CN1397830A - 有源矩阵基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

在用来通过覆盖着薄膜晶体管(TFT)的保护膜上形成使TFT的源电极和象素电极之间彼此连接的接触通孔的步骤中，随后形成的接触通孔的位置被设计成与保护膜上形成开口的外涂层的开口位置间隔不少于2.0微米。这种构造迫使酚醛清漆型的光敏抗蚀涂层的开口位于外涂层的开口的位置之内，所以通过在保护膜上形成的接触通孔可以具有决不受外涂层的开口影响的锥形截面轮廓，从而为源电极和象素电极之间稳定的连接创造条件。

Description

有源矩阵基板的制造方法
本发明的技术领域
本发明涉及用来制造在液晶显示器器件中使用的有源矩阵基板的方法，更具体地说涉及用来制造备有彩色滤光片(CF)的薄膜晶体管(TFT)基板的方法。
本发明的现有技术
在传统的扭转向列型(TN)液晶彩显器件中，液晶插在TFT基板和彩色滤光片(CF)基板之间。在这种液晶显示器件中，为了防止显示图像恶化(衰减)，黑色基底通常是在CF基板上提供的。考虑到CF基板和TFT基板之间的不重合，黑色基底必须做得足够宽，以便可靠地阻止光线穿过液晶泄漏。因此，液晶显示器件的孔径比变小而且其透明度变低。
作为用来解决上述问题增大孔径比的一种技术，日本专利申请第10-351637号(在下文中称之为传统实例)揭示了一种在TFT上制造彩色滤光片(备有彩色滤光片的TFT)的方法。图1和图2是备有CF的TFT基板的剖视图，其中TFT是受钝化膜保护的并且被用作开关元件，它们图解说明了这样的TFT的制造步骤。备有CF的TFT的结构将参照图1和图2予以描述。
首先，通过蚀刻形成沟道的TFT 160是在透明的绝缘基板51上形成的，而包括TFT 160在内的整个基板表面都被钝化膜58覆盖着。举例说，钝化膜58是通过利用等离子体CVD沉积氮化硅形成的(图1A)。
接下来，通过将红色颜料分散在丙烯酸树脂中获得的负型光致固化的彩色抗蚀剂被旋涂到透明绝缘基板51上。调节旋涂器的旋转速度使抗蚀涂层的薄膜厚度大约为1.2微米。然后，在预烘烤步骤中将上面已形成抗蚀剂涂层的基板放在热板上在80°的温度下加热两分钟，然后让它曝光，进而在TMAH(氢氧化四甲基銨)溶液中显影，以便在基板51上相关的部分中形成红色滤光片163(图1B)。在这种情况下，红色滤光片163是这样形成的，以致红色滤光片不在钝化膜58的那个随后将在钝化膜上形成第三开口的部分62上形成。然后，在清洁的烘箱中将基板51在220°的温度下烘烤60分钟，以使红色滤光片163固化。
此后，绿色滤光片263将按照与形成红色滤光片相同的方式在形成不同于红色滤光片的彩色滤光片的另一个象素中形成。基板51在烘箱中在220°的温度下烘烤60分钟，以获得绿色滤光片263。蓝色滤光片363也是按照与形成红色滤光片的情况相同的方式形成的。
接下来，在完成彩色滤光片的成形之后，形成黑色基底64(图1C)。黑色基底64是由树脂构成的，该树脂是由在丙烯酸树脂中分散碳黑或颜料而制成的。例如，这种粘度大约为20厘泊的材料被旋涂在透明的绝缘基板51上以便具有大约为1.5微米的薄膜厚度，然后这种材料被显影。在这种情况下，黑色基底不在基板51的那个在后面的步骤中将形成通孔的接触的部分上形成。
为了使基板51的表面变得平坦，涂布外涂层65，然后通过显影使之具有第一开口66。基板51在220至230°的温度下被烘烤60分钟，以使外涂层15固化。在这种情况下，外涂层通过烘烤被熔融，因此具有形状类似于大曲率圆弧的横截面轮廓(图2A)。
然后，涂布酚醛清漆型光敏抗蚀涂层67并且在该涂层上形成具有第二开口68的图案。然后，利用酚醛清漆型光敏抗蚀涂层67作为光刻掩膜蚀刻钝化膜58，借此在钝化膜58中形成第三开口69(图2B)。
在完成外涂层65和第三开口69的成形之后，酚醛清漆型光敏抗蚀涂层67被除去，而作为象素电极的透明的导电膜通过阴极溅镀透明材料形成，它覆盖着上述各组成部分，然后该透明的导电膜被饰以形成象素电极70的图案(图2C)。在这种情况下，当所形成的透明的导电膜较厚时，象素电极70能够更安全地覆盖相关的部分，借此实现象素电极70和漏极57之间的稳定的电连接。但是，考虑到处理ITO(氧化铟锡)膜时容易操作，优选的是将ITO(氧化铟锡)膜沉积到大约100纳米的薄膜厚度。
按照这个传统的实例，酚醛清漆型光敏抗蚀涂层是涂在形状像圆弧的外涂层上，并且被饰以图案，以便穿过形成图案的抗蚀涂层在钝化膜中形成开口，以致象素电极和漏极能够穿过该开口被连接起来。在这种情况下，第二开口68被设计成在相对于第一开口66具有1微米的合轴允差的时候把第一开口66包括在其中。但是，在校准步骤中第二开口68由于在制造过程期间引起的变化实际上不时地被定位在第一开口66内部。这种现象使酚醛清漆型光敏抗蚀涂层的第二开口68的内壁表面在抗蚀涂层和钝化膜之间的界面处，沿着外涂层的第一开口66按大体上垂直于基板51的表面的方向矗立。所以，在这个部分，钝化膜的第三开口的横截面轮廓大体上垂直于基板51的表面，从而促使沿着第三开口69象素电极的横截面轮廓退化，于是令人遗憾地在象素电极和漏极之间产生不稳定的连接阻抗。
本发明的概述
本发明的目的是提供一种用来制造有源矩阵基板的方法，更详细地说是提供制造上面有彩色滤光片的TFT基板的方法，该方法允许在源/漏极和接在它上面的象素电极之间的连接阻抗稳定地变低。
按照本发明构成的制造有源矩阵基板的方法可以按下述步骤予以完成。换言之，薄膜晶体管和线路是在透明的绝缘基板上形成的，而覆盖薄膜晶体管和线路的保护膜也是在透明的绝缘基板上形成的，然后第一感光膜是在曾曝光的保护膜上形成的，该第一感光膜有把保护膜的第一区域的一部分暴露出来的第一开口。此后，第二感光膜是在有位于第一开口内部的第二开口把保护膜的一部分暴露出来的第一感光膜上形成的，而第三开口是在保护膜上形成的。在这种情况下，第三开口是这样用第二感光膜作为光刻掩膜通过除去一部分保护膜把线路的一部分暴露出来而形成的，以致第三开口的边缘与第一开口的内壁相分开，以厚度至少等于第二感光膜的膜厚的距离除去第二感光膜，以便把第一感光膜暴露出来。然后，在第一感光膜上形成导电膜，以便穿过第三开口接到线路上，最后在导电膜中形成图案，以便形成由导电膜制成的上层线路。
如上所述，为了具有锥形横截面轮廓，在第二感光膜中形成第二开口的情况下，第三开口也可以在保护膜上形成，以便具有锥形的横截面轮廓，从而使穿过第三开口彼此连接的线路和上层线路之间的连接稳定。
附图简要说明
图1A、1B和1C是传统有源矩阵基板的剖面图，它们按照制造步骤的顺序图解说明用来制造有源矩阵基板的传统方法。
图2A、2B和2C是图1C所示步骤之后的剖视图。
图3是按照本发明的第一至第四实施方案构成的有源矩阵基板的剖视图。
图4是有源矩阵基板的电路图。
图5A是在按照本发明制造有源矩阵基板的方法中使用的有源矩阵基板的象素平面图，而图5B是图解说明黑色基底在象素内的位置的有源矩阵基板的象素平面图。
图6A、6B和6C是用来按照制造步骤的顺序图解说明依照本发明的第一至第四实施方案制造有源矩阵基板的方法的传统的有源矩阵基板的剖面图。
图7A、7B和7C是图6A所示步骤之后的剖面图。
图8A和8B是图7C所示步骤之后的剖面图。
图9A是按照本发明的第五实施方案制造的有源矩阵基板的象素平面图，图9B是同样的基板沿着图9A的B-B’线切开的剖视图。
优选实施方案的详细说明
这项发明的第一实施方案将参照图3至图8予以描述。
参照图3，栅极102是在透明的绝缘基板1上形成的，而覆盖着栅极的栅极绝缘薄膜3也是在基板1上形成的。面对栅极102的半导体层4是在栅极绝缘薄膜3上形成的，而漏极106和源电极7在半导体层4的中心位置上形成的在彼此分开时，分别经由电阻接触层5被接到半导体层4上。在这种情况下，电阻接触层5仅仅是借助蚀刻除去在源电极7和漏极106之间的那部分电阻接触层，在半导体层4和源/漏电极(106和7)之间形成的。
钝化膜8的形成，使它覆盖着TFT的那个通过除去电阻接触层的相关部分在基板1上形成的沟道部分，并且有第三开口19把源电极7和象素电极20彼此连接起来。
第三开口19和外涂层的第一开口16之间的位置关系在形成具有锥形壁面的第三开口时变得如此重要。如图3所示，在第三开口19的位置离开外涂层的第一开口16不足2微米的情况下，下述现象有可能被观察到。换言之，第二开口是在酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17中形成的，它由于受外涂层15的第一开口16的横截面轮廓的影响具有弧形的横截面轮廓(参照图2B所示的第二开口68)。因此，酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17的第二开口的横截面轮廓在抗蚀涂层和钝化膜8之间的边界处大体上垂直于基板，所以在钝化膜8中形成的第三开口19没有锥形的横截面轮廓。
代表红、绿、蓝中任何一种颜色的彩色滤光片13是在把第三开口19排除在外并且对应于每个象素的显示区域的钝化膜8上形成的。此外，黑色基底14是在与包括TFT的栅极线相对应的那部分钝化膜8上形成的，而外涂层15是在把第三开口19排除之外的钝化膜的部分上形成的。
图4是有源矩阵基板的电路图。栅极线202从栅极端302延伸出来并且被接到组成排列在矩阵之中的诸象素之一的TFT 10的栅极上。另一方面，为TFT 10提供信号的漏极线206从漏极引出端107延伸出来。液晶44被注入在有源矩阵基板和面对有源矩阵基板设置的对置基板之间的空间，而每个象素的象素电极和在对置基板上形成的公用电极组成把液晶44插入其间作为电介质材料的象素电容器45。
图6至8图解说明按照本发明的第一实施方案构成的各个制造步骤。
如图6A所示，栅极102、栅极绝缘膜3、半导体层4、电阻接触层5、漏极106、源电极7和钝化膜8是在透明的绝缘基板1上形成的。
然后，如图6B所示，通过把颜料分散在溶剂中获得的并且可溶于碱性显影剂的光致固化的丙烯酸树脂被用作彩色抗蚀剂，并且将该彩色抗蚀剂在基板上旋涂到大约1.2微米的厚度。作为预烘烤步骤将该基板在80°的温度下加热两分钟之后，该抗蚀涂层被曝光并且在碱性显影剂(TMAH)中显影。在这种情况下，如图6B所示，彩色抗蚀涂层不在钝化膜8的那个在后续步骤中将形成第三开口的部分12上形成。
上面有组成图案的彩色抗蚀涂层的基板被放在事先被加热到220°的烘箱中，以使彩色抗蚀涂层固化。通过这些步骤，红色的滤光片113形成。在这个实施方案中，在形成红色滤光片之前不形成黑色基底，所以红色滤光片的残留物决不会产生。理由如下，换言之，当诸如黑色基底之类的由同样构成红色滤光片的材料组成的有机薄膜，在形成红色滤光片113之前已形成的情况下，红色滤光片113是附着在打底层上形成的，因此上面有时在其上产生滤光片的残留物。
在以与形成红色滤光片所用的方法相同的方法形成绿色滤光片213b(图6C)和蓝色滤光片313(图7A)之后，形成黑色基底14，以便为晶体管和在象素中打算屏蔽起来的其它外围部分遮挡光线(图7B)。黑色基底14是作为把碳黑或颜料分散在丙烯酸树脂中获得的树脂型黑色基底使用的。在这个实施方案中，粘度大约为20厘泊(cp)的材料在基板上被旋涂到大约1.5微米的厚度，然后形成图案以便不在将形成第三开口的那部分钝化膜上形成黑色基底14。
在后形成的第三开口周围的表面暴露在外面的钝化膜8经受表面处理之后，外涂层15被涂在基板上，然后显影以便在后形成的钝化膜的第三开口曝光的时候在外涂层15上形成第一开口16。为了改善外涂层对钝化膜的粘着，表面处理被应用于钝化膜8并且是用硅烷偶合剂完成的。
为了具有1.5至4.0微米的薄膜厚度把酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17涂在基板上，然后显影以便具有相关的图案，接下来用酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17作为光刻掩膜蚀刻钝化膜8(图8A)。在这种情况下，当在酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17中形成具有锥形横截面轮廓的第二开口18时，酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17的第二开口18与外涂层15的第一开口之间的位置关系变得如此重要。
如图8A所示，第二开口18应该与外涂层15的第一开口16分开一定的距离，该距离至少等于酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17的薄膜厚度，即“L”(在酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17的涂层厚度为1.5微米的情况下，第二开口18与第一开口16之间的间隔被设计为2.0微米，以便确保第二开口18与第一开口16对准。否则，将发生下述令人不快的现象。即，酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17的第二开口18的形成具有圆弧状的横截面轮廓，这是由于受外涂层15的第一开口16的横截面轮廓影响的结果。因此，酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17的第二开口18的横截面轮廓在抗蚀涂层和钝化膜8之间的边界处，变成沿着第一开口大体上垂直于基板的方向，所以在钝化膜8中形成的第三开口19可能没有锥形的横截面轮廓。
此外，为了在抗蚀涂层已被显影之后使酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17的溶剂蒸发，后期烘烤必须在20至120°的温度下持续3至10分钟。因此，为了在抗蚀涂层和钝化膜8之间的边界处具有锥形的横截面轮廓，第二开口可以在酚醛清漆型抗蚀涂层17中形成，所以为了具有横截面轮廓为锥形的第三开口19，钝化膜将被蚀刻。如同前面描述的那样构成的第三开口19使得在象素电极20和源电极7之间保持低连接阻抗并获得高质量的有源矩阵基板成为可能。
如上所述，按照本发明构成的制造有源矩阵基板的方法具有下述特征：在树脂型黑色基底、彩色抗蚀涂层和外涂层被用来在TFT基板(即有源矩阵基板)上形成彩色滤光片的情况下，在形成外涂层之后、在钝化膜中形成接触孔的步骤中，酚醛清漆型光敏抗蚀涂层形成具有锥形的横截面轮廓，而不会受到在外涂层中形成的带有圆弧形横截面轮廓的第一开口的影响。
按照本发明构成的制造有源矩阵基板的方法，在制造既不包括黑色基底也不包括彩色抗蚀涂层的有源矩阵基板时也是如此有效的，因此可以应用于通过在TFT基板上形成用有机膜制成的外涂层构成的任何基板。
按照第一实施方案构成的方法将在下面予以更详细地描述。图6至8图解说明按照制造步骤的顺序沿着图5A的A-A’切开的有源矩阵基板的剖面图。
首先，蚀刻沟道型(channel-etching-type)TFT 110是在透明的绝缘基板1上形成的，而钝化膜8是在基板1的整个表面上形成的，它覆盖着蚀刻沟道型TFT 110。钝化膜8，例如，可以是由借助等离子体CVD形成的氮化硅薄膜制成(图6A)。
随后，通过把红色颜料分散在丙烯酸树脂中获得的负型光致固化的彩色抗蚀剂被旋涂在透明的绝缘基板上。将旋涂器的旋转速度调节到使抗蚀涂层的薄膜厚度大约为1.2微米。然后，在预烘烤步骤中将上面已形成抗蚀涂层的基板放到热板上在80°的温度下加热两分钟，接下来进行曝光和在TMAH(氢氧化四甲基銨)溶液中显影，以便在基板上的相关部分中形成红色滤光片113。在这种情况下，红色滤光片113不在钝化膜8的那个以后将形成第三开口的部分12上形成。然后，该基板被放在清洁的烘箱中在220°的温度下烘烤60分钟，以使红色滤光片113固化(图6B)。
此后，按照与形成红色滤光片的情况下相同的方法在与形成红色滤光片的象素不同的象素中形成绿色滤光片。为了获得绿色滤光片213，基板在烘箱中在220°的温度下被烘烤60分钟。蓝色滤光片313也是按照与形成红色滤光片的情况下相同的方法形成的。
接下来在形成各种彩色滤光片之后形成黑色基底14。黑色基底14是由通过在丙烯酸树脂中分散碳黑或颜料制成的树脂形成的。在这个实施方案中，这种粘度大约为20厘泊的材料在透明的绝缘基板上被旋涂到大约1.5微米的薄膜厚度，然后该材料被显影。在这种情况下，黑色基底不形成在基板上的那个在后面的步骤中将形成第三开口的部分上(图7B)。
外涂层15被涂布和显影，以便在该涂层上除去将穿过它在钝化膜中形成第三开口的那个部分，以在其中形成第一开口。该基板在220°的温度下被烘烤60分钟，以使外涂层15固化。在显影步骤期间，由于外涂层显影程度(degree of development)的允差是很小的，在显影剂溶液的PH值波动时，外涂层有时被侧面蚀刻(腐蚀)，从而使第二开口的横截面轮廓大体上垂直于钝化膜8周围的基板。为了防止这种现象，外涂层经受在120至160°的温度下持续至少三分钟的中期烘烤。这个步骤使得外涂层甚至在外涂层被侧面蚀刻之后也具有第二开口的锥形横截面轮廓(图7C)。
然后，酚醛清漆型光刻胶17被涂到1.5至4.0微米的薄膜厚度，并且在其上面形成有第二开口18的图案。在这种情况下，当酚醛清漆型光敏抗蚀涂层被涂到1.5微米的薄膜厚度时，第一开口16和第二开口18之间的间隔被设计为2.0微米，以便保证第二开口18与第一开口16对准。因此，当第一开口16和第二开口18两者都按照设计图案成形时，其间的间隔变成设计值2.0微米。
此后，利用酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17作为光刻掩膜蚀刻钝化膜8(图8A)。在这种情况下，酚醛清漆型光敏抗蚀涂层在抗蚀涂层显影之后，必须经受在等于或低于120°的温度下的后期烘烤，以使酚醛清漆型光敏抗蚀涂层中的溶剂蒸发掉。
如果后期烘烤是在等于或高于120°的温度下完成的，酚醛清漆型光敏抗蚀涂层将开始熔融，因此具有与外涂层的弧形横截面轮廓一起形成连续曲线的横截面轮廓。因此，由于酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17的第二开口18将具有大体上垂直于基板的横截面轮廓，所以在钝化膜8中形成的第三开口19也将具有大体上垂直于基板的横截面轮廓。如果形成具有这样的横截面轮廓的第三开口19，象素电极将连续地在它上面形成，拙劣地覆盖着第三开口19，从而多余地使源电极和象素电极之间的接触阻抗增加。
在除去酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17之后，作为象素电极的透明导电膜覆盖着外涂层15和钝化膜8的第三开口19，并通过把透明的导电材料溅镀到上述的各个组成部分上，然后在该材料上制作布线图案而形成。在这种情况下虽然除了预期的覆盖孔的象素电极的横截面轮廓之外，在源电极7和象素电极之间的稳定的连接可以与其薄膜厚度成比例地获得，但是其薄膜厚度优选根据处理用为透明导电膜的ITO(氧化铟锡)膜的容易程度被选定为100纳米。然后，在ITO膜上制作形成象素电极20的图案(图8B)。
上述的方法使制造孔径比较高的液晶显示器件成为可能，从而允许该器件显示与用传统方法制造的器件相比更明亮而且可靠性高的图像。
第一实施方案能够提供下述的主要优势。换言之，在象素电极和源电极之间可以通过钝化膜的第三开口获得高可靠性的电连接，所以液晶显示器的产量和可靠性可以被改善到极致的程度。这个优势可以在利用酚醛清漆型抗蚀膜层17的第二开口18作为光刻掩膜蚀刻钝化膜8以形成钝化膜8中的第三开口19之前，通过控制在酚醛清漆型抗蚀膜层17中形成的第二开口18的横截面轮廓，使之不受外涂层15的第一开口16的弧形横截面轮廓的影响而得以实现。
本发明的第二实施方案将参照图8A予以描述。
这个实施方案可以这样构成，以致TFT基板可以通过由从第一实施方案所用的步骤中剔除在图8A所示的步骤中所完成的后期烘烤之后剩下步骤组成的各个步骤制造出来。诸步骤的这种构成也使得在酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17中形成在钝化膜8和抗蚀涂层之间的边界处具有锥形横截面轮廓的第二开口18成为可能。在这种情况下，为了使留在抗蚀涂层中的溶剂蒸发，上面有抗蚀涂层的基板可以经受减压条件下的干燥。因此，第二实施方案的有源矩阵基板可以被制造出来。
本发明的第三实施方案将参照图8A予以描述。
这个实施方案上这样构成的，以致TFT基板是通过其中包括为了使酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17更好地粘附于钝化膜，在将抗蚀剂涂在钝化膜上之前，在图8A所示的步骤中对钝化膜8的表面进行处理的各个步骤制造出来的。诸步骤的这种构成使得在酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17显影时，降低酚醛清漆型光敏抗蚀涂层在钝化膜和抗蚀涂层之间的边界处的显影速度，并借此形成在酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17中形成具有锥形横截面轮廓的第二开口18成为可能。诸如硅烷偶合剂之类的材料被优先选定作为用来改善抗蚀涂层的粘接的界面处理剂。
本发明的第四实施方案将参照图8A予以描述。
这个实施方案是这样构成的，以致TFT基板是通过以下步骤制造的：其中包括在涂布抗蚀剂层17后，利用半色调光刻掩膜(half-tonemask)或灰度光刻掩膜对酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17在图8A所示的步骤中曝光，使其达到朝向随后形成的钝化膜8的第三开口的外围逐渐变大的程度。换言之，抗蚀涂层17被曝光，以达到朝第二开口18的中心逐渐变大的程度，以借此在酚醛清漆型光敏抗蚀涂层中形成具有锥形横截面轮廓的第二开口18。诸步骤的这种构成使形成具有锥形横截面轮廓的第三开口19成为可能，因为钝化膜8沿着酚醛清漆型光敏抗蚀涂层17的第二开口18的锥形横截面轮廓被从底部切割。
本发明的第五实施方案将参照图9A和9B予以描述。图9A是对应于按照本发明的第五实施方案构成的一个象素的TFT基板的平面图，其中为了简化省略了彩色滤光片和黑色基底，因为大体上与图5A相同的图形在图9A中被使用。图9B是沿着图9A的B-B’线截取的剖视图。这个实施方案是通过把第一至第四实施方案应用于使用横向电场的TFT基板所构成的实例。在这个实施方案中，TFT基板是这样构成的，以致梳状的象素电极和公用电极是在按第一实施方案形成的那些组成部分：钝化膜、彩色滤光片、黑色基底、第一和第三开口以及外涂层形成之后在外涂层上形成的。所以，在这个实施方案中使用的方法可以参照与在全部用来解释第一实施方案的图6A至7C中展示的那些图形相同的图形予以解释。此外，如图9A所示，公用电极22与栅极线路2b一起在透明的绝缘基板1上形成。
如图7A所示，第一开口16是在源电极7上方的外涂层15上形成的。除了第一开口16之外，如同在图9A中展示的那样，在公用电极22上的外涂层15中形成开口，以便把公用电极22与上层公用电极42连接起来。
随后，利用与在第一实施方案中相同的步骤，蚀刻钝化膜8，以便在为了形成用来把公用电极与上层公用电极42连接起来的第四开口49而蚀刻钝化膜8的另一个部分时，利用酚醛清漆型光敏抗蚀涂层作为光刻掩膜在源电极7上形成第三开口19。然后，Cr借助溅镀被沉积在外涂层15上，并且组成形成梳状象素电极40和梳状上层公用电极42的图案(图9A和9B)。
按照这个实施方案，把象素电极40和源电极7安全地连接在一起、以及把上层公用电极42与公用电极22连接在一起，并借此把横向电场型液晶显示器件的产量和可靠性改善到极致的程度成为可能。这些优势是通过在为了在钝化膜8中形成第三和第四开口19、49而利用酚醛清漆型抗蚀涂层17的第二开口18作为光刻掩膜蚀刻钝化膜8之前，控制在酚醛清漆型抗蚀涂层17中形成的第二开口18的横截面轮廓，使之不受外涂层15的第一开口16的弧形横截面轮廓的影响得以实现的。
如上所述，按照本发明构成的用来制造有源矩阵基板的方法包括：形成钝化膜以便覆盖TFT、在钝化膜上形成彩色滤光片和覆盖彩色滤光片的外涂层、以及在钝化膜中形成接触通孔(第三和第四开口)，以便把源/漏电极与象素电极连接起来。在这种情况下，为了使源/漏电极与象素电极之间的连接阻抗稳定地降低，接触通孔(第三开口)做成具有锥形横截面轮廓。为了形成具有这样的锥形横截面轮廓的接触通孔，在钝化膜的接触通孔(第三开口)与外涂层的开口(第一开口)之间的间隔被设计成等于或大于2.0微米，以致在钝化膜中形成接触通孔(第三开口)时，使可能用作蚀刻掩膜的酚醛清漆型光敏抗蚀涂层的开口(第二开口)形成具有锥形横截面轮廓的图案。酚醛清漆型光敏抗蚀涂层的这种构造使得在钝化膜中形成具有锥形横截面轮廓的接触通孔(第三开口)、随后把充分覆盖该接触通孔(第三开口)的象素电极连接到源/漏电极上成为可能，借此使低阻抗、稳定地连接各电极成为可行的。
最后，人们应该理解虽然本发明全部的实施方案都把TFT基板描述成上面有彩色滤光片的TFT基板，但是本发明的应用不局限于这样的TFT基板构造，并因此可以被配置成上面没有彩色滤光片的TFT。

Claims (10)

1.一种用来制造有源矩阵基板的方法，该方法包括下述步骤：
在透明的绝缘基板上形成薄膜晶体管以及线路；
在所述的透明绝缘基板上形成覆盖所述的薄膜晶体管和所述的线路的保护膜；
在露出的所述保护膜上形成第一感光膜，所述的第一感光膜有第一开口，使所述保护膜的所述第一区域的某个部分暴露出来；
在第一感光膜上形成带有位于所述的第一开口之内的第二开口的第二感光膜，使所述的保护膜的某个部分暴露出来；
通过使用所述的第二感光膜作为光刻掩膜，使所述第三开口的边缘与所述第一开口的内壁隔开的距离等于至少所述第二感光膜的薄膜厚度，从而除去所述保护膜的那个部分，使所述线路的一部分暴露出来，进而在所述保护膜上形成第三开口；
除去所述的第二感光膜，使所述的第一感光膜暴露出来；
在所述的第一感光膜上形成导电膜，以便通过所述的第三开口连接到所述的线路上；以及
在所述的导电膜中形成图案，以便形成由所述的导电膜制成的上层线路。
2.根据权利要求1的制造有源矩阵基板的方法，其中所述的第二感光膜的厚度在1.5微米到4.0微米的范围内。
3.根据权利要求1的制造有源矩阵基板的方法，其中所述的第一感光膜是这样形成的：把第一感光膜涂在所述的保护膜上；让所述的第一感光膜曝光和显影；作为中间的烘烤步骤将所述的第一感光膜在120至160°的温度下烘烤3至10分钟；以及在用来形成所述的第一感光膜的步骤中作为后烘烤步骤将所述的第一感光膜在220至230°的温度下烘烤。
4.根据权利要求1的制造有源矩阵基板的方法，其中所述的第一感光膜是这样形成的：对所述的保护膜的表面进行处理，使所述的第一感光膜更好地粘附到所述保护膜的所述表面上，然后在用来形成所述的第一感光膜的步骤中，在所述保护膜上形成所述的保护性的第一感光膜。
5.根据权利要求1的制造有源矩阵基板的方法，其中所述的第二感光膜是这样形成的：对所述的透明的绝缘基板进行处理，使所述的第二感光膜更好地粘附到所述的保护膜上，所述保护膜的所述表面通过所述第一开口露在外面，然后在用来形成所述第二感光膜的步骤中，在所述的第一感光膜上形成所述保护性的第二感光膜。
6.根据权利要求1的制造有源矩阵基板的方法，其中所述第二感光膜是这样形成的：把酚醛清漆型感光膜涂在所述的第一感光膜上；让所述的酚醛清漆型感光膜曝光和显影；以及将所述的酚醛清漆型感光膜在20至120°的温度下加热3至10分钟，以便在用来形成所述第二感光膜的步骤中，在所述第二开口中形成锥形的侧表面。
7.根据权利要求1的制造有源矩阵基板的方法，其中所述的第二感光膜上这样形成的：改变光线的辐照量，让所述的第二感光膜的一部分曝光，其中所述部分对应于后来形成的第二开口，借此在用来形成所述的第二感光膜的步骤中，在把所述的酚醛清漆型感光膜涂在所述的第一感光膜上之后，在所述第二开口中形成锥形的侧表面。
8.根据权利要求1的制造有源矩阵基板的方法，其中所述的第二感光膜上这样形成的：把酚醛清漆型感光膜涂在所述的第一感光膜上；让所述的酚醛清漆型感光膜曝光和显影；以及让所述的第二感光膜在减压条件下干燥，使包含在所述第二感光膜中的溶剂蒸发。
9.根据权利要求1的制造有源矩阵基板的方法，
其中所述的线路包括栅极、栅极线路、公用线路、源/漏极和公用电极，其中所述栅极构成栅极线路的一部分，所述的公用电极被接到与所述栅极线路一起形成的所述公用线路上，所述第三开口是在所述的源/漏极上形成的；以及
其中所述的上层线路包括经所述的第三开口接到所述的源/漏极上的象素电极，以及经在所述的公用线路上形成的、平行于所述的象素电极、并且与所述的象素电极隔开预定的距离设置的另一个第三开口，接到所述的公用线路上的公用电极。
10.根据权利要求1的制造有源矩阵基板的方法，其中在所述的保护膜上有选择地形成彩色滤光片，为的是在所述的用来形成覆盖在所述的透明绝缘基板上的所述薄膜晶体管和所述线路的保护膜的步骤、以及所述的用来在所述保护膜上形成第一感光膜的步骤之间，让在所述线路上的所述保护膜的第一区域暴露出来。
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