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Patentes

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Número de publicaciónCN1670965 A
Tipo de publicaciónSolicitud
Número de solicitudCN 200510055915
Fecha de publicación21 Sep 2005
Fecha de presentación18 Mar 2005
Fecha de prioridad18 Mar 2004
También publicado comoCN1670965B, DE102005009976A1, DE102005009976B4, US6921691, US7446379, US8390080, US20050205896, US20090026555
Número de publicación200510055915.3, CN 1670965 A, CN 1670965A, CN 200510055915, CN-A-1670965, CN1670965 A, CN1670965A, CN200510055915, CN200510055915.3
InventoresN·朝德哈伊, 李鸿祺
Solicitante因芬尼昂技术股份公司
Exportar citaBiBTeX, EndNote, RefMan
Enlaces externos:  SIPO, Espacenet
源极及漏极中聚含掺质金属的晶体管
CN 1670965 A
Descripción  disponible en chino
Reclamaciones(31)  disponible en chino
Citada por
Patente citante Fecha de presentación Fecha de publicación Solicitante Título
CN102214608A *9 Abr 201012 Oct 2011中国科学院微电子研究所一种半导体器件及其制造方法
CN102466806A *3 Nov 201023 May 2012中国科学院微电子研究所一种基于绝缘体上硅的pmos辐射剂量计
CN102997944A *7 Sep 201227 Mar 2013飞思卡尔半导体公司入射电容式传感器
CN102997944B *7 Sep 201223 Nov 2016飞思卡尔半导体公司入射电容式传感器
WO2011124061A1 *28 Sep 201013 Oct 2011Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences一种半导体器件及其制造方法
Clasificaciones
Clasificación internacionalH01L29/786, H01L21/28, H01L29/78, H01L29/51, H01L21/336, H01L29/76, H01L21/225, H01L21/8242
Clasificación cooperativaH01L29/51, H01L21/28194, H01L29/6659, H01L29/518, H01L29/66636, H01L29/6656, H01L29/513, H01L29/7833, H01L29/517, H01L21/2254
Clasificación europeaH01L29/66M6T6F11E, H01L29/66M6T6F11B3, H01L29/66M6T6F10, H01L21/28E2C2D, H01L29/51B2, H01L21/225A4, H01L29/78F
Eventos legales
FechaCódigoEventoDescripción
21 Sep 2005C06Publication
23 Nov 2005C10Request of examination as to substance
12 Ene 2011C14Granted