CN1606180A - 基板接合体及其制法、电光学装置的制法、及电光学装置 - Google Patents

基板接合体及其制法、电光学装置的制法、及电光学装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能抑制基板发生翘曲，并能使基板间保持恒定间隙距离，同时能均匀填充密封树脂，并能防止残余应力引发各种元件破坏的基板接合体制造方法，基板接合体、电光学装置的制造方法，及电光学装置，其特征在于，在将具有第1功能元件(13)的第1基板(3)和具有第2功能元件(25、21)的第2基板(4)贴合在一起制造基板接合体(2)的方法中，上述第1基板(3)形成第1功能元件(13)一侧，或上述第2基板(4)形成第2功能元件(25、21)一侧，至少一方上形成保护层(30)。

Description

基板接合体及其制法、电光学装置的制法、及电光学装置
技术领域
本发明是关于基板接合体的制造方法、基板接合体、电光学装置的制造方法、及电光学装置。
背景技术
近年来，在将2种不同基板贴合在一起的基板接合体制造方法中，例如有通过将形成了有机电致发光(以下称EL)元件等发光功能元件的电光学基板，与形成使该发光功能元件发光的驱动元件的驱动电路基板贴合在一起，制造电光学装置的方法(参见专利文献1)。
在这种基板接合体的制造方法中，在分别制造电光学基板和驱动电路基板时，是将两种基板贴合在一起制造电光学装置，关于驱动电路基板，在形成或转印薄膜晶体管(以下称TFT)等驱动元件后，只需极少的工序就可完成，可大幅度降低因制造工序而损伤驱动元件的危险性。由于电光学基板和驱动电路基板以不同的工序制造，所以提高了产品的合格率。根据情况，也可以采用将电光学基板和驱动电路基板在各个工厂或不同的企业中分别制造，最后将两种基板贴合在一起的制造方法，就降低制造成本讲，这是极为有益的方法。另外，以较低的设备投资，就能制造大幅画面的电光学装置。
【专利文献1】特开2002-082633号公报
然而，在上述制造方法中，是通过银糊等导电性材料，使发光功能元件和驱动元件形成导通接合，从外周将密封树脂填充在电光学基板和驱动电路基板之间。因此，这种方法存在的问题是，当两个基板中的任何一个发生翘曲时，银糊都会发生变形，所以基板间的间隙很难保持恒定。而密封树脂存在的问题是，气体阻挡性高的树脂，一般粘度也高，从外周很难向基板间填充，进而，由于高分子材料填充后的残留应力，和固化时局部收缩量的差异等，发光功能元件和驱动元件很容易产生剥离。
发明内容
本发明就是鉴于上述课题而形成的创造方案，所以其目的是提供一种能抑制基板翘曲发生，并能使基板间保持恒定间隙，同时又能均匀填充密封树脂，还能防止残留应力破坏各种元件的基板接合体制造方法，基板接合体、电光学装置的制造方法，及电光学装置。
为了达到上述目的，本发明采用了如下的构成。
本发明的基板接合体的制造方法，是将具有第1功能元件的第1基板和具有第2功能元件的第2基板进行贴合制造基板接合体的方法，其特征在于，在上述第1基板形成了第1功能元件一侧、或者在上述第2基板形成了第2功能元件一侧，至少一方上形成保持层。
此处所说的保持层是具有如下功能的保护层，即，可防止因贴合第1基板和第2基板时的贴合挤压力，和密封树脂材料的残留应力和收缩量差异等，引起第1和第2功能元件的剥离和破坏。该保护层也可设在第1功能元件形成面，和第2功能元件形成面的两面上。
根据如此构成，与背景技术中所示，通过导电性材料使第1功能元件和第2功能元件形成导通接合，从外周将密封树脂填充到第1基板和第2基板之间的情况相比较，本发明中，通过形成保护层，为将第1基板和第2基板贴合，能够向两个基板施加充分的挤压力，所以由此能防止基板发生翘曲，抑制导电性材料变形，并能使两个基板保持恒定的间隙距离。
另外，由于上述保护层的保护，使第1功能元件和第2功能元件的主要部分不与密封树脂接触，所以能防止第1功能元件或第2功能元件不发生剥离和破坏。
而且，上述基板接合体的制造方法中，是将上述保护层形成平面化的表面作为特征。
根据如此构成，通过对保护层表面实施平面化，在将第1基板和第二基板贴合时，可准确地使两个基板保持恒定距离和间隙。
因此，可以进一步促进上述效果。
上述基板接合体的制造方法中，其其特征在于，进而具备如下工序：即，对上述保护层，在与上述第1功能元件和第2功能元件形成导通的端子部相对应的位置上形成开口部的工序；和在上述端子部上，为使第1功能元件和第2功能元件通过该开口部进行导通连接，形成导通部的工序。
根据如此构成，在由保护层只覆盖第1功能元件和第2功能元件的主要部分的状态下，可在与上述端子部相对应的位置上形成开口部。进而，只在该端子部上形成将第1功能元件和第2功能元件进行导通连接的导通部。
因此，不会损害形成上述保护层产生的效果，并能将第1功能元件和第2功能元件形成导通连接。
另外，上述基板接合体的制造方法中，其特征在于，通过形成上述开口部图案的掩模，对上述保护层进行曝光，在该保护层上形成上述开口部。
根据如此构成，预先对掩模形成所要求的图案，通过该掩模对保护层进行曝光，所以根据该图案可有选择地形成照射UV光的部位和不照射UV光的部位。
因此，作为保护层可以使用UV光产生光反应性的树脂，例如，光固化性树脂材料、和可除去光照射部位的树脂材料。
另外，上述基板接合体的制造方法中，其特征在于，通过将形成了开口部图案的型体挤压在上述保护层上，在该保护层上形成上述开口部。
此处所说的型体是为将规定形状转印在保护层上而形成的型体，具体是为形成开口部，至少形成凸部分的型体。
根据如此构成，通过将型体挤压在保护层上，相当于开口部的凸部从保护层表面达到保护层底面，这样，将型体从保护层中拔出后，可将凸部的形状转印在保护层上。由此，在保护层上形成开口部。
进而，若在型体的凹部形成为使保护层表面形成平面化的面。即使保护层表面的平面性较差，通过挤压上述具有凸部和凹部的型体，如上述地凸部形成开口部，进而通过凹部与保护层表面接触而进行平面化。可与形成开口部同时使保护层平面化，所以可省去使保护层表面平面化的工序。因此，由于工序简单、所以能获得制造成本的降低。
另外，上述基板接合体的制造方法中，其特征在于，通过使用电镀法，在上述开口部上形成上述导通部。
在此，电镀法具有微米级的对微小区域形成凸出，缩短生产节拍，和获得高均匀性等优点。进而，在这种电镀法中，最好采用无电解镀法，不需要基底电极和光刻蚀工序，从而达到低成本化和缩短生产周期。
根据如此构成，可在上述端子部上生长电镀层，形成导通部。
上述基板接合体的制造方法中，其特征在于，通过在上述开口部内设置银糊，形成上述导通部。
根据如此构成，由于开口部内装有银糊，所以将第1基板和第2基板贴合时，受挤压力，银糊不发生变形，可以形成导通部。
另外，上述基板接合体的制造方法中，其特征在于，通过在上述开口部内配置导电性粒子，形成上述导通部。
此处所说的导电性粒子，最好是在聚苯乙烯等树脂材料球体表面上蒸镀上金等导电性材料的粒子。
根据如此构成，在将第1基板和第2基板贴合时，受挤压力，树脂材料球体会崩溃，该树脂材料球体的表面金属将第1功能元件和第2功能元件形成导通。因此，可形成良好的导通部。
上述基板接合体的制造方法中，其特征在于，通过在上述开口部内设置焊锡，形成导通部。
根据如此构成，开口部内的焊锡将第1功能元件和第2功能元件形成导通。因此，可以形成良好的导通部。
另外，上述基板接合体的制造方法中，其特征在于，还具备在上述保护层上形成密封层，密封上述第1基板和第2基板的工序。
此处所说的密封层是具有将第1基板和第2基板接合，以粘接层发挥功能的层。
根据如此构成，在发挥上述效果的同时，由于在保护层上形成密封层，所以能准确地将第1基板和第2基板进行粘接和密封。
另外，上述基板接合体的制造方法中，其特征在于，上述密封层内含有各向异性的导电性糊或各向异性的导电性膜。
根据如此构成，在起到上述效果的同时，导通部与第1功能元件和第2功能元件确实能获得电连接。
本发明的基板接合体，其特征在于，在将具有第1功能元件的第1基板和具有第2功能元件的第2基板贴合在一起的基板接合体中，在上述第1基板和第2基板之间形成保护层和密封层。
根据如此构成，如背景技术所示，通过导电性材料将第1功能元件和第2功能元件形成导通接合，从外周向第1基板和第2基板之间填充密封树脂的情况比较，本发明中，由于形成保护层，为了将第1基板和第2基板贴合，可向两个基板上施加充分的挤压力，因此，能防止基板发生翘曲，抑制导电性材料变形，并能使两个基板保持恒定的间隙距离。
另外，由于该保护层的保护，第1功能元件或第2功能元件的主要部分不与密封树脂接触，所以能防止第1功能元件和第2功能元件发生剥离和破坏。
本发明的电光学装置制造方法，是通过将具备多个发光功能元件的电光学基板，和具备在与上述多个发光功能元件分别对应位置上设置多个驱动元件的驱动电路基板贴合在一起制造电光学装置的方法，其特征在于，在上述电光学基板的形成了发光功能元件的一侧，或上述电路基板的形成了驱动元件一侧的任何一方，形成保护层。
根据如此构成，与背景技术中所示的，通过导电性材料将发光功能元件和驱动元件形成导通接合，从外周向电光学基板和驱动电路基板之间填充密封树脂的情况比较，本发明中，通过形成保护层，为将电光学基板和驱动电路基板贴合在一起，可向两个基板施加充分的挤压力，由此，可防止基板发生翘曲，抑制导电性材料变形，并能使两个基板保持恒定的间隙距离。
由于该保护层的保护，发光功能元件或驱动元件的主要部分与密封树脂不接触，所以能防止发光功能元件或驱动元件发生剥离和破坏。
另外，尤其是电光学装置为有机EL装置时，有机EL元件(发光功能元件)具有与水分或氧接触而恶化的性质，所以保护层可以保护有机EL元件免受水分和氧的影响。因此，可以抑制有机EL元件劣化，并能提供寿命很长的电光学装置。
本发明的电光学装置，其特征在于，在将具有多个发光功能元件的电光学基板，和具有在与上述多个发光功能元件分别对应的位置设置驱动元件的驱动电路基板相贴合的电光学装置中，在上述电光学基板和驱动电路基板之间形成保护层和密封层。
根据如此构成，与背景技术所示的，通过导电性材料将发光功能元件和驱动元件形成导通接合，从外周向电光学基板和驱动电路基板之间填充密封树脂的情况比较，本发明中，由于形成保护层，为了将电光学基板和驱动电路基板贴合，可向两个基板上施加充分的挤压力，由此，可防止基板发生翘曲，抑制导电性材料变形，并能使两个基板保持恒定的间隙和距离。
另外，由该保护层的保护，发光功能元件或驱动元件的主要部分不会与密封树脂接触，所以能防止发光功能元件或驱动元件发生剥离或破坏。
电光学装置为有机EL装置时，由于有机EL元件(发光功能元件)具有与水分或氧接触而产生劣化的性质，所以保护层可保护有机EL元件免受水分和氧的影响。因此，能抑制有机EL元件劣化，并能提供长寿命的电光学装置。
附图说明
图1是表示本发明电光学装置的第1种实施方式的主要部分构成的剖面图。
图2是为了说明本发明电光学装置的第1种实施方式的制造工序的说明图。
图3是为了说明本发明电光学装置的第1种实施方式的制造工序的说明图。
图4是为了说明本发明电光学装置的第1种实施方式的制造工序的说明图。
图5是为了说明本发明电光学装置的第1种实施方式的制造工序的说明图。
图6是为了说明本发明电光学装置的第1种实施方式的制造工序的说明图。
图7是为了说明本发明电光学装置的第1种实施方式的制造工序的说明图。
图8是为了说明本发明电光学装置的第1种实施方式的制造工序的说明图。
图9是为了说明本发明电光学装置的第1种实施方式的制造工序的说明图。
图10是为了说明本发明电光学装置的第1种实施方式的制造工序的说明图。
图11是为了说明本发明电光学装置的第1种实施方式的制造工序的说明图。
图12是表示本发明电光学装置的第2种实施方式的主要部分构成剖面图。
图13是为了说明本发明的形成通孔方法的另一种方式的放大图。
图14是为了说明本发明将配线基板与有机EL基板接合方法的放大图。
图中，1-有机EL装置(电光学装置)，2-基板接合体，3-配线基板，(第1基板，驱动电路基板)，4-有机EL基板(第2基板，电光学基板)，13-TFT(第1功能元件，驱动元件)，15-有机EL连接部(端子部)，30-保护层，30a-通孔(开口部)，31-密封层，32-凸出(导通部)，34-导电性糊，50-型体，103-导电性粒子(导通部)
具体实施方式
以下参照图1～图12，对本发明的基板接合体的制造方法、基板接合体、电光学装置的制造方法、及电光学装置进行说明。
图1示出了第1种有机EL装置的实施方式的主要构成的剖面图，图2～图11是为了说明有机EL装置的制造工序的说明图。图12是第2种有机EL装置实施方式的主要构成的剖面图。
以下说明中使用的各个附图，为了可识别各个部件，对各部件的缩小尺寸作了适当变更。
(有机EL装置的第1种实施方式)
如图1所示，有机EL装置(电光学装置)1，其构成至少具有基板接合体2。该基板接合体2，利用下述的贴合工序和转印工序，将配线基板(第1基板、驱动电路基板)3和有机EL基板(第2基板、电光学基板)4进行接合构成，配线基板3和有机EL基板4之间夹持功能层5。
配线基板3由以下部分构成，即，基板10、在多层基板10上形成规定形状的配线图案11、驱动有机EL元件(发光功能元件)21的驱动TFT(驱动元件)13、将TFT13和配线图案11进行接合的TFT连接部分14、将有机EL元件21和配线图案11进行接合的有机EL连接部分(端子部)15、和层间绝缘膜16。
在此，TFT连接部分14可根据TFT的端子图案形成，是由无电解镀处理形成的凸出，和在该凸出上涂布形成的导电性糊所形成。导电性糊17含有各向异性导电粒子(ACP)。
有机EL基板4，由透过发光光的透明基板20、有机EL元件21、绝缘膜22、和阴极25所构成。
在此，有机EL元件21，具有由ITO等透明金属形成的阳极、空穴注入/输送层、和有机EL元件，阳极产生的空穴和阴极产生的电子在有机EL元件中进行结合，形成发光。这种有机EL元件的详细构造，可采用公知技术。也可在有机EL元件和阴极25之间形成电子注入/输送层。
进而，本发明的最大的特征在于，在配线基板3和有机EL基板4之间设置功能层5。功能层5，由设在配线基板3侧的保护层30、将配线3和有机EL基板4进行粘接和密封的密封层31、在部分保护层30、在部分保护层30上设置的通孔(开口部)30a内形成的凸出(导通部)32、和为将有机EL连接部分15和阴极25形成导通连接，设在凸出32上的导电性糊34所构成。该导电性糊34含有各向异性导电粒子(ACP)。
另外，本实施方式中，作为电光学基板，虽然对采用具有有机EL元件的有机EL基板进行了说明。但不限于此，也可以采用具有LED和FED等固体发光功能元件，或者具备发光能的多孔状硅元件的电光学基板。
(有机EL装置的制造方法)
以下参照图2～图11对图1所示有机EL装置1的制造方法进行说明。
(基础基板的制造方法)
首先，参照图2，作为将TFT13贴合和转印在配线基板3上的前工序，对在基础基板40上形成TFT的工序进行说明。
TFT13的制造方法，由于采用包括高温工艺在内的公知技术，所以说明省略，只对基础基板40和剥离层41作详细的说明。
基础基板40不是有机EL装置1的构成要素，只是TFT制造工序、和贴合及转印工序中使用的部件。具体讲，最好是耐1000℃高温的石英玻璃等透光性耐热基板。而且，除石英玻璃外，还能使用钠玻璃、康宁7059、日本电气玻璃OA-2等耐热性玻璃。
该基础基板的厚度，虽然没有太大限制，但最好为0.1mm～0.5mm，更好为0.5～1.5mm。基础基板的厚度过薄时，导致强度降低，过厚时，基台透过率很低的情况下，导致照射光衰减。基台的照射光透过率很高时，超过上述上限值，也可加厚其厚度。
剥离层41是由在该层内或界面处，受激光等照射光照射产生剥离(也称作“层内剥离”或“界面剥离”)的材料形成。即，通过照射一定强度的光，使构成该物质的原子或分子之间的原子间或分子间结合力消失或减小，产生消融(ablation)等，引起剥离。有以下2种情况，即，通过照射光的照射，剥离层41中所含的成分变成气体释放出，导致分离的情况，和剥离层41吸收光变成气体，其蒸气释放出而导致分离的情况。
作为剥离层41的组成，例如，采用非晶质硅(a-Si)，该非晶质硅中也可以含有氢(H)。含有氢时，由于光照射，氢释放出，在剥离层2内产生内压，以加速其剥离，所以为理想。这时的氢含量，最好在2at％以上，更好为2～20at％。氢的含量，可根据成膜条件进行调整，例如，在使用CVD法时，可适当设定其气体组成、气体压力、气体气氛、气体流量、气体温度、基板温度、投入的电功率等条件。作为其他的剥离层材料，有氧化硅、硅酸化合物、氮化硅、氮化铝、氮化钛等氮化陶瓷、有机高分子材料(受光照射，可切断它们的原子间结合的)、金属、例如，Al、Li、Ti、Mn、In、Sn、Y、La、Ce、Nd、Pr、Gd或Sm、或含有它们中的至少一种的合金。
作为剥离层41的厚度，最好为1nm～20μm左右，更好为10nm～2μm左右，20～1μm左右尤其好。剥离层41的厚度过薄时，形成的膜厚会失去均匀性，难以产生剥离，剥离层41的厚度过厚时，剥离所需要的照射光能量(光量)必须增大，同时，剥离后，需要很长时间去除剥离层41的残渣。
剥离层41的形成方法，只要是能形成均匀厚度的剥离层41就可以，可根据剥离层2的组成和厚度等各条件适当选择方法。例如，可以使用CVD(包括MOCCVD、低压CVD、ECR-CVD)法、蒸镀、分子线蒸镀(MB)、溅射法、离子掺杂法、PVD法等各种气相成膜法、电镀、浸渍镀(浸渍)、无电解镀法等各种镀法、Langmuir-Blodgett(LB)法、旋转涂布法、喷雾涂布法、辊子涂布法等涂布法、各种印刷法、转印法、喷墨法、喷粉末法等。这些中也可以2种以上方法进行组合。
尤其是剥离层2的组成为非晶质硅(a-Si)时，最好利用CVD法、更好利用低压CVD和等离子体CVD法成膜。使用陶瓷，以溶胶-凝胶(Sol-gel)法形成剥离层2时，和用有机高分子材料构成时，最好用涂布法，更好用旋转涂布法成膜。
(配线基板的制造方法)
接着，与图2所示的基础基板40制造工序同时进行，进行图3所示的配线基板3制造工序。
如图2所示，在基板10上依次形成配线图案11、层间绝缘膜16、TFT连接部分14、和有机EL连接部分15。作为配线图案的形成方法，可以采用光刻法等公知技术。另外，也可以使用液滴喷射法(喷墨法)，将溶剂中分散了金属微粒子的分散液喷涂在基板10上。作为构成这种配线图案11的材料，最好采用低电阻材料，更好使用Al和Al合金(Al·Cu合金等)。
在基板10的表面上，作为基底绝缘膜，形成氧化硅膜(SiO2)等。图3中，虽然只对形成1层配线图案的构成进行了说明，但也可以是2层或3层构造。配线材料并不只限于Al和Al合金，也可是利用Ti和Ti化合物将Al等低电阻金属形成叠层的多层构造。根据如此构成，可提高对Al配线的阻挡性和耐小丘(hillock)性。
接着，在配线图案11上形成树脂绝缘膜16。该树脂绝缘膜16最好用丙烯树脂形成，利用旋转涂布法等液相法，可以形成高精度平面性的层间绝缘膜。进而，利用通过掩模曝光和光刻法，在层间绝缘膜16上形成TFT连接部分14和有机EL连接部分15的开口部。
接着，利用无电解镀法形成TFT连接部分14。该TFT连接部分14是所谓的凸出。
首先，为了生长镀膜，提高使开始生长(bud)表面的润湿性，和为了除去残留物，在含有氟酸和硫酸的水溶液中浸渍。之后，在加热的含有氢氧化钠的碱性水溶液中浸渍，除去表面的氧化膜。之后，在含有ZnO的锌酸盐液中浸渍，将使开始生长表面置换成Zn。随后，在硝酸水溶液中浸渍，剥离掉Zn，再次在锌酸盐液中浸渍，在Al表面上析出致密的Zn粒子。随后，在无电解Ni镀液中浸渍，形成Ni镀层。镀层高度，析出到2～10μm左右。此外的镀液，由于是将次亚磷酸作为还原剂的液，所以共析出磷(P)。最后在置换Au镀液中浸渍，将Ni表面形成Au，Au的厚度形成为0.05～0.3μm左右。使用无氰型Au镀液进行浸渍。
这样，在使开始生长上形成Ni-Au凸出(TFT连接部分14)。在Ni-Au镀凸出上，也可以形成焊锡和无Pb焊锡的凸出，例如，以筛网印刷或浸渍等，形成Sn-Ag-Cu系等的焊锡凸出。
另外，在各化学处理之间进行水洗处理。水洗槽具有溢流构造或QDR机构，从最下面进行N2气鼓泡。鼓泡方法是在于特氟隆(注册商标)的管子上开出孔洞，排出N2气的方法，或通过烧结体等排出N2气的方法。通过以上工序，可以在短时间内进行充分有效的清洗。
接着，形成有机EL连接部分15。此时可使用公知的成膜方法。例如，使用气相法时，可使用半导体制造工序中使用的各种方法，例如有CVD法、溅射法、蒸镀法、离子镀法等。
另外，也可使用液相法形成有机EL连接部分15。这时，将金属微粒子和溶剂的混合分散液用作材料液体。作为具体的液相法，有旋转涂布法、缝隙涂布法、浸渍涂布法、喷雾法、辊子涂布法、幕布涂布法、印刷法、液滴喷射法等。
经过这一连串的工序，配线基板3的制造工序结束。
(TFT的转印工序)
接着参照图4～图6，将上述配线基板3和基础基板40贴合在一起，对于将TFT13转印在配线基板3上的方法进行说明。
在此，作为转印工序，可采用公知的技术，但本实施方式中，采用SUFTLA(Surface Free Technology by Laser Ablation)(注册商标)进行。
如图4所示，将基础基板40反转，在TFT13和TFT连接部分14之间涂布含有各向异性导电粒子(ACP)的导电性糊17，将基础基板40与配线基板3贴合在一起。
接着，如图5所示，从基础基板40的背面侧(TFT非形成面)，只涂布导电性糊17的局部部分照射激光LA。这样一来，由于剥离层41的原子和分子结合很弱，剥离层41内的氢形成为分子，从结晶的键中分离出来，即，TFT13和基础基板40完全失去结合力，照射激光光LA部分的TFT很容易取出。
如图6所示，通过将基础基板40和配线基板3引导分离，从基础基板40上除去TFT，同时，将TFT13转印到配线基板3上。TFT13的端子通过上述TFT连接部分14和导电性糊17与配线图案11连接。
(功能层的形成工序)
以下参照图7～图10，对功能层5的形成方法进行说明。
上述的功能层5，通过依次形成保护层30、在保护层30上形成的通孔30a、凸出32、和含有导电性糊34的密封层31所形成。
首先，如图7所示，在配线基板3上形成完全覆盖TFT13和有机EL连接部分15的保护层30。
作为保护层30的材料，最好采用环氧树脂、和丙烯树脂等各种树脂材料，本实施方式中采用了感光性丙烯树脂。通过采用这种感光性的丙烯树脂，由于能够很容易地利用下述UV曝光形成通孔30a，所以极其理想。
另外，这种保护层30，也可以用上述气相法形成无机化合物材料。
形成保护层30后，通过从保护层30的上方压付平板，对保护层30表面实施平面化。此时压付的挤压力最好以不破坏TFT13为限。使辊子在保护层30上转动，也可以对保护层30实施平面化。
接着在真空气氛中，在保护层30上涂布离型剂，同时，贴付上具有通孔30a图案的掩模。进而在此状态下实施加热处理(烘烤)，使丙烯树脂形成临时固化。
在形成掩模的状态下进行UV曝光，之后剥离掉掩模，进行显像，如图8所示，在保护层30上形成通孔30a。
以下如图9所示，形成凸出32。
本实施方式的凸出32，利用无电解镀法形成。该凸出32利用在先所述的无电解镀法，以TFT连接部分14制造工序相同的工序形成。
另外，除了无电解镀法之外，还有将银糊涂布在通孔30a内的方法。该方法中，由于通孔30a内装有银糊，所以在下述的将配线基板3与电光学基板4贴合时，银糊不会发生变形，并能形成凸出32。
而且，除了涂布银糊的方法外，还可以使用在通孔30a内设置焊锡的方法，这种情况下也能使配线基板3和电光学基板4形成良好的导通。
接着，如图10所示，形成含有导电性糊34的密封层31。
这样通过使密封层31中含有导电性糊34，在实施下述的将配线基板3和电光学基板4贴合的工序时，通过导电性糊34中所含的导电性粒子，使凸出32与阴极25形成导电性接触。
密封层31是用气体阻挡性很高的材料形成的，为使配线基板3与电光学基板4形成牢固接合，所以在该密封层31内含有粘接剂。
另外，也可以在密封层31内设置导电性膜，以取代导电性糊34。
(配线基板与有机EL基板的贴合工序)
参照图11，将上述的配线基板3与有机EL基板4贴合在一起，对最终形成图1所示有机EL装置1的工序进行说明。
图11中所示的有机EL基板4是在透明基板20上，依次形成有机EL元件21、绝缘膜22、和阴极25后，进行上下反转的。
在与有机EL基板4相对向的位置上配置上述的配线基板3，贴合后，对两基板进行挤压。这样一来，阴极25与凸出32，通过导电性糊的导电性粒子形成导电性接触。
进而，利用密封层31中所含的粘接剂，使配线基板3与有机EL基板4形成牢固接合。
尤其是，本实施方式中，由于形成设有保护层30的构成，所以不会因实施贴合工序而使TFT13产生剥离和破坏。因此，为贴合，可施加充分的挤压力，也不会使配线基板3和有机EL基板4产生翘曲。
另外，因为配线基板3和有机EL基板4是通过密封层31形成接合，所以能抑制水分和氧浸入有机EL元件21中。
如图11所示，将两个基板贴合后，通过用密封剂等对基板的周边进行密封，至此制成图1所示的有机EL装置1。
该有机EL装置1形成为：从有机EL基板4中的配线基板3一侧，依次配置阴极25、有机EL元件、空穴注入/输送层、阳极的，从透明基板20一侧射出发光的顶部发射型有机EL装置。
如上述，在有机EL装置1的制造方法中，通过形成保护层30，为将配线基板3和有机EL基板4贴合在一起，能够向两个基板施加充分的挤压力，由此，可防止基板发生翘曲，抑制凸出32变形，并能使两个基板保持恒定的间隙距离。
由该保护层30的保护，TFT13的主要部分不会与密封层31形成接触，从而能防止TFT13产生剥离和破坏。
因此，与背景技术所示，通过导电性材料使发光功能元件和驱动元件形成导通接合，从外周向电光学基板和驱动电路基板之间填充密封树脂的情况进行比较，确实能解决上述背景技术中存在的问题。
另外，由于保护层30表面实施了平面化，所以在将配线基板3与有机EL基板4贴合时，能使两基板之间的间隙保持恒定的距离。因此进一步促进了上述效果。
对于保护层30，在由保护层只覆盖TFT13的状态下，可在与有机EL连接部分15相对应的位置上形成通孔30a。进而只在有机EL连接部分15上，能形成使TFT13和阴极25及有机EL元件21形成导通连接的凸出32。
因此，不会损害形成上述保护层32产生的效果，并能使TFT13和阴极25及有机EL元件21形成导通连接。
另外，由于通过形成通孔30a图案的掩模，向保护层30进行曝光，所以能根据所要求的图案有选择性地形成照射UV光的部位和未照射UV光的部位。
因此，可将对UV光有光反应性的树脂，例如，光固化性树脂材料，和能除去光照射部位的树脂材料，用作保护层30。
在通孔30a内形成的凸出32，由电镀法形成，尤其是利用电解镀法形成，所以能对微小区域形成微米级的凸出，缩短了生产节拍，并能获得很高的均匀性。不需要基底电极和光刻工序，并能达到低成本化，和缩短生产周期。
由于在保护层30上形成密封层31，密封住配线基板3和有机EL基板4，所以确实能将该配线基板3和有机EL基板4形成接合和密封。
由于密封层31内含有导电性糊34，所以能发挥上述效果，同时也确实能获得凸出32与TFT13或有机EL元件21形成电连接。
(有机EL装置的第2种实施方式)
以下参照图12，对有机EL装置的第2种实施方式进行说明。
对与上述实施方式相同的部件付与相同的符号，以简化说明。
本实施方式中，如图12所示，其构成在有机EL基板4上设有保护膜30、通孔30a、和凸出32。即，分别在配线基板3和有机EL基板4中，两个基板相对向侧的面(第1和第2功能元件形成面)上形成保护层30。
如图12所示，有机EL装置1’，其构成具有功能层5’，以取代上述实施方式中的功能层5。
功能层5的构成，具有在配线基板3侧设置的保护层30、对配线基板3和有机EL基板4进行接合和密封的密封层31和在设在部分保护层30上的通孔30a(开口部)内形成的凸出(导通部)32。同时还具有在有机EL基板4侧设置的保护层30’，和在部分保护层30’上设置的通孔(开口部)30a’内形成的凸出(导通部)32’。
这样，通过密封层31内所含的导电性粒子，凸出32，32’形成电接触。
根据如此构成，分别在配线基板3和有机EL基板4中，由于TFT13、阴极25，和有机EL元件21被保护层30，30’所被覆，所以在将配线基板3和有机EL基板4贴合的工序中，TFT13、阴极25、和有机EL元件21不会被剥离和破坏。
因此，可发挥上述实施方式的效果，同时，确实能保护阴极25和有机EL元件21。
(通孔形成方法的另一种形态)
上述实施方式中，通过在由感光性丙烯树脂形成的保护层30上配置掩模，通过该掩模进行曝光，形成通孔30a。
并不仅限于这种使用掩模的方法，也可以通过向保护层30挤压形成通孔30a图案的型体，在该保护层30上形成通孔30a。
此处，只对与实施方式不同的部分进行说明，省去相同工序和相同的构成的说明。
本实施方式中，使用图7所示的配线基板30，参照图13进行说明。
如图7所示，在配线基板3上由丙烯树脂和环氧树脂形成保护层30。作为使用的材料，没有必要使用感光性材料，最好采用适宜下述型压工序进行塑性变形的，粘度较低的树脂材料。
如图13所示，从保护层30的上方压付型体50。
此处所说的型体50，是指为向保护层30上转印规定的形状，形成的型具，具体讲，为形成通孔30a，形成凸部50a的型具。
根据如此构成，通过向保护层30上挤压型体50，使相当于通孔30a的凸部50a，从保护层30的表面达到保护层30的底面，之后，从保护层30内拔出型体50，可以将凸部的形状转印在保护层30上。由此，如图8所示，在保护层30上形成通孔30a。
因此，比上述实施方式中，利用图8所示通孔30a的形成方法，制造工序极其简单。
最好在凸部50a的侧面形成锥体状，以便型体50顺利拔出。
在卷绕在可转动辊子上的带子上安装型体50，伴随着辊子的转动，带子进行扫描，这样，一边使型体50以环状移动，而且，一边利用传送器等使配线基板3移动，一边使型体50对保护层30进行挤压，这种情况下，一边连续地移动型体50，一边使型体50挤压保护层30，所以能大批量生产配线基板3。
进而，为了使保护层30的表面平面化，可在型体50的凹部50b进行平面化，即使保护层30表面的平面性较差，通过挤压上述具有凸部50a和凹部50b的型体50，如上述，凸部50a形成通孔30a，进而，凹部50b与保护层30表面进行接触，进行平面化。即，在形成通孔30a的同时，也能使保护层30平面化，所以使保护层30表面平面化的工序可以省略，因此，由于工序简化，所以获得制造成本降低。
(配线基板与有机EL基板接合的其他方法)
上述实施方式中，是使用在通孔30a内形成凸出32的工序，制造电光学装置1，但本实施方式中，采用在通孔30a内配置导电性粒子的方法。
此外，只对与上述实施方式不同的部分进行说明，就相同的工序和相同的构成简化说明。
图14中示出了通孔30a附近的放大图，在通孔30a内配置多个导电性粒子103(导通部)，该导电性粒子103是由聚苯乙烯形成树脂球体100，并利用蒸镀在其表面上由金等形成导电膜101。导电性粒子103的直径大于保护膜30的厚度。
如上述实施方式中所述的，将配线基板3和有机EL基板4贴合在一起，通过牢固挤压，由聚苯乙烯形成的树脂球体100发生崩裂，导电膜101将有机EL连接部分15和阴极25形成电连接。
因此，通过在通孔30a内配置这种导电性微粒子103，可获得和上述
实施方式相同的效果。
进而，由于不使用无电解镀处理等复杂的工序，也能制造出电光学装置。

Claims (14)

1、一种基板接合体的制造方法，是将具备第1功能元件的第1基板和具备第2功能元件的第2基板进行贴合，制造基板接合体的方法，其特征在于，
在上述第1基板的形成了第1功能元件一侧、或在上述第2基板的形成了第2功能元件一侧，至少一方上形成保护层。
2、根据权利要求1所述的基板接合体制造方法，其特征在于，上述保护层的表面形成为平面状。
3、根据权利要求1或2所述的基板接合体制造方法，其特征在于，还具有如下工序，即，
对上述保护层，在与导通上述第1功能元件或第2功能元件的端子部相对应的位置上形成开口部的工序、和
为通过该开口部将上述第1功能元件和第2功能元件形成导通连接，在上述端子部上形成导通部的工序。
4、根据权利要求3所述的基板接合体制造方法，其特征在于，通过形成了开口部的图案的掩模，以对上述保护层进行曝光，在上述保护层上形成上述开口部。
5、根据权利要求3所述的基板接合体制造方法，其特征在于，通过向上述保护层上挤压形成了开口部图案的型体，在上述保护层上形成开口部。
6、根据权利要求3所述的基板接合体制造方法，其特征在于，通过使用电镀法，在上述开口部内形成上述导通部。
7、根据权利要求3所述的基板接合体制造方法，其特征在于，通过在上述开口部内设置银糊，形成上述导通部。
8、根据权利要求3所述的基板接合体制造方法，其特征在于，通过在上述开口部内配置导电性粒子，形成上述导通部。
9、根据权利要求3所述的基板接合体制造方法，其特征在于，通过在上述开口部设置焊锡，形成上述导通部。
10、根据权利要求1～9中任一项所述的基板接合体制造方法，其特征在于，还具备在上述保护层上形成密封层，将上述第1基板和第2基板进行密封的工序。
11、根据权利要求10所述的基板接合体制造方法，其特征在于，在上述密封层内含有各向异性导电性糊或各向异性导电性膜。
12、一种基板接合体，是将具备第1功能元件的第1基板与具备第2功能元件的第2基板贴合在一起的基板接合体，其特征在于，
在上述第1基板和第2基板之间形成有保护层和密封层。
13、一种电光学装置的制造方法，是将具备多个发光功能元件的电光学基板，和具备在上述多个发光功能元件分别对应的位置上设置多个驱动电路基板贴合在一起，制造电光学装置的方法，其特征在于，
在上述电光学基板形成发光功能元件一侧，或在上述电路基板形成上述驱动元件一侧的，至少一方上形成保护层。
14、一种电光学装置，是将具有多个发光功能元件的电光学基板、和具有与上述多个发光功能元件分别对应的位置上设置驱动元件的驱动电路基板贴合在一起的电光学装置，其特征在于，在上述电光学基板和上述驱动电路基板之间形成有保护层和密封层。
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