CN1503286A - 固体电解电容器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种固体电解电容器，其中非导电颗粒被配置在一电介质层和一电解质层之间，同时还有一第二电解质层是由包含石墨颗粒和非导电颗粒的导电聚合物形成的。

Description

固体电解电容器及其制造方法

本申请要求先前的申请JP 2002-205679的优先权，后者被引用到这里作为参考。

技术领域

本发明涉及一种固体电解电容器及其制造方法。

背景技术

现有的一种固体电解电容器由阳极，电介质元件，电解质层和阴极组成，其制造方法一般是在用作阳极的具有整流作用的金属(整流作用金属)上形成一个用作电介质层的氧化膜(以后称为电介质层)，然后在上面形成一个固体电解质层作为半导体层，并进一步形成一个阴极件(如石墨等)。

整流作用金属是一种能用阳极化处理形成厚度可控的氧化膜的金属，可以是Nb，Al，Ta，Ti，Hf，Zr等，其中从实用考虑主要是用Al和Ta。

在这些金属中，Al以刻蚀膜形式用作阳极，而Ta以通过粉末烧结形成的多孔材料形式用作阳极。

在诸多固体电解电容器中，多孔烧结型电解电容的尺寸可以做得很小而同时电容量又很大，因而它作为实现移动电话和便携式信息终端设备等的小型化的元件需求量很大。

例如，已知有一种用Ta的固体电解电容器，它的制造是先在由埋有引线的粉末混合物烧结而成的阳极件表面上形成一个电介质层，然后在此电介质层上形成一个含有碳粉等的导电聚合物层作为固体电解质层。

在这个作为半导体层的电解质层上，形成一个石墨胶层和一个Ag胶层用作阴极。

然后用引线框分别与阳极的引线和Ag胶层连起来，并将整个结构用树脂模压使引线框覆在外面。

在这种已知类型的固体电解电容器中，电解质层有很多空洞，形成在电解质层上的阴极件中的导电颗粒渗透到里面去。

如果这个现象很显著，则可提供降低固体电解电容器本身的等效串联电阻(ESR)的好处，而且即使在高频下也能保证其电容量。

但是，在构成阴极的材料(导电材料)渗入电解层空洞达到电解质层上的一个缺陷时，这部分的电场将会集中，使电介质层发热或再结晶，从而最终导致电解质层的击穿。

由于这个原因，人们一直希望降低固体电解电容器中的漏电流，其方法是防止由于构成阴极的颗粒注入电介质层的空洞内而引起电介质击穿，而又不妨碍这些颗粒渗入电解质层(以后称它为第一电解质层)。

为满足这个要求，日本专利申请No.2001-359779(以后称之为“现有技术1”)提出一种固体电解电容器，它包括一个由埋有引线的整流作用金属粉末烧结而成的阳极，一个形成在阳极表面上的电介质层，一个形成于电介质层上的电解质层，一个形成于此第一电解质层上的阴极，以及一个形成于阴极上的银胶层。把外接线端分别与引线和银胶层连起来，并将整个结构用树脂模制起来让这些外接线端露在外面，固体电解电容器就做成了。电解质层包含组成阴极的颗粒，而使非导电颗粒夹在电介质层和电解质层之间。

这种现有技术1是为了解决上述缺陷而提出的，但已证实它通过上述过程将使ESR大大升高，因此很难用于要求低ESR特性的固体电解电容器中。

发明内容

有鉴于此，本发明的一个目的是提供一种能抑制ESR增加(这是现有技术1的一个缺陷)的固体电解电容器，而且能在不妨碍构成阴极的颗粒渗透进电解质层的情况下，防止由于这些颗粒注入电介质层内的缺陷而引起的电介质击穿，从而降低漏电流并达到满意的性能。

本发明的另一个目的是提供一种制造上述固体电解电容器的方法。

根据本发明的一个方面，所提供的固体电解电容器包括一根引线，一个由烧结的整流作用金属粉末和埋在其中的引线形成的阳极，一个形成在阳极表面上的电介质层，一个形成在电介质层上的第一电解质层，一个形成在第一电解质层上的阴极，一个形成在阴极上的银胶层，一些分别与引线和银胶层相连的外接线端，以及一个树脂封装，它被模制成让外接线端露在外面，在这个固体电解电容器中，第一电解质层包含构成阴极的颗粒。此固体电解电容器还包含处于电介质层和第一电解质层之间的非导电颗粒，和形成于电介质层和阴极之间的第二电解质层。在本发明的这个方面中，第二电解质层是在使非导电颗粒存在于电介质层和第一电解质层之间以后形成的。

在本发明的这个方面，现有技术1的缺陷(即由于非导电颗粒和阴极间的直接接触，引起两者接触界面上电阻的增加而导致ESR增大)可以通过在非导电颗粒和阴极之间提供另一个电解质层而得到避免(这样避免了阴极和非导电颗粒间的接触，而造成了后一电解质层与阴极的接触)，同时还可防止构成阴极且存在于电解质层内的导电颗粒，由于树脂模制操作或焊接操作中的热膨胀或收缩而造成的与电介质层不必要的接触，从而产生电场的集中。所以可以防止由电介质层内的击穿而引起的短路缺陷，同时改善产品的产率而不增加ESR方面的缺陷。

在本发明的这个方面，最好把非导电颗粒配置在电介质层的凹坑区，然后再形成第二电解质层。这样可以防止电介质层厚度不均匀的区域产生严重的电场集中。

本发明中，不均匀厚度的区域是指由下列不可避免的情况而引起的厚度局部减小的区域：(i)Ta被杂质所污染，(ii)阳极化处理中电流不均匀，(iii)外部的机械应力。

这样的区域比厚度均匀的区域更容易引起电场集中，而且防止在这个区域内的电场集中可以使产率得以改善而不增加ESR。

另外在本发明的这个方面，最好以一种连续的方式配置上述非导电颗粒，使得从第一电解质层和电介质层之间的交界面至阳极表面的距离小于第一电介质层的平均厚度，然后再形成第二电解质层。这样的配置可以防止电介质层厚度不均匀的区域产生严重的电场集中，而同时还能防止ESR增加。

还有，在本发明的该方面，最好把非导电颗粒配置在电介质层表面上和第一电解质层内，然后再形成第二电解质层，从而阴极和非导电颗粒不会直接接触。在第一实施例中的这种配置可防止导电颗粒(阴极组成颗粒)直接沉积到电介质层表面上一个不完全的区域内，从而可避免电介质层的击穿并改善产率，而不会增加ESR的缺陷。

再有，在本发明的这一方面中，最好让非导电颗粒的平均尺寸小于构成阴极的颗粒的平均尺寸。这样在第一实施例中就能使非导电颗粒有效地淀积到电介质层上。

根据本发明的另一方面提供一种制造固体电解电容器的方法，它包括以下步骤：烧结其中埋有引线的整流作用金属粉末以形成阳极，在阳极表面上形成一个电介质层，在阳极电介质层上形成第一电解质层，将具有第一电解质层的阳极浸入散布着非导电胶状颗粒的胶状溶液内，然后烘干形成第二电解质层；形成一个阴极，使得第一电解质层和第二电解质层间夹着电介质层，然后在阴极上形成一个银胶层，再把外接线端分别与引线和银胶层相连，并进行树脂模制使得外连接端暴露在外。在本发明的这一方面，最好通过浸没步骤使非导电颗粒存在于电介质层和第一电解质层之间。

这种方法可以防止由于在树脂模制操作或焊接操作中的热膨胀和收缩使构成阴极并处于电解质层内的导电颗粒与电介质层不必要的接触而造成的电场集中。因此可以防止由于电介质击穿而产生的短路缺陷，并改善产率而不使ESR增加。

在本发明的这一方面，最好通过浸没步骤使非导电颗粒存在于构成电介质层表面的凹坑的区域。

这种方法能避免由于厚度不均匀地形成的电介质层上的严重电场集中，而不会增加ESR。

在本发明的这一方面，浸没步骤最好在降低的压力下进行，并使非导电颗粒存在于电介质层表面上一个区域，其中从第一电解质层和电介质层之间的交界面至阳极表面的距离小于电介质层的平均距离。

这种方法能避免由于厚度不均匀地形成的电介质层上的严重电场集中，而不会增加ESR。

在本发明的这一方面，最好非导电颗粒具有比构成阴极件的颗粒的平均尺寸小的平均尺寸。

另外，在本发明的这一方面，最好在形成第一和第二电解质层、至少一种导电聚合物的至少一个步骤中，至少有一个导电聚合物是由氮茂，硫茂及其衍生物的至少一个经聚合作用而生成的。

附图说明

图1是一种现有的固体电解电容器的剖面图；

图2是一种现有的固体电解电容器的制造方法流程图；

图3是本发明一个实施例的固体电解电容器的结构的剖面图；

图4是图3所示固体电解电容器的结构的局部剖面示意图；

图5是本发明一个实施例的固体电解电容器制造方法的流程图。

具体实施方式

为便于了解本发明，下面将参考附图对用已有技术制造的一种Ta固体电解电容器的结构及其制造方法进行描述。

如图1所示，现有的用Ta的固体电解电容器7包括一个处于阳极11(由埋有引线的混合Ta粉烧结而成)表面上的电介质层13和在电介质层13表面上的固体电解质层15，该电解质是由含有碳粉等的导电聚合物层构成的。

在用作半导体层的电解质层15上，形成一个用作阴极的石墨胶层17和银胶层19。

引线框21分别与阳极11的引线9及Ag胶层19相连，整个结构用树脂23模压在一起而让引线框21露在外面。

下面将参考图2来描述以前制造Ta固体电解电容器的方法。第一步是形成Ta多孔件(步骤S101)。在这一步中要做的是(i)制备Ta粉，(ii)压制和烧结。

在(i)制备Ta粉中，要在Ta粉中加一种粘合剂并混合在一起以改善模压性能。在(ii)压制和烧结中，要将一条阳极引线插入上述混合Ta粉中，并将粉末模压成圆柱形或长方体形。然后，将此模压件在高真空(10^-4Pa或更低)下加热到1300至2000℃进行烧结，以形成一个多孔Ta件即阳极件11。

第二步是形成电介质层13(步骤S102)。这时要进行阳极化处理(步骤S102a)，其方法是把Ta多孔件(作为阳极)连同反电极一起浸入磷酸之类的电解液中并加上阳极电压，以在Ta多孔件表面上形成一个氧化钽膜用作电介质层(阳极氧化)。在这个步骤中，阳极电压的状态(Vf(形成电压))决定电介质层13(氧化钽膜)的厚度，从而决定电容器的特性。电解液可以采用浓度为0.6vol.％的磷酸水溶液。

然后，第三步是形成电解质层15(步骤S103)。在上一步骤形成的多孔Ta氧化膜上，形成一个固体电解质层作为半导体层(步骤S103a)。用作固体电解质层的是二氧化锰，氮茂，硫茂，或其衍生物经过聚合作用形成的导电聚合物。例如，在采用氮茂作为固体电解质的情况下，可将表面带有电介质层的阳极经过化学聚合或利用单聚物溶液的电解聚合而形成固体电解质层。另外，在采用锰作为固体电解质的情况下，可将表面带有电介质层的阳极浸入硝酸锰内然后加热而形成固体电解质层。

接下来是第四步，即进行再阳极化步骤(步骤S104)。在上面形成固体电解质层(特别是当选择锰作为固体电解质层成分的情况下)的步骤中，电介质层13可能由于进行此步骤过程中的热处理而遭局部损坏。为了修复电介质层13中这类受损部分，把上面相继形成了电介质层13和固体电解质层15的阳极再次浸入阳极化溶液中。

接下去是第五步，即形成一个阴极17(步骤S105)。在这个步骤中形成一个石墨胶层(步骤S105a)，接着第六步是形成银胶层(步骤S106)。更具体地说，是在固体电解质层15上形成一个石墨胶层用作阴极，然后在上面再形成一个银胶层19。

在下面的第七和第八步骤中，分别进行引线框连接(步骤S107)和模制封装(步骤S108)。更具体地说，引线框的阳极部分用点焊与阳极的引线相连，引线框21的阴极部分用导电胶25与银胶层19相连。

最后，整个结构用树脂模制成一个外封装件23，从而完成如图1所示的固体电解电容器(Ta固体电解电容器A)7。

如图1所示，在先前的固体电解电容器中，电解质层15有许多空洞，其中渗透着很多导电颗粒，它们构成阴极17并处在电解质层15上。

当这种现象很显著时，就能提供固体电解电容器本身的等效串联电阻(ESR)较低的优点，同时即使在高频时也能确保其电容量。

但是，在组成阴极17并渗入电解质层15空洞中的材料(电介质材料)到达电介质层13的有缺陷部分时，在这部分地方将产生电场集中，从而引起电介质层13发热和结晶，最终导致电介质层击穿。

电介质层13的这种有缺陷的部分通常是指厚度与电介质层最初设想的厚度很不一样的区域，同时在当前的制造固体电解电容器的方法中这种部分是不可避免的。

现在将参照附图来描述本发明的固体电解电容器及其制造方法的一个实施例。

如图3所示，本发明的固体电解电容器31是由电容器元件33组成的，其中的阳极和阴极分别直接或间接与引线框35相连，而且被密封在模制树脂37内。

制造电容器元件33时，在阳极39(通过烧结埋有引线37的混合Ta粉而制成)的表面上形成一个电介质层41，并进而在电介质层41表面上形成一个电解质层(以后叫做第一电解质层)43和一个阴极47。

第一电解质层是形成在电介质层41表面上的导电聚合物45构成的。另外，形成一个石墨胶层当作阴极47并围着第一电解质层43，在阴极47上形成一个银胶层49。

阳极部分表明有一根引线37插在另一件39中。引线37的表面不象上面那样形成电介质层41，以确保与它相邻接的引线框35的导电性。

另外，阴极部分是一个最外面的壳部分(层)，这是通过引线框35与银胶层49相连而形成的，而且是与电容器元件33的阴极47导通的。

因此，引线框35作为阳极接线端和阴极接线端，分别与构成阳极一部分的引线37及构成阴极一部分的银胶层49相连。

在阴极端的引线框35是通过导电胶51与银胶层49相连的。

因为阳极39是烧结件，它上面的电介质层41和阴极43并不是按图3所示那样形成的，该图只是示意地说明它的结构。

下面将参照图4来描述本发明的固体电解电容器的结构，特别是电容器元件的结构。

图4是图3所示固体电解电容器中电容器元件的剖面图。参看图4，本发明的固体电解电容器的电容器元件33包括一个阳极39(在其表面和内部有许多不规则之处)，一个形成于阳极39表面的电介质层41，一个形成于此电介质层41表面的第一电解质层43，一个围绕这些元件的阴极(石墨胶层)，和一个银胶层99。

第一电解质层43是由导电聚合物45形成的，它被填充在电介质层41的表面和空洞内。

为进一步增加由导电聚合物45组成的第一电解质层43的导电率，可以加入SnO₂或ZnO粉末，或涂有这些物质的无机颗粒(TiO₂，BaSO₄，等)，或以碳为基础的导电填充物，如碳黑，石墨或碳纤维。

这些添加物的加入量并无特殊限制，但若导电聚合物的重量为1/100，则添加物的重量最好在1/4000或更少。如重量超过1/4000，有可能使导电层的黏滞性增加，从而造成涂敷不均匀。

此外，在第一电解质层43中，形成了很多空洞，有一些适量的导电颗粒(如石墨颗粒)存在于这些空洞内，从而使得第一电解质层起半导体层的作用并用来减少ESR。

在本发明的固体电解电容器中，石墨颗粒59是被淀积在电介质层41的表面(在第一电解质层43一边)为凹陷的区域53内(也即那儿的厚度远比电介质层41的平均厚度小得多)，在对过是一些非导电颗粒55和导电聚合物57，且后者是围绕着非导电颗粒55的。

在这种结构内，在第一电解质层43内的许多石墨颗粒59中，电介质层41表面凹坑53内的一些石墨颗粒59a不和电介质层41接触，而且由于非导电颗粒55和围绕它们形成的导电聚合物57不让石墨颗粒59a与电介质层41接触，因而避免了电场集中；与此同时，接触电阻并不因导电聚合物57与石墨颗粒59a的接触而增加。

上述导电聚合物57是指在配置非导电颗粒55之后，通过形成一个附加电解质层(以后叫做第二电解质层)而获得的导电聚合物。

另外，为尽可能避免第二电解质层中的石墨颗粒59与电介质层41接触，石墨颗粒59的尺寸做得比非导电颗粒55大一些。

下面将参照附图描述按本发明一种实施方案制造固体电解电容器的方法。

在对本发明该实施方案的描述中，除非特别说明，溶液的浓度是由体积百分数来代表。

首先如图5所示，第一步是形成多孔Ta(阳极39)(步骤S₁)。在这一步骤中要：(i)制备Ta粉，和(ii)压制和烧结。

在(i)制备Ta粉时，要在粉末中加一种粘合剂并混合在一起，以改善模压性能。在(ii)压制和烧结时，要将一根阳极引线插入上述混合Ta粉中，并把此粉末模压成圆柱形或长方体形。然后，将模压件在高真空(10^-4Pa或更低)下加热到1400至2000℃，以形成一个多孔件(阳极件11)。

在第二步中，形成一个电介质层41(步骤S₂)。并进行阳极化处理(步骤S2a)，其方法是将Ta多孔件连同反电极一起浸入磷酸等电解溶液内并加上阳极化电压，以在Ta多孔件表面上形成Ta氧化薄膜用作电介质层41(阳极氧化)。在这个操作中，阳极电压状态(Vf(形成电压))决定电介质层(Ta氧化膜)13的厚度，从而决定电容器的特性。电解液可采用浓度为0.6％的磷酸水溶液等。同样，在下面的描述中，表面带有这样形成的电介质层41的阳极是作为一种阳极化件来说明的。

接着第三步中形成第一电解质层43(步骤S3)。在本发明中，第一电解质层43是用导电聚合物45制成的。

首先形成一个导电聚合物层(步骤S3a)。为形成第一电解质层43(它是本发明中用作半导体层的一种主要成分)，采用导电聚合物45。作为这类导电聚合物材料，可采用由聚合氮茂，硫茂或其衍生物形成的导电聚合物。这样，在形成电解质层41后，经过浸入氧化剂，烘干，和浸入单聚物溶液，就形成了第一电解质层43。

然后是第四步，即进行再氧化的步骤(步骤S4)。这一步骤执行前面的阳极化处理(步骤S2a)，以使电介质件41还原。

接下来是第五步，即配置非导电颗粒的步骤(步骤S5)。为淀积(配置)非导电颗粒61到电介质层41上，要把非导电颗粒1制备成胶状颗粒并弥散在一种溶液中，以获得胶状溶液。曾采用一种由浓度为0.1-5wt％的硅石溶液构成的胶状溶液。把在再阳极化步骤之前形成的阳极化件浸入这样制备的胶状溶液中。然后，把浸入的阳极化件在100-150℃之间烘干，使溶剂蒸发掉并让弥散在溶剂中的非导电颗粒61渗进第一电解质层43的空洞及凹坑53的精细结构内。

下面是第六步，形成第二电解质层(步骤S6)。在这个步骤中，按形成第一电解质层43(步骤S3)类似的方法形成第二电解质层(步骤S6a)。此第二电解质层也是形成在第一电解质层43的一个表面上或与它的一个表面相接触。

然后是第七步，按与上面的再阳极化步骤(步骤S4)类似的方式进行再阳极化步骤(步骤S7)。

接下去是第八步，形成一个阴极件47(步骤S8)。在这一步骤中形成一个石墨层(步骤S8a)。更具体地说，是形成一个围绕电解质层43的石墨阴极47。

然后在第九步骤中形成一个银胶层(步骤S109)。更具体地说，是在形成阴极件47后，在它上面形成一层银胶层49，以在阴极件47和阴极接线端之间实现满意的连接。

在下一个第十步骤中，要把引线框35连起来(步骤S10)。更具体地说，是把阳极部份37点焊到阳极引线35上，而用导电胶51把引线框35的阴极部分与银胶层49连起来。

最后是第十一步骤，进行模制封装(步骤S11)。更具体地说，是把整个结构用树脂模制成一个外封装件37，这样就完成了一个如图3所示结构的固体电解电容器(Ta固体电解电容器)31。

下面的表1表示用本发明的方法和现有生产方法得到的固体电解电容器之间，在生产过程中的LC缺陷率及模制后的LC缺陷率的比较结果。

本发明中所用的胶状颗粒(非导电颗粒)的平均尺寸(直径)为1.0×10^-9至1.0×10^-7米，构成阴极件的导电颗粒(石墨颗粒)的平均尺寸(直径)为5.0×10^-6至2.0×10^-5米，电解质层的空洞的平均尺寸(直径)为1.0×10^-6至1.0×10^-4米。

                                  表1

	未经处理	经过处理	日本专利申请No.2001-359779
				在生产过程中的LC缺陷率(％)	5-15	0.5-0.9	0.5-0.9
在封装之后的LC缺陷率(ppm)	10-100	1或更少	1或更少
				ESR缺陷率(％)	1-2	1-2	5-10

从表1可以看出，通过将非导电颗粒淀积在电介质层的凹坑(一般称为缺陷)内，从而阻碍导电颗粒的淀积，然后再形成一个电解质层，在生产过程中和封装之后的LC缺陷率大为减小，而同时ESR并不增加。

如上所述，在本发明的固体电解电容器及其生产方法中，非导电颗粒以予定的浓度出现于电介质层和电解质层之间，特别是电介质层的有缺陷部分和电解质层之间，而电解质是围绕着非导电颗粒而存在的，因此可防止构成阴极件的导电颗粒淀积在该有缺陷的部分，同时不增加ESR。

所以，本发明提供了一种固体电解电容器及其制造方法，它能防止因直接将导电材料(如导电颗粒)淀积到有缺陷部分而引起的电场集中，从而避免电介质层的击穿。

Claims (18)

1.一种固体电解电容器，包括一引线；一阳极件，其由埋有引线的整流作用金属粉烧结而成；一形成在阳极件表面上的电介质层；一形成在电介质层上的第一电解质层；一形成在第一电解质层上的阴极件；一形成于阴极件上的银胶层；分布连接到引线和银胶层的外接线端；和一树脂封装件，其模制成使外接线端露在外面，其中第一电解质层包含构成阴极件的颗粒；

该固体电解电容器除包括第一电解质层外，还包括处于电介质层和阴极件之间的非导电颗粒，以及处于电介质层和阴极件之间的第二电解质层，其中第二电解质层形成为包含非导电颗粒。

2.如权利要求1所述的固体电解电容器，其中第二电解质层是在非导电颗粒被配置在构成电介质层上的凹坑的区域中之后形成的。

3.如权利要求1所述的固体电解电容器，其中第二电解质层是在配置非导电颗粒之后按这样一种连续方式形成的，使得第一电解质层和电介质层之间交界面至阳极件的距离小于第一电解质层的平均厚度。

4.如权利要求2或3所述的固体电解电容器，其中非导电颗粒被配置在电介质层表面上和第一电解质层内，且形成了一第二电解质层，因此阴极件和非导电颗粒不直接接触。

5.如权利要求1至4中任一项所述的固体电解电容器，其中非导电颗粒的平均尺寸小于构成阴极件的颗粒的平均尺寸。

6.如权利要求1至5中任一项所述的固体电解电容器，其中整流作用金属为Nb，Al，Ta，Ti，Hf和Zr中的任何一种。

7.如权利要求1至6中任一项所述的固体电解电容器，其中第一电解质层包含至少一种导电聚合物，它是由氮茂，硫茂及其衍生物中至少一种经聚合作用形成的。

8.如权利要求7所述的固体电解电容器，其中第一电解质层包含由下列物质中至少一种构成的导电粉末：SnO₂粉末、ZnO粉末，或由碳黑，石墨和碳纤维中至少一种构成的以碳为基础的导电填充物。

9.如权利要求8所述的固体电解电容器，其中导电粉末至少由TiO₂或BaSO₄中的一种所涂复。

10.如权利要求7所述的固体电解电容器中，第一电解质层包含一种以碳为基础的导电填充物，它是由碳黑，石墨和碳纤维中至少一种构成的。

11.如权利要求1至10中任何一项所述的固体电解电容器，其中第二电解质层是将含有非导电颗粒的导电聚合物置于电介质层或阴极件表面与石墨颗粒之间形成的。

12.如权利要求1至11中任何一项所述的固体电解电容器，其中阴极件是由石墨构成的。

13.一种制造固体电解电容器的方法，包括以下各步骤：

将埋有引线的整流作用金属粉末烧结形成阳极件；

在阳极件表面上形成电介质层；

在阳极件的电介质层上形成第一电解质层；

将具有第一电解质层的阳极件浸入一种胶体溶液中，该溶液中弥散着非导电胶状颗粒，然后烘干；

形成一第二电解质层；

形成一阴极件，使得第一电解质层和第二电解质层之间夹着电介质层，然后在阴极件上形成银胶层，并将外接线端分别与引线和银胶层相连，并进行树脂模制使外接线端露在外面。

14.如权利要求13所述的方法，其中浸没步骤造成非导电颗粒存在于电介质层和第一电解质层之间。

15.如权利要求13所述的方法，其中浸没步骤造成非导电颗粒存在于构成电介质层表面的凹坑的区域。

16.如权利要求13所述的方法，其中浸没步骤是在降低的压力下进行的，并使得非导电颗粒存在于电介质层表面的一个区域内，其中从第一电解质层和电介质层间交界面至阳极件表面的距离小于电介质层的平均厚度。

17.如权利要求13所述的方法，其中非导电颗粒的平均尺寸小于构成阴极件的颗粒的平均尺寸。

18.如权利要求13所述的方法，其中在形成第一电解质层和第二电解质层、至少一种导电聚合物的至少一个步骤中，利用了至少一种由氮茂，硫茂，及其衍生物中至少一种经聚合作用而形成的导电聚合物。

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