CN1501172A - 光刻装置和器件制造方法 - Google Patents

光刻装置和器件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1501172A
CN1501172A CNA200310120944A CN200310120944A CN1501172A CN 1501172 A CN1501172 A CN 1501172A CN A200310120944 A CNA200310120944 A CN A200310120944A CN 200310120944 A CN200310120944 A CN 200310120944A CN 1501172 A CN1501172 A CN 1501172A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid
shading member
substrate
base station
projection apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200310120944A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100451832C (zh
Inventor
A・T・A・M・德克森
A·T·A·M·德克森
L・当德斯
S·N·L·当德斯
胡根达姆
C·A·胡根达姆
鲁普斯特拉
J·洛夫
S・M・梅坦斯
E·R·鲁普斯特拉
H・穆肯斯
J·J·S·M·梅坦斯
森格斯
J·C·H·穆肯斯
乩艾杰
T·F·森格斯
乩锓蚩
A·斯特拉艾杰
B·斯特里夫克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN1501172A publication Critical patent/CN1501172A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100451832C publication Critical patent/CN100451832C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Abstract

在光刻投射装置中，液体供给系统将液体保持在投射系统最终元件与光刻投射装置的基底之间。在基底交换的过程中，提供一个遮光构件以代替基底将液体容纳在液体供给系统中。

Description

光刻装置和器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种光刻投射装置，包括：
用于提供辐射投射光束的辐射系统；
用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图；
用于保持基底的基底台；
用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统。
用于向所述投射系统的最终元件和所述基底之间的空间提供浸没液体的液体供给系统。
背景技术
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案截面的部件，其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件如集成电路或者其它器件的特殊功能层相对应(见下文)。这种构图部件的示例包括：
■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射可根据掩模上的图案选择透射式(在透射掩模的情况下)或者反射式(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
■程控反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一实施例是利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到非寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图部件可包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
■程控LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图部件。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的靶部上(例如包括一个或者多个芯片)。一般的，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网络，该相邻靶部由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过将全部掩模图案一次曝光在靶部上而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片分档器。另一种装置(通常称作步进-扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,729中获得，该文献这里作为参考引入。
在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底可进行各种处理，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的 “微 型集成电路片制造：半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guideto Semiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投影系统在下文称为“透镜”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于引导、整形或者控制辐射投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“透镜”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。
已经提出了将光刻投射装置中的基底浸没在一种具有比较高折射率的液体中，比如水，以使其填充投射系统最终元件和基底之间的空间。这样做的目的是由于曝光射线在液体中具有更短的波长，从而能够对更小的特征成像。  (也可以将液体的作用看作提高系统的有效数值孔径NA并且也提高了景深)。
然而，将基底或基底及基底台浸入在液体槽中(参见例如US4,509,852，在这里全部引入作为参考)意味着在扫描曝光过程中必定要加速大量液体。这就需要附加的或更强劲的马达，并且液体中的紊流会导致不良和不可预知的影响。
一种提出的解决方案是对于液体供给系统仅在基底的局部区域及投射系统最终元件与基底之间(通常基底比投射系统的最终元件具有更大的表面积)提供液体。一种已经提出的适于这种方案的方法在WO99/49504中公开，在这里全部引入作为参考。如图9和10所示，液体由至少一个注水口IN供给到基底上，优选沿基底相对于最终元件的运动方向，并且在投射系统下面通过后由至少一个排水口OUT排出。也就是说，当沿-X方向扫描在元件下方的基底时，液体在元件的+X侧供给并且在-X侧吸收。图9示出液体通过注水口IN供给并且由连接到低压源的排水口OUT在元件的另一侧吸收的示意性的装置。在图9的示例中，液体沿基底相对于最终元件的运动方向供给，尽管并不需要是这种情况。围绕最终元件放置的各种定位和数量的入口和出口都是可以接受的，一个环绕最终元件以规则方式提供的四组入口两侧都带有出口的例子示于图10中。
使用这种以及其它用于仅将液体提供给基底局部的装置，基底自身起到了在投射系统最终元件与基底之间的空间容纳液体供给系统的液体的作用。如果移开基底(例如在交换基底的过程中)并且不进行其它测量，液体将从液体供给系统中跑出。很明显，要避免这种情况。在基底移动之前可以将液体从空间中清除。但是，由于当液体供给系统腾空液体后，剩余液体不可避免地会残留下来并且变干，所以曝光过程中浸没在液体中的投射系统的元件上会留下干燥斑点。显然，这对于投射系统的持续高性能是有害的。同样，在用液体重新填充空间时，很难避免气泡的形成。用液体填充空间也将花费时间并且会减少生产时间。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种可以进行浸没光刻并且可以避免或减少在交换基底的过程中从液体供给系统中清除液体的光刻投射装置。
依据本发明，本文开始段落中描述的光刻装置可以实现该目的和其它目的，其特征在于所述装置还包括当所述基底从所述投射系统下面移开时，用于保持所述最终元件与液体接触的装置。
这样就可以避免干燥投射系统最终元件上的标记。这种解决方案对于仅向基底的局部区域提供浸没液体的局部区域液体供给系统是理想的。有一种设置可以包括射流以在基底交换过程中向最终元件上投射液体。另一种设置是在所述液体供给系统与所述投射系统相对的一侧上提供一个可定位的遮光构件，这样，可以将所述浸没液体限制在所述液体供给系统中以及限制在所述投射系统与所述遮光构件之间。
采用这样的设置，在基底曝光之后遮光构件可以在液体供给系统下面移动，从而容纳液体。然后，基底从基底台移开，而没有损失液体供给系统的液体，这是因为遮光构件取代了基底的位置并且其尺寸等于或大于局部区域使得没有液体可以从液体供给系统与遮光构件之间溢出。
在一个实施例中，遮光构件为所述基底台的一个表面。采用这样的设置，基底台在曝光后移动到基底可被移去的位置，也可以移动到遮光构件位于液体供给系统之上的位置。密封如气体密封，也可以用于密封沿所述空间的至少一部分边界延伸的密封构件，以容纳所述液体，并为曝光过程中所述投射光束通过并到达基底形成孔径，该密封能够保持在液体供给系统与遮光构件之间的密封作用。该遮光构件堵住孔径。或者，遮光构件可以相对于密封构件抬高以邻接密封构件并且密封因而不起作用。
在一个可选实施例中，遮光构件可以与装置的其余部分分离。遮光构件也可以相对于装置的其余部分移动。也就是说，该遮光构件比较小，也许形状象盘子，并且不是永久地安装于装置的其它组成部分。在该实施例中，由于遮光构件位于液体供给系统之上并且不依赖于基底台，曝光后基底台可以完全地离开液体供给系统。在该实施例中，优选在曝光过程中由基底台支撑遮光构件，并且为了这个目的遮光构件和/或基底台具有可释放地将遮光构件保持到基底台上的装置。同样，提供用于可释放地将遮光构件附着于液体供给系统的装置。用于可释放地附着的装置或用于可释放地保持的装置包括用于产生附着或保持所需的力的磁装置。或者，这些装置包括用于将遮光构件吸到基底台和/或液体供给系统的真空出口。就用于可释放地附着的装置来说，可以利用在曝光过程中密封液体供给系统与基底之间用于密封的气体密封以提供将遮光构件附着于液体供给系统的力。
在另一个实施例中，液体供给系统包括用于将液体从所述空间清除的装置，以及一个用于在所述空间提供冲洗(flushing)的气体入口。由于液体污染物或许在装置长期关闭期间常常需要这样。这样，液体可以从所述空间清除并且所述空间会被气体冲洗。然后遮光构件附着于所述孔径以保护透镜。
依据本发明的又一方面，还提供一种器件制造方法，包括以下步骤：
提供一至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基底；
利用辐射系统提供辐射投射光束；
利用构图部件来使投射光束的横截面具有图案；
提供至少部分地填充在投射步骤中使用的投射系统最终元件与所述基底之间的间隙的浸没液体；
在具有该层辐射敏感材料的靶部上投射带图案的辐射光束；
将所述基底从所述投射系统下移开；
其特征在于，在所述基底已经从所述投射系统下移开后，保持所述最终元件与液体的接触。
在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“划线板”，“晶片”或者“芯片”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“靶部”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)。
附图说明
现在仅通过举例的方式，参照附图描述本发明的实施方案，其中：
图1表示依据本发明一实施例的光刻投射装置；
图2表示本发明第一实施例的贮液器；
图3表示本发明第一实施例的贮液器和基底台；
图4表示本发明第二实施例的贮液器、基底台和遮光构件；
图5表示本发明第二实施例的贮液器、基底台和遮光构件；
图6表示本发明第二实施例的贮液器、基底台和遮光构件的另一种配置；
图7表示本发明第三实施例；
图8表示第三实施例的另一种形式；
图9表示依据本发明的一个实施例的另一种液体供给系统；
图10表示图9中系统的平面图。
在图中相应的附图标记表示相应的部件。
具体实施方式
实施例1
图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的一光刻投影装置。该装置包括：
辐射系统Ex，IL，用于提供辐射投射光束PB(例如UV辐射)，在这种具体例子中，该辐射系统还包括一辐射源LA；
第一目标台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如划线板)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置连接；
第二目标台(基底台)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置连接；
投射系统(“透镜”)PL(例如反射镜组)，用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个电路小片(die))上。
如这里指出的，该装置属于透射型(例如具有透射掩模)。可是，一般来说，它还可以是例如反射型(例如具有反射掩模)。另外，该装置可以利用其它种类的构图部件，如上述涉及的程控反射镜阵列型。
辐射源LA(例如产生激光或放电等离子源)产生辐射光束。该光束直接或横穿过如扩束器Ex的调节装置后，再照射到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其它组件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有理想的均匀度和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投射装置的壳体中(例如当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投射装置，其产生的辐射光束被(例如通过合适的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。横向穿过掩模MA后，光束PB通过透镜PL，该透镜将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似的，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片分档器中(与步进-扫描装置相对)，掩模台MT可与短冲程致动装置连接，或者固定。
所示的装置可以按照二种不同模式使用：
1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由光束PB照射。
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是所给的靶部C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投射光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是透镜PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的靶部C，而没有牺牲分辨率。
图2示出在投射系统PL与位于基底台WT上的基底W之间的贮液器10。贮液器10充满了通过入口/出口输送管13提供的具有比较高折射率的液体11，例如水。液体具有使投射光束的辐射在液体中比在空气或真空中具有更短的波长，可以分辨更小的特征的作用。众所周知，投射系统的分辨极限，特别地，由投射束的波长和系统的数值孔径确定。液体的存在也可以看作提高了有效数值孔径。另外，对于确定的数值孔径，液体对增加景深有效。
贮液器10在投射透镜PL像场周围形成对基底W形成优选的非接触式的密封，从而限制液体填充朝向投射系统PL的基底主表面与投射系统PL的最终元件之间的空间。贮液器由放置在投射透镜PL最终元件下方并环绕该元件的密封构件12形成。这样，液体供给系统仅在基底的局部区域上提供液体。密封构件12形成用于用液体填充投射系统最终元件与基底之间空间的液体供给系统的一部分。液体进入投时透镜下方并在密封构件12之内的空间。密封构件12在投射透镜底部元件之上略微延伸，并且液体上涨到最终元件之上以提供液体缓冲区。密封构件12具有在其上端严密符合投射系统或其最终元件的形状的内边缘，可以是例如圆形。在底部内边缘严密符合像场的形状，例如矩形，尽管并不必需这样。投射光束穿过该孔径。
通过密封器件16将液体11封闭在贮液器10中。如图2所示，密封器件为非接触密封，即气体密封。气体密封由气体形成，如空气或合成空气形成，在压力下，经由入口15提供给密封构件12与基底W之间的间隙，并由第一出口14排出。设置在气体入口15的过压、第一出口14的真空程度以及间隙的几何形状，从而具有向内的朝向装置光轴的高速空气流封闭液体11。如使用任何密封一样，一些液体很可能溢出，例如从第一出口14上面。
图9和图10也表示了由入口IN、出口OUT、基底W和投射透镜PL的最终元件限定的贮液器。如同图2的液体供给系统，包括入口IN和出口OUT的图9和图10中表示的液体供给系统将液体供给到投射系统最终元件与基底主表面的局部区域之间的空间。
从图2和9中可以看出，在曝光的过程中，基底W提供贮液器的底壁从而将液体容纳在投射系统PL与基底W之间的空间中。
图3示出依据本发明第一实施例的基底台WT，该基底台WT可用于消除一旦基底W完成成像并被从基底台WT上卸下前从贮液器中腾空液体的必要性。遮光构件100(也称为盖板、边缘密封构件、间隙密封装置或构件或者中间板)为此目的设置。遮光构件100是不同于基底表面的一个表面，在这里是基底台WT的一个基本上与基底W的上部主表面共面并且紧紧邻接基底W的边缘的上部主表面(如图所示)。遮光构件100的面积要足够大，这样，如果基底台移动使投射系统PL和密封构件12位于遮光构件100之上(如图中虚线所示)，遮光构件堵住密封构件12的整个孔径以防止液体从孔径中溢出。在该位置，可以用常见的基底处理装置将基底W从基底台WT移开。如果基底W的边缘接近遮光构件100的边缘(即当基底放置在突起台或卡盘上或者将基底W保持在基底台WT上的任何装置时，基底W与遮光构件100的边缘之间的间隙比较小)，当基底边缘在密封构件12的孔径下面移动时，将不会有急剧的液体流失。基底台WT可以向投射系统抬高以堵住所述孔径，这样，密封装置16就不起作用。
实施例2
本发明第二实施例示于图4中，该实施例相对于第一实施例的改进在于：为了将基底W从基底台WT上移除并且在基底台WT上放置新的基底，该实施例允许基底台WT完全离开投射系统PL和密封构件12。这样，该装置可与例如双级(dual stage)机构一同使用。
在第二实施例中，遮光构件150为主横截面面积大于局部面积或密封构件12的孔径的面积的盘状形式。遮光构件150的形状可以是任何形状，只要它覆盖孔径。遮光构件150不是基底，而且可以相对于基底台WT和密封构件12两者移动并通过任何装置附着于密封构件12，下面将描述两个例子。
在基底W成像之后，移动基底台WT使遮光构件150位于密封构件12的孔径下面。基底W与基底台WT顶表面之间的间隙以及基底台WT顶表面与遮光构件150顶表面之间的间隙很小，这样，来自贮液器10的液体在通过间隙的同时没有灾难性的流失。基底W、基底W与遮光构件150之间的基底台WT和遮光构件150的顶(主)表面(如图所示)设置成基本上共面。一旦遮光构件150位于投射系统PL下面，遮光构件150附着于密封构件12的底部以覆盖所述孔径。然后，密封构件12沿Z方向(光轴方向)离开基底台WT，或者基底台WT降低离开密封构件12。接着，基底台WT移动到更换基底W的位置。一旦新的基底装在基底台WT上并且任何必需的对准或其它测量(例如水准测量)完成(例如在双级机构中)，基底台WT就移动到遮光构件150可以重新定位在基底台WT上的位置，然后基底台WT移动，使基底W位于投射系统PL下面，这样，可以开始曝光。
当然，在光刻投射装置中的某个物体上而不是基底台WT上提供遮光构件150也是可以的。例如，可以在机器人臂上提供遮光构件，该机器人臂在曝光后移动从而将遮光构件定位在投射系统下面。
遮光构件150的位置会随时间漂移，这样，用于对准中心或至少保持遮光构件的位置轨迹的装置是有用的。可以是在基底台WT上遮光构件放置区域上的机械或光学或电子或其它类型的传感器和/或在液体供给装置(例如密封构件12)上的这样的传感器。对于这样的系统，优选石英遮光构件，特别是对于以193nm曝光的装置。可选择地或可附加地，提供应用来自遮光构件500上的标记的反射信号的透镜传感器和探测器，该信号通过分束器耦合到探测器。这样的系统可以在基底台WT移动的同时使用，从而提高产量。可选择地或可附加地，通过基底台WT上的光学传感器测量遮光构件的位置。这里，在遮光构件150的底侧或顶侧上运用一标记(例如对于辐射波长的透射图案)，然后，当投射系统PL曝光该标记的同时，可由基底台WT上的传感器测量遮光构件150的位置。该标记对来自投射系统(或另一个辐射源)的辐射是透射的，并且在基底台WT上的透射像传感器(TIS)或斑点传感器继而可用于测量当遮光构件附着于液体供给系统时遮光构件的偏移。根据设计在遮光构件上的标记，可以使用在基底台WT上已有的透射像传感器(TIS)或斑点传感器。这样，该装置可以通过规律地感应位置，例如，每个循环或者也许仅每十个或上百个循环或在认为必要的时候，保留遮光构件随时间的位置漂移的记录。于是，可以做任何必要的调整。
另外，四方单元传感器(quad cell sensor)可以固定在遮光构件150的中心。吸收(或透射)斑点位于反射镜区的中心，这样，当使用后遮光构件150位于基底台WT上时，可以测量其位置。四方单元传感器由在一个矩形中的四个光敏单元组成。当光束在中心时，四个单元的输出相等。如果传感器漂移到一侧，该侧单元的输出相对于其它侧单元的输出增大。因此，任何从优选位置的偏差在下次遮光构件150附着于液体供给系统时可以得到校正。
另一种不涉及复杂的位置感测的遮光构件150的对中方法是提供当由液体供给系统拾起时具有能够自我对中的形状的遮光构件150。一个合适的例子是比所需更厚的遮光构件150，其具有位于液体供给系统的孔径中的圆锥状边缘。
图5示出一种将遮光构件150附着于密封构件12底侧的方法。该方法有效地利用了密封构件12的密封16。当遮光构件150位于孔径的下面时，出口14加电压而且入口15不加电压。出口14处的真空足够吸引遮光构件150以使之夹紧于密封构件12的底部从而密封孔径。当遮光构件150放回到基底台WT上时，密封16可以重新激活以正常运转，并且基底台WT移动到曝光位置。遮光构件150利用通过管155连接到真空源的真空出口157保持在基底台WT上。为了避免或减少浸没液体在遮光构件150下面的渗漏，环绕真空出口157设置一(环形)通道158。通道158通过管159连接到真空源，这样，任何液体都能被由真空引起的穿过通道158的气流清除。在通道158中具有气流是有益的，甚至是当遮光构件150在适当的位置时。为了这个目的，在某个表面上开一个管156，例如基底台WT的上表面，并且连接到通道158，该管156可以设置在基本上与通到真空源的管159相对的一侧。在第二实施例中，在遮光构件150处于覆盖孔径位置的同时密封16不必起作用，但优选密封16起作用。
另一个用于将遮光构件150保持在基底台WT上的装置和用于将遮光构件150附着于密封构件12的装置示于图6中。在该实施例中，遮光构件150由铁磁材料(或制作一个部件中部分使用铁磁材料)制成，这样，放置在密封构件12和基底台WT上的磁铁160、170(优选电磁体以易于安装和拆卸)可以用于将遮光构件150保持在分别抵住密封构件12和基底台WT的位置。通过保持密封16起作用，可以使液体流失减到最少。图5的实施例中描述的通道158和管156、159的设置也可以用于图6的实施例中以减少或减轻在遮光构件150下面的液体渗漏。
遮光构件150应当总是由基底台WT和密封构件12中的至少一个保持，从而使遮光构件总是受到控制。
如图6中进一步示出的，希望在基底交换过程中从贮液器10中清除液体11。这是通过从出口14或出口管13排出液体，然后用通过另一个气体入口17提供的气体冲洗该空间来完成。这么做是为了维护并且在进行该过程之后需要清洗透镜。
当然，图5和6中的特征可以组合。
实施例3
除下面描述的之外，第三实施例与第二实施例相同。第三实施例示于图7中，与第二实施例不同之处在于：遮光构件150放置在密封构件12里面。与第二实施例相似之处在于：遮光构件与基底台WT分离。遮光构件150通过密封装置12中的通道250，在投射系统PL下面移动，从而可以从任何静止位置移动到堵住孔径的位置。
遮光构件150也可以与密封装置12分离，并且在需要的时候用机器人臂移动到密封装置12中，例如，或者遮光构件可以具有一系列图8中示出的叶片300。叶片300象照相机的快门一样工作，该叶片可以移动使其不遮住孔径，但是，当移动多个叶片以邻接在孔径中心时，这些叶片堵住孔径。
以上是针对密封构件的不同局部区域解决方案描述了本发明。但是，上述发明同样可以应用于任何其它类型的液体供给系统，例如欧洲专利申请No.03254078.3或03256643.2中公开的液体供给系统，在这里全部作为参考引入，或者应用于图9和10中示出的变形中。例如，在遮光构件150可以相对于基底台WT和投射系统PL两者移动的情况下，用于将遮光构件附着于入口IN和出口OUT之下的装置可设置在形成入口IN和出口OUT的构件上，或者设置在一个分离结构上。另外或者作为替代，出口OUT的真空可用于将遮光构件吸到入口IN和出口OUT，从而密封孔径。使用非平面的遮光构件，例如具有突出边沿的遮光构件会较为理想，使得可以容纳所有来自不同入口和出口的液滴。任何用于产生力的系统可以用作用于附着的装置，包括低压源、磁装置、机械装置、静电装置等。
以上已描述本发明的具体实施例，可以理解本发明除上述之外，可以采用其他方式进行实施，本说明无意限制本发明。

Claims (16)

1.一种光刻投射装置，包括：
用于提供辐射投射光束的辐射系统；
用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图；
用于保持基底的基底台；
用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统。
用于向所述投射系统的最终元件和所述基底之间的空间提供浸没液体的液体供给系统；
其特征在于所述装置还包括当所述基底从所述投射系统下移开时，用于保持所述最终元件与液体接触的装置。
2.如权利要求1所述的光刻投射装置，其中所述保持装置包括一个在所述液体供给系统相对所述投射系统的一侧上的可定位的遮光构件，这样，可以将所述浸没液体限制在所述液体供给系统中以及限制在所述投射系统与所述遮光构件之间。
3.如权利要求2所述的光刻投射装置，其中所述遮光构件是所述基底台的表面。
4.如权利要求2所述的光刻投射装置，其中所述遮光构件是与所述装置的其余部分分开的。
5.如权利要求4所述的光刻投射装置，其中所述遮光构件和/或所述基底台具有可释放地将所述遮光构件保持在所述基底台上的装置。
6.如权利要求4或5所述的光刻投射装置，还包括可释放地将所述遮光构件附着于所述液体供给系统的装置。
7.如权利要求5或6所述的光刻投射装置，其中所述用于司释放地保持的装置和/或用于可释放地附着的装置包括磁性装置。
8.如权利要求5、6或7所述的光刻投射装置，其中所述用于司释放地保持的装置和/或用于可释放地附着的装置包括用于将所述遮光构件吸到所述基底台和/或所述液体供给系统的真空出口。
9.如权利要求8所述的光刻投射装置，其中所述液体供给系统包括沿容纳所述液体的所述空间的至少一部分边界延伸的密封构件，并且包括密封所述密封构件与所述基底之间的低压源，所述低压源形成所述用于可释放地附着装置的至少一部分。
10.如权利要求2-9中任何一个所述的光刻投射装置，其中，在装载位置，所述遮光构件具有与面对所述最终元件的所述基底表面大致共面的主表面。
11.如权利要求2-10中任何一个所述的光刻投射装置，其中所述遮光构件包括用于导引所述遮光构件的标记。
12.如权利要求11所述的光刻投射装置，还包括利用所述标记测量所述遮光构件位置的传感器。
13.如权利要求2-12中任何一个所述的光刻投射装置，其中液体供给系统包括沿最终元件与基底台之间的所述空间的至少一部分边界延伸的密封构件，并且当所述遮光构件限制所述液体时，所述遮光构件定位于所述密封构件中。
14.如前任一权利要求所述的光刻投射装置，其中所述液体供给系统包括将液体从所述空间清除的装置，以及在所述空间中提供冲洗气体的气体入口。
15.一种器件制造方法，包括以下步骤：
提供一至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基底；
利用辐射系统提供辐射投射光束；
利用构图部件来使投射光束的横截面具有图案；
提供至少部分填充在所述投射步骤中使用的投射系统的最终元件与所述基底之间的空间的浸没液体；
在所述辐射敏感材料层的靶部上投射带图案的辐射光束；
将所述基底从投射系统下移开；
其特征在于，在所述基底从所述投射系统下移开后，保持所述最终元件与液体的接触。
16.如权利要求15所述的方法，其中通过在所述液体供给系统与所述投射系统相对的一侧上设置遮光构件，保持所述最终元件与所述浸没液体接触，这样，所述浸没液体限制在所述液体供给系统中以及限制在所述投射系统与所述遮光构件之间。
CNB2003101209444A 2002-11-12 2003-11-11 光刻装置和器件制造方法 Expired - Lifetime CN100451832C (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02257822.3 2002-11-12
EP02257822 2002-11-12
EP03253636.9 2003-06-09
EP03253636 2003-06-09
EP03254059 2003-06-26
EP03254059.3 2003-06-26

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008102134965A Division CN101349876B (zh) 2002-11-12 2003-11-11 光刻装置和器件制造方法
CN2009100021115A Division CN101470360B (zh) 2002-11-12 2003-11-11 光刻装置和器件制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1501172A true CN1501172A (zh) 2004-06-02
CN100451832C CN100451832C (zh) 2009-01-14

Family

ID=33303463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003101209444A Expired - Lifetime CN100451832C (zh) 2002-11-12 2003-11-11 光刻装置和器件制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7075616B2 (zh)
JP (1) JP3954017B2 (zh)
KR (1) KR100546860B1 (zh)
CN (1) CN100451832C (zh)
DE (1) DE60335595D1 (zh)
SG (1) SG121820A1 (zh)
TW (1) TWI248560B (zh)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100445872C (zh) * 2005-05-09 2008-12-24 浙江大学 浸没式光刻系统中的液体传送及气密封装置
CN1713075B (zh) * 2004-06-23 2010-08-04 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN1776531B (zh) * 2004-11-18 2010-09-22 国际商业机器公司 湿浸式光刻系统中用于清洗半导体衬底的方法和设备
CN101164015B (zh) * 2005-04-19 2010-11-24 Asml荷兰有限公司 具有相对衬底倾斜的喷洒头的液体浸没光刻系统
CN101320221B (zh) * 2007-02-15 2011-01-12 Asml控股股份有限公司 浸没式光刻系统以及浸没式光刻中原地清洁透镜的方法
CN101258581B (zh) * 2005-09-09 2011-05-11 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法以及设备制造方法
CN102193337A (zh) * 2010-03-19 2011-09-21 Asml荷兰有限公司 光刻设备、照射系统、投影系统以及使用光刻设备制造器件的方法
CN101231479B (zh) * 2007-01-25 2011-12-14 台湾积体电路制造股份有限公司 浸润式微影方法、浸润式微影系统及其封闭板的对准方法
CN102338987A (zh) * 2010-07-16 2012-02-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻设备
US8208116B2 (en) 2006-11-03 2012-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
CN102520589A (zh) * 2006-08-31 2012-06-27 株式会社尼康 曝光方法和装置、以及组件制造方法
CN1971429B (zh) * 2005-11-23 2012-07-04 Asml荷兰有限公司 光刻设备
CN1821881B (zh) * 2004-12-15 2012-07-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US8253922B2 (en) 2006-11-03 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
CN101893827B (zh) * 2005-12-30 2013-10-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN103605262A (zh) * 2004-06-09 2014-02-26 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
CN103765998A (zh) * 2011-09-02 2014-04-30 Asml荷兰有限公司 辐射源和光刻设备
CN102736446B (zh) * 2004-06-10 2014-09-17 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
CN107219730A (zh) * 2017-07-28 2017-09-29 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板装载系统及曝光机
CN107315322A (zh) * 2017-07-20 2017-11-03 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光距离调整方法及装置

Families Citing this family (275)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7240679B2 (en) * 2002-09-30 2007-07-10 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG171468A1 (en) * 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7948604B2 (en) * 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
EP1571698A4 (en) * 2002-12-10 2006-06-21 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
CN100446179C (zh) * 2002-12-10 2008-12-24 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
US7514699B2 (en) 2002-12-19 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
EP3301511A1 (en) 2003-02-26 2018-04-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR20050110033A (ko) * 2003-03-25 2005-11-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101176817B1 (ko) * 2003-04-07 2012-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR20110104084A (ko) * 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
CN1771463A (zh) * 2003-04-10 2006-05-10 株式会社尼康 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道
EP3062152B1 (en) 2003-04-10 2017-12-20 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus
SG2012050829A (en) 2003-04-10 2015-07-30 Nippon Kogaku Kk Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
JP4582089B2 (ja) * 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
KR101324818B1 (ko) 2003-04-11 2013-11-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR101697896B1 (ko) 2003-04-11 2017-01-18 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
EP1614000B1 (en) * 2003-04-17 2012-01-18 Nikon Corporation Immersion lithographic apparatus
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4552853B2 (ja) * 2003-05-15 2010-09-29 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
TWI463533B (zh) * 2003-05-23 2014-12-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
TW201806001A (zh) 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
KR20150036794A (ko) * 2003-05-28 2015-04-07 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI347741B (en) * 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261741A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200511388A (en) 2003-06-13 2005-03-16 Nikon Corp Exposure method, substrate stage, exposure apparatus and method for manufacturing device
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
KR101475634B1 (ko) 2003-06-19 2014-12-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
DE60321779D1 (de) * 2003-06-30 2008-08-07 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1639391A4 (en) * 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
JP4697138B2 (ja) * 2003-07-08 2011-06-08 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法
ATE489724T1 (de) * 2003-07-09 2010-12-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementherstellung
ATE513309T1 (de) * 2003-07-09 2011-07-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005010960A1 (ja) * 2003-07-25 2005-02-03 Nikon Corporation 投影光学系の検査方法および検査装置、ならびに投影光学系の製造方法
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
CN102043350B (zh) 2003-07-28 2014-01-29 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法、及曝光装置的控制方法
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7370659B2 (en) * 2003-08-06 2008-05-13 Micron Technology, Inc. Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines
KR101288632B1 (ko) 2003-08-21 2013-07-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101094114B1 (ko) * 2003-08-26 2011-12-15 가부시키가이샤 니콘 광학소자 및 노광장치
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005022616A1 (ja) * 2003-08-29 2005-03-10 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP2261740B1 (en) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1660925B1 (en) * 2003-09-03 2015-04-29 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
WO2005029559A1 (ja) * 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1519231B1 (en) 2003-09-29 2005-12-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158211B2 (en) * 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101441840B1 (ko) 2003-09-29 2014-11-04 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20060126949A (ko) 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
JP4319188B2 (ja) 2003-10-08 2009-08-26 株式会社蔵王ニコン 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造装置及びデバイス製造方法
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
EP1524557A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100461336C (zh) * 2003-10-31 2009-02-11 株式会社尼康 曝光装置以及器件制造方法
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI605315B (zh) 2003-12-03 2017-11-11 Nippon Kogaku Kk Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
JP4720506B2 (ja) 2003-12-15 2011-07-13 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
JPWO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2007-07-05 株式会社ニコン 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
JP4308638B2 (ja) * 2003-12-17 2009-08-05 パナソニック株式会社 パターン形成方法
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005191394A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
ATE459898T1 (de) * 2004-01-20 2010-03-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101377815B1 (ko) 2004-02-03 2014-03-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070030467A1 (en) * 2004-02-19 2007-02-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
TW201816844A (zh) 2004-03-25 2018-05-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) * 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7796274B2 (en) 2004-06-04 2010-09-14 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
CN102290365B (zh) * 2004-06-09 2015-01-21 尼康股份有限公司 基板保持装置、具备其之曝光装置及方法、元件制造方法
JP4826146B2 (ja) * 2004-06-09 2011-11-30 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法
US8373843B2 (en) * 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8717533B2 (en) * 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) * 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR101505756B1 (ko) * 2004-06-10 2015-03-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
JP4543767B2 (ja) * 2004-06-10 2010-09-15 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
KR101378688B1 (ko) * 2004-06-21 2014-03-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4677833B2 (ja) * 2004-06-21 2011-04-27 株式会社ニコン 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
EP3462241A1 (en) * 2004-06-21 2019-04-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101433491B1 (ko) 2004-07-12 2014-08-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7161663B2 (en) * 2004-07-22 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP3870207B2 (ja) * 2004-08-05 2007-01-17 キヤノン株式会社 液浸露光装置及びデバイス製造方法
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4983257B2 (ja) * 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060044533A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Asmlholding N.V. System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system
KR101057121B1 (ko) * 2004-09-03 2011-08-16 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 패드 구조
US7522261B2 (en) * 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355674B2 (en) * 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7894040B2 (en) * 2004-10-05 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7209213B2 (en) * 2004-10-07 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) * 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006049134A1 (ja) * 2004-11-01 2006-05-11 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414699B2 (en) * 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7251013B2 (en) 2004-11-12 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583357B2 (en) 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI654661B (zh) 2004-11-18 2019-03-21 日商尼康股份有限公司 位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件製造方法
US7230681B2 (en) * 2004-11-18 2007-06-12 International Business Machines Corporation Method and apparatus for immersion lithography
US7459013B2 (en) * 2004-11-19 2008-12-02 International Business Machines Corporation Chemical and particulate filters containing chemically modified carbon nanotube structures
WO2006054719A1 (ja) * 2004-11-19 2006-05-26 Nikon Corporation メンテナンス方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
US7145630B2 (en) * 2004-11-23 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161654B2 (en) * 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7256121B2 (en) * 2004-12-02 2007-08-14 Texas Instruments Incorporated Contact resistance reduction by new barrier stack process
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) * 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7248334B2 (en) * 2004-12-07 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Sensor shield
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405805B2 (en) * 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) * 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US20060147821A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602006012746D1 (de) * 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101427056B1 (ko) 2005-01-31 2014-08-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
CN101128775B (zh) 2005-02-10 2012-07-25 Asml荷兰有限公司 浸没液体、曝光装置及曝光方法
US20070258068A1 (en) * 2005-02-17 2007-11-08 Hiroto Horikawa Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method
US7224431B2 (en) * 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
JP2006270057A (ja) * 2005-02-28 2006-10-05 Canon Inc 露光装置
US7428038B2 (en) * 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7324185B2 (en) * 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) * 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) * 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) * 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8236467B2 (en) 2005-04-28 2012-08-07 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7317507B2 (en) * 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) * 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006339448A (ja) 2005-06-02 2006-12-14 Canon Inc 受光ユニットを有する露光装置
US20070024982A1 (en) * 2005-06-14 2007-02-01 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system for a microlithographic projection exposure system
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4708876B2 (ja) * 2005-06-21 2011-06-22 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) * 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583358B2 (en) * 2005-07-25 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography
WO2007018127A1 (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Nikon Corporation ステージ装置及び露光装置
US7535644B2 (en) * 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US8054445B2 (en) * 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7456928B2 (en) 2005-08-29 2008-11-25 Micron Technology, Inc. Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
US7417710B2 (en) * 2005-09-26 2008-08-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4125315B2 (ja) * 2005-10-11 2008-07-30 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JPWO2007055237A1 (ja) 2005-11-09 2009-04-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7656501B2 (en) * 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) * 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7773195B2 (en) * 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US8125610B2 (en) 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
KR100768849B1 (ko) * 2005-12-06 2007-10-22 엘지전자 주식회사 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법
US7420194B2 (en) * 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) * 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US8472004B2 (en) * 2006-01-18 2013-06-25 Micron Technology, Inc. Immersion photolithography scanner
US7893047B2 (en) * 2006-03-03 2011-02-22 Arch Chemicals, Inc. Biocide composition comprising pyrithione and pyrrole derivatives
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
KR20080114691A (ko) * 2006-03-13 2008-12-31 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7760324B2 (en) * 2006-03-20 2010-07-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007266504A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Canon Inc 露光装置
KR20080108341A (ko) * 2006-04-03 2008-12-12 가부시키가이샤 니콘 액침 액체에 대해 소용매성인 입사면 및 광학 윈도우
US9477158B2 (en) * 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
CN100456138C (zh) * 2006-06-13 2009-01-28 上海微电子装备有限公司 浸没式光刻机浸液流场维持系统
US8013982B2 (en) 2006-08-31 2011-09-06 Nikon Corporation Movable body drive method and system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus for driving movable body based on measurement value of encoder and information on flatness of scale, and device manufacturing method
CN104460241B (zh) 2006-08-31 2017-04-05 株式会社尼康 移动体驱动系统及方法、图案形成装置及方法、曝光装置及方法、组件制造方法
TWI596656B (zh) 2006-09-01 2017-08-21 尼康股份有限公司 Moving body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, element manufacturing method, and correction method
KR101452524B1 (ko) 2006-09-01 2014-10-21 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7872730B2 (en) 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
US7946303B2 (en) * 2006-09-29 2011-05-24 Lam Research Corporation Carrier for reducing entrance and/or exit marks left by a substrate-processing meniscus
KR101419196B1 (ko) 2006-09-29 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US20080158531A1 (en) 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP5089143B2 (ja) * 2006-11-20 2012-12-05 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US8045135B2 (en) * 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US8013975B2 (en) 2006-12-01 2011-09-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8040490B2 (en) 2006-12-01 2011-10-18 Nikon Corporation Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US7791709B2 (en) * 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
JP2008147577A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US20080212047A1 (en) * 2006-12-28 2008-09-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8817226B2 (en) * 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8237911B2 (en) * 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US7866330B2 (en) * 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US9013672B2 (en) * 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US20080304025A1 (en) * 2007-06-08 2008-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
US8681308B2 (en) * 2007-09-13 2014-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036009A1 (nl) 2007-10-05 2009-04-07 Asml Netherlands Bv An Immersion Lithography Apparatus.
NL1036186A1 (nl) * 2007-12-03 2009-06-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8451425B2 (en) * 2007-12-28 2013-05-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, cleaning apparatus, and device manufacturing method
JP2009182110A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8610873B2 (en) * 2008-03-17 2013-12-17 Nikon Corporation Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置の動作方法
NL2003575A (en) 2008-10-29 2010-05-03 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2196857A3 (en) * 2008-12-09 2010-07-21 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8599359B2 (en) * 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8792084B2 (en) * 2009-05-20 2014-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8446569B2 (en) 2009-06-19 2013-05-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US20110008734A1 (en) 2009-06-19 2011-01-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8294878B2 (en) 2009-06-19 2012-10-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8472008B2 (en) 2009-06-19 2013-06-25 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
US8355116B2 (en) 2009-06-19 2013-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8355114B2 (en) * 2009-06-19 2013-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
NL2005207A (en) * 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20110075120A1 (en) 2009-09-30 2011-03-31 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110086315A1 (en) 2009-09-30 2011-04-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110085150A1 (en) 2009-09-30 2011-04-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110199591A1 (en) * 2009-10-14 2011-08-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method
NL2005610A (en) * 2009-12-02 2011-06-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and surface cleaning method.
NL2006118A (en) * 2010-03-03 2011-09-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method for measuring a position.
NL2006196A (en) * 2010-03-12 2011-09-13 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
NL2006244A (en) * 2010-03-16 2011-09-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, cover for use in a lithographic apparatus and method for designing a cover for use in a lithographic apparatus.
NL2006203A (en) * 2010-03-16 2011-09-19 Asml Netherlands Bv Cover for a substrate table, substrate table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
JP5313293B2 (ja) 2010-05-19 2013-10-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、リソグラフィ装置で使用する流体ハンドリング構造およびデバイス製造方法
US8823921B2 (en) * 2011-08-19 2014-09-02 Ultratech, Inc. Programmable illuminator for a photolithography system
CN107885044B (zh) 2011-11-17 2020-07-03 Asml荷兰有限公司 光刻设备及器件制造方法
JP6169114B2 (ja) * 2012-03-14 2017-07-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
CN104345576A (zh) * 2013-08-09 2015-02-11 联华电子股份有限公司 形成图案的方法
DE102013224583A1 (de) * 2013-11-29 2015-06-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Messanordnung zur Verwendung bei der Trajektorienbestimmung fliegender Objekte
JP6251073B2 (ja) * 2014-02-05 2017-12-20 浜松ホトニクス株式会社 分光器、及び分光器の製造方法
CN107450271B (zh) * 2016-05-31 2019-10-25 上海微电子装备（集团）股份有限公司 光刻机刀口组、大视场光刻机和曝光方法
CN107450287B (zh) 2016-05-31 2019-10-25 上海微电子装备（集团）股份有限公司 调焦调平测量装置及方法
TWI579573B (zh) * 2016-08-26 2017-04-21 Electronic component transfer device and its application test classification equipment

Family Cites Families (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US623634A (en) * 1899-04-25 Cigar-packer
DE224448C (zh)
DE221563C (zh)
DE242880C (zh)
DE206607C (zh)
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD224448A1 (de) * 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD224488A1 (de) * 1984-06-12 1985-07-10 Medizin Labortechnik Veb K Treibmittel zum betaetigen einer vorrichtung zum verschliessen eines blutgefaesses
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JP3559999B2 (ja) * 1994-07-29 2004-09-02 株式会社オーク製作所 マスク整合機構付露光装置およびワークの整合、露光、ならびに搬送方法。
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US6104687A (en) 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
EP1039511A4 (en) 1997-12-12 2005-03-02 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
CN1791839A (zh) 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
KR20050035890A (ko) 2002-08-23 2005-04-19 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101470360B (zh) 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60319658T2 (de) 2002-11-29 2009-04-02 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US6992750B2 (en) 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
EP1571698A4 (en) 2002-12-10 2006-06-21 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
CN100446179C (zh) 2002-12-10 2008-12-24 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
CN100429748C (zh) 2002-12-10 2008-10-29 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
KR20050085236A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
US7514699B2 (en) 2002-12-19 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
CN100385535C (zh) 2002-12-19 2008-04-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 照射光敏层上斑点的方法和装置
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
KR101697896B1 (ko) 2003-04-11 2017-01-18 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
KR101324818B1 (ko) 2003-04-11 2013-11-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105911821B (zh) * 2004-06-09 2019-03-15 株式会社尼康 曝光装置
CN103605262A (zh) * 2004-06-09 2014-02-26 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
CN105911821A (zh) * 2004-06-09 2016-08-31 株式会社尼康 曝光装置
CN103605262B (zh) * 2004-06-09 2016-06-29 株式会社尼康 曝光装置及其维护方法、以及元件制造方法
CN102736446B (zh) * 2004-06-10 2014-09-17 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
CN1713075B (zh) * 2004-06-23 2010-08-04 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN101916050B (zh) * 2004-06-23 2013-11-20 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN1776531B (zh) * 2004-11-18 2010-09-22 国际商业机器公司 湿浸式光刻系统中用于清洗半导体衬底的方法和设备
CN1821881B (zh) * 2004-12-15 2012-07-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN101164015B (zh) * 2005-04-19 2010-11-24 Asml荷兰有限公司 具有相对衬底倾斜的喷洒头的液体浸没光刻系统
CN100445872C (zh) * 2005-05-09 2008-12-24 浙江大学 浸没式光刻系统中的液体传送及气密封装置
CN101258581B (zh) * 2005-09-09 2011-05-11 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法以及设备制造方法
CN1971429B (zh) * 2005-11-23 2012-07-04 Asml荷兰有限公司 光刻设备
CN102636964B (zh) * 2005-11-23 2016-03-02 Asml荷兰有限公司 光刻设备及器件制造方法
CN102636964A (zh) * 2005-11-23 2012-08-15 Asml荷兰有限公司 光刻设备及器件制造方法
US8941810B2 (en) 2005-12-30 2015-01-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9436096B2 (en) 2005-12-30 2016-09-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US11669021B2 (en) 2005-12-30 2023-06-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US11275316B2 (en) 2005-12-30 2022-03-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10761433B2 (en) 2005-12-30 2020-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10222711B2 (en) 2005-12-30 2019-03-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101893827B (zh) * 2005-12-30 2013-10-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US8947631B2 (en) 2005-12-30 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9851644B2 (en) 2005-12-30 2017-12-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN102520589A (zh) * 2006-08-31 2012-06-27 株式会社尼康 曝光方法和装置、以及组件制造方法
CN102520589B (zh) * 2006-08-31 2015-07-15 株式会社尼康 曝光方法和装置、以及组件制造方法
US10168625B2 (en) 2006-11-03 2019-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US9046789B2 (en) 2006-11-03 2015-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US8253922B2 (en) 2006-11-03 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US11003097B2 (en) 2006-11-03 2021-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US8767178B2 (en) 2006-11-03 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using direction-controlling fluid inlets
US9696634B2 (en) 2006-11-03 2017-07-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US10520836B2 (en) 2006-11-03 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US8208116B2 (en) 2006-11-03 2012-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
CN101231479B (zh) * 2007-01-25 2011-12-14 台湾积体电路制造股份有限公司 浸润式微影方法、浸润式微影系统及其封闭板的对准方法
CN101320221B (zh) * 2007-02-15 2011-01-12 Asml控股股份有限公司 浸没式光刻系统以及浸没式光刻中原地清洁透镜的方法
CN102193337B (zh) * 2010-03-19 2014-08-13 Asml荷兰有限公司 光刻设备、照射系统、投影系统以及使用光刻设备制造器件的方法
CN102193337A (zh) * 2010-03-19 2011-09-21 Asml荷兰有限公司 光刻设备、照射系统、投影系统以及使用光刻设备制造器件的方法
CN102338987A (zh) * 2010-07-16 2012-02-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻设备
US9310689B2 (en) 2011-09-02 2016-04-12 Asml Netherlands B.V. Radiation source and lithographic apparatus
CN103765998A (zh) * 2011-09-02 2014-04-30 Asml荷兰有限公司 辐射源和光刻设备
CN103765998B (zh) * 2011-09-02 2016-04-27 Asml荷兰有限公司 辐射源的燃料液滴束流生成装置、光刻设备和促进辐射源的燃料液滴的聚结的方法
CN107315322B (zh) * 2017-07-20 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光距离调整方法及装置
CN107315322A (zh) * 2017-07-20 2017-11-03 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光距离调整方法及装置
US10437161B2 (en) 2017-07-20 2019-10-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Method and apparatus for adjusting exposure gap
CN107219730A (zh) * 2017-07-28 2017-09-29 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板装载系统及曝光机

Also Published As

Publication number Publication date
US7075616B2 (en) 2006-07-11
DE60335595D1 (de) 2011-02-17
KR20040044123A (ko) 2004-05-27
US7224436B2 (en) 2007-05-29
TW200422783A (en) 2004-11-01
KR100546860B1 (ko) 2006-01-25
CN100451832C (zh) 2009-01-14
JP3954017B2 (ja) 2007-08-08
TWI248560B (en) 2006-02-01
US20060176458A1 (en) 2006-08-10
US20040211920A1 (en) 2004-10-28
JP2004289128A (ja) 2004-10-14
SG121820A1 (en) 2006-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101470360B (zh) 光刻装置和器件制造方法
CN100451832C (zh) 光刻装置和器件制造方法
CN1573567B (zh) 光刻装置和器件制造方法
US10353296B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN102147574B (zh) 光刻装置和器件制造方法
CN100495214C (zh) 光刻装置及器件制造方法
CN101872129B (zh) 光刻装置和器件制造方法
CN101807011B (zh) 光刻装置和器件制造方法
CN1591197A (zh) 光刻装置及器件制造方法
CN1612053A (zh) 光刻装置
KR100699567B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
CN1499298A (zh) 一种光刻装置和装置的制作方法
CN1752851A (zh) 光刻装置和器件制造方法
CN1530756A (zh) 包括气体冲洗系统的光刻装置
CN1797208A (zh) 光刻装置和器件制造方法
CN1858657A (zh) 光刻装置及器件制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20090114

CX01 Expiry of patent term