CN1469402A - 多层穿心电容器 - Google Patents

多层穿心电容器 Download PDF

Info

Publication number
CN1469402A
CN1469402A CNA031386822A CN03138682A CN1469402A CN 1469402 A CN1469402 A CN 1469402A CN A031386822 A CNA031386822 A CN A031386822A CN 03138682 A CN03138682 A CN 03138682A CN 1469402 A CN1469402 A CN 1469402A
Authority
CN
China
Prior art keywords
inner conductor
base body
dielectric base
terminal electrode
lead division
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA031386822A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1311486C (zh
Inventor
富僬明
富樫正明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Publication of CN1469402A publication Critical patent/CN1469402A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1311486C publication Critical patent/CN1311486C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/35—Feed-through capacitors or anti-noise capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors

Abstract

该多层穿心电容器具有：第1内部导体，配置在电介质基体内；中间内部导体，配置在电介质基体内，经陶瓷层层叠在第1内部导体上；第2内部导体，配置在电介质基体内，经陶瓷层层叠在中间内部导体上；第1端子电极，形成于电介质基体的外侧面，连接于第1内部导体；第2端子电极，形成于电介质基体的外侧面，连接于第2内部导体；和中间端子电极，形成于电介质基体的外侧面，连接于中间内部导体。中间端子电极接地，所述第1端子电极和第2端子电极分别连接于传送信号的路径上。第1内部导体和第2内部导体中彼此反向地流过电流。

Description

多层穿心电容器
技术领域
本发明涉及一种不仅分别对应于一般模式噪声和差分模式噪声、而且进一步降低等效串联电感(ESL)、在高频带域中更有效去除噪声的噪声滤波器等中使用的多层穿心电容器，尤其适用于信息处理设备或通信设备的电路。
背景技术
近年来，随着多数信息处理设备或通信设备数字化、并且处理伴随信息处理能力提高而高速化，由这些设备处理的数字信号的高频化明显增强。因此，从这些设备中发生的噪声在高频带域中有进一步增大的倾向。另一方面，随着这些设备的便携化的实现，期望这些设备进一步小型、轻质。
为了实施噪声对策，在多数电子设备中使用可防止电磁波障碍或抑制不必的电压变动的电子部件。作为这些电子部件，由于上述情况，要求小型轻质并对应于高频带域下的噪声的电子部件。作为这种电子部件，现在通常使用多层陶瓷电容器。
但是，在多层陶瓷电容器中，作为其寄生成分的ESL(等效串联电感)阻碍高频带域下的噪声去除效果，所以随着电子设备中动作频率等的进一步高频化，其效果不够好。即，象已有多层陶瓷电容器那样具有大的ESL的电容器不能充分适用于近年来的高频化。
例如，作为可降低ESL的已有电容器，制品化并一般使用多层的穿心电容器(多层穿心电容器)。下面根据图12-图15来说明根据已有例的多层穿心电容器110。
如图13所示，该多层穿心电容器110具有内部导体112，该内部导体112具有向彼此相对的两侧面引出的引出部112A和112B。向在表面形成该内部导体112的电介质薄片122层叠电介质薄片124，该电介质薄片124在表面形成向与引出引出部112A和112B的两侧面不同的两侧面引出的内部导体114。在该层叠体的层叠方向的上下层叠未形成内部导体的电介质薄片，通过烧结该层叠体，构成图12所示的层叠体120。
如图12所示，在层叠体120的相对两侧面分别形成端子电极131和132，连接于内部导体112的引出部112A和112B。另外，在层叠层120中的其它相对的两侧面中分别形成端子电极133和134，连接于内部导体114的引出部。如图14所示得到，端子电极131和132例如连接于接地侧，端子电极133和134连接于信号传送路径。
图15表示使用这种已有层叠穿心电容器110，进行一般模式或差分模式下的噪声对策用的电路图。如图15所示，使用3个多层穿心电容器110，构成降低噪声用的电路。
但是，因为即使在这些多层穿心电容器110中也沿图13的箭头所示方向流过电流，所以具有一定程度大小的ESL。因此，该已有多层穿心电容器110不适应近年来的高频化，并且，需要可降低ESL的电容器。
另外，为了对应于伴随电子设备小型化的高密度安装，对一体化多个电容器的阵列型层叠电容器的要求高。
在层叠电容器中，已知在特开昭59-29413号公报、特开平3-37850号公报中公开了将该内部导体的图案形状设为大致T字型的器件。但是，这些公报未公开在邻接层叠方向的内部导体之间反向流过电流来降低ESL的思路。
另外，如特开2000-58376号公报所示，提议在电容器中通过最佳化内部导体尺寸比来降低ESL的思路。并且，如特公平6-58861号公报、特开平8-55758号公报、特开2001-189234号公报所示，还已知在电容器的内部导体中电流方向反向流过的思路。
但是，在这些公报中，未公开在多层穿心电容器中，可降低一般模式的噪声和差分模式两者的噪声的同时、进一步降低ESL、并提高高频噪声去除效果的思路。
发明内容
鉴于上述实情提出本发明，本发明的目的在于提供一种多层穿心电容器，在降低一般模式的噪声和差分模式两者的噪声的同时，可进一步降低ESL并提高高频噪声去除效果。
为了实现上述目的，根据本发明第1方面的多层穿心电容器具有：
第1内部导体，配置在电介质基体(素体)内；
中间内部导体，配置在所述电介质基体内，经陶瓷层层叠在所述第1内部导体上；
第2内部导体，配置在所述电介质基体内，经陶瓷层层叠在所述中间内部导体上；
第1端子电极，形成于所述电介质基体的外侧面，连接于所述第1内部导体；
第2端子电极，形成于所述电介质基体的外侧面，连接于所述第2内部导体；和
中间端子电极，形成于所述电介质基体的外侧面，连接于所述中间内部导体。
最好是，所述第1内部导体和所述第2内部导体中彼此反向地流过电流。
最好是，在所述电介质基体的内部，所述中间内部导体经所述陶瓷层层叠在所述第1内部导体和第2内部导体之间。
最好是，在所述第1内部导体中形成分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部，一对所述第1端子电极分别连接于各引出部。
最好是，所述第1内部导体具有面积比构成所述电介质基体的所述陶瓷层稍窄的矩形图案，
所述一对引出部形成于所述矩形图案的长向的一端。
最好是，在所述第2内部导体中形成分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部，一对所述第2端子电极分别连接于各引出部。
最好是，所述第2内部导体具有面积比构成所述电介质基体的所述陶瓷层稍窄的矩形图案，
所述一对引出部形成于所述矩形图案的长向的一端。
最好是，在所述中间内部导体中形成分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部，一对所述中间端子电极分别连接于各引出部。
最好是，所述中间内部导体具有面积比构成所述电介质基体的所述陶瓷层稍窄的矩形图案，
所述一对引出部分别形成于所述矩形图案的长向的大致中央。
最好是，在所述中间内部导体中还形成一对引出部，该引出部与分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部不同，分别向与这两个所述外侧面不同的相对两个所述外侧面引出，一对所述中间端子电极分别连接于各引出部，
在所述电介质基体的4个所述外侧面上分别形成所述中间端子电极。
最好是，在所述电介质基体的外侧面中，在所述第1端子电极和第2端子电极之间形成所述中间端子电极。
最好是，所述中间端子电极接地，所述第1端子电极和所述第2端子电极分别连接于传送信号的路径。
根据本发明第2方面的多层穿心电容器具有：
第1内部导体，配置在电介质基体内；
中间内部导体，配置在所述电介质基体内，经陶瓷层层叠在所述第1内部导体上；
第2内部导体，配置在所述电介质基体内，经陶瓷层层叠在所述中间内部导体上；
第1端子电极，形成于所述电介质基体的外侧面，连接于所述第1内部导体；
第2端子电极，形成于所述电介质基体的外侧面，连接于所述第2内部导体；
中间端子电极，形成于所述电介质基体的外侧面，连接于所述中间内部导体；
辅助第2内部导体，在所述电介质基体的内部，绝缘配置在与所述第1内部导体相同的平面上，经所述第2端子电极与所述第2内部导体连接；和
辅助第1内部导体，在所述电介质基体的内部，绝缘配置在与所述第2内部导体相同的平面上，经所述第1端子电极与所述第1内部导体连接。
最好是，所述第1内部导体和所述第2内部导体中彼此反向地流过电流，所述辅助第1内部导体和所述辅助第2内部导体中彼此反向地流过电流。
最好是，在所述电介质基体的内部，所述中间内部导体经所述陶瓷层层叠在所述第1内部导体和第2内部导体之间。
最好是，在所述第1内部导体和辅助第1内部导体中分别形成分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部，一对所述第1端子电极分别连接于各引出部。
最好是，所述第1内部导体和辅助第1内部导体分别具有面积比构成所述电介质基体的所述陶瓷层面积的一半还窄的矩形图案，
所述一对引出部形成于所述矩形图案的长向的一端。
最好是，在所述第2内部导体和辅助第2内部导体中分别形成分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部，一对所述第2端子电极分别连接于各引出部。
最好是，所述第2内部导体具有面积比构成所述电介质基体的所述陶瓷层面积的一半还窄的矩形图案，
所述一对引出部形成于所述矩形图案的长向的一端。
最好是，在所述中间内部导体中形成分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部，所述中间端子电极连接于各引出部。
最好是，所述中间内部导体具有面积比构成所述电介质基体的所述陶瓷层稍窄的矩形图案，
所述一对引出部形成于所述矩形图案的长向的大致中央。
最好是，在所述中间内部导体中还形成一对引出部，该引出部与分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部不同，分别向与这两个所述外侧面不同的相对两个所述外侧面引出，一对所述中间端子电极分别连接于各引出部，
在所述电介质基体的4个所述外侧面分别形成所述中间端子电极。
最好是，在所述电介质基体的外侧面中，在所述第1端子电极和第2端子电极之间形成所述中间端子电极。
最好是，所述中间端子电极接地，所述第1端子电极和所述第2端子电极分别连接于传送信号的路径。
根据本发明第1和第2方面的多层穿心电容器，除接地用中间内部导体外，还分别具有输入输出信号等的第1内部导体和第2内部导体。因此，本发明的电容器是内置两个多层穿心电容器的阵列构造。因此，可仅通过1个多层穿心电容器来分别降低一般模式和差分模式的两个噪声。
并且，在本发明的第1和第2方面中，在第1内部导体和第2内部导体之间彼此反向地流过电流。因此，由于伴随高频电流在这些内部导体间彼此反向流过所产生的磁场的抵消作用，可抑制电感，进一步降低ESL，改善高频带域中的噪声去除效果。
尤其是，在本发明的第2方面，在配置第1内部导体的平面内，还配置辅助第2内部导体，在这些内部导体间彼此反向地流过电流。即，即使是分别配置在同一平面内彼此相邻的两个内部导体间也彼此反向地流过电流。因此，进一步降低了ESL，进一步改善高频带域下的噪声去除效果。
另外，在电介质基体的各外侧面分别1个1个形成合计4个中间端子电极的发明中，将端子电极最佳配置在电容器主体的各外侧面。因此，可有效利用形成多层穿心电容器的电容器主体的侧面。另外，多于4个的中间端子电极连接于作为外部接地图案的接地用布线上，随之而来，中间内部导体的引出部中的电感减小。结果，进一步降低ESL。
附图说明
下面，根据附图来说明根据本发明实施例的多层穿心电容器。其中，
图1是表示根据本发明实施例1的多层穿心电容器的斜视图，
图2是表示根据实施例1的多层穿心电容器的截面图，是沿图1所示II-II线的截面图，
图3是根据实施例1的多层穿心电容器的分解斜视图，
图4是安装根据实施例1的多层穿心电容器的状态的电路图，
图5是根据本发明实施例2的多层穿心电容器的分解斜视图，
图6是根据本发明实施例3的多层穿心电容器的分解斜视图，
图7是根据实施例3的多层穿心电容器的斜视图，
图8是表示多层穿心电容器的衰减特性的曲线，
图9A是将根据本发明实施例的多层穿心电容器连接于网络分析器的状态电路图，
图9B是将根据已有例的多层穿心电容器连接于网络分析器的状态电路图，
图10是表示根据实施例1的多层穿心电容器的第1使用例的电路图，
图11是表示根据实施例1的多层穿心电容器的第2使用例的电路图，
图12是表示已有例的多层穿心电容器的斜视图，
图13是表示已有例的多层穿心电容器层叠构造的分解斜视图，
图14是已有例的多层穿心电容器的等效电路图，
图15是采用已有例的多层穿心电容器的使用例的电路图。
具体实施方式
实施例1
如图1所示，根据本发明一实施例的多层穿心电容器10具有电介质基体12作为主要部分，该电介质基体是通过烧结层叠多个作为电介质薄片的陶瓷生片的层叠体得到的长方体形烧结体。如图1所示，长方体形的电介质基体12具有6个外侧面，其中两个面为上面和底面，其它面为长边侧的外侧面13和15与短边侧的外侧面14和16。
如图2和图3所示，在该电介质基体12中的最上层陶瓷层(电介质薄片)12A的下侧配置第1内部导体21。在该电介质基体12内，在第1内部导体21的下方，经陶瓷层12A配置中间内部导体23。
在该电介质基体12内，在中间内部导体23的下方，经陶瓷层12A配置第2内部导体22。在该电介质基体12内，在第2内部导体22的下方，经陶瓷层12A配置中间内部导体23。
另外，在电介质基体12内，经陶瓷层12A，在该中间内部导体23的下方与上述一样，按第1内部导体21、中间内部导体23和第2内部导体22的顺序依次配置。
结果，在电介质基体12的内部，在第1内部导体21与第2内部导体22之间，经陶瓷层12A配置中间内部导体23，层叠3种内部导体21-23，使经陶瓷层12A相向。
即，在第1内部导体21与中间内部导体23之间、在中间内部导体23与第2内部导体22之间、在第2内部导体22与中间内部导体23之间，至少分别夹持1个陶瓷层12A，并且，通过层叠烧结，形成电介质基体12。
第1内部导体21和第2内部导体22分别作为构成传递信号路径的电极，在这些第1内部导体21和第2内部导体22之间构成电容器。另外，配置在这些内部导体21和内部导体22之间的中间内部导体23作为接地用电极。
这3种内部导体21-23不仅是图2和图3所示层数，也可是更多层配置。另外，作为这些内部导体21-23的材质，例如考虑镍、镍合金、铜或铜合金，但不限于此。
如图1-图3所示，第1内部导体21具有面积比构成电介质基体12的陶瓷层12A稍窄的主体部(矩形图案)21C。在该第1内部导体21的主体部21C长向的一端(图3中为左端)形成一对引出部21A和21B。这一对引出部21A和21B指向图1所示电介质基体12彼此相对的两个外侧面13和15，露出于基体12的外侧。在该引出部21A和21B以外的部分，如图3所示，第1内部导体21具有离开电介质基体12外侧面规定间隙的矩形图案。
如图1-图3所示，第2内部导体22具有面积比构成电介质基体12的陶瓷层12A稍窄的主体部(矩形图案)22C。在该第2内部导体22的主体部22C长向的一端(图3中为右端)形成一对引出部22A和22B。这一对引出部22A和22B指向图1所示电介质基体12彼此相对的两个外侧面13和15，露出于基体12的外侧。在该引出部22A和22B以外的部分，如图3所示，第2内部导体22具有离开电介质基体12外侧面规定间隙的矩形图案。
从陶瓷层12A的层叠方向的上看(从平面图侧看)，第2内部导体22的主体部22C重叠在第1内部导体21的主体部21C上。但是，形成于第1内部导体21中的一对引出部21A和21B相对于形成于第2内部导体22中的一对引出部22A和22B，形成于矩形图案长向彼此相反侧。
如图1-图3所示，中间内部导体23具有面积比构成电介质基体12的陶瓷层12A稍窄的主体部(矩形图案)23C。在该中间内部导体23的主体部23C长向的中央部形成一对引出部23A和23B。这一对引出部23A和23B指向图1所示电介质基体12彼此相对的两个外侧面13和15，露出于基体12的外侧。在该引出部23A和23B以外的部分，如图3所示，中间内部导体23具有离开电介质基体12外侧面规定间隙的矩形图案。
从陶瓷层12A的层叠方向的上看(从平面图侧看)，中间内部导体23的主体部23C重叠在第1内部导体21的主体部21C上。但是，形成中间内部导体23的引出部23A和23B，使之与形成于第1内部导体21中的一对引出部21A和21B不重叠，并且与形成于第2内部导体22中的一对引出部22A和22B也不重叠。
如图1-图3所示，在第1内部导体21的引出部21A和21B上连接第1输入输出用端子电极(第1端子电极)31和32，该输入输出用端子电极31、32分别形成于电介质基体12中相对两个外侧面13和15的长向一侧端部。
另外，在第2内部导体22的引出部22A和22B上连接第2输入输出用端子电极33和34，该第2输入输出用端子电极33、34分别形成于电介质基体12中相对两个外侧面13和15的长向另一侧端部。
并且，在中间内部导体23的引出部23A和23B上连接接地用端子电极(中间端子电极)35和36，该接地用端子电极35、36分别形成于电介质基体12中相对两个外侧面13和15的长向中央部。即，接地用端子电极35、36形成于第1输入输出用电极31和32与第2输入输出用电极33、34之间。
这些端子电极31-36形成为对于电介质基体12中相对两个外侧面13和15彼此绝缘。这些端子电极31-36形成为对于基体12的侧面13和15分别从基体的上面向下面延伸。在本实施例中，在电介质基体12的短边侧的外侧面14和16中不形成端子电极。
以上结果，在本实施例的多层穿心电容器10中，如图1所示，为在形成作为长方体的六面体形状的电介质基体12的4个外侧面13、14、15、16内的相对两侧面13、15中分别配置3对端子电极31-36的6端子构造。
另外，在本实施例中，沿陶瓷层12A的层叠方向夹持中间内部导体23来配置第1内部导体21与第2内部导体22。并且，第1内部导体21的引出部21A、21B与第2内部导体22的引出部22A、22B相对陶瓷层12A的长向配置在彼此相反的端部附近。因此，在第1内部导体21的主体部21C与第2内部导体22的主体部22C之间，如图3的箭头所示，电流彼此反向流动。
下面，说明根据本实施例的多层穿心电容器10的作用。
根据本实施例的多层穿心电容器10，内部导体21-23这3种内部导体彼此间在分别夹持至少1个陶瓷层12A的状态下，在多个层上层叠这些陶瓷层12A。
在第1内部导体21的主体部21C与第2内部导体22的主体部22C之间，如图3的箭头所示，形成引出部21A、21B、22A、22B，使电流彼此反向流动。
另外，将一对第1输入输出用端子电极31、32与一对第2输入输出用端子电极33、34分别配置在电介质基体12彼此相对的两个长边侧外侧面13、15上。并且，在电介质基体12的这两个外侧面13、15中的第1输入输出用端子电极31、32与第2输入输出用端子电极33、34之间的部分中配置一对接地用端子电极35、36。
因此，根据本实施例的多层穿心电容器10，除接地用中间内部导体23外，还分别有输入输出信号的第1内部导体21和第2内部导体22。因此，电容器10变为内置两个穿心电容器元件的阵列构造。结果，仅由一个多层穿心电容器10就可实现一般模式的噪声降低，同时，可实现差分模式的噪声降低。
并且，在本实施例中，形成这些内部导体21、22，使如上所述，在第1内部导体21的主体部21C与第2内部导体22的主体部22C之间，电流彼此反向流动。因此，例如如图4所示，在将电容器10连接于布线43和44的情况下，实现如下作用效果。
即，在第1输入输出用端子电极31、32和第2输入输出用端子电极33、34上分别连接传递信号用布线43，分别连接布线44，使接地用端子电极35、36接地。另外，沿图4所示箭头A所示方向在布线43中流过电流的情况下，如下所述。
即，若沿图4的箭头A所示方向流过电流，则在第1内部导体21的主体部21C与第2内部导体22的主体部22C之间，如图3的箭头所示，电流彼此反向流动。
另外，即使在流过高频电流的情况下，在该内部导体21、22之间也总是彼此反向地流过电流，通过随之产生的磁场的抵消作用，抑制电感，进一步降低ESL，提高高频带域中的噪声去除效果。
实施例2
下面，根据图5来说明根据本发明实施例2的多层穿心电容器。另外，向与实施例1中说明的部件相同的部件附加相同符号，省略重复说明。
如图5所示，在本实施例中，第1内部导体21的主体部21C比实施例1的短，并且，在陶瓷层12A的里侧附近部分形成得细。并且，在该陶瓷层12A上作为空部分的陶瓷层12A的当前侧附近部分中形成辅助第2内部导体42的主体部(矩形图案)42C。即，在配置第1内部导体21的同一平面内与第1内部导体21绝缘地配置辅助第2内部导体42。
另外，同样，第2内部导体22的主体部22C比实施例1的短，并且，在陶瓷层12A的里侧附近部分形成得细。并且，在该陶瓷层12A上作为空部分的陶瓷层12A的当前侧附近部分中形成辅助第1内部导体41的主体部(矩形图案)41C。即，在配置第2内部导体22的同一平面内与第2内部导体22绝缘地配置辅助第1内部导体41。
在辅助第1内部导体41中，形成向长边侧外侧面13、15露出于基体12外表面的一对引出部41A和41B。引出部41A和41B的图案从陶瓷层12A的层叠方向上方看，与引出部21A和21B的图案彼此重合。因此，引出部41A和41B与引出部21A和21B一样，连接于第1所示第1输入输出用端子电极31和32上。
在辅助第2内部导体42中，形成向长边侧外侧面13、15露出于基体12外表面的一对引出部42A和42B。引出部42A和42B的图案从陶瓷层12A的层叠方向上方看，与引出部22A和22B的图案彼此重合。因此，引出部42A和42B与引出部22A和22B一样，连接于第1所示第2输入输出用端子电极33和34上。
从陶瓷层12A的层叠方向的上方看，第1内部导体21的主体部21C的图案与第2内部导体22的主体部22C的图案彼此重合，构成电容器电路。另外，从陶瓷层12A的层叠方向的上方看，辅助第1内部导体41的主体部41C的图案与辅助第2内部导体42的主体部42C的图案彼此重合，构成电容器电路。
在本实施例中，配置在同一平面内的第1内部导体21和辅助第2内部导体42分别具有面积比陶瓷层12A的面积一半还窄的矩形图案的主体部21C和42C。另外，配置在同一平面内的第2内部导体22和辅助第1内部导体41分别具有面积比陶瓷层12A的面积一半还窄的矩形图案的主体部22C和41C。
在本实施例中，在第1内部导体21的主体部21C与第2内部导体22的主体部22C上，电流彼此反向流动，在辅助第1内部导体41的主体部41C与辅助第2内部导体42的主体部42C上，电流彼此反向流动。另外，在第1内部导体21的主体部21C与辅助第2内部导体42的主体部42C上，电流彼此反向流动。
即使通过本实施例，也与实施例1一样，在沿层叠方向排列的第1内部导体21与第2内部导体22之间，高频电流彼此反向流动，同时，在辅助第2内部导体42与辅助第1内部导体41之间，高频电流彼此反向流动。因此，由于随之产生的磁场的抵消作用，而提高了高频带域中的噪声去除效果。
并且，根据本实施例，在分别配置在同一平面内且彼此相邻的第1内部导体21与辅助第2内部导体42之间，电流彼此反向流动。另外，在第2内部导体22与辅助第1内部导体41之间也一样。因此，由于流过其中的电流彼此产生抵消磁场的作用，所以也可减少配置在同一平面内的一对内部导体21、42(22、41)间内部导体本身具有的寄生电感。
结果，在本实施例中，不仅通过与实施例1一样的作用降低ESL，而且降低ESL，进一步增强高频带域中的噪声去除效果。
实施例3
下面，根据图6和图7来说明根据本发明实施例3的多层穿心电容器。另外，向与实施例1中说明的部件相同的部件附加相同符号，省略重复说明。
如图6所示，在本实施例中，第1内部导体21和第2内部导体22的形状与实施例1相同。但是，中间内部导体23不仅具有与实施例1一样的一对引出部23A、23B，而且还具有从主体部23C沿与引出部23A、23B大致成直角方向引出的引出部23D、23E。引出部23D、23E向图7所示基体12的短边侧外侧面14、16的中央部引出，连接于形成在各外侧面14、16中央部的接地用端子电极(中间端子电极)37、38。
图6所示4个引出部23A、23B、23D、23E如图7所示，分别连接于分别存在于4个外侧面13-16大致中央部的接地用端子电极35、36、37、38。
因此，根据本实施例，不仅产生与实施例1一样的作用，而且，因为在电介质基体12的各侧面13-16中最佳配置端子电极，所以可有效利用形成多层穿心电容器10的电介质基体12的侧面。
另外，根据本实施例，在图4所示接地用布线44上分别连接4个接地用端子电极35、36、37、38。因此，中间内部导体23引出部中的电感变小，从而可进一步降低ESL。
实验例
下面，表示由网络分析器测定以下各试样的衰减特性和ESL等。
分别准备图1-图3所示实施例1的多层穿心电容器10与图12-图13所示已有例的多层穿心电容器110，作为实验用试样。对这些试样测定衰减特性和ESL等。
在实验时，如图9A的电路图所示，将实施例1的多层穿心电容器10连接于作为省略图示的网络分析器输入输出端的Port1和Port2上进行测定。另外，如图9B的电路图所示，将已有例的两个多层穿心电容器110连接于同一网络分析器的Port1和Port2上进行测定。
该测定结果，如图8所示的衰减特性曲线所示，在使用两个已有例的多层穿心电容器110中，如由虚线表示的特性曲线A所示，在约32MHz的频率下产生衰减峰值。相反，在实施例1的多层穿心电容器10中，如由实线表示的特性曲线B所示，在约50MHz的频率下产生衰减峰值。
即，确认在本发明实施例的多层穿心电容器10中，与已有例的多层穿心电容器110相比，在更高频率侧衰减大，且提高高频带域中的噪声去除效果。
另外，在使用两个已有例的多层穿心电容器110中，ESL为98pH，相反，在实施例1的多层穿心电容器10中，ESL为56pH。即，确认在本发明实施例的多层穿心电容器10中，与已有例的多层穿心电容器110相比，ESL大幅度降低。
另外，该ESL由公式2πf0＝1/(ESL·C)求出，f0是自谐振频率，C是静电容量。另外，作为这里所用的各试样的尺寸，纵向为2.0mm，横向为1.2mm。另外，已有例的多层穿心电容器110各自的静电容量值为0.1μF左右，并联连接该两个该已有例的多层穿心电容器110测定到的静电容量值为0.21μF。另外，实施例1的多层穿心电容器10的静电容量值为0.19μF。
电容器的使用方法
下面，说明实施例1的多层穿心电容器10的连接例。
图10表示在电源51与LSI52之间使用根据实施例1的多层穿心电容器10作为去耦电容器情况下的一例。在电容器10的端子电极31-36上连接第1列布线53、54。
图11表示在电源51与LSI52之间使用根据实施例1的多层穿心电容器10作为去耦电容器情况下的另一例。在电容器10的端子电极31-36上连接第2列布线53、54。
即，不仅作为高频信号用，而且作为电源用，都可使用根据本发明实施例的电容器。在这些实例中，通过布线53将两组输入输出用端子电极31-34连接于电源51的正极侧和LSI52的一端侧，并通过布线54将一对接地用端子电极35、36连接于电源51的负极侧和LSI52的另一端侧。
但是，在图10所示实例中，在电源51的正极侧与LSI52的一端侧之间全部经多层穿心电容器10连接。相反，在图11所示实例中，在电源51的正极侧与LSI52的一端侧之间还具有直接连接的路径。
如上所述，根据本发明，可分别去除一般模式的噪声和差分模式的噪声，同时，可进一步降低ESL，提高高频噪声去除效果。
另外，本发明不限于上述实施例，也可在本发明范围内进行各种改变。
例如根据上述实施例的多层穿心电容器10具有7个内部导体和6个端子电极，但层数、内部导体个数和端子电极数不限于这些数量，也可是更多数量。

Claims (24)

1、一种多层穿心电容器，具有：
第1内部导体，配置在电介质基体内；
中间内部导体，配置在所述电介质基体内，经陶瓷层层叠在所述第1内部导体上；
第2内部导体，配置在所述电介质基体内，经陶瓷层层叠在所述中间内部导体上；
第1端子电极，形成于所述电介质基体的外侧面，连接于所述第1内部导体；
第2端子电极，形成于所述电介质基体的外侧面，连接于所述第2内部导体；和
中间端子电极，形成于所述电介质基体的外侧面，连接于所述中间内部导体。
2、根据权利要求1所述的多层穿心电容器，其特征在于：
所述第1内部导体和所述第2内部导体中彼此反向地流过电流。
3、根据权利要求1所述的多层穿心电容器，其特征在于：
在所述电介质基体的内部，所述中间内部导体经所述陶瓷层层叠在所述第1内部导体和第2内部导体之间。
4、根据权利要求1所述的多层穿心电容器，其特征在于：
在所述第1内部导体中形成分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部，一对所述第1端子电极分别连接于各引出部。
5、根据权利要求4所述的多层穿心电容器，其特征在于：
所述第1内部导体具有面积比构成所述电介质基体的所述陶瓷层稍窄的矩形图案，
所述一对引出部形成于所述矩形图案的长向的一端。
6、根据权利要求1所述的多层穿心电容器，其特征在于：
在所述第2内部导体中形成分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部，一对所述第2端子电极分别连接于各引出部。
7、根据权利要求6所述的多层穿心电容器，其特征在于：
所述第2内部导体具有面积比构成所述电介质基体的所述陶瓷层稍窄的矩形图案，
所述一对引出部形成于所述矩形图案的长向的一端。
8、根据权利要求1所述的多层穿心电容器，其特征在于：
在所述中间内部导体中形成分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部，一对所述中间端子电极分别连接于各引出部。
9、根据权利要求8所述的多层穿心电容器，其特征在于：
所述中间内部导体具有面积比构成所述电介质基体的所述陶瓷层稍窄的矩形图案，
所述一对引出部形成于所述矩形图案的长向的大致中央。
10、根据权利要求8所述的多层穿心电容器，其特征在于：
在所述中间内部导体中还形成一对引出部，该引出部与分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部不同，分别向与这两个所述外侧面不同的相对两个所述外侧面引出，一对所述中间端子电极分别连接于各引出部，
在所述电介质基体的4个所述外侧面上分别形成所述中间端子电极。
11、根据权利要求1所述的多层穿心电容器，其特征在于：
在所述电介质基体的外侧面上，在所述第1端子电极和第2端子电极之间形成所述中间端子电极。
12、根据权利要求1所述的多层穿心电容器，其特征在于：
所述中间端子电极接地，所述第1端子电极和所述第2端子电极分别连接于传送信号的路径。
13、一种多层穿心电容器，具有：
第1内部导体，配置在电介质基体内；
中间内部导体，配置在所述电介质基体内，经陶瓷层层叠在所述第1内部导体上；
第2内部导体，配置在所述电介质基体内，经陶瓷层层叠在所述中间内部导体上；
第1端子电极，形成于所述电介质基体的外侧面，连接于所述第1内部导体；
第2端子电极，形成于所述电介质基体的外侧面，连接于所述第2内部导体；
中间端子电极，形成于所述电介质基体的外侧面，连接于所述中间内部导体；
辅助第2内部导体，在所述电介质基体的内部，绝缘配置在与所述第1内部导体相同的平面上，经所述第2端子电极与所述第2内部导体连接；和
辅助第1内部导体，在所述电介质基体的内部，绝缘配置在与所述第2内部导体相同的平面上，经所述第1端子电极与所述第1内部导体连接。
14、根据权利要求13所述的多层穿心电容器，其特征在于：
所述第1内部导体和所述第2内部导体中彼此反向地流过电流，所述辅助第1内部导体和所述辅助第2内部导体中彼此反向地流过电流。
15、根据权利要求13所述的多层穿心电容器，其特征在于：
在所述电介质基体的内部，所述中间内部导体经所述陶瓷层层叠在所述第1内部导体和第2内部导体之间。
16、根据权利要求13所述的多层穿心电容器，其特征在于：
在所述第1内部导体和辅助第1内部导体中分别形成分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部，一对所述第1端子电极分别连接于各引出部。
17、根据权利要求16所述的多层穿心电容器，其特征在于：
所述第1内部导体和辅助第1内部导体分别具有面积比构成所述电介质基体的所述陶瓷层面积的一半还窄的矩形图案，
所述一对引出部形成于所述矩形图案的长向的一端。
18、根据权利要求13所述的多层穿心电容器，其特征在于：
在所述第2内部导体和辅助第2内部导体中分别形成分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部，一对所述第2端子电极分别连接于各引出部。
19、根据权利要求18所述的多层穿心电容器，其特征在于：
所述第2内部导体具有面积比构成所述电介质基体的所述陶瓷层面积的一半还窄的矩形图案，
所述一对引出部形成于所述矩形图案的长向的一端。
20、根据权利要求13所述的多层穿心电容器，其特征在于：
在所述中间内部导体中形成分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部，一对所述中间端子电极分别连接于各引出部。
21、根据权利要求20所述的多层穿心电容器，其特征在于：
所述中间内部导体具有面积比构成所述电介质基体的所述陶瓷层稍窄的矩形图案，
所述一对引出部形成于所述矩形图案的长向的大致中央。
22、根据权利要求20所述的多层穿心电容器，其特征在于：
在所述中间内部导体中还形成一对引出部，该引出部与分别向所述电介质基体的相对两个所述外侧面引出的一对引出部不同，分别向与这两个所述外侧面不同的相对两个所述外侧面引出，一对所述中间端子电极分别连接于各引出部，
在所述电介质基体的4个所述外侧面分别形成所述中间端子电极。
23、根据权利要求13所述的多层穿心电容器，其特征在于：
在所述电介质基体的外侧面中，在所述第1端子电极和第2端子电极之间形成所述中间端子电极。
24、根据权利要求13所述的多层穿心电容器，其特征在于：
所述中间端子电极接地，所述第1端子电极和所述第2端子电极分别连接于传送信号的路径。
CNB031386822A 2002-06-11 2003-06-11 多层穿心电容器 Expired - Lifetime CN1311486C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16952/2002 2002-06-11
JP169521/02 2002-06-11
JP2002169521A JP3833145B2 (ja) 2002-06-11 2002-06-11 積層貫通型コンデンサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1469402A true CN1469402A (zh) 2004-01-21
CN1311486C CN1311486C (zh) 2007-04-18

Family

ID=29706836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031386822A Expired - Lifetime CN1311486C (zh) 2002-06-11 2003-06-11 多层穿心电容器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6768630B2 (zh)
JP (1) JP3833145B2 (zh)
KR (1) KR100560830B1 (zh)
CN (1) CN1311486C (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7724108B2 (en) 2005-09-02 2010-05-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Electric element and electric circuit
US7746198B2 (en) 2005-12-27 2010-06-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Electric circuit device
US7952852B2 (en) 2007-12-28 2011-05-31 Tdk Corporation Through-type multilayer capacitor array
US8027146B2 (en) 2005-12-26 2011-09-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Electric circuit device enabling impedance reduction
CN104205269A (zh) * 2011-11-23 2014-12-10 贺利氏贵金属有限责任两合公司 具有穿通部件和滤波结构的接触装置
CN104282434A (zh) * 2013-07-05 2015-01-14 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器及其安装板
CN107221431A (zh) * 2017-06-01 2017-09-29 广东风华高新科技股份有限公司 多层陶瓷电容器

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7321485B2 (en) 1997-04-08 2008-01-22 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US7301748B2 (en) 1997-04-08 2007-11-27 Anthony Anthony A Universal energy conditioning interposer with circuit architecture
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
US7336468B2 (en) 1997-04-08 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
JP2004253425A (ja) * 2003-02-18 2004-09-09 Tdk Corp 積層コンデンサ
KR20060017576A (ko) * 2003-06-02 2006-02-24 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 마스터/슬래이브 스위칭 프로세스를 수행하는 디바이스, 방법, 및 프로그램
TWI277988B (en) * 2004-11-18 2007-04-01 Tdk Corp Multilayer capacitor
KR100674841B1 (ko) 2005-01-20 2007-01-26 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
US7092236B2 (en) * 2005-01-20 2006-08-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer chip capacitor
WO2006093831A2 (en) 2005-03-01 2006-09-08 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioner with tied through electrodes
KR20070107746A (ko) 2005-03-01 2007-11-07 엑스2와이 어테뉴에이터스, 엘.엘.씨 내부 중첩된 조절기
JP2007035850A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
US7414857B2 (en) * 2005-10-31 2008-08-19 Avx Corporation Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals
US7697262B2 (en) * 2005-10-31 2010-04-13 Avx Corporation Multilayer ceramic capacitor with internal current cancellation and bottom terminals
US7599166B2 (en) * 2005-11-17 2009-10-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer chip capacitor
KR100790708B1 (ko) * 2005-11-17 2008-01-02 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
JP4912110B2 (ja) * 2005-12-26 2012-04-11 三洋電機株式会社 電気回路装置およびそれに用いる基板
JP4462194B2 (ja) * 2006-01-17 2010-05-12 Ｔｄｋ株式会社 積層型貫通コンデンサアレイ
JP4915130B2 (ja) * 2006-04-18 2012-04-11 ソニー株式会社 可変コンデンサ
JP4293561B2 (ja) * 2006-08-21 2009-07-08 Ｔｄｋ株式会社 積層型貫通コンデンサアレイの実装構造
KR100848193B1 (ko) 2006-11-21 2008-07-24 주식회사 아모텍 칩 소자
KR100848192B1 (ko) * 2006-11-21 2008-07-24 주식회사 아모텍 칩 소자
US20080165468A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Avx Corporation Very low profile multilayer components
US7961453B2 (en) * 2007-01-09 2011-06-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer chip capacitor
US20080174936A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Western Lights Semiconductor Corp. Apparatus and Method to Store Electrical Energy
KR100900673B1 (ko) * 2007-01-31 2009-06-01 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
US7920370B2 (en) * 2007-02-05 2011-04-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer chip capacitor
KR100920614B1 (ko) * 2007-02-05 2009-10-08 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터
JP4434228B2 (ja) * 2007-03-30 2010-03-17 Ｔｄｋ株式会社 積層コンデンサアレイ
US8238116B2 (en) 2007-04-13 2012-08-07 Avx Corporation Land grid feedthrough low ESL technology
US20080304202A1 (en) * 2007-06-04 2008-12-11 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multi-layer capacitor and integrated circuit module
DE102007044604A1 (de) * 2007-09-19 2009-04-09 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
JP4539715B2 (ja) * 2007-12-20 2010-09-08 Ｔｄｋ株式会社 積層コンデンサアレイ
JP4502006B2 (ja) * 2007-12-28 2010-07-14 Ｔｄｋ株式会社 貫通型積層コンデンサアレイ
JP4428446B2 (ja) 2007-12-28 2010-03-10 Ｔｄｋ株式会社 積層コンデンサ
JP4548492B2 (ja) * 2008-02-13 2010-09-22 Ｔｄｋ株式会社 積層コンデンサアレイ
JP4450084B2 (ja) 2008-03-14 2010-04-14 Ｔｄｋ株式会社 積層コンデンサ及び積層コンデンサの実装構造
US10080889B2 (en) 2009-03-19 2018-09-25 Greatbatch Ltd. Low inductance and low resistance hermetically sealed filtered feedthrough for an AIMD
US11147977B2 (en) 2008-03-20 2021-10-19 Greatbatch Ltd. MLCC filter on an aimd circuit board conductively connected to a ground pin attached to a hermetic feedthrough ferrule
CN102037528A (zh) 2008-03-20 2011-04-27 格瑞巴奇有限公司 屏蔽三端子平通emi/消能滤波器
US9463329B2 (en) 2008-03-20 2016-10-11 Greatbatch Ltd. Shielded three-terminal flat-through EMI/energy dissipating filter with co-fired hermetically sealed feedthrough
US8125762B2 (en) * 2008-08-11 2012-02-28 Vishay Sprague, Inc. High voltage capacitors
US8446705B2 (en) * 2008-08-18 2013-05-21 Avx Corporation Ultra broadband capacitor
DE102009049077A1 (de) * 2009-10-12 2011-04-14 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement und Schaltungsanordnung
US9427596B2 (en) 2013-01-16 2016-08-30 Greatbatch Ltd. Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD
US11198014B2 (en) 2011-03-01 2021-12-14 Greatbatch Ltd. Hermetically sealed filtered feedthrough assembly having a capacitor with an oxide resistant electrical connection to an active implantable medical device housing
US10272252B2 (en) 2016-11-08 2019-04-30 Greatbatch Ltd. Hermetic terminal for an AIMD having a composite brazed conductive lead
US10596369B2 (en) 2011-03-01 2020-03-24 Greatbatch Ltd. Low equivalent series resistance RF filter for an active implantable medical device
US10350421B2 (en) 2013-06-30 2019-07-16 Greatbatch Ltd. Metallurgically bonded gold pocket pad for grounding an EMI filter to a hermetic terminal for an active implantable medical device
US9931514B2 (en) 2013-06-30 2018-04-03 Greatbatch Ltd. Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD
JP5234135B2 (ja) * 2011-04-04 2013-07-10 Ｔｄｋ株式会社 貫通型積層コンデンサ
US9504843B2 (en) 2011-08-19 2016-11-29 Greatbach Ltd. Implantable cardioverter defibrillator designed for use in a magnetic resonance imaging environment
US20130046354A1 (en) 2011-08-19 2013-02-21 Greatbatch Ltd. Implantable cardioverter defibrillator designed for use in a magnetic resonance imaging environment
US9093974B2 (en) 2012-09-05 2015-07-28 Avx Corporation Electromagnetic interference filter for implanted electronics
USRE46699E1 (en) 2013-01-16 2018-02-06 Greatbatch Ltd. Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD
CN103280287B (zh) * 2013-04-30 2015-12-23 成都迪博电子科技有限公司 陶瓷管状穿心电容器多层内嵌电极的导出方法
US20150114704A1 (en) 2013-10-31 2015-04-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor and board having the same
US9672986B2 (en) * 2014-01-13 2017-06-06 Apple Inc. Acoustic noise cancellation in multi-layer capacitors
JP2014239203A (ja) * 2014-01-31 2014-12-18 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品の実装構造体
KR102016485B1 (ko) * 2014-07-28 2019-09-02 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
KR102070232B1 (ko) * 2014-10-23 2020-01-28 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판
KR102494324B1 (ko) * 2016-07-27 2023-02-01 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
US10249415B2 (en) 2017-01-06 2019-04-02 Greatbatch Ltd. Process for manufacturing a leadless feedthrough for an active implantable medical device
US10912945B2 (en) 2018-03-22 2021-02-09 Greatbatch Ltd. Hermetic terminal for an active implantable medical device having a feedthrough capacitor partially overhanging a ferrule for high effective capacitance area
US10905888B2 (en) 2018-03-22 2021-02-02 Greatbatch Ltd. Electrical connection for an AIMD EMI filter utilizing an anisotropic conductive layer
KR20190116147A (ko) 2019-08-08 2019-10-14 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5929413A (ja) 1982-08-11 1984-02-16 三菱電機株式会社 積層セラミツクチツプコンデンサ
JPS6048230U (ja) * 1983-09-11 1985-04-04 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
JPH0658861B2 (ja) 1988-12-09 1994-08-03 株式会社村田製作所 積層コンデンサ
JPH0337850A (ja) 1989-07-03 1991-02-19 Nec Home Electron Ltd テープ貼り付き防止方法
JP2982539B2 (ja) * 1993-02-19 1999-11-22 株式会社村田製作所 チップ型貫通コンデンサ
JPH07169649A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Tdk Corp 積層貫通型コンデンサアレイ
JP3368664B2 (ja) * 1994-04-14 2003-01-20 株式会社村田製作所 積層セラミック部品
JPH0855758A (ja) 1994-08-10 1996-02-27 Sumitomo Metal Ind Ltd 積層コンデンサ
JP3240963B2 (ja) * 1997-07-24 2001-12-25 株式会社村田製作所 チップ状電子部品の電極形成方法およびチップ状電子部品用ホルダ
JP2000058376A (ja) 1998-08-04 2000-02-25 Tdk Corp セラミックコンデンサ
JP2001189234A (ja) 1999-12-28 2001-07-10 Tdk Corp 積層コンデンサ

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7724108B2 (en) 2005-09-02 2010-05-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Electric element and electric circuit
US7898363B2 (en) 2005-09-02 2011-03-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Electric element and electric circuit
US8027146B2 (en) 2005-12-26 2011-09-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Electric circuit device enabling impedance reduction
US7746198B2 (en) 2005-12-27 2010-06-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Electric circuit device
CN1992426B (zh) * 2005-12-27 2011-05-11 三洋电机株式会社 电气电路装置
US7952852B2 (en) 2007-12-28 2011-05-31 Tdk Corporation Through-type multilayer capacitor array
CN101471178B (zh) * 2007-12-28 2012-04-25 Tdk株式会社 贯通型层叠电容器阵列
CN104205269A (zh) * 2011-11-23 2014-12-10 贺利氏贵金属有限责任两合公司 具有穿通部件和滤波结构的接触装置
CN104282434A (zh) * 2013-07-05 2015-01-14 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器及其安装板
CN104282434B (zh) * 2013-07-05 2017-07-04 三星电机株式会社 多层陶瓷电容器及其安装板
CN107221431A (zh) * 2017-06-01 2017-09-29 广东风华高新科技股份有限公司 多层陶瓷电容器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004014961A (ja) 2004-01-15
US20030227738A1 (en) 2003-12-11
JP3833145B2 (ja) 2006-10-11
US6768630B2 (en) 2004-07-27
KR100560830B1 (ko) 2006-03-13
KR20030095360A (ko) 2003-12-18
CN1311486C (zh) 2007-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1311486C (zh) 多层穿心电容器
CN1062377C (zh) 多层穿心式电容器阵列
CN1175438C (zh) 层叠型线圈部件及其制造方法
CN1523620A (zh) 层叠电容器
CN1190113C (zh) 陶瓷叠层器件
CN1672326A (zh) 滤波器电路
CN1253965C (zh) 传输线型组件
CN1209848C (zh) 层叠带通滤波器、高频无线设备及层叠带通滤波器的制造方法
CN1506988A (zh) 电子元件与中间基板
CN1224301C (zh) 高频模块
CN1993012A (zh) 能以简单结构减小宽频带上的噪声的多层接线板
CN1967750A (zh) 多层芯片电容器
CN1835136A (zh) 叠层电容器
CN1412887A (zh) 方向性耦合器
CN1661741A (zh) 层叠电容器
CN1885713A (zh) 电涌吸收电路
CN1122328C (zh) 介质谐振器装置和高频组件
CN1402274A (zh) 多层陶瓷电子器件
CN1701398A (zh) 层式线圈元件及其制造方法
CN1624829A (zh) 电容器及其制造方法
CN1941641A (zh) 信号接收装置
CN1385959A (zh) 叠层滤波器、集成器件和通信设备
CN1776845A (zh) 层积型电容器
CN1306603C (zh) 层叠型电子元器件
CN1118109C (zh) 多层薄膜电极、高频传输线路、高频共振器和高频滤波器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20070418

CX01 Expiry of patent term