CN1557014A - 具有成形衬底的发光二极管的结合以及用于结合具有成形衬底的发光二极管的夹头 - Google Patents

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Abstract

本发明提供具有不规则的构型的发光器件的倒装结合。通过用这种方式对衬底施加力,使得在衬底内的剪切力不超过衬底的故障阈值,把具有成形衬底的发光二极管结合到底座上。通过对发光二极管的衬底的表面施加力来把发光二极管结合到底座上,所述表面对于发光二极管的运动方向是倾斜的,借以把发光二极管用热声方式结合到底座上。还提供了用于把成形衬底结合到底座上的夹头和用于把成形衬底结合到底座上的系统。

Description

具有成形衬底的发光二极管的结合 以及用于结合具有成形衬底的发光二极管的夹头
技术领域
本发明涉及一种半导体器件,尤其涉及用于安装半导体器件到呈倒装结构的底座上的装置。
背景技术
基于GaN的发光二极管(LED)一般包括绝缘的或半导体的衬底例如SiC或蓝宝石,在其上淀积多个基于GaN的外延层。外延层包括具有p-n结的有源区,其在被激励时发光。一般的LED被安装在一个底座上,使其衬底侧朝下,底座也称为封装或引线框架(下文称为“底座”)。图1示意地表示常规的LED,其具有n-型SiC衬底10,包括生成在衬底上的并被形成为平台的基于GaN的n型层14和基于GaN的p型层16的有源区12。金属p-电极18被淀积在基于GaN的p型层16上,并在p-电极18上形成对结合焊盘20的导线结合连接28。在导电衬底上的n-电极22利用导电的环氧树脂26连附于金属底座24上。在常规的工艺中,导电的环氧树脂26(通常是银环氧树脂)被沉积在底座上,并把LED压入环氧树脂26中。然后使环氧树脂进行热固化,这使得其变硬,从而对LED芯片提供稳定的导电的安装。在有源区12产生的光被向上引导,并被引导到器件的外部。不过,产生的光的大部分透射到衬底内并被环氧树脂26吸收。
LED的倒装涉及把LED衬底侧朝上安装在底座上。然后通过透明的衬底提取和发射光。对于安装基于SiC的LED,倒装安装可以是一种特别须要的技术。因为SiC比GaN具有较高的折射率,在有源区内产生的光在GaN/SiC交界处不在内部反射(即向回反射进入基于GaN的层)。基于SiC的LED的倒装可以改善本领域熟知的某些芯片成形技术的效果。SiC LED的倒装封装可以具有其它的优点,例如能够改善散热,根据芯片的特定的应用,这可能是须要的。
倒装芯片的一个问题如图2所示。即,当利用常规技术把芯片倒装在导电的底座或封装上时,导电的芯片连附材料26被沉积在芯片与/或底座24上,并把芯片压入底座24内。这可以导致粘的导电的芯片连附材料26被挤出,因而和器件的基于GaN的n型层14以及n-型SiC衬底10接触,借以形成肖特基二极管连接,其将有源区的PN结短路,导致可以断定的有害的结果。因而,须要对LED的倒装安装进行改进。
发明内容
本发明的实施例提供具有不规则的构型的发光器件的倒装结合。本发明的某些实施例通过用这种方式对衬底施加力,使得在衬底内的剪切力不超过衬底的故障阈值,把具有成形衬底的发光二极管结合到底座上。这种结合例如可以利用热声与/或热压结合来实现。在本发明的一些实施例中,通过对发光二极管的衬底的表面施加力来把发光二极管结合到底座上,所述表面对于发光二极管的运动方向是倾斜的,借以把发光二极管结合到底座上。
在本发明的特定的实施例中,通过使一个夹头和对运动方向是倾斜的衬底的表面匹配,并沿着所述运动方向移动所述夹头来对成形衬底施加力。这种夹头的匹配可以借助于密封具有和衬底的倾斜表面相应的匹配表面的夹头,使得夹头的匹配表面和衬底的倾斜表面接触来提供。在本发明的一些实施例中,夹头的匹配表面相对于夹头本体是固定表面。在本发明的另一些实施例中,夹头的匹配表面相对于夹头本体是可以运动的表面。
在本发明的另一些实施例中,借助于把夹头置于发光二极管的上方,并对夹头施加真空压力来使夹头密封。在本发明的一些实施例中,发光二极管是具有碳化硅的成形衬底的基于氮化锗的发光二极管。具体地说,碳化硅的成形衬底可以具有一个立方体部分以及一个和所述立方体部分相邻的截头棱锥部分。在这种情况下,对碳化硅衬底的截头棱锥部分的侧壁施加力。
在本发明的另一些实施例中,提供一种用于结合具有成形衬底的发光二极管到底座上的夹头。所述夹头具有一个本体,在所述本体中具有一个室和与所述室连通的并适用于接收发光二极管的开口。夹头还包括用于使夹头的表面和对于夹头的运动方向是倾斜的成形衬底的表面匹配的装置。
在本发明的一些实施例中,用于匹配夹头的表面和成形衬底的装置由夹头的固定表面来提供,所述固定表面限定所述的开口,并以和对运动方向是倾斜的成形衬底表面的角度相应的角度被设置。此外,所述本体还包括用于限定所述室的一个顶部和垂直侧部,以及一个用于对所述室进行抽真空的开口。
在本发明的另一些实施例中,本体包括用于限定所述室的间隔开的侧壁。在这种实施例中,可以借助于在所述侧部的终点的斜的表面提供夹头的固定表面。此外,所述侧部可以被分开相应于对于运动的方向是倾斜的成形衬底的表面的尺寸的一个距离。在这种实施例中,本体还可以包括一个顶部和一个用于在室内形成真空压力的一个开口。所述侧部此时可以是垂直侧部。
在本发明的另一些实施例中,本体包括用于限定所述室的一个顶部和几个垂直侧部,以及一个用于在室内形成真空压力的开口。在这种实施例中,所述侧部可以是水平侧部,它们从垂直侧部延伸,并和顶部分开。
在本发明的另一些实施例中,用于匹配夹头的表面和成形衬底的装置借助于用于限定所述开口的、可以相对于本体运动的、并被配置用于调节到相应于对于运动方向是倾斜的成形衬底表面的角度的一个角度的夹头的表面来提供。在这种实施例中,本体可以包括用于限定所述室的一个顶部和几个垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空压力的一个开口。此外,本体可以包括被隔开的水平侧部。在这种情况下,夹头的可运动的表面可以借助于所述水平侧部的可运动的端部来提供,所述可运动的端部被配置使得基本上和成形衬底的角度相符,并被分开一个相应于对于运动方向是倾斜的成形衬底的表面的尺寸。
在本发明的一些实施例中,可运动的端部被铰接,使得能够围绕水平侧部的端部转动。在本发明的另一些实施例中,本体还包括用于限定所述室的一个顶部和用于连接所述顶部和水平侧部的几个垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空压力的一个开口。所述垂直侧部还可以可运动地连接到垂直侧部。例如,水平侧部可被铰接到垂直侧部上。
在本发明的特定的一些实施例中,夹头适用于具有成形的碳化硅衬底的基于氮化锗的发光二极管。所述夹头还适用于具有截头棱锥部分的碳化硅的成形衬底,并且其中用于匹配的装置包括用于使夹头的表面和成形的碳化硅衬底的截头棱锥部分的侧壁匹配的装置。
本发明的另一些实施例提供一种用于把具有成形衬底的发光二极管结合到底座上的夹头。所述夹头包括其中具有一个室的本体,以及在所述本体中的和所述室连通的开口,所述开口被这样配置,使得成形衬底的一部分延伸进入所述室内而不和所述本体接触。所述夹头还包括在操作上和所述室相关的、用于接合所述衬底、使得在保持所述衬底的内部剪切力在所述衬底的剪切故障阈值以下的同时把发光二极管结合到底座上的装置。
在本发明的一些实施例中,用于接合的装置借助于用于限定所述开口的、以和对于运动方向是斜的成形衬底表面的角度相应的角度设置的夹头的固定表面来提供。在这种实施例中,本体可以包括用于限定所述室的一个顶部和几个垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空压力的一个开口。在其它实施例中,本体包括用于限定所述开口的几个分开的侧部,并且其中夹头的固定表面包括在所述侧部的端部的斜的表面,其中所述侧部被分开一个和对于运动方向是斜的表面的成形衬底的表面的尺寸相应的一个距离。在这种实施例中,本体还包括用于限定所述室的顶部和用于在所述室内形成真空压力的一个开口,并且所述侧部可以是垂直侧部。在本发明的其它实施例中,本体包括一个顶部和几个垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空压力的一个开口,并且所述侧部是水平侧部,其从垂直侧部延伸,并和所述顶部分开。
在本发明的另一些实施例中,借助于用于限定所述开口的、并被配置使得调节到和对于运动方向是斜的成形衬底表面的角度相应的角度的夹头的可动表面来提供用于接合的装置。在这种实施例中,本体可以包括限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空压力的一个开口。本体还可以包括隔开的水平侧部,并且其中夹头的可动表面是所述水平侧部的可动端部,所述可动端部被配置使得和成形衬底的角度基本相符,并且被隔开一个和对于运动方向是斜的成形衬底的表面的尺寸相应的距离,借以限定所述开口。在一些实施例中,可动端部被铰接,以便围绕水平侧部的端部转动。在这种实施例中,本体也可以包括一个顶部以及用于在所述室内形成真空压力的一个开口,以及用于连接顶部和水平侧部的垂直侧部。此外,所述水平侧部也可以可动地和所述垂直侧部相连。例如,水平侧部可被铰接到垂直侧部上。
在本发明的其它实施例中,提供了一种用于连接发光二极管和底座的夹头,所述夹头具有一个其中具有一个室的本体,和所述室连通的被配置用于接收发光二极管的开口,以及在所述开口处的和发光二极管的成形衬底接触的夹头的固定表面,所述固定表面限定所述开口,并以一个和对于结合期间夹头的运动方向倾斜的成形衬底表面的角度相应的角度被设置。在本发明的一些实施例中,本体包括分开的侧部,并且夹头的固定表面可以是在侧部的终点的斜的表面。所述侧部被分开和对于运动方向是斜的成形衬底的表面的尺寸相应的一个距离。在本发明的另一些实施例中,本体包括用于限定所述室的一个顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空压力的一个开口,在这种实施例中,所述侧部可以是水平侧部,它们从垂直侧部延伸,并且和所述顶部分开。
在本发明的另一些实施例中,用于把发光二极管连接到底座上的夹头包括其中具有一个室的本体,在本体中的和所述室连通的并被配置用于接收发光二极管的开口,以及在所述开口处的、可以相对于所述本体运动的、和一个成形衬底接触的可以运动的表面,可以运动的表面被配置用于调节到相应于在结合期间对于夹头的运动方向倾斜的成形衬底表面的角度的一个角度。在本发明的一些实施例中,所述衬底包括分开的水平侧部,并且夹头的可动表面是所述水平侧部的可动端部,可动端部被配置使得基本上和成形衬底的角度相符,并被分开相应于对于所述运动方向是斜的成形衬底的表面的尺寸的一个距离。在一些实施例中,可动端部被铰接,从而围绕所述水平侧部转动。在本发明的其它的实施例中,本体包括限定所述室的顶部,用于在所述室内形成真空的一个开口,以及连接所述顶部到所述水平侧部的垂直侧部。在这种实施例中,所述水平侧部可以可动地连接到垂直侧部上。例如,水平侧部可被铰接到垂直侧部上。
在本发明的其它的实施例中,提供一种用于把具有成形衬底的发光二极管结合到底座上的系统。所述系统包括用于接合所述衬底,同时当对成形衬底施加力从而结合发光二极管到所述底座上时,保持衬底的内部剪切力在所述衬底的剪切故障阈值以下的装置,以及用于移动所述用于接合的装置,从而对衬底施加力以便把发光二极管结合到所述衬底上的装置。在本发明的另一些实施例中,所述用于接合的装置包括用于在对于成形衬底的运动方向是倾斜的成形衬底的表面上接触所述成形衬底的装置。在本发明的另一些实施例中,所述用于接触的装置借助于夹头壁来提供,所述的壁相对于夹头的本体处于固定位置,所述夹头被配置用于接收所述发光二极管。在本发明的其它实施例中,用于接触的装置借助于可以相对于夹头的本体运动的夹头壁来提供,所述夹头被配置用于接收发光二极管。
在本发明的另一些实施例中,提供一种用于结合具有成形衬底的发光二极管到底座上的夹头。所述夹头包括具有一个室以及与所述室连通的适用于接收发光二极管的开口的本体。所述开口具有靠近所述室的部分和远离所述室的部分。所述夹头还具有和所述开口相关的并以一个关于连接所述开口的远端的轴线倾斜的角度设置的、和成形衬底的表面匹配的匹配表面。
在另一些实施例中,所述匹配表面是限定所述开口的以相应于成形衬底的表面的一个角度的角度设置的固定表面。此外,所述本体可以具有限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空的一个开口。所述本体可以是限定所述室的分开的侧部,并且所述夹头的固定表面可以是在所述侧部的终端的斜的表面。所述侧部分开一个相应于所述固定表面和其匹配的成形衬底的表面的尺寸的距离。所述本体还包括一个顶部,以及用于在所述室内形成真空压力的一个开口。所述侧部可以是垂直侧部。所述侧部还可以包括从所述垂直侧部延伸的并和所述顶部分开的水平侧部。
在本发明的其它实施例中,匹配表面借助于用于限定所述开口的、可以相对于所述本体运动的、被配置用于调节到一个角度的表面来提供,该角度相应于限定所述开口的夹头的表面和其匹配的成形衬底表面的角度。所述本体可以包括用于限定所述室的一个顶部和垂直侧部,用于在所述室内形成真空的一个开口。本体还可以包括分开的水平侧部,并且夹头的可动表面可以是所述水平侧部的可动端部。所述可动端部可以被配置使得基本上符合成形衬底的角度,并且可以分开一个距离,该距离相应于所述可动端部和其匹配的成形衬底的表面的尺寸。所述可动端部可以被铰接,使得围绕所述水平侧部的端部转动。本体还可以包括连接所述顶部到水平侧部上的垂直侧部,从而限定所述室。所述水平侧部被可动地连接到所述垂直侧部上。例如,所述水平侧部可被铰接到所述垂直侧部上。
在本发明的一些实施例中,所述夹头适用于具有成形的碳化硅衬底的基于氮化锗的发光二极管。所述夹头还适用于具有截头棱锥部分的碳化硅的成形衬底,并且其中所述匹配表面和所述成形的碳化硅衬底的截头棱锥部分的倾斜侧壁匹配。
附图说明
图1是常规的LED的示意图;
图2表示利用常规技术倒装的LED;
图3示意地表示基于成形衬底的LED;
图4是具有成形衬底的LED的平面图;
图5A和5B是按照本发明的实施例的夹头的侧视图和顶视图;
图6是按照本发明的另一个实施例的夹头的侧视图;以及
图7是按照本发明的另一个实施例的夹头的侧视图。
具体实施方式
下面结合附图更详细地说明本发明,在附图中示出了本发明的优选实施例。不过,本发明可以用许多不同的形式实施,因而不应当限于这里提出的实施例,而是,提供这些实施例是为了更清楚、完整地说明本发明,并且充分地对本领域的技术人员转达本发明的范围。在附图中,相同的标号表示相同的元件。此外,图中所示的各层和各个区只是一种示意的表示。本领域技术人员应当理解,本文所指的形成在衬底或其它层“上”的层可以指直接形成在衬底或其它层上的层,或者形成在在衬底或其它层上形成的插入的一层或几层上的层。相应地,本发明不限于附图中所示的有关的尺寸和间距。
本发明的实施例用于LED芯片到底座上的结合。本发明的实施例包括利用热声与/或热压方式结合有形芯片的方法以及用于制造有形芯片的夹头结构。在本发明的特定的实施例中,芯片或电路片可被拾取与/或联结在一个工具上,并且可以利用一个夹头拾取芯片,以便利用热声与/或热压方式结合芯片。
因为SiC具有高的折射率,通过SiC衬底的光趋于在衬底的表面上全部在内部反射到衬底内,除非光以相当低的入射角(即接近垂直)入射到界面上。全部内部反射的临界角取决于和SiC形成界面的材料。通过用这样的方式成形SiC衬底,使得通过使更多的光线以低的入射角入射到SiC的表面上,限制总的内部反射,可以增加基于SiC的LED的光输出。一种这种芯片成形技术和所得的芯片在2002年1月25日申请的美国专利申请序列号为10/057821,名称为“LIGHT EMITTINGDIODES INCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTIONAND MANUFACTURING METHODS THEREFOR”的专利申请中说明了,该专利申请被包括在此作为参考。
图3表示具有成形衬底的LED芯片,例如在上述的专利申请中所述的那些芯片。具体地说,图3所示的LED芯片30具有包括第一表面21和第二表面23的衬底10。发光器件的有源区12由在第一表面21上的基于GaN的n型层14和基于GaN的p型层16构成。p-电极18位于基于GaN的p型层16上。n-电极22位于衬底10的第二表面23上。衬底10的特征在于倾斜的侧面部分15,其基本上形成一个截头棱锥形19,使得截头棱锥的底部位于第一表面21附近,或者直接和表面21相邻或者和表面21相邻但和其隔开。成形衬底10的特征还在于具有侧壁17的一个基本上是立方体的部分25,每个侧壁和相邻的倾斜的侧壁部分15形成一个角度φ。图4表示图3的成形衬底的芯片30的平面图。LED芯片30还包括金属焊盘31,其可被以热声方式结合到底座上。金属焊盘31最好由Au或合适的金属合金例如Au/Sn或Pb/Sn制成。
本发明的实施例参照在SiC衬底10上的基于GaN的并具有n型层14、p型层16和p-电极18的LED进行了说明。然而,本发明不应当限于这种结构,而是可以用于具有成形衬底的其它结构。供本发明的实施例中使用的发光器件可以是基于锗的氮化物的LED,或者是在碳化硅衬底上制造的激光器,例如由Cree,Inc.of Durham,North Carolina制造和销售的那些器件。例如,本发明可以适用于以下的美国专利中所述的LED与/或激光器:6201262,6187606,6120600,5912477,5739554,5631190,5604135,5523589,5416342,5393993,5338944,5210051,5027168,4966862与/或4918497,这些专利的全部内容被包括在此作为参考,就如同把这些专利的内容全部写入本文中一样。其它的合适的LED与/或激光器在以下的美国临时专利申请中说明了:2001年5月30日申请的,名称为“MULTI-QUANTUM WELL LIGHTEMITTING DIODE STRUCTURE”,序列号为60/294445的美国临时专利申请,2001年5月30日申请的,名称为“LIGHT EMITTING DIODESTRUCTURE WITH SUPERLATTICE STRUCTURE”,序列号为60/294308的美国临时专利申请,以及2001年5月30日申请的,名称为“LIGHTEMITTING DIODE STRUCTURE WITH MULTI-QUANTUM WELL ANDSUPERLATTICE STRUCTURE”,序列号为60/294378的美国临时专利申请,还有2001年2月1日申请的,名称为“LIGHT EMITTING DIODE WITHOPTICALLY TRANSPARENT SILICON CARBIDE SUBSTRATE”,序列号为60/265707的美国临时专利申请,2001年7月23日申请的,名称为“LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING MODIFICATIONS FOR LIGHTEXTRACTION AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR”,序列号为60/307235的美国临时专利申请,以及2002年1月25日申请的,名称为“LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONSFOR LIGHT EXTRACTION AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR”,序列号为10/057821的美国临时专利申请,这些专利的全部内容被包括在此作为参考,就如同把这些专利的内容全部写入本文中一样。
在本发明的特定的实施例中,发光器件可以包括p电极,其提供一个反射层用于通过器件向回反射在有源区内产生的光。反射的p电极及其相关的结构在2002年1月25日申请的,名称为“LIGHTEMITTING DIODES INCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHTEXTRACTION AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR”,序列号为10/057821的美国临时专利申请中说明了,该专利的全部内容被包括在此作为参考,就如同把这些专利的内容全部写入本文中一样。
一般地说,热声结合是一种利用机械振动、加热和加压借以使器件被安装到衬底或底座上,从而在器件和底座之间形成可以是导电的连接的技术。一般地说,热压结合是通过加热和加压把器件安装到衬底或底座上,借以使器件连接到衬底上的一种技术。一般地,使用真空夹头拾取器件并物理地使器件和底座接触。一旦器件和底座接触,便通过夹头对器件施加力,并且,对于热声结合,还使夹头振动。通过加热、振动以及压力的组合,把器件用热声方式结合到底座上。为了形成这种连接,利用金属例如Au制成的金属焊盘层,其在加热、加压和选择地振动时将形成连接。其它可以使用的金属和合金是Au/Sn以及Pb/Sn。金属焊盘层可被提供在器件上,或者在底座上形成一个金属的预制品,并使金属焊盘与/或金属预制品利用热声方法与/或热压方法结合,使得器件和底座连接在一起。
由于成形衬底芯片例如图3所示的LED芯片30的独特的形状,和立方体部分25的侧壁17接触的常规的夹头结构可能是不适宜的。例如,如果使用常规的夹头机械地振动芯片,同时又仅仅固定到立方体部分25上,则在振动期间产生的剪切力可能导致立方体部分25和芯片分离,使芯片报废而降低产量。
由利用常规的真空夹头用热声方式或用热压方式结合具有成形衬底的发光器件到底座上时可以遇到的上述的困难看来,本发明的某些实施例提供利用一种真空夹头结合具有成形衬底的发光器件,所述真空夹头和成形衬底用这样的方式接触,使得可以减少当所述夹头对衬底施加力时施加到衬底中的剪切力。这种力可被降低到一个故障阈值以下,例如导致衬底破裂的门限。特定的故障阈值可以取决于成形衬底的结构以及制成衬底的材料。因而,对于图3的成形衬底,本发明的实施例借助于接触衬底10的截头棱锥部分19的倾斜的侧壁15的至少一部分对衬底施加力。按照本发明的夹头的例子如图5A-7所示,并在此进行详细说明。这种夹头至少接触衬底10的截头棱锥部分19的侧壁15,并且选择地,还可以接触衬底10的立方体部分25的侧壁17。
图5A和5B表示按照本发明的实施例的夹头40。图5A是在图5B中以顶视图表示的夹头40的沿线5A-5A’取的截面图。夹头40包括本体41,其具有和顶壁43相连的垂直的侧壁42,从而形成室45,其具有和其连通的室47,用于接收发光器件。顶壁43包括通向室45的开口46,通过所述开口把室抽成真空。水平部分44从夹头40的侧壁向内延伸。水平部分44具有端面48,当把夹头置于LED芯片30的上方时,所述端面和衬底10的倾斜的侧壁15实现物理接触。根据水平部分44的跨度和水平部分44的端面48相对于连接两个端面48的相对的底部或顶部的平面而成的角度,可以配置水平部分44的端面48使得和侧壁15相接触。如果两个端面48的长度相同,则连接端面的顶部或底部的两个平面平行。端面48和所述连接平面所成的角度可以基于侧壁15和侧壁17所成的角度φ。这个角度基本上等于φ减去90度。另外,端面的角度可以相对于垂直于连接平面的轴线被测量,如图4所示,这个角度基本上和φ相同。两个水平部分44应当间隔足够的距离,以便使得LED芯片30的立方体部分25在其间通过,但是不能大到使得截头棱锥部分19也能在其间通过的程度。
夹头40可以包括一个整体的部件,或者包括两个或多个互连的以便提供如图5所示的配置的部件。此外,夹头40可以由金属材料例如铝、钢或其类似物制成,也可以由非金属材料例如塑料、陶瓷或其它类似的非金属材料制成。夹头40可以通过铸造、机械加工、模制以及这些工艺的组合或者其它类似的工艺制成。
在操作时,夹头40被置于LED芯片30的上方,使得衬底10的立方体部分延伸进入室45中,并且端面48和衬底10的侧壁15接触。借助于和端面48接触,可以在夹头40的端面48和LED芯片30的倾斜的侧壁部分15之间形成气密封。通过开口46对夹头40施加的真空压力在室45内建立一个较低压力区,并用于在LED芯片30被处理时使其被牢固地保持定位。
可以利用夹头40的运动用热声方式结合LED芯片30,不过,施加到LED芯片30上的力被施加到倾斜的侧壁15上,借以减少在衬底10的立方体部分25和截头棱锥部分19之间的边界上的剪切力。因而,在本发明的某些实施例中,通过借助于接触对于LED芯片30的运动方向是倾斜的LED芯片30的衬底10的表面来施加力,对LED芯片30进行热声结合。和用于对LED芯片30施加力的衬底10接触的角度可以和运动方向成锐角或钝角。
类似地,LED芯片30可以通过利用夹头40借助于对衬底10的棱锥部分19施加力被热压结合。这种力可以通过夹头40的端面40施加。
按照本发明的其它实施例的夹头结构如图6和图7所示。在图6中,图5的水平部分44由图6所示的夹头50中的侧部51的终结表面代替。夹头50具有本体61,其包括和顶壁53相连的垂直的侧壁52,用于形成室55和与室55连通的开口57,室55用于接收发光器件。顶壁53包括通向室55的开口56,通过所述开口把室抽成真空。如图6所示,侧部51的垂直侧壁52在倾斜的端面58终止。侧部51的端面58根据两个侧部51的间距和侧部51相对于连接两个端面58的相对的顶部和底部的平面而成的角度,被配置和侧壁15接触。如果两个端面58的长度相同,则连接两个端面的顶部或底部的两个平面平行。端面58和所述连接平面所成的角度可以基于侧壁15和侧壁17所成的角度φ。这个角度基本上等于φ减去90度。另外,端面58的角度可以相对于垂直于连接平面的轴线被测量,如图6所示,这个角度基本上和φ相同。两个侧部51应当分开足够的距离,以便使得LED芯片30的立方体部分25在其间通过,但是不能大到使得截头棱锥部分19也能在其间通过的程度。
夹头50可以包括一个整体的部件,或者包括两个或多个互连的以便提供如图6所示的配置的部件。此外,夹头50可以由金属材料例如铝、钢或其类似物制成,或者可以由非金属材料例如塑料、陶瓷或其它类似的非金属材料制成。夹头50可以通过铸造、机械加工、模制以及这些工艺的组合或者其它类似的工艺制成。图7表示按照本发明的实施例的另一种夹头70。在图7的夹头70中,水平部分74包括铰接的端部77,即使夹头稍微有些对不准,或者倾斜侧壁15的角度相对于可动端部77的角度有些偏移,也能使得夹头70和LED芯片30的倾斜的部分15形成气密封。夹头70具有本体71,其包括和顶壁73相连的垂直侧壁72,从而形成室79和与室79连通的开口80,从而用于接收发光器件衬底10,如图7所示。顶壁73包括到室79的开口76,通过这个开口抽成真空。如图7所示,水平部分74可以围绕各自的转动点75被铰接,使得围绕各自的转动点75转动。类似地,端部77可以围绕转动点78铰接,从而使得端部22能够和LED芯片30的斜的部分15的斜的表面匹配。
夹头70可以由一个整体的部件构成,或者由两个或多个互连的以便提供如图7所示的配置的部件构成。此外,夹头70可以由金属材料例如铝、钢或其类似物制成,也可以由非金属材料例如塑料、陶瓷或其它类似的非金属材料制成。夹头70可以通过铸造、机械加工、模制以及这些工艺的组合或者其它类似的工艺制成。
对于按照本发明的实施例的夹头,例如夹头40,50和70,开口46,56和76的尺寸可以足够大,以便克服夹头40,50,或70与衬底10的配合中的任何不足,使得可以维持较低压力的区域。这种尺寸的确定可能要求夹头40具有不同的结构,以便允许用于施加真空压力的较大的开口。因而,夹头的特定的结构可被改变,使得在开口46,56或76与外部环境之间的压降的大部分加在夹头和衬底10之间的接触区域的任何开口或不完整之处上。用这种方式,通过真空压力,可以使衬底10保持在夹头40,50或70中,以便进行运动或结合。
如上所述,本发明的实施例提供一种用于匹配夹头的表面和成形衬底的装置,本发明的实施例还提供一种用于接合衬底,同时当对成形衬底施加力时又保持衬底的内部剪切力低于衬底的剪切故障阈值的装置,从而用热声方式把发光二极管结合到底座上。用于和衬底进行匹配的装置与/或用于和衬底进行接合的装置可以又夹头的固定表面来提供,或者由可以运动的、可以调节的与/或顺从的表面提供,它们相对于夹头的运动以斜的角度和成形衬底接触。此外,虽然本发明结合由夹头形成的矩形室进行了说明,但也可以利用其它形状的室。因而,例如可以形成棱锥形状的室或任何其它形状的室,只要提供一个其中可以接收发光二极管的空腔即可。
在本发明的另一个实施例中,提供了一种用于用热声方式与/或用热压方式把具有成形衬底的发光二极管结合到底座上的系统。在特定的系统中,可以由常规的用于热声与/或热压结合的系统使用上述的夹头。因而,常规的系统可以提供一种用于移动夹头从而对衬底施加力的装置,用于用热声方式结合与/或用热压方式把发光二极管结合到底座上。
此外,虽然本发明的实施例按照具有立方体部分和截头棱锥部分的成形衬底进行了说明,但是也可以利用其它形状的衬底,这些衬底的形状随室的周边的形状而相应地改变。因而,例如衬底可以包括圆柱形的部分,截头圆锥形的部分与/或锥形的部分。在这种情况下,本发明的实施例可以提供一个具有基本上圆形开口的室,其中开口的侧壁被配置和衬底的锥形的与/或截头圆锥形的侧面匹配。因而,本发明的实施例不应当限于这里所述的特定形状。
在附图和说明书中披露了本发明的典型的优选实施例,虽然使用了特定的术语,但这些术语是在一般性的和说明性的意义上使用的,而没有限制的目的,本发明的范围在下面的权利要求中提出了。

Claims (67)

1.一种用热声方式把发光二极管结合到底座上的方法,包括:
对相对于发光二极管的运动的方向是倾斜的所述发光二极管的衬底的表面施加力,使得用热声方式把发光二极管结合到所述底座上。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,施加力的步骤包括:
使一个夹头和相对于所述运动的方向倾斜的衬底的所述表面匹配;以及
沿所述运动的方向移动所述夹头。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,匹配一个夹头的步骤包括密封具有一个匹配表面的夹头,所述匹配表面与所述衬底的倾斜表面相对应,使得所述夹头的匹配表面接触所述衬底的倾斜表面。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述夹头的匹配表面是一个相对于所述夹头的一个本体固定表面。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述夹头的匹配表面是一个相对于所述夹头的一个本体可动表面。
6.如权利要求3所述的方法,其特征在于,密封所述夹头包括:
把所述夹头设置在发光二极管的上方;以及
对所述夹头施加一个真空压力。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述发光二极管包括具有碳化硅成形衬底的基于氮化锗的发光二极管。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述碳化硅成形衬底具有一个立方体部分和一个与所述立方体部分相邻的截头棱锥部分,并且其中施加力的步骤包括对碳化硅衬底的截头棱锥部分的侧壁施加力。
9.一种用于把具有成形衬底的发光二极管结合到一个底座上的夹头,包括:
具有一个室的本体;
与所述室连通的并适用于接收所述发光二极管的一个开口;以及
用于匹配所述夹头的表面和相对于夹头的运动方向倾斜的所述成形衬底的表面的装置。
10.如权利要求9所述的夹头,其特征在于,用于匹配夹头的表面和成形衬底的装置包括用于限定所述开口的并以一个角度被设置的夹头的固定表面,所述角度与成形衬底的相对于所述运动方向倾斜的表面的角度相对应。
11.如权利要求10所述的夹头,其特征在于,所述本体包括用于限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空的开口。
12.如权利要求10所述的夹头,其特征在于,所述本体包括用于限定所述室的分开的侧部,并且其中所述夹头的固定表面包括在所述侧部的端部的斜的表面,其中所述侧部被分开一个距离,所述距离与成形衬底的相对于所述运动方向倾斜的表面的尺寸相对应。
13.如权利要求12所述的夹头,其特征在于,所述本体还包括顶部和用于在所述室内形成真空压力的开口,并且其中所述侧部是垂直侧部。
14.如权利要求12所述的夹头,其特征在于,所述本体包括用于限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空的开口,并且其中所述侧部是从所述垂直侧部延伸并和所述顶部分开的水平侧部。
15.如权利要求9所述的夹头,其特征在于,用于匹配夹头的表面和成形衬底的装置包括用于限定所述开口的、可以相对于所述本体运动的、被配置用于调节到一个角度的所述夹头的表面,所述角度与成形衬底的相对于所述运动方向倾斜的表面的角度相对应。
16.如权利要求15所述的夹头,其特征在于,所述本体包括用于限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空的开口。
17.如权利要求15所述的夹头,其特征在于,所述本体包括被分开的水平侧部,并且其中所述夹头的可动表面包括所述水平侧部的可动端部,所述可动端部被配置使得基本上符合所述成形衬底的角度,其中所述可动端部被分开一个距离,所述距离与成形衬底的相对于所述运动方向倾斜的表面的尺寸相对应。
18.如权利要求17所述的夹头,其特征在于,所述可动端部被铰接,以便围绕所述水平侧部的端部转动。
19.如权利要求18所述的夹头,其特征在于,所述本体包括用于限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空压力的开口,所述垂直侧部用于连接所述顶部和所述水平侧部。
20.如权利要求19所述的夹头,其特征在于,所述水平侧部被可动地连接到所述垂直侧部。
21.如权利要求20所述的夹头,其特征在于,所述水平侧部被铰接到所述垂直侧部。
22.如权利要求9所述的夹头,其特征在于,所述夹头适用于具有碳化硅成形衬底的基于氮化锗的发光二极管。
23.如权利要求9所述的夹头,其特征在于,所述夹头适用于具有一个立方体部分和与所述立方体部分相邻的截头棱锥部分的碳化硅成形衬底,并且其中所述用于匹配的装置包括用于匹配所述夹头的表面和成形的碳化硅衬底的截头棱锥部分的侧壁的装置。
24.一种用于把具有成形衬底的发光二极管结合到一个底座上的夹头,包括:
具有一个室的本体;
与所述室连通的被配置使得所述成形衬底的一部分在不接触所述本体的情况下进入所述室内的开口;以及
在操作上和所述室相关,用于接合所述衬底从而把发光二极管结合到底座上,同时保持所述衬底的内部剪切力在所述衬底的剪切故障阈值以下的装置。
25.如权利要求24所述的夹头,其特征在于,用于接合的装置包括夹头的固定表面,所述固定表面用于限定所述开口,并以一个角度被设置,所述角度与成形衬底的相对于所述运动方向倾斜的表面的角度相对应。
26.如权利要求25所述的夹头,其特征在于,所述本体包括用于限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空的开口。
27.如权利要求25所述的夹头,其特征在于,所述本体包括用于限定所述室的分开的侧部,并且其中所述夹头的固定表面包括在所述侧部的端部的斜的表面,其中所述侧部被分开一个距离,所述距离与成形衬底的相对于所述运动方向倾斜的表面的尺寸相对应。
28.如权利要求27所述的夹头,其特征在于,所述本体还包括用于限定所述室的顶部和用于在所述室内形成真空压力的开口,并且其中所述侧部是垂直侧部。
29.如权利要求27所述的夹头,其特征在于,所述本体还包括顶部和垂直侧部以及用于在所述室内形成真空的开口,并且其中所述侧部是从所述垂直侧部延伸并和所述顶部分开的水平侧部。
30.如权利要求24所述的夹头,其特征在于,用于接合的装置包括夹头的可动表面,用于限定所述开口,并被配置使得调节到一个角度,所述角度与成形衬底的相对于所述运动方向倾斜的表面的角度相对应。
31.如权利要求30所述的夹头,其特征在于,所述本体包括用于限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空的开口。
32.如权利要求30所述的夹头,其特征在于,所述本体包括被分开的水平侧部,并且其中所述夹头的可动表面包括所述水平侧部的可动端部,所述可动端部被配置使得基本上符合所述成形衬底的角度,其中所述可动端部被分开一个距离,所述距离与成形衬底的相对于所述运动方向倾斜的表面的尺寸相对应。
33.如权利要求32所述的夹头,其特征在于,所述可动端部被铰接,以便围绕所述水平侧部的端部转动。
34.如权利要求33所述的夹头,其特征在于,所述本体还包括顶部和用于在所述室内形成真空压力的开口,以及用于连接所述顶部和所述水平侧部的垂直侧部。
35.如权利要求34所述的夹头,其特征在于,所述水平侧部被可动地连接到所述垂直侧部。
36.如权利要求35所述的夹头,其特征在于,所述水平侧部被铰接到所述垂直侧部。
37.一种用于把发光二极管结合到一个底座上的夹头,包括:
其中具有一个室的本体;
与所述室连通的被配置用于接收所述发光二极管的开口;以及
在所述开口处的和所述发光二极管的成形衬底接触的所述夹头的固定表面,所述固定表面限定所述开口,并以一个角度被配置,所述角度与结合期间成形衬底的相对于所述运动方向倾斜的表面的角度相对应。
38.如权利要求37所述的夹头,其特征在于,所述本体包括用于限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空的开口。
39.如权利要求37所述的夹头,其特征在于,所述本体包括分开的侧部,并且其中所述夹头的固定表面包括在所述侧部的端部的斜的表面,其中所述侧部被分开一个距离,所述距离与成形衬底的相对于所述运动方向倾斜的表面的尺寸相对应。
40.如权利要求39所述的夹头,其特征在于,所述本体还包括用于限定所述室的顶部和用于在所述室内形成真空压力的开口,并且其中所述侧部是垂直侧部。
41.如权利要求39所述的夹头,其特征在于,所述本体还包括用于限定所述室的顶部和垂直侧部以及用于在所述室内形成真空的开口,并且其中所述侧部是从所述垂直侧部延伸并和所述顶部分开的水平侧部。
42.一种用于用热声方式把发光二极管结合到一个底座上的夹头,包括:
其中具有一个室的本体;
与所述室连通的被配置用于接收所述发光二极管的开口;以及
在所述开口处的可以相对于所述本体运动的并且和一个成形衬底接触的可动表面,所述可动表面被配置使得调节到一个角度,所述角度与结合期间成形衬底的相对于所述运动方向倾斜的表面的角度相对应。
43.如权利要求42所述的夹头,其特征在于,所述本体包括用于限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空的开口。
44.如权利要求42所述的夹头,其特征在于,所述本体包括分开的水平侧部,并且其中所述夹头的可动表面包括所述水平侧部的可动端部,所述可动端部被配置使得基本上符合成形衬底的所述角度,其中所述可动端部被分开一个距离,所述距离与成形衬底的相对于所述运动方向倾斜的表面的尺寸相对应。
45.如权利要求44所述的夹头,其特征在于,所述可动端部被铰接,以便围绕所述水平侧部的端部转动。
46.如权利要求45所述的夹头,其特征在于,所述本体还包括用于限定所述室的顶部和用于在所述室内形成真空压力的开口,以及用于连接所述顶部和所述水平侧部的垂直侧部。
47.如权利要求46所述的夹头,其特征在于,所述水平侧部被可动地连接到所述垂直侧部。
48.如权利要求47所述的夹头,其特征在于,所述水平侧部被铰接到所述垂直侧部。
49.一种用于用热声方式把具有成形衬底的发光二极管结合到一个底座上的系统,包括:
用于接合所述衬底同时在对所述成形衬底施加力时保持所述衬底的内部剪切力小于所述衬底的剪切故障阈值,从而用热声方式把所述发光二极管结合到所述底座上的装置;以及
用于移动所述用于接合的装置,从而对所述衬底施加力,以便用热声方式把所述发光二极管结合到所述衬底上的装置。
50.如权利要求49所述的系统,其特征在于,所述用于接合的装置包括用于在相对于成形衬底的运动方向是倾斜的成形衬底的表面上接触所述成形衬底的装置。
51.如权利要求50所述的系统,其特征在于,用于接触的装置包括相对于夹头的本体处于固定位置的夹头壁,所述夹头被配置用于接收所述发光二极管。
52.如权利要求50所述的系统,其特征在于,用于接触的装置包括相对于夹头的本体可以运动的夹头壁,所述夹头被配置用于接收所述发光二极管。
53.一种用于把具有成形衬底的发光二极管结合到一个底座上的夹头,包括:
具有一个室的本体;
和所述室连通的并适用于接收发光二极管的开口,所述开口具有一个接近所述室的部分和远离所述室的部分;以及
和所述开口相关的并被并以一个相对于连接所述开口的远端的轴线倾斜的角度设置的并和所述成形衬底的表面匹配的匹配表面。
54.如权利要求53所述的夹头,其特征在于,所述匹配表面是限定所述开口的并以与成形衬底的表面的一个角度相对应的角度设置的固定表面。
55.如权利要求54所述的夹头,其特征在于,所述本体包括限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空的一个开口。
56.如权利要求54所述的夹头,其特征在于,所述本体包括限定所述室的分开的侧部,并且其中所述夹头的固定表面包括在所述侧部的终端的斜的表面,其中所述侧部分开一个距离,所述距离与所述成形衬底的和所述固定表面匹配的表面的尺寸相对应。
57.如权利要求56所述的夹头,其特征在于,所述本体还包括顶部,以及用于在所述室内形成真空压力的一个开口,所述侧部是垂直侧部。
58.如权利要求56所述的夹头,其特征在于,所述本体包括用于限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空压力的一个开口,并且其中所述侧部是从所述垂直侧部延伸的并和所述顶部分开的水平侧部。
59.如权利要求53所述的夹头,其特征在于,所述匹配表面包括用于限定所述开口的、可以相对于所述本体运动的、被配置用于调节到一个角度的所述夹头的表面,所述角度与成形衬底的用于限定所述开口并与夹头的表面匹配的表面的角度相对应。
60.如权利要求59所述的夹头,其特征在于,所述本体包括用于限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空的一个开口。
61.如权利要求59所述的夹头,其特征在于,所述本体包括分开的水平侧部,并且其中所述夹头的可动表面包括所述水平侧部的可动端部,所述可动端部被配置使得基本上符合成形衬底的角度,并且其中所述可动端部被分开一个距离,该距离与所述成形衬底的与可动端部匹配的表面的尺寸相对应。
62.如权利要求61所述的夹头,其特征在于,所述可动端部被铰接,使得围绕所述水平侧部的端部转动。
63.如权利要求62所述的夹头,其特征在于,所述本体还包括用于限定所述室的顶部和垂直侧部,以及用于在所述室内形成真空压力的开口,所述垂直侧部将所述顶部连接到所述水平侧部上。
64.如权利要求63所述的夹头,所述水平侧部被可动地连接到所述垂直侧部上。
65.如权利要求64所述的夹头,其特征在于,所述水平侧部可被铰接到所述垂直侧部上。
66.如权利要求53所述的夹头,其特征在于,所述夹头适用于基于氮化锗的发光二极管,该二极管具有成形的碳化硅衬底。
67.如权利要求53所述的夹头,其特征在于,所述夹头适用于碳化硅的成形衬底,该成形衬底具有截头棱锥部分,并且其中所述匹配表面和所述成形的碳化硅衬底的截头棱锥部分的倾斜侧壁匹配。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106141963A (zh) * 2016-08-08 2016-11-23 上海大学 一种用于激光准直透镜夹取的机械夹爪
CN106601580A (zh) * 2015-10-19 2017-04-26 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 进气机构及反应腔室

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6747298B2 (en) * 2001-07-23 2004-06-08 Cree, Inc. Collets for bonding of light emitting diodes having shaped substrates
AU2003263779A1 (en) 2002-07-22 2004-02-09 Cree, Inc. Light emitting diode including barrier layers and manufacturing methods therefor
JP2004128057A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置およびその製造方法
US7009199B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
KR20050085290A (ko) * 2002-12-20 2005-08-29 크리 인코포레이티드 자기정렬 콘택트 층을 포함하는 반도체 메사 구조를형성하는 방법과 그 관련된 소자
US20040188696A1 (en) 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
US7419912B2 (en) * 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
US7462861B2 (en) * 2004-04-28 2008-12-09 Cree, Inc. LED bonding structures and methods of fabricating LED bonding structures
KR101193740B1 (ko) * 2004-06-30 2012-10-22 크리 인코포레이티드 발광 소자의 패키징을 위한 칩-규모 방법 및 칩 규모로 패키징된 발광 소자
US8513686B2 (en) * 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
US7259402B2 (en) * 2004-09-22 2007-08-21 Cree, Inc. High efficiency group III nitride-silicon carbide light emitting diode
US7737459B2 (en) * 2004-09-22 2010-06-15 Cree, Inc. High output group III nitride light emitting diodes
US8174037B2 (en) 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US7432536B2 (en) 2004-11-04 2008-10-07 Cree, Inc. LED with self aligned bond pad
US8288942B2 (en) * 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
TWI422044B (zh) * 2005-06-30 2014-01-01 Cree Inc 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
US8052794B2 (en) * 2005-09-12 2011-11-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Directed reagents to improve material uniformity
EP1974389A4 (en) 2006-01-05 2010-12-29 Illumitex Inc SEPARATE OPTICAL DEVICE FOR DIRECTING LIGHT FROM A LED
DE102006015788A1 (de) * 2006-01-27 2007-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
JP2009539227A (ja) 2006-05-31 2009-11-12 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置、および照明方法
US7789531B2 (en) 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
EP3223313B1 (en) 2007-01-22 2021-04-14 Cree, Inc. Monolithic light emitter having multiple light emitting sub-devices
WO2009100358A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8096671B1 (en) 2009-04-06 2012-01-17 Nmera, Llc Light emitting diode illumination system
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
KR200454153Y1 (ko) * 2009-08-21 2011-06-17 우태욱 역류 방지 및 수량 조절기능이 구비된 물꼬
US20110133769A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-09 Industrial Technology Research Institute Inspection apparatus and method for led package interface
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
US10283681B2 (en) * 2013-09-12 2019-05-07 Cree, Inc. Phosphor-converted light emitting device
JP6252302B2 (ja) * 2014-03-28 2017-12-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN113345988A (zh) 2015-10-01 2021-09-03 克利公司 包括倒装芯片发光二极管的发光设备
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
TWI780195B (zh) 2017-08-03 2022-10-11 美商克里公司 高密度像素化發光二極體晶片和晶片陣列裝置以及製造方法
US11387389B2 (en) 2018-01-29 2022-07-12 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11031527B2 (en) 2018-01-29 2021-06-08 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11923481B2 (en) 2018-01-29 2024-03-05 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US10529773B2 (en) 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
US10879441B2 (en) 2018-12-17 2020-12-29 Cree, Inc. Interconnects for light emitting diode chips
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
US10985294B2 (en) 2019-03-19 2021-04-20 Creeled, Inc. Contact structures for light emitting diode chips
US11094848B2 (en) 2019-08-16 2021-08-17 Creeled, Inc. Light-emitting diode chip structures
EP4052296A1 (en) 2019-10-29 2022-09-07 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-led chips
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61196544A (ja) * 1985-02-25 1986-08-30 Rohm Co Ltd 半導体チツプのダイボンデイング方法
JPH01214141A (ja) 1988-02-23 1989-08-28 Nec Corp フリップチップ型半導体装置
GB2249428A (en) 1988-08-11 1992-05-06 Plessey Co Plc Connections for led arrays
JPH02144929A (ja) * 1988-11-28 1990-06-04 Hitachi Ltd コレットおよびそれを用いたペレットボンディング装置
US4918497A (en) 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
JPH02192129A (ja) * 1989-01-19 1990-07-27 Mitsubishi Electric Corp ボンディング装置
JP2722601B2 (ja) 1989-02-06 1998-03-04 松下電器産業株式会社 ダイボンディング装置及びダイボンディング方法
US5115545A (en) * 1989-03-28 1992-05-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for connecting semiconductor devices to wiring boards
US4966862A (en) 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
JPH03131083A (ja) * 1989-10-17 1991-06-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置の製造方法
US5117279A (en) 1990-03-23 1992-05-26 Motorola, Inc. Semiconductor device having a low temperature uv-cured epoxy seal
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5118584A (en) 1990-06-01 1992-06-02 Eastman Kodak Company Method of producing microbump circuits for flip chip mounting
US5205032A (en) * 1990-09-28 1993-04-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic parts mounting apparatus
JPH04152645A (ja) 1990-10-17 1992-05-26 Toshiba Corp ダイボンディング用コレット
RU1827726C (ru) * 1991-06-26 1993-07-15 Ленинградский научно-исследовательский радиотехнический институт Держатель дл светодиода
JPH0529364A (ja) 1991-07-17 1993-02-05 Sharp Corp 半導体素子のボンデイング方法及び装置
JP2662131B2 (ja) * 1991-12-26 1997-10-08 松下電器産業株式会社 ボンディング装置
US5909280A (en) * 1992-01-22 1999-06-01 Maxam, Inc. Method of monolithically fabricating a microspectrometer with integrated detector
US5265792A (en) 1992-08-20 1993-11-30 Hewlett-Packard Company Light source and technique for mounting light emitting diodes
TW253997B (zh) 1992-09-25 1995-08-11 Philips Electronics Nv
US5416342A (en) 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5438477A (en) 1993-08-12 1995-08-01 Lsi Logic Corporation Die-attach technique for flip-chip style mounting of semiconductor dies
US5338944A (en) 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
BE1007905A3 (nl) * 1993-12-23 1995-11-14 Wiele Michel Van De Nv Inrichting voor de inslagselektie op een weefmachine.
JP3054021B2 (ja) 1993-12-27 2000-06-19 株式会社東芝 化合物半導体装置
JPH07302858A (ja) 1994-04-28 1995-11-14 Toshiba Corp 半導体パッケージ
US5539153A (en) 1994-08-08 1996-07-23 Hewlett-Packard Company Method of bumping substrates by contained paste deposition
US5604135A (en) 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) * 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US5694482A (en) 1994-11-08 1997-12-02 Universal Instruments Corporation System and method for locating solder bumps on semiconductor chips or chip carriers
DE69632969T2 (de) 1995-03-20 2005-07-28 Unitive International Ltd. Verfahren zum Bilden von Loterhebungen und Loterhebungsstruktur
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
DE19548046C2 (de) 1995-12-21 1998-01-15 Siemens Matsushita Components Verfahren zur Herstellung von für eine Flip-Chip-Montage geeigneten Kontakten von elektrischen Bauelementen
US6224690B1 (en) 1995-12-22 2001-05-01 International Business Machines Corporation Flip-Chip interconnections using lead-free solders
US5760479A (en) 1996-02-29 1998-06-02 Texas Instruments Incorporated Flip-chip die attachment for a high temperature die to substrate bond
JPH1012929A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードの実装構造
JP3747577B2 (ja) * 1997-07-10 2006-02-22 富士通株式会社 デバイスのレイアウト設計法
EP0898345A3 (en) * 1997-08-13 2004-01-02 Mitsubishi Chemical Corporation Compound semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US5926726A (en) * 1997-09-12 1999-07-20 Sdl, Inc. In-situ acceptor activation in group III-v nitride compound semiconductors
US6201262B1 (en) 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
US6189772B1 (en) 1998-08-31 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Method of forming a solder ball
US6169294B1 (en) * 1998-09-08 2001-01-02 Epistar Co. Inverted light emitting diode
US6146984A (en) 1999-10-08 2000-11-14 Agilent Technologies Inc. Method and structure for uniform height solder bumps on a semiconductor wafer
US6214733B1 (en) 1999-11-17 2001-04-10 Elo Technologies, Inc. Process for lift off and handling of thin film materials
US6213789B1 (en) 1999-12-15 2001-04-10 Xerox Corporation Method and apparatus for interconnecting devices using an adhesive
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US6794684B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-21 Cree, Inc. Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
JP4649745B2 (ja) * 2001-02-01 2011-03-16 ソニー株式会社 発光素子の転写方法
US6740906B2 (en) * 2001-07-23 2004-05-25 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for submount bonding
US6888167B2 (en) * 2001-07-23 2005-05-03 Cree, Inc. Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding
US6747298B2 (en) * 2001-07-23 2004-06-08 Cree, Inc. Collets for bonding of light emitting diodes having shaped substrates

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601580A (zh) * 2015-10-19 2017-04-26 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 进气机构及反应腔室
CN106601580B (zh) * 2015-10-19 2018-08-24 北京北方华创微电子装备有限公司 进气机构及反应腔室
CN106141963A (zh) * 2016-08-08 2016-11-23 上海大学 一种用于激光准直透镜夹取的机械夹爪

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040029382A (ko) 2004-04-06
EP1410426A2 (en) 2004-04-21
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