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Patentes

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Número de publicaciónCN1417859 A
Tipo de publicaciónSolicitud
Número de solicitudCN 02148136
Fecha de publicación14 May 2003
Fecha de presentación30 Oct 2002
Fecha de prioridad30 Oct 2001
También publicado comoCN100490141C, US7474002, US20030080436
Número de publicación02148136.9, CN 02148136, CN 1417859 A, CN 1417859A, CN-A-1417859, CN02148136, CN02148136.9, CN1417859 A, CN1417859A
Inventores石川明
Solicitante株式会社半导体能源研究所
Exportar citaBiBTeX, EndNote, RefMan
Enlaces externos:  SIPO, Espacenet
半导体器件
CN 1417859 A
Descripción  disponible en chino
Reclamaciones(40)  disponible en chino
Citada por
Patente citante Fecha de presentación Fecha de publicación Solicitante Título
CN105565258A *17 Oct 201411 May 2016中芯国际集成电路制造(上海)有限公司一种半导体器件的制作方法
CN105565258B *17 Oct 201420 Oct 2017中芯国际集成电路制造(上海)有限公司一种半导体器件的制作方法
Clasificaciones
Clasificación internacionalG02F1/1362, H01L29/786, H01L21/84, H01L21/77, H01L21/336, H01L29/423, H01L27/12, H01L23/31, H01L21/31
Clasificación cooperativaH01L27/124, H01L27/1248, H01L2924/0002, H01L2924/12044, H01L29/66757, H01L29/78633, H01L29/66765, H01L2924/19041, H01L23/3192, H01L2924/3025, H01L29/78621, H01L29/78636, H01L2924/09701, G02F1/13454, H01L29/42384, G02F1/136227, H01L27/1218
Clasificación europeaH01L29/66M6T6F15A2, H01L29/66M6T6F15A3, H01L27/12T, H01L27/12, H01L29/786B6, H01L29/423D2B8, H01L23/31P12, H01L29/786B4B, G02F1/1362H, H01L29/786B5
Eventos legales
FechaCódigoEventoDescripción
14 May 2003C06Publication
26 Ene 2005C10Request of examination as to substance
20 May 2009C14Granted