CN1547870A - 发光装置及电子仪器 - Google Patents

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Abstract

一种发光装置及电子仪器，在基板(2)上形成的一对电极(7、8)之间至少配置有发光层(5)的结构的有机EL装置，基板(2)由透明电极所构成，所述一对的电极(7、8)由在发光层(5)的基板(2)一侧配置的阳极(7)、与在发光层(5)的与基板(2)相反一侧配置的阴极(7)所构成，在阳极(7)的附近，配置有将从基板(2)一侧入射到有机EL装置的外来光R0中的一部分透过、另一部分反射的半反射膜。根据本发明，提供能够抑制在有机EL装置的显示部的反射、能够提高显示质量的发光装置及电子仪器。

Description

发光装置及电子仪器
技术领域
本发明是关于作为携带电话等携带机器、个人电脑或电视机等的显示器而使用的发光装置及电子仪器。
背景技术
历来，  在作为显示器而使用的有机EL(electroluminescence，电致发光)装置中，由于外部光线在显示部位反射，产生所谓“映入”，导致显示质量的恶化。作为减少该“映入”的方法，即减少在显示部位的反射的方法，加拿大的Luxell公司开发了被称为黑层(Black Layer)的技术。该以往技术是在有机EL装置的一侧基板上设置有透明电极、EL层、半透过电极、透明导电层、以及反射电极。减少反射的原理是，透过透明电极与EL层的光中，一部分光在半透明电极反射，成为第一反射光，残余的光透过半透过电极、通过透明导电层、在反射电极反射，越过半透过电极而射出，成为第二反射光，第一反射光与第二反射光产生干涉，从而减弱在显示部位的反射强度。
发明的公开
然而，在上述以往的、使在显示部位的反射减弱的方法中，为了调整干涉的状况，需要具有透明导电层，由于作为该透明导电层是由铟锡氧化物(ITO，Indium Tin Oxide)所构成，所以在透明导电层的制膜时需要氧，在有机EL装置的制造工序中，必须在活性的钙等金属上制备ITO膜。因此，在上述以往的、使在显示部位的反射减弱的方法中，ITO的制膜工序中，活性的钙等金属几乎全部被氧化，实现有机EL装置非常困难。
本发明的主题在于，提供能够抑制在有机EL装置的显示部位的反射，提高显示品质的发光装置及电子仪器。
本发明的电气光学装置的特征在于，具备有基板以及包含第一电极、第二电极及它们所夹持的发光层的有机电致发光元件，所述有机电致发光元件具有至少将光的一部分反射的半反射膜。根据这样的装置，能够使向所述发光装置入射的光中由半反射膜所反射后从该发光装置射出的反射光(第一反射光)，与该入射光中透过半反射膜之后在阴极等反射后从该发光装置射出的反射光(第二反射光)，发生干涉相互而减弱。
所以，根据本装置，例如能够减低向发光装置的象素开口部入射的外来光的反射光，能够防止在发光装置的象素开口的“映入”，能够得到对比度高的高质量的显示。第一及第二电极分别作为阴极及阳极。
这里，第二电极构成基板一侧，并且在第二电极具有光的透过性、第一电极具有光的反射性的结构时，光从透明的阳极及基板射出，实现所谓基板侧发光型的有机EL装置。在这样的情况下，作为基板必须使用具有透光性的基板。而且，优选半反射膜配置在发光层的基板一侧。
另一方面，第二电极构成基板一侧，并且在第二电极具有光反射性、第一电极具有光的透过性的结构时，光从透明的阴极及密封基板一侧射出，实现所谓密封侧发光型的有机EL装置。在这样的情况下，作为密封基板必须使用具有透光性的基板。而且，优选半反射膜配置在发光层的阴极一侧。
而且，优选所述第一电极及所述第二电极中至少一方具有光的反射性，发光层的厚度设定得具有使向所述发光装置入射的光中由半反射膜所反射的第一反射光与由具有所述反射性的电极所反射的第二反射光相互干涉而减弱的厚度。根据这样的结构，由于调整发光层的厚度，能够使半反射膜所反射的第一反射光与透过半反射膜及发光层后由阴极所反射的第二反射光相互干涉，所以，例如可以使入射到象素开口部的外来光的反射大幅度地减低。在这种情况下，将半反射膜的反射率设定得使所述第一反射光与所述第二反射光的强度大体相同即可。
而且，其特征在于所述第一电极及所述第二电极中至少一方具有光的反射性，所述发光层的厚度设定为使向发光装置入射的光中由半反射膜所反射的第一反射光的相位与由具有光反射性的电极所反射的第二反射光的相位约有180度偏差的厚度。根据这样的结构，能够使在半反射膜所反射的第一反射光与透过半反射膜及发光层后在阴极所反射的第二反射光发生干涉，相互减弱而使光强度几乎为“0”，例如，可以使入射到象素开口部的外来光的反射减低至几乎为“0”。在这种情况下，将半反射膜的反射率设定得使所述第一反射光与所述第二反射光的强度大体相同即可。
而且，本发明的发光装置的特征在于，进而设置有配置所述发光层的多个象素开口部，在象素开口部之间形成、不配置发光层的象素间部，在象素间部设置的透明层及反射层。所述透明层的厚度设定得使向所述象素间部入射的光中在半反射膜所反射从象素间部射出的第三反射光与透过半反射膜与透明层、在反射层所反射的第四反射光相互干涉而减弱。在这种情况下，优选半反射膜设置于象素间部。进而更优选半反射膜反射率设定得使第三反射光与第四反射光的强度大体相同。根据这样的结构，不仅是在发光装置的象素开口部，而且入射到象素间部的外来光的反射也能够得到大幅度的减低，能够防止在发光装置的“映入”，得到对比度更高的高质量的显示。
而且，其特征在于还具备配置发光层的多个象素开口部，在所述象素开口部之间形成、不配置所述发光层的象素间部，在象素间部设置的透明层及反射层；所述透明层的厚度设定得使向象素间部入射的光中在半反射膜所反射从象素间部射出的第三反射光的相位与透过所述半反射膜与所述透明层、在反射层所反射的第四反射光的相位约有180度偏差。在这种情况下也与上述同样，优选半反射膜设置于所述象素间部，进而优选半反射膜反射率设定得使所述第三反射光与第四反射光的强度大体相同。
而且，优选在本发明的发光装置中，半反射膜是由将入射到该半反射膜的光中的约50％透过，将该入射光中的约50％反射的物质所构成。
而且，优选本发明的发光装置具有薄膜晶体管，所述反射层具有作为所述薄膜晶体管结构中电极的功能。根据这样的结构，由于在薄膜晶体管结构中的电极具有作为反射层的功能，所以能够使制造工艺简化，使制造成本下降。
作为半反射膜的形成位置，也可以在第一电极与第二电极中任意一方的电极附近形成，而且，透明的第一电极可以是电极兼有半反射膜的结构。在把兼为半反射膜的第一电极作为阴极的情况下，作为第一电极的例，可以使用薄层蒸镀的钙(Ca)、锂(Li)、镁(Mg)等，另一方面，在把兼为半反射膜的第一电极作为阳极的情况下，作为第一电极的例，可以使用薄层蒸镀的功函数高的银(Ag)、金(Au)等，由此能够形成同时构成透明电极与半反射膜的阳极。
而且根据本发明的发光装置，发光装置的特征为具有形成矩阵状的多条扫描线和多条数据线、与所述扫描线及数据线连接的开关装置、以及与所述开关装置连接的象素电极。根据这样的结构，关于作为有源显示装置的发光装置，能够减低入射于显示部的外来光的反射光，能够防止在显示部的“映入”，得到对比度高的高质量的显示。
本发明的电子仪器的特征在于配置有所述发光装置。这样，就能够减低外来光在电子仪器的显示部的反射光，能够防止在显示部的“映入”，提供进行对比度高的高质量显示的电子仪器。
附图说明
图1是表示本发明第一实施形式中有机EL装置的截面图。
图2是表示本发明第二实施形式中有机EL装置的截面图。
图3是表示第一反射光R1与第二反射光R2的关系的波形图。
图4是表示有效矩阵型的显示装置的电路图。
图5是表示配置有本实施形式的电光学装置的电子仪器的一例的图。
图6是表示配置有本实施形式的电光学装置的电子仪器的一例的图。
图7是表示配置有本实施形式的电光学装置的电子仪器的一例的图。
具体实施方式
下面以有机EL装置作为本发明的发光装置的一例，参照附图加以说明。本有机EL装置，是在夹持发光层的一对电极(透明电极与反射电极)中的透明电极附近形成半反射膜，通过由半反射膜反射的光与由反射电极所反射的光的干涉，而减低外来光在有机EL装置的显示部位的反射的装置。
(第一实施形式)
参照图1对本发明的第一实施形式中的有机EL装置加以说明。图1是表示本发明第一实施形式中有机EL装置主要部分的截面图。有机EL装置10是从透明的基板2一侧发出光的基板侧发光型的有机EL装置。
有机EL装置10具有透明即光可以透过的基板2；由在基板2一侧的面上设置的阴极(反射电极)7、阳极(透明电极)8、夹持于阴极及阳极的由有机电致发光材料构成的发光层(EL层)5、以及空穴输送层6(空穴注入层)所构成的有机EL元件(发光元件)9；以及密封该发光元件的密封基板20。这里，阳极8配置在发光层5的基板2一侧(发光侧)，阴极7配置在发光层5的密封基板20一侧(反射侧)。而且，在基板2与有机EL元件9之间设置有叠层的密封层(保护层)。低折射率层设置在比密封层靠近基板2一侧。还有，也可以不设置该低折射率层及密封层。而且，密封基板20与基板2由粘结层相粘结，有机EL元件9由密封基板20与粘结层而密封。而且，在本实施形式的有机EL装置10中，在基板2与阳极8之间设置有半反射膜1。半反射膜1是透过入射光的一部分(例如入射光的50％)、反射残余的光(例如入射光的50％)的膜。
这里，优选半反射膜1的反射率，是设置得能够使从基板2入射到有机EL装置10的外来光R0中由半反射膜1反射而从有机EL装置10射出的第一反射光R1的强度，与外来光R0中透过半反射膜1由阴极7所反射而从有机EL装置10射出的第二反射光R2的强度大体相同的反射率(或透过率)。
进而，优选有机EL装置10中发光层5的厚度d，是能够使第一反射光R1的相位与第二反射光R2的相位相差约180度的厚度。
例如，在以外来光R0的520[nm]波长成分为中心的光的情况下，则发光层5的厚度d＝R0的波长/4＝520/4＝130[nm]。
由此，第一反射光R1与第二反射光R2的关系，如图3所示，是光强度(振幅)相同、且相位约差为180度的光。所以，第一反射光R1与第二反射光R2干涉，相互抵消，能够使对于入射到有机EL装置10的外来光R0，从有机EL装置10放射的反射光最终为“0”。
(第二实施形式)
接着，参照图2对本发明的第二实施形式中的有机EL装置加以说明。图2是表示本发明第二实施形式的有机EL装置的主要部分截面图。本有机EL装置10′是使用透明的玻璃罐等作为密封基板20，从密封基板20一侧发出光的密封侧发光型的有机EL装置。
有机EL装置10′具有由透明或不透明的部件所构成的基板2′；由在基板2′一侧的面上设置的一对阴极(透明电极)7′及阳极(反射电极)8′所夹持的以有机电致发光材料构成的发光层(EL层)5′与空穴输送层′6所构成的有机EL元件(发光元件)9′；以及密封发光元件的密封基板20′。这里，阳极(反射电极)8′配置在发光层5′的基板2′一侧(反射侧)，阴极7′(透明电极)配置在发光层5′的密封基板20′一侧(发光侧)。
而且，在基板2′与有机EL元件9′之间设置有叠层的密封层(保护层)(未图示)。低折射率层设置在比密封层靠近基板2′一侧。还有，也可以不设置该低折射率层及密封层。而且，密封基板20′与基板2′由粘结层相粘结，有机EL元件9′由密封基板20′与粘结层而密封。
而且，在本实施形式的有机EL装置10′中，在发光层5′的密封基板20′一侧设置有半反射膜1′。半反射膜1′是使入射光的一部分(例如入射光的50％)透过、反射残余的光(例如入射光的50％)的膜。
这里，优选半反射膜1′的反射率，是设置得能够使从密封基板20′一侧入射到有机EL装置10′的外来光R0′中由半反射膜1′反射而从有机EL装置10′射出的第一反射光R1′的强度，与外来光R0′中透过半反射膜1′后由阳极8′所反射而从有机EL装置10′射出的第二反射光R2′的强度大体相同的反射率(或透过率)。
进而，优选有机EL装置10′中发光层5′的厚度d′，是能够使第一反射光R1′的相位与第二反射光R2′的相位相差约180度的厚度。
例如，在以外来光R0的520[nm]的波长成分为中心的情况下，则发光层5′的厚度d′＝R0的波长/4＝520/4＝130[nm]。
由此，第一反射光R1′与第二反射光R2′的关系，与如图3所示的第一反射光R1与第二反射光R2的关系同样，即第一反射光R1′与第二反射光R2′的关系为光强度(振幅)相同、且相位约差为180度的光。所以，第一反射光R1′与第二反射光R2′干涉，相互抵消，能够使对于入射到有机EL装置10′的外来光R0′，从有机EL装置10′放射的反射光最终为“0”。
(第三实施形式)
在上述第一实施形式及第二实施形式中，是对于使入射到有机EL装置10、10′的具有发光层5、5′的部位、即象素开口部的外来光R0、R0′的反射光为“0”的结构进行的说明。然而，在有机EL装置10、10′中有象素开口部、和不具有发光层5、5′的部位即象素间部。该象素间部是形成树脂堤岸(bank)3、3′的部位。因此，下面参照图1对使入射于象素间部的外来光的反射光为“0”的结构加以说明。
在有机EL装置10的象素间部形成的树脂堤岸3，是具有在发光层5和空穴输送层(空穴注入层)6等形成时的作为分割部件功能的部件。该树脂堤岸3，例如可以是由聚酰亚胺等感光性的绝缘有机材料经成膜、感光、曝光、显影后，再经烧成而形成。
在本实施形式的有机EL装置10的象素间部，设置有半反射膜、透明层、及反射层。这里，半反射膜相当于上述第一实施形式中叙述的半反射膜1。也就是说，半反射膜与半反射膜1同样，在基板2与阳极8之间形成，是使入射光的一部分(例如入射光的50％)透过、反射残余的光(例如入射光的50％)的膜。透明膜是配置在半反射膜的密封基板20一侧的透明的层，例如，可以是使树脂堤岸3具有透明层的功能，也可以是使形成在树脂堤岸3的基板2一侧的SiO2具有透明层的功能，也可以另外设置透明层。反射层是配置在透明层的基板2一侧的反射率高的层。该反射层也可以使用在有机EL装置10的TFT(薄膜晶体管)结构中作为电极功能的层。
这里，优选半反射膜的反射率，是能够使从基板2一侧入射到有机EL装置10的象素间部的外来光(相当于外来光R0)中由半反射膜反射而从有机EL装置10射出的第三反射光(未图示，相当于第一反射光R1)的强度，与外来光(R0)中透过半反射膜后由反射层所反射而从有机EL装置10射出的第四反射光(未图示，相当于第一反射光R2)的强度大体相同的反射率(或透过率)。
而且，优选透明层的厚度，是能够使第三反射光(相当于第一反射光R1)的相位与第四反射光(相当于第一反射光R2)的相位相差约180度的厚度。
透明层的厚度的具体值，根据形成该透明层的材料的成分等而不同，例如，在以外来光[R0]的520[nm]的波长成分为中心的光的情况下，则透明层的厚度＝R0的波长/4＝520/4＝130[nm]。
由此，第三反射光与第四反射光的关系，与如图3所示的第一反射光R1与第二反射光R2的关系同样，即第三反射光与第四反射光的关系为光强度(振幅)相同、且相位约差为180度的光。所以，第三反射光与第四反射光干涉，相互抵消，能够使对于入射到有机EL装置10的象素间部的外来光，从有机EL装置10的象素间部放射的反射光最终为“0”。
还有，可以仅在象素间部设置黑层(BlackLayer)，代替在有机EL装置象素间部设置半反射膜、透明层、及反射层。
而且，在上述第三实施形式中，虽然是对减低基板侧发光型有机EL装置的象素间部的反射的结构进行的说明，但对于减低密封侧发光型有机EL装置的象素间部的反射的结构，也与基板侧发光型有机EL装置同样，能够得到实现。
(有机EL装置的其他的结构例)
接着，对图1及图2所示的有机EL装置1及有机EL装置1′的上述以外的具体结构例进行叙述。
作为图1中的从基板2一侧取出发光的基板侧发光型有机EL装置1的基板2的形成材料，是光可以透过的透明或半透明材料，例如可以列举出透明的玻璃、石英、蓝宝石、或聚酯、聚丙烯酸脂、聚碳酸酯、聚醚酮等透明的合成树脂等。特别是，作为基板2的形成材料，最好使用廉价的钠玻璃。
另一方面，图2所示的有机EL装置1′那样，在从基板2′的反对侧(密封基板20′侧)取出发光的密封侧发光型的情况下，基板2′也可以是不透明，在这种情况下，可以使用在氧化铝等陶瓷、不锈钢等的金属薄片上进行表面氧化绝缘处理的材料、热固性树脂、热塑性树脂等。
图1中的阳极8是由铟锡氧化物(ITO，Indium Tin Oxide)等所构成的透明电极，能够使光透过。空穴输送层(空穴注入层)6例如可以是由三苯胺衍生物(TPD)、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、1，2-二苯乙烯衍生物、三苯二胺衍生物等所构成。具体地有特开昭63-70257号、特开昭63-175860号公报、特开平2-135359号、特开平2-135361号、特开平2-209988号、特开平3-37992、特开平3-152184号公报中所记载的示例，优选是三苯二胺衍生物，其中最优选是4，4′-双(N(3-甲基苯基)-N-苯基氨)联苯。
还有，还可以形成空穴注入层取代空穴输送层，进而还可以形成空穴注入层与空穴输送层二者。在这种情况下，作为空穴注入层的形成材料，例如可以列举出酞菁铜(CuPc)、作为聚四氢硫代苯亚苯基(polytetrahydrothiophenylphenylene)的聚亚乙烯苯(polyphenylenevinylene)、1，1-双-(4-N，N-联甲苯氨基苯)环己烷、三(8-羟基喹啉(8-hydroxy quinolinol)铝等，特别优选是酞菁铜(CuPc)。
作为发光层5、5′的材料，可以使用低分子的有机发光色素或高分子发光体，即各种荧光物质或磷光物质等发光物质，Alq3(铝螯合物)等有机电致发光材料。特别优选是在成为发光物质的共轭系高分子包含亚芳基亚乙烯基(arylene vinylene)或聚芴结构。在低分子的发光体中，例如可以使用萘衍生物、蒽衍生物、二萘嵌苯衍生物、聚次甲基系、占吨系、香豆素系、花青苷系等色素类，8-喹啉及其衍生物的金属配位化合物，芳香族的胺、四苯基环戊二烯衍生物等，或特开昭57-51781、特开昭59-194393等公报中所记载的共知的物质。阴极7是铝(Al)或锂(Li)、钙(Ga)、镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)等碱土金属类，镱(Yb)、钐(Sm)等稀土元素，金(Au)、银(Ag)等功函数低的金属电极。
还有，在阴极7、7′与发光层5、5′之间可以设置有电子输送层或电子注入层。作为电子输送层的材料，没有特别的限制，其示例有噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、二苯酚合苯醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属配位化合物等。具体地，与前面的空穴输送层的形成材料同样，有特开昭63-70257号、特开昭63-175860号公报、特开平2-135359号、特开平2-135361号、特开平2-209988号、特开平3-37992号、特开平3-152184号公报中所记载的示例，特别优选是2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁基苯)-1，3，4-噁二唑，苯醌，蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝。
虽然未图示，本实施形式的有机EL装置10、10′是有源矩阵型，实际上多条数据线与多条扫描线以格子状配置在基板2、2′上。而且，由数据线与扫描线划分、以矩阵状配置的每个象素，通过开关晶体管或驱动晶体管等的驱动用TFT与上述的有机EL元件9、9′相连接。这样，通过数据线或扫描线供给驱动信号时电极间就有电流流过，有机EL元件9、9′的发光层5、5′发光，光从基板2的外面侧或密封基板20′的外面侧射出，该象素点亮。
本实施形式的有机EL装置10、10′，由于根据上述第一至第三实施形式结构，能够使入射到象素开口部或象素间部的外来光的反射光几乎成为“0”，所以能够防止在有机EL装置10、10′的显示部发生的“映入”，即使是在野外使用，也能够得到对比度高的高质量显示。
而且，本实施形式的有机EL装置10、10′，由于没有必要形成作为用于抑制外来光的反射光的构成部件的透明导电层，所以与历来的使用黑层的方法相比，制造非常容易，能够使制造成本大幅度下降。
图4是表示本实施形式的有机EL装置适用于使用了有机电致发光元件的有源矩阵型显示装置(电光装置)的情况的一例。
该有机EL装置S1，相当于图1或图2中在基板2、2′上形成的有机EL元件9、9′，在电路图、如图4所示的基板上，分别配置有多条扫描线131、在对于这些扫描线131的交叉方向上延长的多条信号线132、以及与这些信号线132并列延长的多条共同供电线133，具有在扫描线131与信号线132的每一个交叉点上，设置有象素(象素区域素)AR的结构。
对于信号线132，设置有备有移位晶体管、水平移位器、视频线、模拟开关的数据线驱动电路390。
另一方面，对于扫描线131，设置有备有移位晶体管及水平移位器的扫描线驱动电路380。而且，在各个象素区域素AR内，设置有通过扫描线131向门电极供给扫描信号的第一晶体管322，通过该第一晶体管322，保持从信号线132供给的象素信号的保持容量cap，将保持容量cap所保持的象素信号供给到门电极的第二晶体管324，通过该第二晶体管324与共同供电线133相电连接时从共同供电线133流入驱动电流的象素电极323，以及在该象素电极(阳极)323与对面电极(阴极)222之间夹持的发光部(发光层)360。
根据这样的结构，在驱动扫描线131使第一晶体管322接通时，此时信号线132的电位由保持容量cap所保持，根据该保持容量cap的状态而决定第二晶体管324的导通状态。这样，通过电流经第二晶体管324的通道从共同电极133流向象素电极323，进而经发光层360流到对面电极222，发光层360能够对应于流过的电流的量而发光。
(电子仪器)
对设置有上述实施形式的有机EL装置(电光装置)的电子仪器的例加以说明。
图5是表示携带电话一例的立体图。在图5中，符号1000表示携带电话的本体，符号1001表示使用了上述电光装置的显示部。
图6是表示手表型电子仪器的一例的立体图。在图6中，符号1100表示手表本体，符号1101表示使用了上述电光装置的显示部。
图7是表示文字处理器、个人电脑等携带型信息处理装置的一例的立体图。在图7中，符号1200表示信息处理装置，符号1202表示键盘等输入部，符号1204表示信息处理装置本体，符号1206表示使用了上述电光装置的显示部。
图5至图7所示的电子仪器，由于设置了上述实施形式的电光学装置，所以能够使显示部的外来光的反射几乎成为“0”，即使是在野外使用，也能够得到对比度高的高质量显示。
而且，由于能够使显示部的制造成本大幅度地下降，所以也能够使电子仪器的制造成本与历来的相比得到减低。
还有，本发明的技术范围并不限于上述实施形式，在不脱离本发明要旨的范围内能够进行种种变更，实施形式中所列举的具体的材料及层结构等仅是一例，能够进行适宜的变更。
在上述实施形式中有机EL装置1、1′中，是作为有机EL元件9、9′由粘结层密封的形式，但本发明并不限于此，也可以是在阴极7、7′上不设置粘结层，而在阴极7、7′上设置空洞的密封形式，即所谓罐密封。在该罐密封结构的情况下，干燥剂可配置在象素区域以外的部位。
由以上的说明可知，根据本发明，由于在发光装置的阳极或阴极附近配置有半反射膜，所以能够抑制发光装置的显示部位的反射，能够使显示质量提高。

Claims (20)

1.一种发光装置，其特征在于：在发光装置中具备有基板，与包含第一电极、第二电极及它们所夹持的发光层的有机电致发光元件，所述有机电致发光元件具有至少将光的一部分反射的半反射膜。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述第一及第二电极分别是阴极及阳极。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述第一电极具有光的透过性，同时，所述第二电极具有光的反射性。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述半反射膜配置在所述发光层的所述基板一侧。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述第一电极及所述第二电极中至少一方具有光的反射性，所述发光层的厚度设定得是使向所述发光装置入射的光中由所述半反射膜所反射的第一反射光与由具有所述反射性的所述电极所反射的第二反射光相互干涉而减弱的厚度。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于：所述半反射膜的反射率设定得使所述第一反射光与所述第二反射光的强度大体相同。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述第一电极及所述第二电极中至少一方具有光的反射性，所述发光层的厚度设定得是使向所述发光装置入射的光中由所述半反射膜所反射的第一反射光的相位与由具有所述反射性的所述电极所反射的第二反射光的相位约有180度偏差的厚度。
8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于：所述半反射膜的反射率设定得使所述第一反射光与所述第二反射光的强度大体相同。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述半反射膜是由将入射到该半反射膜的光中的约50％透过、将该入射光中的约50％反射的物质所构成。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：进而具备：配置有所述发光层的多个象素开口部；在所述象素开口部之间形成、不配置所述发光层的象素间部；在所述象素间部设置的透明层及反射层；所述透明层的厚度设定得使向所述象素间部入射的光中由所述半反射膜所反射从该象素间部射出的第三反射光与透过所述半反射膜与所述透明层、在所述反射层所反射的第四反射光相互干涉而减弱。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于：所述半反射膜设置于所述象素间部。
12.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于：所述半反射膜反射率设定得使所述第三反射光与所述第四反射光的强度大体相同。
13.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：进而具备：配置有所述发光层的多个象素开口部；在所述象素开口部之间形成、不配置所述发光层的象素间部；在所述象素间部设置的透明层及反射层；所述透明层的厚度设定得使向所述象素间部入射的光中由所述半反射膜所反射从该象素间部射出的第三反射光的相位与透过所述半反射膜与透过所述透明层、在所述反射层所反射的第四反射光的相位约有180度偏差。
14.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于：所述半反射膜设置于所述象素间部。
15.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于：所述半反射膜反射率设定得使所述第三反射光与所述第四反射光的强度大体相同。
16.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于：所述发光装置具有薄膜晶体管，所述反射层具有作为所述薄膜晶体管结构中电极的功能。
17.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述半反射膜在所述第一电极与第二电极中任意一方的电极附近而形成。
18.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于：所述第一电极可以兼做所述半反射膜。
19.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述发光装置具有形成矩阵状的多条扫描线及多条数据线、与所述扫描线及数据线连接的开关装置、以及与所述开关装置连接的象素电极。
20.一种电子仪器，其特征在于设置有权利要求1中所述的发光装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101459192B (zh) * 2007-12-14 2012-06-13 精工爱普生株式会社 有机el装置、电子设备
CN104094669A (zh) * 2012-02-01 2014-10-08 夏普株式会社 显示装置
CN104183728A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光装置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW468283B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
EP1343018A1 (en) * 2002-03-05 2003-09-10 Dialog Semiconductor GmbH Battery charge monitor
JP3944906B2 (ja) * 2002-11-11 2007-07-18 ソニー株式会社 発光素子およびこれを用いた表示装置
US7492092B2 (en) * 2002-12-17 2009-02-17 Seiko Epson Corporation Self-emitting element, display panel, display apparatus, and method of manufacturing self-emitting element
JP4239983B2 (ja) * 2004-07-13 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置
KR100601381B1 (ko) 2004-11-29 2006-07-13 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
JP2006236996A (ja) * 2005-01-31 2006-09-07 Tdk Corp パネル
JP2006245010A (ja) * 2005-01-31 2006-09-14 Tdk Corp パネル
JP2007064999A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
US7843134B2 (en) * 2005-10-31 2010-11-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL emission devices connected in series
KR100695169B1 (ko) * 2006-01-11 2007-03-14 삼성전자주식회사 평판표시장치
WO2008120314A1 (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Pioneer Corporation 表示装置、表示パネル、表示パネルの検査方法及び表示パネルの製造方法
CN101051676B (zh) * 2007-05-15 2010-10-06 友达光电股份有限公司 有机电激发光像素、有机电激发光元件及其制造方法
US8076838B2 (en) * 2007-10-31 2011-12-13 Seiko Epson Corporation Light emitting device
JP2010102994A (ja) * 2008-10-24 2010-05-06 Hitachi Displays Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置
KR20120139988A (ko) 2011-06-20 2012-12-28 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자용 음극 및 상기 음극을 포함하는 유기발광소자
KR102054369B1 (ko) * 2013-05-30 2019-12-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2016081562A (ja) 2014-10-09 2016-05-16 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
JP6986599B2 (ja) * 2016-03-03 2021-12-22 パイオニア株式会社 発光装置
JP7193828B2 (ja) * 2017-11-30 2022-12-21 株式会社ホタルクス 有機ｅｌ素子
US11011725B2 (en) * 2019-06-24 2021-05-18 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and mask plate having a through hole penetrating cathode layer

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
JPS6372665A (ja) 1986-09-12 1988-04-02 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料の製造方法
JPS63175860A (ja) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JP2651237B2 (ja) 1989-02-10 1997-09-10 出光興産株式会社 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
CA1302547C (en) * 1988-12-02 1992-06-02 Jerzy A. Dobrowolski Optical interference electroluminescent device having low reflectance
JPH0337992A (ja) 1989-07-04 1991-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
US5521759A (en) * 1993-06-07 1996-05-28 National Research Council Of Canada Optical filters for suppressing unwanted reflections
JPH08321381A (ja) 1995-05-26 1996-12-03 Chisso Corp 有機電界発光素子
EP0843953B1 (en) * 1995-08-11 2001-10-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electroluminescent lamp using multilayer optical film
JPH10255978A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Pioneer Electron Corp 発光ディスプレイパネル
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JPH1167448A (ja) * 1997-08-26 1999-03-09 Toyota Central Res & Dev Lab Inc ディスプレイ装置
JPH11249091A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体素子作製法
JP3711760B2 (ja) 1998-09-11 2005-11-02 カシオ計算機株式会社 自発光表示装置
GB9901334D0 (en) 1998-12-08 1999-03-10 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
US6411019B1 (en) 1999-07-27 2002-06-25 Luxell Technologies Inc. Organic electroluminescent device
GB2353400B (en) 1999-08-20 2004-01-14 Cambridge Display Tech Ltd Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus
WO2001039554A1 (en) 1999-11-22 2001-05-31 Sony Corporation Display device
JP2001176660A (ja) * 1999-12-20 2001-06-29 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4637391B2 (ja) * 2000-03-27 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
JP2001338770A (ja) 2000-05-26 2001-12-07 Tohoku Pioneer Corp 発光表示装置及びその製造方法
US7339317B2 (en) * 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
JP2002252082A (ja) 2000-12-21 2002-09-06 Sony Corp 表示装置及び表示装置の製造方法
US7071613B2 (en) * 2001-10-10 2006-07-04 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JP3724725B2 (ja) * 2001-11-01 2005-12-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP4371297B2 (ja) * 2002-10-02 2009-11-25 パイオニア株式会社 有機ｅｌディスプレイ
CA2411683A1 (en) * 2002-11-13 2004-05-13 Luxell Technologies Inc. Oled with contrast enhancement features
US6608333B1 (en) * 2002-12-19 2003-08-19 Ritdisplay Corporation Organic light emitting diode device
TWI232066B (en) * 2002-12-25 2005-05-01 Au Optronics Corp Manufacturing method of organic light emitting diode for reducing reflection of external light
KR100601381B1 (ko) * 2004-11-29 2006-07-13 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101459192B (zh) * 2007-12-14 2012-06-13 精工爱普生株式会社 有机el装置、电子设备
CN104094669A (zh) * 2012-02-01 2014-10-08 夏普株式会社 显示装置
CN104094669B (zh) * 2012-02-01 2016-06-22 夏普株式会社 显示装置
CN104183728A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光装置

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Publication number Publication date
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US20070236139A1 (en) 2007-10-11
EP1450586A1 (en) 2004-08-25

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