CN1741141A - 磁记录介质和磁记录方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种磁记录介质、磁记录设备和磁记录方法。该磁记录介质包括：衬层12，该衬层包含第一磁性层12a和形成在第一磁性层12a之上的第二磁性层12c，该第二磁性层12c是铁磁性的并且在与第一磁性层12a相反的方向上被磁化，和第三磁性层12e，形成在第二磁性层12c之上并且在与第二磁性层12c相反的方向上被磁化；和垂直磁性记录层16，形成在衬层12之上，用于记录磁信息。在第一磁性层12a和第二磁性层12c之间以及在第二磁性层12c和第三磁性层12e之间各形成反铁磁性的交换互联通路。利用本发明，在记录信息时使用低的磁化强度也不会失败，并且能产生高的信号输出，而且能抑制介质噪声。
Description
技术领域
本发明涉及到一种磁记录介质和用于在该磁记录介质中记录的磁记录方法，尤其涉及一种在垂直磁记录中使用的磁记录介质和用于在该磁记录介质中记录的磁记录方法。
背景技术
属于磁记录设备的硬盘设备已广泛用于计算机和外部存储媒体中，例如各种各样的便携式信息终端，举例来说，移动个人计算机，游戏机，数码相机，汽车导航系统等。
近来，可被制为比传统的纵向记录介质两倍或更多的矫顽力的垂直磁记录介质引人注目。该垂直磁记录是一种磁场记录模式，其中，磁畴(magneticdomain)形成为垂直于记录介质的表面，且相邻的记录位彼此反向平行。
在该垂直磁记录中，记录是由单极磁头结构的磁头产生的强记录磁场执行。鉴于此，在作为磁性记录层的垂直磁化膜下面，形成作为单极磁头产生的磁场的出口的衬层(backing layer)。因此，从记录头产生的记录磁场通过该衬层循环，从而形成该磁通量的闭合磁路。
该衬层的使用使得利用更强的磁头磁场进行记录变得可能，并且与没有衬层及使用纵向记录介质的垂直记录介质相比，具有两倍或更多的矫顽力。
使用了衬层的垂直磁记录介质公布于例如参考文件1(日本出版的未审专利申请No.2002-298326)、参考文件2(日本出版的未审专利申请No.2003-346315)以及参考文件3(日本出版的未审专利申请No.2004-127403)中，其他相关联的技术公布在参考文件4(日本出版的未审专利申请No.2001-084658)中。
记录层是由垂直磁化膜组成，而衬层是由纵向磁化膜组成。衬层要比记录层厚一点。因此，由于在记录层这一垂直磁化膜和衬层这一纵向磁化膜之间存在磁交互作用等，在衬层中往往产生垂直磁分量。当在衬层产生垂直磁分量时，即使在读取中检测到这些成分，也会引起介质噪声。
为了阻隔记录层和衬层之间的交互作用，在他们之间置入一层称为中间层的非磁性层。然而，当中间层太厚时，来自磁头的磁通量不能到达衬层，从而使得记录变得困难。另一方面，当中间层太薄时，不能充分地阻隔记录层和衬层之间的磁交互作用，作为结果产生的波动会引起介质噪声。
当衬层具有反向磁化区域(magnetized domain)时，形成180度的磁畴墙，使流经此处的漏通量变成了敏锐噪声并复合到读取信号中，而这往往会增加介质噪声。
一种允许高记录密度并减少介质噪声的方法为热辅助记录。该热辅助记录利用记录层的磁特性随温度变化的性质。发出激光束，以加热记录层的记录区域，由此降低该记录区域的矫顽力(Hc)。然而，结果是，记录的磁畴变宽，而限制了线性密度和轨迹密度，因为记录区域和记录的磁场的分布(锐度)依赖于激光束的光强分布(＝热分布)，而且还成为介质噪声的又一因素。
发明内容
本发明的目的是提供一种磁记录介质，该介质在记录信息时使用低的磁化强度也不会失败，并且能产生高的信号输出，而且能抑制介质噪声，本发明还提供一种用于在该介质中记录的磁记录方法。
根据本发明的一个方案，提供一种磁记录介质，包括：衬层，包含第一磁性层和形成在第一磁性层之上的第二磁性层，第二磁性层是铁磁性的并且在与第一磁性层相反的方向上被磁化；和垂直磁性记录层，形成在衬层之上，用于记录磁信息；在第一磁性层和第二磁性层之间形成的反铁磁性的交换互联通路(exchange interconnection)。
根据本发明的另一方案，提供一种磁记录设备，包含：磁记录介质，包含衬层，该衬层包含：第一磁性层和形成在第一磁性层之上的第二磁性层，该第二磁性层是铁磁性的并且在与第一磁性层相反的方向上被磁化；和垂直磁性记录层，用于记录形成在衬层之上的磁信息；在第一磁性层和第二磁性层之间形成的反铁磁性的交换互联通路。磁头，置于磁记录介质的垂直磁性记录层侧，用于在磁记录介质的规定记录区域内记录磁信息，以及从磁记录介质的规定记录区域中读取磁信息；和光源，用于在磁信息被写入磁记录介质中时，照射光到该磁记录介质中的记录区域，以控制该区域的温度。
根据本发明的另一方案，提供一种磁记录方法，用于在磁记录介质中记录，该磁记录介质包括：衬层，该衬层包含第一磁性层和形成在第一磁性层之上的第二磁性层，该第二磁性层在第一温度变成在与第一磁性层相反的方向被磁化的纵向磁化膜，并在高于第一温度的第二温度变成垂直磁化膜；以及垂直磁性记录层，形成于衬层之上，用于记录磁信息，该方法包括：将记录区域的温度提升到第二温度，以将该记录区域的第二磁性层从纵向磁化膜改变到垂直磁化膜，并将记录磁场施加到该记录区域，以将对应于该记录磁场的规定的磁信息记录在该记录区域的垂直磁性记录层中。
根据本发明，衬层由第一磁性层和在与第一磁性层相反的方向上被磁化的铁磁性材料的第二磁性层组成，因此在第一磁性层和第二磁性层之间形成了反铁磁性的交换互联通路，由此在衬层中组成闭合磁路。这样，可减少在读取时来自衬层的漏磁场，同时抑制条形磁畴的产生，并且降低介质噪声。
第二磁性层在读取温度变成纵向磁化膜，并且在记录温度变成垂直磁化膜，由此获得在读取时前面所述的反铁磁性的交换互联通路的效果，并且在记录时记录磁场能够集中在记录区域中，并且能够增加记录磁场的灵敏度。这样，记录磁场梯度可变得敏锐，由此可减少在相邻的磁畴之间的过渡噪声。
第二磁性膜变成垂直磁化膜以由此起到在该记录磁场中拉(draw)作用，从而可降低记录磁化强度或者用于降低用于提高温度的激光强度，进而降低电能的消耗。
在与第二磁性层相反的方向上被磁化的第三磁性层形成在第二磁性层之上，由此在第二磁性层与第三磁性层之间形成反铁磁性的交换互联通路，从而抑制漏磁场的增加，且增加衬层(第三磁性层)表面的饱和磁化强度。进而，因影像反射效应(image reflection effect)引起的输出信号增强的效果得以加强。获得了降低介质噪声的效果，增加了信噪(S/N)比。
第三磁性层具有在记录温度附近的Currie温度，由此减少记录过程中来自第三磁性层的磁场，以及禁止第三磁性层影响记录磁场。
附图说明
图1是根据本发明第一实施例的磁记录介质的截面图，显示了其结构。
图2是根据本发明第一实施例的磁性记录介质的衬层的饱和磁化强度的温度特性曲线图。
图3是根据本发明第一实施例的磁记录介质的衬层的磁各向异性的温度特性曲线图。
图4是根据本发明第一实施例的磁记录介质的读取原理示意图。
图5是根据本发明第一实施例的磁记录介质的记录原理示意图。
图6是根据本发明第一实施例的磁记录介质的记录磁场的重写特性曲线图。
图7是根据本发明第二实施例的磁记录设备的截面图，显示了其结构。
图8是根据本发明第二实施例的改型的磁记录设备的截面图，显示了其结构。
具体实施方式
第一实施例
参照图1到图6，说明根据本发明第一实施例的磁记录介质和磁记录方法。
图1是根据本实施例的磁记录介质的截面图，图中显示了其结构。图2是根据本实施例的磁记录介质的衬层的饱和磁化强度的温度特性曲线图。图3是根据本实施例的磁记录介质的衬层的磁各向异性的温度特性曲线图。图4是根据本实施例的磁记录介质读取原理示意图。图5是根据本实施例的磁记录介质的记录原理示意图。图6是根据本实施例的磁记录介质记录磁场的重写特性曲线图。
首先，参照图1，说明根据本实施例的磁记录介质的结构。
衬层12形成在玻璃衬底10之上。从玻璃衬底10侧开始，衬层12包含第一磁性层12a即纵向磁化膜，第二磁性层12c当在室温下时是纵向磁化膜而在高温下是垂直磁化膜，和第三磁性层12e即纵向磁化膜。分别为间隔层12b，12d分别形成在第一磁性层12a与第二磁性层12c之间，和第二磁性层12c与第三磁性层12e之间。第二磁性层12c具有铁磁性。第二磁性层12c和第一磁性层12a一起形成反铁磁性的交换互联通路。第二磁性层12c也和第三磁性层12e一起形成反铁磁性的交换互联通路。在衬层12上，形成非磁性材料的中间层14、垂直磁化膜的垂直磁性记录层16以及保护层18。
在读取时(例如在室温下)，第一磁性层12a、第二磁性层12c以及第三磁性层12e的磁化方向为与磁性层(纵向磁化膜)的表面相平行的纵向方向。第一磁性层12a和第二磁性层12c彼此磁化方向相反，从而在它们之间形成反铁磁性的交换互联通路20。第二磁性层12c和第三磁性层12e彼此磁化方向相反，从而在它们之间形成反铁磁性的交换互联通路20(见图4)。据此，在第一磁性层12a与第二磁性层12c之间以及第二磁性层12c与第三磁性层12e之间形成了闭合磁路22，由此可减少来自衬层12的漏磁场，并抑制条形磁畴的产生，因此可减少介质噪声。
在记录时(例如在被升高的温度下)，第一磁性层12a和第三磁性层12e的磁化方向为与磁性层(纵向磁化薄膜)的表面相平行的纵向方向。在记录区域中的第二磁性层12c的磁化方向为垂直于磁性层(垂直磁化膜)的表面的垂直方向。在记录区域以外的区域中，第二磁性层12c的磁化方向为与读取情况类似(见图5)的纵向方向(纵向磁化膜)。据此，第二磁性层12c起到从磁头在记录磁场拉的作用，并且该记录磁场集中在垂直磁化区域，由此可提高记录磁场的灵敏度。记录磁场梯度变得敏锐，并且可降低相邻磁畴的过渡噪声。
如上所述，根据本实施例的磁记录介质的特征在于衬层12由第一磁性层12a、第二磁性层12c以及第三磁性层12e构成。根据本实施例的磁记录介质的第一到第三磁性层详细说明如下。
第一磁性层12a用于循环产生自记录头的记录磁场，以由此形成磁通量的闭合磁路，并且该第一磁性层12a是用于实现衬层12的固有目的的一层。因而，第一磁性层12a必须在记录中(升高了的温度)具有纵向的磁各向异性。
第一磁性层12a由传统地用作衬层的磁性材料例如CoNbZr构成。CoNbZr具有Ku＜0的固有的磁各向异性(Ku)，并且即使在饱和磁化强度Ms随温度的变化而降低时，依然保持纵向的磁各向异性，除非另外的磁各向异性因素在起作用。
除了上面所说的CoNbZr之外，第一磁性层12a可由无定形的材料构成，例如具有细微的晶体沉积晶体结构(crystal deposited crystal structure)的材料的CoZrTa、晶体材料(crystalline material)的FeTaC、NiFe或其他，并且晶体形式不限。然而，考虑到第一磁性层12a的噪声，优选由无定形的或者细微的晶体沉积材料来构成第一磁性层12a。第一磁性层12a可有这样的多层结构，即一个在另一个上的交替放置的软磁性层与非磁性层(例如Fe/C多层膜)。
作为一个目的，第二磁性层12c与第一磁性层12a一起形成反铁磁性的交换相互作用。鉴于此，第二磁性层12c由磁化方向与第一磁性层12a的磁化方向相反的磁性资料构成。
第二磁性层12c由亚铁磁性材料构成，该亚铁磁性材料在读取温度(例如室温(RT))时纵向的磁各向异性(Ku′＜0)占主导作用，并且在记录温度(被升高的温度)时垂直的磁各向异性(Ku′≥0)占主导作用。该磁性材料具有固有的磁各向异性Ku。显然，该磁各向异性Ku′可表示为：
Ku′＝Ku-2πMs2
其中饱和磁化强度是Ms。因而，在具有Ku＞0的固有的磁各向异性的磁性材料中，当饱和磁化强度Ms随温度的升高而减少时，将由Ku′＜0(纵向磁各向异性)变为Ku′＞0(垂直磁各向异性)。
第二磁性层12c由满足如下关系的材料构成：
Tcomp≤T(Pw)≤TC2
其中Tcomp是补偿温度；T(Pw)是记录温度；以及Tc2是Currie温度。
那样，如图2所示，第二磁性层12c在室温下具有规定的饱和磁化强度。如图3所示，在室温下，纵向磁各向异性占主导作用。当温度从室温开始逐渐升高并且接近补偿温度Tcomp时，饱和磁化强度减少并且垂直磁各向异性超过纵向磁各向异性占主导作用。饱和磁化强度在接近记录温度T(Pw)时变为零。随着温度进一步提高，饱和磁化强度又增加并到达最高点。随着温度再进一步提高，饱和磁化强度又将减少。
具有这种性质的材料是基于铁磁材料的稀土金属(R)-过渡金属(TM)。在含有稀土金属和过渡金属的铁磁材料中，在不高于补偿温度Tcomp处，稀土金属的磁化强度(magnetization)占主导地位，而在不低于补偿温度Tcomp处，过渡金属的磁化强度占主导地位。作为稀土金属R，其中优选包含一种或者更多种Gd或Nd。例如，呈现这种性质的铁磁材料可以是例如GdFeCo、GdFe、NdFeCo等等。
优选的，第二磁性层12c是无定形的。该第二磁性层12c是无定形的，其可使中间层14和垂直磁性记录层16的晶体结构免受衬层12的影响。这样很容易使得形成在衬层12上的中间层14具有垂直磁性记录层16要想具有特定的结晶方向所必需的结晶方向。
作为一个目的，第三磁性层12e与第二磁性层12c一起形成反铁磁性的交换相互作用。鉴于此，第三磁性层12e由磁化方向与第二磁性层12c的磁化方向相反的磁性材料构成。
在第三磁性层12e中，纵向磁各向异性是非常有用的，并且第三磁性层12e是由Currie温度Tc3基本上与记录温度T(Pw)相同的磁性材料构成。即，如图2所示，第三磁性层12e在读取温度(例如，室温)下具有规定的饱和磁化强度。第三磁性层12e在室温下具有纵向磁各向异性，如图3所示。当温度从室温逐渐地上升时，饱和磁化强度逐渐减少，并在接近记录温度时变为零。
图2和图3中的实线表示的特性是Currie温度Tc3与记录温度T(pw)一致的优选材料的特性，但是Currie温度Tc3和记录温度T(Pw)彼此一致并不是必需的。具有例如图2和图3中虚线所示特性的材料可用于直到减少记录时第三磁性层的纵向磁各向异性的影响。
呈现出这种特性的磁性材料例如可以是NiFe。NiFe具有Ku＜0的固有的磁各向异性(Ku)，并且即使在饱和磁化强度Ms因温度的变化而减少时，仍保持纵向磁各向异性，除非另外的磁各向异性因素发挥作用。
如上所述，第一磁性层12a是为了衬层12能够循环产生自记录头的记录磁场循环，并且产生自记录头的记录磁场必须充分地循环这一固有目的而设置。鉴于此，第一磁性层12a的膜厚度必须大于第二磁性层12c和第三磁性层12e的膜厚度。也即，必须满足关系式：
tsul1＞tsul2≥tsul3
其中tsul1是第一磁性层12a的膜厚度，tsul2是第二磁性层12c的膜厚度以及tsul3是第三磁性层的膜厚度。
至于第二磁性层12c和第三磁性层12e的饱和磁化强度，在读取温度(例如室温)必须满足关系式Ms3≥Ms2，其中Ms2是第二磁性层12c的饱和磁化强度，Ms3是第三磁性层12e的饱和磁化强度，并且在记录温度，必须满足关系式Ms2≤Ms3。
其次，参照图4说明根据本发明的磁记录介质的读取原理。
根据本实施例从磁记录介质的读取是在例如室温的温度下完成的，在该温度下，在第二磁性层12c中纵向磁各向异性占主导作用，且第三磁性层12e的饱和磁化强度Ms3大于第二磁性层12c的饱和磁化强度Ms2(参见图2和图3)。
如上所述，在室温下，第一磁性层12a、第二磁性层12c以及第三磁性层12e具有纵向磁化方向。第二磁性层12c还具有亚铁磁性。因此，第二磁性层12c具有与第一磁性层12a和第三磁性层12e之间的反铁磁性的互联通路(反铁磁性的交换互联通路20)(见图4)。因而，可减少在读取时来自衬层12的漏磁场，抑制波动或条纹形磁畴的产生，并且减少介质噪声。来自衬层12的漏磁场的减少意味着中间层14可以变薄。
读取信号的输出除受到来自垂直磁性记录层16的漏磁场(读取磁通量)的强度影响之外，还受到因影像反射导致信号输出加强的影响。此时，信号的输出随着衬层12(第三磁性层12e的饱和磁化强度)表面的磁化强度的增强而变大。这使得因影像反射效应致使信号输出的增强变得可能。该衬层组成一反铁磁性多层，可抑制噪声，并提高信噪比。
然后，参照图5说明根据本实施例的磁记录介质的记录原理。
根据本实施例的磁记录介质的记录过程是通过热辅助磁记录方法完成的。用于记录的温度是这样温度，其使得在第二磁性层12c中垂直磁各向异性占主导作用，并且使第三磁性层12e的饱和磁化强度Ms3比第二磁性层12c的饱和磁化强度Ms2要强，例如接近在第三磁性层12e的Currie温度Tc3的温度(参见图2和图3)。
该用于记录的温度被这样设定后，由此第二磁性层12c被从纵向磁化膜(Ku＜0)改变为垂直磁化膜(Ku＞0)。这样，第二磁性层12c起到从该磁头在该记录磁场中拉的作用，从而记录磁场集中在垂直磁化区域。然后，记录磁场的灵敏度得以提高(参见图5)。同时，记录磁场的梯度变得敏锐，并且相邻的磁畴之间的过渡噪声得以减少。
记录磁场的灵敏度的提高能允许激光输出用于升高温度。这可以减少电能消耗。
然后，将说明根据本实施例的磁记录介质的实例。
通过溅射法，将180nm厚的CoNbZr膜的第一磁性层12a、2nm厚的Ta膜的间隔层12b、10nm厚的GdFeCo的第二磁性层12c、2nm厚的Ta膜的间隔层12d以及5nm厚的NiFe膜的第三磁性层12e沉积在玻璃衬底10上，以形成包含第一磁性层12a、间隔层12b、第二磁性层12c、间隔层12d以及第三磁性层12e的衬层12。举例来说，形成上述膜的条件为0.5Pa的膜形成室内气压和100W的直流溅射功率。
下一步，通过溅射法，将15nm厚的Ru膜的中间层14和10nm厚的(Co71Cr9Pt20)90-(SiO2)10膜的垂直磁性记录层16形成在衬层12之上。
下一步，将4nm厚的碳膜的保护层18形成在垂直磁性记录层16之上。
然后，将润滑剂施加到保护层18上，由此准备好作为实例的磁记录介质。
作为控件(control)，准备了这样的样品，其包含由180nm厚的CoNbZr膜的第一磁性层12a，2nm厚的Ta膜的间隔层12d以及5nm厚的NiFe膜的第三磁性层12e构成的衬层12，而没有形成间隔层12b和第二磁性层12c。其他的组成与该实例中的该样品相同。
图6是重写功率(O/W)随记录电流Iw(相当于记录磁场的强度)变化的曲线图。在该曲线图中，●标记和○标记表示该实例，▲标记和△标记表示该控件。虚线表示400kFCI的记录和之后的49.5kFCI的记录。实线表示50kFCI的记录和之后的400kFCI的记录。
如图所示，在该实例的样品中，用于该重写O/W的饱和的记录电流值Iw为～10mA，而在该控件的样品中，电流值Iw为15～20mA。该实例的样品比该控件的样品要高一些。也就是说，可发现，在该实例的样品中，记录磁场灵敏度得到提高。就重写O/W的绝对数值而言，该实例的样品要高于该控件的样品。这是由于记录灵敏度的提高和信号输出增加的原因。
然后，针对400kFCI的记录，测出信号输出S(mVpp)、介质噪声Nm(uVrms)以及信噪比S/Nm(dB)。结果，在该实例的样品中，信号输出S＝0.54，介质噪声Nm＝48.8以及信噪比S/Nm＝11.8dB。而在该控件的样品中，信号输出S＝0.48，介质噪声Nm＝60.2以及信噪比S/Nm＝9.0dB。
因此，在该实例中的样品中，信号输出S被增加，介质噪声被减少。结果，信噪比增加了3dB。
如上所述，根据本实施例，衬层是由第一到第三磁性层的多层膜(stackedfilm)构成，并且位于第一和第三磁性层中间的第二磁性层由亚铁磁材料构成，该亚铁磁材料在与第一和第三磁性层相反的方向上被磁化，由此在第一磁性层与第二磁性层以及第二磁性层与第三磁性层之间形成反铁磁性的交换互联通路，从而在衬层中形成闭合磁路。因此，在读取时，可减少来自衬层的漏磁场，同时抑制条形磁畴的产生，并且降低介质噪声。
衬层被反铁磁性的多层化，由此可减少漏磁场，因此可增加衬层(第三磁性层)表面的饱和磁化强度，同时可抑制泄漏磁场的增加。因而，可增强通过影像反射效应引起信号输出增加的效果。获得了减少介质噪声的效果，这又提高了信噪比。
第二磁性层由磁性材料构成，该材料在读取温度变成纵向磁化膜并且在记录温度点变成垂直磁化膜，由此在读取时可获得反铁磁性的交换互联通路，并且在记录时，记录磁场能集中在记录区域，以及能增加记录磁场的灵敏度。记录磁场的梯度可变得敏锐，由此减少在相邻的磁畴之间的过渡噪声。
第二磁性层变成垂直磁化膜，并且起到在记录磁场拉的作用，由此可减少因温度增加记录磁场的强度和激光的输出，这可以减少电能消耗。
第三磁性层在接近记录温度附近具有Currie温度，由此在记录时可降低来自第三磁性层的磁场，以及禁止第三磁性层影响记录磁场。
第二实施例
参照图7将说明根据本发明第二实施例的磁记录设备。
图7是根据本实施例的磁记录设备的截面图，显示了其中的结构。
磁盘36被固定到轴30的末端。磁盘36是包含形成玻璃衬底32上的磁性层34的磁记录介质，其被制成盘片。例如，磁盘36也可以是根据本发明的第一实施例的磁记录介质。轴30通过轴马达(未显示)驱动转动。
在磁盘36的磁性层34侧，放置利用巨磁阻效应的GMR(巨磁阻磁头)。GMR磁头38固定到臂上(未显示)。通过移动该臂和/或转动磁盘36，GMR磁头38可以移动到磁盘36上任意的记录区域。
用于该热辅助磁记录的激光光源40置于磁盘36的玻璃衬底32侧。激光源40发出680nm-波长的激光束。数值孔径NA为0.55的物镜42置于激光源40和磁盘片36之间。从而激光源40发出的激光束得以聚焦并且照射到规定的记录区域。
如上所述，磁记录设备包含根据第一实施例的磁记录介质，由此能用低的磁场强度来记录信息而不致失败，并且抑制介质噪声，同时获得高的信号输出。
在上面所述的实施例中，用于热辅助磁记录的激光源40置于磁盘36的玻璃衬底32侧，但是，如图8所示，也可以置于磁盘36的磁性层34侧。
改型的实施例
本发明不仅限于上面所述的实施例，可涵盖其他不同的改型的实施例。
例如，在上述实施例中，衬层是由3个磁性层构成。然而，衬层可以由2个磁性层即第一磁性层12a和第二磁性层12c构成。第二磁性层12c置于第一磁性层12a上，从而在第一磁性层和第二磁性层之间形成反铁磁性的交换互联通路，由此在衬层能形成闭合磁路。因此，即使没有第三磁性层12e，也能减少介质噪音。衬层只有两层结构，藉此介质结构得以简化，制造成本和材料成本得以减少。
在上述实施例中，衬层由三个磁性层构成，但是可以更进一步设置具有其他功能的一个或更多个磁性层。
在上述实施例中，在第一磁性层12a和第二磁性层12c之间提供了间隔层12b，并且在第二磁性层12c和第三磁性层12e之间提供了间隔层12d。然而，间隔层12b、12d并不是一定要设置的。设置间隔层是为了磁性层之间的隔离，它们之间的更高的附着等等，当磁性层之间有足够的隔离和附着时，可不设置间隔层12b，12c。
在上述实施例中，衬层12直接形成在玻璃衬底10上。然而，衬层12可以不用直接地形成在玻璃衬底10上。例如，可设置用于增加他们之间的附着(如Ta的附着层)的层。
Claims (20)
1、一种磁记录介质，其特征在于包括：
衬层，包含第一磁性层和形成在该第一磁性层之上的第二磁性层，该第二磁性层是铁磁性的并且在与该第一磁性层相反的方向上被磁化；以及
垂直磁性记录层，形成在该衬层之上，用于记录磁信息，
反铁磁性的交换互联通路，形成于该第一磁性层和该第二磁性层之间。
2、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，
该衬层还包含第三磁性层，该第三磁性层形成在该第二磁性层之上并且在与该第二磁性层相反的方向上被磁化，
反铁磁性的交换互联通路，形成于该第二磁性层和该第三磁性层之间。
3、如权利要求2所述的磁记录介质，其中，
该衬层满足关系式t1＞t2≥t3，其中t1为该第一磁性层的膜厚度，t2为该第二磁性层的膜厚度，以及t3为该第三磁性层的膜厚度。
4、如权利要求2所述的磁记录介质，其中，
该第二磁性层在第一温度的饱和磁化强度Ms2和该第三磁性层在第一温度的饱和磁化强度Ms3满足关系式Ms2≤Ms3，以及
该第二磁性层在高于该第一温度的第二温度的饱和磁化强度Ms2和第三磁性层在该第二温度的饱和磁化强度Ms3满足关系式Ms2≥Ms2。
5、如权利要求2所述的磁记录介质，其中，
该第三磁性层满足关系式T2≈Tc3，其中T2为该磁信息被记录在该垂直磁性记录层中的温度，Tc3为该第三磁性层的Currie温度。
6、如权利要求2所述的磁记录介质，其中，
该第三磁性层在第一温度和在高于该第一温度的第二温度具有纵向磁各向异性。
7、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，
该第一磁性层在第一温度和在高于该第一温度的第二温度具有纵向磁各向异性。
8、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，
该第二磁性层在第一温度具有纵向磁各向异性，并且在高于该第一温度的第二温度具有垂直磁各向异性。
9、如权利要求8所述的磁记录介质，其中，
该第二磁性层满足关系式Tcomp≤T2≤Tc2，其中T2为该第二温度，Tcomp为第二磁性层从纵向磁化膜改变为垂直磁化膜的温度，以及Tc2为第二磁性层的Currie温度。
10、如权利要求6所述的磁记录介质，其中，
该第一温度是记录在该垂直磁性记录层中的该磁信息被读取时的温度，以及
该第二温度是该磁信息被记录在该垂直磁性记录层中时的温度。
11、如权利要求7所述的磁记录介质，其中，
该第一温度是记录在该垂直磁性记录层中的该磁信息被读取时的温度，以及
该第二温度是该磁信息被记录在该垂直磁性记录层中时的温度。
12、如权利要求8所述的磁记录介质，其中，
该第一温度是记录在该垂直磁性记录层中的该磁信息被读取时的温度，以及
该第二温度是该磁信息被记录在该垂直磁性记录层中时的温度。
13、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，
该第二磁性层包含有稀土金属和过渡金属，并且包含有作为该稀土金属的Gd或Nd。
14、如权利要求1所述的磁记录介质，其中，
该第二磁性层处在无定形的形式。
15、如权利要求1所述的磁记录介质，进一步包含：
非磁性材料的中间层，在该衬层和该垂直磁性记录层之间。
16、一种磁记录设备，其特征在于包含：
磁记录介质，包括：衬层，该衬层包含：第一磁性层和形成在第一磁性层之上的第二磁性层，该第二磁性层是铁磁性的并且在与该第一磁性层相反的方向被磁化；和垂直磁性记录层，形成在衬层之上，用于记录磁信息；以及反铁磁性的交换互联通路，形成在该第一磁性层和该第二磁性层之间；
磁头，置于该磁记录介质的该垂直磁性记录层侧，用于在该磁记录介质的规定记录区域中记录磁信息，和从该磁记录介质的规定记录区域中读取磁信息；以及
光源，用于在磁信息被写入该磁记录介质中时，照射光到该磁记录介质中的记录区域，以控制该记录区域的温度。
17、如权利要求16所述的磁记录设备，其中，
该光源置于该磁记录介质的该第一磁性层侧。
18、一种磁记录方法，用于在磁记录介质中进行记录，该磁记录介质包括：衬层，该衬层包含：第一磁性层和形成在该第一磁性层之上的第二磁性层，该第二磁性层在第一温度变成在与该第一磁性层相反的方向上被磁化的纵向磁化膜，并且在高于该第一温度的第二温度变成垂直磁化膜；和垂直磁性记录层，形成在该衬层之上，用于记录磁信息，该方法包括：
将记录区域的温度上升到第二温度，以将该记录区域中的该第二磁性层从纵向磁化膜改变为垂直磁化膜，以及将记录磁场施加到该记录区域，由此将对应于该记录磁场的规定的磁信息记录于该记录区域的该垂直磁性记录层中。
19、如权利要求18所述的磁记录方法，其中，
该第二温度被设定为满足关系式Tcomp≤T≤Tc2，其中T为该第二温度，Tcomp为该第二磁性层由该纵向磁化膜变为该垂直磁化膜的温度，以及Tc2为该第二磁性层的Currie温度。
20、如权利要求18所述的磁记录方法，其中，
该衬层还包含第三磁性层，该第三磁性层形成在该第二磁性层之上，并且在第一温度在与该第二磁性层相反的方向上被磁化，以及，
该第二温度被如此设定，从而该第二磁性层的饱和磁化强度Ms2和该第三磁性层的饱和磁化强度Ms3满足关系式Ms3≥Ms3。
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