Inc. Process variable transmitter with process variable sensor carried by process gasket
US9638600B2 (en) 2014-09-30 2017-05-02 Rosemount Inc. Electrical interconnect for pressure sensor in a process variable transmitter
US10598559B2 (en) 2017-06-29 2020-03-24 Rosemount Inc. Pressure sensor assembly
KR102039791B1 (ko) * 2017-09-29 2019-11-01 전자부품연구원 반도체칩 실장방법 및 반도체칩 패키지
US11346698B2 (en) * 2019-06-21 2022-05-31 Sporian Microsystems, Inc. Compact pressure and flow sensors for very high temperature and corrosive fluids

Family Cites Families (220)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1648764U (de) 1952-10-06 1952-12-31 Agnes Speer Schnelleinfaedler fuer naehmaschinen-, naeh- und stopfnadeln.
US3239827A (en) 1960-01-12 1966-03-08 Rosemount Eng Co Ltd High precision pressure standard
US3079576A (en) 1961-02-01 1963-02-26 Rosemount Eng Co Ltd Integral strain transducer
US3147085A (en) 1961-09-14 1964-09-01 Gen Electric Apparatus for growing whiskers
BE635328A (zh) 1962-07-25
GB1069435A (en) 1963-05-21 1967-05-17 G V Planer Ltd Electromechanical transducer device
NL6411121A (zh) 1964-09-24 1966-03-25
US3356963A (en) 1966-06-23 1967-12-05 Willard E Buck Fused quartz motion sensitive transducer
US3405559A (en) 1966-11-07 1968-10-15 United Aircraft Corp Pressure transducer
US3440873A (en) 1967-05-23 1969-04-29 Corning Glass Works Miniature pressure transducer
US3750476A (en) 1967-09-25 1973-08-07 Bissett Berman Corp Pressure transducer
US3589965A (en) 1968-11-27 1971-06-29 Mallory & Co Inc P R Bonding an insulator to an insulator
US3696985A (en) 1969-12-31 1972-10-10 Western Electric Co Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces
USRE28798E (en) 1969-12-31 1976-05-04 Western Electric Co., Inc. Methods of and apparatus for aligning and bonding workpieces
US3743552A (en) 1970-01-30 1973-07-03 North American Rockwell Process for coplanar semiconductor structure
US3645137A (en) 1970-04-16 1972-02-29 Bendix Corp Quartz pressure sensor
DE2021479A1 (de) 1970-05-02 1971-11-11 Kleinwaechter Hans Druckmessgeraet zur Messung von Drucken in Gasen und Fluessigkeiten
IL38468A (en) 1971-02-02 1974-11-29 Hughes Aircraft Co Electrical resistance device and its production
CS153132B1 (zh) 1971-02-12 1974-02-25
US3715638A (en) 1971-05-10 1973-02-06 Bendix Corp Temperature compensator for capacitive pressure transducers
US3962921A (en) 1972-02-04 1976-06-15 The Garrett Corporation Compensated pressure transducer
US3766634A (en) 1972-04-20 1973-10-23 Gen Electric Method of direct bonding metals to non-metallic substrates
US3854892A (en) 1972-04-20 1974-12-17 Gen Electric Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic
US3744120A (en) 1972-04-20 1973-07-10 Gen Electric Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic
US3899878A (en) 1972-07-19 1975-08-19 Int Harvester Co Apparatus for indicating gas temperatures
US3834604A (en) 1972-10-03 1974-09-10 Western Electric Co Apparatus for solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium
US3939559A (en) 1972-10-03 1976-02-24 Western Electric Company, Inc. Methods of solid-phase bonding mating members through an interposed pre-shaped compliant medium
SU463643A1 (ru) 1973-01-03 1975-03-15 Ордена Ленина Предприятие П/Я А-1705 Способ изготовлени изделий
FR2246506A1 (en) 1973-10-09 1975-05-02 Podvigalkina Galina Joining of silicate glass lenses - by formation of silicate film on lens surface(s) then sintering together by IR radiation
US3858097A (en) 1973-12-26 1974-12-31 Bendix Corp Pressure-sensing capacitor
US3994430A (en) 1975-07-30 1976-11-30 General Electric Company Direct bonding of metals to ceramics and metals
US4426673A (en) 1976-03-12 1984-01-17 Kavlico Corporation Capacitive pressure transducer and method of making same
US4177496A (en) 1976-03-12 1979-12-04 Kavlico Corporation Capacitive pressure transducer
US4084438A (en) 1976-03-29 1978-04-18 Setra Systems, Inc. Capacitive pressure sensing device
US4018374A (en) 1976-06-01 1977-04-19 Ford Aerospace & Communications Corporation Method for forming a bond between sapphire and glass
US4064549A (en) 1976-08-31 1977-12-20 Metrolology General Corporation Cylindrical capacitive quartz transducer
US4158217A (en) 1976-12-02 1979-06-12 Kaylico Corporation Capacitive pressure transducer with improved electrode
US4128006A (en) 1976-12-13 1978-12-05 Bunker Ramo Corporation Packaging of pressure sensor cells
US4127840A (en) 1977-02-22 1978-11-28 Conrac Corporation Solid state force transducer
US4078711A (en) 1977-04-14 1978-03-14 Rockwell International Corporation Metallurgical method for die attaching silicon on sapphire devices to obtain heat resistant bond
US4202217A (en) 1977-12-12 1980-05-13 Kulite Semiconductor Products, Inc. Semiconductor transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas
US4208782A (en) 1977-12-12 1980-06-24 Kulite Semiconductor Products, Inc. Methods of fabricating transducers employing flat bondable surfaces with buried contact areas
SU736216A1 (ru) 1978-02-22 1980-05-25 Предприятие П/Я А-3695 Способ изготовлени газоразр дной лампы
JPS5516228A (en) 1978-07-21 1980-02-04 Hitachi Ltd Capacity type sensor
US4196632A (en) 1978-08-14 1980-04-08 The Boeing Company Dual capacitance type bonded pressure transducer
GB2034478B (en) 1978-11-07 1983-03-02 Vaisala Oy Pressure gauge having an aneroid capsule
US4278195A (en) 1978-12-01 1981-07-14 Honeywell Inc. Method for low temperature bonding of silicon and silicon on sapphire and spinel to nickel and nickel steel and apparatus using such _a bonding technique
US4274125A (en) 1979-01-23 1981-06-16 The Bendix Corporation Temperature compensated capacitance pressure transducer
JPS5937716Y2 (ja) 1979-01-31 1984-10-19 日産自動車株式会社 半導体差圧センサ
JPS5817421B2 (ja) 1979-02-02 1983-04-07 日産自動車株式会社 半導体圧力センサ
US4236137A (en) 1979-03-19 1980-11-25 Kulite Semiconductor Products, Inc. Semiconductor transducers employing flexure frames
US4216404A (en) 1979-04-12 1980-08-05 Kulite Semiconductor Products Inc. Housing and lead arrangements for electromechanical transducers
FR2455733A1 (fr) 1979-04-19 1980-11-28 Motorola Inc Capteur de pression a effet capacitif et procede de fabrication
DE2927086A1 (de) 1979-07-04 1981-01-22 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von platten- oder bandfoermigen siliziumkristallkoerpern mit einer der kolumnarstruktur gleichwertigen saeulenstruktur fuer solarzellen
US4222277A (en) 1979-08-13 1980-09-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Media compatible pressure transducer
CA1154502A (en) 1979-09-04 1983-09-27 Joseph W. Crow Semiconductor variable capacitance pressure transducer
US4301492A (en) 1980-01-28 1981-11-17 Paquin Maurice J Pressure-sensing transducer
US4382247A (en) 1980-03-06 1983-05-03 Robert Bosch Gmbh Pressure sensor
JPS56129831A (en) 1980-03-17 1981-10-12 Yokogawa Hokushin Electric Corp Pressure converter
DE3015356A1 (de) 1980-04-22 1981-10-29 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Freitragende schichten sowie verfahren zur herstellung freitragender schichten, insbesondere fuer sensoren fuer brennkraftmaschinen
DE3019635A1 (de) 1980-05-22 1981-11-26 SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München Verbesserung eines verfahrens zur herstellung von platten-, band- oder folienfoermigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen
DE3019653A1 (de) 1980-05-22 1981-11-26 SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München Verbesserung eines verfahres zur herstellung von platten-, band- oder folienfoermigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen
DE3030765C2 (de) 1980-08-14 1985-09-26 Friedrich Grohe Armaturenfabrik Gmbh & Co, 5870 Hemer Elektronisch geregeltes Mischventil
US4419142A (en) 1980-10-24 1983-12-06 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method of forming dielectric isolation of device regions
SE436936B (sv) 1981-01-29 1985-01-28 Asea Ab Integrerad kapacitiv givare
US4422335A (en) 1981-03-25 1983-12-27 The Bendix Corporation Pressure transducer
US4443293A (en) 1981-04-20 1984-04-17 Kulite Semiconductor Products, Inc. Method of fabricating transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas
US4359498A (en) 1981-04-20 1982-11-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Transducer structure employing vertically walled diaphragms with quasi rectangular active areas
WO1982003914A1 (en) 1981-05-07 1982-11-11 Taniuchi Tetsuo A temperature detector
US4389895A (en) 1981-07-27 1983-06-28 Rosemount Inc. Capacitance pressure sensor
US4456901A (en) 1981-08-31 1984-06-26 Kulite Semiconductor Products, Inc. Dielectrically isolated transducer employing single crystal strain gages
US4412203A (en) 1981-09-10 1983-10-25 Kulite Semiconductor Products, Inc. Housing and interconnection assembly for a pressure transducer
JPS5855732A (ja) 1981-09-30 1983-04-02 Hitachi Ltd 静電容量型圧力センサ
US4454765A (en) 1981-11-03 1984-06-19 Lodge Arthur S Extended range pressure transducers
GB2109099B (en) 1981-11-05 1985-07-24 Glaverbel Composite refractory articles and method of manufacturing them
NL8201222A (nl) 1982-03-24 1983-10-17 Philips Nv Verstembare fabry-perot interferometer en roentgenbeeldweergeefinrichting voorzien van een dergelijke interferometer.
US4422125A (en) 1982-05-21 1983-12-20 The Bendix Corporation Pressure transducer with an invariable reference capacitor
US4424713A (en) 1982-06-11 1984-01-10 General Signal Corporation Silicon diaphragm capacitive pressure transducer
US4535219A (en) 1982-10-12 1985-08-13 Xerox Corporation Interfacial blister bonding for microinterconnections
DE3404262A1 (de) 1983-03-09 1984-09-13 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki Kapazitiver messfuehler
US5007841A (en) 1983-05-31 1991-04-16 Trw Inc. Integrated-circuit chip interconnection system
US4479070A (en) 1983-06-10 1984-10-23 Sperry Corporation Vibrating quartz diaphragm pressure sensor
DE3324661A1 (de) 1983-07-08 1985-01-17 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zum direkten verbinden von metall mit keramik
US4517622A (en) 1983-08-29 1985-05-14 United Technologies Corporation Capacitive pressure transducer signal conditioning circuit
US4507973A (en) 1983-08-31 1985-04-02 Borg-Warner Corporation Housing for capacitive pressure sensor
JPS6051700A (ja) 1983-08-31 1985-03-23 Toshiba Corp シリコン結晶体の接合方法
US4539061A (en) 1983-09-07 1985-09-03 Yeda Research And Development Co., Ltd. Process for the production of built-up films by the stepwise adsorption of individual monolayers
NL8303109A (nl) 1983-09-08 1985-04-01 Philips Nv Werkwijze voor het aan elkaar bevestigen van twee delen.
US4572000A (en) 1983-12-09 1986-02-25 Rosemount Inc. Pressure sensor with a substantially flat overpressure stop for the measuring diaphragm
GB8401848D0 (en) 1984-01-24 1984-02-29 Carter R E Pressure transducer
US4525766A (en) 1984-01-25 1985-06-25 Transensory Devices, Inc. Method and apparatus for forming hermetically sealed electrical feedthrough conductors
US4542436A (en) 1984-04-10 1985-09-17 Johnson Service Company Linearized capacitive pressure transducer
EP0161740B1 (en) 1984-05-09 1991-06-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor substrate
US4649627A (en) 1984-06-28 1987-03-17 International Business Machines Corporation Method of fabricating silicon-on-insulator transistors with a shared element
JPS6173345A (ja) 1984-09-19 1986-04-15 Toshiba Corp 半導体装置
FI75426C (fi) 1984-10-11 1988-06-09 Vaisala Oy Absoluttryckgivare.
US4625561A (en) 1984-12-06 1986-12-02 Ford Motor Company Silicon capacitive pressure sensor and method of making
JPS61142759A (ja) 1984-12-14 1986-06-30 Ngk Spark Plug Co Ltd Icパツケ−ジ用基板
JPH0770474B2 (ja) 1985-02-08 1995-07-31 株式会社東芝 化合物半導体装置の製造方法
EP0256150B1 (en) 1986-08-13 1990-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for bonding semiconductor wafers
US4780572A (en) 1985-03-04 1988-10-25 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Device for mounting semiconductors
US4586109A (en) 1985-04-01 1986-04-29 Bourns Instruments, Inc. Batch-process silicon capacitive pressure sensor
US4764747A (en) 1985-06-19 1988-08-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Glass header structure for a semiconductor pressure transducer
NL8501773A (nl) 1985-06-20 1987-01-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
JPH0783050B2 (ja) 1985-06-21 1995-09-06 株式会社東芝 半導体素子の製造方法
US4601779A (en) 1985-06-24 1986-07-22 International Business Machines Corporation Method of producing a thin silicon-on-insulator layer
US4689999A (en) 1985-07-26 1987-09-01 The Garrett Corporation Temperature compensated pressure transducer
SU1398825A1 (ru) 1985-09-25 1988-05-30 Северо-Западный Заочный Политехнический Институт Датчик дл измерени давлени прикуса зубов
NL8600216A (nl) 1986-01-30 1987-08-17 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US4716492A (en) 1986-05-05 1987-12-29 Texas Instruments Incorporated Pressure sensor with improved capacitive pressure transducer
DE3616308C2 (de) 1986-05-14 1995-09-21 Bosch Gmbh Robert Sensor
US4703658A (en) 1986-06-18 1987-11-03 Motorola, Inc. Pressure sensor assembly
US4800758A (en) 1986-06-23 1989-01-31 Rosemount Inc. Pressure transducer with stress isolation for hard mounting
US4769882A (en) 1986-10-22 1988-09-13 The Singer Company Method for making piezoelectric sensing elements with gold-germanium bonding layers
US4773972A (en) 1986-10-30 1988-09-27 Ford Motor Company Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers
NL8700033A (nl) 1987-01-09 1988-08-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het type halfgeleider op isolator.
US5113868A (en) 1987-06-01 1992-05-19 The Regents Of The University Of Michigan Ultraminiature pressure sensor with addressable read-out circuit
US4754365A (en) 1987-06-15 1988-06-28 Fischer & Porter Company Differential pressure transducer
SU1597627A1 (ru) 1987-06-26 1990-10-07 Институт физики Земли им.О.Ю.Шмидта Датчик давлени
GB8718639D0 (en) 1987-08-06 1987-09-09 Spectrol Reliance Ltd Capacitive pressure sensors
GB8718637D0 (en) 1987-08-06 1987-09-09 Spectrol Reliance Ltd Sealing electrical feedthrough
US4774196A (en) 1987-08-25 1988-09-27 Siliconix Incorporated Method of bonding semiconductor wafers
US4852408A (en) 1987-09-03 1989-08-01 Scott Fetzer Company Stop for integrated circuit diaphragm
US4875368A (en) 1987-09-08 1989-10-24 Panex Corporation Pressure sensor system
US4929893A (en) 1987-10-06 1990-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Wafer prober
US4857130A (en) 1987-12-03 1989-08-15 Hughes Aircraft Company Temperature stable optical bonding method and apparatus obtained thereby
US4806783A (en) 1988-02-25 1989-02-21 Transducer Technologies Inc. Transducer circuit
US5068712A (en) 1988-09-20 1991-11-26 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
DE3811047A1 (de) 1988-03-31 1989-10-12 Draegerwerk Ag Fuehler zur kapazitiven messung des druckes in gasen
DE3811311C1 (zh) 1988-04-02 1989-03-09 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
US4994781A (en) 1988-04-07 1991-02-19 Sahagen Armen N Pressure sensing transducer employing piezoresistive elements on sapphire
US5174926A (en) 1988-04-07 1992-12-29 Sahagen Armen N Compositions for piezoresistive and superconductive application
NL8800953A (nl) 1988-04-13 1989-11-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam.
US5197892A (en) 1988-05-31 1993-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Electric circuit device having an electric connecting member and electric circuit components
EP0355340A1 (en) 1988-07-04 1990-02-28 Hiroaki Aoshima Process for producing structures by bonding together synthetic corundum single crystals
JPH02124800A (ja) 1988-07-04 1990-05-14 Hiroaki Aoshima 一体同化した合成コランダムの単結晶構造体の製造方法
DE3822966C2 (de) 1988-07-07 1993-09-30 Degussa Verwendung einer Silberlegierung als Lot zum direkten Verbinden von Keramikteilen
DE3901492A1 (de) 1988-07-22 1990-01-25 Endress Hauser Gmbh Co Drucksensor und verfahren zu seiner herstellung
US4879903A (en) 1988-09-02 1989-11-14 Nova Sensor Three part low cost sensor housing
FR2638524B1 (fr) 1988-10-27 1994-10-28 Schlumberger Prospection Capteur de pression utilisable dans les puits de petrole
US4883215A (en) 1988-12-19 1989-11-28 Duke University Method for bubble-free bonding of silicon wafers
US4954925A (en) 1988-12-30 1990-09-04 United Technologies Corporation Capacitive sensor with minimized dielectric drift
SU1629763A1 (ru) 1989-02-12 1991-02-23 Предприятие П/Я А-1891 Способ изготовлени емкостного датчика давлени
NL8900388A (nl) 1989-02-17 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze voor het verbinden van twee voorwerpen.
DE3909185A1 (de) 1989-03-21 1990-09-27 Endress Hauser Gmbh Co Kapazitiver drucksensor und verfahren zu seiner herstellung
US5087124A (en) 1989-05-09 1992-02-11 Smith Rosemary L Interferometric pressure sensor capable of high temperature operation and method of fabrication
JPH0355822A (ja) 1989-07-25 1991-03-11 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体素子形成用基板の製造方法
US5201977A (en) 1989-08-09 1993-04-13 Hiroaki Aoshima Process for producing structures from synthetic single-crystal pieces
JPH0636414B2 (ja) 1989-08-17 1994-05-11 信越半導体株式会社 半導体素子形成用基板の製造方法
US4972717A (en) 1989-09-18 1990-11-27 Texas Instruments Incorporated Pressure transducer apparatus and method for making same
US5044202A (en) 1989-09-18 1991-09-03 Texas Instruments Incorporated Pressure transducer apparatus
JPH03170826A (ja) 1989-11-29 1991-07-24 Toshiba Corp 容量型圧力センサ
US5001934A (en) 1990-01-02 1991-03-26 Walbro Corporation Solid state pressure sensor
US5050034A (en) 1990-01-22 1991-09-17 Endress U. Hauser Gmbh U. Co. Pressure sensor and method of manufacturing same
JPH0719737B2 (ja) 1990-02-28 1995-03-06 信越半導体株式会社 S01基板の製造方法
DE69126153T2 (de) 1990-02-28 1998-01-08 Shinetsu Handotai Kk Verfahren zur Herstellung von verbundenen Halbleiterplättchen
JPH0636413B2 (ja) 1990-03-29 1994-05-11 信越半導体株式会社 半導体素子形成用基板の製造方法
DE4011901A1 (de) 1990-04-12 1991-10-17 Vdo Schindling Kapazitiver drucksensor
EP0456060B1 (en) 1990-04-27 1995-09-13 Hiroaki Aoshima Process for bonding synthetic singel crystals
US5088329A (en) 1990-05-07 1992-02-18 Sahagen Armen N Piezoresistive pressure transducer
CN1018844B (zh) 1990-06-02 1992-10-28 中国科学院兰州化学物理研究所 防锈干膜润滑剂
NL9001301A (nl) 1990-06-08 1992-01-02 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een supergeleiderinrichting.
US5084123A (en) 1990-07-02 1992-01-28 Hughes Aircraft Company Temperature stable optical bonding method and apparatus
US5326726A (en) 1990-08-17 1994-07-05 Analog Devices, Inc. Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
US5189916A (en) 1990-08-24 1993-03-02 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Pressure sensor
JP2724419B2 (ja) 1990-08-28 1998-03-09 日本特殊陶業株式会社 圧力センサ
JP2718563B2 (ja) 1990-08-28 1998-02-25 日本特殊陶業株式会社 圧力検出器
JPH0719739B2 (ja) 1990-09-10 1995-03-06 信越半導体株式会社 接合ウェーハの製造方法
DE4031791A1 (de) 1990-10-08 1992-04-09 Leybold Ag Sensor fuer ein kapazitaetsmanometer
US5123849A (en) 1990-11-15 1992-06-23 Amp Incorporated Conductive gel area array connector
US5094109A (en) 1990-12-06 1992-03-10 Rosemount Inc. Pressure transmitter with stress isolation depression
US5157972A (en) 1991-03-29 1992-10-27 Rosemount Inc. Pressure sensor with high modules support
US5261999A (en) 1991-05-08 1993-11-16 North American Philips Corporation Process for making strain-compensated bonded silicon-on-insulator material free of dislocations
US5155061A (en) 1991-06-03 1992-10-13 Allied-Signal Inc. Method for fabricating a silicon pressure sensor incorporating silicon-on-insulator structures
US5133215A (en) 1991-06-19 1992-07-28 Honeywell Inc. Pressure transmitter assembly having sensor isolation mounting
US5178015A (en) 1991-07-22 1993-01-12 Monolithic Sensors Inc. Silicon-on-silicon differential input sensors
FR2679651B1 (fr) 1991-07-26 1993-11-12 Schlumberger Services Petroliers Couche mince extensometrique en cermet a base de tantale et de nitrate de tantale, son procede de preparation et son utilisation dans un capteur de pression.
US5231301A (en) 1991-10-02 1993-07-27 Lucas Novasensor Semiconductor sensor with piezoresistors and improved electrostatic structures
US5319324A (en) 1991-10-02 1994-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of direct bonding of crystals and crystal devices
US5227068A (en) 1991-10-25 1993-07-13 Eco-Soil Systems, Inc. Closed apparatus system for improving irrigation and method for its use
EP0547684A3 (en) 1991-12-18 1996-11-06 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing a semiconductor body comprising a carrier wafer and a monocrystalline semiconducting top layer
US5271277A (en) 1991-12-23 1993-12-21 The Boc Group, Inc. Capacitance pressure transducer
JP2896725B2 (ja) 1991-12-26 1999-05-31 株式会社山武 静電容量式圧力センサ
US5214563A (en) 1991-12-31 1993-05-25 Compaq Computer Corporation Thermally reactive lead assembly and method for making same
US5326729A (en) 1992-02-07 1994-07-05 Asahi Glass Company Ltd. Transparent quartz glass and process for its production
US6140143A (en) 1992-02-10 2000-10-31 Lucas Novasensor Inc. Method of producing a buried boss diaphragm structure in silicon
FR2687777B1 (fr) 1992-02-20 1994-05-20 Sextant Avionique Micro-capteur capacitif a faible capacite parasite et procede de fabrication.
US5287746A (en) 1992-04-14 1994-02-22 Rosemount Inc. Modular transmitter with flame arresting header
JP2601128B2 (ja) 1992-05-06 1997-04-16 松下電器産業株式会社 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板
US5236118A (en) 1992-05-12 1993-08-17 The Regents Of The University Of California Aligned wafer bonding
US5242864A (en) 1992-06-05 1993-09-07 Intel Corporation Polyimide process for protecting integrated circuits
US5189591A (en) 1992-06-12 1993-02-23 Allied-Signal Inc. Aluminosilicate glass pressure transducer
EP0579298B1 (en) 1992-06-15 1997-09-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a plate having a plane main surface, method of manufacturing a plate having parallel main surfaces, and device suitable for implementing said methods
US5294760A (en) 1992-06-23 1994-03-15 The Regents Of The University Of California Digital pressure switch and method of fabrication
EP0654141B1 (en) 1992-08-10 1999-07-07 Dow Deutschland Inc. Adaptor for mounting a pressure sensor to a gas turbine housing
US5228862A (en) 1992-08-31 1993-07-20 International Business Machines Corporation Fluid pressure actuated connector
JP3057924B2 (ja) 1992-09-22 2000-07-04 松下電器産業株式会社 両面プリント基板およびその製造方法
US5332469A (en) 1992-11-12 1994-07-26 Ford Motor Company Capacitive surface micromachined differential pressure sensor
US5314107A (en) 1992-12-31 1994-05-24 Motorola, Inc. Automated method for joining wafers
JP2852593B2 (ja) 1993-03-11 1999-02-03 株式会社山武 静電容量式圧力センサ
US5369544A (en) 1993-04-05 1994-11-29 Ford Motor Company Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor
JP3087152B2 (ja) 1993-09-08 2000-09-11 富士通株式会社 樹脂フィルム多層回路基板の製造方法
US5606513A (en) 1993-09-20 1997-02-25 Rosemount Inc. Transmitter having input for receiving a process variable from a remote sensor
US5483834A (en) 1993-09-20 1996-01-16 Rosemount Inc. Suspended diaphragm pressure sensor
US5424650A (en) 1993-09-24 1995-06-13 Rosemont Inc. Capacitive pressure sensor having circuitry for eliminating stray capacitance
JP3111816B2 (ja) 1993-10-08 2000-11-27 株式会社日立製作所 プロセス状態検出装置
DE4342890A1 (de) 1993-12-16 1995-06-22 Mannesmann Kienzle Gmbh Verfahren zum Abdichten herstellprozeßbedingter Öffnungen an mikromechanischen Beschleunigungssensoren
US5466630A (en) 1994-03-21 1995-11-14 United Microelectronics Corp. Silicon-on-insulator technique with buried gap
US5437189A (en) 1994-05-03 1995-08-01 Motorola, Inc. Dual absolute pressure sensor and method thereof
US5471884A (en) 1994-07-05 1995-12-05 Motorola, Inc. Gain-adjusting circuitry for combining two sensors to form a media isolated differential pressure sensor
CA2198909A1 (en) 1994-09-02 1996-03-14 Robert Z. Obara Ultra miniature pressure sensor and guidewire using the same and method
US5479827A (en) 1994-10-07 1996-01-02 Yamatake-Honeywell Co., Ltd. Capacitive pressure sensor isolating electrodes from external environment
US5528452A (en) 1994-11-22 1996-06-18 Case Western Reserve University Capacitive absolute pressure sensor
US5637802A (en) 1995-02-28 1997-06-10 Rosemount Inc. Capacitive pressure sensor for a pressure transmitted where electric field emanates substantially from back sides of plates
US5731522A (en) 1997-03-14 1998-03-24 Rosemount Inc. Transmitter with isolation assembly for pressure sensor
JP3239940B2 (ja) 1997-09-10 2001-12-17 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5982608A (en) 1998-01-13 1999-11-09 Stmicroelectronics, Inc. Semiconductor variable capacitor
US6126889A (en) 1998-02-11 2000-10-03 General Electric Company Process of preparing monolithic seal for sapphire CMH lamp
JP3339565B2 (ja) 1998-09-29 2002-10-28 株式会社山武 圧力センサ
US6131462A (en) 1998-12-18 2000-10-17 Delaware Capital Formation, Inc. Pressure/temperature transducer with improved thermal coupling and enhanced transient response

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102099664A (zh) * 2008-03-26 2011-06-15 皮埃尔·邦纳特 用于能够利用人的呼吸控制设备的微电机系统检测器的方法和系统
CN102099664B (zh) * 2008-03-26 2013-04-17 皮埃尔·邦纳特 用于能够利用人的呼吸控制设备的微电机系统检测器的方法和系统
US8976046B2 (en) 2008-03-26 2015-03-10 Pierre Bonnat Method and system for a MEMS detector that enables control of a device using human breath

Also Published As

Publication number Publication date
EP1244900A1 (en) 2002-10-02
US6516671B2 (en) 2003-02-11
JP2003519378A (ja) 2003-06-17
CN1151367C (zh) 2004-05-26
AU2629901A (en) 2001-07-16
DE60108217T2 (de) 2005-12-29
DE60108217D1 (de) 2005-02-10
JP3620795B2 (ja) 2005-02-16
EP1244900B1 (en) 2005-01-05
US20030010131A1 (en) 2003-01-16
WO2001050106A1 (en) 2001-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1151367C (zh) 微机电系统(mems)用的电互联的晶粒生长
EP1244898B1 (en) Sapphire pressure sensor beam with gold germanium isolation braze joint
EP0577720B1 (en) Pressure sensor with high modulus support
EP1244899B1 (en) Method and apparatus for a direct bonded isolated pressure sensor
EP2082205B1 (en) Transducer for use in harsh environments
CN1125975C (zh) 压力传感器及其制造方法
US8261618B2 (en) Device for measuring properties of working fluids
EP3029443B1 (en) Case isolated oil filled mems pressure sensor
US20030033884A1 (en) Simplified capacitance pressure sensor
US20130069181A1 (en) Encapsulation structure for silicon pressure sensor
EP2873958B1 (en) Capacitive pressure sensors for high temperature applications
US20200064216A1 (en) Pressure sensors and methods of making pressure sensors
JP7208414B2 (ja) 圧力センサのセンサボディセル及び差圧センサ
CN111157762B (zh) 一种高灵敏度纳米线加速度传感器
US20220404224A1 (en) Sensor Device for Determining Differential Pressure in Liquid or Gaseous Media
CN111289149A (zh) 具有外部竖直电互连系统的压力传感器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20040526

Termination date: 20170105