CN1741115A

CN1741115A - 显示装置、其驱动方法和电子器件

Info

Publication number: CN1741115A
Application number: CN200510092492.2A
Authority: CN
Inventors: 小山润; 山崎舜平
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2004-08-23
Filing date: 2005-08-23
Publication date: 2006-03-01
Anticipated expiration: 2025-08-23
Also published as: JP5288656B2; JP2012098742A; US8576147B2; US8194006B2; US20120306728A1; US20060038501A1; CN1741115B

Abstract

一种发光元件具有当环境温度改变时亮度也改变的性质。鉴于此，本发明提供了一种显示装置，其抑制了提供给发光元件的电流值由于温度改变而导致变化的影响。特别地，抑制了由于从源极信号线驱动电路产生的热量而引起像素部分中的温度梯度所导致的亮度差异。在显示装置中，该显示装置包括提供在行方向上的栅极信号线、提供在列方向上的源极信号线、和对应于栅极信号线和源极信号线在像素部分中排列成矩阵的发光元件，将一列监视元件提供在像素部分的旁边，将恒定电流提供给每行的监视元件，并将在用于每行像素的监视元件处产生的电压施加到相应行的发光元件上。

Description

显示装置、其驱动方法和电子器件

技术领域

本发明涉及一种提供有由晶体管控制将电流提供给负载的功能的半导体器件。更具体地，本发明涉及一种包括由其亮度根据电流而变的电流驱动型发光元件形成的像素的显示装置、其信号线驱动电路及其驱动方法。而且，本发明涉及一种在显示部分中包括显示装置的电子器件。

背景技术

近年来，像素由发光元件如发光二极管(LED)形成的所谓自发光型显示装置是引人注意的。作为用于这种自发光型显示装置的发光元件，有机发光二极管(OLED)、有机EL元件和电致发光(EL)元件是引人注意的，并适合用于有机EL显示器等。

由自身发光的发光元件如OLED是有利的，因为像素的可见度比液晶显示器高，不需要背后照明，且响应快。由提供给发光元件的电流值控制发光元件的亮度。因此，为精确地显示灰度级提出了其中将恒量的电流提供给发光元件的恒定电流驱动(参见专利文献1)。

[专利文献1]

日本专利特开No.2003-323159

发光元件具有阻抗(内阻抗)根据温度而变的性质。特别地，当温度变得高于正常温度时阻抗降低，而当温度变得低于正常温度时阻抗增加。因此，即使由恒定电压驱动施加恒定电压，当温度上升时，随着电流值增加获得了亮度比希望的高，且当温度下降时电流值降低。

由于发光元件的前述性质，所以当温度改变时其亮度也会改变。考虑到前述情况，本发明提供了一种显示装置，其抑制由于温度改变而引起的发光元件的亮度差异的影响。

发明内容

本发明的显示装置包括像素部分和电压源，像素部分包括其阻抗由于温度改变而改变的多个发光元件，电压源用于将电压提供给发光元件。在像素部分中存在温度梯度且在发光元件之中产生温度差的情况下，电压源具有用于将较低电压提供给高温度的发光元件和将较高的电压提供给低温度的发光元件上的单元。

而且，本发明的显示装置包括：第一信号线驱动电路，其将信号输出给提供在列方向上的多条第一信号线；第二信号线驱动电路，其将信号输出给提供在行方向上的多条第二信号线；和像素部分，其中对应于列方向的第一信号线和行方向的第二信号线将像素排列成矩阵。像素包括发光元件。显示装置还包括监视元件、电流源和放大器，该监视元件提供在用于每行像素的像素部分外围中的发光元件的旁边，电流源将电流提供给监视元件，放大器用于将与监视元件中产生的电压近似相同的电压施加到提供在监视元件旁边的发光元件上。

本发明的显示装置包括：第一信号线驱动电路，其将信号输出给提供在列方向上的多条第一信号线；第二信号线驱动电路，其将信号输出给提供在行方向上的多条第二信号线；和像素部分，其中对应于列方向的第一信号线和行方向的第二信号线将像素排列成矩阵。像素包括发光元件。显示装置还包括监视元件、电流源和放大器，该监视元件提供在用于像素部分外围中每行像素的发光元件的旁边，电流源将电流提供给监视元件，放大器用于将与监视元件的阳极的电位近似相同的电位输入到提供在监视元件旁边的发光元件的阳极上。

本发明的显示装置包括：第一信号线驱动电路，其将信号输出给提供在列方向上的多条第一信号线；第二信号线驱动电路，其将信号输出给提供在行方向上的多条第二信号线；和像素部分，其中对应于列方向的第一信号线和行方向的第二信号线将像素排列成矩阵。像素包括发光元件。显示装置还包括监视元件、电流源和放大器，该监视元件提供在用于像素部分外围中每行像素的发光元件的旁边，电流源将电流提供给提供在多行像素中的监视元件，放大器用于将与多个监视元件中的电压近似相同的电压施加到提供在多个监视元件旁边的多行发光元件上。在提供用于多行像素的多个监视元件当中，放大器施加电压到提供在多个发光元件旁边的多个监视元件平行地连接。

根据具有前述结构的本发明的显示装置，放大器是电压跟随器电路。

根据具有前述结构的本发明的显示装置，像素部分由具有多个颜色分量的像素形成，且为每个颜色分量提供监视元件和放大器。

根据具有前述结构的本发明的显示装置，监视元件和发光元件是EL元件。

根据具有前述结构的本发明的显示装置，监视元件和发光元件由相同的材料形成。

根据本发明的电子器件，将前述的显示装置提供在显示部分中。

本发明的主动式矩阵显示装置包括：源极信号线驱动电路，其将信号输出给提供在列方向上的多条源极信号线；栅极信号线驱动电路，其将信号输出给提供在行方向上的多条栅极信号线；和像素部分，其中对应于列方向的源极信号线和行方向的栅极信号线将像素排列成矩阵。像素包括发光元件和驱动发光元件的晶体管。主动式矩阵显示装置还包括监视元件、电流源和放大器，该监视元件提供在用于像素部分外围中每行像素的发光元件的旁边，电流源将电流提供给监视元件，放大器将与监视元件的阳极的电位近似相同的电位输入到其驱动提供在监视元件旁边的发光元件的晶体管的源极端上。

而且，本发明的主动式矩阵显示装置包括：源极信号线驱动电路，其将信号输出给提供在列方向上的多条源极信号线；栅极信号线驱动电路，其将信号输出给提供在行方向上的多条栅极信号线；和像素部分，其中对应于列方向的源极信号线和行方向的栅极信号线将像素排列成矩阵。像素包括发光元件和驱动发光元件的晶体管。主动式矩阵显示装置还包括监视元件、电流源和放大器，该监视元件提供在用于在下一个像素部分处的每行像素的发光元件的旁边，电流源将电流提供给提供在多行像素中的多个监视元件，放大器将与该一个监视元件(多个监视元件)的阳极的电位近似相同的电位输入到其驱动提供在监视元件外部的发光元件的晶体管的源极端上。在提供用于每行像素的多个监视元件当中，放大器施加电压到提供在多行发光元件旁边的多个监视元件平行地连接。

而且，根据具有前述结构的本发明的主动式矩阵显示装置，放大器是电压跟随器电路。

根据具有前述结构的本发明的主动式矩阵显示装置，像素部分由具有多个颜色分量的像素形成，且为每个颜色分量提供监视元件和放大器。

根据具有前述结构的本发明的主动式矩阵显示装置，监视元件和发光元件是EL元件。

根据具有前述结构的本发明的主动式矩阵显示装置，监视元件和发光元件由相同的材料形成。

根据本发明的电子器件，将前述的主动式矩阵显示装置提供在显示部分中。

本发明的被动式矩阵显示装置包括：列信号线驱动电路，其将信号输出给提供在列方向上的多条列信号线；行信号线驱动电路，其将信号输出给提供在行方向上的多条行信号线；和像素部分，其中对应于列方向的列信号线和行方向的行信号线将像素排列成矩阵。像素包括其中包含有机化合物的层夹在由一部分列信号线形成的第一电极和由一部分行信号线形成的第二电极之间的发光元件。被动式矩阵显示装置还包括监视元件、电流源和放大器，监视元件提供在用于像素部分外围中每个像素的发光元件的旁边，且在其中包含有机化合物的层夹在由一部分列信号线形成的第一电极和由一部分行信号线形成的第二电极之间，电流源将电流提供给监视元件，放大器将与监视元件的阳极的电位近似相同的电位输入到列信号线。

根据具有前述结构的本发明的被动式矩阵显示装置，放大器是电压跟随器电路。

根据具有前述结构的本发明的被动式矩阵显示装置，像素由具有多个颜色分量的像素形成，且为颜色分量的每个像素提供在像素部分的外围中提供的监视元件和放大器。

根据具有前述结构的本发明的被动式矩阵显示装置，监视元件和发光元件是EL元件。

根据具有前述结构的本发明的被动式矩阵显示装置，监视元件和发光元件由相同的材料形成。

根据本发明的电子器件，将具有前述结构的被动式矩阵显示装置提供在其显示部分中。

本发明的显示装置包括在第一基板上方的第一热耗散层、在第一热耗散层的上方具有其阻抗由于温度改变而改变的发光元件的像素部分、和提供在像素部分外围中的驱动电路。像素部分夹在第一基板和第二基板之间。

本发明的显示装置包括在第一基板上方的第一热耗散层、在第一热耗散层的上方具有其阻抗由于温度改变而改变的发光元件的像素部分、和由提供在像素部分外围中的薄膜晶体管形成的驱动电路。像素部分夹在第一基板和第二基板之间。

根据具有前述结构的本发明的显示装置，第一热耗散层具有10至300W/mK的导热率。

根据具有前述结构的本发明的显示装置，第一热耗散层包含氮化铝(AlN)或氧氮化铝。

根据具有前述结构的本发明的显示装置，第一热耗散层包含氧氮化铝(AlN_xO_y)。

根据具有前述结构的本发明的显示装置，氧氮化铝包含0.1至30原子％的氧(O)。

根据具有前述结构的本发明的显示装置，第二热耗散层形成在第二基板的外表面上方。

根据具有前述结构的本发明的显示装置，第二热耗散层是金属膜。

根据具有前述结构的本发明的显示装置，金属膜由包含铜的膜形成。

根据本发明的电子器件，具有前述结构的显示装置提供在显示部分中。

包括由其阻抗由于温度改变而改变的多个发光元件形成的像素部分的本发明显示装置的驱动方法是，当在像素部分中出现温度梯度时，将低电压施加到高温度的发光元件上，而将高电压施加到低温度的发光元件上。

本发明提供了具有发光元件的显示装置，发光元件的亮度差异由于温度改变而减小了。

附图说明

图1是示出本发明的主动式矩阵显示装置的图。

图2是示出本发明的主动式矩阵显示装置的具体结构实例的图。

图3是示出本发明的主动式矩阵显示装置的具体结构实例的图。

图4是示出本发明的主动式矩阵显示装置的图。

图5是示出本发明的主动式矩阵显示装置的具体结构实例的图。

图6是示出本发明的主动式矩阵显示装置的图。

图7是示出本发明的主动式矩阵显示装置的图。

图8是示出本发明的主动式矩阵显示装置的具体结构实例的图。

图9是示出本发明的被动式矩阵显示装置的图。

图10是示出本发明的被动式矩阵显示装置的具体结构实例的图。

图11是示出本发明的主动式矩阵显示装置的补偿功能的图。

图12是示出本发明的被动式矩阵显示装置的补偿功能的图。

图13是示出发光元件的V-I特性对温度的依赖性的图。

图14是示出发光元件的V-I特性随着时间变化的图。

图15A和15B是示出本发明的主动式矩阵显示装置的面板配置的图。

图16A和16B是示出本发明的主动式矩阵显示装置的面板配置的图。

图17A和17B是示出本发明的被动式矩阵显示装置的面板配置的图。

图18A和18B是示出本发明的被动式矩阵显示装置的面板配置的图。

图19是示出可以应用到本发明主动式矩阵显示装置上的发光元件的结构的图。

图20是示出可以应用到本发明主动式矩阵显示装置上的发光元件的结构的图。

图21是示出可以应用到本发明被动式矩阵显示装置上的发光元件的结构的图。

图22是示出可以应用到本发明被动式矩阵显示装置上的发光元件的结构的图。

图23是示出本发明的显示装置的基本原理图。

图24是示出在显示装置的像素部分中的温度梯度的图。

图25A和25B是可以应用到本发明的主动式矩阵显示装置上的像素结构的实例。

图26A至26H是具有可以应用本发明的显示装置的显示部分的电子器件的图。

具体实施方式

虽然将参考附图借助实施例模式全面地描述本发明，但要理解的是，各种改变和变形对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，除非这种改变和变形脱离了本发明的范围，否则它们都应当构建为包括于其中。

图23示出了本发明的显示装置的示意图。本发明的显示装置包括第一信号线驱动电路2301、第二信号线驱动电路2302和像素部分2303。在像素部分2303中将多个发光元件2307排列成矩阵。在此，发光元件2307具有阻抗随着温度上升而降低的特性。在这种显示装置中，第一信号线驱动电路2301在比第二信号线驱动电路2302更高的频率下工作。

在像素部分2303的外围中，提供了其中在列方向设置监视元件2035的监视元件组2306。即，在像素部分2303的发光元件2307的行方向上提供监视元件2305。而且，提供了将恒定电流提供给每个监视元件2305的基准电流源2304。

简要地描述了本发明的显示装置的工作原理。基准电流源2304将恒定电流提供给监视元件2305。即，进行恒定电流驱动。如由图23的箭头所示，将在监视元件2305中产生的电压施加到提供在监视元件2305的行方向上的多个发光元件上。即，对于发光元件2307进行恒定电压驱动。

以这种方式，可以将较高的电压施加到设置为离第一信号线驱动电路2301更远的发光元件2307上，第一信号线驱动电路2301由于高频工作而成为热源。换句话说，可以将较低的电压施加到设置为离第一信号线驱动电路2301更近的发光元件2307上。因此，会减小由于像素部分2303中的温度梯度而引起的亮度差异。

在此，图24示出了将共用电压提供给显示器中的发光元件的情况下显示装置的示意图。图24中所示的显示装置包括第一信号线驱动电路2401、第二信号线驱动电路2402和像素部分2403。在像素部分2403中将多个发光元件2404排列成矩阵。在此，发光元件2404具有阻抗随着温度上升而降低的特性。在这种显示装置中，第一信号线驱动电路2401在比第二信号线驱动电路2402更高的频率下工作。

在此，由于第一信号线驱动电路2401在高频下工作，产生了比第二信号线驱动电路2402更高的温度。然后，导致接近第一信号线驱动电路2401的像素部分2403中的部分成为高温，而发热效应在更远离第一信号线驱动电路2401的部分处变得更小。然后，还导致接近第一信号线驱动电路2401的像素部分中的发光元件2404成为高温，由此降低了阻抗。另一方面，在更远离第一信号线驱动电路2401的像素中，由于第一信号线驱动电路2401的发热效应小，阻抗不会改变很多。

此时，通过将共用电压施加到像素部分2403的发光元件2404上，在像素部分2303中的发光元件2404在第一信号线驱动电路2401附近变得更亮。即，亮度变得更高。

然而，根据本发明的显示装置，减小了这种显示差异。

要注意的是，在图23和24中第一信号线驱动电路2301和2401是热源，然而，本发明不局限于此。在FPC连接到显示装置的面板和模块的连接部分是热源的情况下，在距离作为热源的FPC连接部分更远处将较高的电压施加到发光元件上。

[实施例模式1]

在该实施例模式中，描述了将本发明应用到主动式矩阵显示装置上的情况。首先，参考图11描述了包括在本发明的显示装置中的温度和退化补偿电路(以下简称为补偿电路)的基本原理。

图11示意性地示出了主动式显示装置。显示装置包括栅极信号线驱动电路(也称为栅极驱动器)1107、源极信号线驱动电路(也称为源极驱动器)1108和像素部分1109。像素部分1109由多个像素1106形成，每个像素都包括驱动晶体管1104和发光元件1105。而且，显示装置包括基准电流源1101、监视元件1102和放大器1103。基准电流源1101将恒定电流提供给监视元件1102。即，监视元件1102由恒定电流驱动。因此，提供给监视元件1102的电流值一直不变。当外围温度(以下称为环境温度)在该状态下改变时，监视元件1102的阻抗改变。当监视元件1102的阻抗改变时，由于提供给监视元件1102的电流值是恒定的，所以在监视元件1102的相对电极之间的电位差改变。通过检测监视元件1102的相对电极之间的电位差，检测温度改变。更具体地，在保持其电位恒定的监视元件1102的电极处的电位，即图1中阴极1110的电位没有改变，由此检测了与电流源1101连接的电极，即图1中的阳极1111的电位改变。

在此，参考图13描述了监视元件1102的V-I特性对环境温度的依赖性。监视元件1102在室温(例如，25℃)、低温(例如，-20℃)和高温(例如，70℃)下的V-I特性分别由线1301、1302和1303表示。当从基准电流源1101提供给监视元件1102的电流值是I₀时，在正常温度下在监视元件处产生了电压V₀。在低温下产生了电压V₁，而在高温下产生了电压V₂。即，当在正常温度下将电流值I₀的电流提供给监视元件1102时，在监视元件1102处的电压降变为V₀，而在低温的监视元件处的电压降变为V₁，且在高温的监视元件处的电压降变为V₂。因此，通过当温度低时将电压V₁施加到发光元件1105上，而当温度高时将电压V₂施加到发光元件1105上，可以进行温度补偿。

图14是示出监视元件1102的V-I特性随着时间变化的图。线1401表示监视元件1102的初始特性，而线1402表示退化之后的特性。要注意的是，用相同的温度条件(常温)测量初始特性和退化之后的特性。当在初始特性的状态下将电流I₀提供给监视元件1102时，在监视元件1102处产生了电压V₀，而在退化之后在监视元件1102处生成了电压V₃。即，在将恒定电压施加到发光元件的情况下，电流值随着时间降低。换句话说，继续对其提供电流的发光元件的阻抗相比电流开始提供给发光元件的初始状态变高。因此，即使将恒定电压施加发光元件上，提供给发光元件的电流值也会随着时间降低。因此，通过将电压V₃施加到同样退化的发光元件1102上，会减小发光元件1105的明显退化。

因此，将考虑到这些温度改变和随着时间改变的数据而设置的电压施加到发光元件1105上。即，根据由温度改变和随着时间改变导致的发光元件1105的阻抗变化来设置电压值。以这种方式，抑制了由于温度改变和随着时间改变而引起的发光元件1105的亮度差异。

在此，每个发光元件1105的温度还依赖于像素1106设置在像素部分1109中的位置而不同。例如，通过发热使在高频工作的源极信号线驱动电路1108进入高温。因此，同样使设置在源极信号线驱动电路1108侧的像素1106中的发光元件1105进入高温。因此，在从设置为接近源极信号线驱动电路1108的发光元件1105到设置为远离源极信号线驱动电路1108的像素部分1109中出现了温度梯度。当将共用电压施加到形成像素部分1109的所有像素1106的发光元件1105上时，出现了亮度差异。即，更接近源极信号线驱动电路1108的发光元件1105的亮度变的更高，同时更远离源极信号线驱动电路1108的发光元件1105的亮度变得更低。

鉴于前述情形，根据本发明，将适合于像素部分中的像素排列的电压施加到发光元件上，用于减小由于由像素排列引起的发光元件的温度改变而引起的亮度差异。更优选地，在包括设置成对应于提供在列方向上的多条源极信号线和提供在行方向上的多条栅极信号线的矩阵形式的多个像素的显示装置中，为像素中的每行发光元件设置将要施加的电压。电压由补偿环境温度设置，并且随着每行像素的时间而变。

参考图1对主动式显示装置的结构实例进行描述，其中设置了补偿环境温度和随每行像素的时间变化的电压。

显示装置包括栅极信号线驱动电路105，其将信号输出给提供在行方向上的栅极信号线G₁至G_m，源极信号线驱动电路106，其将信号输出给提供在列方向上的源极信号线S₁至S_n，和像素部分107，其中多个像素108设置成对应于行方向和列方向的矩阵。像素108包括驱动晶体管110和其阴极连接GND的发光元件109。在栅极选择周期中，由从源极信号线S₁至S_n输入的信号来控制驱动晶体管110导通/断开。发光元件109在其驱动晶体管110接通的像素108中发光。要注意的是，示出了由栅极信号线G₁选择的一行像素作为像素组111a₁，示出了由栅极信号线G₂选择的一行像素作为像素组111a₂，且示出了由栅极信号线G_m选择的一行像素作为像素组111a_m。

而且，显示装置包括基准电流源101a₁至101a_m、监视元件102a₁至102a_m和放大器103a₁至103a_m。与发光元件109的阴极相似，监视元件102a₁至102a_m中的每一个都具有连接到GND的阴极。基准电流源101a₁将恒定电流提供给监视元件102a₁，由此在监视元件102a₁处产生了电压。即，在监视元件102a₁的相对电极之间产生了电位差。监视元件102a₁的阳极104a₁的电位由放大器103a₁检测，然后将近似相同的电压输出到电源线V₁上。以这种方式，将从放大器103a₁输出的电位输入到像素108中的发光元件109的阳极，在包括其栅电极连接到栅极信号线G₁的开关晶体管的像素组111a₁中，像素108的驱动晶体管110接通。因此，将电流提供给发光元件109，并使它发光。类似地，基准电流源101a₂至101a_m将恒定电流分别提供给监视元件102a₂至102a_m，放大器103a₂至103a_m检测监视元件102a₂至102a_m的阳极104a₂至104a_m的电位，并将与检测的电位近似相同的电位分别输出给电源线V₂至V_m。以这种方式，可以为每行像素如像素组111a₁、111a₂、111a₃、......和111a_m设置电压，以提供给其中的发光元件109。要注意的是，在此近似相同的电位可具有达到如下程度的误差余量，即当在每行中检测的监视元件的电位输出给每个电源线并施加到每行的发光元件上时，其中监视元件和发光元件具有相同的V-I特性，不能识别监视元件和发光元件的亮度差异。因此，近似相同的电位具有一定程度的余量。

要注意的是，可以将使用运算放大器的电压跟随器电路应用到放大器103a₁至103a_m。电压跟随器电路的非反相输入端的输入阻抗高，而其输出端输出阻抗低。因此，电压跟随器电路的输出端可以用几乎没有从基准电流源101a₂至101a_m提供电流的其非反相输入端来提供电流。然后，电压跟随器电路的输出端可以输出与输入给非反相输入端的电位相同的电位。即，可以进行阻抗变换。因此，不必说，可以使用具有这种功能的任一电路以及电压跟随器电路。而且，当使用从输出端输出与输入到输入端的电位近似相同的电压的放大器时，不必进行阻抗变换。因此，对于放大器103a₁至103a_m，可以适当地使用电压反馈放大器和电流反馈放大器。

而且，像素108和监视元件102a₁至102a_m中每一个的发光元件109的阴极都连接到GND，然而，本发明不局限于此。例如，发光元件109和监视元件102a₁至102a_m中每一个的阴极都可连接到具有特定电位的另一布线上。而且，监视元件102a₁至102a_m和每个发光元件109的阴极可连接到不同的布线上，或者监视元件102a₁至102a_m的每个阴极可连接到不同的布线或相同的布线上。然而，优选监视元件102a₁至102a_m和每个像素108的发光元件109的阴极连接到相同电位的布线上。

监视元件102a₁提供在像素部分外围中像素组111a₁的发光元件109的旁边，而监视元件102a₂至102a_m分别提供在像素部分外围中像素组111a₂至111a_m的发光元件109的旁边。因此，在远离源极信号线驱动电路106的监视元件处产生的电压近似相等，即将其阻抗由于温度改变而产生的改变近似相等的监视元件应用到发光元件109上。因此，可以减小由于源极信号线驱动电路106发热而引起的像素部分107中的温度梯度而引起的亮度差异。要注意的是，还可以减小由于环境温度改变和随着时间改变而引起的亮度差异。

优选在同一基板上使用同一种材料同时形成监视元件和发光元件。因此，可以减小监视元件和发光元件的V-I特性的变化。

要注意的是，在图1的结构中给每行的像素部分提供了一个监视元件，然而，还可提供多个监视元件。通过平行地给每一行提供多个监视元件，可以平均化监视元件特性差异。

[实施例模式2]

在该实施例模式中，参考图2描述了参考图1描述的主动式显示装置的具体结构实例。

显示装置包括栅极信号线驱动电路205，其将信号输出给提供在行方向上的栅极信号线G₁至G_m，源极信号线驱动电路206，其将信号输出给在列方向上的源极信号线S₁至S_n，和像素部分207，其中将多个像素208排列成对应于栅极信号线G₁至G_m和源极信号线S₁至S_n的矩阵。像素208包括开关晶体管204、驱动晶体管210、电容211和发光元件209。

在此，将DATA信号串行地输入给源极信号线驱动电路206。将SCK信号、SCKB信号和SSP信号输入给脉冲输出电路212，并将上述信号顺序地输出给每一列的第一锁存器电路213。根据从脉冲输出电路212输出的信号，将DATA信号平行地存储在第一锁存器电路213中。当将SLAT信号输入给第二锁存器电路214时，将存储在第一锁存器电路213中的DATA信号传输给第二锁存器电路214。从源极信号线驱动电路206输出存储在第二锁存器电路214中的DATA信号。而且，将GCK信号、GCKB信号和GSP信号输入给栅极信号线驱动电路205，其顺序地选择栅极信号线G₁至G_m。开关晶体管204导通，其栅电极在栅极选择周期中连接到选择的栅极信号线上。然后，将从源极信号线驱动电路206输出的信号写入到经由源极信号线S₁至S_n所选择行的像素208的电容211中。以这种方式，来自源极信号线S₁至S_n的信号的电荷积累在电容211中。由积累的电荷控制驱动晶体管210导通/断开。然后，在驱动晶体管210导通的像素208中发光元件209发光。

而且，显示装置包括基准电流源201a₁至201a_m、监视元件202a₁至202a_m和电压跟随器电路203a₁至203a_m。监视元件202a₁至202a_m和发光元件209中的每一个都具有连接到GND的阴极。基准电流源201a₁将恒定电流提供给监视元件202a₁，由此在监视元件202a₁处产生了电压。即，在监视元件202a₁的相对电极之间产生了电位差。通过电压跟随器电路203a₁检测监视元件202a₁的阳极的电位，并将近似相同的电压输出给电源线V₁。以这种方式，将信号从源极信号线S₁至S_n输入给包括开关晶体管的一行像素，当选择栅极信号线G₁时，上述开关晶体管的栅电极连接到栅极信号线G₁。然后，将从电压跟随器电路203a₁输出的电位输入给其驱动晶体管210接通的像素208的发光元件209。因此，电流提供给发光元件209，并使它发光。类似地，基准电流源201a₂至201a_m将恒定电流分别提供给监视元件202a₂至202a_m，电压跟随器电路203a₂至203a_m检测监视元件202a₂至202a_m的阳极的电位，并将与检测的电位近似相同的电位分别输出给电源线V₂至V_m。以这种方式，可以为每行像素设置电压，以提供给其中的发光元件209。要注意的是，在此近似相同的电位可具有达到如下程度的误差余量，即当在每行检测的监视元件的电位输出给每条电源线并施加到每行的发光元件上时，其中监视元件和发光元件具有相同的V-I特性，不能识别监视元件和发光元件的亮度差异。因此，近似相同的电位具有一定程度的余量。

而且，监视元件202a₁在像素部分的外围中提供在包括开关晶体管204的像素208的发光元件209的旁边，开关晶体管204的栅电极连接到栅极信号线G₁。类似地，监视元件202a₂至202a_m在像素部分的外围中提供在包括开关晶体管204的像素208的发光元件209的旁边，开关晶体管204的栅电极分别连接到栅极信号线G₂至G_m。因此，与在远离源极信号线驱动电路206的监视元件处产生的电压近似相同的电压近似等于发光元件，即将其阻抗由于温度改变而发生的改变近似相等的监视元件电压应用到发光元件209上。因此，可以减小由于源极信号线驱动电路206发热而引起的像素部分207中的温度梯度而引起的亮度差异。要注意的是，还可以减小由于环境温度改变和随着时间改变而引起的亮度差异。

虽然在图2的结构中使用了电压跟随器电路203a₁至203a_m，但可以使用具有从输出端输出与输入端输入的电位近似相同的电位功能的任一电路以及电压跟随器电路。因此，可以适当地使用电压反馈放大器和电流反馈放大器。

虽然监视元件202a₁至202a_m和每个像素208的发光元件209的阴极连接到GND，但本发明不局限于此。例如，发光元件209和监视元件202a₁至202a_m中每一个的阴极可连接到具有特定电位的另一布线上。而且，监视元件202a₁至202a_m和每个发光元件209的阴极可连接到不同的布线上，或者监视元件202a₁至202a_m的每个阴极可连接到不同的布线或相同的布线上。然而，优选监视元件202a₁至202a_m和每个像素208的发光元件209的阴极连接到相同电位的布线上。

而且，本发明不局限于这种结构，且可以应用到其中像素中的晶体管极性改变、连接改变、或另外提供新晶体管的像素结构上。

而且，监视元件可提供在栅极信号线驱动电路的相对侧上，并且像素部分介于其之间。为了获得温度补偿的有效作用，可以适当地选择监视元件的排列。

图3示出了相比图2的显示装置的不同结构。在图3的结构中，电源线V₁至V_m可以提供在像素部分的外部。

图3中所示的显示装置包括栅极信号线驱动电路305，其将信号输出给提供在行方向上的栅极信号线G₁至G_m，源极信号线驱动电路306，其将信号输出给在列方向上提供的源极信号线S₁至S_n，和像素部分307，其中将多个像素308排列成对应于行方向和列方向的矩阵。像素308包括开关晶体管304、驱动晶体管310、电容311和发光元件309。而且，图3中所示的显示装置包括基准电流源301a₁至301a_m、监视元件302a₁至302a_m和电压跟随器电路303a₁至303a_m。在此，在图3所示的显示装置中，基准电流源301a₁至301a_m、监视元件302a₁至302a_m、电压跟随器电路303a₁至303a_m、栅极信号线驱动电路305、源极信号线驱动电路306和像素部分307对应于图2所示显示装置中的基准电流源201a₁至201a_m、监视元件202a₁至202a_m、电压跟随器电路203a₁至203a_m、栅极信号线驱动电路205、源极信号线驱动电路206和像素部分207。其工作情况与图2中的相似，因此，在此省略了其描述。

要注意的是，从电压跟随器电路303a₁至303a_m输出电位，因此，当由于在电压跟随器电路303a₁至303a_m和每个像素308的输出端之间布线的布线阻抗引起电压降时，施加到每个像素308中的发光元件309上的电压值发生改变。然后，像素的亮度也发生改变。考虑到以上情况，优选降低电压跟随器电路303a₁至303a_m的输出端到每个像素308之间布线的布线阻抗。因此，通过在像素部分外部提供电源线V₁至V_m和如在该结构中利用低阻抗材料形成电源线V₁至V_m，可以减小每个像素308的亮度差异。然而，当有更多像素行时，驱动晶体管310和电源线V₁至V_m之间的导线增加了，其导致降低了像素的孔径比。因此，优选适当地使用图2和3中所示的结构。而且，例如，对于上行和下行的像素部分307，可采用图3中所示的结构，而对于其它部分采用图2中所示的结构。

虽然在图3的结构中使用电压跟随器电路303a₁至303a_m，但不必说，本发明就不局限于电压跟随器电路，只要提供了从输出端输出与输入端输入的电位近似相同的电位的功能即可。因此，对于电压跟随器电路303a₁至303a_m，可以适当地使用电压反馈放大器和电流反馈放大器。

虽然监视元件302a₁至302a_m和每个像素308的发光元件309的阴极连接到GND，但本发明不局限于此。例如，发光元件309和监视元件302a₁至302a_m中每一个的阴极可连接到具有特定电位的另一布线上。而且，监视元件302a₁至302a_m和每个发光元件309的阴极可连接到不同的布线上，或者监视元件302a₁至302a_m的每个阴极可连接到不同的布线或相同的布线上。然而，优选监视元件302a₁至302a_m和发光元件309的阴极连接到相同电位的布线上。

而且，本发明不局限于这种结构，且可以应用到其中像素中晶体管的极性改变、连接改变、或另外提供新晶体管的像素结构上。

而且，监视元件可提供在栅极信号线驱动电路的相对侧上，其中像素部分介于其之间。为了获得温度补偿的有效作用，可以适当地选择监视元件的结构。

[实施例模式3]

在该实施例模式中，描述了显示装置的结构包括栅极信号线驱动电路405，其将信号输出给提供在行方向上的栅极信号线G₁至G_m，源极信号线驱动电路406，其将信号输出给在列方向上的源极信号线S₁至S_n，和像素部分407，其中将多个像素408布置成对应于栅极信号线G₁至G_m和源极信号线S₁至S_n的矩阵。在显示装置中，每组多行像素设置施加到发光元件409上的电压值。即，在图1结构中的每行像素设置电压值，然而，通过图4的结构中的两行像素设置电压值。

图4中所示的显示装置包括栅极信号线驱动电路405，其将信号输出给提供在行方向上的栅极信号线G₁至G_m，源极信号线驱动电路406其将信号输出给在列方向上的源极信号线S₁至S_n，和像素部分407，其中将多个像素408布置成对应于行方向和列方向的矩阵。像素408包括驱动晶体管410和阴极连接到GND的发光元件409。在栅极选择周期，由从源极信号线输入的信号控制驱动晶体管410导通/断开。在驱动晶体管410接通的像素408中，发光元件409发光。要注意的是，将由栅极信号线G₁选择的一行像素表示为像素组411a₁，将由栅极信号线G₂选择的一行像素表示为像素组411a₂，并将由栅极信号线G_m选择的一行像素表示为像素组411a_m。

显示装置还包括基准电流源401a₁至401a_m/2、监视元件402a₁至402a_m和放大器403a₁至403a_m/2。与发光元件409的阴极相似，监视元件402a₁至402a_m的阴极连接到GND。基准电流源401a₁将恒定电流提供给监视元件402a₁和402a₂，由此在监视元件402a₁和402a₂处产生了电压。即，在监视元件402a₁和402a₂的相对电极之间产生了电位差。在监视元件402a₁和402a₂的阳极404a₁和404a₂处的电位由放大器403a₁检测，并将近似相同的电位输出到电源线V₁上。以这种方式，将从放大器403a₁输出的电位输入到像素408中的发光元件409，在具有栅电极连接到栅极信号线G₁的开关晶体管的像素组411a₁或具有栅电极连接到栅极信号线G₂的开关晶体管的像素组411a₂之中，像素408的驱动晶体管410接通。因此，电流提供给发光元件409，并使它发光。同样，基准电流源401a₂至401a_m/2中的每一个将恒定电流分别提供给监视元件402a₃、402a₄至402a_m-1和402a_m，放大器403a₂至403a_m/2中的每一个分别检测监视元件402a₃、402a₄至402a_m-1和402a_m的阳极404a₃、404a₄至404a_m-1和404a_m的电位，并将近似相同的电位输出给电源线V₂至V_m/2。以这种方式，可以通过两行像素组如像素组411a₁和411a₂、411a₃和411a₄、......411a_m-1和411a_m，设置施加到发光元件409上的电压。即，检测了对应于两个监视元件的阻抗的平均值的电压值并将电压值施加到发光元件上。而且，由于对于两行像素共用电源线，所以可以减小电源线和驱动晶体管的导线的数量。因此，可以平衡监视元件的特性变化，并可以改善像素的孔径比。要注意的是，在此近似相同的电位可具有如下程度的误差余量，即当在每行检测的监视元件的电位输出给每条电源线并施加到每行的发光元件上时，其中监视元件和发光元件具有相同的V-I特性，不能识别监视元件和发光元件的亮度差异。因此，近似相同的电位具有一定程度的余量。

在图4的结构中，电源线共用于两行像素，然而，本发明不局限于此。可以适当地控制电源线，以便减小由于像素部分的温度梯度而引起的亮度差异。例如，通过在一半的像素行处将像素部分分成上部分和下部分，可提供两条电源线。对于特别容易受到源极信号线驱动电路406发热影响的像素行，可另外提供电源线，其是接近源极信号线驱动电路406的几行像素。

要注意的是，可以将使用运算放大器的电压跟随器电路应用到放大器403a₁至403a_m/2。电压跟随器电路的非反相输入端的输入阻抗高，而其输出端的输出阻抗低。因此，电压跟随器电路的输出端可以用其非反相输入端提供电流，其非反相输入端几乎没有从基准电流源401a₂至401a_m/2提供的电流。然后，电压跟随器电路的输出端可以输出与输入到非反相输入端的电位相同的电位。即，可以进行阻抗变换。因此，不必说，可以使用具有这种功能的任一电路以及电压跟随器电路。而且，当使用从输出端输出与输入端输入的电位近似相同的电压的放大器时，不必进行阻抗变换。因此，对于放大器403a₁至403a_m/2，可以使用电压反馈放大器和电流反馈放大器。

而且，像素408和监视元件402a₁至402a_m中每一个的发光元件409的阴极连接到GND，然而，本发明不局限于此。例如，发光元件409和监视元件402a₁至402a_m中每一个的阴极可连接到具有特定电位的另一布线上。而且，监视元件402a₁至402a_m和每个发光元件409的阴极可连接到不同的布线上，或者监视元件402a₁至402a_m的每个阴极可连接到不同的布线或相同的布线上。然而，优选监视元件402a₁至402a_m和每个像素408的发光元件409的阴极连接到相同电位的布线上。

在图4的结构中，具有图1所示结构的显示装置的多行像素共用电源线，然而，本发明可以应用到电源线提供在如图3的结构所示的像素部分外部的结构上。将这种显示装置的结构的具体实例示于图5中。

显示装置包括栅极信号线驱动电路505，其将信号输出给提供在行方向上的栅极信号线G₁至G_m，源极信号线驱动电路506，其将信号输出给在列方向上的源极信号线S₁至S_n，和像素部分507，其中将多个像素508布置成对应于栅极信号线G₁至G_m和源极信号线S₁至S_n的矩阵。像素508包括驱动晶体管510和阴极连接到GND的发光元件509。而且，源极信号线驱动电路505包括脉冲输出电路512、第一锁存器电路513和第二锁存器电路514。在栅极选择周期由从栅极信号线输入的信号控制驱动晶体管510导通/断开。在驱动晶体管510接通的像素508中，发光元件509发光。

而且，显示装置包括基准电流源501a₁至501a_m/2、监视元件502a₁至502a_m和放大器503a₁至503a_m/2。与发光元件509的阴极相似，监视元件502a₁至502a_m的阴极连接到GND。在该结构中，基准电流源501a₁将电流提供给监视元件502a₁和502a₂。放大器503a₁检测这些监视元件的阳极的电位，由此在电源线V₁设置电位。

在该结构中，电源线V₁至V_m/2提供在显示部分507的外部，且可以减小驱动晶体管510的源电极的导线数量，其可以改善像素的孔径比。

虽然在图5的结构中使用了电压跟随器电路503a₁至503a_m/2，但不必说，本发明不局限于电压跟随器电路，只要提供了从输出端输出与输入端输入的电位相同电位的功能即可。因此，对于电压跟随器电路503a₁至503a_m/2，可以适当地使用电压反馈放大器和电流反馈放大器。

虽然监视元件502a₁至502a_m和每个像素508的发光元件509的阴极连接到GND，但本发明不局限于此。例如，发光元件509和监视元件502a₁至502a_m中每一个的阴极可连接到具有特定电位的另一布线上。而且，监视元件502a₁至502a_m和每个发光元件509的阴极可连接到不同的布线上，或者监视元件502a₁至502a_m的每个阴极可连接到不同的布线或相同的布线上。然而，优选监视元件502a₁至502a_m和发光元件509的阴极连接到相同电位的布线上。

而且，本发明不局限于这种结构，且可以应用到其中像素中晶体管的极性改变了、连接改变了、或另外提供新晶体管的像素结构上。

[实施例模式4]

在该实施例模式中，描述了包括多个颜色分量并具有用于颜色分量中每个像素的补偿功能的显示装置。例如，参考图6描述了具有用于RGB每个像素的补偿功能的显示装置。要注意的是，形成一个像素的R(红)、G(绿)和B(蓝)的颜色分量分别称为R像素、G像素和B像素。

显示装置包括栅极信号线驱动电路605，其将信号输出给提供在行方向上的栅极信号线G₁至G_m，源极信号线驱动电路606，其将信号输出给提供在列方向上的源极信号线Sr₁、Sg₁、Sb₁至Sr_n、Sg_n和Sb_n，和像素部分607，其中将由像素R608r、像素G608g和像素B608b形成的多个像素608排列成对应于栅极信号线G₁至G_m和源极信号线S₁至S_m的矩阵。像素R608r、像素G608g和像素B608b中的每一个都包括驱动晶体管610和阴极连接到GND的发光元件609。在栅极选择周期，由从源极信号线Sr₁、Sg₁、Sb₁至Sr_n、Sg_n和Sb_n输入的信号控制驱动晶体管610导通/断开。在驱动晶体管610接通的像素608中，发光元件609发光。要注意的是，将由栅极信号线G₁选择的一行像素表示为像素组604a₁，将由栅极信号线G₂选择的一行像素表示为像素组604a₂，将由栅极信号线G₃选择的一行像素表示为像素组604a₃，并将由栅极信号线G_m选择的一行像素表示为像素组604a_m。

显示装置还包括基准电流源601r₁至601r_m、基准电流源601g₁至601g_m、基准电流源601b₁至601b_m、监视元件602r₁至602r_m、监视元件602g₁至602g_m、监视元件602b₁至602b_m、放大器603r₁至603r_m、放大器603g₁至603g_m和放大器603b₁至603b_m。与发光元件609的阴极相似，监视元件602r₁至602r_m、602g₁至602g_m和602b₁至602b_m的阴极连接到GND。基准电流源601r₁将恒定电流提供给监视元件602r₁，由此在监视元件602r₁处产生了电压。即，在监视元件602r₁的相对电极之间产生了电位差。此时监视元件602r₁的阳极的电位由放大器603r₁检测，并将近似相同的电位输出到电源线Vr₁上。同样，基准电流源601r₂至601r_m、基准电流源601g₂至601g_m和基准电流源601b₂至601b_m将恒定电流分别提供给监视元件602r₂至602r_m、602g₂至602g_m和602b₂至602b_m。放大器603r₂至603r_m分别检测监视元件602r₂至602r_m的阳极的电位，放大器603g₂至603g_m分别检测监视元件602g₂至602g_m的阳极的电位，放大器603b₂至603b_m分别检测监视元件602b₂至602b_m的阳极的电位，由此将近似相同的电位分别输出给电源线Vr₂至Vr_m、Vg₂至Vg_m和Vb₂至Vb_m。要注意的是，在此近似相同的电位可具有达到如下程度的误差余量，即当在每行检测的监视元件的电位输出给每条电源线并施加到每行的发光元件上时，其中监视元件和发光元件具有相同的V-I特性，不能识别监视元件和发光元件的亮度差异。因此，近似相同的电位具有一定程度的余量。

在像素组604a₁中，电源线Vr₁将电压提供给像素R中的发光元件，电源线Vg₁将电压提供给像素G中的发光元件，电源线Vb₁将电压提供给像素B中的发光元件。同样，在像素组604a₂至604a_m中，电源线Vr₂至Vr_m将电压分别提供给像素R中的发光元件，电源线Vg₂至Vg_m将电压分别提供给像素G中的发光元件，电源线Vb₂至Vb_m将电压分别提供给像素B中的发光元件。

以这种方式，检测在设置用于每行像素的监视元件处产生的电压，并将其施加到像素行中的发光元件上，由此可以减小由源极信号线驱动电路606发热引起的像素部分中的温度梯度而引起的亮度差异。

由于通过给一行像素中RGB的每个像素提供监视元件来补偿温度改变和随着时间的改变，所以可以根据每个RGB的特性给发光元件设置电压值。即，可以补偿RGB的像素之中的亮度差异。

要注意的是，可以将本发明应用到以德耳塔结构提供RGB的像素的显示装置上。利用德耳塔结构的像素，可以提供高质量的显示装置。

可以将使用运算放大器的电压跟随器电路应用到放大器603r₁至603r_m、603g₁至603g_m和603b₂至603b_m上。电压跟随器电路的非反相输入端的输入阻抗高，而其输出端的输出阻抗低。因此，电压跟随器电路的输出端可以用其非反相输入端提供电流，其非反相输入端几乎没有从基准电流源601a₂至601a_m提供的电流。然后，电压跟随器电路的输出端可以输出与输入给非反相输入端的电位相同的电位。即，可以进行阻抗变换。因此，不必说，可以使用具有这种功能的任一电路以及电压跟随器电路。而且，当使用从输出端输出与输入到输入端的电位近似相同的电压的放大器时，不必进行阻抗变换。因此，对于放大器603r₁至603r_m、603g₁至603g_m和603b₁至603b_m，可以适当地使用电压反馈放大器和电流反馈放大器。

而且，像素608和监视元件602r₁至602r_m、602g₁至602g_m和602b₁至602b_m中每一个的发光元件609的阴极都连接到GND，然而，本发明不局限于此。例如，发光元件609和监视元件602r₁至602r_m、602g₁至602g_m和602b₁至602b_m中每一个的阴极可连接到具有特定电位的另一布线上。而且，监视元件602a₁至602a_m和每个发光元件609的阴极可连接到不同的布线上，或者监视元件602r₁至602r_m、602g₁至602g_m和602b₁至602b_m的每个阴极可连接到不同的布线或相同的布线上。然而，优选监视元件602r₁至602r_m、602g₁至602g_m和602b₁至602b_m以及每个像素108的发光元件109的阴极连接到相同电位的布线上。

[实施例模式5]

在该实施例模式中，对减小了基准电流源数量的图7的结构进行描述，基准电流源将电流提供给图1结构中的监视元件。

显示装置包括栅极信号线驱动电路705，其将信号输出给提供在行方向上的栅极信号线G₁至G_m，源极信号线驱动电路706，其将信号输出给在列方向上的源极信号线S₁至S_n，和像素部分707，其中将多个像素708排列成对应于栅极信号线G₁至G_m和源极信号线S₁至S_n的矩阵。像素708包括驱动晶体管710和阴极连接到GND的发光元件709。在栅极选择周期，由从源极信号线输入的信号控制驱动晶体管710导通/断开。在驱动晶体管710接通的像素708中，发光元件709发光。要注意的是，将由栅极信号线G₁选择的一行像素表示为像素组711a₁，将由栅极信号线G₂选择的一行像素表示为像素组711a₂，并将由栅极信号线G_m选择的一行像素表示为像素组711a_m。

显示装置还包括基准电流源701、监视元件702a₁至702a_m和放大器703a₁至703a_m。与发光元件709的阴极相似，监视元件702a₁至702a_m的阴极连接到GND。即，提供了将电压提供给用于连接到栅极信号线G₁至G_m的每行像素的电源线V₁至V_m的放大器。每个放大器都检测了设置用于每行像素的监视元件的阳极704a1的电位，由此在电源线处设置近似相同的电位。要注意的是，在此近似相同的电位可具有达到如下程度的误差余量，即当在每行检测的监视元件的电位输出给每条电源线并施加到每行的发光元件上时，其中监视元件和发光元件具有相同的V-I特性，不能识别监视元件和发光元件的亮度差异。因此，近似相同的电位具有一定程度的余量。

在此，描述了如下原理，即，使用一个基准电流源701，用于将相同值的电流提供给在每个像素组711a₁至711a_m中提供的每一个监视元件702a₁至702a_m，并通过提供用于每行像素的放大器703a₁至703a_m来检测在每个监视元件处产生的电压。

首先，开关713a₁和714a₁导通，用于设置由栅极信号线G₁选择的像素组711a₁的电源线V₁的电位。然后，来自基准电流源701的电流流向电容712a₁和监视元件702a₁。对应于在监视元件702a₁处产生的电压的电荷积累在电容712a₁中，由此电流停止流向电容712a₁。然后，由放大器703a₁检测电容712a₁的阳极的电位。在此，将电容712a₁的阳极的电位设置在与监视元件的阴极相同的电位处，因此，可以通过检测具有与监视元件702a₁的阳极相同电位的电容712a₁的阳极的电位，来检测在监视元件702a₁处产生的电压。

注意，当开关713a₁和714a₁导通时，开关713a₂至713a_m和714a₂至714a_m断开。当开关713a₂和714a₂导通时，开关713a₁、713a₃至713a_m、714a₁和714a₃至714a_m断开。因此，电流可以从基准电流源701顺序地提供给在每行像素711a₁至711a_m外部提供的监视元件702a₁至702a_m。而且，在电流没有提供给相应监视元件的情况下，积累了与每个监视元件的电压对应的电荷的电容可以保存当电流提供给其时产生的电压。

可以将使用运算放大器的电压跟随器电路应用到放大器703a₁至703a_m上。电压跟随器电路的非反相输入端的输入阻抗高，而其输出端的输出阻抗低。因此，电压跟随器电路的输出端可以用其非反相输入端提供电流，其非反相输入端几乎没有从基准电流源701a₂至701a_m提供的电流。于是，电压跟随器电路的输出端可以输出与输入给非反相输入端的电位相同的电位。即，可以进行阻抗变换。因此，不必说，可以使用具有这种功能的任何电路以及电压跟随器电路。而且，当使用从输出端输出与输入到输入端的电位近似相同的电压的放大器时，不必进行阻抗变换。因此，对于放大器703a₁至703a_m，可以适当地使用电压反馈放大器和电流反馈放大器。

而且，像素708和监视元件702a₁至702a_m中每一个的发光元件709的阴极和电容712a₁至712a_m中每一个的一个电极都连接到GND，然而，本发明不局限于此。例如，发光元件709和监视元件702a₁至702a_m中每一个的阴极和电容712a₁至712a_m中每一个的一个电极可连接到具有特定电位的另一布线上。而且，监视元件702a₁至702a_m和每个发光元件709的阴极、以及电容712a₁至712a_m中每一个的一个电极可连接到不同的布线上，或者监视元件702a₁至702a_m的每个阴极可连接到不同的布线或相同的布线上。然而，优选监视元件702a₁至702a_m和每个像素708的发光元件709的阴极、以及电容712a₁至712a_m中每一个的一个电极连接到相同电位的布线上。

接下来，参考图8描述了图7中所示显示装置的具体结构实例。

显示装置包括栅极信号线驱动电路805，其将信号输出给提供在行方向上的栅极信号线G₁至G_m，源极信号线驱动电路806，其将信号输出给在列方向上的源极信号线S₁至S_n，和像素部分807，其中将多个像素808排列成对应于栅极信号线G₁至G_m和源极信号线S₁至S_n的矩阵。像素808包括开关晶体管804、电容811、驱动晶体管810和阴极连接到GND的发光元件809。

显示装置还包括基准电流源801、对应于每行像素的监视元件802、电压跟随器电路803、电容812、第一晶体管813和第二晶体管814。第一晶体管813和第二晶体管814的栅电极连接到栅极信号线上。因此，在栅电极连接到由栅极信号线驱动电路805选择的栅极信号线上的开关晶体管804导通时，对应于包括开关晶体管的一行像素提供的第一和第二晶体管813和814导通。即，在可以将来自源极信号线S₁至S_m的信号写入到驱动晶体管810的状态(栅极选择周期)下，对应于一行像素提供的第一和第二晶体管813和814导通。因此，根据来自栅极信号线G₁至G_m的信号，对应于一行像素的第一和第二晶体管813和814顺序地导通。

当第一和第二晶体管813和814导通时，来自基准电流源801的电流流向电容812和监视元件802。与在监视元件802处产生的电压相对应的电荷积累在电容812中，由此电流停止流向电容812并仅流向监视元件802。此时，将监视元件802的阳极的电位输入到电压跟随器电路803的非反相输入端，且其输出端将近似相同的电位输出到相应行像素的电源线上。要注意的是，在此近似相同的电位可具有如下程度的误差余量，即当在每行检测的监视元件的电位输出给每条电源线并施加到每行的发光元件上时，其中监视元件和发光元件具有相同的V-I特性，不能识别监视元件和发光元件的亮度差异。因此，近似相同的电位具有一定程度的余量。

当特定像素行的栅极选择周期结束且下一行像素的栅极选择周期开始时，对应于栅极选择周期结束的像素行的第一晶体管813和第二晶体管814断开，此时在监视元件802处产生的电压保存在电容812中。通过每个电容812顺序地保存对应于每行像素的监视元件802处产生的电压，可以将相应监视元件802的阳极的电位输入到对应于每行像素的电压跟随器电路803的非反相输入端上。因此，在每条电源线处设置与用于每行像素的每个监视元件802的阳极的电位近似相同的电位。当在每行中栅极选择周期再次开始时，电容812积累与由于环境温度改变和随着时间改变而引起的监视元件802的阻抗改变所产生的电压相对应的电荷，并在栅极选择周期结束的时刻保存监视元件802的电压。

以这种方式，在具有图8的结构的显示装置中，可以根据栅极选择周期来补偿由于温度改变和随着时间改变而引起的发光元件的亮度差异。

而且，可以通过为每行像素设置电源线的电位，来补偿由于电源线驱动电路806发热引起的温度梯度所引起的发光元件809的亮度差异。

而且，由于结构简单，所以只需要提供一个电流源。因此，可以简化电路结构，并可以实现成本减小。

虽然在图8的结构中使用了电压跟随器电路803，但不必说，本发明不局限于电压跟随器电路，只要提供了从输出端输出与输入端输入的电位近似相同的电位的功能即可。因此，对于电压跟随器电路，可以适当地使用电压反馈放大器和电流反馈放大器。

虽然监视元件802和每个像素808的发光元件809的阴极连接到GND上，但本发明不局限于此。例如，发光元件809和监视元件802中每一个的阴极可连接到具有特定电位的另一布线上。而且，监视元件802和每个发光元件809的阴极可连接到不同的布线上，或者监视元件802的每个阴极可连接到不同的布线或相同的布线上。然而，优选监视元件802和发光元件809的阴极连接到相同电位的布线上。

而且，本发明不局限于这种结构，且可以应用到像素中晶体管的极性改变了、连接改变了、或另外提供新晶体管的像素结构上。

[实施例模式6]

在实施例模式1至5中描述了一种主动式矩阵显示装置(还称为主动式显示装置)，然而，本发明还可以应用到被动式矩阵显示装置(还称为被动式显示装置)。在该实施例模式中，描述了将本发明的补偿电路应用到被动式矩阵显示装置上的情况。

参考图12简要地描述了包括在被动式显示装置中的温度和退化补偿电路(以下简称为补偿电路)的基本原理以及显示装置的驱动方法。

图12中所示的显示装置包括行信号线驱动电路1202，其将信号输出给提供在行方向上的行信号线R₁至R_m，列信号线驱动电路1201，其将信号输出给提供在列方向上的列信号线C₁至C_n，和像素部分1203，其中将发光元件1208排列成对应于行信号线R₁至R_m和列信号线C₁至C_n的矩阵。行信号线驱动电路1202选择行信号线R₁至R_m当中的一行信号线(在此，行信号线连接到GND上)。即，选择一行信号线，以便通过设置在列信号线C₁至C_n的电位之间的电位差，将电流提供给发光元件1208上。因此，将在所选行信号线的电位和设置在列信号线的电位之间的电位差施加到夹在行信号线和列信号线之间的发光元件1208上。于是，电流流动且发光元件1208发光。此时，将在列信号线C₁至C_n处的电位同样地设置在每条列信号线处，然而，设置电位的周期不同。以这种方式，可以进行时分灰度级显示。

显示装置还包括基准电流源1205、监视元件1207和放大器1204。基准电流源1205将恒定电流提供给监视元件1207。即，监视元件1207进行恒定电流驱动。放大器1204检测在监视元件1207的阳极1206侧上的电位，由此设置输出到列信号线C₁至C_n上的电位。要注意的是，例如，可以使用电压跟随器电路作为放大器1204。

列信号线驱动电路1201包括脉冲输出电路1209、第一锁存器电路1210、第二锁存器电路1211和开关组1212。从脉冲输出电路1209输出脉冲，基于该脉冲将DATA信号顺序地存储在第一锁存器电路1210中。在SLAT信号的时序下，将存储在第一锁存器电路1210中的数据传输给第二锁存器电路1211。然后，存储在第二锁存器电路1211中的数据控制开关组1212中的每个开关导通的周期，由此设置提供给信号线C₁至C_n的电位的周期。即，确定施加到发光元件上的电位的周期。以这种方式，可以进行时分灰度级显示。

事实上要注意的是，例如，在3位灰度级显示的情况下，第一锁存器电路1210和第二锁存器电路1211中的每一个都包括每个开关三个锁存器电路，其控制每列信号线的电源。将从第二锁存器电路1211输出的每条列信号线的3位数据转换成具有用于显示8级灰度级的脉冲宽度，以便在对应于脉冲宽度的周期使开关组1212的每个开关导通。以这种方式，可以显示8级灰度级。

在此，本发明的显示装置包括在像素部分的外围中布置在行方向上提供的发光元件的旁边的监视元件。提供一个单元，该单元用于将恒定电流提供给每个监视元件，检测在监视元件处生成的电压，并将电压施加到提供在行方向上的发光元件上。参考图9描述了这种被动式显示装置的实例。

图9中所示的显示装置包括行信号线驱动电路902，其将信号输出给提供在行方向上的行信号线(还称为扫描线)R₁至R_m，列信号线驱动电路901，其将信号输出给提供在列方向上的列信号线C₁至C_n，和像素部分903，其中将发光元件908布置成对应于行信号线R₁至R_m和列信号线C₁至C_n的矩阵。要注意的是，阴极连接到行信号线R₁上的一行发光元件表示为发光元件组906a₁，阴极连接到行信号线R₂上的一行发光元件表示为发光元件组906a₂，且阴极连接到行信号线R_m上的一行发光元件表示为发光元件组906a_m。

图9中所示的显示装置包括基准电流源905、放大器904和监视元件907a₁至907a_m。基准电流源905将恒定电流提供给监视元件907a₁至907a_m中的任一个。在这种结构中，与发光元件908的阴极相似，与提供在行方向上的发光元件组相对应的每个监视元件的阴极连接到行信号线上，因此，在扫描线选择周期中，电流只流向对应于发光元件组的监视元件。即，电流流向在行信号线连接到GND上的一行中的发光元件908和监视元件。

由放大器904来检测向其提供电流的监视元件处产生的电压，由此将该电压输入给列信号线驱动电路901。然后，列信号线驱动电路901设置了其中从放大器904输入的电压提供给每个列信号线C₁至C_n的周期。即，设置给发光元件组某一行的每个列提供电压的周期。于是，施加到发光元件每列上的电压与由放大器904提供的电压是相同的电压。

以这种方式，将恒定电流提供给提供用于每行发光元件的监视元件，并将产生的电压施加到同一行的发光元件908上。即，将来自基准电流源905的恒定电流提供给监视元件907a₁，将产生的电压施加到发光元件组906a₁上，将来自基准电流源905的恒定电流提供给监视元件907a₂，将产生的电压施加到发光元件组906a₂上，将来自基准电流源905的恒定电流提供给监视元件907a_m，并将产生的电压施加到发光元件组906a_m上。

以这种方式，检测在每行发光元件旁边提供的监视元件处产生的电压，并将检测的电压施加到那一行的发光元件上，由此可以减小由于由列信号线驱动电路901产生的热量导致的像素部分中的温度梯度所引起的亮度差异。

可以根据由于环境温度改变和随着时间改变而引起改变的发光元件908的阻抗来设置电压。因此，还可以补偿环境温度改变和随着时间的改变。

要注意的是，可以将使用运算放大器的电压跟随器电路应用到放大器904上。电压跟随器电路的非反相输入端的输入阻抗高，而其输出端的输出阻抗低。因此，电压跟随器电路的输出端可以用其非反相输入端提供电流，其非反相输入端几乎没有从基准电流源905提供的电流。于是，电压跟随器电路的输出端可以输出与非反相输入端输入的电位相同的电位。即，可以进行阻抗变换。因此，不必说，可以使用具有这种功能的任一电路以及电压跟随器电路。而且，当使用从输出端输出与输入到输入端的电位近似相同的电压的放大器时，不必进行阻抗变换。因此，对于放大器904，可以适当地使用电压反馈放大器和电流反馈放大器。

而且，当被选择时每行信号线的电位是GND，然而，本发明不局限于此。因此，布线可具有特定的电位，而不是GND。

接下来，参考图10描述了用于给RGB的每个发光元件设置电压的、提供用于RGB的每个发光元件的监视元件的具体结构实例。

图10中所示的显示装置包括行信号线驱动电路1002，其将信号输出给提供在行方向上的行信号线(还称为扫描线)R₁至R_m，列信号线驱动电路1001，其将信号输出给提供在列方向上的列信号线C₁至C_n，和像素部分1003，其中将发光元件排列成对应于行信号线R₁至R_m和列信号线C₁至C_n的矩阵。

R分量的发光元件1008r、G分量的发光元件1008g和B分量的发光元件1008b以对应于列信号线的列方向上的RGB的顺序设置。在像素部分1003的外围中，在RGB的发光元件列的旁边提供R分量的监视元件1006r、G分量的监视元件1006g和B分量的监视元件1006b。将形成这些监视元件组的监视元件提供在对应于行信号线R₁至R_m的行方向上提供的发光元件的旁边。

显示装置还包括基准电流源1005r、基准电流源1005g、基准电流源1005b、放大器1004r、放大器1004g和放大器1004b，其中基准电流源1005r将电流提供给形成监视元件组1006r的监视元件，基准电流源1005g将电流提供给形成监视元件组1006g的监视元件，基准电流源1005b将电流提供给形成监视元件组1006b的监视元件，放大器1004r检测形成监视元件组1006r的监视元件阳极的电位并在电源线Vr设置与检测的电位近似相同的电位，放大器1004g检测形成监视元件组1006g的监视元件阳极的电位并在电源线Vg设置与检测的电位近似相同的电位，以及放大器1004b检测形成监视元件组1006b的监视元件阳极的电位并在电源线Vb设置与检测的电位近似相同的电位。要注意的是，在此近似相同的电位可具有达到如下程度的误差余量，即当在每行检测的监视元件的电位输出给每条电源线并施加到每行的发光元件上时，其中监视元件和发光元件具有相同的V-I特性，不能识别监视元件和发光元件的亮度差异。因此，近似相同的电位具有一定程度的余量。

而且，列信号线驱动电路包括脉冲输出电路1009、第一锁存器电路1010和第二锁存器电路1011。要注意的是，由于列信号线驱动电路1001的工作情况与参考图12描述的相似，所以在此将其省略了。

在这种结构中，例如，当选择行信号线R1时，基准电流源1005r将电流提供给监视元件1008r，监视元件1008r的阴极连接到形成了监视元件组1006r的监视元件之中的行信号线上。然后，电流流过监视元件1008r，由放大器1004r检测产生电压的监视元件1008r的阳极的电位，并在电源线Vr设置与检测的电位近似相同的电位。提供设置在电源线Vr的电位，作为经由列信号线Cr₁至Cr_n到阴极连接到所选信号线R₁的发光元件1008r的电压。同样，基准电流源1005g将电流提供给监视元件1008g，监视元件1008g的阴极连接到形成了监视元件组1006g的监视元件之中的行信号线上。然后，电流流过监视元件1008g，由放大器1004g检测生成电压的监视元件1008g的阳极的电位，并在电源线Vg设置与检测的电位近似相同的电位。提供设置在电源线Vg的电位，作为经由列信号线Cg₁至Cg_n到阴极连接到所选信号线R₁的发光元件1008g的电压。基准电流源1005b将电流提供给监视元件1008b，监视元件1008b的阴极连接到其形成监视元件组1006b的监视元件之中的行信号线上。然后，电流流过监视元件1008b，由放大器1004b检测产生电压的监视元件1008b的阳极的电位，并在电源线Vb设置与检测的电位近似相同的电位。提供设置在电源线Vb的电位，作为经由列信号线Cb₁至Cb_n到阴极连接到所选信号线R₁的发光元件1008b的电压。要注意的是，在此近似相同的电位可具有达到如下程度的误差余量，即当在每行检测的监视元件的电位输出给每条电源线并施加到每行的发光元件上时，其中监视元件和发光元件具有相同的V-I特性，不能识别监视元件和发光元件的亮度差异。因此，近似相同的电位具有一定程度的余量。

以这种方式，可以将电压独立地施加到在对应于行信号线R₁的行方向上提供的RGB的每个发光元件上。

接下来，当选择行信号线R₂、R₃、......、R_m时，将恒定电流提供给对应于所选行的RGB的每个监视元件，由对应于每个RGB的放大器来检测每行中RGB的监视元件处产生的电压，并将电压提供给相应行的RGB的每个发光元件。

以这种方式，检测在每行像素外部提供的监视元件处产生的电压，并将该电压施加到该行像素的发光元件上，由此可以减小由于源极信号线驱动电路606发热引起的像素部分中的温度梯度导致的亮度差异。

由于通过在一行像素中为RGB的每个像素提供监视元件来补偿环境温度改变和随着时间的改变，所以可以根据每个RGB的特性设置用于发光元件的电压。即，可以补偿RGB的像素之中的亮度差异。

虽然在图8的结构中使用了电压跟随器电路1004r、1004g和1004b，但不必说，本发明不局限于电压跟随器电路，只要提供了从输出端输出与输入端输入的电位近似相同的电位的功能即可。因此，对于电压跟随器电路1004r、1004g和1004b，可以适当地使用电压反馈放大器和电流反馈放大器。

[实施例模式7]

在该实施例模式中，对其中减小了由于信号线驱动电路发热引起像素部分中的温度梯度的显示装置的面板进行了描述。

在该实施例模式中，提供了用于减小显示装置的像素部分中温度梯度的热耗散层。

即，显示装置包括具有其亮度由于温度改变而改变的发光元件的像素部分和提供在第一基板上方的显示部分外围中的驱动电路，其中第一热耗散层介于它们之间。显示部分夹在第一基板和第二基板之间。

首先，参考图15A和15B对面板配置的实例进行描述，在该面板配置中提供具有热耗散功能的层作为在形成像素部分上的基板表面上方的基膜。要注意的是，图15A是显示装置的顶视图，图15是沿着图15A的A-A’-A”得到的截面图。如由虚线所示，显示装置包括驱动电路部分(源极信号线驱动电路)1501、像素部分1502、监视元件部分1503和驱动电路部分(栅极信号线驱动电路)1504。而且，存在由密封基板(相对基板)1505和密封材料1506包围的空间1507。

要注意的是，布线1509是用于将输入的信号传输到源极信号线驱动电路1501和栅极信号线驱动电路1504的布线，并从作为外部输入端的FPC(柔性印刷电路)1510接收视频信号、时钟信号、开始信号、复位信号等。通过COG(玻璃上芯片)在FPC上连接IC芯片(半导体集成电路)1511。要注意的是，可通过使用TAP(自动载带键合)或印刷基板连接IC芯片。

参考图15B描述截面结构。在基板1508的上方形成具有热耗散效应的基膜1526作为热耗散层。优选具有热耗散效应的基膜1526具有10至300W/mK的导热率，更优选50至300W/mK。而且，基膜可以由导热率高的氧化铝(Al₂O₃)、立方氮化硼(c-BN)、氮化铝(AlN)、BeO(氧化铍)、金刚石等形成。特别地，氮化铝(AlN)的导热率、绝缘性和高频特性好，且由于获得了接近硅的热膨胀系数，所以适合于作为热耗散层。例如，优选使用单层AlN(氮化铝)、AlN、SiNO(氧氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等的叠层。要注意的是，氮化铝(AlN)可包含0.1至30原子％的氧(O)。即，还可使用氧氮化铝(AlN_xO_y)。

在基膜1526的上方形成源极信号线驱动电路1501、像素部分1502、监视元件部分1503和栅极信号线驱动电路1504。

要注意的是，源极信号线驱动电路1501由其中结合使用了n沟道TFT1512和p沟道TFT1513的CMOS电路形成。TFT1524对应于形成栅极信号线驱动电路的TFT。而且，形成驱动电路的TFT由公知的CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路形成。在该实施例模式中，示出了其中驱动电路形成在基板上方的驱动集成型，然而，本发明不局限于此且驱动电路还可以形成在基板的外部。

像素部分1502由每一个都包括开关TFT1514、电流控制TFT1515和电连接到电流控制TFT1515的漏极上的第一电极1516的多个像素形成。要注意的是，形成绝缘体1517使其覆盖第一电极1516的边缘部分。在此，利用正型光敏丙烯酸树脂膜形成绝缘体。

为了获得良好的覆盖，形成绝缘体1517使得在其顶部或底部具有弯曲的曲面。例如，在使用正型的光敏丙烯酸作为绝缘体1517材料的情况下，优选顶部仅具有曲率半径(0.2至3μm)的曲面。作为绝缘体1517，可以使用通过感光变得不溶于蚀刻剂的负型丙烯酸或通过光变得溶于蚀刻剂的正型丙烯酸。

电致发光层1518和第二电极1519形成在第一电极1516的上方。在此，对于用作阳极的第一电极1516的材料，优选使用具有高功函数的材料。例如，可以使用钛膜、铬膜、钨膜、Zn膜、Pt膜等的单层结构、氮化钛和含铝作为主要成分的膜的叠层结构以及氮化钛膜、含铝作为主要成分的膜和氮化钛膜的三层结构。要注意的是，叠层结构作为布线阻抗低，由此可以获得良好的欧姆接触且还可以获得作为阳极的功能。

而且，电致发光层1518通过使用淀积掩模或喷墨法的淀积法形成。对于一部分电致发光层1518，使用属于元素周期表4族的金属络合物。此外，可以结合使用低分子量材料或高分子量材料。作为用于电致发光的材料，在单层或叠层中经常使用有机化合物，然而，在该实施例模式中对于由有机化合物形成的部分膜可使用无机化合物。而且，还可使用公知的三重态材料。

作为形成于电致发光层1518上方的第二电极1519的材料，可使用具有低功函数的材料(Al、Ag、Li、Ca或这些的合金，如MgAg、MgIn、AlLi、CaF₂或CaN)。要注意的是，在此使用顶部发射型，因此，优选使用1至10nm厚的铝膜、包含微量Li的铝膜、或厚度削薄的薄金属膜和透光导电膜(ITO(氧化铟氧化锡合金)、氧化铟氧化锌合金(In₂O₃-ZnO)、氧化锌等)的叠层。

在像素部分1502中，形成了由与电流控制TFT1515相同的材料形成的布线1521和电连接到电流控制TFT1515的漏极上的第一电极1516，以及监视元件1523，监视元件1523具有夹在第二电极1519和连接到布线1521上的阳极之间的电致发光层1518的结构。要注意的是，光遮蔽膜1524形成在监视元件部分1503的上方，用于遮蔽监视元件发光。

而且，通过用密封材料1506将密封基板1505贴附到元件基板1508上，将电致发光元件1520和监视元件1523提供在由元件基板1508、密封基板1505和密封材料1506包围的空间1507中。要注意的是，可用密封材料1506以及惰性气体(氮、氩等)填充空间1507。

优选密封材料1506是环氧树脂基树脂。而且，优选这种材料尽可能地不传送湿气和氧。作为用于密封基板1505的材料，可以使用玻璃基板、石英基板和由FRP(加固的玻璃纤维塑料)、PVF(聚氟乙烯)、密勒、聚酯、丙烯等形成的塑料基板。

以这种方式，可以获得其中在像素部分中减小了温度梯度的主动式矩阵显示装置。

而且，作为减小显示部分中的温度梯度的另一结构，在包括显示部分和驱动电路的显示装置中，该显示部分提供有由于温度改变而引起亮度改变的发光元件，驱动电路提供在形成于第一基板上方的显示部分的外围中，其中显示部分夹在第一基板和第二基板之间，具有热耗散效应的层可提供在第二基板的外表面上。

在此，参考图16A和16B描述在反基板的上方提供具有热耗散效应的层的情况下的面板配置。要注意的是，图15和16之间的共同部分由共同的附图标记表示且在此省略了其描述。

在这种结构中，具有热耗散效应的膜1601形成在将成为反基板的密封基板1505的上方。例如，优选提供导热率好的金属膜。作为金属膜，例如，可以使用通过旋涂在膜上方形成的铜。要注意的是，可使用具有热耗散效应的层的单层或者这种膜和氧氮化硅或氮氧化硅的叠层，然而，可在图16A和16B的结构中使用只有氧氮化硅和氮氧化硅的叠层。然而，优选用于有效地耗散热量以使用具有导热率的氮化铝(AlN)或金刚石、氧氮化硅和氮氧化硅的叠层。要注意的是，氮化铝(AlN)可包含0.1至30原子％的氧(O)。即，还可形成氧氮化铝(AlN_xO_y)。

在图16A和16B中所示的面板配置中，对于用作阳极的第一电极1516的材料，优选使用具有高功函数的材料。例如，可以使用透光膜，如ITO(氧化铟锡)膜和氧化锌锡(IZO)膜。通过使用具有透光性的透光膜，可以形成可以传输的阳极。

而且，对于用于用作阴极的第二电极1519所用的材料，可以使用由具有低功函数的材料形成的金属膜(Al、Ag、Li、Ca或这些的合金，如MgAg、MgIn、AlLi、CaF₂或CaN)。以这种方式，通过使用反射光的金属膜，可以形成不传输光的阴极。

以这种方式，如由图16B中的箭头所示向下可以获得从发光元件发出的光。

要注意的是，在显示装置使用具有底部发射结构的发光元件的情况下，使用具有透光性的基板用于基板1508。

在提供光学膜的情况下，可将其提供在基板1508的上方。

要注意的是，将具有顶部发射结构的显示装置的面板示于图15中，并将底部发射结构示于图16A和16B中，然而，不必说还可使用双发射结构。

参考图19描述可以应用到本发明显示装置上的双发射结构的发光元件。

在基板1900的上方形成基膜1905，然后在基膜1905的上方形成电流控制TFT1901。基于前述的，形成第一电极1902与电流控制TFT1901的漏电极接触，然后依序形成包含有机化合物的层1903和第二电极1904。要注意的是，可使用具有热耗散效应的层的单层或氧氮化硅和氮氧化硅的叠层用于基膜1905。作为具有热耗散效应的膜，可以使用每个都具有透光性的氮化铝、金刚石等。要注意的是，氮化铝(AlN)可包含0.1至30原子％的氧(O)。即，还可形成氧氮化铝(AlN_xO_y)。

第一电极1902是发光元件的阳极，而第二电极1904是其阴极。即，夹在第一和第二电极1902和1904之间包含有机化合物的层1903的部分对应于发光元件。

在此，优选使用具有高功函数的材料，用于用作阳极功能的第一电极1902所使用的材料。例如，可以使用透光的导电膜，如ITO(氧化铟锡)膜和氧化锌锡(IZO)膜。通过使用具有透光性的透光导电膜，可以形成可以传输光的阳极。

作为用作阴极的第二电极1904所使用的材料，优选使用由具有低功函数的材料形成的薄金属膜(Al、Ag、Li、Ca或这些的合金，如MgAg、MgIn、AlLi、CaF₂或CaN)和透光导电膜(ITO(氧化铟锡)膜、氧化铟氧化锌(In₂O₃-ZnO)、氧化锌(ZnO)等)的叠层。以这种方式，可以通过使用薄金属膜和具有透光性的透光导电膜来形成可以传输光的阴极。

以这种方式，可以从如由图19中的箭头所示的两个表面提取来自发光元件的光。即，在将本发明应用到图15中所示显示装置的面板上的情况下，光发射到基板1508侧和密封基板1505侧。因此，在使用显示装置的双发射结构发光元件的情况下，使用具有透光性的基板用于基板1508和密封基板1505。而且，在提供光学膜的情况下，可将光学膜提供用于基板1508和密封基板1505。

还可以将本发明应用到通过使用发白光和彩色光的发光元件进行全色显示的显示装置上。

如图20所示，在基板2000的上方形成基膜2002，然后在基膜2002的上方形成电流控制TFT2001。基于前述的，形成第一电极2003与电流控制TFT2001的漏电极接触，并依序形成包含有机化合物的层2004和第二电极2005。要注意的是，基膜2002可由导热率高的材料如氧化铝(Al₂O₃)、立方氮化硼(c-BN)、氮化铝(AlN)、BeO(氧化铍)、金刚石等形成。可以使用前述的单层或氧氮化硅膜和氮氧化硅膜的叠层。要注意的是，氮化铝(AlN)可包含0.1至30原子％的氧(O)。即，还可使用氧氮化铝(AlN_xO_y)。

第一电极2003是发光元件的阳极，而第二电极2005是其阴极。即，夹在第一和第二电极2003和2005之间包含有机化合物的层2004的部分对应于发光元件。在图20的结构中，发光元件发出白光。在发光元件的上方提供红色滤色器2006R、绿色滤色器2006G和蓝色滤色器2006B，由此可以进行全色显示。而且，提供黑矩阵(还称为BM)2007用于分离彩色滤色器。

由于只有发白光的发光元件提供在图20的结构中的像素部分中，所以可以通过使用与发光元件相似的材料形成监视元件来更精确地进行补偿功能，以获得相似的元件特性。

接下来，参考图17A和17B描述了被动式显示装置的面板配置的实例。图17A示出了显示装置的顶平面图，而图17B示出了沿着图17A的B-B′-B”得到的截面图。如由虚线所示，显示装置包括驱动电路部分(源极信号线驱动电路)1701、像素部分1702、监视元件部分1703和驱动电路部分(行信号线驱动电路)1704。而且，存在被密封基板1705和密封材料1706外围的空间1707。

要注意的是，布线1709是用于将输入的信号传输到列信号线驱动电路1701和行信号线驱动电路1704的布线，并从其是外部输入端的FPC(柔性印刷电路)1710接收视频信号、时钟信号、开始信号等。而且，通过COG(玻璃上芯片)在FPC上连接IC芯片(半导体集成电路)1711。要注意的是，可通过TAP(自动载带键合)和通过使用印刷基板来连接IC芯片。

参考图17B描述截面结构。形成具有热耗散效应的基膜1721。例如，基膜可以由AlN(氮化铝)的单层形成，或优选使用AlN、SiNO(氧氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等的叠层。AlN具有高的导热性、显示器温度良好的湿透特性和热耗散特性。

在基膜1721的上方形成像素部分1702和监视元件部分1703。然后，在通过COG(玻璃上的芯片)连接到基板1708上的IC芯片中形成列信号线驱动电路部分1701和行信号线驱动电路部分1704。

在基板1708的上方形成基膜1721，然后在基膜1721的上方形成由叠层形成的列信号线。底层1712是具有反射性质的金属膜，而顶层1713是透光的导电氧化膜。优选通过使用具有高功函数的导电膜形成顶层1713，导电膜如由透光导电材料形成的膜，如氧化铟锡(ITO)、通过混合包含Si元素的氧化铟锡(ITSO)和具有2至20％氧化锌(ZnO)的氧化锡获得的IZO(氧化铟锌)或结合包含包括这些材料的化合物的膜。在前述的情形中，ITSO保持在非晶状态，甚至当烘焙时也没有结晶，而ITO没有保持在非晶状态。因此，ITSO适合于用作发光元件的阳极，因为它具有比IT0高的平面性，且甚至当包含有机化合物的层薄时也不会与阴极短路。

对于底层1712，使用Ag、Al或Al(C+Ni)合金膜。特别地，作为具有ITO的接触阻抗，Al(C+Ni)膜(包含碳和镍(1至20wt％)的铝合金膜)是优选的材料，且ITSO甚至在电流应用或热处理之后也不会改变很多。

用于与相邻列信号线绝缘的隔开物1718由黑色树脂形成，其用作与不同彩色层之间的边界或间隙(提供在密封基板侧)交迭的黑矩阵(BM)。由黑色隔开物包围的区域具有与发光区相同的面积。

包含有机化合物的层1714具有从列信号线(阳极)侧以如下顺序堆叠的HIL(空穴注入层)、HTL(空穴传输层)、EML(发光层)、ETL(电子传输层)和EIL(电子注入层)。要注意的是，可以使用单层结构或混合层结构以及用于包含有机化合物的层的叠层结构。

形成行信号线(阴极)1715使其与列信号线(阳极)交叉。以这种方式，在包含有机化合物的层1715夹在列信号线和行信号线之间的区域中形成发光元件1716和监视元件1717。行信号线(阴极)1715由透光导电膜形成，如ITO、包含Si元素的氧化铟锡(ITSO)和通过将氧化锌(ZnO)混合到氧化铟中2至20％而获得的IZO。在使用顶部发射型显示装置的该实施例模式的结构中，在顶部发射型显示装置中如由箭头所示光发射穿过密封基板1715，重要的是行信号线1715传输光。要注意的是，通过使用具有未曝光部分作为图案的正型感光树脂根据光刻方法控制曝光和显影时间的级数来形成用于与相邻的行信号线绝缘的隔开物1719，以便更多地蚀刻图案下面的部分。

而且，为了保护发光元件不受湿气和脱气的损伤，可提供覆盖行信号线1715的透光保护膜。作为透光保护膜，优选使用通过PCVD法形成的致密的无机绝缘膜(SiN、SiNO膜等)、通过溅射法形成的致密的无机绝缘膜(SiN、SiNO膜等)、包含碳作为主要成分的薄膜(DLC膜、CN膜和非晶碳膜)、金属氧化物膜(WO₂、CaF₂、Al₂O₃等)等。透光意味着具有80至100％的可见光的透射率。

在监视元件部分1703的上方提供光遮蔽膜1720，以便从监视元件部分1703发出的光不会泄露到外部。

由密封材料1706和密封基板1705密封包括发光元件的像素部分1702，由此密封和关闭包围的空间1707。

作为密封材料1706，可以使用紫外线固化树脂、热固化树脂、有机硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、PVC(聚氯乙烯)、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)或EVA(乙烯基乙酸乙烯)。密封材料可增加填充物(棒形或纤维型间隔物)或球形间隔物。

而且，使用玻璃基板或塑料基板用于密封基板1705。作为塑料基板，可以使用板状或膜状的聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、环氧树脂、PES(聚醚砜)、PC(聚碳酸酯)、PET(聚乙烯对苯二酸酯)或PEN(聚乙烯萘邻苯二甲酸酯)。

另一方面，在基板1708的边缘部分形成端电极，将连接到外部电路的FPC(柔性印刷电路)1710贴附到基板1708的边缘部分。端电极由具有反射性质的金属膜1713和透光的导电氧化物膜1714的叠层形成，然而，本发明不局限于此。

在像素部分的外围中，通过各向异性的导电材料1721电连接形成驱动电路的IC芯片1701、1704和1711，驱动电路将每个信号传递给像素部分等。而且，为了形成对应于彩色显示的像素部分，在XGA显示中需要3072条列信号线和768条行信号线。形成这些数量的列信号线和行信号线在像素部分的边缘部分划分并提供有引出线，由此根据IC芯片输出端的间距聚集引出线。

以上描述的显示装置是顶部发射型显示装置，顶部发射型显示装置的黑色隔开物1718和1719有助于改善对比度。

参考图18A和18B描述了在提供具有用于反基板的热耗散效应层的情况下的面板配置。要注意的是，图17和18之间的共同部分由共同的附图标记表示，且在此省略了对其的描述。

在这种结构中，在作为反基板的密封基板1705的上方提供具有热耗散效应的膜1801。例如，优选使用导热率好的金属膜。作为金属膜，例如，可以使用通过旋涂形成的铜膜。要注意的是，可使用具有热耗散效应的层的单层或这种膜、氧氮化硅和氮氧化硅的叠层。作为在此具有热耗散效应的层，可以使用具有透光性的氮化铝、金刚石等。要注意的是，氮化铝(AlN)可包含0.1至30原子％的氧(O)。即，还可形成氧氮化铝(AlN_xO_y)。

具有底部发射结构的发光元件由透光的导电氧化物膜形成的列信号线(阳极)1713、包含有机化合物的层1714和由具有反射性质的导电膜形成的行信号线1715形成。而且，隔开物1718由具有透光性的材料形成。

在由图18B中的箭头所示的方向即穿过基板1708的方向上提取从发光元件发出的光。因此，密封基板1705尤其不需要具有透光性，但还可使用金属板。优选这种结构，是因为甚至当形成厚的保护膜用于改善发光元件的可靠性时光提取效率也没有降低。

在提供光学膜的情况下，可将它提供在第一基板1708侧。

要注意的是，将具有顶部发射结构的显示装置的面板示于图17中，并将底部发射结构示于图18中，然而，不必说还可使用双发射结构。

参考图21描述具有双反射结构的发光元件。

具有双反射结构的发光元件由透光的导电氧化物膜形成的列信号线(阳极)2102、包含有机化合物的层2104和由透光的导电氧化物膜形成的行信号线2105形成。隔开物2103由遮蔽光的材料形成。在第一基板2101的上方形成发光元件，基膜2107介于它们之间。要注意的是，基膜2107可由具有热耗散效应的层的单层或这种膜和氧氮化硅和氮氧化硅的叠层形成，如在图17的面板配置中描述的。具有热耗散效应的层可由具有透光性的氮化铝(AlN)和金刚石形成。要注意的是，氮化铝(AlN)可包含0.1至30原子％的氧(O)。即，还可形成氧氮化铝(AlN_xO_y)。

在由图21中的箭头所示的方向即穿过第一基板2101的方向和穿过第二基板2106的方向上提取从发光元件发出的光。因此，第一基板2101和第二基板2106两个都由具有透光性的基板形成。

在提供光学膜的情况下，可为第一基板1708和第二基板2106提供光学膜。

参考图22描述隔开物不是反向锥形而是正向锥形的实例。要注意的是，使用发白光的发光元件和滤色器用于进行全色显示。

在第一基板2201的上方形成基膜2210，在基膜2210的上方形成条状的第一电极2202。在这种结构中，在第一电极2202上提供具有孔的隔开物2203，在隔开物2203的上方提供由间隔物2206和突出部分2207形成的隔开物，突出部分2207的宽度在间隔物2206上是宽度的。要注意的是，基膜2210可以由导热率高的氧化铝(Al₂O₃)、立方氮化硼(c-BN)、氮化铝(AlN)、BeO(氧化铍)、金刚石等形成。基膜2210可以由前述物质的单层或前述物质和氧氮化硅膜和氮氧化硅膜的叠层形成。要注意的是，氮化铝(AlN)可包含0.1至30原子％的氧(O)。即，还可形成氧氮化铝(AlN_xO_y)。

间隔物2206由有机树脂膜如聚酰亚胺形成，而突出部分2207由感光树脂膜如光刻胶形成。形成有机树脂膜如聚酰亚胺，然后在将分开的电极之间留下感光树脂膜如光刻胶的图案。然后，蚀刻露出的有机树脂膜。此时，控制蚀刻条件以在感光树脂的图案下面形成底切。经由这些步骤，可以形成包括突出结构即隔开物的元件隔开结构。

在图22中，具有孔的隔开物2203、间隔物2206或突出部分2207由遮蔽光的材料形成，以便改善对比度。

通过在形成隔开物之后形成包含有机化合物的层和透光导电膜，可以形成包含有机化合物的层2204和第二电极2205。

在图22中，包含有机化合物的层2204由将香豆素6掺杂到Alq₃中的发绿光层和将rubrene掺杂到TPD的发黄光层的叠层形成，其利用两层的发光形成发白光的元件。在这种结构中，可以省略用于每种发射彩色的淀积材料的步骤，因此，可以减小用于制造被动式矩阵发光器件所需的时间。

在发白光元件的像素的相反位置处的第二基板2209的上方提供仅由彩色层2208R、2208G和2208B形成的滤色器。而且，提供了隔开这些滤色器的黑矩阵(还称为BM)。

由于在图22的结构中，在像素部分中只提供了发白光的发光元件，所以可以通过使用与发光元件相似的材料形成监视元件来更精确地进行补偿作用，以获得相似的元件特性。

[实施例模式8]

在该实施例模式中，描述了可以应用到本发明的主动式型显示装置的像素结构上的像素结构。

像素结构并不局限于图2、3、5和8中描述的那些，但还可以使用采用电压驱动型像素晶体管的另一像素结构。即，可以将本发明应用到具有像素结构的显示装置上，该像素结构使用在线性区工作的晶体管，作为发光元件的驱动晶体管。

首先，参考图25A描述示于图2、3、5或8中的显示装置的像素结构的工作情况。像素结构包括开关晶体管2501、电容2502、驱动晶体管2503、发光元件2504、栅极信号线2505、源极信号线2506和电源线2507。开关晶体管2501的栅极端连接到栅极信号线2505上。开关晶体管2501的源极端连接到源极信号线2506上，其漏极端连接到驱动晶体管2503的栅极端上。电容2502的一端连接到驱动晶体管2503的栅极端上，而它的其它端连接到电源线2507上。驱动晶体管2503的源极端连接到电源线2507上，且其漏极端连接到发光元件2504的阳极上。当开关晶体管2501由从栅极信号线输入的信号导通时，将数字视频信号从栅极信号线2505输入到驱动晶体管2503的栅极端上。输入的数字视频信号的电压保存在电容2502中。通过输入的数字视频信号，使驱动晶体管2503导通/断开，其通过电源线2507控制以设置在发光元件2504的阳极处电位。通过根据本发明设置电源线2507的电位，可以校正提供给发光元件2504的、由于温度改变和随着时间改变而引起变化的电流值。而且，可以提供稳定的电压源。

而且，可以将本发明应用到具有如图25B中所示的像素结构的显示装置上。图25B中所示的结构对应于其中另外提供了擦除晶体管2508和擦除信号线2509的图25A的结构。因此，共同的附图标记用于共同的部分。在这种结构中，当擦除信号输入到擦除信号线2509上且擦除晶体管2508导通时，保存在电容2502中的电荷放电且驱动晶体管2503断开，其使发光元件2504不发光。而且在这种结构中，根据本发明，可以通过设置电源线2507的电位来校正提供给发光元件2504的、由于温度改变和随着时间改变而变化的电流值。而且，可以提供稳定的电压源。

可以将本发明应用到像素中晶体管的极性适当地改变了、连接改变了、或另外提供了晶体管的像素结构以及前述的结构上。

[实施例模式9]

可以将本发明应用到各种电子器件上。具体地，可以将本发明应用到电子器件的显示部分上。这种电子器件包括摄像机、数字照相机、护目镜型显示器(安装头部的显示器)、导航系统、音频再生装置(汽车音频、音频组件机等)、计算机、游戏机、便携式信息终端(移动计算机、便携式电话、便携式游戏机、电子书籍等)、提供有记录介质的图像再生装置(具体地，再生记录介质如DVD(数字通用盘)并具有可以显示再生图像的显示器的装置)等。

图26示出了包括外壳26001、支座26002、显示部分26003、扬声器部分26004、视频输入端子26005等的显示器。具有本发明应用到显示部分26003上的显示器能够抑制由于温度改变而引起的亮度差异，并减小明显的亮度退化。要注意的是，显示器包括用于显示信息如用于个人计算机、TV广播接收和广告信息的所有显示装置。

图26B示出了包括主体26101、显示部分26102、图像接收部分26103、操作键26104、外部连接端口26105、快门26106等的照相机。具有本发明应用到显示部分26102上的照相机能够抑制由于温度改变而引起的亮度差异，并能够减小明显的亮度退化。

图26C示出了包括主体26201、外壳26202、显示部分26203、键盘26204、外部连接端口26205、鼠标26206等的计算机。具有本发明应用到显示部分26203上的计算机能够抑制由于温度改变而引起的亮度差异，并能够减小明显的亮度退化。

图26D示出了包括主体26301、显示部分26302、开关26303、操作键26304、红外端口26305等的移动计算机。具有本发明应用到显示部分26302上的移动计算机能够抑制由于温度改变而引起的亮度差异，并能够减小明显的亮度退化。

图26E示出了包括主体26401、外壳26402、显示部分A26403、显示部分B26404、记录介质(如DVD)读取部分26405、操作键26406、扬声器部分26407等的、提供有再生介质(具体地，DVD再生器件)的便携式图像再生装置。显示部分A26403主要显示图像数据，而显示部分B26404主要显示文本数据。具有本发明应用到显示部分A26403和显示部分B26404上的图像再生装置能够抑制由于温度改变而引起的亮度差异，并能够减小明显的亮度退化。

图26F示出了包括主体26501、显示部分26502和臂部分26503的护目镜型显示器。具有本发明应用到显示部分26502上的护目镜型显示器能够抑制由于温度改变而引起的亮度差异，并能够减小明显的亮度退化。

图26G示出了包括主体26601、显示部分26602、外壳26603、外部连接端口26604、遥控接收部分26605、图像接收部分26606、电池26607、音频输入部分26608、操作键26609等的摄像机。具有本发明应用到显示部分26602上的摄像机能够抑制由于温度改变而引起的亮度差异，并能够减小明显的亮度退化。

图26H示出了包括主体26701、外壳26702、显示部分26703、音频输入部分26704、音频输出部分26705、操作键26706、外部连接端口26707、天线26708等的便携式电话。具有本发明应用到显示部分26703上的便携式电话能够抑制由于温度改变而引起的亮度差异，并能够减小明显的亮度退化。

以这种方式，可以将本发明应用到各种电子器件上。

本申请以2004年8月23日在日本专利局申请的日本专利申请序列no.2004-242820为基础，将其全部内容并入这里作为参考。

Claims

1.一种显示装置，包括：

像素部分包括：

第一发光元件；和

第二发光元件；和

电压源电路包括：

操作地连接到第一发光元件的第一电路；和

操作地连接到第二发光元件的第二电路，

其中第一电路将第一电压提供给第一发光元件，且第二电路将第二电压提供给第二发光元件，和

其中当第一元件的温度比第二元件的温度更高时，第一电压比第二电压更低。

2.一种显示装置，包括：

电连接到n条第一信号线的第一信号线驱动电路；

电连接到m条第二信号线的第二信号线驱动电路；

像素部分，包括相应于n条第一信号线和m条第二信号线排列成矩阵的(n×m)个像素，其中(n×m)个像素中的每一个都包括发光元件；和

电压源电路包括：

m个监视元件，设置在像素部分的旁边；

i个电流源，其每一个都将电流提供给m个监视元件的相应j个监视元件；以及

k个放大器，

其中k个放大器中的每一个都根据在相应的(m/k)个监视元件的每一个处产生的第二电压而产生第一电压，

其中k个放大器中的每一个都将第一电压施加到在相应的(m/k)行(n×m)个像素中包括的(n×m/k)个发光元件的每一个上，

其中n和m中的每一个都是自然数，以及

其中i、j和k中的每一个都是小于或等于m的自然数。

3.一种显示装置，包括：

电连接到n条第一信号线的第一信号线驱动电路；

电连接到m条第二信号线的第二信号线驱动电路；

电压源电路包括：

m个监视元件，设置在像素部分的旁边；

i个电流源，其每一个都将电流提供给m个监视元件的相应的j个监视元件；以及

k个放大器，

其中k个放大器中的每一个都根据在相应的(m/k)个监视元件的阳极中每一个处产生的第二电位而产生第一电位，

其中k个放大器中的每一个都将第一电位施加到在相应的(m/k)行(n×m)个像素中包括的(n×m/k)个发光元件的每个阳极上，

其中n和m中的每一个都是自然数，以及

其中i、j和k中的每一个都是小于或等于m的自然数。

4.一种显示装置，包括：

电连接到n条第一信号线的第一信号线驱动电路；

电连接到m条第二信号线的第二信号线驱动电路；

电压源电路包括：

m个监视元件，设置在像素部分的旁边；

i个电流源，其每一个都将电流提供给m个监视元件中相应的j个监视元件；以及

k个放大器，

其中k个放大器中的每一个都根据在相应的(m/k)个监视元件的每个阳极处产生的第二电位而产生第一电位，

其中m个监视元件中的每一个都平行地连接到在相应行的(n×m)个像素中包括的n个发光元件中的每一个上，

其中n和m中的每一个都是自然数，以及

其中i、j和k中的每一个都是小于或等于m的自然数。

5.一种显示装置，包括：

电连接到n条第一信号线的第一信号线驱动电路；

电连接到m条第二信号线的第二信号线驱动电路；

电压源电路包括：

m个监视元件，设置在像素部分的旁边；

m个电流源，其每一个都将电流提供给m个监视元件中相应的一个；以及

m个放大器，

其中m个放大器中的每一个都根据在m个监视元件中相应的一个处产生的第二电压而产生第一电压，

其中m个放大器中的每一个都将第一电压施加到在相应行的(n×m)个像素中包括的n个发光元件中的每一个上，以及

其中n和m中的每一个都是自然数。

6.一种显示装置，包括：

电连接到n条第一信号线的第一信号线驱动电路；

电连接到m条第二信号线的第二信号线驱动电路；

电压源电路包括：

m个监视元件，设置在像素部分的旁边；

m个放大器，

其中m个放大器中的每一个都根据在m个监视元件中相应一个的阳极处产生的第二电位而产生第一电位，

其中m个放大器中的每一个都将第一电位施加到在相应行的(n×m)个像素中包括的n个发光元件的每个阳极上，以及

其中n和m中的每一个都是自然数。

7.一种显示装置，包括：

电连接到n条第一信号线的第一信号线驱动电路；

电连接到m条第二信号线的第二信号线驱动电路；

电压源电路包括：

m个监视元件，设置在像素部分的旁边；

m个放大器，

其中m个放大器中的每一个都将第一电位施加到在相应行的(n×m)个像素中包括的n个发光元件的每个阳极上，

其中m个监视元件中的每一个都平行地连接到在相应行的(n×m)个像素中包括的n个发光元件中的每一个上，以及

其中n和m中的每一个都是自然数。

8.根据权利要求2的显示装置，

其中第一信号线驱动电路是源极信号线驱动电路，以及

其中第二信号线驱动电路是栅极信号线驱动电路。

9.根据权利要求3的显示装置，

其中第一信号线驱动电路是源极信号线驱动电路，以及

其中第二信号线驱动电路是栅极信号线驱动电路。

10.根据权利要求4的显示装置，

其中第一信号线驱动电路是源极信号线驱动电路，以及

其中第二信号线驱动电路是栅极信号线驱动电路。

11.根据权利要求5的显示装置，

其中第一信号线驱动电路是源极信号线驱动电路，以及

其中第二信号线驱动电路是栅极信号线驱动电路。

12.根据权利要求6的显示装置，

其中第一信号线驱动电路是源极信号线驱动电路，以及

其中第二信号线驱动电路是栅极信号线驱动电路。

13.根据权利要求7的显示装置，

其中第一信号线驱动电路是源极信号线驱动电路，以及

其中第二信号线驱动电路是栅极信号线驱动电路。

14.根据权利要求2的显示装置，

其中(n×m)个像素中的每一个还包括薄膜晶体管。

15.根据权利要求3的显示装置，

其中(n×m)个像素中的每一个还包括薄膜晶体管。

16.根据权利要求4的显示装置，

其中(n×m)个像素中的每一个还包括薄膜晶体管。

17.根据权利要求5的显示装置，

其中(n×m)个像素中的每一个还包括薄膜晶体管。

18.根据权利要求6的显示装置，

其中(n×m)个像素中的每一个还包括薄膜晶体管。

19.根据权利要求7的显示装置，

其中(n×m)个像素中的每一个还包括薄膜晶体管。

20.根据权利要求2的显示装置，

其中发光元件具有包含夹在第一电极和第二电极之间的有机化合物的层，该第一电极由n条第一信号线中一部分的相应信号线形成，第二电极由m条第二信号线中一部分的相应信号线形成。

21.根据权利要求3的显示装置，

22.根据权利要求4的显示装置，

23.根据权利要求5的显示装置，

24.根据权利要求6的显示装置，

25.根据权利要求7的显示装置，

26.根据权利要求2的显示装置，

其中k个放大器中的每一个都是电压跟随器电路。

27.根据权利要求3的显示装置，

其中k个放大器中的每一个都是电压跟随器电路。

28.根据权利要求4的显示装置，

其中k个放大器中的每一个都是电压跟随器电路。

29.根据权利要求5的显示装置，

其中k个放大器中的每一个都是电压跟随器电路。

30.根据权利要求6的显示装置，

其中k个放大器中的每一个都是电压跟随器电路。

31.根据权利要求7的显示装置，

其中k个放大器中的每一个都是电压跟随器电路。

32.根据权利要求2的显示装置，

其中像素部分由具有多个颜色分量的像素形成；以及

其中给每个颜色分量提供监视元件和放大器。

33.根据权利要求3的显示装置，

其中像素部分由具有多个颜色分量的像素形成；以及

其中给每个颜色分量提供监视元件和放大器。

34.根据权利要求4的显示装置，

其中像素部分由具有多个颜色分量的像素形成；以及

其中给每个颜色分量提供监视元件和放大器。

35.根据权利要求5的显示装置，

其中像素部分由具有多个颜色分量的像素形成；以及

其中给每个颜色分量提供监视元件和放大器。

36.根据权利要求6的显示装置，

其中像素部分由具有多个颜色分量的像素形成；以及

其中给每个颜色分量提供监视元件和放大器。

37.根据权利要求7的显示装置，

其中像素部分由具有多个颜色分量的像素形成；以及

其中给每个颜色分量提供监视元件和放大器。

38.根据权利要求2的显示装置，

其中m个监视元件和(n×m)个发光元件是EL元件。

39.根据权利要求3的显示装置，

其中m个监视元件和(n×m)个发光元件是EL元件。

40.根据权利要求4的显示装置，

其中m个监视元件和(n×m)个发光元件是EL元件。

41.根据权利要求5的显示装置，

其中m个监视元件和(n×m)个发光元件是EL元件。

42.根据权利要求6的显示装置，

其中m个监视元件和(n×m)个发光元件是EL元件。

43.根据权利要求7的显示装置，

其中m个监视元件和(n×m)个发光元件是EL元件。

44.一种电子器件，在显示部分中具有根据权利要求2的显示装置。

45.一种电子器件，在显示部分中具有根据权利要求3的显示装置。

46.一种电子器件，在显示部分中具有根据权利要求4的显示装置。

47.一种电子器件，在显示部分中具有根据权利要求5的显示装置。

48.一种电子器件，在显示部分中具有根据权利要求6的显示装置。

49.一种电子器件，在显示部分中具有根据权利要求7的显示装置。

50.一种显示装置，包括：

在第一基板上方的第一热耗散层；和

具有其阻抗由于温度改变而改变的发光元件的像素部分，和在第一热耗散层上方的像素部分外围中提供的驱动电路，以及

其中像素部分夹在第一基板和第二基板之间。

51.一种显示装置，包括：

在第一基板上方的第一热耗散层；和

具有其阻抗由于温度改变而改变的发光元件的像素部分，和由在第一热耗散层上方的像素部分外围中提供的薄膜晶体管形成的驱动电路，

其中像素部分夹在第一基板和第二基板之间。

52.根据权利要求50的显示装置，

其中第一热耗散层的导热率是10至300W/mK。

53.根据权利要求51的显示装置，

其中第一热耗散层的导热率是10至300W/mK。

54.根据权利要求50的显示装置，

其中第一热耗散层是包含氮化铝的层。

55.根据权利要求51的显示装置，

其中第一热耗散层是包含氮化铝的层。

56.根据权利要求50的显示装置，

其中第一热耗散层是包含氧氮化铝(AlN_xO_y)的层。

57.根据权利要求51的显示装置，

其中第一热耗散层是包含氧氮化铝(AlN_xO_y)的层。

58.根据权利要求56的显示装置，

其中氧氮化铝包含0.1至30原子％的氧(O)。

59.根据权利要求57的显示装置，

其中氧氮化铝包含0.1至30原子％的氧(O)。

60.根据权利要求50的显示装置，

其中第二热耗散层形成在第二基板的外表面上方。

61.根据权利要求51的显示装置，

其中第二热耗散层形成在第二基板的外表面上方。

62.根据权利要求60的显示装置，

其中第二热耗散层是金属膜。

63.根据权利要求61的显示装置，

其中第二热耗散层是金属膜。

64.根据权利要求62的显示装置，

其中金属膜是包含铜的膜。

65.根据权利要求63的显示装置，

其中金属膜是包含铜的膜。

66.一种电子器件，在显示部分中具有根据权利要求50的显示装置。

67.一种电子器件，在显示部分中具有根据权利要求51的显示装置。

68.一种显示装置的驱动方法，包括：

像素部分，由其阻抗由于温度改变而改变的多个发光元件形成，

其中当在像素部分的表面中出现温度梯度时，将较低的电压施加到高温的发光元件上，并将较高的电压施加到低温的发光元件上。