CN1540773A - 带有具有冷却功能的反射器的半导体发光器件 - Google Patents

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Abstract

一种半导体发光器件，包括：基底；在基底上的引线电极；装载在基底上的至少一个发出蓝光的半导体发光单元，与引线电极分开放置；使电极与半导体发光单元相互电连接的连接件；反射器，从基底的底部伸出预定高度，包围半导体发光单元；以及半透明覆盖层，形成在用于容纳发光单元的容纳空间内，该半透明覆盖层含有色移物质，用于吸收从发光单元发出蓝光的至少一部分，以发出具有不同波长的光。反射器表面由具有高半透明度和高导热性的材料制成，用以反射从发光单元辐射的光，并形成均匀的平面光，反射器还将发光单元辐射出的热量辐射至外部，从而将容纳发光单元的容纳空间的内部冷却。通过将发光单元发出的蓝光与不同波长的光混合，发光器件向外发出白光。

Description

带有具有冷却功能的反射器的半导体发光器件
发明领域
本发明涉及一种用于发出白光的半导体发光器件，更具体地说，它涉及一种配有反射器的半导体发光器件，该反射器用于将发光单元中产生的热量辐射至外部。
背景技术
目前，使用氮化镓的发光二极管(LED)芯片已被开发出来，它可发出高亮度的蓝光。与发出红光或黄绿光的其它LED相比，当使用这种氮化镓半导体时，LED具有大的输出及较小的色移。
该蓝光发光二极管芯片被广泛地用于各种装置中，例如便携式电子设备、信号灯或指示灯等。为了将LED芯片用于上述装置中，要将点发射转换为平面发射。
因此，在现有技术中，将一个芯片安装在LED芯片的前面，用以控制光的方向(国际专利公开WO 98/5078)，或者将多个LED芯片密集地排列起来以形成一个阵列。
但是，LED芯片的密集排列或者透镜的安装会造成制造成本的上升。
另外，随着对白光发射需求的增加，近来人们提出了一种用于发出白光的发光器件，在该装置中，LED上置有一种YAG:CE荧光物质，该物质能够通过部分吸收从LED芯片发出的蓝光而发出绿光。
这种装置通过在用于密封发光单元的密封树脂中混合入YAG荧光物质而发出白光。但是，这种方法的问题在于，它不能给出满意的光输出，因为其光的传输受到密封树脂的限制。
为了克服上述缺陷，人们还提出了一种发光器件，它通过在LED芯片周围安装含有荧光物质的反射器来实现白光的发射。
例如，美国专利公开US2003/0038295A1中公开了一种发光器件，通过在发光单元周围安装由透明树脂制成并且含有荧光物质的反射器，以反射发光单元自身发出的蓝光，或者在吸收蓝光然后将其部分地转换为黄光后再反射，从而可发出具有大输出的平面白光。
上述美国专利公开中所揭示的反射器的特征在于，它起到了荧光部件和反射部件的作用。但是，上述美国专利公开不能实现具有光辐射功能的反射器。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种发光器件，其中，包围发光单元的反射器由具有极好的导热性以及良好的反射比的材料制成，从而使反射器能够将LED芯片中产生的热量辐射至外部。
本发明的另一个目的是提供一种发光器件，通过使用具有极好的半透明度的硅酸盐(如SiO2)而不是常规的透明树脂以作为用于密封发光单元的密封材料，这种发光器件能够实现具有大输出的白光发射。
另外，本发明还有一个目的是通过在反射器的内侧形成凹入的反射面以提供光的均匀性。
本发明人已知这样的事实，即，当在表面安装的LED芯片的周围形成侧壁以实现闪光灯时，LED芯片内产生的热量不能被有效地发射到外部，由此缩短了LED的寿命并且使密封树脂或荧光物质退化。为了解决这个问题，本发明人提出了一种反射器，该反射器通过使用具有优良导热性的金属来形成侧壁、并且在该金属的表面上形成一层绝缘膜，从而具有冷却功能。
另外，本发明人还获得了这样一个事实，即，当采用具有良好的半透明度的硅酸盐以作为用于覆盖LED芯片的密封树脂时，就可以提高光的输出。
在本发明的一个方面，提供了一种半导体发光器件，包括：基底；位于该基底上的引线电极；在该基底上装载的至少一个半导体发光单元，它与引线电极分开放置，并且发出蓝光；连接部件，用于使电极与半导体发光单元相互电连接；反射器，它从该基底的底部伸出预定高度，用于包围半导体发光单元，该反射器由表面具有高半透明度和高导热性的材料制成，用以反射从发光单元辐射出的光，并且形成均匀的平面光，该反射器还将发光单元辐射出的热量辐射至外部，从而对用于容纳发光单元的容纳空间的内部进行冷却；以及形成于用来容纳发光单元的容纳空间中的半透明覆盖层，该半透明覆盖层含有色移物质，用于吸收从所述发光单元发出的蓝光的至少一部分，以发出具有不同波长的光。
这样，通过将发光单元发出的蓝光与具有不同波长的光混合起来，该发光器件就可以向外发出白光。
作为本发明的另一个方面，还提供了一种半导体发光器件，包括：基底；位于该基底上的引线电极；发光单元组件，它包括至少一个在该基底上装载的半导体发光单元，该发光单元被与引线电极分开放置，并且发出蓝光；连接部件，用于使所述电极与所述半导体发光单元相互电连接；以及反射器，它从所述基底的底部伸出预定高度，用于通过包围所述发光单元组件来形成容纳空间，其中，所述反射器由表面具有高半透明度和高导热性的材料制成，用以反射从所述发光单元辐射出的光，并且形成均匀的平面光，而且该反射器还将所述发光单元辐射出的热量辐射至外部，用以对所述容纳空间的内部进行冷却。
所述发光单元组件优选地包括至少一个用于发出蓝光(B)的LED芯片、至少一个用于发出红光(R)的LED芯片以及至少一个用于发出绿光(G)的LED芯片。
因此，通过LED芯片发出的混合光的R-G-B组合，所属发光器件就能够向外发出白光。
另外，所述反射器优选地为其表面的至少一部分上形成有绝缘膜的金属板。例如，反射器可由铝(Al)制成，绝缘膜由氧化铝(Al2O3)制成。
以下将通过优选实施例对本发明的其它目的和特征进行说明。另外，本发明的上述目的和优点可通过由所附权利要求所公开的装置及其组合来实现。
附图的简要说明
通过以下结合附图对本发明实施例所做的说明，本发明的其它目的和方面将变得更加清楚，在下面的附图中：
图1是根据本发明第一个实施例的半导体发光器件的剖视图；
图2是根据本发明第二个实施例的半导体发光器件的剖视图；
图3是根据本发明第三个实施例的半导体发光器件的剖视图；
图4是根据本发明第四个实施例的半导体发光器件的剖视图；
图5a至5f的剖视图说明了用于制造根据本发明第四个实施例的半导体发光器件的过程。
优选实施例的说明
下面将参考附图对本发明进行更加详细的说明。
第一实施例
图1示出了根据本发明第一个实施例的半导体发光器件。
如图1所示，至少一个半导体发光单元11被装载在基底10上，并且引线电极12(例如，阳极和阴极)被置于基底10的底部上。半导体发光单元11与引线电极12分开一个预定距离，并且通过注入一种模片键合(die-bonding)树脂(如环氧树脂)而被模片键合在基底10上。
半导体发光单元11的电极(未示出)以及基底10上的引线电极12利用焊丝14(例如金丝)分别被焊丝键合。
具有热辐射功能的反射器18被形成于基底10的底部，用以包围发光单元11。在图1的情况下，反射器18被连接在位于基底10上的引线电极12之上。
反射器18从基底10的底部伸出预定高度，用于形成一个容纳空间以容纳发光单元11。这样，反射器18包围了发光单元11，并且该容纳空间底部的口径小于其顶部的口径。另外，在反射器18的底部边缘与发光单元11的边缘之间形成有预定的间隙。
在用于容纳发光单元11的容纳空间中填充透明密封树脂15。另外，将透明密封树脂15与诸如荧光材料之类的色移物质混合起来，以用于吸收从发光单元11发出的特定波长的光的一部分，并且随后发出不同波长的光。
半导体发光单元(11)
本实施例中采用的发光单元优选为发出蓝光并且具有高输出和高亮度的氮化镓发光二极管(LED)芯片。本实施例中的LED芯片11可以采用具有MIS结、PIN结或PN结的所有同质、异质、或者双异质结构。
由于这种发出蓝光的氮化镓LED芯片是本领域所公知的，故此不再详细说明。
混合有荧光材料的密封树脂(15)
本实施例的密封树脂15采用具有较优良的半透明度的透明树脂。例如，可以采用硅树脂作为密封树脂15。另外，与密封树脂15混合在一起的荧光材料可以采用YAG:CE荧光物质，它能够吸收从发光单元发出的蓝光的一部分，然后发出黄光。
反射器(18)
本实施例中的反射器18优选由其表面的至少一部分上形成有绝缘膜19的金属板制成。如果不在反射器18的表面上形成绝缘膜19，则反射器18本身将成为导体，由此会破坏基底10上所设置的电极12的绝缘性。
用于反射器18的金属优选具有良好的反光能力和极好的导热性。例如，具有较好的导热性的铝(Al)或铜(Cu)就适于用作本实施例的反射器的材料。当然，除了Al和Cu以外，其它具有良好的导热性的金属也可被用于本实施例的反射器。
另外，形成在反射器表面上的绝缘膜19是通过绝缘电镀或绝缘喷涂而形成的。具体来说，绝缘膜19优选地为由自然氧化形成的氧化膜。
例如，在使用铝(Al)作为反射器材料的情况下，可以采用氧化铝(Al2O3)作为绝缘膜。
在根据本实施例所述的具有上述结构的发光器件中，从LED芯片11输出的蓝光的一部分在没有任何颜色改变的情况下原样穿过密封树脂15，或者从反射器18的内表面反射以发射至外部。与此同时，其它的蓝光被密封树脂15中的荧光材料16色移成黄光，然后该黄光穿过密封树脂15，或者被反射器18的内表面反射以发射至外部。
因此，本实施例的发光器件可以输出其中混合有蓝光和黄光的白色平面光。
另外，LED芯片11产生的热量通过反射器18被辐射至外部，这样就可以使容纳空间的内部冷却至一个恒定的温度。
改进例子1
在这个改进的例子中，将至少一个蓝光发光二极管、至少一个红光发光二极管以及至少一个绿光发光二极管形成为一个组件，并且该组件被安装在基底10上由反射器18形成的容纳空间内，这与第一个实施例中只有蓝光发光二极管被安装在容纳空间内的情况是不同的。
换句话说，本改进例子中的发光器件通过将由红、蓝和绿发光二极管发出的红、蓝和绿光混合起来(即，R-G-B组合)来实现白光。这样，本改进例子就不需要像第一个实施例那样，将诸如荧光物质的任何色移物质16混合到填充在容纳空间内部的密封树脂15中。
由红、蓝和绿发光二极管构成的组件可以沿着基底被连续放置，或者相互之间成某个角度地放置(例如，被放置在直角三角形的各个角上)。
本改进例子中的其它组件，例如反射器18、基底10、密封树脂15、导线14、引线电极12以及模片键合树脂13，与第一实施例中的相应组件基本相同。
第二实施例
图2示出了根据本发明第二个实施例的半导体发光器件。
除了反射器18的结构以外，本实施例的发光器件与第一实施例的发光器件基本相同。因此，以下的说明将集中于和第一个实施例具有不同结构的反射器18，其它的组件则不再详细说明。
反射器(18)
如图2所示，与第一个实施例不同，根据本实施例的反射器18是一个形成为凹入的内表面。这样，本实施例的反射器18就形成了一个凹入的反射面。换句话说，容纳空间的一个端面形成了对称的抛物面或对称的椭圆面。
在反射器的内表面具有上述凹入的反射面的情况下，与平反射面相比，它可使反射光得到更好的聚集，由此可以输出规则的平面光。
改进的例子2
除了发光二极管组件被置于容纳空间之外这一点，本改进例子与第二实施例基本相同，并且与改进例子1相类似地使用了未与色移材料混合的透明密封树脂。
第三实施例
图3示出了根据本发明第三个实施例的半导体发光器件。
除了半透明覆盖层15和17的结构以外，本实施例的发光器件与第一实施例基本相同。因此，以下的说明将主要集中于和第一个实施例不同的半透明覆盖层15和17的结构，对其它的组件则不做详细说明。
如图3所示，与第一个实施例的密封树脂15不同，半透明覆盖层15和17被形成为两个层次。
第一半透明覆盖层(15)
第一半透明覆盖层15容纳了整个LED芯片11，并且与反射器18的底部边缘形成了一定的间隙。这样，在这种情况下，LED芯片11被埋入到第一半透明覆盖层15中。
第一半透明覆盖层15优选由硅酸盐(特别是SiO2)制成，它比第一个实施例中的密封树脂的半透明度更好，而且更便宜。
另外，硅酸盐15含有一种荧光材料(或者是含磷材料)16以用于吸收LED芯片11所发出的蓝光的一部分并且随后将其偏移为黄光，或者含有一种色移材料16(如颜料)用以在蓝光的基础上产生白光。
在将LED芯片11表面安装于衬底上并且进行焊丝键合之后，使用分配器(dispenser)来溅射含有荧光材料或颜料的硅酸盐，从而形成第一半透明覆盖层15。
第二半透明覆盖层(17)
第二半透明覆盖层17被形成于第一半透明覆盖层15之上，并且填充在第一半透明覆盖层15与反射器18之间。
第二半透明覆盖层17可以只利用透明树脂制成(例如硅树脂)。另外，第二半透明覆盖层17可以额外地含有被混合入第一半透明覆盖层中的色移材料。
在本实施例中，用于容纳LED芯片11的半透明覆盖层被形成为两个层次，这与第一实施例是不同的。具体来说，在LED芯片11附近形成的第一半透明覆盖层15是利用具有较好导热性并且便宜的硅酸盐制成的，这样，本实施例的发光器件就能够以低成本来提供大的输出。
第四实施例
图4示出了根据本发明第四个实施例的半导体发光器件。
除了反射器18以及半透明覆盖层15和17的结构以外，本实施例的发光器件与第一实施例基本相同。因此，以下的说明将集中于和第一个实施例不同的反射器18以及半透明覆盖层15和17的结构，对其它的组件则不做详细说明。
反射器(18)
如图4所示，与第一个实施例不同，本实施例的反射器18是一个形成为凹入面的内表面。这样，本实施例的反射器18就形成了一个凹入的反射面。换句话说，该容纳空间的一个端面形成了对称的抛物面或对称的椭圆面。
另外，如图4所示，与第一个实施例的密封树脂15不同，根据本实施例的半透明覆盖层15和17被形成为两个层次。
第一半透明覆盖层(15)
第一半透明覆盖层15容纳了整个LED芯片11，并且与反射器18的底部边缘形成了一定的间隙。这样，在这种情况下，LED芯片11被埋入到第一半透明覆盖层15中。
第一半透明覆盖层15优选由硅酸盐(特别是SiO2)制成，它比第一个实施例中的密封树脂具有相对较好的半透明度，并且更便宜。
另外，硅酸盐15含有一种荧光材料(或者是含磷材料)16，以用于吸收LED芯片11所发出的蓝光的一部分，并且随后将其偏移为黄光，或者含有一种色移材料(如颜料)用以在蓝光的基础上产生白光。
在将LED芯片11表面安装于衬底上并且进行焊丝键合之后，使用分配器来溅射含有荧光材料或颜料的硅酸盐，从而形成第一半透明覆盖层15。
第二半透明覆盖层(17)
第二半透明覆盖层17被形成于第一半透明覆盖层15之上，并且充满于第一半透明覆盖层15与反射器18之间。
第二半透明覆盖层17可以只利用透明树脂制成(例如硅树脂)。另外，第二半透明覆盖层17可以额外地含有被混合入第一半透明覆盖层中的色移材料。
在本实施例中，用于容纳LED芯片11的半透明覆盖层被形成为两个层次，这与第一实施例是不同的。具体来说，在LED芯片11附近形成的第一半透明覆盖层15是利用具有较好导热性并且便宜的硅酸盐而制成的，这样，本实施例的发光器件就能够以低成本来提供大的输出。
另外，由于本实施例的反射器的内表面具有如上所述的凹入反射面，因此，与平的反射面相比，它可以使反射光得到更好的聚集，由此可以输出规则的平面光。
以下将对一种用于制造根据上述各实施例所述的发光器件的方法进行说明。
图5a至5f很好地示出了用于制造根据本发明的发光器件的方法。
根据本发明所述的这种方法有助于对如上述第四实施例所述的发光器件进行高质量的批量生产。
在这种制造方法中，多个封装被成批处理，直到半透明覆盖层15和/或17覆盖LED芯片11为止，因此，在本方法中使用了其中聚集有多个封装的封装组件。
但是，为了便于对以下说明的理解，本发明的制造方法仅针对一个封装单元进行说明。
(a)其上形成有引线电极(12)的基底(10)的制造(见图5a)
在薄基底(例如，PCB)上利用具有优良导电性的金属形成正(+)和负(-)引线电极12。
(b)含有通孔(21)的金属衬底(18)的结(见图5b)
制备薄金属板(例如铝板或铜板)，然后，利用诸如化学腐蚀、激光处理、压模或冲压的方式将如图5b所示的通孔21形成于金属板18之中。该通孔21的横截面可以为椭圆形、圆形或矩形。换句话说，本发明不受通孔21的截面形状的限制，可以在多种形状中进行选择。另外，通孔21具有一个倾斜的侧壁，这样通孔21的口径将从金属板18的一侧(例如，与基底接触的一侧)向对侧增加。如果通孔21的侧壁是倾斜的，则LED芯片11朝向通孔21的侧壁的光输出将因倾斜的侧壁而被向上反射，这样，来自LED芯片11的光输出可以从发光器件有效地输出。
另外，通孔21优选被处理成使其端侧形成为一个对称的抛物面或对称的椭圆面，如图5b所示。如果通孔21的侧壁是如上所述的圆形的凹入，则形成凹入的反射面，以便于聚集反射光，由此形成更加均匀的平面光。
如果具有通孔21的金属板18被合在基底10上，如图5b所示，则各个封装中的引线电极12和基底10将部分暴露在通孔21中。
(c)LED芯片的安装(见图5c)
利用模片键合树脂13将LED芯片11模片键合在如上构成的封装组件的封装单元的通孔21的一个预定位置上。
(d)焊丝键合(见图5d)
利用用于布线的导线14，将暴露在通孔21中的LED芯片11的正和负引线电极12以及P型电极(未示出)和N型电极(未示出)进行焊丝键合。
(e)第一半透明覆盖层(15)的形成(见图5e)
利用一个分配器将含有色移材料16(如荧光材料或颜料)的硅酸盐(特别是SiO2)溅射在导线连接的LED芯片11的上表面上，从而形成用于容纳整个LED芯片的第一半透明覆盖层15。
(f)第二半透明覆盖层(17)的形成(见图5f)
将含有诸如硅树脂的透明树脂或色移材料(如荧光材料或颜料)的透明树脂填充到其上是第一半透明覆盖层15的通孔21中，从而形成第二半透明覆盖层17。
通过执行图5a至5f所示的过程，就可制造出配置有多个封装单元的封装组件。然后，该封装组件被分割成各个封装单元，从而最终制成如图4所示半导体发光器件。
虽然以上参考图5a至5f对用于制造第四实施例的发光器件方法进行了介绍，但类似的过程当然也可被应用于第一、第二和第三实施例(或者是改进例子1和2)。
工业应用性
通过在安装于衬底上的LED芯片周围配置由具有高导热性的金属制成的反射器，本发明所述的发光器件可以有效地将LED芯片中产生的热量辐射至外部。因此，本发明的这种发光器件可以使用于容纳LED芯片的容纳空间的温度保持在一定的标准之下。
另外，由于LED芯片是利用比常规透明树脂具有更好的半透明度的硅酸盐树脂来封装的，因此该发光器件可以发射大输出的白光。
虽然已经对本发明进行了详细说明。但是应该理解，尽管上述详细说明和具体例子对本发明的优选实施例做出了说明，但这些仅起到了说明性的作用。因为通过这些说明，本领域的技术人员将会理解属于本发明精神和范围之内的各种变换和修改。

Claims (17)

1.一种半导体发光器件，包括：
基底；
位于所述基底上的引线电极；
在所述基底上装载的至少一个半导体发光单元，与所述引线电极分开放置，并且发出蓝光；
连接部件，用于使所述电极与所述半导体发光单元相互电连接；
反射器，它从所述基底的底部伸出预定高度，用于包围所述半导体发光单元，
所述反射器由表面具有高半透明度和高导热性的材料制成，用以反射从所述发光单元辐射出的光，并且形成均匀的平面光，所述反射器还将所述发光单元辐射出的热量辐射至外部，从而对用于容纳发光单元的容纳空间的内部进行冷却；以及
形成于用来容纳所述发光单元的容纳空间中的半透明覆盖层，该半透明覆盖层含有色移物质，用于吸收从所述发光单元发出的蓝光的至少一部分，以发出具有不同波长的光，
由此，所述发光器件通过将所述发光单元发出的蓝光与所述具有不同波长的光混合起来，从而向外发出白光。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述反射器为其表面的至少一部分上形成有绝缘膜的金属板。
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于，所述反射器由铝(Al)制成，所述绝缘膜由氧化铝(Al2O3)制成。
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于，
所述反射器的与容纳空间相邻的内表面从所述基底的底部以一预定角度倾斜，
由此，所述容纳空间的口径从与所述基底接触的底部向对侧逐渐增大。
5.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其特征在于，
所述反射器的内表面为圆形凹入，从而使所述容纳空间的一个端侧基本上形成为对称的抛物面或者对称的椭圆面。
6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光单元为使用氮化物半导体的蓝光发光二极管。
7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于，
所述半透明覆盖层由含有荧光材料的透明树脂制成，该荧光材料可吸收来自所述发光单元的蓝光的一部分并随后发出黄光，
其中所述容纳空间填充有所述透明树脂。
8.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半透明覆盖层包括：
第一半透明覆盖层，设置于所述发光单元附近，并且含有色移物质，用于通过吸收来自所述发光单元的蓝光的一部分而发出黄光；以及
第二半透明覆盖层，设置于所述第一半透明覆盖层上，以填充所述容纳空间，所述第二半透明覆盖层由透明树脂制成，用于将穿过所述第一半透明覆盖层的光传输至外部。
9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一半透明覆盖层由含有色移物质的硅酸盐树脂制成。
10.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第二半透明覆盖层含有荧光物质，用于吸收来自所述发光单元的蓝光的一部分并随后发出黄光。
11.一种半导体发光器件，包括：
基底；
位于所述基底上的引线电极；
发光单元组件，它包括至少一个在所述基底上装载的半导体发光单元，所述发光单元与所述引线电极间隔开，并且发出蓝光；
连接部件，用于使所述电极与所述半导体发光单元相互电连接；以及
反射器，它从所述基底的底部伸出预定高度，用于通过包围所述发光单元组件来形成容纳空间，
其中，所述反射器的表面由具有高半透明度和高导热性的材料制成，用以反射从所述发光单元辐射出的光，并且形成均匀的平面光，而且
所述反射器还将所述发光单元辐射出的热量辐射至外部，以使所述容纳空间的内部冷却。
12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其特征在于，
所述发光单元组件包括至少一个用于发出蓝光(B)的LED芯片、至少一个用于发出红光(R)的LED芯片以及至少一个用于发出绿光(G)的LED芯片，
由此，通过所述多个LED芯片发出的混合光的R-G-B组合，所述发光器件向外发出白光。
13.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其特征在于，所述反射器为其表面的至少一部分上形成有绝缘膜的金属板。
14.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其特征在于，所述反射器由铝(Al)制成，所述绝缘膜由氧化铝(Al2O3)制成。
15.根据权利要求14所述的半导体发光器件，
其特征在于，所述反射器的与容纳空间相邻的内表面从所述基底的底部以预定角度倾斜，
由此，所述容纳空间的口径从与所述基底接触的底部向对侧逐渐增大。
16.根据权利要求14所述的半导体发光器件，
其特征在于，所述反射器的内表面为圆形凹入，从而使所述容纳空间的一个端侧基本上形成为对称的抛物面或者对称的椭圆面。
17.根据权利要求12所述的半导体发光器件，其特征在于还包括透明树脂层，该透明树脂层充填在用于容纳所述发光单元组件的容纳空间中。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007140651A1 (fr) * 2006-06-08 2007-12-13 Hong-Yuan Technology Co., Ltd Système et appareil électroluminescents et leur procédé de formation
WO2008043207A1 (en) * 2006-10-08 2008-04-17 Hong-Yuan Technology Co., Ltd. Light emitting system, light emitting apparatus and forming method thereof
CN100386893C (zh) * 2003-09-30 2008-05-07 西铁城电子股份有限公司 发光二极管
CN100433390C (zh) * 2005-07-04 2008-11-12 三星电机株式会社 具有改进的侧壁反射结构的侧光发光二极管
CN101095228B (zh) * 2004-12-30 2010-05-12 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于冷却半导体元件特别是光电子半导体元件的冷却装置
CN101222010B (zh) * 2007-01-11 2010-06-09 采钰科技股份有限公司 光电元件封装结构及其封装方法
CN102221157A (zh) * 2011-06-28 2011-10-19 林健洪 Led灯具散热结构
CN102299249A (zh) * 2010-06-26 2011-12-28 旭明光电股份有限公司 具有独立电传与热传路径的发光二极管及其制造方法
CN102339927A (zh) * 2010-07-27 2012-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
CN102376861A (zh) * 2010-08-16 2012-03-14 富士胶片株式会社 用于led的放热反射板
CN101261985B (zh) * 2007-02-12 2013-08-14 克里公司 形成封装的具有多个光学元件的半导体发光器件的方法
CN103311422A (zh) * 2012-03-12 2013-09-18 隆达电子股份有限公司 发光二极管元件
CN108336075A (zh) * 2017-01-20 2018-07-27 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构、发光二极管封装模块及其成形方法
US10877346B2 (en) 2016-03-24 2020-12-29 Saturn Licensing Llc Light-emitting device, display apparatus, and illumination apparatus

Families Citing this family (121)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US6885033B2 (en) * 2003-03-10 2005-04-26 Cree, Inc. Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same
KR101045507B1 (ko) * 2003-03-18 2011-06-30 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 발광 소자 탑재용 부재 및 그것을 사용한 반도체 장치
AT501081B8 (de) * 2003-07-11 2007-02-15 Tridonic Optoelectronics Gmbh Led sowie led-lichtquelle
JP2005073227A (ja) * 2003-08-04 2005-03-17 Sharp Corp 撮像装置
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US20050133808A1 (en) * 2003-09-11 2005-06-23 Kyocera Corporation Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
US7397177B2 (en) * 2003-09-25 2008-07-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp and method for manufacturing the same
CN100466308C (zh) * 2003-09-29 2009-03-04 松下电器产业株式会社 线光源装置、其制造方法以及表面发光装置
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
US7157744B2 (en) * 2003-10-29 2007-01-02 M/A-Com, Inc. Surface mount package for a high power light emitting diode
US20050199899A1 (en) * 2004-03-11 2005-09-15 Ming-Der Lin Package array and package unit of flip chip LED
US20080121917A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-29 The Regents Of The University Of California High efficiency white, single or multi-color light emitting diodes (leds) by index matching structures
US7781789B2 (en) * 2006-11-15 2010-08-24 The Regents Of The University Of California Transparent mirrorless light emitting diode
US8227820B2 (en) * 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US7768023B2 (en) * 2005-10-14 2010-08-03 The Regents Of The University Of California Photonic structures for efficient light extraction and conversion in multi-color light emitting devices
DE102004045947A1 (de) 2004-06-30 2006-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
DE202004011015U1 (de) * 2004-07-14 2004-11-11 Tridonic Optoelectronics Gmbh LED-Strahler mit trichterförmiger Linse
JP4599111B2 (ja) * 2004-07-30 2010-12-15 スタンレー電気株式会社 灯具光源用ｌｅｄランプ
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
KR100603742B1 (ko) * 2004-12-18 2006-07-24 박종만 발광장치
US7322732B2 (en) * 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
US8076680B2 (en) * 2005-03-11 2011-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
JP4744178B2 (ja) 2005-04-08 2011-08-10 シャープ株式会社 発光ダイオード
JP2006339224A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Tanazawa Hakkosha:Kk Ｌｅｄ用基板およびｌｅｄパッケージ
JP2006351611A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Rohm Co Ltd 発光素子搭載用基板及びそれを用いた光半導体装置
TW200707806A (en) * 2005-06-17 2007-02-16 Univ California (Al, Ga, In)N and ZnO direct wafer bonded structure for optoelectronic applications, and its fabrication method
JP4863193B2 (ja) * 2005-08-31 2012-01-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2007067184A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Showa Denko Kk Ｌｅｄパッケージ
US8517666B2 (en) * 2005-09-12 2013-08-27 United Technologies Corporation Turbine cooling air sealing
JP2007094049A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Shinko Electric Ind Co Ltd 光学部品用キャップ及びその製造方法
EP2236580A3 (en) * 2005-09-30 2010-11-03 The Regents of the University of California Nitride and oxy-nitride cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications
CN100414728C (zh) * 2005-10-12 2008-08-27 李学霖 白光led封装导散热结构
US7719099B2 (en) * 2005-10-21 2010-05-18 Advanced Optoelectronic Technology Inc. Package structure for solid-state lighting devices and method of fabricating the same
KR100719072B1 (ko) * 2005-10-28 2007-05-16 (주) 아모센스 엘이디 패키지의 세라믹의 경사면 형성 방법
JP5066333B2 (ja) * 2005-11-02 2012-11-07 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置。
WO2007056354A2 (en) * 2005-11-04 2007-05-18 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (led)
JP5214128B2 (ja) * 2005-11-22 2013-06-19 シャープ株式会社 発光素子及び発光素子を備えたバックライトユニット
EP1969647A4 (en) * 2005-12-08 2012-08-01 Univ California LIGHTING DIODE (LED) WITH HIGH EFFICIENCY
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
KR101283182B1 (ko) * 2006-01-26 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP4996101B2 (ja) * 2006-02-02 2012-08-08 新光電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US20070181897A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Been-Yu Liaw High heat dissipating package baseplate for a high brightness LED
KR100748239B1 (ko) * 2006-02-06 2007-08-09 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP4573128B2 (ja) * 2006-03-14 2010-11-04 ミネベア株式会社 面状照明装置
KR100703218B1 (ko) * 2006-03-14 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
JP2007266343A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
KR100764432B1 (ko) * 2006-04-05 2007-10-05 삼성전기주식회사 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법
US9335006B2 (en) * 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
KR100735310B1 (ko) * 2006-04-21 2007-07-04 삼성전기주식회사 다층 반사 면 구조를 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법
US8487326B2 (en) * 2006-04-24 2013-07-16 Cree, Inc. LED device having a tilted peak emission and an LED display including such devices
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
TWI296037B (en) * 2006-04-28 2008-04-21 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
TWI296036B (en) * 2006-04-28 2008-04-21 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
EP2016629B1 (en) * 2006-05-02 2015-03-25 Koninklijke Philips N.V. Vehicle headlight
KR20090031370A (ko) 2006-05-23 2009-03-25 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
KR20110113786A (ko) * 2006-06-02 2011-10-18 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 광반도체소자 탑재용 패키지 및 이것을 이용한 광반도체장치
US20090314534A1 (en) * 2006-06-15 2009-12-24 Yoichi Matsuoka Electronic component
TWM303493U (en) * 2006-07-21 2006-12-21 Lighthouse Technology Co Ltd Support rack structure and metal support rack of side light source SMD LED
TWI309480B (en) 2006-07-24 2009-05-01 Everlight Electronics Co Ltd Led packaging structure
US7600891B2 (en) 2006-09-07 2009-10-13 Belliveau Richard S Theatre light apparatus incorporating LED tracking system
KR100730771B1 (ko) * 2006-10-11 2007-06-21 주식회사 쎄라텍 발광소자용 패키지
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
EP2095437A4 (en) * 2006-11-15 2013-11-20 Univ California SPHERE LED WITH HIGH LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY
TWI518941B (zh) 2006-11-15 2016-01-21 美國加利福尼亞大學董事會 豎立式透明無鏡發光二極體
EP2087563B1 (en) 2006-11-15 2014-09-24 The Regents of The University of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
US20090121250A1 (en) * 2006-11-15 2009-05-14 Denbaars Steven P High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging
KR20080049947A (ko) * 2006-12-01 2008-06-05 엘지전자 주식회사 방송 시스템, 인터페이스 방법, 및 데이터 구조
WO2008073400A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
WO2008075797A1 (en) 2006-12-18 2008-06-26 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having isolating insulative layer for isolating light emitting cells from each other and method of fabricating the same
KR101484461B1 (ko) * 2006-12-21 2015-01-20 코닌클리케 필립스 엔.브이. 성형된 파장 변환기를 가지는 발광 장치
TWI481019B (zh) * 2006-12-26 2015-04-11 Seoul Viosys Co Ltd 具有將各發光單元彼此隔離的隔離絕緣層的發光元件以及其製造方法
US8421088B2 (en) 2007-02-22 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode
JP5106094B2 (ja) * 2007-02-22 2012-12-26 シャープ株式会社 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
US8604506B2 (en) 2007-02-22 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same
JP2008235867A (ja) * 2007-02-22 2008-10-02 Sharp Corp 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
KR100850666B1 (ko) 2007-03-30 2008-08-07 서울반도체 주식회사 메탈 ｐｃｂ를 갖는 ｌｅｄ 패키지
WO2009003176A1 (en) * 2007-06-27 2008-12-31 The Regents Of The University Of California Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes
US7967476B2 (en) * 2007-07-04 2011-06-28 Nichia Corporation Light emitting device including protective glass film
DE102007042642A1 (de) * 2007-09-07 2009-03-12 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US7855398B2 (en) * 2008-02-28 2010-12-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Ceramic light emitting device package
KR101088910B1 (ko) * 2008-05-29 2011-12-07 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP2010050367A (ja) * 2008-08-25 2010-03-04 Panasonic Corp 発光装置
WO2010044023A1 (en) * 2008-10-17 2010-04-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device
US9425172B2 (en) * 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
KR101545941B1 (ko) * 2009-01-07 2015-08-21 삼성디스플레이 주식회사 광원, 이를 갖는 광출사 모듈 및 백라이트 어셈블리
WO2010140693A1 (ja) * 2009-06-04 2010-12-09 三洋電機株式会社 電子部品
US8598809B2 (en) * 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
CN201487668U (zh) * 2009-09-09 2010-05-26 珠海晟源同泰电子有限公司 集束组合led照明光源
CN102598321B (zh) * 2009-11-27 2015-01-21 京瓷株式会社 发光装置
US8511851B2 (en) * 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
US8616732B2 (en) * 2010-02-12 2013-12-31 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light-emitting device and illumination device
TWI465808B (zh) 2010-11-25 2014-12-21 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 背光單元及其顯示設備
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
JP2012212733A (ja) * 2011-03-30 2012-11-01 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
WO2013001528A1 (en) * 2011-06-27 2013-01-03 Bright Led Ltd. Integrated interconnect and reflector
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
JP2013026510A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Rohm Co Ltd Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄモジュールの実装構造
FR2979487A1 (fr) * 2011-08-23 2013-03-01 Syndica Optical Technology Co Ltd Boitier de diode electroluminescente pour augmenter un eclairage et un eclairage ponctuel
JP5533827B2 (ja) * 2011-09-20 2014-06-25 豊田合成株式会社 線状光源装置
DE102011086359A1 (de) 2011-11-15 2013-05-16 Tridonic Gmbh & Co. Kg LED-Modul
USRE47444E1 (en) * 2011-11-17 2019-06-18 Lumens Co., Ltd. Light emitting device package and backlight unit comprising the same
KR101863547B1 (ko) 2011-12-16 2018-06-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지에서 리플렉터를 형성하는 방법 및 장치
TWM450828U (zh) * 2012-12-14 2013-04-11 Litup Technology Co Ltd 熱電分離的發光二極體模組和相關的散熱載板
DE102014116079A1 (de) * 2014-11-04 2016-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
KR101645327B1 (ko) * 2015-04-27 2016-08-04 루미마이크로 주식회사 색 편차가 감소되는 발광다이오드 장치
CN106098912A (zh) * 2016-06-29 2016-11-09 深圳市源磊科技有限公司 一种手机拍照闪光灯及其制作方法
CN106486571B (zh) * 2016-10-26 2018-10-26 武汉大学 一种高导热量子点薄膜的制备方法
KR102401826B1 (ko) * 2017-09-15 2022-05-25 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치
JP7140956B2 (ja) * 2017-10-25 2022-09-22 日亜化学工業株式会社 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法
US11056618B2 (en) * 2018-08-03 2021-07-06 Lumileds Llc Light emitting device with high near-field contrast ratio
CN112234070B (zh) * 2019-06-27 2022-12-13 成都辰显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
CN113594334B (zh) * 2021-07-15 2023-10-27 福建天电光电有限公司 新型半导体支架

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP2927279B2 (ja) * 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2900928B2 (ja) 1997-10-20 1999-06-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
FR2795726A1 (fr) 1999-06-30 2001-01-05 Aventis Cropscience Sa Nouveaux pyrazoles fongicides
DE19963806C2 (de) * 1999-12-30 2002-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle
JP2001257410A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Kyocera Corp 電子部品
DE50113755D1 (de) * 2000-05-29 2008-04-30 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis
US6611000B2 (en) * 2001-03-14 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lighting device
JP2002299698A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US6737681B2 (en) * 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
JP2003110149A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ユニット及び当該発光ユニットを用いた照明装置
JP3925137B2 (ja) * 2001-10-03 2007-06-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US6734466B2 (en) * 2002-03-05 2004-05-11 Agilent Technologies, Inc. Coated phosphor filler and a method of forming the coated phosphor filler

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100386893C (zh) * 2003-09-30 2008-05-07 西铁城电子股份有限公司 发光二极管
CN101095228B (zh) * 2004-12-30 2010-05-12 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 用于冷却半导体元件特别是光电子半导体元件的冷却装置
CN100433390C (zh) * 2005-07-04 2008-11-12 三星电机株式会社 具有改进的侧壁反射结构的侧光发光二极管
WO2007140651A1 (fr) * 2006-06-08 2007-12-13 Hong-Yuan Technology Co., Ltd Système et appareil électroluminescents et leur procédé de formation
WO2008043207A1 (en) * 2006-10-08 2008-04-17 Hong-Yuan Technology Co., Ltd. Light emitting system, light emitting apparatus and forming method thereof
CN101222010B (zh) * 2007-01-11 2010-06-09 采钰科技股份有限公司 光电元件封装结构及其封装方法
TWI466313B (zh) * 2007-02-12 2014-12-21 Cree Inc 利用壓縮模製形成具有多個光元件之封裝半導體發光裝置的方法
CN101261985B (zh) * 2007-02-12 2013-08-14 克里公司 形成封装的具有多个光学元件的半导体发光器件的方法
CN102299249A (zh) * 2010-06-26 2011-12-28 旭明光电股份有限公司 具有独立电传与热传路径的发光二极管及其制造方法
CN102339927A (zh) * 2010-07-27 2012-02-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
CN102376861A (zh) * 2010-08-16 2012-03-14 富士胶片株式会社 用于led的放热反射板
CN102221157A (zh) * 2011-06-28 2011-10-19 林健洪 Led灯具散热结构
CN103311422A (zh) * 2012-03-12 2013-09-18 隆达电子股份有限公司 发光二极管元件
US10877346B2 (en) 2016-03-24 2020-12-29 Saturn Licensing Llc Light-emitting device, display apparatus, and illumination apparatus
US11294228B2 (en) 2016-03-24 2022-04-05 Saturn Licensing Llc Light-emitting device, display apparatus, and illumination apparatus
US11630344B2 (en) 2016-03-24 2023-04-18 Saturn Licensing Llc Light-emitting device, display apparatus, and illumination apparatus
CN108336075A (zh) * 2017-01-20 2018-07-27 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构、发光二极管封装模块及其成形方法
CN108336075B (zh) * 2017-01-20 2020-03-27 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构、发光二极管封装模块及其成形方法

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