CN1419297A - 发光设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。该发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：半导体下表面上的第一无机绝缘层，栅电极上表面上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上遍布的布线层，第二有机绝缘层和布线层的末端重叠且具有35－45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在布线层上有开口的第四无机绝缘层，与布线层接触形成且具有与第四无机绝缘层相重叠的侧端，与阴极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阳极层，第三和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。

Description

发光设备及其制造方法
发明领域
本发明涉及包含发射荧光或磷光的发光元件的发光设备。本发明尤其涉及包含如绝缘栅型晶体管或薄膜晶体管这样的有源元件和与其耦合的发光元件的发光设备。
背景技术
利用液晶的典型显示设备用背光或正面光显示图像。在各种电子设备中采用液晶显示设备作为图像显示单元，但面临问题，即视野角窄。相反，用提供电致发光的发光元件作为显示单元的显示器具有较宽的视野角和高水平的可视识别。这些优点使电致发光显示器有希望成为下一代产品。
在利用电致发光发光元件中，从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在包含发光材料的层上耦合，形成激子。通过激子返回到基态时释放的能量产生光。电致发光有两种类型，即：荧光和磷光，每一种分别看成从单重态激子发光(荧光)，和从激子三重态发光(磷光)。电致发光的亮度范围从几千cd/m2到几万cd/m2，这使得理论上可在包括显示设备的各种应用中采用电致发光的发光元件。
在日本专利公开No.JP-A-8-241047中公开了薄膜晶体管(下文称为“TFT”)和发光元件组合的一个例子。在该JP-A-8-241047公开的结构中，有机电致发光层经包含二氧化硅的绝缘膜形成在包含多晶硅的TFT上。在阳极上具有锥形末端的钝化层位于有机电致发光层下面。阴极由功函数为4eV或更小的材料制成。可用材料的一个例子是例如银或铝和镁金属合金。
制造有机电致发光层的已知方法包括真空蒸发、印刷和旋涂。但是，通过在半导体元件制造中使用的光刻技术很难在有机电致发光层上形成确定的图形。为了将发光元件布置成矩阵以形成显示屏，需要特殊的构造，其中，如在上述JP-A-8-241047中公开的那样，用绝缘材料划分每个像素。
首先，用于发光元件的有机化合物和用于电极的碱金属或碱土金属通过与水和氧起反应而被降级。这阻止了包含发光元件的发光设备的实际应用。
有机发光元件由于以下六个因素而劣化，(1)有机化合物的化学特性改变，(2)结构上的变化，或有机化合物因工作时产生的热而熔化，(3)由于大量缺陷而破坏绝缘，(4)电极之间或电极和包含发光元件的有机化合物层之间的界面劣化，(5)由于粘结状态改变或由于非晶形式引起的有机化合物的结晶化造成的劣化，(6)因元件的结构而由应力或畸变造成的不可逆的损坏。
因素(1)造成的劣化是激发或对有机化合物腐蚀的气体或水分引起的化学变化造成的。因素(2)和(3)造成的劣化是有机发光元件的工作造成的。当在元件中流动的电流变换成焦耳热时不可避免地产生热。当有机化合物具有低熔点或玻璃转化温度时，电场集中在针孔或裂缝周围，出现介质击穿。因素(4)和(5)造成的劣化即使在环境温度下储藏元件时也不可避免。因素(4)造成的劣化已知是黑斑，是由阴极氧化或和水分反应产生的。对于因素(5)造成的劣化，在有机发光元件中使用的所有有机化合物都是非晶的，使得它们在长时期内因热而不可避免地结晶。几乎没有有机化合物能长时间保持其非晶结构。对于因素(6)造成的劣化，例如由于畸变而使涂层裂缝或破损这样的缺陷可能是由于成分之间热膨胀系数不同造成的。此外，裂缝或破损会导致逐渐继续的缺陷例如黑斑。
密封技术的进步在相当程度上缓解了黑斑的问题。但实际上，对由两个或两个以上上述因素造成的劣化难以采取有效的防范措施。在典型的密封方法中，在基板上形成的有机发光元件用密封剂密封，在间隙中施加氧化钡这样的干燥剂。遗憾的是，传统的防范措施不能将发光设备的劣化抑制到可接受的水平。
发明内容
本发明的目的是解决上述问题，以便提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。
为了这个目的，根据本发明，具有由电连接的TFT和发光元件组成的像素的发光设备具有这样的结构，其中发光元件由阳极层、阴极层和插入层层叠而成，所述插入层包含发光材料，用无机绝缘层包围发光元件的上表面、下表面和侧表面，阳极层、阴极层和包含发光材料的层分别和包围的无机绝缘层接触。无机绝缘层由氮化硅或硅的氮氧化合物形成，例如氮化硅膜或氧氮化硅膜，或者，由铝的氮化物或氧氮化物形成，例如氮化铝或氧氮化铝。更可取的，施加用范围从13.56MHz到120MHz的频率且以硅为靶通过射频溅射(RF溅射)形成的氮化硅膜。
通过RF溅射制造的氮化硅膜通过满足下列条件之一改善阻挡外部杂质的效果和抑制发光元件劣化的效果，所述条件是：(1)氮化硅膜的蚀刻速度为9nm/min或更低(最好是0.5-3.5nm/min或更低)，(2)氢浓度为1×1021原子/cm3或更低(最好是5×1020原子/cm3或更低)，(3)氢浓度为1×1021原子/cm3或更低(最好是5×1020原子/cm3或更低)，氧浓度是5×1018-5×1021原子/cm3(最好是1×1019-1×1021原子/cm3)，(4)蚀刻速度是9nm/min或更低(最好是0.5-3.5nm/min或更低)，氢浓度为1×1021原子/cm3或更低(最好是5×1020原子/cm3或更低)，或者(5)蚀刻速度是9nm/min或更低(最好是0.5-3.5nm/min或更低)，氢浓度为1×1021原子/cm3或更低(最好是5×1020原子/cm3或更低)，氧浓度是5×1018-5×1021原子/cm3(最好是1×1019-1×1021原子/cm3)。
在一种结构中，其是显示屏具有布置成矩阵的发光元件，划分每个像素的最可取的绝缘层结构包括正性或负性感光有机树脂材料，且曲率半径为0.2-2μm或在图形的末端在以上范围内连续变化的曲率半径，锥形表面的倾斜角为10-75度，最好是35-45度。从像素电极上到绝缘层上，通过形成覆盖和TFT连接的每个像素的单个电极(阳极或阴极)的末端从而划分每个像素的绝缘层，以及通过形成包含发光材料的层、以及阳极层或阴极层其中之一，根据本发明的发光设备中的像素的结构可减轻像素的电极末端上的应力并抑制发光元件的劣化。
下面描述根据本发明的发光设备的结构。
一种发光设备，包含TFT和发光元件，TFT具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极，发光元件具有在阴极层和阳极层之间包含发光材料的有机化合物层，包含：
半导体层下的第一无机绝缘层，
栅电极上的第二无机绝缘层，
在第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，
在第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，
在第三无机绝缘层上延伸的布线层，
第二有机绝缘层，和布线层的末端重叠，第二有机绝缘层具有35-45度的倾斜角，
第四无机绝缘层，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上，第四无机绝缘层在布线层上有开口，
阴极层，和布线层接触，并具有和第四无机绝缘层重叠的末端，
有机化合物层，与阴极层和第四无机绝缘层接触，有机化合物层包含发光材料，以及
阳极层，与包含发光材料的有机化合物层接触，
其中，
第三无机绝缘层和第四无机绝缘层包含氮化硅或氮化铝。
一种发光设备，包含：具有TFT的像素部分，TFT具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极；发光元件，包括在阳极层和阴极层之间包含发光材料的有机化合物层；驱动电路部分，用具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极的薄膜晶体管形成，驱动电路部分形成在像素部分的周边区域中，包括：
半导体层下的第一无机绝缘层，
栅电极上的第二无机绝缘层，
第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，
第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，
在第三无机绝缘层上延伸的布线层，
第二有机绝缘层，和布线层的末端重叠，第二有机绝缘层具有35-45度的倾斜角，
第四无机绝缘层，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上，第四无机绝缘层在布线层上有开口，
阴极层，和布线层接触，阴极层具有和第四无机绝缘层重叠的末端，
有机化合物层，与阴极层和第四无机绝缘层接触，有机化合物层包含发光材料，以及
阳极层，和包含发光材料的有机化合物层接触，
其中，
第三无机绝缘层和第四无机绝缘层包含氮化硅或氮化铝，
在第四无机绝缘层上形成密封图形，以及
一些或全部密封图形和驱动电路部分重叠。
阴极层上可以有用硅或铝的氮化物形成的第五无机绝缘层。
第三到第五无机绝缘层具有上述蚀刻特性和在以上范围内的氢浓度和氧浓度。通过降低N-H键、Si-H键和Si-O键的密度，根据本发明的结构可以改善膜的热稳定性，作出精细膜。
一种发光设备，包含：具有TFT的像素部分，TFT具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极；发光元件，包括在阳极层和阴极层之间包含发光材料的有机化合物层；驱动电路部分，用具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极的TFT形成，驱动电路部分形成在像素部分的周边区域中，其中，
由像素部分上的有机绝缘层形成的阻挡层遍布驱动电路部分，
包含氮化硅或氮化铝的无机绝缘层形成在阻挡层的上表面和侧表面上，
在无机绝缘层上形成密封图形，
一些或全部密封图形和驱动电路部分重叠，以及
在密封图形的内部提供在阳极层和阳极层下面形成的布线之间的连接。
一种发光设备，包含：具有第一TFT的像素部分，第一TFT具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极；发光元件，包括在阳极层和阴极层之间包含发光材料的有机化合物层；驱动电路部分，用具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极的第二TFT形成，驱动电路部分形成在像素部分的周边区域中，其中，
由像素部分上的有机绝缘层形成的阻挡层遍布驱动电路部分，
包含氮化硅或氮化铝的无机绝缘层形成在阻挡层的上表面和侧表面上，
在无机绝缘层上形成密封图形，
在密封图形的内部形成第一TFT，
一些或全部第二TFT和密封图形重叠，以及
在密封图形的内部提供在阳极层和阳极层下面形成的布线之间的连接。
无机绝缘层，包含由RF溅射方法制造的氮化硅，具有上述蚀刻特性和在以上范围内的氢浓度和氧浓度。
本发明的另一个方面提供一种制造发光设备的方法，如下所述。
一种制造发光设备的方法，所述发光设备包含：具有TFT的像素部分，TFT具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极；发光元件，包括在阳极层和阴极层之间包含发光材料的有机化合物层；驱动电路部分，用具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极的薄膜晶体管形成，驱动电路部分形成在像素部分的周边区域中，所述方法包含以下步骤：
在基板上形成第一无机绝缘层，
在第一无机绝缘层上形成包含晶体硅的半导体层，
在半导体层上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成栅电极，
在栅电极上形成第二无机绝缘层，
在第二无机绝缘层上形成第一有机绝缘层，
在第二有机绝缘层上形成第三无机绝缘层，
形成与第三无机绝缘层接触的布线层，
形成和布线层的末端重叠的第二有机绝缘层，第二有机绝缘层具有35-45度的倾斜角，
在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上形成第四无机绝缘层，第四无机绝缘层在布线层上具有开口，
形成与布线层接触的阴极层，阴极层具有和第四绝缘层重叠的末端，
形成与阴极层和第四无机绝缘层接触的包含发光材料的有机化合物层，以及
形成与包含发光材料的有机化合物层接触的阳极层，其中，
第三无机绝缘层和第四无机绝缘层包含通过RF溅射方法形成的氮化硅或氮化铝。
一种制造发光设备的方法，所述发光设备包含：具有TFT的像素部分，TFT具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极；发光元件，包括在阳极层和阴极层之间包含发光材料的有机化合物层；驱动电路部分，用具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极的TFT形成，驱动电路部分形成在像素部分的周边区域中，所述方法包含以下步骤：
在基板上形成第一无机绝缘层，
在第一无机绝缘层上形成包含晶体硅的半导体层，
在半导体层上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成栅电极，
在栅电极上形成第二无机绝缘层，
在第二无机绝缘层上形成第一有机绝缘层，
在第二有机绝缘层上形成第三无机绝缘层，
形成与第三无机绝缘层接触的布线层，
形成和布线层的末端重叠的第二有机绝缘层，第二有机绝缘层具有35-45度的倾斜角，
在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上形成第四无机绝缘层，第四无机绝缘层在布线层上具有开口，
形成与布线层接触的阴极层，阴极层具有和第四绝缘层重叠的末端，
形成与阴极层和第四无机绝缘层接触的包含发光材料的有机化合物层，
形成与包含发光材料的有机化合物层接触的阳极层，
在一些或全部密封图形和驱动电路部分重叠的位置处在第四绝缘层上形成密封图形，以及
和密封图形对准粘结密封板，
其中，
第三无机绝缘层和第四无机绝缘层包含通过RF溅射方法形成的氮化硅或氮化铝。
在根据本发明的上述结构中，第三和第四无机绝缘层包含通过仅用氮作为溅射气体且将硅作为靶的RF溅射方法形成的氮化硅。在形成第一有机绝缘层之后，通过在减压下加热并脱水，同时保持减压，形成第三无机绝缘层。在形成第二有机绝缘层之后，通过在减压下加热并脱水，同时保持减压，形成第四无机绝缘层。
总的来说，本文的发光设备指用电致发光来发射光的设备。发光设备包括TFT基板，在TFT基板中，用基板上的TFT形成电路用于光发射；EL面板，包含用TFT基板上的电致发光材料形成的发光元件；EL模块，将外部电路并入EL面板中。根据本发明的发光设备可以包含在各种电子设备中，例如移动电话，个人计算机和电视接收器。
附图说明
图1是说明根据本发明的发光设备的结构的横截面图；
图2是说明根据本发明的发光设备的像素部分结构的顶视图；
图3是说明根据本发明的发光设备的像素部分结构的横截面图；
图4是说明根据本发明的发光设备的像素部分结构的另一个横截面图；
图5是包含根据本发明的发光设备的组成部分的基板的外形图；
图6是说明组成在母玻璃上形成的发光设备的基板及其间隔的视图；
图7A-7C示出了根据本发明的发光设备中输入端子的结构；
图8A-8D示出了说明根据本发明的发光设备制造过程的横截面图；
图9A-9C示出了说明根据本发明的发光设备制造过程的横截面图；
图10A-10C示出了说明根据本发明的发光设备制造过程的横截面图；
图11A和11B示出了说明根据本发明的发光设备制造过程的横截面图；
图12是说明根据本发明的发光设备制造过程的顶视图；
图13是说明根据本发明的发光设备制造过程的顶视图；
图14是说明根据本发明的发光设备的结构的横截面图；
图15是说明根据本发明的发光设备的像素部分结构的顶视图；
图16是说明根据本发明的发光设备的像素部分的结构的顶视图；
图17是等价于像素的电路图；
图18示出要在构成根据本发明的发光设备的TFT中采用的半导体层的制造过程的一个例子；
图19示出要在构成根据本发明的发光设备的TFT中采用的半导体层的制造过程的一个例子；
图20A-20C示出要在构成根据本发明的发光设备的TFT中采用的半导体层的制造过程的一个例子；
图21示出要在构成根据本发明的发光设备的TFT中采用的半导体层的制造过程的一个例子；
图22A-22G是示出本发明的应用的视图；
图23A和23B示出EL模块的一种结构；
图24是示出氮化硅膜的SIMS测量数据(二次离子质谱法)的曲线；
图25是示出氮化硅膜的FT-IR测量数据的曲线；
图26是示出氮化硅膜的透射率测量的曲线；
图27示出了MOS结构的BT应力测试前后C-V特性曲线；
图28A和28B示出了MOS结构的BT应力测试前后C-V特性曲线；
图29A和29B是说明MOS结构的视图；
图30是说明溅射设备的视图；
图31A和31B是说明根据本发明的发光设备的像素部分结构的横截面图；
图32A和32B是根据本发明的发光设备的像素部分结构的横截面图。
具体实施方式
下面参考附图描述本发明的实施例。附图中，相同的组成部分用相同的参考数字表示。
图1示出了根据本发明的有源矩阵驱动方法的发光设备的结构。在像素部分302和在像素部分302的周边区域中形成的驱动电路部分301中设置TFT。非晶硅、多晶硅或单晶硅可适用于形成TFT的沟道形成区域的半导体层。对于开关目的，可以用有机半导体形成TFT。
基板101包含玻璃基板或有机树脂基板。有机树脂的重量比玻璃轻，这对于整体减轻发光设备的重量是有利的。有机树脂，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)(PEN)、聚醚砜(polyether sulfone)(PES)和芳族聚酰胺，可用于制造发光设备。已知作为含有少量碱金属的无碱玻璃的硼硅酸盐玻璃，最适合用做玻璃基板。玻璃基板的厚度可以是0.5-1.1mm，但是，如果需要减轻设备的重量，则应当减小厚度。希望采用如2.37g/cm3这样小的比重的玻璃材料来进一步减轻重量。
在图1所示结构中，在驱动电路部分301中形成n-沟道型TFT303和p-沟道型TFT304，在像素部分302中用n-沟道型TFT形成第一TFT305和第四TFT306。第四TFT306和发光元件309的阴极126连接。
这些TFT包含在由氮化硅或氧氮化硅形成的第一无机绝缘层102上的半导体层103-106，栅极绝缘膜108和栅电极110-113。在栅电极上形成含氢的氮化硅或氧氮化硅形成的第二无机绝缘层114。第二无机绝缘层和第一无机绝缘层102组合，用作保护膜，防止水分或金属这样的杂质扩散到半导体层中造成半导体层污染。
第一有机绝缘层115的厚度为0.5-1μm，由聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、丙烯酸、BCB(苯并环丁烯)形成，作为平化层形成在第二无机绝缘层114上。通过旋涂以上有机化合物其中之一然后实施煅烧来形成第一有机绝缘层115。有机绝缘材料是吸湿的，吸收并吸留水分。当吸留的水分被释放时，将氧提供给在有机绝缘层上形成的发光元件中包含的有机化合物，这使有机发光元件劣化。为了防止水分的吸留和释放，在第一有机绝缘层115上形成厚度为50-200nm的第三无机绝缘层116。第三无机绝缘层116必须是精细膜，以便粘到衬料层上更安全地提供阻挡。层116最好通过用选自氮化硅、氧氮化硅、氧氮化铝和氮化铝的无机绝缘材料溅射而成。在形成第三无机绝缘层116之后形成布线117-125。
在阳极层131、包含碱金属或碱土金属的阴极层126和包含发光材料的插入有机化合物层130上形成有机发光元件309。通过层叠一层或多层形成包含发光材料的有机化合物层130。每一层根据其目的和功能进行命名，正空穴注入层，正空穴传输层，发光层，电子传输层和电子注入层。这些层可以用低分子量有机化合物、中分子量有机化合物、高分子量有机化合物、或者以上的其中两种化合物适当组合而形成。此外，可以形成包含电子传输材料和正空穴传输材料的混合物的混合层，或者在每个界面之间形成混合区域的混合连接。
该有机发光元件309形成在第三无机绝缘层116上。在和基板101相对的方向上具有发射光的结构的发光设备使发光元件309的阴极层126和形成在第三无机绝缘层116上的布线123接触。阴极层126由具有较小功函数的碱金属或碱土金属形成，例如镁(Mg)，锂(Li)或钙(Ca)。优选地，可使用包含MgAg(Mg和Ag的比为10∶1的混合物)的电极。适于电极的其它材料包括MgAgAl，LiAl和LiFAl。也可使用碱金属或碱土金属氟化物和低电阻金属例如铝的组合。
分开每个像素的第二有机绝缘层(分割层)128由选自聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚酰胺、丙烯酸、BCB(苯并环丁烯)的材料形成。可用热固性材料或光硬化材料。通过涂敷厚度为0.5-2μm的以上有机绝缘材料其中之一形成第二有机绝缘层(分割层)128来覆盖所有表面。接着，形成适合阴极层126的开口。此时，形成开口以便覆盖布线123的末端，并且在其侧面上的倾斜角是35-45度。第二有机绝缘层(分割层)128不仅遍布像素部分302，而且遍布驱动电路部分301，并覆盖布线117-124，这样，它也在各层之间用作层间绝缘膜。
有机绝缘材料是吸湿的，吸收并吸留水分。当吸留的水分被释放时，将水分提供给发光元件309的有机化合物，这使有机发光元件劣化。为了防止水分的吸留和释放，在第二有机绝缘层128上形成厚度为10-100nm的第四无机绝缘层129。第四无机绝缘层129用包含氮化物的无机绝缘材料形成。特别地，用选自氮化硅、氮化铝和氮氧化铝的无机绝缘材料形成。形成第四无机绝缘层129以便覆盖第二有机绝缘层128的上表面和侧表面，其和布线123重叠的末端被锥化。
阳极层131横跨多个像素形成作为公共电极，在位于像素部分302的外部或像素部分302和驱动电路部分301之间的连接区域310上连接到布线120，然后引向外部端子。形成ITO层(氧化铟，锡)层作为阳极层131。ITO可以加有氧化锌或镓，用于平化或降低电阻。
在阳极层131上，第五无机绝缘层132可以用氮化硅、类金刚石碳(DLC)、氮氧化铝、氧化铝或氮化铝其中之一形成。已知DLC膜具有抗氧、CO、CO2和H2O的高气体阻挡特性。希望在不将基板暴露在大气中的情况下，在形成阳极131之后接着形成第五无机绝缘层132。在第五无机绝缘层132下面设置氮化硅制成的缓冲层，以便提高粘附力。
尽管图中未示出，但可以在阴极层126和包含发光材料的有机化合物层130之间形成允许隧道电流流动的厚度0.5-5nm的第六无机绝缘层。第六无机绝缘层可防止阳极表面上任何不规则性引起的短路，可防止用于阴极等的碱金属向下层扩散。
在像素部分302上形成的第二有机绝缘层128延伸到驱动电路部分301，在形成在第二有机绝缘层128上的第四无机绝缘层129上形成密封图形133。一些或全部密封图形133和驱动电路部分301及连接驱动电路部分301和输入端子的布线117重叠，这减小了发光设备的帧区域(像素部分的周边区域)的面积。通过该密封板从发光元件309发射光。
密封板134经密封图形133被固定。密封板134可使用包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚砜(PES)和芳族聚酰胺的有机树脂及玻璃基板。有机树脂制成的密封板可以是柔性的，具有30-120μm的厚度。这防止在密封板表面上刮擦。密封板的表面涂有无机绝缘材料，例如DLC和氮化硅，作为气体阻挡层。密封图形的一个示例性材料是环氧粘合剂。密封图形的侧表面可以涂有包含无机绝缘材料的膜，防止蒸气从侧表面渗透。
图1中，第一TFT305具有多栅结构，设有轻掺杂的漏极(LDD)以减小关态电流。在第四TFT306上设有和栅电极重叠的LDD。由于具有高工作速率，由多晶硅形成的TFT容易因热载流子效应而变劣。所以，如图1所示，为了制造具有高可靠性和高显示性能(高工作性能)的显示设备，形成在像素中对不同功能有不同结构的TFT(开关TFT具有充分低的关态电流，电流控制TFT可承受热载流子注入)具有很大益处。
图2示出了设有上述TFT的像素部分中的一个像素的顶视图。为了清楚地图示每个TFT的布置，在图2中未示出发光元件309、第二有机绝缘层128和第四无机绝缘层129的图形。一个像素包含第一TFT305，第二TFT311，第三TFT312，第四TFT306和电容部分307。图17示意性地示出了等价于图2所示结构的电路。图1示出了沿图2的线A-A/剖开的横截面图。图3示出了沿线B-B/剖开的横截面图。图4示出了沿图2的线C-C剖开的横截面图。
图15示出了在像素部分中第二有机绝缘层128和第四无机绝缘层129的一个示例性结构，其中第二有机绝缘层128和第四无机绝缘层129都覆盖阴极层126的周边。在图16所示的另一个示例性结构中，第二有机绝缘层128可以仅覆盖阴极层126的两边，而第四无机绝缘层129可以覆盖阴极层126的所有边。
尽管在图1中未示出，驱动电路部分301具有用于栅极信号驱动电路和数据信号驱动电路的不同电路。布线118和119分别连接到n-沟道型TFT303和p-沟道型TFT304，这些TFT又可以用于形成移位寄存器、锁存电路或缓冲电路。
输入端子308由和栅电极相同的层形成的布线或形成在第三无机绝缘层116上的布线形成。图1示出了由和栅电极相同的层形成的输入端子308的示例，即，由导电层109和127形成输入端子308。在形成阳极层131时，导电层127由氧化物导电材料形成。实际上，暴露到表面上的部分用氧化物导电材料覆盖，以防止由于氧化增大表面电阻。图7详细示出了输入端子308。图7A示出了顶视图，图7B和7C分别示出了沿线D-D＇和E-E＇剖开的横截面图。图7中参考数字和图1中的数字相同。
如图1所示，形成第一无机绝缘层102和第二无机绝缘层114，以便夹住半导体层105和106。另一方面，有机发光元件309被第三无机绝缘层116、第五无机绝缘层132和第四无机绝缘层129包围。换言之，用无机绝缘层分别涂敷TFT和发光元件的半导体层。无机绝缘层由氮化硅或氧氮化硅膜制成，形成抗蒸气和离子杂质的阻挡层。
污染第一TFT305和第四TFT306的如钠这样的碱金属的可能来源包括基板101和有机发光元件309。为了防止污染它们，用第一无机绝缘层102和第二无机绝缘层114包围第一TFT305和第四TFT306。由于有机发光元件309受到来自氧气和水分的严重破坏，因此用无机绝缘材料形成第三无机绝缘层116、第四无机绝缘层129和第五无机绝缘层132，以便防止受到氧气或水分的污染。此外，这些无机绝缘层用于防止有机发光元件309的碱金属元素扩散到其它部分。
图5示出了包含图1-4中所示发光设备的组成部分的基板外形图。基板101包含像素部分302，栅极信号驱动电路301a和302b，数据信号驱动电路301c，和阳极层的连接310，输入/输出端子308和布线或一组布线117。设置密封图形133，使得一些或全部密封图形133和栅极信号驱动电路301a和302b、数据信号驱动电路301c和将这些驱动电路部分连接到输入端子的该布线或该组布线117重叠，目的是减小发光设备的帧区域(像素部分的周边)的面积。由ITO形成的阳极层可以具有高电阻率，所以，尽管图5仅示出了和阳极层的一个连接310，但可以在像素部分302周围的其它位置上提供一个以上的连接310。
如图6所示，具有以上结构的多个基板(101a-101d)设在母玻璃201上，在形成第四无机绝缘层、阴极层、第五无机绝缘层或密封板其中之一之后沿切割线202隔开。用金刚石切割器或激光切割器分离基板。为了使分离工序更容易，最好沿切割线202去除第三至第五无机绝缘层和第一和第二有机绝缘层。
如上所述，TFT和发光元件组合形成像素部分，完成发光设备。在如此制造的发光设备中，可用TFT作为像素部分在同一基板上形成驱动电路。如图1所示，通过用包含氮化硅或氧氮化硅的阻挡层和保护膜包围半导体膜、栅极绝缘膜和栅电极这些TFT的主要组成部分的上表面和下表面，这种结构防止这些组成部分被碱金属和有机材料污染。有机发光元件的一部分又包含碱金属，被包含氮化硅、氧氮化硅或DLC其中之一的保护膜和包含主要由氮化硅或碳组成的绝缘膜的气体阻挡层所包围，使得该结构防止氧气和水分从外部渗透。
根据表1(示出了典型例子)所示的加工条件，在本实施例中用于无机绝缘层的包含氮化硅的膜(氮化硅膜)是通过RF溅射形成的高度精细的膜。表中的“RFSP-SiN”表示用RF溅射形成的氮化硅膜。“T/S”是靶和基板之间的距离。
表1
RFSP-SiN加工条件
加工条件  代表例 注释
气体 N2或(惰性气体)/N2  Ar/N2 每种纯度是4N或更高
气体流量比 N2：30～100％、惰性气体：0～70％  Ar∶N2＝20∶20(sccm) 可以引入惰性气体作为用于从基板的背面加热的气体
压力(Pa) 0.1～1.5  0.8
频率(MHz) 13～40  13.56
功率(W/cm2) 5～20  16.5
基板温度(℃) RT(室温)～350  200
靶材料 从单个结晶硅结晶块雕刻出的材料  Si(1～10Ωcm)
T/S(mm) 40～200  60
反压力(Pa) 1×10-3或更低(最好3×10-5或更低)  3×10-5 利用涡轮分子泵或低温泵
氩，作为溅射气体被引入，喷射在基板的背表面上对其加热。喷射的Ar最终和N2混合用于溅射。表1所示的用于形成膜的值仅是代表性的值。只要最后的SiN膜的物理参数落在表4(以后示出)所示的物理参数范围内，操作人员可以对这些条件进行适当修改。
接着，图30示出了通过上述RF溅射形成氮化硅膜所用的溅射设备的示意性视图。图30中，30是加工室壁，31是形成磁场的可移动磁铁，32是单晶硅靶，33是保护挡板，34是待加工的基板，36a和36b是加热器，37是基板夹紧设备，38是抗粘板(antitack plate)，39是一个阀(导电阀或主阀)。加工室壁30设有进气管40和41，分别引入N2(或N2和惰性气体的混合气体)和惰性气体。
表2示出了形成例如通过传统的等离子体CVD方法形成的氮化硅膜的条件。表中的“PCVD-SiN”指通过等离子体CVD方法形成的氮化硅膜。
表2
等离子体CVD条件
PCVD-SiN
气体 SiH4/NH3/N2/H2
气体流量比(sccm) SiH4∶NH3∶N2∶H2＝30∶240∶300∶60
压力(Pa) 159
频率(MHz) 13.56
功率(W/cm2) 0.35
基板温度(℃) 325
表3示出了在表1条件下和在表2条件下形成的氮化硅膜的物理特性(物理参数)的代表性值。“RFSP-SiN”(No.1)和“RFSP-SiN(No.2)之间的区别可归因于膜形成设备之间的区别，不削弱用作根据本发明的阻挡层膜的氮化硅膜的作用。内应力可以是压应力或张应力，数值的符号相应改变，但表中仅示出了绝对值。
表3
代表性SiN物理参数之间的比较
参数 参考表1中的制备条件制备的SiN 参考表2中的制备条件制备SiN 注释
  RFSp-SiN(No.1)   RFSP-SiN(No.2)   PCVD-SiN膜
  比介电常数   7.02～9.30 ←     ～7
折射率 1.91～2.13 ← 2.0～2.1 辐射光的波长是632.8nm
  内应力(dyn/cm2)   4.17×108 ←     9.11×108
  蚀刻速率(nm/min)   0.77-1.31     1～8.6     ～30  LAL500，20℃
  Si浓度(原子％)     37.3     51.5     35.0     RBS
  N浓度(原子％)     55.9     48.5     45.0     RBS
  H浓度(原子/cm3)   4×1020      -     1×1022     SIMS
  O浓度(原子/cm3)   8×1020      -     3×1018     SIMS
  C浓度(原子/cm3)   1×1019      -     4×1017     SIMS
如表3所示，RFSP-SiN(No.1)和RFSP-SiN(No.2)中的共同特性和PCVD-SiN膜的共同特性相比，蚀刻速率(在20℃用LAL500蚀刻的蚀刻速率，同上)低，氢浓度低。“LAL500”是“LAL500 SA缓冲氟氢酸”，是NH4HF2(7.13％)和NH4F(15.4％)的溶液，由Hashimoto Kasei有限公司生产。内应力的绝对值低于用等离子体CVD方法形成的膜的绝对值。
接着，在表4中归纳了在表1条件下由发明人形成的氮化硅膜的不同物理参数。
表4
在本发明中使用的SiN物理参数
     参数 本发明中使用的SiN膜     注释
   比介电常数 7.0～9.5(最好7.3～7.7)
折射率 1.85～2.20(最好1.90～2.15)   辐射光的波长是632.8nm
     内应力(dyn/cm2) 2×1010或更小(最好5×108或更小)
     蚀刻速率(nm/min) 9或更低(最好0.5～3.5)     LAL500，20℃
    Si浓度(原子％) 35～55(最好37～52)     RBS
    N浓度(原子％) 45～60(最好48～56)     RBS
    H浓度(原子/cm3) 1×1021或更低(最好5×1020或更低)     SIMS
    O浓度(原子/cm3) 5×1018～5×1021(最好1×1019～1×1021)     SIMS
    C浓度(原子/cm3) 1×1018～5×1019(最好1×1018～2×1019)     SIMS
以上氮化硅膜的SIMS(二次离子质谱仪)和FT-IR和透射率的结果分别示于图24、25和26。图26还示出了在表2条件下形成的氮化硅膜。透射率系数几乎可和传统PCVD-SiN膜的透射率系数相比。
根据本发明的用作无机绝缘层的氮化硅膜最好满足表4所示的参数。即，无机绝缘层最好满足下列条件之一：(1)蚀刻速率为9nm/min或更低(最好0.5-3.5nm/min或更低)的氮化硅膜，(2)1×1021原子/cm3或更低(最好5×1020原子/cm3或更低)的氢浓度，(3)1×1021原子/cm3或更低(最好5×1020原子/cm3或更低)的氢浓度，和5×1018～5×1021原子/cm3(最好1×1019～1×1021原子/cm3)的氧浓度，和(4)蚀刻速率为9nm/min或更低(最好0.5-3.5nm/min或更低)，1×1021原子/cm3或更低(最好5×1020原子/cm3或更低)的氢浓度，和(5)蚀刻速率为9nm/min或更低(最好0.5-3.5nm/min或更低)，1×1021原子/cm3或更低(最好5×1020原子/cm3或更低)的氢浓度，和5×1018～5×1021原子/cm3(最好1×1019～1×1021原子/cm3)的氧浓度。
内应力的绝对值可以是2×1010dyn/cm2或更小，更好5×109dyn/cm2或更小，最好5×108dyn/cm2或更小。更小的内应力可以减小膜之间能量等级差，进一步防止由于内应力而使膜脱落。
根据该实施例在表1所示的条件下形成的氮化硅膜具有明显阻挡周期表中属于族1和族2的元素例如Na和Li的效果，可有效抑制这些移动离子的扩散。例如，根据包括电荷注入特性等的不同物理特性，以加了0.2-1.5wt％(最好0.5-1.0wt％)锂的铝制成的金属膜用于本实施例的阴极层更可取。但是，当使用该类型的金属膜时，锂会扩散并损坏晶体管的性能。为了避免这种损坏，本实施例用无机绝缘层完全保护晶体管，使得锂不会扩散到晶体管中。
这显示在图27-29中的数据中。图27是MOS结构的BT应力测试前后C-V特性的变化图，所述MOS结构具有在表2条件下形成的氮化硅膜(PCVD-SiN膜)作为电介质。样品的结构示于图29A，用Al-Li(加锂的铝)电极作为表面电极可确定锂的扩散效果。如图27所示，BT应力测试揭露出C-V特性显著移动，这表示从表面电极扩散的锂具有本质效果。
图28A和28B示出了MOS结构的BT应力测试前后的C-V特性，所述MOS结构用表1条件下形成的氮化硅膜作为电介质。图28A和图28B的测试中的区别在于：在图28A的测试中用Al-Si(加硅的铝膜)电极作为表面电极，而在图28B的测试中用Al-Li(加锂的铝膜)电极作为表面电极。图28B所示的结果是图29B所示的MOS结构的测量结果。在图29B中，用热氧化膜层叠这些膜，以便减小氮化硅膜和硅基板之间的界面处能量等级差的效果。
从图28A和28B中曲线可见，BT应力测试前后的C-V特性具有类似的移动图形，这表示没有锂扩散的效果，即，在表1的条件下形成的氮化硅膜有效地充当阻挡膜。
如上所述，由于在本发明中使用的无机绝缘层非常精细且具有抗包括Na和Li的活动元素的高阻挡效果，因此可抑制从平化膜扩散脱气的成分，也有效地抑制从Al-Li电极扩散Li。利用这些效果，可实现高可靠性的显示设备。发明人认为可以将无机绝缘层作得精细，原因是硅簇(cluster)不能容易地污染膜，因为在单晶硅靶的表面上形成氮化硅薄膜，然后在基板上层叠由此制造的氮化硅膜。
此外，由于通过溅射方法在相对低得温度下即室温到约200℃形成氮化硅膜，因此可以在树脂膜上形成根据本发明用作阻挡膜的氮化膜，这是优于等离子体CVD方法的另一个优点。在通过层叠形成时，可以用以上氮化硅膜作为部分栅极绝缘膜。
实施例
实施例1
下面，参考附图说明制造图1所示的发光设备的过程。
图8A中，基板101可以是玻璃基板、石英基板或陶瓷基板其中之一。基板101包括上面形成有绝缘膜的硅基板，金属基板或不锈钢基板。可使用具有可承受实施例的加工温度的热电阻的塑料基板。
由绝缘膜例如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜(SiOxNy)这样的绝缘膜组成的第一无机绝缘层102形成在基板101上。典型例子具有两层结构，其中，用SiH4、NH3和N2O作为反应气体形成50nm厚的第一氧氮化硅膜，用SiH4和N2O作为反应气体形成100nm厚的第二氧氮化硅膜形成在第一膜上。
通过结晶形成在第一无机绝缘层102上的非晶半导体膜来获得半导体层。形成的非晶半导体膜厚度为30-60nm，通过加热或照射激光束结晶。虽然在非晶半导体膜的材料上没有限制，但也可优选使用硅或硅锗(So1-xGex；0＜x＜1，x的代表性值是0.001-0.05)合金。
在代表性例子中，通过利用SiH4气体的等离子体CVD方法形成54nm厚的非晶硅膜。在晶化中，可用掺杂Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti或Tm其中之一的脉冲振荡或连续振荡准分子激光器，或YAG激光器，YVO4激光器或YLF激光器。当用YAG激光器，YVO4激光器或YLF激光器其中之一时，可以使用二次谐波至四次谐波。当使用这些激光器其中之一时，从激光振荡器照射的激光束可以被光学系统线性收集，以便照射在半导体膜上。晶化的条件可以由操作人员适当进行选择。
为了晶化，可添加某种金属元素，例如可用作半导体结晶的催化剂的镍。结晶的一个示例性过程是：将包含镍的溶液保持在非晶硅膜上，脱氢(500℃，一个小时)，通过在550℃下四个小时的炉内退火或740℃下180秒的气体加热快速退火，然后照射选自准分子激光器、YAG激光器，YVO4激光器或YLF激光器的连续振荡激光器的二次谐波，以便改善结晶。
通过光刻法以期望的形式蚀刻最后得到的结晶半导体膜，所述光刻法用光掩模(1)形成象岛一样隔开的半导体层103-107。图12示出了这时像素形成部分的顶视图。
此外，在非晶半导体膜结晶之后，为了控制TFT的阈值，可以用p-型杂质元素掺杂膜。p-型杂质元素包括属于周期表中族13的元素，例如硼(B)，铝(Al)和镓(Ga)。
下面，如图8B所示，形成覆盖象岛一样隔开的半导体层103-107的栅极绝缘膜108。利用氧化硅或氧氮化硅这样的无机绝缘材料，从包含硅的绝缘膜中通过等离子体CVD方法或溅射形成40-150nm厚的栅极绝缘膜108。该栅极绝缘层可以用包含硅的绝缘膜作为单层结构或层叠结构。
包含氮化钽(TaN)的30nm厚的第一导电膜10和包含钨(W)的400nm厚的第二导电膜11层叠在栅极绝缘膜108上，目的是形成栅电极。用于栅电极的其它导电材料可以选自Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu或用以上元素其中之一作为主要成分的合金或化学化合物。此外，可以使用包括掺杂了杂质元素例如磷的多晶硅膜的半导体膜。而且，也可以接受：第一导电膜钽膜(Ta)和第二导电膜W膜的组合，第一导电膜氮化钽(TaN)膜和第二导电膜Al膜的组合，或者第一导电膜氮化钽(TaN)膜和第二导电膜Ti膜的组合。
下面，如图8C所示，由其形成栅电极图形的掩模12使用光掩模(2)通过光刻法来形成。此后，用干腐蚀例如ICP(感应耦合等离子体)腐蚀来完成第一蚀刻。虽然对蚀刻气体没有限制，但可以用CF4、Cl2和O2进行W和TaN的蚀刻。在第一蚀刻中，向基板施加预定的偏压，在形成的电极图形13-17的侧表面上产生15-50度的倾斜角。第一蚀刻减少该绝缘膜上的暴露区域的厚度10-30nm。
下面，将第一蚀刻条件改变到第二蚀刻条件，用SF6、Cl2和O2作为蚀刻气体在W膜上执行各向异性蚀刻，并向基板施加预定偏压。由此形成栅电极110-113和输入端子的布线109。此后，去除掩模12。第二蚀刻进一步减小该绝缘膜上的暴露区域的厚度10-30nm。图13示出了这时像素形成部分的顶视图。
在形成栅电极之后，如图9A所示执行第一次掺杂，以在半导体层中形成第一n-型杂质区域18-22。这些第一n-型杂质区域用栅电极作掩模以自对准方式形成。可以适当设定掺杂条件，用氢稀释的5％PH3，以50kV注入6×1013/cm2剂量。
接着，如图9B所示，利用光掩模(3)形成掩模23，利用光刻法完成第二次掺杂。第二次掺杂使用用氢稀释的5％PH3，以65kV注入3×1015/cm2剂量，形成第二n-型杂质区域24、25、27和第三n-型杂质区域26和28。用栅电极作为掩模以自对准方式，在半导体层103中形成第二n-型杂质区域24和第三n-型杂质区域26。以用栅电极作为掩膜的自对准方式，在半导体106中形成第二n-型杂质区域27和第三n-型杂质区域28，在半导体层105中，通过掩模23形成第二n-型杂质区域25。
如图9C所示，利用光掩模(4)形成掩模29，通过光刻法完成第三次掺杂。第三次掺杂使用用氢稀释的5％B2H6，以80kV注入2×1016/cm2剂量，在半导体层104中形成p-型杂质区域30。
作为以上处理的结果，在每个半导体层中分别形成具有n-型导电性或p-型导电性的杂质区域。如图10A所示，在半导体层103中，第二n-型杂质区域24充当源极或漏极区域，第三n-型杂质区域26充当LDD区域。在半导体层104中，p-型杂质区域30充当源极或漏极区域。在半导体层105中，第二n-型杂质区域25充当源极或漏极区域，第一n-型杂质区域20充当LDD区域。在半导体层106中，第二n-型杂质区域27充当源极或漏极区域，第三n-型杂质区域28充当LDD区域。
接着，形成几乎覆盖整个表面的第二无机绝缘层114。利用等离子体CVD或溅射，用包含硅和氢的无机绝缘材料形成厚100-200nm的第二无机绝缘层114。最佳例子是通过等离子体CVD形成厚150nm的氧氮化硅膜。
在形成第二无机绝缘层114之后，活化加到每个半导体层中的每种杂质元素。通过在炉内退火或干净的恒温箱中加热来完成活化。温度是400℃-700℃，典型的，氮气氛的410℃-500℃。可以通过激光退火或快速热退火(RTA)活化杂质区域。
接着，如图10B所示，在第二无机绝缘层114上形成0.5-1μm的第一有机绝缘层115。可以用热固性丙烯酸材料作为有机绝缘材料，它是被旋涂的，在250℃下煅烧，形成平化膜。在该膜上，形成50-100nm的第三无机绝缘层116。
当形成第三无机绝缘层116时，在80-200℃在减压下加热具有上面形成有第二无机绝缘层114的基板来脱水。适于第三无机绝缘层116的一个示例性材料是用硅作为靶通过溅射形成的氮化硅膜。
可以适当选择形成膜的条件。最好是，通过用于溅射的RF功率施加氮(N2)或氮和氩的混合物作为溅射气体。可以在大气温度下对基板进行处理，不用加热。示例性过程示出了通过施加RF功率(13.56MHz)用硅作为靶、仅用氮气来溅射形成的氮化硅膜(#001)的红外吸收光谱。用添加1-2Ωsq.硼的硅靶、施加0.4Pa、800W RF功率(13.56MHz)和仅施加氮气形成膜。靶的半径为152.4mm。最后得到的氮化硅膜具有20原子％或更少的氧成分，最好10原子％或更少。通过降低氧浓度，膜可以更精细并能提高短波长范围内光的透射率。
接着，如图10C所示，通过光刻法用光掩模(5)形成掩模图形。通过利用光掩模(5)、通过光刻法形成掩模图形和干腐蚀形成输入端子的接触孔30和开口31。干腐蚀的条件如下：用CF4、O2和He蚀刻第三无机绝缘层116和第二无机绝缘层114，然后，用CHF3蚀刻第二无机绝缘层和栅极绝缘层。
此后，如图11A所示，用Al、Ti、Mo或W形成布线和像素电极。用光掩模(6)形成布线。例如，可使用厚50-250nm的Ti膜和厚300-500nm的Al和Ti的合金膜的层叠膜。由此形成布线117-125。
接着，如图11B所示，形成第二有机绝缘层128。该层用类似于第一有机绝缘层115的丙烯酸材料形成。然后，通过使用光掩模(7)在布线123、阳极层310的连接和输入端子上形成开口。形成第二有机绝缘层128，以便覆盖布线123的末端，其侧表面具有45度的倾斜角。
有机绝缘层材料是吸湿的且吸留水分。为了防止水分的吸留和释放，在第二有机绝缘层128上形成厚10-100nm的第四无机绝缘层129。第四无机绝缘层129用含氮化物的无机绝缘材料形成。第四无机绝缘层129由通过溅射制造的氮化硅膜形成。可用膜是类似于用于第三无机绝缘层116的膜。利用光掩模(8)将第四无机绝缘层129形成预定图形，覆盖第二有机绝缘层128的上表面和侧表面，锥形末端和布线123重叠。这样，在输入端子处形成第四无机绝缘层129，以便覆盖第二有机绝缘层128上形成的开口的侧表面，从而防止水分进入该区域。
接着，用氟化钙或氟化铯作为材料并通过真空淀积来淀积它而形成阴极层126。之后，形成包含发光材料的有机化合物层130。通过溅射或电阻加热淀积在包含发光材料的有机化合物层上形成阳极层131。可用ITO作为阳极层131。利用金属掩模(所谓的荫罩板)形成这些层上的图形。阳极层131是被施加公共电势并延伸到和布线120接触的连接310的电极。此外，在输入端子的布线上形成ITO膜127。
在溅射方法中使用惰性气体(通常为氩)。溅射气体的离子不仅被外层(sheath)电场加速并与靶碰撞，而且被弱外层电场加速并注入阳极下包含发光材料的有机化合物层130中。惰性气体通过位于有机化合物层晶格之间而防止分子或原子移位，改善了有机化合物的稳定性。此外，形成在阳极131上的第五无机绝缘层132由氮化硅或DLC膜形成。惰性气体的离子(通常是氩)在基板的侧面上被弱外层电场加速并穿过阳极注入到阳极131下有机化合物层131中。
接着，形成密封图形，粘接密封板，制造图1所示的发光设备。根据以上处理，可用八个光掩模完成发光设备。
实施例2
接着，参考附图14描述具有不同于实施例1的结构的发光设备。从开始到形成第三无机绝缘层116的过程和实施例1相同。然后，形成接触通道和布线117-125。
接着，约1μm厚的第三有机绝缘层180由如丙烯酸或聚酰亚胺的材料形成。由于和实施例1相同的原因，在第三有机绝缘层180上，用氮化硅形成第七无机绝缘层181。
形成和布线123和阴极层126连接的接触通道。在阴极层126的末端和接触通道的凹口形成第四有机绝缘层182。用第八无机绝缘层183覆盖第四有机绝缘层182的表面。此后，形成包含发光材料的有机化合物层130、阳极层131、密封图形133，粘接密封板，完成发光设备。
实施例3
如图31和32所示，该实施例中像素部分的结构和实施例1中像素部分的结构不同。在该实施例中，从开始到形成第三无机绝缘层116和第三无机绝缘层116上的布线123的过程和图1相同。
如图31A所示，覆盖布线123末端的第二有机绝缘层180由感光负性丙烯酸树脂形成。这样，第二有机绝缘层180和布线123接触的末端具有图中所示的有曲率的倾斜表面，其形状可以用至少两个曲率R1和R2表达。R1的中心位于布线上，而R2的中心位于布线下方。该形状可根据曝光度轻微变化，但膜的厚度是1.5μm，R1和R2的值是0.2-2μm。该倾斜的表面具有连续变化的曲率。
接着，沿具有这些平滑曲率的倾斜表面，形成如图31B所示的第四无机绝缘层129、阴极层126、有机化合物层130、阳极层131和第五无机绝缘层132。该第二有机绝缘层180部分的形状具有减轻应力的效果(特别地，布线123、第四无机绝缘层129和阴极126重叠的区域)，可防止发光元件从该末端部分劣化。即，这种结构可防止从像素周边开始然后扩展到其它区域的连续劣化。换言之，不发光的区域不能扩展。
图32A示出了一个例子，其中，第二有机绝缘层181用感光正性丙烯酸树脂来代替感光负性丙烯酸树脂来形成。在这种情况下，末端部分的形状是不同的。曲率半径R3是0.2-2，其中心位于布线123下方。在形成第二有机绝缘层181之后，沿具有图32B所示曲率的倾斜表面形成第四无机绝缘层129、阴极层126、有机化合物层130、阳极层131和第五无机绝缘层132。通过该结构可获得类似的效果。
该实施例可和实施例1和2组合实施。
实施例4
对于实施例1-3，对发光元件309中有机化合物层的结构不限制，以便可使用任何已知的结构。有机化合物层130具有发光层，正空穴注入层，电子注入层，正空穴传输层和电子传输层，可以具有层叠这些层的结构，或形成这些层的部分或全部材料混合的结构。特别地，包括发光层，正空穴注入层，电子注入层，正空穴传输层和电子传输层。基本EL元件具有按阳极、发光层、阴极这种顺序层叠的结构。其它可能的结构包括按阳极、正空穴注入层、发光层和阴极这样顺序层叠层的结构，或者从顶部开始按阳极、正空穴注入层、发光层、电子传输层和阴极这种顺序层叠层的结构。
典型地，用有机化合物形成发光层。但是，也可以用包括有机化合物或无机化合物和发光材料的电荷注入传输材料形成，它可包含选自低分子有机化合物、中分子有机化合物和聚合体有机化合物的有机化合物制成的一个或多个层，发光层可以和电子注入传输型或正空穴注入传输型的无机化合物组合。中分子有机化合物指不升华的且分子数位为20或更少，或者链接分子的长度不超过10μm的有机化合物。
可用的发光材料包括金属络合物，例如三-8-喹啉铝(tris-8-quinolinolatoalumium)络合物或双(苯并喹啉(benzoquinolinolato))铍络合物作为低分子有机化合物，苯基蒽衍生物，四芳基二胺衍生物和联苯乙烯苯衍生物。用以上材料其中之一作为主物质，可以施加香豆素衍生物，DCM，喹吖啶酮和红荧烯。也可以施加其它已知的材料。聚合有机化合物包括聚对亚苯基1，2-亚乙烯基(polyparaphenylenevinylenes)，聚对亚苯基(polyparaphenylens)，聚噻吩和聚芴，包括聚(p-亚苯基1，2亚乙烯基)：(PPV)，聚(2，5-二烷氧基-1，4-亚苯基1，2亚乙烯基)：(RO-PPV)，聚[2-2＇-乙基己氧基(ethylhexoxy)]-5-甲氧基-1，4-亚苯基1，2亚乙烯基]：(MEH-PPV)，聚[2-(二烷氧基苯)-1，4-亚苯基1，2亚乙烯基]：(ROPh-PPV)，聚(p-亚苯基)：(PPP)，聚(2，5-二烷氧基-1，4-亚苯基)：(RO-PPP)，聚(2，5-二己氧基(dihexoxy)-1，4-亚苯基)，聚噻吩：(PT)，聚(3-烷基噻吩)：(PAT)，聚(3-己基噻吩)：(PHT)，聚(3-环己基噻吩)：(PCHT)，聚(3-环己基-4-甲基噻吩)：(PCHMT)，聚(3，4-二环己基噻吩)；(PDCHT)，聚[3-(4-辛基苯)-噻吩]：(POPT)，聚[3-(4-辛基苯)-2，2-并噻吩])：(PTOPT)，聚芴：(PF)，聚(9，9-二烷基芴)：(PDAF)，聚(9，9-二辛基芴)：(PDOF)。
电荷注入传输层可使用无机化合物，例如类金刚石碳(DLC)、Si、Ge和其氧化物和氮化物。以上材料还可以适当添加P、B或N。此外，电荷注入传输层可以是碱金属或碱土金属的氧化物、氮化物或氟化物，或者至少有Zn、Sn、V、Ru、Sm和In的碱金属或碱土金属的化合物或合金。
列出的材料只是例子。利用这些材料，可以制造功能层，例如正空穴注入传输层，空穴传输层，电子注入传输层，电子传输层，发光层，电子阻挡层和正空穴阻挡层，将它们适当层叠，形成发光元件。此外，还可形成将这些层组合起来的混合层或混合连接。电致发光具有两种类型的光，即：在从单重激发态回到基态时发射的光(荧光)，和从三重激发态回到基态时发射的光(磷光)。根据本发明的场致发光元件可以使用其中一种光或两种光都使用。
本实施例可以和实施例1-3组合起来实施。
实施例5
可以将实施例1中发光元件309的阴极层126和阳极层131颠倒。在这种情况下，按布线123、阳极层126、有机化合物层130和阴极层131的顺序层叠层。可以将具有功函数为4eV或更大的金属氮化物(例如氮化钛)和ITO用于阳极层126。可以由0.5-5nm厚的氟化锂层和厚10-30nm的铝层形成阴极层131。形成铝层作为半透明薄层，使得通过阴极层131照射从有机化合物层130发射的光。
本实施例可以和实施例1-4组合起来进行实施。
实施例6
参考附图18描述本实施例1或2中应用到TFT上的半导体层的制造过程实施例。在本实施例中，连续振荡激光束扫描形成在绝缘表面上的非晶硅膜，从而使其结晶。
如图18A所示，包含厚度100nm的氧氮化硅膜的阻挡层402形成在玻璃基板401上。在阻挡层402上，通过等离子体CVD方法形成厚54nm的非晶硅膜403。
激光束是通过Nd：YVO4激光振荡器连续振荡照射的连续光束，照射通过波长转换元件所得到的二次谐波(532nm)。通过光学系统以椭圆形收集连续的振荡激光束，并且通过将基板401的相对位置移到激光照射光束405的点上，使非晶硅膜403结晶，形成晶体硅膜404。可以采用F20圆柱形透镜作为光学系统，在被照射的表面上将直径2.5mm的激光束变换成长轴2.5mm、短轴20μm的椭圆形形状。
当然，同样可使用其它激光振荡器。作为连续固态激光振荡器，可使用用晶体的激光振荡器，晶体例如YAG、YVO4、YLF或YALO3，掺杂Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti或Tm。
当用Nd：YVO4激光振荡器的二次谐波(532nm)时，通过玻璃基板401和阻挡层402透射该波长的激光束。所以，如图18B所示，可以从玻璃基板401侧照射激光束406。
结晶从照射激光束405的区域开始，形成晶体硅膜404。可以在一个方向或前和向后地扫描激光束。当向后和向前扫描时，每次扫描可以改变激光能量密度，以便逐渐结晶。扫描也可以有脱氢作用，这在非晶硅膜将被结晶时通常是必要的。在那种情况下，可以以更低的能量密度执行第一次扫描，接着，在脱氢之后，以较高的能量密度执行第二次扫描，从而完成结晶。这种过程也可提供结晶半导体膜，在该膜中，晶粒在激光束扫描的方向上延伸。在这些工序之后，将半导体层向岛一样分隔，这可用于实施例1。
该实施例所示的结构仅是示例性的。只要能获得类似的效果，也可使用其它的激光振荡器、其它的光学系统及其组合。
实施例7
下面参考图19说明在实施例1或2中将施加到TFT上的半导体层制造过程的一个实施例。在该实施例中，事先晶化形成在绝缘表面上的非晶硅膜，然后，通过连续振荡的激光束来扩展晶粒的尺寸。
如图19A所示，如实施例1那样，在玻璃基板501上形成阻挡层502和非晶硅膜503。为了添加Ni作为金属元素以降低结晶温度并促进晶化，旋涂乙酸镍5ppm溶液，形成包含催化剂元素的层504。
如图19B所示，通过在580℃加热四个小时晶化非晶硅膜。通过Ni的作用，在非晶硅膜中形成并扩散硅化物，同时晶体生长。最后得到的晶体硅膜506由条形或针形晶体组成，从宏观角度看时，每个晶体在特定方向上生长，这样，结晶方向是均一的。
如图19C所示，通过连续振荡激光束508执行扫描，从而提高晶体硅膜506的结晶质量。通过照射激光束，晶体硅膜熔化并再结晶。在该再结晶中，晶粒在激光束的扫描方向上延伸。有可能抑制具有不同结晶的颗粒淀积和错位的形成。在这些工序之后，半导体象岛一样被分离，这可适用于实施例1。
实施例8
下面参考图20说明实施例1或2中施加到TFT上的半导体层的制造过程的实施例。
如图20A所示，如实施例3那样，在玻璃基板511上形成阻挡层512和非晶硅膜513。在该非晶硅膜上，通过等离子体CVD形成厚100nm的氧化硅膜作为掩模绝缘膜514，并设置开口515。为了添加作为催化剂元素的Ni，旋涂乙酸镍5ppm溶液。Ni溶液在开口515处和非晶硅膜接触。
下面，如图20B所示，通过在580℃加热四个小时晶化非晶硅膜。通过催化剂元素的作用，晶体从开口515沿平行于基板表面的方向开始生长。最后得到的晶体硅膜517由条形或针形晶体组成，从宏观角度看时，每个晶体在特定方向上生长，这样，结晶方向是均一的。并且，它在特定方向上取向。
加热后，通过蚀刻去除掩模绝缘膜514，获得图20C所示的晶体硅膜517。在这些工序之后，半导体层象岛一样被分离，这可适用于实施例1。
实施例9
在实施例7或8中，在形成晶体硅膜507或517之后，可增加一道工序，通过吸杂去除留在浓度为1019原子/cm3或更高的膜中的催化剂元素。
如图21所示，在晶体硅膜507上形成包含氧化硅薄膜的阻挡层509，然后，通过溅射形成加有1×1020原子/cm3-1×1021原子/cm3氩或磷的非晶硅膜，作为吸杂位置510。
通过以炉内退火在600℃下加热12小时，或者以用灯光或加热气体的RTA在650-800℃下加热30-60分钟，作为催化剂元素添加的Ni可被分离到吸杂位置510。该过程将晶体硅膜507中催化剂元素浓度降低到1017原子/cm3或更小。
在类似条件下进行吸杂对在实施例2中形成的晶体硅膜是有效的。通过这种吸杂，可以去除包含在晶体硅膜中的少量金属元素，所述晶体硅膜是通过向非晶硅膜照射激光束形成的。
实施例10
图23示出了由EL面板制成模块的实施例，如实施例1所示，在所述面板中，在玻璃基板上整体形成像素部分和驱动电路部分。图23A示出了一个EL模块，在模块上，例如包含电源电路的IC安装在EL面板上。
在图23A中，EL面板800设有：像素部分803，具有用于每个像素的发光元件；扫描线驱动电路804，用于选择像素部分803中的像素；信号线驱动电路805，用于向所选像素提供视频信号。此外，印刷基板806设有控制器801和电源电路802。从控制器801或电源电路802输出的各种信号和电源电压经FPC807提供给EL面板800的像素部分803、扫描线驱动电路804和信号线驱动电路805。
电源电压和各种信号经布置多个输入端子的接口(I/F)部分808提供给印刷基板806。在该实施例中，用FPC在EL面板800上安装印刷基板806，但本发明不限于这种特殊结构。用COG(玻璃上芯片)技术可以在EL面板800上直接安装控制器801和电源电路802。在印刷基板806中，由于可防止信号尖锐上升沿的在布线中形成的电容或布线本身的电阻会在电源电压或信号中引入噪声。为了避免这个问题，印刷基板806可设有电容器或缓冲器这样的元件，以便防止电源电压或信号上的噪声，并保持尖锐的信号上升沿。
图23B是印刷基板806的结构方框图。提供给接口808的各种信号和电源电压被提供给控制器801和电源电路802。控制器801具有A/D转换器809、PLL(锁相回路)810、控制信号发生器811和SRAM(静态随机存取存储器)812和813。尽管本实施例用SRAM，但也可以使用SDRAM或DRAM(动态随机存取存储器，只要能高速读/写数据)。
经接口808提供的视频信号通过A/D转换器809从并行形式转换为串行形式，然后作为对应于R、G、B色的视频信号分别输入到控制信号发生器811中。基于经接口808提供的信号，A/D转换器809产生Hsync信号、Vsync信号，时钟信号CLK，交流电压[VAC]，所有这些都输入到控制信号发生器811中。
锁相回路810能使经接口808提供的各种信号的频率段和控制信号发生器811的工作频率匹配。控制信号发生器811的工作频率不总和经接口808提供的各种信号的频率相同，使得锁相回路810调整控制信号发生器811的工作频率，从而使该频率和信号的频率同步。输入到控制信号发生器811中的视频信号临时写入并存储在SRAM812和813中。控制信号发生器811从存储在SRAM812中的所有视频信号位中一次一位地读出对应于所有像素的视频信号，并将该位提供给EL面板800的信号线驱动电路805。
控制信号发生器811将与发光元件为每个位发射光期间相关的信息提供给EL面板800的扫描线驱动电路804。电源电路802将预定的电源电压提供给EL面板800的信号线驱动电路805、扫描线驱动电路804和像素部分803。
图22示出了电子设备的例子，其中可包含以上EL模块。
图22A是包含EL模块的电视接收机的例子，包含外壳3001，支座3002和显示单元3003。在显示单元3003中采纳根据本发明制造的TFT基板，完成电视接收机。
图22B是包含EL模块的视频摄像机的一个例子，包含机体3011、显示单元3012、声音输入3013、操作开关3014、电池3015和图像接收部分3016。在显示单元3012中采纳根据本发明制造的TFT基板，完成视频摄像机。
图22C是包含EL模块的笔记本型个人计算机的一个例子，包含机体3021、外壳3022、显示单元3023和键盘3024。在显示单元3023中采纳根据本发明制造的TFT基板，完成个人计算机。
图22D是包含EL模块的PDA(个人数字助理)的例子，包含机体3031、输入笔3032、显示单元3033、操作按钮3034和外部接口3035。在显示单元3033中采纳根据本发明制造的TFT基板，完成PDA。
图22E是包含EL模块的汽车音响系统的例子，包含机体3041、显示单元3042、操作开关3043和3044。在显示单元3042中采纳根据本发明制造的TFT基板，完成汽车音响系统。
图22F是包含EL模块的数字照相机的一个例子，包含机体3051、显示单元(A)3052、目镜3053、操作开关3054、显示单元(B)3055和电池3056。在显示单元(A)3052和(B)3055中采纳根据本发明制造的TFT基板，完成数字照相机。
图22G是包含EL面板的移动电话的一个例子，包含机体3061、语音输出部分3062、语音输入部分3063、显示单元3064、操作开关3065和天线3066。在显示单元3064中采纳根据本发明制造的TFT基板，完成移动电话。
本发明的应用不限于图中所示的应用。相反，它可以在各种电子设备中被采用。
根据本发明，作为TFT主要组成部分的半导体膜、栅极绝缘膜和栅电极在其上表面上和其下表面下被无机绝缘材料包围，以防止被碱金属和有机材料污染。无机绝缘材料选自包含氮化硅、氧氮化硅、氧氮化铝、氧化铝和氮化铝组成的组。有机发光元件局部包含碱金属，且被无机绝缘材料包围，从而实现可防止从外界渗入氧气或水分的结构。无机绝缘材料选自由氮化硅、氧氮化硅、氧氮化铝、氮化铝和DLC组成的组。该结构可提高发光设备的可靠性。

Claims (69)

1.一种发光器件，包含：
绝缘表面上的薄膜晶体管，包含：
半导体层；
栅极绝缘膜；和
栅电极；
在半导体层下的第一无机绝缘层；
栅电极上的第二无机绝缘层；
在第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层；
在第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层；
遍布第三无机绝缘层的布线层；
和布线层的末端重叠的第二有机绝缘层，第二有机绝缘层具有曲率连续变化的倾斜表面；
第四无机绝缘层，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上，第四无机绝缘层在布线层上有开口，
在布线层上形成的阴极层，阴极层的末端和第四无机绝缘层重叠；
包含在阴极层和第四无机绝缘层上形成的有机材料的发光层；
在包含有机材料的发光层上形成的阳极层；以及
在阳极层上形成的第五无机绝缘层；
其中，从发光材料发射的光通过第五无机绝缘层和阳极可见，以及
其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层的每一层都包含选自由氮化硅和氮化铝组成的组中的材料。
2.一种发光器件，包含：
包含薄膜晶体管的绝缘表面上的像素部分，薄膜晶体管包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极；
包含薄膜晶体管的绝缘表面上的驱动电路部分，薄膜晶体管包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极，
半导体层下的第一无机绝缘层，
栅电极上的第二无机绝缘层，
第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，
第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，
布线层，遍布第三无机绝缘层，
第二有机绝缘层，和布线层的末端重叠，第二有机绝缘层具有连续变化曲率的倾斜表面，
第四无机绝缘层，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上，第四无机绝缘层在布线层上有开口，
阴极层，形成在布线层上，阴极层的末端和第四无机绝缘层重叠，
发光层，包含形成在阴极层和第四无机绝缘层上的有机材料，
在包含有机材料的发光层上形成的阳极层，
在阳极层上形成的第五无机绝缘层；以及
在第四无机绝缘层上形成的密封图形，
其中，在像素部分的周边区域中形成驱动电路部分，
其中，从发光材料发射的光通过第五无机绝缘层可见，
其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层中的每一层都包含选自由氮化硅和氮化铝组成的组中的材料，以及
其中，密封图形和驱动电路部分重叠。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层包含通过RF溅射方法形成的氮化硅。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层的每一层都包含通过RF溅射方法形成的氮化硅。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层包含蚀刻速率为9nm/min或更低的氮化硅。
6.根据权利要求2所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层包含蚀刻速率为9nm/min或更低的氮化硅。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
8.根据权利要求2所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
10.根据权利要求2所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
11.一种发光器件，包含：
绝缘表面上的薄膜晶体管，包含：
半导体层；
栅极绝缘膜；和
栅电极；
在半导体层下的第一无机绝缘层；
栅电极上的第二无机绝缘层；
在第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层；
在第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层；
第三无机绝缘层上遍布的布线层；
和布线层的末端重叠的第二有机绝缘层，第二有机绝缘层具有曲率连续变化的倾斜表面；
第四无机绝缘层，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上，第四无机绝缘层在布线层上有开口，
形成在布线层上的阴极层，阴极层的末端和第四无机绝缘层重叠；
包含在阴极层和第四无机绝缘层上形成的有机材料的发光层；以及
阳极层，形成在包含有机材料的发光层上，
其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层的每一层都包含选自由氮化硅和氮化铝组成的组中的材料。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
14.一种发光器件，包含：
包含薄膜晶体管的绝缘表面上的像素部分，薄膜晶体管包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极；
包含薄膜晶体管的绝缘表面上的驱动电路部分，薄膜晶体管包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极，
半导体层下的第一无机绝缘层，
栅电极上的第二无机绝缘层，
第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，
第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，
布线层，遍布第三无机绝缘层，
第二有机绝缘层，和布线层的末端重叠，第二有机绝缘层具有连续变化曲率的倾斜表面，
第四无机绝缘层，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上，第四无机绝缘层在布线层上有开口，
阴极层，形成在布线层上，阴极层的末端与第四无机绝缘层重叠，
发光层，包含形成在阴极层和第四无机绝缘层上的有机材料，
在包含有机材料的发光层上形成的阳极层，
在第四无机绝缘层上的密封图形，
其中，在像素部分的周边区域中形成驱动电路部分，和
其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层中的每一层都包含选自由氮化硅和氮化铝组成的组中的材料。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中，密封图形和驱动电路部分重叠。
16.根据权利要求14所述的发光器件，还包含阳极层上的第五无机绝缘膜。
17.根据权利要求14所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
18.根据权利要求15所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
19.根据权利要求16所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
20.根据权利要求14所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
21.根据权利要求15所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
22.根据权利要求16所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
23.一种发光器件，包含：
绝缘表面上的像素部分，包含：
薄膜晶体管，包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极；
包含有机化合物层的发光元件，有机化合物层在阳极层和阴极层之间包含发光材料，
包含薄膜晶体管的绝缘表面上的驱动电路部分，薄膜晶体管包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极，
由像素部分和驱动电路部分上的有机绝缘层形成的阻挡层，
无机绝缘层，包含阻挡层的上表面和侧表面上的氮化硅或氮化铝，以及
无机绝缘层上的密封图形，
其中，在像素部分的周边区域中形成驱动电路部分，
其中，密封图形和驱动电路部分重叠，以及
其中，在密封图形内部提供阳极层和在阳极层下形成的布线之间的连接。
24.一种发光器件，包含：
绝缘表面上的像素部分，包含：
第一薄膜晶体管，包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极；和
包含有机化合物层的发光元件，有机化合物层在阳极层和阴极层之间包含发光材料，
包含第二薄膜晶体管的绝缘表面上的驱动电路部分，第二薄膜晶体管包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极，
由像素部分和驱动电路部分上的有机绝缘层形成的阻挡层，
无机绝缘层，包含阻挡层的上表面和侧表面上的氮化硅或氮化铝，以及
无机绝缘层上的密封图形，
其中，在像素部分的周边区域中形成驱动电路部分，
其中，在密封图形内部形成第一薄膜晶体管，
其中一些或全部第二薄膜晶体管和密封图形重叠，以及
其中，在密封图形内部提供阳极层和在阳极层下形成的布线之间的连接。
25.一种发光器件，包含：
绝缘表面上的像素部分，包含：
薄膜晶体管包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极；
包含有机化合物层的发光元件，有机化合物层在阳极层和阴极层之间包含发光材料，
包含薄膜晶体管的绝缘表面上的驱动电路部分，薄膜晶体管包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极，
由像素部分和驱动电路部分上的有机绝缘层形成的阻挡层，
无机绝缘层，包含阻挡层的上表面和侧表面上的氮化硅或氮化铝，以及
无机绝缘层上的密封图形，
其中，在像素部分的周边区域中形成驱动电路部分，
其中，在密封图形内部提供阳极层和在阳极层下形成的布线之间的连接。
26.根据权利要求23所述的发光器件，其中，无机绝缘层包含通过RF溅射方法形成的氮化硅。
27.根据权利要求24所述的发光器件，其中，无机绝缘层包含通过RF溅射方法形成的氮化硅。
28.根据权利要求23所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层的每一层包含蚀刻速率为9nm/min或更低的氮化硅。
29.根据权利要求24所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层的每一层包含蚀刻速率为9nm/min或更低的氮化硅。
30.根据权利要求23所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
31.根据权利要求24所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
32.根据权利要求25所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
33.根据权利要求23所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层的每一层包含氧浓度为5×1018-5×1021原了/cm3的氮化硅。
34.根据权利要求24所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层的每一层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
35.根据权利要求25所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层到第五无机绝缘层的每一层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
36.一种制造发光器件的方法，所述发光器件包含：包括薄膜晶体管的像素部分，薄膜晶体管具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极；发光元件，包括在阳极层和阴极层之间包含有机材料的发光层；驱动电路部分，包括含有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极的薄膜晶体管，驱动电路部分形成在像素部分的周边区域中，所述方法包含以下步骤：
在绝缘表面上形成第一无机绝缘层，
在第一无机绝缘层上形成包含晶体硅的半导体层，
在半导体层上形成栅极绝缘膜，
在栅极绝缘膜上形成栅电极，
在栅电极上形成第二无机绝缘层，
在第二无机绝缘层上形成第一有机绝缘层，
在第二有机绝缘层上形成第三无机绝缘层，
在第三无机绝缘层上形成布线层，
形成和布线层的末端重叠的第二有机绝缘层，第二有机绝缘层具有倾斜部分，
在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上形成第四无机绝缘层，第四无机绝缘层在布线层上具有开口，
在布线层上形成阴极层，阴极层的末端和第四无机绝缘层重叠，以及
在阴极层和第四无机绝缘层上形成包含有机材料的发光层，以及
在包含有机材料的发光层上形成阳极层，
其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层中的每一层都包含选自通过RF溅射方法形成的氮化硅和氮化铝组成的组中的材料。
37.一种制造发光器件的方法，所述发光器件包含：包括薄膜晶体管的像素部分，薄膜晶体管具有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极；发光元件，包括在阳极层和阴极层之间包含有机材料的发光层；驱动电路部分，包括含有半导体层、栅极绝缘膜和栅电极的薄膜晶体管，驱动电路部分形成在像素部分的周边区域中，所述方法包含以下步骤：
在绝缘表面上形成第一无机绝缘层，
在第一无机绝缘层上形成包含晶体硅的半导体层，
在半导体层上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成栅电极，
在栅电极上形成第二无机绝缘层，
在第二无机绝缘层上形成第一有机绝缘层，
在第一有机绝缘层上形成第三无机绝缘层，
在第三无机绝缘层上形成布线层，
形成和布线层的末端重叠的第二有机绝缘层，第二有机绝缘层具有35-45度的倾斜角，
在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上形成第四无机绝缘层，第四无机绝缘层在布线层上具有开口，
在布线层上形成阴极层，并且末端和第四无机绝缘层重叠，
在阴极层和第四无机绝缘层上形成包含有机材料的发光层，
在包含有机材料的发光层上形成阳极层，
在密封图形和驱动电路部分重叠的位置在第四绝缘层上形成密封图形；以及
和密封图形对准粘接密封板，
其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层包含选自通过RF溅射方法形成的氮化硅和氮化铝组成的组中的材料。
38.根据权利要求36所述的发光器件制造方法，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层的每一层包含用硅作为靶且仅用氮作为溅射气体，通过RF溅射方法形成的氮化硅。
39.根据权利要求37所述的发光器件制造方法，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层的每一层包含用硅作为靶且仅用氮作为溅射气体，通过RF溅射方法形成的氮化硅。
40.根据权利要求36所述的发光器件制造方法，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层中的每层都是利用涡轮分子泵或低温泵在1×10-3Pa或更小的背压下进行溅射，用N2气体或N2气体和惰性气体的混合物溅射单晶硅靶形成的。
41.根据权利要求37所述的发光器件制造方法，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层中的每层都是利用涡轮分子泵或低温泵在1×10-3Pa或更小的背压下进行溅射，用N2气体或N2气体和惰性气体的混合物溅射单晶硅靶形成的。
42.根据权利要求36所述的发光器件制造方法，其中，在形成第一有机绝缘层后，通过在减压下，同时保持减压，加热并脱水形成第三无机绝缘层。
43.根据权利要求37所述的发光器件制造方法，其中，在形成第一有机绝缘层后，通过在减压下，同时保持减压，加热并脱水形成第三无机绝缘层。
44.根据权利要求36所述的发光器件制造方法，其中，在形成第二有机绝缘层后，通过在减压下，同时保持减压，加热并脱水形成第四无机绝缘层。
45.根据权利要求37所述的发光器件制造方法，其中，在形成第二有机绝缘层后，通过在减压下，同时保持减压，加热并脱水形成第四无机绝缘层。
46.根据权利要求36所述的发光器件制造方法，还包含在形成阳极层之后在阳极层上形成第五无机绝缘层的步骤。
47.根据权利要求37所述的发光器件制造方法，还包含在形成阳极层之后在阳极层上形成第五无机绝缘层的步骤。
48.一种发光器件，包含：
绝缘表面上的薄膜晶体管，包含：
半导体层；
栅极绝缘膜；和
栅电极；
在半导体层下的第一无机绝缘层；
栅电极上的第二无机绝缘层；
在第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层；
在第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层；
第三无机绝缘层上遍布的布线层；
和布线层的末端重叠的第二有机绝缘层，第二有机绝缘层具有曲率连续变化的倾斜表面；
第四无机绝缘层，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上，第四无机绝缘层在布线层上有开口，以及
在第四无机绝缘层上的发光元件，包含：
阴极层，
阳极层，和
在阴极层和阳极层之间包含有机材料的发光层，
其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层的每一层都包含选自由氮化硅和氮化铝组成的组中的材料。
49.一种发光器件，包含：
绝缘表面上的薄膜晶体管，包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极；
半导体层下的第一无机绝缘层，
栅电极上的第二无机绝缘层，
第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，
第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，
布线层，遍布第三无机绝缘层，
第二有机绝缘层，和布线层的末端重叠，第二有机绝缘层具有连续变化曲率的倾斜表面，
第四无机绝缘层，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上，第四无机绝缘层在布线层上有开口，
第四无机绝缘层上的发光元件，包含：
阴极层，
阳极层，和
在阴极层和阳极层之间包含有机材料的发光层；和
发光元件上的第五无机绝缘层；
其中，从发光材料发射的光通过第五无机绝缘层和阳极是可见的，
其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层中的每一层都包含选自氮化硅和氮化铝组成的组中的材料。
50.一种发光器件，包含：
包含薄膜晶体管的绝缘表面上的像素部分，薄膜晶体管包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极；
包含薄膜晶体管的绝缘表面上的驱动电路部分，薄膜晶体管包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极，
半导体层下的第一无机绝缘层，
栅电极上的第二无机绝缘层，
第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，
第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，
布线层，遍布第三无机绝缘层上，
第二有机绝缘层，和布线层的末端重叠，第二有机绝缘层具有连续变化曲率的倾斜表面，
第四无机绝缘层，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上，第四无机绝缘层在布线层上有开口，
第四无机绝缘层上的发光元件，包含：
阴极层，
阳极层，和
在阴极层和阳极层之间包含有机材料的发光层；和
在第四无机绝缘层上的密封图形，
其中，在像素部分的周边区域中形成驱动电路部分，以及
其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层中的每一层都包含选自由氮化硅和氮化铝组成的组中的材料。
51.一种发光器件，包含：
包含薄膜晶体管的绝缘表面上的像素部分，薄膜晶体管包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极；
包含薄膜晶体管的绝缘表面上的驱动电路部分，薄膜晶体管包含：
半导体层，
栅极绝缘膜，和
栅电极，
半导体层下的第一无机绝缘层，
栅电极上的第二无机绝缘层，
第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，
第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，
布线层，遍布第三无机绝缘层上，
第二有机绝缘层，和布线层的末端重叠，第二有机绝缘层具有连续变化曲率的倾斜表面，
第四无机绝缘层，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上，第四无机绝缘层在布线层上有开口，
第四无机绝缘层上的发光元件，包含：
阴极层，
阳极层，和
在阴极层和阳极层之间包含有机材料的发光层；
发光元件上的第五无机绝缘层，和
在第四无机绝缘层上的密封图形，
其中，在像素部分的周边区域中形成驱动电路部分，
其中，从发光材料发射的光通过第五无机绝缘层是可见的，以及
其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层中的每一层都包含选自由氮化硅和氮化铝组成的组中的材料。
52.根据权利要求48所述的发光器件，还包含发光元件上的第五无机绝缘层。
53.根据权利要求50所述的发光器件，还包含发光元件上的第五无机绝缘层。
54.根据权利要求50所述的发光器件，其中，密封图形和驱动电路部分重叠。
55.根据权利要求51所述的发光器件，其中，密封图形和驱动电路部分重叠。
56.根据权利要求48所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
57.根据权利要求49所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
58.根据权利要求50所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
59.根据权利要求51所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
60.根据权利要求48所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层的每一层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
61.根据权利要求49所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
62.根据权利要求50所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
63.根据权利要求51所述的发光器件，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
64.根据权利要求52所述的发光器件，其中，第五无机绝缘层包含选自由氮化硅和氮化铝组成的组的材料。
65.根据权利要求53所述的发光器件，其中，第五无机绝缘层包含选自由氮化硅和氮化铝组成的组的材料。
66.根据权利要求52所述的发光器件，其中，第五无机绝缘层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
67.根据权利要求53所述的发光器件，其中，第五无机绝缘层包含氢浓度为1×1021原子/cm3或更低的氮化硅。
68.根据权利要求52所述的发光器件，其中，第五无机绝缘层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
69.根据权利要求53所述的发光器件，其中，第五无机绝缘层包含氧浓度为5×1018-5×1021原子/cm3的氮化硅。
CNB021575819A 2001-11-09 2002-11-08 发光设备及其制造方法 Expired - Fee Related CN100380673C (zh)

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Country Link
US (2) US6903377B2 (zh)
CN (1) CN100380673C (zh)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100419519C (zh) * 2003-10-21 2008-09-17 株式会社半导体能源研究所 发光器件
CN100459184C (zh) * 2003-08-29 2009-02-04 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法
US7619258B2 (en) 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN101271919B (zh) * 2007-03-22 2010-06-09 乐金显示有限公司 显示基板、有机发光二极管显示器件及其制造方法
CN1988196B (zh) * 2005-12-20 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法、显示装置、电子设备
US7863064B2 (en) 2008-05-27 2011-01-04 Lg Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display and organic light emitting display
US7915821B2 (en) 2004-10-11 2011-03-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. OLED comprising an organic insulating layer with grooves and an inorganic layer filling the grooves
US7977685B2 (en) 2004-01-26 2011-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
CN101765929B (zh) * 2007-07-31 2012-10-24 住友化学株式会社 有机电致发光元件及其制造方法
CN103187430A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 三星显示有限公司 显示装置
CN103426899A (zh) * 2012-05-22 2013-12-04 株式会社东芝 显示装置
CN104465697A (zh) * 2013-09-19 2015-03-25 株式会社东芝 显示设备及半导体设备
CN104701337A (zh) * 2013-12-04 2015-06-10 群创光电股份有限公司 主动矩阵电致发光显示装置
TWI580028B (zh) * 2012-07-31 2017-04-21 杰奧萊德股份有限公司 顯示單元及電子設備
CN108352139A (zh) * 2015-11-06 2018-07-31 夏普株式会社 显示基板、显示装置以及显示基板的制造方法
CN108682370A (zh) * 2015-09-02 2018-10-19 欧库勒斯虚拟现实有限责任公司 显示器及用于制造显示器的方法
CN109742091A (zh) * 2019-01-10 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110268460A (zh) * 2017-02-23 2019-09-20 夏普株式会社 驱动电路、矩阵基板以及显示装置
CN110462718A (zh) * 2017-03-29 2019-11-15 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法、显示设备的制造装置、成膜装置
US11727869B2 (en) 2016-04-26 2023-08-15 Meta Platforms Technologies, Llc Display with redundant light emitting devices

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7301279B2 (en) * 2001-03-19 2007-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same
TWI264244B (en) * 2001-06-18 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of fabricating the same
US6903377B2 (en) * 2001-11-09 2005-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
US7042024B2 (en) * 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
US6822264B2 (en) * 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4101511B2 (ja) * 2001-12-27 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP3989761B2 (ja) 2002-04-09 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7038239B2 (en) 2002-04-09 2006-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and display device using the same
US7411215B2 (en) 2002-04-15 2008-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
JP3989763B2 (ja) * 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7242021B2 (en) * 2002-04-23 2007-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display element using semiconductor device
TWI272556B (en) * 2002-05-13 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Display device
TWI263339B (en) * 2002-05-15 2006-10-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method for manufacturing the same
US7256421B2 (en) 2002-05-17 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device
US20040124421A1 (en) * 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP4429586B2 (ja) 2002-11-08 2010-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7160762B2 (en) * 2002-11-08 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and laser irradiation apparatus
JP4417027B2 (ja) * 2003-05-21 2010-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7115488B2 (en) * 2003-08-29 2006-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP4741177B2 (ja) * 2003-08-29 2011-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
KR100611152B1 (ko) * 2003-11-27 2006-08-09 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
US7495257B2 (en) 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2005208603A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US7274044B2 (en) * 2004-01-26 2007-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7423373B2 (en) * 2004-03-26 2008-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US7521368B2 (en) * 2004-05-07 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7202504B2 (en) * 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
KR100536043B1 (ko) * 2004-06-25 2005-12-12 삼성전자주식회사 적층형 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2006054111A (ja) * 2004-08-12 2006-02-23 Sony Corp 表示装置
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
US8148895B2 (en) 2004-10-01 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
JP4329740B2 (ja) * 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
KR100669752B1 (ko) * 2004-11-10 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한평판표시장치
JP2006261057A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP4455381B2 (ja) * 2005-03-28 2010-04-21 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置およびその製造方法、容量素子およびその製造方法、並びにｍｉｓ型半導体装置およびその製造方法。
KR100745346B1 (ko) * 2005-09-20 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법
JP2007123240A (ja) * 2005-09-28 2007-05-17 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
US8212953B2 (en) 2005-12-26 2012-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5207670B2 (ja) * 2006-07-19 2013-06-12 キヤノン株式会社 表示装置
JP5105842B2 (ja) * 2006-12-05 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法
EP1970952A3 (en) * 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP1970951A3 (en) * 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP1976000A3 (en) * 2007-03-26 2009-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP1976001A3 (en) * 2007-03-26 2012-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2009151293A (ja) 2007-11-30 2009-07-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び表示装置の作製方法、並びに電子機器
JP2009205669A (ja) * 2008-01-31 2009-09-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
WO2009131132A1 (en) * 2008-04-25 2009-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8044499B2 (en) * 2008-06-10 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring substrate, manufacturing method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
US8563397B2 (en) * 2008-07-09 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPWO2010010622A1 (ja) * 2008-07-24 2012-01-05 富士電機株式会社 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法
KR101634791B1 (ko) 2008-11-28 2016-06-30 삼성디스플레이 주식회사 접촉 감지 기능이 있는 유기 발광 표시 장치
WO2010071089A1 (en) 2008-12-17 2010-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
KR101493662B1 (ko) 2009-07-10 2015-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 기기 및 표시 패널
CN105161543A (zh) * 2009-09-24 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101783781B1 (ko) * 2010-07-05 2017-10-11 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102449610B1 (ko) 2011-07-22 2022-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
JP6490901B2 (ja) 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
KR20140133053A (ko) * 2013-05-09 2014-11-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5964807B2 (ja) * 2013-08-30 2016-08-03 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル有機電界発光装置及びその製造方法
US9117785B2 (en) * 2013-11-22 2015-08-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
TWI687143B (zh) 2014-04-25 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
KR102266448B1 (ko) 2014-07-29 2021-06-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9933812B2 (en) * 2014-09-05 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, and data processor
KR102349282B1 (ko) * 2015-03-27 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2017022071A (ja) * 2015-07-15 2017-01-26 キヤノン株式会社 有機発光装置
KR102571085B1 (ko) * 2016-04-04 2023-08-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10846452B2 (en) * 2016-07-01 2020-11-24 Globalfoundries Inc. Method, apparatus and system for wide metal line for SADP routing
CN114899346A (zh) 2017-06-13 2022-08-12 堺显示器制品株式会社 有机el设备的制造方法及薄膜密封结构形成装置
JP2019049595A (ja) 2017-09-08 2019-03-28 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置
CN111886700A (zh) * 2018-03-28 2020-11-03 堺显示器制品株式会社 有机el显示装置及其制造方法
CN109003991A (zh) * 2018-08-01 2018-12-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示面板
US11296156B2 (en) * 2018-11-28 2022-04-05 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device
KR20200138509A (ko) * 2019-05-30 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4717602A (en) * 1984-03-12 1988-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing silicon nitride layers
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
DK0725939T3 (da) * 1992-03-13 1999-11-15 Kopin Corp Skærmsystem til anbringelse på hovedet
JP3813217B2 (ja) 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
US5701055A (en) 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5952037A (en) 1995-03-13 1999-09-14 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing the same
TW439003B (en) 1995-11-17 2001-06-07 Semiconductor Energy Lab Display device
JPH09148066A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Pioneer Electron Corp 有機ｅｌ素子
US6037712A (en) 1996-06-10 2000-03-14 Tdk Corporation Organic electroluminescence display device and producing method thereof
JP3013886B2 (ja) * 1996-09-27 2000-02-28 富士ゼロックス株式会社 ２次元素子アレイ、２次元面発光レーザアレイおよび画像形成装置
US5929474A (en) 1997-03-10 1999-07-27 Motorola, Inc. Active matrix OED array
US5789766A (en) 1997-03-20 1998-08-04 Motorola, Inc. Led array with stacked driver circuits and methods of manfacture
US6927826B2 (en) 1997-03-26 2005-08-09 Semiconductor Energy Labaratory Co., Ltd. Display device
JPH10268360A (ja) 1997-03-26 1998-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3570857B2 (ja) 1997-05-20 2004-09-29 パイオニア株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルとその製造方法
US6069443A (en) 1997-06-23 2000-05-30 Fed Corporation Passive matrix OLED display
US6016033A (en) 1997-07-11 2000-01-18 Fed Corporation Electrode structure for high resolution organic light-emitting diode displays and method for making the same
KR100243297B1 (ko) * 1997-07-28 2000-02-01 윤종용 다결정실리콘 박막 트랜지스터-액정표시장치 및그 제조방법
US6013538A (en) 1997-11-24 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Method of fabricating and patterning OLEDs
US5953587A (en) 1997-11-24 1999-09-14 The Trustees Of Princeton University Method for deposition and patterning of organic thin film
JP3380482B2 (ja) 1997-12-26 2003-02-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3543170B2 (ja) 1998-02-24 2004-07-14 カシオ計算機株式会社 電界発光素子及びその製造方法
JP3646510B2 (ja) 1998-03-18 2005-05-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ
US6608820B1 (en) * 1998-08-17 2003-08-19 Nortel Networks Ltd. Method and apparatus for controlling a conference call
GB9821311D0 (en) * 1998-10-02 1998-11-25 Koninkl Philips Electronics Nv Reflective liquid crystal display device
US7126161B2 (en) * 1998-10-13 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having El layer and sealing material
US6274887B1 (en) * 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
GB2347013A (en) 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
US6512504B1 (en) * 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP3814102B2 (ja) 1999-05-24 2006-08-23 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
TW527735B (en) 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
JP2001052864A (ja) * 1999-06-04 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP3983460B2 (ja) 1999-07-06 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6426245B1 (en) 1999-07-09 2002-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP4363723B2 (ja) * 1999-09-02 2009-11-11 東芝モバイルディスプレイ株式会社 液晶表示装置
JP3863325B2 (ja) 1999-09-10 2006-12-27 株式会社日立製作所 画像表示装置
TW516244B (en) * 1999-09-17 2003-01-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for manufacturing the same
TW540251B (en) * 1999-09-24 2003-07-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for driving the same
JP3423261B2 (ja) * 1999-09-29 2003-07-07 三洋電機株式会社 表示装置
JP2001109404A (ja) * 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
TW495854B (en) 2000-03-06 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP2002083691A (ja) * 2000-09-06 2002-03-22 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置及びその製造方法
US6924594B2 (en) * 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7030847B2 (en) * 2000-11-07 2006-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
TW522577B (en) 2000-11-10 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US7178927B2 (en) * 2000-11-14 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent device having drying agent
JP2002198526A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US6893887B2 (en) * 2001-01-18 2005-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for producing a light emitting device
US6724150B2 (en) * 2001-02-01 2004-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US6717181B2 (en) 2001-02-22 2004-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device having thin film transistor
US6992439B2 (en) 2001-02-22 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element
TWI264244B (en) 2001-06-18 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of fabricating the same
WO2003001857A1 (en) * 2001-06-22 2003-01-03 International Business Machines Corporation Passive drive matrix display
US6998644B1 (en) * 2001-08-17 2006-02-14 Alien Technology Corporation Display device with an array of display drivers recessed onto a substrate
US6903377B2 (en) * 2001-11-09 2005-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
US7042024B2 (en) 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
US6822264B2 (en) * 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100459184C (zh) * 2003-08-29 2009-02-04 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法
US8723417B2 (en) 2003-08-29 2014-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CN101483186B (zh) * 2003-08-29 2013-04-03 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法
US10903402B2 (en) 2003-08-29 2021-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US10367124B2 (en) 2003-08-29 2019-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CN100419519C (zh) * 2003-10-21 2008-09-17 株式会社半导体能源研究所 发光器件
US7977685B2 (en) 2004-01-26 2011-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8669567B2 (en) 2004-01-26 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US7619258B2 (en) 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7915821B2 (en) 2004-10-11 2011-03-29 Samsung Mobile Display Co., Ltd. OLED comprising an organic insulating layer with grooves and an inorganic layer filling the grooves
CN1988196B (zh) * 2005-12-20 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法、显示装置、电子设备
US8441178B2 (en) 2007-03-22 2013-05-14 Lg Display Co., Ltd. Display substrate, organic light emitting diode display device, and manufacturing method thereof
CN101271919B (zh) * 2007-03-22 2010-06-09 乐金显示有限公司 显示基板、有机发光二极管显示器件及其制造方法
CN101765929B (zh) * 2007-07-31 2012-10-24 住友化学株式会社 有机电致发光元件及其制造方法
CN101593727B (zh) * 2008-05-27 2011-06-22 乐金显示有限公司 制造有机发光显示器的方法及有机发光显示器
US7947987B1 (en) 2008-05-27 2011-05-24 Lg Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display and organic light emitting display
US7863064B2 (en) 2008-05-27 2011-01-04 Lg Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display and organic light emitting display
CN103187430A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 三星显示有限公司 显示装置
TWI574398B (zh) * 2011-12-28 2017-03-11 三星顯示器有限公司 顯示裝置
CN103426899A (zh) * 2012-05-22 2013-12-04 株式会社东芝 显示装置
TWI580028B (zh) * 2012-07-31 2017-04-21 杰奧萊德股份有限公司 顯示單元及電子設備
CN104465697A (zh) * 2013-09-19 2015-03-25 株式会社东芝 显示设备及半导体设备
CN104701337A (zh) * 2013-12-04 2015-06-10 群创光电股份有限公司 主动矩阵电致发光显示装置
CN104701337B (zh) * 2013-12-04 2018-04-10 群创光电股份有限公司 主动矩阵电致发光显示装置
CN108682370A (zh) * 2015-09-02 2018-10-19 欧库勒斯虚拟现实有限责任公司 显示器及用于制造显示器的方法
CN108682370B (zh) * 2015-09-02 2021-10-15 脸谱科技有限责任公司 显示器及用于制造显示器的方法
CN108352139A (zh) * 2015-11-06 2018-07-31 夏普株式会社 显示基板、显示装置以及显示基板的制造方法
US11727869B2 (en) 2016-04-26 2023-08-15 Meta Platforms Technologies, Llc Display with redundant light emitting devices
CN110268460A (zh) * 2017-02-23 2019-09-20 夏普株式会社 驱动电路、矩阵基板以及显示装置
CN110268460B (zh) * 2017-02-23 2021-08-10 夏普株式会社 驱动电路、矩阵基板以及显示装置
CN110462718A (zh) * 2017-03-29 2019-11-15 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法、显示设备的制造装置、成膜装置
CN110462718B (zh) * 2017-03-29 2022-03-04 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法及制造装置、成膜装置
CN109742091A (zh) * 2019-01-10 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN109742091B (zh) * 2019-01-10 2021-08-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置

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