CN1825208A

CN1825208A - 光刻装置和器件制造方法

Info

Publication number: CN1825208A
Application number: CNA2006100041952A
Authority: CN
Inventors: M·K·斯塔文加; J·H·W·雅各布斯; H·詹森; M·C·M·维哈根
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2005-02-22
Filing date: 2006-02-21
Publication date: 2006-08-30
Anticipated expiration: 2026-02-21
Also published as: EP1693708A3; TW201115281A; US8018573B2; JP5529914B2; JP2012147015A; KR100773996B1; CN1825208B; TWI434145B; SG125208A1; JP2006237608A; JP5039753B2; DE602006000372T2; US20110292358A1; JP2009246384A; TW200641547A; JP4673236B2; DE602006000372D1; EP1693708B1; US8902404B2; EP1693708A2

Abstract

公开了用于减小光刻装置的液体供给系统中的压力梯度的各种类型的压力调节器件，液体供给系统具有构造成可在光刻装置的投影系统与衬底台之间至少部分地限制液体的液体限制结构。高的压力梯度会引起液体供给系统和/或液体限制结构中的颗粒污染。例如可以利用在一个或多个阀中的低速切换、围绕或通过一个或多个阀的引射流、将液体改道到排出管而不是或者附加地将阀切断、用于防止冲击波的压力调节器或流动限制器，以及用于补偿压力波动的缓冲容积/缓冲器，来减小压力梯度。

Description

光刻装置和器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种光刻装置和一种器件制造方法。

背景技术

光刻装置是可在衬底、通常是衬底的目标部分上施加所需图案的机器。光刻装置例如可用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可采用图案形成装置来产生将形成于IC的单个层上的电路图案，该图案形成装置也称为掩模或分划板。该图案可被转移到衬底(如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯)上。图案的转移通常借助于成像到设于衬底上的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上来实现。通常来说，单个衬底包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性地曝光在目标部分上来照射各目标部分，还包括所谓的扫描器，其中通过沿给定方向(“扫描”方向)由辐射光束来扫描图案并以平行于或反向平行于此方向的方向同步地扫描衬底来照射各目标部分。还可以通过将图案压印在衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底上。

已经提出了可将光刻投影装置中的衬底浸入到具有相对较高折射率的液体如水中，以便填充投影系统的最后元件与衬底之间的空间。其目的是用于成像较小的特征，这是因为曝光辐射在液体中将具有更短的波长(液体的效果还被认为是增加了系统的有效数值孔径(NA)，并且增大了聚焦深度)。还已经提出了其它的浸液，包括其中悬浮有固体颗粒(如石英)的水。

然而，将衬底或衬底及衬底台浸入在液体池(例如可见美国专利US 4509852，其通过引用整体地结合于本文中)意味着，在扫描曝光期间很大一部分液体必须被加速。这就要求有额外的或更大功率的电动机，并且液体中的湍流可能会导致不希望有的和无法预测的效果。

针对液体供给系统所提出的一种解决方案是，仅在衬底的局部区域上以及在投影系统的最后元件与衬底(衬底通常具有比投影系统的最后元件更大的表面积)之间提供液体。在PCT专利申请WO99/49504中公开了已经提出的针对此而设置的一种解决方案，其通过引用整体地结合于本文中。如图2和3所示，液体经由衬底上的至少一个入口IN且优选沿着衬底相对于最后元件的运动方向来供给，并且在已经在投影系统下方通过之后经由至少一个出口OUT排出。这就是说，当衬底在元件下方沿着-X方向被扫描时，液体在元件的+X侧供给并且在-X侧被吸走。图2示意性地显示了这一设置，其中液体经由入口IN来供给，并且经由与低压源相连的出口OUT而在元件的另一侧被吸走。在图2中，液体沿着衬底相对于最后元件的运动方向来供给，但这在此例中不是必须的。入口和出口可具有围绕着最后元件设置的各种定位和数量，在图3中显示了一个例子，其中围绕着最后元件以规则的图案设置了位于各侧上的四组入口和出口。

发明内容

对引入到液体供给系统，尤其是引入到诸如包括一个或多个入口、一个或多个出口和在图2-4中所示的和如图5中所示的(和后面更详细讨论的)相关结构的液体限制结构中的液体应该仔细地控制，使其具有这样的压力，使得在曝光期间湍流等不会造成不希望的影响。出于相同的原因，对真空和/或气体流应该仔细地控制。

为了控制液体、气体和真空流，通常使用阀。由于阀从关闭到开启和从开启到关闭的快速切换，与这些阀连接的管道可能承受很高的压力梯度。当压力低时，则具有孳生细菌和沉积其它颗粒的危险。当从低压变成高压时，则具有增大管道表面侵蚀的危险，这会对液体供给系统造成颗粒污染并且由此对液体限制结构造成颗粒污染。颗粒和/或细菌污染可能会严重影响衬底上投影的一致性。由于所需要的停机时间，对系统进行清洗以除去颗粒是很费时。除去沉积的颗粒可能会花费至少20分钟。另外，沉积在衬底上的颗粒可能会导致有缺陷的衬底印刷。

因此，例如减小压力梯度，使得压力既不减小得太多也不增加的太快，以减小对液体供给系统的颗粒污染，将是有利的。

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻装置，该光刻装置包括：

衬底台，其构造成可固定衬底；

投影系统，其构造成可将辐射光束投射到衬底的目标部分上；

液体供给系统，其包括构造成可在投影系统与衬底台之间至少部分地限制液体的液体限制结构，和其包括构造成可减小提供给液体限制结构的液体中的压力波动的压力调节器件。

根据本发明的一个方面，提供了一种器件制造方法，该器件制造方法包括：

经液体限制结构将图案化辐射光束投射到衬底上，经液体供给系统对液体限制结构提供液体；

减小液体供给系统中的液体的压力波动。

附图说明

下面将仅通过示例的方式并参考示意性附图来介绍本发明的实施例，在附图中对应的标号表示对应的部分，其中：

图1显示了根据本发明的一个实施例的光刻装置；

图2和3显示了用于光刻投影装置的液体供给系统；

图4显示了用于光刻投影装置的另一液体供给系统；

图5显示了用于光刻投影装置的另外一个液体供给系统；

图6a显示了根据本发明一个实施例的液体供给系统；

图6b显示了根据本发明一个实施例的液体供给系统的一部分；和

图7显示了根据本发明一个实施例的液体供给系统的另一部分。

具体实施方式

图1示意性地显示了根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括：

构造成可调节辐射光束B(例如UV辐射或DUV辐射)的照明系统(照明器)IL；

构造成可支撑图案形成装置(例如掩模)MA的支撑结构(例如掩模台)MT，其与构造成可按照一定参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；

构造成可固定衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W的衬底台(例如晶片台)WT，其与构造成可按照一定参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和

构造成可将由图案形成装置MA施加给辐射光束B的图案投射在衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如折射型投影透镜系统)PL。

该照明系统可包括用于对辐射进行引导、成形或控制的多种类型的光学部件，例如折射式、反射式、磁式、电磁式、静电式或其它类型的光学部件或其任意组合。

支撑结构支撑图案形成装置，即承受图案形成装置的重量。它以一定的方式固定住图案形成装置，这种方式取决于图案形成装置的定向、光刻装置的设计以及其它条件，例如图案形成装置是否保持在真空环境下。支撑结构可使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来固定住图案形成装置。支撑结构例如可为框架或台，其可根据要求为固定的或可动的。支撑结构可保证图案形成装置可例如相对于投影系统处于所需的位置。用语“分划板”或“掩模”在本文中的任何使用可被视为与更通用的用语“图案形成装置”具有相同的含义。

这里所用的用语“图案形成装置”应被广义地解释为可用于为辐射光束的横截面施加一定图案以便在衬底的目标部分中形成图案的任何装置。应当注意的是，例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征，那么施加于辐射光束中的图案可以不精确地对应于衬底目标部分中的所需图案。一般来说，施加于辐射光束中的图案将对应于待形成在目标部分内的器件如集成电路中的特定功能层。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的例子包括掩模、可编程的镜阵列和可编程的LCD面板。掩模在光刻领域中是众所周知的，其包括例如二元型、交变相移型和衰减相移型等掩模类型，还包括各种混合式掩模类型。可编程镜阵列的一个例子采用微型镜的矩阵设置，各镜子可单独地倾斜以沿不同方向反射所入射的辐射光束。倾斜镜在被镜矩阵所反射的辐射光束中施加了图案。

这里所用的用语“投影系统”应被广义地理解为包括各种类型的投影系统，包括折射式、反射式、反射折射式、磁式、电磁式和静电式光学系统或其任意组合，这例如应根据所用的曝光辐射或其它因素如使用浸液或使用真空的情况来适当地确定。用语“投影透镜”在本文中的任何使用均应被视为与更通用的用语“投影系统”具有相同的含义。

如这里所述，此装置为透射型(例如采用了透射掩模)。或者，此装置也可以是反射型(例如采用了如上所述类型的可编程镜阵列，或者采用了反射掩模)。

光刻装置可以是具有两个(双级)或多个衬底台(和/或两个或多个支撑结构)的那种类型。在这种“多级”式机器中，附加的台可以并联地使用，或者可在一个或多个台上进行预备步骤而将一个或多个其它的台用于曝光。

参见图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是单独的实体，例如在辐射源为准分子激光器时。在这种情况下，辐射源不应被视为形成了光刻装置的一部分，辐射光束借助于光束传送系统BD从源SO传递到照明器IL中，光束传送系统BD例如包括适当的引导镜和/或光束扩展器。在其它情况下，该源可以是光刻装置的一个整体部分，例如在该源为水银灯时。源SO和照明器IL及光束传送系统BD(如果需要的话)一起可称为辐射系统。

照明器IL可包括调节装置AD，其用于调节辐射光束的角强度分布。通常来说，至少可以调节照明器的光瞳面内的强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照明器IL通常包括各种其它的器件，例如积分器IN和聚光器CO。照明器用来调节辐射光束，以使其在其横截面上具有所需的均匀性和强度分布。

辐射光束B入射在固定于支撑结构(例如掩模台)MT上的图案形成装置(例如掩模)MA上，并通过该图案形成装置而图案化。在穿过掩模MA后，辐射光束B通过投影系统PS，其将光束聚焦在衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉仪、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可精确地移动，以便例如将不同的目标部分C定位在辐射光束B的路径中。类似地，可用第一定位装置PM和另一位置传感器(在图1中未明确示出)来相对于辐射光束B的路径对图案形成装置MA进行精确的定位，例如在将图案形成装置从掩模库中机械式地重新取出之后或者在扫描过程中。通常来说，借助于形成为第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可实现支撑结构MT的运动。类似的，采用形成为第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块，可实现衬底台WT的运动。在采用步进器的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可只与短行程致动器相连，或被固定住。掩模MA和衬底W可采用图案形成装置对准标记M1，M2和衬底对准标记P1，P2来对准。虽然衬底对准标记显示为占据了专用目标部分，然而它们可位于目标部分之间的空间内(它们称为划线片对准标记)。类似的，在图案形成装置MA上设置了超过一个管芯的情况下，图案形成装置对准标记可位于管芯之间。

所述装置可用于至少一种下述模式中：

1.在步进模式中，支撑结构MT和衬底台WT基本上保持静止，而施加到投影光束上的整个图案被一次性投影到目标部分C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动衬底台WT，使得不同的目标部分C被曝光。在步进模式中，曝光区域的最大尺寸限制了在单次静态曝光中所成像的目标部分C的大小。

2.在扫描模式中，支撑结构MT和衬底台WT被同步地扫描，同时施加到投影光束上的图案被投影到目标部分C上(即单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向由投影系统PS的放大(缩小)和图像倒转特性来确定。在扫描模式中，曝光区域的最大尺寸限制了单次动态曝光中的目标部分的宽度(非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定了目标部分的高度(扫描方向上)。

3.在另一模式中，支撑结构MT基本上固定地夹持了可编程的图案形成装置，而衬底台WT在施加到投影光束上的图案被投影到目标部分C上时产生运动或扫描。在这种模式中通常采用了脉冲辐射源，可编程的图案形成装置根据需要在衬底台WT的各次运动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间进行更新。这种操作模式可容易地应用于采用了可编程的图案形成装置、例如上述类型的可编程镜阵列的无掩模式光刻技术。

还可以采用上述使用模式的组合和/或变型，或者采用完全不同的使用模式。

在图4中显示了具有局部化液体供给系统的另一浸入式光刻解决方案。液体经由位于投影系统PL两侧上的两个槽式入口IN来供给，并经由设置在入口IN的径向外侧的多个分散出口OUT来除去。入口IN和出口OUT设置在一块板中，在该板的中心设有孔，投影光束经由该孔来投射。液体经由位于投影系统PL一侧上的一个槽式入口IN来供给，并经由设置在投影系统PL另一侧上的多个分散出口OUT来除去，这便导致了投影系统PL和衬底W之间的液体的薄膜式流动。选择使用入口IN和出口OUT的哪种组合取决于衬底W的运动方向(入口IN和出口OUT的另一种组合被停用)。

已经提出的具有局部化液体供给系统的另一浸入式光刻解决方案是提供带有液体限制结构的液体供给系统，该液体限制结构沿着投影系统的最后元件与衬底台之间的空间的至少一部分边界而延伸。这种解决方案显示于图5中。虽然在Z方向(光轴方向)上可能存在一些相对运动，然而液体限制结构在XY平面内相对于投影系统基本上静止。例如参见美国专利申请No.10/844575，该申请通过引用整体地结合于本文中。密封典型地形成在液体限制结构和衬底表面之间。在一个实施例中，该密封是一种无接触式密封如气封。

参见图5，储槽10形成了与投影系统成像区域周围的衬底之间的无接触式密封，使得液体被限制成填充了衬底表面与投影系统最后元件之间的空间。储槽由位于下方且围绕着投影系统PL的最后元件的液体限制结构12形成。液体进入到投影系统下方的空间中并处于液体限制结构12内。液体限制结构12稍微延伸到投影系统最后元件之上一点，并且液面上升到最后元件之上，从而提供了液体缓冲。液体限制结构12具有内周边，在一个实施例中，该内周边在上端处紧密地顺应着投影系统或其最后元件的形状，因此例如可以是圆形的。在底部处，该内周边紧密地顺应着成像区域的形状，例如为矩形，但并不一定要如此。

液体通过液体限制结构12的底部与衬底W的表面之间的气封16而被限制在储槽中。气封由气体如空气或合成空气，但在一个实施例中是氮气或另一种惰性气体形成，其在压力下经由入口15提供到液体限制结构12与衬底之间的间隙中，并经由第一出口14排出。气体入口15上的过压、第一出口14上的真空度以及间隙的几何形状设置成使得存在有限制了液体的向内高速气流。

液体供给系统包括使液体进入系统的入口和在系统中移动和控制液体流的管道和阀的“循环”系统。当液体限制结构中需要液体时，阀被切换到第一定向上。当不需要液体时，阀被切换到第二定向上，以便阻止来自液体限制结构的液体流或使其改道。同样的处理也可以应用到如图5所示的出口14和入口15的气体和真空流并且在此针对液体讨论的任何实施例通过适当的构造都可以应用于气体和真空流。可以提供对阀的进一步的定向，以增加或减少液体限制结构中的液体/气体/真空的压力。

当切换阀时，上面讨论的潜在问题可能变得很明显。液体供给系统或液体限制结构中的颗粒污染可能会发生和并且可能会影响衬底的曝光。显然，液体(或气体或真空)应当是纯净的而不含有不可接受水平的污染物。高的压力梯度(或快速的压力变化)可能会是这种不希望的污染的根源。

如进一步讨论的那样，可以有多种途径减小压力梯度，以便减小对液体供给系统和/或液体限制结构的颗粒污染.

第一种方法是降低液体供给系统中的阀中的一个或多个的切换速度。例如，在1或2秒中内从0切换到每分钟大约2升或以上可以使颗粒污染减小到可以接受的水平。在5秒中内从0切换到每分钟大约2升或以上可以极大地或完全消除颗粒污染。相反，在0.1秒中内从0切换到每分钟大约2升或以上可能导致不可接受水平的颗粒污染。在这种情况下，液体供给系统和/或液体限制结构可能需要清洗，以避免有缺陷的衬底曝光。当阀位于颗粒过滤器的下游时，较慢地切换阀可能具有尤其重要的作用。

此外，液体供给系统中的所有阀可以以大致相同的速度切换，以便有利于使通过所有阀的液体在整个液体供给系统中以大致相同的速率被释放或阻止或改道。多个阀的切换时刻也可以仔细监控，使得液体在液体供给系统的不同部分中具有的流率不会有过大的差异，因为不同的流率是液体供给系统管道中的压力梯度的潜在原因。在大致相同的速度下对阀进行切换对位于颗粒过滤器下游的阀可能是尤其重要的，这样在过滤器之后不会有新的颗粒移出等。

另一种减小压力梯度的方式是在液体限制结构中不需要液体时将液体从液体供给系统排出而不是切断液体供给系统。切断液体供给系统意味着流率非常低，这会增加细菌和颗粒沉积的危险。实现这种排出的一种途径是设置在允许液体进入液体限制结构和允许液体进入排出管之间进行切换的阀。可以将该阀设置在排出管中，这样阀打开排出管，而不是阀在液体限制结构和排出管之间进行切换。在这种情况下，在管道中朝液体限制结构流动的液体以比用阀在液体限制结构和排出管之间进行简单切换的情况更低的速率改道到排出管，因为液体可以朝液体限制结构继续流动，直到排出管完全打开。一个备选方案是设置与阀旁通的引射流(bleed flow)和保持关闭的阀。另一个备选方案是通过阀本身设置引射流。再一个备选方案是设置与阀旁通并且流入排出管的引射流。

阀的位置的示例示于图6a中。图6a示出了两个阀20，其中的一个阀20a可以简单地低速切换，其中的另一阀20b还包括排出管24。图6b示出了包括排出管24的阀20b的一个备选方案。图6b示出了引射流22，其与阀20b旁通并且排空到排出管24。箭头2示出液体流入液体限制结构40的方向。

可以看出可以在颗粒过滤器30的两侧都设置阀20。供给的液体经入口18流过阀20a，沿着方向4流过过滤器30并且最后流过阀20b，然后到达液体限制结构40。当液体限制结构40不需要液体时，阀20a可以慢慢地切断和/或阀20b可以切换成将液体改道到排出管24。或者，阀20b可以切换到一个关闭位置而液体将通过引射流22流入排出管24，如图6b所示。

图7示出了减小压力梯度的另一个实施例。在该例中，缓冲容积/缓冲器50包含液体，它在流4的压力低于门限值时，通过将液体引入管道2使流率保持大致恒定。

由于缓冲容积50的静态特性，具有在缓冲容积50中集结细菌或颗粒的危险，因此该缓冲容积通过柔性膜52与液体供给系统的其余部分保持物理上的分离。如果压力上升到门限值以上，缓冲容积/缓冲器50也可以除去超出的液体。缓冲容积50中的基线压力保持得与液体供给系统中的流4中所希望的压力大致相同。这样流中的压力变化得到补偿。容积越大，对变化的缓冲能里就越好。因此，设计缓冲容积的尺寸要考虑所希望的流和在流中预期的压力变化。

虽然缓冲容积/缓冲器可以用于缓冲压力波动，但是在一个实施例中还希望从开始就消除这种波动，而不是之后对其进行补偿。为了做到这点，进一步的可能性是在液体限制结构和液体供给系统的大部分的上游在液体供给系统的入口18中引入压力调节器或流动限制器。这可以帮助减小或防止由新引入液体供给系统中的液体提供的冲击波。

这些针对压力梯度问题的解决方案可以单独应用或者组合应用。应用的数量和类型取决于使用的颗粒系统可接受的颗粒数量以及使用的管道的类型。不同的管道可能或多或少地倾向于颗粒侵蚀。

在一个实施例中，排出管24尽可能靠近液体限制结构40。这可以最有效地利用排出管，因为排出管越靠近其实际使用的地方，暴露给流动变化的管道部分就越少，只要朝液体限制结构的流和朝排出管的流的组合流保持基本上恒定的话。因此由流动变化可以侵蚀出污染颗粒的管道部分就更少。

在欧洲专利申请No.03257072.3中公开了双级或双步浸入式光刻装置的概念。这种装置设有用于支撑衬底的两个台。采用处于第一位置中的台在无浸液的情况下进行调平测量，采用处于第二位置中的台在存在浸液的情况下进行曝光。或者，该装置仅具有一个台。

虽然在本文中具体地参考了IC制造中的光刻装置的使用，然而应当理解，这里所介绍的光刻装置还可具有其它应用，例如集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域的技术人员可以理解，在这种替代性应用的上下文中，用语“晶片”或“管芯”在这里的任何使用分别被视为与更通用的用语“衬底”或“目标区域”具有相同的含义。这里所指的衬底可在曝光前或曝光后例如在轨道(一种通常在衬底上施加抗蚀层并对暴露出来的抗蚀层进行显影的工具)或度量和/或检查工具中进行加工。在适当之处，本公开可应用于这些和其它衬底加工工具中。另外，衬底可被不止一次地加工，例如以形成多层IC，因此，这里所用的用语“衬底”也可指已经包含有多层已加工的层的衬底。

这里所用的用语“辐射”和“光束”用于包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如波长为365、248、193、157或126纳米左右)。

用语“透镜”在允许之处可指多种光学部件中的任意一种或其组合，包括折射式和反射式光学部件。

虽然在上文中已经描述了本发明的特定实施例，然而可以理解，本发明可通过不同于上述的方式来实施。例如在适当之处，本发明可采用含有一个或多个描述了上述方法的机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者存储有这种计算机程序的数据存储介质(如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。

本发明的一个或多个实施例可应用于任何浸入式光刻装置，尤其是，但不仅仅是，如上述那些类型，而不论浸液是以槽液的形式提供还是仅仅提供在衬底的局部表面区域上。这里设想的液体供给系统应该在广义上理解。在某些实施例中，它可以是对投影系统与衬底和/或衬底台之间的空间提供液体的任何机构或者结构的组合。它可以包括一个或多个结构、一个或多个液体入口、一个或多个气体入口、一个或多个气体出口和/或一个或多个液体出口的任何组合，该组合将液体提供给该空间。在一个实施例中，该空间的表面可为衬底和/或衬底台的一部分，或者该空间的表面可完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或者该空间可以包封衬底和/或衬底台。液体供给系统可以备选地进一步包括控制位置、数量、质量、形状、流率或者液体的气体任何特征的一个或多个构件。

上面这些描述是示例性而非限制性的。因此，对本领域的技术人员来说很明显，在不脱离下述权利要求的范围的前提下，可以对所述的本发明进行修改。

Claims

1.一种光刻装置，包括：

衬底台，其构造成可固定衬底；

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述器件包括阀，其构造成可以在1至5秒内将液体供给系统中的液体流率从0改变到2升/分钟或以上。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述器件包括至少两个阀，其中所有的阀都适合于在大致相同的速度下改变液体供给系统中的液体流率。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述阀定位在液体供给系统中的颗粒过滤器的下游。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述装置包括在过滤器下游的至少两个阀，其中所有的阀都适合于在大致相同的速度下改变液体供给系统中的液体流率。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述器件包括在液体供给系统中的排出管和阀，所述阀构造成可以在朝着液体形状结构的方向和朝着排出管的方向之间切换液体的流动。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述阀位于排出管内。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述器件包括在液体供给系统中与阀一起使用的引射流器件，所述引射流器件构造成即使当阀被切换到关闭位置时也可以在液体供给系统中产生液体引射流。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述器件包括在液体供给系统的入口中的压力调节器。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述器件包括在液体供给系统的入口中的流动限制器。

11.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述器件包括液体的缓冲容积，所述缓冲容积构造成可以在液体供给系统中的液体的容积下降到门限值以下时从缓冲容积中释放液体和构造成可以在液体供给系统中的液体的容积上升到门限值以上时将液体接收到缓冲容积中。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述缓冲容积通过柔性膜与液体供给系统隔开。

13.一种器件制造方法，包括：

经液体限制结构将图案化辐射光束投射到衬底上，经液体供给系统对液体限制结构提供液体；和

减小液体供给系统中的液体中的压力波动。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，减小压力波动包括在1至5秒内将通过液体供给系统中的阀的液体流量从0切换到约2升/分钟或以上。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，减小压力波动包括围绕液体供给系统中的阀引射液体，从而液体的净流量不会减小到0升/分钟或者减小到低于0.5升/分钟。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，减小压力波动包括将液体的流从朝向液体限制结构改道为朝向排出管。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，减小压力波动包括如果液体供给系统中的液体的压力下降到低于门限值就从缓冲容积向液体供给系统中添加液体。

18.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，减小压力波动包括如果液体供给系统中的液体的压力上升到高于门限值就从液体供给系统向缓冲容积中移出液体。

19.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，减小压力波动包括利用压力调节器调节在液体供给系统的入口处的液体的压力。

20.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，减小压力波动包括利用在液体供给系统的入口处的流动限制器防止由新引入液体供给系统中的液体产生的冲击波。