CN1449021A - 自对准可编程相变存储器件及其制造方法 - Google Patents

自对准可编程相变存储器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1449021A
CN1449021A CN03108812.0A CN03108812A CN1449021A CN 1449021 A CN1449021 A CN 1449021A CN 03108812 A CN03108812 A CN 03108812A CN 1449021 A CN1449021 A CN 1449021A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
those
memory device
order
phase change
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN03108812.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1218384C (zh
Inventor
龙翔澜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Macronix International Co Ltd
Original Assignee
Macronix International Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Macronix International Co Ltd filed Critical Macronix International Co Ltd
Publication of CN1449021A publication Critical patent/CN1449021A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1218384C publication Critical patent/CN1218384C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5678—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using amorphous/crystalline phase transition storage elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/70—Resistive array aspects
    • G11C2213/72—Array wherein the access device being a diode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/061—Patterning of the switching material
    • H10N70/063—Patterning of the switching material by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/841—Electrodes
    • H10N70/8413—Electrodes adapted for resistive heating

Abstract

本发明公开一种自对准可编程相变存储器件及其制造方法。该器件是以相变物质为基础的自对准及非易失性存储结构，此相变物质例如是硫族化合物，且存储器件被制作于集成电路上的非常小区域面积内。本发明的制造自对准存储单元的过程中只需要2个相关阵列掩模，以定义位线及字线。存储单元被定义于位线及字线的交叉处，且自对准过程中的位线及字线的宽度将定义存储单元的大小。存储单元包括选择组件、加热/阻挡层及相变存储元件，而存储单元位于位线及字线的交叉处。

Description

自对准可编程相变存储器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种非易失性(non-volatile)及高密度集成电路(integratedcircuit，IC)存储器件(memory devices)，且特别涉及一种以例如是硫族化合物(chalcogenides)的相变物质(phase change)为基础的存储器件。
背景技术
硫族化合物已经被使用于集成电路存储器件的存储单元(cells)的形成过程中。此领域上的代表性先前专利包括Reinberg的美国专利No.5789758，Harshfield的美国专利No.6153890，Wolstenholme的美国专利No.6153890，Ovshinsky的美国重新领证专利No.RE37259(美国专利案号No.5687112的重新领证)及其它相关美国专利等等。
应用于集成电路存储器件上的硫族化合物为具有多种固态相(solid-state phase)的物质，且硫族化合物藉由加热的方式而被转换于此些相之间，加热的方式例如是提供电流(electrical current)或光学脉冲(optical pulses)。具有一硫族化合物元素的存储单元被排成阵列，此阵列藉由集成电路存储器件中的传统字线/位线(word lines/bit lines)寻址结构(addressing schemes)而能够被寻址。存储单元的状态由硫族化合物的大量电阻所决定。因为硫族化合物的不同固态相具有不同的电阻值，硫族化合物的大量电阻将指出所选择相状态中的硫族化合物的含量。
导致硫族化合物元素相变的具有足够电流密度的所提供电流的问题将反应在存储单元的设计上。典型地，相关复杂结构被使用以形成电流路径(path)中的小孔(pores)，且电流路径与硫族化合物元素耦接。电流被浓缩经过小孔，以诱导硫族化合物中的局域高电流密度。复杂结构被使用以形成此些孔，且基于硫族化合物的存储单元的其它方面已经需求相关大型单元体积以执行。此外，复杂结构能够影响存储器件的可靠度。大型单元体积局限存储器件的密度，且增加存储器件的成本。同样地，制造业的可靠度以存储器件的成功商业应用为关键点。高密度及自对准存储单元已经被制造成储存技术的其它型式，如Johnson的美国专利No.6185122所提及的垂直堆叠(vertically stacked)的非易失性内存。此外，如此高密度技术已经没有被应用于相变存储单元。
因此，如何能够提供较小体积的相变存储单元结构及装置是有需要的。此外，如何能够提供具有效率及可靠结构的存储器件的制造方法亦是有需要。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种以例如是硫族化合物(chalcogenides)的相变物质(phase change)为基的自对准(self-aligned)及非易失性(non-volatile)存储结构，并且提供一使用此存储结构以制造集成电路组件的方法。此存储结构能够被制作于集成电路上的非常小区域内。优选地，阵列内的每一个存储单元(memory cell)所需求的区域面积约为4F2，而F等于制造过程的最小线宽。因此，当制造过程的最小线宽为0.1(μm)时，存储单元所需求的区域面积约为0.04(μm2)。
此外，此制造过程将产生自对准存储单元，而自对准存储单元只需要2个用以定义位线(bit lines)及字线(word lines)的相关阵列掩模(array-relatedmasks)。存储单元被定义于位线及字线的交叉处，且自对准过程中的字线及位线的宽度将定义存储单元的大小。
本发明的存储结构中相变物质包括硫族化合物，且相变物质的使用将提供一高密度、非易失性及可编程存储器件。
根据本发明的目的，提出一种存储器件的制造方法。首先，形成一多层膜(multi-layer film)于一衬底(substrate)上，多层膜具有一第一导电层(conductor layer)、至少一用以形成一选择组件(selection device)的物质层及至少一用以形成一相变存储元件(phase memory element)的物质层。然后，定义多个具有一第一图案(pattern)的第一线(lines)于多层膜上并进行蚀刻，以形成多个第一缺口(gaps)于此些第一线之间及衬底上，此些第一线以一第一方向延伸于多层膜上。接着，填充一绝缘物质于此些第一线之间的此些第一缺口中。然后，形成一第二导电层于此些第一线上及绝缘物质上，以形成一多层复合物(composite)。接着，定义多个具有一第二图案的第二线于多层复合物上并进行蚀刻，以形成多个第二缺口于此些第二线之间及第一导电层上，此些第二线以垂直第一方向的一第二方向延伸于多层复合物上，使得此些第二线与此些第一线相交。其中，第一导电层所形成的此些第一线及第二导电层所形成的此些第二线之间延伸着多个自对准存储单元(self-aligned memory cells)。各存储单元具有用以形成一选择组件的物质层及用以形成一相变存储元件的物质层，且用以形成一选择组件的物质层及用以形成一相变存储元件的物质层与第一导电层中的此些第一线及第二导电层中的此些第二线电连接。
其中，用以形成一选择组件的物质层包括一具有p型掺杂物的第一多晶硅(polysilicon)层及一具有n型掺杂物的第二多晶硅层，并用以形成一二极管(diode)，且用以形成一相变存储元件的物质层为一硫族化合物层。此外，本发明可以形成一中间层(intermediate layer)于用以形成一选择组件的物质层及用以形成一相变存储元件的物质层之间。另外，中间层可以当作位于选择组件及相变物质之间的电致迁移(electromigration)及扩散(diffusion)的阻挡层(barrier)。
用以形成一相变存储元件的物质层具有一与中间层进行热对流的相变物质，相变物质包括一具有一较低电阻的第一状态(state)及一具有一较高电阻的第二状态，其中，中间层具有一大于位于第二状态的相变物质的较高电阻的第一电阻。因此，中间层将作为一电阻加热板，用以帮助邻接于中间层的相变物质产生相变。
根据本发明的目的，提出一种新的存储器件，包括一衬底、多个第一导电线、多个第二导电线及多个存储单元。
此些第一导电线以一第一方向延伸于衬底上，此些第二导电线以垂直第一方向的一第二方向延伸于此些第一导电线，且此些第二导电线与此些第一导电线相交。此些存储单元位于此些第一导电线与此些第二导电线的相交处，而此些存储单元与此些第一导电线及此些第二导电线电连接。且各存储单元具有一自对准结构，此自对准结构包括一选择组件及一相变存储元件。
选择组件包括一二极管，而相变存储元件包括一硫族化合物，且硫族化合物具有一均匀厚度于此些第一导电线与此些第二导电线的相交处。
其中，自对准结构包括可形成选择组件的第一多晶硅层及第二多晶硅层、一中间加热/阻挡层及一相变物质层。中间加热/阻挡层包括一电致迁移及扩散的阻挡，而中间加热/阻挡层具有一第一电阻，且相变物质层包括一具有一较低电阻的第一状态及一具有一较高电阻的第二状态。第一电阻大于位于第二状态的相变物质层的较高电阻，使得中间加热/阻挡层将作为一加热板，以帮助邻接于中间加热/阻挡层的相变物质层产生相变。
在不同的实施例中，相变存储元件藉由设定响应于编程电流(programming current)或其它编程刺激的超过2个的体积(bulk)电阻状态，而可以储存一位以上。
本发明的存储阵列形成于衬底上，在某些实施例中，而集成电路组件的衬底上具有一绝缘层，存储阵列被制造于绝缘层上，且存储阵列与衬底内的集成电路系统(integrated circuitry)接触。优选地，衬底内的集成电路系统包括存储阵列的支撑电路系统，而本发明藉由使用标准互补型金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor，CMOS)方式以形成地址译码器(address decoder)、检测放大器(sense amplifier)、电压源(voltage source)及其它组件于支撑电路系统中。
本发明可以提供一存储单元，用以结合多晶硅结(junction)及硫族化合物存储元件，且本发明可以提供制造具有存储单元的存储器件的方法。本发明可以施加合适电压及电流于存储器件上，使得存储器件可以被编程及消除，用以改变硫族化合物存储元件的电阻。本发明只需要2个相关阵列掩模以制造存储单元，而所产生的存储单元自对准地布满阵列的位线及字线。此外，阵列内的每一个存储单元(memory cell)所需求的区域面积约为4F2，而F等于制造过程的最小线宽。
为让本发明的上述目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1显示的是依照本发明的优选实施例的集成电路存储器件的框图；
图2显示的是依照本发明的优选实施例的自对准相变单元存储阵列的电路线路分布的示意图；
图3～10显示的是依照本发明的优选实施例的自对准相变单元存储阵列的制造方法的流程图；
图11显示的是图10的存储阵列的线路分布的示意图；以及
图12A～12C显示的是本发明的自对准存储单元的操作流程图。
附图中的附图标记说明如下：
5：自对准相变单元存储阵列
10、11：y-译码器及输入驱动器电路系统
12、13：x-译码器及输出检测放大器电路系统
14：编程及消除电压产生器电路
20、21、140、141、142、143、144：位线
22、23、145、146、147、148、149：字线
24、25、26、27、130：存储单元
28：选择组件                   29：加热/阻挡层
30：相变层                     99：多层膜
100：衬底                      101：绝缘层
102：位线物质层                103：第一多晶硅层
104：第二多晶硅层              105：中间加热/阻挡层
106：硫族化合物层              120、121、122：第一线
123：第一缺口                  125：氧化物层
126：位线导电层                127、128：第二线
129：第二缺口                  131：绝缘物层
135、136、137：第一导电线      138、139：第二导电线
150、151、152、153、154、155、156、157、158、159：接触结构
200：选择组件                  201：加热/阻挡层
202：相变元件                  203：相变区域
205、206、207、208：区域
具体实施方式
请参照图1，其显示的是依照本发明的优选实施例的集成电路(integrated circuit，IC)存储器件(memory device)的框图。在图1中，本发明的集成电路存储器件包括一自对准相变单元存储阵列(self-alignedphase change cell memory array)5及一衬底(substrate)，此衬底上所配置的电路系统(circuitry)将维持自对准相变单元存储阵列5。在发明中，电路系统包括地址译码器(address decoders)、输入驱动器(input drivers)及输出驱动器(output drivers)。因此，y-译码器及输入驱动器电路系统10及11配置于自对准相变单元存储阵列5的左右两边附近，x-译码器及输出检测放大器(amplifier)电路系统12及13配置于自对准相变单元存储阵列5的上下两边附近。其中，本发明的集成电路上又包括编程及消除电压产生器电路(program and erase yoltage generator circuit)14，而编程及消除电压产生器电路或许具有电荷泵浦(charge pumps)、其它高电压或负电压产生器，用以编程及消除相变单元。
在本发明中，集成电路系统可以采用标准互补型金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor，CMOS)技术。其它包括先进(advanced)物质及程序的制造技术或许可以被使用于衬底中的集成电路系统。另外，电路系统的线路分布(layout)或许具有可产生自对准相变单元存储阵列5的逻辑控制电路(logic control circuit)。
请参照图2，其显示的是依照本发明的优选实施例的自对准相变单元存储阵列的电路线路分布的示意图。请参考图1，在图2中，自对准相变单元存储阵列5包括位线(bit lines)20及21、字线(word lines)22及23，位线20及21、字线22及23被排列并互相交叉于存储单元(memory cells)24、25、26及27。在此些存储单元中，以存储单元27为例说明，存储单元27具有选择组件(selection device)28、加热/阻挡层(heating/barrier layer)29及相变层(phase change layer)30。其中，选择组件28具有隔离二极管(isolation diode)，而相变层30具有硫族化合物(chalogenide)存储元件。当本发明施加偏压于所选择存储单元附近所交叉的位线及字线时，选择组件的隔离二极管将具有导电性(conductive)；当与其它存储单元耦接的位线及字线被反向施加偏压时，选择组件的隔离二极管将不具有导电性。在图2中，位线20及21与输出检测放大器电路系统耦接，而字线22及23与输入驱动器耦接。
请参照图3～10，其显示的是依照本发明的优选实施例的自对准相变单元存储阵列的制造方法的流程图。首先，在图3中，形成一多层膜(multilayerfilm)99于一衬底100上，而衬底100包括一具有上述的集成电路系统的半导体，且衬底100上配置一绝缘层(insulator)101。其中，绝缘层101含有二氧化硅(silicon dioxide，SiO2)，而绝缘层101的物质及厚度可被自由选定，以致于自对准相变单元存储阵列可以与位于下面的集成电路系统隔离。此外，多层膜99具有位线物质层102、第一多晶硅层(polysilicon)103、第二多晶硅层104、中间(intermediate)加热/阻挡层105及硫族化合物层106。
位线物质层102可以包括钨(tungsten，W)，而位线物质层102的厚度约为150～600纳米(nanometers，nm)，且本发明可以使用化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)的方式形成位线物质层102。当然，其它不同类型的物质亦可以被使用以构成位线物质层102，例如重度掺杂多晶硅(heavily doped polysilicon)、其它高融点(melting point)金属或化合物，如钽(Ta)、铂(Pt)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、硅化钨(WSi)及合金(alloy)等等。
第一多晶硅层103具有n-掺杂多晶硅，而第一多晶硅层103的厚度约为100～600(nm)。本发明可以使用CVD方式、等离子体强化(plasma-enhanced)CVD方式或溅镀(sputtering)方式形成第一多晶硅层103，而本发明亦可使用n-型施主(donor)进行多晶硅的掺杂以形成第一多晶硅层103，且n-型施主可以是砷(arsenic)及磷(phosphorus)。同样地，第二多晶硅层104具有p+掺杂多晶硅，而第二多晶硅层104的厚度约为100～400(nm)。本发明可以使用CVD方式、等离子体强化CVD方式或溅镀方式形成第二多晶硅层104。而本发明亦可使用p+型施主进行多晶硅的掺杂以形成第二多晶硅层104，且p+型施主可以是硼(B)、镓(Ga)或铟(indium)。其中，第一多晶硅层103及第二多晶硅层104以二极管的方式形成选择组件，用以被选出以执行选择组件的两多晶硅层能够形成不同型式的结(junctions)。除了p+/n-结之外，其它如n+/p-结，p+/本征(intrinsic)/n-结，n+/本征/p-结，p+/n+结，p+/本征/n+结及Schottky(肖特基)结也是可以被形成于两多晶硅层之间。甚至，其它选择组件结构或许可以被应用于本发明中。
中间加热/阻挡层105具有一薄膜物质，而中间加热/阻挡层105的厚度约为20～200(nm)，本发明可以使用CVD或溅镀方式形成中间加热/阻挡层105。在本发明中，中间加热/阻挡层105是一可加热相变物质的加热元件及一位于选择组件及相变物质之间的电致迁移(electromigration)及扩散(diffusion)的阻挡。另外，中间加热/阻挡层105不能够与相变物质及选择组件发生反应。在高电阻(resistance)的情况下，中间加热/阻挡层105的电阻大于相变物质的电阻。同理，中间加热/阻挡层105可以当作一加热板(plate)，以改变邻近于中间加热/阻挡层105的相变物质的相。合适的金属包括有钨化钛(TiW)、氮化铝钛(TiAlN)、钽(Ta)、钼(Mo)等等。
与相变物质的高电阻率(resistivity)相比较时，其它许多物质的特征在于相当高电阻，并且良好阻挡亦可以被使用。中间加热/阻挡层105可以选自于一化合物，而此化合物具有钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锆(Zr)、铌(Nb)、M、铪(Hf)、钽(Ta)及钨(W)的中任何一种元素与硼(B)、碳(C)、氮(N)、铝(Al)、硅(Si)、磷(P)及硫(S)的中任2种或多种元素。在美国重新领证专利No.RE37259中，第13段的第31行至第14段的第4行之间公开出可以当作阻挡的物质。所以，中间加热/阻挡层105包括一具有阻挡特性的物质及一可当作加热板的物质。优选地，中间加热/阻挡层105只具有一可以同时实现加热及阻挡的物质。
图3的多层膜99的最上层由相变物质所构成，而在本发明中，多层膜99的最上层以硫族化合物层106为例作说明。当物质的薄膜被当作上电极或下电极时，硫族化合物层106亦可被包括在内。虽然本发明的相变物质由硫族化合物所构成，但本发明亦可以使用其它类型的相变物质。本发明的硫族化合物层106的厚度约为5～200(nm)，而优选的厚度为20～40(nm)，且本发明使用溅镀方式形成硫族化合物层106。其中，包括有硫族化合物的代表性相变物质被公开于美国重新领证专利No.RE37259中。
接着，使用光致抗蚀剂(photoresist)以定义具有第一掩模图案(maskpattern)的第一线120、121及122，使得第一线120、121及122形成于多层膜99上，如图4所示。第一线120、121及122彼此有间隔地互相平行并沿一第一方向延伸于多层膜99上，第一线120、121及122用以定义存储阵列的位线。
然后，使用反应离子蚀刻(reactive ion etching)方式进行蚀刻，以去除未被第一线120、121及122所覆盖的多层膜99的部分结构，并且形成多个第一缺口(gaps)123于绝缘层101上，如图5所示。
接着，填充氧化物层125或其它绝缘物质于第一缺口123中，如图6所示。其中，本发明可以使用高密度等离子体CVD方式或其它可填充狭窄缺口的沉积方式以填充氧化物125或其它绝缘物质于第一缺口123中。
接着，形成字线导电层126于多层膜99及氧化物层125上，以形成一多层复合物(composite)，如图7所示。字线导电层126具有一导电物质，如W，Ta，Pt，TiN，TaN，Wsi或重度掺杂多晶硅，且本发明使用溅镀或CVD的方式形成字线导电层126。
然后，定义具有第二掩模图案的第二线127及128，使得第二线127及128形成于字线导电层126上，如图8所示。第二线127及128彼此有间隔地互相平行并沿与第一方向垂直的一第二方向延伸于字线导电层126上。
接着，使用反应离子蚀刻方式进行蚀刻，以去除未被第二线127及128所覆盖的字线导电层126、氧化物层125、第一多晶硅层103、第二多晶硅层104、中间加热/阻挡层105及硫族化合物层106的部分结构。形成多个第二缺口129于位线物质层102上，如图9所示。在图9中，存储单元130形成于位线及字线的交叉处，位线及字线分别位于相互平行的两平面中，但互相交叉于存储阵列的平面上。其中，因为本发明使用相同掩模步骤定义存储单元130的侧边及字线与位线，故本发明将以自对准制造方式形成存储单元130、位线及字线。
然后，填充绝缘物层131或其它氧化物于第二缺口129中，如图10所示。其中，本发明可以使用任何高密度等离子体CVD方式或其它可填充狭窄缺口的沉积方式以填充绝缘物层131或其它氧化物于第二缺口129中。
图10显示存储阵列的基本结构。存储阵列包括第一导电线135、136及137及第二导电线138及139。第二导电线138及139分别与第一导电线135、136及137交叉于第一导电线135、136及137上。以存储单元130为例作说明，存储单元130位于第一导电线及第二导电线的交叉处，而存储单元130与第一导电线及第二导电线电连接。所以，存储单元具有自对准结构，而此自对准结构包括第一多晶硅层及第二多晶硅层所形成的选择组件、一中间加热/阻挡层及一硫族化合物层，且选择组件、中间加热/阻挡层及硫族化合物层直立地排列于第一导电线及第二导电线的交叉处。
请参照图11，其显示的是图10的存储阵列的线路分布的示意图。在图11中，位线140、141、142、143及144纵向地排列于存储阵列中，字线145、146、147、148及149横向地排列于存储阵列中。位线140、141、142、143及144分别延伸出接触结构(contact structures)150、151、152、153及154，字线145、146、147、148及149分别延伸出接触结构155、156、157、158及159。接触结构具有钨插塞(plugs)，且钨插塞由绝缘层101延伸到衬底的集成电路系统。
请参照图12A～12C，其显示的是本发明的自对准存储单元的操作流程图。首先，在图12A中，本发明的基本存储单元包括选择组件200、加热/阻挡层201及相变元件202。接着，在图12B中，当存储单元接受一外来的电流时，加热/阻挡层201将加热以达到相变元件202的相变温度。相变元件202包括一具有较低电阻的第一固态相及一具有较高电阻的第二固态相。邻近于加热/阻挡层201的相变区域203中的相变元件202的物质改变相状态。相变元件202的体积电阻指出具有第一固态相及第二固态相的相变元素202的相对物质含量。藉由控制相变，数据可以储存于相变元件202中。
然后，在图12C中，存储单元包括选择元素200、加热/阻挡层201及相变元件202，本发明可以控制相变以获得2种以上的存储状态。举例而言，在状态1时，区域205的物质处于高电阻状态。在状态2时，区域205及206的物质处于高电阻状态。在状态3时，区域205、206及207的物质处于高电阻状态。在状态4时，区域205、206、207及208的物质处于高电阻状态。因此，本发明具有可储存于一存储单元内的4种不同电阻状态，且此4种不同状态可以表示成一存储单元内的2个位。
本发明可以由图10明了存储器件的基本操作流程。上层金属线可以当作字线，而下层金属线可以当作位线，且p+/n-多晶硅结可以当作二极管，用以隔离/选择每一存储单元。当本发明编程或消除一存储单元时，字线及位线之间将形成一合适电压，用以提供足够的电流。此电流将穿透通过硫族化合物及加热/阻挡层，以产生热量。藉由控制加热速度，本发明可以控制硫族化合物的固态相，用以建立硫族化合物的体积电阻所指示的存储状态。当读取存储单元时，电流将由字线出发而经过硫族化合物、加热/阻挡层及p+/n-结，且最后到达位线。藉由区别特殊存储单元的电压或电流级数，数据将可以被善加利用。
本发明的存储阵列可以使用于单次(one-time)编程非易失性内存、于制造时编程的非易失性内存及适合进行多次编程与消除循环的电可消除及可编程随机存取内存(random access memory)。
需要注意的是，存储阵列内的每一个存储单元所需求的区域面积约为4F2，而F等于制造过程的最小线宽。因此，当制造过程的最小线宽为0.1(μm)时，存储单元所需求的区域面积约为0.04(μm2)。
本发明上述实施例所公开的自对准可编程相变存储器件可以提供较小体积的相变存储单元结构及装置，不再局限存储器件的密度，且减少存储器件的生产成本。
综上所述，虽然本发明已以一优选实施例公开如上，但是其并非用以限定本发明，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围当以所附的权利要求所确定的为准。

Claims (34)

1.一种存储器件的制造方法，包括：
形成一多层膜于一衬底上，该多层膜具有一第一导电层、至少一用以形成一选择组件的物质层及至少一用以形成一相变存储元件的物质层；
定义多个具有一第一图案的第一线于该多层膜上并进行蚀刻，以形成多个第一缺口于该些第一线之间及该衬底上，该些第一线以一第一方向延伸于该多层膜上；
填充一绝缘物质于该些第一线之间的该些第一缺口中；
形成一第二导电层于该些第一线上及该绝缘物质上，以形成一多层复合物；以及
定义多个具有一第二图案的第二线于该多层复合物上并进行蚀刻，以形成多个第二缺口于该些第二线之间及该第一导电层上，该些第二线以垂直该第一方向的一第二方向延伸于该多层复合物上，使得该些第二线与该些第一线相交，其中，该第一导电层所形成的该些第一线及该第二导电层所形成的该些第二线之间延伸着多个自对准存储单元，各该存储单元具有该用以形成一选择组件的物质层及该用以形成一相变存储元件的物质层。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中该衬底上配置一绝缘层。
3.如权利要求1所述的制造方法，其中该衬底上配置一具有一绝缘层的集成电路组件。
4.如权利要求1所述的制造方法，其中该用以形成一选择组件的物质层包括一具有p型掺杂物的第一多晶硅层及一具有n型掺杂物的第二多晶硅层，并用以形成一二极管。
5.如权利要求1所述的制造方法，其中该用以形成一相变存储元件的物质层是一硫族化合物层。
6.如权利要求5所述的制造方法，其中该硫族化合物层覆盖该用以形成一选择组件的物质层。
7.如权利要求6所述的制造方法，其中该硫族化合物层及该用以形成一选择组件的物质层之间具有一加热/阻挡元件。
8.如权利要求1所述的制造方法，其中该自对准存储单元又包括一具有一第一电阻的中间加热/阻挡层，该用以形成一相变存储元件的物质层具有一与该中间加热/阻挡层进行热对流的相变物质，该相变物质包括一具有一较低电阻的第一状态及一具有一较高电阻的第二状态，其中，该第一电阻是大于位于该第二状态的该相变物质的该较高电阻。
9.如权利要求8所述的制造方法，其中该中间加热/阻挡层具有一扩散及电致迁移的阻挡层。
10.一种存储器件，包括：
一衬底；
多个第一导电线，其以一第一方向延伸于该衬底上；
多个第二导电线，其以垂直该第一方向的一第二方向延伸于该些第一导电线，且该些第二导电线与该些第一导电线相交；以及
多个存储单元，其位于该些第一导电线与该些第二导电线的相交处，而该些存储单元与该些第一导电线及该些第二导电线电连接，且各该存储单元具有一自对准结构，该自对准结构包括一选择组件及一相变存储元件。
11.如权利要求10所述的存储器件，其中该存储单元包括至少一用以作为该选择组件的物质层、至少一用以形成一加热/阻挡元件的物质层及至少一用以作为该相变存储元件的物质层。
12.如权利要求10所述的存储器件，其中该相变存储元件包括一硫族化合物。
13.如权利要求12所述的存储器件，其中该硫族化合物具有一均匀厚度于该些第一导电线与该些第二导电线的相交处。
14.如权利要求10所述的存储器件，其中该存储单元包括一用以作为该选择组件的物质层、一具有一第一电阻的中间物质层及一邻接于该中间物质层的相变物质层，该相变物质层包括一具有一较低电阻的第一状态及一具有一较高电阻的第二状态，其中，该第一电阻是大于位于该第二状态的该相变物质层的该较高电阻。
15.如权利要求14所述的存储器件，其中该中间层具有一用以产生扩散及电致迁移的阻挡层。
16.如权利要求14所述的存储器件，其中该用以作为一选择组件的物质层包括一具有p型掺杂物的第一多晶硅层及一具有n型掺杂物的第二多晶硅层，并用以形成一二极管。
17.如权利要求10所述的存储器件，其中该存储单元包括至少一用以作为该选择组件的物质层、至少一用以形成一中间加热/阻挡元件的物质层及至少一用以作为该相变存储元件的物质层，其中，该用以作为该相变存储元件的物质层包括一硫族化合物层。
18.如权利要求17所述的存储器件，其中该硫族化合物层覆盖该用以作为该选择组件的物质层。
19.如权利要求17所述的存储器件，其中该用以作为该选择组件的物质层包括一具有p型掺杂物的第一多晶硅层及一具有n型掺杂物的第二多晶硅层，并用以形成一二极管。
20.如权利要求10所述的存储器件，其中该衬底上配置一绝缘层。
21.如权利要求10所述的存储器件，其中该衬底上配置一具有一绝缘层的集成电路组件。
22.如权利要求10所述的存储器件，其中该相变存储元件藉由设定响应于编程电流的超过2个的体积电阻状态，而可以储存一个位以上。
23.一种存储器件的制造方法，包括：
形成一多层膜于一衬底上，该多层膜包括一第一导电层、一具有一第一电阻的中间加热/阻挡层、一硫族化合物层及至少一用以形成一选择组件的物质层，该硫族化合物层包括一具有一较低电阻的第一状态及一具有一较高电阻的第二状态，该第一电阻是大于位于该第二状态的该硫族化合物层的该较高电阻；
定义多个具有一第一图案的第一线于该多层膜上并进行蚀刻，以形成多个第一缺口于该些第一线之间及该衬底上，该些第一线以一第一方向延伸于该多层膜上；
填充一绝缘物质于该些第一线之间的该些第一缺口中；
形成一第二导电层于该些第一线上及该绝缘物质上，以形成一多层复合物；以及
定义多个具有一第二图案的第二线于该多层复合物上并进行蚀刻，以形成多个第二缺口于该些第二线之间及该第一导电层上，该些第二线以垂直该第一方向的一第二方向延伸于该多层复合物上，使得该些第二线与该些第一线相交，其中，该第一导电层所形成的该些第一线及该第二导电层所形成的该些第二线之间延伸着多个自对准存储单元，各该存储单元具有该用以形成一选择组件的物质层及该用以形成一相变存储元件的物质层。
24.如权利要求23所述的制造方法，其中该衬底上配置一绝缘层。
25.如权利要求23所述的制造方法，其中该衬底上配置一具有一绝缘层的集成电路组件。
26.如权利要求23所述的制造方法，其中该用以形成一选择组件的物质层包括一具有p型掺杂物的第一多晶硅层及一具有n型掺杂物的第二多晶硅层，并用以形成一二极管。
27.如权利要求23所述的制造方法，其中该中间加热/阻挡层具有一扩散及电致迁移的阻挡层。
28.一种存储器件，包括：
一衬底，该衬底上配置一集成电路系统及一绝缘层；
多个第一导电线，其以一第一方向延伸于该衬底上；
多个第二导电线，其以垂直该第一方向的一第二方向延伸于该些第一导电线，而该些第二导电线与该些第一导电线相交，且集成电路系统接触该些第一导电线及该些第二导电线的交叉处；以及
多个存储单元，其位于该些第一导电线与该些第二导电线的相交处，而该些存储单元与该些第一导电线及该些第二导电线电连接，各该存储单元具有一自对准结构，且该自对准结构包括一选择组件、一中间层及一硫族化合物存储元件。
29.如权利要求28所述的存储器件，其中该硫族化合物存储元件具有一均匀厚度于该些第一导电线与该些第二导电线的相交处。
30.如权利要求28所述的存储器件，其中该中间层具有一第一电阻，该硫族化合物存储元件包括一硫族化合物物质，该硫族化合物物质包括一具有一较低电阻的第一状态及一具有一较高电阻的第二状态，其中，该第一电阻是大于位于该第二状态的该硫族化合物物质的该较高电阻。
31.如权利要求28所述的存储器件，其中该中间层具有一加热元件。
32.如权利要求28所述的存储器件，其中该中间层具有一扩散及电致迁移的阻挡层。
33.如权利要求28所述的存储器件，其中该选择组件包括具有p型掺杂物的第一多晶硅层及具有n型掺杂物的第二多晶硅层，并用以形成二极管。
34.如权利要求28所述的存储器件，其中该硫族化合物存储元件藉由设定响应于编程电流的超过2个的体积电阻状态，而可以储存一个位以上。
CN03108812.0A 2002-03-28 2003-03-28 自对准可编程相变存储器件及其制造方法 Expired - Lifetime CN1218384C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/108,658 2002-03-28
US10/108,658 US6579760B1 (en) 2002-03-28 2002-03-28 Self-aligned, programmable phase change memory

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1449021A true CN1449021A (zh) 2003-10-15
CN1218384C CN1218384C (zh) 2005-09-07

Family

ID=22323412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN03108812.0A Expired - Lifetime CN1218384C (zh) 2002-03-28 2003-03-28 自对准可编程相变存储器件及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6579760B1 (zh)
JP (1) JP2003303941A (zh)
CN (1) CN1218384C (zh)
TW (1) TW586186B (zh)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100382330C (zh) * 2005-08-11 2008-04-16 上海交通大学 可实现多位存储的单元结构
CN100397677C (zh) * 2005-01-10 2008-06-25 旺宏电子股份有限公司 相变型多位准存储单元及其操作方法
CN100418244C (zh) * 2005-06-17 2008-09-10 旺宏电子股份有限公司 薄膜熔丝相变随机存取存储器及其制造方法
US7427531B2 (en) 2005-02-24 2008-09-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase change memory devices employing cell diodes and methods of fabricating the same
CN100578669C (zh) * 2008-01-28 2010-01-06 南京航空航天大学 一种非易失存储器
CN101339921B (zh) * 2008-08-08 2010-04-07 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法
CN1967896B (zh) * 2005-11-15 2010-05-12 旺宏电子股份有限公司 隔离的相变存储器单元及其制造方法
CN101170120B (zh) * 2006-10-24 2010-06-09 旺宏电子股份有限公司 具双存取元件的相变化存储单元
CN1734676B (zh) * 2004-07-22 2010-10-27 阿尔特拉公司 掩模可编程逻辑器件及其数字处理系统、印刷电路板
US7901979B2 (en) 2004-12-29 2011-03-08 Macronix International Co., Ltd. Method of forming a small contact in phase-change memory
US8008643B2 (en) 2007-02-21 2011-08-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell with heater and method for fabricating the same
CN101471133B (zh) * 2007-12-27 2011-12-28 株式会社日立制作所 层叠有存储器阵列的半导体装置
CN1838321B (zh) * 2005-03-24 2012-06-13 三星电子株式会社 有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备
CN101615425B (zh) * 2007-08-02 2012-07-25 旺宏电子股份有限公司 具有双重字线和源极线的相变化存储器及其操作方法
CN101819982B (zh) * 2006-07-27 2012-08-29 三星电子株式会社 多层交叉点电阻存储器及其制造方法
CN101228588B (zh) * 2005-05-19 2012-12-05 Nxp股份有限公司 用于控制pcm单元中“首先熔化”区的方法及其获得的器件
CN104112745A (zh) * 2013-04-19 2014-10-22 旺宏电子股份有限公司 三维半导体结构及其制造方法
CN106252507A (zh) * 2015-06-05 2016-12-21 三星电子株式会社 半导体器件及其制造方法
CN107210362A (zh) * 2015-01-09 2017-09-26 美光科技公司 并入包含碳的金属线的结构及形成包含碳的金属线的方法
CN107924932A (zh) * 2015-07-24 2018-04-17 美光科技公司 交叉点存储器单元阵列及形成交叉点存储器单元阵列的方法
CN109155314A (zh) * 2016-05-11 2019-01-04 美光科技公司 交叉点存储器单元的阵列和形成交叉点存储器单元的阵列的方法
CN112106136A (zh) * 2020-08-11 2020-12-18 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 用于3d相变存储单元以改善编程并增大阵列尺寸的新替换位线和字线方案
CN113795937A (zh) * 2021-07-28 2021-12-14 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 相变存储器器件及其形成方法
US11244951B2 (en) 2015-02-17 2022-02-08 Micron Technology, Inc. Memory cells
US11393978B2 (en) 2015-07-24 2022-07-19 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells
US11600691B2 (en) 2017-01-12 2023-03-07 Micron Technology, Inc. Memory cells comprising ferroelectric material and including current leakage paths having different total resistances

Families Citing this family (284)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6646902B2 (en) * 2001-08-30 2003-11-11 Micron Technology, Inc. Method of retaining memory state in a programmable conductor RAM
JP3749847B2 (ja) * 2001-09-27 2006-03-01 株式会社東芝 相変化型不揮発性記憶装置及びその駆動回路
US6864503B2 (en) 2002-08-09 2005-03-08 Macronix International Co., Ltd. Spacer chalcogenide memory method and device
KR100504700B1 (ko) * 2003-06-04 2005-08-03 삼성전자주식회사 고집적 상변환 램
US6873541B2 (en) * 2003-06-09 2005-03-29 Macronix International Co., Ltd. Nonvolatile memory programmble by a heat induced chemical reaction
KR100615586B1 (ko) * 2003-07-23 2006-08-25 삼성전자주식회사 다공성 유전막 내에 국부적인 상전이 영역을 구비하는상전이 메모리 소자 및 그 제조 방법
US6914255B2 (en) * 2003-08-04 2005-07-05 Ovonyx, Inc. Phase change access device for memories
US7471552B2 (en) * 2003-08-04 2008-12-30 Ovonyx, Inc. Analog phase change memory
JP2005150339A (ja) * 2003-11-14 2005-06-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電極形成方法、容量素子及びその製造方法
DE10356285A1 (de) * 2003-11-28 2005-06-30 Infineon Technologies Ag Integrierter Halbleiterspeicher und Verfahren zum Herstellen eines integrierten Halbleiterspeichers
KR100583115B1 (ko) * 2003-12-13 2006-05-23 주식회사 하이닉스반도체 상 변화 저항 셀, 이를 이용한 불휘발성 메모리 장치 및그 제어 방법
JP2005183557A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Canon Inc 半導体集積回路とその動作方法、該回路を備えたｉｃカード
US7138687B2 (en) * 2004-01-26 2006-11-21 Macronix International Co., Ltd. Thin film phase-change memory
US7034332B2 (en) 2004-01-27 2006-04-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanometer-scale memory device utilizing self-aligned rectifying elements and method of making
JP2005244145A (ja) * 2004-01-28 2005-09-08 Sharp Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
US7262427B2 (en) * 2004-02-09 2007-08-28 Macronix International Co., Ltd. Structure for phase change memory and the method of forming same
KR100733147B1 (ko) * 2004-02-25 2007-06-27 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법
US7038231B2 (en) * 2004-04-30 2006-05-02 International Business Machines Corporation Non-planarized, self-aligned, non-volatile phase-change memory array and method of formation
US7009694B2 (en) * 2004-05-28 2006-03-07 International Business Machines Corporation Indirect switching and sensing of phase change memory cells
US6990017B1 (en) * 2004-06-30 2006-01-24 Intel Corporation Accessing phase change memories
KR100566699B1 (ko) * 2004-08-17 2006-04-03 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR100623181B1 (ko) * 2004-08-23 2006-09-19 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치 및 이의 제조 방법
DE102004041626B4 (de) * 2004-08-27 2008-06-05 Qimonda Ag Chipkarte, und Chipkarten-Sicherungs-Einrichtung
US20060056227A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-16 Parkinson Ward D One time programmable phase change memory
US7259023B2 (en) * 2004-09-10 2007-08-21 Intel Corporation Forming phase change memory arrays
US20060056233A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-16 Parkinson Ward D Using a phase change memory as a replacement for a buffered flash memory
KR100687709B1 (ko) * 2004-11-04 2007-02-27 한국전자통신연구원 멀티비트형 상변화 메모리 소자 및 그 구동 방법
KR100670782B1 (ko) 2004-11-09 2007-01-17 한국전자통신연구원 상변화 메모리 소자의 제조방법
US7279380B2 (en) * 2004-11-10 2007-10-09 Macronix International Co., Ltd. Method of forming a chalcogenide memory cell having an ultrasmall cross-sectional area and a chalcogenide memory cell produced by the method
KR100593750B1 (ko) * 2004-11-10 2006-06-28 삼성전자주식회사 이성분계 금속 산화막을 데이터 저장 물질막으로 채택하는교차점 비휘발성 기억소자 및 그 제조방법
JP4783045B2 (ja) * 2004-11-17 2011-09-28 株式会社東芝 スイッチング素子
US7608503B2 (en) * 2004-11-22 2009-10-27 Macronix International Co., Ltd. Side wall active pin memory and manufacturing method
DE102004056973A1 (de) * 2004-11-25 2006-06-01 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahren mit selbstjustierter Anordnung von Festkörperelektrolyt-Speicherzellen minimaler Strukturgröße
US7220983B2 (en) * 2004-12-09 2007-05-22 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned small contact phase-change memory method and device
TWI260764B (en) * 2004-12-10 2006-08-21 Macronix Int Co Ltd Non-volatile memory cell and operating method thereof
US7443711B1 (en) * 2004-12-16 2008-10-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Non-volatile programmable impedance nanoscale devices
US7709334B2 (en) 2005-12-09 2010-05-04 Macronix International Co., Ltd. Stacked non-volatile memory device and methods for fabricating the same
US7307268B2 (en) * 2005-01-19 2007-12-11 Sandisk Corporation Structure and method for biasing phase change memory array for reliable writing
KR100675279B1 (ko) * 2005-04-20 2007-01-26 삼성전자주식회사 셀 다이오드들을 채택하는 상변이 기억소자들 및 그제조방법들
EP1729355B1 (en) 2005-06-03 2008-11-19 STMicroelectronics S.r.l. Self-aligned process for manufacturing phase change memory cells
US7238994B2 (en) 2005-06-17 2007-07-03 Macronix International Co., Ltd. Thin film plate phase change ram circuit and manufacturing method
US7514367B2 (en) * 2005-06-17 2009-04-07 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing a narrow structure on an integrated circuit
US8237140B2 (en) * 2005-06-17 2012-08-07 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned, embedded phase change RAM
US7696503B2 (en) * 2005-06-17 2010-04-13 Macronix International Co., Ltd. Multi-level memory cell having phase change element and asymmetrical thermal boundary
US7514288B2 (en) * 2005-06-17 2009-04-07 Macronix International Co., Ltd. Manufacturing methods for thin film fuse phase change ram
US7534647B2 (en) 2005-06-17 2009-05-19 Macronix International Co., Ltd. Damascene phase change RAM and manufacturing method
US7598512B2 (en) * 2005-06-17 2009-10-06 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change cell with thermal isolation layer and manufacturing method
KR100642645B1 (ko) * 2005-07-01 2006-11-10 삼성전자주식회사 고집적 셀 구조를 갖는 메모리 소자 및 그 제조방법
KR100693253B1 (ko) * 2005-07-06 2007-03-13 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
KR100669851B1 (ko) * 2005-07-12 2007-01-16 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치의 제조 방법
US20070045606A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 Michele Magistretti Shaping a phase change layer in a phase change memory cell
KR100665227B1 (ko) * 2005-10-18 2007-01-09 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법
US7973384B2 (en) * 2005-11-02 2011-07-05 Qimonda Ag Phase change memory cell including multiple phase change material portions
US7397060B2 (en) * 2005-11-14 2008-07-08 Macronix International Co., Ltd. Pipe shaped phase change memory
US20070111429A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Macronix International Co., Ltd. Method of manufacturing a pipe shaped phase change memory
US7450411B2 (en) 2005-11-15 2008-11-11 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory device and manufacturing method
US7635855B2 (en) 2005-11-15 2009-12-22 Macronix International Co., Ltd. I-shaped phase change memory cell
US7786460B2 (en) * 2005-11-15 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory device and manufacturing method
US7414258B2 (en) 2005-11-16 2008-08-19 Macronix International Co., Ltd. Spacer electrode small pin phase change memory RAM and manufacturing method
US7829876B2 (en) * 2005-11-21 2010-11-09 Macronix International Co., Ltd. Vacuum cell thermal isolation for a phase change memory device
CN100524878C (zh) * 2005-11-21 2009-08-05 旺宏电子股份有限公司 具有空气绝热单元的可编程电阻材料存储阵列
US7449710B2 (en) 2005-11-21 2008-11-11 Macronix International Co., Ltd. Vacuum jacket for phase change memory element
US7479649B2 (en) * 2005-11-21 2009-01-20 Macronix International Co., Ltd. Vacuum jacketed electrode for phase change memory element
US7507986B2 (en) 2005-11-21 2009-03-24 Macronix International Co., Ltd. Thermal isolation for an active-sidewall phase change memory cell
US7599217B2 (en) 2005-11-22 2009-10-06 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device and manufacturing method
US7688619B2 (en) 2005-11-28 2010-03-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method
US7459717B2 (en) * 2005-11-28 2008-12-02 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell and manufacturing method
US7521364B2 (en) 2005-12-02 2009-04-21 Macronix Internation Co., Ltd. Surface topology improvement method for plug surface areas
US7605079B2 (en) * 2005-12-05 2009-10-20 Macronix International Co., Ltd. Manufacturing method for phase change RAM with electrode layer process
US7642539B2 (en) * 2005-12-13 2010-01-05 Macronix International Co., Ltd. Thin film fuse phase change cell with thermal isolation pad and manufacturing method
GB2433647B (en) 2005-12-20 2008-05-28 Univ Southampton Phase change memory materials, devices and methods
US7531825B2 (en) * 2005-12-27 2009-05-12 Macronix International Co., Ltd. Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array
US8062833B2 (en) * 2005-12-30 2011-11-22 Macronix International Co., Ltd. Chalcogenide layer etching method
US7741636B2 (en) * 2006-01-09 2010-06-22 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
US7595218B2 (en) * 2006-01-09 2009-09-29 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
US7560337B2 (en) * 2006-01-09 2009-07-14 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive RAM and manufacturing method
US20070158632A1 (en) * 2006-01-09 2007-07-12 Macronix International Co., Ltd. Method for Fabricating a Pillar-Shaped Phase Change Memory Element
US7825396B2 (en) * 2006-01-11 2010-11-02 Macronix International Co., Ltd. Self-align planerized bottom electrode phase change memory and manufacturing method
US7692272B2 (en) * 2006-01-19 2010-04-06 Elpida Memory, Inc. Electrically rewritable non-volatile memory element and method of manufacturing the same
DE602006012793D1 (de) 2006-01-20 2010-04-22 St Microelectronics Srl Elektrische Sicherungsstruktur auf der Basis eines Phasenwechselspeicherelements und entsprechendes Programmierverfahren
US7432206B2 (en) * 2006-01-24 2008-10-07 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned manufacturing method, and manufacturing method for thin film fuse phase change ram
US7456421B2 (en) * 2006-01-30 2008-11-25 Macronix International Co., Ltd. Vertical side wall active pin structures in a phase change memory and manufacturing methods
US7956358B2 (en) * 2006-02-07 2011-06-07 Macronix International Co., Ltd. I-shaped phase change memory cell with thermal isolation
US7324365B2 (en) * 2006-03-02 2008-01-29 Infineon Technologies Ag Phase change memory fabricated using self-aligned processing
US7362608B2 (en) * 2006-03-02 2008-04-22 Infineon Technologies Ag Phase change memory fabricated using self-aligned processing
US7495946B2 (en) * 2006-03-02 2009-02-24 Infineon Technologies Ag Phase change memory fabricated using self-aligned processing
US20070218665A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Marvell International Ltd. Cross-point memory array
US7910907B2 (en) * 2006-03-15 2011-03-22 Macronix International Co., Ltd. Manufacturing method for pipe-shaped electrode phase change memory
US7723712B2 (en) * 2006-03-17 2010-05-25 Micron Technology, Inc. Reduced power consumption phase change memory and methods for forming the same
US8395199B2 (en) 2006-03-25 2013-03-12 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell
JP4989631B2 (ja) * 2006-03-30 2012-08-01 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子
US7554144B2 (en) * 2006-04-17 2009-06-30 Macronix International Co., Ltd. Memory device and manufacturing method
US7928421B2 (en) 2006-04-21 2011-04-19 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell with vacuum spacer
US8129706B2 (en) * 2006-05-05 2012-03-06 Macronix International Co., Ltd. Structures and methods of a bistable resistive random access memory
US7608848B2 (en) * 2006-05-09 2009-10-27 Macronix International Co., Ltd. Bridge resistance random access memory device with a singular contact structure
US7423300B2 (en) 2006-05-24 2008-09-09 Macronix International Co., Ltd. Single-mask phase change memory element
US7820997B2 (en) * 2006-05-30 2010-10-26 Macronix International Co., Ltd. Resistor random access memory cell with reduced active area and reduced contact areas
US7732800B2 (en) * 2006-05-30 2010-06-08 Macronix International Co., Ltd. Resistor random access memory cell with L-shaped electrode
EP2023393B1 (en) * 2006-05-31 2014-07-16 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
US7696506B2 (en) 2006-06-27 2010-04-13 Macronix International Co., Ltd. Memory cell with memory material insulation and manufacturing method
US7785920B2 (en) * 2006-07-12 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Method for making a pillar-type phase change memory element
US7932548B2 (en) 2006-07-14 2011-04-26 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for fabricating self-aligned memory cell
US7688618B2 (en) * 2006-07-18 2010-03-30 Qimonda North America Corp. Integrated circuit having memory having a step-like programming characteristic
US8084799B2 (en) * 2006-07-18 2011-12-27 Qimonda Ag Integrated circuit with memory having a step-like programming characteristic
US7501648B2 (en) * 2006-08-16 2009-03-10 International Business Machines Corporation Phase change materials and associated memory devices
US7442603B2 (en) * 2006-08-16 2008-10-28 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned structure and method for confining a melting point in a resistor random access memory
US7772581B2 (en) * 2006-09-11 2010-08-10 Macronix International Co., Ltd. Memory device having wide area phase change element and small electrode contact area
US7504653B2 (en) 2006-10-04 2009-03-17 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device with circumferentially-extending memory element
US7510929B2 (en) * 2006-10-18 2009-03-31 Macronix International Co., Ltd. Method for making memory cell device
US20080094885A1 (en) * 2006-10-24 2008-04-24 Macronix International Co., Ltd. Bistable Resistance Random Access Memory Structures with Multiple Memory Layers and Multilevel Memory States
US7527985B2 (en) * 2006-10-24 2009-05-05 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing a resistor random access memory with reduced active area and reduced contact areas
US7388771B2 (en) * 2006-10-24 2008-06-17 Macronix International Co., Ltd. Methods of operating a bistable resistance random access memory with multiple memory layers and multilevel memory states
KR100782496B1 (ko) * 2006-11-09 2007-12-05 삼성전자주식회사 자기 정렬된 셀 다이오드를 갖는 반도체 소자의 제조방법및 이를 이용하는 상변화 기억소자의 제조방법
KR20080042548A (ko) * 2006-11-10 2008-05-15 삼성전자주식회사 힌지 모듈과 이를 구비하는 전자 장치
US8067762B2 (en) * 2006-11-16 2011-11-29 Macronix International Co., Ltd. Resistance random access memory structure for enhanced retention
US20080137400A1 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 Macronix International Co., Ltd. Phase Change Memory Cell with Thermal Barrier and Method for Fabricating the Same
US7476587B2 (en) * 2006-12-06 2009-01-13 Macronix International Co., Ltd. Method for making a self-converged memory material element for memory cell
US7473576B2 (en) * 2006-12-06 2009-01-06 Macronix International Co., Ltd. Method for making a self-converged void and bottom electrode for memory cell
US7682868B2 (en) 2006-12-06 2010-03-23 Macronix International Co., Ltd. Method for making a keyhole opening during the manufacture of a memory cell
US7697316B2 (en) * 2006-12-07 2010-04-13 Macronix International Co., Ltd. Multi-level cell resistance random access memory with metal oxides
US7903447B2 (en) * 2006-12-13 2011-03-08 Macronix International Co., Ltd. Method, apparatus and computer program product for read before programming process on programmable resistive memory cell
US8344347B2 (en) * 2006-12-15 2013-01-01 Macronix International Co., Ltd. Multi-layer electrode structure
US7718989B2 (en) * 2006-12-28 2010-05-18 Macronix International Co., Ltd. Resistor random access memory cell device
US7515461B2 (en) * 2007-01-05 2009-04-07 Macronix International Co., Ltd. Current compliant sensing architecture for multilevel phase change memory
US7433226B2 (en) 2007-01-09 2008-10-07 Macronix International Co., Ltd. Method, apparatus and computer program product for read before programming process on multiple programmable resistive memory cell
US7440315B2 (en) 2007-01-09 2008-10-21 Macronix International Co., Ltd. Method, apparatus and computer program product for stepped reset programming process on programmable resistive memory cell
KR100855975B1 (ko) * 2007-01-30 2008-09-02 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법
US7663135B2 (en) 2007-01-31 2010-02-16 Macronix International Co., Ltd. Memory cell having a side electrode contact
US7535756B2 (en) 2007-01-31 2009-05-19 Macronix International Co., Ltd. Method to tighten set distribution for PCRAM
US7619311B2 (en) 2007-02-02 2009-11-17 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device with coplanar electrode surface and method
US7701759B2 (en) * 2007-02-05 2010-04-20 Macronix International Co., Ltd. Memory cell device and programming methods
KR100905714B1 (ko) 2007-02-07 2009-07-01 삼성전자주식회사 금속 소재의 워드 라인과 직접 접촉하는 셀 다이오드를 구비하는 상 변화 메모리 및 그 형성 방법
US7483292B2 (en) * 2007-02-07 2009-01-27 Macronix International Co., Ltd. Memory cell with separate read and program paths
US7463512B2 (en) * 2007-02-08 2008-12-09 Macronix International Co., Ltd. Memory element with reduced-current phase change element
US8138028B2 (en) * 2007-02-12 2012-03-20 Macronix International Co., Ltd Method for manufacturing a phase change memory device with pillar bottom electrode
US7884343B2 (en) * 2007-02-14 2011-02-08 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell with filled sidewall memory element and method for fabricating the same
US7619237B2 (en) * 2007-02-21 2009-11-17 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive memory cell with self-forming gap
KR101298258B1 (ko) 2007-02-26 2013-08-22 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치의 제조 방법
US7956344B2 (en) * 2007-02-27 2011-06-07 Macronix International Co., Ltd. Memory cell with memory element contacting ring-shaped upper end of bottom electrode
US7786461B2 (en) * 2007-04-03 2010-08-31 Macronix International Co., Ltd. Memory structure with reduced-size memory element between memory material portions
US8610098B2 (en) 2007-04-06 2013-12-17 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory bridge cell with diode isolation device
US7569844B2 (en) * 2007-04-17 2009-08-04 Macronix International Co., Ltd. Memory cell sidewall contacting side electrode
US7755076B2 (en) * 2007-04-17 2010-07-13 Macronix International Co., Ltd. 4F2 self align side wall active phase change memory
US7483316B2 (en) * 2007-04-24 2009-01-27 Macronix International Co., Ltd. Method and apparatus for refreshing programmable resistive memory
US7593254B2 (en) * 2007-05-25 2009-09-22 Micron Technology, Inc. Variable resistance memory device with an interfacial adhesion heating layer, systems using the same and methods of forming the same
US8513637B2 (en) 2007-07-13 2013-08-20 Macronix International Co., Ltd. 4F2 self align fin bottom electrodes FET drive phase change memory
US7777215B2 (en) * 2007-07-20 2010-08-17 Macronix International Co., Ltd. Resistive memory structure with buffer layer
US8679977B2 (en) * 2007-07-25 2014-03-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing multi-planed array memory device
US7755935B2 (en) 2007-07-26 2010-07-13 International Business Machines Corporation Block erase for phase change memory
US7884342B2 (en) * 2007-07-31 2011-02-08 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory bridge cell
US9018615B2 (en) 2007-08-03 2015-04-28 Macronix International Co., Ltd. Resistor random access memory structure having a defined small area of electrical contact
US7642125B2 (en) * 2007-09-14 2010-01-05 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell in via array with self-aligned, self-converged bottom electrode and method for manufacturing
US8178386B2 (en) 2007-09-14 2012-05-15 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell array with self-converged bottom electrode and method for manufacturing
US7551473B2 (en) * 2007-10-12 2009-06-23 Macronix International Co., Ltd. Programmable resistive memory with diode structure
US7919766B2 (en) 2007-10-22 2011-04-05 Macronix International Co., Ltd. Method for making self aligning pillar memory cell device
US20090108249A1 (en) 2007-10-31 2009-04-30 Fang-Shi Jordan Lai Phase Change Memory with Diodes Embedded in Substrate
US7804083B2 (en) * 2007-11-14 2010-09-28 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell including a thermal protect bottom electrode and manufacturing methods
JP2009130139A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
US7704849B2 (en) 2007-12-03 2010-04-27 Micron Technology, Inc. Methods of forming trench isolation in silicon of a semiconductor substrate by plasma
US7646631B2 (en) * 2007-12-07 2010-01-12 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell having interface structures with essentially equal thermal impedances and manufacturing methods
US7663900B2 (en) 2007-12-31 2010-02-16 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Tree-structure memory device
US7639527B2 (en) 2008-01-07 2009-12-29 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory dynamic resistance test and manufacturing methods
US7879643B2 (en) * 2008-01-18 2011-02-01 Macronix International Co., Ltd. Memory cell with memory element contacting an inverted T-shaped bottom electrode
US7879645B2 (en) 2008-01-28 2011-02-01 Macronix International Co., Ltd. Fill-in etching free pore device
JP5268376B2 (ja) * 2008-01-29 2013-08-21 株式会社日立製作所 不揮発性記憶装置およびその製造方法
US20090196091A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Kau Derchang Self-aligned phase change memory
US20090194756A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Kau Derchang Self-aligned eletrode phase change memory
US8158965B2 (en) 2008-02-05 2012-04-17 Macronix International Co., Ltd. Heating center PCRAM structure and methods for making
US8084842B2 (en) 2008-03-25 2011-12-27 Macronix International Co., Ltd. Thermally stabilized electrode structure
US8030634B2 (en) * 2008-03-31 2011-10-04 Macronix International Co., Ltd. Memory array with diode driver and method for fabricating the same
KR100971423B1 (ko) * 2008-04-04 2010-07-21 주식회사 하이닉스반도체 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법
US7825398B2 (en) 2008-04-07 2010-11-02 Macronix International Co., Ltd. Memory cell having improved mechanical stability
US7791057B2 (en) 2008-04-22 2010-09-07 Macronix International Co., Ltd. Memory cell having a buried phase change region and method for fabricating the same
US8077505B2 (en) 2008-05-07 2011-12-13 Macronix International Co., Ltd. Bipolar switching of phase change device
US7701750B2 (en) * 2008-05-08 2010-04-20 Macronix International Co., Ltd. Phase change device having two or more substantial amorphous regions in high resistance state
US20090283739A1 (en) * 2008-05-19 2009-11-19 Masahiro Kiyotoshi Nonvolatile storage device and method for manufacturing same
KR100968449B1 (ko) * 2008-05-27 2010-07-07 주식회사 하이닉스반도체 고집적 상변화 메모리 장치 및 그 제조방법
US8284596B2 (en) * 2008-06-09 2012-10-09 Qimonda Ag Integrated circuit including an array of diodes coupled to a layer of resistance changing material
US8415651B2 (en) 2008-06-12 2013-04-09 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell having top and bottom sidewall contacts
US8154005B2 (en) 2008-06-13 2012-04-10 Sandisk 3D Llc Non-volatile memory arrays comprising rail stacks with a shared diode component portion for diodes of electrically isolated pillars
KR20100001260A (ko) * 2008-06-26 2010-01-06 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
US8134857B2 (en) 2008-06-27 2012-03-13 Macronix International Co., Ltd. Methods for high speed reading operation of phase change memory and device employing same
US8014185B2 (en) * 2008-07-09 2011-09-06 Sandisk 3D Llc Multiple series passive element matrix cell for three-dimensional arrays
US7733685B2 (en) * 2008-07-09 2010-06-08 Sandisk 3D Llc Cross point memory cell with distributed diodes and method of making same
US7932506B2 (en) 2008-07-22 2011-04-26 Macronix International Co., Ltd. Fully self-aligned pore-type memory cell having diode access device
US20100019215A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 Macronix International Co., Ltd. Mushroom type memory cell having self-aligned bottom electrode and diode access device
KR20100011292A (ko) 2008-07-24 2010-02-03 삼성전자주식회사 수직 스트링 상변화 메모리 소자
JP5342189B2 (ja) * 2008-08-06 2013-11-13 株式会社日立製作所 不揮発性記憶装置及びその製造方法
US7903457B2 (en) 2008-08-19 2011-03-08 Macronix International Co., Ltd. Multiple phase change materials in an integrated circuit for system on a chip application
US7719913B2 (en) 2008-09-12 2010-05-18 Macronix International Co., Ltd. Sensing circuit for PCRAM applications
US8324605B2 (en) 2008-10-02 2012-12-04 Macronix International Co., Ltd. Dielectric mesh isolated phase change structure for phase change memory
US7897954B2 (en) 2008-10-10 2011-03-01 Macronix International Co., Ltd. Dielectric-sandwiched pillar memory device
US8036014B2 (en) * 2008-11-06 2011-10-11 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory program method without over-reset
US8907316B2 (en) 2008-11-07 2014-12-09 Macronix International Co., Ltd. Memory cell access device having a pn-junction with polycrystalline and single crystal semiconductor regions
US8664689B2 (en) 2008-11-07 2014-03-04 Macronix International Co., Ltd. Memory cell access device having a pn-junction with polycrystalline plug and single-crystal semiconductor regions
US20100120175A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Seagate Technology Llc Sensor double patterning methods
US8105867B2 (en) * 2008-11-18 2012-01-31 Sandisk 3D Llc Self-aligned three-dimensional non-volatile memory fabrication
US7923812B2 (en) * 2008-12-19 2011-04-12 Sandisk 3D Llc Quad memory cell and method of making same
US7910407B2 (en) * 2008-12-19 2011-03-22 Sandisk 3D Llc Quad memory cell and method of making same
US8120068B2 (en) 2008-12-24 2012-02-21 Sandisk 3D Llc Three-dimensional memory structures having shared pillar memory cells
US7869270B2 (en) * 2008-12-29 2011-01-11 Macronix International Co., Ltd. Set algorithm for phase change memory cell
KR101510776B1 (ko) * 2009-01-05 2015-04-10 삼성전자주식회사 반도체 상변화 메모리 소자
US8089137B2 (en) 2009-01-07 2012-01-03 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit memory with single crystal silicon on silicide driver and manufacturing method
US8107283B2 (en) 2009-01-12 2012-01-31 Macronix International Co., Ltd. Method for setting PCRAM devices
US8030635B2 (en) 2009-01-13 2011-10-04 Macronix International Co., Ltd. Polysilicon plug bipolar transistor for phase change memory
US8064247B2 (en) 2009-01-14 2011-11-22 Macronix International Co., Ltd. Rewritable memory device based on segregation/re-absorption
US8933536B2 (en) 2009-01-22 2015-01-13 Macronix International Co., Ltd. Polysilicon pillar bipolar transistor with self-aligned memory element
JP5422237B2 (ja) * 2009-03-23 2014-02-19 株式会社東芝 不揮発性記憶装置の製造方法
US8270199B2 (en) 2009-04-03 2012-09-18 Sandisk 3D Llc Cross point non-volatile memory cell
US8084760B2 (en) 2009-04-20 2011-12-27 Macronix International Co., Ltd. Ring-shaped electrode and manufacturing method for same
US8173987B2 (en) 2009-04-27 2012-05-08 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit 3D phase change memory array and manufacturing method
US8829646B2 (en) * 2009-04-27 2014-09-09 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit 3D memory array and manufacturing method
US8097871B2 (en) 2009-04-30 2012-01-17 Macronix International Co., Ltd. Low operational current phase change memory structures
US7933139B2 (en) 2009-05-15 2011-04-26 Macronix International Co., Ltd. One-transistor, one-resistor, one-capacitor phase change memory
US8350316B2 (en) 2009-05-22 2013-01-08 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cells having vertical channel access transistor and memory plane
US7968876B2 (en) 2009-05-22 2011-06-28 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell having vertical channel access transistor
US8809829B2 (en) 2009-06-15 2014-08-19 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory having stabilized microstructure and manufacturing method
US8406033B2 (en) 2009-06-22 2013-03-26 Macronix International Co., Ltd. Memory device and method for sensing and fixing margin cells
US8363463B2 (en) 2009-06-25 2013-01-29 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory having one or more non-constant doping profiles
US8238149B2 (en) 2009-06-25 2012-08-07 Macronix International Co., Ltd. Methods and apparatus for reducing defect bits in phase change memory
JP2011014795A (ja) * 2009-07-03 2011-01-20 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置
US8110822B2 (en) 2009-07-15 2012-02-07 Macronix International Co., Ltd. Thermal protect PCRAM structure and methods for making
US8198619B2 (en) 2009-07-15 2012-06-12 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell structure
US7894254B2 (en) 2009-07-15 2011-02-22 Macronix International Co., Ltd. Refresh circuitry for phase change memory
US20110049456A1 (en) * 2009-09-03 2011-03-03 Macronix International Co., Ltd. Phase change structure with composite doping for phase change memory
US8064248B2 (en) 2009-09-17 2011-11-22 Macronix International Co., Ltd. 2T2R-1T1R mix mode phase change memory array
US8274130B2 (en) * 2009-10-20 2012-09-25 Sandisk 3D Llc Punch-through diode steering element
US8178387B2 (en) 2009-10-23 2012-05-15 Macronix International Co., Ltd. Methods for reducing recrystallization time for a phase change material
US8198124B2 (en) 2010-01-05 2012-06-12 Micron Technology, Inc. Methods of self-aligned growth of chalcogenide memory access device
JP5420436B2 (ja) * 2010-01-15 2014-02-19 株式会社日立製作所 不揮発性記憶装置およびその製造方法
JP2011222952A (ja) * 2010-03-24 2011-11-04 Toshiba Corp 抵抗変化メモリ
US8729521B2 (en) 2010-05-12 2014-05-20 Macronix International Co., Ltd. Self aligned fin-type programmable memory cell
US8310864B2 (en) * 2010-06-15 2012-11-13 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned bit line under word line memory array
US9082954B2 (en) 2010-09-24 2015-07-14 Macronix International Co., Ltd. PCRAM with current flowing laterally relative to axis defined by electrodes
US8395935B2 (en) 2010-10-06 2013-03-12 Macronix International Co., Ltd. Cross-point self-aligned reduced cell size phase change memory
US8497705B2 (en) 2010-11-09 2013-07-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change device for interconnection of programmable logic device
KR101811308B1 (ko) 2010-11-10 2017-12-27 삼성전자주식회사 저항 변화 체를 갖는 비 휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
US8467238B2 (en) 2010-11-15 2013-06-18 Macronix International Co., Ltd. Dynamic pulse operation for phase change memory
US8557654B2 (en) 2010-12-13 2013-10-15 Sandisk 3D Llc Punch-through diode
US8497182B2 (en) 2011-04-19 2013-07-30 Macronix International Co., Ltd. Sidewall thin film electrode with self-aligned top electrode and programmable resistance memory
US8724393B2 (en) 2011-05-02 2014-05-13 Macronix International Co., Ltd. Thermally assisted flash memory with diode strapping
US8605495B2 (en) 2011-05-09 2013-12-10 Macronix International Co., Ltd. Isolation device free memory
US8866121B2 (en) 2011-07-29 2014-10-21 Sandisk 3D Llc Current-limiting layer and a current-reducing layer in a memory device
US8610099B2 (en) 2011-08-15 2013-12-17 Unity Semiconductor Corporation Planar resistive memory integration
US8659001B2 (en) 2011-09-01 2014-02-25 Sandisk 3D Llc Defect gradient to boost nonvolatile memory performance
US8994489B2 (en) 2011-10-19 2015-03-31 Micron Technology, Inc. Fuses, and methods of forming and using fuses
US8637413B2 (en) 2011-12-02 2014-01-28 Sandisk 3D Llc Nonvolatile resistive memory element with a passivated switching layer
US8987700B2 (en) 2011-12-02 2015-03-24 Macronix International Co., Ltd. Thermally confined electrode for programmable resistance memory
US8698119B2 (en) 2012-01-19 2014-04-15 Sandisk 3D Llc Nonvolatile memory device using a tunnel oxide as a current limiter element
US8686386B2 (en) 2012-02-17 2014-04-01 Sandisk 3D Llc Nonvolatile memory device using a varistor as a current limiter element
KR20130099589A (ko) 2012-02-29 2013-09-06 한국과학기술연구원 레이저 간섭 리소그래피를 이용한 상변화 메모리 제조방법
US8981330B2 (en) 2012-07-16 2015-03-17 Macronix International Co., Ltd. Thermally-confined spacer PCM cells
US20140241031A1 (en) 2013-02-28 2014-08-28 Sandisk 3D Llc Dielectric-based memory cells having multi-level one-time programmable and bi-level rewriteable operating modes and methods of forming the same
US9214351B2 (en) 2013-03-12 2015-12-15 Macronix International Co., Ltd. Memory architecture of thin film 3D array
US8916414B2 (en) 2013-03-13 2014-12-23 Macronix International Co., Ltd. Method for making memory cell by melting phase change material in confined space
US9166159B2 (en) 2013-05-23 2015-10-20 Micron Technology, Inc. Semiconductor constructions and methods of forming memory cells
US9112150B2 (en) 2013-07-23 2015-08-18 Micron Technology, Inc. Methods of forming memory cells and arrays
US20150188039A1 (en) * 2013-12-26 2015-07-02 Intermolecular Inc. Embedded Resistors with Oxygen Gettering Layers
US9336879B2 (en) 2014-01-24 2016-05-10 Macronix International Co., Ltd. Multiple phase change materials in an integrated circuit for system on a chip application
US9312481B2 (en) 2014-03-26 2016-04-12 Micron Technology, Inc. Memory arrays and methods of forming memory arrays
US9881971B2 (en) * 2014-04-01 2018-01-30 Micron Technology, Inc. Memory arrays
US9559113B2 (en) 2014-05-01 2017-01-31 Macronix International Co., Ltd. SSL/GSL gate oxide in 3D vertical channel NAND
US9362494B2 (en) 2014-06-02 2016-06-07 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells and methods of forming an array of cross point memory cells
US9159412B1 (en) 2014-07-15 2015-10-13 Macronix International Co., Ltd. Staggered write and verify for phase change memory
KR101647312B1 (ko) * 2014-10-10 2016-08-12 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 소자의 제조 방법
US9672906B2 (en) 2015-06-19 2017-06-06 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory with inter-granular switching
US9553128B1 (en) 2015-06-30 2017-01-24 International Business Machines Corporation Linear MRAM device with a self-aligned bottom contact
US9793323B1 (en) 2016-07-11 2017-10-17 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory with high endurance
US10157671B1 (en) 2017-09-12 2018-12-18 Macronix International Co., Ltd. Fast switching 3D cross-point array
US10541271B2 (en) 2017-10-18 2020-01-21 Macronix International Co., Ltd. Superlattice-like switching devices
US10403359B2 (en) * 2017-12-20 2019-09-03 Micron Technology, Inc. Non-contact electron beam probing techniques and related structures
US10381101B2 (en) 2017-12-20 2019-08-13 Micron Technology, Inc. Non-contact measurement of memory cell threshold voltage
US10395733B2 (en) 2017-12-21 2019-08-27 Macronix International Co., Ltd. Forming structure and method for integrated circuit memory
US10475510B2 (en) 2017-12-21 2019-11-12 Macronix International Co., Ltd. Leakage compensation read method for memory device
US10950786B2 (en) * 2018-05-17 2021-03-16 Macronix International Co., Ltd. Layer cost scalable 3D phase change cross-point memory
US10818729B2 (en) 2018-05-17 2020-10-27 Macronix International Co., Ltd. Bit cost scalable 3D phase change cross-point memory
US10593875B2 (en) 2018-06-15 2020-03-17 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned 3D memory with confined cell
US10937832B2 (en) 2018-06-21 2021-03-02 Macronix International Co., Ltd. 3D memory with confined cell
US10374009B1 (en) 2018-07-17 2019-08-06 Macronix International Co., Ltd. Te-free AsSeGe chalcogenides for selector devices and memory devices using same
US10497437B1 (en) 2018-07-24 2019-12-03 Macronix International Co., Ltd. Decoding scheme for 3D cross-point memory array
US11289540B2 (en) 2019-10-15 2022-03-29 Macronix International Co., Ltd. Semiconductor device and memory cell
US11158787B2 (en) 2019-12-17 2021-10-26 Macronix International Co., Ltd. C—As—Se—Ge ovonic materials for selector devices and memory devices using same
US11362276B2 (en) 2020-03-27 2022-06-14 Macronix International Co., Ltd. High thermal stability SiOx doped GeSbTe materials suitable for embedded PCM application
EP4102571A1 (en) 2021-06-09 2022-12-14 Merck Patent GmbH Electronic element comprising a plurality of cells arranged in a three dimensional array of cells and method for producing such an electronic device

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4719594A (en) 1984-11-01 1988-01-12 Energy Conversion Devices, Inc. Grooved optical data storage device including a chalcogenide memory layer
US5177563A (en) 1989-02-01 1993-01-05 Texas A&M University System Method and apparatus for locating physical objects
US5869843A (en) 1995-06-07 1999-02-09 Micron Technology, Inc. Memory array having a multi-state element and method for forming such array or cells thereof
US5789758A (en) 1995-06-07 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Chalcogenide memory cell with a plurality of chalcogenide electrodes
US6420725B1 (en) 1995-06-07 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming an integrated circuit electrode having a reduced contact area
US5879955A (en) 1995-06-07 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Method for fabricating an array of ultra-small pores for chalcogenide memory cells
US5837564A (en) * 1995-11-01 1998-11-17 Micron Technology, Inc. Method for optimal crystallization to obtain high electrical performance from chalcogenides
US5687112A (en) 1996-04-19 1997-11-11 Energy Conversion Devices, Inc. Multibit single cell memory element having tapered contact
US6025220A (en) 1996-06-18 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Method of forming a polysilicon diode and devices incorporating such diode
US5985698A (en) 1996-07-22 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Fabrication of three dimensional container diode for use with multi-state material in a non-volatile memory cell
US5789277A (en) 1996-07-22 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method of making chalogenide memory device
US5814527A (en) 1996-07-22 1998-09-29 Micron Technology, Inc. Method of making small pores defined by a disposable internal spacer for use in chalcogenide memories
US5998244A (en) 1996-08-22 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Memory cell incorporating a chalcogenide element and method of making same
US6147395A (en) 1996-10-02 2000-11-14 Micron Technology, Inc. Method for fabricating a small area of contact between electrodes
US6015977A (en) 1997-01-28 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Integrated circuit memory cell having a small active area and method of forming same
US5952671A (en) 1997-05-09 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Small electrode for a chalcogenide switching device and method for fabricating same
US6031287A (en) 1997-06-18 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Contact structure and memory element incorporating the same
US6131287A (en) 1998-06-08 2000-10-17 American Safety Razor Company Razor cartridge with dimpled blade guard
US6351406B1 (en) 1998-11-16 2002-02-26 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6034882A (en) 1998-11-16 2000-03-07 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6177317B1 (en) * 1999-04-14 2001-01-23 Macronix International Co., Ltd. Method of making nonvolatile memory devices having reduced resistance diffusion regions
US6075719A (en) 1999-06-22 2000-06-13 Energy Conversion Devices, Inc. Method of programming phase-change memory element
US6314014B1 (en) 1999-12-16 2001-11-06 Ovonyx, Inc. Programmable resistance memory arrays with reference cells
US6888750B2 (en) * 2000-04-28 2005-05-03 Matrix Semiconductor, Inc. Nonvolatile memory on SOI and compound semiconductor substrates and method of fabrication
US6627530B2 (en) * 2000-12-22 2003-09-30 Matrix Semiconductor, Inc. Patterning three dimensional structures
US6271090B1 (en) * 2000-12-22 2001-08-07 Macronix International Co., Ltd. Method for manufacturing flash memory device with dual floating gates and two bits per cell

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1734676B (zh) * 2004-07-22 2010-10-27 阿尔特拉公司 掩模可编程逻辑器件及其数字处理系统、印刷电路板
US8026505B2 (en) 2004-12-29 2011-09-27 Macronix International Co., Ltd. Memory device
US7901979B2 (en) 2004-12-29 2011-03-08 Macronix International Co., Ltd. Method of forming a small contact in phase-change memory
CN100397677C (zh) * 2005-01-10 2008-06-25 旺宏电子股份有限公司 相变型多位准存储单元及其操作方法
US7427531B2 (en) 2005-02-24 2008-09-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase change memory devices employing cell diodes and methods of fabricating the same
US7994493B2 (en) 2005-02-24 2011-08-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Phase change memory devices employing cell diodes and methods of fabricating the same
CN1838321B (zh) * 2005-03-24 2012-06-13 三星电子株式会社 有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备
CN101228588B (zh) * 2005-05-19 2012-12-05 Nxp股份有限公司 用于控制pcm单元中“首先熔化”区的方法及其获得的器件
CN100418244C (zh) * 2005-06-17 2008-09-10 旺宏电子股份有限公司 薄膜熔丝相变随机存取存储器及其制造方法
CN100382330C (zh) * 2005-08-11 2008-04-16 上海交通大学 可实现多位存储的单元结构
CN1967896B (zh) * 2005-11-15 2010-05-12 旺宏电子股份有限公司 隔离的相变存储器单元及其制造方法
CN101819982B (zh) * 2006-07-27 2012-08-29 三星电子株式会社 多层交叉点电阻存储器及其制造方法
CN101170120B (zh) * 2006-10-24 2010-06-09 旺宏电子股份有限公司 具双存取元件的相变化存储单元
US8008643B2 (en) 2007-02-21 2011-08-30 Macronix International Co., Ltd. Phase change memory cell with heater and method for fabricating the same
CN101615425B (zh) * 2007-08-02 2012-07-25 旺宏电子股份有限公司 具有双重字线和源极线的相变化存储器及其操作方法
CN101471133B (zh) * 2007-12-27 2011-12-28 株式会社日立制作所 层叠有存储器阵列的半导体装置
CN100578669C (zh) * 2008-01-28 2010-01-06 南京航空航天大学 一种非易失存储器
CN101339921B (zh) * 2008-08-08 2010-04-07 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法
CN104112745A (zh) * 2013-04-19 2014-10-22 旺宏电子股份有限公司 三维半导体结构及其制造方法
CN107210362A (zh) * 2015-01-09 2017-09-26 美光科技公司 并入包含碳的金属线的结构及形成包含碳的金属线的方法
CN107210362B (zh) * 2015-01-09 2019-10-22 美光科技公司 并入包含碳的金属线的结构及形成包含碳的金属线的方法
US11094879B2 (en) 2015-01-09 2021-08-17 Micron Technology, Inc. Structures incorporating and methods of forming metal lines including carbon
US11706929B2 (en) 2015-02-17 2023-07-18 Micron Technology, Inc. Memory cells
US11244951B2 (en) 2015-02-17 2022-02-08 Micron Technology, Inc. Memory cells
CN106252507A (zh) * 2015-06-05 2016-12-21 三星电子株式会社 半导体器件及其制造方法
CN106252507B (zh) * 2015-06-05 2019-07-26 三星电子株式会社 半导体器件及其制造方法
CN107924932B (zh) * 2015-07-24 2022-04-05 美光科技公司 交叉点存储器单元阵列及形成交叉点存储器单元阵列的方法
CN107924932A (zh) * 2015-07-24 2018-04-17 美光科技公司 交叉点存储器单元阵列及形成交叉点存储器单元阵列的方法
US11393978B2 (en) 2015-07-24 2022-07-19 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells
CN109155314A (zh) * 2016-05-11 2019-01-04 美光科技公司 交叉点存储器单元的阵列和形成交叉点存储器单元的阵列的方法
US11600691B2 (en) 2017-01-12 2023-03-07 Micron Technology, Inc. Memory cells comprising ferroelectric material and including current leakage paths having different total resistances
CN112106136A (zh) * 2020-08-11 2020-12-18 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 用于3d相变存储单元以改善编程并增大阵列尺寸的新替换位线和字线方案
CN113795937A (zh) * 2021-07-28 2021-12-14 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 相变存储器器件及其形成方法
WO2023004609A1 (en) * 2021-07-28 2023-02-02 Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd Phase-change memory device and method for forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN1218384C (zh) 2005-09-07
US20030186481A1 (en) 2003-10-02
TW200304689A (en) 2003-10-01
US6750101B2 (en) 2004-06-15
US6579760B1 (en) 2003-06-17
JP2003303941A (ja) 2003-10-24
TW586186B (en) 2004-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1218384C (zh) 自对准可编程相变存储器件及其制造方法
US11081644B2 (en) Apparatuses including electrodes having a conductive barrier material and methods of forming same
EP3281225B1 (en) Stacked memory array construction
US8853682B2 (en) Methods of self-aligned growth of chalcogenide memory access device
CN1967897B (zh) 管型相变化存储器形成方法
US8173987B2 (en) Integrated circuit 3D phase change memory array and manufacturing method
US10546998B2 (en) Methods of forming memory and methods of forming vertically-stacked structures
CN1885542A (zh) 具有单元二极管和互相自对准的底电极的相变存储单元及其制造方法
KR20090097362A (ko) 저항 메모리 소자 및 그 형성 방법
CN1409399A (zh) 以一次可编程熔断器/抗熔断器组合为基础的存储单元
CN1787224A (zh) 记忆体元件的制造方法、记忆体元件与相变化记忆体元件
TW200931413A (en) Method of programming cross-point diode memory array
US11271156B2 (en) Electronic device and method for fabricating the same
US20240099168A1 (en) Phase change memory cell
US20240099164A1 (en) Phase change memory cell

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20050907